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偏压光电探测器

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偏压光电探测器相关的仪器

  • 仪器简介:硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm技术参数:型号列表及主要技术指标:技术指标\型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10~+60 -------储存温度范围(℃) -20~+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃;-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正(P) 正(P)主要特点:■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同,其中:◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器(型号:ZAMP)使用 硅光电探测器使用建议:◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器。
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  • 仪器简介:热释电探测器&mdash 常温型红外探测器,波长范围:0.5-22um技术参数:技术指标型号/参数 DPe22光敏面尺寸(mm) 0.5× 2窗口材料 ZnSe(标配)波长范围(nm) 0.5-22响应率R(500,12.5)(V/W) 2× 105D*(500,12.5,1(cm Hz1/2 W-1) 1× 109NEP(500,12.5,1))W/Hz 9× 1011允许最大入射功率(&mu W) 1最大输出电压(V) 4信号输出模式 电压输出信号极性 正(P)主要特点:&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围:0.5-22um◆ DPe22为常温型热释电探测器,适合经济型的测量,集成前置放大器,由LATGS晶体制成,仿热电偶结构,专门用于红外波段的光谱测量热释电探测器使用建议:● DPe22热释电探测器为全波段响应的探测器,实际工作波长范围受到窗口材料限制,可根据实际需要来选择合适的窗口● DPe22热释电探测器使用时必须配合锁相放大器,推荐使用SR830或Model 420(Page97-98)● 热释电探测器的响应率与调制频率成反比,所以需工作在低频(70Hz左右)条件下
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  • DPe系列为常温型热释电探测器,适合经济型的测量,专门用于红外波段的光谱测量。热电元件由独特的薄膜热释电PZT材料组成,允许红外辐射被有源区域高效吸收。具有更高的灵敏度、更低的噪声、更好的频率响应以及更好的温度稳定性。热释电探测器使用建议:DPe系列热释电探测器必须配合锁相放大器,推荐使用DCS500PA。DPe系列热释电探测器的响应率与调制频率成反比,最优工作频率在低频(10HZ左右)区域。DPe系列热释电探测器为全波段响应的探测器,实际工作波长受窗口材料限制,可根据实际需要来选择合适的窗口。 频率响应曲线: 窗口透过率曲线: 光谱响应曲线: 常温型热释电探测器型号列表及主要技术指标:型号/参数DPe16DPe22工作区域面积(㎜2)1.65×1.651.65×1.65光敏面直径尺寸(㎜2)3.73.7窗口材料类型A4A3波长范围(μm)2-162-22信号输出模式电压电压响应率(V/W)12.75×1052.75×105典型值D* [cmHz1/2W-1] 14.32×1084.32×108NEP(W/Hz1/2)13.82×10-103.82×10-10反馈电阻(GOhm)1010反馈电容(fF)200±50 200±50 工作电压(V)±2.2~±8±2.2~±8环境温度(℃)-10~+50-10~+50输出信号极性正(P)正(P)备注125℃,10Hz,带宽1Hz黑体T = 500K;E = 38 W / m2不含窗口材料
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  • InGaAs偏压探测器 400-860-5168转1451
    总部在美国的EOT公司成立于1987年,专注于生产和开发高平均功率及高峰值功率法拉第旋转器.隔离器以及高速光电探头,为知名的光 纤激光器厂商批量提供产品,并具有为特殊要求定制产品的开发生产能力。   法拉第光旋转器/光隔离器广泛应用于各种对于返回光极敏感的光学系统中,如多级激光放大器,光参量振荡器,环形激光器,掺饵光纤 放大器(用于隔离980nm泵浦光的反馈),种子注入型激光器,非线性光学,光传输系统等。   产品包括:法拉第旋转器和隔离器,高速光电探测器。 InGaAs偏压探测器 · 监测高重复频率或外调制连续激光 · 频域响应范围: 30kHz-1.8GHz · 上升时间达到175ps
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  • Silicon偏压探测器 400-860-5168转1451
    总部在美国的EOT公司成立于1987年,专注于生产和开发高平均功率及高峰值功率法拉第旋转器.隔离器以及高速光电探头,为知名的光 纤激光器厂商批量提供产品,并具有为特殊要求定制产品的开发生产能力。   法拉第光旋转器/光隔离器广泛应用于各种对于返回光极敏感的光学系统中,如多级激光放大器,光参量振荡器,环形激光器,掺饵光纤 放大器(用于隔离980nm泵浦光的反馈),种子注入型激光器,非线性光学,光传输系统等。   产品包括:法拉第旋转器和隔离器,高速光电探测器。 Silicon偏压探测器 · 监测高重复频率或外调制连续激光 · 时域和频域响应测量 · 升时间达到200ps · 光纤输入或者自由空间输入
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  • 应用:特点:可监测调Q激光器的输出可监测锁模激光器的输出可监测外调制连续激光器的输出时域和频率响应测量所有探测器都有内置或外置的电源适用于光学FC或SMA插座上升时间225ps型号ET-3000ET-3010ET-3020ET-3040探测器类型PINPINPINPIN上升时间175ps225ps6ns1.25ns下降时间175ps225ps250ns3.70ns响应度@1.3μm0.8A/W0.8A/W0.8A/W0.9A/W偏置电压6V6Vnon-biased6V截止频率2GHz1.5GHz2.5MHz50MHz有效面积 (dia)100μm100μm3.0mm1.0mm暗电流1nA1nA2000nA20nA结电容0.75pF 1.25pF1300pF32pF反向击穿电压25V25V2V20V有效角度 (半角)20°N/A50°50°噪声等效功率(pW/√Hz)0.10.11.00.1接口BNCBNCBNCBNC
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  • 总部在美国的EOT公司成立于1987年,专注于生产和开发高平均功率及高峰值功率法拉第旋转器.隔离器以及高速光电探头,为知名的光 纤激光器厂商批量提供产品,并具有为特殊要求定制产品的开发生产能力。   法拉第光旋转器/光隔离器广泛应用于各种对于返回光极敏感的光学系统中,如多级激光放大器,光参量振荡器,环形激光器,掺饵光纤 放大器(用于隔离980nm泵浦光的反馈),种子注入型激光器,非线性光学,光传输系统等。   产品包括:法拉第旋转器和隔离器,高速光电探测器。 带模拟输出和TTL输出的Silicon和InGaAs偏压探测器 · 监测并可利用TTL信号作为外触发电平
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  • 高速光电探测器 400-860-5168转2255
