微分射频探测器

X射线探测器是一种位置灵敏性的探测器 （Position sensitive detector, PSD), 非常适合各种X射线衍射仪探测器的使用。X射线探测器具有专利技术的X射线衍射仪探测器使用坚固的blade anode技术，而不是基于传统微光子技术，它不需要维护，不受X射线束的影响。X射线探测器特点先前的PSD探测器基于fragile wire anode technology，这种技术的探测器噪音较大，而且很容易被较强的X射线损坏。为了克服这个问题，法国Inel公司投入大量人力研发了这种PSD新型X射线探测器，使用钢合金替代原有材料，使得X射线探测器非常坚固而且不易被损伤。PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末，固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计，具有110度，120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造，代替了传统的机械扫描装置。 这款PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末，固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计，具有110度，120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造，代替了传统的机械扫描装置。

X射线探测器是一种位置灵敏性探测器 （Position sensitive detector, PSD), 非常适合各种X射线衍射探测器的使用。X射线探测器具有专利技术的X射线衍射仪探测器使用坚固的blade anode技术，而不是基于传统微光子技术，它不需要维护，不受X射线束的影响。X射线探测器特点先前的PSD探测器基于fragile wire anode technology，这种技术的探测器噪音较大，而且很容易被较强的X射线损坏。为了克服这个问题，法国Inel公司投入大量人力研发了这种PSD新型X射线探测器，使用钢合金替代原有材料，使得X射线探测器非常坚固而且不易被损伤。PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末，固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计，具有110度，120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造，代替了传统的机械扫描装置。 这款PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末，固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计，具有110度，120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造，代替了传统的机械扫描装置。http://www.f-lab.cn/radiation-detectors/psddector.html

这款单光子计数探测器是使用Medipix2技术和Timepix技术的单光子探测器,是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像，非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。 这款单光子技术探测器，单光子探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN)，仅仅2平方分米的尺寸，具有一流的读取电路，提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像，而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像。 致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏，这种结构的探测器在分辨率，灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制，它提供256x256个像素阵列，单个像素可达55x55微米，可当个像素成像，具有如下工作模式：单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。 到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。 产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积 单光子探测器产品应用天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱

这款混合像元探测器是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像，非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。 这款混合像元探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN)，仅仅2平方分米的尺寸，具有一流的读取电路，提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像，而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像。 致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏，这种结构的探测器在分辨率，灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制，它提供256x256个像素阵列，单个像素可达55x55微米，可当个像素成像，具有如下工作模式：单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。 到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。 产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积 产品应用天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱

美国Discovery Semiconductors公司全线产品 量青光电专业代理 Discovery Semiconductors, Inc.是一家制造超快 InGaAs 光电探测器，射频过光纤接收器，平衡光接收器，和一些定制产品的行业领导者。产品应用范围从模拟射频连接到超快数字通信。1993年，并凭借使用在40和Discovery的仪器和系统包含Lab Buddy和光学相干接收机系统。

这款Timepix探测器是使用Timepix技术的混合像元探测器,是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像，非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。 这款Timepix探测器，混合像元探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN)，仅仅2平方分米的尺寸，具有一流的读取电路，提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像，而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像。 致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏，这种结构的探测器在分辨率，灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制，它提供256x256个像素阵列，单个像素可达55x55微米，可当个像素成像，具有如下工作模式：单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。 到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。 产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积 Timepix产品应用天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱

这款Medipix2探测器是使用Medipix2技术的混合像元探测器,是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像，非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。 这款Medipix2探测器，混合像元探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN)，仅仅2平方分米的尺寸，具有一流的读取电路，提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像，而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像。 致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏，这种结构的探测器在分辨率，灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制，它提供256x256个像素阵列，单个像素可达55x55微米，可当个像素成像，具有如下工作模式：单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。 到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。 产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积 产品应用天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱

这款标准闪烁探测器采用YAG:Ce闪烁体,YAP:Ce晶体,LuAG:Ce晶体,BGO晶体, CaF:Eu晶体,CsI:Tl闪烁晶体制作而成，百分之百欧洲进口，具有全球一流的闪烁转换效率，是电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV成像或探测的理想闪烁探测器。标准的闪烁体探测器是圆形薄片，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的闪烁探测器,闪烁体探测器, 闪烁晶体，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。 这些闪烁体探测器和闪烁晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测。闪烁探测器我们提供的闪烁探测器,闪烁体探测器,闪烁晶体由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce闪烁晶体材料构成。目前提供如下三种选择：*标准的闪烁晶体：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。*带衬底闪烁体探测器：超薄YAG:Ce屏厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm.*独立薄YAG:Ce闪烁探测器: 这种超薄成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下：YAG:Ce闪烁晶体：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大直径是10mm YAP:C闪烁体探测器：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm.这种独立使用的闪烁探测器非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护闪烁晶体，或者提供陶瓷或钢铁外壳保护的闪烁体探测器。Standard detectors usually have the shape of cylindrical plates. Typically, diameters range from 2 mm up to 50 mm and thickness from 0.1 to 5 mm. A variety of other shapes and sizes, including prisms, spheres and thin plates can be made. An optional (one) face, both faces, or all surfaces can be polished. A thin aluminum, carbon or ITO (Indium Tin Oxide) entrance window can be made as an optional extra. An optional Zr layers can be applied on the entrance window for EUV radiation. Also see Optional extras.These detectors are intended to be used for the detection of electrons, X-ray, gamma, UV and EUV radiation.

