硅片检测

p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。硅片是从硅棒上切割下来的晶片表明的多层晶格处于被破坏的状态，布满了不饱和的悬挂键，悬挂键的活性非常高，十分容易吸附外界的杂质粒子，导致硅片表面被污染且性能变差。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质会导致各种缺陷。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 随着大规模集成电路的发展，集成度不断提高，线宽不断减小，抛光片表面的颗粒和金属杂质沾污对器件的质量和成品率影响越来越严重。对于线宽为 span 0.35 /span μ span m /span 的 span 64 /span 兆 span DRAM /span 器件，影响电路的临界颗粒尺寸为 span 0.06 /span μ span m /span ，抛光片的表明金属杂质沾污全部小于 span 5 /span × span 10 sup 16 /sup at/cm sup 2 /sup /span ，抛光片表面大于 span 0.2 /span μ span m /span 的颗粒数应小于 span 20 /span 个 span / /span 片。因此对硅片的质量要求也越来越高，特别是对硅抛光片的质量要求越来越严，对硅片沾污的检测便显得尤为关键。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 以下为硅片沾污检测技术与仪器概览： /p table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" style=" border-collapse:collapse border:none" align=" center" tbody tr class=" firstRow" td width=" 56" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 沾污种类 /p /td td width=" 113" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 杂质成分 /p /td td width=" 156" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 沾污危害 /p /td td width=" 118" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 检测技术或仪器 /p /td td width=" 110" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 主要厂商 /p /td /tr tr td width=" 56" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 颗粒沾污 /p /td td width=" 113" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 聚合物、光致抗蚀剂等 /p /td td width=" 156" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 图形缺陷、离子注入不良、 span MOS /span 晶体管特性不稳定 /p /td td width=" 118" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align=" center" p 硅片颗粒检测设备 /p /td td width=" 110" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p span KLA /span 等 /p /td /tr tr td width=" 56" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 有机沾污 /p /td td width=" 113" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 人的皮肤油脂、防锈油、润滑油、蜡、光刻胶等 /p /td td width=" 156" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 栅极氧化膜耐压不良、 span CVD /span 膜厚产生偏差热、氧化膜产生偏差 /p /td td width=" 118" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align=" center" p 热解吸质谱， a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/70.html" target=" _self" span X /span 射线光电子能谱 /a ， a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/519.html" target=" _self" 俄歇电子能谱 /a /p /td td width=" 110" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 岛津、 span style=" color:#444444" ThermoFisher /span span style=" color:#444444" 、恒久等 /span /p /td /tr tr td width=" 56" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 金属沾污 /p /td td width=" 113" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 电化学沉积、氢氧化物析出物、膜夹杂物 /p /td td width=" 156" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 栅极氧化膜耐压劣化、 span PN /span 结逆方向漏电流增大、绝缘膜耐压不良、少数载流子寿命缩短 /p /td td width=" 118" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align=" center" p a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/293.html" target=" _self" 电感耦合等离子体质谱仪 /a /p /td td width=" 110" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 安捷伦、赛默飞等 /p /td /tr /tbody /table p style=" text-indent: 2em text-align: justify " span style=" text-indent: 28px " 国家也出台了多个相关国家标准。 /span br/ /p table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" style=" border-collapse:collapse border:none" tbody tr class=" firstRow" td width=" 184" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 标准号 /p /td td width=" 369" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 标准名称 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p span GB/T 24578-2015 /span /p /td td width=" 369" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 《硅片表面金属沾污的全反射 span X /span 光荧光光谱测试方法》 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p span GB/T 24580-2009 /span /p /td td width=" 369" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 《重掺 span n /span 型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p span GB/T 30701-2014 /span /p /td td width=" 369" valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align=" center" p 《表面化学分析 硅片工作标准样品表面元素的化学收集方法和全反射 span X /span 射线荧光光谱法 span (TXRF) /span 测定》 /p /td /tr /tbody /table p span & nbsp /span /p p br/ /p

近期，“2023年度中国检验检测学会科学技术奖”获奖名单公布，北京莱伯泰科仪器股份有限公司（简称“莱伯泰科”）凭借其《硅片表面金属离子国产检测仪器首创项目》荣获科学技术进步奖二等奖。该奖项由中国检验检测学会设立，旨在表彰那些在检验检测科学技术领域或相关领域，通过技术发明、科技进步、国际科技合作等活动，对推动检验检测科学发展做出显著贡献的组织和个人。莱伯泰科于2021年5月和2023年3月分别推出了自主研发的LabMS 3000电感耦合等离子体质谱仪和LabMS 5000电感耦合等离子体串联质谱仪，其技术成熟度与产品可靠性已经满足国内集成电路制造企业对28nm以上制程硅片表面金属离子检测的需求，并已成功应用于半导体晶圆制造企业，在半导体行业有了巨大突破。莱伯泰科此次获奖的《硅片表面金属离子国产检测仪器首创项目》成功解决了国产仪器在此领域的技术空白，有望打破国外技术的长期垄断。该项目依托先进的ICP离子源技术、加强的离子传输系统和基于CAN总线的电控系统，实现了仪器的高效稳定运行及精准检测，满足了半导体硅片行业对极低检出限的严苛要求。凭借在电感耦合等离子体质谱技术领域的丰富创新经验，莱伯泰科一直致力于为半导体行业提供更加精准、高效的解决方案。今天的荣誉标志着莱伯泰科在科技创新道路上达到了新的里程碑。未来，莱伯泰科将继续专注于高端科研设备的研发，努力推动科学仪器技术的持续进步，为行业的发展贡献自己的智慧和力量。电感耦合等离子体质谱仪LabMS 3000 ICP-MS&bull 强大：集成型高基质进样系统，支持在线氩气稀释和有机样品加氧除碳，从而减少样品前处理时间并避免此过程中引入的各种污染&bull 精准：新一代碰撞反应池技术，消除棘手的多原子离子和双电荷离子干扰，提升数据质量&bull 安全：具有多重安全防控以及定时维护日志，确保仪器在安全、可靠的状态下运行，尽量减少计划外的停机和提供安全保护&bull 智能：HiMass智能工作站，中英文语言实时切换，支持接入实验室管理系统和定制报告模版，向导式设计更符合中国人操作习惯&bull 高效：与LabTech前处理设备无缝衔接实现一站式元素分析解决方案，使元素分析更高效、更准确、更安全LabMS 5000 电感耦合等离子体串联质谱仪（ICP-MS/MS）精准：MS/MS模式实现受控且可靠的干扰去除，精准去除质量干扰离子，从而获得更低的检测限和准确的超痕量分析结果。稳定：采用工业标准27.12MHz 全固态RF发生器，具有高稳定性及可靠性；优异的离子传输系统设计即使在MS/MS模式下也具有良好的检测稳定性。可靠：通过 SEMI S2 认证，多达十重安全防护配置，带来全面可靠的安全防护，保证仪器长时间安全可靠运行。强大：全基体进样系统结合接口设计及加强离子传输系统，带来强大的基体耐受性，即使高基体直接进样也可有效降低信号漂移。易用：HiMass智能工作站，一键式，向导式、模块化设计，界面简洁直观，易学易用，提高工作效率。

p 　　 span 硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品都离不开硅片。 /span span 硅片行业是资金和技术密集型行业，垄断度极高，目前前四厂商市场占有率占比超过80%，分别是 /span span 日本信越、日本SUMCO、台湾环球晶圆、德国世创。 /span /p p 　　硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，以二氧化硅和硅酸盐的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中。硅从原料转变为半导体硅片要经过复杂的过程：首先硅原料和碳源在高温下获得纯度约98%的冶金级硅，再经氯化、蒸馏和化学还原生成纯度高达99.999999999%的电子级多晶硅。半导体材料的电学特性对杂质浓度非常敏感，而硅自身的导电性不佳，常通过掺杂硼、磷、砷和锑来精确控制其电阻率。一般，将掺杂后的多晶硅加热至熔点，然后用确定晶向的单晶硅接触其表面，以直拉生长法生长出硅锭，硅锭经过金刚石切割、研磨、刻蚀、清洗、倒角、抛光等工艺，即加工成为半导体硅片。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片、SOI 硅片等。根据半导体尺寸分类，半导体硅片的尺寸(直径)主要有 50mm(2 英寸)、75mm(3 英寸)、100mm(4 英寸)、150mm(6 英寸)、200mm(8 英寸)、 300mm(12英寸)等规格。目前硅片生产以8英寸和12英寸为主，其中8英寸硅片主要应用于电子、通信、计算、工业、汽车等领域，而12英寸硅片多用于PC、平板、手机等领域。 /p p 　　在生产环节中，半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷，保持极高的平整度与表面洁净度，以保证集成电路或半导体器件的可靠性。硅片检测要检查直径、厚度、弯曲、翘曲、缺陷、晶面、表面污染(有机物)、电阻率、晶面取向、氧碳含量、表面平整度和粗糙度、微量元素含量、反射率等。使用到的仪器有测厚仪、显微镜、XRD、气相色谱、X射线荧光光谱、二次离子质谱、电阻率测试仪等。 /p p style=" text-align: center " strong 硅片测试国家标准 /strong /p table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" style=" border-collapse:collapse border:none" align=" center" tbody tr style=" height:18px" class=" firstRow" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p strong span style=" font-family:宋体" 标准编号 /span /strong /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p strong span style=" font-family:宋体" 标准名称 /span /strong /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T11073-2007 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片径向电阻率变化的测量方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T13388-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片参考面结晶学取向 /span span X /span span style=" font-family:宋体" 射线测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T14140-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片直径测量方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T19444-2004 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片氧沉淀特性的测定 /span span - /span span style=" font-family:宋体" 间隙氧含量减少法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T19922-2005 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片局部平整度非接触式标准测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T24577-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T24578-2015 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片表面金属沾污的全反射 /span span X /span span style=" font-family:宋体" 光荧光光谱测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T26067-2010 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片切口尺寸测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T26068-2018 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T29055-2019 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 太阳能电池用多晶硅片 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T29505-2013 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T30701-2014 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 表面化学分析硅片工作标准样品表面元素的化学收集方法和全反射 /span span X /span span style=" font-family:宋体" 射线荧光光谱法 /span span (TXRF) /span span style=" font-family:宋体" 测定 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T30859-2014 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T30860-2014 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T30869-2014 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T32280-2015 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片翘曲度测试自动非接触扫描法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T32281-2015 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T32814-2016 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅基 /span span MEMS /span span style=" font-family:宋体" 制造技术基于 /span span SOI /span span style=" font-family:宋体" 硅片的 /span span MEMS /span span style=" font-family:宋体" 工艺规范 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T37051-2018 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T6616-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T6617-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片电阻率测定扩展电阻探针法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T6618-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片厚度和总厚度变化测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T6619-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片弯曲度测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T6620-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片翘曲度非接触式测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T6621-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片表面平整度测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T29507-2013& nbsp & nbsp /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 /span /p /td /tr /tbody /table p 　　据 Gartner 预计，2017-2022 年半导体增速最快的应用领域是工业电子和汽车电子；预计2020年半导体发货总量将超过一万亿，其中增长率最高的半导体细分领域包括智能手机、汽车电子以及人工智能等。 /p p 　　需要相关标准，请到 a href=" https://www.instrument.com.cn/download/L_5DBC98DCC983A70728BD082D1A47546E.htm" target=" _self" 仪器信息网资料中心 /a 查找。 /p

