离子束光刻系统

高性能与高灵活性兼备“Ethos”采用日立高新的核心技术--全球领先的高亮度冷场发射电子枪及新研发的电磁复合透镜，不但可以在低加速电压下实现高分辨观察，还可以在FIB加工时实现实时观察。SEM镜筒内标配3个探测器，可同时观察到二次电子信号的形貌像以及背散射电子信号的成分衬度像；可非常方便的帮助FIB找寻到纳米尺度的目标物，对其观察以及加工分析。 另外，全新设计的超大样品仓设置了多个附件接口，可安装EDS*1和EBSD*2等各种分析仪器。而且NX5000标配超大防振样品台，可全面加工并观察最大直径为150mm的样品。 因此，它不仅可以用于半导体器件的检测，而且还可以用于从生物到钢铁磁性材料等各种样品的综合分析。*1Energy Dispersive x-ray Spectrometer（能谱仪（EDS））*2Electron Backscatter Diffraction（电子背散射衍射（EBSD）） 核心理念1. 搭载两种透镜模式的高性能SEM镜筒HR模式下可实现高分辨观察（半内透镜）FF模式下可实现高精度加工终点检测（Timesharing Mode）2. 高通量加工可通过高电流密度FIB实现快速加工（最大束流100nA）用户可根据自身需求设定加工步骤3. Micro Sampling System*3运用ACE技术（加工位置调整）抑制Curtaining效应控制离子束的入射角度，制备厚度均匀的薄膜样品4. 实现低损伤加工的Triple Beam System*3采用低加速（Ar/Xe）离子束，实现低损伤加工去除镓污染5. 样品仓与样品台适用于各种样品分析多接口样品仓（大小接口）超大防振样品台（150 mm□）*3选配

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

JEOL高精度FIB JIB-PS500i的简介：1）超高分辨率：0.7nm(15kV）；1nm（1kV)2)超大束流至500nA3）离子束分辨率：3nm4) 离子束束流至100nA5）自动软件6）与透射电镜连接顺畅等

双束聚焦离子束扫描电镜 LYRA 基于高分辨率肖特基FEG-SEM镜筒和高性能聚焦离子束镜筒，LYRA3 FIB-SEM是一款SEM与FIB良好结合的一体化系统，能够满足高要求客户的需要。新一代场发射扫描电子显微镜（LYRA3）给用户带来了新的技术优点，包括改进的高性能电子设备使成像速度更快，包含了静态和动态图像扭曲补偿技术的超快扫描系统，内置的编程软件等，都使LYRA3保持着很高的性价比。LYRA3系列的设计适用于各种各样的SEM应用及当今研究和工业的需求。大电子束流下的高分辨率有利于EDX、WDX、EBSD、3维断层扫描等分析应用。借助于高性能软件，TESCAN的FIB-SEM已成为适合电子束/离子束光刻、TEM样品制备等应用的强大工具。LYRA3聚焦离子束扫描电子显微镜配备了XM与GM两种样品室。现代电子光路 独特的大视野光路设计提供各种工作与显示模式 以电磁的方式改变物镜光阑——中间镜的作用如同“光阑转换器” 结合了完善的电子光学设计软件的实时电子束追踪（In-Flight Beam Tracing™ ），可模拟和优化电子束 全自动镜筒设置与对中 成像速度很快 3维电子束技术提供实时立体图像 可选的电子束遮没装置提供了电子束光刻技术高性能离子光路 高性能CANION FIB设备提供既快又精确的切片与TEM样品制备技术 可选的高分辨率COBRA-FIB离子束设备在成像与铣削过程中依然保持很高的分辨率聚焦离子束装置 装有两套差异泵的独特离子束装置使离子散射效应较更低 马达驱动高重复性光阑转换器 电子束遮没装置与法拉第筒作为标配 同时可以进行离子刻蚀/沉积与SEM成像 FIB的操作软件集成在SEM软件 软件工具栏包括了基本形状与可编程的参数 微/纳米加工 离子束光刻维修简单只需要很短的停机检修时间，就能使得电镜长期保持在优化的状态。每个细节设计得非常仔细，使得仪器的效率zui大化，操作zui简化。自动程序自动设置和许多其他的自动化操作是设备的特点之一。除此之外，电镜还有样品台自动导航与自动分析 程序，能明显减少操作员的操作时间。通过内置脚本语言 （Python）可进入操作软件的大多数功能，包括显微镜控制、样品台控制、图像采集、处理与分析。通过脚本语言用户还可以编程其自己的自动操作程序。用户界面友好的软件与软件工具 多用户和多语言操作界面 图像管理与报告生成 内置的系统检查与系统诊断 网络操作与远程进入/诊断 模块化的软件结构 标准的软件模块包括：自动离子束控制、电子束写入基本版、同时的FIB/SEM成像、预定义FIB工作模式等软件工具 可选软件包括了：颗粒度分析标准版/专家版、3维表面重建等模块 电子束写入软件使聚焦离子束扫描电子显微镜成为能进行电子束曝光、电子束沉积、电子束刻蚀、离子束沉积、离子束减薄的强大工具 可选的3D Tomography软件提供使用FIB时的全自动连续SEM图像，三维重构与三维可视化LYRA3 GMLYRA 3 GM是一款完全由计算机控制的聚焦离子束场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统(GIS)， 有高真空和低真空两种模式，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟、用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等LYRA3 XMLYRA3 XM是一款完全由计算机控制的聚焦离子束场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统(GIS)，有高真空和低真空两种模式，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟、用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等特点。基于Windows™ 平台的操作软件提供了简易的电镜操作和图像采集，可以保存标准文件格式的图片，可以对图像进行管理、处理和测量，实现了电镜的自动设置和许多其它自动操作。