这款致电离辐射探测器是欧洲进口的致电离粒子探测器，它具有超高灵敏度，广泛用于电离辐射探测，根据不同应用可用作中子探测器,伽马射线探测器或X射线探测器。这种致电离辐射探测器已经在粒子物理，核物理，环境检测，化学等诸多领域成功应用。电离辐射探测器由YAP:Ce, YAG:Ce, BGO or NaI(Tl)闪烁体单晶，光电倍增管，放大器和驱动电路组成，我们根据用户要求灵活设计这些探测器。请联系我们We design, and manucfacture a large variet of scintillation detectors which are used for the detection and spectroscopy of ionizing particles, neutrons, gamma-ray and x-rays.The detection&spectroscopy units are designed specifically to the customers’ requirements.These units find use in geology, medicine, particle physics, environmental applications as well as in many other areas. Typically used scintillation materials include YAP:Ce, YAG:Ce, BGO or NaI(Tl) Fully customized spectroscopy units consist of an appropriate photodetector and the necessary electronics such as preamplifiers, amplifiers, voltage dividers or voltage sources, either integrated within the detection unit or as external units.All scintillation detectors are magnetically shielded and mechanically protected by a metal housing. Housing size and materials are also selected in line with customer requirements.

新型激光地雷探测器配件使用LIBS技术,大大提高排雷的速度和准确度,是全球领先的激光地雷探测仪，新型激光地雷探测器配件是专业为扫雷,排雷等工作地雷的探测而研发，是欧洲防务系统中明显产品。激光地雷探测器实物图地雷的探测与排查依然是现代社会的一个难题。多数情况下，人们对地雷的排查和探测依靠简单的排查戳探杆（Mine searching prodder），排雷人员通过寻找其前面的土壤电阻异常来排查地雷。这种方法当然可以百分之百寻找到地雷，但是，这种办法存在极高频率的错误报警问题，导致排雷速度非常缓慢。 一种防步兵地雷为了减少传统排雷方式中的极高的误报警问题，我们提供了一种新型的高科技激光地雷探测仪。这种激光地雷探测器是在一种激光诱导击穿光谱传感器前加上光纤传感 器，可以与传统的排雷方法一起使用。遇到隐藏在地面下的不明物体时，排雷人员可以使用这种新型的激光地雷探测器向不明物体表面发出激光束，激光地雷探测仪 通过分析不明物表面反射的光谱信息就可以分辨出是地雷还是铁块，从而大大提高排雷的速度和准确度。中国领先的进口精密光谱仪器旗舰型服务商--孚光精仪！

这款BSE探测器,BSE detector 是欧洲进口的全球领先的背散射电子探测器，它采用全球最佳的闪烁体晶体探测器和光电倍增管,精密真空机械以及高精度电路，以卓越的性能满足背散射电子探测应用。BSE探测器特点采用YAG:Ce单晶闪烁体采用闪烁体和光电倍增管，提供极佳的图像质量全球最佳的超低能量镀膜技术，灵敏度可到0.5Kev 优异的信噪比无限的探测器寿命电动可回缩高精密导臂波纹管密封高真空系统完全用户订制化的SEM连接系统BSE探测器，背散射电子探测器性能YAG:Ce闪烁体探测器提供最佳效率和最小余光afterglow, decay time 衰减时间为75ns @30光子/Kev YAG:Ce闪烁探测器外径15mm , 内孔6mm, 4mm, 2mm 或1.2mm任选，它限制视场大小。灵敏度高达1pA电子束

