垫料自动注入机

技术指标震动隔离：气垫隔离固有频率：（垂直/水平）1.5-2.0Hz衰减方式：孔式空气阻尼Roll-off Rate[10Hz]: -32~-35dB水平方式：由3个自动调平阀自动调平系统水平复位精度：± 0.05/± 0.1工作条件：4-6kg / 压缩空气或瓶装液氮 用途1.x-y 布置系统2.精密测量仪坐标测量仪半导体制造检测设备裂变产物探测装备检查设同位检测仪器精密检测设备 型号选择产品型号DVIM-T-500DVIM-T-1000DVIM-T-1500DVIM-T-2500DVIM-T-3500DVIM-T-4500DVIM-T-6000长，宽，高210× 210× 220260× 260× 220310× 310× 220340× 340× 220380× 380× 220430× 430× 220490× 490× 220固定孔距180230280280330380440直径￠12￠14￠14￠14￠14￠14￠14承重量(Kg)500100015002500350045006000自重(Kg)37427285100125180

日常更换垫料遇到的难题Why US 为了满足高校在科研、教学及实验等方面的需求，确保动物中心的正常，高效运行是教学科研工作的重中之重。大量的动物实验(尤其是中长期动物模型手术试验等)及日常维护等工作，对现有饲养设备提出更高的要求，对人员和动物本身安全性及实验数据的可靠性、可重复性等方面提出更高的要求，随着饲养和实验工作量的增加，劳动强度的加大，人员工资增加，工作环境的要求提高，动物实验的更加严谨，大量的垫料填装也成为日常维护工作的一大难题。产品性能及相关参数BDS+1、省时 加注垫料包裹到加料斗后，可以同时操作笼盒垫料加注，同步进行，节约大量时间2、省力，底部直接加垫料包裹，机器自身真空泵和搅拌转移系统自动将去除粉尘，混合均匀的垫料加到顶部的垫料存放仓，自动感应器方便连续加注3、均一性强，包括重量均匀和混合比例均匀，通过微电脑设置参数，针对不同大小笼盒、不同动物可以设定不同的加料重量，极大避免了垫料浪费4、可兼容多种类型的垫料，谷粒. 玉米粒、刨花，木条等。5、通过除尘系统有效的抑制粉尘，独立双风机，为供排气过滤器提供单独工作，采用新型高效进气增压设计和层流技术，有效防尘，保护操作员呼吸系统；进排风双层过滤，排气环路装置了一自清洁过滤器，经过TUV烟雾测试无泄漏，有效保护环境。6、智能微电脑处理系统：气流速度控制系统实时监测气流速度，提供稳定气流；异常情况自动报警，传感器自动控制操作台下加料漏斗的加料情况，超声波传感器自动感应加料口的笼盒情况，按设置放出混合均匀垫料。7、产品具有国际权威机构的质量认证，产品质量有保障8、主体材质304不锈钢材料和ABS材料，抗压抗腐蚀，光滑无毛刺，工作台框架拆卸方便，吸声防刮材料，可高温高压灭菌，清洗和维护：圆角设计，表面、边缘光滑，易于清理和维护。人性化的设计，耐用实用。9、灵活性：锁止刹车，轻松固定，单相电控制，使BDS成为市场上良好的抽拔&操作设备，方便客户灵活安排空间，且可以就近实现就近加注。

语瓶全自动垫料添加系统IVC800：1、PLC控制系统，采用4.3寸全彩色触摸显示和操作控制。2、搅拌器可以帮助操作员防止任何可能的“桥连效应”。3、380v，3KW；操作台高度：810mm；填料高度：810mm4、程序启动后全程自动化，自动感应落料，从垫料的上料、落料、定量、除尘全自动运行，机器设有两个填料口，垫料添加速度为30-40个/分钟小鼠笼盒5、垫料提升50升/min，采用高效高压真空风机提升垫料6、添加误差小，误差＜5%7、由程序自动计算垫料添加量8、吸尘通风系统，负压高效H13过滤器进行除尘，自动启动，落料口的背面有吸风口可以吸尘，落料停止后吸尘风机延时关机，连续添加工作时风机全程开启9、安装有照明灯，利于操作10、报警安全系统，落料仓垫料不足报警系统，电机、风机过载报警系统，风机风压不足报警系统，笼盒离开工作台落料自动停止11、 高效高压真空物料提升装置，将垫料从下存贮仓提升到上存贮仓，自动检测上存贮仓的情况，进行自动提升 12、配置：语瓶全自动垫料添加系统IVC800主机一套，配有1个初效过滤器，2个高效过滤器

小动物饲养笼垫料倾倒系统（换料台）是依据动物实验室倾倒笼盒垫料现状而开发的一款设备，保护操作人员,防止倾倒过程中异味和垫料沫溅出，该款机器配置了HEPA过滤和负压风机，将垫料负压吸入存储桶中。 产品特点：1、全程负压 HEPA 过滤排风,有效吸附垫料飞沫和异味,保护人员安全；2、设备两侧带有大玻璃视窗,顶部带有照明灯,增加透光性；3、两侧安装扶手,底部带有脚轮,便于设备移动；4、设备底部带有可移动 80L大容量污物桶；5、外形尺寸(长×宽×高）：900×630×1770mm；6、微电脑芯片控制系统，具有实时显示风量和实验室温度和湿度、延时关机、自动感应照明开启、红外遥控器开启、采用体感操作开关机等功能；7、过敏源及污染源防范系统：强大的双风机设计，有效防止污染源或过敏源威胁操作者的健康安全，为使用者提供安全工作环境；8、漏斗形集料器：便于操作，漏斗形的收集口设计为操作者移除废弃垫料提供方便与保障；9、双层过滤网设计：过滤网设计，带2mm厚过滤棉增加滤网的寿命。2mm预过滤棉主要负责捕获较大颗粒物，第二层高效过滤网主要用来过滤更加细微的粉尘颗粒。增加高效滤网的使用寿命； 10、高洁净度及明亮的操作空间:使用SUS304不锈钢材料制成，优良的做工确保机身极易清洁并不易残留垫料残余物 侧面板使用亚克力高分子材料，易于清洁保养，并保证了良好的透光性；11、安全保障：风机将设备前方的操作区域空气抽入设备内部，形成一道气流屏障 在设备下方，即便是通过空气传播的粉尘也能精确通过抽气系统排出。为操作人员以及周边区域提供有效防过敏源保障；型号：IVC 600配置：主机一套高效过滤器H12等级(带2mm厚过滤棉)2个80L带移动轮收集桶 安装环境：尺寸[长x宽x高][mm]:900x630x1770 排风管内径:152mm电压功率:220V，500W

1、语瓶全自动垫料收集系统IVC600采用PLC控制系统，采用4.3寸全彩色触摸显示和操作控制，实时显示风量，运行数据便于用户操作。2、语瓶全自动垫料收集系统IVC600具有HEPA超时报警功能3、风量控制系统，机器配有双风机，用户可以选择启动1个风机或2个风机同时开启，单风机风量650m³ /h4、机器配有80L带移动轮收集桶5、排风管内径：152mm

