二维拓扑绝缘体

仪器信息网二维拓扑绝缘体专题为您整合二维拓扑绝缘体相关的最新文章，在二维拓扑绝缘体专题，您不仅可以免费浏览二维拓扑绝缘体的资讯， 同时您还可以浏览二维拓扑绝缘体的相关资料、解决方案，参与社区二维拓扑绝缘体话题讨论。
当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

二维拓扑绝缘体相关的耗材

  • 高质量二维晶体材料
    高质量二维晶体材料二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的二维晶体材料，并提供定制服务（如二维材料机械剥离技术培训，层数判定等性能检测培训等），以满足客户的不同需求。1、名称：硫化镓（GaS） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 2、名称：硒化铋（Bi2Se3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：拓扑绝缘体 3、名称：碲化铋（Bi2Te3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：拓扑绝缘体 4、名称：二硒化钼（MoSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-10 mm 属性：半导体 5、名称：硫化锗（GeS）纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 6、名称：二碲化钼（MoTe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-10 mm 属性：半导体 7、名称：二硫化钼单晶（MoS2）-合成纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm-20 mm 属性：半导体 8、名称：二硫化钼单晶（MoS2）纯度：＞99% 尺寸：~10 mm-20 mm 属性：半导体 9、名称：二硫化钨（WS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 10、名称：二硒化钨（WSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 11、名称：二硒化钒（VSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~7-10 mm 属性：半导体 12、名称：二碲化钨（WTe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：联系我们 属性：半金属 13、名称：硒化镓（GaSe） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 14、名称：大尺寸六边形氮化硼晶体（HBN） 纯度：＞99.99% 尺寸：1.0-1.5 mm鳞片 属性：绝缘体 15、名称：高定向热解石墨（HOPG） 纯度：＞99.995% 尺寸：可达12 x 12 x 2 mm 属性：金属 16、名称：天然石墨（NG） 纯度：＞99.995% 尺寸：~2 mm 属性：金属 17、名称：石墨烯（graphene） 纯度：＞99.995% 尺寸：＜60 μm 属性：金属 18、名称：二硒化铪（HfSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 19、名称：二硫化铪（HfS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 20、名称：硒化铟（In2Se3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~7 mm 属性：半导体 21、定制二维异质结 22、转移二维晶体材料的高纯聚合物 23、名称：定制二维晶体材料样品盒 可定制 超过30多种 24、名称：1T-二硒化钛（1T-TiSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 25、名称：二硫化钛（TiS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半金属 26、名称：2H-二硫化钽（2H-TaS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体，具有电荷密度波 27、 名称：1T-二硫化钽（1T-TaS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体，具有电荷密度波 28、名称：二硒化钽（TaSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 29、名称：二硒化锡（SnSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 30、名称：二硫化锡（SnS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 31、名称：二硒化铼（ReSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm 属性：半导体 32、名称：二硫化铼（ReS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-8 mm 属性：半导体 33、名称：二硒化铂（PtSe2） 纯度：＞99.99% 尺寸：~2 mm 属性：半金属 34、名称：Pb3Sn4FeSb2S14 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 35、名称：硫锡铅矿（PbSnS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 36、名称：二硒化铌（2H-NbSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：超导体，具有电荷密度波 37、名称：二硫化铌（NbS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~4 mm 属性：超导体 38、名称：金云母（KMg3AlSi3O10(OH)2） 纯度：高 尺寸：25 x 25 x 0.15 mm 属性：绝缘体 39、名称：白云母（K2O-Al2O3-SiO2） 纯度：高 尺寸：25 x 25 x 0.15 mm 属性：绝缘体 40、名称：CaSO4-2H2O 纯度：高 尺寸：1-2 cm 属性：绝缘体 41、名称：黑磷（BP） 纯度：＞99.995% 尺寸：可达cm级别 属性：半导体（带隙~0.3eV）
    供应商： 上海巨纳科技有限公司
    品牌： HQ Graphene
    价格： 面议
  • AgilentFID收集极绝缘体 G1531-20700 收集极绝缘体
    收集极绝缘体
    供应商： 德祥科技有限公司
    品牌： 安捷伦
    价格： 面议
  • AgilentFID收集极绝缘体
    收集极绝缘体
    供应商： 德祥科技有限公司
    品牌： 安捷伦
    价格： 面议
查看更多耗材

