头孢匹林钠标准品

产品简介高级别实验室用超纯水的必备经济选择(经济版)，以自来水为水源，方便快速的制造超纯水，每小时产水量45-125升，电阻率达到18.2MΩ.cm，完全符合GB6682-2008、GB/T33087-2016、ASTM、CAP、CLSI、EP和USP制定的Ⅰ级水质的最高标准，满足高级别的实验用水和生产工艺用水的要求。性能特点全自动微电脑控制系统，多级菜单式操作超大背光式LCD液晶屏(分辨率:240×128，尺寸:106×57mm)，全程实时动画式工作模式显示在线3路水质监控，实时监测进水，RO水和高/超纯水水质全自动RO膜防垢冲洗程序，延长RO膜使用寿命无水、水满报警，源水、RO水、高/超纯水(参数可设定)超标报警，耗材寿命终结报警，故障自动检测，提供安全保证特设工厂、客户二级密码，系统设置均由密码保护，防止未经授权的更改可设定预处理、RO膜、UV灯和超纯化柱的寿命，显示耗材已用和剩余时间，耗材到期更换自动提醒，避免水质下降特设定时定质取水功能(定时：1-99min；定质：0.1-18.2 MΩ.cm)RS232/USB接口(选配)，自动记录一整年水质资料，整机符合GLP内置2只15升压力水桶，节省实验室空间，安装维护更加方便，可加配外置大容量储水桶，满足不同水量需求不锈钢喷塑机箱，杜绝腐蚀和生锈，确保机体的清洁，符合GLP规范落地式设计，底部设有活动、固定支脚，安装、移动更加方便内部预留空间，可加装循环输送系统，作为中央供水设备使用纯水管路、接头均获NSF认证优化的RO膜组件设计，采用美国陶氏DOW原装进口RO膜片，实现了RO膜的长寿命与高品质水质的结合大容量超纯化柱技术，实现少量树脂最大化提升水质，采用美国陶氏DOW原装进口核子级树脂，时刻保证纯水品质双波长(185nm&254nm)UV紫外灯组件(进口灯管)，有效杀菌，降低TOC，增强系统适用范围MWCO5000DUF超滤组件(原装进口)，有效去除内毒素(即热原)，可用于精密的细胞培养和IVF0.2μm进口PES聚醚砜复合滤膜终端除菌过滤器，保证水质无菌技术参数名称基础型除热源型低有机物型综合型产品型号标准版Pilot-S300/400/600/800Pilot-S300/400/600/800UFPilot-S300/400/600/800UVPilot-S300/400/600/800UVF经济版Pilot-E300/400/600/800Pilot-E300/400/600/800UFMedium-E300/400/600/800UVPilot-E300/400/600/800UVF进水要求*城市自来水：TDS200 ppm，5-45℃，1.0-4.0Kgf/cm2 (进水TDS200ppm时，建议选配外置软化器)系统流程**PF+AC+RO+AC+DI+TFPF+AC+RO+AC+DI+UF+TFPF+AC+RO+UV+AC+DI+TFPF+AC+RO+UV+AC+DI+UF+TFUP超纯水指标电阻率18.2MΩ.cm@25℃重金属离子 0.01 ppb总有机碳(TOC)***10 ppb3 ppb细菌0.01 cfu/ml热源(内毒素)N/A0.001 Eu/mlN/A0.001 Eu/ml颗粒物(0.2μm)1/ml核糖核酸酶(RNases)N/A1pg/mlN/A1pg/ml脱氧核糖核酸酶(DNases)N/A5pg/mlN/A5pg/mlRO反渗透水指标离子截留率97%-99%（使用新RO膜时）有机物截留率99%，当MW200道尔顿颗粒和细菌截留率99%产水量(25℃)****300系列：45升/小时；400系列：63升/小时；600系列：94升/小时；800系列：125升/小时出水口2个：RO反渗透水，UP超纯水(可加配DI去离子水出口)外型尺寸/重量长×宽×高：64×54×111cm /约70Kg电源/功率220V、50Hz/300、400系列：120W，600、800系列：240W标准配置主机(含1套纯化柱)+内置2只15升压力水桶+附件包**PF：预过滤 AC：活性炭 RO：反渗透 DI：离子交换 UV：紫外灯杀菌消解 UF：超滤 TF：终端微滤

在科研中，很多用户需要用到光栅或点阵这些周期性的结构。有时用户不需要研究微纳米加工工艺，这样如果能花费低廉的价格买到这些成品将十分方便，只要接着从事后续的工作就可以了；有的用户自已拥有微纳米加工设备及经验，但纳米量级的尺寸要采用电子束曝光的方法来进行光刻，若有效面积超过1平方厘米，占机时间会很长，并需要调整电子束光刻及干法刻蚀工艺来优化成品。 鉴于此，我们向用户提供光栅及点阵的纳米结构成品。衬底材料为硅单晶，可广泛应用于各类科学研究。 产品类型： 标准模板一 ○ 光栅纳米结构模板 (线条+间距)○ 二维纳米模板（矩形或六边形）标准模板二 ○ 光栅结构○ 柱状点阵模板○ 孔阵模板2x2cm2模板四英寸模板六英寸模板标准模板一 我们可提供纳米级微结构，衬底材料为硅单晶，广泛应用于科学研究。批量生产，质量有保证，且性价比高。 产品精度： 线宽/深度：±15%周期精度：优于0.5%衬底宽度和高度误差：± 0.2 mm衬底厚度：0.675 ± 0.050 mm 具体规格如下表所示： 光栅纳米结构模板 (线条+间距) Linear Nanostamps (line+space) 序号周期沟槽深度占空比 ①线宽 ②样片尺寸③1139 nm50 nm50%69.5 nm12.5×12.5×0.7 mm2139 nm50 nm50%69.5 nm25×25×0.7 mm ⑤3278 nm④110 nm50%139 nm12.5×12.5×0.7 mm4416.6 nm110 nm50%208 nm12.5×12.5×0.7 mm5500 nmmultiple ⑥44%220 nm8×8.3×0.7 mm6500 nmmultiple ⑥60%300 nm8×8.3×0.7 mm7555.5 nm110 nm50%278 nm20×9×0.7 mm8555.5 nm140 nm50%278 nm20×9×0.7 mm9555.5 nm110 nm29%158 nm20×9×0.7 mm10555.5 nm140 nm29%158 nm20×9×0.7 mm11600 nmmultiple ⑥43%260 nm8×8.3×0.7 mm12600 nmmultiple ⑥55%330 nm8×8.3×0.7 mm13606 nm190 nm50%303 nm29×12×0.7 mm14606 nm④190 nm50%303 nm29×12×0.7 mm15606 nm190 nm50%303 nm29×24.2×0.7 mm ⑤16675 nm170 nm32%218 nm24×10×0.7 mm17675 nm170 nm32%218 nm24×30.4×0.7 mm ⑤18700 nmmultiple ⑥47%330 nm8×8.3×0.7 mm19700 nmmultiple ⑥55%375 nm8×8.3×0.7 mm20833.3 nm200 nm50%416 nm12.5×12.5×0.7 mm21833.3 nm200 nm50%416 nm25×25×0.7 mm ⑤ ①占空比表示线宽和周期的比率。