方块电阻测试仪

在线方块电阻测试仪 EddyCus TF inline在线方块电阻测试仪可以测量薄层的性能，如金属层厚度，薄层电阻，辐射系数，残余水分或在各种基材上的非接触克重。相关基材有玻璃、箔、纸、晶圆片、塑料或陶瓷。通过常驻测量或触发事件进行监测，以在快速移动的涂层过程中获得等距离的结果。检测解决方案可以在大气或真空条件下实施。基于电涡流技术的检测过程高采样率更高。可以使用客户的软件为过程控制系统提供测量结果。此外，SURAGUS还提供监控软件EddyCus EC Control，可视化、存储和分析计量数据。在线方块电阻测试仪产品优势：非接触式实时测量高测量速度高达1000次/秒。传感器固定安装或传感器横贯安装每个系统集成1 - 99个监控通道在大气或真空的过程控制在许多应用中，非常接近衬底边缘的测量是可能的在变化的环境中通过温度补偿测量的长期稳定性与测试材料之间的距离较大(例如60毫米/ 2.4英寸的间隙)覆盖导电层或封装衬底的表征众多软件集成分析在线方块电阻测试仪测量内容及范围：薄层电阻: 0.1 mOhm/sq up to 1 kOhm/sq金属厚度: 2 nm – 2 mm (根据材料电导率)电阻率: 0.1 mOhm cm – 1 ohm cm残余水分(用非接触式介电常数测量湿层)电各异性: 0.33 to 3 (higher on request)关联属性克重: 0.1 to 1,000 g/sqm辐射系数: 0.005 to 0.2EddyCus TF非接触式方块电阻在线监测系统可在生产过程中直接对方块电阻进行高速、非接触式测量。典型的工艺包括PVD, CVD，在晶圆，箔，纸，聚合物或其他基板上的电沉积或常规沉积工艺。特别是这些工艺包括溅射、蒸发、外延或电镀工艺。此外，这也涉及喷涂，槽模涂层或电子印刷过程。此外，片状电阻增强过程，如薄膜的退火和掺杂或印刷电子产品的烧结，受益于电气完整性的在线监测。氧化、蚀刻、抛光以及清洗和干燥过程的影响也是这种测试技术广泛应用范围的一部分。薄片电阻值通常转移到MES系统，以保证质量，特别是过程控制。 在线方块电阻测试仪规格指标：更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

在线方块电阻测试仪 EddyCus TF inline在线方块电阻测试仪可以测量薄层的性能，如金属层厚度，薄层电阻，辐射系数，残余水分或在各种基材上的非接触克重。相关基材有玻璃、箔、纸、晶圆片、塑料或陶瓷。通过常驻测量或触发事件进行监测，以在快速移动的涂层过程中获得等距离的结果。检测解决方案可以在大气或真空条件下实施。基于电涡流技术的检测过程高采样率更高。可以使用客户的软件为过程控制系统提供测量结果。此外，SURAGUS还提供监控软件EddyCus EC Control，可视化、存储和分析计量数据。 在线方块电阻测试仪产品优势：非接触式实时测量高测量速度高达1000次/秒。传感器固定安装或传感器横贯安装每个系统集成1 - 99个监控通道在大气或真空的过程控制在许多应用中，非常接近衬底边缘的测量是可能的在变化的环境中通过温度补偿测量的长期稳定性与测试材料之间的距离较大(例如60毫米/ 2.4英寸的间隙)覆盖导电层或封装衬底的表征众多软件集成分析 在线方块电阻测试仪测量内容及范围：薄层电阻: 0.1 mOhm/sq up to 1 kOhm/sq金属厚度: 2 nm – 2 mm (根据材料电导率)电阻率: 0.1 mOhm cm – 1 ohm cm残余水分(用非接触式介电常数测量湿层)电各异性: 0.33 to 3 (higher on request)关联属性克重: 0.1 to 1,000 g/sqm辐射系数: 0.005 to 0.2EddyCus TF非接触式方块电阻在线监测系统可在生产过程中直接对方块电阻进行高速、非接触式测量。典型的工艺包括PVD, CVD，在晶圆，箔，纸，聚合物或其他基板上的电沉积或常规沉积工艺。特别是这些工艺包括溅射、蒸发、外延或电镀工艺。此外，这也涉及喷涂，槽模涂层或电子印刷过程。此外，片状电阻增强过程，如薄膜的退火和掺杂或印刷电子产品的烧结，受益于电气完整性的在线监测。氧化、蚀刻、抛光以及清洗和干燥过程的影响也是这种测试技术广泛应用范围的一部分。薄片电阻值通常转移到MES系统，以保证质量，特别是过程控制。 在线方块电阻测试仪规格指标： 更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的网站了解更多的产品信息，或直接咨询。

非接触无损方块电阻测试仪产地：美国原理和技术：非接触方块电阻测量仪使用涡电流(Eddy Current)的测试原理。涡电流(也称为感应电流)可产生一个磁场，当磁场与导电材料接触时，会在材料中感应到涡流。根据感应涡流的电流大小，可以计算得到该材料的面电阻（方块电阻）。该技术的优势：是一种非接触、无损的测量方式，不破坏材料；可以测量密封在绝缘层内的导电层；每秒采样次数高达数万次，测量速度快；测量范围：配备不同的测试头可以测量不同范围的面电阻。10X测试头：5 ~ 100,000 (Ohms/sq) 1X测试头：0.5 ~ 10,000(Ohms/sq) 0.1X测试头：0.05 ~ 1,000(Ohms/sq) 0.01X测试头：0.005 ~ 100(Ohms/sq) 应用领域：- 防静电/导电薄膜；- 天线；- 汽车；- 电池；- 装饰薄膜/纸张；- 显示器；- 花线电路和柔性电路板；- 电镀；- 玻璃窗；- 金属化电容用箔；- 金属化标签；- 微波感应器；- 包装；- 雷达吸波材料；- 反射和反光材料；- 半导体；- 太阳能；- 透明导电薄膜；

四探针电阻率方块电阻测试仪便于查看的显示/直观的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示；操作易学，直观使用；基本设置操作简单，方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果；多种参数同时显示。精度高：电阻基本准确度： 0.05％；方阻基本准确度：3%；电阻率基本准确度：3%整机测量最大相对误差：≤±3%；整机测量标准不确定度：≤±3%四位半显示读数；八量程自动或手动测试；6. 测量范围宽： 电阻：10-4Ω～105Ω ；方阻：10-4Ω/□～105Ω/□；7. 正反向电流源修正测量电阻误差8. 恒流源：电流量程分为： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档；仪器配有恒流源开关可有效保护被测件，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触瞬间打火。为了提高工作效率，如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。9. 可配合多种探头进行测试；也可配合多种测试台进行测试。10. 校正功能：可手动或自动选择测试量程 全量程自动清零。11. 厚度可预设，自动修正样品的电阻率,无需查表即可计算出电阻率。12. 自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。13. 双电测测试模式，测量精度高、稳定性好.14. 具备温度补偿功能，修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。15. 比较器判断灯直接显示，勿需查看屏幕，作业效率得以提高。3档分选功能：超上限，合格，超下限，可对被测件进行HI/LOW判断，可直接在LCD使用标志显示；也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。16. 测试模式：可连接电脑测试、也可不连接电脑单机测试。17. 丰富的接口，Handler接口、RS232接口、USB HOST、USB DEVICE。实现远程控制。U盘可记录测试数据18. 软件功能（选配）：软件可记录、保存、各点的测试数据；可供用户对数据进行各种数据分析。标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。四探针电阻率方块电阻测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。四探针电阻率方块电阻测试仪电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。四探针电阻率方块电阻测试仪规格型号 300c电阻10-7～2×107Ω2.电阻率范围10-8～2×108Ω-cm3.电导率5×10-8～108s/cm4.测试电流范围1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA5.测量电压量程 测量电压量程：2mV 20mV 200mV 2V测量精度:±（0.1%读数）分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV6.电流精度±0.1%读数7.电阻精度≤0.3% 8.显示读数 液晶显示：电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压等9.测试方式四端测量法10.测量装置（治具）选购1.标准方体和圆柱体测量装置：测试行程：L70mm*W：60mm2.定制治具11.工作电源 AC 220V±10%.50Hz功 耗：30WH12. 主机外形尺寸约330mm*350mm*120mm 13.净重量约6kgNet14.标配外选购 1.标准校准电阻1-5个；2.PC软件一套；3.电脑和打印机依据客户要求配置；4.计量证书1份四探针电阻率方块电阻测试仪定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1所给出的某一合适值，测量并记录所得数据，所有测试数据至少应取三位有效数字。改变电流方向，测量、记录数据。关断电流，抢起探针装置，对仲裁测量，探针间距为1.59

四探针方块电阻测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围：10-2～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-3～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

广东熔炼方块电阻测试仪，烧结四探针软件测试系统涂覆电导率测试仪， 涂布层电阻测试仪 FT-361超低阻双电四探针测试仪 一、概述：本品为解决四探针法测试超低阻材料方阻及电阻率，最小可以测试到1uΩ方阻值，是目前同行业中能测量到的最小值，采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。选购：本机还可以配合各类环境温度试验箱体使用，通过不同的测量治具满足不同环境温度下测量方阻和电阻率的需求.二、广泛用于：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等 三、参数资料1.方块电阻范围：10-6～2×102Ω/□2.电阻率范围：10-7～2×103Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA.4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率.7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 2.方形探头； 3.直线形探头； 4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业.

