晶圆检测

中图仪器WD4000无图晶圆膜厚检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。系统采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数。WD4000无图晶圆膜厚检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000无图晶圆膜厚检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台 （1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。WD4000无图晶圆几何量测系统可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。 2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

晶圆级衍射光波导光学检测系统皮米级周期计量 / 快速无损 / 形貌量测 Metrondie-SRG 晶圆级衍射光波导光学检测系统 是一款专为晶圆级光波导样品提供的专业光学检测系统，采用先进的角分辨光谱技术，配合强大的 AI 算法以及可溯源的标准物质，能够快速、准确获取一维、二维光栅的衍射效率及其形貌参数，为用户在衍射光栅的设计与加工过程中提供快速、无损的监控手段，不断提高产品生产良率。 Metrondie-SRG 晶圆级衍射光波导光学检测系统 典型应用领域： 光栅衍射效率测量 衍射效率是评价光栅性能的核心指标，需要系统具有同时测量角度和波长的能力。 光栅周期计量 周期作为衍射光波导的基本参数，影响着光在波导内部正确的传输与衍射，可溯源的方法是周期计量中的关键所在，需要具有复现和量值传递作用的标准物质作参考。 光栅形貌量测 高性能衍射光波导具有较为复杂的光栅形貌，对形貌无损快速的检测是晶圆批量制程中的核心诉求，需要系统具备多维度光学信号抓取能力并支持人工智能算法高效分析。 光栅取向测量 光波导中不同区域光栅的取向差异对成像至关重要，需要系统支持旋转角精确调节。 Metrondie-SRG 晶圆级衍射光波导光学检测系统 在以上领域的应用得益于如下几个特点： 1 角分辨光谱技术 得益于 -70°~70° 的广角量程与优于 0.02° 的角度精度，可准确捕捉 多级次 衍射强度随波长和角度的精确分布； 2 晶圆级测量 采用高兼容性样品台，有效覆盖 4~12 寸 晶圆的全面检测需求。同时，结合智能化软件，支持晶圆版图输入，实现了对衍射光波导晶圆的批量 mapping 检测； 3 人工智能算法 引入在线优化、深度学习和库搜索等前沿算法，将物理模型与多维光谱信息紧密融合，可实现 海量模型 的构建与优化，实时获取衍射光波导光栅的精确形貌参数； 4 高精度电动位移台 选用高精度 四轴电动 位移台，可实现 X, Y, Z 轴 微米级 空间定位精度，平面取向 θ 角 弧秒级 角度定位精度，支持衍射光波导全方位自动检测。Metrondie-SRG 光学量测示意图

特性灵敏度：对外延工艺监控和不可见缺陷检测，具有可视化测试的高分辨率测量速度：6英寸硅晶圆片，1mm分辨率 ，小于5分钟寿命测试范围: 20纳秒到几十毫秒沾污检测：源自坩埚和生长设备的金属(Fe)污染测量能力：从初始切割的晶圆片到所有工艺加工的样品灵活性：允许外部激光通过触发器，与探测模块耦合可靠性： 模块化和紧凑台式仪器，更高可靠性，正常运行时间 99%重现性： 99.5%电阻率：无需时常校准的电阻率面扫描用于研发或生产监控的灵活检测工具MDPmap是一个紧凑的离线台式检测设备，对生产控制或研发进行无接触电学参数特性检测。可测量参数如载流子寿命、光电导性、电阻率、缺陷信息在稳态或注入范围宽短脉冲励磁(μ-PCD)。自动化的样品识别和参数设置可以方便地适应各种不同的样品，包括在不同的制备阶段，从生长的晶圆片到高达95%的金属化晶圆片的外延片和晶圆片。MDPmap主要优点是其高度的灵活性，它允许集成最多4个激光器，用于从超低注入到高注入，对依赖于注入水平的少子寿命参数测量，或者使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设置以及μ-PCD或稳态注入条件选项。可以使用不同的图谱进行客户定义的计算，也可以导出原始数据进一步评估。对于标准计量任务，可用一个预定义的标准，使常规测量只需按一个按钮。

产品简介WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等参数，同时生成 Mapping 图；采用白光干涉测量技术对 Wafer 表面进行非接触式扫描同时建立表面 3D 层析图像，显示 2D 剖面图和 3D 立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关 3D 参数；基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；红外传感器发出的探测光在 Wafer 不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量 Bonding Wafer 的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。产品应用WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等参数，同时生成 Mapping 图可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C 电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS 器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。产品优势 1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。 5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。应用案例1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