三为科技致力于高压中压化学注入泵开发，为美国仪器公司提供高压化学注入泵OEM方案，是国内少数能生产高精度低脉冲耐腐蚀流体高压注入泵的高科技企业。产品广泛应用于化工、环境、质检、石化、生命科学、食品、制药、精细化工、能源工业、高分子、制造业、材料化学、蛋白组学、食品饮料、化妆品等领域。高压化学注入泵(50ml泵头30Mpa)产品特点：流量精度高 运用微处理器控制、双驱动的平行泵头设计，溶剂压缩补偿，多点流量曲线校正技术，实现从低流速到高流速的宽动态范围内的高精度流体输送；梯度设计 高压输液泵运用全新梯度设计，通过将等度、线性和阶梯梯度进行组合，衍生出无数具有不同形状的梯度曲线，极大增加您的分离条件；压力脉冲低 采用凸轮曲线补偿和流量脉冲电子抑制技术，有效控制流体压力脉冲；质量优异 浮动柱塞设计，减少高压密封圈的磨损，提高 密封圈的使用寿命，凸轮传动设计，瑞士原装进口单向阀，品质保证，故障率低；操作界面人性化 内置10个用户程序，可实现流量、梯度编程，人性化的人机界面；反控程序 泵的计算机反控通讯协议是开源的，你也可以使用其它常用的工作站控制泵的操作；高压化学注入泵(50ml泵头30Mpa)技术参数： 序号描述指标1输液方式双柱塞并联模式，浮动柱塞设计2流量范围0.01-50.00/min3增量0.01ml/min4流量准确度± 0.5%5流量重复性≤ 0.1%6压力范围≤ 30Mpa7压力脉动≤ 0.2Mpa8流路材料316L不锈钢、红宝石、PTFE、陶瓷9管路链接1/16"标准管路链接10显示参数256*64点液晶显示，自发光显示屏11控制方式手动面板控制或计算机反控12电源85 ～ 264VAC,50Hz13尺寸370×240×152 mm3 更多高压输液泵、色谱泵、中压平流泵、恒流泵、化学注入泵、注射泵近40个型号详见官网流量：10ml/min----10000ml/min 压力范围：2Mpa---42Mpa材料：不锈钢泵、钛泵、聚四氟泵（PTFE泵）、PCTFE泵、哈氏合金泵、peek泵输送方式：恒压输送液体 恒流输送液体

1. 产品概述离子注入机是高压小型加速器中的一种，应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还用于金属材料表面改性和制膜等。2. 设备特点单价离子大加速能量≥200keV，并增加减速系统实现单价离子在5keV~200keV的能量范围可用于2、3、4、6、8英寸晶圆以及不规则碎片可注入B、P、As、Al、S、H、Mg、Si离子注入剂量精准度≤1.5%离子注入剂量范围：1×1011 at/cm2～1×1016 at/cm2离子源部分：离子源、离子源气体系统和离子源引出系统离子源系统搭载5套从固体蒸发源产生离子的Vaporizer，温度达700℃，实现固态源的离子注入离子注入倾斜角度在0°和7°室温台：0°和7°；高温台：0°束流调整系统主要包括：质量分析器、束流汇聚系统、加速系统、扫描系统、束流检测和高压绝缘变压器 真空系统主要包括：Ion Source真空系统、Beam Line真空系统、End Station真空系统、真空系统中的真空管件和阀门以及真空检测单元真空度：Ion Source真空度：≤7×10-4PaBeam Line真空度：≤7×10-5PaEnd Station真空度：≤7×10-5Pa

一、公司介绍法国IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于离子注入领域的研发、设计制造与服务，并不断升级和提高在该领域的技术水平。创始人是来自法国军方的技术专家，在其带领下，整个技术团队对技术更新的热忱与努力，严谨低调的作风保证了设备的高质量和超强的稳定性。产品有多种型号包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客户要求设计定制的能力。二、IMC 200离子注入机技术指标应用：主要用于半导体微电子衬底材料掺杂，晶圆上注入B、P、As等元素，并且具备注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。 注入晶圆尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不规则小片，最小可注入1cm2的样品。注入能量范围：20-200KeV 可升级到最小3KeV或二价/三价离子，注入能量400/600Kev 注入角度：0°、7°，可通过手动更换夹具的方式改变注入角度0°-45°注入剂量范围：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2注入均匀性：片间1o1.0%(注入条件:1000A氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1xE14 at/cm2) 真空度：离子源:2xE-6mbar(2xE-4Pa) 束流管:7xE-7 mbar(7xE-5Pa) 靶室:7xE-7 mbar(7xE-5Pa):离子源真空系统初真空泵为化学干泵，高真空泵为涡轮分子泵 束流管及终端真空系统初真空泵为干泵，高真空泵为冷泵。 最大注入束流：11B单价离子:600μA 31P单价离子:1500μA 75As单价离子:1500μA。(注入条件:6英寸晶圆，注入能量120KeV-200KeV)。气路系统：含5路气体:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有气路系统都集成在机器里面能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。软件功能：包括但不限于:权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。三、PULSION离子注入机技术指标 优势：3D浸没式全方位离子注入，不受形状、大小、表面状态限制 可靠性高，气体消耗量低，易于维护，成本低 独特的脉冲等离子体配置和偏振技术，所需能量低，电流输入输出能力高，工艺稳定性高，可以实现保形处理 能够以较小的占地面积处理大型部件 工艺时间短:工艺时间与待注入的机械部件的大小无关，即使要求的注入量非常高 可按照用户要求定制 有全自动、工程和手动模式，工程和手动模式下可人为控制单步骤工艺 工艺可编辑，参数可监测、控制和记录，可查看报警历史。原理：把要处理的部件放在真空室中的夹具上，并完全浸入待注入离子电离形成的高密度等离子体中。当夹具在脉冲电压模式下被偏置到负电压时，开始注入。应用：改善表面机械性能，减少磨损、摩擦力和金属疲劳 提高表面耐腐蚀、耐化学、耐高温性能 改变表面理化性能如表面能、粘附性等 提高生物相容性 逸出功工程 加氢，吸气 用于高级存储器和硅基光电学的纳米沉淀和纳米结构加速电压：1 kV-10kV标准注入电流：5 mA-100 mA (N2)标准注入时间：30 min -3 h 可注入选项：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...注入部件尺寸：400 mmx400 mmx200 mm辐射：在任意外部屏蔽点10cm处，辐射值0.6μSv/h1注入剂量范围：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2腔室idle气压：5xE-6 mbar设备尺寸：1.6x2.15x2.3m(标准型) 2.15x2.15x2.3m(加大型)