    高速光电探测器 Related Products 特性9种型号涵盖150纳米到2.6微米的波长范围上升时间快达1纳秒超薄机身能在狭窄空间进行测量容易使用、结构紧凑和多功能SM05(0.535英寸-40)和SM1(1.035英寸-40)螺纹是光纤耦合或安装中性密度滤光片的理想选择内部A23偏压电池(附带)Thorlabs提供9种型号的偏压光电探测器,涵盖了紫外到中红外(150纳米到2.6微米)的波长范围,与之前的光电探测器型号相比,它们具有更宽的带宽和更好的NEP(噪声等效功率)性能。其纤薄的外壳能让光学探测器嵌入到狭窄的装置中。每个型号都配备有快速的PIN光电二极管和以坚固铝制外壳包装好的外部偏压电池。通过宽带宽的直流耦合输出,这些探测器是用于监测快速脉冲激光和直流光源的理想选择。每个DET都有T型偏置电路,将高频交流信号和直流信号结合起来,作为单一的输出。侧面板的BNC上提供了直接的光电二极管阳极电流。通过一个终端电阻可以很容易地将该输出转换为正电压。至于高速信号,Thorlabs推荐使用一个50欧姆负载电阻。对于低带宽的应用,使用本公司的可变端接器可节省很多时间。 所有的连接和控制都已经移到远离光路的位置,这样就简化了我们的探测器在封闭空间内的集成。DET探测器外壳上的SM1、SM05和8-32(M4)螺纹使其可以安装在笼式共轴系统、透镜套管系统,或TR系列接杆上。关于如何将DET系列光电探测器嵌入到光学装置的更多细节请参看安装选项 标签。每个DET都配有安装好的12伏的直流偏压电池。由于电池是一种噪音极低的电源,所以将它作为电压源。当允许信号噪声由于线电压中的噪声产生小幅度增长或不能接受电池的有限寿命时,可以用DET1B电源适配器替换该电池。A23电池是目前DET系列光电探测器的更换电池,而本公司的旧型号中(即 DET1-SI和DET2-SI)则使用T505更换电池。请注意,由于不同制造商生产的电池的正极端子之间可能会存在细微差别,针对DET系列光电探测器,Thorlabs公司只推荐使用Energizer电池。磷化镓探测器&mdash 紫外波长Zoom型号#有效面积波长范围上升(下降)时间NEP(W/vHz)暗电流结电容*DET25K4.8 mm2 (2.2 x 2.2 mm)150 - 550 nm1 ns (140 ns)1.6 x 10-1440 nA40 pF*典型值,RL = 50欧姆硅探测器-可见光波长Zoom型号#有效面积波长范围上升时间NEP(W/vHz)暗电流结电容*DET10A0.8 mm2 (Ø 1.0 mm)200 - 1100 nm1 ns1.9 x 10-140.3 nA (2 nA Max)6 pFDET36A13 mm2 (3.6 x 3.6 mm)350 - 1100 nm14 ns1.6 x 10-140.35 nA (6 nA Max)40 pFDET100A75.4 mm2(Ø 9.8 mm)400 - 1100 nm43 ns5.5 x 10-14600 nA Max300 pF *典型值,RL = 50欧姆锗探测器&mdash 近红外光波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRiseTimeNEP(W/Hz1/2)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET50B19.6 mm2 (Ø 5.0 mm)800 - 1800 nm440 ns4 x 10-1280 µ A4000 pF (Max)DET30B7.1 mm2(Ø 3.0 mm)800 - 1800 nm600 ns1.0 x 10-120.8 µ A (1.0 µ A Max)4000 pF (Max)*典型值,RL = 50欧姆铟镓砷探测器-近红外到红外波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRise TimeNEP(W/vHz)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET10C0.8 mm2(Ø 1.0 mm)700 - 1800 nm10 ns1.6 x 10-141 nA (25 nA Max)40 pFDET20C3.1 mm2(Ø 2.0 mm)800 - 1800 nm25 ns0.03 x 10-1255 nA (70 nA Max)100 pFDET10D0.8 mm2(Ø 1.0 mm)1200 - 2600 nm25 ns2 x 10-1215 µ A (75 µ A Max)175 pF*典型值,RL = 50欧姆DET交流电源适配器ZoomDET1B交流电源适配器可替代本公司的DET系列探测器所使用的电池。该适配器套件使DET探测器能与附带的外部交流LDS2电源配合使用。使用时,只需要简单地将电池盖卸下,取出电池,然后装上附带的DET1A,并插上电源即可。我们同时还可以单独出售适配器或电源,可供需要的用户选择购买。用于DET系列的电池ZoomA23电池是现有DET系列光电探测器的更换电池。T505更换电池则用于我们老式、已停产的探测器系列。SBP20更换电池用于SV2-FC、SIR5-FC和SUV7-FC光纤探测器包。 BNC接头Zoom当光电二极管加上反向偏压,例如工作在光导模式下,将会由于光子吸收产生光电流。通常,使用一个50欧姆的电阻来增加带宽。但是,常常需要更简单高效的方法测量信号,当对准光电二极管时可是使用较大的势差。可调接头使得用户可以在光束对准时增大电阻,然后降低电阻以获取最大的带宽。相对于固定接头来说,可调接头有绝对的优势。Thorlabs供应两款接头:VT1可调电阻接头和T4119型50欧姆固定电阻接头。 VT1可调接头提供7个离散电阻供用户设置,用户可以很容易的通过外部的旋转筒进行选择。VT1提供以下7个电阻值:50欧姆,100欧姆,500欧姆,1千欧姆,5千欧姆,10千欧姆和50千欧姆。 T4119是一个50欧姆的转接型接头,应用在DET系列探测器中,可以获得最大的带宽。
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  • 天津瑞利光电科技有限公司优势经销美国THORLABS光电探测器DET10A2产品型号:DET10A2产品介绍:探测器还配有内部偏压电池,封装在坚固的铝壳中。我们的偏压光电探测器兼容我们的台式光电二极管放大器和PMT跨阻放大器。这些探测器具有宽带直流耦合输出,非常适合监测快速脉冲激光和直流光源。侧面的BNC接头提供直接的光电二极管阳极电流。通过一个终端电阻将该输出转换为正电压。如果查看高速信号,Thorlabs 使用50Ω负载电阻。对于较低带宽应用,利用我们的可变终端或固定短样式终端能够快速调节测量电压。下方探测器没有放大器或内置增益,因此工作速度一般比我们的PDA系列放大光电探测器要快;对于需要增益或可更换滤光片的应用,PDA放大光电探测器可能更为合适。所有的连接端和控制按钮都不在光路上,简化了探测器在封闭空间内的集成。每个探测器具有SM05(0.535"-40)内螺纹和SM1(1.035"-40)外螺纹。每个DET外壳包含一个可拆卸的Ø 1英寸光学元件安装座(SM1T1),用于沿光轴安装Ø 1英寸元件,比如滤光片和透镜。每个DET探测器也可安装在笼式系统、透镜套管或Ø 1/2英寸接杆上。每个探测器的外壳都有两个通用安装孔,兼容8-32和M4螺纹。每个探测器都由装在外壳中的A23 12 VDC电池提供反向偏置电压。外壳上还有一个红色的按钮,按住这个按钮时,电池的电压将加到外部负载上。对于高Z负载,电池的电压将高于BNC,因此方便判断是否需要更换电池,而不必将电池取出。如果电池连接到一个50 Ω的负载上测试,串联的限流电阻可保护电池不被快速放电。请注意,由于不同制造商生产的电池的正 子之间可能会存在细微差别,Thorlabs只建议在我们的DET系列光电探测器中使用Energizer电池。由于电池是一种噪声低的电源,所以将它作为反向偏压电源。如果不能接受电池的使用寿命有限,则可以用DET2B电源套件替换该电池。请注意,在探测器有源区边缘的不均匀性可能产生有害的电容和电阻效应,从而扭曲光电二极管输出的时域响应。因此,Thorlabs建议将入射光正对有源区 。外壳上的SM1(1.035"-40)螺纹非常适合将Ø 1英寸聚焦透镜或针孔安装在探测元件前面。Thorlabs也提供高速自由空间型探测器和高速光纤耦合型探测器,用于400 - 1700 nm的波长范围。性能特点上升时间1 ns紧凑型外壳,用于狭窄空间的测量兼容SM05透镜套筒、SM1透镜套筒、笼式系统和Ø 1/2英寸接杆包含内置A23 12 V偏压电池下方提供可选用的电源适配器和电源可以通过SM1内螺纹和外螺纹光纤转接件进行光纤耦合参数:探测器:硅有效区域:Ø 1.0 mm (0.8mm2)波长范围λ:200至1100 nm峰值波长λp:730 nm(典型值)峰值响应(λp) :0.44 A/W(典型值)结电容 CJ:6 pF(典型值)上升时间tr:1 ns(典型值)NEP (λp) :5.0 x 10-14 W/√Hz(典型值)偏置电压VR:10 V暗电流ID:0.3 nA(典型值)2.5 nA(max.)输出电流IOUT:0至10 mA开/关开关:滑动电池检查开关:瞬时按钮输出:BNC(直流耦合)包装尺寸:2.79" x 1.96" x 0.89"(70.9 mmx 49.8 mm x 22.5 mm)PD 表面深度:0.09" (2.2 mm)重量:0.10 kg配件:SM1T1 耦合器SM1RR 挡圈储存温度:-20 至 70 °C工作温度:10 至 50 °C电池:A23, 12 VDC, 40 mAh输出电压(高阻抗):~9V输出电压 (50 Ω) :~170 mV 天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立,坐落于渤海之滨天津,地理位置得天独厚,交通运输便利,进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心,我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国原装进口的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品,同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。
