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光电流成像系统

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光电流成像系统相关的仪器

  • LBIC 激光光束诱导电流成像系统是卓立汉光公司开发的用于测量光电材料的光电响应信号、表征材料光电性质的光电系统。 该系统是基于激光光束诱导电流的测试原理,将光电材料对于光信号响应的不均匀性以可量化且可视化的方式显示出来。通过该系统,可以研究例如太阳能电池光生电流的不均匀性,探索光电器件量子效率与器件电阻的分布特性,研究器件吸收与电荷生成的微区特性,以及光电材料界面、半导体结区的品质分布等。整个系统包括光源部分、显微部分、位移台部分、电控电测部分和软件部分。 激光光束诱导电流成像系统LBIC系统特点: 高精度空间分辨率 灵活选择多种激发光源 高倍聚焦激发光斑 精密自动化电动位移台 光源、显微、监视光路一体化设计 激光光束诱导电流成像系统LBIC技术规格:系统名称LBIC激光光束诱导电流成像系统激发光源多种高稳定性连续激光器激光功率0-30mW连续可调聚焦光斑大小小于50um 光源功率稳定性1% 系统测量重复性2% 显微系统X10、X20倍显微物镜监视部分130W像素工业相机可测量样品面积100mm X 100mm 位移空间分辨率0.625um 工作温度范围10-35摄氏度标准探测器中国计量院标定的Si或InGaAs标准探测器激光光束诱导电流成像系统LBIC测试示例: 硅探测器对于405nm诱导激光量子效率空间分布图, 图示空间分辨率为50um。 某硅探测器的405nm激光光束诱导电流空间分布图, 图示空间分辨率为50um。
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  • 近年来,钙钛矿型闪烁体及钙钛矿型 X 射线直接探测器被广泛研究及报道。在发光闪烁体层面,钙钛矿纳米晶闪烁体通过溶液即可制得,成本极低,且具备全色彩可调谐辐射发光的特点。在直接探测层面,铅卤钙钛矿材料因其具备较大的原子序数、高吸收系数等优点,在 X 射线直接探测领域同样表现出非常优异的性能。卓立汉光能够提供基于 X 射线的稳态发光光谱,荧光寿命,瞬态光谱以及 X 射线探测成像的相关测量方案。能够提供全套涵盖 X 射线激发源、光谱仪、稳态及瞬态数据处理、成像测量(CMOS 成像,单像素成像,TFT 面阵成像)、辐射剂量表、辐射安全防护等,辐射防护防护满足国标《低能射线装置放射防护标准》(GBZ115-2023)。如下陈述我们几种测量方案及相关配置明细( 一 ) 稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒 X 射线和 TCSPC 测量原理的方法纳秒脉冲 X 射线 稳态和寿命测量数据( 二 ) X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲 X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵 X 射线成像 成像测量结果( 三 ) 技术参数稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒X 射线和TCSPC 测量原理的方法包含:皮秒脉冲激光器、光激发X 射线管、TCSPC 或条纹相机。 由皮秒脉冲激光器激发“光激发X 射线管”发射出X-ray 作用于样品上,样品发射荧光,经光谱仪分光之后,由探测器探测光信号,数据采集器读取数据。皮秒X 射线测量荧光寿命原理图纳秒脉冲X 射线150KV 纳秒脉冲X 射线* 安全距离要求:a:3 米,b:6 米,c:30 米稳态和寿命测量数据NaI 样品在管电压50KeV,不同管电流激发下的辐射发光光谱 纳秒X 射线激发的荧光衰减曲线X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵X 射线成像TFT 传感芯片规格TFT 读取系统规格成像测量结果 CMOS 成像实物图分辨率指标:TYP39 分辨率卡的X 射线图像。测试1mm 厚的YAG(Ce) 时,分辨率可以优于20lp/mm 手机充电头成像测试密码狗成像测试技术参数稳态X 射线激发发光测量光源 能量:4-50KV,功率:0-50W 连续可调,靶材:钨靶,铍窗厚度 200μm样品位置辐射剂量:0-25Sv/h光路透射和反射双光路,可切换 光谱范围200-900nm(可扩展近红外)监视器内置监视器方便观察样品发光,可拍照快门可控屏蔽快门,辐射光源最大功率下,关闭快门,样品位置辐射剂量小于10uSv/h辐射防护满足国标《X 射线衍射仪和荧光分析仪卫视防护标准》(GBZ115-2023)样品支架配备粉末、液体、薄膜样品架成像测量模块成像面积:直径20mm(可定制更大面积:120mm×80mm)成像耦合光路附件,样品测试夹具相机参数:颜色:黑白,分辨率:20MP, 5472 (H) x 3648 (V),像元尺寸:2.4μm×2.4μm,量子效率:84%@495nm,暗电流:0.001e-/pixel/s,制冷温度:-15℃,成像分辨率:优于20lp/mm瞬态X 射线激发发光测量光源皮秒脉冲X 射线源纳秒脉冲X 射线源*405nm ps 激光二极管:波长:100Hz-100MHz 可调,峰值功率:400mW@ 典型值,脉冲宽度:100ps光激发X 射线光管:辐射灵敏度:QE10%(@400nm),靶材:钨,操作电压:40KV,操作电流:10μA@ 平均值,50μA@ 最大值 电压:150KV脉冲宽度:50ns重复频率:10Hz平均输出剂量率:2.4mR/pulse数据采集器TCSPC 计数器条纹相机(同时获得光谱和寿命)示波器瞬时饱和计数率:100Mcps 时间分辨率(ps):16/32/64/128/256/512/1024/…/33554432通道数:65535死时间:< 10ns支持稳态光谱采集数据接口:USB3.0最大量程:1.08μs @16ps,67.1μs@1024ps, 2.19s@33554432ps 光谱测量范围:200-900nm时间分辨率:=5ps,( 最小档位时间范围+ 光谱仪光路系统)探测器:同步扫描型通用条纹相机ST10测量时间窗口范围:500ps-100us( 十档可选)工作模式:静态模式,高频同步模式以及 低频触发模式;系统光谱分辨率:0.2nm@1200g/mm单次成谱范围:=100nm@150g/mm静态(稳态)光谱采集,瞬态条纹光谱成像及荧光寿命曲线采集模拟带宽:500 MHz通道数:4+ EXT实时采样率:5GSa/s( 交织模式),2.5GSa/s( 非交织模式)存储深度:250Mpts/ch( 交织模式),125 Mpts/ch( 非交织模式) 寿命尺度500ps-10μs100ps-100μs 100ns-50msX 射线探测成像 方式CMOS 成像单像素探测器TFT 集成的面阵探测器配置成像耦合光路附件,样品测试夹具相机参数:颜色:黑白分辨率:20MP, 5472 (H) x 3648 (V) 像元尺寸:2.4μm×2.4μm量子效率:84%@495nm暗电流:0.001e-/pixel/s制冷温度:-15℃XY 二维电动位移台:XY5050:行程:X 轴50mm,Y 轴50mm,重复定位精度1.5μm,水平负载4Kg;XY120120:行程:X 轴120mm,Y 轴120mm,重复定位精度3μm,水平负载20KgTFT 阵列传感芯片(可提供直接型和间接型芯片):背板尺寸(H×V×T):44.64×46.64×0.5 mm,有源区尺寸(H×V):32×32mm,分辨率(H×V):64×64, 像素大小:500×500μmTFT 读出系统:成像规格:解析度:64 行×64 列,数据灰阶:支持256 灰阶显示,数据通信方式:WIFI 无线通讯,数据显示载体:手机/ 平板(Android 9.0以上操作系统、6GB 以上运行内存)辐射剂量测定辐射计量表探测器:塑料闪烁体, Ø 30x15 mm连续长期辐射:50 nSv/h ... 10 Sv/h连续短期辐射:5 μSv/h ... 10 Sv/h环境剂量当量测量范围:10 nSv ... 10 Sv连续的短时辐射响应时间:0.03 s相对固有误差:连续和短期辐射:±15% 最大137 Cs 灵敏度:70 cps/(μSvh-1 )剂量率变化0.1 to 1 μSv/h 的反应时间 ( 精度误差 ≤ ±10%) 2 s全光产额测量方案 闪烁晶体的光产额(也称为光输出或光子产额)是指晶体在受到电离辐射(如γ 射线、X 射线或粒子)激发后,发射光子(通常是可见光)的数量。光产额通常以每单位能量沉积产生的光子数来表示,单位可以是光子/MeV。光产额是衡量闪烁晶体性能的重要参数之一,它是衡量闪烁体材料性能的重要指标之一,也直接关系到该材料在实际应用中的灵敏度和效率。常见的闪烁晶体包括碘化钠(NaI),碘化铯(CsI),和氧化镧掺铈(LaBr3)等。不同的晶体材料会有不同的光产额,这取决于其发光机制、能带结构、以及材料的纯度和缺陷等因素。研究闪烁体材料的光产额对于提高其性能、拓展其应用具有重要的意义。一些常见闪烁晶体的光产额值如下:碘化钠(NaI(Tl)):约38,000 photons/MeV氯化铯(CsI(Tl)):约54,000 photons/MeV氧化铈掺杂的氧化镧(LaBr3):约63,000 photons/MeV钇铝石榴石掺杂铈离子(YAG:Ce):约14,000 photons/MeV 光产额越高,意味着该晶体能够在相同的能量沉积条件下产生更多的光子,从而在探测器中生成更强的信号,通常也会导致更好的能量分辨率。卓立汉光提供一整套包含同位素源、屏蔽铅箱(被测器件及光路)、光电倍增管、高压电源、闪烁体前置放大器、谱放大器、多道分析仪及测试软件,实现闪烁体的光产额测量。同位素源Na-22(或 Cs-137 可选),屏蔽铅箱(被测器件及光路),充分保证测试人员安全 光电倍增管 光谱范围:160-650nm,有效面积:46mm 直径,上升时间:≤ 0.8ns 高压稳压电源 提供:0-3000V 闪烁体前置放大器 :上升时间< 60ns积分非线性≤ ±0.02%计数率:250 mV 参考脉冲的增益偏移 0.25%,同时应用 65,000/ 秒的 200 mV 随机脉冲的额外计 数速率,前置放大器下降时间:信号源阻抗为 1 MΩ,则下降时间常数为 50 μs 谱放大器高性能能谱,适合所有类型的辐射探测器(Ge、Si、闪烁体等) 积分非线性(单极输出): 从 0 到 +10V0.025%噪声:增益 100 时,等效输入噪声 5.0uV rms;手动模式下,增益> 1000 时,等效输入噪声 4.5uV rms;或者自动模式下,增益 100 时,等效输入噪声 6.0uV rms温度系数(0 到 50° C)单极输出:增益为 +0.005%/'C,双极输出:增益为 +0.07%/'C,直流电 平为 +30μV/° C误差:双极零交叉误差在 50:1 动态范围内 ±3 ns增益范围:2.5-1500 连接可调,增益是 COARSE(粗调)和 FINE GAIN(微调增益)的乘积。单极脉冲形状:可用开关为 UNIPOLAR(单极)输出端选择近似三角形脉冲形状或近似高斯脉冲形状。配置专用 3kv 高压电源 2K 通道多道分析仪ADC: 包括滑动标度线性化和小于 2us 的死区时间,包括存储器传输 积分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内≤士 0.025%。 差分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内小于士 1%。 增益不稳定性 : 士 50 ppm/° C死区时间校正 : 根据 Gedcke-Hale 方法进行的延长的实时校正。 USB 接口 :USB 2.0 到 PC 的数据传输速度最高可达 480Mbps操作电脑/ 光学平台 尺寸:1500*1200*800mm台面 430 材质,厚度 200mm,带脚轮。固有频率:7-18Hz,整体焊接式支架
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  • 光电流成像系统 400-860-5168转2831
    光电流成像系统所属类别: ? 专用实验设备 ? 拉曼/PL/光电流 成像系统所属品牌:韩国Nanobase公司 激光共聚焦光电流成像系统,带低温探针台 XperRam CONFOCAL RAMAN-PHOTOCURRENT/ EL WITHPROBESTATION, CRYOSTATENVIRONMENT 超高性价比光电流成像系统,同时可用于拉曼光谱成像,荧光光谱成像。u 独特的激光扫描技术,具有优异的扫描分辨率和重复性 激光扫描分辨率 0.02 um & 重复性 0.1 μmu 体相全息光栅光谱仪 光透过率90%,比反射式光栅高30%,信号传输效率更高u 具有Raman/PL/光电流等多种测量模式u 结构紧凑,模块化设计u 扫描速度快,扫描范围大200μm x 200μm范围内高速成像 & 2D Mapping (x 40 objective) 探针台,拉曼光谱成像,PL,荧光光谱成像,光电流光谱成像,拉曼 mapping,PL mapping,photocurrent mapping,光电流mapping,荧光mapping 韩国Nanobase公司最新推出的激光共聚焦光电流成像系统(光电流mapping)结合了探针台和激光共聚焦成像系统,不仅可以用作探针台,还可以用于光电流成像,同事扩展支持拉曼光谱成像和荧光光谱成像,产品具有如下特点: ? 客制化,可升级设计? 200μm x 200μm 大面积快速扫描成像 & 2D Mapping (x 40 objective)? 采用VPHG体相全息光栅,光通过率高。? 易于使用和维护? 可升级至拉曼光谱成像和荧光光谱成像 光学参数:激发光源445,532,635,808,1530nm等显微镜(标配)X40,NA=0.75光谱范围30cm-1到6000cm-1激光扫描分辨率 0.02 um & 重复性 0.1 μmFOV:200μm x 200μm@40X物镜激光扫描光谱范围VIS:450-700nm NIR 1:650-1050nmNIR 2: 1050-1550nm 探针台参数:探针台6寸真空吸附卡盘,光谱范围30cm-1到6000cm-1XY方向移动范围150 x 150mm, 分辨率5um FOV:200μm x 200μm@40X物镜Z方向移动范围上/下10mm, 分辨率1um探针头金,钨高精度定位器PH-C15, 10fA leakage current 4SET 配备独特的激光扫描装置 应用实例: 应用领域:材料学,功能材料,纳米材料,二维材料(石墨烯,二硫化钼等),铁电陶瓷等生物医学,细胞成像,疾病检测,皮肤分析等半导体,太阳能电池和OLED等 相关产品惊爆价!50万RMB!高速大面积共聚焦拉曼成像系统 显微拉曼成像光谱仪 光致发光成像光谱仪