应用范围：灵活的OEM设备，用于多种不同样品的在线寿命测量：从单晶硅到多晶硅锭，从生成态晶圆片到不同镀层或金属化晶圆的过程控制。标准软件接口，易于连接到许多处理或自动化系统。在线面扫和单点检测MDPlinescan是一个易于集成的OEM单元，可集成到各种自动化的检测线。关键的测量参数是实时的载流子寿命扫描。样品通常由测量头下的传送带或机器人系统来输送。应用实例从晶锭到晶圆的检测，每个晶圆的测量速度小于一秒。电池生产线上的来料质量检查是最常用的一种应用方向，同样，钝化和扩散后的工艺质量检查也能用到此款产品。 还有许多其他的专门应用可能性。由于其易于集成，只需要以太网连接和电源。 产品介绍l 各种不同的样品，从单晶硅到多晶硅，从生长的晶片到加工过的晶片，都可以通过MDPlinescan使用少子寿命测量进行检测。 l MDPlinescan是一个易于集成的OEM单元，可集成到各种自动化的检测线。关键的测量参数是实时的载流子寿命扫描。 l 样品通常由测量头下的传送带或机器人系统来输送。应用实例从晶锭到晶圆的检测，每个晶圆的测量速度小于一秒。 该仪器有许多专门应用可能性。由于其易于集成，只需要以太网连接和电源即可。例如，电池生产线上的来料质量检查是其最常用的一种应用方向，同样，钝化和扩散后的工艺质量检查也能用到此款产品。优势l 在μ-PCD或稳态激发条件下测量少数载流子寿命和电阻率是这个工具的重点。l 用于集成在生产线的多晶或单晶硅晶圆,包括材料制备，和各种工艺处理阶段。小尺寸和标准的自动化接口使集成变得容易。优势是长时间的可靠性和测量结果的高精度。技术参数样品种类多晶或单晶晶元片， 晶锭，晶胞样品尺寸大约50 x 50 mm2电阻率0.2 - 103 Ohm cm电导类型p, n材质硅晶圆，部分或完全加工晶圆，化合物半导体等测量属性载流子的少子寿命硬件接口ethernet大小174 x 107 x 205 mm, 重量: 3 kg电源24 V DC, 2 A

WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。 （2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格 品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

Mono- and Multi-crystalline wafer lifetime measurement device应用范围：用于精密材料研发的单晶和多晶片的寿命测量 特性●灵敏度：外延片不可见的缺陷和检测的 灵敏度的可视化●测量速度：6英寸硅晶圆片，1mm分辨率 ，小于5分钟●使用寿命: 20纳秒到几毫秒●污染测定：源自炉和设备的金属(Fe)污染●测量能力：从初始切割的晶圆片到完全加工的样品●灵活性：固定测量头允许外部激光与触发器耦合●可靠性： 模块化和紧凑的台式仪器，更高的可靠性和正常运行时间 99%●重现性： 99.5%●电阻率：不需要频繁校准用于研发或生产监控的灵活检测工具 MDPmap是一个紧凑的台式无触点电子特性的离线生产控制或研发的工具。可测量参数如载流子寿命、光电导性、电阻率、缺陷信息在稳态或注入范围宽短脉冲励磁(μ-PCD)。自动化的样品识别和参数设置可以方便地适应各种不同的样品，包括在不同的制备阶段，从生长的晶圆片到高达95%的金属化晶圆片的外延片和晶圆片。。 MDPmap的主要优点是其高度的灵活性，它允许集成最多4个激光器，用于从超低注入到高注入的依赖于注入水平的寿命测量，或者使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设施以及μ-PCD或稳态注入条件的选项。可以使用不同的图进行客户定义的计算，也可以导出原始数据进行进一步的评估。对于标准计量任务，可用一个预定义的标准，使常规测量只需按一个按钮。

中图仪器WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数。无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量 WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧 （1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。WD4000自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

明场纳米图形晶圆缺陷检测设备产品介绍TB系列明场纳米图形晶圆缺陷检测设备为全自动宽波段图形晶圆检测系统，可为8寸/12寸晶圆提供高效、高灵敏度的缺陷检测，可广泛应用在前道、后道各工艺层中，满足不同工艺节点缺陷检测需求。产品特点①高灵敏度，可侦测更多类型关键缺陷②高数据通量和高性能数据处理，有效提高WPH③采用先进信号处理算法，显著提高信噪比④支持智能在线缺陷分类功能

