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离子束光刻系统
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离子束光刻系统相关的方案
上海伯东 IBE离子束刻蚀(离子铣)基本原理与应用介绍
在半导体制程工艺中,刻蚀(Etch)是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分,以化学反应或物理作用的形式加以去除,完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀(Wet Etching)和干刻蚀(Dry Etching)。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺,即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后,将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种:PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。
上海伯东IBE离子束刻蚀用于铌酸锂LiNbO3薄膜刻蚀
随着基于铌酸锂LN的光源、光调制、光探测等重要器件的实现,铌酸锂LN光子集成芯片有望像硅基集成电路一样,成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台,在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。由于铌酸锂LN的特殊化学性能,IBE离子束刻蚀+EBL电子束曝光是最优的解决方案。
伯东NS 10 IBE离子束刻蚀机用于物理量传感器(MEMS)加工
上海伯东某科研客户的研究方向是物理量传感器,用于监测土壤的力学结构变化,一般用于山体、岩石和冻土等环境研究。这种传感器通过镀膜、沉积、刻蚀等工艺多次循环来加工,Au 和 Pt 是传感器加工中常用的涂层,在完成镀膜(溅镀 Sputter 或者电子束蒸镀 E-beam)用传统的湿法刻蚀、ICP 刻蚀和 RIE 刻蚀等工艺无法有效的刻蚀出所需的图形。离子束刻蚀 IBE 作为最有效的刻蚀方案可以解决这个问题,刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料。
KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和 IBD 离子束沉积是其典型的应用.
LCMS-QTOF用于光刻胶中感光树脂轮廓分析
树脂是光刻胶的主要成分之一,本文采用岛津高效液相色谱—四极杆飞行时间质谱联用系统,建立了光刻胶中酚醛树脂的轮廓分析方法。光刻胶原液经四氢呋喃稀释,C18色谱柱分离,LCMS-QTOF正负离子模式同时采集,LabSolutions Insight Explore软件解析。结果显示,该树脂正离子模式以[M+NH4]+、[M+Na]+为主,负离子为[M-H]-峰,是一种以甲酚或二甲酚为起始,二甲酚或三甲酚为延长单元的聚合物,端聚合度(DP)2-10。该方法灵敏度高,分离度好,适用于光刻胶树脂成分分析。
离子束研磨金属样品观察电子通道衬度图像
使用Leica EM TIC 3X三离子束切割仪的平面旋转抛光台抛光大概90分钟后,整片数毫米的样品在电镜下已经看不到划痕,无论在二次电子图像还是背散射电子图像下都非常平整。
氦质谱检漏仪电子束光刻机检漏
上海伯东客户某光刻机生产商, 生产的电子束光刻机 Electron Beam Lithography System 最大能容纳 300mmφ 的晶圆片和 6英寸的掩模版, 适合纳米压印, 光子器件, 通信设备等多个领域的研发及生产. 经过伯东推荐采购氦质谱检漏仪 ASM 310 用于电子束光刻机腔体检漏.
用Leica EM TIC3X三离子束切割仪解剖半导体芯片
1.独特的三离子束系统,可获得最佳的截面处理质量,并可高效获得宽且深的切割区域,大大降低工作时间。并可实现在一次处理过程中最多处理3个样品。因此对有高通量需求的实验室,徕卡EM TIC 3X是最佳解决方案。2.可装配系统,根据您的样品制备需要,可以有针对性地在徕卡EM TIC 3X上装配一体化设计样品台-标准样品台,多样品台或冷冻样品台。3.冷冻样品台针对温度敏感型样品如橡胶或水溶性高分子聚合纤维等,可以使用冷冻样品台对样品进行低温下处理,获得高质量处理结果。样品托和挡板的温度都可达到-150摄氏度。
用Leica EM TIC3X三离子束切割仪解剖太阳能电池
这种复合型材料要获得有效截面,机械切割磨抛方式很难保证切割面的平整,也无法避免样品剖面的污染和边缘损伤;如果采用聚焦离子束FIB加工,应对几百微米的加工区域,将耗费大量时间和带来极高的使用成本。因此,氩离子束切割仪几乎成为高效率、低成本的获取无应力损伤和无污染的平整剖面的唯一的选择。
