脉冲束沉积系统

仪器简介：Neocera公司的使命是为研究新型先进薄膜材料和器件的科学家和工程师提供服务。我们通过以下手段来实现此目标： l 发展在材料科学和器件工程方面的基础竞争力 l 在薄膜制造方面，提供最先进的脉冲电子束镀膜（PED）和脉冲激光镀膜（PLD）设备 l 提供卓越的技术支持 l 参与共同的研究与开发 Neocera公司是一家PED 和PLD设备的增值供应商。在PED 和PLD科学和技术的前沿方面，我们提供最先进的解决方案；我们的设备和实际经验将帮助解决你们的问题。 另外，Neocera公司参与政府部门和工业客户的前沿的研究与开发；作为材料科学家，我们了解你们的需要。技术参数：一、 PED-120系统的技术指标 l PEBS-20脉冲电子源和电源 l 真空腔：直径12" Ø 额定基压：1x10-6 Torr l 基片加热器，直径2"，带控温器 Ø 氧气可达大气压力 Ø 最高温度：950 ° C Ø 温度均匀性：± 5 ° C Ø 温度稳定性：± 1 ° C Ø 基片加热器档板 l 靶盒，手动控制 Ø 可放置6个1"的靶或3个2"的靶 Ø 靶与法兰的距离：4" l 气路 Ø 质量流量计控制进入真空腔的流量，量程100sccm Ø 控制采用单通道设置/数值显示 l 真空泵系统 Ø 260 l/s 带冷阱的涡轮分子泵，高真空泵 Ø 4 m3/hr无油机械泵 Ø 8"闸板阀，手动控制 Ø 排气/出气阀，用于氧气的安全操作 l 真空计，显示读数 Ø 冷阴极型 Ø 对流型 l 系统框架 Ø 占地面积：22&rdquo W x 34&rdquo D Ø 空间： 30&rdquo W x 34&rdquo D Ø 总高度： 54"-58" Ø 标准19"电子元件安装架 Ø 脚轮和水平调节器 l 电源 Ø 110-240 VAC/50 Hz, 20 A，单相 二、PEBS-20脉冲电子源系统的技术指标 组成： l PEBS-20脉冲电子源 l 电源 l 电子控制系统 l 预装软件的控制计算机 技术指标： 电压：115-230 VAC, 50/60 Hz, 单相 氧气压力：5-20 mTorr 电子能量：8-20 kV 单次脉冲能量：0.1 &ndash 0.8 J 脉冲能量偏差（Max）：± 10% 能量转换效率：25-30% 脉冲持续时间：~100 ns 脉冲重复速率（Max）：15 Hz 电子束斑面积（Min）：6 x 10-2 cm2 电子束斑面积偏差（Max）：± 20% 脉冲能量密度（Max）：1.3 x 108 W/ cm2 Z轴移动距离：50 mm XY轴移动距离：± 20 mm 工作寿命：107 次脉冲 PEBS源的工作温度（Max）：85 ° C主要特点：脉冲电子束沉积（PED）的特点 与CW技术相比，例如传统的电子束蒸发，脉冲系统的主要特点是可以在靶材表面上 产生最高达108W/cm2的高能量密度。因此，靶材的热动力学特性比如熔点和比热等 在蒸发过程中就变得不重要了。这一点对复杂的、多组分材料特别具有优势。与脉 冲激光沉积（PLD）相比，脉冲电子束沉积（PED）技术提供了独一无二的平台，在 一系列具有重要技术价值的基片上沉积复杂材料的薄膜，其独特的优点在于扩展了 材料的范围和应用。这种方法在大批量生产中可以大规模应用且成本低廉。

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

脉冲电子束沉积（Pulsed Electron Deposition）系统能发射高能脉冲(100ns) 电子束( 约1000 A,15 keV) 在靶材上穿透将近1 um，使靶材快速蒸发形成等离子体。在靶材上的非平衡提取（烧灼）能使等离子体的组成与靶材的化学计量组成一致。在最佳条件下，靶材的化学计量与沉积薄膜可以保持一致。所有的固态材料如金属、半导体和绝缘体等都可以用PED 技术沉积各自的薄膜。产品特点* 独立的交钥匙脉冲电子束沉积系统PED* 外延薄膜沉积，多层异质结构（heterostructures）与超晶格* 氧化物薄膜沉积时氧气兼容* 升级选项：离子辅助PED, 连续组份沉积PED, 进样系统load-lock* 可附加的沉积源：脉冲激光与射频/ 直流溅射* 集成XPS/ARPES UHV 集群系统，原位高真空基片传送系统脉冲电子束沉积系统PED沉积的代表性材料示例* 高温超导(HTS) YBCO( 和GdBCO) 薄膜* 顺电(Ba-SrTiO3) 薄膜* 金属氧化物(SrRuO3) 薄膜* 隔热/ 音玻璃(SiO2) 膜和Al2O3 膜* 聚四氟乙烯(PTFE) 薄膜技术指标真空腔18" 直径的球形腔体8"CF 窗口6.75"CF PED 源窗口3 个6"CF 窗额外的2.75" 与1.33"CF 窗口PED源电子枪能量：8-20 keV脉冲能量：最大能量800 mJ最小能量100 mJ工艺气体压强: 3-20 mTorr工艺气体: 氧气，氮气，氩气脉冲能量变化: ±10%脉冲宽度: 100 ns最大重复率: 10Hz at 15kV,5Hz at 20kV最小束截面: 8 x10-2 cm2最大能量密度 :1.3 x 108 W/cm2Z 向对准范围: 50 mmXY 向对准范伟: +/- 20 mm火花塞寿命 ~3x107 脉冲基片加热器最大直径2"，最小10x10mm2最高温度：850 ℃基片旋转：1-30 RPM（360° 旋转）基片加热器：兼容1 个大气压的氧压加热器温度通过可编程的PID 控制多靶材旋转台6 个1" 的靶材或3 个2" 的靶材靶材旋转：360° 连续旋转(1-20 RPM)靶材栅格式扫描独特的靶材栅格化烧蚀方案靶材索引，镀多层薄膜靶材高度可调靶材挡板避免靶材间的交叉污染提供连续组成扩展/ 组合PED 的能力PED系统软件Windows 7, LabVIEW 2013控制基片加热台控制靶材公转台控制真空泵控制质量流量计?外部的PED 源触发器可选的工艺自动化选项真空泵干泵，涡轮分子泵本底真空压强：标准配置8 x 10-8 Torr涡轮分子泵转速由软件控制

产品简介脉冲电子束沉积（Pulsed Electron Deposition）系统能发射高能脉冲(100ns) 电子束( 约1000 A,15 keV) 在靶材上穿透将近1 um，使靶材快速蒸发形成等离子体。在靶材上的非平衡提取（烧灼）能使等离子体的组成与靶材的化学计量组成一致。在最佳条件下，靶材的化学计量与沉积薄膜可以保持一致。所有的固态材料如金属、半导体和绝缘体等都可以用PED 技术沉积各自的薄膜。产品特点* 独立的交钥匙脉冲电子束沉积系统PED* 外延薄膜沉积，多层异质结构（heterostructures）与超晶格* 氧化物薄膜沉积时氧气兼容* 升级选项：离子辅助PED, 连续组份沉积PED, 进样系统load-lock* 可附加的沉积源：脉冲激光与射频/ 直流溅射* 集成XPS/ARPES UHV 集群系统，原位高真空基片传送系统脉冲电子束沉积系统PED沉积的代表性材料示例* 高温超导(HTS) YBCO( 和GdBCO) 薄膜* 顺电(Ba-SrTiO3) 薄膜* 金属氧化物(SrRuO3) 薄膜* 隔热/ 音玻璃(SiO2) 膜和Al2O3 膜* 聚四氟乙烯(PTFE) 薄膜技术指标真空腔18" 直径的球形腔体8"CF 窗口6.75"CF PED 源窗口3 个6"CF 窗额外的2.75" 与1.33"CF 窗口PED源电子枪能量：8-20 keV脉冲能量：最大能量800 mJ最小能量100 mJ工艺气体压强: 3-20 mTorr工艺气体: 氧气，氮气，氩气脉冲能量变化: ±10%脉冲宽度: 100 ns最大重复率: 10Hz at 15kV,5Hz at 20kV最小束截面: 8 x10-2 cm2最大能量密度 :1.3 x 108 W/cm2Z 向对准范围: 50 mmXY 向对准范伟: +/- 20 mm火花塞寿命 ~3x107 脉冲基片加热器最大直径2"，最小10x10mm2最高温度：850 ℃基片旋转：1-30 RPM（360° 旋转）基片加热器：兼容1 个大气压的氧压加热器温度通过可编程的PID 控制多靶材旋转台6 个1" 的靶材或3 个2" 的靶材靶材旋转：360° 连续旋转(1-20 RPM)靶材栅格式扫描独特的靶材栅格化烧蚀方案靶材索引，镀多层薄膜靶材高度可调靶材挡板避免靶材间的交叉污染提供连续组成扩展/ 组合PED 的能力PED系统软件Windows 7, LabVIEW 2013控制基片加热台控制靶材公转台控制真空泵控制质量流量计?外部的PED 源触发器可选的工艺自动化选项真空泵干泵，涡轮分子泵本底真空压强：标准配置8 x 10-8 Torr涡轮分子泵转速由软件控制

