[align=left][font=宋体][font=宋体]基础半导体器材范畴的高产能生产专家[/font][font=宋体]Nexperia今日宣布扩展其超低电容ESD维护二极管产品组合。该系列器材旨在维护轿车信息娱乐使用的USB、HDMI、高速视频链路和以太网等接口的高速数据线路。[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]此次新增器材包含[/font][font=宋体]PESD18VF1BLS-Q、PESD24VF1BLS-Q、PESD30VF1BLS-Q和PESD32VF1BLS-Q,均选用DFN1006BD-2封装,可在轿车生产线中经过侧边爬锡进行光学检测。此外,PESD18VF1BBL-Q、PESD24VF1BBL-Q和PESD30VF1BBL-Q还供给紧凑型DFN1006-2封装选项。为改善电气功能和信号完整性,同时支持轿车规划中的小型化需求,所有版别均选用无引脚封装。[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]静电放电[/font][font=宋体](ESD)二极管经过耗散静电放电的高能量来维护要害电子体系和子体系。这能够维护重要的SOC(体系芯片)和其他器材在ESD事件期间免遭损坏。向高速数据线路添加其他器材会导致下降传输数据的信号完整性。因此,恰当选择既能维护体系且不阻碍信号传输的器材,对于现代高速轿车体系至关重要。Nexperia长期占据商场主导地位,对于供给超卓ESD维护解决方案拥有深厚的专业知识。Nexperia归纳考虑了规划工程师和轿车体系的需求,在该产品组合中经过超低器材结电容(典型值低至0.28 pF)和更高的截止电压(18-32 V)完成了超卓的信号完整性,可放置在更靠近连接器的位置。为了提高规划灵活性,这些二极管供给带或不带侧边爬锡的选项,其中侧边爬锡有助于完成自动光学检测(AOI)。[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]这些器材契合[/font][font=宋体]AEC-Q101车规级标准,兼具超深度回弹特性和0.8 Ω低动态电阻特性,可提升高速数据接口中的体系级稳健性和钳位功能。[/font][/font][/align]
[b] [url=http://www.chem17.com/st26894]高能量球磨机[/url][/b][color=#333333]中钢球的主要作用是对物料进行冲击破碎,同时也起到一定的研磨作用。因此,钢球进行级配的目的,就是要满足这两方面的要求。粉碎效果的好坏直接对粉磨效率产生影响,并最终影响球磨机产量,能否达到粉碎要求取决于钢球的级配是否合理,主要包括钢球大小、球径级数、各种规格球所占比例等。确定这些参数除了要考虑球磨机规格大小、球磨机内部结构、产品细度要求等因素外,还要考虑入磨物料的特性(易磨性、粒度大小等)。[/color][color=#333333] 要使物料得到有效粉碎,在确定高能量球磨机钢球级配时必须遵循这样几个原则:[/color][color=#333333] 1.钢球要有足够大的冲击力,使[/color][b]高能量球磨机[/b][color=#333333]钢球具备足够能量以击碎颗粒物料,这与钢球的最大球径有直接关系。[/color][color=#333333] 2.钢球对物料要有足够多的冲击次数,这与钢球填充率和平均球径有关。当装填量一定时,在保证足够冲击力的前提下,尽量减小研磨体直径,增加钢球个数来提高对物料的冲击次数,以提高粉碎效率。[/color][color=#333333] 3.物料在[/color][b]高能量球磨机[/b][color=#333333]内有足够的停留时间,以保证物料被充分粉碎,这就要求所配钢球要有一定的控制物料流速的能力。[/color][color=#333333] 两级配球法就是使用大小两种不同规格,并且二者直径相差较大的钢球来进行级配。其理论依据是,大球之间的空隙由小球来填充,以充分提高钢球的堆积密度。这样,一方面可提高磨机的冲击能力和冲击次数,符合研磨体的功能特点,另一方面,较高的堆积密度可使物料能够得到一定的研磨作用。在两级配球中,大球的作用主要是对物料进行冲击破碎,小球的作用一是填充大球间的空隙,提高研磨体的堆积密度,以控制物料流速,增加研磨能力;二是起能量传递作用,将大球的冲击能量传递给物料;三是将空隙中的粗颗粒物料排挤出来,置于大球的冲击区内。[/color][align=center][color=#333333] [img=,411,334]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/09/201709041045_01_471_3.png[/img][/color][/align]
近晶参加了某仪器公司的培训,在比较不同公司粒度仪性能的时候,有一项是检测器的比较,某公司说其所用的检测器雪崩式光电二极管比光电倍增管的放大倍数更大,但从我现在的了解和原理上说,还应是光电倍增管的放大倍数要大,哪位帮我解释和比较一下.谢谢!