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  • EOT高速光电探测器适用于脉宽测量和脉冲绘制等应用。ET系列探测器使用了PIN光电二极管和反向偏压装置。所有的探测器自带BNC或SMA输出接头,大部分EOT光电探测器备有FC光纤连接头,可以直接与光纤尾纤连接。探测器的频率响应度从2GHz到10GHz不等。应用:? 可测量脉宽或观察调Q激光器的脉冲波形 ? 监测锁模激光器的输出情况 ? 观察快调制半导体激光器和外调制连续激光器的脉冲 ? 便于寻找和对准连续或脉冲激光器的光束 ? 大面积光电探测器可用作光功率计
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  • 应用:监测调Q激光器的输出监测锁模激光器的输出 监测外调制连续激光器的输出时域和频率响应测试特色:内置或外接电源可选光学光纤输入可选 EOT 12.5GHz放大光电探测器内置的PIN光电二极管,通过光伏效应将光功率转换成电流。当通过50欧姆电阻连接到示波器时,可以测量激光器的脉宽。当通过50欧姆电阻连接到光谱分析仪时,可以测量激光器的频率响应。EOT 12.5GHz放大光电探测器采用内置偏压电源,锂电池寿命很长。通过一根同轴电缆连接光电探测器的SMA输出口,并通过50欧姆电阻连接示波器或光谱分析仪,就足以运行。放大光电探测器 ET-3500/F光学测量仪
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  • 探测器 400-860-5168转2255
    探测器Thorlabs提供一系列光学探测器产品,能够探测整个紫外、可见、近红外、红外以及太赫兹光谱区域内的光源。根据所选择的传感器可以测量不同参数,如强度、功率、强度分布、波前形状、能量和波长。未安装的光电二极管 校准过的光电二极管 已安装的无偏压的光电二极管 带尾纤的光电二极管 偏压探测器 放大探测器 位置传感探测器 积分球 平衡放大探测器 单光子计数器 光电倍增管模块 多通道光电倍增管模块 雪崩探测器 光纤耦合PMT模块 太赫兹 CCD / CMOS Cameras 光电二极管放大器 激光观察卡 光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷(InGaAs)光电二极管,磷化镓 (GaP)光电二极管,硅(Si)光电二极管, 和锗(Ge)光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管,它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管,两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管,波长范围从1200到2600纳米,能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71,它是一种磷化镓(GaP)光电二极管,它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的,从150纳米到550纳米。已校准的光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs公司提供5种NIST可追溯校准的光电二极管,有库存随时发货,包括一种铟镓砷(InGaAs)、两种硅(Si)和两种锗(Ge)光电二极管。校准特性:在光电二极管的整个光谱范围内,每隔10纳米测量响应度测量不确定度± 5%NIST可追溯每个光电二极管都附带响应度与波长的关系的数据表和图。不同批次的光电二极管之间的响应度不一样。因此,您收到的光电二极管的响应也许与下面描述的会有轻微的差异,但是仍将附带有校准数据。右图显示了不同FDS1010光电二极管之间的响应特性有多显著。这些数据是从104个光电二极管中采集的。在每个数据点都计算了最小、平均和最大响应度,并给出了曲线。 点击放大已封装的光电二极管 Related Products 概述 SM05PD和SM1PD系列光电二极管包含安装在方便的SM05(Ø 0.535英寸-40)和SM1(Ø 1.035英寸-40)外螺纹套管的铟镓砷、锗、硅或磷化镓光电二极管。光电二极管的电信号输出是通过一个能快速连接到测量电路上的标准SMA接头(SM05PD系列)或BNC接头(SM1PD系列)提供的。该光电二极管可分为A型(阴极接地)或B型(阳极接地)布置。所有的型号都是测量脉冲和CW光源的理想选择。主体上的绝缘外螺纹能使这些光电二极管与Thorlabs公司的所有SM05和SM1安装适配器兼容。 带尾纤光电二极管 Related Products 概述 特性适用于610-770纳米和780-970纳米的单模型号多模型号高速宽带特性低偏置电压增强型光纤典型应用光通信高速光度测定监测Thorlabs 的FDSP系列带尾纤光电二极管是高速带尾纤硅PIN光电二极管,设计用于可见到近红外范围的光探测。这些光电二极管具有在低偏置电压下的宽带特性,是光通信、高速光度测定和监测等应用的理想选择。FDSP系列的外壳为不锈钢套管,用来实现光纤到光电二极管的主动耦合。光纤用一个900微米的松套管外保护和橡胶护套进行强化,以便于减少光纤的弯曲应力。 提供两种型号的单模光纤和一种型号的多模光纤:FDSP780 Nufern的780-HP单模光纤,780-970纳米,芯径5微米,数值孔径0.13FDSP660 Nufern的630-HP,单模光纤,610-770纳米,芯径4微米,数值孔径0.13FDSP625 梯度折射率多模光纤,320-1000纳米,芯径62.5微米,数值孔径0.27单模光纤的型号设计用于低背反射,同时单模光纤也能抑制模式干扰(也称为MPI-多路径干扰),是基于光纤的干涉仪的信号探测中的基本组件。根据需要,可提供带工业标准光纤接头的连接。偏压探测器该页面是我们的各种偏压探测器。我们提供自由空间型和光纤耦合型两种类型。可通过转接件将光纤和自由空间探测器耦合起来。偏压探测器 光纤耦合探测器 放大探测器Thorlabs提供一系列自由空间型和光纤耦合型放大探测器。此外,光纤转接件可用于本公司的自由空间探测器,以获得更多的功能和灵活性。放大探测器 飞瓦光电探测器 TEC HgCdTe 探测器 光纤耦合探测器 Menlo Systems快速PIN光电探测器 雪崩探测器 位置传感器 Related Products 横向效应位置传感器概述 特性2D横向效应位置传感探测器对光斑形状和功率密度不敏感SM05镜筒兼容结构紧凑Item #PDP90AWavelength Range320 to 1100 nmResolution, @ 635 nm0.68 µ m @ 100 µ W,6.8 µ m @ 10 µ WNoise2.25 µ mpp, 340 nmrmsRecommended Spot SizeØ 0.2 &ndash 7 mm PDP90A位置传感器利用针垫横向传感器来精确测量入射光与校准中心之间的位移。这些器件适用于测量光线的移动,传播的距离或者作为对准系统的反馈。 大的探测表面允许光束直径9毫米,然而,我们推荐光束直径范围在0.2到7 毫米。与象限传感器需要所有象限均有覆盖不同,横向传感器可以提供在探测区域内任何点的位置信息,与光斑形状,尺寸和能量分布无关。PDP90A的噪声很小2毫伏峰峰值(300微伏有效电压),对应的探测误差为0.675微伏有效电压。分辨率与输入光功率直接相关,表示为以下方程,这里,&Delta R是分辨率,Lx是探测器长度,9毫米,en是输出噪声电压,300微伏有效电压,Vo是总输出电压水平,4伏特最大值因此,对于最高功率水平,分辨率将达到0.675微米。更多详细技术信息参见技术信息标签。每个PDP90A象限探测器与一个8-32到M4适配器一同包装,提供与英制或者公制安装接杆的兼容性。 下表中阴影区域显示最小和最大输入光强水平与波长的关系。确保输入光功率与最大水平接近来获得最佳的分辨率和噪声系数。超过最大水平传感器将饱和,结果将会有误差。 积分球Thorlabs提供已定标的(NIST标定)和未标定的积分球。已定标的积分球有一个接口,能连接自由空间光源或光纤光源。它能与本公司的所有C系列接头的功率计兼容。未定标的积分球有三到四个接口,这些接口可以连接多种探测器和输入转接件。多端口积分球 校准的积分球功率传感器 平衡探测器这里介绍了Thorlabs的平衡探测器。根据这个模型,硅或者InGaAs探测器可以用于320-1000纳米、800-1700纳米或者1270-1350纳米范围内。