双束聚焦离子束扫描电镜 LYRA 基于高分辨率肖特基FEG-SEM镜筒和高性能聚焦离子束镜筒，LYRA3 FIB-SEM是一款SEM与FIB良好结合的一体化系统，能够满足高要求客户的需要。新一代场发射扫描电子显微镜（LYRA3）给用户带来了新的技术优点，包括改进的高性能电子设备使成像速度更快，包含了静态和动态图像扭曲补偿技术的超快扫描系统，内置的编程软件等，都使LYRA3保持着很高的性价比。LYRA3系列的设计适用于各种各样的SEM应用及当今研究和工业的需求。大电子束流下的高分辨率有利于EDX、WDX、EBSD、3维断层扫描等分析应用。借助于高性能软件，TESCAN的FIB-SEM已成为适合电子束/离子束光刻、TEM样品制备等应用的强大工具。LYRA3聚焦离子束扫描电子显微镜配备了XM与GM两种样品室。现代电子光路 独特的大视野光路设计提供各种工作与显示模式 以电磁的方式改变物镜光阑——中间镜的作用如同“光阑转换器” 结合了完善的电子光学设计软件的实时电子束追踪（In-Flight Beam Tracing™ ），可模拟和优化电子束 全自动镜筒设置与对中 成像速度很快 3维电子束技术提供实时立体图像 可选的电子束遮没装置提供了电子束光刻技术高性能离子光路 高性能CANION FIB设备提供既快又精确的切片与TEM样品制备技术 可选的高分辨率COBRA-FIB离子束设备在成像与铣削过程中依然保持很高的分辨率聚焦离子束装置 装有两套差异泵的独特离子束装置使离子散射效应较更低 马达驱动高重复性光阑转换器 电子束遮没装置与法拉第筒作为标配 同时可以进行离子刻蚀/沉积与SEM成像 FIB的操作软件集成在SEM软件 软件工具栏包括了基本形状与可编程的参数 微/纳米加工 离子束光刻维修简单只需要很短的停机检修时间，就能使得电镜长期保持在优化的状态。每个细节设计得非常仔细，使得仪器的效率zui大化，操作zui简化。自动程序自动设置和许多其他的自动化操作是设备的特点之一。除此之外，电镜还有样品台自动导航与自动分析 程序，能明显减少操作员的操作时间。通过内置脚本语言 （Python）可进入操作软件的大多数功能，包括显微镜控制、样品台控制、图像采集、处理与分析。通过脚本语言用户还可以编程其自己的自动操作程序。用户界面友好的软件与软件工具 多用户和多语言操作界面 图像管理与报告生成 内置的系统检查与系统诊断 网络操作与远程进入/诊断 模块化的软件结构 标准的软件模块包括：自动离子束控制、电子束写入基本版、同时的FIB/SEM成像、预定义FIB工作模式等软件工具 可选软件包括了：颗粒度分析标准版/专家版、3维表面重建等模块 电子束写入软件使聚焦离子束扫描电子显微镜成为能进行电子束曝光、电子束沉积、电子束刻蚀、离子束沉积、离子束减薄的强大工具 可选的3D Tomography软件提供使用FIB时的全自动连续SEM图像，三维重构与三维可视化LYRA3 GMLYRA 3 GM是一款完全由计算机控制的聚焦离子束场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统(GIS)， 有高真空和低真空两种模式，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟、用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等LYRA3 XMLYRA3 XM是一款完全由计算机控制的聚焦离子束场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统(GIS)，有高真空和低真空两种模式，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟、用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等特点。基于Windows™ 平台的操作软件提供了简易的电镜操作和图像采集，可以保存标准文件格式的图片，可以对图像进行管理、处理和测量，实现了电镜的自动设置和许多其它自动操作。设备咨询电话：（微信同号）；QQ：；邮箱：欢迎您的来电咨询！