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  • 产品介绍随着二维材料研究的蓬勃发展,其材料性能及器件工作机制都与传统半导体材料和器件有很大差异,光电流成像显微系统成为研究材料性能和检测材料光电流强度分布的重要设备,既可以用于测量光电材料的光电响应信号,又可以表征材料的光电性质。托托科技致力于开发具有高性能、高稳定性和高灵活度的微区光电流成像显微系统,系统采用双层平台机构,空间大,提供更多组合可能性,可搭配激光合束模组、高精度XY运动台、电磁场系统、低温恒温系统、锁相放大器、光谱仪系统等。系统兼容磁场、电场、低温,实现对二维材料磁、光、电、温度的调制。我们提供完整的NI Labview控制程序以方便用户的使用。软件包将所有系统中的测试设备统一控制,可以实现四种变量任意组合的光电流测试,即可以一次性测量不同变量下的光电流信号。系统结构图增强版系统外观如下,各个产品应客户要求,略有区别。产品亮点1、超宽谱激光兼容2、高精度XY运动台3、光路准直共路4、可搭配源表/探针台5、可搭配光谱仪系统/探测器6、高稳定性,操作便捷扫描数据参考Bi2Se3薄膜的光电流扫描数据(Nat. Comm. 9, 2492 (2018)) WTe2薄膜的光电流映射数据 (Nano Lett. 19, 2647 (2019)) 系统升级选项 1、搭配低温恒温系统 (5k -500k) 2、时间分辨光电流 3、荧光测试功能 4、磁场整合关键技术指标(TTT-03-PC)成像系统显微镜Carl Zeiss 正置式显微镜照明光源LED照明光源物镜5X、20X、100X,可选配多种倍率、超长焦距物镜反射式物镜,覆盖全波段相机彩色CMOS相机 (1920*1080 像素)激光耦合输入常规波长范围400 ~ 2000 nm (典型可见光:405nm、473nm、532nm、671nm,近红外:808nm、1064nm、1342nm、1550nm、1950nm)可选波长中红外激光器:4um-12um,间隔1um其他选配光源可选配光纤接口,支持光纤导入准直激光装配类型单个激光器,或者激光合束模组(支持四个激光器准直共路)扫描平台位移台类型高负载、高精度XY运动台,直线驱动,闭环反馈扫描范围100mm*100mm扫描精度50nm双向可重复性±0.5um广泛测试环境Keithley 2400或用户需求可选配探针台或者PCB板连接源表,提供电压输入及探测可搭配电磁铁、低温恒温系统可选配锁相放大器、斩波器可搭配光谱仪系统、各种探测器等检测设备其他参数软件基于labview的全自动软件设备尺寸140 cm * 100cm * 170cm附属配件光学平台、电脑、无线鼠标备注:1、订购时指定激光类型。2、设备可配置多种电学仪表。安装要求温度20 – 40℃湿度RH 60 %电源220 V, 50 Hz应用实例系统的典型应用包括但不限于:1、表征自旋累积、自旋寿命2、表征光电流3、表征反射谱
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  • 瞬态光电流/光电压测试系统用于太阳能电池瞬态光电性能测量(载流子迁移率测量,瞬态光电流测量、光电压测量、瞬态光电性能测量、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS),对于光电器件微观机理研究提供了有力的测试工具;多功能一体化高性能瞬态测试平台,不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等,还可以对瞬态光电流谱TPC,瞬态光电压谱TPV、调制光电流谱IMPS、瞬态光电压谱IMVS等进行测量分析,全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。主要应用: * 无机半导体光电器件,有机半导体光电器件; * 有机太阳能电池OPV; * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell,钙钛矿LED; * 无机太阳能电池(例如:单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池); * 染料敏化太阳能电池DSSC;主要测量功能 * 功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强,迁移率(I-V测试 & I-V-L测试,空间电荷限制电流SCLC法) * 载流子密度,载流子动力学过程(瞬态光电流法 TPC) * 载流子寿命,载流子符合动力学过程(瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV) * 载流子迁移率(暗注入瞬态法 DIT,单载流子器件&OLED) * 串联电阻,几何电容,RC时间(电压脉冲法 Pulse Voltage) * 参杂密度,电容率,串联电阻,载流子迁移率(暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV) * 载流子迁移率,载流子密度(光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV) * 载流子复合过程,朗之万函数复合前因子(时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV) * 不同工作点的载流子强度,载流子迁移率(注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV) * 几何电容,电容率(MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV) * 陷阱强弱度,等效电路(阻抗谱测试 IS) * 迁移率,陷阱强弱度,电容,串联电阻(电容VS频率 C-f) * 内建电压,参杂浓度,注入势垒,几何电容(电容VS电压 C-V) * 陷阱分析(深能级瞬态谱DLTS) * 载流子传输时间分析(强度调制光电流谱 IMPS); * 载流子复合时间、收集效率等分析(强度调制光光电压谱IMVS); * 点亮电压(电流电压照度特性 I-V-L) * 发光寿命,载流子迁移率(瞬态电致发光法 TEL) *载流子迁移率(TEL瞬态电致发光,Photo-CELIV线性增压抽取载流子) *OLED/钙钛矿LED发光特性测量(发光器件测量);测量技术: 1)IV/IVL特性:IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法,通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系;*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等; 2)瞬态光电流(TPC):研究载流子动力学过程和载流子密度等; 3)瞬态光电压(TPV):研究载流子寿命和复合过程; 4) 双脉冲瞬态光电流(Double Transient Photocurrent):分析电荷载流子俘获动态过程; 5) 暗注入瞬态法(Dark Injection):对于单载流子器件和OLED,研究其载流子迁移率; 6) 电压脉冲法(Voltage Pulse):串联电阻、几何电容和RC效应分析; 7) 暗态线性增压载流子瞬态法(Dark-CELIV):参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量; 8) 光照线性增压载流子瞬态法(Photo-CELIV):提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility,及载流子浓度分析等; 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法(Delaytime-CELIV):复合动态过程分析和郎之万复合因子分析等; 10)注入线性增压载流子瞬态法(Injection-CELIV):电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析; 11)MIS-CELIV:几何电容和相对介电常数分析; 12)阻抗谱测量(Impedance Spectroscopy):器件等效电路分析等; 13)电容频率测量法(C-f): 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量; 14)电容电压测量法(C-V):内建电压、参杂浓度和几何电容等测量; 15) 深能级瞬态谱(DLTS):陷阱分析; 16)强度调制光电流谱(IMPS):载流子传输时间分析; 17)强度调制光光电压谱(IMVS):载流子复合时间、收集效率等分析; 18)瞬态电致发光测试(Transient Electroluminescence):抽取OLED器件的载流子,磷光寿命测量;另外,我公司提供专业太阳能测试设备制造商为客户提供全套专业的设备: 1.太阳能电池光谱响应测试系统、IPCE测试系统、量子效率测试系统; 2.太阳能电池测量系统(光谱响应测试系统,IPCE测试系统,量子效率测试系统,I-V曲线测量系统),太阳能电池测试仪; 3.太阳能电池I-V曲线测量系统; 4.I-V 数据采集系统; 5.大面积太阳能模拟器/太阳光模拟器/全光谱太阳光模拟器; 6.太阳能电池分选机; 7.太阳能电池I-V测试仪; 8.分光辐射度计, 9.参考电池/标准电池, 10.太阳能模拟器均匀性图像分析系统; 11.有机太阳能电池载流子迁移率测量系统; 12.钙钛矿太阳能电池载流子迁移率测量系统; 13.太阳能电池少数载流子测量系统;
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  • 瞬态光电流/瞬态光电压测量系统(TPC/TPV),用于太阳能电池瞬态光电性能测量(载流子迁移率测量,瞬态光电流测量、光电压测量、瞬态光电性能测量、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS),对于光电器件微观机理研究提供了有力的测试工具;多功能一体化高性能瞬态测试平台,不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等,还可以对瞬态光电流谱TPC,瞬态光电压谱TPV、强度调制光电流谱IMPS、强度调制光电压谱IMVS等进行测量分析,全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。主要应用: * 无机半导体光电器件,有机半导体光电器件; * 有机太阳能电池OPV; * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell,钙钛矿LED; * 无机太阳能电池(例如:单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池); * 染料敏化太阳能电池DSSC;主要测量功能: * 功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强,迁移率(I-V测试 & I-V-L测试,空间电荷限制电流SCLC法) * 载流子密度,载流子动力学过程(瞬态光电流法 TPC) * 载流子寿命,载流子符合动力学过程(瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV) * 载流子迁移率(暗注入瞬态法 DIT,单载流子器件&OLED) * 串联电阻,几何电容,RC时间(电压脉冲法 Pulse Voltage) * 参杂密度,电容率,串联电阻,载流子迁移率(暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV) * 载流子迁移率,载流子密度(光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV) * 载流子复合过程,朗之万函数复合前因子(时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV) * 不同工作点的载流子强度,载流子迁移率(注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV) * 几何电容,电容率(MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV) * 陷阱强弱度,等效电路(阻抗谱测试 IS) * 迁移率,陷阱强弱度,电容,串联电阻(电容VS频率 C-f) * 内建电压,参杂浓度,注入势垒,几何电容(电容VS电压 C-V) * 陷阱分析(深能级瞬态谱DLTS) * 载流子传输时间分析(强度调制光电流谱 IMPS); * 载流子复合时间、收集效率等分析(强度调制光光电压谱IMVS); * 点亮电压(电流电压照度特性 I-V-L) * 发光寿命,载流子迁移率(瞬态电致发光法 TEL) *载流子迁移率(TEL瞬态电致发光,Photo-CELIV线性增压抽取载流子) *OLED/钙钛矿LED发光特性测量(发光器件测量);测量技术: 