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湿法刻蚀显影机

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湿法刻蚀显影机相关的论坛

  • MEMS湿法刻蚀和干法刻蚀的比较

    MEMS湿法刻蚀和干法刻蚀的比较

    湿法腐蚀是使用液态腐蚀剂系统化的有目的性的移除材料,在光刻掩膜涂覆后(一个曝光和显影过的光刻胶)或者一个硬掩膜(一个光刻过的抗腐蚀材料)后紧接该步腐蚀。这个腐蚀步骤之后,通常采用去离子水漂洗和随后的掩膜材料的移除工艺。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/12/201612130959_01_3091062_3.jpg干法刻蚀的刻蚀剂是等离子体,是利用等离子体和表面薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。http://www.whchip.com/upload/201612/1481592347583553.jpg湿法腐蚀可替换工艺包括干法刻蚀,即使用一种或多种低压力的反应气体,采用RF感应激励后进行反应,然后再将反应生成的气态物质抽出;非等离子干法刻蚀,例如双氟化疝或氢氟酸的酸性蒸气腐蚀,拥有各向同性湿法腐蚀的诸多特性,该腐蚀通常在一个有限的腔室内完成。很少有微机械化或集成化的器件是在没有进行一些湿法化学处理的情况下开发或制造的。不管器件是否是电气的,机械的,电子的,集成的,光学的,光电子学的,生物的,聚合的,微流控的传感器或执行器,有关这些器件的制造工艺或过程的替换决定将对最终的技术和商业成功有重要影响。这些器件通常在硅衬底、化合物半导体、玻璃、石英、陶瓷或塑性材料上制造,可能涉及在这些材料上淀积一层或多层薄膜并光刻和腐蚀。这些层和淀积顺序受工艺和用于开发和制造该器件的工艺单元限制,随着层数的增长变的越来越复杂和相互影响。 近乎所有IC,MEMS,MOEMS,MST和NEMS类的器件的产生都很可能与一些湿法腐蚀工艺有关。整个工艺流程可被描述为一系列步骤或者序列,这些湿法腐蚀常用于选择性的去除淀积薄膜的一部分,剥去诸如硬掩膜和光刻胶等特定的材料,为以后的加工清洗和准备衬底,去除牺牲层和部分衬底,以及形成三维结构。一个湿法腐蚀工序需要考虑如下一些因素,包括有效的腐蚀剂,腐蚀选择性,腐蚀速率,各向同性腐蚀,材料的兼容性,工艺的兼容性,花费,设备的可用性,操作人员的安全,技术支持和适当的废物处理。干法刻蚀能实现各向异性刻蚀,保证细小图形转移后的高保真性。器件设计者,工艺设计师,或者制造商在工艺允许的情况下可能偏向使用一个完整的干法处理流程,但是许多标准的处理步骤例如光刻胶的显影和圆片清洗仍然湿法的。与干法刻蚀相比,湿法腐蚀工序在成本,速度,性能发面更有优势。干法刻蚀的仿真还不可用,如常用的微结构的选择性钻蚀或与晶向相关的腐蚀仿真等。考虑到干法刻蚀要求在一个昂贵的等离子区或者RIE腐蚀系统里有长的腐蚀时间,湿法腐蚀变得特别有吸引力,需要同时处理整盒圆片(25片装圆片盒)或更多的圆片时,湿法腐蚀在成本和时间上的效益更突出。 不管选择干法还是湿法加工工艺,总是强烈受到在特定的加工环境下设备的可用性及对开发者有用的工艺限制。成功的设计者,开发者和制造商几乎总是使用或修改趁手的工艺。除非是必须开发新工艺,安装新设备,或者取得新的工艺技能,一般总是避免额外的需求。理解什么时候要应用干法和湿法这两个工艺并且在可能的情况下使用标准工艺是很重要的。下表总结比较湿法和干法刻蚀之间的一般注意事项。 http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/12/201612130959_02_3091062_3.jpg

  • 显影剂测试

    哪位测试过彩色显影剂或者显影剂及其氧化物?难度很大吗?

  • 光刻工艺与刻蚀技术的研究

    光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样,可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上;(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求:a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件,再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头,在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵,国内一般科研单位需通过外协解决,延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求,近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模,用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后,用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上,此透明薄膜可作为光刻用的掩模,基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来,使用湿法刻蚀微细加工的报道较多,适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用,使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层,即可在基片上得到所需构型的微通道;(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔,作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后,在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时,只有含氢氟酸的蚀刻剂可用,如HF/HNO3,HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上,因此,通道刻的越深,通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺,刻蚀气体分子在高频电场作用下,产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼,利用它和被刻蚀材料之间的化学反应,达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶),低温烘干后,放置好掩模,用紫外光照射后显影,在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来,也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