利用MProbe Vis系统进行光刻胶厚度测量
使用MProbe-Vis系统可以轻松测量光刻胶厚度。实际上,任何光刻胶都可以快速可靠地测量:烧结或部分烧结,薄的或厚的。尽管如此,第一次测量可能会令人困惑——光致抗蚀剂的类型和处理条件多种多样。本应用说明试图通过烧结和两个部分烧结的光致抗蚀剂样品来阐明测量过程。使用500nm-1000nm波长范围进行光致抗蚀剂测量,以最小化吸收的影响。
应用MALDI-8030检测光刻胶中酚醛树脂的分子量
本文应用基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱仪(MALDI-TOF)对光刻胶样品进行分析,采用反-2-[3-(4-叔丁基苯基)-2-甲基-2-亚丙烯基]丙二腈(DCTB)基质,在正离子模式下进行数据采集,结果显示,在m/z 1-3600范围内,检测到一系列不同聚合度的质谱峰,相邻质谱峰平均相差约120 Da,与酚醛树脂单体-(C8H8O)n-分子量相符,聚合物质谱分布模式与酚醛树脂理论结构式相符。结果表明MALDI-TOF适用于光刻胶中酚醛树脂的分子量表征和合成情况确认,分析过程具有无需复杂前处理、分析速度快、分析成本低的特点。
纳米粒子光刻需要高度有序的粒子沉积
考虑使用纳米微球光刻技术的人都会很快注意到制备胶体掩膜的一些问题。乍一看,似乎在固体基底上获得纳米颗粒只是将固体浸入到纳米粒子溶液中。对于某些应用来说,这种做法可能是正确的,但对于纳米微球的光刻技术来说,这几乎是不可能成功的。如果要想形成均匀的单层纳米颗粒,则需要一个可控性更好的制备技术。LB膜沉积技术则是首选的方法。
液体颗粒计数器在光刻胶检测中的应用
检测仪器:电子级光刻胶的级别判定有线宽、金属杂质、颗粒数和大小,4个指标。其中颗粒检测用的是液体颗粒计数器。采用光散射法的原理来对光刻胶里的粒子大小和多少进行检测。通常会检测0.1um、0.2um、0.3um、0.5um这4个粒径值。普洛帝测控PMT-2 光刻胶液体颗粒计数器,可以测高粘度和低粘度的光刻胶。在光刻胶行业里有一定的应用。
使用 Agilent 7500cs ICP-MS 直接分析光刻胶及相关溶剂
本文介绍了一种使用反应池电感耦合等离子体质谱分析光刻胶的简单方法。利用配备高灵敏度八极杆反应池系统 (ORS) 的 Agilent 7500cs ICP-MS 分析光刻胶中的所有元素。ORS 消除了 B、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Fe 和 Zn 等元素测量时的所有等离子体和基质多原子离子干扰,否则这些干扰物质将限制标准四极杆ICP-MS 在本应用中的操作。在样品前处理过程中,只需用合适的溶剂将光刻胶样品(30% 树脂)稀释10 倍,然后即可利用 7500cs 直接进行分析
如何在光刻胶产线用液体颗粒计数器检测固态粒子粒径方案
摘要:在光刻胶产线中,液体颗粒计数器的应用对于监控和控制固态粒子的粒径至关重要。以下是使用液体颗粒计数器检测固态粒子粒径的详细步骤。光刻胶检测一般采用实验室离线监测的方式。
液体颗粒计数器在光刻胶颗粒管控中的应用
为了减少光刻胶中的颗粒数量,我们可以采取以下措施:1. 选择质量优良的光刻胶,并在使用前进行严格的的质量检测,确保光刻胶的颗粒数量在允许范围内。2. 确保操作环境清洁,定期进行环境清洁和检测,使用无尘手套等工具,减少环境中的颗粒对光刻胶的污染。3. 采取正确的操作流程,如使用前对光刻胶进行充分搅拌、储存和运输,确保光刻胶的质量稳定。4. 使用滤网、滤芯等过滤设备,对光刻胶进行过滤,进一步减少光刻胶中的颗粒数量。光刻胶中的液体颗粒管控方案,对于提高芯片的质量和性能有着重要的作用。通过选择优质的光刻胶、保持操作环境的清洁、采取正确的操作流程,以及使用过滤设备等措施,可以有效减少光刻胶中的颗粒数量,提高产品的质量和性能。希望这个短视频能帮助大家更好地了解光刻胶中的液体颗粒管控方案。
共聚焦显微镜+光刻胶+形状
共聚焦显微镜和干涉仪是常用的表面形状测量仪器,具有无损,高精度等特点。然而对于基板上的透明薄膜的凹凸形状,对于较薄的膜(1um上下),测量是受到基板反射光的影响,会导致测量失败。如,在测量Si晶圆上的光刻胶的形状时。为解决上述问题,我们推荐反射分光法,测量光刻胶的膜厚,从而得到表面形状信息。
红外光谱法分析光刻胶的主成分
光刻胶是微电子制造的核心材料之一,具有极高的技术壁垒,其成分配方工艺对光刻产品的性能具有重大影响。本文探索建立红外光谱定性分析光刻胶主要成分的方法,通过测试烘干光刻胶溶剂前后的红外光谱图,结合标准谱库和官能团分析等手段,可获得光刻胶中主要成分信息。该法具有分析速度快、操作简单、成本低和结果可靠等优势,可作为分析光刻胶成分的手段之一。
氦质谱检漏仪光刻机检漏
上海伯东客户日本某生产半导体用光刻机公司, 光刻机真空度需要达到 1x10-11 pa 的超高真空, 因为设备整体较大, 需要对构成光刻机的真空相关部件进行检漏且要求清洁无油, 满足无尘室使用要求, 为了方便进行快速检漏, 采购伯东 Pfeiffer 便携式氦质谱检漏仪 ASM 310.
