英寸标准

仪器简介：HACH公司的GLI 3/4英寸复合pH/ORP电极具有多种材质和安装方式，可应用于各种需要测量PH、ORP的环境；尤其适用在市政污水、工业废水等需要频繁更换传感器的恶劣环境中通用型传感器通用型传感器本体采用Ryton材质，其两端都带3/4英寸NPT螺纹。该传感器可以直接安装在一个标准3/4英寸的三通管内作为流通式安装或者固定在一根管子的末端作为浸没式安装。三通/浸没式安装组件有多种材质以满足各种不同的应用场合。插入式传感器插入式传感器有一个尺寸较长，无螺纹的PVDF材料本体，带两个Viton密封圈，在与哈希插入式安装组件一起使用时起密封作用。电极插入和抽出管道或容器无需切断中断过程液流。卫生型传感器卫生型PH传感器具有一个带316不锈钢衬管的PVDF本体及一个2-英寸法兰。该传感器与一个标准2-英寸的三夹头管件相匹配。供选择的哈希卫生型安装组件包括一个标准2-英寸卫生型三通，卫生型夹紧装置，以及Viton○R卫生型垫圈。技术参数：接液材料：通用型：Ryton本体（内为玻璃）插 入 式：PVDF本体（Kynar）卫 生 型：316不锈钢衬管PVDF本体主要特点：● 与大多数PH和ORP分析仪兼容● 自动进行温度补偿● 传感器有坚固的圆电极、易于清洗的平板电极以及耐HF（氢氟酸）的电极。● 专为特殊的应用而设计● 参比电极的双盐桥设计延长了传感器的使用寿命，另外，电极有一个内置接地点● 传感器本体是抗化学腐蚀的Ryton或PVDF材质

Optic 4多模式进样口与1/4英寸标准热脱附仪Optic多功能进样口可以极大的增强你的GC系统功能 Optic多模式进样口目前已经发展到了第四代OPTIC 4， Canotta Memphis Grizzlies Optic具有卓越的温度控制、气体流量控制能力， Nike Air Max 1 m?skieAdidas Nmd Uomo是世界上最强大的气相色谱PTV进样口， NIKE AIR MAX ZERO QS Air Jordan 7 可以实现以下功能:冷/热 分流不分流进样大体积进样LVIOn-Column进样衬管内衍生化热脱附热裂解通辅助气， Air Jordan 9 Retro 作为脉冲微反自动换衬管复杂基质直接进样DMILC-GC串联专利的设计技术(* U.S.Patent No.8,180,203)保证了可以有效的样品从进样口转移到色谱柱， New Balance Ni?o 该技术对于易挥发性物质和难挥发性物质都同样有效。 Nike Internationalist air max noirNike Air Max 90 MenNIKE FLYKNIT LUNAR3Nike Air Max 2017 Dames roze Nike Air Max Optic能以60°C/sec的速率在-180°C到600°C之间进行多达9阶快速的升温、降温，独特的负升温模式衍生出了各种特殊的应用。 adidas yeezy boost 350 v2 hombre Nike Mercurial homme Under Armour Scorpione KOBE 11 Duke Blue Devils nike goedkoopNike Air Max 90 Women快速大体积进样(Rapid Large Volume) 通过Optic的快速大体积进样RLVI技术 即使手动进样或者使用进样速度不可控制的自动进样器进样， Nike Air Max 2017 Heren zwart 也可为GC系统进样100uL，样品被注入填充了填料的衬管里， asics running pas cher Oklahoma State Cowboys and Cowgirls Jerseys 溶剂将被快速的从分流口挥发掉，Womens Nike Air Max 2017整个挥发过程又分流口内整合的TCD溶剂监测感应器进行监测， Scarpe Nike Italia 无需用户干预， New Balance 1500 hombre 溶剂排空后关闭分流口， air max 2017 dames 升温将样品转移到色谱柱， Iowa Hawkeyes Jerseys Vêtements Nike Pas Cher 完成了大体积进样过程。 West Virginia Mountaineers adidas neo uomoNIKE AIR MAX TAILWIND 8Fjallraven Kanken 20L Julio Jones Alabama Football Jerseys Canotte Portland Blazers RLVI进样技术在大大简化样品的前处理过程的同时显著提高了检测限， nike free run 4.0 homme 可以与在线SPE系统很好的串联，Nike Air Max 90 Blu Uomo提高实验室的样品通量和自动化程度。 Air Jordan 11 Retro Toronto Raptors nike air max 2016 goedkoop New Balance Dames asics gel nimbus 14 mujer new balance uomo 2015 Nike Air Foamposite One Optic可使用的大体积进样模式多次进样一次进样控速进样更多的Optic LVI进样技术可参考LVI参考手册 自动换衬管(LINEX) 同过采用附加模块LINEX， asics gel quantum 360 uomo 并配合CTC PAL自动进样器，Optic可以实现自动更换衬管， asics gel lyte 3 mujer negras 可选配多达98位的衬管托盘， adidas superstar rose gold femme 通过软件控制在哪个样品之前或之后自动更换衬管， Nike Air Max Baratas 可解决进样口内样品的交叉污染问题。 Nike Free 2.0 Hombre Womens Nike Roshe One Boise State Broncos Jerseys nike air max 2016 wit Mens Air Jordan 9 albion silver AIR PEGASUS 92-16 进样口直接热解析DTD(Direct thermal desorption DTD) Optic支持样品在衬管内直接热解析， Asics Gel Lyte 5 m?skie New Balance 998 hombre Hogan Outlet Sito Ufficiale 固体样品直接放置于衬管内， Authentic UGA Jersey 气体样品可用填充了 Tenax等材料的衬管进行捕集， scarpe nike uomo in offerta 样品准备好之后放入Optic， Fjallraven Kanken LargeSouth Carolina Gamecocks Optic先用载气对样品进行吹扫，然后关闭载气迅速升温进行热解析， Asics Gel Nimbus 18 Dames 解析温度高可达600℃， Charlotte Bobcats 因为升温速率快(60℃/sec)并且解析出的物质可被高效的直接转移到色谱柱， Air Zoom Pegasus 32Nike Air Force 1 Haut所以无需额外的冷聚焦装置，目前在全世界的制造厂家中只有Ｏ ptic能够实现实现一级热脱附或直接热脱附。 Russell Wilson College JerseysAdidas Zx 500 DonnaNike Air Max 1ADIDAS Crazylight Boost 2016 LowVanderbilt CommodoresAIR MAX THEA可配合LINEX实现DTD的完全自动化. Indiana Pacers new balance 999 femme foot locker Air Jordan 1 (I) nike sklep Drew Brees – Purdue BoilermakersAdidas Nmd Donna Rosanike air max 2016 heren 复杂基质直接进样DMI(Difficult Matrix Introduction DMI) DMI是一种全新的样品前处理技术， Air Jordan Retro 2 高沸点的基质如糖、脂肪、腐殖酸在进样口很难气化， adidas chaussures homme 可以将这类样品无须任何迁出放入DMI微型样品杯中，再将样品杯放入Optic衬管内， air max 90 pas cher 通过控制进样口的温度实现待测物的直接分析。 New Balance 997 mujer Air Griffey Max AIR MAX LD-ZERO nike bianche alte zalando nike roshe two hombre kanken fjallraven soldes 由于DMI的样品杯是一次性的，没一个样品都会自动更换新的样品杯，DMI可以避免衬管被基质污染。