威思曼高压电源的HEM系列高压电源是一种集成式多输出高压电源，数字化控制。典型的应用包括透射和扫描电子显微镜；半导体分析，铣削和修复光盘驱动器头，离子；束刻蚀和聚焦离子束光刻。　　该电源采用模块化设计方法，允许个别组件可以很容易地配置在一个共同的机架大底盘安装装配。接口，逻辑和控制电路是采用表面贴装技术，尽量减少成本和尺寸。集成加速电源、灯丝电源，吸取极电源，抑制极电源和镜头电源。超低输出纹波，的调整率、稳定性、温漂、精度。专利高电压悬浮、数字化控制技术。HEM系列高精度模块价格有竞争力，是OEM应用的理想选择。　　客户可通过网口、RS-232接口控制这个集成式电源。典型应用：扫描电子显微镜SEM场发射电子显微镜FEM半导体分析，加工和修理离子束刻蚀聚焦离子束光刻产品特点：1. DC/DC 多路输出高压电源系统，小体积。2. 低输出纹波：2ppm3. 高精度、高稳定性、低纹波4. 扫描电子显微镜、电子束、离子束电源系统。5. 集成式单机箱解决方案。6. 无电晕专用特别方案。7. 过压、过流、短路、拉弧保护。8. 可根据用户要求定制。技术参数：输入:DC24V, 47到63Hz加速急电源输出电压：0到-35KV输出电流：450μA纹波：70 mV P-P，从0.1 Hz到1MHZ线路调整率：输入变化+ / -10％为100mV负载调整率：± 0.01％,电压,满负荷变化稳定度：预热2小时候后，1.5V/10小时温度系数：25 PPM / °C灯丝电源输出电压：0至5 VDC输出电流：0到5 A纹波：10mA P-P,从0.1 Hz到1MHZ线路调整率：+ / -10％变化为5mA负载调整率：± 0.1％,电压,满负荷变化稳定性：预热2小时后5mA/10分钟温度系数：200 PPM / °C抑制极电源输出电压：-10v 到- 2kv输出电流：300uA纹波：20 mV P-P，从0.1 Hz到1MHZ线路调整率：输入+ / -10％变化为100mV负载调整率：± 0.01％，电压，满负荷变化稳定性：预热2小时后，500mV/10小时温度系数：25 PPM / °C吸取极电源输出电压：0到-15KV输出电流：400μA纹波：30 mV P-P，从0.1 Hz到1 MHZ,30μA以下线路调整率：输入+ / -10％的变化为100mV负载调整率：± 0.01％,电压,满负荷变化稳定性：预热2小时后，500mV/10小时温度系数：25 PPM / °C 有关威思曼及其更多高压产品的信息，请致电 威思曼销售人员。 威思曼高压电源有限公司是微型高压电源模块、高压电源模块、X光射线管高压电源、机箱高压电源、定制高压电源、高压附件等高压电源产品的制造商，公司设计并制造定制和标准高压电源产品，功率范围从100mW到200kW，电压范围从60V到500kV。威思曼产品应用领域覆盖医疗、工业以及科研等领域。高压电源您可以在威思曼一站式采购多个品种规格。　　威思曼高压电源有限公司,公司拥有高压电源研发团队，高压电源研发软件和测试软件。高电压绝缘技术，零电流谐振技术，使威思曼高压电源保持高稳定性、低纹波、低电磁干扰、体积小，损耗小，效率高，长寿命。威思曼高压电源价格有竞争力，是OEM应用的理想选择。

NIE-4000 离子束刻蚀系统 NIR-4000 IBE/RIE 双刻蚀系统通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。 NANO-MASTER 拥有成熟的技术能力可以使基片温度保持在50°C 以下。通过倾斜和旋转，深沟可以切成斜角，通过控制侧壁轮廓和径向可提高均匀度。对于大尺寸的基片，我们配置线性离子源，通过扫描的方式，可以实现均匀的离子束刻蚀或反应离子束刻蚀。不同的构造不同的应用可选择不同的选配项，若要刻蚀之后马上涂覆，可以增加溅射选项。对于标准的晶圆片，也可选择自动装载卸载晶圆片。 工艺过程通过触摸屏电脑和 LabView 软件，可实现全自动的 PC控制，具有高度的可重复性，且具有友好的用户界面。 系统具有完整的安全联锁，提供四级密码授权访问保护，防止使用者越权使用，含：。 操作者权限：运行程序。工艺师权限：添加/编辑和删除程序。工程师权限：可独立控制子系统，并开发程序。服务权限：NM 工程师故障诊断和排除 系统支持不限数量的工艺菜单，每套工艺菜单可根据需要支持 1到 100 个工艺工序（步骤），可实现简单操作完成复杂的工艺。 系统标准配置包含涡轮分子泵和机械泵，极限真空可达到10-7 Torr 量级(可升级到 10-8Torr 量级)。分子泵与腔体之间的直连设计，系统可获得最佳真空传导率，12 小时达到腔体极限真空。腔体压力调节通过 PC 自动控制涡轮速度而全自动调节，快速稳定。双真空计配置，可实现真空的全局测量和精确测量。 对标准晶圆可支持单片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升级，可自动进样、对准、出样，在不间断工艺真空情况下连续处理样片。Load Lock 腔体配套独立真空系统，通过 PC 全自动监控。 若离子铣工艺之后需要马上进行反应离子刻蚀处理，NMC 技术可以双腔体系统，在一个系统的两个腔体内完成两种不同的工艺，若加上自动传输，还可实现整个处理过程都不打破彼此真空状态，实现非常高效的工艺处理 典型应用： 。 三族和四族光学元件。激光光栅。高深宽比的光子晶体刻蚀。在二氧化硅、硅和金属上深沟刻蚀。 微流体传感器电极及测热式微流体传感器 设备特点：。 24”x60”x10”长方或 14.5”立方型不锈钢离子束腔体。24”Wx10”H 或 8”测开门，带 2 个 2”观察视窗。支持 600X600mm 的基片(可定做更大尺寸)。 倒装磁控无栅无灯丝准直 60cm 线性离子源(离子枪)，1500-2500V，并且高达 1000mA，无需中和器。。 离子源均匀性可达+/-2.5%，操作压力1mTorr。与带栅极离子源相比更可靠，更低维护，更少污染。。 离子枪电源：4KV 电源。配套 Ar 和 CF4 MFC，支持 IBE 和 RIBE 刻蚀应用。 反应性气体通过靶枪的长度方向引入，均匀分布。冷却水冷却（背氦冷却可选）。 步进电机控制离子枪扫描或样品台旋转/倾斜。 手动或自动(自动仅对标准晶圆)上下载晶圆片。 配套 1200L/Sec 涡轮分子泵，串接 2021C2 机械泵，带 Fomblin 泵油。 极限真空可达 7×10-7 Torr。下游压力通过 PC 对分子泵涡轮速度的控制自动调节。SiN4 磁控溅射保护被刻蚀金属表面以防氧化(选配)。 基于 LabVIEW 软件的计算机全自动工艺控制。菜单驱动，密码保护，完全的安全联锁。紧凑型设计，占地面积仅 26”Dx66”W,节省空间 系统可选：。光谱终点探测器。氦气背部冷却。更大尺寸的电镀方形腔体。 自动装载/卸载。 低温泵组。 附加反应气体质量流量控制器。 格状射频电感耦合等离子体。 用于钝化层沉积的溅射源