近日，精测电子在接受机构调研时表示，目前公司子公司上海精测主要聚焦半导体前道检测设备领域，致力于半导体前道量测检测设备的研发及生产。上海精测膜厚产品（含独立式膜厚设备）、电子束量测设备已取得国内一线客户的批量订单；明场光学缺陷检测设备已取得突破性订单；OCD设备获得多家一线客户的验证通过，且已取得部分订单；半导体硅片应力测量设备也取得客户订单，其余储备的产品目前正处于研发、认证以及拓展的过程中。精测电子认为，随着电动汽车产业、大数据及人工智能的快速发展，对芯片产出的需求量与日俱增，国内对半导体设备需求强烈，后续仍将有比较长的持续增长周期；同时，公司所处的半导体检测设备领域，特别是前道量测领域，生产线的国产设备供给率较低，公司的主力产品已得到诸多一线客户认可，并取得良好的市场口碑，同时公司还在加紧其余核心产品的研发、认证以及拓展，因此公司对未来在半导体领域的销售增长保持积极乐观态度。对于公司显示、半导体、新能源领域业务情况，精测电子表示，在显示测试领域，公司不断突破创新，积极调整产品结构，加大了面板中、前道制程设备、关键核心器件以及Micro-LED、Mini-LED等新型显示产品研究开发力度，同时公司也不断优化客户结构，由原来集中大客户攻关逐步转变为大客户战略合作伙伴，增加海外客户的拓展力度。公司在AR/ VR/MR等头显设备配套检测领域取得较大进展，来自于国际头部战略客户相关订单持续增加。未来公司将继续加大在新型显示领域的研发力度，进一步加大与国内外头部战略客户的合作关系。在半导体领域，随着公司研发投入进入收获期，无论是技术，还是产品、市场方面均取得了重大进展，产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断提升，订单快速增长。2022年1-9月公司在整个半导体板块实现销售收入11,222.59万元，较上年同比增长43.71%。在新能源领域，精测电子控股子公司常州精测新能源技术有限公司（以下简称“常州精测”）作为基石投资者参与中创新航科技股份有限公司（以下简称“中创新航”）港股发行，进一步巩固、深化双方战略合作关系，发挥双方在资源整合、技术支持、业务协同等方面的优势，进一步推进双方在锂电设备领域开展深度合作。此外，精测电子正积极开拓与国内其他知名电池厂商的合作关系。2022年1-9月公司在新能源领域实现销售收入22,275.68万元，较上年同比增长502.46%。半导体和新能源领域销售收入和毛利率持续增长，成为公司新的业绩增长点。公司及核心管理成员对未来的发展充满信心。

材料是社会进步的重要物质条件，半导体产业近年来已成为材料产业中备受瞩目的焦点。从沙子到晶片直至元器件的制造和创新，都需要应用不同的表征与检测方法去了解其特殊的物理化学性能，从而为生产工艺的改进提供科学依据。仪器信息网策划了“半导体检测”专题，特别邀请到布鲁克光谱中国区总经理赵跃就此专题发表看法。布鲁克光谱中国区总经理 赵跃赵跃先生拥有超过20年科学分析仪器领域丰富的从业经历，先后服务于四家跨国企业，对于科学分析仪器以及材料研发行业具有深刻理解，促进了快速引进国外先进技术服务于中国的科研创新和产业升级。2020年9月，习近平主席在第75届联合国大会上，明确提出中国力争在2030年前实现“碳达峰”，2060年前实现“碳中和”的目标。“双碳”目标的直接指向是改变能源结构，即从主要依靠化石能源的能源体系，向零碳的风力、光伏和水电转换。加快能源结构调整，大力发展光伏等新能源是实现“碳达峰、碳中和”目标的必然选择。目前，光伏产业已成为我国少有的形成国际竞争优势、并有望率先成为高质量发展典范的战略性新兴产业，也是推动我国能源变革的重要引擎。太阳能光伏是通过光生伏特效应直接利用太阳能的绿色能源技术。2021年，全球晶硅光伏电池产能达到423.5GW，同比增长69.8%；总产量达到223.9GW，同比增长37%。中国大陆电池产能继续领跑全球，达到360.6GW，占全球产能的85.1%；总产量达到197.9GW，占全球总产量的88.4%。截止到2021年底，我国光伏装机量为3.1亿千瓦时。据全球能源互联网发展合作组织预测，到2030、2050、2060年我国光伏装机量将分别达到10、32.7、35.51亿千瓦时，到2060年光伏的装机量将是今天的10倍以上。从发电量来看，虽然其发电容量仍只占人类用电总量的很小一部分，不过，从2004年开始，接入电网的光伏发电量以年均60%的速度增长，是当前发展速度最快的能源。2021年我国光伏发电量3259亿千瓦时，同比增长25.1％，全年光伏发电量占总发电量比重达4％。预计到2030年，我国火力发电将从目前的49%下降至28%，光伏发电将上升至27%。预计2030年之后，光伏将超越火电成为所有能源发电中最重要的能源，光伏新能源作为一种可持续能源替代方式，经过几十年发展已经形成相对成熟且有竞争力的产业链。在整个光伏产业链中，上游以晶体硅原料的采集和硅棒、硅锭、硅片的加工制作为主；产业链中游是光伏电池和光伏组件的制作，包括电池片、封装EVA胶膜、玻璃、背板、接线盒、逆变器、太阳能边框及其组合而成的太阳能电池组件、安装系统支架；产业链下游则是光伏电站系统的集成和运营。硅料是光伏行业中最上游的产业，是光伏电池组件所使用硅片的原材料，其市场占有率在90%以上，而且在今后相当长一段时期也依然是光伏电池的主流材料。在2011年以前，多晶硅料制备技术一直掌握在美、德、日、韩等国外厂商手中，国内企业主要依赖进口。近几年随着国内多晶硅料厂商在技术及工艺上取得突破，国外厂商对多晶硅料的垄断局面被打破。我国多晶硅料生产能力不断提高，综合能耗不断下降，生产管理和成本控制已达全球领先水平。2021年，全球多晶硅总产量64.2万吨，其中中国多晶硅产量50.5万吨，约占全球总产品的79%。全球前十硅料生产企业中中国有7家，世界多晶硅料生产中心已移至中国，我国多晶硅料自给率大幅提升。与此同时，在多晶硅直接下游硅片生产中，因单晶硅片纯度更高，转化效率更高， 消费占比也不断走高，至 2020 年，单晶硅片占比已达 90%的水平。用于光伏生产的太阳能级多晶硅料一般纯度在6N～9N之间。无论对于上游的硅料生产，还是单晶硅片、多晶硅片生产，硅中氧含量、碳含量、III族、V族施主、受主元素含量、氮含量测量是硅材料界非常重要的课题，直接影响硅片电学性能。故准确测试上游硅料、单晶硅片中相应杂质元素含量显得尤为必要、重要。在过去的十几年中，ASTM International（前身为美国材料与试验协会）已经对上述杂质元素的定量分析方法提出了国际普遍通行的标准，其中，分子振动光谱学方法因其相对低廉的设备成本、快速、无损、高灵敏度的测试过程，以及较低的检测下限，倍受业内从事品质控制的机构和组织的青睐。值得一提的是，我国也在近几年陆续制定和出台了多个以分子振动光谱学为品控方法的相关行业标准 （见附录）。这标志着我国硅料生产与品控规范进入了更成熟、更完善、更科学、更自主的新阶段。德国布鲁克集团，作为分子振动光谱仪器领域的领军企业，几十年来坚持为工业生产和科学研究提供先进方法学的助力。由布鲁克光谱（Bruker Optics）研发制造的CryoSAS全自动、高灵敏度低温硅分析系统，基于傅立叶变换红外光谱技术，专为工业环境使用而设计。顺应ASTM及我国相关标准中的测试要求，此系统可以室温和低温下（＜15K）工作，通过测试中/远红外波段（1250-250cm-1）硅单晶红外吸收光谱（此波段红外吸光光谱涵盖了硅晶体中间隙氧，代位碳，III-V族施主、受主元素以及氮氧复合体吸收谱带。），可以直接或间接计算出相应杂质元素含量值。检测下限可低至ppta(施主，受主杂质)和ppba量级(代位碳，间隙氧)，很好地满足了上游硅料品控的要求，为中游光伏电池和光伏组件的制作打下了扎实的原料品质基础。随着硅晶原料产能的逐年提高，布鲁克公司的 CryoSAS仪器作为光伏产业链上游的重要品控工具之一，已在全球硅料制造业中达到了极高的保有量。随着需求的提升，电子级硅的生产需求也在持续增加。布鲁克公司红外光谱技术也有成熟的方案和设备，目前国内已有多个用户采用并取得了良好的效果。低温下(~12 K)，硅中碳测试结果（上图），硅中硼、磷测试结果（下图）附录：产品国家标准：《GB/T 25074 太阳能级多晶硅》《GB/T 25076 太阳能电池用硅单晶》测试方法国家标准：《GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》《GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》《GB/T 35306 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》《GB/T 24581 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》（布鲁克光谱 供稿）

p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 近日，我国半导体制造工艺实现又一重大突破，由协鑫集成参股的徐州鑫晶半导体科技有限公司首批 12 英寸半导体大硅片成功下线。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 了解到，徐州鑫晶半导体大硅片项目，一期投资 68 亿元，建设 12 英寸半导体大硅片长晶及切磨抛生产线，年规划产能 360 万片。该项目是江苏省、徐州市重大产业项目，也是协鑫集团在江苏鑫华半导体项目投产之后，在徐州的又一布局。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 2019 年 12 月 9 日，徐州鑫晶半导体 12 英寸大硅片长晶产线试产成功。2020 年 4 月，徐州市举行一季度重大产业项目观摩点评会，会议上透露了鑫晶半导体大硅片项目正在试生产，预计 2020 年 10 月量产。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 为支持项目的建设和发展，此前徐州市产业引导基金与政府投资基金、金融资本和产业资本等共同出资设立总规模 44.1 亿元的专项基金，并全部投入大硅片项目。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 当前，我国半导体硅片需求随着晶圆产能的扩张持续增长，但国产化比例低，目前能够量产的国产 12 英寸硅片以测试片为主，无法满足正片需求，特别是 28nm 以下先进集成电路制造工艺的要求，12 英寸硅片成为制约我国集成电路产业发展和产业安全的关键瓶颈。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 方正证券研报显示，国内晶圆厂 2020 年之前主要还是 8 英寸线为主，预计到 2020 年，国内 8 英寸硅片的需求在接近 100 万片 / 月，2020 年之后国内 12 英寸晶圆厂占比会超过 8 英寸晶圆厂，相应的硅片需求也超过 8 英寸硅片需求。徐州鑫晶半导体大硅片项目规划分两期建设国际先进的 12 英寸半导体大硅片长晶及切磨抛生产线，完全达产后产能将达 60 万片 / 月，将有效填补国内大硅片供应需求，有望支撑我国集成电路产业的安全可持续发展。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 据悉，鑫晶半导体大硅片项目已于 2018 年 11 月入选江苏省重大建设项目，获得江苏省战略性新兴产业专项资金支持。同时，项目有望入选大国家半导体大基金二期投资项目，成为国家聚集资源予以重点倾斜支持的少数半导体硅片企业之一。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) " & nbsp /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: center color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) " a href=" https://upload.semidata.info/new.eefocus.com/article/image/2020/10/20/5f8e9307ce22a.jpg" target=" _blank" rel=" external nofollow" style=" box-sizing: border-box color: rgb(0, 112, 201) text-decoration-line: none background: transparent touch-action: manipulation " img src=" https://upload.semidata.info/new.eefocus.com/article/image/2020/10/20/5f8e9307ce22a-thumb.jpg" style=" box-sizing: border-box vertical-align: middle border: 0px none border-radius: 3px max-width: 800px height: auto !important " / /a /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) " & nbsp /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 了解到，协鑫集成自 2018 年以来持续进军半导体产业，打造第二主业。2018 年 7 月协鑫集成发布公告，联合徐州市产业发展引导基金、徐州市老工业基地产业发展基金等多家机构共同出资设立半导体产业基金睿芯基金，协鑫集成以自有资金人民币 5.61 亿元持有睿芯基金 25.38%的股份，通过该产业基金目前协鑫集成持有徐州鑫晶半导体约 13.3%的股份。此次 12 英寸半导体大硅片成功下线，是公司半导体产业迈出的重要步伐，未来对公司业绩会产生积极影响。 /p p dir=" ltr" style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " & nbsp 此外，协鑫集成再生晶圆定增项已落户合肥正在推进之中，同时，协鑫集团旗下鑫华半导体电子级多晶硅项目于 2015 年得到了国家半导体大基金一期资金的支持，其打造的国内首条 5000 吨电子级多晶硅专用线已于 2018 年实现量产和出口。2016 年协鑫集团收购美国 SunEdison 截至目前，协鑫集团深度布局半导体材料产业链，已初步行成“电子级多晶硅+大硅片+再生晶圆”的产业布局。 /p

