赛效应测量系统

塞贝克效应测量系统SB1000数字塞贝克效应控制器在设计时考虑到用户和易用性，使用低温系统(液氮低温恒温器)或瞬态信号技术的热级系统，集成到真空环境中，为80 K - 700 K宽温度范围内的塞贝克系数测量提供了可靠的平台。以上翻译结果来自有道神经网络翻译（YNMT） 通用场景应用程序热电动势测量温度依赖导电样本提供的信息大部分航空公司的标志,电荷传导机制与合适的理论模型,材料的能带结构的信息。的知识塞贝克系数是一个关键因素优化热电材料和找到正确的应用程序。灵敏度高,结构变化使热电动势测量一个优秀的技术结构研究阶段条件对给定材料的电荷传输性质。特性高精度的塞贝克系数测量高信噪比和快速数据采集差分测量算法宽温度范围(80 K - 700 K)统计数据分析实时热电压瞬态测量用户友好的、自动测量设置典型变量温度塞贝克效应测量系统(SMS)一个典型变量温度塞贝克效应测量系统包括:DC600可编程温度控制器和SB1000塞贝克效应测量控制器液氮低温恒温器和集成放大电路到真空环境中聚酰亚胺薄膜(80 K - 400 K)或陶瓷(200 K - 700 K)样品安装阶段真空泵和真空配件用两个探针或四个探针测量技术测量电导率的四个焊接针Dell Optiplex 3000 Tower desktop com

美国MMR塞贝克效应系统 热电材料的研究在能量保存和能源替代方面有着重要的作用, 而热电系数是热电材料的主要参数之一. 通过研究不同温度下的热电系数并配合理论模型可得到载流子类型和能带结构信息等. 主要应用于能源效率, 替代能源, 汽车和燃料消耗等研究. 美国MMR塞贝克效应系统主要参数： 待测样品与参考样品增益不匹配度： 0.1%样品长度：2~10mm电压分辨率：50nV最多可重复测量次数: 128 (自动取平均值)温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选） 美国MMR塞贝克效应系统优势： 比较法测量，测量更准确温度连续可调，从低温到高温腔体体积小，可伸入到磁场 可增加霍尔效应测量模块

MMR SB100 变温塞贝克热电效应测试仪器 塞贝克热电效应测量系统允许用户可以通过从70 K到400 K温度范围内自动测量塞贝克效应在金属，半导体和其他电子导电样品的热电效应，也可从200K到730K。样品安装很简单，可实现样品的快速更换。该塞贝克系统兼容不同的计算机通过IEEE - 488（GPIA）或RS - 232接口。可编程塞贝克的混合测量系统包括了SB - 100可编程控制器塞贝克的K - 20可编程温度控制器，塞贝克热阶段和配件，计算机（PC），和MMR提供的软件. 塞贝克热电系统包括两个热电偶对。一对是形成了铜路口和已知的塞贝克电动势的参考。另一对是形成了铜路口及材料的塞贝克电动势。该系统采用更复杂的参数测量技术，能更精确，高重复性。 特征工作温度：70K至730K2个16bit A / D转换器分辨率：50nV测试精度：0.1％最小加热器步长：0.1mw自动读取：高达128软件支持所有测量样品长度：“2mm10mm电源输入：110V,60Hz和220V，50Hz

美国MMR公司，与斯坦福大学合作开发了专利的致冷器，其具有世界上最小的震动(埃米级别)、宽控温范围(70~730K)及高温度稳定性(0.1K)，并将其应用在以下测量系统，提高了系统的整体性能。 各个系统均采用模块设计，客户可根据实际要求配置系统，也方便日后升级。其主要客户有Standford Univ, University of Cambridge, AT&&Bell Labs, NASA, IBM, Intel, AMD，中科院等。霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性，利用范德堡测量技术测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。整套系统主要包括控制器、样品室、磁场三部分。主要参数：1. 样品固定方式：弹簧探针或引线治具2. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）3. 磁场：5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1.4T电磁场（可选）4. 温度稳定度：=0.1K5. 温度响应：1K/sec 6. 致冷片：10X14 mm7. 电阻率：10-4~1013 Ohm*cm8. 载流子迁移率：1~107 cm2/volt*sec9. 载流子浓度：103~1019cm-310. 电流范围：1 pA~100mA11. 电压范围：+/-2.4V，最小可测到6X10-6 V12. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G OhmsTel: 86 21 62083715

L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征，包括:迁移率，电阻率，载流子浓度和霍尔常数。基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温（液氮）附件结合高温炉（温度可达240°C）可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V 和 I-R 数据图.系统可测试多种材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可测量), 金属膜, 氧化物等. 样品测试时便可完成系统功能演示 特点? 载流子浓度? 电阻率? 迁移率? 电导率? α (水平电阻值/垂直电阻值)? 霍尔常数? 磁致电阻输入电流:500nA 到 10mA (500nA 步长)霍尔电压:0.5 到 4.5V分辨率:65pV样品形状:15x15, 20x20, 25x25mm, 高度可达 5mm磁场强度:可达 1T传感器:液氮温度到 240°C

磁光克尔效应测量系统JMTS-816磁光克尔效应测量系统产品概述：磁光克尔效应装置是一种基于磁光效应原理设计的超高灵敏度磁强计，是研究磁性薄膜、磁性微结构的理想测量工具。旋转磁光克尔效应（RotMOKE）是在磁光克尔效应测量基础上的一种类似于转矩测量各向异性的实验方法，可以定量的得到样品的磁各向异性的值。但由于电磁铁磁场大小的限制，只适合于测量磁各向异性的易轴在膜面内而且矫顽场不太大的磁性薄膜材料。结合源表可以进行样品的磁输运性能测量。RotMOKE具有以下特点：测量精度高、测量时间短；非接触式测量，是一种无损测量；测量范围为一个点，可以测量同一样品不同部位的磁化情况；可以产生平滑、稳定的受控磁场，并且磁场平滑过零。应用领域：广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学、磁性薄膜、磁性随机存储器、GMR/TMR等磁学领域。可测试材料：记录磁头，磁性薄膜，特殊磁介质，磁场传感器 磁光克尔效应测量系统产品特点：1测量灵敏度高，稳定性好，噪音低2非接触式测量，是一种无损测量3可以测量同一样品厚度不等的楔形磁性薄膜4可以将样品放到真空中原位测量5可以测量同一样品不同部位的磁化情况6纵向、横向和极向克尔效应测试7三百六十度电动旋转样品，可测试样品各向异性8手动左右和上下位移样品，可测试样品表面不同点的克尔效应9样品座有电接口，可加入磁电耦合测试。磁光克尔效应测量系统技术指标:1 样品尺寸：大Φ10mm的圆 2 克尔角分辨率（δ）：0.001度；3椭偏率分辨率（ε）：0.1%；4小光斑（Φ）：10微米；5 大磁场：单维0.26特斯拉；6 样品电动角度步进0.1度，手动位移步进10微米；7噪音：1%。磁光克尔效应测量系统技术参数：1光学平台： 刚性隔震，不锈钢贴面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm阵距，150mm台板厚度，带脚轮。台面平整度0.1/1000mm，平台载荷300Kg，固有频率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。2矢量电磁铁：锦正茂二维矢量电磁铁，每维大磁场0.26T，极面直径30mm，磁场间隙40mm，中心10mm正方体内均匀区1%。3电磁铁电源：锦正茂单相双极性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，稳定性50ppm/h，对应小分辨率0.1Gauss。 4激光器： Newport 632.8nm，2mW，2%稳定度，噪音1% rms（30Hz~10MHz），通过聚焦透镜光斑小为10μm的圆。5起偏/检偏器：格兰-汤普森棱镜，外径25.4mm，通光孔径10mm，消光比5*10^-5，角度范围14~16°，波长范围350~2300nm。6聚焦透镜：K9双凸，设计波长633nm，外径25.4mm，焦距150mm，焦距误差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。7四分之一波片：?25.4mm，波长632.8nm，投射波前畸变λ/8，相位延迟精度λ/100。8光电传感器：15mm2感应面积，0.21A/W响应度，暗电流1nA，对430~900nm波长光敏感，分流电阻200Mohm。9电流放大器：1pA/V大增益，1MHz带宽，大输入±5mA，大输出±5V，增益精度为输出的±0.05% 10高精度电压表：六位半，小分辨率0.1μV，90天准确度达到0.002%，四位半精度下最快2000 readings/second11手动位移和电动旋转样品杆： XYZ三维位移，XY行程25mm，Z行程13mm，转动360度，样品座为直径11mm的圆，上有电接头。12计算机： 联想商用，集成多串口卡。