1)IV/IVL特性:IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法,通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系;*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等; 2)瞬态光电流(TPC):研究载流子动力学过程和载流子密度等; 3)瞬态光电压(TPV):研究载流子寿命和复合过程; 4) 双脉冲瞬态光电流(Double Transient Photocurrent):分析电荷载流子俘获动态过程; 5) 暗注入瞬态法(Dark Injection):对于单载流子器件和OLED,研究其载流子迁移率; 6) 电压脉冲法(Voltage Pulse):串联电阻、几何电容和RC效应分析; 7) 暗态线性增压载流子瞬态法(Dark-CELIV):参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量; 8) 光照线性增压载流子瞬态法(Photo-CELIV):提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility,及载流子浓度分析等; 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法(Delaytime-CELIV):复合动态过程分析和郎之万复合因子分析等; 10)注入线性增压载流子瞬态法(Injection-CELIV):电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析; 11)MIS-CELIV:几何电容和相对介电常数分析; 12)阻抗谱测量(Impedance Spectroscopy):器件等效电路分析等; 13)电容频率测量法(C-f): 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量; 14)电容电压测量法(C-V):内建电压、参杂浓度和几何电容等测量; 15) 深能级瞬态谱(DLTS):陷阱分析; 16)强度调制光电流谱(IMPS):载流子传输时间分析; 17)强度调制光光电压谱(IMVS):载流子复合时间、收集效率等分析; 18)瞬态电致发光测试(Transient Electroluminescence):抽取OLED器件的载流子,磷光寿命测量; 另外,我公司提供专业太阳能测试设备制造商为客户提供全套专业的设备: 1.太阳能电池光谱响应测试系统、IPCE测试系统、量子效率测试系统; 2.太阳能电池测量系统(光谱响应测试系统,IPCE测试系统,量子效率测试系统,I-V曲线测量系统),太阳能电池测试仪; 3.太阳能电池I-V曲线测量系统; 4.I-V 数据采集系统; 5.大面积太阳能模拟器/太阳光模拟器/全光谱太阳光模拟器; 6.太阳能电池分选机; 7.太阳能电池I-V测试仪; 8.分光辐射度计, 9.参考电池/标准电池, 10.太阳能模拟器均匀性图像分析系统; 11.有机太阳能电池载流子迁移率测量系统; 12.钙钛矿太阳能电池载流子迁移率测量系统; 13.太阳能电池少数载流子测量系统;
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  • 简介:瞬态光电流(TPC)/瞬态光电压(TPV)测量系统主要用于太阳能电池在稳态,瞬态以及交流条件下的光电性能测量(载流子迁移率测量Photo-CELIV,瞬态光电流测量TPC、瞬态光电性能测量TPV、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS以及阻抗IS,CV等量测)为光电器件微观机理研究提供了有力的测试平台;多功能一体化高性能瞬态测试平台,不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等,还可以对瞬态光电流谱TPC,瞬态光电压谱TPV、强度调制光电流谱IMPS、强度调制光电压谱IMVS等进行测量分析,全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。可量测器件类型: * 无机半导体光电器件,有机半导体光电器件; * 有机太阳能电池OPV; * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell,钙钛矿LED; * 无机太阳能电池(例如:单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池); * 染料敏化太阳能电池DSSC; 主要测量功能: * 最大功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强,迁移率(I-V测试 & I-V-L测试,空间电荷限制电流SCLC法) * 载流子浓度,载流子动力学过程(瞬态光电流法 TPC) * 载流子寿命,载流子符合动力学过程(瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV) * 载流子迁移率(暗注入瞬态法 DIT,单载流子器件&OLED) * 串联电阻,几何电容,RC时间(电压脉冲法 Pulse Voltage) * 参杂密度,电容率,串联电阻,载流子迁移率(暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV) * 载流子迁移率,载流子密度(光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV) * 载流子复合过程,朗之万函数复合前因子(时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV) * 不同工作点的载流子强度,载流子迁移率(注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV) * 几何电容,电容率(MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV) * 陷阱强弱度,等效电路(阻抗谱测试 IS) * 迁移率,陷阱强弱度,电容,串联电阻(电容VS频率 C-f) * 内建电压,参杂浓度,注入势垒,几何电容(电容VS电压 C-V) * 陷阱分析(深能级瞬态谱DLTS) * 载流子传输时间分析(强度调制光电流谱 IMPS); * 载流子复合时间、收集效率等分析(强度调制光光电压谱IMVS); * 点亮电压(电流电压照度特性 I-V-L) * 发光寿命,载流子迁移率(瞬态电致发光法 TEL) *载流子迁移率(TEL瞬态电致发光,Photo-CELIV线性增压抽取载流子) *OLED/钙钛矿LED发光特性测量(发光器件测量);测量技术: 1)IV/IVL特性:IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法,通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系;*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等; 2)瞬态光电流(TPC):研究载流子动力学过程和载流子密度等; 3)瞬态光电压(TPV):研究载流子寿命和复合过程; 4) 双脉冲瞬态光电流(Double Transient Photocurrent):分析电荷载流子俘获动态过程; 5) 暗注入瞬态法(Dark Injection):对于单载流子器件和OLED,研究其载流子迁移率; 6) 电压脉冲法(Voltage Pulse):串联电阻、几何电容和RC效应分析; 7) 暗态线性增压载流子瞬态法(Dark-CELIV):参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量; 8) 光照线性增压载流子瞬态法(Photo-CELIV):提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility,及载流子浓度分析等; 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法(Delaytime-CELIV):复合动态过程分析和Langevin复合因子分析等; 10)注入线性增压载流子瞬态法(Injection-CELIV):电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析; 11)MIS-CELIV:载流子迁移率量测 12)阻抗谱测量(Impedance Spectroscopy):器件等效电路分析等; 13)电容频率测量法(C-f): 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量; 14)电容电压测量法(C-V):内建电压、参杂浓度和几何电容等测量; 15) 深能级瞬态谱(DLTS):陷阱分析; 16)强度调制光电流谱(IMPS):载流子传输时间分析; 17)强度调制光光电压谱(IMVS):载流子复合时间、收集效率等分析; 18)瞬态电致发光测试(Transient Electroluminescence):抽取OLED器件的载流子,磷光寿命测量; 应用案例:1.第三代太阳能电池的表征2. Consistent Device Simulation Model Describing Perovskite Solar Cells in Steady-State, Transient and Frequency Domain
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  • 产品关键词:瞬态光电流、瞬态光电压、瞬态光电荷、TPV、TPC、TPQ、电荷抽取、开路电压上升衰减、载流子复合寿命、电池器件内部载流子、瞬态光电压谱、瞬态光电流谱、载流子动力学、Charge Extraction,CE、光电器件瞬态特性(时域/频域测试)、探测器瞬态上升、下降时间、TRTF、载流子浓度、电荷载流子寿命、电荷载流子迁移率、载流子寿命、电荷载流子密度瞬态光电流/光电压/光电荷测量系统瞬态光电压TPV、瞬态光电流TPC、瞬态光电荷TPQ测量平台,集成了TPV、TPC、TPQ、CE、Voc Rise and Decay、Photodetector Response、On-off TPV、On-off TPC等数种前沿的测量模式,包括最早于2020年帝国理工首次报道的瞬态光电荷TPQ测量功能。设备应用瞬态光电压TPV、瞬态光电流TPC、瞬态光电荷TPQ测试是揭示光伏、光催化、光电导等光电器件微观工作机理的关键手段。利用TPV、TPC、TPQ检测的数据进行分析,可以得到器件内部载流子的传输、积累、复合等动力学过程的相关信息。TPV、TPC、TPQ测试是直接基于最终的工况器件进行的,因而得到的参数可以直接反映工况条件下的光物理过程,这是一个相对于其它检测手段的很大的优势。TranPVC基于东谱科技的MagicBox主机研制而成,是专为光伏、光催化、光探测等研究领域开发的高性能TPV、TPC、TPQ测量平台,集成了数种最前沿的瞬态测量模式,为光电器件的机理研究提供了强有力的、便捷的测试工具。设备发展 2017年,开始向业内提供搭建式的TPV、TPC测试系统TranPVC 100;2019年,率先在业内推出全自动化、高度集成化的TPV、TPC测试系统TranPVC 300; 2020年,推出集成Charge Extraction(CE)和探测器时间响应功能的TranPVC升级版TranPVC 600,同时推出大功率稳瞬态白光光源HiFire;2021年,推出全球首款商业化瞬态光电荷TPQ测量仪,并将TPQ功能集成到TranPVC系列产品中,从而将TranPVC的产品名称扩展为“瞬态光电流/光电压/光电荷测量仪”,同时对全系列的产品进行了升级,得到了新一代在售的TranPVC产品TranPVC 900;2023年,在TranPVC 900产品矩阵中,新增J900和Y900系列,新发布on-off TPV/TPC功能,为客户提供更多高性价比的产品选项。主要功能TPV、TPC、TPQ、CE、Voc Rise and Decay、Photodetector Response、On-off TPV、On-off TPC等。主要应用□ 太阳能电池器件:硅基太阳能电池、有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池、铜铟镓硒太阳能电池、碲化镉太阳能电池等□ 光探测器:光电二极管、光电晶体管□ 光电导器件□ 光催化器件□ 其它光电转换器件产品特点□ 集成了TPV、TPC、TPQ、CE、Voc Rise and Decay、Photodetector Response、On-off TPV、On-off TPC等数种前沿的测量模式;□ 测试条件设置功能丰富,典型的如光强(偏置)、激发波长、脉冲频率、电压等,为构建丰富的测试场景提供条件,有利于综合评估器件性能;□ 具有自动化、高度集成化的特点,测试过程由软件控制,使用便捷,对操作人员的专业技能要求低;□ 软件自带拟合功能,方便对数据进行灵活分析;□ 样品台带位移功能,方便对同一基片上的不同子器件进行测试,多子器件测试切换由软件进行,测试效率高;□ 集成样品仓,方便更换样品和电学互联,样品仓可视化监测系统,实时观察测试光照射器件情况,便于调整样品的光斑照射位置;□ 样品夹具可实现惰性气体氛围测试,器件不封装的情况下,可从手套箱转移测试,满足多样化的测试需求;□ 所有光路均置于封闭暗箱内,无外界光源影响,光路进行了优化设置,一般不需要额外调整光路;□ 集成光阑,可调节激发光斑;□ 可灵活耦合不同类型激光器;□ 可集成偏置光,方便进行光偏压测量;□ 可集成其他定制功能。规格型号测试样例论文推荐太阳能电池领域采用TranPVC测试的相关论文典型用户:华南师范大学、华北电力大学、江西师范大学、华南理工大学、太原理工大学、华中科技大学、上海交通大学、深圳技术大学、兰州大学、陕西科技大学、南京邮电大学、哈尔滨工程大学...