  • 耐腐蚀高速电动针阀在圆晶湿法刻蚀清洗化学药液流量控制中的应用

    耐腐蚀高速电动针阀在圆晶湿法刻蚀清洗化学药液流量控制中的应用

    [size=16px][color=#339999][b]摘要:化学药液流量的精密控制是半导体湿法清洗工艺中的一项关键技术,流量控制要求所用调节针阀一是开度电动可调、二是具有不同的口径型号、三是高的响应速度,四是具有很好的耐腐蚀性,这些都是目前提升半导体清洗设备性能需要解决的问题。为此,本文提出了相应的解决方案,解决方案的核心是采用具有系列口径的高速和耐腐蚀的电动针阀。[/b][/color][/size][align=center][size=16px][img=高速耐腐蚀电动针阀流量控制在前道化学清洗机中的应用,550,271]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/04/202304261136485023_8685_3221506_3.jpg!w690x341.jpg[/img][/size][/align][size=18px][color=#339999][b]1. 问题的提出[/b][/color][/size][size=16px] 湿法蚀刻清洗工艺(如RCA清洗)是半导体制造工艺步骤中数量最多的工艺,湿法清洗的目的是去除晶圆上前一道工序的残留或者副产物,使之不进入后续工序。一般通过化学药液与晶圆表面去除物的反应,或改变不同特性化学清洗液处理以后的晶圆表面亲水性,达到去除残留物的目的。其中,化学反应强烈程度与温度、浓度、化学药液的反应量密切相关,而蚀刻量是检测此化学反应强烈程度的重要手段。因此,刻蚀量是湿法刻蚀工艺中最重要的工艺控制参数之一,而影响蚀刻量的三大因素分别是化学药液温度、化学药液浓度和化学药液流量,其中药液浓度和流量都与流量控制密切相关。典型的化学药液循环系统结构如图1所示。[/size][align=center][size=16px][color=#339999][b][img=01.化学药液循环系统结构示意图,690,247]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/04/202304261138411498_3193_3221506_3.jpg!w690x247.jpg[/img][/b][/color][/size][/align][align=center][size=16px][color=#339999][b]图1 化学药液循环系统结构示意图[/b][/color][/size][/align][size=16px] 针对当前和未来的湿法刻蚀清洗工艺,用于药液流量控制的针阀需要满足以下几方面要求:[/size][size=16px] (1)首先针阀要求是可电控针阀,如图1所示,由电动针阀、流量计和PID控制器可组成闭环控制回路,通过电动针阀的开度精细变化,可极大保证药液流量控制的精度。[/size][size=16px] (2)制程工艺中对药液流量有不同的要求,所以电子针阀需具有不同口径和流量范围。[/size][size=16px] (3)电动针阀要求具有极快的响应速度,能实现快速的打开和闭合,以减少初段流量稳定时间和末端流量控制时的“水锤效应”影响。[/size][size=16px] (4)在清洗过程中所采用的化学药液,往往具有很强的腐蚀性。尽管管路和阀门所采用的不锈钢材料具有很好的抗腐蚀性,但各种阀门密封件往往抗腐蚀性很差,所以要求电动针阀的接液密封件也需要具有很强的耐腐蚀性。[/size][size=16px] 药液流量控制中上述对调节阀的要求,都是目前半导体清洗设备中需要解决的问题。为此,本文提出了相应的解决方案,解决方案的核心是采用具有系列口径的高速和耐腐蚀的电动针阀。[/size][size=18px][color=#339999][b]2. 解决方案[/b][/color][/size][size=16px] 为了满足上述湿法清洗工艺化学药液流量控制对调节阀的需要,本文提出的解决方案是采用具有一系列不同口径、高速和耐腐蚀的电动针阀。系列电动针阀如图2所示。[/size][align=center][size=16px][color=#339999][b][img=02.强耐腐蚀性的高速电动针阀,450,385]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/04/202304261139215269_3851_3221506_3.png!w599x513.jpg[/img][/b][/color][/size][/align][align=center][size=16px][color=#339999][b]图2 NCNV系列耐腐蚀高速电动针阀[/b][/color][/size][/align][size=16px] 用于流量调节的NCNV系列数控电动针阀将步进电机的精度和可重复性优势与针阀的线性和分辨率相结合,其结果是具有1s以内的开闭合时间,小于2%滞后、2%线性、1%重复性和0.2%分辨率的可调流量控制,是目前常用电磁比例阀的升级产品。电动针阀直接用模拟电压信号控制,与PID控制器和流量计相结合,可构成快速准确的闭环控制系统。[/size][size=16px] NCNV系列数控电动针阀的其他技术特点如下:[/size][size=16px] (1)多规格节流面积:具有从低流量的直径0.9mm到高流量的直径4.10mm的多种规格针阀节流面积,可满足不同的流量控制需要。[/size][size=16px] (2)宽压力范围:入口环境可覆盖宽泛的压力范围(5或7bar)。步进电机的刚度和功率确保针阀在相同的输入指令下打开,与压力无关。[/size][size=16px] (3)快速响应:整个行程时间小于1秒,可提供及时快速的流量调节和控制。[/size][size=16px] (4)耐腐蚀性:阀体采用不锈钢,密封件采用FFKM全氟醚橡胶,超强的耐腐蚀性,可用于各种腐蚀性气体和液体。[/size][size=16px] (5)电源电压为24V,控制信号为0~10V模拟电压,也可采用RS485直接控制。[/size][b][size=18px][color=#339999]3. 总结[/color][/size][/b][size=16px] 综上所述,通过采用上述系列的电动针阀,可以很好的实现湿法清洗中化学药液流量的精密调节。特别是与相应的流量计、压力传感器和具有串级和比值控制功能的高精度PID控制器相结合组成闭环控制系统,可实现各种药液配比流量的高精度控制。[/size][size=16px][/size][align=center][b][color=#339999]~~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/color][/b][/align][align=center][/align][align=center][b][color=#339999][/color][/b][/align]