MX63和MX63L显微镜系统特别适合尺寸高达300毫米的晶圆、平板显示器、电路板、以及其他大尺寸样品的高质量检测。其采用的模块化设计可让您根据需要选择组件，获得根据应用定制的系统。结合奥林巴斯Stream图像分析软件使用时，从观察到生成报告的整个检测流程更简洁直观。1、先进的分析工具MX63系列的各种观察功能可生成清晰锐利的图像，让用户能够对样品进行可靠的缺陷检测。全新照明技术以及奥林巴斯Stream图像分析软件的图像采集选项为用户评估样品和存档检测结果提供更多选择。2、从不可见到可见：MIX观察与图像采集通过将暗场与明场、荧光或偏光等其他观察方法结合使用，MIX观察技术能够获得特殊的观察图像。MIX观察技术可让用户发现用传统显微镜难以观察的缺陷。暗场观察所用的环形LED照明器具有可四象限分段照明的定向暗场功能。该功能可减少样品光晕，有助于观察样品的表面纹理。3、轻松生成全景图像: 即时MIA利用多图像拼接(MIA)功能, 用户移动手动载物台上的XY旋钮即可轻松快速完成图像拼接—电动载物台无需进行该操作。奥林巴斯Stream软件利用模式识别生成全景图像，让用户获得更宽的视场。4、生成全聚焦图像: EFI奥林巴斯Stream软件的扩展聚焦成像(EFI)功能可采集高度超出景深范围的样品图像。EFI将这些图像堆叠在一起生成单幅全聚焦样品图像。EFI配合手动或电动Z轴载物台使用，可轻松生成结构可视化的高度图像。EFI图像可在奥林巴斯Stream桌面软件内离线生成。5、利用HDR采集明亮区域和暗光区域利用先进的图像处理技术，高动态范围(HDR)可在图像内调整亮度差异，以减少眩光。HDR改善了数字图像的视觉品质，从而有助于生成具有专业级外观的报告。6、从基本测量到上等分析测量对于品质、工艺控制和检测非常重要。基于这一想法，即便是入门级奥林巴斯Stream软件包也包括交互测量功能的全部菜单，并且所有测量结果与图像文件一起保存以便日后调用文档。此外，奥林巴斯Stream材料解决方案可为复杂图像分析提供直观的工作流界面。点击按钮，图像分析任务即可快速精准完成。可大幅度缩减重复性任务的处理时间，使操作人员的精力集中在检测工作上。7、高效的报告创建创建报告所用的时间常常比采集图像和测量还长。奥林巴斯Stream软件提供了直观的报告创建功能，能够根据预先设定的模板多次创建专业复杂的报告。编辑非常简单，报告可导出为MicrosoftWord或PowerPoint文件。此外，奥林巴斯Stream报告功能能够对采集的图像进行数码变焦和倍率放大。报告文件大小适中，通过电子邮件进行数据传递更加方便。8、独立相机选项利用DP22或DP27显微镜相机的MX63系列是一套先进的独立系统。该相机采用几乎不占空间的紧凑型控制盒进行控制，在采集清晰图像以及进行基本测量工作的同时让实验室空间得到充分利用。 9、支持洁净室合规性的先进设计MX63系列专为洁净室工作而设计，并有效降低样品污染或受损的风险。该系统采用人体工学设计，可帮助用户在长时间使用中保持舒适。MX63系列符合SEMI S2/S8、CE和UL等多项国际规范及标准要求。选配晶圆搬送机 — AL120系统* 选配的晶圆搬送机可安装在MX63系列上，实现无需使用镊子或工具即可安全地将硅片及化合物半导体晶圆从片盒转移到显微镜载物台上。强大的性能和可靠性能够安全、高效地对晶圆正面和背面进行宏观检测，同时搬送机还可帮助提高实验室工作效率。MX63系统与AL120晶圆搬送机结合使用(200毫米型号)快速、清洁的检测MX63系列可实现无污染的晶圆检测。所有电动组件均安装在防护结构壳内，显微镜镜架、镜筒、呼吸防护罩、及其他部件均采用防静电处理。电动物镜转换器的转速比手动物镜转换器更快更安全，缩短检测间隔时间的同时让操作人员的手始终保持在晶圆下方，避免了潜在的污染。系统设计实现高效观察利用内置离合和XY旋钮，XY载物台能够实现对载物台运动的粗调和微调。即便针对诸如300毫米晶圆这样的大尺寸样品，载物台也可帮助实现高效的观察。倾斜观察镜筒的扩展范围可让操作人员以舒适的姿态坐在显微镜前工作。接受所有晶圆尺寸该系统可配合各类150–200毫米和200–300毫米晶圆托架和玻璃台板使用。如果生产线上的晶圆尺寸发生变化，可更改载物台或镜架。有了MX63系列，各种载物台均可用于检测75毫米、100毫米、125 毫米和150毫米晶圆。

晶圆/硅片划遗线检测/统计slip finder广泛应用于各大半导体FAB，主要用于如下一些热处理工艺后的晶圆/硅片：Polishing, Epitaxy, RTP, Diffusion, Incoming Inspection, SOI, Anneal部分客户参考如下：国内主要大客户有如：中芯国际，先进半导体，华宏半导体，成都德州仪器等等。MEMC S.E.H SUMCO IBM KOMATSU LG OKMETIC MAXIM PHILIPS MOTOROLA DISCO MITSUBISHI TOSHIBA SAMSUNG SONY ST MICRO TEXAS INSTRUMENTS HITACHI IBIS...中国地区销售服务商美国赛伦科技上海办事处吴惟雨

根据SEMI标准PV9-1110的非接触式和无损成像(μPCD / MDP(QSS))、光电导性、电阻率和p/n检查。晶圆切割，炉内监控，材料优化等。日常寿命测量，质量控制和检验最佳产量：240块/天或720片/天测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，4分钟良品率提升：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅沾污检测：起源于坩埚和生产设备的金属(Fe)可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高可靠性，运行时间 99%可重复性: 99.5%电阻率：可做面扫描，不需经常校准精密材料研发铁浓度测定陷阱浓度测定硼氧测定依赖于注入的测量等特性无接触和无破坏的半导体检测特殊“underneath the surface”寿命测量技术对不可见缺陷的可视化测试具有很高灵敏度自动设置硅錠切割标准空间分辨p/n电导型变换检测