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

美国Neocera PLD 脉冲激光沉积系统 P180 & PED 脉冲电子束沉积系统 PED-180 Neocera P180 脉冲激光沉积系统 • Neocera 在 PLD 设备与工艺开发方面具有不可超越的经验• Pioneer 系列 PLD 系统是全球研发领域广泛使用的商业化系统• Neocera 不仅为客户提供基本的 PLD 系统，也提供完整的PLD 实验室交钥匙方案 PLD 实验室交钥匙方案 脉冲激光沉积系统（PLD）一种用途广泛的、用于薄膜沉积以及纳米结构和纳米粒子合成的方法 PLD 是一种复杂材料沉积的有效方法脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition）是一种用途广泛的薄膜沉积技术。脉冲激光快速蒸发靶材，生成与靶材组成相同的薄膜。PLD 的独特之处是能量源（脉冲激光）位于真空室的外面。这样，在材料合成时，工作压力的动态范围很宽，达到 10-10 Torr ~ 100 Torr。通过控制镀膜压力和温度，可以合成一系列具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒。另外，PLD 是一种 “ 数字 ” 技术，在纳米尺度上进行工艺控制（?/pulse）。 Neocera Pioneer 系列 PLD 系统 — 基于优秀经验的创新设计 Neocera 利用 PLD 开展了深入广泛的研究，建立了获得 优秀 薄膜质量的临界参数，特别适用于沉积复杂氧化物薄膜。这些思考已经应用于 Pioneer 系统的设计之中。 • 很多复杂氧化物薄膜在相对高的氧压（100 Torr）下冷却可获得好的质量。所有 Pioneer 系统都具备此功能（压力范围可从额定初始压强到大气压）。这也有益于纳米粒子的生成。• Pioneer PLD 系统的激光束入射角为 45°，保持了激光密度在靶材上的最大均匀性，同时避免使用复杂而昂贵的光学部件。更大的入射角能够拉长靶材上的激光斑点，导致密度均匀性的损失。• 为了避免使用昂贵的与氧气兼容的真空泵，消除油的回流对薄膜质量的影响，所有 Pioneer 系统的标准配置都采用无油泵系统。• 我们的研究表明靶和基片的距离是获得优秀薄膜质量的关键参数。Pioneer 系统采用可变的靶和基片的距离，对沉积条件进行控制。 技术参数： 。作为完整 PLD 实验室解决方案供应商，我们还可提供：248nm 激光器（准分子、固体等），气体柜，激光。器和光学器件桌，以及光学器件等。• 带 * 的项目均可客户化。• 上述技术指标如有变更，恕不另行通知，详情见具体报价描述或者咨询销售工程师。 离子辅助沉积 ( IBAD )高性能的离子辅助沉积系统离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或非晶衬底上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术。Neocera 开发了离子辅助的PLD 系统，该系统将 PLD 在沉积复杂材料方面的优势与 IBAD 能力结合在一起。 无定形和多晶衬底上单个类单晶薄膜的沉积 离子辅助PLD沉积原理示意图 结果和最佳理论值吻合 连续组成扩展 ( CCS )连续组成扩展功能（CCS）可在单次沉积中沉积很多不同组分的材料，大大缩短了沉积不同组分材料合成新材料的时间，实现合成材料组分的优化。PLD-CCS 系统能以连续的方式改变材料，没有必要使用掩模。可以在每一次循环中，以小于一个单分子层的速率，快速连续沉积每一种组份，其结果是类似于共沉积法。该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或结晶，对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是非常有帮助的。Neocera 公司PLD 系统可在同一个系统上实现带有连续组成扩展功能（CCS-PLD）和标准型 PLD 功能。 PLD-CCS 三元连续组分扩散 PLD 原理示意图 三元模拟相图 In-Sn-Zn 氧化物相图解 激光分子束外延 ( Laser MBE )激光 MBE 是普遍采用的术语，该法是一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的 PLD 与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用，用户提供了类似于 MBE 的薄膜生长的单分子水平控制。 正确的设计是成功使用 RHEED 和 PLD 的重要因数RHEED 通常在高真空（10-6 torr）环境下使用。然而，因为在某些特殊情况下，PLD 采用较高的压力，差动抽气是必要的，维持 RHEED 电子枪的工作压力，同时保持 500 mTorr 的 PLD 工艺压力。同时，设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。Neocera 激光 MBE 系统可以添加客户定制系统，比如超高真空激光衬底加热器，用于集成原位分析系统（XPS/ARPERS 等）。样品可以简单地从激光 MBE/PLD 系统传送到超高真空 XPS/ARPERS 系统。 激光 MEB 原理示意图 激光 MBE 计算机上的 RHEED 图案 RHEED 强度震荡曲线 脉冲电子束沉积系统（PED）：PED-180 脉冲电子束沉积（Pulsed Electron Deposition）是高能脉冲 (100ns) 电子束 ( 约 1000 A,15 keV) 在靶材上穿透将近 1 um，使靶材快速蒸发形成等离子体。对靶材的非平衡提取（烧灼）使等离子体的组成与靶材的化学计量组成一致。在优秀条件下，靶材的化学计量与沉积薄膜的保持一致。所有的固态材料如金属、半导体和绝缘体等都可以用 PED 技术沉积各自的薄膜。 独立的交钥匙脉冲电子束沉积系统 PED• 外延薄膜沉积，多层异质结构（heterostructures）与超晶格• 氧化物薄膜沉积时氧气兼容• 升级选项：离子辅助 PED, 连续组份沉积 PED, 进样系统 load-lock• 可附加的沉积源：脉冲激光与射频 / 直流溅射• 集成 XPS/ARPES UHV 集群系统，原位高真空基片传送系统 PED 沉积的代表性材料示例• 高温超导 (HTS) YBCO( 和 GdBCO) 薄膜• 顺电 (Ba-SrTiO3) 薄膜• 金属氧化物 (SrRuO3) 薄膜• 隔热 / 音玻璃 (SiO2) 膜和 Al2O3 膜• 聚四氟乙烯 (PTFE) 薄膜 PED-180 系统的技术指标

产品详情脉冲激光沉积/激光分子束外延系统 产品描述：荷兰TSST公司提供专业的脉冲激光沉积系统和激光分子束外延系统。荷兰Twente Solid State Technology BV（TSST）公司专注于为用户提供定制化的脉冲激光沉积系统（PLD），以及相关薄膜制备解决方案，公司具有20多年研究与生产脉冲激光沉积系统的经验。TSST与世界最大的纳米与微系统技术研究中心之一荷兰Twente大学MESA+ Institute保持着密切合作，开发出各种脉冲激光沉积技术中需要使用的核心技术。 脉冲激光沉积原理：在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击，利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来，再沉积在不同的衬底上，从而形成薄膜。 激光分子束外延系统（LMBE），是在PLD的基础上发展起来的外延薄膜生长技术。在高氧气压力环境下实现RHEED原位监控，曾是RHEED分析的一个重要难题，TSST第一个提出差分抽气的方式实现高压环境下RHEED原位监控---TorrRHEED，TSST是TorrRHEED的发明人，在系统制造和RHEED的使用，以及结果分析方面，有丰富的经验。 选件 脉冲激光沉积技术适合做的薄膜包括各种多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金属薄膜，磁性材料等。 应用领域： 单晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）压电薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）铁电薄膜（BaTiO3，KH2PO4）热电薄膜（SrTiO3）金属和化合物薄膜电极（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）半导体薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）高K介质薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）超导薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）光波导，光学薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）超疏水薄膜（PTFE）红外探测薄膜（V2O5，PZT）