Filmetrics R54-系列高级方块电阻测试仪Filmetrics R54是KLA方块电阻和电导率测绘 系统的最新产品。 R54代表了超过45年的方块 电阻技术优势地位的巅峰之作。自1975年KLA旗下公司推出第一款电阻率计以来，已经 彻底变革了导电层的方块电阻和厚度的测量方法。方块电阻测量对于使用导电薄膜的行业都至关 重要。无论是半导体制造，还是实现可穿戴技 术所需的柔性电子产品，都是如此。针对金属 薄膜均匀性测量、离子注入掺杂和退火表征、 电阻率分布图以及非接触式薄膜厚度测量，R54在功能上均做了优化。 系统优势. 密闭系统有助于测量光灵敏或环境 敏感样品. 可容纳最大直径为300毫米的样品. 可配置四探针(4PP)或非接触式涡 流(EC)模式. 15 毫米的最大样品高度. 方块电阻测量范围覆盖十个量级. 可以使用矩形、线性、极坐标和自 定义配置等采样点排列方式进行测 绘. 高精度X-Y样品台. 业内较小的涡流测量尺寸. 易于使用的软件界面. 兼容所有KLA方块电阻探针R54 四探针和涡流测量方法四探针(4PP)和涡流(EC)是测量方块电阻的两种常用技术。R54在接触式四探针方法上覆盖了10个电阻量级范围，并配置了高分辨率和高灵敏度的非接触式涡流方法，延续了KLA的创新历史和优势地位。四探针概述四探针提供了一种简单而直接的电阻测量方法。在所测导电层与衬底之间有 一个非导电阻挡层时，由四个导电引脚组成的探针在受控的力的作用下接触 导电层表面。标准引脚配置在两个外侧引脚上施加电流，并测量两个内侧引 脚上的电压。为测量方块电阻，导电层厚度应小于探针引脚间距的 &half 。KLA 开创了 R54 双配置技术，可交替测量不同引脚上的电压，对边缘效应应用动 态校正并纠正引脚间距误差。KLA 为导电薄膜或离子注入层提供多种的探针 配置，以优化表面材料特性的测量。涡流概述涡流是一种非接触式的导电薄膜的方块电阻测量技术。在线圈中施加变化的 电流以产生变化的磁场。当线圈靠近导电表面时， 变化的磁场会在导电表面 中感应变化的（涡流） 电流。这些涡流反过来产生自己的变化的磁场， 该磁 场与探针线圈耦合， 产生与样品的方块电阻成正比的信号变化。 KLA独特的 涡流解决方案使用单侧（上部） 探针， 在每个测量点动态调整探针到样品的 高度，这对于测量的准确度和再现性至关重要。涡流方法不受表面氧化的影 响，同时也是不太适合四探针接触式方法的较软样品的理想选择。四探针与涡流方法之间的关系KLA四探针和涡流解决方案在各自的常用范围内都表现出良好的相关性。Filmetrics R54 使用KLA先进的校准方法，来确保四探针和涡流技术的测量精度。 铝膜/硅衬底的方块电阻分布图 铝膜/硅衬底的方块电阻分布图（四探针法） （涡流法） 市场分类和应用 汽车 太阳能 LED 半导体 电路板 平板显示器 学术研究 晶圆加工. 金属化层. 晶圆掺杂变化. 衬底表征. 离子注入变化分布. 激光退火表征技术. 金属沉积. 柔性衬底表征. 薄膜电导率 . 分布图研发及其他应用. 柔性薄膜电阻率. 过滤网. 多层薄膜表征. 金属薄膜. 可穿戴设备. 可充电电池R54 应用金属薄膜均一性金属薄膜的方块电阻均一性对于确保器件性能至关重要，大多数金属薄膜用 四探针和涡流都可以测量。一般情况下，用涡流测量较厚、高导电性的金属 薄膜，用四探针测量较薄的金属薄膜 ( 10Ω/sq) ，但四探针/涡流的高相关性 可以确保使用任意一种方法都能获得准确的结果。R54 电阻率分布图凸显了 薄膜均一性、沉积质量和其他工艺变化。左边的例子是 TiWN 沉积层的分布图，显示出批处理反应器的特征。离子注入工艺优化四探针是测量离子注入工艺的标准技术。Filmetrics R54 软件包括 I-V 曲线绘图 和电流渐变扫描，可用于优化测量电流或识别注入层和硅衬底之间的漏电流。热退火后离子注入的轮廓图或沿直径方向的扫描结果，可以用来识别由于灯故 障、晶圆/压板接触不良或注入量变化引起的热点和冷点。在左边的例子中，通过改进样品背面热接触来优化工艺。准确测量晶圆沿直径方向的电阻以 优化生产工艺，可以提高均匀性。膜厚/电阻率/方块电阻测量到的晶圆数据可以绘制方块电阻、薄膜厚度或电阻率分布图。通过输入材 料的电阻率值（或电阻依赖关系）， 可以计算并显示厚度；如果输入厚度值， 则可以计算电阻率。数据采集和可视化R54 的用户界面 RSMapper 简单易懂，将数据采集和分析功能集成到一个平台 中，既可用于机台在线操作也可离线分析。使用多种坐标布局可轻松确定测量 位置。如左侧所示的离子束扫描结果，RSMapper软件可以显示 2D/3D 测量结 果，来快速展示薄膜均一性。该软件可在单个测量参数分布图与可旋转 3D 轮 廓之间轻松切换，以提供工艺参数的自定义视图。R54 产品规格 1标准差2使用R-pack进行测量，2.8Ω-28kΩ机械性能R54-200-4PP/ECR54-300-4PP/ECX-Y-T 载台范围± 100mm (共200mm)300mm 圆形样品最大尺寸200mm 圆形 or 150mm 方形300mm 圆形机台尺寸（宽 X 高 X 长 ）472mm x 561mm x 392mm*472mm x 561mm x 392mm*机台重量27.3kg27.3kg*535mm H 前门开着4PP P/N弹簧负载(g)探针间距(mm)尖头半径(mm)针头回缩(mm)探针类型应用场景610-05901001.0160.040.25A金属薄膜610-05951000.6350.040.25F610-05911001.0160.10.25B通常用于多晶硅、硅化物和外延层等离子注 入制程610-05961000.6350.10.25G610-05921001.0160.20.25C专为高阻抗表面设计，如低浓度掺杂610-05971000.6350.20.25H610-05931001.0160.50.25DC型和H型探针不适用的高阻抗表面/极低浓 度掺杂610-05981000.6350.50.25I610-05942001.5750.040.50E衬底EC P/N频率线圈直径探针类型应用场景610-059910MHz1.5mmEC A 10Ω/sq 常规金属膜610-06055MHz1.5mmEC B更高阻抗， 50Ω/sq金属薄膜KLA Instrumentsm 系列KLA 公司的 KLA Instrumentsm 事业部拥有一系列桌面式和产线自动化缺陷检测和量测解决方案。产线自动化机台用于自动 化和生产环境，包括 Candela 缺陷检测、自动化 HRP -260 和 Tencorm P- 170 探式针轮廓仪以及、Zeta&trade -388 自动光学 轮廓仪和Filmetrics F60-c 自动薄膜厚度测绘。桌面式量测系统包括 Alpha-Step D 系列和 Tencor P 系列探针式轮廓仪、 Zeta-20 和 Zeta-300 光学轮廓仪、 Nano Indenter纳米压痕仪，以及 Filmetrics 测量设备（其中包括薄膜厚度测量系统、 R50 系列和 R54 系列方块电阻测试仪以及 Profilm3D 光学轮廓仪）。