量子和纳米级材料工程的先进平台Q-One&trade 是最先进的聚焦离子束平台，用于先进的器件制造和纳米级材料工程。Q-One具有确定性单离子注入功能，是世界上第一台专门为满足量子研究的苛刻要求而设计的仪器。主要特点：高分辨率质量过滤聚焦离子束确定性单离子检测，检测效率高达98%可选择液态金属或等离子离子源一流的离子选择和广泛的植入物种类飞安级光束电流，可实现精确的单离子事件纳米级精密载物台，可处理高达 6 英寸的晶圆专有的注入和光刻软件确定性植入确定性单离子注入意味着以令人难以置信的精度将单个离子放入底物中，并知道已经发生了注入。Q-One使用超灵敏植入后检测系统技术来检测每次离子撞击时产生的信号。种类繁多Q-One提供广泛的植入元件。液态金属离子源（LMIS）技术在单个源中产生不同元素的多个离子，包括团簇和多电荷物种。有几种合金成分可供选择，包括硅、铒、钕、金和铋。利用我们多年的专业知识，我们确保每个源头都以最佳方式流动，以实现最大的稳定性。单独的等离子体离子源也可用于氢、氮、氧和其他气态元素。应用量子技术嵌入半导体矩阵中的单个杂质原子作为量子比特（量子比特）显示出巨大的前景。单离子注入能够产生大量相同的量子比特阵列，是可重复制造这些和其他量子器件的关键途径。然而，公差是极端的——每个原子必须非常精确地放置，有时距离其邻居只有20纳米。Q-One是唯一针对此应用而设计的工具，其规格针对这些极端要求。应用掺杂纳米材料Q-One不仅限于注入单个离子。将任何所需的离子剂量植入任何位置，甚至可以使用专有软件植入自定义区域或形状。掺杂纳米材料，如纳米线或具有不同元素的量子点，可以改变其性质。Q-One通过允许您靶向单个纳米材料并使用各种掺杂剂探索不同的行为，开辟了一个充满可能性的世界。应用离子光刻Q-One允许用户执行直接写入光刻，就像普通FIB一样，但种类范围更广，离子剂量控制更好。使用铋等重元素进行高效溅射，或使用氢等轻元素进行基于光刻胶的离子光刻，甚至包括单离子事件。如果没有检测每个注入事件的方法，就不可能精确地注入单个离子。系统提供速度和可扩展性，不需要复杂的预制。因此，您可以不受阻碍地选择植入物种类和目标材料。

RIBE反应离子束刻蚀系统NIE-4000（R）RIBE反应离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时，旋转晶圆片以达到想要的均匀度。NIE-4000（R）RIBE反应离子束刻蚀产品特点：14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板离子束中和器氩气MFC6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机步进电机控制晶圆片倾斜自动/手动上下载晶圆片典型刻蚀速率：铜200 ?/min, 硅：500 ?/min6”范围内，刻蚀均匀度+/-3%极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁NIE-4000（R）RIBE反应离子束刻蚀 Features：14.5" SS Cube ion beam chamber16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shuttersIon Beam neutralizerAr MFCChilled water cooled 6” substrate platenWafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motorWafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational sealManual/Auto wafer load/unloadTypical Etch Rates: 200 ?/min Cu, 500 ?/min Si+/-3% etch uniformity over 6“ area5x 10-6 Torr 20 minutes 2 x10-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo8x10-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pumpMagnetron Sputtering of Si3N4 to protect etched metal surfaces from oxidationPC Controlled with LabVIEW SoftwareRecipe Driven, Password ProtectedFully Safety Interlocked

IBE离子束刻蚀系统NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时，旋转晶圆片以达到想要的均匀度。NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀产品特点：14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板离子束中和器氩气MFC6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机步进电机控制晶圆片倾斜自动上下载晶圆片典型刻蚀速率：铜200 ?/min, 硅：500 ?/min6”范围内，刻蚀均匀度+/-3%极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀 Features：14.5" SS Cube ion beam chamber16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shuttersIon Beam neutralizerAr MFCChilled water cooled 6” substrate platenWafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motorWafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational sealManual wafer load/unloadTypical Etch Rates: 200 ?/min Cu, 500 ?/min Si+/-3% etch uniformity over 6“ area5x 10-6 Torr 20 minutes 2 x10-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo8x10-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pumpMagnetron Sputtering of Si3N4 to protect etched metal surfaces from oxidationPC Controlled with LabVIEW SoftwareRecipe Driven, Password ProtectedFully Safety Interlocked

