三阶非线性光学性能

总览ASCUT UG & Co KG NIR-IR近红外非线性光学晶体包含 LISe 硒铟锂(LilnSe2),LIS硫铟锂(LilnS2),LGSe硒镓锂(LiGaSe2),LGS硫镓锂(LiGaS2),GASE硒化镓,AGSe硒镓银(AgGaSe2),AGS硫镓银(AgGaS2)等.我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。名称型号货号 描述 价格 LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体 LiGaS2A80160204透光率, 0.33 – 11.6µ m,带隙,4.15 eV,定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiGaSe2A80160203透光率, 0.37 – 13.2µ m,带隙, 3.57eV (300K)定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiInS2A80160202透光率,0.35– 13.2 µ m, 非线性系数, pm/V d31=7.25, d24=5.66 @2.3 ,对称度 斜方晶系, mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/6 表面质量, scratch/dig 30/20 LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体 LilnSe2A80160201透光率, 0.43– 13.2 µ m,非线性系数, pm/V:d31=11.78, d24=8.17 @2.3 µ m ,对称度:斜方（晶系）, mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=7.192, b=8.412, c=6.793 ,带隙, eV:2.86,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体 AgGaSe2A80160206透光率,0.76 – 18 µ m,单轴负晶 no ne (at λ 0.804 μm ne no),非线性系数, pm/V d36 = 39.5 @10,6 µ m ,对称度 四方晶系, -42m point group GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 GaSeG80010032透光率0.62 – 20µ m,非线性系数, pm/V : d22 = 54 @10.6 µ m,对称度:六方晶系, 6m2 point group,晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89,离散角, ° 5.3 µ m AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2 AgGaS2A80160205透光率: µ m 0.47 – 13 非线性系数: pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µ m , 对称度:四方晶系, -42m point group 晶胞参数:a=5.757, c=10.311总览LGS 是一种最近提出的 IR 新型非线性材料，具有纤锌矿型结构，UV 透射率低至 0.32。OPO、OPA、DFG 获得 mid-IR。LiBC 2族晶体具有一组重要的物理参数，如带隙大、二光子吸收低、透光范围宽，包括太赫兹窗口、低群速度失配、高导热率、低热膨胀系数各向异性、等，这导致在宽光谱范围内的可调谐激光系统中有效使用。LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体,LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaS2透光率, µ m0.33 – 11.6对称度mm2带隙, eV4.15非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=5.8 d24=5.1 d33= -10.70.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m92THz3.25光学损坏阈值, MW/cm21064 nm (t=14 ns)240热导系数 k, WM/M°C6-8 calc.光学倍频截止1.47 - 7.53光学元件参数复合物LiGaS2定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20总览LGSe是一种新型非线性红外材料，具有纤锌矿型结构，紫外透射率可降至0.38。LiBC2基团中红外晶体的OPO、OPA、DFG具有一组重要的物理参数，如带隙大、双光子吸收低、透明范围宽(包括THz窗镜)、群速度失配低、导热系数高、热膨胀系数各向异性低等，从而可以有效应用于宽光谱范围的可调谐激光系统。LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaSe2透光率, µ m0.37 – 13.2对称度mm2带隙, eV (300K)3.57非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=9.9 d24=7.7 @2,3 µ m0.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m218THz1.37热导率k, WM/M°C4.8-5.8 calc.光学倍频截止1.57 - 11.72光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 总览硫铟锂（LiInS2或LIS）晶体的非线性特性与AgGaS2和AgGaS2相近，但其晶体结构不同。LiInS2是一种热释电材料，其电光参数是将其用作有效电光材料的基础。LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiInS2透光率, µ m0.35– 13.2非线性系数, pm/Vd31=7.25, d24=5.66 @2.3 对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816典型反射系数1064 nm532 nmnx=2.1305, ny=2.1668, nz=2.1745nx=2.2353, ny=2.2841, nz=2.2919用于SHG的基频 x-y, Type II, eoe2.35–6.11x-z, Type I, ooe1.78–8.22y-z, Type II, oeo2.35–2.67y-z Type II, oeo5.59–6.11总间隔时间1.617–8.71光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=14 ns)40 热导率k, WM/M°Ckx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.30.2透明度级别的远红外吸收边缘2.58 THz at 118 µ m 光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig30/20 应用Ti: Sappire 激光泵浦的光学参量振荡器（范围 1 – 12 µ m）用于使用OPO的可调谐固态激光器，由Nd:YAG和其他1.2-10µ m范围内的激光器泵浦中红外(2-12µ m)的差频产生 ,将CO2激光辐射图像上转换为近红外或可见光区域&bull 中红外范围（2-12µ m）的不同频率发生器1-12μm泵浦Al2O3:Ti的光学参量振荡器席中红外区频率混频对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料，对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 'AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源 用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源 早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频 上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µ m。AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体,AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体技术参数主要特性复合物AgGaSe2透光率, µ m0.76 – 18单轴负晶no ne (at λ 0.804 μm ne no)非线性系数, pm/Vd36 = 39.5 @10,6 µ m 对称度四方晶系, -42m point group典型反射系数10.6 µ m5.3 µ mno=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811光学损坏阈值, MW/cm22000 nm (t=30 ns)13离散角, °5.3 µ m0.68热导系数 k, WM/M°C1.1频带隙能量, eV1.8光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μmn0= ne, λ = 0.804 光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 40平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20应用有效中红外辐射二次谐波的产生 中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器等各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 µ m) 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体,GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物GaSe透光率, µ m0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 µ m对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89典型反射系数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm (t=10 ns)30离散角, °5.3 µ m4.1应用10.6 µ m激光辐射二次谐波的产生中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览AGS 硫镓银晶体(silver thiogallate硫没食子酸银)是一种优质的红外非线性晶体材料，具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。透光范围为0.53-13um, AgGaS2晶体在550um处具有高透光性，具有广泛的应用，可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，半导体激光，钛宝石激光，Nd：YAG和IR染料激光的各种差频, 覆盖3-12um波段，此外,还实用于定向红外对抗系统(DIRCMS）和各种波长CO2激光倍频。AGS 硫镓银对中红外激光的倍频效率高,可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µ m。AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2,AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2技术参数应用中红外辐射的高效倍频光学参量振荡和放大，不同频率产生到高达12µ m的中红外区域各向同性点附近区域的光学窄带滤波器 (0.4974 µ m at 300 K)主要参数复合物AgGaS2透明度, µ m0.47 – 13非线性参数, pm/Vd36 = 12.6 @ 10.6 µ m 负单轴晶体no ne (at λ 0.497 μm ne no)对称性四方晶系, -42m point group晶胞参数, &angst a=5.757, c=10.311典型反射指数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.3475, ne=2.2918 no=2.3945, ne=2.3406光学损伤阈值, MW/cm2 1064 nm (t=10 ns)350离散角, °5.3 µ m0.76热导系数 k, WM/M°C1.5室温带隙, eVEg = 2.73在各向同性点的光活性 ρ = 522deg/mmn0= ne, λ = 0.4974 μm0.2透明度级别的远红外吸收边缘0.86 THz 346 µ m光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平整度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 可提供大/长光学元件，请发送您的要求。我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。

产品名称：非线性光学原位光谱检测气固反应池产品型号：非线性光学原位光谱检测气固反应池产品类型：精品定制产品特点：非线性光学原位光谱检测气固反应池

lithium indium sulphide 主要特征 透射范围, µ m0.35- 12.0非线性系数, pm/Vd31=8.35, d32=8.3对称度Orthorombic, mm2 point group晶胞参数, Å a=6.893, b=8.0578, c=6.4816典型反射折射1064 nm532 nmnx=2.1305, ny=2.1668, nz=2.1745nx=2.2353, ny=2.2841, nz=2.2919用于SHG的基频x-y, Type II, eoe2.35 - 6.11x-z, Type I, ooe1.78 - 8.22y-z, Type II, oeo2.35 - 2.67y-z Type II, oeo5.59 - 6.11Total interval covered1.617 - 8.71光学损伤阈值 GW/cm21053 nm(t=10 ns)~1热导率k, WM/M° Ckx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.3Absorption edge in the far-IR on 0.2transparency level2.58 THz at 118 µ m 取向精确度, arc min 30平行度 arc sec, 30平整度546 nml/6表面质量, scratch/dig20/10 应用 Ti:Sapphire激光泵浦的 1-12微米范围的OPO中红外的差频（2-12微米）