SEMI 硅制造商集团（SMG）在其对硅片行业的年终分析中报告称，2021年全球硅片出货量增长了14%，而硅片收入与2020年相比增长了13%，超过120亿美元，达到历史新高。 硅片出货量总计为141.65亿平方英寸（MSI），而2020年同期为12407 MSI，以满足对半导体器件和各种应用的激增的广泛需求。300mm、200mm和150mm晶圆尺寸都表现出强劲的需求。晶圆收入达到126.17亿美元，超过了2007年创下的121.29亿美元的纪录。"硅片领域出货量和收入的强劲同比增长反映了现代经济对硅片的严重依赖，"即将离任的SEMI SMG 2018-2021主席兼Shin Etsu Handotai America产品开发和应用工程副总裁Neil Weaver说。"晶圆是数字化转型和新技术的引擎，这些新技术正在重塑我们的生活和工作方式。本新闻稿中引用的所有数据包括抛光硅晶圆，如原始测试晶圆和外延硅晶圆，以及运往最终用户的非抛光硅晶圆。硅晶圆是大多数半导体的基本建筑材料，是所有电子设备的重要组成部分。高度工程化的薄盘直径可达12英寸，可用作制造大多数半导体器件或芯片的基板材料。

1月9日，国晶（嘉兴）半导体有限公司（以下简称“国晶半导体”）举行全自动12英寸半导体大硅片生产线量产新闻发布会，宣布打通了全自动生产线，公司的12英寸抛光片处于国内领先水平。（国晶半导体董事长陆仁军讲解项目进展）需要强调的是，国晶半导体建成全自动12英寸半导体硅片生产线，意味着柘中股份转型半导体材料业务迈出一大步。目前，柘中股份持有国晶半导体44.44%股权，并合计持有其58.69%的表决权。全自动大硅片生产线建成一辆辆天车在天花板上来回穿梭，配合各类机台有条不紊地递送着大硅片，自动完成倒角、抛光等一系列步骤。这是记者在国晶半导体看到的大硅片生产流程。（国晶半导体的长晶车间）“国晶半导体在成立之初，就确立了对标全球最先进半导体大硅片厂商的目标，立志组建全球顶尖的专家技术团队，造全球领先的大尺寸硅片。”在发布会上，国晶半导体董事长陆仁军介绍，国晶半导体主要研发、生产、销售集成电路核心半导体材料12英寸大硅片及满足28纳米以下制程标准的抛光片和外延片。需要提及的一个产业背景是，全球对集成电路的需求持续增长，半导体硅片尤其是12英寸大硅片供不应求，产能缺口持续增长。SEMI（国际半导体产业协会）统计，2020年全球晶圆制造材料市场总额达349亿美元，其中硅片和硅基材料的销售额占比达到36.64%约为128亿美元。SEMI预测，全球半导体制造商将在2022年前开建29座高产能晶圆厂，绝大部分为12英寸晶圆厂，这将持续提升12英寸硅片的需求。但在供给端，全球半导体硅片市场垄断在日本信越、日本三菱住友SUMCO、环球晶圆、德国Siltronic、韩国SKSiltron等五大供应商手里，合计占据了全球超过90%的市场份额。“不管是从存量市场看，还是从增量市场展望，国内半导体厂商包括大硅片厂商都迎来巨大的发展前景。”陆仁军介绍，目前，国内外晶圆厂持续处于满负荷运转，且产品不断涨价。产能方面，国晶半导体规划产能为年产12英寸半导体硅片480万片。该项目分为两期实施，其中一期规划建设月产能15万片，二期规划建设月产能30万片。转型半导体业务迈出一大步国晶半导体建成全自动12英寸半导体硅片生产线，意味着柘中股份转型半导体材料业务迈出一大步。柘中股份2021年9月27日公告，为布局集成电路上游产业，促进公司产业结构转型升级，公司拟出资8.16亿元，认购中晶半导体8亿元新增注册资本。本次增资完成后，中晶半导体注册资本增至18亿元，柘中股份持有中晶半导体44.44%股份；同时，康峰投资将其持有的中晶半导体14.25%股权对应表决权无条件委托给柘中股份；最终，柘中股份合计持有中晶半导体58.69%表决权，成为其控股股东。2021年11月24日，柘中股份披露，公司控股子公司中晶（嘉兴）半导体有限公司改名为国晶（嘉兴）半导体有限公司。柘中股份表示，公司根据现金流安排和国晶半导体目前经营情况及未来发展，在国晶半导体尚未投产前增资入股，有利于在避免承担国晶半导体设立初期投资风险的前提下，锁定投资低价，降低上市公司投资成本。本次投资后，柘中股份主营业务将涉及半导体材料行业。陆仁军介绍，国晶半导体12英寸硅片生产线是嘉兴市着力引进的项目，也是南湖区重大集成电路项目。为提升技术及硅片品质，国晶半导体成立了晶体生长实验室、物理、化学以及应用实验室，并争取2022年跻身为国家一流实验室；届时将填补南湖区在集成电路产业核心原材料方面的空白，并带动长三角地区大硅片相关辅助材料、设备投资及相关配套产业发展。柘中股份已经与其客户建立起广泛的业务合作。据悉，包括中芯国际、华虹宏力等国内晶圆厂，广泛采购柘中股份的电力系统相关设备。近年来，柘中股份也深度参与了多个国内晶圆厂的建设任务。

全球PVC（聚氯乙烯）及半导体硅片龙头大厂信越化学（Shin-Etsu Chemical）在7月26日日本股市盘后公布了2024年二季度财报，整体业绩优于公司此前预期，营业利润6个季度来首度恢复增长。信越化学表示，半导体硅片市场终于触底，12英寸产品出货量在AI需求推动下，将自7-9月以后逐步增加。财报显示，信越化学二季度虽然PVC销售萎缩，但半导体硅片等半导体材料销售增长，合并营收较去年同期下滑0.2%至5,979亿日元；合并营业利润同比增长0.1%至1,910亿日元，这也是近6个季度来首度呈现增长；合并净利润同比下滑6.3%至1,440亿日元，连续第6个季度陷入萎缩。不过，与信越化学上季对于营业利润（1,650亿日元）、净利润（1,200亿日元）的预期相比，最终的二季度业绩均由于预期。从各主要业务来看，二季度信越化学以PVC为核心的“生活环境基础材料（还包含苛性钠等产品）”业务营收较去年同期减少3.3%至2,325亿日元、营业利润下滑15.2%至679亿日元。信越化学指出，来自中国PVC厂商的出口压力持续，不过以北美为中心、调涨了PVC价格。二季度信越化学以半导体硅片为核心的“电子材料（还包含稀土磁铁、光刻胶、合成石英等）”业务营收成长3.0%至2,270亿日元，营也利润增长11.8%至895亿日元，获利金额居所有之首。信越化学指出，在半导体市场上，自2022年秋天以后开始的调整局面已大致触底，复苏情况依用途、领域而有所差异。在此种情况下，致力于照原定计划出货半导体硅片、光刻胶等半导体材料。信越化学董事轰正彦表示，“硅晶圆需求终于触底”，预估12英寸产品出货量在AI需求带动下、“将自7- 9月以后逐步增加”。信越化学此前公布的2024年财年（2024年4月-2025年3月）财测预估，合并营收将年增3.5%至2.5万亿日元、合并营业利润将年增4.8%至7,350亿日元、合并净利润将年增2.5%至5,330亿日元。根据Yahoo Finance的报价显示，于美国挂牌的信越化学ADR 26日飙涨6.82%，收于21.45美元/股。

中环领先集成电路用大直径硅片项目总投资30亿美元的中环领先集成电路用大直径硅片项目一期已经投产，二期部分投产，全部达产后将形成年产8英寸硅片900万片、12英寸硅片420万片的产能。据不完全统计，“中环系”已在宜兴市投资约500亿元。中车中低压功率器件产业化项目一期今年3月开工的总投资59亿元的中车中低压功率器件产业化项目一期，目前正在加快推进建设，计划年内主体工程封顶，预计2024年底投产。该项目产品主要用于新能源汽车领域，达产后可新增年产36万片中低压组件基材的生产能力，满足每年300万台新能源汽车或300GW新能源发电装机需求。无锡海容电子超级陶瓷电容器与智能传感器制造项目总投资103亿元的无锡海容电子超级陶瓷电容器与智能传感器制造项目厂房已经封顶，预计年内一期竣工投产。去年4月，无锡海容电子超级陶瓷电容器与智能传感器制造项目开工仪式在无锡宜兴举行。该项目建成投产后，将年产4000亿只高压高容多层片式电容器、200万只氮氧传感器、1亿只汽车传感器等。

6月12日，山东有研艾斯“12英寸集成电路用大硅片产业化项目”首台设备顺利搬入德州新厂房，12英寸项目厂房建设基本完成，开始进入设备搬入及工艺调试阶段。据官方介绍，该是中国有研、RST株式会社及有研硅布局建设的重点项目，项目在北京建有研发中心及中试线。目前出货量达到4万片/月。项目建设于2021年底启动，项目组严格执行计划进度，顺利完成厂房建设，按计划开始设备搬入及工艺调试，预计2023年10月完成全部设备搬入实现量产。据“德州天衢新区”今年4月底消息，该项目总投资62亿元，第一阶段投资25亿元。项目第一阶段于2022年6月开工建设，预计今年10月份通线量产。两阶段投资完成并达产后可形成年产360万片12英寸硅片的产能，全国市场占有率达20%。项目建成后，德州将成为北方最大的半导体硅材料产业基地，解决我国12英寸硅片长期“卡脖子"难题。

300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料，对整个集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对我国集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求，亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题，进而开发大直径单晶晶体生长技术，实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控，满足射频、存储等领域的应用需求。 　　近日，中科院微系统所魏星研究员团队，在300mm晶体生长的数值模拟研究领域取得重要进展。该团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体感应电流对硅熔体内对流和传热传质的影响机制，相关成果于2023年05月以 “Effects of induced current in crystal on melt flow and melt-crystal interface during industrial 300 mm Czochralski silicon crystal growth with transverse magnetic field”为题，发表在美国化学会旗下晶体学领域的旗舰期刊《Crystal growth & design》上。 　　在本工作中，通过对比三组仿真结果，系统的分析了晶体电导率、磁场强度、晶转速率这三个关键参数对晶体内感应电流的影响，进而分析了其对熔体对流、温度分布和界面形状的影响。结合实验数据，模型准确性得以验证，并预测了建模所需的合理的晶体电导率。研究结果表明，当晶体中感应电流增加时，界面下强制对流的驱动力逐渐从离心力转变为洛伦兹力，并改变强制对流的旋转方向，从而影响固液界面形状。这项研究弥补了传统模型的忽略晶体感应电流的不足，首次系统地揭示了晶转引起的感应电流以及关键工艺参数对传热传质、固液界面等的影响，大大提高了仿真结果的准确性，为近零缺陷硅片产品晶体生长技术的优化提供了理论支撑。 　　中科院上海微系统所陈松松助理研究员为文章的第一作者，魏星研究员为通讯作者。 中国科学院上海微系统与信息技术研究所原名中国科学院上海冶金研究所，前身是成立于1928年的国立中央研究院工程研究所，是中国最早的工学研究机构之一。中国科学院上海微系统与信息技术研究所学科领域为：电子科学与技术、信息与通信工程；学科方向为微小卫星、无线传感网络、未来移动通信、微系统技术、信息功能材料与器件。图 1 模型示意图2 (a)晶体感应电流，(b)强制对流驱动力示意图和熔体自由液面温场、流场分布图

据德州天衢新区官微消息，近日，山东有研刻蚀设备用硅材料及硅片扩产项目开工仪式正式举行，总投资7.41亿元。据悉，本次开工的刻蚀设备用硅材料及硅片扩产项目是有研半导体硅材料股份公司的上市募投项目。其中，刻蚀设备用硅材料项目总投资3.57亿元，主要生产大尺寸单晶硅部件加工品，为集成电路刻蚀设备所用的硅部件，项目达产后年新增硅材料204吨，年实现营业收入3.9亿元；8英寸硅片扩产项目总投资3.84亿元，产品为集成电路用直径8英寸硅抛光片，全部达产后新增8英寸硅片产品120万片/年的生产能力，年均营业收入2.4亿元。资料显示，山东有研是半导体材料生产龙头企业，目前生产的产品广泛应用于集成电路、功率器件等多个领域，重点满足我国物联网、汽车电子、工业制造、手机摄像头等领域需求。