PVD 产品公司生产各种高压和特高压磁控溅射靶枪，适用于各种靶材尺寸。泰坦磁控溅射源的直径范围从 1 英寸到 6 英寸不等。这些光源可以在磁铁就位的情况下烘烤到 200°C。我们靶枪的磁控管磁场设计可提供出色的薄膜均匀性和靶材利用率。这些靶枪基于模块化磁阵列，允许用户在几分钟内从平衡溅射模式切换到不平衡溅射模式。我们所有的磁控管都使用与水隔离且易于现场更换的钕铁硼磁体。钎焊组件将磁体与水隔离，因此没有水真空界面，从而消除了泄漏的可能性。工作范围为0.5 mTorr至1 Torr以上。它们标配直径为 0.75 英寸的 SS 轴，也可以完全兼容 UHV。提供多种源选项，例如定制安装法兰、带或不带计算机控制的手动倾斜或原位倾斜组件、百叶窗、烟囱、气体注入环等。目标不需要背板。我们还可以提供面对靶材溅射的来源。我们还提供全系列的电源。这些源可以运行射频、直流或脉冲直流模式，并可根据需要提供 N、HN 或 UHF 型连接。技术参数：我们提供多种口径的圆形平面靶枪,尺寸1", 2" and 3". 以及矩形靶枪安装法兰口径：NW63CF，NW100CF真空腔体内长度范围：150-400mm真空腔体内端面直径：60-96靶材直径： 1", 2" and 3"靶材最大厚度：4-6mm冷却：水冷特点：100%超高真空（UHV）应用独有的放射性沉积模式在线Z轴驱动及倾斜水冷时不会存在水汽平衡靶和非平衡靶设计高强度磁体应用于磁性材料应用领域：PVD沉积金属涂层纳米结构薄膜多层镀层反应溅射射频溅射，直流溅射，脉冲直流溅射硬质涂层

特性– 半自动划片机/切片机 （8英寸，12英寸）– 最大 16 英寸– 重复精度（Y 轴） ： 0.001– 可选 3 英寸刀片、BBD（刀片断裂检测仪）、NCS（非接触式传感器）– 真空卡盘：6~12英寸性能– 多工件（切割） 功能– 1.2kw ~ 1.8kw， 2.4kw 空气主轴– 最大主轴转速 ： 60,000rpm– 刀片尺寸 ： 62（适用于 2“ 刀片）– 旋转角度 ： DD 伺服马达 380（连续/逆时针）– 切割速度 ： 0.05 ~ 650毫米/秒 可切割材料：硅晶圆，PCB，QFN，PBGA，陶瓷，石英，LED，移动式蓝色玻璃滤光片、碳化硅等技术参数：型号SD220SD240工件尺寸8英寸（200毫米）12英寸（300毫米）X切割范围220毫米330毫米最大速度0.1 ~ 500 或 1，000 毫米/秒0.1 ~ 500 或 1，000 毫米/秒Y切割范围220毫米330毫米最大速度0.1 ~ 250 毫米/秒0.1 ~ 250 毫米/秒索引步长0.00010.0001定位精度0.002/2200.002/330Z最大行程60/米60/米最大速度0.1 ~ 80 毫米/秒0.1 ~ 80 毫米/秒移动分辨率0.00010.0001重复性精度0.0010.001Θ最大旋转角度380 度380 度纺锤刀片直径2英寸（58毫米）输出1.2千瓦 / 1.8千瓦 / 2.4千瓦最大旋转最大 60，000 rpm杂项电力供应AC220V， 三相， 50~60Hz功耗4.0 千伏（最大）气压0.55 ~ 0.7 兆帕平均耗气量105 升/分（0.5兆帕）平均清洁空气消耗量75 升/分钟降低水压0.3 ~ 0.5 兆帕水压流量切割水 ： 6.0 LPM其他 ： 0.6 LPM冷却水压力0.3 ~ 0.5 兆帕冷却水流量2.0 升/分钟排气高达 5.5 立方米/分钟可选项目NCS（非接触式传感器）BBD（刀片断裂检测仪）3英寸刀片使用尺寸（宽 x 深 x 高）980 x 840 x 1835 毫米1030 x 880 x 1835 毫米重量875公斤895公斤

Lake Shore 的FWPX探针台专为需要大尺寸晶圆探测的研究人员设计，它可以容纳直径高达102 mm（4英寸）的晶圆片，并可定制容纳更大尺寸至152 mm（6英寸）的晶圆。这款通用的探针台主要是为研究者和工程师们做大样品的材料特性表征而设计，同样可以有效的测量有机材料。 FWPX探针台采用了连续流制冷系统，使用液氦或液氮来冷却晶圆片或样品。它的标准工作范围为4.5K~475K，使用低温选件可将基础低温扩展至3.5K。 FWPX探针台可进行I-V，C-V 和微波等标准测量。 FWPX探针台最多同时安装6个带有热沉的微型操纵探针臂，经过优化设计后可用于电光测试。 主要特征： √ 温度范围4.5 K~475 K √ 可选低温3.5 K √ 样品快速测量 √ 标准4英寸（102 mm）样品，6英寸（152 mm）可定制 √ 样品可面内±5°旋转 √ 样品振动＜30 nm 设备参数： 温度范围 最多安装6个探针臂 基础温度4.5 K，控制范围5 K ~ 475 K 安装PS-LT低温选件 基础温度3.5 K，控制范围4 K ~ 475 K 温度稳定性 液氦 液氮 基础温度 (无加热控制) ±20 mK ±20 mK 10 K ±50 mK — 10 K ~ 100 K ±20 mK ±50 mK 101 K ~ 250 K ±20 mK ±50 mK 251 K ~ 350 K ±20 mK ±100 mK 351 K ~ 675 K ±50 mK ±100 mK 真空 以TPS-FRG分子泵组为标准 抽真空时间 30 min (1 × 10-3 Torr) 室温下 5 × 10-4 Torr 基础温度下 1 × 10-5 Torr 最高温度下 5 × 10-3 Torr 循环时间 总循环 3.5 h 抽真空 0.5 h 探针台冷却 1.5 h 探针台升温 1.5 h 样品 最大尺寸 102 mm(4英寸)标准 样品背光接口 不可选 样品旋转 ±5°面内旋转 样品平移 在x轴和y轴上平移，用于整个102 mm的晶圆片探测 样品振动 ＜30 nm标准 探针配置 最大探针数 6 探针臂温度计 用于监视探针臂的温度 冷却探针支架 ＜30 K(样品在基础温度下) 探针支架 连接样品台热沉 探针臂支架 连接防辐射屏热沉 DC/RF探针 电绝缘100GΩ用于低漏电流测量 微波探针 频率范围从DC到67GHz 光纤探针 可用于电光测量 落针范围 所有探针均可在直径为51毫米（2 英寸）的圆内落针

特性–双刀片半自动划片机/切片机（12英寸，16英寸）– 最大 16 英寸 （300mm x 300mm）– 双面主轴 – UPH 增加（ x 1.95）– 可选项 ： 3 英寸刀片， BBD（刀片断裂检测仪）、NCS（非接触式传感器）– 真空卡盘：300mm x 300mm 方形性能– 多工件（切割）功能– 2.4kw 空气主轴 x 2 套，面向双主轴– 最大主轴转速 ： 60，000rpm– 刀片尺寸 ： 62（适用于 2“ 刀片）– 旋转角度 ： DD 伺服马达 380（CW/CCW）– 切割速度 ： 0.05 ~ 650毫米/秒可切割材料 ：晶圆、大型半封装、大尺寸PCB等技术参数：型号SD440SD450环形框架尺寸12寸16英寸（300毫米x 300米见方）工作尺寸320方形 300 毫米 x 300 毫米X 轴切割范围330毫米350毫米切割速度0.05~650毫米/秒0.05~650毫米/秒Y1/Y2 轴切割范围320毫米350毫米最大索引步长0.001毫米0.001毫米索引定位步骤0.001/320毫米0.001/350毫米Z1-Z2 轴最大行程40（适用于2“刀片）40（适用于2“刀片）移动分辨率0.001毫米0.001毫米重复性精度0.001毫米/5毫米0.001毫米/5毫米T 轴最大旋转角度DD 伺服 380（连续/变速）DD 伺服 380（连续/变速）刀片最大口径76.2毫米76.2毫米纺锤功率输出1.2~2.4KW1.2~2.4KW速度范围6000~60000转/分6000~60000转/分使用电压三相，220V （50~60Hz）三相，220V （50~60Hz）气压0.5~0.6 MPA0.5~0.6 MPA切割流量（分钟）1.0~10.01.0~10.0切割流量（分钟）3.03.0