二维拓扑绝缘体相关的仪器

  • 薄-液二维色谱系统 400-875-7187
    上海科哲生化科技有限公司作为中国薄层色谱仪器研发的中心，专业服务于中药行业，为中药行业提供从扫描仪、成像系统、点样仪、展开仪、铺板机等全套薄层色谱仪器。现如今大众对液相的接受度普遍较高，但液相亦有它的局限性，将薄层色谱和液相色谱相结合势在必行。为了解决这一问题，上海科哲生化科技有限公司推出了薄层-液相二维色谱。利用薄层的快速分离优势，将目标物提取传输至液相系统，是药物分析行业、有机合成实验室的理想选择。2DMax1500A2薄-液二维色谱系统仪器组成TK-10型电动展开仪；TM-300型薄层色谱质谱接口；高压二元梯度泵系统；四波长UV-VIS检测器；C18柱（C18,5μm,4.6 × 250 mm）；模块化液相工作站；工作原理： 将薄层板放置在提取平台上，用激光定位选择好需要提取的物质斑点，压下提取头，打开连接管路开关，则洗脱液会对薄层板上物质斑点进行提取，并可直接注入液相系统中。主要特点：1、薄层板经分离的样品可直接提取，不需要后续处理；2、洗脱提取快速、几分钟即可完成斑点洗脱；3、不需要手动刮板，操作快速、灵活、简单、方便；4、可在线HPLC系统联用，直接将提取物进行检测；5、效率高，使用洗脱溶剂少；6、适用于条带、原点样品的萃取；仪器指标：1、薄层板尺寸：最大可放置200×200mm的薄层板；2、气源：氮气或压缩空气；3、激光：5mW，寿命长；4、密封力：最大500N；5、溶剂流速：0.05-0.5ml/min；6、萃取头：直径4mm、5mm圆形萃取头，4×2mm椭圆形萃取头；7、流量范围：0-100ml/min（更大流量可定制）；8、压力范围：0-10000psi；9、波长范围：190nm-900nm（四波长同时检测）；10、波长准确度：0.2nm；11、单色仪：1200线光栅；12、光 源：氘灯-钨灯组合光源；13、定量环：20ul（可定制）；14、进样方式：自动进样；15、馏分收集数量：160位；16、梯度范围：0-100%线性A:B；17、软件环境：Win 7/ 8/10；18、通讯方式：网口通讯；19、电压功率：110-220V，500W；2DMax1500P2薄-液二维色谱系统仪器组成TK-10型电动展开仪；TM-300型薄层色谱质谱接口；高压二元梯度泵系统；四波长UV-VIS检测器；C18柱（C18,5μm,4.6 × 250 mm）；模块化液相工作站；工作原理： 将薄层板放置在提取平台上，用激光定位选择好需要提取的物质斑点，压下提取头，打开连接管路开关，则洗脱液会对薄层板上物质斑点进行提取，并可直接注入液相系统中。主要特点：1、薄层板经分离的样品可直接提取，不需要后续处理；2、洗脱提取快速、几分钟即可完成斑点洗脱；3、不需要手动刮板，操作快速、灵活、简单、方便；4、可在线HPLC系统联用，直接将提取物进行检测；5、效率高，使用洗脱溶剂少；6、适用于条带、原点样品的萃取；仪器指标：1、薄层板尺寸：最大可放置200×200mm的薄层板；2、气源：氮气或压缩空气；3、激光：5mW，寿命长；4、密封力：最大500N；5、溶剂流速：0.05-0.5ml/min；6、萃取头：直径4mm、5mm圆形萃取头，4×2mm椭圆形萃取头；7、流量范围：0-100ml/min（更大流量可定制）；8、压力范围：0-10000psi；9、波长范围：190nm-900nm（四波长同时检测）；10、波长准确度：0.2nm；11、单色仪：1200线光栅；12、光 源：氘灯-钨灯组合光源；13、定量环：20ul（可定制）；14、进样方式：自动进样；15、馏分收集数量：160位；16、馏分收集容器：标配孔径15mm试管架（20mm、30mm试管，120ml 、240ml 、480ml试剂瓶可订制）；17、梯度范围：0-100%线性A:B；18、软件环境：Win 7/ 8/10；19、通讯方式：网口通讯；20、电压功率：110-220V，500W；