中国经济新闻网成都讯 9月27日，天威新能源控股有限公司技术中心在成都双流正式揭牌，该中心的成立标志着新天威能源进入了新的发展阶段，该中心也是在中国新能源光伏行业里，国有企业中第一家与世界接轨的技术中心，对推动中国太阳能光伏行业发展和把成都建设成为国家级新能源产业基地具有重大意义。 　　据了解，作为成都打造国家级新能源基地的龙头企业——天威新能源公司，今年销售收入将达40亿元，到2015年将达200亿元。该公司作为西部“转方式、调结构”的典型在推动产业升级，转变发展方式，发展低碳产业上也做出了相应贡献。 　　揭牌当天，记者了解到，天威新能源控股公司技术中心已建成的研发大楼面积近4000平方米，已配备或正在配备国际最顶尖的光伏检测和实验设备，包括洁净室的面积达2000平方，以及来自美国GT和Spire、瑞士HCT、德国RENA和Roth&Rau、荷兰Tempress、意大利Baccini、美国PV Measurement光谱响应仪、荷兰Sunlab Core Scan、匈牙利 Semilab及 WT-2000PVN少子寿命测试仪、美国 Thermo-Fisher红外傅里叶变换光谱仪等世界一流的研发设备。这些先进的仪器和设备能够满足从硅片到组件整个的太阳能产业链的研发的工作需要，为从事国际领先水平的科研活动奠定了坚实的硬件基础。 　　据介绍，天威新能源控股有限公司是天威集团在西南地区投资最大的新能源企业之一，位于成都双流西南航空港经济开发区，占地约1000亩，总投资约125亿元，是一家专业从事晶体硅硅片、光伏电池、光伏组件、光伏系统工程及光伏应用产品的研究、生产、销售和服务的高科技国际化企业，拥有六个子公司，即天威新能源(成都)硅片有限公司、电池有限公司、光伏组件有限公司、光伏材料有限公司、天威(成都)太阳能热发电开发有限公司、美国HOKU公司。 　　另据了解，该公司规划分为三期实施，一期投资18亿元，主要建设多晶硅片200MW，晶体硅电池100MW，光伏组件100MW，一期已于2009年6月全部投产 二期项目投资26亿元用于建设多晶硅片300MW，电池片400MW，光伏组件100MW和光伏技术研发中心，二期项目将于2010年底建成投产 三期主要建设多晶硅硅片500MW，单晶硅硅片500MW，晶体硅电池片1000MW，光伏新型组件300MW和其他光伏产业相关项目。三期项目达产后将形成硅片、电池各1.5GW产能，实现从晶体硅片加工、晶体硅电池片到光伏组件、光伏电站组成的产业链和完整的光伏产业群，年销售收入达到200亿元以上。天威新能源作为新能源的国家队，目标到2015年成为全球新能源的领军企业之一。 　　世界太阳能之父马丁• 格林教授表示，希望与天威新能源进一步就科技研发、前沿科技等领域加强沟通、交流与合作，为推动世界光伏太阳能科技进步和可再生资源的广泛应用作出贡献。

据江北科投集团2月14日消息，江北新区企业中安半导体于近日完成A轮2亿元融资。本次融资由中芯聚源、元禾璞华领投，江北科投、红杉资本以及老股东华登国际、金茂资本参与跟投，本轮融资资金主要用于新产品研发。江北科投集团消息显示，中安半导体于2020年3月在南京江北新区成立。另据企查查信息，中安半导体注册资本为2979.58万元人民币，是一家半导体检测设备研发商，旗下拥有硅片检测技术，旗下主要提供半导体硅片平整度检测设备、三维形貌检测设备等服务。据悉，中安半导体是利用公司自有的先进专利技术开发精密的晶圆量测和检测设备，目前已研发了200mm和300mm晶圆平整度翘曲度测量的设备。

乘风“碳中和”| 发展新能源---光伏材料的金属元素检测方案王英光伏技术Photovoltaics在我国“力争2030年前实现碳达峰，2060年前实现碳中和”的目标指引下，能源低碳转型步入长发展周期，光伏、风电作为可再生能源将逐渐取代传统化石能源。我国当前光伏、风电总装机容量在2-3亿千瓦，到2030年将达到12亿千瓦，未来的零碳城市将随处可见光伏技术。 光伏产业链主要由硅料环节、硅片环节、电池环节、电池组件环节以及应用产品环节组成，其中硅片是太阳能电池最重要的材料。硅片材料以及其它应用在太阳能电池的相关辅料如光伏玻璃的纯度直接影响到太阳能电池的性能和寿命。 图片来自百度百科 赛默飞不断开发光伏材料中的金属离子的检测方案，为太阳能电池材料及重要部件的纯度保驾护航。从上游晶体硅原料到光伏组件，帮助客户建立完整的质量控制体系。 ICP-OES 测定工业硅中的磷、硼及其它金属元素工业硅通常情况下作为生产高纯度多晶硅和单晶硅的原材料，对其杂质元素含量的准确测定成为控制最终成品质量的重要保障，基于工业硅样品中磷、硼元素存在易挥发损失造成回收率偏低的特殊性质，赛默飞采用iCAP PROSeries ICP-OES法建立工业硅样品中磷、硼以及其它金属元素准确可靠的分析检测方法。 iCAP™ PRO ICP-OES iCAP PRO Duo ICP-OES的水平和垂直观测模式以及耐氢氟酸进样系统，对于硅粉样品中的多种杂质元素进行测定，其快速、简单、准确的特点，完全满足于工业硅样品中磷、硼、钙、铁等杂质元素的日常检测需求。 ICP-MS测定光伏玻璃中的痕量杂质光伏玻璃的主要原料成分包括石英砂、纯碱。石英砂主要是起着网络形成体的作用，用量通常占据玻璃组分的大半，由于晶硅太阳能电池本身机械强度差，容易破裂，空气中的水分和腐蚀性气体会逐渐氧化和锈蚀电极，无法承受露天工作的严酷条件，为此，太阳能电池通常采用光伏玻璃通过 EVA 和背板进行封装，这样既可保护电池不受水气侵蚀、阻隔氧气防止氧化、耐高低温、还具有良好的绝缘性和耐老化性能，光伏玻璃必须具备良好的透光率，因此对于杂质含量的控制具有严格的限制。 iCAP™ ICP-MS 赛默飞的iCAP RQ ICP-MS可以测定ppb级的Ca Co Cr 等10多种金属杂质。其一键仪器设置和直观分析工作流程，为操作人员简化了实验步骤并避免出错，同时自动和记录监控仪器状态，确保了操作的一致性和结果的重现性。 总结： 光伏在双碳政策的激励下，会进入长足的发展。赛默飞为客户提供痕量金属离子解决方案，助力光伏产业大发展。 扫描下方二维码即可获取赛默飞全行业解决方案，或关注“赛默飞色谱与质谱中国”公众号，了解更多资讯+

近日，合肥高新集团投资企业合肥御微半导体技术有限公司（以下简称“御微半导体”）晶圆检测设备发往长鑫存储技术有限公司（以下简称“长鑫存储”）。本次发运的晶圆缺陷检测产品，将帮助长鑫存储在晶圆生产前道制程中更加及时、全面、高效地检测出产品缺陷，从而减少缺陷产品处理中的不必要投入。作为一体化存储器制造商，长鑫存储专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成中国大陆第一座12英寸晶圆厂并顺利投产。长鑫存储是御微半导体安徽省内的首家客户，此次产品的成功发运，也为御微半导体进一步拓展安徽市场奠定了坚实基础。御微半导体总部于2021年7月正式落户合肥高新区，2022年1月正式投产，以集成电路检测设备为主营业务，始终致力于保障国家集成电路供应链的安全和自主可控，此前成功发运了合肥首台硅片全景检测产品。

p style=" line-height: 1.75em " span style=" line-height: 1.75em " & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 所谓的PERC电池(钝化发射极背面接触)是目前最经济的太阳能电池设计，现在可以使用最高对比度进行独立检测。使用全新的检测系统，挑战检测电池的背侧。使用独有的多通道、多图像技术，将高对比度的图像部分与清晰的最终图片相结合。允许检测预定义的图案形状，工具套件避免了伪缺陷，最小化PERC检测中的滑移率。因此，太阳能电池制造商就有了易于操作且极具成本效益的方法，用于提高其生产效率。 /span br/ /p p style=" line-height: 1.75em " 　　由于使用PERC技术的电池设计预期将成为光伏生产的新标准，太阳能产业正逐渐对该技术展现出浓厚的兴趣。在“钝化发射极背面接触”电池的制造中，含有氧化铝和氮化硅的电介质钝化层能确保入射光的最高效利用。将钝化层置于电池背部之后，然后使用激光打开接触点，背部金属应在此处接触硅片。这些微米范围的激光开口对于电池的效率十分重要，可使用后激光检测进行详细分析。将铝层印刷在顶部，在电池制造的最后使用高温将其烘烤，就能通过薄金属层看到激光开口。这挑战了光学质量分类流程中的电池背侧检测。伪缺陷或之前没有注意到的印刷缺陷会导致分类不尽人意，还会造成本可避免的返工和材料成本。 /p p style=" line-height: 1.75em " 　　 strong 最佳对比度的多色照明及其结果 /strong /p p style=" line-height: 1.75em " 　　大多数与之竞争的系统通常都尝试使用红光或白光以实现在PERC上的完整对比度，而多通道技术则部署了多个不同波长的照明光线。通过光谱成像并允许用户忽略微小的色差或颜色渐变，支持最佳且最稳定的对比度。通过将从多种照明类型所得到的信息相结合，ISRA VISION/GP SOLAR的多图像技术可以实现对信息量最大的图片的计算。其结果是，用户仅能体验到接触面或缺陷的清晰轮廓。相关位置周围的独立涂层的原始颜色变得不重要。 /p p style=" line-height: 1.75em " 　　 strong 通过图案编辑器轻松定义印刷图案和形状 /strong /p p style=" line-height: 1.75em " 　　除此之外，还有一个灵活的 CAD 式编辑器为PERC检测技术提供支持，以定义任意后侧接触面形状，该编辑器与正面印刷图案编辑器相似。这允许开展个性化检测，并可最快速地在现场实施。因此，客户可以避免对额外程序编制或 R& amp D 的投资。编辑器可保存指定图案，允许将其在不同的产品线和制造地点之间进行传输。除了印刷设计图案之外，每个单独的检测任务连同其容错度和缺陷分类都是该方法的一部分。这确保了新产品线的轻松升级，允许制造商旗下所有工厂及其遍布全球的子公司对某一电池类型都使用统一的质量标准。 /p p style=" line-height: 1.75em " 　　多通道和多图像技术是ISRA VISION/GP SOLAR为光伏检测推出的两项新兴技术。通过多项技术延伸，如同CHROME+一样将技术整合，这对太阳能行业的创新型检测来说是一项突破。这些技术使得所有制造商都可以在生产步骤和终端控制中进行高效的质量监管，以最大化成本效率和收益。ISRA VISION/GP SOLAR通过其检测技术综合产品组合，为您提供从硅片检测到最终电池成品，针对所有新电池设计的最合适的解决方案。 /p p style=" line-height: 1.75em text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/a3a29eeb-9d3d-48fd-a95d-e13700b61fea.jpg" title=" W020160421397808373820.jpg" / & nbsp /p p style=" line-height: 1.75em text-align: center " 　　CAD式图案编辑器拥有任何所需的接触面设计的形状 /p p style=" line-height: 1.75em text-align: center " & nbsp img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/fb6893b8-19b3-4ab3-8eb6-cb362cde0b72.jpg" title=" 2.png" width=" 500" height=" 500" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 500px height: 500px " / /p p style=" line-height: 1.75em text-align: center " 　　多通道照明提供不受原始表面色彩影响的清晰灰度图 /p p style=" line-height: 1.75em text-align: center " & nbsp img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/c464e491-a01f-476b-9e6e-baf774dc78c4.jpg" title=" 3.jpg" width=" 264" height=" 600" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 264px height: 600px " / /p p style=" line-height: 1.75em " 　　多通道和多图像技术是ISRA VISION/GP SOLAR的通用CRHOME+应用程序产品组合。 /p p br/ /p

直播预告|3.28清洁能源中的先进检测技术近年来，我国在光伏、氢能等多个清洁能源领域取得了重大突破和进展，发展势头居于全球前列。今年两会上，不少代表委员们，将目光锁定清洁能源。云南分析测试协会与仪器信息网联合举办 清洁能源中的先进检测技术 ，以网络在线报告形式，针对当下清洁能源的检测新技术等进行探讨，为同行搭建学习互动平台，增进学术交流，促进我国清洁能源产业高质量发展。主办单位：云南分析测试协会&仪器信息网会议日程报告时间报告题目报告嘉宾09:30—10:00磷酸铁锂产业化现状及研究进展王丁昆明理工大学冶金与能源工程学院 副院长/副教授10:00—10:30固态钠离子电池电解质关键材料郭洪云南大学 教授10:30--11:00质子交换膜燃料电池(PEMFC)双极板材料及制备技术苑振涛昆明理工大学材料学院 副教授14:00—14:30硅片切割废料高值利用技术及研究进展魏奎先昆明理工大学冶能学院 教授14:30—15:00阿根廷某金矿工艺矿物学研究赵晖昆明冶金研究院有限公司 副主任工程师/高级工程师15:00—15:30新能源锂电池材料电镜表征及锂测量的新进展刘拥军云南大学现代分析测试中心 研究员演讲嘉宾（排名不分先后）报名方式1、点击链接直接报名：https://insevent.instrument.com.cn/t / F a s 2、扫码添加小助手，报名并领取相关资料包

