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其他高纯管控标准品慧淘科仪为您提供高质量的高纯国家管控标准品，包括：抗精神病/抗抑郁类奥氮平、氯丙嗪、氯氮平、多虑平、卡马西平、去甲替林、三氟拉嗪、阿米替林、氯米帕明、丙咪嗪盐、异丙嗪抗焦虑/失眠类唑呲坦、佐匹克降、地西泮、硝西泮、氯硝西泮、劳拉西泮、阿普唑仑、艾司唑仑、咪达唑仑、三唑仑等中枢神经类咖啡因、可卡因类、苯丙胺类、氯丙嗪、氟呱啶醇、卡西酮类、利多卡因、尼可刹米、氯化琥珀胆碱等镇痛/麻醉类芬太尼类、吗啡类、可待因类、阿片类、哌替啶、曲马多、喷他佐辛、布托啡诺、巴比妥类、苯二氮卓类、氯胺酮、四氢大麻酚、大麻酚、大麻二酚、羟考酮等非药用类精麻药品↗麻醉药品↗其他↗精神药品一类↗精神药品二类↗

在科研中，很多用户需要用到光栅或点阵这些周期性的结构。有时用户不需要研究微纳米加工工艺，这样如果能花费低廉的价格买到这些成品将十分方便，只要接着从事后续的工作就可以了；有的用户自已拥有微纳米加工设备及经验，但纳米量级的尺寸要采用电子束曝光的方法来进行光刻，若有效面积超过1平方厘米，占机时间会很长，并需要调整电子束光刻及干法刻蚀工艺来优化成品。 鉴于此，我们向用户提供光栅及点阵的纳米结构成品。衬底材料为硅单晶，可广泛应用于各类科学研究。 产品类型： 标准模板一 ○ 光栅纳米结构模板 (线条+间距)○ 二维纳米模板（矩形或六边形）标准模板二 ○ 光栅结构○ 柱状点阵模板○ 孔阵模板2x2cm2模板四英寸模板六英寸模板标准模板一 我们可提供纳米级微结构，衬底材料为硅单晶，广泛应用于科学研究。批量生产，质量有保证，且性价比高。 产品精度： 线宽/深度：±15%周期精度：优于0.5%衬底宽度和高度误差：± 0.2 mm衬底厚度：0.675 ± 0.050 mm 具体规格如下表所示： 光栅纳米结构模板 (线条+间距) Linear Nanostamps (line+space) 序号周期沟槽深度占空比 ①线宽 ②样片尺寸③1139 nm50 nm50%69.5 nm12.5×12.5×0.7 mm2139 nm50 nm50%69.5 nm25×25×0.7 mm ⑤3278 nm④110 nm50%139 nm12.5×12.5×0.7 mm4416.6 nm110 nm50%208 nm12.5×12.5×0.7 mm5500 nmmultiple ⑥44%220 nm8×8.3×0.7 mm6500 nmmultiple ⑥60%300 nm8×8.3×0.7 mm7555.5 nm110 nm50%278 nm20×9×0.7 mm8555.5 nm140 nm50%278 nm20×9×0.7 mm9555.5 nm110 nm29%158 nm20×9×0.7 mm10555.5 nm140 nm29%158 nm20×9×0.7 mm11600 nmmultiple ⑥43%260 nm8×8.3×0.7 mm12600 nmmultiple ⑥55%330 nm8×8.3×0.7 mm13606 nm190 nm50%303 nm29×12×0.7 mm14606 nm④190 nm50%303 nm29×12×0.7 mm15606 nm190 nm50%303 nm29×24.2×0.7 mm ⑤16675 nm170 nm32%218 nm24×10×0.7 mm17675 nm170 nm32%218 nm24×30.4×0.7 mm ⑤18700 nmmultiple ⑥47%330 nm8×8.3×0.7 mm19700 nmmultiple ⑥55%375 nm8×8.3×0.7 mm20833.3 nm200 nm50%416 nm12.5×12.5×0.7 mm21833.3 nm200 nm50%416 nm25×25×0.7 mm ⑤ ①占空比表示线宽和周期的比率。③第二个尺寸相当于沟槽的长度。④scientific" grade offered at a discount. It has at least 80% of usable area. Up to 80/100 scratch/dig/particles and irregular substrate shape may present.⑤可定做更大尺寸⑥深度可做成150, 250 和 350 nm。 二维纳米模板（矩形或六边形）2D nanostamps (rectangular and hexagonal lattice) 序号周期晶格类型沟槽深度特征宽度衬底尺寸1500 nmrect postmultiple ①135 nm8×8.3×0.7 mm2500 nmrect postmultiple ①210 nm8×8.3×0.7mm3600 nmrect postmultiple ①195 nm8×8.3×0.7mm4600 nmrect postmultiple ①275 nm8×8.3×0.7mm5700 nmrect postmultiple ①260 nm8×8.3×0.7mm6700 nmrect postmultiple ①350 nm8×8.3×0.7mm7500 nmhex postmultiple ①165 nm8×8.3×0.7mm8600 nmhex postmultiple ①165 nm8×8.3×0.7mm9600 nmhex postmultiple ①240 nm8×8.3×0.7mm10700 nmhex postmultiple ①220 nm8×8.3×0.7mm11700 nmhex postmultiple ①290 nm8×8.3×0.7mm12600 nmhex holemultiple ①180 nm8×8.3×0.7mm13700 nmhex holemultiple ①200 nm8×8.3×0.7mm14700 nmhex holemultiple ①290 nm8×8.3×0.7mm ①深度可做成150, 250 和 350 nm rect post:hex post：hex hole：标准模板二 我们可提供纳米级微结构，衬底材料为硅单晶，广泛应用于科学研究。批量生产，质量有保证，且性价比高。