  • 高效湿法混合机

    名称:高效湿法混合机操作规程(SOP)关键词: 高效湿法混合目的:建立高效湿法混合机使用的标准操作程序。范 围:SHK-220B 高效湿法混合颗粒机的使用过程。责任者:操作工、设备管理人员、车间管理人员。主体内容:1、操作前的准备(1)检查物料锅有无异物。(2)搅拌桨与切刀的转动是否为反时针方向。2、接通气、水、电源,把气、水转换阀转到通气的位置。气压调至0.5Mpa。(1)开启切碎、搅拌电机数秒钟,检查各运动转动部件是否正常,然后关闭。(2)关闭出料活塞,门信号灯亮,打开物料锅盖,将原辅料倒入锅内,然后关闭物料锅盖。(3)按要求调整时间继电器,设置干粉混合时间。(4)启动搅拌、切碎开关,先用低速开机后,再将速度调至要求,进行干混。(5)设定时间到达时,依次关闭搅拌、切碎电机。(6)待门信号灯亮后,打开物料锅盖,加入粘合剂。(7)按要求设定湿混造粒时间,启动搅拌、切碎开关,进行制粒。(8)设定时间到达时,自动停机,将盛料器准备于出料口下,打开活塞,启动搅拌,把颗粒排出。(9)按要求进行设备清洁,填写设备运行记录。3、注意事项(1)使用过程中桶盖一定要盖好,否则无法启动。(2)清除排料口时,一定要当主传动完全停止后,方可清除。名称:高效湿法混合机维护保养 (SOP)关键词: 高效湿法混合 维护保养目的:建立SHK-220B型高效湿法混合机维护保养的有关规定。范 围:SHK-220B型高效湿法混合机的维护保养责任者:操作工、维修工、设备管理人员。主体内容:1、维护与保养(1)使用前检查气压(应≥0.5Mpa),低于规定时,机器不能启动。(2)每换一个产品须进行清洗,平时至少每周清洗一次。物料锅清洗后进行清洗步骤如下l 旋下中心体(向左旋)。l 拆掉垫套,用取浆器取下搅拌浆。[font='Helvetica

  • 湿法消解样品

    icp-ms前处理样品时,采用湿法消解,样品为鸡肉,消解完时溶液呈浅黄色透明状,可是定容后(定容体积为25ml)溶液变浑浊(黄色),我想问下是怎么回事,是不是消解不彻底,上机前还用过滤吗,湿法消解怎么判断是否消解彻底?

  • 【求助】再问湿法消解

    做了一堆样品,对湿法消解算是有了点认识,可还差得远呢到底何时可以结束消解呢?开始做样品时,因为完全没经验、没概念,所以消解时间很长,烧了很久很久,想烧到近干,可是到了后期怎么加热好像也烧不出来似的,就是一直冒烟,温度已经有300,溶液也不再冒泡,只是在晃动,很怕它会突然爆沸,不敢再加热下去,就停止了。做到后几个样品,因为之前烧很久都收不干,所以早早就结束了,导致溶液比较多。结果就是完全没有重现性,是不是和溶液的多少有关?(我最后都定容过了)我做出的空白溶剂都比样品高[em0812]回收率也是乱七八糟

  • 为刻蚀终点探测进行原位测量

    作者:泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja介绍半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升,制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀。这类终点探测有助于最大限度地减少刻蚀速率波动的影响。刻蚀终点探测需要在刻蚀工艺中进行传感器和计量学测量。当出现特定的传感器测量结果或阈值时,可指示刻蚀设备停止刻蚀操作。如果已无材料可供刻蚀,底层材料(甚至整个器件或晶圆)就会遭受损坏,从而极大影响良率[1],因此可靠的终点探测在刻蚀工艺中十分重要。半导体行业需要可以在刻蚀工艺中为工艺监测和控制提供关键信息的测量设备。目前,为了提升良率,晶圆刻蚀工艺使用独立测量设备和原位(内置)传感器测量。相比独立测量,原位测量可对刻蚀相关工艺(如刻蚀终点探测)进行实时监测和控制。使用 SEMulator3D工艺步骤进行刻蚀终点探测通过构建一系列包含虚拟刻蚀步骤、变量、流程和循环的“虚拟”工艺,可使用 SEMulator3D 模拟原位刻蚀终点探测。流程循环用于在固定时间内重复工艺步骤,加强工艺流程控制(如自动工艺控制)的灵活性[2]。为模拟控制流程,可使用 "For Loop" 或 "Until Loop"(就像计算机编程)设置一定数量的循环。在刻蚀终点探测中,可使用 "Until Loop",因为它满足“已无材料可供刻蚀”的条件。在循环中,用户可以在循环索引的帮助下确认完成的循环数量。此外,SEMulator3D 能进行“虚拟测量”,帮助追踪并实时更新刻蚀工艺循环中的材料厚度。通过结合虚拟测量薄膜厚度估测和流程循环索引,用户可以在每个循环后准确获取原位材料刻蚀深度的测量结果。用 SEMulator3D 模拟刻蚀终点探测的示例初始设定在一个简单示例中,我们的布局图像显示处于密集区的四个鳍片和密集区右侧的隔离区(见图1)。我们想测量隔离区的材料完成刻蚀时密集区的刻蚀深度。我们将用于建模的区域用蓝框显示,其中有四个鳍片(红色显示)需要制造。此外,我们框出了黄色和绿色的测量区域,将在其中分别测量隔离区的薄膜厚度 (MEA_ISO_FT) 和沟槽区的刻蚀深度 (MEA_TRENCH_FT)。工艺流程的第一步是使用 20nm 厚的硅晶体层(红色)、30nm 的氧化物(浅蓝色)和 10nm 的光刻胶(紫色)进行晶圆设定(图2)。我们曝光鳍片图形,并对使用基本模型刻蚀对光刻胶进行刻蚀,使用特定等离子体角度分布的可视性刻蚀对氧化物材料进行刻蚀。氧化物对光刻胶的选择比是100比1。我们在 SEMulator3D 中使用可视性刻蚀模型来观察隔离区和有鳍片的密集区之间是否有厚度上的差异。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/a41bec0f-535e-420a-8a19-ed4282cd5c66.jpg[/img]图1:模型边界区域(蓝色),其中包含四个鳍片(红色)和用于测量隔离区(黄色)和沟槽区(绿色)薄膜厚度的两个测量区域[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/630f2367-a619-4bc9-8608-09c532bef68f.jpg[/img]图2:SEMulator3D 模型,硅晶体(红色)、氧化物(浅蓝色)和在光刻胶中显影的四个鳍片(紫色)SEMulator3D 刻蚀终点探测循环SEMulator3D 的工艺流程使用 Until Loop 循环流程。我们将测量隔离区的材料厚度,并在隔离氧化物薄膜耗尽、即厚度为0时 (MEA_ISO_FT==0) 停止该工艺。在这个循环中,每个循环我们每隔 1nm 对氧化物材料进行1秒的刻蚀,并同时测量此时隔离区氧化物薄膜厚度。此外,我们将在每次循环后追踪两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。这个循环索引有助于追踪刻蚀循环的重复次数(图3)。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/5041079a-7da3-459f-907c-f62f1b6ac8c1.jpg[/img]图3:SEMulator3D 刻蚀终点探测模拟中的循环流程结果对隔离薄膜进行刻蚀,直至其剩余 20nm、10nm 和 0nm 深度的模拟结果如图4所示。模型中计算出隔离薄膜厚度的测量结果,以及两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/b5d9d13c-68e2-4389-80d1-b974c07afe99.jpg[/img]图4:隔离区薄膜厚度剩余 20nm、10nm 和 0nm 的工艺模拟流程,及相应从光刻胶底部开始的沟槽刻蚀深度我们对循环模型进行近30次重复后,观察到隔离区的薄膜厚度已经达到0,并能追踪到沟槽区氧化物的刻蚀深度(当隔离区被完全刻蚀时,密集区 30nm 的氧化物已被刻蚀 28.4nm)。结论SEMulator3D 可用来创建刻蚀终点探测工艺的虚拟模型。这项技术可用来确定哪些材料在刻蚀工艺中被完全去除,也可测量刻蚀后剩下的材料(取决于刻蚀类型)。使用这一方法可成功模拟原位刻蚀深度控制。使用类似方法,也可以进行其他类型的自动工艺控制,例如深度反应离子刻蚀 (DRIE) 或高密度等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相[/color][/url]沉积 (HDP-CVD) 工艺控制。参考资料:[1] Derbyshire, Katherine. In Situ Metrology for Real-Time Process Control, Semiconductor Online, 10 July 1998, https://www.semiconductoronline.com/doc/in-situ-metrology-for-real-time-process-contr-0001.[2] SEMulator3D V10 Documentation: Sequences, Loops, Variables, etc.[来源:大半导体产业网][align=right][/align]