1 产品概述: 离子注入设备，又称为离子注入机，是半导体制造中的关键设备之一。它通过将可控数量的离子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半导体材料（如硅片）的特定区域，以改变其电学性能，实现掺杂的目的。离子注入技术具有精确控制掺杂深度、浓度和横向分布的能力，是现代集成电路制造中不可或缺的一环。离子注入设备主要由离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等部分组成。离子源负责产生所需的离子，经过质量分析器筛选后，由加速管加速至几百千电子伏特的能量，最后通过扫描系统均匀地注入到硅片表面。工艺腔则提供了一个真空环境，确保离子注入过程的顺利进行。2 设备用途：离子注入设备在半导体制造领域具有广泛的用途，主要包括以下几个方面：集成电路制造：在制造集成电路的过程中，离子注入技术用于形成晶体管的源极、漏极和沟道等关键区域，以及实现电路的隔离和互联。金属材料表面改性：通过离子注入技术，可以在金属材料表面形成一层具有特殊性能的改性层，如提高耐磨性、耐腐蚀性和硬度等。薄膜制备：离子注入技术还可以用于制备具有特定性能的薄膜材料，如超导薄膜、光学薄膜等。3 设备特点离子注入设备具有以下几个显著特点： 精确控制：离子注入技术可以精确控制掺杂离子的种类、数量、深度和横向分布，满足集成电路制造中对掺杂精度的极高要求。低温处理：与传统的热扩散工艺相比，离子注入技术可以在较低的温度下进行，避免了高温处理对半导体材料性能的影响。广泛应用：离子注入技术不仅应用于半导体制造领域，还扩展到金属材料表面改性、薄膜制备等多个领域。 4 技术参数和特点： &bull 基板尺寸：Max200mm枚叶式可对应薄片Wafer&bull 非质量分离机的对比优点1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备2)相比过去约一半的低价3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计

1 产品概述: 离子注入设备，又称为离子注入机，是半导体制造中的关键设备之一。它通过将可控数量的离子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半导体材料（如硅片）的特定区域，以改变其电学性能，实现掺杂的目的。离子注入技术具有精确控制掺杂深度、浓度和横向分布的能力，是现代集成电路制造中不可或缺的一环。离子注入设备主要由离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等部分组成。离子源负责产生所需的离子，经过质量分析器筛选后，由加速管加速至几百千电子伏特的能量，最后通过扫描系统均匀地注入到硅片表面。工艺腔则提供了一个真空环境，确保离子注入过程的顺利进行。2 设备用途：离子注入设备在半导体制造领域具有广泛的用途，主要包括以下几个方面：集成电路制造：在制造集成电路的过程中，离子注入技术用于形成晶体管的源极、漏极和沟道等关键区域，以及实现电路的隔离和互联。金属材料表面改性：通过离子注入技术，可以在金属材料表面形成一层具有特殊性能的改性层，如提高耐磨性、耐腐蚀性和硬度等。薄膜制备：离子注入技术还可以用于制备具有特定性能的薄膜材料，如超导薄膜、光学薄膜等。3 设备特点离子注入设备具有以下几个显著特点： 精确控制：离子注入技术可以精确控制掺杂离子的种类、数量、深度和横向分布，满足集成电路制造中对掺杂精度的极高要求。低温处理：与传统的热扩散工艺相比，离子注入技术可以在较低的温度下进行，避免了高温处理对半导体材料性能的影响。广泛应用：离子注入技术不仅应用于半导体制造领域，还扩展到金属材料表面改性、薄膜制备等多个领域。4 技术参数和特点：基板尺寸：Max200mm大能量：2400 keV枚叶式可对应薄片Wafer平行Beam

1 产品概述: 离子注入设备，又称为离子注入机，是半导体制造中的关键设备之一。它通过将可控数量的离子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半导体材料（如硅片）的特定区域，以改变其电学性能，实现掺杂的目的。离子注入技术具有精确控制掺杂深度、浓度和横向分布的能力，是现代集成电路制造中不可或缺的一环。离子注入设备主要由离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等部分组成。离子源负责产生所需的离子，经过质量分析器筛选后，由加速管加速至几百千电子伏特的能量，最后通过扫描系统均匀地注入到硅片表面。工艺腔则提供了一个真空环境，确保离子注入过程的顺利进行。2 设备用途：离子注入设备在半导体制造领域具有广泛的用途，主要包括以下几个方面：集成电路制造：在制造集成电路的过程中，离子注入技术用于形成晶体管的源极、漏极和沟道等关键区域，以及实现电路的隔离和互联。金属材料表面改性：通过离子注入技术，可以在金属材料表面形成一层具有特殊性能的改性层，如提高耐磨性、耐腐蚀性和硬度等。薄膜制备：离子注入技术还可以用于制备具有特定性能的薄膜材料，如超导薄膜、光学薄膜等。3 设备特点离子注入设备具有以下几个显著特点：精确控制：离子注入技术可以精确控制掺杂离子的种类、数量、深度和横向分布，满足集成电路制造中对掺杂精度的极高要求。低温处理：与传统的热扩散工艺相比，离子注入技术可以在较低的温度下进行，避免了高温处理对半导体材料性能的影响。广泛应用：离子注入技术不仅应用于半导体制造领域，还扩展到金属材料表面改性、薄膜制备等多个领域。4 技术参数和特点：可适用于晶圆尺寸8inch等，搭载了可对应不定形基板的台板。离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。可大范围对应从试作到量产的各类需求。

1 产品概述: SiC用高温离子注入设备，如爱发科（Ulvac）公司推出的IH-860DSIC，是专为SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火技术难题设计的专用设备。该设备搭载了高温ESC（静电吸附卡盘），能够在高温环境下实现高能粒子的连续注入，有效解决了SiC晶圆在离子注入过程中易产生结晶缺陷的问题。2 设备用途： SiC用高温离子注入设备主要用于SiC功率器件（如SiC-SBD和SiC-MOSFET）的生产工艺中，特别是在离子注入和激活退火环节。通过该设备，可以实现高温下的高能离子注入，控制注入离子的浓度和深度，从而改善SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性。这对于提升SiC功率器件的性能和可靠性至关重要。3 设备特点 高温处理能力：设备能够在500℃的高温下进行离子注入，有效控制SiC晶圆在注入过程中产生的结晶缺陷。 高能粒子注入：支持高能量的离子注入，如1价离子可注入至350keV（Option: 430keV），2价离子可注入至700keV（Option: 860keV），满足SiC晶圆对注入能量的高要求。 高吞吐量：通过采用可调温的静电吸盘和双工位系统结构，实现了晶圆在真空腔内的连续更换和高温处理，将吞吐量提升至30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），满足量产需求。 自动化与智能化：设备具备自动连续高温处理注入的功能，减轻了操作员的负担，同时提高了生产效率和一致性。 4 技术参数和特点：&bull 可实现自动连续高温处理注入&bull 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV（Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）&bull 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能；（A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）&bull 可减轻操作员的负担，紧凑式设计&bull 可大范围对应从试作到量产的各类需求

真空注入机 VEU简介真空注入机用于对多孔性及脆性岩样进行粘合剂的注入，以填充其孔隙，裂缝，并防止岩样的二次断裂。参数旋转圆盘直径： 200mm标准模具数量： 10重量： 20kg整体尺寸： 440x300x450mm腔室尺寸： 200φx150mm(Height)电源： 220V，50/60Hz