看到网上及论坛内不少说这两种是一样的,也有说是不一样的http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20071107/1050063/硅光电池(硅光二极管)是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把射到它表面的光转化为电能,因此,可用在光电探测器和光通信等领域。特点:当它照射光时会流过大致与光量成正比的光电流. 用途:1.作传感器用时,可广泛用于光量测定和视觉信息,位置信息的测定等. 2.作通信用时,广泛用于红外线遥控之类的光空间通信,光纤通信等. 3.紫蓝硅光电池是用于各种光学仪器,如分光光度计、比色度计、白度计、亮度计、色度计、光功率计、火焰检测器、色彩放大机等的半导体光接收器;紫蓝硅光电池具有光电倍增管,光电管无法比拟的宽光谱响应,它特别适用于工作在300nm-1000nm光谱范围的各种光学仪器对紫蓝光有较高的灵敏度、器件体积小、性能稳定可靠,电路设计简单灵活,是光电管的更新换代产品。目前也有可以使用到190-1100nm的产品,但紫外能量弱一些,光谱带宽不能太小,已经有很多厂家在紫外可见分光光度计上用了。 网上硅光电池是发电的硅光电二极管只要是用光来控制电流 本身几乎不发电另外光电二管管与硅光电二极管有什么区别?
请问,哪里可以做高能量的离子注入呢?最好在北京,其他地方也行。谢谢~~
请问,哪里可以做高能量的离子注入呢?最好在北京,其他地方也行。谢谢~~
各位大虾: 我看见有些紫外可见分光光度计用的检测器是光电二极管或硅光二极管,它们之间各自的特点是什么,各有什么优点?谁更好一些?现在用得比较多的是哪一个检测器? 谢谢您的回答.请参照:http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20071107/1050063/
激光功率和能量计主要用来测量光源的输出。无论光发射是来源于弱光源(如荧光),还是来源于高能量的脉冲激光器,功率和能量计都是实验室、生产部门或是工作现场等多种应用环境中必不可少的工具。 虽然功率计和能量计是分别提供的,但随着能够适用大量不同类型的光学传感器的通用型仪表盘或显示装置的发展,它们也被合起来称作单独的一类仪器——功率和能量计,或PEM。仪器所采用的光学传感器的类型,决定了其能测量光功率还是光能量,通常单位分别瓦特(W)或焦耳(J)。具体来讲,功率计能够测量连续波(CW)或者重复脉冲光源,其所使用的传感器通常是热电堆或光电二极管。能量计则通常用于测量脉冲激光,即单脉冲或者重复脉冲光源,其所使用的传感器包括热释电、热电堆,或者带有专门为测量脉冲光源而设计的电路的光电二极管。
发光二极管(LED)是一种直接注入电流的发光器件,是半导体晶体内部受激电子从高能级回复到低能级时,发射出光子的结果,这就是通常所说的自发发射跃迁.当LED的PN结加上正向偏压,注入的少数载流子和多数载流子(电子和空穴)复合而发光.值得注意的是,对于大量处于高能级的粒子各自分别自发发射一列一列角频率为ν=Eg/h的光波,但各列光波之间没有固定的相位关系,可以有不同的偏振方向,并且每个粒子所发射的光沿所有可能的方向传播,这个过程称为自发发射.其发射波长可用下式来表示: λ(μm)=1.2396/Eg(eV) 发光二极管(LED)一般由磷砷化镓、磷化镓等材料制成.它的内部存在一个PN结,也具有单向导电性,但发光二极管在正向导通时会发光,光的亮度随导通电流增大而增强,光的颜色与波长有关。 普通发光二极管的万用表检测方法: 用万用表的R×10K档测量 利用具有×10kΩ挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。正常时,二极管正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻的值为∝。如果正向电阻值为0或为∞,反向电阻值很小或为0,则易损坏。种检测方法,不能实地看到发光管的发光情况,因为×10kΩ挡不能向LED提供较大正向电流。 用两块万用表配合测量 如果有两块指针万用表(最好同型号)可以较好地检查发光二极管的发光情况。用一根导线将其中一块万用表的“+”接线柱与另一块表的“-”接线柱连接。余下的“-”笔接被测发光管的正极(P区),余下的“+”笔接被测发光管的负极(N区)。两块万用表均置×10Ω挡。正常情况下,接通后就能正常发光。若亮度很低,甚至不发光,可将两块万用表均拨至×1Ω若,若仍很暗,甚至不发光,则说明该发光二极管性能不良或损坏。应注意,不能一开始测量就将两块万用表置于×1Ω,以免电流过大,损坏发光二极管。 外接辅助电源测量 用3V稳压源或两节串联的干电池及万用表(指针式或数字式皆可)可以较准确测量发光二极管的光、电特性。为此可按图10所示连接电路即可。如果测得VF在1.4~3V之间,且发光亮度正常,可以说明发光正常。如果测得VF=0或VF≈3V,且不发光,说明发光管已坏。