脉冲激光沉积、分子束外延薄膜制备系统美国BlueWave公司是半导体设备、材料生产商。BlueWave提供多种薄膜制备系统，包括脉冲激光沉积(PLD)、电子束蒸发、热蒸发、反应溅射、热丝化学气相沉积(HFCVD)、热化学气相沉积系统(TCVD)。这些系统是理想的薄膜与涂层合成设备。可制备的薄膜包括氮化物、氧化物、多层膜、钻石、石墨烯、碳纳米管、2D材料。Blue Wave还提供相关系统配件，例如基片加热装置、原位监测工具。此外，BlueWave还为您提供标准的薄膜以及材料涂层，例如氧化物涂层、导电薄膜、无定型或纳米晶Si/SiC、晶体AlN-GaN、聚合物、纳米钻石、HFCVD钻石涂层以及器件加工。1、脉冲激光沉积系统产品特点：◆ 电抛光多空不锈钢超高真空腔体◆ 可集成热蒸发源或溅射源◆ 可旋转的耐氧化基片加热台◆ 流量计或针阀控制气体流量◆ 标准真空计◆ 干泵与涡轮真空泵◆ 可选配不锈钢快速进样室 ◆ 可选配基片-靶材距离自动控制系统◆ 可制备：金属氧化物、氮化物、碳化物、金属纳米薄膜、多层膜、超晶格等。 2、物理气相沉积系统（Physical Vapor Deposition Plus）产品特点◆ 超高真空不锈钢腔体◆ 电子束、热蒸发、脉冲激光沉积可集成◆ 立衬底加热，可旋转◆ 多量程气体流量控制器◆ 标准气压计◆ 机械、分子、冷凝真空泵可选不锈钢快速进样室◆ 衬底和源距离可控◆ 可用于金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜 3、热化学气相沉积系统（TCVD）产品特点◆ 高温石英管反应器设计◆ 温度范围：室温到1100℃◆ 多路气体控制◆ 标准气压计◆ 易于操作◆ 可配机械泵实现低压TCVD◆ 可用于制备金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜◆ 液体前驱体喷头◆ 2英寸超大温度均匀区4、热丝化学气相沉积系统（HFCVD）产品特点：◆ 水冷不锈钢超高真空腔◆ 热丝易安装、更换 ◆ 4个不同量程气体控制器◆ 标准气压计◆ 衬底与热丝距离可调节◆ 2英寸衬底加热、可旋转 ◆ 制备金刚石和石墨烯

该系统为球形脉冲激光沉积系统（PLD）工艺研发设备。脉冲激光沉积 （Pulsed laser deposition, PLD），就是将激光聚焦于靶材上一个较小的面积，利用激光的高能量密度将部分靶材料蒸发甚至电离，使其能够脱离靶材而向基底运动，进而在基底上沉积，从而形成薄膜的一种方式。 在众多的薄膜制备方法中，脉冲激光沉积技术的应用较为广泛，可用来制备金属、半导体、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各种物质薄膜，甚至还用来制备一些难以合成的材料膜，如金刚石、立方氮化物膜等。1、环境温度：10℃～35℃2、相对湿度：不大于75%3、供水：水压0.2MPa～0.4MPa,水温15℃～25℃4、设备周围环境整洁，空气清洁，不应有可引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘埃或气体存在。产品名称球形脉冲激光沉积系统（PLD）安装条件1、环境温度：10℃～35℃2、相对湿度：不大于75%3、供电电源：220V、单相、50±0.5 Hz4、设备功率：小于4KW 5、供水：水压0.2MPa～0.4MPa,水温15℃～25℃，6、设备周围环境整洁，空气清洁，不应有可引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘埃或气体存在。主要参数1、系统采用真空室为球形结构，手动前开门2、真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造（304），氩弧焊接，表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理3、真空腔室有效尺寸为Φ300mm,配有可视观察窗口4、极限真空度：≤6.67x10-5Pa (经烘烤除气后，采用600L/S分子泵抽气，前级采用8L/S)；系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到8.0x10-4 Pa，40分钟可达到； 停泵关机12小时后真空度：≤20Pa5、样品台：样品尺寸φ40mm，转速1-20RPM，基片台与转靶距离40～90mm6、样品加热最高加热温度：800℃，温控精度：±1°C，采用控温表进行控温7、四工位转靶：每个靶位φ40mm,挡板只露出一个靶位，激光束要求打在最上面靶位，转靶具有公转、自转功能8、真空室内设置烘烤、照明、水压报警装置9、MFC一路质量流量计控制进气 ：0-100sccm

仪器简介：Ion Beam Assisted Deposition (离子辅助沉积) 离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术 高性能的IBAD(离子辅助沉积)系统 离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术。Neocera开发了离子辅助的PLD系统，该系统将PLD在沉积复杂材料方面的优势与IBAD能力结合在一起。得到无人伦比的技术专家知识的支持Neocera离子辅助的PLD系统会得到重要应用经验的支持。系统开发结合了Neocera的工程和工艺经验，保证了最大的用途和工艺性能。 利用离子辅助的PLD, Neocera在柔性多晶yttria稳定的YSZ基片上，开发了具有下列性能的双轴结构的YBCO薄膜： l X-ray F-scan full width at half maximum of ~7° l 转变温度Tc在88-89K，转变宽度DTc约为约为0.5 K l 77 K零场强时，临界电流密度Jc范围 1.5&mdash 2x106 A/cm2 l 77 K时，磁深入深度l: 284nm l 77 K，10G时，表面电阻Rs等于700mW Continuous Composition Spread (连续组成扩展) 一种基于脉冲激光沉积的、组合材料合成的新型连续组成扩展(CCS)方法。 经济的组合合成 组合合成是材料科学中最激动人心的最新进展。在一次镀膜实验中，生产多种不同材料组成的能力，大大的提高了获得具有期望材料性能的最佳组成的速度。然而，现有组合合成系统的高成本对绝大多数研究预算来说都是不切合实际的。 得到Neocera PLD经验的支持 Neoceora已经应用我们丰富的PLD和开发性能可靠的经济型设备的经验，发明了PLD-CCS(脉冲激光沉积-连续组成扩展)系统。PLD-CCS受益于多层薄膜沉积的方便性和PLD工艺能在基片上改变二元，假二元，或三元体系的组成这一固有特性。 常规沉积条件下的组合合成 PLD-CCS能以连续的方式，而不是间隔的方式改变材料，没有必要使用掩模。这就允许在每一次循环中，以小于一个单分子层的速率，快速连续沉积每一种组份，其结果是基本等同于共沉积法。事实上，该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或结晶，对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是有用的。 Laser MBE (激光分子束外延) 一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，PLD和原位高压RHEED的结合， 为单分子水平上的薄膜生长提供了精确控制。 使用激光MBE是纳米技术研究的理想工具 激光MBE是普遍采用的术语，定义了高真空下的PLD与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用。该法为用户提供了类似于MBE的薄膜生长的单分子水平控制。随着更多的PLD研究受到纳米技术的驱动，激光MBE变得对用户更加有益。 正确的设计是成功使用RHEED和PLD的重要因数 RHEED通常在高真空（10-6 torr）环境下使用。然而，因为在某些特殊情况下，PLD采用较高的压力，差动抽气是必要的，维持RHEED枪的工作压力，同时保持500 mTorr的PLD工艺压力。同时，设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。 Neocera的激光MBE系统为用户在压力达到500mTorr时所需的单分子层控制。技术参数：一种用途广泛的、用于薄膜沉积和合成纳米结构和纳米粒子的方法。 PLD是一种复杂材料沉积的创新方法 激光脉冲镀膜(PLD)是一种用途广泛的薄膜沉积技术。脉冲激光快速蒸发靶材，生成与靶材组成相同的薄膜。PLD的独特之处是能量源（脉冲激光）位于真空室的外面。这样，在材料合成时，工作压力的动态范围很宽，达到10-10 Torr ~ 100 Torr。通过控制镀膜压力和温度，可以合成一系列具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒。另外，PLD是一种&ldquo 数字&rdquo 技术，在纳米尺度上进行工艺控制（A° /pulse）。 Neocera Pioneer系列 PLD系统 &mdash 基于卓越经验的有效设计 Neocera利用PLD开展了深入广泛的研究，建立了获得最佳薄膜质量的临界参数，特别适用于沉积复杂氧化物薄膜。这些思考已经应用于Pioneer系统的设计之中。 很多复杂氧化物薄膜在相对高的氧气压力（100 Torr）下冷却是有利的。所有Pioneer系统设计的工作压力范围从它们的额定初始压力到大气压力。这也有益于纳米粒子的生成。 Pioneer PLD系统的激光束的入射角为45° ，保持了激光密度在靶材上的最大均匀性，同时避免使用复杂而昂贵的光学部件。浅的入射角能够拉长靶材上的激光斑点，导致密度均匀性的损失。 为了避免使用昂贵的与氧气兼容的真空泵流体，消除担心油的回流对薄膜质量的影响，所有Pioneer系统的标准配置都采用无油泵系统。 所有的系统都可以按完整PLD实验室的方式获得，包括248nm激光器，激光气体柜，激光和光学器件台，光学器件包。 我们的研究表明靶和基片的距离是获得最佳薄膜质量的关键参数。Pioneer系统采用可变的靶和基片的距离，对沉积条件进行最大的控制。主要特点： Pioneer240 Pioneer180 Pioneer120 Pioneer80 最大wafer直径 4&rdquo 2&rdquo 1&rdquo 0.5&rdquo 最大靶材数量 6个1&rdquo 或3个 2&rdquo 6个1&rdquo 或3个 2&rdquo 6个1&rdquo 或3个2&rdquo 4个1&rdquo 压力(Torr) 10-8 10-6 10-6 10-6 真空室直径 24&rdquo 18&rdquo 12&rdquo 8&rdquo 基片加热器 4&rdquo ，旋转 3&rdquo ，旋转 2&rdquo ， 平板 1&rdquo ，平板 最高样品温度 850 ° C 850 ° C 950 ° C 950 ° C Turbo泵抽速 （liters/sec） 800 260 260 70 计算机控制 包括 包括 包括 包括 基片旋转 包括 包括 - - 基片预真空室 包括 选件 选件 - 扫描激光束系统 包括 选件 - - 靶预真空室 包括 - - - IBAD离子束辅助沉积 选件 选件 选件 - CCS连续组成扩展 选件 选件 - - 高压RHEED 选件 - - - 520 liters/sec 泵 a/n 选件 - -