特性– 全自动划片机/切片机（6-8英寸，12英寸）– 最大 12 英寸硅晶圆– 重复精度（Y 轴） ： 0.001– 双面主轴， 产量增加（ x 1.95）– 选项 ： 3 英寸刀片， BBD（刀片断裂检测仪）、NCS（非接触式传感器）– 真空吸盘：6~12英寸性能– 多工件（切割）功能– 1.2kw ~ 1.8kw， 2.4kw 空气主轴 x 2 套，面向双主轴– 最大主轴转数 ： 60000rpm– 刀片尺寸 ： 62（适用于 2“ 刀片）– 旋转角度 ： DD 伺服 380（连续/逆时针）– 切割速度 ： 0.05 ~ 650毫米/秒可切割材料：硅晶圆、QFN、陶瓷、印刷电路板、石英、LED、移动式蓝色滤光片、碳化硅等技术指标：型SD620SD640环形框架尺寸6~8寸12寸工作尺寸200300X 轴切割范围250毫米320毫米切割速度0.05~650毫米/秒0.05~650毫米/秒Y1/Y2 轴切割范围250毫米320毫米索引步长0.001毫米0.001毫米索引定步长0.001/250毫米0.001/320毫米Z1-Z2 轴最大行程40（适用于2“刀片）40（适用于2“刀片）移动分辨率0.001毫米0.001毫米重复性精度0.001毫米/5毫米0.001毫米/5毫米T 轴最大旋转角度DD 伺服 380（连续/变速）DD 伺服 380（连续/变速）刀片最大口径76.2毫米76.2毫米纺锤功率输出1.2~2.4KW1.2~2.4KW速度范围6000~60000转/分6000~60000转/分使用电压三相，220V （50~60Hz）三相，220V （50~60Hz）气压0.5~0.6MPA0.5~0.6切割流量（分钟）1.0~12.01.0~12.0切割流量（分钟）3.03.0

1. 产品概述FLOURIS 201系列 8英寸立式炉，高精度温度场控制技术，可实现 1200℃ 内氧化退火工艺。2. 设备用途/原理FLOURIS 201系列 8英寸立式炉，高精度温度场控制技术，可实现 1200℃ 内氧化退火工艺，先进的颗粒控制技术，优良的膜厚均匀性控制技术，图形化操作界面和群组管理系统。3. 设备特点晶圆尺寸 8 英寸，适用材料 硅、碳化硅。适用工艺 高温氧化、退火、常压合金、Polyimide 固化。适用域 科研、化合物半导体、集成电路。

1. 产品概述Saqua SC3080A系列 12英寸单片清洗设备。2. 设备用途/原理Saqua SC3080A系列 12英寸单片清洗设备，精密的腔室微环境控制能力，支持多种化学品，高效的化学品回收效率，4 腔或 8 腔可选。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料 单晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、介质膜、金属膜。适用工艺 后段 Cu/Al 制程刻蚀后清洗、Al Pad 清洗、背面清洗、背面刻蚀， 后段控挡片回收。适用域 新兴应用、集成电路、先进封装。

1. 产品概述WE3102系列 12英寸槽式清洗设备，可配备 i-Clean 多药液工艺槽，支持 DN unit, DIO3 等附属功能。2. 设备用途/原理WE3102系列 12英寸槽式清洗设备，可配备 i-Clean 多药液工艺槽，支持 DN unit, DIO3 等附属功能。软件量身定制，具备快速更新能力，较高的温度控制稳定性，超高的补水精度，精准的蚀刻速率控制，优秀的干燥效果。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料 光阻、单晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、金属膜、金属氧化物。适用工艺 炉清洗、刻蚀 / 抛光后清洗、光阻去除、金属氧化物去除、氮化物去除、控挡片回收。适用域 新兴应用、集成电路。

