离子束抛光系统

【Gatan】697 Ilion II Datasheet 宽束氩离子抛光系统 品牌： GATAN 名称型号：氩离子抛光系统Ilion II 697制造商： GATAN公司经销商：欧波同有限公司产品综合介绍 产品功能介绍氩离子抛光系统是一个用于样品的截面制备及平面抛光的桌面型制样设备，以便样品在SEM及其它设备上进行检测分析。可利用IlionII进行抛光加工的材料种类十分广泛，包括由多元素组成的试样，以及具有不同的机械硬度、尺寸和物理特性的合金、半导体材料、聚合物和矿物等。如焊缝截面，集成电路焊点，多层薄膜截面，颗粒、纤维断面，复合材料、陶瓷、金属及合金、岩石矿物及其他无机非金属等各种材料的SEM、EBSD样品。品牌介绍美国Gatan公司成立于1964年并于70年代末进入中国市场。Gatan公司以其产品的高性能及技术的先进性在全球电镜界享有极高声誉。作为世界领先的设计和制造用于增强和拓展电子显微镜功能的附件厂商，其产品涵盖了从样品制备到成像、分析等所有步骤的需求。产品应用范围包括材料科学、生命科学、地球物理学、电子学，能源科学等领域， 客户范围涵盖全球的科研院所，高校，各类检测机构及大型工业企业实验室，并且在国际科学研究领域得到了广泛认同。经销商介绍欧波同有限公司是中国领先的微纳米技术服务供应商，是一家以外资企业作为投资背景的高新技术企业，总部位于香港，分别在北京、上海、辽宁、山东等地设有分公司和办事处。作为蔡司电子显微镜、Gatan扫描电子显微镜制样设备及附属分析设备在中国地区最重要的战略合作伙伴，公司秉承“打造国内最具影响力的仪器销售品牌”的经营理念，与蔡司，Gatan品牌强强联合，正在为数以万计的中国用户提供高品质的产品与国际尖端技术服务。 产品主要技术特点氩离子抛光系统采用两支具有低能聚集的小型潘宁离子枪，可提供快速柔和的抛光效果。低至100eV的离子束提供更柔和的抛削效果，用于样品的终极抛光。新型低能聚焦电极使得离子束的直径在几乎整个加速电压范围内都保持恒定。每个枪都可准确独立地将离子束对中在样品上，从而产生极高的离子抛光速率。在操作过程中，可随时改变枪的角度。通过控制气体流量可将枪电流变化范围控制在0~100mA之间。在触摸屏上通过手动或者自动方式调节气体流量使每个枪的工作电流得到最优化。 集成的10英寸彩色触摸屏计算机可对Ilion II的所有操作参数进行完全控制。此界面不仅可以设定所有参数并能够监控抛光过程。所有的操作参数还可以存为配方，调用配方可获得高精度重复实验。 涡轮分子泵搭配两级隔膜泵保证了超洁净环境。Gatan专利的气动控制Whisperlock技术能实现快速样品交换（ 1分钟），省去了换样过程中必须完全泄真空至大气的烦恼。1. 气锁装置实现快速样品交换、始终保持洁净的高真空状态2. 10英寸触摸屏可对系统进行完全控制与监测3. 配方模式的控制界面，用于一键操作4. 质量流量控制器提供精确和可重复的氩离子电流的控制5. 枪电压范围为100V到8000V的三元（阴极、阳极与聚焦极）构造潘宁离子枪6. 每个枪的抛光角度可调范围为-10度~10度，增量为0.1度7. 扇形抛光角度可变且可程序化，范围从10度~90度8. 离子枪无需零件更换，寿命超过30,000小时9. Gatan专利的样品/挡板配置，装样简单，再次抛光位置准确10. 独特的离子束调制功能，可进行扇形抛光和平面抛光11. 洁净的真空系统，分子泵与隔膜泵搭配12. 操作简单，维护方便 抛光前- 俯视SEM图CuInSe2样品 抛光90S后SEM 图 CuInSe样品 产品主要技术参数： 1、 离子枪：两个配有稀土磁铁的三元构造（阴极、阳极与聚焦极）潘宁离子枪，聚焦离子束设计,高性能无耗材2、 抛光角度： +10° 到 -10° ，每个离子枪可独立调节3、 离子束能量：100 V 到 8.0 kV4、 离子束流密度：10 mA/cm2 峰值5、 抛光速度：300 μm/h（8.0 kV条件下对于硅试样）4.2样品台6、 样品装载： Ilion专利的样品挡板, 装样简单，再次抛光位置准确，可重复使用，配合Sample Stub可直接转至SEM中观察 7、样品旋转：0.5到6 rpm连续可调8、束流调制：独特的离子束调制功能，可进行扇形截面抛光（扇形角度为10到90度可调）和平面抛光。9、样品观察：数码变焦显微镜，配有PC及Digital Micrograph软件采集图像，通过Gatan Digital Micrograph软件可进行实时成像（300x–2,200x）与图像存储和分析10、液氮冷台：配置液氮冷台，样品最低温度可达-120°C,有效减少离子束对样品造成的损伤 4.3真空系统11、干泵系统：两级隔膜泵支持80升/秒的涡轮分子泵12、压力：5x10-6 托基本压力，8.5x10-5托工作压力13、真空规：冷阴极型，用于主样品室；固体型，用于前级机械泵14、样品空气锁： 独特的Whisperlok设计，样品更换时间1Min，无需破样品室真空4.4用户界面15、10 英寸触摸屏： 操作简单，且能够完全程序化控制所有参数可进行配方操作。16、配方操作模式：自定义不同的加工参数组合，实现一键操作。 产品主要应用领域： EBSD样品制备截面样品制备金属材料（合金，镀层）石油地质岩石矿物光电材料化工高分子材料新能源电池材料电子半导体器件PCB电路版截面抛光SEM图镀锌钢板截面抛光Zn晶粒 Fe晶粒

氩离子截面抛光仪 (Cross Section Polisher，简称CP)，凝聚了日本电子科技人员多年的梦想与实践，是扫描电镜、电子探针、俄歇电镜、EBSD分析等应用领域变革性创新发明。自2004年日本电子发明该仪器以来，在全世界迅速普及。用CP切割截面的方法甚至已经成为一种加工方法-CP法被定义下来，在很多论文里度可以查到。氩离子截面抛光仪顾名思义是使用氩离子束轰击样品表面进行样品加工，用其他方法难以制备的样品，软硬材质混合的复合材料，都能够制备出完美光滑的截面。除了表面极为平整外，被加工区域变形小、损伤小、无异物介入、结构无破坏是其主要特点。2017年1月JEOL推出新一代可监控智能化加工产品，型号IB-19530CP，加工质量和方便性大大提高。

