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反应离子刻蚀机
仪器信息网反应离子刻蚀机专题为您提供2024年最新反应离子刻蚀机价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括反应离子刻蚀机参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的反应离子刻蚀机您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合反应离子刻蚀机相关的耗材配件、试剂标物,还有反应离子刻蚀机相关的最新资讯、资料,以及反应离子刻蚀机相关的解决方案。
反应离子刻蚀机相关的方案
上海伯东 IBE离子束刻蚀(离子铣)基本原理与应用介绍
在半导体制程工艺中,刻蚀(Etch)是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分,以化学反应或物理作用的形式加以去除,完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀(Wet Etching)和干刻蚀(Dry Etching)。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺,即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后,将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种:PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。
Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于氮化硅刻蚀工艺研究
重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用 hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE.针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损失的问题, 为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比, 采用 CF4, CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅, 通过调整气体流量比, 腔内压强及功率, 研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响.
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀衍射光学元件提高均匀度
衍射光学元件因其独特的光学性能在多个高技术领域中得到广泛应用。随着技术的发展,对衍射光学元件的制造工艺提出了更高的要求。Hakuto 10IBE 离子刻蚀机的应用,为实现高精度和高均匀性的光学元件制造提供了新的解决方案。
Hakuto IBE离子刻蚀机运用于 PDMS 软刻蚀用母模板研究
随着微纳制造技术的发展,软刻蚀技术因其在微流体、组织工程和生物医学等领域的广泛应用而受到重视。PDMS(聚二甲基硅氧烷)作为一种常用的软刻蚀材料,其母模板的制备质量直接影响到最终产品的性能。Hakuto 7.5IBE 离子刻蚀机以其高效、简便的操作特点,为软刻蚀母模板的制备提供了新的选择。西南某高校在 PDMS 软刻蚀用母模板研究中有采用到伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE .
伯东NS 10 IBE离子束刻蚀机用于物理量传感器(MEMS)加工
上海伯东某科研客户的研究方向是物理量传感器,用于监测土壤的力学结构变化,一般用于山体、岩石和冻土等环境研究。这种传感器通过镀膜、沉积、刻蚀等工艺多次循环来加工,Au 和 Pt 是传感器加工中常用的涂层,在完成镀膜(溅镀 Sputter 或者电子束蒸镀 E-beam)用传统的湿法刻蚀、ICP 刻蚀和 RIE 刻蚀等工艺无法有效的刻蚀出所需的图形。离子束刻蚀 IBE 作为最有效的刻蚀方案可以解决这个问题,刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料。
等离子体原子层刻蚀实现无损伤刻蚀
提供等离子体原子层刻蚀实现无损伤刻蚀。原子层蚀刻(ALE)是一种技术允许每次精确除去一个原子层,是使用常规刻蚀无法达到的控制水平。 牛津仪器的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性,可用于研究和开发,通过打造质量满足生产需求。
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 制作DNA芯片模板
本报告详细介绍了 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机在制作面阵石英 DNA 芯片模板中的应用。该设备配备 KRI 考夫曼公司的 KDC 160 离子源和 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700,确保了高真空度和刻蚀过程的高均匀性。Hakuto 10IBE 离子刻蚀机制作的芯片模板表面微结构形貌有利于 DNA 序列样本与芯片模板的吸附耦合,提高了实验效率和准确性。
上海伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷板 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀
深圳某电子公司采用Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 对陶瓷板的 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀, 高端印制电路板生产为主
上海伯东IBE离子束刻蚀用于铌酸锂LiNbO3薄膜刻蚀
随着基于铌酸锂LN的光源、光调制、光探测等重要器件的实现,铌酸锂LN光子集成芯片有望像硅基集成电路一样,成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台,在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。由于铌酸锂LN的特殊化学性能,IBE离子束刻蚀+EBL电子束曝光是最优的解决方案。
不同氩离子刻蚀模式对膜材料深度分析中元素化学态的影响
岛津AXIS Supra具备全自动传样系统,样品预抽时便可进行目标测试位置选择与深度剖析方法的提交。可配GCIS多模式离子枪,单氩离子模式用于金属类膜材料的深度剖析,低能团簇模式适用于常规有机物的刻蚀分析,20 kV最大团簇能量可以保证无机材料的有效分析。
QCM-D研究光刻蚀分解
光响应高分子(光刻胶)材料被广泛的应用于工业处理,如电子器件和刻蚀。他们对光敏感,并且大量使用在表面上。本文主要采用QCM-D技术对光响应高分子的性能进行了研究。
Hakuto 离子蚀刻机20IBE-J 用于陶瓷基片银薄膜减薄
某陶瓷基片制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄, 通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄, 并降低工差, 提高薄膜均匀性.
