翘曲度检测

中图仪器WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数。无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量 WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧 （1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。WD4000自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

爱思达翘曲度检查机QQ1000主要用于线路板行业检测板的翘曲问题。可自动进行检测并自动判断结果。翘曲度检查机用途：ASIDA–QQ1000（翘曲度检查机）是一款用于PCB成品板或覆铜板板弯、板翘检测，并根据检测结果自动作出OK\NG判断并进行分选的仪器。翘曲度检查机特征：1、可用于PCB成品出货前对板翘曲度的检测，也可用于PCB工艺流程过程中对板翘曲度的检测；2、采用高精度的CCD激光传感器，可准确辨别PCB板弯、板翘，稳定性高；3、自由设定板的尺寸信息及板弯板翘公差，数组无限制；4、采用在线检测方式，易与工艺流程中的其它设备搭配使用，通用性强；5、根据设计标准可自动判别OK/NG，搭配自动收板平台，可进行自动分类收板，提高检测效率；6、能同时使用并保存缺陷信息数据和翘曲图，并通过电脑软件分析PCB的品质状况，改善工艺制程；7、模块化工程设计，操作方便简单，人性化界面，检测步骤简单，无需专业人员易学易操作；8、个性化软件设计，可根据用户不同的检测需求，快速对软件进行升级。

翘曲度检查机用途ASIDA–QQ1000（翘曲度检查机）是一款用于PCB成品板或覆铜板板弯、板翘检测，并根据检测结果自动作出OK\NG判断并进行分选的仪器。 翘曲度检查机特征1、可用于PCB成品出货前对板翘曲度的检测，也可用于PCB工艺流程过程中对板翘曲度的检测；2、采用高精度的CCD激光传感器，可准确辨别PCB板弯、板翘，稳定性高；3、自由设定板的尺寸信息及板弯板翘公差，数组无限制；4、采用在线检测方式，易与工艺流程中的其它设备搭配使用，通用性强；5、根据设计标准可自动判别OK/NG，搭配自动收板平台，可进行自动分类收板，提高检测效率；6、能同时使用并保存缺陷信息数据和翘曲图，并通过电脑软件分析PCB的品质状况，改善工艺制程；7、模块化工程设计，操作方便简单，人性化界面，检测步骤简单，无需专业人员易学易操作；8、个性化软件设计，可根据用户不同的检测需求，快速对软件进行升级。 翘曲度检查机技术参数项目规格 型号 ASIDA-QQ1000可检测电路板尺寸 Min:40*80mm Max:630*550mm可测电路板厚度 0.3mm～5.0mm放板间距 ≥40 mm检测速度 6.5m/min or 12.5m/min(可选）可测翘曲度 0.3～3.0mm测量精度±0.1mm操作温度 22℃±5℃电源要求 AC220V 50Hz本机尺寸 3510mm×1160mm×1050mm（L×W×H）气压容量要求 0.5～0.7Mpa重量 450kg

中图仪器WD4000晶圆厚度翘曲度粗糙度检测设备采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数。兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。中图仪器WD4000晶圆厚度翘曲度粗糙度检测设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。 1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。应用领域中图仪器WD4000晶圆厚度翘曲度粗糙度检测设备广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。测量各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。 3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

中图仪器WD4000晶圆翘曲度厚度粗糙度表面形貌检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建。它采用的高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，能实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数。WD4000晶圆检测设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。WD4000晶圆翘曲度厚度粗糙度表面形貌检测设备兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000晶圆翘曲度厚度粗糙度表面形貌检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术 （1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。 WD4000可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。

PCB板翘检测仪，PCB翘曲检测设备，PCB翘曲度测度测试仪PCB板翘检测仪用途：该设备用于PCB成品板或覆铜板板弯、板翘检测，并 根据检测结果自动作出OK/NG判断并进行分选。 PCB板翘检测仪特征：1、精准：高精度CCD激光位移传感器测量板弯板翘值，稳定性高；2、智能、高效：①运用高速传输、精密平台、实时图像显示技术； ②模块化工程设计、在线检测速度可达12.5m/min、可自动判别 OK/NG并分别收料。 PCB板翘检测仪技术参数： 测量精度±0.1mm(量块测试)检测速度6.5m/min 12.5m/min （可选）对象①可测板厚0.5～5.0mm ②可测翘曲度0.5mm～3.0mm ③可测板尺寸：最小40mm×80mm 最大:480mm×500mm本机尺寸 3510mm×1160mm×1050mm（L×W×H）重量 450kg