一、公司介绍法国IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于离子注入领域的研发、设计制造与服务，并不断升级和提高在该领域的技术水平。创始人是来自法国军方的技术专家，在其带领下，整个技术团队对技术更新的热忱与努力，严谨低调的作风保证了设备的高质量和超强的稳定性。产品有多种型号包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客户要求设计定制的能力。二、IMC 200离子注入机技术指标应用：主要用于半导体微电子衬底材料掺杂，晶圆上注入B、P、As等元素，并且具备注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。 注入晶圆尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不规则小片，最小可注入1cm2的样品。注入能量范围：20-200KeV 可升级到最小3KeV或二价/三价离子，注入能量400/600Kev 注入角度：0°、7°，可通过手动更换夹具的方式改变注入角度0°-45°注入剂量范围：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2注入均匀性：片间1o1.0%(注入条件:1000A氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1xE14 at/cm2) 真空度：离子源:2xE-6mbar(2xE-4Pa) 束流管:7xE-7 mbar(7xE-5Pa) 靶室:7xE-7 mbar(7xE-5Pa):离子源真空系统初真空泵为化学干泵，高真空泵为涡轮分子泵 束流管及终端真空系统初真空泵为干泵，高真空泵为冷泵。 最大注入束流：11B单价离子:600μA 31P单价离子:1500μA 75As单价离子:1500μA。(注入条件:6英寸晶圆，注入能量120KeV-200KeV)。气路系统：含5路气体:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有气路系统都集成在机器里面能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。软件功能：包括但不限于:权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。三、PULSION离子注入机技术指标 优势：3D浸没式全方位离子注入，不受形状、大小、表面状态限制 可靠性高，气体消耗量低，易于维护，成本低 独特的脉冲等离子体配置和偏振技术，所需能量低，电流输入输出能力高，工艺稳定性高，可以实现保形处理 能够以较小的占地面积处理大型部件 工艺时间短:工艺时间与待注入的机械部件的大小无关，即使要求的注入量非常高 可按照用户要求定制 有全自动、工程和手动模式，工程和手动模式下可人为控制单步骤工艺 工艺可编辑，参数可监测、控制和记录，可查看报警历史。原理：把要处理的部件放在真空室中的夹具上，并完全浸入待注入离子电离形成的高密度等离子体中。当夹具在脉冲电压模式下被偏置到负电压时，开始注入。应用：改善表面机械性能，减少磨损、摩擦力和金属疲劳 提高表面耐腐蚀、耐化学、耐高温性能 改变表面理化性能如表面能、粘附性等 提高生物相容性 逸出功工程 加氢，吸气 用于高级存储器和硅基光电学的纳米沉淀和纳米结构加速电压：1 kV-10kV标准注入电流：5 mA-100 mA (N2)标准注入时间：30 min -3 h 可注入选项：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...注入部件尺寸：400 mmx400 mmx200 mm辐射：在任意外部屏蔽点10cm处，辐射值0.6μSv/h1注入剂量范围：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2腔室idle气压：5xE-6 mbar设备尺寸：1.6x2.15x2.3m(标准型) 2.15x2.15x2.3m(加大型)

动物饲养垫料处理工作台使得网箱清洗和动物垫料的处置现在更简单和安全。专为动物研究实验室，移动工作站保护人员和实验室环境，从接触到过敏材料到有难闻气体所设计。该行业液压高度调节系统，让工作表面高度能够调整到用户所需的高度，因此减少应变过程中重复的操作。一个内置的废物处理容器可以直接处理工作区内的废物。 核心优势:● ELISA 验证过敏原隔离性能● 碳过滤器吸收异味气体● 内置的大型废物处理容器● 高度机动支架 产品特点：● Sentinel 微电脑控制器监控安全柜所有的功能。● 液压高度调节系统，让工作表面高度能够调整到用户所需的高度。● 长寿命的ULPA空气过滤器，在处理动物垫料时，保护用户和环境，以免接触有害颗粒物。● Nanocarb 活性炭过滤器去除异味。● 预过滤器延伸主过滤器的使用寿命，可以安全地在气流运行时的工作区内更换。● 工作区域明亮和均匀的灯光，有助于提高工作效率。● 风机系统设计提高运作性能，有效节能和减低维修的需要。● 工作区域为不锈钢材料一体成型，边缘都经圆弧处理，便于清洁。● 在工作面上提供了一个倾倒的工作区域。这可以更方便，更快捷，更安全的处理动物垫料和笼子。● 一个安装到工作面的NSF认证40加仑废物容器，让用户快速的在工作区内处置废物。● 表面有ISOCIDE 抗菌涂层 产品型号：型号外部尺寸（长 x 宽 x 高）内部尺寸（长 x 宽 x 高）流入气流速率电源电压VBD-4A11247 x 760 x 1966 mm(49.1" x 30.0" x 77.4") min height1247 x 760 x 2271 mm(49.1" x 30.0" x 89.4") max height1040 x 680 x 594 mm(40.9" x 26.8" x 23.4")0.35 m/s(70 fpm)220 -240 VAC, 50 Hz 产品配件：Esco提供多种选项和配件以满足当地的应用。联系Esco或您当地的销售代表订购信息。 ● 额外的40加仑NSF认证废物容器（EQR / me-bin-1）● 更换预过滤器（CRF / pf-13）每箱有6个过滤器尺寸：870毫米×500毫米（34.3“×19.7”）聚酯媒体用纸板框

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量子和纳米级材料工程的先进平台Q-One&trade 是最先进的聚焦离子束平台，用于先进的器件制造和纳米级材料工程。Q-One具有确定性单离子注入功能，是世界上第一台专门为满足量子研究的苛刻要求而设计的仪器。主要特点：高分辨率质量过滤聚焦离子束确定性单离子检测，检测效率高达98%可选择液态金属或等离子离子源一流的离子选择和广泛的植入物种类飞安级光束电流，可实现精确的单离子事件纳米级精密载物台，可处理高达 6 英寸的晶圆专有的注入和光刻软件确定性植入确定性单离子注入意味着以令人难以置信的精度将单个离子放入底物中，并知道已经发生了注入。Q-One使用超灵敏植入后检测系统技术来检测每次离子撞击时产生的信号。种类繁多Q-One提供广泛的植入元件。液态金属离子源（LMIS）技术在单个源中产生不同元素的多个离子，包括团簇和多电荷物种。有几种合金成分可供选择，包括硅、铒、钕、金和铋。利用我们多年的专业知识，我们确保每个源头都以最佳方式流动，以实现最大的稳定性。单独的等离子体离子源也可用于氢、氮、氧和其他气态元素。应用量子技术嵌入半导体矩阵中的单个杂质原子作为量子比特（量子比特）显示出巨大的前景。单离子注入能够产生大量相同的量子比特阵列，是可重复制造这些和其他量子器件的关键途径。然而，公差是极端的——每个原子必须非常精确地放置，有时距离其邻居只有20纳米。Q-One是唯一针对此应用而设计的工具，其规格针对这些极端要求。应用掺杂纳米材料Q-One不仅限于注入单个离子。将任何所需的离子剂量植入任何位置，甚至可以使用专有软件植入自定义区域或形状。掺杂纳米材料，如纳米线或具有不同元素的量子点，可以改变其性质。Q-One通过允许您靶向单个纳米材料并使用各种掺杂剂探索不同的行为，开辟了一个充满可能性的世界。应用离子光刻Q-One允许用户执行直接写入光刻，就像普通FIB一样，但种类范围更广，离子剂量控制更好。使用铋等重元素进行高效溅射，或使用氢等轻元素进行基于光刻胶的离子光刻，甚至包括单离子事件。如果没有检测每个注入事件的方法，就不可能精确地注入单个离子。系统提供速度和可扩展性，不需要复杂的预制。因此，您可以不受阻碍地选择植入物种类和目标材料。