高性能与高灵活性兼备“Ethos”采用日立高新的核心技术--全球领先的高亮度冷场发射电子枪及新研发的电磁复合透镜，不但可以在低加速电压下实现高分辨观察，还可以在FIB加工时实现实时观察。SEM镜筒内标配3个探测器，可同时观察到二次电子信号的形貌像以及背散射电子信号的成分衬度像；可非常方便的帮助FIB找寻到纳米尺度的目标物，对其观察以及加工分析。 另外，全新设计的超大样品仓设置了多个附件接口，可安装EDS*1和EBSD*2等各种分析仪器。而且NX5000标配超大防振样品台，可全面加工并观察最大直径为150mm的样品。 因此，它不仅可以用于半导体器件的检测，而且还可以用于从生物到钢铁磁性材料等各种样品的综合分析。*1Energy Dispersive x-ray Spectrometer（能谱仪（EDS））*2Electron Backscatter Diffraction（电子背散射衍射（EBSD）） 核心理念1. 搭载两种透镜模式的高性能SEM镜筒HR模式下可实现高分辨观察（半内透镜）FF模式下可实现高精度加工终点检测（Timesharing Mode）2. 高通量加工可通过高电流密度FIB实现快速加工（最大束流100nA）用户可根据自身需求设定加工步骤3. Micro Sampling System*3运用ACE技术（加工位置调整）抑制Curtaining效应控制离子束的入射角度，制备厚度均匀的薄膜样品4. 实现低损伤加工的Triple Beam System*3采用低加速（Ar/Xe）离子束，实现低损伤加工去除镓污染5. 样品仓与样品台适用于各种样品分析多接口样品仓（大小接口）超大防振样品台（150 mm□）*3选配

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

价格货期电议KRI 考夫曼离子源典型应用 IBF 离子束抛光工艺 离子束抛光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐渐成为光学零件表面超精加工常用的最后一道工艺, 离子源是离子束抛光机的核心部件. 上海伯东美国 KRI 直流电源式考夫曼离子源 KDC 系列成功应用于光学镀膜离子束抛光机 IBF Optical coating 及晶体硅片离子束抛光机 IBF Clrystalline )工艺.考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼离子源内置型的设计更符合离子源于离子抛光机内部的移动运行. 上海伯东是美国 KRI 考夫曼离子源中国总代理.KRI 离子源离子束抛光实际案例一:1. 基材: 100 mm 光学镜片2. 离子源条件: Vb: 800 V ( 离子束电压 ), Ib: 84 mA ( 离子束电流 ) , Va: -160 V ( 离子束加速电压 ), Ar gas ( 氩气 ).离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图KRI 离子源离子束抛光实际案例二:1. 基材: 300 mm 晶体硅片2. 离子源条件: Vb: 1000 V ( 离子束电压 ), Ib: 69 mA ( 离子束电流 ), Va: -200 V ( 离子束加速电压 ) Ar gas ( 氩气 )离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图 KRI 离子源实际安装案例一: KDC 10 使用于光学镀膜离子束抛光机KRI 离子源实际安装案例二: KDC 40 使用于晶体硅片离子束抛光机上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 系列根据客户离子抛光工艺条件提供如下型号:型号KDC 10KDC 40KDC 75KDC 100KDC 160电压DC magnetic confinement - 阴极灯丝11222- 阳极电压0-100V DC电子束电子束- 栅极专用,自对准- 栅极直径1 cm4 cm7.5 cm12 cm16 cm 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

德国NTG公司有30年的离子束设备研发和生产经验，是专业的离子束抛光机制造商，在世界范围拥有众多的知名用户。产品型号IBF100，IBF200，IBF300，IBF450，IBF500，IBF700以及超大型IBF1500，IBF2000等。加工精度PV值最高达1/100波长，RMS 1nm,最大加工直径2000mm.详细信息：0216148208013501902109w.zhang@oec-shangh.com

徕卡三离子束切割仪您是否需要制备硬的，软的，多孔，热敏感，脆性和/或非均质多相复合型材料，获得高质量样品表面，以适宜于扫描电子显微镜(SEM)分析和原子力显微镜(AFM)检测。 Leica EM TIC 3X 的宽场离子束研磨系统非常适合能谱分析EDS、波谱分析WDS、俄歇分析Auger、背散射电子衍射分析EBSD。离子束研磨技术是一个适用于任何材质样品，获得高质量切割截面或抛光平面的解决方案。使用该技术对样品进行处理，样品受到形变或损伤的可能性低，可暴露出样品内部真实的结构信息。徕卡三离子束切割仪 可以灵活选择多种样品台，不仅适用于高通量实验，也适合于特定制样需求实验室。依据您具体需求，每一台Leica EM TIC 3X都可装配多种可切换样品台，如标准样品台、三样品台、旋转样品台或冷冻样品台，应用于常规样品制备，高通量样品制备，以及某些高分子聚合物，橡胶或生物材料等温度极敏感样品制备。其与Leica EM VCT环境传输系统相连接，可以实现将冷冻的生物样品表面受保护地被真空冷冻传输进入镀膜仪或冷冻扫描电镜(Cryo-SEM中，或者应用于地质或工业材料样品，实现真空传输。操控性能方面创新特点：★★★ 可获得高质量切割截面，区域尺寸可达4x1mm★★★ 多样品台设计可一次运行容纳三个样品★★★ 可容纳大样品尺寸为50x50x10mm或直径38mm★★★ 可简易准确地完成将样品安装到载台上以及调节与挡板相对位置的校准工作★★★ 通过触摸屏进行简单操控，不需要特别的操作技巧★★★ 样品处理过程可实时监控，可以通过体视镜或HD-TV摄像头观察★★★ LED4分割照明，便于观察样品和位置校准★★★ 内置式，解耦合设计的真空泵系统，提供一个无振动的观察视野★★★ 可在制备好的平整的切割截面上可再进行衬度增强作用，即离子束刻蚀处理★★★ 几乎适用于任何材质样品，使用冷冻样品台，挡板和样品温度可降至-160℃★★★ 通过USB即可进行参数和程序的上传或下载★★★ 一体化解决方案，大大节约用户的干预时间高效所谓真正的高效是一台离子束研磨仪既可以获得高质量结果，又可高通量制样。除了散焦三离子束超越传统，使样品制备结果优化并有效缩减工作时间，我们将离子束研磨速率提高至原来的2倍。一次运行可容纳三个样品。使用一款样品台就既可实现离子束切割又可离子束抛光。一体化解决方案确保样品被安全而高效地转移至后续制备设备或分析仪器中。灵活：装配您的系统现在的科研实验室往往寻求快速简单的样品制备方法同时又不放弃高质量高标准要求。Leica EM TIC 3X三离子束切割仪的创新技术正为这一类有着高期望值的实验室提供解决方案，以实现你们的目标。根据应用需求，Leica EM TIC 3X可以由您装配用于标准类型样品制备，高通量样品制备以及特殊的热敏感型样品在低温下样品制备（如聚合物、橡胶，甚至生物材料等）。样品可被真空冷冻传输进入冷冻扫描电镜Cryo-SEM为满足个性化应用需求，共提供五种可切换样品台:★★ 旋转样品台 ★★ 三样品台 ★★ 标准样品台 ★★ 冷冻样品台 ★★ 真空冷冻传输对接台与制样流程的兼容性使用一款样品载台，样品可以从Leica EM TXP精研一体机中机械预制备，Leica EM TIC 3X中离子束研磨，再到SEM中检测都保持原位。另外，Leica EM TIC 3X可以用来制备环境敏感型样品，例如将Leica EM VCM放置于手套箱中，这类预制备好的样品可以不更换样品载台，通过Leica EM VCT传输舱被直接传输进入带有VCT接口的离子研磨仪Leica EM TIC 3X中。经过离子束加工后，样品可以不暴露到空气环境中，再直接被转移进入后续步骤技术手段。例如进Leica EM ACE600进行镀膜，和/或SEM检测。可复制的结果Leica EM TIC 3X 三离子束切割仪可制备横切面和抛光表面，用于扫描电子显微镜 (SEM)、微观结构分析 (EDS、WDS、Auger、EBSD) 和 AFM 科研工作。使用 Leica EM TIC 3X，您几乎可以在室温或冷冻条件下，对任何材料实现高品质的表面处理，尽可能显示样品近自然状态下的内部结构。