产品精度：直径±10%线宽±10%高度/深度±15%产品说明：硅片厚度：0.5mm（特殊情况另标注）模板尺寸：产品规格+/-0.2mm缺陷面积：1% 具体规格如下表所示： 光栅结构（周期，线宽，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 10Line gratingPeriod: 70 nmWidth: 25 nmor 35 nmHeight: 32nmor 40 nmArea: 4x 0.5 x 1.2 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 2Line gratingPeriod: 300 nmWidth: 170 nmHeight: 210 nmArea: 30 x 30 mm2Substrate: Si 30 x 30 mm2Pattern 23Line arryPeriod: 150 nmWidth: 75 nmHeight: 116 nmArea:25 x25 mm2Substrate:Si 30 x 30 mm2 柱状点阵模板（周期，柱直径，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 1Square pillar arrayPeriod: 300 nmDiameter: 145 nmHeight: 170 nmArea: 14 x 14 mm2Substrate: Si 14 x 14 mm2Pattern 6High-resolution pillar arrayPeriod: 35 nmand 42 nmDiameter: 15 - 20 nmHeight: 25nmArea: each period 25x25 um2Substrate: Si 12.5 x 12.5 mm2Pattern 3Hexagonal pillar arrayPeriod: 600 nmDiameter: 300 nmHeight: 310 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 15Hexagonal pillar arrayPeriod: 750 nmDiameter: 325 nmHeight: 260 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 7Hexagonal pillar arrayPeriod: 1000 nmDiameter: 400 nmHeight: 280 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 26 x 26 mm2Pattern 17Hexagonal pillar arrayPeriod: 1010 nmDiameter: 470 nmHeight: 750 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (0.7mm) 25 x 25 mm2Pattern 20Hexagonal pillar arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1800 nmHeight: 1200 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2 孔阵模板（周期，孔直径，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 11Square hole arrayPeriod: 90 nmDiameter: 45 nmHeight: 50 nmArea: 4x 0.6 x 0.6 mm2Chip size: 15 x 15 mm2Pattern 13Square hole arrayPeriod: 300 nmDiameter: 150 nmHeight: 300 nmArea: 4 x 4 mm2Chip size: 15 x 15 mm2Substrate: Quartz (2.3 mm thick)Pattern 24Square hole arrayPeriod: 350 nmDiameter: 225 nmHeight: 300 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 4Hexagonal hole arrayPeriod: 600 nmDiameter: 300 nmHeight: 50 nm, 450 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 5Hexagonal hole arrayPeriod: 600 nmDiameter: 400 nmHeight: 680 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 14Hole array on Rhombic latticePeriod:* x=610nm, y=425nmDiameter: 150 nmHeight: 300 nmArea: 20 x 20 mm2Chip size: Si 24 x 24 mm2* center-to-center distance in x and yPattern 16Hexagonal hole arrayPeriod: 750 nmDiameter: 380 nmHeight: 420 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 18Hexagonal hole arrayPeriod: 1010 nmDiameter: 490 nmHeight: 470 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (1mm) 25 x 25 mm2Pattern 19Hexagonal hole arrayPeriod: 1500 nmDiameter: 780 nmHeight: 550 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (1mm) 25 x 25 mm2Pattern 21Hexagonal hole arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1500 nmHeight: 850 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 22Hexagonal hole arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1200 nmHeight: 1500 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm22x2cm2标准纳米压印模板 我们提供电子束光刻方法制备的硅模板，衬底尺寸为20x20mm2。