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  • 强度调制光电流谱和强度调制光电压谱(IMPS/IMVS)测试设备,用于太阳能电池瞬态光电性能测量(载流子迁移率测量,瞬态光电流测量、光电压测量、瞬态光电性能测量、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS),对于光电器件微观机理研究提供了测试工具;多功能一体化高性能瞬态测试平台,不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等,还可以对瞬态光电流谱TPC,瞬态光电压谱TPV、强度调制光电流谱IMPS、强度调制光电压谱IMVS等进行测量分析,全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。主要应用: * 无机半导体光电器件,有机半导体光电器件; * 有机太阳能电池OPV; * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell,钙钛矿LED; * 无机太阳能电池(例如:单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池); * 染料敏化太阳能电池DSSC;主要测量功能 * 功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强,迁移率(I-V测试 & I-V-L测试,空间电荷限制电流SCLC法) * 载流子密度,载流子动力学过程(瞬态光电流法 TPC) * 载流子寿命,载流子符合动力学过程(瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV) * 载流子迁移率(暗注入瞬态法 DIT,单载流子器件&OLED) * 串联电阻,几何电容,RC时间(电压脉冲法 Pulse Voltage) * 参杂密度,电容率,串联电阻,载流子迁移率(暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV) * 载流子迁移率,载流子密度(光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV) * 载流子复合过程,朗之万函数复合前因子(时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV) * 不同工作点的载流子强度,载流子迁移率(注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV) * 几何电容,电容率(MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV) * 陷阱强弱度,等效电路(阻抗谱测试 IS) * 迁移率,陷阱强弱度,电容,串联电阻(电容VS频率 C-f) * 内建电压,参杂浓度,注入势垒,几何电容(电容VS电压 C-V) * 陷阱分析(深能级瞬态谱DLTS) * 载流子传输时间分析(强度调制光电流谱 IMPS); * 载流子复合时间、收集效率等分析(强度调制光光电压谱IMVS); * 点亮电压(电流电压照度特性 I-V-L) * 发光寿命,载流子迁移率(瞬态电致发光法 TEL) *载流子迁移率(TEL瞬态电致发光,Photo-CELIV线性增压抽取载流子) *OLED/钙钛矿LED发光特性测量(发光器件测量);测量技术: 1)IV/IVL特性:IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法,通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系;*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等; 2)瞬态光电流(TPC):研究载流子动力学过程和载流子密度等; 3)瞬态光电压(TPV):研究载流子寿命和复合过程; 4) 双脉冲瞬态光电流(Double Transient Photocurrent):分析电荷载流子俘获动态过程; 5) 暗注入瞬态法(Dark Injection):对于单载流子器件和OLED,研究其载流子迁移率; 6) 电压脉冲法(Voltage Pulse):串联电阻、几何电容和RC效应分析; 7) 暗态线性增压载流子瞬态法(Dark-CELIV):参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量; 8) 光照线性增压载流子瞬态法(Photo-CELIV):提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility,及载流子浓度分析等; 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法(Delaytime-CELIV):复合动态过程分析和郎之万复合因子分析等; 10)注入线性增压载流子瞬态法(Injection-CELIV):电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析; 11)MIS-CELIV:几何电容和相对介电常数分析; 12)阻抗谱测量(Impedance Spectroscopy):器件等效电路分析等; 13)电容频率测量法(C-f): 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量; 14)电容电压测量法(C-V):内建电压、参杂浓度和几何电容等测量; 15) 深能级瞬态谱(DLTS):陷阱分析; 16)强度调制光电流谱(IMPS):载流子传输时间分析; 17)强度调制光光电压谱(IMVS):载流子复合时间、收集效率等分析; 18)瞬态电致发光测试(Transient Electroluminescence):抽取OLED器件的载流子,磷光寿命测量;另外,我公司提供专业太阳能测试设备制造商为客户提供全套专业的设备: 1.太阳能电池光谱响应测试系统、IPCE测试系统、量子效率测试系统; 2.太阳能电池测量系统(光谱响应测试系统,IPCE测试系统,量子效率测试系统,I-V曲线测量系统),太阳能电池测试仪; 3.太阳能电池I-V曲线测量系统; 4.I-V 数据采集系统; 5.大面积太阳能模拟器/太阳光模拟器/全光谱太阳光模拟器; 6.太阳能电池分选机; 7.太阳能电池I-V测试仪; 8.分光辐射度计, 9.参考电池/标准电池, 10.太阳能模拟器均匀性图像分析系统; 11.有机太阳能电池载流子迁移率测量系统; 12.钙钛矿太阳能电池载流子迁移率测量系统; 13.太阳能电池少数载流子测量系统;
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  • 傅立叶变换光电流测试仪 (FTPS) / 高灵敏度外量子效率 (HS-EQE)产品介绍产品简介在半导体器件中,不完整的结晶度往往会导致禁带隙中的缺陷或陷阱态,这极大地影响了器件的整体光学和电学性能。由于带隙中的吸收系数极低,产生的光电流信号也极弱。因此,需要高度灵敏的检测系统。 光焱科技FTPS傅立叶变换光电流光谱仪是一种高灵敏度的光电流和外量子效率 (HS-EQE) 光谱系统。它利用傅里叶变换信号处理技术来增强和突破光电流信号检测极限。较低的 EQE 水平可以低至 10-5%(7 个量级)*。 FTPS可用于检测钙钛矿太阳能电池的尾态、有机太阳能电池的电荷转移状态,这是改善Voc损失机制的关键。另一个常见的应用是 Urbach 能量测量。特色*陷阱状态、缺陷状态或电荷转移状态的直接光谱学证据。*波长范围:1.1~2.07 eV (600nm~1100nm);选项:0.7 eV~2 eV (600nm~1700nm)。*Turn-key解决方案;安装后产生可靠的光谱数据。节省时间和成本效益(至少1年和2万美元)。*完整的培训课程,包括操作和基本背景培训。*超过 50 篇 SCI 期刊论文证明。*不仅仅是数据采集,还包括能级拟合! 提供CTS和Urbach能级拟合软件。系統設計规格10-5%(7 个量级)* FTPS系统的检测动态可以达到7 个量级,但较低EQE水平由DUT的热噪声本身决定。实证光焱科技FTPS傅立叶变换光电流光谱仪实证如下: * Organic PV INFO 于 2021 年 2 月 18 日报道说,了解并大限度地减少性能损失对于实现更高的 OPV 效率至关重要。 PECT-600 的 FTPS 系统正在帮助研究人员了解 Voc 损失机制的细节。*~18% 有机太阳能电池:Enlitech 的 Voc 损耗分析工具用于开发有机光伏电池的新材料,效率达到了近 18%。*~17% 有机太阳能电池:Enlitech 的量子效率测量系统被用于Voc损耗计算,并开发了效率近17%的有机太阳能电池。*钙钛矿太阳能电池 (Voc=1.16V):Enlitech 的Voc损失分析技术提供了用Lewis碱抑制非辐射重组损失的证明。过氧化物太阳能电池的Voc值从1.10 V提高到1.16 V。
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  • 光束诱导电流成像检测系统 LBIC激光诱导电流测量仪该设备可以执行各种太阳能电池的光电电流分布和光电转换元素的测量,比如测量SiPD、CCD和CMOS。该设备是采用激光诱导电流测量(LBIC)方法。作为标准,提供532nm的绿色激光系统,在x - y方向移动样品,然后再短路测试(Isc)。该系统有10μm空间分辨率,并且能够测量50 x 50mm的样品。尤其针对钙钛矿的太阳能电池等等,钙钛矿太阳能电池是用旋涂机表面涂层方法做出来的,那么在样品的中心和边缘就会存在均匀性差异的问题。针对这样的样品评估,该系统就是最理想的评估系统。这个系统也可以用来评估SiPD、CCD和CMOS涂层或镀膜材料的均匀性。l 评估钙钛矿太阳能电池平面光电流和涂层分布的理想系统l 根据选择的激光,在375 ~ 900nm的范围内,它能测量不同波长l 区域的详细说明来源于获得的数据和两个表面不均匀性,并且也能够得到平均值技术参数激光波长 : 532nm输出 : 1mW稳定性 : ±5%/h标准 : Class 2在国际标准内XY stage : ±25mm, 0.01mm minimum step电流测量 : 10fA~ 20mA软件 : Windows 7, 32 bit规格大小 : W750 x D270 x H650mm( excluding the electrometer, stage controller and the PC )标准设备配备1. 激光灯源 ( 波长 532nm ) 2. XY stage 3. 静电计4. 样品室 ( 带手动快门 ) 5. 个人电脑 ( Windows 7 32 bits )6. LBC-2专用软件选配激光(375/406/445/473/488/635/650/670/785/808/830/850/904/980nm) 用SMA 连接器可以切换各种激光可视相机和监测器 监测激光辐照的样品自动快门机制 通过软件机制来控制快门Si 光电二极管 探测器用于量子效率的计算软件