IMP220离子减薄抛光仪配置两把宽束氩离子枪，可为透射电镜样品制备离子减薄样品，也可对平整表面样品进行直径20mm以上的大面积离子束抛光，去除表面污染、机械划痕和应力损伤层。两把宽束氩离子枪，更低的样品热损伤和非晶化损伤Long Scope IMP220 的宽束氩离子枪对样品进行离子减薄，可获得比聚焦型离子枪更低损伤和更大可观察面积的薄区，选配冷冻台附件可高质量加工热敏感材料样品。大样品仓和样品台移动范围，兼顾离子减薄和离子抛光Long Scope IMP220配置多种样品台，适用常温或冷冻条件下的离子减薄，和用于扫描电镜样品的大面积离子束抛光，兼顾广泛类型的材料电镜样品。配置真空冷冻样品转移仓，真空或保护气氛条件下转移样品Long Scope IMP220通过真空冷冻样品转移仓装载、转移或卸载样品，维持样品仓处于高真空洁净状态，样品离子加工之后可在真空或保护气氛条件下转移至电镜仓内。

新版 EM TIC 3X 恪守我们的格言：与用户合作，使用户受益”，以注重实用性的方式将性能和灵活性理想融合。新版的 EM TIC 3X 切割速度翻倍，根据您的应用需求提供五种不同的载物台供您选择，实用性得到进一步提升。可复制的结果Leica EM TIC 3X 三离子束切割仪可制备横切面和抛光表面，用于扫描电子显微镜 (SEM)、微观结构分析 (EDS、WDS、Auger、EBSD) 和 AFM 科研工作。使用 Leica EM TIX 3X，您几乎可以在室温或冷冻条件下，对任何材料实现高品质的表面处理，尽可能显示样品近自然状态下的内部结构。1：SiC 研磨纸的横切面 l 2：胶合板的横切面 l 3：-120°C 条件下制备的同轴聚合物纤维 (溶于水) 4：通过 Leica EM TIC 3X (配旋转载物台) 处理展现的油页岩 (纳米孔)，总样品直径为 25 mm效率对于离子束研磨机的效率来说，真正重要的是同时具备出色的品质结果和高产量。与前代版本相比，全新版本不仅切割速度提高了一倍，其独特的三离子束系统还优化了制备质量，并缩短了工作时间。一次可处理样品多达 3 个， 并可在同一个载物台上进行横切和抛光。工作流程解决方案可安全、高效地将样品传输至后续的制备仪器或分析系统。灵活的系统 — 随时满足您的需求凭借可灵活选择的载物台，Leica EM TIC 3X 不仅是进行高产量处理的理想设备，还适用于委托检测的实验室。根据您的需求，可选择以下可互换的载物台对 Leica EM TIC 3X 进行个性化配置：● 标准载物台● 多样品载物台● 旋转载物台● 冷却载物台或● 真空冷冻传输对接台用于制备标准样品、高产量处理，以及在低温条件下制备对高温异常敏感的样品，例如聚合物、橡胶或生物材料。环境控制型工作流程解决方案凭借与 Leica EM TIC 3X 配套的 VCT 对接台接口，可为易受环境影响的样品和/或低温样品提供出色的刨平工作流程，此类样品包括● 生物材料， ● 地质材料● 或工业材料。随后，这些样品会在惰性气体/真空/冷冻条件下，被传输至我们的镀膜系统 EM ACE600 或 EM ACE900 和/或 SEM 系统。标准的工作流程解决方案 — 与 Leica EM TXP 产生协同效应在使用 Leica EM TIC 3X 之前，通常需要进行机械准备工作，以便尽可能接近感兴趣区域。Leica EM TXP 是一种独特的标靶面抛光系统，开发用于样品的切割和抛光，为 Leica EM TIC 3X 等仪器进行后续技术处理做好充分准备Leica EM TXP 经专业设计，利用锯切、铣削、研磨和抛光技术对样品进行预制。 对于需要精确定位以及难以制备的挑战性样品，它能提供出色的结果，令处理变得轻松简单。