真空室结构: 球形前开门 真空室尺寸: φ450mm 极限真空度: ≤6.67E-6Pa 沉积源: φ2英寸靶材，4个 样品尺寸，温度: φ2英寸，1片，最高800℃ 占地面积（长x宽x高）: 约1.8米x0.97米x1.9米 电控描述: 全自动 工艺: 特色参数 : 产品概述： 系统主要由真空室、旋转靶台、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。 设备用途： 脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它独特的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当前脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用前景。

仪器简介：PLD是将脉冲激光透过合成石英窗导入真空腔内照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume状等离子体状态，然后被堆积到设在对面的基板上而成膜。PLD方法可以获得拥有热力学理论上准稳定状态的组成和构造的人工合成新材料。我们PLD系统拥有最好的性能价比,具有以下优异的性能:主真空室腔体直径18英寸，本底真空可达高真空：9X10E-9 Torr（要用Load-lock）。主真空室抽气系统前级泵采用无油干泵★基片加热温度最高可达1000℃。基片台可360度旋转（转速1-20rpm可调）。★基片与靶之间方位采用靶在下方，基片在上方，均水平放置。基片与靶间距沿Z轴（即垂直地面方向）可调。 8个装1英寸靶的坩埚（或靶盘），各坩埚之间要求相互隔离，不互相污染。★激光器：Coherent 公司COMPexPro 201：Wavelength: 248 nm (KrF)；Pulse Energy：700mJ；Max. Rep. Rate ：10 Hz；Energy stability (one sigma) : 1%； Average Power: 5W；Pulse Duration: 25 ns；Beam Dimensions(V×H): 24×10 mm；Beam Divergence(V×H): 3×1 mrad.★ Dual Load Lock System, 两次装样-送样系统，高效保证传片精准设备及光学台可联接在一起，始终保持腔体和激光束位置稳定。支撑腿带可调节的转轮，方便在地面整体（包括腔体系统和激光器）同时移动与固定。感谢上海交通大学 使用此研究级高性能的PLD系统（购买5套）， 望我们高性能价格比的PLD为广大科研人员提供帮助！！具体配置:一， 超高真空腔体二， 分子泵三， 激光扫描系统四， 衬底加热铂金片，最高可达1200度五，基板加热构造设计六， 基板加热电源七， Rheed八， Rheed软件九， 多靶位 ，标准配置6个1英寸靶十，Load-Lock样品传输腔体技术参数：一， 靶。数量6个，大小1-2英寸，被激光照射时可自动旋转，靶的选择可通过步进电机控制。二， 基板。采用适合于氧气环境铂金加热片，大小2英寸，加热温度可达1200摄氏度，温度差3%，加热时基板可旋转，工作环境最大压力是300mtorr。三， 基板加热电源。四， 超高真空成膜室腔体。不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-7 pa。五， 样品传输室。不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-5 pa。六， 排气系统。分子泵和干式机械泵，进口知名品牌。七， 阀门。采用超高真空挡板阀。八， 真空检测。真空计采用进口产品九， 气路两套。采用气体流量计（MFC）。十， 薄膜成长监控系统。采用扫描型Rheed（可差分抽气）。十一， 监控软件系统。基板温度的监控和设定，基板和靶的旋转，靶的更换。十二， 各种电流导入及测温端子。十三， 其它各种构造各种超高真空位移台，磁力传输杆，超高真空法兰，超高真空密封垫圈，超高真空用波纹管等。另外我公司注重发展和销售大面积的PLD 系统和电子束蒸发器和溅射沉积。目前，公司提供以下物理气相沉积系统和元件产品：? 大面积脉冲激光沉积系统? 脉冲激光沉积元件包括靶材操纵器和智能窗? 电子束蒸发系统? 磁控和/或离子束溅射系统? 组合沉积系统? 定制的基底加热器产品具有如下基本特点：1. 系统可根据客户的特殊要求设计，操作简单方便。可使用大尺寸靶材生长大面积薄膜，基底的尺寸直径可从50mm 到200mm2. 电抛光腔体，主腔呈方形，其前部是铰链门，方便更换基底和靶材3. 双轴磁性耦合旋转靶材操纵器，可手动或计算机控制选定靶材。磁力杆传送基底到基底旋转器上，可手动或电动降低旋转器，实现简单快速地更换4. 主腔室预留备用的腔口，如用于观察靶材和基底，安装原子吸收或发射光谱仪、原位椭偏仪、离子枪或磁控溅射源、残留气体分析器和离子探针或其他的元件等等5. 系统使用程序化的成像链(Optical Train) ，包括聚焦透镜、反射镜台、动力反射镜支撑架和智能视窗等，无需频繁地校准光学组件。在激光通过大直径靶材时可使其光栅扫描化（rastering），以获得均匀性的薄膜。智能视窗不仅可精确监视沉积过程中的靶材激光注入量（OTLF），而且可长时间保持激光束光路的清洁6. 系统使用特有的黑体基底加热设计，高温下（950°C）可与银胶兼容使用 根据PLD 客户的不同需求，提供以下型号：1．NANO PLD2．PLD 30003．PLD 50004．PLD 80005．PLD T100其中NANO PLD 系统简单、紧凑，具有多种功能，非常适合小型的研发实验室，大面积 PLD 系统包括PLD 3000，PLD5000，PLD8000 非常适合于大的公共机构，政府实验室和国防机构的研发和试制生产。PLD T100 系统也就是高温超导带涂层系统非常适合于生产高温超导带和线缆，目前已有两套系统卖到日本知名的国际超导产业技术研究中心超导工学研究所（SRL-ISTEC），而且在高温超导线缆中获得了记录电流密度，创高温超导线材创新记录。 大面积PLD 的每个系统的具体一些参数如下：系统最大基底尺寸靶材数目靶材尺寸最大基底温度温度的均匀性靶材和基底之间的最大距离Nano-PLD2 inches (50 mm)32 inch (75mm)850°C/950°C±4°C100mmPLD30003 inches (75mm)34 inch (100 mm)850°C/950°C±3°C127mmPLD50005 inches(125mm)36 inch (150mm)850°C/950°C±4°C152mmPLD80008 inches(200mm)312 inch(300mm)750°C/800°C±7°C203mm这些型号的设备适用于以下的客户群：1) 高温超导研发-----合成新的高温超导材料或者微调高温超导材料2) 高温超导工业研发-----高温超导线缆和带沉积，移动通信的微波过滤器，电力分配网的错误电流限制器，超导磁能存储器(SMES)，超导量子干涉磁量仪元素制作，超导电子配件，磁共振成像应用，磁悬浮如火车3) 铁电材料和设备-----使用大面积的PLD 研发4) 电-光和光学材料-----电镀铬材料，电-光材料如PLZT, BST 等5) 电介材料---如AlN 薄膜6) 硬质薄膜----如TiCxN(1-x) 薄膜7) 透明导电氧化物 (TCO) 沉积8) 测辐射热敏元素生产商----用于热跟踪的热探测，热成像，热度量衡等9) 制备新材料特别是功能陶瓷10) 制备纳米粒子11) 基质辅助脉冲激光蒸发(MAPLE)聚合物薄膜12) 制备用于MRAMs 和录音磁头上GMR 的铁磁材料等