实验动物垫料处理工作台 型号：A721 用途：笼子清理和垫料处理程序变得更简单，更安全，同时使得人员和环境避免暴露于实验动物的过敏原和特殊的气味，自带的废物容器可直接处理工作区内的废物。 性能：1. 台面有390*390mm的方形开口，带盖子；2. 顶部有高效过滤器和分子过滤器吸附特殊气味3. 空气流向由前窗向顶部流动，保护操作者和环境4. 柜体两侧有拉手，便于移动；5. 可配废物桶100L，装卸轻松，和柜体同步移动6. 外形尺寸(长×宽×高）mm： 1140*660*2060；7. 内部尺寸(长×宽×高）mm： 1080*630*8538. 选配件：废物桶100L，废物袋，

法国IBS IMC210中束流离子注入机 离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成，可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位，作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子，当外来电子的能量高于原子的电离电位时，通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外，还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子，再经过加速器获得较高能量，由四级透镜聚焦后进入靶室，进行离子注入。 离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和精确控制等要求，已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。 特点：l精确控制离子束流l精确控制加速电压l占地小, 操作简单, 运行成本低l特别适合于研发应用l适用于4”~6”晶片，最小可用于1*1cm2样品（室温）l4”热注入模式，最高温度可达600度l2个带有蒸发器的Freeman离子源，可使温度达750度l1个Bernas离子源l非凡的铝注入能力l一个主气箱，配有4个活性气体管路；一个副气箱，配有4个中性气体管路l高价样品注入能力l注入角0~15度lIBS特有的矢量扫描系统l手动装载/卸载用于标准注入和热注入，自动25片cassette 装载用于标准腔室l远程操作控制接触屏（5米链接线缆）l辐射低于0.6usv/hour 工艺性能

动物饲养垫料处理工作台使得网箱清洗和动物垫料的处置现在更简单和安全。专为动物研究实验室，移动工作站保护人员和实验室环境，从接触到过敏材料到有难闻气体所设计。该行业液压高度调节系统，让工作表面高度能够调整到用户所需的高度，因此减少应变过程中重复的操作。一个内置的废物处理容器可以直接处理工作区内的废物。 核心优势:● ELISA 验证过敏原隔离性能● 碳过滤器吸收异味气体● 内置的大型废物处理容器● 高度机动支架产品型号：型号外部尺寸（长 x 宽 x 高）内部尺寸（长 x 宽 x 高）流入气流速率电源电压VBD-4A11247 x 760 x 1966 mm(49.1" x 30.0" x 77.4") min height1247 x 760 x 2271 mm(49.1" x 30.0" x89.4") max height1040 x 680 x 594 mm(40.9" x 26.8" x 23.4")0.35 m/s(70 fpm)220 -240 VAC, 50 Hz性能特点：● Sentinel 微电脑控制器监控安全柜所有的功能。● 液压高度调节系统，让工作表面高度能够调整到用户所需的高度。● 长寿命的ULPA空气过滤器，在处理动物垫料时，保护用户和环境，以免接触有害颗粒物。● Nanocarb 活性炭过滤器去除异味。● 预过滤器延伸主过滤器的使用寿命，可以安全地在气流运行时的工作区内更换。 ● 工作区域明亮和均匀的灯光，有助于提高工作效率。● 风机系统设计提高运作性能，有效节能和减低维修的需要。● 工作区域为不锈钢材料一体成型，边缘都经圆弧处理，便于清洁。● 在工作面上提供了一个倾倒的工作区域。这可以更方便，更快捷，更安全的处理动物垫料和笼子。● 一个安装到工作面的NSF认证40加仑废物容器，让用户快速的在工作区内处置废物。● 表面有ISOCIDE 抗菌涂层选配件：Esco提供多种选项和配件以满足当地的应用。 ● 额外的40加仑NSF认证废物容器（EQR / me-bin-1）● 更换预过滤器（CRF / pf-13）每箱有6个过滤器尺寸：870毫米×500毫米（34.3“×19.7”）聚酯媒体用纸板框

一、公司介绍法国IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于离子注入领域的研发、设计制造与服务，并不断升级和提高在该领域的技术水平。创始人是来自法国军方的技术专家，在其带领下，整个技术团队对技术更新的热忱与努力，严谨低调的作风保证了设备的高质量和超强的稳定性。产品有多种型号包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客户要求设计定制的能力。二、IMC 200离子注入机技术指标应用：主要用于半导体微电子衬底材料掺杂，晶圆上注入B、P、As等元素，并且具备注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。 注入晶圆尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不规则小片，最小可注入1cm2的样品。注入能量范围：20-200KeV 可升级到最小3KeV或二价/三价离子，注入能量400/600Kev 注入角度：0°、7°，可通过手动更换夹具的方式改变注入角度0°-45°注入剂量范围：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2注入均匀性：片间1o1.0%(注入条件:1000A氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1xE14 at/cm2) 真空度：离子源:2xE-6mbar(2xE-4Pa) 束流管:7xE-7 mbar(7xE-5Pa) 靶室:7xE-7 mbar(7xE-5Pa):离子源真空系统初真空泵为化学干泵，高真空泵为涡轮分子泵 束流管及终端真空系统初真空泵为干泵，高真空泵为冷泵。 最大注入束流：11B单价离子:600μA 31P单价离子:1500μA 75As单价离子:1500μA。(注入条件:6英寸晶圆，注入能量120KeV-200KeV)。气路系统：含5路气体:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有气路系统都集成在机器里面能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。软件功能：包括但不限于:权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。三、PULSION离子注入机技术指标 优势：3D浸没式全方位离子注入，不受形状、大小、表面状态限制 可靠性高，气体消耗量低，易于维护，成本低 独特的脉冲等离子体配置和偏振技术，所需能量低，电流输入输出能力高，工艺稳定性高，可以实现保形处理 能够以较小的占地面积处理大型部件 工艺时间短:工艺时间与待注入的机械部件的大小无关，即使要求的注入量非常高 可按照用户要求定制 有全自动、工程和手动模式，工程和手动模式下可人为控制单步骤工艺 工艺可编辑，参数可监测、控制和记录，可查看报警历史。原理：把要处理的部件放在真空室中的夹具上，并完全浸入待注入离子电离形成的高密度等离子体中。当夹具在脉冲电压模式下被偏置到负电压时，开始注入。应用：改善表面机械性能，减少磨损、摩擦力和金属疲劳 提高表面耐腐蚀、耐化学、耐高温性能 改变表面理化性能如表面能、粘附性等 提高生物相容性 逸出功工程 加氢，吸气 用于高级存储器和硅基光电学的纳米沉淀和纳米结构加速电压：1 kV-10kV标准注入电流：5 mA-100 mA (N2)标准注入时间：30 min -3 h 可注入选项：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...注入部件尺寸：400 mmx400 mmx200 mm辐射：在任意外部屏蔽点10cm处，辐射值0.6μSv/h1注入剂量范围：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2腔室idle气压：5xE-6 mbar设备尺寸：1.6x2.15x2.3m(标准型) 2.15x2.15x2.3m(加大型)