产品名称：离子束刻蚀系统品牌：Elionix型号：EIS-200关键词标签：离子束蚀刻，干法蚀刻，离子束轰击，离子束减薄简短描述：（40字）：利用ECR技术产生高能Ar+离子束，Ar+离子束通过电场加速，对样品进行物理的轰击达到刻蚀作用。一、简介EIS-200是Elionix推出的一款基于电子回旋共振技术（ECR）的小型离子束蚀刻系统，特别适合于科研用离子束刻蚀、减薄，清洗、镀膜等。EIS-200原理：利用ECR技术产生高能Ar+离子束，Ar+离子束通过电场加速到达样品表面，对样品进行物理的轰击达到刻蚀作用。EIS-200具有以下优点：? 方向性好，各向异性，陡直度高，侧向刻蚀少? 分辨率高? 不受刻蚀材料限制，可对石英等材料进行蚀刻? 可控制蚀刻Taper角? 可以设定多样的实验条件二、主要功能l 主要应用纳米级图案刻蚀高深宽比蚀刻表面清洁离子减薄l 技术能力离子枪ECR型离子枪离子化气体Ar、Xe等、惰性离子气体N2、O2、CF4等、活性离子气体加速电压100V～3000V 连续可变（高加速电压可选) (输出电流20mA MAX)离子束流密度Ar:1.5mA/cm2以上 (2kV加速時）O2:2.0mA/cm2以上 (2kV加速時）离子束有效直径Φ20mm（FWHM35mm)离子束稳定度±3％/2H大样品尺寸Φ4英寸三、应用纳米级图案刻蚀、高深宽比蚀刻、表面清洁、离子减薄等? SiO2 on Si substrate? Diamond Substrate（金刚石）? Quartz (Mask)? Oriented PET film

1. 产品概述离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。2. 设备特点磁阻式随机存取存储器（MRAM）；介电薄膜；III-V族光电子材料刻蚀； 自旋电子学；金属电极和轨道；超导体；激光端面镀膜；高反射（HR）膜；防反射（AR）膜； 环形激光陀螺反射镜；X射线光学系统；红外（IR）传感器；II-VI族材料；通信滤波器。

1 产品概述: 离子束刻蚀设备是一种高精度的材料加工设备，它利用经过电场加速的高能离子束对样品表面进行物理轰击，从而实现材料的精细刻蚀。这种设备广泛应用于物理学、工程与技术科学基础学科、测绘科学技术、航空、航天科学技术等多个领域，成为现代微纳米加工技术中的重要工具。2 设备用途：材料加工：离子束刻蚀设备可以对多种材料进行精细加工，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。通过控制离子束的能量、束流密度和刻蚀时间等参数，可以精确控制刻蚀深度和形貌，实现微米甚至纳米量级的加工精度。微结构制作：该设备具有制作微结构图形的能力，如光栅、微透镜阵列等。在光学、电子学等领域中，这些微结构对于提高器件性能具有关键作用。样品表面处理：离子束刻蚀还可以用于清洗材料表面有机物、氧化物等污染物，提升材料表面的亲水性、粘接力和附着力。这对于提高样品的质量和分析精度具有重要意义。3 设备特点 高精度：离子束刻蚀设备能够实现高精度的材料加工和微结构制作。通过精确控制离子束的参数，可以实现微米甚至纳米量级的加工精度。 多材料适应性：该设备可以处理多种材料，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。这种广泛的材料适应性使得离子束刻蚀设备在多个领域中得到广泛应用。 高灵活性：离子束刻蚀设备通常配备有先进的控制系统和样品台，可以实现多种加工模式和工艺参数的灵活调整。这为用户提供了更多的选择和便利。 高稳定性：设备在长时间运行过程中能够保持较高的稳定性和可靠性。这有助于确保加工质量和生产效率的稳定。 4 技术参数和特点：离子枪ECR型离子枪电离气体Ar、Xe等、惰性离子种类的气体 N2、O2、C3F8等、活性离子种类的气体加速电压100 ~ 3000 V 连续可变离子流密度Ar: 1.5 mA/cm2 以上 (2kV加速时）O2: 2.0 mA/cm2 以上 (2kV加速时）离子束有效直径Φ 20 mm (FWHM 35 mm)离子流稳定性±5 ％ / 2 H大试样尺寸Φ 4英寸

1 产品概述: 离子束刻蚀设备是一种高精度的材料加工设备，它利用经过电场加速的高能离子束对样品表面进行物理轰击，从而实现材料的精细刻蚀。这种设备广泛应用于物理学、工程与技术科学基础学科、测绘科学技术、航空、航天科学技术等多个领域，成为现代微纳米加工技术中的重要工具。2 设备用途：材料加工：离子束刻蚀设备可以对多种材料进行精细加工，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。通过控制离子束的能量、束流密度和刻蚀时间等参数，可以精确控制刻蚀深度和形貌，实现微米甚至纳米量级的加工精度。微结构制作：该设备具有制作微结构图形的能力，如光栅、微透镜阵列等。在光学、电子学等领域中，这些微结构对于提高器件性能具有关键作用。样品表面处理：离子束刻蚀还可以用于清洗材料表面有机物、氧化物等污染物，提升材料表面的亲水性、粘接力和附着力。这对于提高样品的质量和分析精度具有重要意义。3 设备特点 高精度：离子束刻蚀设备能够实现高精度的材料加工和微结构制作。通过精确控制离子束的参数，可以实现微米甚至纳米量级的加工精度。 多材料适应性：该设备可以处理多种材料，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。这种广泛的材料适应性使得离子束刻蚀设备在多个领域中得到广泛应用。 高灵活性：离子束刻蚀设备通常配备有先进的控制系统和样品台，可以实现多种加工模式和工艺参数的灵活调整。这为用户提供了更多的选择和便利。 高稳定性：设备在长时间运行过程中能够保持较高的稳定性和可靠性。这有助于确保加工质量和生产效率的稳定。 4 技术参数和特点：离子枪ECR型离子枪电离气体Ar、Xe等、惰性离子种类的气体N2、O2、C3F8等、活性离子种类的气体加速电压300 ~ 2000 V 连续可变离子流密度Ar: 0.16 ~ 0.20 mA/cm2 以上 (700V加速时）离子束有效直径Φ 108 mm气体导入机构自动流量制御6系統大试样尺寸Φ 6英寸晶片