美国Four Dimensions,Inc, 简称&ldquo 4D&rdquo ，成立于1978年，位于美国加州硅谷的Hayward, 4D公司专注于四探针设备和CV仪的生产和销售，累计销量达800台以上，遍布世界各大半导体Fab, 太阳能光伏企业，大学及科研机构。美国4D公司的四探针/方块电阻/电阻率测试设备：280SI （4D品牌中最普及的型号）测量尺寸：晶圆尺寸：2-8寸（333系列可测量大至12寸晶圆，1100系列可测量大至2160mmX2400mm平板系列） 方形片：大至156mm X 156mm；测量范围： 0.001欧姆/平方 至 800000欧姆/平方（标准型）； 可往下扩展至：0.0001欧姆/平方，往上扩展至8e9或8e11欧姆/平方。相对应的电阻率，薄膜厚度根据不同材料不同应用而不同，但都是以方块电阻作为基础设备自动计算得出，注意这是选项价格要高不少，建议客户按实际需求选择购买。测量方式： 电脑程序自动测量，或不连电脑单测量主机也可实现测量和数据显示，此时非常适合测试不规整样片单点测量，适合实际研究需要。测量的数据： 方块电阻/电阻率/薄膜厚度，根据具体应用可以设置不同测量程序。测量的点数： 程序编排任意测量点位置及测量点数量，对应不同客户不同测量要求任意编程测量点位置与数量。测量的精确度：0.1% （标准模阻）；测量重复性：0.2% （特定片子）；测量速度：45点/分钟；测量数据处理：根据需要显示2D,3D数值图，或按要求统计并输出Excel格式文件；边缘修正：具有边缘修正功能，即片子边缘3mm以内区域都能测量；探针材料：钨钢与硅片的接触电阻最小，且耐磨。另外每跟针的轴套采用非常耐磨蓝宝石材料，以确保长时间使用后间距的一致性；探针压力可调范围：90-200克之间可调；可供选择的探头类型：根据测试不同工艺要求有A, B,K, M, N等相关型号探头选择，另外还可提供专门为客户定制的应用特殊要求的探针，比如测试薄至30A的薄膜时需要使用MR型探头，这是四探针设备供应商少有能做到的。设备应用： IC FAB/FP dispaly/LED：扩散，离子注入等掺杂工艺监控调试，薄膜电阻率或厚度测量等工序，如Intel，IBM，Motorola，TSMC，CSMC,Applied Materials,Sematech,Linear Technology,Tokyo Electronics,Materials Research,RF Monolithics,Linear Technology,Perkin-Elmer Optoelectronics,Candescent Technology,Hewlett-Packard,SHE America/Japan/Europe,Flip Chip,Delco Electronics,Lite-On Power,Goldstar,Korea Electronics,Posco Huls,SGS-Thomson,CarborundumCodeon,TRW Space&Electronics,Dynamic Research,EKC Technology,Hughes Aircraft,International Rectifier,LG Display,Semitech,Winbond,RF Monolithic,Osram... 材料类研究：杜邦（中国），电力科学院，中科院，山东科学院，清华大学，北京大学，复旦大学，华师大，电子科大，国家标准化所，质检所，光伏科学与技术国家重点实验室,Applied Materials, Materials Research... 新能源：尚德，晶澳，英利，阿特斯，天合，LDK，海润，腾晖，鑫辉，东磁，向日葵，奥特斯维，尖山，晶科，力诺，韩华，神舟，光为，艾力克，吉阳，东营，中盛，First solar,Solar world... 客户群广：国内已经卖出近300台之多，全世界累计各种型号四探针设备近千台，四探针设备的优质品牌。 使用成本 4D公司所提供的探针质保次数是25万次，而实际从客户反馈的信息是寿命达到100万次以上，甚至150万次以上。同时4D还为客户提供探头的探针更换服务，大大降低客户的使用成本。 市场占有率高 国内行业内有几百台的占有率，公司品牌4D已经成为四探针的代名词； 服务有保证 本地化的齐全的备件储备（北京，上海分别设有服务中心），样机应急供给服务，及优质的售后服务团队；根据应用不同工艺要求对应的探针类型详细说明：测量数据电脑图（2D/3D）各类型四探针设备说明： 根据客户不同使用要求有更多选择 * 使用液体金属汞探针替代传统硬探针的四探针设备，如：M4PP 3093 * 针对III IV族化合物材料，应用&ldquo dynamic AC waveform&rdquo 克服测量的接触电阻问题，该型号为：680I； * 根据不同应用要求，可增加的功能有：温度控制/补偿，边缘修正，样品台定制，自动化要求定制，探头自动切换，通讯接口扩展，测量范围扩展等。 * 具体更详细的资料请浏览4D官网： 或来电咨询（联系信息如下）。 吴惟雨/Caven Wu 美国赛伦科技上海办事处/Saratoga Technology International 4D产品中国总代理服务商

非接触式薄膜方块电阻方阻测量仪昊量光电新推出用于导电薄膜和薄金属层方块电阻测量的非接触式薄膜四方针方块电阻方阻测量仪EddyCus TF Series，这款非接触式薄膜方块电阻方阻测量仪可以非接触式实时测量，对导电薄膜和金属方块电阻精确测量，表征已被隐藏和封装的导电层，并把测量数据保存和导出。 可用于方块电阻，方阻测量。非接触式方块电阻方阻测量替代四探针传统测量非接触式薄膜四方针方块电阻方阻测量仪主要测试对象：镀膜建筑玻璃，如LowE显示器，触摸屏和平板显示器OLED和LED智能玻璃石墨烯层光伏晶圆和电池半导体晶片金属化层和晶圆金属化电池电极导电涂布纸和导电纺织品非接触式单点方阻测试仪EddyCus TF Lab 2020SREddyCus TF Lab 2020SR是非接触式单点薄层电阻测量系统。该装置包含一个涡流传感器组，感应弱电流到导电薄膜和材料。非接触式薄膜四方针方块电阻方阻测量仪试样中的感应电流产生与测量对象的片电阻相关的电磁场。电涡流技术不依赖于表面特征或形貌。此外，非接触式单点方阻测试仪不需要如已知的2或4点探针测试(2PP, 4PP)或霍尔效应或范德波测量一样进行任何形式的充分的样品接触或备样。非接触式单点方阻测试仪既不需要设置测试结构，也不受表面粗糙度或非导电封装或钝化层的影响。此外，测量不会对被测薄膜产生物理影响。涡流仪器不存在机械磨损，使用寿命长。它的独立性与接触质量和它的高速允许实现高重复性和准确性，有利于在研发和测试实验室的各种薄膜的系统质量保证。EddyCus工具可以由具有各种数据记录和导出功能的SURAGUS软件驱动，也可以由SURAGUS软件开发套件驱动的客户软件驱动。非接触式单点方阻测试仪软件和设备控制：非常用户友好的软件直观的触摸显示导航实时测量板材电阻和层厚软件辅助手动映射选项各种数据保存和导出选项非接触式薄膜四方针方块电阻方阻测量仪产品规格表Measurement technologyNon-contact eddy current sensorsubstratesFoils, glass, wafer, etc.Substrate area8 inch / 204 mm x 204 mm (open on three sides)Max. sample thickness / sensor gap3 / 5 / 10 / 25 mm (defined by the thickest sample)Thickness measurement range of metal films (e.g. copper)2 nm – 2 mm (in accordance with sheet resistance (cf. our calculator))Device dimensions (w/h/d)11.4” x 5.5” x 17.5” / 290 mm x 140 mm x 445 mmWeight10 kgFurther available featuresSheet resistance measurement / metal thickness monitor VLSRLSRMSRHSRVHSR6 decades are measurable by one sensor, but with slightly affected accuracyRange [Ohm/sq]0.0001 – 0.10.1 – 100.1 – 10010 – 20001,000 – 200,000Accuracy / Bias± 1%± 1 – 3%± 3 – 5%Repeatability (2σ) 0.3% 0.5% 0.3%VLSR – Very Low Sheet Resistance , LSR – Low Sheet Resistance , MSR – Medium Sheet Resistance , HSR – High Sheet Resistance , VHSR – Very High Sheet Resistanc非接触式薄膜四方针方块电阻方阻测量仪非接触式方阻成像仪EddyCus TF Map 2530SREddyCus TF Map 2530SR是一种非接触式薄层电阻映射系统。该设备配备了一个运动的涡流传感器，每次扫描可测量高达90000 (300 x 300)测量点的方块电阻。由于这种技术不需要与标本进行物理接触，该设备可以在飞行运动中进行测量。此外，非接触式单点方阻测试仪具有很高的准确性，因为它是独立于任何接触质量。非接触式薄膜四方针方块电阻方阻测量仪样品中测量点的高密度确保了没有遗漏任何效果或缺陷。此外，综合分析功能支持生产和研发实验室中各种薄膜的系统质量保证。产品规格：Measurement technologyNon-contact eddy current sensorSubstratesWafer, glass, foils etc.Max. scanning area12 inch / 300 mm x 300 mm (larger upon request)Edge effect correction / exclusion2 – 10 mm (depending on size, range, setup and requirements)Max. sample thickness / sensor gap3 / 5 / 10 / 15 mm (defined by the thickest sample)Thickness measurement of metal films (e.g. aluminum, copper)2 nm – 2 mm (in accordance with sheet resistance ())Scanning pitch1 / 2.5 / 5 / 10 / 25 mm (other upon request)Measurement points per time (square shaped samples)100 measurement points in 0.5 minutes10,000 measurement points in 3 minutesScanning time8 inch / 200 mm x 200 mm in 1 to 10 minutes (1 – 10 mm pitch)12 inch / 300 mm x 300 mm in 2 to 6 minutes (2.5 – 25 mm pitch)Device dimensions (w/h/d)31.5” x 19.1” x 33.5” / 785 mm x 486 mm x 850 mmWeight90 kgFurther available featuresMetal thickness imaging, anisotropy and sheet resistance sensor VLSRLSRMSRHSRVHSR6 decades are measurable by one sensor, but with slightly affected accuracyRange [Ohm/sq]0.0001 – 0.10.1 – 100.1 – 10010 – 2,0001,000 – 200,000Accuracy / Bias± 1%± 1 – 3%± 3 – 5%Repeatability (2σ) 0.5% 1% 0.5%VLSR – Very Low Sheet Resistance , LSR – Low Sheet Resistance , MSR – Medium Sheet Resistance , HSR – High Sheet Resistance , VHSR – Very High Sheet Resistance便携式方块电阻测试仪EddyCus TF便携式1010SR专用于工业环境中的接触片电阻测量。它使各种行业的手工质量保证成为可能。Measurement technologyEddy current sensorMeasurement modeRealtime at constant distance / contactSubstratesGlass, foils etc.Substrate sizesFlat samples 150 mm x 150 mm (6 inch x 6 inch)Curved editions are available for several applications (windshields etc.)Measurement spot / high sensitivity zone40 mm diameter (1.6 inch)PowerLithium ion battery up to 20 hSheet resistance range (five setups available)Type very low: 0.001 – 0.1 Ohm/sqType low: 0.04 – 0.1 Ohm/sqType standard: 0.3 – 30 Ohm/sqType high: 0.3 – 50 Ohm/sqType very high: 0.3 – 100 Ohm/sqThickness measurement of thin films (e.g. copper)Additional feature, available range is 5 nm – 500 µ m (in accordance with sheet resistance)Emissivity rangeAdditional feature, available range is 0.003 – 0.5Accuracy (for planar solid surfaces, e.g. glass)0.001 – 50 Ohm/sq: 3%50 – 100 Ohm/sq: 5%DISPlay2.8 inch colored touch screenDevice dimensions (w/h/d)3.5” x 7” x 1.9” / 87 mm x 178 mm x 48 mmWeight340 gInterfacesBluetooth (optional) + data center更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