偏振非敏感平衡探测器 偏振相关平衡探测器 带高速输出监测的平衡放大光电探测器 平衡放大探测器 单光子计数器 Related Products 概述 Item #SPCM20ASPCM20A/MSPCM50ASPCM50A/MDetector TypeSi Avalanche PhotodetectorWavelength Range350 - 900 nmActive Detector Diameter20 µ m50 µ mTypical Max Responsivity35% @ 500 nmDark Count Rate Typical60 Hz Max (25 Hz Typical)200 Hz Max(150 Hz Typical)Max Count Rate *28 MHz22 MHz* 对于脉冲光特点低暗计数 SPCM20A(/M): 25赫兹 (常规值)SPCM50A(/M): 150赫兹(常规值l)两种探头面积 SPCM20A(/M): Ø 20微米 有效面积SPCM50A(/M): Ø 50微米 有效面积有源抑制温度稳定USB接口脉冲输出TTL 开启/触发 输入体积小: 68毫米x 85毫米x 25毫米应用单分子的光谱学研究光谱-光度计测量流式细胞计光子相关谱法激光雷达图 1: 光子探测几率作为其波长的函数如图显示。SPCM仅在白框区域内对光子有感应。Thorlabs的光子计数器模块使用雪崩硅光电二极管探测单光子。SPCM计数器对发出的光子在350至900纳米范围内敏感,最高灵敏度在500纳米(见图1)。其工作原理是用光电探头将接收的光子转换成一个TTL脉冲,然后由内部的31位计数器计数。另有一个额外的USB接头可直接输出脉冲信号,可以输出到示波器查看或连接到外部计数器模块。这个光子计数器的功能的详细信息,请参阅&ldquo 教程&rdquo 选项。用一个集成的Peltier元件来稳定二极管的温度,使之降低到环境温度以下,那么低暗计数率也就降低了。有两种型号供选择,SPCM20A 和 SPCM50A,其典型的低暗计数率分别为25赫兹和150赫兹,能够探测到的功率低至0.4飞瓦。SPCM中的二极管集成了有源抑制电路,从而能获得高计数率。它的高速性能让用户每35-45 ns计数一个光子,取决于不同的型号。 SPCM20A提供的有效探测面积为Ø 20微米,而SPCM50A为Ø 50微米。软件SPCM包括一个GUI 软件包来进行暗箱操作。以下操作模式可以通过软件设置:手动模式 用于手动操作自由运行时间计数器用于计数一定&ldquo 时间块长度&rdquo 内的入射光子数量外部触发时间计数器用于触发时间器开始计算一定周期内的入射光子数量外部触发计数器通过一个外部触发来开启或关闭计数器外部启动 用于外部激活计数器和 雪崩光电二极管如需获得更多关于软件和它的操作方法的信息,请见&ldquo 软件 &rdquo 选项光电倍增管模块 Related Products 概述 特性提供两种光谱范围:280&ndash 630纳米,或280&ndash 850纳米端窗型光电倍增管结构静电和磁屏蔽转换增益:阳极电流1伏/微安圆形打拿极链配置外壳有SM1螺纹外壳有4个螺纹孔,用于ER系列笼式支杆可以三种不同方式接杆安装附带120和230伏插接适配器的电源SMA输出无需高压电源需要可变(0-1.8伏直流)电源(不包括)Thorlabs提供两种光电倍增管模块,结合了一个端窗型光电倍增管(PMT),外壳,以及高增益、直流耦合的跨阻抗放大器:PMM01用于280 &ndash 630纳米光谱范围,PMM02用于280 &ndash 850纳米光谱范围。PMM01具有一个半透明的双碱光电阴极,与PMM02(点击规格标签了解详细信息)相比,它具有更高的增益,&lambda 500纳米时更高的量子效率,和更低的暗电流,但是它适用的光谱范围较窄。由于灵敏度与最常用的闪烁体材料非常匹配,双碱光电阴极在闪烁光探测方面具有广泛应用。相比之下,PMM02具有半透明的多碱(S20型)光电阴极,具有&lambda 500纳米时更高的量子效率,和更宽的光谱范围。多碱光电阴极常用于宽带分光光度计和光子计数应用。Thorlabs的PMT模块具有内置高压电路,消除了PMT运行时通常对外部高压电源的需要。通过将高压电路加入PMT模块,Thorlabs的PMT降低了成本和设备的大小,以及触电的风险。此外,该PMT模块由± 12伏直流电源(包括120伏和230伏插接适配器)和0&ndash 1.8伏的可变直流电源(不包括在内)供电。两种模块都配备有3个8-32螺纹,可在不同方向接杆安装。附带1个公制兼容的AS4M8E(8-32至M4)适配器。此外,在该模块的正面有4个4-40螺纹孔,使其与我们的30毫米笼式共轴系统 (点击笼式兼容性标签了解更多信息)兼容。这些部件与PMT孔径上的保护盖一起发货。一旦去除保护盖,该模块带有的SM1兼容内孔,可与我们一系列的SM1透镜套管兼容。因此,成像光学元件和滤光片可便捷地安装并位于PMT光电阴极的中心。此外,使用透镜管可阻止杂散光和散射光到达探测器,这对探测弱光或噪声信号非常有利。光电倍增管模块 Related Products 概述 特性极其适合用于激光扫描显微应用兼容Thorlabs公司的激光扫描必备套件光电倍增管模块可以扩展到最多8个通道附带双通道模块 两个多碱光电倍增管可替换荧光滤光片立方SM1螺纹光电倍增管安装座用于安装滤光片模块我们还提供单体多碱光电倍增管宽带光谱响应:185 - 900纳米 点击了解详情 Thorlabs公司的光电倍增管(PMT)模块设计使成像系统,如我们的激光扫描必备套件,更容易集成PMT探测功能。PMTSS2双通道PMT模块包含两个多碱标准灵敏度的PMT、一个DFMT1滤光片立方插件、和一个底座。该模块中的两个多碱PMT能够进行高效探测,并具有185 -900纳米的宽带光谱响应范围。模块的底座装备有一个MDFB滤光片立方和一些插槽,这些插槽可以用来安装英制或公制光学平台、面包板的配件。其滤光片模块的输入端口带有SM1(1.035英寸-40)螺纹,可以直接兼容Thorlabs公司的各种SM1透镜套筒和光纤准直适配器。PMT已经经过准直,可以和附带的滤光片立方插件配合使用,该滤光片立方插件可以轻松替换进行分色镜/发射滤光套件。通过购买额外的单通道附加模块(PMTSS2-SCM),该双通道PMT模块可以最多被扩展为8个探测通道。这些PMT模块在我们的C共聚焦激光扫描显微系统中有专题介绍。对于只需要购买PMT的用户,我们提供不带滤光片模块和底座的PMTSS系列的多碱PMT探测器。该探测器带有C安装座内螺纹,可以直接兼容常用显微镜相机接口。这些PMT探测器附带一根电源线,用于连接用户自备的± 15伏电压和0.25 - 1伏的增益控制。探测器数据输出则由BNC接头输出。将一个PMTSS2双通道模块与额外的PMTSS2-SCM单通道模块相结合可以实现三通道探测。附带的滤光片模块可以实现荧光滤光片套件的简易插入和替换。雪崩探测器Thorlabs提供两种雪崩探测器。第一种是由Thorlabs的合作公司Menlo系统设计和制造的,该探测器能探测最高1GHz频率的信号。第二种是由本公司自己设计和制造的。两种探测器的探测波长范围从400纳米到1700纳米可选。Menlo Systems雪崩探测器 雪崩探测器 用于共聚焦荧光成像的光电倍增管 Related Products 概述 特性设计用于VCM-F共聚焦基础系统有单PMT和双PMT单元可供选择低噪声高灵敏度的镓砷磷PMT或标准灵敏度的多碱PMT选项光谱响应 300-720纳米,高灵敏度型号185-900纳米,标准灵敏度型号软件控制在附带的三种发射滤光片之间选择 带通:440 ± 40纳米带通:525 ± 50纳米长通:600纳米 Thorlabs提供两种不同的光电倍增管(PMT)单元,用于VCM-F共聚焦基础系统。PCU2A包含两个宽带,标准灵敏度的PMT模块。 PCUxB系列包含一个(PCU1B)或者两个(PCU2B)高灵敏度低噪声PMT模块(详细信息请看表格)。双PMT单元(PCU2A或者PCU2B)是使用基于VCM-F共聚焦基础系统进行多通道荧光成像的理想选择,因为它们可用ThorVCM软件完全控制。每个双PMT单元标配三种发射滤光片,能通过软件控制进行选择。用户可以在440/40带通滤光片和525/50带通滤光片之间,或者525/50带通滤光片和600纳米长通滤光片之间切换。需要其他发射滤光片,请联系我们的技术支持询问具体信息和价格。太赫兹该指南介绍了Thorlabs的太赫兹系列产品。我们目前提供的产品有THz天线/接收器安装座、THz天线和THz套件。太赫兹套装 太赫兹天线 太赫兹接收器安装座 CCD/CMOS相机Thorlabs提供一系列结构紧凑的CCD和CMOS面阵列相机,以及CCD线阵列相机。我们的CCD面阵列相机属于高端设备,提供外部触发输入。而对于不需要外部触发的应用,我们的CMOS相机是高性价比的替代方案。CCD和CMOS面阵列相机都有黑白或者彩色版本。这些相机与Thorlabs的MVL系列C接口相机镜头兼容。CCD线阵列相机提供外部触发输入,可用于自制光谱仪等应用中。CMOS相机,C形安装 CCD相机,C形安装 线性CCD相机 C形安装相机镜头 台式光电二极管放大器 Related Products 概述 特性阻抗光电流放大器整个动态范围内噪声极低分辨率高达10皮安的5位数字显示支持单点功率校准支持两种光电二极管极性(CG和AG)偏压可调输入放大器及光电二极管暗电流偏移补偿符合RoHS标准PDA200C型光电二极管放大器适用于很小光电二极管电流的超低噪声放大。可以提供从100纳安到10毫安满量程的六种电流范围,以及最10pA大的显示分辨率。该设备同时支持阴极接地(CG)以及阳极接地(AG)光电二极管。这种放大器可以在光伏或光导模式下工作。可调节的偏压提供更好的响应线性度和增强的频率响应。利用升级的PDA200C系列,我们的光电流放大器符合RoHS标准,此外,还改变了电流测量范围。其余的特性与以前的PDA200系列几乎相同。