研究人员一直在努力开发高度可靠和灵敏的表面增强拉曼散射(SERS)基底，用于检测复杂系统中的化合物。在这项工作中，我们提出了一种用不完全包裹的普鲁士蓝(PB)构建Au核的策略，用于高可靠性和高灵敏度的SERS衬底。包裹的铅层可以提供内标(IS)来校准SERS信号浮动，而金岩心的暴露表面提供增强效应。信号自校准和增强之间的平衡(因此SERS可靠性和灵敏度之间的折衷)通过Au核上PB层的近似半包裹配置(即SW-Au@PB)来获得。提出的SW-Au@PB纳米粒子(NPs)表现出与原始Au NPs相似的增强因子，并有助于使用R6G作为探针分子的校准SERS信号的超低RSD (8.55%)。SW-Au@PB NPs同时实现的可靠性和灵敏度还可以检测草本植物中的有害农药残留，如百草枯和福美双，平均检测准确率高达92%。总的来说，这项工作主要为不完全包裹的纳米粒子提供了一种可控的合成策略，最重要的是，探索了在具有不同溶解度的危险物质的精确和灵敏的拉曼检测中的概念验证实际应用的潜力。a)IW-金@PB纳米颗粒的制造。b)IW-金@PB纳米粒子系统信号自校准能力的原理。c)模拟原始金纳米颗粒、IW-金@PB纳米颗粒和基于核壳的FW-金@PB纳米颗粒的局部电场分布。d)IW-金@PB纳米颗粒的拉曼光谱。e)具有不同铅包裹度的IW-金@PB纳米颗粒的典型TEM图像，包括LW-金@PB、SW-金@PB和NFW–金@PB纳米颗粒。f)原始金纳米颗粒、PB纳米颗粒和具有不同PB层包裹程度的IW-金@PB纳米颗粒的紫外/可见吸收光谱。g)关于IW-金@PB纳米颗粒红移的吸收光谱的放大图。R6G的典型SERS光谱，其中原始Au NPs、LW-Au@PB NPs、SW-Au@PB NPs和NFW–Au @ PB NPs作为SERS基底。b)当在硅片上蒸发SW-Au@PB NPs/R6G时，R6G特征峰(612cm-1)和IS峰(2155cm-1)的SERS强度以及它们在随机选择的15个点上的强度比。c)当在硅晶片上蒸发Au NPs/R6G时，R6G特征峰(612cm-1)的SERS强度穿过随机选择的15个点。d)硅晶片上SW-Au@PBNPs分布的典型SEM图像。e-f)硅晶片上蒸发的SW-Au@PB NPs/R6G (e)的校准SERS信号和Au NPs/R6G (f)的SERS信号的映射结果。g)疏水纸上SW-Au@PB NPs分布的典型SEM图像。h-I)SW-Au @ PB NPs/R6G(h)的校准SERS信号和Au NPs/R6G (i)的SERS信号在疏水纸上蒸发的映射结果。a-b)在硅片(a)和疏水纸(b)上具有不同R6G浓度的SW-Au@PB NPs/R6G的典型SERS光谱。c)R6G特征峰的校准SERS强度与R6G浓度的对数之间的对应关系。d)基于SW-Au@PB NPs和疏水纸，跨10个批次的R6G特征峰的相对SERS强度，在每个批次中随机选择5个点。e)长期储存SW-Au@PB NPs和疏水纸后R6G的典型SERS光谱。f)长期稳定性试验中R6G特征峰的相应相对SERS强度。a)基于SW-Au @ PB NPs/疏水纸系统的不同浓度百草枯的典型SERS光谱。b)百草枯特征峰的相对SERS强度与百草枯浓度对数的对应关系。c)基于SW-Au @ PB NPs/疏水纸系统的不同浓度的福美双的典型SERS光谱。d)福美双特征峰的相对SERS强度与福美双浓度的对数的对应关系。三种草本植物中百草枯(e)和福美双(f)的典型SERS光谱。相关成果以“Semi-wrapped gold nanoparticles for surface-enhanced Raman scattering detection”，发表在国际学术期刊“Biosensors and Bioelectronics”上。

自1988年首次在上海举办以来，SEMICON China已成为中国首要的半导体行业盛事之一，囊括当今世界上半导体制造领域主要的设备及材料厂商。SEMICON China 2021将于2021年3月17-19日在上海新国际博览中心举办，珀金埃尔默将携多款仪器亮相。作为分析检测设备和技术的领先供应商之一，珀金埃尔默公司在半导体领域拥有广泛的用户和丰富的经验；在痕量的金属元素分析、环境中VOCs检测、材料组分分析等方面均能提供全面的解决方案。在“SEMICON China 2021”大会期间，我们将邀请行业专家共同探讨半导体行业的新进展，同时展示珀金埃尔默最新的半导体行业应用方案。期待您的莅临！半导体行业检测技术研讨会2021年3月17日（周三）下午13:30-16:50上海新国际博览中心N3馆M43会议室（上海市浦东新区龙阳路2345号）特邀主讲人李春华上海市计量测试技术研究院电子级试剂组组长兼上海市电子化学品计量检测技术服务平台技术主管华东理工大学材料科学与工程专业毕业，研究生硕士，九三学社社员。2009年3月参加工作，高级工程师，现任上海市计量测试技术研究院电子级试剂组组长兼上海市电子化学品计量检测技术服务平台技术主管。担任全国化学标准化技术委员会化学试剂分会委员，至今已参与起草国家标准10余项。从事检测分析12年，在痕量和超痕量杂质检测方面富有经验，熟悉电子化学品和药品中无机元素的方法学开发和验证工作。所属实验室在湿电子化学品、电子级多晶硅、硅片、光刻胶、抛光液、金属靶材和电子级气体领域已通过CNAS和CMA认证。陈微微上海新昇半导体科技有限公司华东理工大学化学工程硕士毕业至今，一直专注在半导体行业的化学分析领域，特别是对ICP-MS在半导体行业的应用，有深入研究。2016年至今就职于上海新昇半导体科技有限公司，负责化学实验室技术和管理工作，擅长的仪器：VPD、ICP-MS、IC、GC-MS等，在对单晶硅片、多晶硅、高纯化学品、高纯水复杂基体原材料测试方面，有丰富的经验。日程安排13:30-14:00签到14:00-14:10领导致词14:10-14:50湿电子化学品标准体系介绍和质量要求（主讲人：李春华 上海市计量测试技术研究院）14:50-15:30了解300mm大硅片（主讲人：陈微微 上海新昇半导体科技有限公司）15:30-15:40茶歇15:40-16:10珀金埃尔默在半导体行业的综合检测方案（主讲人：华瑞博士 珀金埃尔默材料表征应用市场经理）16:10-16:40NexION® 5000在半导体级电子化学品分析中的应用及优势（主讲人：徐俊俊 珀金埃尔默资深技术支持）16:40-16:50互动环节报名方式扫描下方二维码在本届展会上，珀金埃尔默将向您展示荣获《The Analytical Scientist（分析科学家）》杂志评选 的“2020年度创新奖（The Innovation Award 2020）”第一名，同时荣登2021 Wiley Analytical Science光谱/显微类仪器榜首的NexION® 5000多重四极杆ICP-MS，以及Spotlight 200i傅立叶变换红外显微镜，Spectrum 3 FT-NIR/IR/FIR傅立叶近红外/中红外/远红外光谱仪亮相。期待您莅临展位参观仪器、现场交流，现场签到还可领取精美礼品！展位号：T3337

我们共同生活的星球，光几乎无处不在，它滋养了万物，同时也给我们留下了很多神奇的现象，比如“彩虹”。可能您认为彩虹没什么神奇的，但您清楚为什么会形成彩虹吗？可能您又默默地拿出了高中课本，没错就是由于光的衍射形成的。但是什么是“光的衍射”哪？据非权威消息，弗朗西科玛利亚格里马迪最早说明了光的衍射，对的，不是自然百科全书牛顿，比他早了几十年。某一天，有点和那个著名的苹果故事类似，他发现从百叶窗射进来的光，照射在一根棍子上，棍子的影子不但加宽，并且出现了彩带，他就这么把光具有波动性的理论提出来了。当然后面光是一种“波”还是一种“粒子”，大家争论了很久，最后“遇事不决，量子力学”，总算基本统一到光具有波粒二象性。瑞士洛桑联邦理工学院科学家拍摄的有史以来第一张光既像波，同时又像粒子流的照片在整个漫长的科学争论中，科学家总是要用数据说话的，光的检测设备，就作为争论的副产品和“武器”，顺应不同时代的需求被研制了出来。现在已经基本没有了关于“波粒二象性”的争论，是不是关于“光”的探索就停下了吗？并没有，光化身成了“幕后英雄”，化身成“光电材料”，默默地走入了智能穿戴设备、生物识别、物联网、自动驾驶、安防、通信等等领域。比如您现在看的手机屏幕（这是一篇公众号，电脑的概率很小吧），屏幕亮度够不够、图像是不是清晰、刷的久一点眼镜会不会不舒服，这些都是由光电材料性能来决定的。那么光电材料性能怎么样，是如何检测的哪？没错，现在的主要方法是用“分光光度计”，它可以告诉你光过去了多少，反射了多少，带宽多少，禁带宽度多少，可见光透射比多少，光热比多少，还可以有很多个“参数”… … PerkinElmer Lambda1050+光谱仪TAMS绝反变角度透射反射附件光路图甚至可以自动围着你的手机转一圈，告诉您您的手机内容在各个角度（可视角）都可以看得清，防窥膜的作用也就仅能控制在3点钟方向。不同波长下BSDF（BRDF+BTDF）测试等等，“你来电话啦”。怎么刚刚还亮亮的屏幕变“暗”啦，又一个知识点来了，您的手机上有一个感知您与手机距离的镜头，他的专一性“带宽”非常好，好到只为您一个人服务。用于生物识别的滤光片透射数据如果这个专一性很好的材料用在能量更强的紫外区，搭配不同的宝石和气体，您将拥有一柄专属的“光之剑”，在硅片上刻画纳米的世界。祝您早日成为“光之巨人”广告时间：作为极具规模及影响力的光电综合性展会，第24届CIOE中国光博会将于2022年9月7-9日在深圳国际会展中心举办，面向光电及应用领域提供前沿的光电创新技术及综合解决方案，助力企业与光电行业上下游进行商贸洽谈，达成商业合作。作为一家具有80多年历史的全球性技术公司，珀金埃尔默始终致力于为创建更健康的世界而持续创新，也将亮相此次会议，并在7号馆设有展位，展位号7D005 ，欢迎您的莅临！展会时间：2022年9月7-9日展会地点：深圳国际会展中心展位号：7D005