③第二个尺寸相当于沟槽的长度。④scientific" grade offered at a discount. It has at least 80% of usable area. Up to 80/100 scratch/dig/particles and irregular substrate shape may present.⑤可定做更大尺寸⑥深度可做成150, 250 和 350 nm。 二维纳米模板（矩形或六边形）2D nanostamps (rectangular and hexagonal lattice) 序号周期晶格类型沟槽深度特征宽度衬底尺寸1500 nmrect postmultiple ①135 nm8×8.3×0.7 mm2500 nmrect postmultiple ①210 nm8×8.3×0.7mm3600 nmrect postmultiple ①195 nm8×8.3×0.7mm4600 nmrect postmultiple ①275 nm8×8.3×0.7mm5700 nmrect postmultiple ①260 nm8×8.3×0.7mm6700 nmrect postmultiple ①350 nm8×8.3×0.7mm7500 nmhex postmultiple ①165 nm8×8.3×0.7mm8600 nmhex postmultiple ①165 nm8×8.3×0.7mm9600 nmhex postmultiple ①240 nm8×8.3×0.7mm10700 nmhex postmultiple ①220 nm8×8.3×0.7mm11700 nmhex postmultiple ①290 nm8×8.3×0.7mm12600 nmhex holemultiple ①180 nm8×8.3×0.7mm13700 nmhex holemultiple ①200 nm8×8.3×0.7mm14700 nmhex holemultiple ①290 nm8×8.3×0.7mm ①深度可做成150, 250 和 350 nm rect post:hex post：hex hole：标准模板二 我们可提供纳米级微结构，衬底材料为硅单晶，广泛应用于科学研究。批量生产，质量有保证，且性价比高。产品精度：直径±10%线宽±10%高度/深度±15%产品说明：硅片厚度：0.5mm（特殊情况另标注）模板尺寸：产品规格+/-0.2mm缺陷面积：1% 具体规格如下表所示： 光栅结构（周期，线宽，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 10Line gratingPeriod: 70 nmWidth: 25 nmor 35 nmHeight: 32nmor 40 nmArea: 4x 0.5 x 1.2 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 2Line gratingPeriod: 300 nmWidth: 170 nmHeight: 210 nmArea: 30 x 30 mm2Substrate: Si 30 x 30 mm2Pattern 23Line arryPeriod: 150 nmWidth: 75 nmHeight: 116 nmArea:25 x25 mm2Substrate:Si 30 x 30 mm2 柱状点阵模板（周期，柱直径，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 1Square pillar arrayPeriod: 300 nmDiameter: 145 nmHeight: 170 nmArea: 14 x 14 mm2Substrate: Si 14 x 14 mm2Pattern 6High-resolution pillar arrayPeriod: 35 nmand 42 nmDiameter: 15 - 20 nmHeight: 25nmArea: each period 25x25 um2Substrate: Si 12.5 x 12.5 mm2Pattern 3Hexagonal pillar arrayPeriod: 600 nmDiameter: 300 nmHeight: 310 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 15Hexagonal pillar arrayPeriod: 750 nmDiameter: 325 nmHeight: 260 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 7Hexagonal pillar arrayPeriod: 1000 nmDiameter: 400 nmHeight: 280 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 26 x 26 mm2Pattern 17Hexagonal pillar arrayPeriod: 1010 nmDiameter: 470 nmHeight: 750 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (0.7mm) 25 x 25 mm2Pattern 20Hexagonal pillar arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1800 nmHeight: 1200 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2 孔阵模板（周期，孔直径，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 