产品详情美国SONIX 晶圆检测设备 AutoWafe Pro. SONIX AutoWafer Pro™ 是专为全自动晶圆检测设计的机型，主要应用在Bond wafer，MEMS 内部空洞、离层检测，TSV量测方面。● 使用于200和300mm晶圆● 符合一级净化间标准● Cassette装载，全自动检测，支持FOUP或FOSB机械臂● 支持200mm & 300mm SECS/GEM协议● KLARF输出文件

Fastmicro Particle Defect Inspection System | FM-PDS品牌：Fastmicro型号：FM-PDS产地：荷兰关键字：颗粒度检测，颗粒污染检测，晶圆表面颗粒度检测一、产品介绍荷兰Fastmicro公司表面颗粒度检测系统专门用于直接、快速检测产品表面颗粒度污染情况，允许检测最小颗粒尺寸100nm。主要应用于半导体领域薄膜、标线片、晶圆表面颗粒度检测或显示领域表面颗粒度检测。基于模块化和可扩展设计，该检测系统的扫描区域可以覆盖非常大的表面，如LCD衬底。此外，扫描仪模块也可以集成到其它设备中作为OEM解决方案。二、系统配置操作模式：半自动/全自动；样品尺寸：4"/6"/8"/12检测速度：400 Wafers-Per-Hour (WPH)；分析参数：颗粒数量，位置和尺寸；分析报告：UI或PDF格式量化报告，满足ISO-14644-9标准；数据输出：KLARF, XML, Excel & Text文件；检测阈值：100nm及以上尺寸PSL颗粒；重复性：99%累积颗粒计数标准颗粒；尺寸准确性：PSL颗粒20%以内；定位准确性：40μm精度，15μm定位重复性；顶部/底部检测：单面检测/无翻转；控制：全数字控制设备网络-以太网，SECS/GEM；三、应用领域荷兰Fastmicro公司表面颗粒度检测系统可以应用于以下场景：薄膜检测（正面和背面）标线片，光掩模4 / 6 / 8/ 12英寸晶圆（背面、坯件、斜面）3Di（例如铜与铜的键合）高纯度关键部件四、检测模块集成 Fastmicro模块化设计的表面颗粒度检测系统可以根据客户需求集成到客户现有生产线上。可以包含检测模块、清洁模块、上片站、机械臂、检测区和清洁片存放区。

MDPinline是一种用于快速定量测量载流子寿命并集成扫描功能的检测仪。通过工厂安装的传送带将晶圆片移至仪器，在不到一秒的时间内，就可以“动态”测量出晶圆图。 优势介绍：一秒一片!可集成在生产线上的高速晶圆载流子寿命的面扫测试，在不到一秒内就能形成单个硅片的二维图像。 该仪器本身不使用机械运动部件，因此在连续操作下也非常可靠。它为每个晶圆片提供完整的拓扑结构，这为提高生产线的成本效益和效率提供了新的途径，而这些都是迄今为止无可比拟的。例如，在不到3个小时的时间内，对10000个晶圆片的拓扑结构进行自动统计评估，结果可以显示出晶体生长炉的性能和材料质量的各种细节。 实时的质量检测可以帮助提高和优化诸如扩散和钝化等处理步骤。在运行的生产过程中，MDPinline可以立即检测到某个处理步骤的任何故障，从而使产品达到的性能。 优势介绍◆ 在不到一秒的时间内，可对一个晶圆片进行全电特性测试。测量参数：载流子寿命(拓扑图)、电阻率(双线扫描)。◆在非常短的时间内获得数以千计的晶圆片的统计信息可有效地帮助晶圆厂控制过程和生产。◆适用于测量晶圆片的材料质量，以及识别晶圆片层面的结晶问题，例如在光伏行业。◆适用于扩散过程的完整性控制、钝化效率和均匀性控制。技术参数样品厚度100 μm up to 1 mm样品尺寸在125 x 125 和210 x 210 mm2 之间，或 4”到18”电阻率0.2 - 103 Ohm cm传导类型p, n材质硅晶圆，部分或完全加工的晶圆片，复合半导体等 测量性能少数载流子寿命（稳态或非平衡(μ-PCD)可选择的）测量位置默认2.8 mm， 其它可选检测时间获得完整的一张晶圆图时间小于1秒尺寸400 x 400 x 450 mm，重量：29 kg电源24 V DC, 4 A其它细节 允许单片控制 参数自动设置，预定义的排序菜单 多达15个质量等级的晶圆片自动分拣 监控材料质量、工艺的完整性和稳定性 快速提升工艺和生产线

Mono- and Multi-crystalline wafer and brick lifetime measurement device应用范围：用于常规质量控制、精密材料研发的单晶和多晶片及晶锭的寿命测量 根据SEMI标准PV9-1110的非接触式和无损成像(μPCD / MDP(QSS))、光电导性、电阻率和p/n检查。晶圆切割，炉内监控，材料优化等。日常寿命测量，质量控制和检验 ◆产量：240块/天或720片/天◆测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，4分钟◆生产改善：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭◆质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅◆污染测定：起源于炉和设备的金属(Fe)◆可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高的可靠性和运行时间 99%◆可重复性: 99.5%◆电阻率：不需要经常校准精密材料研发铁浓度测定陷阱浓度测定硼氧测定依赖于注入的测量等特性完全无触点无破坏的半导体特性特殊的“表面之下”寿命测量技术不可见缺陷的 灵敏度的可视化自动切割标准定义空间分辨p/n电导型变换检测