产品详情 美国MMR 霍尔效应测量系统 H5000 美国 MMR 公司，与斯坦福大学合作开发了专利的致冷器，其具有世界上最小的震动(埃米级别)、宽控温范围(70~730K)及高温度稳定性(0.1K)，并将其应用在以下测量系统，提高了系统的整体性能。 各个系统均采用模块设计，客户可根据实际要求配置系统，也方便日后升级。 霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性，利用范德堡测量技术测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。整套系统主要包括控制器、样品室、磁场三部分。 主要参数： 1. 样品固定方式：弹簧探针或引线治具2. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）3. 磁场：5000Gauss 永磁铁，5000Gauss 电磁场， 1.4T 电磁场（可选）4. 温度稳定度：=0.1K5. 温度响应：1K/sec6. 致冷片：10X14 mm7. 电阻率：10-4~1013 Ohm*cm8. 载流子迁移率：1~107 cm2/volt*sec9. 载流子浓度：103~1019cm-310. 电流范围：1 pA~100mA11. 电压范围：+/-2.4V，最小可测到 6X10-6 V12. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms 参考客户： Standford Univ, University of Cambridge, AT&&Bell Labs, NASA, IBM, Intel, AMD，中科院，深圳大学，华南理工大学，上海光机所，上海微系统所，四川大学，上海交通大学，常州大学，东北大学，厦门大学，新疆理化研究所，北京物理所等。

热电材料的研究在能量保存和能源替代方面有着重要的作用, 而热电系数是热电材料的主要参数之一. 通过研究不同温度下的热电系数并配合理论模型可得到载流子类型和能带结构信息等. 主要应用于能源效率, 替代能源, 汽车和燃料消耗等研究。主要参数：1. 待测样品与参考样品增益不匹配度： 0.1%2. 样品长度：2~10mm3. 电压分辨率：50nV4. 最多可重复测量次数: 128 (自动取平均值)5. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）

便携式塞曼效应汞分析仪产品介绍： 便携式塞曼效应汞分析仪采用高频塞背景校正技术（ZAAS-HFM），基于原子蒸气对254nm共振发射线吸收的原理，进行汞分析检测。 便携式塞曼效应汞分析仪可配备不同模块，实现固、液、气多种样品检测，适用于分析/监测大气、水、土壤、烟道气、应急泄露事故、有害废物、生物材料、职业环境检测等。相关检测方法符合国际标准方法：美国EPA METHODsw-846 ，EPA 1631方法，欧盟标准EN 1483,13806，EU15852,国家标准GB 7468-87，EPA Method 7473燃烧热解法，EPA Method 30B吸附管法，美国ASTM D7622-10标准。 产品简介： • RA-915M分析仪用于监测室内外环境空气和天然气中的汞含量• 该分析仪可用于解决环境问题，石油矿田勘探，工程工艺控制，职业健康安全及科学研究等领域中中的汞检测分析• RA-915M可通过添加模块化分析附件，使分析仪可以方便地测定烟道气、饮用水、天然水和废水、土壤、食品、饲料、生物样品、石油及其加工产品中的汞含量产品特点： • 操作简单，全自动化，自行校准• 通用型设计，满足实验室内的常规检测和野外的动态检测• 检出限低，抗干扰力强• 实时检测大气和天然气• 固体，液体直接进样（需附件），无需前处理，无需金丝富集，无需试剂及压缩气体• 多样化友好界面，可通过自带操作面板使用，也可连接电脑使用• 宽泛检测范围，可达四个数量级• 配备内置存储器，储存可长达122小时的数据• 内置电池满足8小时的连续检测需求 应用领域： • 生态调查 对环境空气和大气中汞含量的监控 对居住地及工作地环境中的汞的监测 汞排放源和污染区域的生态调查• 脱汞方法监测 连续监测模式，可在移动状态下连续监测室内外汞含量 实时监测各种方法或试剂的脱汞过程 脱汞方法和过程的质量保证• 地质和地球化学调查 自然界汞循环的研究 矿藏勘探

Seebeck Measurement System塞贝克效应测试仪Thermoelectric MeasurementsspecificationØ Small Sample SizesØ 2 mm to 10 m lengthØ 1 to 2 mm wide and highØ Specifications:Ø Resolution: 50nVØ Minimum step of power to heater to determine temp difference: 0.1 mWØ Max thermal range measured: +/- 3mVØ Internal standard to ensure error correction in measurementsØ ControllersØ Rack mountableØ GPIB OptionsØ USB ConnectionsØ Software for control and analysis providedØ Can be used with LabView ****

磁热效应测试系统 ---MAGNETOCALORIC MEASURING SETUP(MMS)The setup includes(装置包含):&mdash liquid nitrogen shank end cryostat（液氮低温恒温器）&mdash measuring insert（测试杆）&mdash computer controlled permanent magnet based Halbach-like magnetic field source with variable magnetic field (计算机控制的基于类似Halbach磁场源的可变永磁场)&mdash data acquisition, processing and control unit (数据采集，处理和控制单元)&mdash LabView control softwareThe setup characteristics:&mdash cooling agent : liquid nitrogen (液氮制冷剂)&mdash operating temperature range(操作温度范围) : from 110 to 365 K&mdash magnetocaloric effect measuring range : from 0.1 K&mdash temperature stability during measurements(测试实时温度稳定性): 0.05 K&mdash magnetic field range(磁场范围) : from 0.02 to 1.8 T&mdash magnetic field changing rates(磁场变化速率): from 0.05 to 6 T/sec

产品详情韩国Ecopia霍尔效应测量系统HMS3000，HMS5000 韩国Ecopia霍尔效应测量系统主要用于研究半导体材料/光电材料的电学特性，可以测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型 主要参数：样品固定方式：弹簧探针或引线治具温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）磁场：5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1.4T电磁场（可选）温度稳定度：=0.05K温度响应：1K/sec致冷片：10X14 mm电阻率：10-6~1013 Ohm*cm载流子迁移率：10-2~109 cm2/volt*sec载流子浓度：102~1022cm-3电流范围：0.1 pA~10mA电压范围：+/-2.5V，最小可测到6X10-6 V电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms常用型号：HMS3000， HMS5000