11Square hole arrayPeriod: 90 nmDiameter: 45 nmHeight: 50 nmArea: 4x 0.6 x 0.6 mm2Chip size: 15 x 15 mm2Pattern 13Square hole arrayPeriod: 300 nmDiameter: 150 nmHeight: 300 nmArea: 4 x 4 mm2Chip size: 15 x 15 mm2Substrate: Quartz (2.3 mm thick)Pattern 24Square hole arrayPeriod: 350 nmDiameter: 225 nmHeight: 300 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 4Hexagonal hole arrayPeriod: 600 nmDiameter: 300 nmHeight: 50 nm, 450 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 5Hexagonal hole arrayPeriod: 600 nmDiameter: 400 nmHeight: 680 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 14Hole array on Rhombic latticePeriod:* x=610nm, y=425nmDiameter: 150 nmHeight: 300 nmArea: 20 x 20 mm2Chip size: Si 24 x 24 mm2* center-to-center distance in x and yPattern 16Hexagonal hole arrayPeriod: 750 nmDiameter: 380 nmHeight: 420 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 18Hexagonal hole arrayPeriod: 1010 nmDiameter: 490 nmHeight: 470 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (1mm) 25 x 25 mm2Pattern 19Hexagonal hole arrayPeriod: 1500 nmDiameter: 780 nmHeight: 550 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (1mm) 25 x 25 mm2Pattern 21Hexagonal hole arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1500 nmHeight: 850 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 22Hexagonal hole arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1200 nmHeight: 1500 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm22x2cm2标准纳米压印模板 我们提供电子束光刻方法制备的硅模板，衬底尺寸为20x20mm2。图形分辨率高，有效区域为5x5mm2。批量生产，质量有保证，且性价比高。产品精度： 标准高度：100nm直径： ±10%线宽： ±10%缺陷面积： 1% 具体规格如下表所示： 孔阵（矩形孔阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P100s_h_5w5100nm5x5mm250nm/ 100nm2P150s_h_5w5150nm5x5mm260nm/ 100nm3P200s_h_5w5200nm5x5mm270nm/ 100nm 孔阵（六边形孔阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P200h_h_5w5200nm5x5mm280nm/ 100nm2P300h_h_5w5300nm5x5mm2125nm/ 100nm3P400h_h_5w5400nm5x5mm2150nm/ 100nm 柱状点阵（矩形柱状点阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P100s_p_5w5100nm5x5mm250nm/ 100nm2P150s_p_5w5150nm5x5mm260nm/ 100nm3P200s_p_5w5200nm5x5mm280nm/ 100nm 柱状点阵（六边形柱状点阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P200h_p_5w5200nm5x5mm270nm/ 100nm2P300h_p_5w5300nm5x5mm2110nm/ 100nm3P400h_p_5w5400nm5x5mm2120nm/ 100nm 大面积四英寸模板我们提供四英寸硅或石英模板，可用于压印工艺。批量生产制作，质量有保证且性价比高。 产品精度: 高度/深度：±15%直径：±10%线宽：±10%缺陷面积：1% 具体规格如下表所示： Holes on Hexagonal Lattice（六边形孔阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image1P520h_h_20w20520 nm260nm20x20 mm2450 nm/200 nm2P600h_h_46w46600 nm300nm46x46 mm2450 nm/200 nm3P600h_h_100d600 nm300nm4-inch450 nm/200 nm4P750h_h_51w51750 nm350nm51x51 mm2450 nm/200 nm5P780h_h_20w20780 nm350nm20x20 mm2450 nm/200 nm6P1000h_h_20w201000 nm400nm20x20 mm2600 nm/300 nm7P1000h_h_51w511000 nm300nm~500nm51x51 mm2600 nm/300 nm8P1500h_h_20w201500 