  • 【求助】生物体总砷湿法消解

    最近做生物体,具体就是鱼类的总砷,微波消解总是做的偏低,同时做标准物质发现。我想用湿法消解做下前处理,可是以前没做过,我想请教下,各位前辈,谁能帮帮我,说一下,你们湿法消解的步骤,详细一点最好!(用啥酸、用啥容器、用啥温度)谢谢啦!比较急!

  • 为什么湿法消解与微波消解结果差一倍?

    湿法消解也称酸消化法,主要是指用不同酸或混合酸与过氧化氢或其他氧化剂的混合液,在加热状态下将含有大量有机物的样品中的待测组分转化为可测定形态的方法。含有大量有机物的生物样品通常采用混酸进行湿法消解。其中沸点在120℃以上的硝酸是广泛使用的预氧化剂,它可破坏样品中的有机质;热的高氯酸是最强的氧化剂和脱水剂,由于其沸点较高,可在除去硝酸以后继续氧化样品。 微波消解通常是指利用微波加热封闭容器中的消解液(各种酸、部分碱液以及盐类)和试样从而在高温增压条件下使各种样品快速溶解的湿法消化。利用微波的穿透性和激活反应能力加热密闭容器内的试剂和样品可使制样容器内压力增加,反应温度提高。从而大大提高了反应速率,缩短样品制备的时间。消化中因消化罐完全密闭,不会产生尾气泄漏,且不需有毒催化剂及升温剂。密闭消化避免了因尾气挥发而使样品损失的情况,密闭容器反应和微波加热这两个特点,决定了其完全、快速、低空白的优点。 从实际出发,对一中药胶囊进行两者消解方法的进行比对实验,测定总砷痕量。没有做加标回收,但做了标准物质对照品。通过原子荧光分析,标物检测结果全在范围内且几乎一样,但是同样的中药胶囊其检测结果微波消解得到的比湿法消解高一倍。但是另外一学校实验室所得的结果与之正好相反,湿法消解比微波消解高2倍。请大神们支招!

  • 【讨论】湿法消解关于消解澄清的问题

    【讨论】湿法消解关于消解澄清的问题

    最近在用湿法检测塑料中的Fe元素,可是在消解过程中,会有乳浊液产生,继续加酸,也不能使消解液澄清,想知道各位色友都是采用什么方法来使消解液变澄清呢?消解到什么程度才算消解完全呢?以及怎样消解才能使塑料样品完全消解呢?请大家发表一下宝贵意见。谢谢诶

  • 湿法脱硫对重金属的影响

    求助大家,不知道有没有遇到过这样的情况,检测烟气中的重金属,开启湿法脱硫检测到的重金属含量比关闭湿法脱硫的大,可是湿法脱硫不是有协同处置重金属的作用吗?所以这种情况的出现是为什么呢?求指教 。

  • 测样时选择干法或湿法?