效率和灵活性三离子束切割仪 Leica EM TIC 3X——新版 EM TIC 3X 恪守我们的格言：与用户合作，使用户受益”，以注重实用性的方式将性能和灵活性理想融合。最新的 EM TIC 3X 切割速度翻倍，根据您的应用需求提供五种不同的载物台供您选择，实用性得到进一步提升。For research use onlyLeica EM TIC 3X ‐ Ion Beam Slope Cutter可复制的结果Leica EM TIC 3X 三离子束切割仪可制备横切面和抛光表面，用于扫描电子显微镜 (SEM)、微观结构分析 (EDS、WDS、Auger、EBSD) 和 AFM 科研工作。使用 Leica EM TIX 3X，您几乎可以在室温或冷冻条件下，对任何材料实现高品质的表面处理，尽可能显示样品近自然状态下的内部结构。带来前所未有的便利！ 1：SiC 研磨纸的横切面 l 2：胶合板的横切面 l 3：-120°C 条件下制备的同轴聚合物纤维 (溶于水) l 4：通过 Leica EM TIC 3X (配旋转载物台) 处理展现的油页岩 (纳米孔)，总样品直径为 25 mm效率对于离子束研磨机的效率来说，真正重要的是同时具备出色的品质结果和高产量。与前代版本相比，全新版本不仅切割速度提高了一倍，其独特的三离子束系统还优化了制备质量，并缩短了工作时间。一次可处理样品多达 3 个， 并可在同一个载物台上进行横切和抛光。工作流程解决方案可安全、高效地将样品传输至后续的制备仪器或分析系统。灵活的系统 — 随时满足您的需求凭借可灵活选择的载物台，Leica EM TIC 3X 不仅是进行高产量处理的理想设备，还适用于委托检测的实验室。根据您的需求，可选择以下可互换的载物台对 Leica EM TIC 3X 进行个性化配置：标准载物台多样品载物台旋转载物台冷却载物台或真空冷冻传输对接台用于制备标准样品、高产量处理，以及在低温条件下制备对高温异常敏感的样品，例如聚合物、橡胶或生物材料。环境控制型工作流程解决方案凭借与 Leica EM TIC 3X 配套的 VCT 对接台接口，可为易受环境影响的样品和/或低温样品提供出色的刨平工作流程，此类样品包括生物材料， 地质材料或工业材料。随后，这些样品会在惰性气体/真空/冷冻条件下，被传输至我们的镀膜系统 EM ACE600 或 EM ACE900 和/或 SEM 系统。标准的工作流程解决方案 — 与 Leica EM TXP 产生协同效应在使用 Leica EM TIC 3X 之前，通常需要进行机械准备工作，以便尽可能接近感兴趣区域。Leica EM TXP 是一种独特的标靶面抛光系统，开发用于样品的切割和抛光，为 Leica EM TIC 3X 等仪器进行后续技术处理做好充分准备Leica EM TXP 经专业设计，利用锯切、铣削、研磨和抛光技术对样品进行预制。 对于需要精准定位以及难以制备的挑战性样品，它能提供出色的结果，令处理变得轻松简单。

效率和灵活性三离子束切割仪 Leica EM TIC 3X——新版 EM TIC 3X 恪守我们的格言：与用户合作，使用户受益”，以注重实用性的方式将性能和灵活性理想融合。最新的 EM TIC 3X 切割速度翻倍，根据您的应用需求提供五种不同的载物台供您选择，实用性得到进一步提升。For research use onlyLeica EM TIC 3X ‐ Ion Beam Slope Cutter可复制的结果Leica EM TIC 3X 三离子束切割仪可制备横切面和抛光表面，用于扫描电子显微镜 (SEM)、微观结构分析 (EDS、WDS、Auger、EBSD) 和 AFM 科研工作。使用 Leica EM TIX 3X，您几乎可以在室温或冷冻条件下，对任何材料实现高品质的表面处理，尽可能显示样品近自然状态下的内部结构。带来前所未有的便利！1：SiC 研磨纸的横切面 l 2：胶合板的横切面 l 3：-120°C 条件下制备的同轴聚合物纤维 (溶于水) l 4：通过 Leica EM TIC 3X (配旋转载物台) 处理展现的油页岩 (纳米孔)，总样品直径为 25 mm效率对于离子束研磨机的效率来说，真正重要的是同时具备出色的品质结果和高产量。与前代版本相比，全新版本不仅切割速度提高了一倍，其独特的三离子束系统还优化了制备质量，并缩短了工作时间。一次可处理样品多达 3 个， 并可在同一个载物台上进行横切和抛光。工作流程解决方案可安全、高效地将样品传输至后续的制备仪器或分析系统。灵活的系统 — 随时满足您的需求凭借可灵活选择的载物台，Leica EM TIC 3X 不仅是进行高产量处理的理想设备，还适用于委托检测的实验室。根据您的需求，可选择以下可互换的载物台对 Leica EM TIC 3X 进行个性化配置：标准载物台多样品载物台旋转载物台冷却载物台或真空冷冻传输对接台用于制备标准样品、高产量处理，以及在低温条件下制备对高温异常敏感的样品，例如聚合物、橡胶或生物材料。环境控制型工作流程解决方案凭借与 Leica EM TIC 3X 配套的 VCT 对接台接口，可为易受环境影响的样品和/或低温样品提供出色的刨平工作流程，此类样品包括生物材料， 地质材料或工业材料。随后，这些样品会在惰性气体/真空/冷冻条件下，被传输至我们的镀膜系统 EM ACE600 或 EM ACE900 和/或 SEM 系统。标准的工作流程解决方案 — 与 Leica EM TXP 产生协同效应在使用 Leica EM TIC 3X 之前，通常需要进行机械准备工作，以便尽可能接近感兴趣区域。Leica EM TXP 是一种独特的标靶面抛光系统，开发用于样品的切割和抛光，为 Leica EM TIC 3X 等仪器进行后续技术处理做好充分准备Leica EM TXP 经专业设计，利用锯切、铣削、研磨和抛光技术对样品进行预制。 对于需要精准定位以及难以制备的挑战性样品，它能提供出色的结果，令处理变得轻松简单。