价格货期电议KRI 考夫曼离子源典型应用 IBF 离子束抛光工艺 离子束抛光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐渐成为光学零件表面超精加工常用的最后一道工艺, 离子源是离子束抛光机的核心部件. 上海伯东美国 KRI 直流电源式考夫曼离子源 KDC 系列成功应用于光学镀膜离子束抛光机 IBF Optical coating 及晶体硅片离子束抛光机 IBF Clrystalline )工艺.考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼离子源内置型的设计更符合离子源于离子抛光机内部的移动运行. 上海伯东是美国 KRI 考夫曼离子源中国总代理.KRI 离子源离子束抛光实际案例一:1. 基材: 100 mm 光学镜片2. 离子源条件: Vb: 800 V ( 离子束电压 ), Ib: 84 mA ( 离子束电流 ) , Va: -160 V ( 离子束加速电压 ), Ar gas ( 氩气 ).离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图KRI 离子源离子束抛光实际案例二:1. 基材: 300 mm 晶体硅片2. 离子源条件: Vb: 1000 V ( 离子束电压 ), Ib: 69 mA ( 离子束电流 ), Va: -200 V ( 离子束加速电压 ) Ar gas ( 氩气 )离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图 KRI 离子源实际安装案例一: KDC 10 使用于光学镀膜离子束抛光机KRI 离子源实际安装案例二: KDC 40 使用于晶体硅片离子束抛光机上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 系列根据客户离子抛光工艺条件提供如下型号:型号KDC 10KDC 40KDC 75KDC 100KDC 160电压DC magnetic confinement - 阴极灯丝11222- 阳极电压0-100V DC电子束电子束- 栅极专用,自对准- 栅极直径1 cm4 cm7.5 cm12 cm16 cm 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

●本设备主要用于半导体刻蚀，能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能，使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀，并形成可从衬底上移除的挥发性副产品，通过真空系统排出，特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。

一、产品概述：聚焦离子束系统（FIB）是一种高精度的材料加工和分析工具，利用聚焦的离子束对样品进行雕刻、切割和表征。FIB技术广泛应用于半导体制造、材料科学和纳米技术领域，能够实现对微小结构的精确操作和分析。二、设备用途/原理：设备用途FIB系统主要用于纳米级材料的加工与表征，包括样品的切割、沉积、刻蚀以及缺陷分析。它在半导体行业中用于制造和修复微电子器件，也可用于材料的微观结构分析和三维成像，帮助研究人员深入理解材料的特性和行为。工作原理FIB的工作原理是通过加速的离子束（通常是铟离子）轰击样品表面，导致材料的原子被击出或沉积。离子束的聚焦能力使其能够精确控制加工区域的大小和深度。通过调节离子束的能量和曝光时间，研究人员可以实现高精度的材料去除或添加。同时，FIB系统通常配备有扫描电子显微镜（SEM），可以在加工过程中实时观察样品，提供高分辨率的图像和分析数据。此结合使得FIB成为一项强大的材料研究和加工工具。

IBE离子束刻蚀NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀产品概述：该系统为计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀产品特点：低成本离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀产品应用：表面清洗表面处理离子铣带活性气体的离子束刻蚀光栅刻蚀SiO2，Si和金属的深槽刻蚀NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀Features：Low CostIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

IBE离子束刻蚀系统NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品概述： NANO-MASTER的离子束刻蚀系统具有很强的适应性，可根据不同的应用而按不同的配置进行建构。多样的样片夹具和离子源配置可支持用户不同的应用。用于离子束系统（或称离子铣系统）的样片夹具可以支持±90°倾斜、旋转、水冷和背氦冷却。 NANO-MASTER技术已经展示了可以把基片文库保持在50°C以内的能力。通过倾斜和旋转，可以刻蚀出带斜坡的槽，并且改善了对侧壁轮廓和径向均匀度的控制。 不同的选配项可以用于不同的网格配置以及中和器。溅射选配项可以支持对新刻蚀金属表面的涂覆，以防氧化。此外，还可以选配单晶圆自动上下片功能。NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品特点：优化的14”立方的电抛光不锈钢腔体水冷±90°自动倾斜旋转基片夹具带不锈钢气体管路及气动截止阀的MFC 直流离子源1cm-16cm 6”基片的刻蚀均匀度±1.2% 能够控制基片温度在50°C以内 26”x44”占地面积的不锈钢柜体，非常适用于百级超净间 基于计算机的全自动工艺控制，菜单驱动 LabVIEW友好用户界面 EMO和安全互锁NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品选配：光谱终点监测系统背氦冷却21”立方的电抛光不锈钢腔体自动上下片1200L/Sec涡轮分子泵冷泵配置增加MFC用于反应气体实现RIBE栅格式RFICP离子源中空阴极或灯丝中和器溅射源用于钝化层沉积NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品应用：III-V族光学元件激光光栅高深宽比的光子晶体刻蚀SiO2，Si和金属的深槽刻蚀