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  • 光电流、开路电压的瞬态特性、载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程等是表征新型太阳电池器件的重要参数。由于新型太阳电池器件存在面积小、光电流小等特性,非常难以准确测量出光电流随时间的变化,我们可以利用光焱科技TPC/TPV钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪,对有机太阳能电池OPV、钙钛矿太阳能电池PSC、量子点太阳能电池、染料敏化太阳能电池DSSC、无机太阳能电池等光电器件进行微观机理测试,进而全面分析光电器件中的载流子特性和瞬态过程。光焱科技-钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪(TPC/TPV)钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪原理钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪是研究半导体光生载流子动力学过程和反应历程的强有力手段之一,它可以获得半导体体内光生载流子产生、俘获、复合、分离过程的重要微观信息。钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪实现了对电荷抽取和电荷传输能力的表征,研究光生电子的传输行为,其光电压响应包括上升和衰退两部分,光电压上升部分在物理上对应于导电基底电子浓度增加,此过程由光生电子扩散到达基底引起,光电压下降部分主要对应于电子离开导电基底的复合过程,是光生载流子动力学及光生电子的传输行为的研究利器。钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪范围有机太阳能电池OPV无机半导体光电器件有机半导体光电器件染料敏化太阳能电池DSSC钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell,钙钛矿LED无机太阳能电池(例如:单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池)钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪测试数据TPVTPC
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  • 产品关键词:瞬态光电流、瞬态光电压、瞬态光电荷、TPV、TPC、TPQ、电荷抽取、开路电压上升衰减、载流子复合寿命、电池器件内部载流子、瞬态光电压谱、瞬态光电流谱、载流子动力学、Charge Extraction,CE、光电器件瞬态特性(时域/频域测试)、探测器瞬态上升、下降时间、TRTF、载流子浓度、电荷载流子寿命、电荷载流子迁移率、载流子寿命、电荷载流子密度▌ 产品简介国际领先的瞬态光电压TPV、瞬态光电流TPC、瞬态光电荷TPQ测量平台,集成了TPV、TPC、TPQ、CE、Voc Rise and Decay、Photodetector Response、On-off TPV、On-off TPC等数种前沿的测量模式,包括最早于2020年帝国理工首次报道的瞬态光电荷TPQ测量功能(独家)。瞬态光电压TPV、瞬态光电流TPC、瞬态光电荷TPQ测试是揭示光伏、光催化、光电导等光电器件微观工作机理的关键手段。利用TPV、TPC、TPQ检测的数据进行分析,可以得到器件内部载流子的传输、积累、复合等动力学过程的相关信息。TPV、TPC、TPQ测试是直接基于最终的工况器件进行的,因而得到的参数可以直接反映工况条件下的光物理过程,这是一个相对于其它检测手段的很大的优势。TranPVC基于东谱科技的MagicBox主机研制而成,是专为光伏、光催化、光探测等研究领域开发的高性能TPV、TPC、TPQ测量平台,集成了数种最前沿的瞬态测量模式,为光电器件的机理研究提供了强有力的、便捷的测试工具。产品演进历程:2017年,开始向业内提供搭建式的TPV、TPC测试系统TranPVC 100;2019年,率先在业内推出首款全自动化、高度集成化的TPV、TPC测试系统TranPVC 300; 2020年,推出集成Charge Extraction(CE)和探测器时间响应功能的TranPVC升级版TranPVC 600,同时推出大功率稳瞬态白光光源HiFire;2021年,推出全球首款商业化瞬态光电荷TPQ测量仪,并将TPQ功能集成到TranPVC系列产品中,从而将TranPVC的产品名称扩展为“瞬态光电流/光电压/光电荷测量仪”,同时对全系列的产品进行了升级,得到了新一代在售的TranPVC产品TranPVC 900;2023年,在TranPVC 900产品矩阵中,新增J900和Y900系列,新发布on-off TPV/TPC功能,为客户提供更多高性价比的产品选项。▌ 产品特点□ 集成了TPV、TPC、TPQ、CE、Voc Rise and Decay、Photodetector Response、On-off TPV、On-off TPC等数种前沿的测量模式;□ 测试条件设置功能丰富,典型的如光强(偏置)、激发波长、脉冲频率、电压等,为构建丰富的测试场景提供条件,有利于综合评估器件性能;□ 具有自动化、高度集成化的特点,测试过程由软件控制,使用便捷,对操作人员的专业技能要求低;□ 软件自带拟合功能,方便对数据进行灵活分析;□ 样品台带位移功能,方便对同一基片上的不同子器件进行测试,多子器件测试切换由软件进行,测试效率高;□ 集成样品仓,方便更换样品和电学互联,样品仓可视化监测系统,实时观察测试光照射器件情况,便于调整样品的光斑照射位置;□ 样品夹具可实现惰性气体氛围测试,器件不封装的情况下,可从手套箱转移测试,满足多样化的测试需求;□ 所有光路均置于封闭暗箱内,无外界光源影响,光路进行了优化设置,一般不需要额外调整光路;□ 集成光阑,可调节激发光斑;□ 可灵活耦合不同类型激光器;□ 可集成偏置光,方便进行光偏压测量;□ 可集成其他定制功能。▌ 产品功能□ 瞬态光电压TPV□ 瞬态光电荷TPQ□ 开路电压上升与衰减Voc Rise and Decay□ On-off TPV□ 瞬态光电流TPC□ 电荷抽取Charge Extraction CE□ 探测器瞬态响应Photodetector Response□ On-off TPC▌ 产品应用□ 太阳能电池器件√ 硅基太阳能电池√ 有机太阳能电池√ 钙钛矿太阳能电池√ 铜铟镓硒太阳能电池√ 碲化镉太阳能电池等□ 光探测器√ 光电二极管√ 光电晶体管□ 光电导器件□ 光催化器件□ 其它光电转换器件▌ 规格型号规格配置E900S900W900N900J900Y900TPV√√√√√√TPC√√√√√√CE√√√×××Voc Rise and Decay×√√×××TPQ×√××××Photodetector Response×√××××On-off TPV可选配On-off TPC可选配* 可选配置/部件:□ Mic-微秒激光器;□ Tuna-可调脉宽激光器;□ 其它品牌激光器;□ 变温恒温器:√ TEC电子变温;√ 气体快速变温MagicK;√ 液氮低温恒温器;√ 液氦低温恒温器;□ 卤素灯白光偏置光源;□ on-off测试模块。▌ 测试案例
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  • Ultimate多功能(拉曼光谱+荧光寿命+光电流)成像系统XperRam Ultimate多功能拉曼-荧光成像光谱系统 产品简介 XperRam Ultimate是一款多功能共聚焦拉曼/荧光/光电流/荧光寿命检测光谱成像系统,采用透射式光路设计,提高了产品的灵敏度和稳定性。独特的振镜扫描技术能够在台面固定不动的情况下实现快速二维成像扫描。该技术在联用光电流成像系统载台时优势明显,并且可扩展增加荧光寿命检测系统。可实现拉曼/PL/光电流/荧光时间寿命/荧光检测等功能。 整个系统的个构成如下图,需要测量拉曼和荧光信号时,样品激发的拉曼信号和荧光信号通过显微镜,再由光谱仪分光至CCD检测器接收,计算机软件读出拉曼和荧光的光谱信号并扫描成图像输出。需要测量荧光时间寿命时,转换器将样品激发的瞬态荧光信号分光至TCSPC(单光子计数器),通过单光子计数器记录荧光的时间寿命。需要测量光电流时,接上探针台和电流计,激光激发样品产生的光电流信号通过探针引出至电流计,再读出至电脑软件,记录整个检测面的电流分布。功能描述? 显微镜下的光学图和拉曼成像(Raman Spectrum Measurement & Raman Imaging)光学成像图 Raman mapping 拉曼成像图2 ? 拉曼成像光谱和光致发光PL(Raman Imaging &Photoluminescence Imaging ) WS2拉曼光谱图 WS2 光致发光(PL)谱图? 稳态荧光成像和瞬态荧光时间寿命(Fluorescence Lifetime Measurement &Imaging ) 稳态荧光成像图 TCSPC 瞬态荧光成像(FLIM)? 光电流成像(Photocurrent Measurement and Imaging ) 光电流系统探针台 光电流成像图和电流计数值产品特点? 激光扫描技术,具有优异的扫描分辨率和重复性 (激光扫描分辨率 0.02 um & 重复性 0.1 μm)? 体相全息光栅光谱仪(光透过率90%,比反射式光栅高30%,信号传输效率更高)? 具有Raman/PL/光电流/荧光寿命检测等多种测量模式? 结构紧凑,模块化设计? 扫描速度快,扫描范围大200μm x 200μm范围内高速成像 & 2D Mapping应用领域石墨烯,二维材料,生物样本,半导体工业,碳纳米管,碳材料,太阳能电池,储能材料,纳米纤维分布,探测器光电性能检测,晶圆体分析,制药分析,纳米材料检测,生物细胞成像,微塑料检测,金刚石微粉检测。基本参数激光器l 可配置1~3个激光器,窄线宽激光器用于拉曼光谱测试和光电流测试/皮秒激光器用于荧光寿命检测。l 波长范围: 400~ 900nm (典型的为 VIS: 405nm/532nm/633nm, NIR :785nm)l 窄线宽连续激光器功率: 100mWl 皮秒激光器(PDL800):80MHZ,脉宽 6ns,波长:266nm ~1990nm显微镜l 奥林巴斯显微镜:BX4X, BX5X, BX61 (正置)l 反射式/透射式LED照明l 物镜:标配(40X, NA=0.75) 选配:多种倍率和超长焦距物镜l 透过率:>60% (360nm~1000nm)扫描模块l 扫描面积:200um×200um l 扫描精度: 小于0.02 um(分辨率), <0.1um(重复性)l 步进:0.1uml 扫描速度:>100 谱/秒探测器l 科学级TEC制冷CCD(Andor和PI)用于测量拉曼和荧光l SPAD单光子探测器(TCSPC)用于瞬态光谱测量(FLIM)荧光时间寿命电流计l Keithley 2400探针台l 可根据客户要求定制拉曼l 光谱范围:50~5900 cm-1(标准的)l 低波数拉曼模块: 可实现< 250px-1l 分辨率:2.5 cm-1荧光l 光谱范围:400~1100nml 分辨率:0.2nm荧光寿命(FLIM)l 测量范围:100ps~ 10uml 分辨率:25ps光电流成像l 激光器波长范围:VIS: 450~700nmNIR I: 650~1050nmNIR II: 1050~1550nm典型的 532nm/633nm/785nm/1550nml 连续光源范围:450nm ~2400nm, 功率> 110mW
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  • 产品详情:SSC-PEFC20其它通用分析光电流动反应池实现双室二、三、四电极的电化学实验,可以实现双光路照射,用于半导体材料的气-固-液三相界面光电催化或电催化的性能评价,可应用在流动和循环光电催化N2、CO2还原反应。反应池的优势在于采用高纯CO2为原料气可以直接参与反应,在催化剂表面形成气-固-液三相界面的催化体系,并且配合整套体系可在流动相状态下不断为催化剂表面提供反应原料。SSC-PEFC20光电流动反应池解决了商业电催化CO2还原反应存在的漏液、漏气问题,采用全新的纯钛材质池体,实现全新的外观设计和更加方便的操作。既保证了实验原理的简单可行,又提高了CO2还原反应的催化活性,为实现CO2还原的工业化提供了可行方案。 产品优势:SSC-PEFC20光电流动反应池优势:● 半导体材料的电化学、光电催化反应活性评价;● 用于CO2还原光电催化、光电解水、光电降解、燃料电池等领域; ● 微量反应系统,极低的催化剂用量;● 配置有耐150psi的石英光窗; ● 采用纯钛材质,耐压抗腐蚀;● 导电电极根据需要可表面镀金、钯或铂,导电性能极佳,耐化学腐蚀;● 光电催化池可与光源、GC-HF901(EPC)、电化学工作站、采样系统、循环系统配合,搭建光电催化CO2还原系统,实现在线实时测试分析。技术参数:参数SSC-PEFC20光电流动反应池应用电化学、光电催化、二氧化碳光电还原,N2催化合成氨、流动体系下的电催化等反应池容积<10 ml反应池材质池体材质,纯钛Ti,聚四氟乙烯PTFE导电材质铜导电板,耐腐蚀,电阻小;根据需要可表面镀金、钯或铂 工作电极面积≤20mm×20mm,方形通光孔可以实现光源双面照射,石英通光孔,直径40mm,有效直径30mm反应池耐压<150psi配置反应池主体,配套接头、316L、PTEE管路、工作电极接头导电板(催化剂用户提供),对电极接头导电板(用户提供铂网、铂丝、铂片),配套3mm接头用于外接管路