一、公司介绍法国IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于离子注入领域的研发、设计制造与服务，并不断升级和提高在该领域的技术水平。创始人是来自法国军方的技术专家，在其带领下，整个技术团队对技术更新的热忱与努力，严谨低调的作风保证了设备的高质量和超强的稳定性。产品有多种型号包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客户要求设计定制的能力。二、IMC 200离子注入机技术指标应用：主要用于半导体微电子衬底材料掺杂，晶圆上注入B、P、As等元素，并且具备注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。 注入晶圆尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不规则小片，最小可注入1cm2的样品。注入能量范围：20-200KeV 可升级到最小3KeV或二价/三价离子，注入能量400/600Kev 注入角度：0°、7°，可通过手动更换夹具的方式改变注入角度0°-45°注入剂量范围：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2注入均匀性：片间1o1.0%(注入条件:1000A氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1xE14 at/cm2) 真空度：离子源:2xE-6mbar(2xE-4Pa) 束流管:7xE-7 mbar(7xE-5Pa) 靶室:7xE-7 mbar(7xE-5Pa):离子源真空系统初真空泵为化学干泵，高真空泵为涡轮分子泵 束流管及终端真空系统初真空泵为干泵，高真空泵为冷泵。 最大注入束流：11B单价离子:600μA 31P单价离子:1500μA 75As单价离子:1500μA。(注入条件:6英寸晶圆，注入能量120KeV-200KeV)。气路系统：含5路气体:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有气路系统都集成在机器里面能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。软件功能：包括但不限于:权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。三、PULSION离子注入机技术指标 优势：3D浸没式全方位离子注入，不受形状、大小、表面状态限制 可靠性高，气体消耗量低，易于维护，成本低 独特的脉冲等离子体配置和偏振技术，所需能量低，电流输入输出能力高，工艺稳定性高，可以实现保形处理 能够以较小的占地面积处理大型部件 工艺时间短:工艺时间与待注入的机械部件的大小无关，即使要求的注入量非常高 可按照用户要求定制 有全自动、工程和手动模式，工程和手动模式下可人为控制单步骤工艺 工艺可编辑，参数可监测、控制和记录，可查看报警历史。原理：把要处理的部件放在真空室中的夹具上，并完全浸入待注入离子电离形成的高密度等离子体中。当夹具在脉冲电压模式下被偏置到负电压时，开始注入。应用：改善表面机械性能，减少磨损、摩擦力和金属疲劳 提高表面耐腐蚀、耐化学、耐高温性能 改变表面理化性能如表面能、粘附性等 提高生物相容性 逸出功工程 加氢，吸气 用于高级存储器和硅基光电学的纳米沉淀和纳米结构加速电压：1 kV-10kV标准注入电流：5 mA-100 mA (N2)标准注入时间：30 min -3 h 可注入选项：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...注入部件尺寸：400 mmx400 mmx200 mm辐射：在任意外部屏蔽点10cm处，辐射值0.6μSv/h1注入剂量范围：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2腔室idle气压：5xE-6 mbar设备尺寸：1.6x2.15x2.3m(标准型) 2.15x2.15x2.3m(加大型)

一、公司介绍法国IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于离子注入领域的研发、设计制造与服务，并不断升级和提高在该领域的技术水平。创始人是来自法国军方的技术专家，在其带领下，整个技术团队对技术更新的热忱与努力，严谨低调的作风保证了设备的高质量和超强的稳定性。产品有多种型号包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客户要求设计定制的能力。二、IMC 200离子注入机技术指标应用：主要用于半导体微电子衬底材料掺杂，晶圆上注入B、P、As等元素，并且具备注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。 注入晶圆尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不规则小片，最小可注入1cm2的样品。注入能量范围：20-200KeV 可升级到最小3KeV或二价/三价离子，注入能量400/600Kev 注入角度：0°、7°，可通过手动更换夹具的方式改变注入角度0°-45°注入剂量范围：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2注入均匀性：片间1o1.0%(注入条件:1000A氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1xE14 at/cm2) 真空度：离子源:2xE-6mbar(2xE-4Pa) 束流管:7xE-7 mbar(7xE-5Pa) 靶室:7xE-7 mbar(7xE-5Pa):离子源真空系统初真空泵为化学干泵，高真空泵为涡轮分子泵 束流管及终端真空系统初真空泵为干泵，高真空泵为冷泵。 最大注入束流：11B单价离子:600μA 31P单价离子:1500μA 75As单价离子:1500μA。(注入条件:6英寸晶圆，注入能量120KeV-200KeV)。气路系统：含5路气体:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有气路系统都集成在机器里面能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。软件功能：包括但不限于:权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。三、PULSION离子注入机技术指标 优势：3D浸没式全方位离子注入，不受形状、大小、表面状态限制 可靠性高，气体消耗量低，易于维护，成本低 独特的脉冲等离子体配置和偏振技术，所需能量低，电流输入输出能力高，工艺稳定性高，可以实现保形处理 能够以较小的占地面积处理大型部件 工艺时间短:工艺时间与待注入的机械部件的大小无关，即使要求的注入量非常高 可按照用户要求定制 有全自动、工程和手动模式，工程和手动模式下可人为控制单步骤工艺 工艺可编辑，参数可监测、控制和记录，可查看报警历史。原理：把要处理的部件放在真空室中的夹具上，并完全浸入待注入离子电离形成的高密度等离子体中。当夹具在脉冲电压模式下被偏置到负电压时，开始注入。应用：改善表面机械性能，减少磨损、摩擦力和金属疲劳 提高表面耐腐蚀、耐化学、耐高温性能 改变表面理化性能如表面能、粘附性等 提高生物相容性 逸出功工程 加氢，吸气 用于高级存储器和硅基光电学的纳米沉淀和纳米结构加速电压：1 kV-10kV标准注入电流：5 mA-100 mA (N2)标准注入时间：30 min -3 h 可注入选项：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...注入部件尺寸：400 mmx400 mmx200 mm辐射：在任意外部屏蔽点10cm处，辐射值0.6μSv/h1注入剂量范围：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2腔室idle气压：5xE-6 mbar设备尺寸：1.6x2.15x2.3m(标准型) 2.15x2.15x2.3m(加大型)