美国Four Dimensions,Inc, 简称&ldquo 4D&rdquo ，成立于1978年，位于美国加州硅谷的Hayward, 4D公司专注于四探针设备和CV仪的生产和销售，累计销量达800台以上，遍布世界各大半导体Fab, 太阳能光伏企业，大学及科研机构。美国4D公司的四探针/方块电阻/电阻率测试设备：280SI （4D品牌中最普及的型号）测量尺寸：晶圆尺寸：2-8寸（333系列可测量大至12寸晶圆，1100系列可测量大至2160mmX2400mm平板系列）方形片：大至156mm X 156mm；测量范围： 0.001欧姆/平方 至 800000欧姆/平方（标准型）；可往下扩展至：0.0001欧姆/平方，往上扩展至8e9或8e11欧姆/平方。相对应的电阻率，薄膜厚度根据不同材料不同应用而不同，但都是以方块电阻作为基础设备自动计算得出，注意这是选项价格要高不少，建议客户按实际需求选择购买。测量方式： 电脑程序自动测量，或不连电脑单测量主机也可实现测量和数据显示，此时非常适合测试不规整样片单点测量，适合实际研究需要。测量的数据： 方块电阻/电阻率/薄膜厚度，根据具体应用可以设置不同测量程序。测量的点数： 程序编排任意测量点位置及测量点数量，对应不同客户不同测量要求任意编程测量点位置与数量。测量的精确度：0.1% （标准模阻）；测量重复性：0.2% （特定片子）；测量速度：45点/分钟；测量数据处理：根据需要显示2D,3D数值图，或按要求统计并输出Excel格式文件；边缘修正：具有边缘修正功能，即片子边缘3mm以内区域都能测量；探针材料：钨钢与硅片的接触电阻最小，且耐磨。另外每跟针的轴套采用非常耐磨蓝宝石材料，以确保长时间使用后间距的一致性；探针压力可调范围：90-200克之间可调；可供选择的探头类型：根据测试不同工艺要求有A, B,K, M, N等相关型号探头选择，另外还可提供专门为客户定制的应用特殊要求的探针，比如测试薄至30A的薄膜时需要使用MR型探头，这是四探针设备供应商少有能做到的。设备应用：IC FAB/FP dispaly/LED：扩散，离子注入等掺杂工艺监控调试，薄膜电阻率或厚度测量等工序，如Intel，IBM，Motorola，TSMC，CSMC,Applied Materials,Sematech,Linear Technology,Tokyo Electronics,Materials Research,RF Monolithics,Linear Technology,Perkin-Elmer Optoelectronics,Candescent Technology,Hewlett-Packard,SHE America/Japan/Europe,Flip Chip,Delco Electronics,Lite-On Power,Goldstar,Korea Electronics,Posco Huls,SGS-Thomson,CarborundumCodeon,TRW Space&Electronics,Dynamic Research,EKC Technology,Hughes Aircraft,International Rectifier,LG Display,Semitech,Winbond,RF Monolithic,Osram...材料类研究：杜邦（中国），电力科学院，中科院，山东科学院，清华大学，北京大学，复旦大学，华师大，电子科大，国家标准化所，质检所，光伏科学与技术国家重点实验室,Applied Materials, Materials Research... 新能源：尚德，晶澳，英利，阿特斯，天合，LDK，海润，腾晖，鑫辉，东磁，向日葵，奥特斯维，尖山，晶科，力诺，韩华，神舟，光为，艾力克，吉阳，东营，中盛，First solar,Solar world... 客户群广：国内已经卖出近300台之多，全世界累计各种型号四探针设备近千台，四探针设备的优质品牌。使用成本4D公司所提供的探针质保次数是25万次，而实际从客户反馈的信息是寿命达到100万次以上，甚至150万次以上。同时4D还为客户提供探头的探针更换服务，大大降低客户的使用成本。