WD4000无图晶圆形貌检测设备集成厚度测量模组和三维形貌 、粗糙度测量模组，非接触厚度 、三维维纳形貌一体测量。通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。WD4000无图晶圆形貌检测设备兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。性能特点WD4000无图晶圆形貌检测设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。 （3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。WD4000无图晶圆形貌检测设备可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。 部分参数测量速度：最快15s测量范围：100μm~2000μm 测量精度：0.5um 重复性（σ）：0.2um探头分辨率：23nm扫描方式：Fullmap 面扫、米字、 自由多点测量参数：厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料：砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等

MDPinline是一种用于快速定量测量载流子寿命并集成扫描功能的检测仪。通过工厂安装的传送带将晶圆片移至仪器，在不到一秒的时间内，就可以“动态”测量出晶圆图。 该仪器本身不使用机械运动部件，因此在连续操作下也非常可靠。它为每个晶圆片提供完整的拓扑结构，这为提高生产线的成本效益和效率提供了新的途径，而这些都是迄今为止无可比拟的。例如，在不到3个小时的时间内，对10000个晶圆片的拓扑结构进行自动统计评估，结果可以显示出晶体生长炉的性能和材料质量的各种细节。 实时的质量检测可以帮助提高和优化诸如扩散和钝化等处理步骤。在运行的生产过程中，MDPinline可以立即检测到某个处理步骤的任何故障，从而使产品达到最高的性能。 Si3N4 and SiC segregates in multi-crystalline silicon Microcrystalline inclusions Investigation of passivation quality... Cz-Si with bulk defects, separation... 优势在不到一秒的时间内，可对一个晶圆片进行全电特性测试。测量参数：载流子寿命(拓扑图)、电阻率(双线扫描)。在非常短的时间内获得数以千计的晶圆片的统计信息可有效地帮助晶圆厂控制过程和生产。适用于测量晶圆片的材料质量，以及识别晶圆片层面的结晶问题，例如在光伏行业。适用于扩散过程的完整性控制、钝化效率和均匀性控制。Multicrystalline silicon wafers 其它细节允许单片控制参数自动设置，预定义的排序菜单多达15个质量等级的晶圆片自动分拣监控材料质量、工艺的完整性和稳定性快速提升工艺和生产线

美Sonix AutoWafer Pro 晶圆检测设备 AutoWafer Pro 是专为全自动晶圆检测设计的机型， 主要应用在 Bond wafer 、MEMS 内部空间、离层检测，TSV量测方面。。使用于 200 和 300MM晶圆。符合一级净化间标准。Cassette 装载，全自动检测，支持 FOUP 或 FOSB 机械臂。。支持 200MM & 300MM SECS/GEM 协议。。KLARF 输出文件 SONIX 软件优势● 可编程扫描，自动分析 定制扫描程序，一键开始扫描，自动完成分析，生成数据 ● FSF表面跟踪线 样品置于不平的情况下，自动跟踪平面，获取同一层面图片 ● ICEBERG离线分析 存储数据后，可在个人电脑上进行再次分析 ● TAMI断层显微成象扫描 无需精确选择波形，可任意设定扫描深度及等分厚度，一次扫描可获得200张图片，最快速完成分析。 SONIX 软件 - 应用于塑封FlipChip和Stacked Die产品的成像功能 SONIXTM 的Flexible TAMITM设计 专为需要检测由不同层厚和材料组成的多层封装产品,例如:● 3-D架构● Stacked Die● Bonded wafers● Wafer 级封装 (WLP)● 塑封Flip Chips SONIX 硬件优势 ● 紧凑、稳定的结构设计 模块化设计使得结构简单、稳定，易于维护 ● 高速、稳定的马达设计 扫描轴采用最先进的线性伺服马达，提供高速、稳定、无磨损的扫描 ● 专利的超声波探头/透镜 提供精确的缺陷检验，最小能探测到仅0.1微米厚度的分层。 ● PETT技术 反射及透射同时扫描，有效提高元器件分析效率

AWL系列晶圆检查系统SOPTOP全新半导体工业检测产品——AWL系列晶圆检查系统，兼具稳定性和安全性，能够安全可靠的传送晶圆，适合于前道到后道工程的晶圆检查。一个晶圆在经过一系列复杂工序后最终变成多个IC单元，期间晶圆需要依赖搬运机在处理站之间执行快速、精确的传送作业。纳米级厚度的晶圆很容易在传送过程中损坏，而且还须确保在工序中晶圆表面不得有脏污、缺陷等。SOPTOP拥有 AWL046、AWL068、AWL812三种机型，多类配置，分别可适用于 4/6 英寸，6/8英寸、8/12英寸的晶圆检测，适应范围广、搭配灵活 。可自由设置的检查模式，充分符合人机工程学设计，操作舒适、简便。360°宏观检查AWL系列具有宏观检查手臂，可以实现晶面宏观检查、晶背宏观检查 1 的 360°旋转，更为容易发现伤痕和微尘。通过操作杆可随意将晶圆倾斜观察。晶面最大倾斜角度70°，晶背 1 最大倾斜角度 90°，晶背 2最大倾斜角度 160°，利用旋转功能、倾斜角度，完全可以目视检查整个晶圆正反面及边缘。人机工程学设计LCD 显示屏，可为操作者提供更直观的视觉体验，可清晰的显示当前检查项目及次序，调试参数一目了然。手动快速释放真空载物台可提高操作者的舒适度和工作效率。精密微观检查采用专业半复消色差金相物镜，可满足明场、暗场、DIC、偏光等多种观察方式。全新电动控制系统，可排查 μm 级异常，诸如孔未开出，短路，断路，沾污，气泡，残留等。