产品信息受益于包括光收集或注入模式的多功能系统。揭示样品的前所未有的特征：成分、 结构或缺陷。充分利用具有大收集角度的优化系统。 激发样品以揭示光/热激发下的局部行为。产品优点如下：a、独立于样品架的镜子，可实现完美和优化的对准b、绝对编码系统，确保高对准精度和再现性（100nm精度）c、能够在自由空间或通过光纤注入/收集光产品还有如下特点：1、光收集模式：a、独特的抛物面收集镜，设计用于安装极靴间隙小至4.5mm；b、具有亚微米精度的定位系统，用于将镜子与样品完美对齐；c、 NA0.4的高曲率抛物面镜；d、工作距离减小到300µ m，以最大化光收集/注入效率；e、 专利不对称光纤，旨在保持亮度和光谱分辨率。f、 使用了一种非对称光纤，光纤束从圆形到平行于成 像光谱仪的入口狭缝重新排列。这使得即使当狭缝展开并 且光斑由于扫描而在狭缝的入口处移动时，也能够保持恒 定的光谱分辨率。2、光注入模式：a、对于样品的局部光或热激发，光束尺寸减小到几微米；b、能够同时进行注入和光收集测量。3、STEM兼容性: a、 和大部分的(S)TEM型号兼容 : JEOL, TFS/FEI, Hitachi, Nion VG… b、极靴距离 : 最小 4.5mm c、PPG平面中有一个可用端口产品参数 镜子1、专有抛物面反射镜 ；2、厚度：2.0 mm（根据要求提供其他厚度）；3、光收集和注入模式兼容 ；4、样品至镜面距离：300µ m ；5、镜子反射性能：从200nm到1.7µ m，高达90%。 微定位系统1、行程: 30mm (X), +/-1.5mm (Y), +/-1.5mm (Z) ；2、自动伸缩式镜子 ；3、精度为300nm的绝对编码器 ；4、样品台触碰报警，以避免损坏极靴或样品架；5、外形尺寸161mm x 210mm x 133 mm与Thorlabs笼式系统兼容。 光收集注入接头1、带适配插入槽的光纤 ；2、自由空间，以避免空间相干性损失和信号功率密度下降，在两种模式之间切换仅需要几秒钟。 系统控制1、外部扫描卡，4个输入（12位），用于附加单通道探测器 （PMT…）；2个输出，用于控制STEM扫描；1输出，用于光束阻断器。2、最快测量速度：900Hz（128x128图像用时18s） 软件1、臂/镜控制软件（Windows10或更高版本，64位）；2、Gatan Digital Micrograph的采集/可视化模块 ；3、可选项：Python API加密。 选配件 色散光谱仪：1、两个成像出口 (320 mm 焦距) 2、多种光栅转台 检测器1、高速紫外可见光CCD相机 (200 nm–1100 nm) ；2、InGaAs近红外相机(900 nm–1700 nm)；3、全色检测器 (PMT 200 nm–900 nm)。应用领域1、电子 & 光电子 (GaN, InP, SiC...) 2、光伏电池 (GaAs, CdTe, Perovskites…) 3、发光二极管 (LEDs) 4、2D材料(Graphene, BN, WS2, diamond…) 5、贵金属(plasmonic) 6、光子晶体7、量子阱 & 量子点8、矿物、玻璃、陶瓷和宝石9、无机涂层10、有机物, 聚合物样品

Ulvac公司现已投产的可用于SiC元件量产的离子注入设备 针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和SiC．MOSFET器件完成工艺验证。 日本UlVAC爱发科，公司现已推出可用于使用SiC晶圆的家电和汽车功率元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC”。吞吐量为30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），“现已得到元件厂商的充分肯定，完全可用于量产”（Ulvac公司）。面向SiC元件量产的离子注入设备“为业界首例”（Ulvac公司），希望得到那些计划2006年以后开始SiC元件量产的功率元件厂商的采用。 可在真空腔中连续更换晶圆 面向SiC元件的离子注入设备过去一直在由各设备厂商进行开发，吞吐量较低，每天仅有几枚，不适合量产。吞吐量之所以较低，是因为无法在腔内连续更换晶圆。与硅晶圆相比，SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷，注入离子时需要将晶圆温度维持在500℃的高温，在控制结晶缺陷产生的同时，注入离子。过去一直都是手工将晶圆固定在可调温的晶圆座上，因此更换晶圆时需要在腔内进行放气。 此次通过给设备配备可调温的静电吸盘（Electrostatic Chuck），解决了上述问题。静电吸盘就是利用静电作用力，将晶圆吸附到晶圆座上，能够在真空腔内连续更换晶圆。另外，通过采用可在2个晶圆座上配置SiC晶圆的系统结构，能够一边向一个晶圆进行离子注入，一边同时给另一个晶圆座进行升温作业。由此，将吞吐量提高到了30枚/小时这种适用于量产的水平。 实现了支持SiC的高注入能量 此次的设备除吞吐量之外，还克服了量产所需的另一个条件。作为SiC晶圆，注入离子时在使晶圆保持高温的同时，还需要加大注入能量。其原因在于，在离子注入完成后为消除结晶缺陷而进行退火处理时离子不易扩散，因此注入时需要给底板的表面至深处都注入离子。此次的设备将注入能量由过去的约400keV提高到了最大700keV，达到了量产所要求的水平。 离子注入设备SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC 搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。 产品特性 / Product characteristics• 可实现自动连续高温处理注入• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV （Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）• 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能； （A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）• 可减轻操作员的负担• 紧凑式设计• 可大范围对应从试作到量产的各类需求产品应用 / Product application• 对应SiC的离子注入装置。

新产品气体注入系统OmniGIS II，具有一套单端口、气体源注入系统(GIS)。该系统可以允许用户在SEM和FIB里构建纳米结构，以达到以前所未有的精度、速度和可用性。在扫描电镜或聚焦离子束样品室中，气体注入系统(GIS)直接在样品上引入了可控制的流动气体方案。气体与显微镜的电子束或离子束相互作用，可以在材料表面进行刻蚀或沉积。应用范围包括样品制备和纳米焊接，以及采用直写式光刻技术建立纳米结构，从而实现无掩模纳米图案。OmniGIS II，牛津仪器的第二代气体注入系统，具有独特的特性，相比同行业的同类产品，它能使控制水平和准确性达到前所未见的高度。通气口可以自动识别气体源并快速进行气体源更换，同时可以安装三种气体源和另外两种气体。设备采用“流通式”载体的方法能促进高效元素传送并快速处理，并且压力反馈控制会自动调整到大范围真空室压力，以实现高压力下的快速处理或低压力下的高分辨率纳米图案成形。