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  • ALS超快探测器 400-860-5168转1545
    Advanced Laser Diode Systems UltraFast系列MSM超快光电探测器经过优化设计,探测器脉冲拖尾降至最低,并可无震荡脉冲响应工作。所采用的 MSM 结构具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点,使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂,也提高了探测器的响应度,降低了电噪声。MSM 探测器是测定高速光源和光波系统时域和频域特性的理想选择。型号UltraFast-20-xx (SM,MM.FS)探测器类型MSM (Metal &ndash Semiconductor &ndash Metal)活性材料InGaAs带宽 (-3 dB electrical)DC &ndash 20 GHz上升时间 (10% - 90%) 12 ps脉宽 (FWHM) 20 ps波长范围400 nm &ndash 1.6 µ m最大响应度0.24 A/W @ 810 nm0.19 A/W @ 1.3 µ m0.12 A/W @ 1.5 µ m偏置电压2 V &ndash 9 V偏压输入接口SMC male标准RF信号输出接口K-Type female
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  • 硅/硅微条探测器常用于带电粒子测量,当探测器在加有一定反向偏压并正常工作时,如果具有一定能量的带电粒子注入硅探测器,由于粒子对半导体材料的电离作用,会产生大量的电子空穴对。由于每产生一对电子空穴对需要的电离能是一定的(约为3 eV),因此产生的总的电子空穴对数目与粒子在探测器中损失的能量成正比。硅探测器对电离产生的电子空穴对进行收集,得到的电信号幅度就正比于粒子在探测器中的能量损失,可以准确的测量带电粒子能谱。同时,由于硅探测器对信号的时间响应较快,还可用于带电粒子的定时测量。硅微条探测器是在硅片表面通过蚀刻工艺,将硅片分割成多个独立的有效探测区域,通过不同的信号来源判断粒子位置和方向。硅/硅微条探测器广泛接受用户定制,根据用户需要提供合适的探测器。
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  • EOT 22GHz (25GHz) InGaAs光电探测器内置PIN光电二极管,通过光伏效应将光功率转换成电流。当通过50欧姆电阻连接到示波器时,可以测量激光器的脉宽。当通过50欧姆电阻连接到光谱分析仪时,可以测量激光器的频率响应。EOT 22GHz InGaAs光电探测器采用内置偏压电源,锂电池寿命很长。通过一根同轴电缆连接光电探测器的BNC输入口,并通过50欧姆电阻连接示波器或光谱分析仪,就足以运行。 应用:监视超快激光器的输出监视锁模激光器的输出高重频外差应用时域与频域响应测试Specificationsa120-10140-0001(ET-3600)120-10142-0001(ET-3600F)Detector MaterialInGaAsInGaAsRise Time/Fall Time16ps/16s16ps/16psResponsivityb0.70A/W at 1300nm0.70A/W at 1300nmPower Supply3VDC3VDCBandwidth22GHz22GHzActive Area Diameter 20μm20μmDark Current1nA1nAAcceptance Angle (1/2 angle)15°N/ANoise Equivalent Powerc26pW/√Hz at 1300nm26pW/√Hz at 1300nmMaximum Linear CW Power10mW10mWMounting (Tapped Holes)8-32 or M48-32 or M4Output ConnectorSMASMAFiber Optic ConnectionN/AFC/UPC, SMF28eaAll specifications apply for a 50Ω termination unless otherwise noted.bPhotodetectors have an internal 50Ω termination. Responsivity data applicable to diode only.cNoise Equivalent Power (NEP) is determined via open circuit output.高速光电探测器 ET-3600 光学测量仪
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  • 硅光电二极管探测器 400-860-5168转1980
    仪器简介:硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管,硅光电二极管探测器,雪崩二极管 三种不同系列产品,其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器,紫外增强探测器,单点软X射线探测器,位置探测器这四种探测器。技术参数:双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装;发射管有背对背(二引脚)和共阳极(三引脚)连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm,保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器,可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号:DLED-660/905-CSL-2 ;DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装);DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号:PIN-8.0-CSL;PIN-4.0-CSL;PIN-8.0-LLS(陶瓷封装);PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围:350-1100nm 2.高速响应:光导型加偏压10ns 3.低暗电流:0.01nA 4.高灵敏度:0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度:0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型:红外截止,高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围:6eV-17600eV 2.直接探测,不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率,低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测; 高精度,高分辨率,高速响应; 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性;雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快: 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度: 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益:G=100@200V5.标准TO封装方式: TO-18;TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选;主要特点:双波长发射二极管与接收管应用:血氧探头(SpO2);血液分析;比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用:光脉冲探测;光通信;条码读取;医疗设备;高速光度测量紫外增强探测器应用:污染监测;紫外荧光;紫外线测试;水质净化;紫外线验钞单点软X射线探测器应用:X光医疗设备;放射量测定;X光光谱仪;带电粒子探测位置探测器应用:光路准直;位置测量;测绘;导航系统;表面分析雪崩二极管应用:激光测距;高速光通讯;条码读取仪;光遥控;医疗仪器