一、简介Lumina AT1光学表面缺陷分析仪可对玻璃、半导体及光电子材料进行表面检测。Lumina AT1既能够检测SiC、GaN、蓝宝石和玻璃等透明材料，又能对Si、砷化镓、磷化铟等不透明基板进行检测，其价格优势使其成为适合于研发/小批量生产过程中品质管理及良率改善的有力工具。 Lumina AT1结合散射测量、椭圆偏光、反射测量与表面斜率等基本原理，以非破环性方式对Wafer表面的残留异物，表面与表面下缺陷，形状变化和薄膜厚度的均匀性进行检测。1.偏振通道用于薄膜、划痕和应力点；2.坡度通道用于凹坑、凸起；3.反射通道用于粗糙表面的颗粒；4.暗场通道用于微粒和划痕；二、 功能l 主要功能1. 缺陷检测与分类2. 缺陷分析3. 薄膜均一性测量4. 表面粗糙度测量5. 薄膜应力检测l 技术特点1.透明、半透明和不透明的材料均可测量，比如硅、化合物半导体或金属基底；2.实现亚纳米的薄膜涂层、纳米颗粒、划痕、凹坑、凸起、应力点和其他缺陷的全表面扫描和成像；3.150mm晶圆全表面扫描的扫描时间为3分钟，50x50mm样品30秒内可完成扫描并显示结果；4.高抗震性能，系统不旋转，形状无关，可容纳非圆形和易碎的基底材料；5.高达300x300mm的扫描区域；可定位缺陷，以便进一步分析；技术能力三、应用案例1. 透明/非透明材质表面缺陷检测2. MOCVD外延生长成膜缺陷管控3. PR膜厚均一性评价4. Clean制程清洗效果评价5. Wafer在CMP后表面缺陷分析6. 多个应用领域，如AR/VR、玻璃、光掩模版、蓝宝石、硅片等

中图仪器WD4000半导体晶圆多维度几何形貌特征检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。WD4000半导体晶圆多维度几何形貌特征检测设备系统自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等； 2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。WD4000半导体晶圆多维度几何形貌特征检测设备兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。 （2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。无图晶圆厚度、翘曲度的测量 通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

产品特点： - 兼容4,6,8,12寸样品；- 所有检测数据，一步同时完成测量；- 可在一台仪器上搭配不同技术的测量探头，用于测量晶圆的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度，3D形貌，TSV，关键尺寸，粗糙度等参数。- 符合SEMI S2和S8标准； - 最多可加载4个8寸片Load Port或者3个12寸片Load Port；- 两个可翻转的机械手臂，吞吐量最高达100 wafers /h；- 旋转台用于晶圆全尺寸快速测量；- SECS/GEM软件包，可以根据用户提供定制化需要；- 用户界面友好的WaferSpect 软件； 选配件 1、真空吸盘；2、高分辨率HD CMOS相机及图像识别的软件；3、集成OCR、条形码或QR码识别的摄像头；4、区分不同Cassette类型的阅读信息板；5、通过测试数据自动进行分拣 应用行业： - 化合物半导体：研磨芯片厚度控制GaAs，InP, SiC，GaN - 硅基器件前段：功率器件，MEMS，射频MEMS- 硅基器件后段：8”和12”的封装及bumping线，TSV(硅通孔技术)- LED：可用作检测蓝宝石或碳化硅片厚度及TTV- 光通讯：石英材料类

产品介绍▼l 各种不同的样品，从单晶硅到多晶硅，从生长的晶片到加工过的晶片，都可以通过MDPlinescan使用少子寿命测量进行检测。 l MDPlinescan是一个易于集成的OEM单元，可集成到各种自动化的检测线。关键的测量参数是实时的载流子寿命扫描。 l 样品通常由测量头下的传送带或机器人系统来输送。应用实例从晶锭到晶圆的检测，每个晶圆的测量速度小于一秒。 l 该仪器有许多专门应用可能性。由于其易于集成，只需要以太网连接和电源即可。例如，电池生产线上的来料质量检查是其最常用的一种应用方向，同样，钝化和扩散后的工艺质量检查也能用到此款产品。 特性▼l 允许单片调查l 配方的基础测量l 监控材料质量、工艺的完整性和稳定性 优势▼l 在μ-PCD或稳态激发条件下测量少数载流子寿命和电阻率是这个工具的重点。l 用于集成在生产线的多晶或单晶硅晶圆,包括材料制备，和各种工艺处理阶段。l 小尺寸和标准的自动化接口使集成变得容易。优势是长时间的可靠性和测量结果的高精度。 技术参数▼样品种类多晶或单晶晶元片， 晶锭，晶胞样品尺寸大约50 x 50 mm2电阻率0.2 - 103 Ohm cm电导类型p, n材质硅晶圆，部分或完全加工晶圆，化合物半导体等测量属性载流子的少子寿命硬件接口ethernet大小174 x 107 x 205 mm, 重量: 3 kg电源24 V DC, 2 A