WD4000晶圆平整度翘曲度测量设备采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数。兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。产品技术1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、WD4000晶圆平整度翘曲度测量设备基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。 3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。 （3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。WD4000晶圆平整度翘曲度测量设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。 部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。

中图仪器WD4000晶圆厚度晶圆翘曲度测量仪通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。WD4000晶圆厚度晶圆翘曲度测量仪采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3DMapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数。可兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确，可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。 WD4000晶圆厚度晶圆翘曲度测量仪可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等，提供依据SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大国内外标准共计300余种2D、3D参数作为评价标准。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm； （2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分参数测量速度：最快15s测量范围：100μm~2000μm 测量精度：0.5um 重复性（σ）：0.2um探头分辨率：23nm 扫描方式：Fullmap 面扫、米字、 自由多点测量参数：厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料：砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

WD4000晶圆表面厚度翘曲度测量系统通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000晶圆表面厚度翘曲度测量系统集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。 2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。 （3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。WD4000晶圆表面厚度翘曲度测量系统可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。 2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。重点参数测量速度：最快15s测量范围：100μm~2000μm 测量精度：0.5um 重复性（σ）：0.2um探头分辨率：23nm扫描方式：Fullmap 面扫、米字、 自由多点测量参数：厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料：砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等

WD4000半导体晶圆厚度翘曲度测量系统通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。它采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体晶圆厚度翘曲度测量系统集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。 2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。WD4000半导体晶圆厚度翘曲度测量系统可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

n产品简介: SemDex A32型全自动晶圆厚度测试系统是德国SENTRONICS公司一款高性能的半导体用全自动晶圆表面检测系统，该系统可集成红外光谱干涉测量技术，光学干涉技术及光学反射技术，广泛用于半导体Wafer Manufacturing, FEOL, BEOL 及Wafer Level Packaging领域，SENTRONICS以其精准的测量能力，非接触的测量方式，快速的测试速度，上下双探头符合SEMI标准的测试方式，使得该设备在半导体，MEMS，在化合物外延领域拥有很高的市场占有率，全球半导体行业已有120多个Fab工厂已安装该系统。 n主要功能： 1、红外光谱技术：采用专利的光谱相干干涉技术，该技术可用于测量最小厚度为1um的wafer, 分辨率可达纳米量级，主要用于测量晶圆的厚度、TTV、翘曲度（Bow、Warp）、RST、wafer上薄膜厚度。 可以测量背面研磨减薄和刻蚀后的晶圆，也可测量粘附在薄膜或者其他载体上的有图形或凸起的晶圆，可应用于堆叠芯片和微机电系统。 配置单探头系统，可以测量一些对红外线透明的材料，例如Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英和一些聚合物，还可以测量常规有图形、有胶带、凸起或者键合在载体上晶圆的衬底厚度。 配置双探头系统时，还提供晶圆整体厚度测量（包括衬底厚度和在光不能穿透的情况下的图形高度厚度)。 还可以测量沟槽深度和通孔深度（包括微机电中的高深宽比的沟槽和通孔），微机电应用中薄膜厚度测量和凸块高度测量。2、白光干涉技术：采用白光干涉技术，可得到wafer表面的3D形貌，表面粗糙度，TSV等关键尺寸，测量范围为0-100um，分辨率为亚纳米水平。3、光学反射技术：采用光学反射技术，可得到wafer表面涂层或薄膜的厚度，可测量最小厚度5nm的薄膜，分辨率为亚纳米量级。 n产品特点： - 兼容4,6,8,12寸样品；- 所有检测数据，一步同时完成测量；- 可在一台仪器上搭配不同技术的测量探头，用于测量晶圆的厚度、TTV、翘曲度、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度，3D形貌，TSV，关键尺寸，粗糙度等参数。- 符合SEMI S2和S8标准； - 最多可加载4个8寸片Load Port或者3个12寸片Load Port；- 两个可翻转的机械手臂，吞吐量最高达100 wafers /h；- 旋转台用于晶圆全尺寸快速测量；- SECS/GEM软件包，可以根据用户提供定制化需要；- 用户界面友好的WaferSpect 软件； n选配件 1、真空吸盘；2、高分辨率HD CMOS相机及图像识别的软件；3、集成OCR、条形码或QR码识别的摄像头；4、区分不同Cassette类型的阅读信息板；5、通过测试数据自动进行分拣 n应用行业： - 化合物半导体：研磨芯片厚度控制GaAs，InP, SiC，GaN - 硅基器件前段：功率器件，MEMS，射频MEMS- 硅基器件后段：8”和12”的封装及bumping线，TSV(硅通孔技术)- LED：可用作检测蓝宝石或碳化硅片厚度及TTV- 光通讯：石英材料类 n典型应用案例：