    留言咨询
    厂商： 上海科哲生化科技有限公司
    品牌： 科哲/KEZHE SHANGHAI
    型号： 2DMax1500A2/P2
    价格： 面议
  • 薄-液二维色谱系统 400-875-7187
    上海科哲生化科技有限公司作为中国薄层色谱仪器研发的中心，专业服务于中药行业，为中药行业提供从扫描仪、成像系统、点样仪、展开仪、铺板机等全套薄层色谱仪器。现如今大众对液相的接受度普遍较高，但液相亦有它的局限性，将薄层色谱和液相色谱相结合势在必行。为了解决这一问题，上海科哲生化科技有限公司推出了薄层-液相二维色谱。利用薄层的快速分离优势，将目标物提取传输至液相系统，是药物分析行业、有机合成实验室的理想选择。2DMax1500A1薄-液二维色谱系统仪器组成TK-10型电动展开仪；TM-200型薄层色谱质谱接口；高压二元梯度泵系统；四波长UV-VIS检测器；C18柱（C18,5μm,4.6 × 250 mm）；模块化液相工作站；工作原理： 将薄层板放置在提取平台上，用激光定位选择好需要提取的物质斑点，压下提取头，打开连接管路开关，则洗脱液会对薄层板上物质斑点进行提取，并可直接注入液相系统中。主要特点：1、薄层板经分离的样品可直接提取，不需要后续处理；2、洗脱提取快速、几分钟即可完成斑点洗脱；3、不需要手动刮板，操作快速、灵活、简单、方便；4、可在线HPLC系统联用，直接将提取物进行检测；5、效率高，使用洗脱溶剂少；6、适用于条带、原点样品的萃取；仪器指标：1、薄层板尺寸：最大可放置200×200mm的薄层板；2、气源：氮气或压缩空气；3、激光：5mW，寿命长；4、密封力：最大500N；5、溶剂流速：0.05-0.3ml/min；6、萃取头：直径4mm、5mm圆形萃取头，4×2mm椭圆形萃取头；7、流量范围：0-100ml/min（更大流量可定制）；8、压力范围：0-10000psi；9、波长范围：190nm-900nm（四波长同时检测）；10、波长准确度：0.2nm；11、单色仪：1200线光栅；12、光 源：氘灯-钨灯组合光源；13、定量环：20ul（可定制）；14、进样方式：自动进样；15、馏分收集数量：160位；16、梯度范围：0-100%线性A:B；17、软件环境：Win 7/ 8/10；18、通讯方式：网口通讯；19、电压功率：110-220V，500W；2DMax1500P1薄-液二维色谱系统仪器组成：TK-10型电动展开仪；TM-200型薄层色谱质谱接口；高压二元梯度泵系统；四波长UV-VIS检测器；馏分收集器；收集试管架；制备柱（C18,10 μm,4.6 × 250 mm）；模块化液相工作站；工作原理： 将薄层板放置在提取平台上，用激光定位选择好需要提取的物质斑点，压下提取头，打开连接管路开关，则洗脱液会对薄层板上物质斑点进行提取，并可直接注入液相系统中。