一、结构特征 M3手持式四探针测试仪主机 配ST2253-F01钨针探头测试硅片 配ST2558B-F01薄膜探头测试ITO膜 二、概述2.1基本功能和依据标准： M3手持式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试材料电阻率/方块电阻的多用途、高性价比测量仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》等国标并参考美国 A.S.T.M 标准。 2.2配套组成：标准配置由M-3型主机、选配的四探针探头等二部分组成，也可加配测试台当台式机使用。2.3优势特征：1美观适用：彩色流线型手持式面板、带防滑垫，符合人体工程学设计。适合手持式变动场合操作使用，也可以定制小型旅行手提箱包装，便于野外或旅行使用。2高精度：带完善厚度、形状修正功能，测试准确。同行中手持式多为简易程序，没有完整修正功能，无法修正误差。3宽量程：超宽五个档位，相当于中档台式机的量程，同行中手持式多为两到三个档位，测试范围有限，适应性不广。4操作简便、性能稳定：轻触数字化键盘实现参数设定、功能转换，简便而且免除模拟定位器的不稳定易受干扰。5手动/自动一体化：6显示方式美观清晰：由高亮绿色数码和ＬＥＤ数字表头显示，不怕环境背景暗或野外强光；7待机和工作时间长（不小于两天），有大容量可充电锂电池电池供电，环保耐用。2.4探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。详情见《四探针探头型号规格特征选型参照表》1配高耐磨的碳化钨探针探头，如ST2253-F01型，以测试硅等半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；2配不伤膜的球形或平头镀金铜合金探针探头，如ST2558B-F01型，可测金属箔、碳纸等导电薄膜，也可测陶瓷、玻璃或PE膜等基底上导电涂层膜，如金属镀膜、喷涂膜、ITO膜、电容卷积膜等材料的薄膜涂层电阻率/方阻。3配专用箔上涂层探头，如ST2558B-F02型，也可测试锂电池电池极片等箔上涂层电阻率/方阻。4换上四端子测试夹具，还可对电阻器的体电阻进行测量。2.5测试台选配：根据不同材料特性需要，测试台可有多款选配。详情见《四探针测试台型号规格特征选型参照表》四探针法测试固体或薄膜材料选配SZT-A型或SZT-B型（电动）或SZT-C型（快速恒压）测试台。二探针法测试细长棒类材料选配SZT-K型测试台.平行四刀法测试橡塑材料选配SZT-G型测试台。2.6适用范围：手持式使用，仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校四探针法对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。 。三、基本技术参数1.测量范围、分辨率电 阻： 0.010Ω～ 50.00kΩ, 分辨率0.001Ω～ 10 Ω电 阻 率： 0.010Ω-cm～ 20.00kΩ-cm， 分辨率0.001Ω～ 10 Ω-cm方块电阻： 0.050Ω/□ ～ 100.00kΩ/□ 分辨率0.001Ω～ 10 Ω/□2.可测材料尺寸手持方式不限材料尺寸，但加配测试台则由选配测试台决定如下：直 径：SZT-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm。SZT-C方测试台直接测试方式180mm×180mm。长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm。.测量方位: 轴向、径向均可. 3.量程划分及误差等级（括号内为拓展量程）量程（Ω-cm/□）2.000（200.0ｍ）20.00（2.000ｍ）200.0（20.00）2.000k（200.0）20.00k（2.000k）电阻测试范围0.010～2.2002.000～22.0020.00～220.00.200～2.200k2.000～50.00k电阻率/方阻0.010/0.050～2.2002.000～22.0020.00～220.00.200～2.200k2.000～20.00k/100.0k基本误差±1%FSB±2LSB±2%FSB±2LSB4)充电器工作电源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W，或电池供电DC3.7V.5)外形尺寸：W×H×L=10cm×3.6cm×21cm净 重：≤0.3kg

操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

电阻率测试仪,四探针方阻电阻率测试仪, 适用范围Widely used：1.覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试2.硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，3.EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，4.抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等， 功能描述Description：四探针单电测量方法液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出.选配：PC软件进行数据管理和处理.提供中文或英文两种语言操作界面选择 满足标准：1.硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）.2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》. FT-343双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 FT-345双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 四探针电阻率/方阻测试仪,四探针测量仪,探针测试仪,导体电阻,体积电阻测试仪,四探针法测电阻,方块电阻测试仪,薄膜或涂层方块电阻测试仪

硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。

导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

四探针电阻率测试仪/四探针电阻率仪/方阻测试仪/方阻仪/四探针电阻率测定仪（自动测试台+带软件） 型号：KDK-KDY-1四探针电阻率/方阻测试仪（以下简称电阻率测试仪）是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。它主要由电气测量份（简称：主机）、测试架及四探针头组成。本仪器的特点是主机配置双数字表，在测量电阻率的同时，另块数字表（以分之几的度）适时监测程的电流变化，免除了测量电流/测量电阻率的转换，更及时掌控测量电流。主机还提供度为0.05%的恒流源，使测量电流度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些箔层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，地保护箔膜。“小游移四探针头”，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配HQ-710E数据处理器，测量硅片时可自动行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均习庋。给测量带来很大方便。2、主机能数（1）测量范围：可测电阻率：0.0001～19000Ω?cm可测方块电阻：0.001～1900Ω?□（2）恒流源：输出电流：DC 0.001～100mA 五档连续可调量程：0.001～0.01mA0.01～0.10mA0.10～1.0mA1.0～10mA10～100mA恒流度：各档均低于±0.05%（3）直流数字电压表：测量范围：0～199.99mV灵敏度：10μV基本误差：±（0.004%读数+0.01%满度）输出电源：≥1000ΩM（4）供电电源：AC 220V±10% 50/60 Hz 率：12W（5）使用环境：温度：23±2℃ 相对湿度：≤65%无较强的电场干扰，无强光直接照射（6）重量、体积：主机重量：7.5kg体积：365×380×160（单位：mm 长度×宽度×度）备注：等测量时（测电阻率），度3%电气测量时（测电阻），度在0.3%以内 备注：仪器包括：主机台；测试架（包括台面）个；四探针头1个；软件

四探针方阻电阻率测试仪,四探针电阻率/方阻测试仪 FT-331普通四探针方阻电阻率测试仪广泛用于：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求. 本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-6～2×106Ω-cm 3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

瑞柯牌熔炼表面比电阻测试仪，合金类箔膜四探针电阻率测试仪熔炼电阻测试仪 ，金属化标签电导率测试仪FT-371超高阻双电四探针测试仪一、概述：本品为解决四探针法测试超高阻值材料方阻及电阻率， 可以测试到1010Ω方阻值，是目前同行业中能测量到的 方阻值，选购：本机还可以配合各类环境温度试验箱体使用，通过不同的测量治具满足不同环境温度下测量方阻和电阻率的需求.采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。二、广泛用于：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等三、参数资料1.方块电阻范围：101～2×1010Ω/□2.电阻率范围：102～2×1011Ω-cm3.测试电流范围：1mA ---1pA 4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：108Ω以下≤5% ；108Ω以上≤20%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率.7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 2.方形探头； 3.直线形探头； 4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；智慧之原

四探针 方阻 电阻率测试仪双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。FT-340系列双电测四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。 四探针 方阻 电阻率测试仪规格型号FT-341FT-342FT-343FT-345FT-346FT-3471.方块电阻范围10-5～2×105Ω/□10-4～2×103Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×103Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×103Ω/□2.电阻率范围10-6～2×106Ω-cm10-5～2×104-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×104-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×106Ω-cm3.测试电流范围0.1μA,μA,0μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA,μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数大屏液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式双电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W 9.整机不确定性误差≤3%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 四探针 方阻 电阻率测试仪FT-340系列双电测电四探针方阻电阻率测试仪FT-340 Series Double electric four-probe resistance ratio tester一.应用说明Widely used：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等，提供中文或英文两种语言操作界面选择，二．描述Description：采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.规格型号/ modelFT-341 FT-342 FT-343FT-345 FT-346FT-3471.方块电阻sheet resistance 10-5～2×105Ω/□10-4～2×105Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×104Ω /□10-2～2×105Ω/□10-2～2×104Ω/□2.电阻率Resistivity 10-6～2×106Ω-cm10-5～2×106Ω-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×105Ω-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×106Ω-cm6.显示读数display屏液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率Large screen LCD: Resistance. resistivity. sheet resistance. temperature. unit conversion.temperature coefficient. current. voltage. probe shape. probe spacing. thickness. conductivityFT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪.型号及参数Models and technical parameters规格型modelFT-331FT-332FT-333FT-334FT-335FT-3361.方块电阻范围Sheet resistance 10-5～2×105Ω/□10-4～2×105Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×104Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×104Ω/□2.电阻率范围Resistivity 10-6～2×106Ω-cm10-5～2×106Ω-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×105Ω-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×105Ω-cm6.显示读数display液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率LCD: resistance. resistivity. sheet resistance. temperature. unit conversion.temperature coefficient. current. voltage. probe shape. probe spacing. thickness. conductivity7.测试方式test mode普通单电测量general single electrical measurement温馨提示：半导体材料测量，我们提供四探针法，低阻，高阻，双电组合法，普通单电法，以及高温电阻率测试仪系列，欢迎和我们保持联系---瑞柯仪器温馨提示：半导体材料的电导性能和均匀性通过四探针法来测试，四探针测试仪根据量程可以划分为，低阻四探针测试仪测到-6次方；高阻四探针测试仪测到7次方至9次方；，双电测四探针测试仪测到-5次方到5次方，单电测四探针测试仪-5次方到5次方，我们解决半导体材料电性能测量问题，上述都是我们产品，欢迎和我们交流—瑞柯仪器双电测四探针测试仪