塞曼效应实验，YMP-6101 简介YMP-6101塞曼效应实验以汞光源的546.1nm光谱线为研究对象，汞光源经过干涉滤光片后形成单色光，经过聚光透镜和偏振镜片，通过法布里-珀罗（F-P）标准具，形成干涉圆环，最后通过光学镜头和CMOS相机在电脑上形成干涉图像。本实验装置包含一个可调恒流电源和电磁铁，通过调节电流的大小控制磁场的强弱。在垂直于磁场方向，当磁场足够强时，汞原子内部的能级开始分裂，电子根据跃迁定则，产生新的谱线，在标准具产生干涉圆环，通过CCD相机和软件，我们就可以直观的观测到一个干涉圆环分裂成9个干涉圆环。而这些谱线是偏振的，通过旋转偏振器，可以在不同角度观测到不同数量的干涉圆环。而当平行于磁场方向进行观测时，可以观测分裂的谱线是圆偏振的。特点可进行垂直于磁场方向和平行于磁场的塞曼效应可调恒流源和电磁铁产生~1.2T的匀强磁场，保证运输和实验安全精度高达1/100λ的法布里-珀罗标准具，可获得K级至K-2级的9条分裂谱线，线条清晰锐利实验内容学习和掌握塞曼效应的原理和实验方法学习和掌握线偏振光概念和垂直于磁场方向的塞曼效应（Л分量 和σ分量）计算电子荷子比e/m学习和掌握圆偏振光概念和平行于磁场方向的塞曼效应学习和掌握特斯拉计的工作原理，使用特斯拉计和传感器测量电磁场与电流的关系通过塞曼效应测量电磁场强度激光原理实验实验，YTR-6301简介YTR-6301是一套全开腔结构的气体激光实验装置。通过调整谐振腔的光学元件，使它们处于同一光轴上，光将在谐振腔内振荡放大，从而输出激光。还可以验证激光的线偏振特性，以及通过F-P共焦球面扫描干涉仪观测不同长度谐振腔的纵模间隔。特点全开腔式结构设计，谐振腔的腔镜、激光管和谐振腔光程均可调，有助于学生们了解激光器的基本结构主激光管加装有机玻璃管，全面保护激光管和接线柱的安全按照工业级别要求设计生产的机械部件，保证输出激光和实验的稳定性光功率计用于调整和优化谐振腔，保证激光输出功率最大实验内容激光器的基本组成与结构的认识学会调节激光谐振腔并输出激光测量不同长度谐振腔下的纵模间隔激光偏振性的验证密立根油滴实验，YMP-6117简介YMP-6117密立根油滴实验通过控制均匀电场中的带电油滴，使用CCD成像系统，观察并测量带电油滴在均匀电场和重力场中的运动，从而计算得到整颗油滴的带电量。重复对许多油滴进行实验之后，密立根发现所有油滴的总电荷值皆为同一数字的倍数，因此认定此数值为单一电子的电荷：e = 1.602 x 10^-19 C。本实验装置按运动方式分类，油滴法测电子电荷分为平衡测量法和动态测量法。实验系统由主机、CCD成像系统、油滴盒、喷雾器等部件组成，其中主机包括可控高压电源、计时装置、A/D采样、数据通信等单元模块。特点采用高清高速的CCD成像系统实验主机和油滴盒分离，确保油雾与控制电路隔离实验软件可以显示电压、计时并自动处理实验数据实验内容学习用油滴实验测量电子电荷的原理和方法。验证电荷的不连续性以及测量基本电荷电量e。了解CCD光学成像系统的工作原理。通过对油滴的选择、耐心地跟踪和测量，培养学生严谨的态度和一丝不苟的科学实验方法。金属电子逸出功实验，YMP-6108简介YMP-6108型实验装置通过测量金属钨的电子逸出功，将钨丝作为“理想”二极管的阴极材料，阳极做成与阴极共轴的金属圆环，把阴极发射端限制在温度均匀的一定长度内而又可以近似的把电极看成是无限长的无边缘效应的理想状态。为了避免阴极的冷端效应（两端温度较低）和电场不均匀等边缘效应，在阳极两端各加装一个保护（补偿）电极，它们与阳极同电位但与阳极绝缘。当钨丝通电发光发热后，金属内部部分热电子获得大于逸出功的能量，从金属表面逃逸形成热电子发射电流。根据金属中电子能量遵从费米-狄拉克量子统计分布规律，获得热电子发射电流公式，从而计算逸出功（WorkFunction）。特点理想真空二极管透明直观阳极电流测量准确稳定，阳极电压输出高效精准增加螺线管线圈和配套电源可升级为理想真空二极管综合实验装置可升级为数字化实验实验内容了解费米—狄拉克量子统计规律理解热电子发射规律和掌握电子逸出功的测量方法用里查逊直线法分析阴极材料(钨)的电子逸出功拉曼光谱分析实验，YTR-6306简介拉曼光谱是分子振动的“指纹谱”，不同的物质分子具有不同的振动频率，因此常作为物质识别的重要依据。YTR-6306实验装置由多模窄线宽激光器出射激光，通过拉曼探头聚焦于样品，与样品作用后产生的拉曼信号由探头收集经光纤传输至光纤光谱仪后得到样品最终的拉曼光谱。特点模块化设计，更易于学生了解和掌握拉曼光谱系统的原理和组成按照工业和科研标准进行设计和生产，不但可以用于实验教学也可以用于科学研究专业的样品池和支架，易于学生操作专业的操作软件，引导式操作，简单易于掌握实验内容学习和掌握拉曼光谱的基本原理学习和掌握拉曼光谱测量的原理、基本组成和主要的工作原理和使用方法学习和掌握如何搭建和使用拉曼光谱测量系统学习和掌握如何测量CCl4溶液和乙醇样品的拉曼光谱学习和应用拉曼光谱对塑料样品进行鉴别测量和分析各类自备固体和液体样品的拉曼光谱更多详情,请关注！

韩国Ecopia霍尔效应测量系统HMS3000，HMS5000 韩国Ecopia霍尔效应测量系统主要用于研究半导体材料/光电材料的电学特性，可以测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型 主要参数：样品固定方式：弹簧探针或引线治具 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）磁场：5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1.4T电磁场（可选）温度稳定度：=0.05K温度响应：1K/sec致冷片：10X14 mm电阻率：10-6~1013 Ohm*cm 载流子迁移率：10-2~109 cm2/volt*sec载流子浓度：102~1022cm-3电流范围：0.1 pA~10mA电压范围：+/-2.5V，最小可测到6X10-6 V电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms常用型号：HMS3000， HMS5000

μ-Kerr Effect Measurement System磁光克尔效应系统优势1.基于微观局部磁性分析 极向和纵向克尔效应(非同步量测)2.适合敏感分析μm大小磁模式和磁性薄膜 规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect(Polar and Longitudinal Kerr Effect) 主要功能Kerr Loop Measurement光源Diode Laser探测光斑φ2-5μm磁场Max. ±10kOe (1T)可选In-Plane Electromagnet μ-Kerr Effect Measurement and Magnetic Domain Observation System克尔效应测量和磁畴观测系统优势1．微观测量克尔效应和磁畴观测2.适合敏感分析μm大小磁模式和磁性薄膜 规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect (Polar and Longitudinal Kerr Effect)主要功能Kerr Loop Measurement and Magnetic Domain Observation光源Diode Laser and Mercury Lamp探测光斑φ2-5μm观察分辨率1μm (Typ.) with x50 objective lens磁场Max. ±10kOe (1T)可选Cryostat and others Polar Kerr Effect Measurement System极向磁光克尔效应系统规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect (Polar Kerr Effect)主要功能Kerr Loop Measurement光源Diode Laser探测光斑φ1mm (Typ.)磁场Max. ±20kOe (2T) Longitudinal Kerr Effect Measurement System纵向磁光克尔效应设备规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect (Longitudinal Kerr Effect)主要功能Kerr Loop Measurement光源Diode Laser探测光斑φ1mm (Typ.)磁场Max. ±100 Oe (0.01T) Faraday Effect Measurement System法拉第磁光克尔效应设备规格测量的方向Faraday Effect主要功能Faraday Measurement光源Diode Laser探测光斑φ2mm (Typ.)法拉第角范围:45 degree磁场Max. ±10kOe (1T) Perpendicular Magnetic Anisotropy Analysis垂直磁各向异性分析优势1.磁光克尔效应与机动旋转电磁铁磁场应用于角度依赖性分析规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect主要功能Kerr Loop Measurement光源Diode Laser探测光斑φ1mm (Typ.)磁场Max. ±25kOe (2.5T)磁场旋转范围-10-100 degree

皮秒单粒子效应模拟装置的英文简称为LSS即Laser Single Particle Simulation的含义. 皮秒脉冲激光光束通过光束整形,剂量能量监测系统,通过显微镜聚焦,投影照明在安装在精密位移平台上的半导体芯片上. 被单脉冲激光照射的半导体芯片上的PN节,由于激光产生的电子-孔穴对的影响,其效果类似于在外太空半导体芯片 遭受高能宇宙射线照射的效果. 在这种情况下,集成电路的底层基础结构例如双稳态电路可能会发生效. 造成继承电路功能的全部或部分实效或错误. 这样就可以用激光脉冲光束来模拟高能宇宙射线对继承电路的实效破坏机制. 从而有针对性地采取防护设计. 提高集成电路在外太空环境下工作的可靠性和安全性能.?

霍尔效应测试系统 HET 是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括 Si、ZnO、SiGe、Sic，GaAs，InGaAs，InP，GaN(N型&P型均可测量)，广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。产品特点-采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越 -自动控制磁场方向的改变，更加便捷准确 -样品装夹快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片 -产品采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅测量精确而且操作方便 -用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷应用功能-载流子类型鉴定:通过测量霍尔系数，可以确定电流携带者的类型，是正电荷的空穴还是负电荷的电子，从而获得半导体或导体的电子结构和能带特性 -载流子浓度测量:霍尔系数与载流子浓度之间存在关系，因此通过测量霍尔系数，可以估计材料中载流子的浓度 -迁移率评估:霍尔系数还可以用来计算载流子的迁移率，即电荷载流子在材料中移动的能力，从而对材料的电导率和电子迁移性等方面的深入研究 -材料电性能评估:通过了解材料的电子结构、载流子类型、浓度和迁移率等信息，可以更全面地评估材料的电性能，为电子器件和电路设计提供重要参考