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(0.5-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns(纳秒)以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--1.0V)、反向恢复时间很短(2-10ns纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。 肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒! 前者的优点还有低功耗,大电流,超高速!电特性当然都是二极管!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管:反向耐压值较低(一般小于150V),通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 快恢复二极管FRD(Fast Recovery Diode)是近年来问世的新型半导体器件,具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD(Superfast Recovery Diode),则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=27][color=#0000ff]开关电源[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=32975][color=#0000ff]电源模块V-60[/color][/url] 、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电动机变频调速(VVVF)、高频加热等装置中,作高频、大电流的续流二极管或整流管,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 1.性能特点 1)反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=38][color=#0000ff]整流器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=4862][color=#0000ff]硅整流[/color][/url] 件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。2)快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受 很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。 20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C 20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装,主要技术指标见表1。 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。 2.检测方法 1)测量反向恢复时间 测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF,脉冲[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=456][color=#0000ff]发生器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=48158][color=#0000ff]SP1641B/1642B发生器[/color][/url] 经过隔直电容器C加脉冲信号,利用电子[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=293][color=#0000ff]示波器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=18771][color=#0000ff]示波表190[/color][/url] 观察到的trr值,即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。 设器件内部的反向恢电荷为Qrr,有关系式trr≈2Qrr/IRM由式(5.3.1)可知,当IRM 为一定时,反向恢复电荷愈小,反向恢复时间就愈短。 2)常规检测方法 在业余条件下,利用[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=277][color=#0000ff]万用表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=17373][color=#0000ff]绝缘万用表UT531[/color][/url] 能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性,以及内部有无开路、短路故障,并能测出正向导通压降。