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 半导体器件生产中，从半导体单晶片到制成最终成品，须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠，并有高的成品率，根据各种产品的生产情况,对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。因而,在生产过程中必须建立相应的系统和精确的监控措施，首先要从半导体工艺检测着手。 /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 半导体工艺检测的项目繁多，内容广泛，方法多种多样，可粗分为两类。第一类是半导体晶片在经历每步工艺加工前后或加工过程中进行的检测，也就是半导体器件和集成电路的半成品或成品的检测。第二类是对半导体单晶片以外的原材料、辅助材料、生产环境、工艺设备、工具、掩模版和其他工艺条件所进行的检测。第一类工艺检测主要是对工艺过程中半导体体内、表面和附加其上的介质膜、金属膜、多晶硅等结构的特性进行物理、化学和电学等性质的测定。其中许多检测方法是半导体工艺所特有的。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 工艺检测的目的不只是搜集数据，更重要的是要把不断产生的大量检测数据及时整理分析，不断揭示生产过程中存在的问题，向工艺控制反馈，使之不致偏离正常的控制条件。因而对大量检测数据的科学管理，保证其能够得到准确和及时的处理，是半导体工艺检测中的一项重要关键。同时半导体检测也涉及大量的科学仪器，针对于此，对一些半导体检测的仪器进行介绍。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/537.html" target=" _self" 椭偏仪 /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 椭偏仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高，适用于超薄膜，与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 目前，椭偏仪是测量透明、半透明薄膜厚度的主流方法，它采用偏振光源发射激光，当光在样本中发生反射时，会产生椭圆的偏振。椭偏仪通过测量反射得到的椭圆偏振，并结合已知的输入值精确计算出薄膜的厚度，是一种非破坏性、非接触的光学薄膜厚度测试技术。在晶圆加工中的注入、刻蚀和平坦化等一些需要实时测试的加工步骤内，椭偏仪可以直接被集成到工艺设备上，以此确定工艺中膜厚的加工终点。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/1677.html" target=" _self" span style=" text-indent: 2em " 四探针测试仪 /span /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 四探针测试仪是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻等的测量仪器。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 测量半导体电阻率方法的测量方法主要根据掺杂水平的高低，半导体材料的电阻率可能很高。有多种因素会使测量这些材料的电阻率的任务复杂化，包括与材料实现良好接触的问题。特殊的探头设计用于测量半导体晶片和半导体棒的电阻率。这些探头通常由诸如钨的硬质金属制成，并接地到探头。在这种情况下，接触电阻很高，必须使用四点共线探针或四线绝缘探针。两个探针提供恒定电流，另外两个探针测量整个样品一部分的电压降。通过使用所测电阻的几何尺寸来计算电阻率。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 薄膜应力测试仪 /span br/ /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项，其测试的精度、重复性、效率等因素为业界所重点关注。对应产品目前业界有两种主流技术流派：1）以美国FSM、KLA、TOHO为代表的双激光波长扫描技术（线扫模式），尽管是上世纪90年代技术，但由于其简单高效，适合常规Fab制程中进行快速QC，至今仍广泛应用于相关工厂。2）以美国kSA为代表的MOS激光点阵技术，抗环境振动干扰，精于局部区域内应力测量，这在研究局部薄膜应力均匀分布具有特定意义。线扫模式主要测量晶圆薄膜整体平均应力，监控工序工艺的重复性有意义。但在监控或精细分析局部薄膜应力，激光点阵技术具有特殊优势，比如在MEMS压电薄膜的应力和缺陷监控。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 热波系统 /span br/ /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 热播系统主要用来测量掺杂浓度。热波系统通过测量聚焦在硅片上同一点的两束激光在硅片表面反射率的变化量来计算杂质粒子的注入浓度。在该系统内，一束激光通过氩气激光器产生加热的波使硅片表面温度升高，热硅片会导致另一束氦氖激光的反射系数发生变化，这一变化量正比于硅片中由杂质粒子注入而产生的晶体缺陷点的数目。由此，测量杂质粒子浓度的热波信号探测器可以将晶格缺陷的数目与掺杂浓度等注入条件联系起来，描述离子注入工艺后薄膜内杂质的浓度数值。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " ECV设备 /span /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布。电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业，是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 少子寿命测试仪 /span /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义。少子寿命测试仪可以直接获得长硅的质量参数。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/34.html" target=" _self" 拉曼光谱 /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 拉曼光谱是一种散射光谱。拉曼光谱分析法是基于印度科学家C.V.Raman在1928年所发现的拉曼散射效应，对与入射光频率不同的散射光谱进行分析以得到分子振动、转动方面信息并应用于分子结构研究的一种分析方法。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 拉曼光谱在材料科学中是物质结构研究的有力工具，在相组成界面、晶界等课题中可以做很多工作。半导体材料研究中，拉曼光谱可测出经离子注入后的半导体损伤分布，可测出半磁半导体的组分，外延层的质量，外延层混品的组分载流子浓度。 span style=" text-indent: 2em " & nbsp /span /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/31.html" target=" _self" 红外光谱仪 /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 红外光谱仪是利用物质对不同波长的红外辐射的吸收特性，进行分子结构和化学组成分析的仪器。红外光谱仪通常由光源，单色器，探测器和计算机处理信息系统组成。根据分光装置的不同，分为色散型和干涉型。对色散型双光路光学零位平衡红外分光光度计而言，当样品吸收了一定频率的红外辐射后，分子的振动能级发生跃迁，透过的光束中相应频率的光被减弱，造成参比光路与样品光路相应辐射的强度差，从而得到所测样品的红外光谱。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 红外光谱法操作简单，不破坏样品，使其在半导体分析的应用日趋广泛。半导体材料的红外光谱揭示了晶格吸收、杂质吸收和自由载流子吸收的情况，直接反映了半导体的许多性质，如确定红外透过率和结晶缺陷，监控外延工艺气体组分分布，测载流子浓度，测半导体薄层厚度和衬底表面质量。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 二次粒子质谱 /span /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 二次粒子质谱是借助入射粒子的轰击功能，将样品表面原子溅出，由质谱仪测定二次粒子质量，根据质谱峰位的质量数，可以确定二次离子所属的元素和化合物，从而可精确测定表面元素的组成。这是一种常用的表面分析技术。其特点是高灵敏度和高分辨率。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 利用二次离子质谱对掺杂元素的极高灵敏度的特点，对样品的注入条件进行分析，在生产中可以进行离子注入机台的校验，并确定新机台的可以投入生产。同时，二次离子质谱对于CVD沉积工艺的质量监控尤其是硼磷元素的分布和生长比率等方面有不可替代的作用。通过二次离子质谱结果的分析帮助CVD工程师进行生长条件的调节，确定最佳沉积工艺条件。对于杂质污染的分析,可以对样品表面结构和杂质掺杂情况进行详细了解，保证芯片的有源区的洁净生长，对器件的电性质量及可靠性起到至关重要的作用。对掺杂元素退火后的形貌分析研究发现通过改变掺杂元素的深度分布，来保证器件的电学性能达到设计要求。可以帮助LTD进行新工艺的研究对于90nm/65nm/45nm新产品开发起到很大作用。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " X射线光电子能谱仪 /span br/ /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " X射线光电子能谱仪以X射线为激发源。辐射固体表面或气体分子，将原子内壳层电子激发电离成光电子，通过分析样品发射出来的具有特征能量的光电子，进而分析样品的表面元素种类、化学状态和电荷分布等信息，是一种无损表面分析技术。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 这种技术分析范围较宽，原则上可以分析除氢以外的所有元素，但分析深度较浅，大约在25~100 Å 范围，不过其绝对灵敏度高，测量精度可达10 nm左右，主要用于分析表面元素组成和化学状态，原子周围的电子密度，特别是原子价态及表面原子电子云和能级结构。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " X射线衍射 /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 当一束单色X射线入射到晶体时，由于晶体是由原子规则排列成的晶胞组成，这些规则排列的原子间距离与入射X射线波长有X射线衍射分析相同数量级，故由不同原子散射的X射线相互干涉，在某些特殊方向上产生强X射线衍射，衍射线在空间分布的方位和强度，与晶体结构密切相关，每种晶体所产生的衍射花样都反映出该晶体内部的原子分配规律。这就是X射线衍射的基本原理。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 半导体制造中的大部分材料是多晶材料，比如互连线和接触孔。XRD能够将多晶材料的一系列特性量化。这其中最重要的特性包括多晶相(镍单硅化物，镍二硅化物)，平均晶粒大小，晶体织构，残余应力。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " 阴极荧光光谱 /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 阴极荧光谱是利用电子束激发半导体样品，将价带电子激发到导带，之后由于导带能量高不稳定，被激发电子又重新跳回价带，并释放出能量E≤Eg（能隙）的特征荧光谱。CL谱是一种无损的分析方法，结合扫描电镜可提供与形貌相关的高空间分辨率光谱结果，是纳米结构和体材料的独特分析工具。利用阴极荧光谱，可以在进行表面形貌分析的同时，研究半导体材料的发光特性，尤其适合于各种半导体量子肼、量子线、量子点等纳米结构的发光性能的研究。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如，对于氮化镓单晶，由于阴极萤光显微镜具有高的空间分辨率并且具有无损检测的优点，因此将其应用于位错密度的检测已经是行业内广泛采用的方法。目前也制定了相应的标准。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/1016.html" target=" _self" 轮廓仪 /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 轮廓仪是一种两坐标测量仪器，仪器传感器相对被测工件表而作匀速滑行，传感器的触针感受到被测表而的几何变化，在X和Z方向分别采样，并转换成电信号，该电信号经放大和处理，再转换成数字信号储存在计算机系统的存储器中，计算机对原始表而轮廓进行数字滤波，分离掉表而粗糙度成分后再进行计算，测量结果为计算出的符介某种曲线的实际值及其离基准点的坐标，或放大的实际轮廓曲线，测量结果通过显示器输出，也可由打印机输出。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 而利用先进的3D轮廓仪可以实现对硅晶圆的粗糙度检测、晶圆IC的轮廓检测、晶圆IC减薄后的粗糙度检测。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em font-size: 16px " AOI （自动光学检测） /span br/ /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " AOI的中文全称是自动光学检测，是基于光学原理来对焊接生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。AOI是新兴起的一种新型测试技术，但发展迅速，很多厂家都推出了AOI测试设备。当自动检测时，机器通过摄像头自动扫描PCB，采集图像，测试的焊点与数据库中的合格的参数进行比较，经过图像处理，检查出PCB上缺陷，并通过显示器或自动标志把缺陷显示/标示出来，供维修人员修整。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 运用高速高精度视觉处理技术自动检测PCB板上各种不同贴装错误及焊接缺陷。PCB板的范围可从细间距高密度板到低密度大尺寸板，并可提供在线检测方案，以提高生产效率，及焊接质量。通过使用AOI作为减少缺陷的工具，在装配工艺过程的早期查找和消除错误，以实现良好的过程控制。早期发现缺陷将避免将坏板送到随后的装配阶段，AOI将减少修理成本将避免报废不可修理的电路板。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " ATE测试机 /span /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 广义上的IC测试设备我们都称为ATE（AutomaticTest Equipment），一般由大量的测试机能集合在一起，由电脑控制来测试半导体芯片的功能性，这里面包含了软件和硬件的结合。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 在元器件的工艺流程中，根据工艺的需要，存在着各种需要测试的环节。目的是为了筛选残次品，防止进入下一道的工序，减少下一道工序中的冗余的制造费用。这些环节需要通过各种物理参数来把握，这些参数可以是现实物理世界中的光，电，波，力学等各种参量，但是，目前大多数常见的是电子信号的居多。ATE设计工程师们要考虑的最多的，还是电子部分的参数比如，时间，相位，电压电流，等等基本的物理参数。就是电子学所说的，信号处理。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 此外，原子力显微镜、俄歇电子能谱、电感耦合等离子体质谱仪、X光荧光分析、气相色谱等都可以用于半导体检测。而随着半导体制程工艺的进步，工艺过程中微小的沾污、晶格缺陷等都可能导致电路的失效等，半导体的工艺检测也凸显的越来越重要。 /p

8月11日，精测电子发布公告称，公司控股子公司深圳精积微近日与客户签订了销售合同，拟向客户出售半导体前道检测设备，总交易金额合计173,229,000元。精测电子表示，若本合同能顺利履行，预计将会对公司经营成果产生积极影响。本合同的签署，是公司与该客户在良好合作基础上进一步加深了双方的合作关系，体现了客户对公司半导体测试设备的高度认可，有助于拓展公司品牌影响力，提升公司的市场竞争力。此外，本合同的履行对公司的业务独立性不构成影响，公司主要业务不会因履行合同而对当事人形成依赖。资料显示，精测电子主要从事显示、半导体及新能源检测系统的研发、生产与销售。公司目前在显示领域的主营产品涵盖LCD、OLED、Mini/Micro-LED等各类显示器件的检测设备，包括信号检测系统、OLED调测系统、AOI光学检测系统和平板显示自动化设备等；在半导体领域的主营产品分为前道和后道测试设备，包括膜厚量测系统、光学关键尺寸量测系统、电子束缺陷检测系统和自动检测设备（ATE）等；在新能源领域的主要产品为锂电池生产及检测设备，主要用于锂电池电芯装配和检测环节等，包括锂电池化成分容系统、切叠一体机、锂电池视觉检测系统和BMS检测系统等。半导体产业化过程，设备先行，半导体前道检测设备是制约我国半导体制造产业的“卡脖子”难题，以美国科磊半导体为代表的国际巨头占据了全球量测检测设备大部分的市场。在政府引导和下游市场需求的双重推动下，越来越多的国产设备企业投入到半导体测试领域。精测电子在半导体领域致力于半导体前道量测检测设备以及后道电测检测设备的研发及生产，在光学领域自主开发针对集成电路微细结构及变化的OCD测量、基于人工智能深度学习的OCD人机交互简便易用三维半导体结构建模软件等核心技术，在电子束领域自主开发了半导体制程工艺缺陷全自动检测、晶圆缺陷自动识别与分类等核心技术，填补了国内空白。此外，公司在半导体光学、半导体电子光学及泛半导体领域积极进行项目研发，在半导体单/双模块膜厚测量设备、高性能膜厚及OCD测量设备、半导体硅片应力测量设备、FIB-SEM双束系统、全自动晶圆缺陷复查设备、DRAMRDBI测试设备、CP/FTATE设备等方面积累了大量经验，形成了较好技术沉淀。