脉冲激光沉积系统-PLD型号：AP-PLD230 脉冲激光沉积系统(PLD)是将脉冲激光导入真空腔内照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume状等离子体状态，然后被堆积到设在对面的基板上而成膜。PLD方法可以获得拥有热力学理论上准稳定状态的组成和构造的人工合成薄膜材料。 我们PLD系统拥有最好的性能价比, 用户用最少的钱买到研究级高性能的纯进口PLD系统。技术参数配置:1.靶: 数量6个，大小1-2英寸，被激光照射时可自动旋转，靶的选择可通过步进电机控制 2.基板:采用适合于氧气环境铂金加热片，大小2英寸，加热温度可达1200摄氏度，温度差3%，加热时基板可旋转，工作环境最大压力是300mtorr 3.基板加热电源，最高到1200度 4.超高真空成膜室腔体:不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-7 Torr 5.样品传输室:不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-5 pa 6.排气系统:分子泵和干式机械泵 7.阀门: 采用超高真空挡板阀 8.真空检测:真空计 9.气路两套: 采用气体流量计控制 10.薄膜生长监控系统: 采用扫描型差分RHEED 11.监控软件系统:基板温度的监控和设定，基板和靶的旋转，靶的更换等 12.各种电流导入及测温端子 13.其它各种构造:各种超高真空位移台，磁力传输杆，超高真空法兰，超高真空密封垫圈，超高真空用波纹管等

产品概述：高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统主要由溅射真空室、旋转靶台、抗氧化基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。设备用途：高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研。真空室结构:球形结构 真空室尺寸:Ф300mm 极限真空度:≤6.67E-5Pa 沉积源:Φ30mm,每次可装4块靶材，可实现公转换靶位；每块靶材可自转，转速5～60转/分； 样品尺寸，温度:1英寸，最高800℃ 占地面积（长x宽x高）:约1.8米x0.97米x1.9米 电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性：≤±5% 特色参数 :

脉冲激光沉积系统PLD-400是高校和科研院所常用的氧化物和多组分薄膜沉积设备,该设备具有简单可靠、运行稳定的特点。脉冲激光沉积系统PLD-400标配6个1inch靶材,靶材可以原位更换,配合RHEED和准分子激光器可以实现高质量薄膜的沉积。晶圆尺寸：2 inch极限真空：5×10-9mbar温控：RT-1200°C靶台数量：6个1inch 靶材，公自转设计激光源：可选准分子激光器可选：低温泵、自动传输、反应溅射、膜厚仪、工艺菜单、高压RHEED等

PLD技术在薄膜制备方面的优势和特点:脉冲激光沉积技术是目前火热薄膜制备技术, 利用PLD技术制备薄膜具有很好的可控性和可设计性, 可通过控制材料成分、激光能量密度、气压、气体、基底材料、沉积角度等, 来实现薄膜的各种功能和结构. 另外, PLD 可以在室温下进行沉积 然而, 目前PLD还有一些技术和工程上的难题需要解决, 例如, PLD会出现相爆炸等效应, 引起大颗粒飞溅, 从而增大薄膜的表面粗糙度, 降低薄膜质量 另外, 大面积均匀沉积也是目前PLD实现大规模工业化生产的一大瓶颈 芬兰Pulsedeon的ColdAb技术基于皮秒, 飞秒短脉冲激光薄膜沉积技术, 可从源头遏制引起薄膜不均匀的微粒及飞溅效应, 且配合独特的设计和功能配置, 从而被证实在制备大面积高质量薄膜方面有优势, 且可实现全自动产业化.凭借这些技术特点, Pulsedeon受邀成为欧盟LISA锂硫电池, PulseLion全固态电池项目中PLD薄膜沉积工艺参与者.PLD制备高性能薄膜拥有很多的优势，总结如下:1）PLD制备的薄膜材料类型非常广泛。由于高能量密度的激光可以烧蚀大多数材料，包括难融材料和特殊材料，并且材料之间还可以组合成复合材料，这又提高了可制备材料体系的丰富度，因此脉冲激光制备的薄膜材料不受材料类型的限制，拥有庞大的材料体系。2）PLD制备的薄膜结构和形貌可控。PLD可以通过控制激光能量密度、背景气压、背景气体种类、基底材料种类、基底温度、沉积倾斜角度等参数实现对产物结构和形貌的控制，实现不同晶体结构、不同疏松度形貌、不同颗粒形状尺寸薄膜的制备，这使得薄膜性能具有很好的可调控性。3）利用PLD的保组分性能够很容易地实现薄膜成分控制，易获得期望化学计量比的多组分薄膜，有利于制备多元复杂化合物和合金薄膜。4）薄膜生长所需的基底温度相对较低，且与基底结合力强。由于高能量密度的脉冲激光轰击的原子(离子)具有很高的能量，不需要很高的基底温度就可以在基底表面自由迁移，因此与传统方法相比，PLD的薄膜生长温度更低，甚至可以在室温下沉积高质量的薄膜，在不耐高温的柔性基底上沉积薄膜以制备柔性器件。5）沉积效率高。文献中所报道的PLD沉积效率可达10 μm/min以上。欧盟PulseLion全固态锂电电池应用案例：PulseLion项目获得了欧盟地平线及欧盟研究与创新计划的资助, 并联合全欧固态电池行业中知名的15个研究单位及企业, 致力于解决行业技术瓶颈并将第四代全固态电池技术大规模制造产业化 该项目中PLD作为工艺关键一环, 其应用是薄锂金属阳极、高离子导电率固态电解质及隔膜层和缓冲膜等关键技术解决方案均由Pulsedeon公司供应. 除了PLD薄膜沉积工艺外, 其高品质靶材也由Pulsedeon制备供应.欧盟LISA锂硫电池应用案例：欧盟LISA新型固态锂硫电池项目, 致力于解决固态锂硫电池稳定产业化瓶颈, Pulsedeon作为薄膜沉积技术参与者, 提供了从实验级到产业级的PLD相关技术工艺和材料, 其中包括 “集流体及隔膜上多个工艺多层薄膜沉积” “金属锂阳极制备沉积” “陶瓷薄膜沉积层的制备” “固态电解质的制备及优化工艺” “用于R2R PLD中试涂层生产的SSE” “锂硫电池实验级到产业化大面积薄膜沉积制备工艺”等环节.