SiLi探测器是专业为X射线分析和探测而设计的一种电子制冷的硅锂探测器，不需要液氮制冷，因此可随时便携到现场使用，SiLi探测器非常适合各种X射线荧光分析仪，X射线光谱仪和X射线衍射仪等使用。 SiLi探测器产品特色： 不需要液氮冷却　　　　 高能量分辨率 超薄铍窗　　　　　　 任何空间方位都可探测 断电后的自动重启　 长期持续工作能力 轻质紧凑设计，方便携带 硅锂探测器组成 SiLi探测器 气体连线 SiLi探测器参数 能量范围：1-60KeV 探测单元面积：20mm2 (可根据用户要求提供60mm^2面积的探测单元面积） 能量分辨率：能量为5.9keV时的分辨率： ■ 16μs的成峰时间：138keV ■ 1μs的成峰时间：268keV ■ 记数率为105cps，成峰时间1μs：275keV 峰值/背景比：4000 制冷时间：3小时 工作模式：连续工作 环境温度：-5～38摄氏度 探测单元尺寸重量：80x135x150mm, 1.8kg 压缩器尺寸重量：140x160x300mm, 7.5kg 功耗：60W 电源要求：200V AC, 50Hz http://www.f-lab.cn/radiation-detectors/sili.html

HPGe探测器是专业为X射线和伽玛射线探测而设计的一种电子制冷的高纯锗探测器，不需要液氮制冷，HPGe探测器非常适合各种伽玛射线和X射线探测使用,是理想的伽玛射线探测器。 HPGe探测器特色： 不需要液氮冷却　　　　　　　　　 任何空间方位都可探测 断电后的自动重启　 长时间持续工作能力 轻质紧凑设计 高纯锗探测器组成： 探测部分：低温恒温器，高纯锗晶体，温度传感器，热交换器 气体压缩器制冷系统 高压气管 能谱仪器件 仿真分析软件 高纯锗探测器参数： 能量范围：40-3000KeV HPGe探测器效率：30% 能量分辨率： 0.9keV@122KeV, 1.9Kev@1.33MeV 探测单元尺寸重量：Dia114x350mm, 2.9kg 压缩器尺寸重量：445x357x281mm, 31.8kg 功耗：570W 电源要求：220V AC, 50Hz http://www.f-lab.cn/radiation-detectors/hpge.html

总览40MHz 三通道光电探测器 Low Noise Photodetector40MHz InGaAs 三通道光电探测器 800-1700nm,40MHz InGaAs 三通道光电探测器 800-1700nm产品特点低噪声；高带宽；高增益；结构紧凑；产品应用分布式光纤传感 (ψ-OTDR/ C-OTDR , DAS/DVS , BOTDA/ BOTDR )激光测风雷达光学相干层析 光谱测量/ ns 级光脉冲探测 其他科研应用通用参数产品型号PD-40M-3-A 单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽40MHz探测器响应度0.95@1550nmA/W跨阻增益20KV/A饱和输入光功率210uWNEP5pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50Ω输出耦合方式DC供电电压5V供电电流0.5(max)A光学输入FC/APC射频输出SMA外形尺寸80*80*25mm备注三路光口输入，三路射频电压输出使用说明1. 该模块供电电压为 5V，供电电流Max. 值为 0.7A.2. Input 为光输入接口；RF 为射频输出接口.3. 接入输入端前请确保端面清洁防止脏污对测量结果造成影响.测试结果 外形尺寸（单位：mm）公司简介筱晓(上海)光子技术有限公司是一家被上海市评为高新技术企业和拥有上海市专精特新企业称号的专业光学服务公司，业务涵盖设备代理以及项目合作研发，公司位于大虹桥商务板块，拥有接近2000m² 的办公区域，建有500平先进的AOL(Advanced Optical Labs)光学实验室，为国内外客户提供专业技术支持服务。公司主要经营光学元件、激光光学测试设备、以及光学系统集成业务。依托专业、强大的技术支持，以及良好的商务支持团队，筱晓的业务范围正在逐年增长。目前业务覆盖国内外各著名高校、顶级科研机构及相关领域等诸多企事业单位。筱晓拥有一支核心的管理团队以及专业的研发实验室，奠定了我们在设备的拓展应用及自主研发领域坚实的基础。主要经营激光器/光源半导体激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子级联激光器、FP激光器、VCSEL激光器）气体激光器（HENE激光器、氩离子激光器、氦镉激光器）光纤激光器（连续激光器、超短脉冲激光器）光学元件光纤光栅滤波器、光纤放大器、光学晶体、光纤隔离器/环形器、脉冲驱动板、光纤耦合器、气体吸收池、光纤准直器、光接收组件、激光控制驱动器等各种无源器件激光分析设备高精度光谱分析仪、自相关仪、偏振分析仪，激光波长计、红外相机、光束质量分析仪、红外观察镜等光纤处理设备光纤拉锥机、裸光纤研磨机 。

这种电镜探测器是欧洲设计制造的专业为电子显微镜而配套的闪烁体探测器，可与多种光导器件配合使用，组成电子显微镜探测器。我们已经为电子显微镜设计了许多电镜探测器，包括二次电子探测器（SE detector），背散射电子探测器(BSE detector) ，透射电子显微镜探测器,TEM探测器和ADF探测器.WE develops and produces many types of detectors used in electron microscopy and can optimize detection unit design with the use of various light guide shapes and scintillator types. we designs complete units including the associated electronics and mechanical parts. All products pass strict quality testing. Scintillation Detectorsproduces many types of detectors for use in electron microscopy. These detectors exhibit long operating lives and very good luminescence efficiency. Our product line includes: Standard detectors: SE, BSE, TEM, Dark Field (ADF) Special detectors: In Lens, Segmented, Detection Array, Cathodoluminescent (CL) Custom designed detectors: other special detectors can be developed in cooperation with the customer