自中美贸易战以来，国家对于半导体行业的重视日渐提升。为避免关键技术被“卡脖子”，国家大力推动半导体行业的发展，先后发布了《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》、《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》等政策，从财税政策、投融资政策、研究开发政策、进出口政策、人才政策、知识产权政策、市场应用政策、国际合作政策等多个层面支持国内半导体行业的自主创新。半导体材料主要包括第一代半导体材料（Si等）、第二代半导体材料（砷化镓GaAs、锑化铟InSb等）、第三代半导体材料（碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化锌ZnO、金刚石、氮化铝等），以及在半导体工艺环节必须用到的特种气体、靶材、光刻胶、显影液、抛光液和抛光垫、键合胶、电镀液、清洗液、刻蚀液、研磨材料、掩模版、光阻材料等。其中，大部分半导体材料依赖于对外进口，目前主要进口自美国、日本、韩国等。表1 热门半导体材料主要进口国家及地区主要半导体材料主要进口国家及地区硅片等日本、德国、韩国、美国、中国台湾砷化镓GaAs等日本碳化硅SiC等美国、欧洲特种气体美国、德国、法国、日本靶材美国、日本光刻胶中国台湾、日本、美国抛光液和抛光垫美国、日本、韩国研磨材料美国掩模版日本湿电子化学品德国、美国、日本、韩国、中国台湾光阻材料日本封装材料中国台湾半导体材料的晶体结构和缺陷杂质都将对半导体器件的性能产生较大的影响，因此半导体材料的检测对于成品质量具有至关重要的意义，以下整理了半导体检测中用到的主要科学仪器及其在半导体领域的应用。表 半导体检测仪器和用途半导体检测仪器与技术（点击下方仪器进入专场）在半导体领域的应用光学测量仪器外延层厚度测量、测定元素含量、用于高纯气体分析等电学测量仪器（四探针、三探针、扩展电阻、C-V法、霍尔测量）测量电阻率、载流子浓度、导电类型、迁移率、寿命及载流子浓度分布等X射线衍射仪缺陷及形貌观察（无损检测），检测二次缺陷的形成和消除等金相显微镜观察晶体缺陷等俄歇电子能谱表面层原子成分、含量、化学键合状态分析等二次离子质谱杂质检测等扫描电镜微区形貌观察，成分、结构分析，失效分析，缺陷检测等透射电镜半导体晶体缺陷分析等原子吸收分光光度痕量杂质检测等气相色谱气体分析高频电感耦合等离子体发射光谱微量成分分析等离子束用于分析离子注入层和外延层损伤、定位等离子探针用于薄层分析、微区分析、测量浓度分布，分析痕量杂质等电子探针成分分析等以上列举了半导体行业用到的热门半导体材料和检测仪器，日后仪器信息网也将对半导体检测解决方案进行盘点敬请期待。

8月25日，无锡高新区、韩国纳科新公司、市产业集团签约合作，总投资2亿美元的半导体高端检测量测装备生产研发基地项目落地，这是外资持续“加仓”无锡的又一重要体现，也是无锡市在强链补链延链上的又一关键举措。无锡市委书记杜小刚与韩国纳科新代表理事朴泰勋会谈。副市长周文栋，无锡高新区主要负责同志参加活动。杜小刚对朴泰勋一行来锡合作表示欢迎，对项目成功签约表示祝贺。在介绍无锡发展情况后，杜小刚说，无锡是经济大市、开放大市，多年来广大外资企业持续选择无锡、坚定扎根无锡，既在无锡市推进高质量发展中发挥了积极作用，也在分享无锡市场机遇中实现了自身发展。纳科新是全球半导体领域的知名企业，拥有行业领先的技术和市场优势，此次正式落子无锡，体现了对无锡开放友好投资环境、扎实完备配套生态的充分信赖和高度认可。希望双方以此次签约为契机，进一步加强沟通对接、交流合作，更大力度强化金融赋能，推动更多产业链尖端环节、创新链前沿领域在锡策源，促进更多上下游企业、创新型人才来锡发展，全力打造优质优越的产业生态。无锡将以最大诚意、最优服务、最实举措，全力保障纳科新在锡项目建设和业务发展，双方一道携手奋斗、共同努力，实现更高水平互利共赢。朴泰勋感谢无锡为纳科新投资创业提供的良好条件和优质服务，并介绍了企业发展历程、主要产品、全球布局以及此次签约落地项目情况。他说，当前纳科新正全力开拓中国市场，无锡作为中国集成电路产业重镇，是公司十分重要的合作伙伴。纳科新将以此次签约合作为契机，与各方一起推动项目建设，尽快形成规模产能。同时，期待与更多无锡企业开展全方位合作，共同为无锡打造世界级集成电路产业集群贡献更大力量。近年来，无锡始终把坚守实体经济、构建现代化产业体系作为强市之要，大力发展以集成电路为代表的战略性新兴产业，培育引进了一批在业界有影响力的龙头企业和“单打冠军”，构建形成了覆盖设计、制造、封装测试及配套支撑的全产业链集群。此次签约落地的纳科新半导体高端检测量测装备生产研发基地项目，将专注半导体晶圆和半导体硅片高端检测、量测装备的研发、生产及销售，并计划设立技术研发中心、形成自有知识产权，提高产业链供应链韧性和安全水平。

摘要晶圆表面缺陷检测在半导体制造中对控制产品质量起着重要作用，已成为计算机视觉领域的研究热点。然而，现有综述文献中对晶圆缺陷检测方法的归纳和总结不够透彻，缺乏对各种技术优缺点的客观分析和评价，不利于该研究领域的发展。本文系统分析了近年来国内外学者在晶圆表面缺陷检测领域的研究进展。首先，介绍了晶圆表面缺陷模式的分类及其成因。根据特征提取方法的不同，目前主流的方法分为三类：基于图像信号处理的方法、基于机器学习的方法和基于深度学习的方法。此外，还简要介绍了代表性算法的核心思想。然后，对每种方法的创新性进行了比较分析，并讨论了它们的局限性。最后，总结了当前晶圆表面缺陷检测任务中存在的问题和挑战，以及该领域未来的研究趋势以及新的研究思路。1.引言硅晶圆用于制造半导体芯片。所需的图案是通过光刻等工艺在晶圆上形成的，是半导体芯片制造过程中非常重要的载体。在制造过程中，由于环境和工艺参数等因素的影响，晶圆表面会产生缺陷，从而影响晶圆生产的良率。晶圆表面缺陷的准确检测，可以加速制造过程中异常故障的识别以及制造工艺的调整，提高生产效率，降低废品率。晶圆表面缺陷的早期检测往往由经验丰富的检测人员手动进行，存在效率低、精度差、成本高、主观性强等问题，不足以满足现代工业化产品的要求。目前，基于机器视觉的缺陷检测方法[1]在晶圆检测领域已经取代了人工检测。传统的基于机器视觉的缺陷检测方法往往采用手动特征提取，效率低下。基于计算机视觉的检测方法[2]的出现，特别是卷积神经网络等神经网络的出现，解决了数据预处理、特征表示和提取以及模型学习策略的局限性。神经网络以其高效率、高精度、低成本、客观性强等特点，迅速发展，在半导体晶圆表面缺陷检测领域得到广泛应用。近年来，随着智能终端和无线通信设施等电子集成电路的发展，以及摩尔定律的推广，在全球对芯片的需求增加的同时，光刻工艺的精度也有所提高。随着技术的进步，工艺精度已达到10纳米以下[5]。因此，对每个工艺步骤的良率提出了更高的要求，对晶圆制造中的缺陷检测技术提出了更大的挑战。本文主要总结了晶圆表面缺陷检测算法的相关研究，包括传统的图像处理、机器学习和深度学习。根据算法的特点，对相关文献进行了总结和整理，对晶圆缺陷检测领域面临的问题和挑战进行了展望和未来发展。本文旨在帮助快速了解晶圆表面缺陷检测领域的相关方法和技能。2. 晶圆表面缺陷模式在实际生产中，晶圆上的缺陷种类繁多，形状不均匀，增加了晶圆缺陷检测的难度。在晶圆缺陷的类型中，无图案晶圆缺陷和图案化晶圆缺陷是晶圆缺陷的两种主要形式。这两类缺陷是芯片故障的主要原因。无图案晶圆缺陷多发生在晶圆生产的预光刻阶段，即由机器故障引起的晶圆缺陷。划痕缺陷如图1a所示，颗粒污染缺陷如图1b所示。图案化晶圆缺陷多见于晶圆生产的中间工序。曝光时间、显影时间和烘烤后时间不当会导致光刻线条出现缺陷。螺旋激励线圈和叉形电极的微纳制造过程中晶圆表面产生的缺陷如图2所示。开路缺陷如图2 a所示，短路缺陷如图2 b所示，线路污染缺陷如图2 c所示，咬合缺陷如图2d所示。图1.（a）无图案晶圆的划痕缺陷；（b）无图案晶圆中的颗粒污染。图2.（a）开路缺陷，（b）短路缺陷，（c）线路污染，以及（d）图案化晶圆缺陷图中的咬合缺陷。由于上述晶圆缺陷的存在，在对晶圆上所有芯片进行功能完整性测试时，可能会发生芯片故障。芯片工程师用不同的颜色标记测试结果，以区分芯片的位置。在不同操作过程的影响下，晶圆上会产生相应的特定空间图案。晶圆图像数据，即晶圆图，由此生成。正如Hansen等在1997年指出的那样，缺陷芯片通常具有聚集现象或表现出一些系统模式，而这种缺陷模式通常包含有关工艺条件的必要信息。晶圆图不仅可以反映芯片的完整性，还可以准确描述缺陷数据对应的空间位置信息。晶圆图可能在整个晶圆上表现出空间依赖性，芯片工程师通常可以追踪缺陷的原因并根据缺陷类型解决问题。Mirza等将晶圆图缺陷模式分为一般类型和局部类型，即全局随机缺陷和局部缺陷。晶圆图缺陷模式图如图3所示，局部缺陷如图3 a所示，全局随机缺陷如图3b所示。全局随机缺陷是由不确定因素产生的，不确定因素是没有特定聚类现象的不可控因素，例如环境中的灰尘颗粒。只有通过长期的渐进式改进或昂贵的设备大修计划，才能减少全局随机缺陷。局部缺陷是系统固有的，在晶圆生产过程中受到可控因素的影响，如工艺参数、设备问题和操作不当。它们反复出现在晶圆上，并表现出一定程度的聚集。识别和分类局部缺陷，定位设备异常和不适当的工艺参数，对提高晶圆生产良率起着至关重要的作用。图3.（a）局部缺陷模式（b）全局缺陷模式。对于面积大、特征尺寸小、密度低、集成度低的晶圆图案，可以用电子显微镜观察光刻路径，并可直接进行痕量检测。随着芯片电路集成度的显著提高，进行芯片级检测变得越来越困难。这是因为随着集成度的提高，芯片上的元件变得更小、更复杂、更密集，从而导致更多的潜在缺陷。这些缺陷很难通过常规的检测方法进行检测和修复，需要更复杂、更先进的检测技术和工具。晶圆图研究是晶圆缺陷检测的热点。天津大学刘凤珍研究了光刻设备异常引起的晶圆图缺陷。针对晶圆实际生产过程中的缺陷，我们通过设备实验对光刻胶、晶圆粉尘颗粒、晶圆环、划痕、球形、线性等缺陷进行了深入研究，旨在找到缺陷原因，提高生产率。为了确定晶圆模式失效的原因，吴明菊等人从实际制造中收集了811,457张真实晶圆图，创建了WM-811K晶圆图数据集，这是目前应用最广泛的晶圆图。半导体领域专家为该数据集中大约 20% 的晶圆图谱注释了八种缺陷模式类型。八种类型的晶圆图缺陷模式如图4所示。本综述中引用的大多数文章都基于该数据集进行了测试。图4.八种类型的晶圆映射缺陷模式类型：（a）中心、（b）甜甜圈、（c）边缘位置、（d）边缘环、（e）局部、（f）接近满、（g）随机和（h）划痕。3. 基于图像信号处理的晶圆表面缺陷检测图像信号处理是将图像信号转换为数字信号，再通过计算机技术进行处理，实现图像变换、增强和检测。晶圆检测领域常用的有小波变换（WT）、空间滤波（spatial filtering）和模板匹配（template matching）。本节主要介绍这三种算法在晶圆表面缺陷检测中的应用。图像处理算法的比较如表1所示。表 1.图像处理算法的比较。模型算法创新局限小波变换 图像可以分解为多种分辨率，并呈现为具有不同空间频率的局部子图像。防谷物。阈值的选择依赖性很强，适应性差。空间滤波基于空间卷积，去除高频噪声，进行边缘增强。性能取决于阈值参数。模板匹配模板匹配算法抗噪能力强，计算速度快。对特征对象大小敏感。3.1. 小波变换小波变换（WT）是一种信号时频分析和处理技术。首先，通过滤波器将图像信号分解为不同的频率子带，进行小波分解 然后，通过计算小波系数的平均值、标准差或其他统计度量，分析每个系数以检测任何异常或缺陷。异常或缺陷可能表现为小波系数的突然变化或异常值。根据分析结果，使用预定义的阈值来确定信号中的缺陷和异常，并通过识别缺陷所在的时间和频率子带来确定缺陷的位置。小波分解原理图如图5所示，其中L表示低频信息，H表示高频信息。每次对图像进行分解时，图像都会分解为四个频段：LL、LH、HL 和 HH。下层分解重复上层LL带上的分解。小波变换在晶圆缺陷特征的边界处理和多尺度边缘检测中具有良好的性能。图5.小波分解示意图。Yeh等提出了一种基于二维小波变换（2DWT）的方法，该方法通过修正小波变换模量（WTMS）计算尺度系数之间的比值，用于晶圆缺陷像素的定位。通过选择合适的小波基和支撑长度，可以使用少量测试数据实现晶圆缺陷的准确检测。图像预处理阶段耗费大量时间，严重影响检测速度。Wen-Ren Yang等提出了一种基于短时离散小波变换的晶圆微裂纹在线检测系统。无需对晶圆图像进行预处理。通过向晶圆表面发射连续脉冲激光束，通过空间探针阵列采集反射信号，并通过离散小波变换进行分析，以确定微裂纹的反射特性。在加工的情况下，也可以对微裂纹有更好的检测效果。多晶太阳能硅片表面存在大量随机晶片颗粒，导致晶圆传感图像纹理不均匀。针对这一问题，Kim Y等提出了一种基于小波变换的表面检测方法，用于检测太阳能硅片缺陷。为了更好地区分缺陷边缘和晶粒边缘，使用两个连续分解层次的小波细节子图的能量差作为权重，以增强每个分解层次中提出的判别特征。实验结果表明，该方法对指纹和污渍有较好的检测效果，但对边缘锋利的严重微裂纹缺陷无效，不能适用于所有缺陷。3.2. 空间过滤空间滤波是一种成熟的图像增强技术，它是通过直接对灰度值施加空间卷积来实现的。图像处理中的主要作用是图像去噪，分为平滑滤镜和锐化滤镜，广泛应用于缺陷检测领域。图6显示了图像中中值滤波器和均值滤波器在增加噪声后的去噪效果。图6.滤波去噪效果图：（a）原始图像，（b）中值滤波去噪，（c）均值滤光片去噪。Ohshige等提出了一种基于空间频率滤波技术的表面缺陷检测系统。该方法可以有效地检测晶圆上的亚微米缺陷或异物颗粒。晶圆制造中随机缺陷的影响。C.H. Wang提出了一种基于空间滤波、熵模糊c均值和谱聚类的晶圆缺陷检测方法，该方法利用空间滤波对缺陷区域进行去噪和提取，通过熵模糊c均值和谱聚类获得缺陷区域。结合均值和谱聚类的混合算法用于缺陷分类。它解决了传统统计方法无法提取具有有意义的分类的缺陷模式的问题。针对晶圆中的成簇缺陷，Chen SH等开发了一种基于中值滤波和聚类方法的软件工具，所提算法有效地检测了缺陷成簇。通常，空间过滤器的性能与参数高度相关，并且通常很难选择其值。3.3. 模板匹配模板匹配检测是通过计算模板图像与被测图像之间的相似度来实现的，以检测被测图像与模板图像之间的差异区域。Han H等从晶圆图像本身获取的模板混入晶圆制造工艺的设计布局方案中，利用物理空间与像素空间的映射，设计了一种结合现有圆模板匹配检测新方法的晶圆图像检测技术。刘希峰结合SURF图像配准算法，实现了测试晶圆与标准晶圆图案的空间定位匹配。测试图像与标准图像之间的特征点匹配结果如图7所示。将模式识别的轮廓提取技术应用于晶圆缺陷检测。Khalaj等提出了一种新技术，该技术使用高分辨率光谱估计算法提取晶圆缺陷特征并将其与实际图像进行比较，以检测周期性2D信号或图像中不规则和缺陷的位置。图7.测试图像与标准图像之间的特征点匹配结果。下接：晶圆表面缺陷检测方法综述【下】