Ulvac公司现已投产的可用于SiC元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC” 针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和SiC．MOSFET器件完成工艺验证。 日本UlVAC爱发科，公司现已推出可用于使用SiC晶圆的家电和汽车功率元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC”。吞吐量为30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），“现已得到元件厂商的充分肯定，完全可用于量产”（Ulvac公司）。面向SiC元件量产的离子注入设备“为业界首例”（Ulvac公司），希望得到那些计划2006年以后开始SiC元件量产的功率元件厂商的采用。 可在真空腔中连续更换晶圆 面向SiC元件的离子注入设备过去一直在由各设备厂商进行开发，吞吐量较低，每天仅有几枚，不适合量产。吞吐量之所以较低，是因为无法在腔内连续更换晶圆。与硅晶圆相比，SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷，注入离子时需要将晶圆温度维持在500℃的高温，在控制结晶缺陷产生的同时，注入离子。过去一直都是手工将晶圆固定在可调温的晶圆座上，因此更换晶圆时需要在腔内进行放气。 此次通过给设备配备可调温的静电吸盘（Electrostatic Chuck），解决了上述问题。静电吸盘就是利用静电作用力，将晶圆吸附到晶圆座上，能够在真空腔内连续更换晶圆。另外，通过采用可在2个晶圆座上配置SiC晶圆的系统结构，能够一边向一个晶圆进行离子注入，一边同时给另一个晶圆座进行升温作业。由此，将吞吐量提高到了30枚/小时这种适用于量产的水平。 实现了支持SiC的高注入能量 此次的设备除吞吐量之外，还克服了量产所需的另一个条件。作为SiC晶圆，注入离子时在使晶圆保持高温的同时，还需要加大注入能量。其原因在于，在离子注入完成后为消除结晶缺陷而进行退火处理时离子不易扩散，因此注入时需要给底板的表面至深处都注入离子。此次的设备将注入能量由过去的约400keV提高到了最大700keV，达到了量产所要求的水平。 离子注入设备SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC 搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。 产品特性 / Product characteristics• 可实现自动连续高温处理注入• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV （Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）• 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能； （A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）• 可减轻操作员的负担• 紧凑式设计• 可大范围对应从试作到量产的各类需求 产品应用 / Product application• 对应SiC的离子注入装置。 研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500中电流离子注入装置IMX-3500为最大能量200keV、对应最大晶圆尺寸8inch的离子注入装置，适用于大学等机构的研究开发。 产品特性 / Product characteristics• 最大晶圆尺寸8inch，搭载了可对应不定形基板的台板。• 离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。• HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。 产品应用 / Product application • 教育、研究开发等 高能对应离子注入设备SOPHI-400最大可对应至2400KeV的高能离子注入装置。 产品特性 / Product characteristics• 枚叶式• 可对应薄片Wafer• 平行Beam产品应用 / Product application • 功率器件相关薄片基板工艺、IGBT工艺可对应低速高浓度的离子注入设备SOPHI-30低加速、高浓度对应的离子注入设备。 产品特性 / Product characteristics• 枚叶式• 可对应薄片• 非质量分离机的对比优点 1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备 2)相比过去约一半的低价 3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计 产品应用 / Product application• Power Device等薄片基板工艺、IGBT工艺 产品参数 / Product parameters • 基板尺寸：Max200mm

一、产品简介对于部分波段（主要是短波端），目前没有合适的TA芯片可供选择；可采用注入锁定放大器来实现较高功率输出。注入锁定激光器包括一个种子激光和一个腔式放大器，要求放大腔和种子腔相互锁定。MOGLabs ILA系列注入锁定放大器采用了自行开发的自动跟踪技术，避免了温度、准直或电流的微小变化导致的失锁。ILA为短波长原子冷却提供了紧凑、低成本的方案，替代造价高昂、体积巨大的二倍频固体激光器；同时，ILA输出光束质量优于TA放大器。二、特性和应用特性l波长范围：370 ~ 1080nml最高功率可达1W，取决于所需波长l高稳定性线切割挠性装载机构，简便优化调节l用户可更换放大芯片l像散矫正透镜选项l多级光隔离器l单模光纤耦合输出l双光束输出（自由光或光纤）l集成光束整形，降低椭圆度应用l激光冷却与陷俘l玻色-爱因斯坦凝聚l陷俘离子量子计算l量子光学：压缩光场l场致透明与满光速l时间频率基准l精密测量l精密激光光谱l物理教学研究如有其它需求，请联系我们。

产品负责人：姓名：魏工(David)电话：（微信同号）邮箱：MOGLabs开发了一种用于法布里-珀罗(FP)激光二极管稳定注入锁定的新技术。注入锁定传统上一直受到对环境漂移极度敏感的困扰:温度、对准或电流的微小变化都可能导致从二极管漂移出锁。我们开发了一个自动跟踪系统，可以持续监控激光，并对从二极管电流进行微小调整，以保持锁定。与我们的稳定种子激光器相结合，ILA注入锁定放大系统可提供超过1W@461nm和400mW@399nm分别用于Sr冷却和Yb原子冷却。这些系统提供了一个紧凑和低成本昂贵SHG系统替代品，且光束质量优于TA系统。我们已经证明了的注入锁定系统: 370nm/100mW (Yb+)399nm/400mW (Yb)461nm/1000mW (Sr)496nm/200mW (Ba+)509nm/300mW (Cs Rydberg)689nm/100mW (Sr MOT)698nm/100mW (Sr clock)典型特征：波长范围：370-1080nm输出功率可达1W，取决于波长高稳定性线切割柔性对准与简单的优化程序用户可自行置换的奴隶二极管像散校正可选项：多级光学隔离单模输出光纤耦合双光束输出(自由空间或光纤耦合)集成光束整形，减少散光多功能平台提供多种配置 请与MOGLabs联系，以获得关于这种新的经济有效的替代方案的更多信息。

百及纳米ParcanNano 单离子注入系弘SII（纳米级定位单离子注入系统SII） 单离子注入系统（纳米级定位单离子注入系统SII）产品简介公司中德技术团队家研发了一款基于新型扫描探针精准定位的离子注入 系统，能有效控制注入半导体器件的杂质种类、数量和位置，实现多种离 子（如 H、N、O、Si、P、B、As、Te、Ar 等）的精准定位定量掺杂注入。该 系统可以满足量子比特阵列,金刚石中的氮空位中心（NV 色心）以及单原子 器件的工艺精度要求，研制的设备可用于探索纳米结构器件、量子比特系 统和量子信息处理器电路的开发。 公司的一项革 命性发明专利，解决了注入离子由于晶格散射带来的位置 不确定性问题，颠覆性地将注入离子在晶体中位置的误差缩减到 10nm 以 下，实现纳米级精确定位注入掺杂离子。技术特点：• 精准确定位定量离子注入• 针尖悬臂上的小孔小于50nm• 锥形电场稀释和准直离子束• 横向电场形成离子闸门应用领域：• 功能材料定位掺杂• 纳米尺度功能器件制备• 固态量子信息技术相关图片