电解液中静电力分布的可视化阐明腐蚀和电池反应机理
利用电池、IC芯片、内存等材料和物质电势的系统支撑着我们的日常生活。扫描探针显微镜(SPM/AFM)中经常采用开尔文探针(KPFM)法测定试样表面的电势,但无法在发生电化学反应的电解液中使用。在此报道中,作者在静电力显微镜(EFM)的基础上建立了新的EFM-Phase-ZXY测量方法,,成功实现电解液中静电力分布的可视化。
无反应条件下氧煤燃烧室中颗粒流动的实验研究
采用LaVision公司的粒子成像测速系统(PIV)和粒子跟踪测速系统(PTV)对无反应条件下氧煤燃烧室中颗粒流动的速度场进行了实验测量研究。
使用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 在冷等离子体反应池模式下测量超纯水中的超痕量钾及其他元素
采用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 确认了水簇离子H3O(H2O)+ 的存在,其在冷等离子体条件下会在m/z 39 处产生 K 的背景信号。在 MS/MS 模式下,采用 NH3 作为反应池气体可成功除去该水簇离子。采用 8800 ICP-MS/MS 获得的 39K 的 BEC为使用常规四极杆 ICP-MS 获得值的 1/10。这一结果展示了 MS/MS 反应模式的优势,其能阻止所有非目标离子、等离子体衍生离子进入反应池,从而避免在反应池中产生可能造成干扰的产物离子。因此,Agilent 8800 ICP-MS/MS 能够使 UPW 中 K 的 BEC 低至 30 ppq,所有其他元素(包括Ca、Fe 和 Ni)的 BEC 150 ppq。
使用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 在冷等离子体反应池模式下测量超纯水中的超痕量钾及其他元素
采用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 确认了水簇离子H3O(H2O)+的存在,其在冷等离子体条件下会在m/z 39 处产生 K 的背景信号。在 MS/MS 模式下,采用 NH3作为反应池气体可成功除去该水簇离子。采用 8800 ICP-MS/MS 获得的39K 的 BEC 为使用常规四极杆 ICP-MS 获得值的 1/10。这一结果展示了 MS/MS 反应模式的优势,其能阻止所有非目标离子、等离子体衍生离子进入反应池,从而避免在反应池中产生可能造成干扰的产物离子。因此,Agilent 8800 ICP-MS/MS 能够使 UPW 中 K 的 BEC 低至 30 ppq,所有其他元素(包括Ca、Fe 和 Ni)的 BEC 150 ppq。
使用单颗粒ICP-MS在反应模式下分析SiO2纳米颗粒
使用ICP-MS测量硅(Si)富有挑战性。等离子体中形成的14N2+和12C16O+ 多原子离子,与丰度最高的Si同位素(28Si 92 %丰度)的m/z相同。因此,当多原子离子未被去除时(标准模式下),m/z 28处的背景等效浓度非常高。它抑制了低水平Si的测定,让SiO2纳米颗粒的检测变得更加困难。此外,Si的电离势相对较高,其电离也更具挑战性,导致其强度低于其它易电离的元素,如Na。然而,如果能提高信背比(S/B),就有可能检测到更小的SiO2纳米颗粒。在之前的应用报告中,2我们介绍过100 nm SiO2纳米颗粒标准品可以使用SP-ICP-MS进行分析,且无需去除干扰(标准模式下)。然而,如果能在反应模式下去除干扰,预期能精准测量更小的SiO2纳米颗粒。本工作将讨论在反应模式下,通过SP-ICP-MS检测、测量和表征SiO2纳米颗粒的能力。
蚀刻剂中氯化亚铁含量的测定 应用资料
蚀刻剂中氯化亚铁含量的测定 应用资料(英文版)当蚀刻剂样品不含氯离子时,向样品中加入硫酸后,通过用0.01mol/L高锰酸钾溶液滴定来测量氯化亚铁浓度。在本应用中,由于样品含有氯离子,在滴定前加入硫酸锰以避免干扰反应。如果样品含有过多的氯离子,通过真空蒸发浓缩除去大部分氯化氢。