Lake Shore 8400系列霍尔效应测量系统结合了先进的交流和直流磁场霍尔效应测量方法，应用领域十分广泛。交流磁场测量选件非常适合测量传统直流场霍尔方法难以测量的新兴材料（迁移率低于1 cm2/Vs，包括半导体和电子材料，如光伏（太阳能电池）和热电材料、新的显示材料和有机电子材料等。8400系列霍尔效应测量系统提供了一个强大的测试平台，可以根据用户具体需求进行配置，包括变温选件、高电阻和低电阻选件以及光学通道等，极大程度上满足用户的测量需求，并大大简化实验过程。主要特征 ☛ 标准直流磁场测试迁移率范围：1 ~ 106 cm2/Vs☛ 可选交流磁场选件测试迁移率低至0.001 cm2/Vs☛ 可选变温范围15 K ~ 1273 K☛ 磁场最达2.2 T☛ 标准电阻范围：0.5 mΩ~10 mΩ，可选200 GΩ☛ 低阻选件电阻低至~0.5 μΩ可测量参数直接测量参数间接测量参数♢ 直流/交流磁场♢ 霍尔系数♢ 霍尔电压♢ 霍尔迁移率♢ 电阻率♢ 磁阻♢ 欧姆检查♢ 载流子类型♢ 四线法电阻♢ 载流子浓度♢ I-V曲线设备参数84048407DCACDCAC测量参数迁移率1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs载流子浓度8 × 102 ~ 8 × 1023 cm-38 × 102 ~ 8 × 1023 cm-3电阻率1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm电学测试参数*标准电阻测试范围读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法 0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS高阻选件配置读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS低阻选件配置电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电流±1 pA ~ ±100 mA±1 pA ~ ±100 mA恒流输出电压100 V100 V环境（磁场和温度）室温下磁场大小**(25 mm [1 in] 极头间隙)1.67 T使用标准50 mm直径极头1.35 T选用100 mm直径极头1.18 T使用标准50 mm直径极头0.95 T选用100 mm直径极头2.08 T 使用标准100 mm直径极头2.23 T 选用 50 mm直径极头1.19 T使用标准100 mm直径极头1.30 T选用 50 mm直径极头变温下磁场大小**(50 mm [2 in] 极头间隙)0.89 T使用标准50 mm直径极头0.88 T选用100 mm直径极头0.63 T使用标准50 mm直径极头0.62 T选用100 mm直径极头1.44 T使用标准100 mm直径极头 0.68 T使用标准100 mm直径极头运行交流磁场频率NA0.05 和 0.1 HzNA0.05 和 0.1 Hz样品尺寸标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm系统标配温度 室温室温单点液氮模块温度77 K77 K闭循环恒温器模块温度标准闭循环恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 400 K 光学型闭循环低温恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 350 K高温炉模块温度室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 磁体极柱直径4 英寸7 英寸极头直径标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)极头间隙（室温工作时）25 mm (1 英寸)25 mm (1 英寸)极头间隙（变温工作时）50 mm (2 英寸)50 mm (2 英寸)磁场均匀性25 mm 极头间隙, 50 mm 直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm极头间隙, 100 mm直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm325 mm极头间隙, 50 mm直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm3冷却（电磁铁和电源）标准7.6 L/min , 闭循环制冷机选件10.3 L/min标准19 L/min , 闭循环制冷机选件 23 L/min三相双极性电磁铁电源最大输出±35 V ±70 A (2.5 kW)±75 V ±135 A (9.1 kW)其他附件冷却水总功耗标准4.25 kW 加闭循环制冷机时7.45 kW标准13.4 kW 加闭循环制冷机时16.6 kW

仪器简介：木质部栓塞是木本植物在遭受水分胁迫时普遍存在的一种现象。研究发现木质部边材抗栓塞能力与树木耗水性和抗旱性之间关系密切，研究树木的耐旱性(耐旱和抗旱)，可防止木质部空穴和栓塞的发生，从而保证树木在干旱胁迫下木质部水分运输机能的正常运行技术参数：流量测量: 原理: 热导式质量流量计 量程 : 0.1~5, 0.2~10, 0.4~20, 1~50, 2~100 g/h H2O 精度: ± 1% (全量程)； 可调范围: 1~ 50 低压生成与测量: 原理: 水柱 量程: 典型1~7 kPa (最大10 kPa)； 精度: ± 0.2 kPa 高压生成与测量: 原理: 压力室 量程:一般可达3 bar，最大7 bar； 精度: ± 1% (全量程) 温度: 传感器: Pt100探针 量程: 0℃~ 50℃；-精度: ± 0.2 ℃ 水分供给: 高压: 容器容量: 1L 低压: 容器容量: 100 mL 最大容器压力: 1m水柱 水过滤: 0.2 &mu m 机械性能: 运输箱: IP65 大小尺寸: 461× 347× 206 mm 重量(空容器): 10 kg 电子性能: 供电：12 V直流 电流消耗: 900mA 接口: 3针插头 电脑接口(可选): 数模转换(15bits分辨率)和RS232数据 线传输数据到计算机 XYL'EM软件可适于DOS和Windows 系统，软件可收集数据，计算修正和 确定栓塞因子主要特点：XYL&rsquo EM测量系统采用参比&lsquo 水压&rsquo 法，先测量一段样品的导水率，然后用脱气水在一定压力下连续灌注样品使之水分饱和，这种灌注排泄或溶解掉包含在栓塞木质部导管中的空气。起始导水率/全饱和导水率的比率给出栓塞水平的定量值。XYL&rsquo EM系统可在低压下工作(最大1m水柱)，也可在高压下工作(典型2bar，最大7bar)。

霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。 Figure 1. sensor on test assembly 产品特点:• 超高分辨率• 超低噪音性能• 可在极低温条件下使用• 大动态范围• 高线性• 超低功耗运行 简述:利用石墨烯固有的低噪声特性，无需信号调节即可提供出色的场分辨率。石墨烯的二维性质 很大程度地降低了平面霍尔效应，并且石墨烯的稳定性和电子 迁移率提供了 超强的温度和磁场工作范围。 应用包括：• 精密磁场测量• 场梯度和边缘场的精确映射• 高精度位置，旋转和速度感应• 低温下的超低功率场测量 产品优点:可满足各种应用需求。可以利用的优点包括：• 可以在 1.8 K - 353 K的极端温度下运行• 在大磁场范围( 9 T)内ppb磁场变化的分辨率• 低至 10 nA的工作电流，节省了功率，仅产生5 pW的散热• 平面霍尔效应可忽略不计，有助于精确地确定仪器的摆放位置场方向 需要特定要求，请联系我们info 性能特点:ParameterSymbolValue (typical)UnitNotesMaximum operating temperature rangeT1.8 to 353KPerformance guaranteed within this range. Operation 1.8 K is possibleMeasurable field rangeB+/- 9TSee Fig.2. At 1.8K, 0-9 T is possible with reduced linearityOpen Circuit SensitivityS1100V/AT@ room temperature. see Fig 3 for change with temperatureOpen Circuit Hall VoltageVH110mVI=IN and B=1 T, increases with reducing temperature Spectral Noise Density SDT7 μ???√????10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) Resolution, based on SDT on a 1 T field RSND7 ppm10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)RMS noise??T2?40?T0.1 – 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)2810 – 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)Linearity of Hall Voltage% of full scaleFL0.5%-1 to 1 T. See Fig 2 for full 0-9 T rangeCorrected Linearity0.01%-1 to 1 T, after 3rd order correctionPlanar Hall EffectHPL10μTAt I=IN , 1 TNominal Supply CurrentIN0.1mACan be operated down to I=10 nAMaximum Supply CurrentImax1mASupply Side Internal ResistanceRIN22k?B=0 THall Side Internal ResistanceROUT22k?B=0 T Offset Voltage VR08mVTypical offset voltage at I=IN and B=0 T0.6mVMin offset voltage at I=IN and B=0 T34mVMax offset voltage at I=IN and B=0 TTemperature Coefficient of SensitivityTCS-4.7V/AT/K@ room temperature, IN 高场和低温性能 Figure 2. Hall Voltage output at 295 K, from 0 to 9 T Figure 3. Sensitivity as a function of temperature from 1.8 K to 300 K. Measured at 1T. 封装信息有效面积：1.3 x 1.3 mm 位于封装的中心封装类型: 20-pin LCC, 陶瓷,无镍, 表面贴焊。PinNotesVIN+1 or 11Input voltage can be supplied with eitherpolarityVIN-11 or 1VH+6 or 16Hall voltage polarity willdepend on VIN polarity and field polarityVH-16 or 6