若配以[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=283][color=#0000ff]兆欧表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=14870][color=#0000ff]指针式兆欧表MIS-4A[/color][/url] ,还能测量反向击穿电压。实例:测量一只超快恢复二极管,其主要参数为:trr=35ns,IF=5A,IFSM=50A,VRM=700V。将万用表拨至R×1档,读出正向电阻为6.4Ω,n′=19.5格;反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。 注意事项: 1)有些单管,共三个引脚,中间的为空脚,一般在出厂时剪掉,但也有不剪的。 2)若对管中有一只管子损坏,则可作为单管使用。 3)测正向导通压降时,必须使用R×1档。若用R×1k档,因测试电流太小,远低于管子的正常工作电流,故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中,如果选择R×1k档测量,正向电阻就等于2.2kΩ,此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V,远低于正常值(0.6V)。更多技术论文请详见:[url=http://www.midiqi.com/][color=#810081]买电器网[/color][/url](MIDIQI.COM) [url=http://www.midiqi.com/Knowledge/Index.asp][color=#810081]知识库[/color][/url]
每周一贴谈设计——光电二极管阵列检测器二极管阵列检测器有多种名称,可表示为PDA(photo-diode array)、PDAD(photo-diode array detector)或(Diode array detector,DAD),是液相色谱最有发展、最好的检测器。其主要工作原理如下:复色光通过样品池被组分选择性吸收后再进入单色器,照射在二极管阵列装置上,使每个纳米波长的光强度转变为相应的电信号强度,即获得组分的吸收光谱,从而获得特定组分的结构信息,有助于未知组分或复杂组分的结构确定。至于每个厂家如何实现,接下来进入主题。首先讲Waters。Waters推出的光电二极管检测器光路如下图所示:http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/05/201305142225_440058_2352217_3.jpg氘灯产生的光首先被M1向流通池反射聚焦(M1为一个椭圆形镜面)。在M1和流通池之间有一个分光镜(Beam Splitter)将一部分光反射到参比二极管上,另一部分光路不变。经过流通池后再经M2反射聚焦,经过狭缝和光闸,到达光栅,经全息光栅衍射后被光电二极管阵列(512根,190nm-800nm波长范围)检测。接下来是AGILENT G1315的光路:http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/05/201305142225_440059_2352217_3.png首先钨灯产生的光经耦合透镜聚焦,经过氘灯上一个预留的孔(故此氘灯有别于G1314上使用的)与氘灯的光轴重合。重合后的光经过一片透镜和一组消色差透镜后,再经过一片透镜,流通池,光谱透镜,和狭缝到达光栅,经全息光栅衍射后由光电二极管阵列(1024根,190nm-950nm波长范围)检测。看完这两种设计以后,我能感受到的第一个感觉是AGILENT用了好多的透镜啊!我们可以来看看各个透镜的用处。首先耦合透镜,这是一个聚焦的透镜,作用是将可见光聚焦到氘灯的光轴上。然后是一组消色差透镜。消色差透镜的作用其实是用于修正不同波长的光经透镜聚焦后导致的色差。光谱透镜就是为了将经流通池的光聚焦以增强光能量。还有一些平面透镜,这些大多仅仅是用于隔开各个腔室的。而Waters设计中只有两枚反射镜(球面、聚焦)和一枚分光镜。第二点是参比。可以看到Waters的设计中参比是有一个独立的参比二极管进行能量采集并反馈调节氘灯电压以控制灯状态的。至于数据中的参比,Waters的解释是“参比光谱是在打开光闸的情况下,在曝光时间指定的间隔期间内测量灯强度和流动相吸光度”,“为得到最佳结果,参比光谱应代表初始流动相”。AGILENT光路中并没有什么独立的参比二极管,而其数据中的参比则来自于参比波长带宽内的平均吸收。第三点是可见光区。其实氘灯本身在可见光区就有能量,只是比较低。至于能否使用,个人认为只要在应用中灵敏度、噪音、漂移等达到要求即可。同时Waters放弃钨灯也让其可以使用这种不同于AGILENT的光路设计。第四点是二极管数量。这么说吧,512根二极管,平均1.2nm每根的分辨率是足够的用的。而1024根二极管,我只能说AGILENT相应配套硬件配置不够,没有发挥其优势。最简单的例子是AGILENT在任意时间提取的光谱图是非常有问题的(不详细分析了,也可能部分与其数据算法有关)。第五点是波长准确性。由于氘灯的发射光谱有特征谱线(656.1nm和486.0nm,此两处较尖锐),故广泛用于紫外检测器中,以便于波长校准。之前有版友讨论说为什么氙气灯不用于紫外检测器,我想,主要就是这个原因吧。其实所谓的校准,真正目的是确定某根二极管对应的波长。然后计算第x根二极管采集的是哪些波长吸光度的平均值。AGILENT中提供了一个验证方法,即氧化钬测试,以验证计算结果与真实结果是否相符。Waters的验证方法则是将本次校准值与上次相比较,并没有额外引入其他的标准谱线。[/si