NEW !!Table Top Shadow Moiré (TTSM)For fast, room temperature warpage metrologyShadow Moiré 技术Shadow Moiré 是一种非接触式，全视野的光学技术，它用样品上的参考光栅和它的影子之间的几何干扰产生摩尔云纹分布图(Moiré Pattern)，进而计算出各像素位置中的相对垂直位移。它需要一个伦奇刻划光栅(Ronchi-ruled grating)，一条大约45度角的光源和一个垂直于光栅的相机。Shadow Moiré的Phase stepping技术来增加测量分辨率，右图中示出其光学集成的图像与加热腔室。新一代表面测量和分析技术Akrometrix 的ZGTherMoiré技术是行业领xian的热变形翘曲分析技术。自一九九八年以来，TherMoiré产品作为翘曲管理解决方案，服务于全球企业。TherMoiré技术可以模拟回流焊工艺和操作环境条件、同时捕捉一个完整的历史翘曲位移表现。运用这一重要的信息，获得元器件/基板翘曲度的一致性来直接影响一级和二级装配产量和提高产品的可靠性。可应用于研发/诊断/生产监控，测试结果符合国际标准(JEDEC, JEITA等)，测试精度为微米级，极大的满足了高端客户对翘曲测试监控的要求，是国际主流并被JEDEC, JEITA等标准推荐的测试方法，主要的参数有 Coplanarity, JEITA ED7306 (Normalized Diagonals Signed Warpage), JEDEC 22B112 (Full Field Signed Warpage), IPC TM-650(Twist & Bow), IPC 9641 (BGA vs PCB Gap Analysis), CTE 等。TherMoiré AXP 产品特性● 最大样品尺寸: 400mm x 400mm● 最小样品尺寸: 0.5mm x 0.5mm (如配备DFP功能时)● 在2秒内获得140万个数据点● 最高每秒加热1.5oC摄氏度● 红外线加热和对流冷却来控制温度● 高分辨率测量小型样品● XY 轴应变STRAIN和热膨胀系数CTE 计算● 运用QL冷却系统提高实验能力● 支持从室温到300oC以下的回流炉温度模拟，以及-50oC至300oC度可靠性测试选项● 软件成熟，可独立PC运行做进一步离线分析● 样品追踪功能支持多样品同时测试，提高产量 针对细小样品也能测量热变形印刷电路板 插座QFN (3mm x 3mm)Akrometrix DFP(Digital Fringe Projection) 解决方案新的独立产品提供纯对流加热组装回流模拟方式!能有效测量带台阶的样品及保留钖球的测量!● 启用台阶高度和间断表面测量● FOV 可以移动到样品上的任何位置(Gantry fixture)● 改进的顶部/底部的温度均匀性 – 无光栅● 应用于锡球的共面性测量，非连续面和插座测量● 高锡球的共面性测量X / Y分辨率● 最大 FOV : 48mm x 64mm● 最大样品尺寸: 300mm x 300mm● 最小样品尺寸: 5mm x 5mm● Z-轴分辨率 : 5 microns● Z-轴准确性 : 5 micronsCXP放映机/相机门口GantryBGA 高锡球测量启用台阶高度和间断表面测量FOWLP 的翘曲解决方案 - AKM600P FOWLP Akrometrix AKM600P是专为FOWLP市场设计的翘曲量测解决方案● 利用影子摩尔shadow moiré 技术进行翘曲量测, Z轴分辨率可达1.25μm● 可进行晶圆与平板大面积的翘曲量测● 全视场FOV成像, 不论晶圆大小都可"单次捕获"整个晶圆/平板, 捕捉时间少于2秒● 测量面积: 600mm x 600mm● 采用NIST标准进行标定● 如需使用26°C ~ 300°C的热变形测量, 可选配加热装置　Fan Out Wafer Level Processing (FOWLP)扇出晶圆加工Digital Image Correlation - DIC (2.0) 模组● Add-on 模组: AXP & PS200S● Strain和CTE 测量模组● 资料获取时间: 1 second● In-Plane 应变分辨率: 1.0 μm● Strain 分辨率: 150 microstrain (Δ L/L x 10-6)● 温度范围: 26°C to 300°C● 视线范围: 75 mm x 75 mmDIC 2.0 模组装配在TherMoiré AXP内Strain measurement can be critical for components, PBCs, and material layersMean strain values usedfor CTE calculation Akrometrix Studio 软件包Akrometrix Studio 8.2 是一套先进的集成软件模块, 提供了一套最全面的表面表征和分析能力提供一起运作。 当用到 TherMoiré AXP 表面量测系统十, Studio 6.0 可组成一套测量解决方案, 产生快速，全面表征了广泛的微电子部件和组件的表面信息。Studio 8.2 使用不同种类的强大图形和分析功能为用户得出结论，并作出决定 。Studio 8.2 Die/Package Tilt样品追踪：自动智能追踪,实现批量测试功能 Interface Analysis软件实时监测回流过程中PCB及元器件变形情况3D图形分析软件* HNP/H0P(头枕效应)* 短路* 断路　三维图形分析 -在回流过程中的组件之间的间隙通过/警告/失败图形Pass/Warning/Fail Maps　SMT Assembly解决方案 AXP CRE 模组 (Convention Reflow Emulation 模组)它结合了最大分辨能力的AXP与测量间断表面的能力!● 对流加热和冷却● 生产/装配对流回流炉的温度均匀一致● 亚微米分辨率的功能/多部分测试● 最大 FOV : 70mm 圆形CRE 模块的样品台Studio软件的实时分析功能 (Real-time Analaysis)它結合了高批量的測試 “Go/No Go” 準則!● 量测后即时看到“通过/失败”指标● 应用于测量结果时，用户可自行定制● “合格/不合格”的标准● 与样品跟踪多个样品测试一起运作● 在室温下和在热外貌下工作