在线面扫和单点检测MDPlinescan是一个易于集成的OEM单元，可集成到各种自动化的检测线。关键的测量参数是实时的载流子寿命扫描。样品通常由测量头下的传送带或机器人系统来输送。应用实例从晶锭到晶圆的检测，每个晶圆的测量速度小于一秒。电池生产线上的来料质量检查是最常用的一种应用方向，同样，钝化和扩散后的工艺质量检查也能用到此款产品。还有许多其他的专门应用可能性。由于其易于集成，只需要以太网连接和电源。 特性允许单片调查配方的基础测量监控材料质量、工艺的完整性和稳定性优势在μ-PCD或稳态激发条件下测量少数载流子寿命和电阻率是这个工具的重点。用于集成在生产线的多晶或单晶硅晶圆,包括材料制备，和各种工艺处理阶段。小尺寸和标准的自动化接口使集成变得容易。优势是长时间的可靠性和测量结果的高精度。

MDPinline是一种用于快速定量测量载流子寿命并集成扫描功能的检测仪。通过工厂安装的传送带将晶圆片移至仪器，在不到一秒的时间内，就可以“动态”测量出晶圆图。该仪器可为每个晶圆片提供完整的拓扑结构，极大提高了生产线的成本效益和效率。且其实时质量检测可以提高和优化诸如扩散和钝化等处理步骤。 产品优势▼在不到一秒的时间内，可对一个晶圆片进行全电特性测试。测量参数：载流子寿命(拓扑图)、电阻率(双线扫描)。在非常短的时间内获得数以千计的晶圆片的统计信息可有效地帮助晶圆厂控制过程和生产。适用于测量晶圆片的材料质量，以及识别晶圆片层面的结晶问题，例如在光伏行业。适用于扩散过程的完整性控制、钝化效率和均匀性控制。 Si3N4 and SiC segregates in multi-crystalline siliconMicrocrystalline inclusionsInvestigation of passivation quality...Cz-Si with bulk defects, separation... Multicrystalline silicon wafers技术参数样品厚度100 μm up to 1 mm样品尺寸在125 x 125 和210 x 210 mm2 之间，或 4”到18”电阻率0.2 - 103 Ohm cm传导类型p, n材质硅晶圆，部分或完全加工的晶圆片，化合物半导体等 测量性能少数载流子寿命（稳态或非平衡(μ-PCD)可选择的）测量位置默认2.8 mm， 其它可选检测时间获得完整的一张晶圆图时间小于1秒尺寸400 x 400 x 450 mm，重量：29 kg电源24 V DC, 4 A

桌面单点测量 低成本的台式寿命测量系统，可在不同的制备阶段表征各种不同的硅样品，没有内置的自动化。可选配手动z轴，用于厚度在156毫米以下的晶锭。结果可视化的标准软件。 MDPspot包括一个额外的电阻率测量选项。电阻率测量仅适用于硅，可用于没有高度调整可能性的晶圆片，也可用于晶锭。须预定义这两个选项之一。 特性 无接触破坏的电子半导体特性μ-PCD测量选项外延片不可见的缺陷和检测的灵敏度的可视化集成多达四个激光器适用于一个广泛的注射水平获取单一瞬态的原始数据以及用于特殊评估目的的图 优势 用于不同制备阶段，从成体到最终器件，多晶硅或单晶硅单点测量载流子寿命的台式装置。 体积小，成本低，使用方便。拥有一个基本的软件，结果可视化。适用于晶圆片到晶锭，易于高度调整。技术参数样品不同的处理步骤，如钝化或扩散后的单晶或多晶硅晶圆、晶锭、电池、晶圆样品尺寸50 x 50 mm2 到12“ 或210 x 210 mm2电阻率0.2 - 103 Ohm cm材质硅晶圆，晶锭，部分或全部加工晶圆，复合半导体和更多其它类型 检测性能载流子寿命尺寸360 x 360 x 520 mm，质量：16 kg电源110/220 V, 50/60 Hz, 3 A其它细节 允许单片调查不同种类的晶圆片有不同的菜单监控材料、工艺质量和稳定性