可睦电子(KEM):全自动滴定仪测定蚀刻剂中的铜离子含量
全自动滴定仪测定蚀刻剂中的铜离子含量使用日本京都电子公司(KEM)-自动电位滴定仪(AT-510),测定蚀刻剂中铜离子含量的应用资料。
【康宁案例】硝化、加氢、重氮化、水解多步反应连续合成
康宁反应器既耐压又透明、可视的玻璃模块极大地提升了连续流工艺开发和优化的效率。康宁反应器模块化设计,可快速、灵活地组装成满足数千种不同化学反应需求的反应器。
全自动滴定仪测定蚀刻剂中的铜离子含量
全自动滴定仪测定蚀刻剂中的铜离子含量使用日本京都电子公司(KEM)-自动电位滴定仪(AT-510),测定蚀刻剂中铜离子含量的应用资料。
离子色谱法测定浓硝酸中的痕量阴离子
无机阴离子的含量是浓硝酸试剂品质的一个重要指标。如在半导体加工工业中,硝酸常被当作刻蚀剂用来刻蚀晶圆,试剂中混杂的痕量氯离子会严重影响半导体器件的质量。因此,对于不同级别的浓硝酸试剂,对其无机离子尤其是氯离子、硫酸盐等有着严格的限量要求。国标对工业硝酸要求硫酸盐含量小于0.08%[1],68%硝酸(优级纯)要求硫酸盐含量0.0001%、氯离子0.00005%。
应用MALDI-8030负离子模式对mRNA酶法加帽反应产物进行定性分析
本文使用岛津双极性台式基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱MALDI-8030对酶法加帽反应后mRNA加帽产物进行质谱分析,4个mRNA样品均成功检出目标离子峰,并根据分子量推断出mRNA的加帽类型,与理论相符。分析过程具有前处理流程简单、分析成本低、结果准确可靠的特点。
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于制作闪耀罗兰光栅
长春某研究所在制作闪耀罗兰光栅的研究中采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE,制造出的闪耀罗兰光栅比其他工艺制造的光栅产品整体衍射效率高25%, 实现高衍射效率闪耀罗兰光栅制作, 且工艺可控、稳定, 所制作的闪耀罗兰光栅衍射效率高于市场同类产品.
赛默飞离子色谱在浓氢氟酸中的阴离子应用
半导体行业硅片制造中经常使用氢氟酸刻蚀,这一行业对氢氟酸等高纯试剂中的阴离子含量有严格的要求,多为几个mg/L。本方法先用IonPac ICE-AS离子排斥柱将痕量阴离子与大量氢氟酸分离,再用浓缩富集柱将痕量阴离子富集,最后采用阴离子分离柱分离测定阴离子。
等离子技术在蚀刻领域的应用
等离子技术蚀刻的应用范围-任何需要进行精确且高效修改的材料表面。 -用于蚀刻塑料、 半导体、玻璃
iMScopeTM QT对豆科植物种子萌发过程中谷氨酸脱羧酶活性定位的可视化
检测体内酶促反应时,通常使基质和酶先发生反应,然后使反应产物进一步发生显色反应,并测量吸光度等。在传统方法中,需要基质和酶先进行一次反应,然后通过二次反应显色。在新方法中,通过在组织表面进行检测,可以实现酶活性的可视化。本报告介绍了能够进行高空间分辨率质谱成像的iMScope QT在酶组织化学中的应用1)。
利用动态反应池电感耦合等离子体质谱仪分析硝酸中不纯物
结果表明ELAN DRC II ICP-MS非常适合于硝酸中超痕量杂质(ng/L水平)的常规定量分析,通过计算机队标准模式及反应模式的切换,在热等离子条件下对被分析物实现无干扰分析成为可能,且每个样品测量所需的时间少于4min。
解决方案|离子色谱法测定蚀刻液中的氯离子、硝酸根离子和硫酸根离子
目前,测定溶液中的离子常用的方法为离子色谱法,本文作者根据以往经验通过对样品前处理及实验条件的摸索,建立了离子色谱法测定蚀刻液中氯离子、硝酸根离子和硫酸根离子方法,供相关人员参考。
在反应流中产生的纳米颗粒表征
用LaVision的图像增强器IRO,Imager Intense 相机和染料激光器构成了一套OH PLIF 自由基测量系统。对在反应流中产生的纳米颗粒特性进行了表征。
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