PCB板翘反直检孔三合一设备应用领域在线水平板翘反直机： PCB成品板“板弯、板翘、形变”快速整平。翘曲度检查机： PCB成品板或覆铜板“板弯、板翘、形变”等缺陷进行品质检查和分析翘曲值。检孔机： PCB钻孔板及成品板的钻孔品质检查和分析。 设备功能：在线水平板翘反直机：可对PCB成品板进行自动整平，采用上下红外线加热，迅速将产品加热到高温，以机械滚轮对成品板进行施压，将弯曲和翘曲（扭曲）施以正向的力达到整平的效果，并用风扇自然冷却，不会造成二次板弯板翘。翘曲度检查机：可对PCB成品板或覆铜板板弯板翘形变等缺陷进行自动检测，并依据PCB板翘标准、平整度标准：对于表面安装元件(如SMT贴装)的印制板其扭曲和弓曲标准为不大于0.75%或0.5%）进行计算，进行自动判定NG/OK，同时进行分类。检孔机：可对PCB钻孔后和包装前工序，检测孔数、孔径和孔品质（如塞孔、异物、槽长、槽短等缺陷）并自动作出OK/NG判断，同时进行分类。 工作流程 PCB自动检测产线优势PCB自动检测产线在无人干预的情况下可自动进行操作，能把人从繁重的体力劳动、部分脑力劳动中解放出来，使生产达到“稳，准，快”。 在大批量生产中采用PCB自动检测产线能提高生产率，降低生产成本，缩短生产周期，稳定和提升产品质量，使经济效益得到显著提高。

PCB板翘曲度+在线水平板翘反直+检孔 三合一全自动在线检测设备 应用领域在线水平板翘反直机： PCB成品板“板弯、板翘、形变”快速整平。翘曲度检查机： PCB成品板或覆铜板“板弯、板翘、形变”等缺陷进行品质检查和分析翘曲值。检孔机： PCB钻孔板及成品板的钻孔品质检查和分析。 设备功能：在线水平板翘反直机：可对PCB成品板进行自动整平，采用上下红外线加热，迅速将产品加热到高温，以机械滚轮对成品板进行施压，将弯曲和翘曲（扭曲）施以正向的力达到整平的效果，并用风扇自然冷却，不会造成二次板弯板翘。翘曲度检查机：可对PCB成品板或覆铜板板弯板翘形变等缺陷进行自动检测，并依据PCB板翘标准、平整度标准：对于表面安装元件(如SMT贴装)的印制板其扭曲和弓曲标准为不大于0.75%或0.5%）进行计算，进行自动判定NG/OK，同时进行分类。检孔机：可对PCB钻孔后和包装前工序，检测孔数、孔径和孔品质（如塞孔、异物、槽长、槽短等缺陷）并自动作出OK/NG判断，同时进行分