在众多工业中,好多电子仪器仪表中,原先模拟电路已经淘汰,都采用了电子线路,众多电子元器中,二极管、三极管等十分广泛使用。比如说,智能数字显示表、智能氧化锆氧分析仪等,都采用数字线路。下边简要说明下,二极管的结构。晶体二极管的管芯是一个PN结,在管芯两侧的半导体上分别引出电极引线,其正极由P区引出,负极由N区引出,用管壳封装后就制成二极管。常用的晶体二极管是用硅或诸等半导体材料制成的,目前我过已系列化生产的硅二极管有2CP、2CZ、2CK等系列。二极管分为点接触型和面接触型。
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件(MB95F128)。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如,1N系列、2CZ系列、RLR系列等。
光二极管阵列检测器是一种对光子有响应的检测器。它是由硅片上形成的反相偏置的p-n结组成。反向偏置造成了一个耗尽层,使该结的传导性几乎降到了零。当辐射照到n区,就可形成空穴和电子。空穴通过耗尽层到达p区而湮灭,于是电导增加,增加的大小与辐射功率成正比。光二极管阵列检测器每平方毫米含有15000个以上的光二极管。每个二极管都与其邻近的二极管绝缘,它们都联结到一个共同的n型层上。当光二极管阵列表面被电子束扫描时,每个p型柱就连接着被充电到电子束的电位,起一个充电电容器的作用。当光子打到n型表面以后形成空穴,空穴向p区移动并使沿入射辐射光路上的几个电容器放电。然后当电子束再次扫到它们时,又使这些电容器充电。这一充电电流随后被放大作为信号。光二极管阵列可以制成光学多道分析器。
二极管检测器有优势 光电二极管阵列检测器(以下简称二极管检测器)也是紫外检测器的一种,一般也能实现紫外-可见光的检测功能。现在市场上主要还是以紫外检测器为主,二极管检测器还处于青年期,它的应用还不够多。 二极管检测器的一些特点铸就它势必会有很大的发展空间,在分析应用中会占有一席天地。 下面就介绍下二极管检测器相比紫外检测器的一些主要特点和发展前途。 二极管检测器是由一系列光电二极管以不同的组合排列而成,一般有256个的,512个的,1024个的,现在市场上最多的也是1024个的。它采用的是单波长、多波长和全波长检测,功能很多,大家经常采用的是全波长检测。它可实现三维色谱图,实现多波长检测和多通道检测。对于单个物质具有多个可实现的检测波长和某些同分异构体类或检测波长非常接近的物质时,选择最佳的检测波长和实现分离度不好也能非常准确的检测出来就显得非常的有优势。更有优势的是它可在一张色谱图上通过选择不同的波长实现不同的检测结果。比如下面这个样品,实现混合物完全分离非常难,基本分离也是比较难的,如果采用二极管检测器检测,那就容易的多了。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/10/201410181833_518953_2498430_3.pnghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/10/201410181837_518957_2498430_3.png 二极管检测器发展到现在发展的还不是很成熟,和紫外检测器相比还有一些劣势,比如造价较高,结构较复杂,灵敏度不够高等。 二极管检测器的这些劣势可能是它结构较复杂,造价较高而没被各大厂家重视而没发展起来。随着基础工业、高新工业的发展,我想这些问题会越来越不是问题,最近几年这种检测器的市场占有率就明显多了起来。 希望国内外的各大厂家都能重视二极管检测器的发展,把它的造价减下去,灵敏度搞上来,把它的优势发展的淋漓尽致。另外这种检测器到1024个二极管时,二极管数量越多,性能越强大。那么我们是不是能把二极管的数量再往上增加些呢,比如2048个、4096个等等。 期望二极管检测器能快速发展,能被市场广泛认可。
电子基础知识简介——晶体二极管知识全解 普通晶体二极管的基础知识 几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。一、二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。普通二极管实物图http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212230001_414505_1841897_3.jpg大功率二极管实物图http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212230002_414506_1841897_3.jpg可参考一个PPT课件,有一点电子基础的话,可能更好理解一些。
阵列二极管检测器一般用于什么呀?