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

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脉冲激光沉积系统-PLD型号：AP-PLD230 脉冲激光沉积系统(PLD)是将脉冲激光导入真空腔内照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume状等离子体状态，然后被堆积到设在对面的基板上而成膜。PLD方法可以获得拥有热力学理论上准稳定状态的组成和构造的人工合成薄膜材料。 我们PLD系统拥有最好的性能价比, 用户用最少的钱买到研究级高性能的纯进口PLD系统。技术参数配置:1.靶: 数量6个，大小1-2英寸，被激光照射时可自动旋转，靶的选择可通过步进电机控制 2.基板:采用适合于氧气环境铂金加热片，大小2英寸，加热温度可达1200摄氏度，温度差3%，加热时基板可旋转，工作环境最大压力是300mtorr 3.基板加热电源，最高到1200度 4.超高真空成膜室腔体:不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-7 Torr 5.样品传输室:不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-5 pa 6.排气系统:分子泵和干式机械泵 7.阀门: 采用超高真空挡板阀 8.真空检测:真空计 9.气路两套: 采用气体流量计控制 10.薄膜生长监控系统: 采用扫描型差分RHEED 11.监控软件系统:基板温度的监控和设定，基板和靶的旋转，靶的更换等 12.各种电流导入及测温端子 13.其它各种构造:各种超高真空位移台，磁力传输杆，超高真空法兰，超高真空密封垫圈，超高真空用波纹管等

PLD激光脉冲沉积技术NPD-4000（A）全自动PLD脉冲激光沉积系统机制：PLD的系统设备简单，相反，它的原理却是非常复杂的物理现象。它涉及高能量脉冲辐射冲击固体靶时，激光与物质之间的所有物理相互作用，亦包括等离子羽状物的形成，其后已熔化的物质通过等离子羽状物到达已加热的基片表面的转移，及最后的膜生成过程。所以，PLD一般可以分为以下四个阶段：1. 激光辐射与靶的相互作用2. 熔化物质的动态3. 熔化物质在基片的沉积4. 薄膜在基片表面的成核（nucleation）与生成在第一阶段，激光束聚焦在靶的表面。达到足够的高能量通量与短脉冲宽度时，靶表面的一切元素会快速受热，到达蒸发温度。物质会从靶中分离出来，而蒸发出来的物质的成分与靶的化学计量相同。物质的瞬时溶化率大大取决於激光照射到靶上的流量。熔化机制涉及许多复杂的物理现象，例如碰撞、热，与电子的激发、层离，以及流体力学。在第二阶段，根据气体动力学定律，发射出来的物质有移向基片的倾向，并出现向前散射峰化现象。空间厚度随函数cosnθ而变化，而n1。激光光斑的面积与等离子的温度，对沉积膜是否均匀有重要的影响。靶与基片的距离是另一个因素，支配熔化物质的角度范围。亦发现，将一块障板放近基片会缩小角度范围。第三阶段是决定薄膜质量的关键。放射出的高能核素碰击基片表面，可能对基片造成各种破坏。下图表明了相互作用的机制。高能核素溅射表面的部分原子，而在入射流与受溅射原子之间，建立了一个碰撞区。膜在这个热能区（碰撞区）形成后立即生成，这个区域正好成为凝结粒子的最佳场所。只要凝结率比受溅射粒子的释放率高，热平衡状况便能够快速达到，由於熔化粒子流减弱，膜便能在基片表面生成。NPD-4000（A）全自动PLD脉冲激光沉积系统概述：该系统为PC计算机全自动控制的立柜式系统，具有占地面积小、性价比高的优点。占地面积尺寸为26"x42"x44"。不锈钢立柜，带Auto Load/Unload自动上下载片功能，带预真空锁。NPD-4000（A）全自动PLD脉冲激光沉积系统主要优点：1. 易获得期望化学计量比的多组分薄膜，即具有良好的保成分性；2. 沉积速率高，试验周期短，衬底温度要求低，制备的薄膜均匀；3. 工艺参数任意调节，对靶材的种类没有限制；4. 发展潜力巨大，具有极大的兼容性；5. 便于清洁处理，可以制备多种薄膜材料。

PLD激光脉冲沉积技术NPD-4000（M）PLD脉冲激光沉积系统机制：PLD的系统设备简单，相反，它的原理却是非常复杂的物理现象。它涉及高能量脉冲辐射冲击固体靶时，激光与物质之间的所有物理相互作用，亦包括等离子羽状物的形成，其后已熔化的物质通过等离子羽状物到达已加热的基片表面的转移，及最后的膜生成过程。所以，PLD一般可以分为以下四个阶段：1. 激光辐射与靶的相互作用2. 熔化物质的动态3. 熔化物质在基片的沉积4. 薄膜在基片表面的成核（nucleation）与生成在第一阶段，激光束聚焦在靶的表面。达到足够的高能量通量与短脉冲宽度时，靶表面的一切元素会快速受热，到达蒸发温度。物质会从靶中分离出来，而蒸发出来的物质的成分与靶的化学计量相同。物质的瞬时溶化率大大取决於激光照射到靶上的流量。熔化机制涉及许多复杂的物理现象，例如碰撞、热，与电子的激发、层离，以及流体力学。在第二阶段，根据气体动力学定律，发射出来的物质有移向基片的倾向，并出现向前散射峰化现象。空间厚度随函数cosnθ而变化，而n1。激光光斑的面积与等离子的温度，对沉积膜是否均匀有重要的影响。靶与基片的距离是另一个因素，支配熔化物质的角度范围。亦发现，将一块障板放近基片会缩小角度范围。第三阶段是决定薄膜质量的关键。放射出的高能核素碰击基片表面，可能对基片造成各种破坏。下图表明了相互作用的机制。高能核素溅射表面的部分原子，而在入射流与受溅射原子之间，建立了一个碰撞区。膜在这个热能区（碰撞区）形成后立即生成，这个区域正好成为凝结粒子的最佳场所。只要凝结率比受溅射粒子的释放率高，热平衡状况便能够快速达到，由於熔化粒子流减弱，膜便能在基片表面生成。NPD-4000（M）PLD脉冲激光沉积系统概述：该系统为PC计算机全自动控制的立柜式系统，具有占地面积小、性价比高的优点。占地面积尺寸为26"x42"x44"。不锈钢立柜，可以选择Auto Load/Unload配置。NPD-4000（M）PLD脉冲激光沉积系统主要优点：1. 易获得期望化学计量比的多组分薄膜，即具有良好的保成分性；2. 沉积速率高，试验周期短，衬底温度要求低，制备的薄膜均匀；3. 工艺参数任意调节，对靶材的种类没有限制；4. 发展潜力巨大，具有极大的兼容性；5. 便于清洁处理，可以制备多种薄膜材料。

仪器简介：基质辅助脉冲激光沉积系统（MAPLE）是海军研究实验室于1994年开发的，使用准分子激光器沉积聚合物薄膜。多年来，基质辅助脉冲激光沉积系统已经有了很大的发展。商用基质辅助脉冲激光沉积系统现在很容易配备红外激光器和多目标机械手。中科院宁波材料所于2014年1月向我司订购一台MAPLE系统，该系统为国内首台“基质辅助脉冲激光沉积系统”！系统技术指标：最大衬底尺寸One 2-inch diameter substrate or multiple small samples. Larger substrates and custom substrate holders are available on request.最大衬底温度：300°C typical, but other heaters are available.MAPLE靶材温度： -194°C (80 K)压力操作范围：Base pressure depends strongly on polymer/solvent mix and the solvent vapor pressureMAPLE靶材尺寸：Single 1.5” diameter target standard, larger targets available on request.靶材到衬底(Throw) 距离：Variable from 2.5 to 4 inches光栅路径长度：Across complete MAPLE target标准的激光束射向靶材入射角度：60°主腔体本底真空：P 5 x 10-7 Torr guaranteed with system at room temperature and no polymer/solvent mix.真空腔体：Box style chamber with easy substrate / target changes.激光波长：2.9 microns (Er:YAG laser), other lasers/wavelengths available on request.VIS/NIR Resonant PLD/MAPLE System可见/近红外共振PLD/MAPLE系统