主要特点：1、薄层板经分离的样品可直接提取，不需要后续处理；2、洗脱提取快速、几分钟即可完成斑点洗脱；3、不需要手动刮板，操作快速、灵活、简单、方便；4、可在线HPLC系统联用，直接将提取物进行检测；5、可用于薄层板样品上的制备；7、效率高，使用洗脱溶剂少；8、适用于条带、原点样品的萃取；仪器指标：1、薄层板尺寸：最大可放置200×200mm的薄层板；2、气源：氮气或压缩空气；3、激光：5mW，寿命长；4、密封力：最大500N；5、溶剂流速：0.05-0.3ml/min；6、萃取头：直径4mm、5mm圆形萃取头，4×2mm椭圆形萃取头；7、流量范围：0-100ml/min（更大流量可定制）；8、压力范围：0-4000psi；9、波长范围：190nm-900nm（四波长同时检测）；10、波长准确度：0.2nm；11、单色仪：1200线光栅；12、光 源：氘灯-钨灯组合光源；13、定量环：2ml（可定制）；14、进样方式：自动进样；15、馏分收集数量：160位；16、馏分收集容器：标配孔径15mm试管架（20mm、30mm试管，120ml 、240ml 、480ml试剂瓶可订制）；17、梯度范围：0-100%线性A:B；18、软件环境：Win 7/ 8/10；19、通讯方式：网口通讯；20、电压功率：110-220V，500W；
    留言咨询
    厂商： 上海科哲生化科技有限公司
    品牌： 科哲/KEZHE SHANGHAI
    型号： 2DMax1500A1/P1
    价格： 面议
  • 正-反二维液相色谱系统 400-875-7187
    上海科哲生化科技有限公司作为中国薄层色谱仪器研发的中心，专业服务于中药行业，为中药行业提供从扫描仪、成像系统、点样仪、展开仪、铺板机等全套薄层色谱仪器。现如今大众对液相的接受度普遍较高，但液相亦有它的局限性，将薄层色谱和液相色谱相结合势在必行。为了解决这一问题，上海科哲生化科技有限公司推出了薄层-液相二维色谱。利用薄层的快速分离优势，将目标物提取传输至液相系统，是药物分析行业、有机合成实验室的理想选择。2DMax1100A3正-反二维液相色谱系统仪器组成：1、高压四元梯度泵系统；2、四波长UV-VIS检测器；3、全自动进样器； 4、色谱柱；5、模块化液相工作站；6、二维色谱切换阀系统主要特点：1、 两支色谱柱有效提高峰容量，用于分离复杂样品；2、 可用于正相&反相二维，解决溶剂兼容问题；3、 简单易用且功能强大的操作软件；4、 灵活的一维、二维切换系统；5、 自动进样器采用全封闭样品瓶，具有洗针功能，可避免样品污染；技术指标：1、流量范围：0-200mL/min（更大流量可定制）；2、压力范围：0-4000Psi，过压保护；3、波长范围：190nm-850nm（四波长同时检测），准确度：0.2nm；4、光 源：氘灯-钨灯组合光源；5、自动进样器：144位；6、软件环境：Win7 / 10 (64位)；7、通讯方式：网口通讯；2DMax1100P3正-反二维液相色谱系统仪器组成：1、高压四元梯度泵系统；2、四波长UV-VIS检测器；3、全自动进样器； 4、智能馏分收集器；5、收集试管架；6、制备柱；7、模块化液相工作站；8、二维色谱切换阀系统主要特点：1、 两支色谱柱有效提高峰容量，用于分离复杂样品；2、 简单易用且功能强大的操作软件；3、 灵活的一维、二维切换系统；4、 自动进样器采用全封闭样品瓶，具有洗针功能，可避免样品污染；技术指标：1、流量范围：0-200mL/min（更大流量可定制）；2、压力范围：0-4000Psi，过压保护；3、波长范围：190nm-850nm（四波长同时检测），准确度：0.2nm；4、光 源：氘灯-钨灯组合光源；5、自动进样器：144位；6、馏分收集容器：试管孔径15mm，试管位数1607、软件环境：Win7 / 10 (64位)；8、通讯方式：网口通讯；
    留言咨询
    厂商： 上海科哲生化科技有限公司
    品牌： 科哲/KEZHE SHANGHAI
    型号： 2DMax1100A3/P3
    价格： 面议
查看更多仪器