近日，由长春理工大学重庆研究院、四川普赛检测技术有限公司（下称普赛检测）联合建设的智能传感检测技术研发中心在重庆两江新区明月湖畔正式揭牌。揭牌仪式（两江新区宣传部供图）该中心将主要提供光学闪测仪、复合式影像测量仪、金相显微影像仪、刀具影像仪、半导体芯片影像仪等智能光学测量设备和测量软件的设计、研发、生产制造和技术服务等。目前，研发中心已引进并安装10余台高精尖专业检测设备，如用于产品平面二维尺寸高精度测量的普赛全自动影像测量仪，用于大型装备尺寸测量的莱卡自准直高精度光电经纬仪，应用于质量控制、逆向工程、产品开发、文物数字化等领域的手持光学3D扫描仪及应用于大尺寸零部件3d尺寸及形位公差测量的关节臂三坐标测量机等。智能传感检测技术研发中心研讨会现场（两江新区宣传部供图）长春理工大学重庆研究院执行院长丁红昌介绍，新成立的研发中心将引入该院独自开发的光机电系统集成与精准测控技术、智能制造与数字化在线检测技术以及相关高精尖智造设备和检测设备，譬如获批国家科技部国家仪器重大专项项目的基于多面棱体及自准直仪的0．5秒精度的角度传感器检测平台；又如，可以有效解决人工视觉测量和抽检难题的汽车制动主缸补偿孔及内表面质量光电检测系统等。此外，研发中心还将全面引入普赛检测开发的高精度影像仪、复合式影像仪、龙门式影像仪、一键式闪测仪、拼接式闪测仪、光学轴类测量仪、刀具检测仪、半导体芯片检测仪、金相显微影像仪等系列高精尖检测设备，可广泛开展陶瓷表面粗糙度检测、金属滚筒表面3D检测、基板激光检测、晶圆硅片碳盘尺寸快速检测、汽车马达叶片平面度尺寸快速检测、液晶显示模组检测等。＂智能传感检测技术研发中心揭牌成立，意味着明月湖材料检测与科研仪器共享平台再度‘扩员’。＂两江超精密增材制造研究院相关负责人表示，共享平台采用＂自有＋整合＋共建＂结合方式，已引入吉林大学重庆研究院、北理工重庆创新中心、重庆诺奖二维材料研究院的微观测试设备、力学测试设备、3D打印／加工设备、成分分析设备、热物分析设备，目前共运营科研仪器60余台（套），可对外提供设备共享租赁、检验检测、3D打印等服务。下一步，共享平台将推动组建一支20－30人的专业团队，整合两江协同创新区内80％以上科研仪器资源，具备完全的自我造血和自负盈亏能力，积极赋能地方产业发展。

p 　　近日，美国防部再次对监管的11项关键技术进行战略调整，其中微电子和5G分别提升至第一和第二位。有评论称，此举意图保持对华在半导体领域的竞争优势，进一步扩大双方在该领域的差距。 /p p 　　芯片产业主要包含芯片设计、制造和封测三大工艺环节。我国芯片制造方面相比国外尤为落后，不仅原材料进口依赖严重，高端制造设备如光刻机等也主要依赖进口。国内晶圆制造企业以中芯国际、华润微电子等为代表，然而其技术相比国际先进水平仍有较大的差距。 /p p 　　根据国际半导体产业协会估算，2018～2020年中国半导体制造设备投资额约为人民币1550亿元、人民币1604亿元、人民币1702亿元。检测设备约占总设备投资的17%(其中，晶圆检测部份为9%，过程工艺控制为8%)。因此，2018～2020年中国大陆检测设备需求分别为人民币264亿元、人民币273亿元、人民币289亿元。 /p p 　　科学仪器当前在半导体产业中应用广阔，其中包括质谱仪、光谱仪、色谱仪、光学检测仪、电化学仪器等。半导体检测仪器不仅可用于特种气体、硅片、靶材、光刻胶等半导体原材料分析，也可以用于半导体制程工艺控制。 /p p 　　半导体检测主要分为前道检测和后道检测环节，其中前道检测主要为光学检测，主要测试仪器为椭偏仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜等，用于测试芯片制成尺寸、材料性质，如芯片杂质、晶圆缺陷等 后道检测主要为电学检测，分为CP测试和FT测试，主要测试仪器为探针台、测试台、拣选器等。 /p p 　　 strong 半导体检测是提高产线良率、提高竞争实力的关键 /strong /p p 　　半导体检测贯穿于产品生产制造流程始终，通过分析检测数据检验产品参数是否符合设计需求，从而达到减少缺陷、提升产线良率的目的。半导体良率的提升直接影响厂商的生产成本和订单获取能力，是厂商市场竞争能力的关键影响因素。 /p p br/ /p p 　　 a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/X0723/" target=" _self" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 131px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202007/uepic/8966247d-f55f-4675-b8d4-e2f00f2c4a37.jpg" title=" 80e34259-51c2-44d9-9b6b-fc20ca7344a6.jpg" alt=" 80e34259-51c2-44d9-9b6b-fc20ca7344a6.jpg" width=" 600" height=" 131" border=" 0" vspace=" 0" / /a /p p br/ /p

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " strong 近日，据某财经网站消息，聚光科技正在快速积极布局半导体检测设备市场，聚光科技以旗下谱育科技发展有限公司为平台，进行半导体领域的突破，目前已成立专门的半导体事业部，积极拓展半导体检测设备领域应用。 /strong /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 2020年3月初，科技部、发展改革委、教育部、中科院、自然科学基金委五部门印发《加强“从0到1”基础研究工作方案》。工作方案中特别强调，要适应大科学、大数据、互联网时代科学研究的新特点，注重科研平台、科研手段、方法工具和高端科学仪器的自主研发与创新，提高基础研究原始创新能力，强调长期支持。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 科学仪器行业被称为科学家的“眼睛”和高端制造业皇冠上“最耀眼的明珠”，是现代工业的重要支撑，很大程度上能衡量一个国家的科研和工业发展水平。工业领域的半导体产业集合了数十种基础科学最前沿的精华，而这些基础科学的研究成果没有科学仪器的帮助是很难完成的；同时，在半导体产业生产过程中，比如硅片、靶材、特种气、高纯清洗液、抛光材料、光刻胶等上游材料生产环节以及芯片生产环节都离不开科学仪器的应用。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 科学仪器当前在半导体产业中得到广泛应用，其中包括质谱仪、光谱仪、色谱仪、光学检测、电化学、物理等。初步估计使用的质谱平台有15种仪器，光谱平台40种仪器，色谱平台5种，光学平台28种，电化学平台8种，其他平台36种， /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 聚光科技是我国高端分析仪器企业，同时拥有物联网、大数据、人工智能等技术，提供多领域分析仪器及相关信息化、耗材、服务的整体解决方案。其子公司谱育科技在质谱仪、光谱仪和色谱仪多个细分产品领域已打破国外垄断。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " strong 财通证券分析师认为，公司具备光机电、光学设计、软件算法等综合能力，与现有半导体检测设备的技术基础高度吻合，现有激光气体分析、GC、ICP、ICP-MS 等检测设备也可用于半导体各环节，发挥公司独特优势。 /strong /p