磁光克尔效应系统-NanoMOKE3英国Durham公司是依托于英国Durham大学的高科技企业。与Durham大学强大的磁光学研究相对应，Durham公司的Russell Cowburn教授（英国剑桥大学卡文迪许实验室主任，英国皇家科学院院士）设计并制造了灵敏度能到10-12emu且间距动态磁畴观测的磁光克尔效应系统——NanoMOKE3。NanoMOKE3是新一代超高灵敏度磁强计和克尔显微镜。在NanoMOKE2巨大成功的基础上，Nano-MOKE3在一套系统中集成了高品质激光磁强计和动态克尔显微镜。对于纵向、横向以及向磁光克尔效应都非常灵敏，使得NanoMOKE3成为研究磁性薄膜以及磁性微结构理想的测量工具。广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学和磁性薄膜等磁学领域。NanoMOKE3具有高的灵敏度和强大的测量功能，同时系统灵巧的设计以及专用的操作软件让复杂的实验过程变得简单，使您能够快速的实现自己珍贵的研究思路、获得可靠实验数据。NanoMOKE3进行了全新的升，增加了超快速的CCD，更加方便您的测试。主要技术指标： 温度范围：4.2-500 K 大磁场： 5000 Oe 推荐样品大小：1-2.5 cm 小克尔转角检出角：0.5 mdeg 小反射率变化率检出量：0.02% 主要特点：1、非常高的灵敏度和稳定性，非常低的噪音，可以探测到低至 10-12 emu 的磁矩。2、高度聚焦的激光，激光束斑达到 2 &mu m，可以轻松进行样品的局部或单个结构的性能检测。3、先进的样品定位技术。光路中集成光学显微镜以观测激光束斑的聚焦点和大小；扫描克尔显微镜可以探测样品的交流磁化率图像以及反射率图像，帮助用户选择样品的精细测量区域。4、灵活开放的系统设计。所有的光学器件都安装在一个标准光学平台上，允许用户对光学器件进行调整，满足自己的科研需要。5、任意的磁场波形控制。可以选配多种电磁体：四磁体、偶磁体以及螺线管磁体，能够轻松地在样品表面产生各种复杂的磁场。6、简单易用的专用操作控制软件 LX Pro。该软件基于微软的 Windows 系统，能够自动完成所有实验以及实验数据的处理。几种不同测试手段对比： 测试手段SQUIDVSMMFMMOKE样品要求液体,粉末,块材,薄膜液体,粉末,块材,薄膜薄膜，表面抛光的块材薄膜，表面抛光的块体测量内容MT，MHMT，MH磁畴图像磁滞回线，磁畴图像，材质分布测试精度非常高较高较高M不可定量，灵敏度高，磁畴形貌不及MFM宏观/微观宏观磁性宏观磁性微观微观磁畴不能不能静态静态/动态磁畴各向异性可以转角测试不能测试不可以可以NanoMOKE3丰富的测试功能：单点loop功能区域mapping功能Rastering磁畴成像功能高速CCD磁畴成像功能反射率成像功能原理变化磁场下对单点快速进行向或纵向克尔信号扫描测量在变化磁场下，对待测区域内各点进行loop测量，然后对loop面积积分进而得出区域各点磁性性质，进而获得磁性分布图在固定磁场下以矩阵扫描的方式对区域内各点进行克尔信号测量在固定磁场下，用快速扫描的激光照在待测区域，通过光学CCD对整个待测区域的所有点的克尔信号测量在进行其他测的同时，获得样品表面的反射光强信号。获得同磁畴形貌同一区域的外观形貌特点不同温度下，直接获得克尔信号随磁场变化的Loop不同温度下，获得区域磁性分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，获得区域磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，快速获取磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量无需时间专门测量，跟其他形貌图形同时获得应用可判断易/难磁化轴，矫顽力，磁学性质获得区域各点的磁性信息、可用于研究各向异性。变温测量区域静态磁畴、动态磁畴的测量。变温变场测量快速观测静态磁畴和动态磁畴与磁畴形貌做对比分析，进行光功率扰动磁畴图像修正，判断克尔信号的噪声等精度利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用CCD转换器利用光电转换器测量，精度非常高部分测试数据：Pattern，磁畴和动态磁畴的观测： ◆ 使用快速的rastering模式来探测样品表面的Pattern ◆ 通过测试Loop功能来检测样品的难/易轴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁畴，利用NanoMOKE3可以观测动态磁畴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁性能，从中我们可以检测样品的mapping各项异性 开放灵活的设计：我公司为客户提供多种拓展选件，预留光源输入窗，可使用其他光源；另外配备了低温和高磁场下的磁光克尔效应测试选件，下图为我公司为客户配备的Montana恒温器。在软件上的接口同样丰富，用户可以轻松的完成与其他实验设备的对接和控制。

磁光克尔效应系统-NanoMOKE3英国Durham公司是依托于英国Durham大学的高科技企业。与Durham大学强大的磁光学研究相对应，Durham公司的Russell Cowburn教授（英国剑桥大学卡文迪许实验室主任，英国皇家科学院院士）设计并制造了灵敏度能到10-12emu且间距动态磁畴观测的磁光克尔效应系统——NanoMOKE3。NanoMOKE3是新一代超高灵敏度磁强计和克尔显微镜。在NanoMOKE2巨大成功的基础上，Nano-MOKE3在一套系统中集成了高品质激光磁强计和动态克尔显微镜。对于纵向、横向以及向磁光克尔效应都非常灵敏，使得NanoMOKE3成为研究磁性薄膜以及磁性微结构理想的测量工具。广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学和磁性薄膜等磁学领域。NanoMOKE3具有高的灵敏度和强大的测量功能，同时系统灵巧的设计以及专用的操作软件让复杂的实验过程变得简单，使您能够快速的实现自己珍贵的研究思路、获得可靠实验数据。NanoMOKE3进行了全新的升，增加了超快速的CCD，更加方便您的测试。主要技术指标： 温度范围：4.2-500 K 大磁场： 5000 Oe 推荐样品大小：1-2.5 cm 小克尔转角检出角：0.5 mdeg 小反射率变化率检出量：0.02% 主要特点：1、非常高的灵敏度和稳定性，非常低的噪音，可以探测到低至 10-12 emu 的磁矩。2、高度聚焦的激光，激光束斑达到 2 μm，可以轻松进行样品的局部或单个结构的性能检测。3、先进的样品定位技术。光路中集成光学显微镜以观测激光束斑的聚焦点和大小；扫描克尔显微镜可以探测样品的交流磁化率图像以及反射率图像，帮助用户选择样品的精细测量区域。4、灵活开放的系统设计。所有的光学器件都安装在一个标准光学平台上，允许用户对光学器件进行调整，满足自己的科研需要。5、任意的磁场波形控制。可以选配多种电磁体：四磁体、偶磁体以及螺线管磁体，能够轻松地在样品表面产生各种复杂的磁场。 6、简单易用的专用操作控制软件 LX Pro。该软件基于微软的 Windows 系统，能够自动完成所有实验以及实验数据的处理。几种不同测试手段对比： 测试手段SQUIDVSMMFMMOKE样品要求液体,粉末,块材,薄膜液体,粉末,块材,薄膜薄膜，表面抛光的块材薄膜，表面抛光的块体测量内容MT，MHMT，MH磁畴图像磁滞回线，磁畴图像，材质分布测试精度非常高较高较高M不可定量，灵敏度高，磁畴形貌不及MFM 宏观/微观宏观磁性宏观磁性微观微观磁畴不能不能静态静态/动态磁畴各向异性可以转角测试不能测试不可以可以NanoMOKE3丰富的测试功能： 单点loop功能区域mapping功能Rastering磁畴成像功能高速CCD磁畴成像功能反射率成像功能原理变化磁场下对单点快速进行向或纵向克尔信号扫描测量在变化磁场下，对待测区域内各点进行loop测量，然后对loop面积积分进而得出区域各点磁性性质，进而获得磁性分布图在固定磁场下以矩阵扫描的方式对区域内各点进行克尔信号测量在固定磁场下，用快速扫描的激光照在待测区域，通过光学CCD对整个待测区域的所有点的克尔信号测量在进行其他测的同时，获得样品表面的反射光强信号。获得同磁畴形貌同一区域的外观形貌特点不同温度下，直接获得克尔信号随磁场变化的Loop不同温度下，获得区域磁性分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，获得区域磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，快速获取磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量无需时间专门测量，跟其他形貌图形同时获得应用可判断易/难磁化轴，矫顽力，磁学性质获得区域各点的磁性信息、可用于研究各向异性。变温测量区域静态磁畴、动态磁畴的测量。变温变场测量快速观测静态磁畴和动态磁畴与磁畴形貌做对比分析，进行光功率扰动磁畴图像修正，判断克尔信号的噪声等精度利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用CCD转换器利用光电转换器测量，精度非常高部分测试数据：Pattern，磁畴和动态磁畴的观测： ◆ 使用快速的rastering模式来探测样品表面的Pattern ◆ 通过测试Loop功能来检测样品的难/易轴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁畴，利用NanoMOKE3可以观测动态磁畴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁性能，从中我们可以检测样品的mapping各项异性 开放灵活的设计：我公司为客户提供多种拓展选件，预留光源输入窗，可使用其他光源；另外配备了低温和高磁场下的磁光克尔效应测试选件，下图为我公司为客户配备的Montana恒温器。在软件上的接口同样丰富，用户可以轻松的完成与其他实验设备的对接和控制。

Zeeman效应仪器设备型号：HO-ED-S-04AHolmarc的新型CCD仪器是为当今世界各个实验室Zeeman效应研究提供了解决方案。本仪器利用一个普通低压汞灯发出的绿色光线，而这个低压汞灯由FP校准器进行校准。一台配备计算机的 相机可以抓取从 校准器发射的 光谱分离的 影像。学生们可以通过电脑监视器观测实时影像。这个实验用于研究由热汞原子发射出来的绿色光线的磁场效应。在没有磁场的地方，光线射出，这些光线的波长幅度很窄，集中在546.1nm。当原子被放置在磁场中，情况发生了变化。与单一光谱不同，汞原子射出的绿光有数条光谱线组成，并取决于磁场的尺寸。关键性能汞灯做光源，无需使用特殊的，价格昂贵的镉灯。普通而常见的光源可以帮助学生们更好地理解Zeemen效应。一个CCD相机可以抓取来自校准器的光谱实时影像，这些影像可以在一个计算机显示器上进行观测。这些图像可以保存在电脑中，用以对不同磁场条件下的Zeemen效应做出分析与计算。本仪器维护非常方便。所有的部件都可以在当地购的。实验的目的是测量测量电场内各个光谱线的不同以及在零区域的单一光谱。这些波长的差别被称为Zeemen分离。另外，电场内各个光谱线的极化现象可以通过本实验得到研究。 实验列表校准利用霍尔探头高斯计，测量电流，用以校准磁场通过外磁场来测量原子能量级的变化，实验结果可以与理论预测进行比较通过使用平面偏振片来研究在外加电场条件下射出光线的极化现象。