本系列其它产品型号 共10条 名称货号货期 描述准直非球面 高阻硅TPX透镜 (总长29.2mm 焦距42mm)无货号无准直TPX透镜材料TPX（聚甲基戊烯）； 折射率n：1.45@1 THz；吸收系数α：0.3 cm^-1； 直径：25.4 mm；厚度：10.3mm；设计焦距：42mm； 后焦距：35mm(从平面)；准直太赫兹光束光束直径：22.4 mm； 透镜管外径：30.5 mm；总长：29.2 mm；2英寸 太赫兹非球面TPX透镜 安装式 (管长25.4mm 焦距35.0mm)TPX-D50-f35-t25.4G80010055直径：50.0 mm；焦距：35.0 mm；自由孔径：47.0 mm；折射率：1.45 @ 1 THz ；NA：0.54；中心透镜厚度：18 mm；边缘厚度：3.0 mm；管直径：55.9 mm；管长：25.4 mm2英寸 太赫兹非球面TPX透镜 安装式 (管长12.7 mm 焦距35.0mm)TPX-D50-f35-t12.7G80010056直径：50.0 mm；焦距：35.0 mm；自由孔径：47.0 mm；折射率：1.45 @ 1 THz ；NA：0.54；中心透镜厚度：18 mm；边缘厚度：3.0 mm；管直径：55.9 mm；管长：12.7 mm用于光纤耦合光电导天线(PCA)安装式准直TPX透镜 直径25.4mmCTLF-D25mmG80010059折射率 n ：1.45@1 THz；吸收系数 .α：0.3厘米-1；直径：25.4毫米；厚度：10.3毫米；设计焦距：42毫米；后焦距：30毫米（从平面）；准直太赫兹光束直径：22.4 mm；透镜管外径：30.5毫米；透镜管总长：54.6毫米太赫兹平凸非球面TPX透镜 安装式 管长25.4mm (专用于空间高分辨率应用)TPX-D25.4-f10-t25.4G80010057镜片直径：25.4mm；焦距：10 mm；通光孔径： 20 mm； F* number： 0.5；折射率： 1.45 at 1 THz；数值孔径 NA： 0.64；镜片中心厚度： 11.2 mm；安装管长：25.4mm；管外径：30.5 mm太赫兹平凸非球面TPX透镜 安装式 管长12.7mm (专用于空间高分辨率应用)TPX-D25.4-f10-t12.7G80010058镜片直径：25.4mm；焦距：10 mm；通光孔径： 20 mm； F* number： 0.5；折射率： 1.45 at 1 THz；数值孔径 NA： 0.64；镜片中心厚度： 11.2 mm；安装管长：12.7mm；管外径：30.5 mm2英寸 太赫兹非球面TPX透镜 焦距35.0mmTPX-D50-f35-0G80010039直径：50.0 mm；焦距：35.0 mm；自由孔径：47.0 mm；折射率：1.45 @ 1 THz ；NA：0.54；中心透镜厚度：18 mm；边缘厚度：3.0 mm；太赫兹平凸非球面TPX透镜 (专用于空间高分辨率应用)TPX-D25.4-f10-0G80010040直径：25.4mm；焦距：10 mm；通光孔径： 20 mm； F* number： 0.5；折射率： 1.45 at 1 THz；数值孔径 NA： 0.64；中心厚度： 11.2 mm；太赫兹PCA专用 聚焦平凸TPX透镜 尺寸25.4x8FTL-f32.5mmG80010041折射率n： 1.45@1 THz；吸收系数.α：0.3厘米-1；直径：25.4毫米；厚度：8.0毫米； 后焦距：32.5毫米；孔径角α： 17.6°；透镜管： 外径30.5毫米 总长16.5毫米太赫兹PCA专用 准直非球面平凸TPX透镜 (25.4mm)CTL-D25mmG80010045折射率 n ：1.45@1 THz；吸收系数 .α：0.3厘米-1；直径：25.4毫米；厚度：10.3毫米；设计焦距：42毫米；后焦距：35毫米（从平面）；准直太赫兹光束直径：22.4 mm；透镜管外径：30.5毫米；透镜管总长：29.2毫米总览德国BATOP公司供应TPX和硅两种材质的太赫兹透镜，尺寸一般为1英寸或2英寸，包括超半球形和椭圆形硅质太赫兹透镜，以及具有不同直径和焦距的非球面TPX太赫兹透镜。BATOP的TPX透镜可用于太赫兹波段中发射器和探测器之间的太赫兹光束引导，还有专用于PCA(光电导天线)应用的TPX太赫兹透镜，能够实现太赫兹光束的准直和聚焦。 在代理Tydex太赫兹透镜和BATOP公司TPX透镜的基础上，筱晓上海光子也提供自主开发的太赫兹透镜和窗镜，包括太赫兹透镜和石英透镜，尺寸可以为1英寸至4英寸，为用户提供更大的定制自由度。BATOP 太赫兹 非球面平凸TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm),BATOP 太赫兹 非球面平凸TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm)通用参数PCA(光电导天线)专用TPX透镜特点：使用高透过率TPX（聚甲基戊烯）透镜，可以对太赫兹光束进行整形。搭配一个TPX透镜可以准直来自超半球形基板透镜的发散太赫兹光束。搭配两个TPX透镜，可以实现清晰的THz聚焦。1英寸直径的TPX透镜可被容易地安装到具有超半球形硅透镜的PCA光导天线上。 PCA(光电导天线)专用TPX透镜规格参数PCA专用TPX透镜分为3个型号，其通用参数一致 CTL-D25mm - 已安装的准直非球面TPX透镜，直径25.4 mm以上.. CTLF-D25mm -高阻硅透镜用于光纤耦合PCA的安装准直非球面TPX透镜，直径25.4 mm以上..用于PCA的安装准直TPX透镜，直径25 mm产品描述：CTL-25mm 是光电导天线 (PCA) 的附件，安装在直径为 25.4 mm 的铝制散热器上，并配有 BATOP 的超半球形硅衬底透镜。这种天线的发散太赫兹光束Shou先被超半球形硅透镜轻微收集。第二步，太赫兹光束被一个直径为 1 英寸的 TPX（聚甲基戊烯）透镜准直，该透镜在可见光谱区也是透明的。经过准直的太赫兹光束从 CTL-D25mm 射出时的直径为 22 毫米。同样的配置可用于测量准直太赫兹光束。可在优秀个 TPX 镜头前再安装一个聚焦 TPX 镜头，以获得焦距为 30 毫米的聚焦太赫兹光束。 准直TPX透镜材料TPX (Polymethylpentene)折射率 n1.45@1 THz吸收系数 α0.3 cm-1直径25.4mm厚度10.3mm焦距42mm后焦距(from flat surface)35mm准直太赫兹光束光束直径22.4mm透镜镜筒外径30.5mm总长度29.2mm兼容PCAsCTL-D25mm可以用作PCA的外壳，PCA安装在直径25.4 mm的铝制散热器上。电缆需要指向PCA的正面（激光器或芯片侧）。此外，PCA需要配备一个BATOP的超半球硅基板透镜。推荐的安装选项镜头管的SM1螺纹使其能够连接到配备有相同螺纹的多个标准零件上。 在安装透镜和 PCA 时，可以将管螺纹朝向发射或接收辐射的正面，也可以朝向光纤和电缆从天线模块出口的背面。我们建议使用Thorlab的SMR1作为静态安装解决方案。CTL-D25mm与装有非球面光学透镜的PCA兼容。在这种情况下，需要更大的透镜管，并且长度将增加到2''。 自行组装CTL-D25mm当您单独购买CTL-D25mm时，您需要自己组装。 下面的照片向您展示了如何操作。Shou先将较细的测距环插入镜筒。然后插入镜头和第二个较粗的测距环。确保镜头的平面朝向天线。然后插入 PCA。最后拧上固定环，固定所有组件。其外螺纹与镜头管的内螺纹相匹配。因此，您需要一个额外的工具，例如 Thorlabs 的 SPW602 扳手。可选与聚焦太赫兹透镜组合可以在CTLF25mm上安装另一个焦距为30mm的第二个TPX镜头FTL-f30mm，以获得太赫兹焦点。有关更多信息，请参阅FTL-f30mm的数据表。 FTL-f32.5mm - 聚焦平凸TPX透镜 PCA专用TPX透镜 通用参数透镜直径25.4 mm透镜厚度8.0 mm焦距32.5 mm通光孔径 22.4 mm折射率1.45 at 1 THz吸收系数0.3 cm-1材质TPX（聚甲基戊烯）太赫兹透镜面形平凸（非球面）PCA兼容外壳 以下为BATOP聚焦平凸TPX透镜 标准品型号TPX透镜，直径1英寸和2英寸,其中TPX-D25.4-f10，专门用于空间高分辨率的应用1英寸直径TPX透镜，焦距F：10mm~32.5mm型号TPX-D25.4-f10 TPX-D25.4-f15TPX-D25.4-f25TPX-D25.4-f32.5透镜直径25.4 mm25.4 mm25.4 mm25.4 mm焦距10 mm15.0 mm25.0 mm32.5 mm通光孔径 20 mm 23.4 mm 22.4 mm 22.0 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.640.590.380.3中心透镜厚度11.2 mm8.0 mm8.0 mm8.0 mm边缘厚度3.3 mm1.6 mm3.1 mm4.2 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格1英寸TPX透镜，焦距F：50mm~150mm型号 TPX-D25.4-f50 TPX-D25.4-f67 TPX-D25.4-f100 TPX-D25.4-f150透镜直径25.4 mm25.4 mm25.4 mm25.4 mm焦距50.0 mm67 mm100 mm150 mm通光孔径 22.4 mm 22.4 mm 22.4 mm 22.4 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.210.160.1070.072中心透镜厚度7.0 mm6.94 mm7.0 mm6.0 mm边缘厚度4.4 mm5.0 mm5.7 mm5.1 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格2英寸TPX透镜，焦距F：35mm~200mm型号TPX-D50-f35 TPX-D50.8-f65 TPX-D50.8-f100TPX-D50.8-f200透镜直径50.0 mm50.8 mm50.8 mm50.8 mm焦距35.0 mm65.0 mm100 mm200 mm通光孔径 47.0 mm 47.8 mm 47.8 mm 47.8 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.540.330.230.12中心透镜厚度18 mm13 mm10 mm8.3 mm边缘厚度3.0 mm4.1 mm4 mm5.0 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格 公司简介筱晓(上海)光子技术有限公司成立于2014年,是一家被上海市评为高新技术企业和拥有上海市专精特新企业称号的专业光学服务公司，业务涵盖设备代理以及项目合作研发，公司位于大虹桥商务板块，拥有接近2000m² 的办公区域，建有500平先进的AOL(Advanced Optical Labs)光学实验室，为国内外客户提供专业技术支持服务。公司主要经营光学元件、激光光学测试设备、以及光学系统集成业务。十年来,依托专业、强大的技术支持，以及良好的商务支持团队，筱晓的业务范围正在逐年增长。目前业务覆盖国内外各著名高校、顶级科研机构及相关领域等诸多企事业单位。筱晓拥有一支核心的管理团队以及专业的研发实验室，奠定了我们在设备的拓展应用及自主研发领域坚实的基础。主要经营激光器/光源半导体激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子级联激光器、FP激光器、VCSEL激光器）气体激光器（HENE激光器、氩离子激光器、氦镉激光器）光纤激光器（连续激光器、超短脉冲激光器）光学元件光纤光栅滤波器、光纤放大器、光学晶体、光纤隔离器/环形器、脉冲驱动板、光纤耦合器、气体吸收池、光纤准直器、光接收组件、激光控制驱动器等各种无源器件激光分析设备高精度光谱分析仪、自相关仪、偏振分析仪，激光波长计、红外相机、光束质量分析仪、红外观察镜等光纤处理设备光纤拉锥机、裸光纤研磨机