    我们测硅胶粉的粒度分布,常用湿法测,颗粒吸收率是0,客户提出把颗粒吸收率改为0.01,他的意思是不是用干法测,该如何选用干法还是湿法呢,两者有什么区别,各自有什么优缺点?希望各位给指点一下。

  • 湿法消解与微波消解

    湿法消化:又称湿灰化法或湿氧化法,在适量的食品中加入氧化性强酸,并同时加热消煮,使有机物质分解氧化成CO2,水和各种气体,为加速氧化进行,可同时加入各种催化剂,这种破坏食品中有机物质的方法就叫做湿法消化。含有大量有机物的生物样品通常采用混酸进行湿法消解,用于湿法消解的混酸包括HN03-HCLO4 、HN03-HCl03-HClO4、HNo3-HClO4-H2SO4、HN03-H2S04、H2SO4-H2O2和HNO3-H202。其中沸点在120℃以上的硝酸是广泛使用的预氧化剂,它可破坏样品中的有机质;硫酸具有强脱水能力,可使有机物炭化,使难溶物质部分降解并提高混合酸的沸点;热的高氯酸是最强的氧化剂和脱水剂,由于其沸点较高,可在除去硝酸以后继续氧化样品。在含有硫酸的混合酸中过氧化氢的氧化作用是基于过一硫酸的形成,由于硫酸的脱水作用,该混合溶液可迅速分解有机物质。当样品基体含有较多的无机物时,多采用含盐酸的混合酸进行消解;而氢氟酸主要用于分解含硅酸盐的样品。酸消化通常在玻璃或聚四氟乙烯容器中进行。由于湿法消解过程中的温度一般较低(300℃),从而导致器壁及试剂给样品带来沾污,消解前将所用容器用1:1 HN03加热清洗并将所用酸溶液进行亚沸蒸馏可除去其中的微量金属元素干扰;②某些混酸对消解后元素的光谱测定存在干扰,例如当溶液中含有较多的HClO4 或H2SO4时会对元素的石墨炉原子吸收测定带来干扰,测定前将溶液蒸发至近干可除去此类干扰。3湿法消解时间长,比如猪肉含油脂比较多,相对蔬菜来说比较难消化,茶叶消解过程中会产气泡,途中需取下冷却一下,白酒、黄酒在消解前需先蒸至小体积。目前一种新型的消解技术已越来越受到人们的关注,那就是微波消解。微波消解原理:通常,介质材料由极性分子和非极性分子组成。在电磁场作用下,极性分子从原来的随机分布状态转向按照电场的极性排列取向。在高频电磁作用下,这些取向按交变电磁场的变化而变化,极性分子在微波电磁场中快速旋转和离子在微波场中的快速迁移、相互摩擦,迅速提高反应物温度,激发分子高速度旋转和振动,使之处于反应的准备状态或亚稳态,促使物质与酸等试剂发生反应被消解。微波消解技术具有高效快速、试剂用量少、环境污染小等优点。1.加热快、升温高,消解能力强,大大缩短了溶样时间。 消解各类样品可在几分钟—二十几分钟内完成,比电热板消解速度快10-100倍。如凯氏定氮法消解试样需 3-6小时,用微波消解只需 9-18分钟,快20倍左右。还能消解许 多传统方法难以消解的样品,如锆英石。快速消解的原因来自于微波对样品溶液的直接加热和罐内迅速形成的高温高压。这点我们后面还要讲。2. 消耗政溶剂少,空白位低。 消解一个样品一般只需 15ml 的酸溶液,只有传统方法用酸量的几分之一。因为密闭消解酸不会挥发损失,不必为保持酸的体积而继续加酸,节省了试剂,也大大降低了分析空白值 , 减少了试剂带入的杂质元素的干扰,空白值明显减小了。3. 避免了挥发损失和样品的沾污,提高了分析的准确度和精密度,回收率实验获得令人满意的结果。 采用密闭的消解罐 ,避免了样品中或在消解过程中形成的挥发性组份的损失,保证了测量结果的准确性。也避免了样品之间的相互污染和外部环境的污染,适于痕量及超纯分析和易挥发元素(如As、Hg)的检测。电热板上加热挥发性成分跑掉了,空气中的灰尘等落入烧杯,或几个杯子靠近,溅出物相互污染。挥发损失少了,试剂带入的干扰元素少了,受污染的情况也减少了, 自然回收率实验更满意。微波消解系统能实时显示反应过程中密闭罐内的压力、温度和时间三个参数。并能准确控制,反应的重复性好 ,准确度和精密度都提高了。4. 降低了劳动强度,改善了工作环境 . 过去,在电热板上煮酸,消解样品,尽管有通风柜,仍然是周围酸雾缭绕。不仅分析人员深受其害 ,也腐蚀了实验室内其他设备。现在在密闭的罐中消解,挥发的酸大大减少,有效的改善了分析人员的工作环境。由于消解样品的速度加快,分析时间缩短,同时分析的准确度与精密度又得以提高,显著的降低了劳动强度提高了工作效率。5. 节省电的消耗,降低分析成本。 微波密闭消解不仅节省试剂,还节省电能。如:消解 1 克奶粉,用 800W微波加热,只需8 分钟消解完毕。而用 1.5KW 的电热板加热需 3 个小时,不仅时间缩短到1/22,耗电量也下降到1/26,降低了分析成本。 微波制样具有这许多优点 , 使它具有极强的生命力。

  • 如何选购光刻胶?