Ion Beam离子束清洗NIE-3000 (C) 离子束清洗系统产品概述：该系统为手动放片取片，但通过计算机全自动实现工艺控制的台式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3000 (C) 离子束清洗系统产品特点：低成本离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3000 (C) 离子束清洗系统产品应用：表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀NIE-3000 (C) 离子束清洗系统 Features：Low CostIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3000 (C) 离子束清洗系统 Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

IBE离子束刻蚀NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀产品概述：该系统为全自动上下载片，并且通过计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀产品特点：低成本带预真空锁，自动上下载片离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀产品应用：表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀Features：Low CostAuto Load/Unload with Load LockIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

IBE离子束刻蚀NIE-3000IBE离子束刻蚀产品概述：该系统为手动放片取片，但通过计算机全自动实现工艺控制的台式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3000IBE离子束刻蚀产品特点：低成本离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3000IBE离子束刻蚀产品应用：表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀NIE-3000IBE离子束刻蚀 Features：Low CostIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3000IBE离子束刻蚀 Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

Ion Beam离子束清洗NIE-3500 (MC)离子束清洗系统产品概述：该系统为计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3500 (MC)离子束清洗系统产品特点：低成本离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3500 (MC)离子束清洗系统产品应用：表面清洗表面处理离子铣带活性气体的离子束刻蚀光栅刻蚀SiO2，Si和金属的深槽刻蚀NIE-3500 (MC)离子束清洗系统Features：Low CostIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3500 (MC)离子束清洗系统Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

Ion Beam离子束清洗NIE-3500 (AC)全自动离子束清洗系统产品概述：该系统为全自动上下载片，并且通过计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统产品特点：低成本带预真空锁，自动上下载片离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统产品应用：表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统Features：Low CostAuto Load/Unload with Load LockIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

多重离子束组织质谱成像系统-MIBIscope System多重离子束成像平台（MIBI）技术 1、颠覆性的多重组织成像平台，提供可操作的信息多重离子束组织质谱成像仪器应用于高精度空间蛋白质组学，基于多重离子束成像(MIBI)技术，MIBIscope系统可以在单次扫描中可视化40+蛋白标记物，并提供组织样本微环境的相关信息. 2、高精度空间蛋白质组学的标准 3、强劲的性能，可重复的结果，操作方便• 遵循标准的病理工作流程• 光学和SED图像引导ROI选项• 有限的实用需求和利用率• 大于104动态范围• 操作简单 不需要特别的专业知识 4、技术参数：获取时间：低分辨率 (1 μm)：9-35分钟高分辨率 (500 nm)：17-68分钟超高分辨率(350 nm)：35-139分钟用的生物标志物通道：40ROI区域：400x400 – 800x800 μm2抗体检测下限：1 (113In) - 16 (166Er)动态范围：5 log文件类型：TIFF链接：

1.产品概述：NEXUS IBD是由VEECO研发的第三代NEXUS® 离子束沉积 （IBD），适用于硬偏置、引线、绝缘层和传感器堆栈沉积。2.产品原理：离子束辅助沉积的原理是在离子束的作用下，将气态或液态物质引导到材料表面，通过物理或化学反应，形成固态薄膜。 离子束辅助沉积具有沉积温度低、薄膜质量高、可控制性好等优点，因此在光电、电子、能源等领域得到广泛应用。3.产品优势：数据存储制造商可以借助 Veeco 的第三代 NEXUS® 离子束沉积 （IBD） 系统大幅提高 80Gb/in2 传感器的产量，并满足未来 TFMH 设备制造的需求。支持各种设备，从当的 CIP 到高 CPP 设备MRAM 应用以及 GMR 和 TMR 薄膜磁头的理想选择改进了所有准直沉积应用的 CD 控制通过沉积羽流的对称到达获得更锐利的起飞角度平台易于与 PVD、IBE 和其他技术集成

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

产品详情牛津Oxford离子束刻蚀机Ionfab 300 IBE 离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。。多模式功能。能够与其它等离子体刻蚀和沉积设备相集成。单晶圆传送模式或集群式晶圆操作。双束流配置。更低的表面薄膜粗糙度。更佳的批次均匀性和工艺重复性。准确终点监测 —— SIMS，发射光 产品特点: 质量薄膜高 ——超低污染 产量高，紧凑的系统体积设计 ——运行成本低 已获得专利的高速衬底架（高达1000RPM）设计，并配备了白光光学监视器（WLOM）——更为准确的实时光学薄膜控制 配置灵活 ——适于先进的研究应用 灵活的晶圆操作方式 —— 直开式、单晶圆传送模式或者带机械手臂的盒对盒模式 应用: 磁阻式随机存取存储器（MRAM） 介电薄膜 III-V族光电子材料刻蚀 自旋电子学 金属电极和轨道 超导体 激光端面镀膜 高反射（HR）膜 防反射（AR）膜 环形激光陀螺反射镜 X射线光学系统 红外（IR）传感器 II-VI族材料 通信滤波器