二维拓扑绝缘体相关的试剂

查看更多试剂

二维拓扑绝缘体相关的方案

查看更多方案

二维拓扑绝缘体相关的论坛

  • 硒化铋Bi2Se3二维层状拓扑绝缘体材料的螺旋生长进展

    硒化铋Bi2Se3二维层状拓扑绝缘体材料的螺旋生长进展

    [color=#333333]最近，合肥微尺度物质科学国家实验室和化学与材料科学学院曾杰教授研究组在拓扑绝缘体二维层状纳米材料硒化铋Bi2Se3的结构设计、合成与生长机理研究方面取得重要进展。研究人员对Bi2Se3晶体的成核及生长进行了动力学调控，通过引入螺旋位错首次实现了二维层状材料的螺旋生长，将材料由分立的层状转变成连续性的螺旋条带，从而获得了一种既不同于单层又有别于传统块体的新型纳米材料。该成果以“Screw-Dislocation-Driven Bidirectional Spiral Growth of Bi2Se3Nanoplates”为题发表在《德国应用化学》杂志上（Angew. Chem. Int. Ed. 2014,DOI：10.1002/anie.201403530）。[/color][color=#333333]据巨纳集团低维材料在线91cailiao.cn的技术工程师Ronnie介绍，类石墨烯层状结构的硒化铋Bi2Se3因其简单的能带结构、远大于室温的能量涨落体带隙，被认为是最有前景的拓扑绝缘体材料之一。拓扑绝缘体是一种近几年被发现的新型量子物质态，在能量无耗传输、自旋电子学以及量子计算机等方面有着很大的应用前景。拓扑绝缘体除了奇异的不受缺陷和非磁性杂质散射的拓扑表面态外，若在其中引入一个螺旋位错的线缺陷，还可能会产生一对拓扑保护的一维螺旋态，从而创造一条完美的导电通道。曾教授课题组基于特色的可控制备手段，从晶体生长的动力学理论出发，通过将反应体系维持在极低的过饱和条件下，使Bi2Se3在成核过程中产生螺旋位错的缺陷，从而诱导层状材料进行双向的螺旋生长，打破硒化铋Bi2Se3本征的晶体生长模式。此外，研究人员还通过对螺旋生长速度的控制，合成出不同发展程度的螺旋结构，从中阐明了二维层状材料的螺旋生长机理。这项研究为实现一维拓扑螺旋态提供了材料基础，有助于促进Bi2Se3在拓扑绝缘体、热电以及催化等方面的新发展。此外，探索螺旋生长的方式对于合成其他二维层状材料的螺旋结构，从而调制材料的物理性能也有重要的指导意义。转自[img=,500,263]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/07/201707051342_01_2047_3.jpg[/img]低维材料在线：[/color]http://www.91cailiao.cn/index.php/news/57.html

  • 硒化铋Bi2Se3二维层状拓扑绝缘体材料的螺旋生长进展

    硒化铋Bi2Se3二维层状拓扑绝缘体材料的螺旋生长进展

    最近，合肥微尺度物质科学国家实验室和化学与材料科学学院曾杰教授研究组在拓扑绝缘体二维层状纳米材料硒化铋Bi2Se3的结构设计、合成与生长机理研究方面取得重要进展。研究人员对Bi2Se3晶体的成核及生长进行了动力学调控，通过引入螺旋位错首次实现了二维层状材料的螺旋生长，将材料由分立的层状转变成连续性的螺旋条带，从而获得了一种既不同于单层又有别于传统块体的新型纳米材料。该成果以“Screw-Dislocation-Driven Bidirectional Spiral Growth of Bi2Se3 Nanoplates”为题发表在《德国应用化学》杂志上（Angew. Chem. Int. Ed. 2014, DOI：10.1002/anie.201403530）。据巨纳集团低维材料在线91cailiao.cn的技术工程师Ronnie介绍，类石墨烯层状结构的硒化铋Bi2Se3因其简单的能带结构、远大于室温的能量涨落体带隙，被认为是最有前景的拓扑绝缘体材料之一。拓扑绝缘体是一种近几年被发现的新型量子物质态，在能量无耗传输、自旋电子学以及量子计算机等方面有着很大的应用前景。拓扑绝缘体除了奇异的不受缺陷和非磁性杂质散射的拓扑表面态外，若在其中引入一个螺旋位错的线缺陷，还可能会产生一对拓扑保护的一维螺旋态，从而创造一条完美的导电通道。曾教授课题组基于特色的可控制备手段，从晶体生长的动力学理论出发，通过将反应体系维持在极低的过饱和条件下，使Bi2Se3在成核过程中产生螺旋位错的缺陷，从而诱导层状材料进行双向的螺旋生长，打破硒化铋Bi2Se3本征的晶体生长模式。此外，研究人员还通过对螺旋生长速度的控制，合成出不同发展程度的螺旋结构，从中阐明了二维层状材料的螺旋生长机理。这项研究为实现一维拓扑螺旋态提供了材料基础，有助于促进Bi2Se3在拓扑绝缘体、热电以及催化等方面的新发展。此外，探索螺旋生长的方式对于合成其他二维层状材料的螺旋结构，从而调制材料的物理性能也有重要的指导意义。[align=center][img=,500,263]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/07/201707071343_01_2047_3.jpg[/img][/align]