nm400nm~650nm20x20 mm2600 nm/300 nm9P1500h_h_51w511500 nm400nm~650nm51x51 mm2600 nm/300 nm10P3000h_h_100d3000 nm600nm~1400nm4-inch1000 nm/400 nm Holes on Square Lattice（矩形孔阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image11P350s_h_20w20350 nm250nm20x20 mm2300 nm/150 nm12P350s_h_100d350 nm250nm100dia300 nm/150 nm Pillars on Hexagonal Lattice（六边形柱状） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image13P600h_p_46w46600 nm300nm46x46 mm2450 nm/200 nm14P600h_p_100d600 nm300nm4-inch450 nm/200 nm15P750h_p_51w51750 nm350nm51x51 mm2450 nm/200 nm16P780h_p_20w20780 nm350nm20x20 mm2450 nm/200 nm17P1000h_p_20w201000 nm400nm20x20 mm2600 nm/300 nm18P1000h_p_51w511000 nm300nm~500nm51x51 mm2600 nm/300 nm19P1500h_p_20w201500 nm400nm~650nm20x20 mm2600 nm/300 nm20P1500h_p_51w511500 nm400nm~650nm51x51 mm2600 nm/300 nm21P3000h_p_100d3000 nm600nm~1400nm4-inch1000 nm/400 nm Pillars on Square Lattice（矩形柱状点阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image22P150s_p_30w30150 nm75nm30x30 mm275 nm/ —23P250s_p_30w30250 nm110nm30x30 mm2200 nm/100 nm24P300s_p_30w30300 nm130nm30x30 mm2200 nm/100 nm25P400s_p_30w31400nm250nm30x30 mm3200 nm/100 nm26P500s_p_30w30500 nm250nm30x30 mm2450 nm/200 nm Linear Gratings（光栅结构） Part NoProductPeriodWidthAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image27P150L_p_30w30150nm70nm30x30 mm275 nm/ —28P250L_p_30w30250nm110nm30x30 mm2200 nm/100 nm29P300L_p_30w30300nm130nm30x30 mm2200 nm/100 nm30P400L_p_30w30400nm200nm30x30 mm2200 nm/100 nm31P500L_p_30w30500nm250nm30x30 mm2450 nm/200 nm Multi-pattern（复合结构） Part NoProductDescriptionDiameterPeriodAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)32MHSL_400-800Linear, hexagonal, square array combination，Periods: 400-800nmpitch dependentho, les/lineseach period，7.5mm x 7.5mm400 nm/150 nm33MP250L300Multi-period linear grating combination 1， Periods: 250nm, 275nm, 300nmLinewidth(+/15nm): 90/250 100/275 120/300lineseach period，7mm x 7mm200 nm/100 nm34MP300L600Multi-period linear grating combination 2，Periods: 300nm, 400nm, 500nm, 600nmLinewidth(+/15nm): 90/250 100/275 120/300lineseach period，10mm x 10mm300 nm/150 nm

HI93124哈纳HANNA便携式啤酒浊度测定仪MEBAK标准测量范围：0.00 to 10.00 、10 to 250 EBC自动量程转换，EBC欧洲啤酒浊度单位，散射浊度测定法，符合MEBAK（中欧啤酒协会）标准，CAL CHECK校验校准功能GLP管理功能，查询设置、校准、时间等信息，手动校准，内置标准校准点：0、2.5、125 EBCRS232数据接口、199组数据存储、自动存储*校准数据和查询校准时间和校准结果，*数据管理HI93124意大利HANNA哈纳便携式啤酒浊度测定仪MEBAK标准技术参数：HI93124测量范围0.00 to 10.00 EBC、10 to 250 EBC解析度0.01 (0.00 to 10.00 EBC)、1 (10 to 250 EBC)精度@25°C/77°F读数±3%±0.20 EBC (0.00 to 10.00 EBC)，读数±5%±1 BEC (其他)测量方法散射浊度测定法，符合MEBAK（中欧啤酒协会）标准校准模式手动三点校准，内置三个标准点：0、2.5、125EBC光学系统定制专用接收器暨光源系统GLP功能自动存储*校准数据和查询校准时间和校准结果数据管理RS232数据接口，199 组测量数据存储电源模式4×1.5VAA电池；5分钟不做如何操作，将自动关机使用环境0 to 50°C（32 to 122°F），RH max 95%，无冷凝 尺寸重量主机尺寸：220 x 82 x 66 mm (8.7 x 3.2 x 2.6'')，主机重量：510 g (1.1 lb.)