    光刻加工工艺中为了图形转移,辐照必须作用在光刻胶上,通过改变光刻胶材料的性质,使得在完成光刻工艺后,光刻版图形被复制在圆片的表面。而加工前,如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是最好的,但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑,需要对光刻胶进行合理的选择。 划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在曝光之后,被浸入显影溶液中。在显影过程中,正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下,未曝光的区域保持不变。负性光刻胶正好相反,在显影剂中未曝光的区域将溶解,而曝光的区域被保留。正性胶的分辨力往往是最好的,因此在IC制造中的应用更为普及,但MEMS系统中,由于加工要求相对较低,光刻胶需求量大,负性胶仍有应用市场。  光刻胶必须满足几个硬性指标要求:高灵敏度,高对比度,好的蚀刻阻抗性,高分辨力,易于处理,高纯度,长寿命周期,低溶解度,低成本和比较高的玻璃化转换温度(Tg)。主要的两个性能是灵敏度和分辨力。大多数光刻胶是无定向的聚合体。当温度高于玻璃化转换温度,聚合体中相当多的链条片以分子运动形式出现,因此呈粘性流动。当温度低于玻璃化转换温度,链条片段的分子运动停止,聚合体表现为玻璃而不是橡胶。当Tg低于室温,胶视为橡胶。当Tg高于室温,胶被视为玻璃。由于温度高于Tg时,聚合体流动容易,于是加热胶至它的玻璃转化温度一段时间进行退火处理,可达到更稳定的能量状态。在橡胶状态,溶剂可以容易从聚合体中去除,如软烘培胶工艺。但此时胶的工作环境需要格外关注,当软化胶温度大于Tg时,它容易除去溶剂,但也容易混入各种杂质。一般来说,结晶的聚合体不会用来作为胶,因为结晶片的构成阻止均一的各向同性的薄膜的形成。  感光胶的主要成分是树脂或基体材料、感光化合物以及可控制光刻胶机械性能并使其保持液体状态的溶剂。树脂在曝光过程中改变分子结构。感光化合物控制树脂定相的化学反应速度。溶剂使得胶能在圆片上旋转擦敷并形成薄瞙。没有感光化合物的光刻胶称为单成分胶或单成分系统,有一种感光剂的情形下,称为二成分系统。因为溶剂和其他添加物不与胶的感光反应发生直接关系,它们不计入胶的成分。  在曝光过程中,正性胶通过感光化学反应,切断树脂聚合体主链和从链之间的联系,达到削弱聚合体的目的,所以曝光后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。曝光后的光刻胶溶解速度几乎是未曝光的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶,在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密,并且从链下坠物增长,所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在曝光区间显影,负性胶则相反。负性胶由于曝光区间得到保留,漫射形成的轮廓使显影后的图像为上宽下窄的图像,而正性胶相反,为下宽上窄的图像。微流控芯片刻蚀如何选择光刻胶呢?一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶! 相对而言,正性光刻胶比负性的精度要高,负胶显影后图形有涨缩,负性胶限制在2~3μm.,而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度,正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率,但是薄负性胶会影响针孔。同种厚度的正负胶,在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹,正胶难以企及。汶颢科技提供AZ、SU_8、及其他系类光刻胶的供应与技术参数。注意事项:①若腐蚀液为碱性,则不宜用正性光刻胶;②看光刻机型式,若是投影方式,用常规负胶时氮气环境可能会有些问题③负性胶价格成本低,正性胶较贵;④工艺方面:负性胶能很好地获得单根线,而正性胶可获得孤立的洞和槽;⑤健康方面:负性胶为有机溶液处理,不利于环境;正性胶属于水溶液,对健康、环境无害。

  • 【求助】急问,有没有湿法消解石墨炉原子吸收测铅的朋友阿??

    我做茶叶中的铅,干法灰化很麻烦,而且效果不是很好,然后采用湿法,可是总感觉回收很差,酸空白很高,而酸空白加标却很低,不知道为什么?用的酸都是优级纯的居然有2.2ppm,我想知道,湿法做铅到底怎么样?可行吗?实验中消化不完全,总有一些白色的碎屑在,然后用过滤液相流动相的那个东西将其过滤掉,这一步还可以,回收率挺高的,难道损失在那些碎屑上面了么?请教各位。

  • 水泥粒度测试——干法与湿法对比研究报告

    水泥粒度测试——干法与湿法对比研究报告

    水泥粒度测试——干法与湿法对比研究报告任中京1,江海鹰1,沈铭钢2,杨梅2(1.济南大学颗粒测试研究所;2.济南微纳仪器有限公司,山东济南250022)摘要:使用济南徽纳仪器有限公司生产的湿法激光粒度仪Winner2000和干法激光杜度分析仪Winner3001对水泥样品进行了测试对比实验。实脸结果表明,测试参数选择得当,二者结果吻合良好。激光杜度分析仪能够满足水泥行业质童检脸与工艺控制的需要。关键词:水泥;粒度分布;激光拉度分析;干法分散;湿法分散水泥颗粒级配又称水泥粒度分布,对水泥水化速度、水泥强度有重要的影响。提高水泥早期强度的方法有多种,研究表明,控制水泥颗粒级配是最经济有效的方法。水泥行业曾经采用细度控制生产,现在已经表明效果不佳。水泥行业采用比表面积的指标,实际上比表面积应该是颗粒级配的函数,颗粒级配却并不仅仅是比表面积的反函数。换句话说,一个比表面积值可以代表多种不同的粒度分布,结果不是唯一的。激光粒度分析技术出现以后,颗粒级配的测试是水泥行业的最佳选择。我们从1996年承担国家“七五”科技攻关项目“水泥颗粒级配在线分析仪的研制”开始,对水泥颗粒级配进行了大量研究。现在将湿法与干法测试对比介绍如下。1.湿法水泥测试由于水泥是一种与水发生水化反应的物质。特别是小颗粒在遇水初期就放出大量水化热。因此湿法测试水泥颗粒级配必须使用无水乙醇。水泥粒度分布主要特点是分布较宽,范围在1-100μm。湿法激光粒度仪Winner2000为了准确测定水泥粒度分布采用了特殊设计的管道阀门循环系统,以保证大小颗粒在测试过程中既充分分散又不会发生离析。测试过程中取样操作特别重要,取样前充分混合搅拌以保证样品的代表性。分散剂可选用氯化钙水溶液,超声3-4min。为了节约运行成本,用过的乙醇经真空抽滤,可重复使用3-4次,最后可用于清洗样品池。微纳激光粒度分析技术已经在山东水泥质检站等数十家水泥生产与研究单位使用取得了很好的效果。在此不再赘述。2.干法水泥测试干法激光粒度分析技术是一种采用空气作分散介质的粒度分析技术,其优点是测试速度快、操作简单、采样量大、代表性好、无需液体介质、运行费用低。分散是否充分是干法测试的关键。干法测试根据空气动力学原理,采用紊流分散技术,颗粒在气流中正激波的作用下,颗粒之间由于互相碰撞、速度梯度、颗粒与管壁的摩擦产生分离达到分散的效果,合理调整气压,特别是进料负压可以保证分散效果。干法分散对于水溶性颗粒、磁性颗粒、植物性颗粒等都是唯一的分散方法。为了研究干法与湿法之间的一致性,我们做了大量的实验。实验表明,影响干法测试与湿法测试之间一致性的因素有:(1)气压大小对颗粒分散有较大的影响,气压不足导致分散力不够,分散不充分;(2)负压不仅与气压有关也与喷嘴结构有密切关系;(3)喂料速度与均匀性对测试稳定性有直接关系,遮光比大将导致多次散射,浓度不同多次散射效果也不同,因此严格控制遮光比提供均匀的料流是十分必要的;(4)气体的湿度对样品的有效分散有较大影响,控制水分含量是水泥测试的一项必要措施;(5