图形分辨率高，有效区域为5x5mm2。批量生产，质量有保证，且性价比高。产品精度： 标准高度：100nm直径： ±10%线宽： ±10%缺陷面积： 1% 具体规格如下表所示： 孔阵（矩形孔阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P100s_h_5w5100nm5x5mm250nm/ 100nm2P150s_h_5w5150nm5x5mm260nm/ 100nm3P200s_h_5w5200nm5x5mm270nm/ 100nm 孔阵（六边形孔阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P200h_h_5w5200nm5x5mm280nm/ 100nm2P300h_h_5w5300nm5x5mm2125nm/ 100nm3P400h_h_5w5400nm5x5mm2150nm/ 100nm 柱状点阵（矩形柱状点阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P100s_p_5w5100nm5x5mm250nm/ 100nm2P150s_p_5w5150nm5x5mm260nm/ 100nm3P200s_p_5w5200nm5x5mm280nm/ 100nm 柱状点阵（六边形柱状点阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P200h_p_5w5200nm5x5mm270nm/ 100nm2P300h_p_5w5300nm5x5mm2110nm/ 100nm3P400h_p_5w5400nm5x5mm2120nm/ 100nm 大面积四英寸模板我们提供四英寸硅或石英模板，可用于压印工艺。批量生产制作，质量有保证且性价比高。 产品精度: 高度/深度：±15%直径：±10%线宽：±10%缺陷面积：1% 具体规格如下表所示： Holes on Hexagonal Lattice（六边形孔阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image1P520h_h_20w20520 nm260nm20x20 mm2450 nm/200 nm2P600h_h_46w46600 nm300nm46x46 mm2450 nm/200 nm3P600h_h_100d600 nm300nm4-inch450 nm/200 nm4P750h_h_51w51750 nm350nm51x51 mm2450 nm/200 nm5P780h_h_20w20780 nm350nm20x20 mm2450 nm/200 nm6P1000h_h_20w201000 nm400nm20x20 mm2600 nm/300 nm7P1000h_h_51w511000 nm300nm~500nm51x51 mm2600 nm/300 nm8P1500h_h_20w201500 nm400nm~650nm20x20 mm2600 nm/300 nm9P1500h_h_51w511500 nm400nm~650nm51x51 mm2600 nm/300 nm10P3000h_h_100d3000 nm600nm~1400nm4-inch1000 nm/400 nm Holes on Square Lattice（矩形孔阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image11P350s_h_20w20350 nm250nm20x20 mm2300 nm/150 nm12P350s_h_100d350 nm250nm100dia300 nm/150 nm Pillars on Hexagonal Lattice（六边形柱状） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image13P600h_p_46w46600 nm300nm46x46 mm2450 nm/200 nm14P600h_p_100d600 nm300nm4-inch450 nm/200 nm15P750h_p_51w51750 nm350nm51x51 mm2450 nm/200 nm16P780h_p_20w20780 nm350nm20x20 mm2450 nm/200 nm17P1000h_p_20w201000 nm400nm20x20 mm2600 nm/300 nm18P1000h_p_51w511000 nm300nm~500nm51x51 mm2600 nm/300 nm19P1500h_p_20w201500 nm400nm~650nm20x20 mm2600 nm/300 nm20P1500h_p_51w511500 nm400nm~650nm51x51 mm2600 nm/300 nm21P3000h_p_100d3000 nm600nm~1400nm4-inch1000 nm/400 nm Pillars on Square Lattice（矩形柱状点阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image22P150s_p_30w30150 nm75nm30x30 mm275 nm/ —23P250s_p_30w30250 nm110nm30x30 mm2200 nm/100 nm24P300s_p_30w30300 nm130nm30x30 mm2200 nm/100 nm25P400s_p_30w31400nm250nm30x30 