COXEM CP-8000+ 氩离子抛光是一种先进的样品制备工具，可使用氩离子束蚀刻样品的横截面。 该过程避免了物理变形和结构损坏，不需要复杂的化学过程。此外，该系统通过处理从几十微米到几毫米的大面积，简化了样品的横截面分析。 特 点● 每小时 700 μm 的高蚀刻速率（基于 Si，8 kV）● 能够保存/加载常用的配方● 具有自动执行功能的逐步操作配方● 使用智能样品架轻松装载样品● 通过腔室摄像头实时观察离子束状态和蚀刻状态● 便捷的操作——直观的GUI和简单的触摸屏● 通过离子束自动开/关功能减少热损伤● 使用内置数字显微镜通过离子束快速方便地对准样品● 配备低噪、隔振、无油隔膜泵● 具备平面铣削功能，可进行大面积平面蚀刻 CP抛光基本原理机械抛光 VS CP抛光 如果使用机械抛光装置进行抛光，由于物理损伤和污染，很难检查横截面的确切状态，但当使用离子束通过 CP 进行横截面加工时，可以观察微表面结构，样品无结构损坏和污染。 FIB 抛光 VS CP抛光 与聚焦离子束 (FIB) 相比，使用 CP-8000+ 蚀刻同一样品的截面时，您可以在更短的时间内蚀刻更宽的横截面，从而极大地节省时间和成本。 以下图像是同一样本在同一时间段内以两种不同方式（FIB 和 CP）铣削的结果。 数码显微镜 使用数字显微镜，可以通过屏幕轻松对准离子束的位置和样品的位置。仓室内摄像头 您可以通过腔室内的摄像头检查离子束的状态，并实时检查截 面蚀刻的程度。自动离子束开/关模式 该功能旨在通过根据设置的离子束开/关计时器打开和关闭离子束，减少离子束造成的热损伤。在蚀刻聚合物和纸张等热敏样品时，它对于获得准确的横截面条件非常有用。配方模式 常用的蚀刻条件可以存储在配方列表中，以便在需要时轻松应用设置值。此外，还可以使用分步模式来存储多个配方并自动执行它们来蚀刻样品。 平面抛光模式 CP-8000+ 可以使用专用支架在平面上处理样品。 当样品安装在专用支架上并使用平面铣削功能时， 离子束会基于旋转中心轴蚀刻几个平方毫米的区域。 在此刻，由于抛光速度、面积和深度根据离子束 撞击样品表面的入射角而变化，因此应通过旋转和调整样品的角度来实现均匀的表面抛光。 由于离子束照射的面积较大，可以蚀刻氧化层或异物，因此可用于大面积样品的预处理。 产品参数 加速电压2 to 8kV抛光速率700㎛ /h (at 8kV on Si wafer)样品台摆动角度±35° 尺寸20(W) × 10(L) × 5.5(T)mm16(W) × 10(D) × 9.5(H)mm样品移动范围X axis movement : ±1.5mm / Y axis movement : ±2mm平面样品台倾斜角度范围40° to 80°平面台样品尺寸Ø 30 × 11.4(H)mm操作方式7 inch 触控屏用于样品定位的数码显微镜Mag. x5, x10, x20, x40 用于监控的室摄像机Mag. x5, x10, x20, x404档亮度调节离子束观察模式(LED Off离子枪气体Argon gas (99.999%)气压0.1 Mpa (14.5psi)气压控制Mass Flow Control真空系统分子泵, 隔膜泵外形尺寸607(W) × 472(D) × 277.5(430.5)(H) mm重量主机 36kg / 隔膜泵 6.5kg 特点Auto Beam On/Off modeStep by step mode

IBE离子束刻蚀系统NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品概述： NANO-MASTER的离子束刻蚀系统具有很强的适应性，可根据不同的应用而按不同的配置进行建构。多样的样片夹具和离子源配置可支持用户不同的应用。用于离子束系统（或称离子铣系统）的样片夹具可以支持±90°倾斜、旋转、水冷和背氦冷却。 NANO-MASTER技术已经展示了可以把基片文库保持在50°C以内的能力。通过倾斜和旋转，可以刻蚀出带斜坡的槽，并且改善了对侧壁轮廓和径向均匀度的控制。 不同的选配项可以用于不同的网格配置以及中和器。溅射选配项可以支持对新刻蚀金属表面的涂覆，以防氧化。此外，还可以选配单晶圆自动上下片功能。NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品特点：优化的14”立方的电抛光不锈钢腔体水冷±90°自动倾斜旋转基片夹具带不锈钢气体管路及气动截止阀的MFC 直流离子源1cm-16cm 6”基片的刻蚀均匀度±1.2% 能够控制基片温度在50°C以内 26”x44”占地面积的不锈钢柜体，非常适用于百级超净间 基于计算机的全自动工艺控制，菜单驱动 LabVIEW友好用户界面 EMO和安全互锁NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品选配：光谱终点监测系统背氦冷却21”立方的电抛光不锈钢腔体自动上下片1200L/Sec涡轮分子泵冷泵配置增加MFC用于反应气体实现RIBE栅格式RFICP离子源中空阴极或灯丝中和器溅射源用于钝化层沉积NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品应用：III-V族光学元件激光光栅高深宽比的光子晶体刻蚀SiO2，Si和金属的深槽刻蚀

1、离子平面抛光和离子切割一体化技术，一套系统实现两种模式，无需复杂的切换流程，简洁方便。2、动态离子切割技术，实现样品的往复平移和旋转，最大切割长度达10mm，有效减少投影/遮挡效应。3、超大的平面抛光装载尺寸50X25mm(直径x高)，为原位实验等大尺寸样品提供可能。4、能量0.5-10kv连续可调，既可满足低能区减少非晶层，又可兼顾高能区大幅提高制样效率。粗校准 → 样品抛光 → 观察抛光结果 01将样品装入切割样品台，放入粗校准仪中进行校准，使样品平面与挡板平行，样品待切割面比离子束挡板上沿高出 10-200𝜇 𝑚 。 02校准成功后将样品放入工作仓中，选择切割模式，点击每个离子枪的“步骤设置”，设置电压、电流和持续时间；选择“线性距离”，数值为样品半径或半宽。各参数均确认无误后，开启离子枪。 03 待设置的时间结束后，样品抛光完成，点击“返回常压“，取出样品即可进行后续电镜实验观察。

氩离子截面抛光仪 (Cross Section Polisher，简称CP)，凝聚了日本电子科技人员多年的梦想与实践，是扫描电镜、电子探针、俄歇电镜、EBSD分析等应用领域变革性创新发明。自2004年日本电子发明该仪器以来，在全世界迅速普及。用CP切割截面的方法甚至已经成为一种加工方法-CP法被定义下来，在很多论文里度可以查到。氩离子截面抛光仪顾名思义是使用氩离子束轰击样品表面进行样品加工，用其他方法难以制备的样品，软硬材质混合的复合材料，都能够制备出完美光滑的截面。除了表面极为平整外，被加工区域变形小、损伤小、无异物介入、结构无破坏是其主要特点。2017年1月JEOL推出新一代可监控智能化加工产品，型号IB-19530CP，加工质量和方便性大大提高。

●不再手持物料研磨, 不再人工设定研磨机与抛光各项参数●系统自动取放物料, 对物料进行粗磨, 细磨,清洗以及抛光●自动控制研磨机与抛光机开关, 自动设定研磨的尺寸与精度●系统自动记录物料所有数据, 用于后续分析●可按要求将数据自动上传至实验室主系统