HPGe探测器配件是专业为X射线和伽玛射线探测而设计的一种电子制冷的高纯锗探测器，不需要液氮制冷，非常适合各种伽玛射线和X射线探测使用,是理想的伽玛射线探测器。 HPGe探测器配件特色不需要液氮冷却　　　　　　　　　 任何空间方位都可探测 断电后的自动重启长时间持续工作能力 轻质紧凑设计高纯锗探测器配件： 探测部分：低温恒温器，高纯锗晶体，温度传感器，热交换器 气体压缩器制冷系统 高压气管 能谱仪器件 仿真分析软件 高纯锗探测器配件参数能量范围：40-3000KeV HPGe探测器效率：30% 能量分辨率： 0.9keV@122KeV, 1.9Kev@1.33MeV 探测单元尺寸重量：Dia114x350mm, 2.9kg 压缩器尺寸重量：445x357x281mm, 31.8kg 功耗：570W 电源要求：220V AC, 50Hz

这款CdZnTe探测器是专业为伽玛射线探测而设计的一种电子制冷的碲锌镉探测器，不需要液氮制冷。 非常适合各种伽玛射线探测使用,是理想的伽玛射线探测器。CdZnTe探测器产品特色： 不需要液氮冷却　CdZnTe探测器可更换数字脉冲处理高能分辨率高效率USB供电　　　　　更多伽玛线探测器,CdZnTe探测器碲锌镉探测器参数能量范围：20Kev-3MeV能量分辨率： 　　2.5%@662KeV, μSPEC60, μSPEC500 最大测量量：100kcps尺寸：25x25x70mm功耗：80g电源要求：USB供电，5.25V， 100mA

匠心艺术之作70mm2 FAST SDD Amptek最新研发了一款TO-8封装的70mm2 FAST SDD探测器。它的封装和Amptek其他所有探测器封装一样。这样使得70mm2 FAST SDD成为非常方便的替代品。在同样性能下，计数率是25mm2SDD探测器的3倍。特性 l 70mm2有效面积准直到50mm2l 123ev FWHM @5.9keVl 计数率2,000,000cpsl 高峰背比-26000:1l 前置放大器上升时间60nsl 窗口：Be(0.5mil) 12.5um或C2(Si3N4)l 抗辐射l 探头晶体厚度500uml TO-8封装l 制冷ΔT 85Kl 内置多层准直器 应用l 超快台式和手持XRF光谱仪l SEM中EDS系统的样品扫描或测绘样品l 在线过程控制l X射线分拣机l OEM FASTSDD-70规格参数 通用探头类型硅漂移探头（SDD）探头大小70mm2准直到50mm2硅晶体厚度500um5.9keV处55Fe能量分辨率峰化时间4us时，分辨率为123-135eV峰背比20000:1（5.9keV与1keV计数比）探头窗口Be:0.5mil(12.5um)或C2（Si3N4）准直器内部多层准直器电荷灵敏前置放大器CMOS增益稳定性20ppm/℃外壳尺寸XR-100FastSDD-703.00 x 1.75 x 1.13 in (7.6 x 4.4 x 2.9 cm)重量XR-100FastSDD-704.4盎司（125g）总功率XR-100FastSDD-702W质保期1年使用寿命取决于实际使用情况，一般5-10年仓储和物流长期存放：干燥环境下10年以上仓储和物流：-40℃到+85℃，10%到90%湿度，无凝结工作条件-35℃到+80℃TUV 认证认证编号：CU 72101153 01检测于：UL61010-1:2009 R10.08 CAN/CSA-C22.2 61010-1-04+GI1输入前放电源 XR-100FastSDD-70 OEM 配置±8V@15mA，峰值噪声不超过50mV。 PA210/PA230或X-123：±5V探头电源 XR-100FastSDD-70-100到-180V@25uA，非常稳定，变化0.1%制冷电源电流电压 最大450mA最大3.5V，峰值噪声100mV注： XR-100FastSDD-70包含它自身的温度控制器输出前放灵敏度 极性输出上升时间反馈 典型的3.6mV/keV（不同的探头灵敏度不同）正输出信号（最大1KΩ负载）60ns复位型温度监控灵敏度根据配置不同而变化当使用PX5，DP5，或X-123时，直接通过软件读取开尔文温度 FastSDD-70 探头可用于Amptek所有的配置中