1. 产品概述WE2102系列 8英寸槽式清洗设备，该平台工艺区为 12 吋先进槽式清洗设备的拓展，具备优异的工艺效果。2. 设备用途/原理该平台工艺区为 12 吋先进槽式清洗设备的拓展，具备优异的工艺效果。精准控制药液混合比例。多样的药液比例扩展应用。精准的蚀刻速率控制。优秀的干燥效果。软件量身定制，具备快速更新能力。3. 设备特点晶圆尺寸 8 英寸，适用材料 光阻、单晶硅、氧化硅、氮化硅、介质膜、金属膜、氮化钛、硅化物。适用工艺 预清洗、去胶清洗、氮化硅去除、金属去除（Co,Ti）、Recycle 清洗。适用域 集成电路、化合物半导体、新兴应用。

1. 产品概述：THEORIS X302p/h主要用于12英寸600℃-1200℃氧化及退火工艺。该机台为立式单腔炉管系统，工艺处理过程实现了高度自动化。系统主要由传输模块、工艺模块、电源柜等部分组成。2. 设备应用： 晶圆尺寸 12英寸 适用材料 硅 适用工艺 高温干/湿氧氧化、DCE氧化、掺氮氧化、高温退火 适用领域 先进集成电路、功率半导体、衬底材料 3. 特色参数：湿氧氧化工艺是在氧气中加入水汽来进行氧化反应。北方华创 THEORIS X302 氧化炉设备在湿氧氧化工艺中表现出色。它能够精确控制水汽的含量和输入方式，以实现对氧化膜生长速率和质量的精准调控。在温度控制上，同样具备高精度的特点，确保在湿氧环境下硅片受热均匀，从而形成均匀、致密的氧化膜。气体流量的调节也非常精准，能够根据工艺需求灵活调整氧气和水汽的比例，满足不同产品对湿氧氧化工艺的特殊要求。其优秀的工艺稳定性和重复性，使得湿氧氧化工艺的结果可预测且可靠。 4.设备特点 先进的颗粒控制技术 先进的金属污染控制技术 高精度温度场控制技术 支持快速升/降温度技术 高产能

Saqua 3080B系列 12英寸单片清洗设备1、良好的颗粒与背面刻蚀均匀性控制能力 Excellent particle control and backside etch uniformity control2、 稳定的晶圆传输、定位、翻转能力 Wafer transfer/flip system is stable 3、晶圆正面保护技术 Wafer front side protection technology 4、支持多种化学品同时回收，避免交叉污染 Multi-Chemical reclaim without different chemical mixing 5、高效的化学品回收效率，最低的用户成本 High Chemical reclaim efficiency, Lowest CoO技术参数1、晶圆尺寸 12 英寸2、适用材料 单晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、介质膜、金属膜3、适用工艺 背面清洗，背面刻蚀，硅刻蚀，控片清洗4、适用领域 新兴应用、集成电路、先进封装