多功能离子减薄仪EM RES102Leica EM RES102 通过离子枪激发获得离子束，以一定入射角度对样品进行轰击，以去除样品表面原子，从而实现对样品的离子束加工。Leica EM RES102主要功能为：对无机薄片样品进行离子减薄，使得薄片样品可被透射电子穿过，从而适宜TEM透射电子显微镜观察；对无机块状样品进行离子束抛光、离子束刻蚀，样品表面离子清洗及斜坡切割，便于SEM扫描电子显微镜观察样品内部结构信息。* 具有2把离子枪，离子束能量为0.8keV-10keV，相对位置，可分别±45°倾斜，样品台倾斜角度-120°至 210°，离子束加工角度0°至90°，样品平面摆动角度360°， 垂直摆动距离±5mm。实际操作参数根据具体应用需要选择（系统备有参考参数，也可自行设置参数并存储）* 可选配样品台：TEM样品台（?3.0mm或?2.3mm），FIB样品清洗台，SEM样品台，斜坡切割样品台（对样品35°或90°斜坡切割）等* SEM样品台可容纳最大样品尺寸：直径25mm，高度12mm* 全无油真空系统，样品室带有预抽室，保证样品交换时间1分钟* 全电脑控制，触摸屏操作界面，内置视频观察系统，可实时观察样品处理过程

产品详情Nano-master 离子束刻蚀溅射镀膜一体机 NOC-4000 NANO-MASTER 的 NOC 系列光学镀膜系统提供最先进的原子级清洗、抛光以及光学镀膜技术。 光学样片放置于一个腔体种进行原子级清洗和抛光处理，之后自动传送到第二个腔体中进行光学镀膜，这个过程无需间断真空。系统也可以独立使用其中的一个腔体，每一个都可以实现各自的自动上/下载片功能。 紧凑型设计，占地面积仅为 46”x44”，不锈钢立柜。 工艺过程通过触摸屏 PC 和 LabView 软件，可实现全自动的 PC控制，具有高度的可重复性，且具有友好的用户界面。系统具有完整的安全联锁，提供四级密码授权访问保护，含： 。操作者权限：运行程序。 工艺师权限：添加/编辑和删除程序。 工程师权限：可独立控制子系统，并开发程序。服务权限：NM 工程师故障诊断和排除 真空系统包含涡轮分子泵和机械泵，极限真空可达到 5 x10-7Torr。涡轮分子泵与腔体之间的直连设计，系统可获得最佳的真空传导率，基本可以达到 15 分钟可达到工艺真空，8 小时达到腔体极限真空。腔体压力调节通过 PC 自动控制涡轮速度而全自动调节，快速稳定。 在第一个腔体中通过离子束可达到原子级的清洗，离子源安装在腔体顶部，离子源配套 2KV，300mA 的电源。样品台配套 4”或 6”基片夹具、水冷，并可对着离子束流实现+900C 到-900C 旋转。系统配套气动遮板，使得工艺运行前稳定离子束流。 根据应用需要可以升级离子源，以支持更大尺寸晶圆片的处理。 第二个腔体可以根据应用需要配套 ALD、PECVD、磁控、电子束蒸镀、热蒸镀等镀膜。 膜厚监控仪校准后可实现原位膜厚测量，可以工艺时间或工艺膜厚为工艺终点条件，系统支持设定目标膜厚，当达到设定的目标膜厚时全自动结束工艺。水冷保护晶振夹具，膜厚和沉积速率以及晶振寿命可显示，可存储高达 100 个膜厚数据。 系统的两个腔体均配套单片的 Auto L/UL，可实现自动进样、对准、出样，在不间断工艺真空情况下连续处理样片。Load Lock腔体带独立真空系统和真空计，通过 PC 全自动监控。两个腔体之间可以互相传送样片。整个过程计算机全自动控制。 应用：。光学镀膜。 Sputterint 溅射。IBAD 离子束辅助沉积。离子束刻蚀清洗。 离子束辅助反应性刻蚀。 红外镀膜。表面处理 设备特点：。RF 射频偏压样品台。 膜厚原位监测。 极限真空 5 x 10-7Torr。 最佳的真空传导率设计，具有快速真空能力。 PC 全自动控制，超高的精度及可重复性。 高质量薄层。原子级的超净表面。 原子级清洗和抛光。 LabView 软件的 PC 控制系统。 自动上/下载片。 两个腔体可以分别独立使用并实现自动上下载片。 两腔体之间自动传送，双向传送支持。 菜单驱动，密码保护。 安全互锁。 占地面积 46”D x 44”W 系统可选：。 向下/向上溅射。共溅射。DC, RF 以及脉冲电源。离子束辅助沉积。 电子束源。热蒸镀。等离子源。 ALD 沉积或 PECVD 沉积

日立新型FIB… 智能聚焦离子束系统 IM4050自1986年以来，通过多年的fIB经验，MI 4050被赋予了高度稳定的离子源，所建立的离子光学使锐利的光束剖面和高束电流能够成像各种功能。 DED功能涵盖对FIB的广泛需求，如气体化学MI 4050可以帮助您推进您的研究和开发。MI 4050特征经过验证的聚焦离子束技术既能实现高分辨率、高对比度的SIM成像，又能快速、大面积FIB铣削。良好的梁稳定性，级精度和控制软件允许高精度的自动铣削加工。微采样系统和低压FIB能力支持现场高质量TEM样品制备。大电流FIB使铣削面积更大，材料更坚硬，并且比以往任何时候都更高的吞吐量。高通量离子研磨有助于减少像树脂emb这样的样品准备步骤。 编辑和机械抛光。此外，也可以避免因抛光而产生的样品应变或分层。最大电流为90 nA的高性能FIB高分辨率、高对比度SIM成像。保证了4nm的高分辨率。高对比度SIM从低放大率成像到高放大率。自动切割的三维结构分析用微取样法制备现场高质量TEM样品微取样系统主要特点： 1.高效率、高质量加工，二次离子分辨率：4nm@30kV2.高分辨、高衬度SIM成像3.全自动TEM样品制备 4.大尺寸样品加工 应用领域： 1.纳米材料微加工2.半导体及电子元器件材料3.生命科学