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  • 位置灵敏探测器 400-860-5168转1980
    仪器简介:位置灵敏探测器PSD (Position Sensitive Device) 属于半导体器件, 一般做成PN结构,具有高灵敏度、高分辨率、响应速度快和配置电路简单等优点。其工作原理是基于横向光电效应。作为新型器件, PSD 已经被广泛应用在位置坐标的精确测量上, 如: 兵器制导和跟踪、工业自动控制、或位置变化等技术领域上.技术参数:分节PSD 这类PSD的基底通常分成两节或四节(分别对应一维或二维测量)。如果光斑停在中心位置,对称的光斑会在所有的节上产生相等的光电流。通过简单测量各节的输出电流,可以得到相对的位置信息。由于各单元之间超强的响应匹配,它们提供的位置分辨率优于0.1um,精确度也比横向效应的PSD高。与横向效应PSD不同的是,分节PSD的位置分辨率与系统的信噪比无关,因此它可以探测非常微弱的光信号。横向效应PSD 横向效应PSD采用连续的平面扩散型光电二极管,没有条带或盲区。这类PSD直接读出整个有效区域下的光斑位移量。在探测器有效区域上,光斑的位置和密度信息与模拟输出量直接成正比,通过这一输出就可以获得位移量。照在有效区域上的光斑会产生光电流,光电流流过入射点,穿过电阻层,进入接触层。入射点与接触层之间的电阻与光电流成反比。当光斑正好照到器件中央位置,会产生相同的电流信号。当在有效区域上移动光斑,接触层产生的电流大小,会确定光斑正确的瞬态位置。这些电信号与从中心到光斑的位置成比例关系一维探测器从2.5*0.6mm2' ---60.0*3.0mm2' 可选,上升时间为0.3us---4.5us。二维探测器从2.0*2.0mm2' ---45.0*45.0mm2' 可选,上升时间为0.3us---7us。 另外,还提供带信号处理电路的高线性二维PSD探测器,面积可达10*10mm2' 。主要特点:分节PSD 展示了基于时间和温度条件下的超强稳定性,以及脉冲应用所需的快速时间效率。然而,它们也受一些因素的限制,比如光斑必须在任何时间叠加在所有的节上,它不能小于各节之间的条带宽度。同时,正确的测量、均匀的光斑密度分配也是很重要的。它们是调零应用和光束准直应用的优秀器件。分节PSD产品包括二像素系列,四像素系列,紫外增强型系列横向效应光电PSD的主要优势在于它们宽的动态范围。它们能测量到探测器边缘的所有光斑位置。它们与光斑形状、密度分布无关,而这一点会影响分节光电二极管的位置读取。输入的光束可以是任何的尺寸和形状,这是因为电气输出信号由光斑位置重心指示,而输出与到中心的位移量成正比。器件的位置分辨率优于0.5um。分辨率取决于探测器/电路信号与噪声的比值。一维PSD探测器 一维PSD探测出一个亮点移动在它的在一个唯一方向的表面。入射光引起的光电流流经设备,作为输入偏压电流被划分成二个输出电流。输出电流的分布显示出探测器的光斑的位置。二维PSD探测器在其的方形的表面上的一个入射光斑点位置。入射光引起的光电流流经设备,作为二个输入电流和二个输出电流。输出电流的分布显示一个维度(y)的光斑的位置和输入电流的分布显示另一个维度(y)的光斑的位置。
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  • TVS-PD系列光电探测器 400-860-5168转5923
    产品说明光电二极管是一种光电探测器件,功能类似于普通的信号二极管,但在结半导体的耗尽区吸收光时,会产生光电流。光电二极管具有两种工作模式:光导模式(反向偏置)或光伏模式(零偏置),工作模式的选择取决于应用中的速度要求和可容许的暗电流(漏电流)大小。根据入射光正确确定期望的输出电流水平和响应度很有必要。本公司提供一系列光纤耦合、高速、高带宽探测器,TVS-PD系列光电探测器工作在反向偏置模式下,内部有偏压电池,通过SMA同轴连接器输出,可以直接连接至示波器进行监测,可方便检测超快激光器的脉冲序列。产品应用脉冲监测、脉冲激光器光信号检测产品优势高速:带宽可达3.2GHz操作简单:FC光纤输入,直插直用探测范围宽:800-1700 nm定制化:可根据用户需求定制不同参数的光电探测器技术参数参数数值型号TVS-PD波长800~1700 nm带宽3.2 GHz(-3dB)光输入接口FC / PC灵敏度0.9 A/W(@1550 nm)输出电压0~2 V负载50 Ω结电容0.6 pF(典型值)暗电流0.1 nA(典型值)输出接口SMA输出耦合方式DC耦合尺寸73 x 67 x 23.5 mm
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  • 产品说明产品型号:DAPD 5×5+ PCB-1550-100品牌:Amplification Technologies离散放大光子探测器阵列包含一个带有 25 个前置放大器的印刷电路板、一个二级 TEC制冷 和一个热敏电阻,主要应用于激光雷达系统、三维成像和环境监测。 产品特点:950 至 1650 nm 的近红外光谱响应使用低功率两级热电冷却器,阵列温度可稳定冷却至-30°C,可在大范围的环境温度下工作对所有25个阵列元件使用单个SMA连接器,使用单一的直流偏置非常高的增益,大约每光子10万个电子低噪声,低抖动,50Ω,射频模拟前置放大板极低的探测器噪声系数 参数/规格(在阵列温度-35℃,封装环境温度为22℃的条件下)参数DAPDNIR 5x5 Array 1550 系列100 μm Pitch单位有效面积尺寸500 by 500μm2有效面积单像素90 by 90μm2像素数25-光子探测效率@1550nm (PDE)115%光谱响应范围 (λ)950 – 1650nm单光电子增益 (M)1x105-过量噪声系数1.05-暗计数率(单像素)4MHz工作偏压60V上升时间(10% - 90%)750ps单放大通道恢复时间(-35°C)50ns每脉冲线性范围(10kHz,重复频率,单像素)1200Photons/pulse(1)光子探测效率包括后脉冲。
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  • PVM-2TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级TE冷却红外多结光电探测器,具有优秀的性能和稳定性。探测器在λopt入射时性能佳。它们在2 ~ 12 μm光谱范围内工作的大型有源区域探测器中效率很高。3°楔状硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干扰效应。MCT中红外 两级TE冷却 多结光伏探测器 PVM-2TE系列 10.6μm,MCT中红外 两级TE冷却 多结光伏探测器 PVM-2TE系列 10.6μm光谱响应2.0-12um技术参数产品特点● 含有两级TE制冷以提高探测器性能● 可探测中红外波长范围2-12μm● 可配专用前置放大器● 带有抗反射涂层窗口镜产品应用● 医学热成像● 红外光谱分析● 中红外气体吸收检测● 中红外激光探测参数探测器型号PVM-2TE-8PVM-2TE-10.6有源元件材料外延MCT异质结构zui佳波长λopt(μm)810.6相对响应强度D* (λpeak),cmHz1/2/W≥6×108≥2×108相对响应强度D* (λopt),cmHz1/2/W≥3×108≥1×108电流响应度-光敏面长度乘积Ri(λopt)L,Amm/W≥0.015≥0.01时间常数T,ns≤4≤4电阻R,Ω150-120090-350元件工作温度Tdet,K~230感光面尺寸A,mm×mm1×1,2×2,3×3封装TO8,TO66接收角Φ~70°窗口wZnSeARTO8型封装外形尺寸图2TE-TO8引脚定义功能PIN号探测器1,3反向偏压(可选)1(-),3(+)热敏电阻7,9TE冷却器供应2(+),8(-)底板接地11未使用4,5,6,10,122TE-TO66封装尺寸图2TE-TO66引脚定义功能PIN号探测器7,8反向偏压(可选)7(-),8(+)热敏电阻5,6TE冷却器供应1(+),9(-)未使用2,3,4探测器光谱响应特性曲线热敏电阻特性曲线两级TE冷却参数表参量数值Tdet , K~230Vmax , V1.3Imax , A1.2Qmax , W0.36抗反射涂层窗口光谱透过率曲线
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  • GPD光电探测器 400-860-5168转4186
