COXEM CP-8000+ 氩离子抛光是一种先进的样品制备工具,可使用氩离子束蚀刻样品的横截面。 该过程避免了物理变形和结构损坏,不需要复杂的化学过程。此外,该系统通过处理从几十微米到几毫米的大面积,简化了样品的横截面分析。 特 点● 每小时 700 μm 的高蚀刻速率(基于 Si,8 kV)● 能够保存/加载常用的配方● 具有自动执行功能的逐步操作配方● 使用智能样品架轻松装载样品● 通过腔室摄像头实时观察离子束状态和蚀刻状态● 便捷的操作——直观的GUI和简单的触摸屏● 通过离子束自动开/关功能减少热损伤● 使用内置数字显微镜通过离子束快速方便地对准样品● 配备低噪、隔振、无油隔膜泵● 具备平面铣削功能,可进行大面积平面蚀刻 CP抛光基本原理机械抛光 VS CP抛光 如果使用机械抛光装置进行抛光,由于物理损伤和污染,很难检查横截面的确切状态,但当使用离子束通过 CP 进行横截面加工时,可以观察微表面结构,样品无结构损坏和污染。 FIB 抛光 VS CP抛光 与聚焦离子束 (FIB) 相比,使用 CP-8000+ 蚀刻同一样品的截面时,您可以在更短的时间内蚀刻更宽的横截面,从而极大地节省时间和成本。 以下图像是同一样本在同一时间段内以两种不同方式(FIB 和 CP)铣削的结果。 数码显微镜 使用数字显微镜,可以通过屏幕轻松对准离子束的位置和样品的位置。仓室内摄像头 您可以通过腔室内的摄像头检查离子束的状态,并实时检查截 面蚀刻的程度。自动离子束开/关模式 该功能旨在通过根据设置的离子束开/关计时器打开和关闭离子束,减少离子束造成的热损伤。在蚀刻聚合物和纸张等热敏样品时,它对于获得准确的横截面条件非常有用。配方模式 常用的蚀刻条件可以存储在配方列表中,以便在需要时轻松应用设置值。此外,还可以使用分步模式来存储多个配方并自动执行它们来蚀刻样品。 平面抛光模式 CP-8000+ 可以使用专用支架在平面上处理样品。 当样品安装在专用支架上并使用平面铣削功能时, 离子束会基于旋转中心轴蚀刻几个平方毫米的区域。 在此刻,由于抛光速度、面积和深度根据离子束 撞击样品表面的入射角而变化,因此应通过旋转和调整样品的角度来实现均匀的表面抛光。 由于离子束照射的面积较大,可以蚀刻氧化层或异物,因此可用于大面积样品的预处理。 产品参数 加速电压2 to 8kV抛光速率700㎛ /h (at 8kV on Si wafer)样品台摆动角度±35° 尺寸20(W) × 10(L) × 5.5(T)mm16(W) × 10(D) × 9.5(H)mm样品移动范围X axis movement : ±1.5mm / Y axis movement : ±2mm平面样品台倾斜角度范围40° to 80°平面台样品尺寸Ø 30 × 11.4(H)mm操作方式7 inch 触控屏用于样品定位的数码显微镜Mag. x5, x10, x20, x40 用于监控的室摄像机Mag. x5, x10, x20, x404档亮度调节离子束观察模式(LED Off离子枪气体Argon gas (99.999%)气压0.1 Mpa (14.5psi)气压控制Mass Flow Control真空系统分子泵, 隔膜泵外形尺寸607(W) × 472(D) × 277.5(430.5)(H) mm重量主机 36kg / 隔膜泵 6.5kg 特点Auto Beam On/Off modeStep by step mode
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