氩离子截面抛光仪 (Cross Section Polisher，简称CP)，凝聚了日本电子科技人员多年的梦想与实践，是扫描电镜、电子探针、俄歇电镜、EBSD分析等应用领域变革性创新发明。自2004年日本电子发明该仪器以来，在全世界迅速普及。用CP切割截面的方法甚至已经成为一种加工方法-CP法被定义下来，在很多论文里度可以查到。氩离子截面抛光仪顾名思义是使用氩离子束轰击样品表面进行样品加工，用其他方法难以制备的样品，软硬材质混合的复合材料，都能够制备出完美光滑的截面。除了表面极为平整外，被加工区域变形小、损伤小、无异物介入、结构无破坏是其主要特点。2017年1月JEOL推出新一代可监控智能化加工产品，型号IB-19530CP，加工质量和方便性大大提高。

产品名称：离子束刻蚀系统品牌：Elionix型号：EIS-200关键词标签：离子束蚀刻，干法蚀刻，离子束轰击，离子束减薄简短描述：（40字）：利用ECR技术产生高能Ar+离子束，Ar+离子束通过电场加速，对样品进行物理的轰击达到刻蚀作用。一、简介EIS-200是Elionix推出的一款基于电子回旋共振技术（ECR）的小型离子束蚀刻系统，特别适合于科研用离子束刻蚀、减薄，清洗、镀膜等。EIS-200原理：利用ECR技术产生高能Ar+离子束，Ar+离子束通过电场加速到达样品表面，对样品进行物理的轰击达到刻蚀作用。EIS-200具有以下优点：? 方向性好，各向异性，陡直度高，侧向刻蚀少? 分辨率高? 不受刻蚀材料限制，可对石英等材料进行蚀刻? 可控制蚀刻Taper角? 可以设定多样的实验条件二、主要功能l 主要应用纳米级图案刻蚀高深宽比蚀刻表面清洁离子减薄l 技术能力离子枪ECR型离子枪离子化气体Ar、Xe等、惰性离子气体N2、O2、CF4等、活性离子气体加速电压100V～3000V 连续可变（高加速电压可选) (输出电流20mA MAX)离子束流密度Ar:1.5mA/cm2以上 (2kV加速時）O2:2.0mA/cm2以上 (2kV加速時）离子束有效直径Φ20mm（FWHM35mm)离子束稳定度±3％/2H大样品尺寸Φ4英寸三、应用纳米级图案刻蚀、高深宽比蚀刻、表面清洁、离子减薄等? SiO2 on Si substrate? Diamond Substrate（金刚石）? Quartz (Mask)? Oriented PET film

Ion Beam离子束清洗NIE-3000 (C) 离子束清洗系统产品概述：该系统为手动放片取片，但通过计算机全自动实现工艺控制的台式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3000 (C) 离子束清洗系统产品特点：低成本离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3000 (C) 离子束清洗系统产品应用：表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀NIE-3000 (C) 离子束清洗系统 Features：Low CostIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3000 (C) 离子束清洗系统 Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

Ion Beam离子束清洗NIE-3500 (MC)离子束清洗系统产品概述：该系统为计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3500 (MC)离子束清洗系统产品特点：低成本离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3500 (MC)离子束清洗系统产品应用：表面清洗表面处理离子铣带活性气体的离子束刻蚀光栅刻蚀SiO2，Si和金属的深槽刻蚀NIE-3500 (MC)离子束清洗系统Features：Low CostIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3500 (MC)离子束清洗系统Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRi 射频离子源 RFICP 220上海伯东代理美国原装进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数: 阳极电感耦合等离子体2kW & 2 MHz射频自动匹配最大阳极功率1kW最大离子束流 1000mA电压范围100-1200V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2, 其他流量5-50 sccm压力 0.5mTorr离子光学, 自对准 OptiBeamTM离子束栅极22cm Φ栅极材质钼离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000, MHC 1000高度30 cm直径41 cm锁紧安装法兰10”CFKRI 射频离子源 RFICP 220 基本尺寸KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域：预清洗表面改性辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士

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Ion Beam离子束清洗NIE-3500 (AC)全自动离子束清洗系统产品概述：该系统为全自动上下载片，并且通过计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统产品特点：低成本带预真空锁，自动上下载片离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统产品应用：表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统Features：Low CostAuto Load/Unload with Load LockIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

多重离子束组织质谱成像系统-MIBIscope System多重离子束成像平台（MIBI）技术 1、颠覆性的多重组织成像平台，提供可操作的信息多重离子束组织质谱成像仪器应用于高精度空间蛋白质组学，基于多重离子束成像(MIBI)技术，MIBIscope系统可以在单次扫描中可视化40+蛋白标记物，并提供组织样本微环境的相关信息. 2、高精度空间蛋白质组学的标准 3、强劲的性能，可重复的结果，操作方便• 遵循标准的病理工作流程• 光学和SED图像引导ROI选项• 有限的实用需求和利用率• 大于104动态范围• 操作简单 不需要特别的专业知识 4、技术参数：获取时间：低分辨率 (1 μm)：9-35分钟高分辨率 (500 nm)：17-68分钟超高分辨率(350 nm)：35-139分钟用的生物标志物通道：40ROI区域：400x400 – 800x800 μm2抗体检测下限：1 (113In) - 16 (166Er)动态范围：5 log文件类型：TIFF链接：