用途：该设备用于PCB成品板或覆铜板板弯、板翘检测，并根据检测结果自动作出OK/NG判断并进行分选。 特征：1、精度：高精度激光位移传感器测量板弯板翘值，稳定性高；2、智能、高效：①运用高速传输、精密平台、实时图像显示技术； ②模块化工程设计、在线检测速度可达12.5m/min、可自动判别 OK/NG并分别收料。 技术参数： 测量精度±0.15mm(标准量块)检测速度6.5m/min 12.5m/min （可选）对象①可测板厚PCB：0.5～5.0mm ②可测翘曲度：0.3mm～5.0mm ③可测板尺寸：最小40mm×80mm max:480mm×500mm本机尺寸 3510mm×1160mm×1050mm重量 450kg

用途：该设备用于PCB成品板或覆铜板板弯、板翘检测，并根据检测结果自动作出OK/NG判断并进行分选。 特征：1、精准：高精度激光位移传感器测量板弯板翘值，稳定性高；2、智能、高效：①运用高速传输、精密平台、实时图像显示技术； ②模块化工程设计、在线检测速度可达12.5m/min、可自动判别 OK/NG并分别收料。 技术参数： 测量精度±0.15mm(标准量块)检测速度6.5m/min 12.5m/min （可选）对象①可测板厚PCB：0.5～5.0mm ②可测翘曲度：0.3mm～5.0mm ③可测板尺寸：最小40mm×80mm 最大:480mm×500mm本机尺寸 3510mm×1160mm×1050mm重量 450kg

班通科技BT-WQ-PCB 板弯翘检测机是一款用于 PCB 成品板或覆铜板板弯板翘检测，并根据检测结果自 动作出 OK/NG 判断并进行分选的仪器，可以选配分类收板机进行 OK/NG 分类。 产品特点 PCB 板弯翘检测机主要用于覆铜板和 PCB 成品板的板翘、板弯检测。其主要技术特点：可用于 PCB 成品出货前对板翘曲度的检测，也可用于 PCB 工艺流程过程中对板翘曲度的检 测； 采用高精度的 CCD 激光传感器，可准确辨别 PCB 板弯板翘，稳定性高； 自由设定板的尺寸信息及板弯板翘公差，数组无限制； 采用在线检测方式，易与工艺流程中的其它设备搭配使用，通用性强； 根据设计标准可自动判别 OK/NG，搭配自动收板平台，可进行自动分类收板，提高检测效率； 能同时使用并保存缺陷信息数据和翘曲图，并通过电脑软件分析 PCB 的品质状况，改善工艺 制程；仪器操作简单，易维护； 技术原理： PCB 板弯翘检测机的基本原理主要是利用非接触式影像测量技术，通过一对高精度位移传感 器，包括 一个接收装置和一个发射装置。当覆铜板或 PCB 板经过这对位移传感器时，有板的地方将会 阻挡发射装置 发射的信号，从而在接收装置上无法响应相应位置的信号。通过位置的信息可以得到 PCB 板 的板厚曲线图， 通过特定软件算法和翘曲度定义，计算出板翘曲度，并与设定判断条件得出 OK 和 NG 板。 (1) 弓曲百分率=弓曲垂直位移（D）／垂直位移所在边长度（L）× 100％ (2) 扭曲百分率=扭曲垂直位移（D）／被测试样板对角线长度(L)× 100％ 以上请参照 IPC TM-650 板弯板翘检测方法BT-WQ-650技术参数BT-WQ-800技术参数

概述烟用纸张平整度测量仪 SN-PZD300是一种用于检测 卷烟条盒包装纸平整度， 反映条盒纸上机适应性的 设备。 烟用纸张平整度测量仪给出与纸张平 整度相关的多个测量指标。测量速度快，可对纸张的平整度进行整体评 估。为企业检测烟用纸张的平整及翘边的程度，进而评估卷烟条盒包装时纸张的上机适应性提供有效的测试工具。技术参数 测量范围：500×500×300毫米 分辨率：0.01毫米 精度：0.1毫米