  • Science: 低温强磁场磁力显微镜—调控拓扑绝缘体磁畴壁手性边界态

    Science: 低温强磁场磁力显微镜—调控拓扑绝缘体磁畴壁手性边界态

    拓扑绝缘体，顾名思义是绝缘的，有趣的是在它的边界或表面总是存在导电的边缘态，这是拓扑绝缘体的独特性质。近期，理论预测存在的拓扑绝缘体在实验上被证实存在于二维与三维材料中，引起了科研界的大量关注。通常二维电子气体系中存在着量子霍尔效应，实验中观测到了手性边界态存在于材料的边界。在三维体材料的拓扑绝缘体中实验上可观测到反常量子霍尔效应。 K. Yasuda, Y. Tokura等人利用德国attocube公司的低温强磁场磁力显微镜attoMFM在0.5K温度与0.015T磁场环境下，证实了拓扑绝缘体磁畴壁的手性边界态的可调控性能，不同于之前实验上观测到的拓扑绝缘体中自然形成随机分布的磁畴中的手性边界态。Y. Tokura等人基于Cr-掺杂 (Bi1-ySby)2Te3制备了拓扑绝缘体薄膜，基底是InP（如图1C）。图1D为在0.5K极低温下使用MFM测量的材料中的磁畴分布，可以清晰看到自然形成的随机分布的大小与形貌不一的磁畴。通过使用MFM磁性探针的针尖在0.015T的磁场环境下扫描样品区域成功实现了对材料磁畴的调控。图1F为调控后样品的磁畴情况，被探针扫描过的区域，磁畴方向保持一致。[align=center][img=,500,273]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807311331396935_7457_981_3.jpg!w690x378.jpg[/img][/align][align=center]图1： A&B 拓扑绝缘体磁畴调控示意图；C 拓扑绝缘体材料结构；D attoMFM实验观测自然形成多个磁畴； E&F MFM探针调控磁畴[/align][align=center][/align][align=center] 该拓扑绝缘体磁畴反转的性能随磁场大小变化的结果也被仔细研究。通过缓慢改变磁场，不同磁场下拓扑绝缘体样品的磁畴方向可清楚地被证实发生了反转（见图2）。通过观察，随机分布气泡状磁畴（0.06T磁场附近）一般的大小在200纳米左右。[/align][align=center][/align][align=center][img=,500,206]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807311339098931_5066_981_3.jpg!w690x285.jpg[/img][/align][align=center]图2： A 霍尔器件电测量结果；B attoMFM观测不同磁场下拓扑绝缘体的磁畴情况[/align][align=center][/align][align=center] 不仅通过attoMFM直观观测分析磁畴手性边界态调控，电学输运结果也证实手性边界态的调控。图3为在温度0.5K的时候，拓扑绝缘体电学器件以及相应的电学测量数据。数据表明，霍尔电阻可被调控为是正负h/e2的数值，证实了不同磁畴的手性边界态的调控被实现。作者预见，该实验结果对于低消耗功率自旋电子器件的研究提供了一种可能的途径。[/align][align=center][/align][align=center][img=,500,565]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807311333567372_456_981_3.jpg!w690x780.jpg[/img][/align][align=center]图3：拓扑绝缘体制备器件反常量子霍尔效应结果证实磁畴手性边界态调控[/align][align=center][/align][align=center][img=,500,303]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807311334450730_967_981_3.jpg!w690x419.jpg[/img][/align][align=center]图4：拓扑绝缘体磁畴手性边界态调控相关设备—低温强磁场原子力磁力显微镜[/align][align=center][/align][align=center][/align]低温强磁场原子力磁力显微镜attoAFM/MFM主要技术特点：-温度范围：mK...300 K-磁场范围：0...12T (取决于磁体)-样品定位范围：5×5×5 mm3-扫描范围: 50×50 μ㎡@300 K, 30×30μ㎡@4 K-商业化探针-可升级PFM, ct-AFM, SHPM, CFM等功能参考文献：“Quantized chiral edge conduction on domain walls of a magnetic topological insulator” K. Yasuda, Y. Tokura et al, Science 358, 1311-1314 (2017)