NIE-4000 离子束刻蚀系统 NIR-4000 IBE/RIE 双刻蚀系统通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。 NANO-MASTER 拥有成熟的技术能力可以使基片温度保持在50°C 以下。通过倾斜和旋转，深沟可以切成斜角，通过控制侧壁轮廓和径向可提高均匀度。对于大尺寸的基片，我们配置线性离子源，通过扫描的方式，可以实现均匀的离子束刻蚀或反应离子束刻蚀。不同的构造不同的应用可选择不同的选配项，若要刻蚀之后马上涂覆，可以增加溅射选项。对于标准的晶圆片，也可选择自动装载卸载晶圆片。 工艺过程通过触摸屏电脑和 LabView 软件，可实现全自动的 PC控制，具有高度的可重复性，且具有友好的用户界面。 系统具有完整的安全联锁，提供四级密码授权访问保护，防止使用者越权使用，含：。 操作者权限：运行程序。工艺师权限：添加/编辑和删除程序。工程师权限：可独立控制子系统，并开发程序。服务权限：NM 工程师故障诊断和排除 系统支持不限数量的工艺菜单，每套工艺菜单可根据需要支持 1到 100 个工艺工序（步骤），可实现简单操作完成复杂的工艺。 系统标准配置包含涡轮分子泵和机械泵，极限真空可达到10-7 Torr 量级(可升级到 10-8Torr 量级)。分子泵与腔体之间的直连设计，系统可获得最佳真空传导率，12 小时达到腔体极限真空。腔体压力调节通过 PC 自动控制涡轮速度而全自动调节，快速稳定。双真空计配置，可实现真空的全局测量和精确测量。 对标准晶圆可支持单片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升级，可自动进样、对准、出样，在不间断工艺真空情况下连续处理样片。Load Lock 腔体配套独立真空系统，通过 PC 全自动监控。 若离子铣工艺之后需要马上进行反应离子刻蚀处理，NMC 技术可以双腔体系统，在一个系统的两个腔体内完成两种不同的工艺，若加上自动传输，还可实现整个处理过程都不打破彼此真空状态，实现非常高效的工艺处理 典型应用： 。 三族和四族光学元件。激光光栅。高深宽比的光子晶体刻蚀。在二氧化硅、硅和金属上深沟刻蚀。 微流体传感器电极及测热式微流体传感器 设备特点：。 24”x60”x10”长方或 14.5”立方型不锈钢离子束腔体。24”Wx10”H 或 8”测开门，带 2 个 2”观察视窗。支持 600X600mm 的基片(可定做更大尺寸)。 倒装磁控无栅无灯丝准直 60cm 线性离子源(离子枪)，1500-2500V，并且高达 1000mA，无需中和器。。 离子源均匀性可达+/-2.5%，操作压力1mTorr。与带栅极离子源相比更可靠，更低维护，更少污染。。 离子枪电源：4KV 电源。配套 Ar 和 CF4 MFC，支持 IBE 和 RIBE 刻蚀应用。 反应性气体通过靶枪的长度方向引入，均匀分布。冷却水冷却（背氦冷却可选）。 步进电机控制离子枪扫描或样品台旋转/倾斜。 手动或自动(自动仅对标准晶圆)上下载晶圆片。 配套 1200L/Sec 涡轮分子泵，串接 2021C2 机械泵，带 Fomblin 泵油。 极限真空可达 7×10-7 Torr。下游压力通过 PC 对分子泵涡轮速度的控制自动调节。SiN4 磁控溅射保护被刻蚀金属表面以防氧化(选配)。 基于 LabVIEW 软件的计算机全自动工艺控制。菜单驱动，密码保护，完全的安全联锁。紧凑型设计，占地面积仅 26”Dx66”W,节省空间 系统可选：。光谱终点探测器。氦气背部冷却。更大尺寸的电镀方形腔体。 自动装载/卸载。 低温泵组。 附加反应气体质量流量控制器。 格状射频电感耦合等离子体。 用于钝化层沉积的溅射源

产品详情IB-19530CP　截面样品制备装置 为了满足市场多样化的需求，IB-19530CP截面抛光仪采用多用途样品台，通过交换各种功能性样品座实现了功能的多样化。 主要技术指标离子加速电压2～8kV刻蚀速率500μm/h承载样品的最大尺寸11mm(宽度)×10mm(长度)×2mm(厚度)样品摆动功能刻蚀过程中，样品自动摆动±30° (专利：第4557130号)自动加工开始模式达到设定的压力值后可自动开始加工。间歇加工模式脉冲控制离子束流照射，可以抑制加工时产生的热量。精抛加工模式主加工结束后，自动开始精抛加工。 *产品外观及技术规格可能未经预告而有所变更。 产品特点：为了满足市场多样化的需求，IB-19530CP截面抛光仪采用多用途样品台，通过交换各种功能性样品座实现了功能的多样化。根据需要可以选择不同的功能性样品座，不仅能截面刻蚀，还可以进行平面刻蚀、离子束溅射镀膜等。 ◇ 高通量 通过配备高速离子源和利用自动开始加工功能，不需花费时间等待加工开始，短时间内就能刻蚀。◇ 自动加工程序 快速加工和精抛加工可以程序化，短时间内就能制备出高质量的截面。此外，利用间歇加工模式，还能抑制加工温度。◇ 设置简单 功能性样品座采用模块化设计，在光学显微镜（另售）下也能调整加工位置。◇ 多用途样品台 通过选择各种功能性样品座，不仅能截面刻蚀，还可以进行平面刻蚀、离子束溅射镀膜等。◇ 高耐久性遮光板 遮光板的耐久性是旧机型的3倍左右，能支持高速率加工和长时间刻蚀。

量子和纳米级材料工程的先进平台Q-One&trade 是最先进的聚焦离子束平台，用于先进的器件制造和纳米级材料工程。Q-One具有确定性单离子注入功能，是世界上第一台专门为满足量子研究的苛刻要求而设计的仪器。主要特点：高分辨率质量过滤聚焦离子束确定性单离子检测，检测效率高达98%可选择液态金属或等离子离子源一流的离子选择和广泛的植入物种类飞安级光束电流，可实现精确的单离子事件纳米级精密载物台，可处理高达 6 英寸的晶圆专有的注入和光刻软件确定性植入确定性单离子注入意味着以令人难以置信的精度将单个离子放入底物中，并知道已经发生了注入。Q-One使用超灵敏植入后检测系统技术来检测每次离子撞击时产生的信号。种类繁多Q-One提供广泛的植入元件。液态金属离子源（LMIS）技术在单个源中产生不同元素的多个离子，包括团簇和多电荷物种。有几种合金成分可供选择，包括硅、铒、钕、金和铋。利用我们多年的专业知识，我们确保每个源头都以最佳方式流动，以实现最大的稳定性。单独的等离子体离子源也可用于氢、氮、氧和其他气态元素。应用量子技术嵌入半导体矩阵中的单个杂质原子作为量子比特（量子比特）显示出巨大的前景。单离子注入能够产生大量相同的量子比特阵列，是可重复制造这些和其他量子器件的关键途径。然而，公差是极端的——每个原子必须非常精确地放置，有时距离其邻居只有20纳米。Q-One是唯一针对此应用而设计的工具，其规格针对这些极端要求。应用掺杂纳米材料Q-One不仅限于注入单个离子。将任何所需的离子剂量植入任何位置，甚至可以使用专有软件植入自定义区域或形状。掺杂纳米材料，如纳米线或具有不同元素的量子点，可以改变其性质。Q-One通过允许您靶向单个纳米材料并使用各种掺杂剂探索不同的行为，开辟了一个充满可能性的世界。应用离子光刻Q-One允许用户执行直接写入光刻，就像普通FIB一样，但种类范围更广，离子剂量控制更好。使用铋等重元素进行高效溅射，或使用氢等轻元素进行基于光刻胶的离子光刻，甚至包括单离子事件。如果没有检测每个注入事件的方法，就不可能精确地注入单个离子。系统提供速度和可扩展性，不需要复杂的预制。因此，您可以不受阻碍地选择植入物种类和目标材料。