1:便携式四探针电阻率测试仪 四探针电阻率测试仪 四探针电阻率检测仪 四探针电阻率测定仪 型号：KDK-KDY-1A概述便携式电阻测度仪是用来测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。本仪器按照半导体材料电阻率的际及家标准测试方法有关规定。它主要由电器测量份（主机）及四探头组成，需要时可加配测试架。为减小体积，本仪器用同块数字表测量电流及阻率。样品测试电流由宽的恒流源提供，随时可行校准，以确保电阻率测量的准确度。因此本仪器不仅可以用来分材料也可以用来作产品检测。对1～100&Omega &bull cm标准样片的测量瓿差不过± 3%，在此范围内达到家标准机的水平。测量范围：可测量 电阻率：0.01～199.9&Omega &bull cm。可测方块电阻：0.1～1999&Omega /口当被测材料电阻率&ge 200&Omega &bull cm数字表显示0.00。（2）恒流源：输出电流：DC 0.1mA～10mA分两档10mA量程：0.1～1mA 连续可调10mA量程：1mA ～10mA连续可调恒流度：各档均优于± 0.1%适合测量各种厚度的硅片（3） 直流数字电压表测量范围：0～199.9mv灵敏度：100&mu v准确度：0.2%（± 2个字）（4） 供电电源：AC：220V ± 10% 50/60HZ 率8W（5） 使用环境：相对湿度&le 80%（6） 重量、体积重量：2.2 公斤体积：宽210× 100× 深240（mm）（7）KD探针头压痕直径：30/50&mu m间距：1.00mm探针合力：8± 1N针材：TC2:· 数字式硅晶体少子寿命测试仪 型号：KDK-LT-100C为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照标GB/T1553及SEMI MF-1535用频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。 该设备是按照家标准GB/T1553&ldquo 硅单晶少数载流子寿命测定的频光电导衰减法&rdquo 。频光电导衰减法在我半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。 KDK-LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点：1、 可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管硅单晶的少子寿命。2、 可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。3、配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。4、配置两种波长的红外光源：a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深&ge 500&mu m，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅&asymp 30&mu m，但光强较强，有利于测量低阻太阳能硅晶体。5、测量范围宽广测试仪可直接测量：a、研磨或切割面：电阻率&ge 0.3&Omega &bull ㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。b、抛光面：电阻率在0.3～0.01&Omega &bull ㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。寿命可测范围 0.25&mu S&mdash 10ms 温馨提示：以上产品资料与图片相对应。

半导体电阻率测试仪一、概述 BD-86A型半导体电阻率测试仪是根据四探针测试原理研制成功的新型半导体电阻率测试器，适合半导体器件厂、材料厂用于测量半导体材料（片状、棒状）的体电阻率、方块电阻（薄层电阻），也可以用作测量金属薄层电阻、导电薄层电阻，具有测量精度高、范围广、稳定性好、结构紧凑、使用方便、价格低廉等特点。 仪器分为电气箱和测试架两大部分，电气箱由高灵敏度直流数字电压表，高稳定、高精度的恒流源和高性能的电源变换装置组成，测量结果由LED数字显示，零位稳定，输入阻抗极高。在片状材料测试时，具有系数修正功能，使用方便。测试架分为固定式和手持式两种，探头的探针具有宝石导向，测量精度高、游移率小、耐磨和使用寿命长等特点，而且探针压力可调，特别适合薄片材料的测量。二、主要技术指标1.测量范围：电阻率：10-3--103Ω㎝（可扩展到105Ω㎝），分别率10-4Ω㎝。方块电阻：10-2--104Ω/□（可扩展到106Ω/□），分辨率10-3Ω/□。薄层金属电阻：10-4--105Ω，分辨率10-4Ω。2.数字电压表：电压表量程为3档，分别是20mV档（分辨率10μV)；200mV档(分辨率100μV)；2V档（分辨率1mV)。电压表测量误差±0.3%读数±1字，输入阻抗大于109Ω。3.恒流源：恒流源由交流供电，输出直流电流0---100mA连续可调。恒流源量程为5档，分别是10μA、100μA、1mA、10mA、100mA；分辨率对应是10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA。电流误差±0.3%读数±2字。4.测试架：（可选件）测试架分为固定和手持两种，可测半导体材料尺寸为直径Φ15--Φ600㎜。测试探头探针间距S=1㎜，探针机械游移率±0.3%，探针压力可调。5.显示：3?位LED数字显示0-1999，能自动显示单位、小数点、极性、过载。6.电性能：电性能模拟考核误差﹤±0.3%，符合ASTM规定指标。7.电源：220V±10%，50Hz或60Hz,功耗﹤30W。8.电气箱外形尺寸：440×320×120㎜。 三、工作原理直流四探针法测试原理简介如下：（1）体电阻率测量： 如图：当1、2、3、4根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体试样上，在1、4两处探针间通过电流I，则2、3探针间产生电压差V。材料的电阻率ρ=（V/I）×C （Ω㎝） .......3-1式3-1中：C为探针系数，由探针几何位置决定，当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足半无限大条件时，C=2π÷{1/S1+1/S3-1/(S1+S2)-1/(S2+S3）}=2πFSP......3-2式3-2中：S1、S2、S3分别为探针1与2、2与3、3与4之间的距离。当S1=S2=S3=1mm时，则FSP=1，C=2π。若电流取I=C时，电阻率ρ=V,可由数字电压表直接读出。①、块状和棒状晶体电阻率测量：由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较，合乎半无限大的边界条件，电阻率值可以直接由公式3-1、3-2式求出。②、薄片电阻率测量：由于薄片样品厚度和探针的间距相比，不能忽略。测量时要提供样品的厚度、形状和测量位置的修正系数。电阻率值可由下面公式得出：ρ=V/I×2πS×FSP×G(W/S)×D(d/s)= ρ0×G(W/S)×D(d/s)...3-3式中：ρ0 为块形体电阻率，W为试片厚度，S为探针间距，G（W/S）为样品厚度修正函数，D(d/s)为样品形状和测量位置修正函数。③、方块电阻、薄层电阻测量：当半导体薄层尺寸满足半无限大平面条件时：R□=π/ln2×(V/I)=4.532(V/I) ........3-4若取I1=4.532I,则R□值可由电压表直接读出。注意：以上的测量都在标准温度(230 C)下进行，若在其他温度环境中测量，应乘以该材料的温度修正系数FT。FT=1-CT（T230） ..........3-5式中：CT为材料的温度系数。（请根据不同材料自行查找）（2）金属电阻测试：本仪器也可用作金属电阻的测量，采用四端子电流-电压降法，能方便的测量金属电阻R,测量范围从100μΩ---200K 四、仪器结构 本仪器为台式结构，分为电气箱和测试架两大部分。【1】电气箱为仪器主要电器部分，电气箱前面板如图4-1所示： 图中：1-电源开关 2-显示屏 3-电流量程开 4-电压量程开关 5-工作方式开关 6-测量选择开关 7-信号输入端口 8-调零电位器 9-电流调节电位器 10-电流开关 11-极性转换开关电气箱后面板如图4-2所示： 前面板功能说明：1-(POWER)-电源220V控制开关。2-LED显示屏：3 ?位LED数字显示（0-1999），自动显示小数点、单位和过载，测试方块电阻时，单位mΩcm当作mΩ/□，测量金属电阻时，单位mΩ㎝当作mΩ。3-(I RANGE)-电流量程开关5档（10μA/100μA/1mA/10mA/100mA)；4-(V RANGE)-电压量程开关3档（20mV/200mA/2V)；5-(FUNCTION)-工作方式开关5档，从左到右分别是“4.53”档为输入电压值×4.532，测量方块电阻用；“6.28”档为输入电压值×0.628，测量电阻率用；“I”档为输入电压×1，测量金属电阻用；“I ADJ”电流调节档，和电流调节电位器配合使用，用于调节输出电流；“CAL”自校档，自校值“199X”。6-(MEAS.SEL)-测量选择开关为两档开关，“SHORT”短路档、“MEAS”测量档。7-(INPOT)-信号输入端口为5芯端口，是电压降信号输入和恒流电流输出的端口。8-（ZERO ADJ)-调零电位器，当我们在测试时，如果样品接触良好，在不加电的情况下，数字电压表读数应归零，如有偏差时，可通过调零电位器调节归零。9-(I ADJ)-电流调节电位器，可连续调节电流输出值0---1000（满刻度），与工作方式开关“I ADJ”配合使用，也可作为修正系数输入用。10-（CURRENT)-电流开关为电流加电开关，按入时，电流输出；退出时，电流断开。11-（POLARITY)-极性转换开关，可改变电流输出的正负极性。【2】测试架：测试架分为固定和手持式两种，根据使用环境的不同可自行选择，固定式测试架适合高精度的测量，探头固定在专用的测试架上，在实验室条件下，进一步提高了测量精度（见图4-4）。手持式Z大的优点是携带方便、测量方便，可直接在生产现场使用（见图4-3）。手持式测试探头简图4-3所示： 图中：1-测试导线 2-手柄 3-压力调节环 4-测试支架 5-探头和探针固定式测试架简图（4-4）所示： 图(4-4)固定式测试架图中：1-支杆 2-支架块 3-滑块 4-滑块调节（上下） 5-探头支架 6-探头和探针 7-可移动平台（前后） 8-滑槽 9-底板 10-支架块固定杆 11-探头导线 五、使用和操作（一）、测试准备：1.将仪器和试样放置在温度230C±20C，湿度﹤65%的工作环境中。2. 测试架和电气箱用输入输出连线连接好，仪器接通电源，工作方式开关置于短路位置，电流开关退出，接通220V电源，仪器预热半小时。3.测试架调好位置，放上试样，使探头与试样良好接触。(二)、测试：1.将工作方式开关置于“I调节”，按入电流开关，并调节电流电位器，使数字显示为你需要的电流值。注意：测试块状、棒状晶体和薄层方块电阻试样时，请调节电流电位器到“1000”，当测量薄片电阻率时，请根据试样厚度，查表得到修正系数值（厚度修正系数表见说明书末页），调节电位器到修正值。例如硅片厚度0.23㎜，查表得到0.1659，调节电流电位器，使显示值为166。2.根据被测材料，选择电压和电流量程，使显示值达到我们需要的精度。3.测量选择开关置于“测量”位置，根据不同的试样，工作方式开关置于不同位置，①块状、棒状样品和薄片样品电阻率测试请把开关放到“6.28”档；②薄层电阻测试请放到“4.53”档；③金属电阻测试请放到“I”档。4.检查显示屏显示是否为000，可以通过调零电位器，调整零位，使显示值为“000”。5.现在按入电流开关，应有显示，可配合电压和电流量程开关再一次调整，使显示值为我们需要的精度值。然后极性开关反转，把两次显示值平均后的值，即是我们要测量的值。（三）、注意事项：1.以上电阻率测试是在环境温度23℃下的值，如测试时环境温度有变，请考虑温度修正（温度修正系数Ft请用户根据不同材料自行查找，见公式3-5），输入K值时，K=Ft×K(修正到23℃）。实际测量，在输入电流值时，请乘以Ft值为电流实际输入值。例如：块状样品测试，“I ADJ”输入值为1000，此时我们应输入1000×Ft,测得的电阻率值是23℃时的修正值。2.当工作方式开关置于“6.28”进行测量，测量显示值为电阻率；当开关置于“4.53”时，显示值应读为R/□；在“I”档测量金属电阻，显示值应读为电阻R。3.测试架上的探头为易损件，测量时请小心加压，测试完毕，请及时升起探头。 六、复校和维修1.本仪器有自校功能，仪器内部设有精密电阻，当工作在自校档，按入电流开关后，显示自校值199X±6个字。自校档可作为检查仪器精度使用，为保证仪器测试精度，请定期对仪器进行复校，尤其是仪器进过剧烈震动和环境温度突变后，发现超差请及时送修。2.测试探头为易损件，请定期按照国标JJG508-87中规定，对探头进行复校。如超差，应更换新的探头。3.本仪器也可按照国标或ASTM84-73规定的指标和实验方法进行复校。七、仪器包装及附件1.电气箱一台2.测试架一台（固定、手持可选）3.四探针探头一个（已安装在测试架上）4.使用说明书一份5.电源线一根6.合格证一张7.四端子测试线一根