  • 煤气净化湿法脱硫的几种化学工艺

    煤气净化中脱除硫化物的净化技术一般分为湿法和干法两种工艺。而随着现代煤化工项目的大型化,湿法脱硫精度的提高,干法脱硫已作为湿法脱硫后的精细净化环节。湿法脱硫的化学工艺是先用液体将硫化物从粗煤气中分离出来并加以富集,再通过解析生成H2S富气或催化氧化后转化为单质硫或硫酸。一般而言,湿法脱硫比较适用于气体中含硫高且处理量大的情况,其投资、操作费用高,动力消耗比较大。而溶剂可连续重复使用,装置占地较少,操作环境较好,对保护环境有利。1、栲胶脱硫法栲胶脱硫技术经过近些年的改进,目前,已在国内一些焦化厂普遍使用,并获得满意效果,新建装置应用在煤焦化装置的焦炉气脱硫。1.1栲胶脱硫的化学反应机理这种化学反映属于湿法脱硫,是利用碱性栲胶的水溶液吸收煤气,主要用于半水煤气或焦炉气中的H2S,借助栲胶和矾作为载体和催化剂将吸收的H2S转化为单质硫,发生吸收反应后的栲胶溶液利用空气在溶液再生槽中进行再生,再进入溶液循环槽重复循环使用。其脱硫反应机理如下:1.2栲胶脱硫方法的优缺点分析(1)栲胶脱硫法的优点:①不管是气体净化度、溶液硫容量、硫回收率等主要指标都可与改良ADA法相提并论,栲胶资源丰富、价格低廉、没有毒性、脱硫溶液成本及运行费用低,没有硫磺堵塞脱硫塔的问题。②脱硫溶液的活性好、性能稳定、腐蚀性小。栲胶本身是氧化剂也是钒的络合剂,脱硫溶液的组成比改良ADA法简单。③脱硫效率大于98%,析出的硫容易浮选和分离。(2)栲胶脱硫法的缺点:①栲胶脱硫液具有很高的选择性,在适宜的条件下,它能从99%的CO2原料气中将200mg/m 的H2S脱除至45mg/m 以下,而因溶液吸收CO2后使溶液的pH值下降,使脱硫效率降低,且脱硫精度比较低。②设备较大,处理气量较小,得到的硫磺纯度比较低,对于加工不利。2、烷基醇胺法醇胺类脱硫脱碳溶剂在气体净化过程中应用较为广泛,尤其在天然气脱硫中的重要位置。目前广泛使用的醇胺类溶剂脱硫剂主要成分主要是MDEA。MDEA属于叔胺,与其他烷基醇胺法相比,它对H2S吸收具有较高的选择性,不易降解,腐蚀性小,其吸收H2S与吸收CO2的速度之比为27,尤其适用于从高浓度的酸性气体中选择性吸收H2S。该法在煤化工项目中在中小型项目上有应用。由于硫的容入,其溶剂循环量比其他胺法小,投资和操作费用较低。2.3MDEA脱硫方法的优缺点3、环丁砜法环丁砜法是一种理化吸收法。溶液由化学吸收溶剂烷基醇胺、物理吸收溶剂环丁砜和水混合而成。可使用的烷基醇胺包括MEA、MDEA及DIPA。一般采用浓度较高的醇胺溶液,而环丁砜与水的比例按其用途确定。此法可以用于煤气工艺气体的净化。3.1基本原理3.2环丁砜法的优缺点(1)环丁砜法的优点:环丁砜能降低吸收溶液的表面张力,抑制溶液的起泡倾向。同时它也是缓蚀剂,可以减轻溶液对设备的腐蚀;溶液受热后比较稳定,不容易变质。(2)环丁砜法的缺点:环丁砜有吸收重烃,特别是芳烃的倾向,如果原料气中重烃和芳烃含量高时,气体进入脱硫工序前一定要先除去其中的重烃和芳烃。

  • 【求助】关于湿法消解

    第一次做湿法消解,什么经验也没有,也从没见过,请有经验的高手指点一下我做的是油先用硝酸-高氯酸(4:1)浸泡过液早上就见溶液是黄色,慢慢的冒泡,上面全是棕色的蒸汽加热后就开始冒棕色的烟(还是蒸汽?)--加热温度应该怎么调节?微微有点泡泡就好还是要沸腾的很厉害?是不是消解完成前不应该让溶剂大量挥发掉?到赶酸的时候再加大火力?(GB/T5009.12方法根本就没提到要赶酸呀)我是1.4g的样品,先加了10ml混合酸,GB是说颜色棕黑就再加酸,可我煮了很久也没变黑,颜色倒是越来越浅,但没到浅黄,更不是无色,所以开始加酸,加到总共20ml了也没什么变化,烧的久了颜色是越来越浅,烟的颜色也从棕色渐渐变成白色,本来以为快好了,扭个脸的工夫突然就黑了,再加2ml烧,颜色又淡下来了,这是正常的过程吗?是不是消解完全以后,再怎么烧都不会黑了?再做第二份样品,担心第一份酸加早了,加多了,所以10ml烧了很久,颜色是变浅了,烟也白了,可是冷下来明显看到有油在液面上,那还是应该要加酸的吧,可是什么时候加呢?烧到近干?如果做过一次大概知道要加多少酸,下次做时是不是可以一次性放入?还是要慢慢的,一点一点的加?问题可能白痴了点,可是真的很无助,很迷茫[em0812]