塞贝克系数/电阻测量系统ZEM-3 ——定量测量热电材料的塞贝克系数和电阻 塞贝克系数/电阻测量系统可实现对金属或半导体材料的热电性能的评估。作为ZEM的特点，塞贝克系数和电阻都可以用一种仪器来测量。 设备特点：◆ 拥有温度控制的红外金面加热炉和控制温差的微型加热器；◆ 测量是由计算机控制的，并且能够在指定的温度下执行测量，并允许自动测量消除背底电动势；◆ 欧姆接触自动检测功能（V-I图）；◆ 可以用适配器来测量薄膜；◆ 可定制高阻型。 参数配置：型号ZEM-3M8ZEM-3M10温度范围50-800℃50-1000℃样品大小方形2-4mm*6-22mmL 或者 圆形φ2-4mm*6-22mmL加热方式红外加热气氛高纯氦气（99.999%） 样品温差 MAX.50℃ 测量方式电脑全自动测量工作原理图： 设备结构： 样品腔部分： 应用方向：对于半导体，陶瓷材料，金属材料等多种材料的热电性能分析。可选功能： 薄膜测量选件 2. 低温选件（温度范围-100℃到200℃）3. 高阻选件（高到10MΩ）测试数据烧结P型Si80Ge20塞贝克系数及电阻率测量结果发表文章1. Y. Wang et al. / Adv. Energy Mater. 2020, 2001945 2. Z. Ge et al. / Chemical Engineering Journal 2020, 126407 3. J. He et al. / Energy Environ. Sci., 2020,13, 2106-2114 4. Y. Takagiwa et al. / ACS Appl. Mater. Interfaces 2020, 12, 43, 48804–48810 5. L. Zhao et al. / Adv. Energy Mater. 2019, 9, 1901334.用户单位清华大学中国科学技术大学上海交通大学复旦大学南方科技大学武汉理工大学中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院大连化学物理研究所......附：热电材料/器件测试设备热电材料测试设备热电转换效率测试设备

MMR Hall Effect Measurement System controlled continuously variable temperature MMR可控连续变温霍尔效应测试系统1. 功能描述： 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数2. 测试范围： Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、 迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。3. 磁场强度： 0.5T 电磁场，磁场强度可以定制选择4. 温度区域: 70K ~730K； 80K ~580K； 80K ~730K； 300K ~730K5. 电阻率范围：10-6~1013 Ohm*cm6. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms7. 载流子浓度：102~1022cm-38. 迁移率: 10-2~109 cm2/volt*sec 仪器优点：1. 采用van der Pauw法测试 2. 最大可测25mmX25mm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一 个 3. 配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自 动。测试数据能够方便的储存和导出 4. 模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统 5. 测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优 6. 在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，最大变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯 性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试7.允许在一定气体环境下测试8.提供石英透明窗口，可以测试光激发下电阻率

一、产品概述：霍尔效应测试仪是一种用于测量材料霍尔效应的仪器，主要用于评估半导体和导体的电学特性。该设备能够准确测量材料在外部磁场下的电导率、霍尔电压和载流子浓度等参数，广泛应用于材料科学和电子工程领域。二、设备用途/原理：设备用途霍尔效应测试仪主要用于半导体材料的研究与开发、电气元件的性能测试以及材料的电学特性评估。它帮助研究人员了解材料的载流子类型、浓度及迁移率，为新材料的设计和应用提供重要数据支持。工作原理霍尔效应测试仪的工作原理基于霍尔效应现象。当电流通过材料时，施加垂直于电流方向的磁场会在材料中产生霍尔电压。通过测量霍尔电压和已知的电流及磁场强度，仪器能够计算出材料的霍尔系数、载流子浓度和迁移率等电学参数。这一过程通常涉及精密的电流和磁场控制，以确保测量的准确性和重复性。三、主要技术指标：1. 系统功能：用于测量半导体材料的电阻率/电导率、流动性、散装/片状载体浓度、掺杂类型、霍尔系数、磁阻、垂直/水平阻力比的半导体高性能霍尔系统。模块化设计理念，允许轻松升，该系统适用于各种材料，包括硅和化合物半导体和金属氧化物膜等2. 该系统具有低电阻率和高电阻率测量功能，具有双重温度功能和一个可选的低温恒温器，可扩展该系统温度范围从90K到500K3. 方块电阻量程：10-4 Ω/sq ~ 106Ω/sq4. 载流子浓度量程：106 ~ 1021 cm-35. 载流子迁移率量程：1 ~ 107 cm6. 四个微调探针座，探针直接形成ohm接触，无需焊线或制作PCB板7. 大样品测量直径：25mm

Physical Property Measurement System (PPMS)综合物性测量系统 PPMS系统的设计理念是在一个完美控制的低温和强磁场平台上，集成全自动的磁学、电学、热学和形貌，甚至铁电和介电等各种物性测量手段。这样的设计使得整个系统的低温和强磁场环境得到了充分的利用，极大减少了客户购买仪器的成本，避免了自己搭建实验的繁琐和误差，可以迅速地实现研究人员珍贵的研究思路。 一个PPMS系统由基本系统和各种测量和拓展功能选件构成：基本系统提供低温和强磁场的环境，以及整个系统的软硬件控制中心；用户在基本系统平台的基础上选择自己感兴趣的各种测量选件和拓展功能选件。 对于绝大多数常规实验项目，PPMS已经设计好了全自动的测量软件，和具有标准测量功能的硬件，如交直流电阻率、磁电阻、微分电阻、霍尔系数、伏安特性、临界电流、交流磁化率、磁滞回线、热磁曲线、比热、热电效应、塞贝克系数、热导率和形貌表征等等。这些测量方法的可靠性和便捷性在过去的十几年中已经得到世界科学界的认可。经过独特而巧妙设计，PPMS系统上的各种测量选件之间能够互不干扰，且能够简单快速地相互切换。 PPMS 平台提供多种测量选件

物理特性薄膜表征系统，高度集成且易于使用的测量平台。 薄膜的物理性质不同于大块材料，因为由于尺寸较小和高纵横比使寄生表面效应更强！ 增强表面散射的影响（a）附加边界散射（b）超薄层的量子约束（c） LINSEIS薄膜物性分析仪是表征各种薄膜样品优异测量工具。它是一种易于使用的独立系统，使用正在申请专利的测量系统设计，可提供高质量的结果。 组件 基本设置包括一个可以轻松沉积样品的测量芯片，以及提供所需环境条件的测量室。 根据应用，该设置可与锁定放大器和/或强电磁铁一起使用。 测量通常在UHV下进行，并且在测量期间使用LN2和强力加热器将样品温度控制在-170°C和280°C之间。 预制测量芯片 该芯片将用于热导率测量的3 ω技术与用于测量电阻率和霍尔系数的4点Van-der-Pauw技术相结合。 赛贝克系数可以使用位于Van-der-Pauw电极附近的附加电阻温度计来测量。 为了便于样品制备，可以使用剥离箔掩模或金属阴影掩模。 该配置允许几乎同时表征通过PVD（例如热蒸发，溅射，MBE），CVD（例如ALD），旋涂，滴铸或喷墨打印制备的样品。 该系统的一大优点是在一次测量运行中同时确定各种物理特性。所有测量都采用相同（平面内）方向，并且具有很高的可比性。 基本测量单元 ： 测量室，真空泵，带加热器的支架，电子颊侧装置，集成锁相放大器，3w方法分析软件，计算机和应用软件。可测以下物理参数： • λ - 热传导系数 (稳态法/平面内方向) • ρ - 电阻率 • σ - 电导率 • S - 赛贝克系数 • ε – 发射率 • Cp - 比热容 磁测量单元 可根据需求选择集成式电磁铁，可测物理参数如下： • AH - 霍尔常数 • μ –迁移率 • n -载流子浓度 薄膜材料性能有别于块体材料之处 - 因小尺寸和高纵横比所导致的表面效应如：边界散射和量子限域效应 *价格范围仅供参考，实际价格与配置等若干因素有关。如有需要，请拨打电话咨询（021-50550642；010-62237791）。我们定会将竭尽全力为您制定完善的解决方案。