粒子探测器配件是全球领先的粒子追踪探测器和粒子追迹探测器，它基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像。 粒子探测器配件数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像，非常适合粒子追踪和辐射监测，单光子计数等应用，能够识别3-5keV的辐射粒子或光子。不仅可以识别当个粒子，并且可以区分不同的粒子。 单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。 能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。 到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。 粒子探测器配件特点 高对比度 高动态范围 无噪音 实时监测 256x256像素单光子计数阵列 传感器面积14.1x14.1mm^2 单个像素55um超大面积 天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱。

这款硅漂移探测器(SDD,Silicon Drift Detector)专业为XRF光谱仪和SEM扫描电镜EDS能谱仪探测器应用而设计，提供窗口材料的选择，从铍（8μm）到薄型聚合物（用于轻型X射线透射），并提供10mm2至60mm2的传感器有源区域。 此外，所有或我们的SEM SDD版本都是无振动的。硅漂移探测器在与创新的基于以太网的数字脉冲处理器相结合时得到优化。 具体配置给每个客户，SDD硅漂移探测器在广泛的输入计数率下提供卓越和稳定的性能，以产生快速X射线图。硅漂移探测器规格 SDD探测器典型特征 传感器区域 窗口选项 分辨率eV（Mn K / C） 10mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤123-133 30mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤126-133 60mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤126-133 100mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤128-133

这款背散射电子探测器是欧洲进口的全球领先的BSE探测器，它采用全球最佳的闪烁体晶体探测器和光电倍增管,精密真空机械以及高精度电路，以卓越的性能满足背散射电子探测应用。背散射电子探测器特点采用YAG:Ce单晶闪烁体采用闪烁体和光电倍增管，提供极佳的图像质量全球最佳的超低能量镀膜技术，灵敏度可到0.5Kev 优异的信噪比无限的探测器寿命电动可回缩高精密导臂波纹管密封高真空系统完全用户订制化的SEM连接系统背散射电子探测器性能YAG:Ce闪烁体探测器提供最佳效率和最小余光afterglow, decay time 衰减时间为75ns @30光子/Kev YAG:Ce闪烁探测器外径15mm , 内孔6mm, 4mm, 2mm 或1.2mm任选，它限制视场大小。灵敏度高达1pA电子束

SiLi探测器配件是专业为X射线分析和探测而设计的一种电子制冷的硅锂探测器，不需要液氮制冷，因此可随时便携到现场使用。 SiLi探测器配件特色不需要液氮冷却　　　　 高能量分辨率 超薄铍窗　非常适合各种X射线荧光分析仪等使用　　　　　 任何空间方位都可探测 断电后的自动重启　 长期持续工作能力 轻质紧凑设计，方便携带 硅锂探测器组成 SiLi探测器 气体连线 SiLi探测器配件参数能量范围：1-60KeV 探测单元面积：20mm2 (可根据用户要求提供60mm^2面积的探测单元面积） 能量分辨率：能量为5.9keV时的分辨率： ■ 16μs的成峰时间：138keV ■ 1μs的成峰时间：268keV ■ 记数率为105cps，成峰时间1μs：275keV 峰值/背景比：4000 制冷时间：3小时 工作模式：连续工作 环境温度：-5～38摄氏度 探测单元尺寸重量：80x135x150mm, 1.8kg 压缩器尺寸重量：140x160x300mm, 7.5kg 功耗：60W 电源要求：200V AC, 50Hz

产品简介Si单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源 应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号PD-100M-BPD-200M-BPD-300M-BPD-400M-BPD-500M-BPD-1G-B PD-2G-B单位探测器类型Si波长 400~1100nm带宽100M200M300M 400M500M1G2GHz 探测器响应度0.550.550.550.550.550.550.55A/W@850nm跨阻增益30K 30K30K10K5K30K15KV/A最大输入光功率240240240 7251450240480uWNEP1111111418 2020pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050 Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压5555512 12V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)A 光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*20mm

光子能量与其频率成比例因而相反地对波长成比例。为了产生与光子通量（量子数单位面积每秒）成比例的信号，探测器的光谱功率响应（Amps/[W/cm2]必须相反的与光子频率成比例并因此与波长成比例。传统上量子通量单位为micro-moles(也叫micro-Einsteins)每秒每平方米。转换因子如下： 1mE/s/m2 = 1mmole/s/m2 = 6.02*1017 quanta/s/m2 PMA2132探测器的角响应经过余弦校正，适于散射辐射或者长光源测量。技术参数：光谱响应量子响应 (400-700nm) Figure 1 角响应5% for angles 80° 范围20,000 uEinsteins/second/m2 显示分辨率0.1 uEinsteins/second/m2 操作环境 -40 to 120 °F (-40 to +50 °C) 室外 温度系数0.15%/°C 电缆 50ft (15m) or optional 1ft retractable 直径1.6" (40.6 mm) 高度1.8" (45.8 mm) 重量7.1 oz. (200 grams)主要特点：PMA2132量子探测器可以对400-700nm光子通量进行测量。PMA2132具有防水外壳，可在室外或者潮湿环境操作。在400-700nm光子吸收数和植物的光合作用率有着成比例的对应关系。 高灵敏度 高动态范围 卓越的长期稳定性 余弦修正 NIST 可溯源校准 密封外壳 应用：农业 光生物学 气象气候 环境监测 教学