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  • 本设备利用激光、显微镜、精密扫描组件、时间分辨数据采集技术和图像处理技术获得样品不同位置的荧光强度及寿命。利用定点激发技术,可以观测载流子迁移。是一种高性能、高扫描速度、高灵敏度的荧光成像仪器。一、系统主要技术指标1.激光扫描振镜模块1) 激光光纤输入,配电控光阑系统2)激光扫描成像范围∶最高4096x4096像素点3)成像放大倍数(zoom)∶1-32倍4)激光扫描波长范围:400-750nm 2.TCSPC模块1) 时间精度7ps 2) Bin通道数∶40963) 时间窗口50ps-5μs 4) 仪器响应函数(IRF)∶≤:300ps 5) 时间分辨率∶≤50ps 3.高灵敏度单光子检测器模块1) 检测面直径100μm 2) 光谱检测范围400-1000nm 3) 时间分辨率∶50ps(FWHM)4) 量子效率∶45%@550nm 4.稳态光谱检测模块光谱仪(配置可根据客户需求调整)1) 焦长200mm 2) 光谱仪内置两块光栅3) 出口耦合PMT检测器或CCD相机光谱检测模式∶波长扫描采集或CCD采集波长探测范围350-900nm 5.倒置显微镜模块1) 含照明光源、双色片、滤光片等基本配置2) 物镜一套(空气镜)∶100x、60x、20x 3) 最高空间分辨率≤500nm(取决于物镜和激光/荧光波长)6.激光器(可按客户需求选配)1) 单波长皮秒半导体激光器2) 皮秒超连续白光激光器二、应用实例1、荧光强度成像、荧光寿命成像样品:MAPbI3单晶纳米片和MAPbI3纳米线实验条件∶100X objective,pinhole 40μm,Exc∶400 nm,成像模式:共聚焦扫描成像模式样品:二维 SnSe2(微弱荧光材料)实验条件:100X(油镜),激发波长:405nm成像模式:共聚焦激光扫描成像模式 参考文献:Xing Zhou ,et al.,Tianyou Zhai*,Adv. Mater. 2015, 27, 8035–80412、低温舱内的荧光成像样品:MAPbI3 纳米线实验条件:100X,空间分辨率 1μm成像模式:共聚焦激光扫描成像模式 观测到钙钛矿纳米先低温相变过程的空间分布和演化状况3、高压舱内的荧光成像样品:MAPbI3单晶纳米片和MAPbI3纳米线MAPbI3 纳米线不同压力下激光扫描荧光成像 不同压力下荧光动力学曲线 MAPbI3 纳米线不同压力下载流子迁移荧光成像 不同压力下载流子迁移动力学曲线 参考文献:YanfengYin,WenmingTian,*etal.,JimingBian,*andShengyeJin*ACS Energy Lett.2022,7,154&minus 1614、载流子迁移成像实验条件∶100× objective,pinhole 40μm,Exc∶400 nm 样品:钙钛矿纳米片成像模式∶激光定点激发,荧光扫描成像,可获得样品荧光动态演化图5、电致发光成像样品:CdSe量子点LED 6、光电流成像实验条件∶405nm连续激光器,激光强度调至最弱,60x物镜下测量结果2D(ITO/SnO2/QW/Spiro-Au)结构的太阳能电池光电流成像图
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  • 该系统属激光诱导电流测量系统,通过激光光斑照射在太阳能电池和移动的工作台,可以实现太阳能电池的光电转换器件的光电流测量等。产品应用:评价钙钛矿、硅基太阳能电池电流均匀性规格参数:1、 项目:激光诱导电流测量系统2、 测量项目:光电流扫描3、 测量范围:50x50mm(Max X-Y stage travel range ±30mm)4、 照射光斑尺寸:Φ100μm5、 激光:532nm绿激光 6、 激光输出:10MW7、 激光束的稳定性:在±2%8、 测量电流范围:10~1A(Keithley Model 2401)The Model LBC-1 Laser Induced Current Measurement System can perform mapping measurement of the photocurrent of the photoelectric converting element for the solar cells and etc. by irradiating the laser beam on the solar cell and moving it with the X-Y stage.As standard, 532nm of the green laser is provided with the system. The oscillator output is as high as 10mW which enables to make the current measurement with good S/N ratio.Adjustment of the measurement position can be done easily through the sample observation monitor function.●An ideal system to evaluate the uniformity of the perovskite solar cells●Easy adjustment of measurement position through the sample observation monitor●Option available to switch the Irradiation direction from the top to that from the bottom
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  • 光束诱导电流成像检测系统 LBIC激光诱导电流测量仪该设备可以执行各种太阳能电池的光电电流分布和光电转换元素的测量,比如测量SiPD、CCD和CMOS。该设备是采用激光诱导电流测量(LBIC)方法。 作为标准,提供532nm的绿色激光系统,在x - y方向移动样品,然后再短路测试(Isc)。该系统有10μm空间分辨率,并且能够测量50 x 50mm的样品。尤其针对钙钛矿的太阳能电池等等,钙钛矿太阳能电池是用旋涂机表面涂层方法做出来的,那么在样品的中心和边缘就会存在均匀性差异的问题。针对这样的样品评估,该系统就是最理想的评估系统。这个系统也可以用来评估SiPD、CCD和CMOS涂层或镀膜材料的均匀性。 评估钙钛矿太阳能电池平面光电流和涂层分布的理想系统 根据选择的激光,在375 ~ 900nm的范围内,它能测量不同波长 区域的详细说明来源于获得的数据和两个表面不均匀性[( max. value - min. value) /(max.value + min.value) ],并且也能够得到平均值[ Total effective data / number of effective data ] 技术参数激光波长 : 532nm输出 : 1mW稳定性 : ±5%/h标准 : Class 2在国际标准内XY stage : ±25mm, 0.01mm minimum step电流测量 : 10fA~ 20mA软件 : Windows 7, 32 bit规格大小 : W750 x D270 x H650mm( excluding the electrometer, stage controller and the PC ) 标准设备配备1. 激光灯源 ( 波长 532nm ) 2. XY stage 3. 静电计4. 样品室 ( 带手动快门 ) 5. 个人电脑 ( Windows 7 32 bits )6. LBC-2专用软件 选配激光(375/406/445/473/488/635/650/670/785/808/830/850/904/980nm) 用SMA 连接器可以切换各种激光可视相机和监测器 监测激光辐照的样品自动快门机制 通过软件机制来控制快门Si 光电二极管 探测器用于量子效率的计算 软件
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  • 激光诱导电流测量系统品牌:日本分光日本分光的LBC-1激光诱导电流测量系统,可以通过照射激光束在太阳能电池和移动的工作台执行的光电转换元件的光电流映射测量太阳能电池等。此设备带有标准的绿色激光。振荡器的输出是高达10兆瓦,可以使电流测量具有良好的S / N系数。通过对样品的观察监控功能测量位置可以很容易地调整。特点:1、是评估钙钛矿型太阳能电池的均匀性的一个理想的系统2、通过样品的观察监测测量位置调整方便3、可供选择的照射方向技术参数:测量范围:50x50mm(Max X-Y stage travel range ±30mm)辐射束的尺寸:Φ100μm激光束:532nm green laser激光输出:10mW激光束的稳定性:Within ±2%目前测量范围:10pA~1A ( KeithleyModel 2401)
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  • 三维电流磁场成像 光伏锂电焊接质量失效分析B-Lab: 透过磁场感应器, 量测磁场/电流大小及其方向? 核心技术 B-Tech (利技术):磁场解析度: 0.3 μT空间解析度: 2.5 mm (x), μm等(y, z)包含单感应器. 若系统需求也可延长至 2 m (亦可接受客制化)电源需求 230 V, 50/60 Hz, 8 A ? 不同机台尺寸可供选择? 高度适用/兼容性? 高度再现性以及精确性? 缺陷检测分析, 新制程开发,提高学术声望决定电流的大小及其方向? 电流会产生磁矢量场-这些磁矢量场携带着有关电流方向和强度的信息. ? B-Tech测量这些磁矢量场, 并可得出关于电流的信息.定量和非接触式电流密度高达5 mA/cm2快速, 几乎是即时的 B-TECH磁场感应器可以量测即时的磁场变化! 应用域明确的解决方案, 简单上手!? 光伏产业: 在生产和案场中提高了太阳能组件的(焊接)质量? 研究与开发: 电流的新途径, 新产品製程开发? 汽车工业: 电池更安全, 使用寿命更长 太阳能组件缺陷检测太阳能组件质量监控? 在半片的组件上经常发上焊带断裂或者焊接不良的状况? 电流只能分配到剩余两根焊带上? 导致整个太阳能电池组件的串联电阻Rs增大, 组件效能降低断裂的汇流条组件内电池背面的焊接质量背面焊接点准位确认准位分析. 有助于新型背面电图样的开发 (组件效能, 成本效益考量-缩减银浆范围)磁场量测可检测背面电的焊接质量 汽车产业方形锂离子电池电池示意图磁场量测结果显示电流在电池内的分布状况