1.恒奥德压电效应及逆压电效应演示仪,压电与逆压电效应仪 型号H17987 【实验目的】 演示压电与逆压电效应的应用。 【实验原理】 电介质中有类其分子的电偶矩不为零，即它是有分子。在由分子构成晶体时，其 具有定对称性的排列使这种电介质晶体作为个整体不表现出电性来，宏观电偶矩为零，原因是多个分子的电偶矩的矢量和为零；但当电介质晶体受到外力（应力不为零）而有形变时（应变不为零），其晶胞中分子电偶矩的矢量和不再为零，从而出现宏观电化现象，即岀现宏观电偶矩，电介质的表面会出现化电荷，这种现象称为压电效应。反之，把压电晶体放在电场中它也会出现定的形变，内产生应力应变，这种现象称为逆压电效应。本实验用的元件是压电陶瓷片，它具有压电性，把它放在声场中，声波的机械振动通过压电效应在压电陶瓷片的电上激起化电荷变为音频电信号，经放大可为人们所听到。逆压电效应可被用来利用电场控制细微的密机械运动，如扫描隧道显微镜的探针的控制就是由逆压电效应通过压电陶瓷片实现的。 【实验步骤】 1、打开放大器电源开关，将转换开关置于压电端； 2、将压电片紧贴马蹄表，调节放大器音量，即可听到钟表走时声； 3、将转换开关置于逆压电侧，即可观察到逆压电现象。 【注意事项】 使用毕后妥善保管仪器，以免组件丢失。 【实验拓展】 压电效应实质上是由于电介质分子结构而产生的联系力学和电学量的效应，试设想它有什么用途。2.智能数显磁力电热套 磁力搅拌器 数显恒温搅拌加热套 型号H17988 智能数显磁力电热套：容量有：100ml、250ml、500ml、1000ml、2000ml、3000ml、5000ml、10000ml，多种型号规格供客户选择。电热套具有受热面积大、均匀、升温快的特点， 产品特点 1.采用电热套加热，具有受热面积大、均匀、升温快的特点，温问度380℃。 2.控温采用模糊PID控制算法，双屏数字显示，自整定能，具有测量度，冲温小，单键轻触操作，内、外热电偶测温，可控硅控制输出，160-240V宽电压电源，并有断偶保护能。 3.可对50-20000ml标准或非标准反应瓶行加热搅拌。 4.采用直流无刷电机，性能稳定，噪音小，寿命长，无火花产生。 5.数显转速能。 6.内设温保护能。 7.斜面操控面板适合坐位和站位视角。 8.低速平稳，速强劲。 术参数 电 源：～220∨，50Hz 调速范围：100-2500转/分,数字显示转速 电机率：40W，DC14-24V 搅拌容量：50、100、250、500、1000、2000、3000、5000、10000、20000ml 加热率：180-2200W 3.触摸屏书刊装订强度测试仪 型号：HAD-SKL-03 HAD-SKL-03触摸屏测控系统适用于拉伸和压缩试验仪的测试和控制，设计标满足标对拉伸、压缩、剥离等测试软件的要求HAD-SKL-03主要参数：1．力值测量范围：20~500N2．示值度：±1%3．较大夹持书页长度：310mm4．较小夹持书页宽度：100mm5．数字显示：4位直读6．打印结果：4位有效数字7．夹具移动速度：2—60mm/min8．速度度：±5%8．电源：交流220V9．仪器重量：约60kg 1.显示区域：实时显示并刷新软件读取到的当前力、大力、回位时间、测试时间等数值，并在程序行测试时显示力/时间的曲线图。2.菜单区域：菜单主要有试样资料、测试方案、显示设置、系统设置，详细能参见对应章节。3.控制区域：控制区主要包含开始测试、停止、测试结果等常用按钮，各按钮的能如下；（1）开始测试按钮：点击此按钮即可行测试，测试成后自动结束测试并自动回位。（2）停止按钮：点击此按钮即可结束测试，也可停止上升下降的动作。（3）测试结果按钮：点击此按钮即可入测试结果页面。（4）清零按钮：点击此按钮可将力、时间等参数行手动清零。（5）停止按钮：点击此按钮会停止当前动作，如果测试状态会停止测试后自动回位。（6）上升按钮：点击此按钮会行上升动作。（7）下降按钮：点击此按钮会行下降动作。 4.面团成型机 型号DF100 、产品概述及特点 概述：DF100面团成型机是实验室中制备成型面团的设备。将针式和面机制备的面团经本设备压片和滚条后，可以制成适用于面包、蛋 糕、饼干、馒头、面条等产品的面团。 特点：t能多，可以试验压片、赶气、滚条成型等能 t面团成型机将经过发酵或醒发后的面团置于可调间距的两压片辊之间滚压，可有效排除体积较大的气泡 t面团成型机各辊表面都经过了不粘处理 t面团成型机间距调节灵活，并配有脚踏开关，便于操作 二、产品术参数 1、仪器作条件：电源电压：电压交流AC220±10V，频率50/60HZ；环境温度：15℃-45℃；环境相对湿度：10%～85% 2、电机率≤180W 3、具有压片和成型能 4、采用对辊挤压压片； 5、压片辊具有轧距调节能，辊距调节范围2-10mm 6、采用三辊辊压成型 7、成型面团长度可调 8、压片辊和成型辊均采用聚四氟乙烯处理 9、压片辊规格：φ95mmX150mm 10、成型辊规格：φ70mmX330mm 11、配有安操作开关，便于操作，保证安 配套设备：面团成型机1台、面铲（橡胶）1个、毛刷1把、不锈钢托盘2 恒温磁力搅拌器/磁力搅拌仪 型号:HAH01-3 HAH01-3恒温磁力搅拌器 特点 特　　点：无刷直流电机驱动，特强磁力，适用于粘度大容量液体搅拌， 恒温型，配电接点水银温度计可自动控温，加热率无可调，电压表显示加热电压 5.HAH01-3恒温磁力搅拌器主要术参数 电　　源：AC220V±10% 50Hz 搅拌转速：100～1800 r/min 搅拌容量：10000ml 电机转矩：25mNm 加热率：800W内可调 加 热 盘：￠175mm 控温范围：室温～250℃ 控温度：±1℃ 外形尺寸：280×175×145（mm） 注：电接点水银温度计用户自备 6.五合pm2.5粒子检测仪/pm2.5检测仪 型号：HAD-GP主要术标测试粒子数：0.3μm、2.5μm 1 0μm测试粒子质量：PM2.5 、PM 10光 源：激光二管流 量：500ml采样时间：35 秒测试方式：浓度（每升）电 源：Li-ion 锂离子电池（7.4V/1000mAh）或AC/DC 适配器（AC 输入：100～240V，50/60Hz，DC 输出：9V，1.5A）电池作时间：连续测试时间约为 3 小时外形尺寸：201 * 92 * 36 mm环境条件：作环境：5～45℃, ＜90%RH 储藏环境：–20～50℃, ＜90%RH标准附件：AC/DC 适配器，便携式保护箱 7.悬浮物测试仪/水质在线悬浮物分析仪/在线悬浮物测定仪 型号:HAD-MLSS4210 应用l 海洋，地面，自来水，市废水，废水处理艺等l 化，药，食品加，纸业各种业过程配套，材质可特殊订做。 能l 报警限值可以设定，声光报警用开关信号输出0/5V信号,驱动30mA 和光电隔离的晶闸管触发电路（额定电压400V,电流1A）l 现场配2×16 LCD液晶显示数据，配1个扒插式4x5键盘 l 自动温度软件补偿(ATC) l 标定能允许用户利用配制的浓度范围标样建立多至4个点,也允许纯水单点调零，2点标准样品标定（DKA,在线性量程内）。l 输出1路0-2.5/5V,0/4-20mA线性标准信号。可直接用于显示器，记录仪，或做PID闭环控制。能可设计。 性能l 电路测试度0.05%FSl 外接电源DC 12-24V, 率:1.40 W, 基本测试耗500mW. l 防水设计: NEMA 4x。 测量范围: R1000: 0-2000mg/L 准确度: ±2-5% FS 重复度: ±1%R 分辨率:0.1mg/L 使用温度: 0-50℃ 压力:10 kgf/cm2 8.烟气湿度仪/烟气水分仪/温湿度仪 型号:HAD-H900 产品概述HAD-H900烟气湿度仪采用口温湿度传感器，湿度仪采用数字电路与微机处理术测量温环境湿度，并行温度补偿，可快速准确行检测，采用自导流流体力学结构，抗化学腐蚀，抗粉尘，具有自洁能，并可选配自动吹扫能。 应用域 可广泛应用于冶金，钢铁炉煤气，电力，印染，纸张，石膏，陶瓷，化等行业烟气湿度分析。 术标 检测量程 0- 确度 ±2.0%FS重复性 ≤±2%FS 零点漂移 ≤±2%FS/6h输入电源 AC220V 跨度漂移 ≤±5%FS/6h 响应时间 T90≤10S 样品温度 -20～300℃采样方式 插入导流式 信号输出 4-20mA或RS485 报警方式 触点输出 接点容量 1A/220VAC或1A/24VDC 耗 ≤300W 插入深度 300/500/800mm 9.玻璃表面张力测定仪 型号:HII-1200 本仪器装置采用玻璃丝收缩法测定软化温度范围内的表面张力。 主要术参数 1.立式管状电炉，炉管尺寸Ф30×300mm。 2.温度1200℃ ，使用温度1000℃。 3.K型分度号测温热电偶。 4.炉膛控温≤±1℃，炉内均温区长：100mm。 5.可控硅调压，智能温度控制仪，实现PID调节，程序升温，可意设定程序段，保温时间。 6.试样制备：用玻璃棒拉成直径圆形，粗细均匀，直径误差不大于0.05mm，通过试验来确定长度。 7.带数显，可配软件，带电脑输出。（按用户需求） 主要配置： 1、测试主机 台 2、测试软件 套 3、数据采集系统 套 4、喷墨打印机 台 10开口闪点测定仪 型号 DP-K02 该仪器用于测定石油产品开口闪点值，液晶屏幕中文人机对话显示界面，菜单导向式输入，符合GB/T3536-83、GB/T267-88标准，是理想的口仪器替代产品 适用GB/T3536-83、GB/T267-88标准 特点1、液晶屏幕中文人机对话显示界面 2、具有中文误操作软件提示修改能 3、配有试验日期、试验时间等参数提示能 4、自动校正大气压强并计算修正值 5、系统偏差自动修正 6、扫描、点火、检测、打印试验数据微机自动成 7、可检测抗燃油闪点 8、电子点火，强制风冷 量程室温-400℃ 重 复 性≤4℃ 再 现 性 ≤6℃ 分辨率 0.1℃ 环境温度10—40℃ 相对湿度﹤85% 供电电压 AC220V±20% 50HZ±2.5 HZ 率小于300W 本公司主营 不锈钢采水器，弯曲测量装置，鼓风干燥箱，色度计，化学试剂沸点测试仪，提取仪，线缆探测仪，溶解氧测定仪，活性炭测定仪，磁导率仪，比浊仪，暗适应仪，旋转仪，酸度计，硅酸根测定仪，过氧化值测定仪，腐蚀率仪，电阻率测定仪，耐压测定仪，污泥比组测试仪，粉体密度测试仪，机械杂质测定仪，运动粘度测试仪，过氧化值酸价测定仪，噪声源，土壤腐蚀率仪，直流电阻测试仪，厌氧消化装置，耐压测试仪，甲醛检测仪，硅酸根测试仪，PH酸度计，测振仪，消解仪，读数仪，空气微生物采样器，，双波长扫描仪，涂层测厚仪，土壤粉碎机，钢化玻璃表面平整度测试仪，腐蚀率仪，凝固点测试仪，水质检测仪，涂层测厚仪，土壤粉碎机，气体采样泵，自动结晶点测试仪，凝固点测试仪，干簧管测试仪，恒温水浴箱，汽油根转，气体采样泵，钢化玻璃测试仪，水质检测仪，PM2.5测试仪，牛奶体细胞检测仪，氦气浓度检测仪，土壤水分电导率测试仪，场强仪，采集箱，透色比测定仪，毛细吸水时间测定仪，氧化还原电位计 测振仪，二氧化碳检测仪，CO2分析仪，示波谱仪，黏泥含量测试仪，汽车启动电源，自动电位滴定仪，，干簧管测试仪，电导率仪，TOC水质分析仪，微电脑可塑性测定仪，风向站，自动点样仪，便携式总磷测试仪，腐蚀率仪，恒温水浴箱，余氯检测仪，自由膨胀率仪，离心杯，混凝土饱和蒸汽压装置，颗粒强度测试仪，斯计，自动涂膜机，，气象站，动觉方位仪，，气味采集器，雨量计，四合气体分析仪，乳化液浓度计，溶解氧仪，温度测量仪，薄层铺板器，温度记录仪，老化仪，噪音检测仪，恒温恒湿箱，分体电阻率测试仪，初粘性和持粘性测试仪，红外二氧化碳分析仪，氢灯，动觉方位仪，冷却风机，油脂酸价检测仪，粘数测定仪，菌落计数器，气象站，雨量计，凯氏定氮仪，荧光增白剂，啤酒泡沫检测仪，发气性测试仪，低频信号发生器，油液质量检测仪，计数器，漏电流测试仪，标准测力仪，毛细吸水时间测定仪，大气采样器，流速仪，继电器保护测试仪，体积电阻率测试仪，侧面光检测仪，照度计，体化蒸馏仪，涂布机，恒温加热器，老化仪，烟气分析仪 本产品价格仅为配件价格，由于检测参数不同对仪器的终要求也不同，所展示的价格并非产品终价格，如给您带来不便请谅解请您在购买前联系我们客服人员，我们会给你确认产品信息，术参数以及报价，我们会以优惠的价格，诚恳的态度为您服务，期待您的来电！