1英寸（25毫米）MTS电动移动平台 Related Products 特性 紧凑的模块化设计高载荷线性导轨平台带有嵌入式限位开关霍尔效应编码的直流伺服电机组合产品包含TDC001 T型立方体驱动器和电源这种紧凑的电动MTS50平台有两套使用连续旋转滚珠轴承承载载物平台的线性导轨。这种机制可提供平滑、低摩擦的运动，从而保证高载重能力 （垂直负载：10磅（4.5千克），水平负载：25磅（12千克））。驱动力来自于直流伺服电机，该电机带有67:1的齿轮减速器和1.0毫米节距的丝杠。电机每转一圈，嵌入式霍尔效应编码器提供512个计数。ParameterValueTravel Range25 mm (1")Bidirectional Repeatability1.6 µ mBacklash6 µ mMax Acceleration4.5 mm/sec2Max Velocity3.0 mm/secVelocity Stability± 0.25 mm/secMax Horizontal Load Capacity12 kg (25 lb)驱动器的编码器每计数一次的线性位移可以由下式给出：512 x 67 = 34304（丝杆每转一圈编码器计数的总次数）。所以，编码器每计数一次，丝杆的线性位移为：1.0毫米/ 34304计数=2.9x10-5毫米（29纳米）。平台上附加的限制开关确保了平台能够在参数范围内运动，并在两个方向上的提供过载保护。该平台附带一根1.6英尺（0.5米）的电缆。也可单独购买8英尺（2.5米）的延长电缆（PAA632）。MTS50-Z8E组合包含平台、常用的T型立方体直流电机控制器（TDC001）和电源（TPS001）。超紧凑型直流驱动器专门被设计用于Thorlabs的直流伺服产品系列。这些新的驱动器是USB接口的，紧凑型，单通道电机驱动器，设计用于直流有刷电机。它们包含嵌入式控制器和驱动电路，可通过PC操作也可单独工作。尽管尺寸很紧凑 （2.5英寸x2英寸x1.6英寸），这些装置包含了完整的运动控能力，包括速度变化的设定，限制开关的处理以及在运动速度和方向上的快速改变。对于涉及到不同驱动装置的更先进操作， 这些驱动器可实现闭环PID参数控制，并且可以调整设置，如丝杠节距和传动比等变量。转接板底板（MTS50A-Z8）可稳定地将平台固定在工作面上。利用MTS50B-Z8间隔板和MTS50C-Z8 角度支架，可将平台组装成右手和左手系配置的XY，XZ和XYZ平台。为了增加灵活性，MTS50-Z82英寸（50毫米）行程的平台可与MTS25-Z8平台组装在一起。MTS50CSA笼式系统转接板是一种通用的、可锁紧的平台，可以将MTS50-Z8移动平台容易地安装到60毫米笼式共轴系统中，增加了笼式共轴系统的灵活性。当该平台装配在笼式共轴系统上时，从平台表面到笼式中心线的距离为23.5毫米。更多信息请见应用选项标签。MTS25-Z8 转接板底板用于紧固安装 间隔板用于XY配置 角度支架用于XYZ装配 笼式共轴系统适配器用于60毫米笼式共轴系统 MTS25A-Z8底板可方便地将平台安装在工作面上。MTS25B-Z8 XY转接板为组装XY平台提供必要的间隔。MTS25C-Z8角度支架允许平台被装配成XY或者XYZ配置。 这三种支架带有定位销，可确保定位的正交度，并提供安装所需的所有硬件。 MTS25CSA笼式共轴系统适配器用于将平台安装到60毫米笼式共轴系统中。光学组件（如固定在平台上的透镜安装座），可以在使用行程为2英寸（25毫米）电动平台精确移动之前，快速地定位在所需位置。1英寸（25毫米）电动移动平台 Related Products 特性20磅（9千克）水平负载，10磅（4.5千克）垂直负载能力模块化设计，允许XYZ三维配置使用Z825B电动直流驱动器PT1-Z8和PT3-Z8系列电动移动平台具有25毫米（0.98英寸）移动范围。该平移台基于PT系列手动平台，但在原先手动操纵的位置上装有Z825B电动直流驱动器。该产品使用硬化钢线性轴承，保证高精度的移动和长的使用寿命。PT系列平移台的模块化设计，允许使用者随着应用需求的发展迅速构造XY或XYZ配置（PT3-Z8）。该快速变化的设计是通过使用高精度对准的柱销实现的，确保了移动平台之间的正交度。PT1-Z8和PT3-Z8系列是通过我们的Z825B驱动器进行驱动的。这些驱动器配有商业化的分档内部限位开关用于超速保护，同时配有电机编码器提供带反馈的亚微米分辨率。内置的67:1星形齿轮头使这些平移台具有高达10磅（4.5千克）的垂直负载，同时保持0.59英寸（15毫米）的包装直径。我们的TDC001单通道T型立方体直流电动伺服控制器是配合Z825电动平台使用的理想选择。下面给出了适合TDC001的电源。注意：如果你使用Z8系列直流伺服电机控制之前购买的TDC001，你可能需要将你的固件升级到1.0.10或更新的版本。 PT1-Z8 and PT3-Z8Travel0.98" (25 mm)*Orthogonality5 mradAngular Deviation250 µ radMotorMotor TypeDC Servo (Z825B)Motor Drive Voltage12 VCurrent (Max Recommended)80 mAResolution (Calculated)29 nmRecommended ControllerTDC001Max LoadVertical Load (Max)10 lbs (4.5 kg)Horizontal Load (Max)20 lbs (9 kg)Bearing TypeBall on Hardened V-Grooves* Z825B驱动器的软件将行程默认设置为0至25.0毫米。上限可以调节至25.4毫米（1英寸），尽管如此，仍未到达限位开关。 PT101 PT101底板可以与英制或公制的平台配合使用。该底座附带两个1/4英寸-20的带帽螺丝，用该螺丝可以将底板连接到英制或公制的PT系列平台上。PT102PT102角度支架允许垂直安装PT系列平台，使其可以搭建左手系或右手系XYZ，XZ和XY配置。注：和这些平台一起发货的Z825B直流伺服电机配备了1.6英寸（0.5米）的 电缆。还有一根8英寸（2.5米）的延长线PAA632 。 电动PT系列平台Zoom ～英制和公制版本～提供单轴和XYZ结构的选择～电动移动速度达到3毫米/秒我们的PT1-Z8和PT3-Z8平台是PT系列线性平台的一部分。PT1-Z8和PT3-Z8的行程为0.98英寸（25毫米），水平负载能力达20磅（9千克）。PT3-Z8和PT3/M-Z8是XYZ配置的平台。这些XYZ配置是由三个PT1-Z8和PT1/M-Z8平台，结合PT101底板转接件和PT102（/M）直角支架构造而成的。这些XYZ配置的最大垂直负载能力为10磅（4.5千克）。这些平台不包含直流电机控制器，但是下面的TCD001T型立方体可供选择，它是我们推荐的用于控制Z8系列驱动器的控制器。PT系列安装转接件Zoom ～搭建XY和XYZ配置的平台～角度支架用于垂直安装PT101和PT102转接板设计用于PT系列移动平台。PT101是一个通用底板，边上的凹槽使其可以安装座光学面包板上。当平台中间的沉头孔被挡住时，这些底板是进行XY或XYZ多轴配置的理想选择。PT102是一个角度支架，允许垂直安装PT系列平台。 在一些XY和所有的XYZ配置中需要用到该角度支架。PT3XYZ配置的平台包含了PT101和PT102转接件。更多关于装配XYZ平台的信息，请参见PT系列手动平台页面中的XYZ装配标签。尽管使用不同的驱动器，装配过程是一样的。 T型立方体直流电机控制器Zoom Z8系列驱动器的理想控制器 通过计算机控制 紧凑的尺寸TDC001是我们T型立方体家族的直流电机控制器中的一员。单通道控制箱顶部有一个控制面板，提供移动或点动按钮使驱动器的丝杆以离散步进移动，同时还有一个速度分压计使丝杆以各种不同速度前进。TDC001可通过USB2.0连接到计算机上，并通过thorlabs公司提供的APT软件控制。我们推荐用该控制器控制Thorlabs的Z8系列直流驱动器。该控制器不包括电源，但是下面列出了三种兼容的电源。 兼容电源ZoomTDC001直流电机控制器的首选电源（即单通道，多通道或基于集线器）取决于您的应用以及您是否已经拥有兼容电源。因此，Thorlabs不会给您购买的TDC001预先配备电源。 TOperation of TDC001 (T-Cube USB DC Servo Driver)Power SupplyStandalone / Single Channel OperationTPS001 Power Supply for a Single T-CubeTPS008 Power Supply for up to 8 T-CubeSystem / Multi-channel OperationTCH002 USB Controller HubTDC001直流电机控制器可以使用TPS001 或TPS008TCH002 电源，或者TCH002 T型立方体集线器和电源来供电。当TPS001和TPS008插入标准插座时，可输出15伏的直流电压。其中TPS001可以给一个T型立方体供电，而TPS008可以给多达8个T型立方体供电。TCH002集线器和电源由集线器和电源两部分组成。其中集线器可以支持多达6个具有标准体积的T型立方体，而电源插入标准插座时，可依次为所有连接到集线器的T型立方体供电。此外，该集线器可通过单根USB连接为任何T型立方体提供USB连通性。

1. 产品概述：Pinnacle300平台适用于集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示领域的清洗工艺。该机台主要由传输模块、工艺模块、药液供给系统、电源柜等组成。传输模块将晶圆传送到指定位置，可同时传送50片，工艺模块用于清洗和蚀刻，药液供给模块用于高精度药液配比、加热、供给、浓度监测。2. 设备应用：晶圆尺寸12英寸 适用材料光阻、单晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、金属膜、金属氧化物 适用工艺炉前、刻蚀/抛光后清洗、光阻、金属氧化物、氮化物去除、控挡片回收 适用领域集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示 3. 特色参数：清洗槽数量：通常具有多个清洗槽，以实现不同的清洗工艺步骤，例如可能有多个化学清洗槽、纯水冲洗槽等。清洗方式：可支持多种清洗方式，如化学清洗、兆声清洗等，以有效去除晶圆表面的各种污染物。温度控制：具备精确的温度控制能力，可在一定温度范围内对清洗液或工艺过程进行温度调节，满足不同清洗工艺的需求。工艺时间：能够对每个清洗步骤的时间进行精确设定和控制，确保清洗效果的一致性。晶圆尺寸：适用于 12 英寸晶圆清洗，能很好地满足大尺寸晶圆的清洗要求。自动化程度：具有较高的自动化水平，可实现晶圆的自动传输、定位和清洗过程的自动控制，提高生产效率和减少人为操作误差4. 设备特点可配备多药液工艺槽，支持DIO₃ 等附属功能软件量身定制，具备快速更新能力较高的温度控制稳定性超高的补水精度精准的蚀刻速率控制优秀的干燥效果

1. 产品概述：Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备，为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300&trade 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。12英寸硬掩膜刻蚀设备2. Herent® Chimera® A系统特性Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备是面向 12 英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）及传输模块（transfer module）构成适用于 55 纳米及其它技术代的 TiN 等硬掩膜刻蚀工艺为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300&trade 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。