高温四探针电阻率测试仪一.概述：采用四探针双电组合测量方法测试方阻和电阻率系统与高温箱结合配置高温四探针测试探针治具与PC软件对数据的处理和测量控制，解决半导体材料的电导率对温度变化测量要求，软件实时绘制出温度与电阻，电阻率，电导率数据的变化曲线图谱，及过程数据值的报表分析.二.适用行业：:用于：企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜等新材料方块电阻、电阻率和电导率数据.双电测四探针仪是运用直线四探针双位测量。设计参照单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。三.型号及参数：规格型号FT-351AFT-351BFT-351C1.方块电阻范围 10-5～2×105Ω/□10-6～2×105Ω/□10-4～1×107Ω/□2.电阻率范围10-6～2×106Ω-cm10-7～2×106Ω-cm10-5～2×108Ω-cm3.测试电流范围0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA10mA ---200pA4.电流精度±0.1%读数±0.1读数±2%5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤10%PC软件界面显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式双电测量8.四探针仪工作电源AC 220V±10%.50Hz 30W 9.误差≤3%（标准样片结果≤15%温度(选购) 常温 --400℃；600℃；800℃；1000℃；1200℃；1400℃；1600℃气氛保护（气体客户自备）常用气体如下：氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)，均为无色、无臭、气态的单原子分子温度精度冲温值：≤1-3℃；控温精度：±1°C升温速度：常温开始400℃--800℃需要15分钟；800℃-1200℃需要30分钟；1400℃-1600℃需要250分钟—300分钟高温材料采用复合陶瓷纤维材料，具有真空成型，高温不掉粉的特征PC软件 测试PC软件一套，USB通讯接口，软件界面同步显示、分析、保存和打印数据！ 电极材料 钨电极或钼电极 探针间距 直线型探针，探针中心间距：4mm；样品要求大于13mm直径标配外（选购）： 电脑和打印机1套；2.标准电阻1-5个 高温电源： 供电：400-1200℃ 电源220V，功率4KW；380V 1400℃-1600℃电源380V；功率9KW： 配套方案：解决各材料状态 --固态、液态、气态、颗粒状 电阻、电阻率、电导率测量

该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。

四探针电阻率测试仪FT-333普通四探针方阻电阻率测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

FT-340系列双电测电四探针方阻电阻率测试仪应用说明：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等，提供中文或英文两种语言操作界面选择，二．描述：采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响 规格型号FT-341FT-342FT-343FT-345FT-346FT-3471.方块电阻 10-5～2×105Ω/□10-4～2×105Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×104Ω /□10-2～2×105Ω/□10-2～2×104Ω/□2.电阻率 10-6～2×106Ω-cm10-5～2×106Ω-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×105Ω-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×106Ω-cm3.测试电流 0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA，10mA，100mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA0.1μA.μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA0.1μA、1μA、10μA，100μA，1mA，10mA，100mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA4.电流精度 ±0.1% ±0.2% ±0.2% ±0.3% ±0.3% ±0.3% 5.电阻精度 ≤0.3% ≤0.3% ≤0.3% ≤0.5% ≤0.5% ≤0.5% 6.显示读数屏液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式双电测量8.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗：30W 9.误差≤3%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台；5.标准电阻.111.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

四探针方阻电阻率测试仪,四探针电阻率/方阻测试仪四探针电阻率/方阻测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。四探针电阻率/方阻测试仪 规格型号FT-341FT-342FT-343FT-345FT-346FT-3471.方块电阻范围10-5～2×105Ω/□10-4～2×103Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×103Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×103Ω/□2.电阻率范围10-6～2×106Ω-cm10-5～2×104-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×104-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×106Ω-cm3.测试电流范围0.1μA,μA,0μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA,μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数大屏液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式双电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W 9.整机不确定性误差≤3%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 四探针电阻率/方阻测试仪四探针方阻电阻率测试仪,四探针电阻率/方阻测试仪