亚历山大效应光谱高温仪可精确测量1000K到100,000 K的高温到超高温,同时可为研发需要测定辐射体的发射光谱，是迄今为止唯一可以直接测量4000 K以上高温的仪器．一、原理简介　　亚历山大宝石效应可被分为四种类型。类型一:变色与黑体温度变化相应，在不同的光源下，色彩与温度变化。类型二:亚历山大宝石效应与两种光源的谱差种类相应。类型三:亚历山大宝石效应与色彩温度的变化及谱差种类均相应。类型四:亚历山大宝石效应与白炽光和荧光之间极大的色彩温度差相应。　　用亚历山大宝石效应方法来测量温度是以类型一亚历山大宝石效应的CIELAB色彩空间中温度与色彩角的关系为基础的。图1显示了在CIELAB色彩空间 中亚历山大宝石晶体沿a晶轴的色彩角与温度之间的关系。合成亚历山大宝石晶体的色彩角大约在温度是2856 K时为335度，红紫色；而在温度6500 K时为162度，蓝绿色。2856K与6500 K时的色彩角度差大约为173度。 温度和色彩角之间的关系可用数学方法来测定。温度是色彩角的函数：这里，h是CIELAB色彩空间的色彩角。 　　当辐射体的辐射光线穿过晶体时，晶体色彩会随着辐射体温度变化而变化。亚历山大宝石效应的色彩角只取决于辐射体的温度，而与该辐射体的光谱功率分布无关。这个特性是利用亚历山大效应测量任何辐射体温度的基础。因此可以准确测量任何辐射体的温度，不管该辐射体的光谱功率分布是何种类型。 二、系统构成　　系统由光学观测系统或光探针，频谱仪、计算机及带有数字亚历山大宝石效应滤波器的温度测量软件构成。 图2 系统构成LASP spectropyrometer软件: 图3:LASP spectropyrometer屏幕界面1. 光谱显示：被测波长范围380 -760 nm辐射体的相对光谱功率分布。相对光谱功率分布的标准值为波长560nm时100。2. 温度显示：显示被测辐射体的温度。3. 积分时间：进行每次测量的时间，单位为ms。　4. 采样平均：每次测量的采样平均数。5. 最大信号：在波长范围中测量到的最大信号。注意：最大信号不应超过3000。最大信号超过3000会引起信号饱和。6. 光谱校正：输入校正值校正光谱。7. 光谱校正指令：将输入的校正值应用于相对光谱功率分布。8. 温度监测：监测被测辐射体的温度，不显示辐射体的相对光谱功率分布。9. 温度测量：测量被测辐射体的温度，带有相对光谱功率分布。10. 温标选择：在开氏、摄氏及华氏温度之间选择温标。三、应用领域　　1.测量等离子枪温度2.测量电弧及放电超高温度3.测量铝合金中化学元素浓度温度及激光光谱4.为多晶硅设备的温控提供支持5.优化高性能内燃机的混合燃料比例、温度及排放6.测定合金炉的光谱并对其温度进行调控7.对炼钢炉的碳浓度进行控制四、规格LASP 0260 800 - 1200 KLASP 1260 1000 - 2500 KLASP 2260 1800 - 5000 KLASP 3260 3000 - 10000 KLASP 4260 5000 - 50000 KLASP 5260 10000 - 100000 K探测器种类:1. 光学观测系统2. 积分球3. 准直透镜4. 电准直仪光谱波长范围：380 - 760 nm温度测量精度：黑体及灰体: 0.5%非灰体（光谱校正后）: 1.0%温度分辨率: 1 K光谱分辨率: 1 nm温标：开氏温度，摄氏温度及华氏温度