基质辅助脉冲激光蒸发(MAPLE)是PLD的一种变体。这是由NRL集团新引入的技术，以促进某些功能有机材料的薄膜沉积。基于UV (5-6 eV)的传统PLD技术中，光化学反应可能会恶化有机分子、聚合物等的功能。而在MAPLE中，通过将待沉积的有机物(或聚合物)与吸收激光波长的溶剂(基质)混合来制备特殊的靶。除了光学吸收外，在沉积条件下的高蒸气压是基质的先决条件。然后用液氮冷却液体目标物，使其冻结为固体。激光辐射主要被目标的高挥发性、冷冻的溶剂(基质)分子吸收，这些分子随后从固体目标中脱离，捕获和带走感兴趣的有机分子。在它们向基片传输的过程中，高挥发性的基质分子被抽走，将有机分子输送到基片上沉积薄膜。它成功弥补了传统 PLD的缺陷。特点独立的MAPLE PLD系统。有机和聚合物薄膜的沉积。在同一室的附加沉积源(可选):脉冲电子沉积(PED)、射频/直流溅射和直流离子源。负载锁定基底阶段。与XPS分析系统集成，晶片就地从PLD系统转移到分析系统应用领域脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition）是一种用途广泛的薄膜沉积技术。脉冲激光快速蒸发靶材，生成与靶材组成相同的薄膜。PLD 的独特之处是能量源（脉冲激光）位于真空室的外面。这样，在材料合成时，工作压力的动态范围很宽，达到10-10 Torr ~ 100 Torr。通过控制镀膜压力和温度，可以合成一系列具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒。另外，PLD 是一种“ 数字” 技术，在纳米尺度上进行工艺控制（?/pulse）。• Neocera 在PLD 设备与工艺开发方面具有不可超越的经验• Pioneer 系列PLD 系统是全球研发领域最为广泛使用的商业化系统• Neocera 不仅为客户提供最基本的PLD 系统，也提供完整的PLD 实验室交钥匙方案技术参数1. PLD真空室尺寸：12 " / 18”直径(Pioneer 120-Advanced/ Pioneer 180 Models).2. 衬底尺寸：最大直径2“和/或多种1厘米x1厘米的样品。3. 衬底加热：最高500℃，拥有可编程的加热器。4. 基底旋转：20 RPM。软件控制。5. 目标阶段：液氮冷却；单目标阶段为标准；多个目标(可选)6. 真空装夹：衬底负载制动7. 工业废气：按要求处理气体。50 - 100 SCCM mfc电池8. 软件：Windows 7/Labview 2013。

产品简介基质辅助脉冲激光蒸发(MAPLE)是PLD的一种变体。这是由NRL集团新引入的技术，以促进某些功能有机材料的薄膜沉积。基于UV (5-6 eV)的传统PLD技术中，光化学反应可能会恶化有机分子、聚合物等的功能。而在MAPLE中，通过将待沉积的有机物(或聚合物)与吸收激光波长的溶剂(基质)混合来制备特殊的靶。除了光学吸收外，在沉积条件下的高蒸气压是基质的先决条件。然后用液氮冷却液体目标物，使其冻结为固体。激光辐射主要被目标的高挥发性、冷冻的溶剂(基质)分子吸收，这些分子随后从固体目标中脱离，捕获和带走感兴趣的有机分子。在它们向基片传输的过程中，高挥发性的基质分子被抽走，将有机分子输送到基片上沉积薄膜。它成功弥补了传统 PLD的缺陷。产品特点独立的MAPLE PLD系统。有机和聚合物薄膜的沉积。在同一室的附加沉积源(可选):脉冲电子沉积(PED)、射频/直流溅射和直流离子源。负载锁定基底阶段。与XPS分析系统集成，晶片就地从PLD系统转移到分析系统应用领域脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition）是一种用途广泛的薄膜沉积技术。脉冲激光快速蒸发靶材，生成与靶材组成相同的薄膜。PLD 的独特之处是能量源（脉冲激光）位于真空室的外面。这样，在材料合成时，工作压力的动态范围很宽，达到10-10 Torr ~ 100 Torr。通过控制镀膜压力和温度，可以合成一系列具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒。另外，PLD 是一种“ 数字” 技术，在纳米尺度上进行工艺控制（?/pulse）。• Neocera 在PLD 设备与工艺开发方面具有不可超越的经验• Pioneer 系列PLD 系统是全球研发领域最为广泛使用的商业化系统• Neocera 不仅为客户提供最基本的PLD 系统，也提供完整的PLD 实验室交钥匙方案技术参数1. PLD真空室尺寸：12 " / 18”直径(Pioneer 120-Advanced/ Pioneer 180 Models).2. 衬底尺寸：最大直径2“和/或多种1厘米x1厘米的样品。3. 衬底加热：最高500℃，拥有可编程的加热器。4. 基底旋转：20 RPM。软件控制。5. 目标阶段：液氮冷却；单目标阶段为标准；多个目标(可选)6. 真空装夹：衬底负载制动7. 工业废气：按要求处理气体。50 - 100 SCCM mfc电池8. 软件：Windows 7/Labview 2013。

脉冲激光沉积系统(PLD)、激光分子束外延设备(L-MBE) 设备简介：产地：美国NBMPLD是将脉冲激光透过合成石英窗导入真空腔内照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume状等离子体状态，然后被堆积到设在对面的基板上而成膜。PLD方法可以获得拥有热力学理论上准稳定状态的组成和构造的人工合成新材料。 我司PLD特点：我们PLD系统拥有最好的性能价比,具有以下优异的性能:主真空室腔体直径18英寸，本底真空可达高真空：9X10E-9 Torr（要用Load-lock）。主真空室抽气系统前级泵采用无油干泵★基片加热温度最高可达1200℃。基片台可360度旋转（转速1-20rpm可调）。★基片与靶之间方位采用靶在下方，基片在上方，均水平放置。基片与靶间距沿Z轴（即垂直地面方向）可调。6个装靶的坩埚（或靶盘），各坩埚之间要求相互隔离，不互相污染。★激光器：Coherent 公司COMPexPro 201：Wavelength: 248 nm (KrF)；Pulse Energy：700mJ；Max. Rep. Rate ：10 Hz；Energy stability (one sigma) : 1%； Average Power: 5W；Pulse Duration: 25 ns；Beam Dimensions(V×H): 24×10 mm；Beam Divergence(V×H): 3×1 mrad.★Load Lock System一套（装样-送样系统一套），采用transferengineering公司（Transfer Engineering and Manufacturing, Inc）的，本底真空1×10-5Pa，带相应的分子泵。同一Load Lock系统既可以传递靶又可以传递基片，可两者间切换操作。设备及光学台可联接在一起，始终保持腔体和激光束位置稳定。支撑腿带可调节的转轮，方便在地面整体（包括腔体系统和激光器）同时移动与固定。具体配置: 一， 超高真空腔体 二， 分子泵 三， 激光扫描系统 四， 衬底加热铂金片，最高可达1200度 五， 基板加热构造设计 六， 基板加热电源 七， Rheed 八， Rheed软件 九， 多靶位 ，标准配置6个1英寸靶 十， Load-Lock样品传输腔体技术参数：1. 靶：数量6个，大小1-2英寸，被激光照射时可自动旋转，靶的选择可通过步进电机控制。2. 基板：采用适合于氧气环境铂金加热片，大小2英寸，加热温度可达1200摄氏度，温度差3%，加热时基板可旋转，工作环境最大压力是300mtorr。3. 基板加热电源。4. 超高真空成膜室腔体：不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-7 pa。5. 样品传输室：不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-5 pa。6. 排气系统：分子泵和干式机械泵，进口知名品牌。7. 阀门：采用超高真空挡板阀。8. 真空检测：真空计采用进口产品9. 气路两套：采用气体流量计（MFC）。10. 薄膜成长监控系统：采用扫描型Rheed（可差分抽气）。11. 监控软件系统：基板温度的监控和设定，基板和靶的旋转，靶的更换。12. 各种电流导入及测温端子。13. 其它各种构造：各种超高真空位移台，磁力传输杆，超高真空法兰，超高真空密封垫圈，超高真空用波纹管等。感谢河南师范大学国家重点实验室, 清华大学先进材料重点实验室，北京大学微电子系 华中科技大学材料学院 使用此研究级高性能的PLD系统， 望我们高性能价格比的PLD为广大科研人员提供帮助！！