    量青光电代理美国GPD公司全线产品 成立于1973年的GPD公司,一直致力于高速锗晶体和光电探测器的研发和生产,为用户提供用于辐射探测和电信应用的Ge,p-n,APD和InGaAs p-i-n高速和大面积光电探测器。 GPD维护符合MIL-I-45208的检查系统。 光电二极管要符合Telcordia的测试要求(TA-NWT-00093),MIL-STD-883测试方法和/或客户要求。 主要产品包括:温馨提示:点击产品名称,自动跳转到详情页。更多信息可联系我们。低偏振相关损耗铟镓砷探测器Low Polarization Dependent Loss (PDL) InGaAs Photodiodes线性阵列式探测器 Linear Arrays铟镓砷象限探测器 InGaAs Quadrant Photodiodes含制冷铟镓砷光电探测器铟镓砷光电探测器 InGaAs Avalanche Photodiodes1.9-2.6μm铟镓砷探测器Extended InGaAs Photodiodes大面积铟镓砷探测器Large Area InGaAs Photodiodes高速铟镓砷探测器High Speed InGaAs Photodiodes锗雪崩探测器Ge Avalanche Photodiodes锗探测器Ge Photodiodes
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  • Edmund探测器 400-860-5168转3408
    硅光电二极管Silicon PhotodiodesUV 增强型、蓝光增强型以及正常响应型可选有效区大小从 1 至 100mm2提供提供 C 接口和 S 接口安装解决方案通过光电效应,探测器提供了一个将光能转化成电能的工具。基本原理基于探测器中的电子带和导电带之间存在一个微小的能量差。当具有足够能量的、可以激发一个电子从电子带转移到导电带的光照被探测器接收,会在这个电子的带领下产生电子聚集效应,在一个外部环路形成电流。由于光照不是激发电子的唯一能量来源,探测器中会有一部分电流并非光电转换而来。例如,热能的波动很容易被错认为光强变化。还有多种这类“非光”作用存在,加总起来形成探测器的噪音值。 总的信号值和噪音的比值就是众所周知的信噪比(S/N),应用在需要考虑到噪音值的应用中。当噪音成为描述探测器的关键值,在选择探测器时这就是一个应该考虑的特性。不同工作模式:光伏(无偏压):光伏模式下,光敏二极管没有外部偏压。 由于暗电流是偏压幅值的一个产物,PV模式不会将暗电流作为一个噪音源。在这种情况下,NEP将更低,因此在低波长段会有更好的灵敏度。 这对低信号探测很理想。而它的一个缺点是对较长波段的响应有略微下降。光电导(偏压):光电导模式下,光敏二极管中存在一个反向偏压能带来很多好处,例如更快的信号上升时间。这使得这种工作模式在高频应用中更稳定。一个不便的方面在于暗电流随偏压的电流使用而增加,在系统中带入了噪音。类型注意有效区(mm2)Package产品编码BiasedNormal Response0.20TO-18#57-506BiasedNormal Response0.81TO-18#57-507BiasedNormal Response3.2TO-18#53-372BiasedNormal Response5.1TO-5#53-371BiasedNormal Response16.4TO-8#54-034BiasedNormal Response44.0TO-8#54-035BiasedNormal Response100.0BNC#53-373BiasedNormal Response613.0BNC#53-374UnbiasedBlue Enhanced Response0.81TO-18#57-508UnbiasedBlue Enhanced Response5.1TO-5#53-378UnbiasedBlue Enhanced Response100.0BNC#53-379BiasedLow Noise Response5.1TO-5#54-522BiasedLow Noise Response100.0Ceramic#57-513UnbiasedUV Enhanced Response0.8TO-5#57-509UnbiasedUV Enhanced Response5.1TO-5#53-375UnbiasedUV Enhanced Response15.0TO-5#57-510UnbiasedUV Enhanced Response20.0TO-8#54-036UnbiasedUV Enhanced Response35.0TO-8#54-037UnbiasedUV Enhanced Response50.0BNC#53-376UnbiasedUV Enhanced Response100.0BNC#53-377BiasedHigh Speed Response 光电二极管接收模块?由探测器和前置放大器组成?输出电压直接与输入电流成正比?用于可见光、红外和紫外增强探测器我们的光电接收器模组将双增益前置放大电路整合在一个紧凑的封装中,简化了光电系统的集成。通过将两者在一个模组里优化,无需牺牲封装尺寸和简便性就能将电磁干扰降到。内置的前置放大器可以和 示波镜 或数据获取系统。结合直接读出任何紫外、可见光或近红外光来源的电压值。应用包括光谱、触发相机、实验室试验和工业OEM一体化。紫外光和可见光探测器为硅探测器 红外光探测器是砷化铟镓探测器。信号通过BNC连接器输出,工作温度为22摄氏度。DB - 9电缆用于电源供应器(见下文),已包含。BNC电缆可单独购买。响应率、噪声、和带宽的规格由低/高设置。接收模块电源 ?低噪声,±15伏直流输出?可用1、2和5通道提供电源专为我们的光电接收器模组而设计,这些电源供应器提供了低噪声,双极性输出。1和2通道的电源可以在110伏特交流电或220伏交流输入电压下工作,切换过程只需简单地旋转保险丝下方的一个小板。 110伏特可拆卸电源线包括在内。电源可提供高达5个接收器同时运行时所需的功率。尺寸7.0’’长, 6.0’’宽, 2.75’’高。Common Specifications频率 (kHz) :DC - 2 Low Gain, DC - 0.5 High Gain功率要求: ±9 V DC to ±15 V DC技术数据订购信息光谱响应 (nm)响应度,峰值时的高增益 (V/W)响应度,峰值时的低增益 (V/W)有效区直径(mm)产品号1000 - 17000.9 x 1080.9 x 1073#57-782200 - 10000.6 x 1080.6 x 10710#57-628200 - 10000.5 x 1090.5 x 1082.5#57-624200 - 10000.5 x 1080.5 x 1075#57-626300 - 10000.5 x 1090.5 x 1081#57-622300 - 10000.6 x 1080.6 x 10710#57-627300 - 10000.5 x 1090.5 x 1082.5#57-623300 - 1000 0.5 x 1080.5 x 1075#57-625800 - 16000.9 x 1091 x 1083#59-141300 - 10000.6 x 1091 x 1085#59-142 CLEARANCE200 - 10005 x 1091 x 1085#59-144800 - 17000.9 x 1091 x 1081#59-1981200 - 26000.9 x 1060.9 x 1051#59-7231200 - 25001.2 x 1061.2 x 1051#59-7241200 - 26001.0 x 1051.0 x 1043#59-7251200 - 25001.2 x 1061.2 x 1053#59-7261000 - 28002 x 1072 x 1062#59-7271000 - 45002 x 1062 x 1052#59-728附件标题 产品号Power Supply 110V/220V AC, 1-Channel, Standard#57-629Power Supply 110V/220V AC, 2-Channel, Standard#57-630Power Supply 110V/220V AC, 5-Channel, Standard#58-425Power Supply 110V/220V AC, 1-Channel, TE Cooled #59-146铟镓砷光电二极管?响应范围从900纳米到1700纳米?封装支持单一和多模光纤耦合?1.3微米和1.55微米的灵敏度?高响应?小面积(高速)和大面积铟镓砷光电二极管在900纳米到1700纳米波长范围内提供响应 ,极为适合电信和近红外检测。 70和120微米的光电二极管提供一个单独的TO- 46封装,和透镜保护套,适用于单模和多模光纤耦合。这两种尺寸也可用于主动校准FC容器 。 70微米光电二极管适合高带宽应用,而120微米光电二极管适合主动校准应用。3毫米光电二极管是一个单独的TO-5封装,具有双面AR涂层窗口。随着高分流电阻,3毫米光电二极管适用于高灵敏度、微弱信号的应用。技术数据订购信息噪声等效功率NEP (W/ Hz1/2)有效区直径 (μm)4.5 x 10-15120TO-46#55-7544.5 x 10-15