1. 产品概述Lorem® A 系列常规 IBS 设备，由离子源栅极引出正离子并加速，中性束流撞击样品表面，溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间，起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案，几乎可以用来刻蚀任何固体材料，包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体等。栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制，提升了工艺可控性；载片台的角度可调整，实现离子束倾斜入射，可用于特殊图案的刻蚀，也适用于侧壁清洗等工艺。2. 系统特性Lorem® A系列可选8/6/4英寸电极，适用于不同尺寸的晶圆如配置标准口径离子源，刻蚀均匀性（1 σ）达到 3%；还可配置大口径离子源，刻蚀均匀性（1 σ）达到 2%样品台可偏转（tilt），偏转范围：-90°到+80°，实现离子束倾斜入射工艺过程中，样品台可自转提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式

1. 产品概述SES系列 8英寸多片硅外延系统为单腔多片式硅外延设备，适用于4、5、6、8英寸的硅外延工艺。SES系列反应腔室采用多片平板式的结构，配合感应加热的方式实现高质量的外延薄膜生长，适用于厚度5-150µ m范围的外延工艺，精确可调N型、P型掺杂。该设备智能化人机交互设计与高效的安全互锁保障了系统安全和稳定。2. 设备用途/原理SES系列 8英寸多片硅外延系统，适用于 5-150 微米范围的硅外延工艺，先进的感应加热和气流场技术提供了优良稳定的工艺性能，多片平板式设计，高容载量，自动化程度高、产能高、低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 4、5、6、8 英寸，适用材料 硅，适用工艺 N&P 硅外延，适用域 科研、集成电路。

1. 产品概述Sitara TA230A 12英寸单片快速热退火系统，适用于 260-1200℃快速热处理工艺。2. 设备用途/原理Sitara TA230A 12英寸单片快速热退火系统，适用于 260-1200℃快速热处理工艺，高精度温度控制，提供优异工艺，低成本，高产能。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用工艺 快速热退火、快速热氧化、金属硅化。适用域 科研、集成电路。

产品说明94081A型4x4英寸ABB级太阳光模拟器使太阳模拟器的水平和价值更上一层楼。这款8英寸x 8英寸，1600瓦太阳光模拟器光源已通过IEC 60904-9第2版（2007），JIS 8904-9（2017）和ASTM E927-10（2015）标准认证，使用无臭氧氙弧灯和专用滤光片，充分满足A级太阳模拟器性能参数要求，而毫不影响1太阳常数输出功率，是专为实验室或生产环境而设计的高性价比太阳模拟器系统。 特点：&bull ABB级太阳光模拟器输出光束的尺寸范围为2x2 英寸、4x4英寸、6x6英寸至8x8 英寸&bull 基于IEC 60904-9 2007版、JIS C 8912 和 ASTM E 927-05工厂认证&bull 仪器使用寿命长且非常可靠，适用于实验室或生产环境&bull 温度传感器和联锁系统可确保操作人员的安全&bull 方便的用户功能简化了操作 ABB级太阳光模拟器技术参数：型号: 94081AABB级太阳光模拟器灯类型：无臭氧氙弧灯功率：1600W输出光束尺寸：8英寸x 8英寸典型输出功率: 100mW/cm2(1太阳常数) 80-110%可调电源要求: 95-264VAC/15A，47-63 Hz工作距离：15.0±0.5英寸

1. 产品概述NMC 612G 12英寸金属刻蚀机，可用于铝、硅，氧化物、钼、氧化铟锡等多种材料刻蚀。2. 设备用途/原理NMC 612G 12英寸金属刻蚀机，可用于铝、硅，氧化物、钼、氧化铟锡等多种材料刻蚀，高性能静电卡盘，可用于 Si wafer 及玻璃片稳定吸附，设备提供多种均匀性调节手段。本土化服务及定制化软件配置能力。 3. 设备特点晶圆尺寸 12英寸，适用材料 铝、硅、氧化物、钼、氧化铟锡，适用工艺 铝线、铝垫、硅、介质刻蚀、铝 / 钼 /ITO 等金属刻蚀，适用域 新兴应用、集成电路。百科：&zwnj 半导体金属刻蚀机的原理&zwnj 主要涉及到湿法刻蚀和干法刻蚀两种技术。这两种技术都是半导体制造工艺中非常重要的步骤，用于有选择地从硅片表面去除不需要的材料，以达到在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形的目的。

1. 系统特性Kessel® Pishow® M 金属刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）、去胶腔（stripchamber）、冷却腔（cooling chamber）、传输模块（transfer module）构成适用于0.11微米及其它技术代的铝垫刻蚀及钨回刻（W Recess）工艺也可换用6英寸ESC。2. 工艺数据铝垫刻蚀铝线工艺钨塞刻蚀 3. 详细介绍Kessel&trade Pishow® M 金属刻蚀设备为可用于8英寸的IC产线铝金属工艺的量产型机台，基于自有开发的优化设计，保证了优异的刻蚀均匀性（片内8%，片间5%）和颗粒控制。在4微米厚铝刻蚀工艺中，可以提供8000片/月的产能。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升提供帮助。

1. 产品概述THEORIS A302L 12英寸立式低温退火炉，先进的压力控制系统。2. 设备用途/原理THEORIS A302L 12英寸立式低温退火炉，先进的压力控制系统，高精度温度场控制技术，先进的颗粒控制技术，可靠的氢气工艺能力技术，高产能。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料硅。适用工艺 低压合金、金属 / 非金属退火、薄片退火。适用域 新兴应用、集成电路、先进封装。退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。

1. 产品概述Hesper E230A 12英寸单片常压硅外延系统，优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能。2. 设备用途/原理Hesper E230A 12英寸单片常压硅外延系统，优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能，高效传输设计，可提高产能，单、双、四腔兼容设计，可满足不同客户需求。3. 设备特点 晶圆尺寸12 英寸适用材料 硅，适用工艺 N&P 常压硅外延，适用域 科研、集成电路。百度百科：&zwnj 常压硅外延系统的原理&zwnj 主要涉及到在单晶衬底上生长一层与衬底晶向相同的单晶层，这层新生长的单晶层可以在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，从而生长出不同厚度和不同要求的多层单晶，以提高器件设计的灵活性和器件的性能。外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初，当时为了制造高频大功率器件，需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层，以满足减小集电极串联电阻、材料能耐高压和大电流的要求。此外，外延工艺还广泛用于集成电路中的PN结隔离技术和大规模集成电路中改善材料质量方面。

