氦质谱检漏仪 MOCVD 设备检漏
MOCVD ( Metal-organic Chemical Vapor Deposition ) 是在气相外延生长 (VPE) 的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术. MOCVD 是以Ⅲ族, Ⅱ族元素的有机化合物和V, Ⅵ 族元素的氢化物等作为晶体生长源材料, 以热分解反应方式在衬底上进行气相外延, 生长各种 Ⅲ-V族, Ⅱ-Ⅵ 族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料. 通常 MOCVD 系统中的晶体生长都是在常压或低压 (10-100Torr) 下通H2的冷壁石英 (不锈钢)反应室中进行, 衬底温度为 500-1200℃, 用直流加热石墨基座 (衬底基片在石墨基座上方), H 2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区.