美国Akrometrix 热变形外貌检测仪 Akrometrix 于1994年成立，总部设于美国佐治亚洲亚特兰大。服务及合作伙伴遍及世界各地主要及发展中的微电子工业市场。全球著名的平整度特性测量与分析技术先锋 Akrometrix 是提供全面性测量解决方案的领导者，为全球微电子工业市场的OEM(原始设备生产)、CEM (合同设备生产)、SATS (半导体合约封装与测试服务)、及 PCB (线路板生产) 工业提供先进的基板及封装测量解决方案。Akrometrix 的 TherMoiré 及LineMoiré 设备系列能够提供广泛的平整度检测特性技术，适合于产品开发及生产应用。Akrometrix是温度效应测量技术的行业先锋；在全球二十大半导体生产商中，都采用了Akrometrix 的解决方案。新一代表面测量和分析技术Akrometrix的专利TherMoiré技术是行业领先的热变形翘曲分析技术。1998年第一次应用在实验室以来，当今的TherMoiré一代产品作为翘曲管理解决方案，服务于全球范围企业。研发/诊断/生产监控，无论你的客户是个体用户或是OEM，TherMoire帮助您取得卓越的客户满意度。随着技术的成熟,TherMoire技术可以模拟热加工工艺和操作环境条件、同时捕捉一个完整的历史翘曲位移表现。运用这一重要的信息,获得元器件/基板翘曲度的一致性(即翘曲变形规格)来直接影响一级和二级装配产量和提高产品的可靠性。TherMoiré AXP 产品特性：● 最大样品尺寸达400mmX400mm● 在2秒内获得140万个数据点● 最高每秒加热2摄氏度● 均匀对流加热和冷却来控制温度● 高分辨率测量小型样品● XY轴响应和CTE计算● 运用强力冷却系统提高实验能力● 支持从-55至150度可靠性测试和在280度下的回流仿真● 支持多样品同时测试，提高产量

钢轨扭曲度测量仪 1.基本参数： （1）数字显示，带数据输出及带电源开关 （2）测量范围：100m （3）分 辨 力：0.01mm （4）误 差：±0.03mm （5）长 度：1m 2.使用操作： （1）开启数显测量头电源，置于ON位置。 （2）提起测量卡尺放入专用的标准样块，测量样块尺寸并清零。 （3）将测量尺平稳的放置在被测钢轨底部，保持端头和轨底侧面对齐靠平。 （4）保持测量尺三个固定测点平稳接触后，轻轻压下测头滑尺使得测头紧贴轨底表面。读取测量数值应小于0.45 （5）测量完毕请关闭电源，并将测量尺放入盒内。 3.注意事项： （1）请轻拿轻放，注意保护测量部位不被撞击。 （2）保持测量部位的清洁避免铁锈污染。 （3）长期不用，请取出数显测量头电池并妥善保管。 （4）当显示出现闪烁时，是电池欠电，请及时更换电池。 4.关于校准和检定： 一般情况下按使用操作方法（用样块校准）测量，能够满足±0.06的精度。如果需要更准确的测量，请在使用前，用一定精度的平台（0级或1级）校准0位后测量。此时，可以达到±0.03的精度。用样块校准是为了方便没有平台的情况下测量的。检定维修请按各单位具体情况自行安排。

产品简介WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等参数，同时生成 Mapping 图；采用白光干涉测量技术对 Wafer 表面进行非接触式扫描同时建立表面 3D 层析图像，显示 2D 剖面图和 3D 立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关 3D 参数；基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；红外传感器发出的探测光在 Wafer 不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量 Bonding Wafer 的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。产品应用WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等参数，同时生成 Mapping 图可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C 电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS 器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。产品优势 1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。 5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。应用案例1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

一、产品简介本仪器用于测定纤维增强水泥外墙装饰挂板吸水产生的翘曲度。操作灵活，做工精致，符合JC/T 2085-2011《纤维增强水泥外墙装饰挂板》的要求。二、主要技术参数1.基点跨距:320mm2.指示表：10/0.01mm