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  • 一,中红外量子阱QWIP超快探测器 5um 26.5GHzMIR QWIP是基于先进的QWIP技术而研发的一款超快速中红外探测器。它的响应速度高达数十GHz,是市场上最快的检测器。它是表征QCL频率梳、构建外差仪器、开发中红外高带宽光学通信链路的完美工具。QWIP的技术是卡洛瑟托里教授在Pierre Aigrain实验室研发的。我们对包装和设备进行了优化,以适应低温下的超高速运行。同时,我们开发并优化专用偏置器和宽带射频放大器,以匹配设备的高端性能。技术参数产品特点市面上最快的中红外探测器响应速度至少 26.5 GHz基于QWIP技术工作温度77K波长:5 μm响应速度高达数十GHz高响应度专用和优化偏置器即插即用产品应用:QCL频率梳外差仪器高速中红外光学链路二,中红外量子级联超快光电探测器 20GHz 4.65 µ m这是一款超快中红外光电探测器,响应带宽超过20GHz (-3 dB)。它无偏压工作,不需要冷却,因此不需要外部电源。安装过程只需两个简单步骤:将SMA装置连接到测量仪器(示波器等),并将入射光定向到内部聚焦透镜。中红外量子级联超快光电探测器 20GHz 4.65 µ m,中红外量子级联超快光电探测器 20GHz 4.65 µ m技术参数特征响应超过20GHz的超快中红外光电探测器频率响应范围 (-3 dB): 直流到 20 GHz敏感波长峰值: 4.65 µ m光敏性: 1 mA/W (典型值)无需冷却,无需偏置操作应用 外差检波高频/高时间分辨测量 一般参数参数描述单位连接器类型SMA—冷却非冷却—镜头聚焦透镜 *1—光圈4.5mm偏振方向在机身有标记 *2—*1入射光必须准直。*2 见 "表 4" 绝对最大额定值参数符号值单位工作温度*1Topr-10 至 +50°C储存温度*1Tstg-10 至 +50°C入射光水平Pmax1W/cm2*1 无凝结* 无需偏置操作* 环境温度: Ta=25 °C 电气和光学特性参数符号条件最小值典型值最大值单位敏感波长峰值P—4.604.654.70µ m光敏性Sλ=λp, f0=1200 Hz, Δf=1 Hz0.51.0—mA/W探测率D*λ=λp, f0=1200 Hz, Δf=1 Hz8.0 × 1081.5 × 109—cmHz1/2/W噪声等效功率NEP λ=λp, f0=1200 Hz—3.0 × 10-101.0 × 10-9W/Hz1/2截止频率fc-3 dB down, Zi=5Ω 1820—GHz终端电容Ctf=1 MHz—1.11.5pF并联电阻RshVmeas=10 mV7090110k * 环境温度: Ta=25 °C
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  • OPTOPLEX光电探测器PD-200产品型号:PD-200产品介绍这些高速光电二极管PD-200是密封的、高可靠性、低谐波失真的光电二极管模块,专为最小带宽为20 GHz的高光功率应用而设计。该设备非常适合具有光学预放大功能的接收器应用,可配备或不配备内部50Ω终端。光电二极管模块有V型连接器封装或带有CPW(共面波导)RF输出的微型表面安装封装。性能特点 高电流处理(高达20 mA) 低PDL(典型值为0.05 dB) 可使用的光谱波长范围为800-1650 nm 低组延迟 低谐波失真 V形连接器(SMA)或表面安装封装选项 Bellcore GR-468合格 一个设备适用于多个波长,可降低运营和库存成本技术参数产地:美国响应性(1480nm~1620nm):min.0.5 A/W逻辑感测/耦合:正非反相/AC 50Ω 3 dB带宽:min.20 GHz上升时间/下降时间/FHM:14、16、22 ps25摄氏度、5伏时的暗电流:max.10 nA电气回波损耗,S220~10 GHz:max.-10 dB10~15 GHz:max.-6 dB15~20 GHz:max.-4 dB光回波损耗:min.27 dB偏置电压:2.8…3.8 VPDL@1550 nm:max.0.5 dB工作温度范围:0至+70℃储存温度范围:-40至+85℃光电二极管偏压Vbd:+4 V光输入功率损坏阈值:+16 dBm峰值铅焊接温度(10 s):250 ℃产品应用光学放大系统RZ、NRZ、 FEC格式到20 Gb/s光纤上的高动态范围模拟RF链路快速多普勒频移激光雷达测量相干光波系统用于测试仪器的理想前端O/E转换器
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  • 原位高温背散射探测器——原位高温背散射成像解决方案原位高温背散射探测器作为提升先进高温原位电镜成像的潜力的专业解决方案,通过集成四分割背散射检测器结合定制的电子、机械和软件,为原位高温成像提供优质的背散射成像效果。探测器结构图:定量原位实验解决方案: 在高温、有环境气体存在的情况下成像和精确表面测量。主要技术特色1)四分割探测器:・ 4个镀碳金属电极・ 每个电极都有各自的原位前置放大器・ 可调节的偏置电压适用于所有・ 适用于几乎所有SEM机型四分割背散射探测器结构示意图 2)专门针对高温成像优化:l采用对热样品不敏感电极设计;・ 热电子通过探测器偏压进行过滤;・ 最高温度仅受辐射加热的限制;・ 与激光加热实验兼容3)可定量测量:・ 出厂精准矫正增益、偏置等参数;・ 信号放大不受温度影响;・ 结合SEM ( DISS6 )和COMPO校准样品的扫描控制器,精准测量收集到的电流信号不同加速电压下获取不同元素精确信号值 4)易于清洁:・ 探测器前端采用易拆卸设计・ 电极可根据需要进行清洗和重新镀膜・ 易拆卸螺钉固定方式・ 可提供各种电极涂层选择5)强大表征分析能力: ・ TOPO和COMPO的混合在检测器硬件中完成;・ 4分割信号设计可实现样品表面形貌重构;・ 结合SEM扫描控制器( DISS6 )和TOPO校准样品测量表面高度/形貌基于4分割背散射探测器对样品表面形貌进行精准分析
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  • 该测试系统为自动测试系统,具有测试快速准确、操作简单、可靠性高度特点,能实现了200-250nm范围内绝对光谱响应度、量子效率、归一化探测率、信号电压、噪声电压、响应时间等参数随波长、频率、外加偏压的变化曲线的全自动测试。技术指标 光谱范围:200-2500nm(可根据实际需要选择)光电源电流漂移: 0.04%/h波长准确度:± 02nm光谱分辨率:± 0.1nm光谱带宽:0.2-10nm 可调光斑:15mm,各点不均匀性1%偏压源:电压:200uV-505V;电流:20fA-200mA系统噪声: 2mV系统重复性: 2%激光监视光路:CCD 图像监视,可对极小光电探测器进行精确定位。
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  • 光电探测器 400-860-5168转1545
    仪器简介:雪崩光电探测器(APD) 产品特性: 高速响应达GHz 封装尺寸小:50 x 50 x 45 mm 400-1000 nm /850-1650 nm波长可选 增益连续可调:1x to 100x (ADP210) 1x to 10x (ADP310) SM05适配器 光电倍增管Photomultiplier Modules 产品特性: 两种波段可选:280 - 630 nm 或 280 - 850 nm 可提供倍增管接口组件 具有防静电和消磁作用 变换增益:阳极电流1 V/&mu A 链构型环形电极 封装与SM1螺纹匹配 封装含4个螺纹孔,与ER系列笼杆匹配 支杆可安装于3种不同组件 120V电源供应(230V可选) SMA输出技术参数:高速探测器Biased Detectors 产品特性: 宽光谱150 nm to 2.6 &mu m 高速响应1 ns~220ns 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器,方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池,使用方便,还可外接电源 带放大电路探测器Amplified Detectors 产品特性: 宽光谱150 nm to 4.8 &mu m 带宽高达150MHz 放大增益可固定,亦可调 0-10V电信号输出 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器,方便光纤耦合输出 标准的BNC输出接口 提供230 VAC外接电源主要特点:光纤耦合探测器Fiber Optic Detectors 产品特性: 宽光谱320 nm to 1700nm ps级高速响应,带宽1-8GHz 可提供带放大电路 FC/PC光纤接口,方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池,使用方便,可外接电源 平衡探测器Balanced Detectors 产品特性: 宽光谱320nm-1700nm 高带宽DC-350MHz 超低噪音 探测器类型:Si & InGaAs 可提供带放大电路 自由空间或尾纤输入 直接的探测器监视输出 含外接电源 增益可调和增益固定可选 应用: 光谱与波谱学: 外差检测 OCT系统 光学延迟测量 THz检测
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