我用XPS分析了TiO2-Co混合物中Ti 元素随实验条件的变化, 所有peak shift结果都用C1s标定了, 但结果发现混合物中的四价Ti 附近的峰有向高能量方向偏移, 说明Ti 可能失去更多电子, 有点想不通(小弟是个XPS新手, 没有经验) 大家帮忙分析一下可能是什么原因造成的? 附件里是我的XPS结果图片.谢谢![img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/07/200807172051_98944_1664587_3.jpg[/img]
很奇怪,我用EPA3050B消解稳压二极管的玻璃,居然铅含量高达25-50%,按ROHS豁免,它该豁免,但我怀疑稳压二极管的玻璃是真正的玻璃吗?EPA3050B消解其他的玻璃不可以,但为什么可以消解稳压二极管的玻璃呢? 高手指点!谢谢
怎样区分二极管和三极管[em51]
[font=Calibri]PIN[font=宋体]二极管开关是最常用的开关二极管,通常由三个引脚组成,其中两个引脚用于控制电流开关,另一个引脚用作电路的接地装置。[/font][font=Calibri]PIN[/font][font=宋体]二极管开关的优点在于其速度快、低阻抗、灵敏度高等优点,可以在高频下快速控制电路,从而使[/font][/font][font=宋体]电源[/font][font=Calibri][font=宋体]电路的响应速度更快。[/font][/font][font=Calibri][font=宋体]反射型[/font]PIN[font=宋体]二极管开关是指具有至少一个反射表面的[/font][font=Calibri]PIN[/font][font=宋体]二极管开关。光学设备中的[/font][/font][url=https://www.leadwaytk.com/article/5271.html]MITEQ[/url][font=Calibri][font=宋体]反射式[/font][font=Calibri]PIN[/font][font=宋体]二极管开关具有转向光路、缩减仪器体积、改变图像的正反关系等等。[/font][/font]
X射线管的本质是一个在高电压下工作的二极管。我对电子学相关知识很http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/default/em09506.gif无知,因此请大家普及二极管知识。
大家好,我想问一下大家什么是共阴极的激光二极管啊?就是说他的驱动电流和探测器共用一个阴极吗?
玻封二极管是不是只是玻璃豁免?以稳压二极管为例,引脚部分属不属于豁免呢? 平时看到的都是整体测试报告,大家有拆分测试过吗?
最近领导说要买二极管阵列检测器,我只是听说,没有见过,不知什么原理,二极管个数对仪器是否重要?
晶体二极管是由一个PN结构成的具有单向导电性质的器件,它在正向导通时呈低阻,这个电阻称为晶体管的正向电阻,在反向偏置时呈高阻,这个电阻称为晶体管的反向电阻。总之,晶体二极管性能的好坏,依据单向导电性的测量来做简单的判断。 http://www.realchip.net/images/upload/Image/37d3d539b6003af3d2349ab2342ac65c1138b652.jpg 一、万用表在晶体二极管检测中的应用 1、普通二极管的检测 将万用表拨到电阻档的R*100或R*1K,将万用表的红、黑表笔分别接在二极管两端,若测得电阻比较小(几千欧以下),再将红、黑表笔对调后连接在二极管两端,而测得的电阻比较大(几百千欧),说明二极管具有单向导电性,质量良好。 如果测得二极管的正、反向电阻都很小,甚至为零,表示管子内部已短路;如果测得二极管的正反向电阻都很大,则表示管子内部已断路。 2、稳压二极管的检测 将万用表置于R*1K档,测量其正向电阻时,万用表的黑表笔接稳压二极管的正极,红表笔接稳压二极管的负极;测反向电阻时,两表笔的接法正好相反。一般正向电阻为几千欧到几十千欧,反向电阻为几百千欧以上。 3、发光二极管的检测 将万用表置于R*10k档,若测得的正向电阻在30KΩ之内,同时可以看到发光二极管的管芯有一个亮点,反向电阻值大于几百千欧,则表明被测发光二极管性能正常。二、检测二极管时应注意以下事项: 1、由于各电阻量程档的测试电流不尽相同,量程档越小,测试电流越大;反之,量程档越大,测试电流越小。为了被测元器件安全,必须正确选择合适的量程档。如果用万用表的小量程电阻档去测量小功率的元器件时,元器件会流过大电流,如果该电流超过了元器件所允许通过的电流,元器件可能会烧毁。另外,在大量程档,万用表内部电池电压较高,在测量耐压较低的元器件时,万用表不宜放置在大量程的电阻档上。 2、晶体二极管是非线性元器件,在用不同电阻档测同一只晶体二极管时,所测出的电阻值会有差异,这是由于各电阻档的测试电流不相同造成的,属于正常现象。