mm3200 nm/100 nm26P500s_p_30w30500 nm250nm30x30 mm2450 nm/200 nm Linear Gratings（光栅结构） Part NoProductPeriodWidthAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image27P150L_p_30w30150nm70nm30x30 mm275 nm/ —28P250L_p_30w30250nm110nm30x30 mm2200 nm/100 nm29P300L_p_30w30300nm130nm30x30 mm2200 nm/100 nm30P400L_p_30w30400nm200nm30x30 mm2200 nm/100 nm31P500L_p_30w30500nm250nm30x30 mm2450 nm/200 nm Multi-pattern（复合结构） Part NoProductDescriptionDiameterPeriodAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)32MHSL_400-800Linear, hexagonal, square array combination，Periods: 400-800nmpitch dependentho, les/lineseach period，7.5mm x 7.5mm400 nm/150 nm33MP250L300Multi-period linear grating combination 1， Periods: 250nm, 275nm, 300nmLinewidth(+/15nm): 90/250 100/275 120/300lineseach period，7mm x 7mm200 nm/100 nm34MP300L600Multi-period linear grating combination 2，Periods: 300nm, 400nm, 500nm, 600nmLinewidth(+/15nm): 90/250 100/275 120/300lineseach period，10mm x 10mm300 nm/150 nm

价格货期电议上海伯东 Europlasma 表面活化处理流程:1. 将产品依次放置在托盘上, 摆放于 CD 1000PLC 的真空腔内, 运行真空泵, 把腔体真空度抽至 70 mTorr 2. 稳定后通入 O2 到真空腔, 并打开 RF 等离子发生器, 产生高能量高浓度的 O2 等离子体3. O2 等离子体在产品表面发生各种物理和化学反应, 控制反应时间在 15min, 达到产品表面亲水改性和活化的效果.4. 15min 后关闭设备, 取出托盘和被处理过的产品, 再放置新一批的产品, 可以实现设备 24h 循环使用.Europlasma CD 1000 PLC 样品托盘, 放置于真空腔内通过使用上海伯东 Europlasma 表面活化实现功能:1. 对产品表面预清洁: O2 等离子体可以吸附附着在产品表面的微小颗粒物及其他污染物, 通过真空泵把混合气体抽出真空腔, 达到预清洁的效果2. 减小产品表面张力, 使得产品的水接触角明显减小, 匹配合适的等离离子能量和浓度, 可以做到产品表面水接触角 WCA＜10°, 3. O2 等离子体在产品表面发生化学反应, 产品表面可以增加很多功能性官能团, 包括羟基 (-OH ), 羧基 ( -COOH ), 羰基 ( -CO- ）, 氢过氧基 (-OOH ) 等, 这些活性官能团在细胞培养过程中可以提高反应速度和活性.表面活化前, 水接触角较大, 液体团聚 表面活化后, 水接触角变小, 液体扩散使用 Europlasma 表面活化处理后测试：1. 样品经过 CD 1000 PLC处理完后, 立即测试, 表面水接触角 WCA ＜28°, 满足客户要求2. 之后每天测试一次被处理样品的水接触角, 并记录水接触角的变化曲线和衰减, 连续检测一个月3. 测试一个月后, 最终的样品表面水接触角 WCA ＜42°, 满足客户要求, 且远远小于其他活化工艺结果！ 上海伯东代理比利时原装进口 Europlasma 无卤素等离子表面处理设备, 可在非织造, 薄膜, 网状物或纳米纤维网等材料上沉积超薄纳米涂层, 通过专利等离子体涂层技术 Nanofics@ 和无卤素涂层技术 PlasmaGuard® , 实现产品疏水 WCA 120°, 亲水 WCA 10° , 疏油, 防腐, 等离子活化等功能, Europlasma 纳米防水涂层设备满足消费电子产品, 无卤素 PCB, 户外运动装备等产品 IPX2-IPX8 防水等级！Europlasma 等离子活化和亲水特性也适用于锂电池隔膜, 针座活化, 人体植入和细胞培养瓶活化等.Europlasma 真空条件下, 通过在材料浅表面实现低压等离子表面聚合或者原子层沉积, 从而赋予材料新的功能, 不影响材料本身的性能, 对三维结构以及复杂形状的材料表面都可实现均匀性涂覆.Europlasma 无卤素纳米防水涂层设备 CD 1000, 等离子腔容积 490 L, 标准 3个托盘设计, 可按需定制, PLC 控制, 方便集成于 ERP 系统, 适用于 PCB, 子组件或完全组装设备.腔室材料：铝 有效尺寸：1000 x 700 x700mm容积：490L舱门：装有可视窗口 标准托盘：3个 尺寸:858 x 672mm真空度测量皮拉尼真空计真空泵干式真空泵泵组频射发生器根据客户应用需求定制控制系统PLC 可实现下列功能： 自动控制反应过程 根据处理材料设定不同的处理工艺参数 测定真空泵压力, 抽真空时间, 充气速度, 工作压力, 处理时间. 温度.频射发生器输入电压等指标 监测所有的运行指标, 保证各项参数在设定范围之内 设定操作进入密码.电源380V AC, 三相，50Hz, 40A反应气体一个气体输入端口,含气体流量控制器（MFC）气体输入直径1/4英寸（6.45mm） 管道, 输入压力:1Bar尾气排放直径 28mm 输出端口性能急停开关 真空泵保护锁 高温保护锁 CE认证. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东叶女士,分机109上海伯东版权所有, 翻拷必究！