安赛斯精密匀胶机，本型号适用于12英寸及以下晶元旋涂需要。更多产品信息，请登录安赛斯（中国）有限公司官网具体配置及报价，请咨询安赛斯工作人员。产品介绍： 名称：高精密匀胶机型号：SC200-SE产地：应用：在高速旋转的基片上，滴注各类胶液，利用离心力使滴在基片上的胶液均匀地涂覆在基片上，厚度视不同胶液和基片间的粘滞系数而不同，也和旋转速度及时间有关。 产品概述： 　　精密匀胶机是一种小型、灵活和经济的旋转匀胶设备，它可以实现价值百万美元设备（track）的上才可能达到稳定性和均匀性。 　　不锈钢外壳比塑料或者烤漆金属更耐久和美观；工业级别400瓦伺服电机系统，采用于track设备相同设计和程序，使您的工艺更具有实际应用意义；同类产品中达到50000rpm/s的旋转加速度，确保旋转匀胶的稳定性和极高的可重复性。性能指标： l 主机机箱采用不锈钢材料（抗化学腐蚀易清洁） l 旋涂程序：最多存100组程序，每组100步，每个步骤可精确到0.1秒 l 转动速度：0-5,000rpm（更高速可选），考虑重片或大片旋涂安全性限定为5000rpm l 旋涂加速度：0-10,000rpm/sec（更高可选），考虑重片或大片旋涂安全性限定为10000rpm/s l 马达旋涂转速稳定性能误差 ±1rpm l 转速调节精度1rpm，重复性 1rpm l 工艺时间设定： 0-3,000 sec/step，时间设置精度：0.1sec l 支持wafer尺寸25px-300mm（12“圆晶） l 旋涂作业均匀性： ±3% 在6英寸范围内（需要去除边缘3毫米区域测量） 产品特点：l 内部紧凑设计，缩小了设备的尺寸。 l 7"触屏控制面板操作系统，更方便操作。 l Telon /polyethylene “密闭碗”设计可适合各种材料匀胶工艺。 l 标准配置转速5000rpm，并可根据用户需要进行定制。l 采用工业级别伺服电机，电机设计避免光刻胶等污染物进入电机内部。 l 机身选用耐酸碱、耐冲击、耐腐蚀不锈钢，永不生锈，便于清洗。 l 排风和抽气系统位计于载片台之底部 （以利于排风效率和匀胶均一性）。 l 透明可视，耐化学腐蚀的密封盖，可以在旋涂作业时完全隔绝光阻的溢出及有效隔绝有毒气味的散发。产品外型尺寸：　　　　　613mm(D) * 463mm(W) * 306mm(H) 咨询或索取详细产品资料，请联系ANALYSIS（安赛斯）工作人员。匀胶机，旋涂仪，甩胶机，安赛斯（中国）有限公司更多产品信息，请登录安赛斯（中国）有限公司官网

4英寸ECO漏斗您是否为敞开的废液容器而烦恼？ “在实验室，试剂挥发是个非常重要的问题！”为了您的健康和肺，请选择 Safety ECO 漏斗，它可以有效防止实验室99%的有机试剂挥发！ 建议以下设备配置： 高效液相色谱DNA 合成仪蛋白质测序仪蛋白质合成仪中低压制备色谱气相色谱 ECO漏斗产品特点： 解决了“敞口废液容器”问题漏斗材质为高密度聚乙烯材质，耐腐蚀。体积小，可置于通风橱或水槽避免因挥发性可燃有机溶剂导致的火灾减少有机试剂挥发，利于实验室人员健康避免因实验程序导致的交叉污染广泛应用与高校研究院、医药行业、生物行业和政府实验室环保部门强力推荐，废物管理安全有效适用各种安全条款可选择4” ECO漏斗（450mL）或8” ECO漏斗（2000mL）4英寸ECO漏斗技术参数： 1、漏斗直径为4"（1英寸=2.54cm），漏斗颈部底端带螺旋口，可以与对应直径的试剂瓶组合为废液收集器2、漏斗颈部长11英寸，可以有效减少试剂挥发3、漏斗上部尺寸为 5" x 7"（宽x长）4、漏斗过滤器可以有效过滤固体颗粒。5、漏斗材质为高密度聚乙烯材质，耐腐蚀。6、漏斗容量为450mL。7、最多可安装6个HPLC接头根据不同客户需求，我们提供80种不同规格的ECO漏斗，其中4英寸ECO漏斗有以下规格。具体详细信息请联系我司销售人员。 订货号 产品图片 产品描述顶部直径 漏斗颈尺寸 EF-4-38 4" 漏斗，适用2L和4L试剂瓶，可以与以下试剂瓶组合：1、2L LDPE 试剂瓶，型号： EC-2002A2、4L LDPE 试剂瓶，型号： EC-20043、4L窄口聚丙烯试剂瓶，型号：NG-2203-00104、4 L 试剂瓶NG-2126-40005、4 L 试剂瓶NG-2204-0010 4" 38-430 EF-4-38Y 4" 漏斗，黄色盖子，适用2L和4L试剂瓶 4" 38-430 EF-4-38-400 4" 漏斗，红色盖子，适用容量为1/2加仑和1加仑的壶 4" 38-400 EF-4-53B 4" 漏斗，适用2L试剂瓶 4" 53mm EF-4-83B 4" 漏斗，适用10L大试剂瓶 4" 83mm EF-4-FS70 4" 漏斗，适用5加仑圆桶 4" 70mm EF-4-3009 4" 漏斗，适用9L长形试剂瓶 4" 100mm EF-4-30020 4" 漏斗，适用20L长形大试剂瓶 4" 70mm EF-4-63B 4" 漏斗，适用10L横形大试剂瓶 4" 63mm EF-4-63BY 4"漏斗，黄色盖子，适用10L横形大试剂瓶 4" 63mm EF-4-Justrite-B 4" 漏斗，适用容量为2&5加仑和1加仑的挤压瓶 (#EC-1275120,1275450) 4"n/a EF-4-38-006 4" 漏斗，带w/PP接头，适用容量为2&5加仑和1加仑的QD 安全罐 4" n/a EF-4-38-008 4" 漏斗，带w/SS接头，适用容量为2&5加仑和1加仑的QD 安全罐 4" n/a

1. 系统特性Herent® Chimera® M 金属刻蚀设备是面向12英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）、去胶腔（strip chamber）、传输模块（transfer module）构成适用于0.18微米及其他技术代逻辑应用中的高密度铝导线工艺，以及铝垫刻蚀2. 详细介绍Herent® Chimera® M 金属刻蚀设备，为针对12英寸IC产业0.18微米以下后道高密度铝导线互连工艺所开发的用产品， 同时也可应用于铝垫（Al pad）刻蚀。该设备承袭了 Chimera® A 的先进设计理念，具有出色的均匀性调控手段， 可以为客户提供高性价比的解决方案

1. 产品概述Shale® C系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备（ICP-CVD）是一款先进的薄膜沉积设备，它结合了电感耦合（ICP）和电容耦合（CCP）技术，为用户提供了一种高效、可靠的薄膜沉积解决方案。该设备通过高密度等离子体的产生，实现了极低的沉积温度，这不仅能够保护基材，减少热损伤，还能确保薄膜的高致密性与优异的填充能力。该工艺适用于多种材料的沉积，尤其是在对薄膜质量有高要求的应用中表现优越。此外，Shale® C系列设备采用了符合国际标准的零部件，这些组件是8英寸产线设备中的常用标准部件，确保了设备的兼容性与可维护性。设备的设计遵循SEMI的严格标准，确保其在半导体行业中的稳定运行及高度可靠。在产品性能方面，Shale® C系列经过了一系列严格的稳定性和可靠性测试，验证了其在长时间连续运行下的表现。这使得该设备成为高端制造过程中的理想选择，适合用于大规模生产和研发实验。2. 系统特性可在低温（120°C）下沉积高致密薄膜，其致密性不亚于LPCVD在750°C生长的薄膜可有效降低等离子体损伤，从而降低漏电，漏电流密度与原子层沉积（ALD）制备的薄膜相当可提供高深宽比薄膜填充工艺可选8/6英寸电，适用于不同尺寸的晶圆

1. 产品概述：Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）以及传输模块（transfer module）构成适用于0.11微米及其它技术代的多晶硅栅（poly gate）、侧墙（spacer）、浅沟槽隔离（STI）工艺2. 工艺数据3 μm Trench0.4 μm Trench0.25 μm Trench2 μm Poly0.18 μm Poly3. 详细介绍Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备，为8英寸IC产线上栅工艺的多腔式量产型设备，拥有自主开发的优化设计， 保证了优异的刻蚀均匀性（片内5%，片间5%）和颗粒控制。提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各项工艺的刻蚀解决方案。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升提供帮助。