一、LED基础知识 LED 是取自 Light Emitting Diode 三个字的缩写,中文译为“发光二极管”,顾名思义发光二极管是一种可以将电能转化为光能的电子器件具有二极管的特性。目前不同的发光二极管可以发出从红外到蓝间不同波长的光线,目前发出紫色乃至紫外光的发光二极管也已经诞生。除此之外还有在蓝光LED上涂上荧光粉,将蓝光转化成白光的白光LED。 LED的色彩与工艺: 制造LED的材料不同,可以产生具有不同能量的光子,借此可以控制LED所发出光的波长,也就是光谱或颜色。历史上第一个LED所使用的材料是砷(As) 化镓(Ga) ,其正向PN结压降(VF,可以理解为点亮或工作电压)为1.424V,发出的光线为红外光谱。另一种常用的LED材料为磷(P)化镓(Ga),其正向 PN结压降为2.261V,发出的光线为绿光。 基于这两种材料,早期 LED工业运用GaAs1-xPx材枓结构,理论上可以生产从红外光一直到绿光范围内任何波长的LED,下标X代表磷元素取代砷元素的百分比。一般通过 PN结压降可以确定LED的波长颜色。其中典型的有GaAs0.6P0.4 的红光 LED,GaAs0.35P0.65 的橙光LED,GaAs0.14P0.86 的黃光 LED等。由于制造采用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些LED为三元素发光管。而GaN(氮化镓)的蓝光 LED 、GaP 的绿光 LED和GaAs红外光LED,被称为二元素发光管。而目前最新的工艺是用混合铝(Al)、钙(Ca) 、铟(In)和氮(N)四种元素的AlGaInN 的四元素材料制造的四元素LED,可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。 LED发光强度: 发光强度的衡量单位有照度单位(勒克司Lux)、光通量单位(流明Lumen)、发光强度单位(烛光 Candle power). 1CD(烛光)指完全辐射的物体,在白金凝固点温度下,每六十分之一平方厘米面积的发光强度。(以前指直径为2.2厘米,质量为75.5克的鲸油烛,每小时燃烧7.78克,火焰高度为4.5厘米,沿水平方向的发光强度) 1L(流明)指1 CD烛光照射在距离为1厘米,面积为1平方厘米的平面上的光通量。 1Lux(勒克司)指1L的光通量均匀地分布在1平方米面积上的照度。 一般主动发光体采用发光强度单位烛光CD,如白炽灯、LED等;反射或穿透型的物体采用光通量单位流明L,如LCD投影机等;而照度单位勒克司Lux,一般用于摄影等领域。三种衡量单位在数值上是等效的,但需要从不同的角度去理解。比如:如果说一部LCD投影机的亮度(光通量)为1600流明,其投影到全反射屏幕的尺寸为60英寸(1平方米),则其照度为1600勒克司,假设其出光口距光源1厘米,出光口面积为1平方厘米,则出光口的发光强度为 1600CD。而真正的LCD投影机由于光传播的损耗、反射或透光膜的损耗和光线分布不均匀,亮度将大打折扣,一般有50%的效率就很好了。 实际使用中,光强计算常常采用比较容易测绘的数据单位或变向使用。对于LED测试仪显示屏这种主动发光体一般采用CD/平方米作为发光强度单位,并配合观察角度为辅助参数,其等效于屏体表面的照度单位勒克司;将此数值与屏体有效显示面积相乘,得到整个屏体的在最佳视角上的发光强度,假设屏体中每个像素的发光强度在相应空间内恒定,则此数值可被认为也是整个屏体的光通量。一般室外LED显示屏须达到4000CD/平方米以上的亮度才可在日光下有比较理想的显示效果。普通室内LED,最大亮度在700~2000 CD/平方米左右。
请教各位HPLC高手有关光电二极管阵列检测器的原理.
晶体(4148)二极管是欧盟RoHS认证豁免零部件吗?如果是豁免的话,是那部分材料呢?谢谢。
最近实验室要向安捷伦购买一台1260的液相,带二极管阵列检测器,销售人员向我们提供了一个选择Agilent 1260 Infinity二极管阵列检测器(G4212B)和Agilent 1260 Infinity二极管阵列检测器(G1315D)请问G4212B和G1315D有什么区别吗?哪个更好用点?我们实验室主要检测食品的。希望各位大虾们多多指教!