产品简介激光 MBE 是普遍采用的术语，该法是一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的 PLD 与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用，用户提供了类似于 MBE 的薄膜生长的单分子水平控制。正确的设计是成功使用 RHEED 和 PLD 的重要因数RHEED 通常在高真空（10 -6 torr）环境下使用。然而，因为在某些特殊情况下，PLD 采用较高的压力，差动抽气是必要的，维持 RHEED 电子枪的工作压力，同时保持 500 mTorr 的 PLD 工艺压力。同时，设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。Neocera 激光 MBE 系统可以添加客户定制系统，比如超高真空激光衬底加热器，用于集成原位分析系统（XPS/ARPERS 等）。样品可以简单地从激光 MBE/PLD 系统传送到超高真空 XPS/ARPERS等）。样品可以简单地从激光 MBE/PLD 系统传送到超高真空 XPS/ARPERS 系统。我们会根据客户需求提供优质的脉冲激光沉积方案和专业的技术服务。产品特点独立的MAPLE PLD系统有机和聚合物薄膜的沉积在同一室的附加沉积源(可选): 脉冲电子沉积(PED)，射频/直流溅射和直流离子源Load-lockable衬底阶段与XPS分析系统集成，直接将晶片从PLD系统转移到分析系统技术参数1.PLD腔尺寸:12 " /18 "直径(Pioneer 120-Advanced/ Pioneer 180型号)2.衬底尺寸:1厘米× 1厘米(激光加热器) 直径2”(辐射加热器)3.衬底加热:1000 ℃(激光加热器)；850℃(辐射加热器)4. 目标旋转：直径 6 x 1 "或3 x 2 "5.工业气体:氧气和氮气100 SCCM的mfc6. 软件:Windows 7/Labview 20137. RHEED电子枪与软件:a.射柱电压：30keV；b.运行压力:500 mTorr/氧；c. RHEED屏幕/快门。d. CCD摄像机和数据采集软件

价格电议氦质谱检漏仪脉冲激光沉积系统 PLD 检漏脉冲激光沉积系统 PLD脉冲激光沉积系统 Pulsed laser deposition 是制备高通量多晶薄膜, 外延薄膜和多层异质结构和超晶格结构的物理气相沉积设备, 通常需要保证本底真空度达到 10-8mbar, 同时高真空环境对系统配置的 RHEED 及温控系统等关键设备的寿命也至关重要.脉冲激光沉积系统 PLD 需要检漏原因PLD 系统需要高真空环境, 腔室是否有泄露, 是否有内部材料放气等因素对实现高真空及超高真空很关键. 因此需要对整个系统进行泄漏检测. 氦质谱检漏仪利用氦气作为示踪气体可精确定位, 定量漏点. 因此广泛应用于 PLD 设备检漏.脉冲激光沉积系统 PLD 检漏客户案例: 上海伯东某客户 PLD 设备用来制备各种材料, 为了保证产品质量, 采购氦质谱检漏仪 ASM 340 搭配使用.生长多层膜（TiN/ALN）结构, 各层膜厚度可调高通量制备具有不同材料成分的100种材料PLD 制备的 Ag 的纳米多孔材料脉冲激光沉积系统 PLD 检漏方法 采用真空模式检漏, 通过波纹管连接需要检漏的腔体, 设定好需要的漏率值 在怀疑有漏的地方喷氦气（一般需要检漏的部位是焊缝或连接处）,如果有漏,检漏仪会出现声光报警同时在屏幕上显示当前漏率值.上海伯东推荐 Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 340 三种类型可选型号ASM 340 WETASM 340 DASM 340 I对氦气的最小检测漏率, 真空模式5E-13 Pa m3/s5E-13 Pa m3/s5E-13 Pa m3/s检测模式真空模式和吸枪模式真空模式和吸枪模式真空模式和吸枪模式检测气体4He, 3He, H24He, 3He, H24He, 3He, H2对氦气的抽气速度 l/s2.52.52.5进气口最大压力 hPa25255前级泵抽速 m3/h油泵 15隔膜泵 3.4不含前级泵重量 kg564532结合了 Pfeiffer 与 Adixen 两家检漏仪的技术优势, 德国 Pfeiffer 推出全系列新型号氦质谱检漏仪, 从便携式检漏仪到工作台式检漏仪满足各种不同的应用. 氦质谱检漏仪替代传统泡沫检漏和压差检漏, 利用氦气作为示踪气体可精确定位, 定量漏点. 氦质谱检漏仪满足单机检漏, 也可集成在检漏系统或 PLC. 推荐氦质谱检漏仪应用 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 欢迎联络上海伯东

●SVT SMART（Scientific Materials and Applied Research Tool）脉冲激光沉积系统具有独一无二的优越性。它可以把激光烧蚀技术和我们所拥有的其他沉积技术（如RF源）集成于一台设备上。可以生长各种可能的材料。● 配有6个旋转靶台，实现多层薄膜结构生长。● 可与准分子激光和Yag激光相连。● 在线监控仪器做为可选件，为客户提供高质量的工艺信息反馈。● 装载室不但可以装取样品，还可以与其他生长设备或分析设备相连。 应用● 多元素复合氧化物● 高温超导材料● 磁性材料、金属材料● 低蒸汽压材料● MEMS 基本系统腔室及真空泵 12’’ 快速门，250l/s 分子泵，全量程规 沉积源 靶台，6X1’’(25mm) 靶，可以水平旋转，可Z方向移动 样品台 1’’(25mm)大小，可加热至800oC（1000oC可选），可水平旋转，可Z方向移动 在线工艺监控 石英晶振沉积速率监控仪 自动化自动化装置： 控制样品温度和旋转 靶台的位置控制 靶台旋转 气体控制 速率及厚度计算（利用QCM输出） 激光束扫描（可选） 激光束屏蔽控制 自动泵抽和充气 差分泵抽结构 RHEED分析（可选） 装载室压强监控（可选） 主要特点RF射频等离子源(氧,氮)升级高真空增加进样室升级为Laser-MBE （L-MBE）系统自动软件控制提供更洁净的薄膜生长环境,完美的温度控制解决方案.

产品简介Pioneer 180 PLD系统是一款用于在各种衬底上制备多种材料的高质量外延薄膜、多层异质结构和超晶格的交钥匙PLD系统。该PLD系统与 Pioneer 120 Advanced PLD System系统的主要区别在于，具有更大的沉积模块，有助于 Pioneer 120 Advanced PLD System可能有限的一些升级。Pioneer 180 PLD系统集成了兼容氧的辐射加热台。加热器可兼容1大气压(760托)的氧气，这是一种特性助于制备外延氧化膜，即满足了(i)沉积在氧气中，(ii)沉积后退火在氧气中，以及在接近1大气压的氧气中冷却。衬底连续旋转，并可以负载锁定。Pioneer 180 PLD系统包括一个自动多目标旋转、目标光栅和软件控制的多层和超晶格沉积所需的目标选择。闭环压力控制提供了使用质量流量控制器的精确过程压力控制。干式泵是由机械隔膜泵或涡旋泵支持的涡轮分子泵组合而成。该系统软件(Windows 7, LabView 2013)控制基材加热器，目标转盘，过程压力，系统泵和激光触发。由于衬底可以转移，多种选择变得可行。这些包括但不限于将PLD系统与各种其他沉积平台(如特高压溅射系统)集成，也与特高压分析系统(如XPS/ARPES等)集成。产品特点• 外延薄膜、多层异质结构和超晶格的沉积。• 使用原位RHEED诊断技术沉积纳米级薄膜。• 氧化膜沉积的氧相容性。• 升级:离子辅助PLD，组合型PLD，目标衬底负载锁定。• 其他沉积源:脉冲电子沉积(PED)，射频/直流溅射，直流离子枪。• 与XPS /ARPES特高压集群工具集成，原位特高压晶片转移。• 原位诊断:低角度x射线光谱学(LAXS)和离子能光谱学(IES)。技术参数Pioneer240Pioneer180 Pioneer120A最大wafer 直径8”6”2”最大靶材数量6 个1” 或3 个2”6 个1” 或3 个2”6 个1” 或3 个2”压力(Torr) *5*10-85*10-95*10-9真空室直径24”18”12”基片加热器360°旋转360°旋转360°旋转最高样品温度850 ℃850 ℃（升级1000 ℃）950 ℃Turbo 泵抽速*（liters/sec）700软件控制400软件控制260软件控制计算机控制包括包括包括基片旋转包括包括选件基片预真空室包括选件选件扫描激光束系统包括选件-靶预真空室包括选件-IBAD 离子束辅助沉积选件选件选件CCS 连续组成扩展选件选件-高压RHEED选件选件选件520 liters/sec 泵N/A选件-... ...