1.2.准备好被测物，链接好测试探头，把测试探头接口与主机接口相连接，并锁定，防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.1.3.接通电源，开启电源开关，待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后，如图3，按“显示”键进入，1.4.进入测试功能界面如图4、图5；如测试方阻时，请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”，则进入方阻测试界面；如测试其他材料时，请选择“材料”则进入材料电阻，电阻率，电导率测试仪界面。1.5.设置好被测物所需之参数，把被测物放于测试治具平台上操作，测试完毕直接显示测试数据。如配置软件，软件操作说明书同安装软件在一起，请注意查看操作步骤.以下分别讲解方阻和材料测试的设置四探针双电方阻测试步骤上述步骤中1项，使用前期准备把被测物测试所需要之参数数据设定：依据不同之测试样品，选择被测试电流，电流设置：按方向键移动光标至“电流”功能，按“设置”键进入；再按“左右”方向键选择电流数据，选择完毕后按“确定”键进行确认。按照以上步骤和方法选择电压、长度单位、探针形状设定、温度.探针间距数据的输入，探针间距出厂时已经标定，无需再次测量，探针头上有详细的探针数据资料，探针间距的设置：将光标移动至“探针间距”按“设置”键进入，通过面板上面的“数字”按键输入数据按“确定”键进行确认；按照以上方法和步骤设定”厚度“，注意厚度和探针间距修正系数表已经设置在仪器程序中，自动修正，无需再次输入和查询表格。2.3.测试探头和测试平台操作选配测试平台的将被测物放在测试平台上，调节探头探针与样品良好接触，探头有二种，一种是探针是弹簧针型，一种是硬针而探头内腔有弹簧；探头有方型和直线型两种结构；调节测试平台上的水平定位角，保证水平仪水准在中心位置；放置好被测物品，后压下探头至被测物，带数据稳定后读取方阻测试时，在测试时电流的选择也不同根据国标GB/T1552-1995和根据ASTM F374-84标准方法测量方块电阻所需要的电流值

导电材料电阻测试仪HRST-300C一、适用范围四端测试法是目前较先进之测试方法，主要针对高精度要求之产品测试；本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，HRST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求二、1. 便于查看的显示/直观的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示；操作易学，直观使用；2. 基本设置操作简单，方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果；多种参数同时显示。3. 精度高：电阻基本准确度： 0.05％；方阻基本准确度：3%；电阻率基本准确度：3%4. 整机测量最大相对误差：≤±3%；整机测量标准不确定度：≤±3%5. 四位半显示读数；八量程自动或手动测试；6. 测量范围宽： 电阻：10-4Ω～105Ω ；方阻：10-4Ω/□～105Ω/□；7. 正反向电流源修正测量电阻误差8. 恒流源：电流量程分为： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档；仪器配有恒流源开关可有效保护被测件，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触瞬间打火。为了提高工作效率，如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。9. 可配合多种探头进行测试；也可配合多种测试台进行测试。10. 校正功能：可手动或自动选择测试量程 全量程自动清零。11. 厚度可预设，自动修正样品的电阻率,无需查表即可计算出电阻率。12. 自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。13. 双电测测试模式，测量精度高、稳定性好.14. 具备温度补偿功能，修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。15. 比较器判断灯直接显示，勿需查看屏幕，作业效率得以提高。3档分选功能：超上限，合格，超下限，可对被测件进行HI/LOW判断，可直接在LCD使用标志显示；也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。16. 测试模式：可连接电脑测试、也可不连接电脑单机测试。17. 丰富的接口，Handler接口、RS232接口、USB HOST、USB DEVICE。实现远程控制。U盘可记录测试数据18. 软件功能（选配）：软件可记录、保存、各点的测试数据；可供用户对数据进行各种数据分析。标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。

绝缘直流电阻测试仪HRDZ---3801操作方式数字化，所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入，操作简便、性能稳定、寿命长，克服传统机械开关功能单一、故障率高、体积大等缺点。 2测试过程自动化，电压、电流量程转换，全部数字化电子开关，可手动/自动任选，避免传统机械开关操作繁琐，特别是不能自动化、人工数据后期处理的缺点。 3结果显示数字化、多样化，由数字表头直接显示，避免传统模拟表头读数误差。既可以显示体积电阻率、表面电阻测试结果，也可显示测试电压、测试电流测试条件，内容全面。 4测试安全保护，测试高压独立操作开关，测试电流过流保护，有效保护仪器和操作者误操作的安全。 5便于功能拓展，选配薄膜测试探头，可以测试高阻薄膜，选配夹具可以当高阻计和微电流表使用。也可测试高阻液态电阻率。绝缘直流电阻测试仪HRDZ---380符合标准：GB/T 1410-2006《 固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验方法》ASTM D257-99《绝缘材料的直流电阻或电导试验方法》GB/T 1410-2006 固体绝缘材料 体积电阻率和表面电阻率试验方法GB1672-8液体增塑剂体积电阻率的测定GB 12014 防静电工作服GB/T 20991-2007 个体防护装备 鞋的测试方法GB 4385-1995 防静电鞋、导电鞋技术要求GB 12158-2006 防止静电事故通用导则GB 4655-2003 橡胶工业静电安全规程GB/T 1692-2008 硫化橡胶绝缘电阻的测定GB/T 12703.6-2010 纺织品 静电性能的评定 第6部分 纤维泄漏电阻GB 13348-2009 液体石油产品静电安全规程GB/T 15738-2008 导电和抗静电纤维增强塑料电阻率试验方法GB/T 18044-2008 地毯 静电习性评价法 行走试验GB/T 18864-2002 硫化橡胶 工业用抗静电和导电产品 电阻极限范围GB/T 22042-2008 服装 防静电性能 表面电阻率试验方法GB/T 22043-2008 服装 防静电性能 通过材料的电阻(垂直电阻)试验方法GB/T 24249-2009 防静电洁净织物GB 26539-2011 防静电陶瓷砖 Antistatic ceramic tileGB/T 26825-2011 抗静电防腐胶GB 50515-2010 导(防)静电地面设计规范GB 50611-2010 电子工程防静电设计规范GJB 105-1998-Z 电子产品防静电放电控制手册GJB 3007A-2009 防静电工作区技术要求GJB 5104-2004 无线电引信风帽用防静电涂料及风帽静电性能通用要求 绝缘直流电阻测试仪HRDZ---380常规测量范围、分辨率（量程可向上或下扩展1～2个数量级） 电 阻： 1.0×103～ 2.0×1011 Ω, 分辨率0.01×103～ 0.01×1011 Ω 电 阻 率： Kv×( 1.0×103～ 2.0×1011) Ω-cm, 分辨率0.01×103～ 0.01×1011 Ω-m， K=1～1000，修正系数 方块电阻： K□× (1.0×104～ 2.0×1011) Ω/□, 分辨率0.01×103～ 0.01×1011 Ω/□， K□=34.5，修正系数绝缘直流电阻测试仪HRDZ---380绝缘测量参数 绝缘电阻 R，泄漏电流 I，表面电阻 Rs，体积电阻 Rv测试电压 1-1000v 1000个档位可以调测试范围 电阻5*102Ω~1*10 16Ω（超出显示电流最大换算可到20次方）， 电阻率最高可达到1022Ω.cm直流电阻测试仪HRDZ---380测试速度（MAX） 快速 5 次/秒，慢速 1 次/秒，回读电压精度 0.5%±1V测试特点：带设置记忆功能 开机一键测试出结果 不用从新设置量程超限显示 量程上超输入端子 香蕉插头，BNC 插头

操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。1.2.准备好被测物，链接好测试探头，把测试探头接口与主机接口相连接，并锁定，防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.1.3.接通电源，开启电源开关，待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后，如图3，按“显示”键进入，1.4.进入测试功能界面如图4、图5；如测试方阻时，请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”，则进入方阻测试界面；如测试其他材料时，请选择“材料”则进入材料电阻，电阻率，电导率测试仪界面。1.5.设置好被测物所需之参数，把被测物放于测试治具平台上操作，测试完毕直接显示测试数据。如配置软件，软件操作说明书同安装软件在一起，请注意查看操作步骤.以下分别讲解方阻和材料测试的设置四探针双电方阻测试步骤上述步骤中1项，使用前期准备把被测物测试所需要之参数数据设定：依据不同之测试样品，选择被测试电流，电流设置：按方向键移动光标至“电流”功能，按“设置”键进入；再按“左右”方向键选择电流数据，选择完毕后按“确定”键进行确认。按照以上步骤和方法选择电压、长度单位、探针形状设定、温度.探针间距数据的输入，探针间距出厂时已经标定，无需再次测量，探针头上有详细的探针数据资料，探针间距的设置：将光标移动至“探针间距”按“设置”键进入，通过面板上面的“数字”按键输入数据按“确定”键进行确认；按照以上方法和步骤设定”厚度“，注意厚度和探针间距修正系数表已经设置在仪器程序中，自动修正，无需再次输入和查询表格。2.3.测试探头和测试平台操作选配测试平台的将被测物放在测试平台上，调节探头探针与样品良好接触，探头有二种，一种是探针是弹簧针型，一种是硬针而探头内腔有弹簧；探头有方型和直线型两种结构；调节测试平台上的水平定位角，保证水平仪水准在中心位置；放置好被测物品，后压下探头至被测物，带数据稳定后读取方阻测试时，在测试时电流的选择也不同根据国标GB/T1552-1995和根据ASTM F374-84标准方法测量方块电阻所需要的电流值