光电探测器雪崩二极管 提供Si, InGaAs类型雪崩二极管（APD）及其模块。 SAE系列雪崩二极管 SAE230VS和SAE500VS是普遍通用的硅类雪崩光电二极管，在400~1000nm范围具有高灵敏度，相当快的响应速度，峰值响应位于650nm，适合可见波段目标探测。各种类型封装形式可选。 特点： 高量子效率 低噪声，高速度 高增益，M100 500um探测靶面 平缓的增益曲线 宽温工作范围 雪崩光电二极管 系列8 – 高速/高增益 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD100-8TO52S1?0.1000.007850.05120-1900.8180典型值：0.453×10-15AD230-8TO52S1?0.2300.0420.31.21801×10-14AD230-8LCC6.1AD500-8TO52S1?0.5000.1960.5-12.23502×10-14AD500-8TO52S2AD500-8LCC6.1AD800-8TO5i?0.8000.502.05.07004×10-14AD1100-8TO5i?1.1301.004.08.010008×10-14AD1900-8TO5i?1.9503.0015.020.014001.5×10-13AD2500-8TO5i?2.5205.0020.028.015003×10-13AD3000-8TO5i?3.0007.0730.045.020004.5×10-13AD5000-8TO8i?5.00019.6360.0120.030009×10-13 系列9 – 近红外增强响应 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD230-9TO52S1?0.2300.0420.5180-2400.8500典型值：1.551×10-14AD230-9TO52S3AD500-9TO52S1?0.5000.1960.81.25502×10-14AD500-9TO52S2AD500-9TO52S3AD800-9TO5i?0.8000.502.02.013004×10-14AD1100-9TO5i?1.1301.004.03.013008×10-14AD1900-9TO5i?1.9503.0015.08.014001.5×10-13AD2500-9TO5i?2.5205.0020.012.015003×10-13AD3000-9TO5i?3.0007.0730.018.020004.5×10-13AD5000-9TO8i?5.00019.6360.045.030009×10-13 阵列AA16-9DIL180.648×0.2080.1355.0100…3002.02000典型值：1.552×10-14AA16D-9SOJ22GL1.000×0.4050.405AA8-9SOJ22GL1.000×0.4050.4051.5AA16-0.13-9SOJ22GL0.648×0.2080.135- 系列10 – 1064nm 增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间(ns) Vop温度系数噪声电流芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@Vop@ID = 2μA@Vop 100kHz@1064nm，50ΩVBR Tk(V/K)@Vop (A/Hz1/2)AD500-10TO5i? 0.5000.1965320-5000.85典型值：3.5典型值：1×10-12AD1500-10TO5i? 1.5001.7710300-5001.98注：Vop – 工作电压 系列11 – 蓝光增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间 (ns)温度系数噪声电流(A/Hz1/2)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μA@M=100,100kHz@410nm，50ΩVBR Tk(V/K)@M=100AD800-11TO52S1? 0.8000.51.0100-2002.51典型值：0.881×10-14AD1900-11TO5i? 1.9503.05.010.022.5×10-14 系列12 – 红光增强/高速型号有效面积暗电流(nA)击穿电压电容截止频率温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)(nA)(V) (pF)(GHz)VBR Tk(V/K)(W/Hz1/2)AD230-12TO52S1? 0.2300.0420.160-1201.53典型值：0.21×10-14AD230-12LCC6.1AD500-12TO52S1? 0.5000.1960.24.5AD500-12LCC6.1 IAG系列雪崩二极管 IAG系列雪崩二极管，是非常经济适用的InGaAs APD，在1000nm~1630nm具有高灵敏度和快速响应时间。峰值响应位于1550nm，特别适合人眼安全的激光测距，自由空间光通讯，OTDR及高分辨OCT。 特点： 80,200或350um探测面可选 带宽可达2.5GHz 1000nm~1600nm量子效率大于70% 低暗电流&噪声 TO-46或陶瓷封装 UPD系列超快光电探测器（参造Alpha） 光电倍增管 光电倍增管（Photomultiplier Tube, PMT）是能够实现光信号与电信号的转化及电信号倍增的一类真空器件，是目前微弱光探测领域不可或缺的光电传感器，广泛应用于分析、医疗、核计测、高能物理、宇宙射线探测等领域。Specifications Spectral Response 185 to 900 nm Photocathode Material Multialkali Effective Area of PMT 8 x 24 mm Supply Voltage 1250 V dc Cathode Sensitivity Quantum Efficiency at 260 nm (Peak) Luminous Radiant 400 nm 25.4 % typ.250 μA/lm typ. 74 mA/W typ. Anode Sensitivity LuminousRadiant at 400 nm 2500 A/lm typ. 7.4 x 105 A/W typ. Gain 1 x 105 typ. Anode Dark Current (After 30minute Storage in the darkness) 3 nA PIN光电二极管 PIN光电二极管覆盖紫外到中红外，响应波长150nm~2.6μm，光敏面包括InGaAs，GaP，Si，Ge，以及四象限和双波段光电二极管。 