查看更多帖子

二维拓扑绝缘体相关的资料

查看更多资料

二维拓扑绝缘体相关的资讯

  • 科研人员首次在拓扑绝缘体中制造出激子
    德国“维尔茨堡-德累斯顿卓越集群—量子物质复杂性和拓扑结构”(ct.qmat)的科研人员在拓扑绝缘体中制造出了激子，有助于新一代光控电脑芯片和量子技术研究。相关研究已发表在《自然通讯》杂志。 　　科研人员通过短脉冲光作用在单个原子层组成的材料层(铋)，从而产生了激子。激子在拓扑绝缘体中被激活，为拓扑绝缘体研究开辟了全新方向。光与激子的相互作用预示了这种材料能够产生新现象，如量子比特。量子比特是量子芯片的计算单元，使用光而不是电压能够让量子芯片具有更快的时钟速率，为未来量子技术和微电子领域开发新一代光控元件铺平了道路。
    时间： 2023-01-28
    作者： 情绪波动
  • 超导量子芯片模拟多种陈绝缘体研究取得进展
    量子霍尔效应是凝聚态物理学中的基本现象。科学家发展了拓扑能带理论来研究此类拓扑物态，发现了量子霍尔系统的能带结构和系统的边界态密切相关即存在体相与边缘的对应，并利用陈数（Chern number）来区分不同的拓扑结构，以陈绝缘体来描述相关拓扑物态。陈绝缘体材料可通过第一性原理计算预测以及实验合成并检测，过去几年出现了系列创新性成果，有望发展出具有实用价值的器件。随着量子系统调控技术的发展，研究利用各种人工可控量子系统来模拟陈绝缘体并揭示其性质。超导量子计算系统具有运行稳定、通用性强的优势，将是模拟陈绝缘体的理想平台。近日，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心，与北京量子信息科学研究院、南开大学、华南理工大学、日本理化学研究所等合作，利用集成有30个量子比特的梯子型量子芯片，实现了具有不同陈数的多种陈绝缘体的模拟，并展示了理论预测的体边对应关系。该团队制备了高质量的具有30比特的量子芯片，在实验中精确控制其量子比特之间的耦合强度，并降低比特间串扰，（图1、2），实现了一维和梯子型比特间耦合的构型。 该团队设计模拟方案，将二维陈绝缘体格点模型的一个维度利用傅里叶变换映射为人工控制相位，从而用一维链状量子比特来实现其模拟（图3）。 基于同样的思想，双层二维陈绝缘体则可以利用两个一维链状平行耦合，形成梯子型比特间耦合的量子芯片实现，而人工维度相位控制还可实现双层陈绝缘体不同的耦合方式。这样便实现了不同陈数的陈绝缘体。该工作通过激发特定量子比特、测量不同本征态能量的方案，直接测量拓扑能带结构（图4）并观测系统拓扑边界态的边界局域的动力学特征，在超导量子模拟平台证实了拓扑能带理论中的体边对应关系（Bulk-edge correspondence）（图5）。此外，利用全部30个量子比特，在超导量子模拟平台上通过模拟双层结构陈绝缘体，实验上首次观察到具有零霍尔电导（零陈数）的特殊拓扑非平庸边缘态（图6）。此外，实验上探测到具有更高陈数的陈绝缘体。该研究通过精确控制超导量子比特系统及读出的技术方案，实现对量子多体系统拓扑物态性质的复现与观测，并表明30比特梯子型耦合超导量子芯片的精确可控性。相关研究成果以Simulating Chern insulators on a superconducting quantum processor为题，发表在《自然-通讯》【Nature Communications 14,5433 (2023)】上。研究工作得到国家自然科学基金委员会、科学技术部、北京市自然科学基金和中国科学院战略性先导科技专项等的支持。图1. 30比特梯子型量子芯片耦合强度信息。（a）15比特实验中测量到的量子比特间（最近邻和次近邻）的耦合强度信息。（b）30比特实验中测量到的量子比特间（最近邻、次近邻和对角近邻）的耦合强度信息。图2. Z串扰矩阵。Z串扰系数矩阵，每个元素代表着当给横轴比特施加1 arb.units幅度的 Z方波时，纵轴比特感受到的方波幅度，后续将根据该系数矩阵进行Z方波矫正。图3. 30比特梯子型量子芯片以及映射AAH模型的实验波形序列。（a）超导量子处理器示意图，其中30个量子比特构成了梯子型结构。（b）通过在y轴进行傅里叶变换，将二维霍夫施塔特（Hofstadter）模型映射为一系列一维不同配置的 Aubry-André-Harper (AAH) 模型的集合。（c）通过改变合成维度准动量Φ用以合成一系列AAH模型的量子比特频率排布，其中b=1/3。