  • 煤气净化湿法脱硫的几种化学工艺

    煤气净化中脱除硫化物的净化技术一般分为湿法和干法两种工艺。而随着现代煤化工项目的大型化,湿法脱硫精度的提高,干法脱硫已作为湿法脱硫后的精细净化环节。湿法脱硫的化学工艺是先用液体将硫化物从粗煤气中分离出来并加以富集,再通过解析生成H2S富气或催化氧化后转化为单质硫或硫酸。一般而言,湿法脱硫比较适用于气体中含硫高且处理量大的情况,其投资、操作费用高,动力消耗比较大。而溶剂可连续重复使用,装置占地较少,操作环境较好,对保护环境有利。1、栲胶脱硫法栲胶脱硫技术经过近些年的改进,目前,已在国内一些焦化厂普遍使用,并获得满意效果,新建装置应用在煤焦化装置的焦炉气脱硫。1.1栲胶脱硫的化学反应机理这种化学反映属于湿法脱硫,是利用碱性栲胶的水溶液吸收煤气,主要用于半水煤气或焦炉气中的H2S,借助栲胶和矾作为载体和催化剂将吸收的H2S转化为单质硫,发生吸收反应后的栲胶溶液利用空气在溶液再生槽中进行再生,再进入溶液循环槽重复循环使用。其脱硫反应机理如下:1.2栲胶脱硫方法的优缺点分析(1)栲胶脱硫法的优点:①不管是气体净化度、溶液硫容量、硫回收率等主要指标都可与改良ADA法相提并论,栲胶资源丰富、价格低廉、没有毒性、脱硫溶液成本及运行费用低,没有硫磺堵塞脱硫塔的问题。②脱硫溶液的活性好、性能稳定、腐蚀性小。栲胶本身是氧化剂也是钒的络合剂,脱硫溶液的组成比改良ADA法简单。③脱硫效率大于98%,析出的硫容易浮选和分离。(2)栲胶脱硫法的缺点:①栲胶脱硫液具有很高的选择性,在适宜的条件下,它能从99%的CO2原料气中将200mg/m 的H2S脱除至45mg/m 以下,而因溶液吸收CO2后使溶液的pH值下降,使脱硫效率降低,且脱硫精度比较低。②设备较大,处理气量较小,得到的硫磺纯度比较低,对于加工不利。2、烷基醇胺法醇胺类脱硫脱碳溶剂在气体净化过程中应用较为广泛,尤其在天然气脱硫中的重要位置。目前广泛使用的醇胺类溶剂脱硫剂主要成分主要是MDEA。MDEA属于叔胺,与其他烷基醇胺法相比,它对H2S吸收具有较高的选择性,不易降解,腐蚀性小,其吸收H2S与吸收CO2的速度之比为27,尤其适用于从高浓度的酸性气体中选择性吸收H2S。该法在煤化工项目中在中小型项目上有应用。由于硫的容入,其溶剂循环量比其他胺法小,投资和操作费用较低。2.3MDEA脱硫方法的优缺点3、环丁砜法环丁砜法是一种理化吸收法。溶液由化学吸收溶剂烷基醇胺、物理吸收溶剂环丁砜和水混合而成。可使用的烷基醇胺包括MEA、MDEA及DIPA。一般采用浓度较高的醇胺溶液,而环丁砜与水的比例按其用途确定。此法可以用于煤气工艺气体的净化。3.1基本原理3.2环丁砜法的优缺点(1)环丁砜法的优点:环丁砜能降低吸收溶液的表面张力,抑制溶液的起泡倾向。同时它也是缓蚀剂,可以减轻溶液对设备的腐蚀;溶液受热后比较稳定,不容易变质。(2)环丁砜法的缺点:环丁砜有吸收重烃,特别是芳烃的倾向,如果原料气中重烃和芳烃含量高时,气体进入脱硫工序前一定要先除去其中的重烃和芳烃。

  • 【实战宝典】什么是湿电子化学品?主要包括哪些?

    【实战宝典】什么是湿电子化学品?主要包括哪些?

    问题描述:什么是湿电子化学品?主要包括哪些?解答:[font=宋体][color=black]湿电子化学品指为微电子、光电子湿法工艺(主要包括湿法刻蚀、清洗、显影、互联等)制程中使用的各种专用化学品和电子化工材料。湿电子化学品具有品种多、质量要求高、用量小、对环境洁净度要求苛刻、产品更新换代快、资金投入量大、产品附加值较高等特点。按用途可分为通用电子化学品(又称超净高纯试剂,包括酸,碱和有机类试剂等)和功能性电子化学品(包括显影液、剥离液,清洗液和刻蚀液等)。[/color][/font][align=center][font='Times New Roman','serif'][color=black][img=,416,110]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051423029328_9094_3389662_3.jpg!w428x135.jpg[/img][/color][/font][/align][align=center][font=宋体][color=black]湿电子化学品分类[/color][/font][/align]以上内容来自仪器信息网《[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]实战宝典》

  • 如何湿法消解

    准备测定食品添加剂(如甜菜碱、植物提取物)、氨基酸、维生素等食品原料中As、Hg、Pb及Cd的含量,如果采用湿法消解,该如何操作,加什么酸及加的量,以及消解温度的控制,尤其As、Hg为低温元素,湿法消解该注意些什么,怎样保证有好的回收率?

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