产品特性： 光谱范围覆盖150nm~2.6μm 高响应度，最高达100ps 大面积光敏面达到?10mm 提供FC/PC接口类型 InGaAs筱晓光子公司生产To-can封装系列光电探测器，采用自主设计生产的PD芯片，并且针对不同应用领域做了优化设计，使器件更加适用客户的应用条件。产品特点响应度高 暗电流小 响应速度快 低背向反射低互调失真稳定性、可靠性好 InGaAs PIN 光电探测器型号：PDS443-C-C特点：◆ 平面半导体设计及介质钝化◆ 3管脚同轴流线型外形设计，透镜管帽封装◆ 优越的噪声特性和光电性能◆ 气密封装、100%电老化◆ 应用于CATV模拟接收、光纤通信系统、光功率检测等。 注意事项：a 请在ESD防护下使用，避免在加电和加光时安装或拆卸器件；b 引线应尽可能短。四象限光电二极管 型号有效面积典型的暗电流击穿电压最大电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V（nA）(V)@10V (pF)(μm) @850nm, 10V, 50ΩDP3.22-6TO51.4×2.33.220.3153.150, 氧化物微分30QP1-6TO5? 1.131.000.11.016, 氧化物四象限20QP2-6TO5? 1.602.000.12.020, 氧化物QP5-6TO5? 2.525.000.23.024, 氧化物QP5.8-6TO52.4×2.45.800.42.750, 氧化物QP10-6TO8S? 3.5710.000.55.028, 氧化物QP20-6TO8S? 5.0520.001.010.034, 氧化物30QP50-6TO8S?7.8050.002.025.042, 氧化物40QP100-6LCC10?11.20100.005.050.050, 氧化物50 型号有效面积暗电流击穿电压典型的电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@150V（nA）(V)@150V (pF)(μm) @1064nm, 150V, 50ΩQP45-QTO8i6.69×6.694×112020015.070四象限5QP100-QLCC1010×104×2525025.0506QP154-QTO1032i? 14.04×38.5100 位置敏感探测器 采用DUO侧向技术，连续的模拟信号输出，正比于光点偏移中心的位置。可进行一维或二维的位置测量。 特点： 应用： 超线性输出 光束对准 超高精度 位置感应 宽动态范围 角度测量 高重复性 表面轮廓 DUO侧向结构 高度测量 瞄准、导向系统 运动分析 位敏光电二极管 型号有效面积暗电流击穿电压电容维数上升时间(μs)噪声最小分辨率(μm)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V（nA）(V)@10V, 100kHz(pF) @865nm, 10V, 50Ω@632nm, 0.50 μWOD3.5-xSO83.5×13.56.53515单轴0.20.05OD6-7SO166.0×1610.015DL16-7CERsmd4×41630双轴0.50.06DL16-7CERpinDL100-7CERsmd10×101008030754.00.2DL100-7CERpinDL100-7LCC10DL400-7CERsmd20×204008001003500.3DL400-7CERpinDL100-LLCC1010×101005050406.00.5 频敏光电二极管 型号有效面积暗电流节电容(nF)上升时间(μs)并联电阻芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@5V（nA）Diode1, @0V(nF)Diode2, @0V(nF)Diode1, @0V, 1kΩDiode2, @0V, 1kΩDiode2, @10mVDiode2, @10mVWS7.56TO52.75×2.757.5610典型值：1.0典型值：0.11012GΩ100MΩWS7.56TO5i15 单子计数器 该系列单光子计数模块应用广泛，包括：共聚焦显微镜、粒子分析、荧光检测、激光雷达、天文学。特点：量子效率高、暗计数率低、计数稳定、光纤耦合可选、操作简便。 Type Spectral range Dark count rate Efficiency Active dia. Timing resolution Dead time COUNT Series COUNT-500C 400-1100nm 500Counts/s 15% for 405nm70% for 670nm50% for 810nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250C 250Counts/s COUNT-100C 100Counts/s COUNT-50C 50Counts/s COUNT-20C 20Counts/s COUNT-10C 10Counts/s COUNT-blue Series COUNT-500B 350-1000nm 500Counts/s 55% for 405nm70% for 532nm55% for 670nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250B 250Counts/s COUNT-100B 100Counts/s COUNT-50B 50Counts/s COUNT-20B 20Counts/s COUNT-10B 10Counts/s Options Fiber FC-style fiber-optic receptable pre-aligned to the optical detector surface. COUNT-PSU Power supply for single photo counting. DSN 102 Two-channel power supply for single photo counting, stand-alone version or OEM.