聚焦离子束（Xe）扫描电镜 FERA 世界第yi个完全集成式Xe等离子源聚焦离子束扫描电子显微镜----FERA3，提供了超高离子束束流（zui高束流为2μA），其溅射速度比Ga离子源高50多倍。对于目前浪费时间或不可能进行的需要刻蚀的材料，FERA3型仪器是一个不错的选择。 新一代的聚焦离子束扫描电子显微镜为用户提供了zui新的技术优势，例如：改进的高性能电子设备使图像采集得速度更快，带有静态和动态图像扭曲补偿技术的超高速扫描系统，内置的编程软件等。 FERA3的设计适应各种各样的SEM应用与当今研究和产业的需求，其高分辨率、高电流和强大的软件使TESCAN FIB-SEM成为优xiu的分析工具。现代电子光路 独特的三透镜大视野观察（Wide Field Optics™ ）设计提供了许多工作与显示模式，体现了TESCAN特有可优化电子束光阑的中间镜设计 结合了完善的电子光学设计软件的实时电子束追踪（In-Flight Beam Tracing™ ），可模拟和优化电子束 全自动的电子光路设置与合轴 成像速度快 使用3维电子束技术可获取实时立体图像 三维导航高性能离子光路 高性能的等离子i-FIB设备使切片和材料的刻蚀既快又精que维修简单现在保持电镜处在优xiu的状态很简单，只需要很短的停机时间。每个细节设计得很仔细，使得仪器的效率zui大化，操作zui简化。自动操作电镜除了可以自动化设置外，还可进行聚焦、调节对比度/亮度等自动操作。除此之外，电镜还有样品台自动导航与自动分析 程序，能明显减少操作员的操作时间。通过内置脚本语言（Python）可进入软件的大多数功能，包括显微镜控制、样品台控制、图像采集、处理与分析等。通过脚本语言用户还可以自定义自动操作程序。用户界面友好的软件与软件工具 用户界面友好的操作系统基于Windows™ 平台，多用户和多语言操作界面 同时的FIB/SEM成像，易于操作 实时图像支持多窗口模式，可自定义实时图像参数 图像处理，报告生成，在线与离线图像处理 项目管理软件 内置的自动诊断（自检） TCP/IP远程控制，网络操作与远程进入/诊断 免费升级软件FERA3 GMFERA3 GM是一款由计算机完全控制的Xe等离子聚焦离子束（i-FIB）场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统 (GIS)，可在高真空和低真空模式下工作，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟和用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等特点。基于Windows™ 平台的操作软件提供了简单的电镜操作和图像采集，可以保存标准文件格式的图片，可以对图像进行管理、处理和测量，实现了电镜的自动设置和许多其它自动操作。FERA3 XMFERA3 XM是一款由计算机全控制的Xe等离子聚焦离子束（i-FIB）场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统 (GIS)，可在高真空和低真空模式下工作，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟和用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等特点。基于Windows™ 平台的操作软件提供了简易的电镜操作和图像采集，可以保存标准文件格式的图片，可以对图像进行管理、处理和测量，实现了电镜的自动设置和许多其它自动操作。

聚焦离子束（Xe）扫描电镜 FERA 世界第yi个完全集成式Xe等离子源聚焦离子束扫描电子显微镜----FERA3，提供了超高离子束束流（zui高束流为2μA），其溅射速度比Ga离子源高50多倍。对于目前浪费时间或不可能进行的需要刻蚀的材料，FERA3型仪器是一个不错的选择。 新一代的聚焦离子束扫描电子显微镜为用户提供了zui新的技术优势，例如：改进的高性能电子设备使图像采集得速度更快，带有静态和动态图像扭曲补偿技术的超高速扫描系统，内置的编程软件等。 FERA3的设计适应各种各样的SEM应用与当今研究和产业的需求，其高分辨率、高电流和强大的软件使TESCAN FIB-SEM成为优xiu的分析工具。现代电子光路 独特的三透镜大视野观察（Wide Field Optics™ ）设计提供了许多工作与显示模式，体现了TESCAN特有可优化电子束光阑的中间镜设计 结合了完善的电子光学设计软件的实时电子束追踪（In-Flight Beam Tracing™ ），可模拟和优化电子束 全自动的电子光路设置与合轴 成像速度快 使用3维电子束技术可获取实时立体图像 三维导航高性能离子光路 高性能的等离子i-FIB设备使切片和材料的刻蚀既快又精que维修简单现在保持电镜处在优xiu的状态很简单，只需要很短的停机时间。每个细节设计得很仔细，使得仪器的效率zui大化，操作zui简化。自动操作电镜除了可以自动化设置外，还可进行聚焦、调节对比度/亮度等自动操作。除此之外，电镜还有样品台自动导航与自动分析 程序，能明显减少操作员的操作时间。通过内置脚本语言（Python）可进入软件的大多数功能，包括显微镜控制、样品台控制、图像采集、处理与分析等。通过脚本语言用户还可以自定义自动操作程序。用户界面友好的软件与软件工具 用户界面友好的操作系统基于Windows™ 平台，多用户和多语言操作界面 同时的FIB/SEM成像，易于操作 实时图像支持多窗口模式，可自定义实时图像参数 图像处理，报告生成，在线与离线图像处理 项目管理软件 内置的自动诊断（自检） TCP/IP远程控制，网络操作与远程进入/诊断 免费升级软件FERA3 GMFERA3 GM是一款由计算机完全控制的Xe等离子聚焦离子束（i-FIB）场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统 (GIS)，可在高真空和低真空模式下工作，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟和用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等特点。基于Windows™ 平台的操作软件提供了简单的电镜操作和图像采集，可以保存标准文件格式的图片，可以对图像进行管理、处理和测量，实现了电镜的自动设置和许多其它自动操作。FERA3 XMFERA3 XM是一款由计算机全控制的Xe等离子聚焦离子束（i-FIB）场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统 (GIS)，可在高真空和低真空模式下工作，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟和用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等特点。基于Windows™ 平台的操作软件提供了简易的电镜操作和图像采集，可以保存标准文件格式的图片，可以对图像进行管理、处理和测量，实现了电镜的自动设置和许多其它自动操作。