NS3500 Solar 半导体晶圆质量检测系统NS-3500 Solar 是一种可靠的三维(3D)测量高速共焦激光扫描显微镜(CLSM)。通过快速光学扫描模块和信号处理算法实现实时共焦显微图像。在测量和检测微观三维结构，可以为半导体晶片，FPD产品，MEMS设备，玻璃基板，材料表面等提供各种解决方案。 Features & Benefits（性能及优势）：高分辨无损伤光学3D测量 自动倾斜补偿实时共焦成像 简单的数据分析模式多种光学变焦 双Z扫描大范围拼接 半透明基材的特征检测实时CCD明场和共聚焦成像 无样品准备自动聚焦 Application field（应用领域）：NS-3500是测量低维材料的有前途的解决方案。可测量微米和亚微米结构的高度，宽度，角度，面积和体积，例如-半导体:IC图形，凹凸高度，线圈高度，缺陷检测，CMP工艺- FPD产品:触摸屏屏幕检测，ITO图案，LCD柱间距高度- MEMS器件:结构三维轮廓，表面粗糙度，MEMS图形-玻璃表面:薄膜太阳能电池，太阳能电池纹理，激光图案-材料研究:模具表面检测，粗糙度，裂纹分析Specifications(规格）:ModelMicroscope NS-3500 Solar备注物镜倍率10x20x50x100x观察/ 测量范围 水平 (H): μm1400700280140垂直 (V): μm1050525210105工作范围: mm16.53.10.540.3数值孔径(N.A.)0.300.460.800.95光学变焦x1 to x6总放大倍率178x to 26700x观察/测量光学系统 Pinhole共聚焦光学系统高度测量测量扫描范围 400 um注 1显示分辨率0.001 μm重复率 σ0.010 μm注 2帧记忆像素1024x1024, 1024x768, 1024x384, 1024x192, 1024x96单色图像12 bit彩色图像8-bit for RGB each高度测量16 bit帧速率表面扫描20 Hz to 160 Hz线扫描~8 kHz激光共焦测量光源波长 405nm输出~2mW激光等级Class 3b激光接收元件PMT (光电倍增管)光学观察光源灯10W LED光学观察照相机成像元件1/2” 彩色图像 CCD 传感器记录分辨率640x480自动调整增益, 快门速度, White balance数据处理单元 PC电源电源电压100 to 240 VAC, 50/60 Hz电流消耗500 VA max.重量显微镜Approx. ~50 kg(Measuring head unit : ~12 kg)控制器~8 kg隔振系统气浮光学平台隔振系统Option 注1:精细扫描由压电执行器（PZT）执行。注2 :以100×/ 0.95物镜对标准样品（步长1μm）进行100次测量。

弗莱贝格的MDPpro（晶圆片/晶锭寿命检测仪）系列主要用于测量少子寿命、光电导率、电阻率和样品平整度及p/n检查等，其非接触式检测和无损成像（μPCD /MDP(QSS)）的设计完全符合SEMI标准PV9-1110。这也使得该仪器在晶圆切割、炉内监控和材料优化等领域被广泛应用。可以说，MDPpro是晶锭生产商以及晶体炉技术生产商的标准仪器。特性&优势▼u 无接触和无破坏的半导体检测；u 特殊“underneath the surface”寿命测量技术；u 对不可见缺陷的可视化测试具有很高灵敏度；u 自动设置硅錠切割标准；u 空间分辨p/n电导型变换检测；u 多项数据同时自动检测扫描，5幅测量图形同时绘制；u 坚固耐用的设计和易于设置的性能。安装，仅需要电源。 应用实例▼1.日常寿命测量，质量控制和检验高产量：240块/天或720片/天测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，4分钟良品率提升：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅沾污检测：起源于坩埚和生产设备的金属(Fe)可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高可靠性，运行时间 99%可重复性: 99.5%电阻率：可做面扫描，不需经常校准2. 精密材料研发a.铁浓度测定b.陷阱浓度测定c.硼氧测定d.依赖于注入的测量等

产品介绍▼MDPmap是一个紧凑的离线台式检测设备，主要被设计用于生产控制或研发、测量少子寿命、光电导率、电阻率和缺陷信息等参数。其工作状态为稳态或短脉冲激励下（μ-PCD）。MDPmap自动化的样品识别和参数设置可以使该仪器方便地适应各种不同的样品，包括从生长的晶圆到高达95%的金属化晶圆之间不同制备阶段的各种外延片和晶圆片。MDPmap主要优点是其高度的灵活性，它允许集成多达4个激光器，用于从超低注入到高注入的与注入水平相关的寿命测量，或者通过使用不同的激光波长提取深度信息。设备特点▼灵敏度：对外延工艺监控和不可见缺陷检测，具有可视化测试的较高分辨率测量速度：6英寸硅晶圆片，1mm分辨率 ，小于5分钟寿命测试范围: 20纳秒到几十毫秒沾污检测：源自坩埚和生长设备的金属(Fe)污染测量能力：从初始切割的晶圆片到所有工艺加工的样品灵活性：允许外部激光通过触发器，与探测模块耦合可靠性： 模块化和紧凑台式仪器，更高可靠性，正常运行时间 99%重现性： 99.5%电阻率：无需时常校准的电阻率面扫描Lifetime map of passivated multicrystalline siliconIron contamination map of multicrystalline siliconBor oxygen map of mono siliconTrap density map of mono silicon设备参数▼样品尺寸5mm—300mm（300mm为标配，可根据需求提升至450mm）寿命范围20ns到几毫秒电阻率0.2 - 103 Ohm cm电导类型p/n材质硅晶圆，外延层，部分或完全加工晶圆，化合物半导体等测量属性少数载流子寿命、光电导性激励源可选四种不同波长（355nm—1480nm），默认值为980nm大小680 x 380 x 450 mm, 重量: 65 kg电源100-250V，50/60 Hz, 5A