功能：混凝土桥梁CT用于混凝土桥梁、墩台、桥桩、钢管混凝土的质量检测，评价混凝土的强度、密实性、均匀性、内部缺陷与损伤。在桥梁施工过程的质量控制、运营桥梁的健康诊断与病害桥梁加固效果评价中发挥着重要作用。同样适合于水工结构。支持三维建模。工作原理：与医学CT同源，主要特点是多发多收，在被测介质内形成密布的应力波射线网，用应力波的纵波波速反应混凝土的内在强度分布。桥梁CT根据声波走时和幅值衰减的观测，对混凝土波速和衰减系数成像，可以提取结构内部的损伤。经过十几年的工程应用已形成评价体系。技术指标：仪器通道：32/64通道最高采样率: 1 微秒；A/D动态：16位典型案例索引1.在建重点项目混凝土密实性探测2.服役桥梁病害诊断3.连续梁零号块检测4.新型钢管/钢板混凝土脱黏和内部密实性检测典型案例：1.在建重点项目混凝土密实性探测青岛胶州湾大桥-新桥检测青岛胶州湾跨海大桥为预制混凝土箱梁桥。跨度大，箱梁截面大。抵御盐分侵袭，对混凝土质量，特别是密实度与均匀性要求很高。采用CT技术对于预制梁板进行了抽检。检测顶、底板和左右腹板的混凝土的密实性。2.服役桥梁病害诊断贵阳匝道桥检测混凝土质量检测与评价桥梁位于贵阳市北京东路，检测对象包括左转与调头匝道，箱梁结构。桥面宽度10m，设计荷载为公路I级。调头匝道桥 左转匝道桥检测匝道桥箱梁左右腹板，了解混凝土质量，用于校验承载力。检测得到混凝土的波速分布图像，根据CT图像的平均波速评价混凝土的品质，平均波速达到4150m/s时为达到C50的设计标准。根据波速的离散度评价混凝土的均匀性，离散度小于10%时混凝土为均匀。下图为典型的波速CT图像及其两个匝道桥的评价结果。调头匝道桥和左转弯匝道桥混凝土强度分布3.连续梁零号块检测赣龙铁路-连续梁混凝土支座无损检测赣龙铁路复线项目是江西、福建两省对外通道的主干线之一。在桥梁交工巡查过程中，发现少部份桥梁0号块梁体底板混凝土出现局部空洞、不密实现象。按要求对该桥0号块底板混凝土进行混凝土声波CT检测，结合钻孔内窥确定缺陷区域范围、深度。赣龙铁路扩能改造工程检测结果支座由下至上的5cm、15cm、25cm三个高度分别进行截面CT成像。红色为高速区，蓝色为低速区。发现三个截面混凝土都存在低速区，尤以5cm处截面最明显。CT层析成像结果4.新型钢管/钢板混凝土脱黏和内部密实性检测杭州奥克斯钢管桩检测检测成果由下至上的三个高度分别进行截面CT成像。红色为高速区，蓝色为低速区。发现三个截面混凝土都存在边缘部分的局部低速区，与施工工艺有关，应予以改进。钢管拱内部缺陷探测检测现场检测成果连续梁锚下混凝土强度检测现场检测锚下密实成像

西林电桥检测仪与介质损耗不同的是，介质损耗因数tanδ 只与材料的性质有关，而与材料的尺寸已经体积大小等外部因素无关， 这样可以便于不同设备之间进行比较。西林电桥检测仪当对一绝缘介质施加交流电压时，介质上将流过电容电流 IC1、吸收电流 I2 和电导电流 IR1。其中又可以将吸收电流 I2 分解成有功分量 IR2 和无功分量 IC2 两 部分。电容电流 IC1 和 IC2 是不消耗能量的，只有电导电流 IR1 和吸收电流中的有功分量 IR2 才消耗能量。西林电桥检测仪西林电对容量较大的电气设备，介质损耗因数（tanδ）是电气工程中一个重要的参数，它用于衡量电介质在交流电场下的功率损失。在电力系统中，介质损耗因数的大小直接影响到电能的传输效率和设备的运行温度，因此控制和减小介质损耗因数对于提高电力设备的性能和延长其使用寿命都具有非常重要的意义。介质损耗因数的大小取决于电介质的材料、结构和电场强度等因素。在电力系统中，电介质通常是由多种材料组成的复合物，因此其介质损耗因数也受到多种因素的影响。例如，电介质的成分、纤维含量、橡胶绝缘层的厚度等因素都会影响其介质损耗因数。此外，电场强度也会对介质损耗因数产生影响，因此在实际应用中，需要根据具体情况对介质损耗因数进行精确控制。为了减小介质损耗因数，可以采取以下措施：1.选择合适的电介质材料。对于不同的电力设备和应用场景，需要选择不同的电介质材料，以满足设备的使用要求和性能要求。2.优化电介质的结构设计。通过优化电介质的结构设计，可以降低电场强度不均匀的程度，从而减小介质损耗因数。3.控制电场强度。电场强度是影响介质损耗因数的一个重要因素，因此需要在实际应用中控制电场强度，以减小介质损耗因数。在电力设备的运行和维护中，需要注意以下事项：1.定期检查和维护电力设备，以确保其正常运行和使用安全。2.注意电介质材料的更换和保养，以保证电介质的性能和寿命。3.在电力设备的运行和维护中，需要遵守相关规定和标准，以确保设备和人员的安全。总之，介质损耗因数是电力设备中的一个重要参数，它直接影响到电能的传输效率和设备的运行温度。为了控制和减小介质损耗因数，需要选择合适的电介质材料和优化电介质的结构设计，同时注意电场强度的控制和设备的维护保养。在电力设备的运行和维护中，需要遵守相关规定和标准，确保设备若绝缘缺陷占据的体积只 占总体积的一小部分，则测量介质损耗因数较难发现设备 存在的绝缘缺陷。所以我们在测量大型变压器整体的介质 损耗因数之后，还应再测量其电容型套管的介质损耗因数， 原因后面会具体解释。桥检测仪西林电桥检测仪试品两极对地均绝缘，此方法在日常试验中经常使用， 如对电容型套管、耦合电容器、电容式互感器等电气设备 均采用正接线方式测量 tanδ。正接线使用时，电桥处于低 电位，测量结果比反接线方法正确，电桥三根导线（出线） 处于低电位。在被试品具有足够绝缘水平时，允许施加大 于 10kV 的电压作为试验电压，但必须使用与额定电压相适 应的标准电容器。