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  • VCSEL器件测试脉冲电流源特色(1)量身定制化的LD和Vcsel测量仪表;(2)可为LD和Vcsel提供窄到1us的脉冲电流源;(3)可同时测量器件电压和PD光电流,实现玩美的同步性,无需另外配置PD和电流表;(4)可提供高达30A脉冲电流;(5)可测量高达100V的器件电压;(6)内置LIV算法,解决复杂的参数设置,简化应用;(7)提供包括C++、Labview等上位机程序以及指令集等PL系列脉冲电源简介PL系列窄脉冲LIV测试系统是为大功率激光器LIV测试而研制的,大功率激光器使用直流或者宽脉冲加电时发热严重,而激光器T效受温度影响非常大,直流或宽脉冲下的测试结果并不能反映器件特性。PL系列产品具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流大、支持脉冲光峰值功率检测、支持激光器电压测量等功能。输出脉冲宽度最小可至1uS,输出最大脉冲电流30A。窄脉冲LIV测试系统构成图如下所示:PL系列脉冲源、测试夹具、积分球、光纤、光谱仪等组成,光谱仪需要客户根据自己的选择另购。PL系列脉冲电源特点&bull 5寸触摸显示屏,全图形化操作 &bull 内置LIV测试软件,加速用户完成测试&bull 高灵敏度宽带光功率检测&bull 丰富的扫描模式,支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描&bull 支持USB存储,一键导出测试报告&bull 支持多种通讯方式,RS-232、GPIB及以太网 产品应用医疗、美容激光器,典型波长为808nm等光纤、固体激光器的泵浦源,典型波长为530nm、800nm、808nm、880nm、915nm、976nm、980nm、1480nm等车载激光雷达EEL激光器,典型波长为905nm等人脸识别、车载雷达等的VCSEL激光器,典型波长为850nm、940nm等汽车车灯、紫外杀菌灯的大功率LED,典型波长为265nm、940nm等普赛斯仪表推出的VCSEL器件测试脉冲电流源超窄至1us的脉宽,大到30A的脉冲电流,兼容CW和QCW模式,丰富的软件接口,可广泛用于LD脉冲电流、脉冲电压、PD光电流、背光二极管暗电流测试
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  • 产品特性输出恒流0-500mA可调,设定温度可调;电流缓升、缓降防冲击保护,调制信号限幅;内置锯齿波信号发生器;输出性能稳定、抗干扰、低噪声;适用多种规格、高低功率蝶型和DIL型封装激光器;标配14PIN蝶形激光器安装座。 产品参数项目 参数 备注 兼容激光器类型 蝶型封装 配蝶形夹具,其它可订制相应安装座 最大功率 18W 电源电压 8-12VDC 电源频率 50Hz 激光驱动电流 激光驱动信号源(叠加须用跳线设置) 内部 锯齿波扫描或恒流驱动0-250mA可设,扫描周期20-200ms 外部 SMA母头输入 激光管驱动电压最大值 5V 超电压保护4V 外部激光调制信号端口输入阻抗 10k 外部激光调制信号响应频率范围(3dB带宽) DC-1MHz 更大可订制 外部调制信号转换系数 100mA/V 外部调制信号最大值 2.5V 对应250mA输出驱动电流 激光器驱动电流最大值 250mA 电流误差 1% F.S. 内部设定电流 激光电流监控 激光电流监控输出转换系数 10V/A 激光器驱动电流250mA时,输出电平2.5V 激光电流监控输出端口阻抗 1k TEC驱动 TEC驱动电流最低 0A 通过跳线设置 TEC驱动电流最高 1A TEC最大电压 5V 最高激光器设定温度 50.0°C 面板按键设定温度范围值,激光器允许的操作温度范围 最低激光器设定温度 5.0°C 温度差保护阈值 5.0°C 实测温度与设定温度差超过5°C,自动关闭激光或者禁止激光打开;当温度差低于5°C,允许打开激光器 超温保护上限值 60.0°C 实测温度高于60.0°C,自动关闭激光器且禁止打开,关闭TEC电源,并锁定 超温保护下限值 2.0°C 实测温度低于2.0°C,自动关闭激光器且禁止打开,关闭TEC电源 温度稳定度(1hr) 0.01°C 温度稳定度(24hr) 0.01°C NTC温度传感器 热敏电阻Rth 10k@25°C 热敏电阻B值 3950 温度显示分辨率 0.01°C 上位机接口 USB 2.0, Type B 注:* 调制信号峰值电平决定了激光二极管峰值驱动电流,过驱动激光二极管,会导致激光二极管不可恢复的损坏,因此在使能激光二极管驱动输出前,请确认调制信号的峰值电平以及激光二极管的安全电流,是否合适。 产品尺寸
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  • 产品关键词:载流子迁移率、电子迁移率、空穴迁移率、渡越时间、飞行时间、TOF、载流子寿命、迁移率寿命积、瞬态光电流、水平载流子、横向TOF、横向载流子、二维载流子成像mapping▌ 产品简介最早于2012年为行业提供搭建式系统,并于2019年全新推出的业内首款自动化、集成化的飞行时间法迁移率测量商业化设备。FlyTOF飞行时间法迁移率测量仪是东谱科技HiTran瞬态综合光电特性测量平台中的重要成员。该系统利用飞行时间法(time-of-flight,TOF)测量半导体材料的迁移率以及相关的光电特性,广泛适用于各类半导体材料,如硅基半导体、第二代半导体、第三代宽带隙半导体、有机半导体、钙钛矿半导体、量子点半导体、二维材料半导体、金属-有机框架(MOF)、共价有机框架(COF)等。FlyTOF基于我司的MagicBox主机研制而成,配备便捷的上位机控制和数据测量软件,可助力客户进行快速、准确的测量。FlyTOF是东谱科技源头研发产品,是业内首款自动化、集成化的飞行时间法迁移率测试商业化设备。迁移特性是半导体最为基础的性质之一,是半导体在电子学和光电子学等领域进行应用的基础。半导体的迁移率定义为单位电场下载流子的平均漂移速度。TOF迁移率测试方法直接由迁移率的定义发展而来。 相比于一些间接的迁移率测试方法,如空间电荷限制电流(SCLC)法等,TOF的方法被认为是最接近“真实”迁移率的一种测量方法。通过TOF瞬态光电流信号的分析,可以得到电子迁移率、空穴迁移率等参数;用户还可以利用这些数据,结合材料的物理模型进行分析,得到杂质浓度、缺陷、能带混乱度、电荷跳跃距离等参数。作为TOF迁移率测试方法商业化应用的先行者,东谱科技已携手客户广泛探索了FlyTOF在有机半导体、硅基半导体、钙钛矿半导体、二维材料、共价有机框架等领域的应用。东谱期待与您共同开拓FlyTOF更多的应用领域。▌ 产品特点□ 载流子迁移率测量值覆盖10^-9~10^6 cm^2/(V.s)□ 专业的信号调教,电磁兼容噪声小□ 行业最先进的TOF测试功能□ 软件自动控制,测试快速便捷□ 快速换样装置,惰性气体氛围测试□ 可实现宽温度范围的变温测试(选配)□ 可通过可视化系统看到光斑照射情况□ 可灵活耦合各种类型的激发光源▌ 产品功能□ 飞行时间法瞬态光电流测量□ 半导体材料电子迁移率测量□ 半导体材料空穴迁移率测量□ 载流子浓度测量□ 载流子寿命测量□ 可选变温测量□ 可选Lateral-TOF测试功能及附件□ 可选配TOF二维扫描(mapping)功能及附件功能说明:标配TOF:纵向TOF;Mapping功能:可以对TOF的信号进行二维平面的成像;Lateral-TOF功能:可以以水平的方式对样品的迁移率进行测试。▌ 产品应用□ 有机半导体□ 量子点半导体□ 元素半导体(Si、Ge等)□ 金属-有机框架(MOF)□ 二维材料□ 宽带隙第三代半导体□ 钙钛矿材料□ 化合物半导体(InGaAs等)□ 共价有机框(COF)□ 其它半导体材料▌ 规格型号规格配置高性能版(E300)标配版(S300)经济版(W300)TOF标配功能√√√Mapping模块可选可选×Lateral-TOF可选可选×* Lateral-TOF:□ 包含显微系统、探针系统、针对Lateral-TOF的光路及电子部件系统等,具有非标性质,详情请与销售专员联系。* 可选配置/部件:□ 337nm 纳秒气体激光器;□ 532nm纳秒调Q固体激光器;□ 355 nm纳秒调Q固体激光器;□ Nd:YAG激光器 1064 nm、532 nm、355 nm、266 nm;□ 可调谐 OPO 激光器,波长范围:210-2400 nm。▌ 测试样例
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  • 主要功能及特点 Gamry IMPS/IMVS测试系统包括一个微型光学平台和用于扣除背景的dummy cell。Gamry 3D打印的电池夹具可以容纳各种大小的太阳能电池,灵活的配置可使您采用各种颜色LED。Gamry提供红光,蓝光,橙光,黄光以及白光,您也可以使用自己的光源。 了解电荷产生和复合过程采用任一光源——红光,白光,蓝光,橙光,黄光灵活的配置包含dummy cell频率达到1MHz电化学测试技术Cyclic VoltammetryPotentiostatic EISPotentiostaticI-V曲线IMPS/IMVS太阳能电池的效率
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  • Laser Induced Current Measurement System激光诱导电流测试系统概述:该设备可以执行各种太阳能电池的光电电流分布和光电转换元素的测量,比如测量SiPD、CCD和CMOS。该设备是采用激光诱导电流测量(LBIC)方法。作为标准,提供532nm的绿色激光系统,在x - y方向移动样品,然后再短路测试(Isc)。该系统有10μm空间分辨率,并且能够测量50 x 50mm的样品。尤其针对钙钛矿的太阳能电池等等,钙钛矿太阳能电池是用旋涂机表面涂层方法做出来的,那么在样品的中心和边缘就会存在均匀性差异的问题。针对这样的样品评估,该系统就是最理想的评估系统。这个系统也可以用来评估SiPD、CCD和CMOS涂层或镀膜材料的均匀性。1. 评估钙钛矿太阳能电池平面光电流和涂层分布的理想系统2. 根据选择的激光,在375 ~ 900nm的范围内,它能测量不同波长3. 区域的详细说明来源于获得的数据和两个表面不均匀性,并且也能够得到平均值 ?技术参数:激光波长 : 532nm照射面积大约. 10μm输出 : 1mW稳定性 : ±5%/h标准 : Class 2在国际标准内XY stage : ±25mm, 0.01mm minimum step电流测量 : 10fA~ 20mA软件 : Windows 7, 32 bit规格大小 : W750 x D270 x H650mm In the sample chamber(excluding the electrometer, stage controller and the PC)标准设备配备 ?1. 激光灯源 ( 波长 532nm ) 2. XY stage 3. 静电计4. 样品室 ( 带手动快门 ) 5. 个人电脑 ( Windows 7 32 bits )6. LBC-2专用软件选配激光(375/406/445/473/488/635/650/670/785/808/830/850/904/980nm)用SMA 连接器可以切换各种激光可视相机和监测器监测激光辐照的样品自动快门机制通过软件机制来控制快门Si 光电二极管?探测器用于量子效率的计算软件3D