FIB-SEM-Ar“三束“系统
日立最新双束FIB系统 NX2000(图1)可以通过对已经加工好的样品再用Ar+离子束进行加工,达到更好的加工效果 。
KRi 离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD.
液体颗粒计数器解决高粘度光刻胶检测方案深度剖析
在微纳米制造领域,高粘度光刻胶作为精密图形的关键转移媒介,其纯净度直接关系到最终产品的性能与良率。针对这一挑战,我们精心设计了基于先进液体颗粒计数器的检测方案,旨在精准捕捉并量化光刻胶中的微小颗粒,确保生产过程的无瑕衔接。
液体颗粒计数器在光刻胶纯度判定中的应用
在半导体制造这一科技前沿领域,光刻胶作为连接设计与制造的桥梁,其纯度的微小波动都可能对最终芯片的性能产生深远影响。因此,采用先进的液体颗粒计数器进行检测,成为了确保光刻胶质量不可或缺的一环。
QCM-D研究光刻蚀分解
光响应高分子(光刻胶)材料被广泛的应用于工业处理,如电子器件和刻蚀。他们对光敏感,并且大量使用在表面上。本文主要采用QCM-D技术对光响应高分子的性能进行了研究。
MC方案:实时监控由于环境光暴露引起的光刻胶膜的光谱灵敏度
通常,普通光刻胶的光谱灵敏度范围从DUV到光谱的短波VIS部分。 如果没有合适的黄色/橙色滤光片,人造光和日光都会在几秒钟内使涂有光刻胶层的基材曝光,从而使可重复的光刻工艺变得不可能。 在我们的研究中,研究了在显微镜玻璃上涂覆的?3μ m厚的AZ5214光致抗蚀剂上的标准室内曝光量。
瑞典百欧林:光刻胶薄膜的溶涨性能研究
采用具有耗散功能的石英晶体微天平(QCM-D)和红外光谱技术研究了不同类型光刻胶薄膜的溶涨性能及其影响因素。
MC方案:光刻胶溶解的实时监测
为了优化半导体和光子器件的图形制作工艺,对光刻胶溶解过程的表征进行了不断的研究。溶出度的实时监测可为此类表征提供必要的信息。在本应用中,通过使用FR-Pro VIS/NIR和FR液体附件,对标准显影剂(AZ726MIF)中的抗蚀剂(AR-N7520.18)薄膜的溶解过程进行实时监控。
FIB-SEM双束电镜应用之Xe等离子快速切割技术
Xe等离子FIB能够实现微纳米,甚至毫米级的快速加工。Xe等离子FIB的最大束流为2μ A,另外Xe离子的原子量更大,对纯Si的溅射效率比Ga离子约高30%。虽然Xe离子的溅射效率高,但是由于Xe离子的直径较大,Xe等离子束加工样品时产生的注入效应和损伤要比Ga离子束小。
ATAGO爱拓多波长阿贝折光仪 DR-M4 应用于半导体光刻胶折射率检测
在微电子制造中,光刻胶是一种重要的材料,用于制作芯片上的微笑结构,光刻胶的折射率对于芯片制造过程中的图案精度和成像效果有着重要的影响 。 因此,在实际应用中,需要选择适合类型与参数的光刻胶,以获得最佳的成像效果。
锂电材料截面微观分析——离子束研磨
伴随着经济全球化进程和化石燃料的大量使用,环境污染和能源短缺的问题日渐突出。为了减少化石燃料使用过程的污染,发展风、光、电可持续再生能源及新型动力电池和高效储能系统,实现可再生能源的合理配置及电力调节,对于提高资源利用效率,解决能源危机和保护环境都具有战略意义。
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