（d、e）用以测量动力学能谱（d）和单粒子量子行走（e）的波形序列。图4. 动力学光谱法测量具有合成维度的二维陈绝缘体的能谱。（a）对应于Q8的随时间演化的数据，其中b=1/3，Δ/2π=12MHz，Φ=2π/3。（b）利用15个量子比特响应函数得到的傅里叶变换振幅的平方。（c）沿着比特维度将傅里叶变换振幅的平方求和。（b）利用15个量子比特参数数值计算求解的二维陈绝缘体的能带结构，其中，b=1/3，Δ/2π=12MHz。（e、f）对于不同的Φ，实验（e）和数值模拟（f）得到的能谱对比。图5. 拓扑边界态的动力学特征以及拓扑电荷泵浦。（a1-3）分别激发Q1（a1）、Q8（a2）、Q15（a3）测量到的激发态概率的时间演化，其中，b=1/3，Δ/2π=12 MHz，Φ=2π/3。（b1-3）分别利用Q1（b1）、Q8（b2）、Q15（b3）作为目标比特测量得到的能谱部分信息。（c1-c3）激发中间比特Q8，测量得到的对应于向前泵浦（c1），不泵浦（c2）和向后泵浦（c3）的激发态概率演化，其中，Δ/2π=36MHz，初始Φ0= 5π/3。（d）根据图（c1-c3）计算得到的质心随着泵浦周期T的变化。图6. 利用全部30个量子比特模拟双层陈绝缘体。（a、b）实验测量的对应于相同Δ↑(↓)/2π=12 MHz（a）和相反 Δ↑/2π=-Δ↓/2π=12MHz（b）周期性调制的两条AAH一维链的构成的双层陈绝缘体的能谱，黑色虚线为对应的理论预测值，其中，b=1/3。霍尔电导定义为对所有被占据能带的陈数Cn的求和：σ= ∑nCn ，其中定义e2/h=1。（c、d）选择Q1,↑和Q1,↓为目标比特测量到的对应于Δ↑(↓)/2π=12 MHz（c）和相反Δ↑/2π=-Δ↓/2π=12 MHz。（d）周期性调制系统的能谱的部分信息。（e-g）当激发边界比特（Q1,↑ 或 Q1,↓），测量到的对应于Δ↑(↓)/2π=0MHz（e），Δ↑(↓)/2π=12 MHz（f）和 Δ↑/2π=-Δ↓/2π=12 MHz（g）的占据概率时间演化。
    时间： 2023-09-25
    作者： 情绪波动
  • 我国科学家在反铁磁拓扑绝缘体MnBi2Te4中发现π/2周期的平面霍尔效应
    近日，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心田明亮课题组利用磁输运方法，在本征反铁磁拓扑绝缘体MnBi2Te4中发现体态轨道磁矩产生的四重对称性的平面霍尔效应。相关研究成果发表在Nano Letters上 。　　当前，拓扑量子材料由于其独特的性能，在未来低功耗量子自旋器件中颇具应用价值，是相关领域的研究热点。在拓扑材料中，贝里曲率和轨道磁矩是两个基本的赝矢量，对材料物性产生重要影响。轨道磁矩在谷电子学和手性磁效应中具有重要作用，而相比贝里曲率研究，关于轨道磁矩相关新奇物性的研究较少。近年来，本征反铁磁拓扑绝缘体MnBi2Te4受到广泛关注。这个体系具有丰富的物性，如量子反常霍尔效应、拓扑轴子态等，并为探讨轨道磁矩和贝里曲率对量子输运现象的影响提供了良好的平台。　　科研人员利用微纳加工技术，制备出基于MnBi2Te4纳米片的Hall-bar器件，通过平面霍尔效应的测量，探究了贝里曲率和轨道磁矩对输运现象的影响。实验发现，在低温下弱磁场（B 10T），平面霍尔效应的周期从π转变成π/2，同时幅值由正变为负。为了阐明π/2周期的物理机制，研究人员进行理论计算。计算结果表明，π/2周期的平面霍尔效应来源于体态Dirac电子的拓扑轨道磁矩，且理论结果与实验结果完全吻合。进一步实验发现，随着温度升高，由于体态和表面态的竞争，平面霍尔效应发生非平庸演化。该研究揭示了轨道磁矩诱导的新颖电磁效应，也为磁性拓扑材料在低功耗自旋电子学中的应用提供了指引。　　研究工作得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、强磁场安徽省实验室等的支持。　　论文链接
    时间： 2022-01-21
    作者： dahua1981
查看更多资讯

看了这个的用户还看了

Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ，All Rights Reserved版权所有，未经书面授权，页面内容不得以任何形式进行复制