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  • 通用型激光器电流温控驱动器General Laser Current & TEC Driver MountQTITCM kongtum.com 亢特科技通用型蝶型封装驱动温控激光器安装座(ITCM-05)是集成激光器驱动和温度控制、实时监测的高性能新型产品。本产品具有最大 500mA(更大可订制) 的恒定电流(CC)输出,内置可调的锯齿波发生器,并具有外部调谐信号输入接口,对激光器进行调制或恒流驱动,使用方便灵活。本产品具有调制信号幅度限制功能,可以预设最大驱动电流①,以防止对激光器过流驱动,保护激光二极管。实时监控激光二极管工作状态,当激光二极管失效开路或未连接时, 指示灯和上位机会报警并自动复位控制信号。内置 TEC 控制器,最高达 2A(更大可订制) 的驱动电流②。采用高对比度OLED显示屏,显示当前控制器工作状态,方便操作观察。也提供PC 端上位机软件,可设置调制信号源、锯齿波幅度和周期,并实时显示当前设定。采用进口高精度元器件,采用优质铝合金和不锈钢材料,良好散热保障长期稳定性,和长久工作效能。安装座标配镀金触点14PIN蝶形激光器夹具,方便激光器安装和更换,可 根据激光器 PIN 脚定义,设置夹具内部的引线。产品特性:&bull 输出恒流0-500mA可调,设定温度可调;&bull 本机OLED 屏监控设置,也可上位机远程控制;&bull 电流缓升、缓降防冲击保护,调制信号限幅;&bull 内置锯齿波信号发生器;&bull 输出性能稳定、抗干扰、低噪声;&bull 适用多种规格、高低功率激光器;&bull 标配14PIN蝶形激光器安装座。产品技术参数项目参数备注兼容激光器类型蝶型封装其它可订制相应安装座最大功率18W电源电压220VAC电源频率50Hz激光驱动电流激光驱动信号源内部锯齿波扫描或者恒流驱动0-500mA可设,扫描周期20-200ms外部外部BNC输入激光管驱动电压最大值5V超电压保护4V外部激光调制信号端口输入阻抗5k外部激光调制信号响应频率范围(3dB带宽)DC-100kHz更大可订制,最大5MHz外部调制信号转换系数100mA/V外部调制信号最大值5V对应500mA输出驱动电流激光器驱动电流最大值500mA电流误差1% F.S.内部设定电流激光电流监控激光电流监控输出转换系数4V/A激光器驱动电流500mA时,输出电平2V激光电流监控输出端口阻抗1kTEC驱动TEC驱动电流(低)0.5A开关可选两档TEC驱动电流,并可以通过面板按键开关TECTEC驱动电流(高)1.0ATEC最大电压5V最高激光器设定温度50.0℃面板按键设定温度范围值,激光器允许的操作温度范围最低激光器设定温度5.0℃温度差保护阈值5.0℃实测温度与设定温度差超过5℃,自动关闭激光或者禁止激光打开;当温度差低于5℃,允许打开激光器超温保护上限值60.0℃实测温度高于60.0℃,自动关闭激光器且禁止打开,关闭TEC电源,并锁定超温保护下限值2.0℃实测温度低于2.0℃,自动关闭激光器且禁止打开,关闭TEC电源温度稳定度(1hr)0.01℃温度稳定度(24hr)0.01℃NTC温度传感器热敏电阻Rth10k@25℃热敏电阻B值3950温度显示分辨率0.01℃激光器安装方式通过蝶形激光器夹具固定面板显示设定温度值 Tset;实际温度值 Tact;设定电流源 Iset;激光器电压值 VLD;注:* 调制信号峰值电平决定了激光二极管峰值驱动电流,过驱动激光二极管,会导致激光二极管不可恢复的损坏,因此在使能激光二极管驱动输出前,请确认调制信号的峰值电平以及激光二极管的安全电流,是否合适。激光驱动、温度控制接口连接产品外形
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  • HORIBA在拉曼光谱领域拥有50年的专业经验,新推出的LabRAM Soleil&trade 高分辨超灵敏智能拉曼成像仪结构紧凑、体积小巧,将带给您前所未有的体验。LabRAM Soleil&trade 只需较少的人工干预即可一天工作24小时,这得益于仪器的:高度自动化、高光通量、物镜自动识别、光学反射镜自动切换、SmartSampling&trade 和QScan&trade 提供的超快速成像、4块光栅快速全自动切换、光路自动准直以及LabSpec 6 智能软件功能。 结构紧凑型高分辨超灵敏智能拉曼成像仪LabRAM Soleil&trade 设计紧凑且保证激光安全,提供多种光学观察模式和高光谱成像功能: √ 占用面积1m2 √ 1级激光安全大样品室 √ 反射/透射照明 √ 明场/暗场/落射荧光/相位差和差分干涉差(DIC)显微镜 √ ViewSharpTM 超快速三维表面形貌技术 √ QScan&trade 激光矢量片层扫描技术——无需移动样品即可进行高质量3D共焦成像 √ XYZ 3D共聚焦成像,深度剖析(单点或QScanTM片层扫描) √ 标配低波数拉曼散射(30 cm-1) √ 光致发光(PL)、电致发光、光电流、上转换发光 √ 纳米空间分辨率光谱:耦合AFM和SEM可以实现NanoRaman&trade (TERS)、纳米PL和阴发光专注于您的工作,其它的交给仪器!忘掉拉曼成像前冗长乏味的准备操作!LabRAM Soleil&trade 提供先进的自动化功能,结合EasyImage&trade 易成像工作流技术,它大大减少了参数设置上花费的时间,并且大程度上确保了稳定性和再现性: √ 真正的自动操作系统 √ EasyImage&trade :有操作向导,简单快速 √ 自动校准:根据环境条件在几秒钟内自动检查并重新校准 √ SmartID&trade : 不用担心使用错误的物镜倍数或者错误的参数 √ 远程维护超快速成像:拉曼成像从未有如此之快!LabRAM Soleil的光学稳定性加上保护的显微图像-拉曼匹配精度,使得高质量拉曼成像速度可以提高100倍以上: √ SmartSampling&trade :基于新的成像法则,首先获取信号贡献多的样品点信号,将成像时间由几小时缩短为几分钟 √ TurboDrive&trade :光栅快速驱动,快至400nm/s √ 4种SWIFT&trade 功能 SWIFT&trade :普通超快速成像 SWIFT&trade XS:Ultra模式(快速拉曼成像,高达每秒1400条光谱)和高对比度模式(读出速率提升和信号增强) SWIFT&trade XR:多窗口扩展快速成像技术,适用于需要采集大范围PL光谱或大范围高分辨拉曼光谱,同时又要保证超快速成像的样品 Repetitive SWIFT&trade :信噪比增强快速成像技术,不断重复以改善信噪比解决各类分析问题从材料研究到聚合物研究,从生物分析到药物分析,LabRAM Soleil可以很轻松地应用于各个领域。得益于其先进的模块化和灵活性,LabRAM Soleil无论对于学术研究或者工业质量控制都是一套完美的显微拉曼系统。 √ 可配置4个内置激光器和6块不同的滤光片 √ 1分钟内可快速切换4块光栅 √ 标准低波数:低至30cm-1 √ 大样品室: 444(H) x 509 (L) x 337 (W) mm √ 具有很高的稳定性,维护操作简单LabSpec6软件:轻松驾驭LabRAM Soleil的全部功能!LabSpec 6软件将各种技术做成应用程序包,力求操作简便,可根据用户需要定制界面。软件的现代化和智能设计助您快速获取拉曼成像,即使您不是一个专家,也能轻松获取完美的拉曼成像图。 √ 先进的多变量分析方法MVAPlus&trade :轻松分析百万条光谱,即使是“困难”的样品,也能大程度地对其中的分子进行鉴别和定量分析。 √ ProtectionPlus确保符合FDA 21 CFR Part 11和GMP / GLP的要求 √ ParticuleFinder&trade 能自动对颗粒进行形态和化学分析,几秒内即可对颗粒进行分类 √ EasyImage&trade 自动化的工作流程使得用户只需一键点击即可获得拉曼成像技术指标光学设计高效率全反射式采用超宽带电介质反射镜共焦设计高效率全反射式采用超宽带电介质反射镜共焦针孔自动机械针孔三维空间滤波激光波长可选325nm、532nm、638nm、785nm等激光光路支持6路自动,独立优化控制激光偏转方向采用超宽带电介质反射镜光栅扫描速度400nm/s采用TurboDriveTM 闭环快速直驱光栅技术光栅数量不限支持4块光栅全自动切换低波数拉曼30cm-15cm-1可选Fast Alignment 新一代自动准直技术15s 光路准直时间内置PSD位敏探测器光谱模式多达6种全自动光谱模式拉曼、PL、ULF、上转换发光等等瑞利滤光片每个滤光片均由计算机控制激光阻挡优化成像多达8种光谱成像技术详情请咨询HORIBA销售工程师激光安全Class1 安全的激光安全等级尺寸898mm x 797mm x 806mm重量120Kg功耗满负荷运转时 600 W环保和安全设计1根电源线1根通讯线
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  • 意大利HT9025 钳形电流表(带红外成像功能) 广州爱启提销售仪器具有以下特点:万用表功能直流电压高达 1500V交流,交流+直流TRMS电压直流、交流、交流+直流TRMS低阻抗(LoZ)的电压VFD设备上的交流 TRMS电压和电流直流,交流TRMS电流与钳口直流、交流、交流+直流TRMS Current电流,带外部夹传感器 transducer交流 TRMS 浪涌电流电阻和连续性测试二极管测试能力频率占空比带 K 型探头的温度数据记录器功能和测量数据图形的显示在内部存储器上存储 BMP 映像 memory
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  • EBIC电子束感生电流电性失效分析系统是一种基于扫描电子显微镜(SEM)的图像采集及分析系统,主要用于半导体器件及其他材料的失效及结构分析。它通过分析电子束照射样品时在样品内产生的电流信号,以图像方式直观表征出样品特征、样品中P-N结位置、失效区域,并可以突出显示样品的非同质性区域,从而对样品进行全面分析。EBIC原理当扫描电镜电子束作用于半导体器件时,如果电子束穿透半导体表面,电子束电子与器件材料晶格作用将产生电子与空穴。这些电子和空穴将能较为自由地运动,但如果该位置没有电场作用,它们将很快复合湮灭(发射阴极荧光),若该位置有电场作用(如晶体管或集成电路中的pn结),这些电子与空穴在电场作用下将相互分离。故一旦在pn结的耗尽层或其附近位置产生电子空穴对,空穴将向p型侧移动,电子将向n型侧移动,这样将有一灵敏放大器可检测到的电流通过结区。该电流即为电子束感生电流(EBIC)。由于pn结的耗尽层有最多的多余载流子,故在电场作用下的电子空穴分离会产生最大的电流值,而在其它的地方电流大小将受到扩散长度和扩散寿命的限制,故利用EBIC进行成像可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究。 EBIC应用领域包括但不限于:1)材料晶格缺陷探测分析,缺陷以黑点和黑线标识出来;2)P-N结缺陷区域定位;3)双极电路中导致集电极-发射极漏电电流的收集管路的探测;4)探测额外连接或者多层掺杂;5)确定静电放电/电过载(ESD/EOS)导致的失效位置;6)测量减压层/耗尽层(depletion layer)宽度和少数载流子扩散长度和时间(minority carrier diffusion lengths/lifetimes)等等。EBIC图像对于电子-空穴的重新组合非常敏感,因此EBIC技术能够非常有效的对半导体材料缺陷等进行失效分析。 EBIC 信号采集系统一流的硬件和软件,构成高品质的用于SEM/TEM的定量电性分析系统和电子活动相关联的样品形貌、组成及结构图像 同步记录EIBC电子束感生电流、二次电子、背反射电子以及X射线能谱信号。为样品空间关联信息赋予不同颜色和混合信号。区分样品主动和被动缺陷。 为透射电镜TEM和原子探针显微镜制样 高空间分辨率条件下,对TEM样品制备中的缺陷进行定位有效避免在FIB电镜中使用EBIC直接获取图像时造成的校正误制样过程中,可通过实时EBIC图像功能随时停止样品研磨通过内置直流偏压及实时覆盖(live overlay)功能,确认设备操作模式 通过图像直接显示延迟装置(delayered device)中的节点及区域形貌直接显示太阳能电池中的电子活动图像 通过系统模拟功能可直观地通过图像对比样品电学性能 系统允许的最高分辨率下,以图像方式直接显示样品连结缺陷 通过电子运动特征,对样品结构缺陷进行观测分析通过图像直观显示PN结活动区域和电场区域 可获得样品掺杂区域分布图 运用样品的高度数据,获取样品三维信息 通过调整扫描电镜中电压,获得EBIC信号中的样品高度信息可对FIB电镜中的样品截面EBIC图像进行分析可为样品3D图像重构输出样品高度信息获取更多信息,敬请联络裕隆时代。
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