产品简介蝶形封装单元探测器集成低噪声PIN探测器以及跨阻放大器，探测器采用单电源供电；在兼具原探测器模块性能基础上，其尺寸更小，重量更轻，功耗更低，特别符合目前设备系统集成小型化趋势需求。产品特点噪声低高增益高带宽小尺寸单电源供电 应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号DPD-100M-ADPD-200M-ADPD-300M-ADPD-400M-ADPD-500M-ADPD-600M-A 单位探测器类型InGaAs波长800~1700 nm带宽100M200M300M400M500M600MHz探测器响应度0.95 0.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K4KV/A最大输入光功率130130130390780970pWNEP555778pW/Sqrt(Hz)输出阻抗505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDC供电电压555 5512V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max) A光学输入FC/APC射频输出MCX(Female)外形尺寸25*22*10mm

产品简介Si平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源 应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号MBD-100M-BMBD-200M-BMBD-300M-BMBD-400M-BMBD-500M-BMBD-1G-B MBD-2G-B单位探测器类型Si波长 400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度0.550.550.550.550.550.550.55A/W@850nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K15KV/A最大输入光功率2402402407251450240480uWNEP1111111418 2020pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050 Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压5555512 12V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max0.3(max0.3(max)A 光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸62*47*25mm

LN2探测器是美国进口的高性能固态能量色散X射线能谱仪探测器。 SiLi探测器可用于所有应用，也可用于特殊的多元件设计。低能量响应LN2探测器提供优异的轻元素X射线响应。 低能x射线在硅中不会渗透很远，因此大多数事件发生得非常接近晶体的前接触，其中电荷的分数容易损失。 这可能导致峰值变宽，拖尾甚至能量转换。 ILN2探测器特殊前接触技术对于最小化这些影响至关重要，从而获得了卓越的光谱性能，直到铍K X射线。最终，在光谱低能量端的X射线检测器的效率取决于入口窗口的选择。 IXRF提供全面的检测器窗口，以适应所有应用。高能量响应诸如X射线荧光（XRF）的应用通常在宽范围的能量下需要良好的光谱响应。 IXRF系统的Si（Li）晶体可根据应用使用不同的有源厚度。 在更高的X射线能量下，更深的晶体更有效。 IXRF的Si（Li）晶体即使在高能量下也保持了优异的背景峰值和低尾部性能。 SiLi探测器的典型规格 有效面积（mm2） 10 30 50 80 分辨率[MnKa]（eV） 127 133 139 148 峰值：背景 20000：1 20000：1 15000：1 10000：1

中子探测器是专业为探测中子源而设计的中子源探测器, 手持便携， 非常适合手持查找中子源。中子源探测器参数探测器类型： He-3警报阈值：1.2x10^4 n/s 或 200g WGPu @0.5m/s 1米远距离静态灵敏度：20cm^2显示剂量：0.1....2000uSv/h连续工作：8小时工作温度：-20～50℃， IP55尺寸重量： 300x150x120mm, 4.2kg

扫描电镜探测器配件是全球领先的BSE探测器或背散射电子探测器，为扫描电子显微镜提供最佳的信噪比和超高的分辨率，是SEM探测器中的最新产品。 扫描电镜探测器配件特点适合全球所有的商用扫描电镜，采用独立设计理念，具有标准的安装法兰接口，非常方便用户的安装和使用 采用YAG:Ce单晶闪烁体 采用闪烁晶体和光电倍增管，提供极佳的图像质量 全球最佳的超低能量镀膜技术，灵敏度可到0.5Kev 优异的信噪比 无限的探测器寿命 HV+LV+ESEM工作模式 电动可回缩高精密导臂 波纹管密封高真空系统 完全用户订制化的SEM连接系统扫描电镜探测器配件性能 YAG:Ce闪烁体探测器提供最佳效率和最小余光afterglow, decay time 衰减时间为75ns @30光子/Kev YAG:Ce闪烁探测器外径15mm ,内孔6mm, 4mm, 2mm 或1.2mm任选，它限制视场大小。 独特的技术确保0.5keV的超高灵敏度,高达1pA电子束 外部尺寸406x100x72mm 适合真空环境使用 0.01mm的重复精度 适合所有SEM的法兰接口 部分测量结果案例