中图仪器WD4000无图晶圆膜厚检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。系统采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数。WD4000无图晶圆膜厚检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000无图晶圆膜厚检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台 （1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。WD4000无图晶圆几何量测系统可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。 2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。 （2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格 品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

n产品简介: SemDex A32型全自动晶圆厚度测试系统是德国SENTRONICS公司一款高性能的半导体用全自动晶圆表面检测系统，该系统可集成红外光谱干涉测量技术，光学干涉技术及光学反射技术，广泛用于半导体Wafer Manufacturing, FEOL, BEOL 及Wafer Level Packaging领域，SENTRONICS以其精准的测量能力，非接触的测量方式，快速的测试速度，上下双探头符合SEMI标准的测试方式，使得该设备在半导体，MEMS，在化合物外延领域拥有很高的市场占有率，全球半导体行业已有120多个Fab工厂已安装该系统。 n主要功能： 1、红外光谱技术：采用专利的光谱相干干涉技术，该技术可用于测量最小厚度为1um的wafer, 分辨率可达纳米量级，主要用于测量晶圆的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度。 可以测量背面研磨减薄和刻蚀后的晶圆，也可测量粘附在薄膜或者其他载体上的有图形或凸起的晶圆，可应用于堆叠芯片和微机电系统。 配置单探头系统，可以测量一些对红外线透明的材料，例如Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英和一些聚合物，还可以测量常规有图形、有胶带、凸起或者键合在载体上晶圆的衬底厚度。 配置双探头系统时，还提供晶圆整体厚度测量（包括衬底厚度和在光不能穿透的情况下的图形高度厚度)。 还可以测量沟槽深度和通孔深度（包括微机电中的高深宽比的沟槽和通孔），微机电应用中薄膜厚度测量和凸块高度测量。2、白光干涉技术：采用白光干涉技术，可得到wafer表面的3D形貌，表面粗糙度，TSV等关键尺寸，测量范围为0-100um，分辨率为亚纳米水平。3、光学反射技术：采用光学反射技术，可得到wafer表面涂层或薄膜的厚度，可测量最小厚度5nm的薄膜，分辨率为亚纳米量级。 n产品特点： - 兼容4,6,8,12寸样品；- 所有检测数据，一步同时完成测量；- 可在一台仪器上搭配不同技术的测量探头，用于测量晶圆的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度，3D形貌，TSV，关键尺寸，粗糙度等参数。- 符合SEMI S2和S8标准； - 最多可加载4个8寸片Load Port或者3个12寸片Load Port；- 两个可翻转的机械手臂，吞吐量最高达100 wafers /h；- 旋转台用于晶圆全尺寸快速测量；- SECS/GEM软件包，可以根据用户提供定制化需要；- 用户界面友好的WaferSpect 软件； n选配件 1、真空吸盘；2、高分辨率HD CMOS相机及图像识别的软件；3、集成OCR、条形码或QR码识别的摄像头；4、区分不同Cassette类型的阅读信息板；5、通过测试数据自动进行分拣 n应用行业： - 化合物半导体：研磨芯片厚度控制GaAs，InP, SiC，GaN - 硅基器件前段：功率器件，MEMS，射频MEMS- 硅基器件后段：8”和12”的封装及bumping线，TSV(硅通孔技术)- LED：可用作检测蓝宝石或碳化硅片厚度及TTV- 光通讯：石英材料类 n典型应用案例：

n产品简介: M1型晶圆厚度测试系统是德国SENTRONICS半导体公司一款高性能的半自动晶圆表面检测系统，该系统可集成红外光谱干涉测量技术，光学干涉技术及光学反射技术，广泛用于半导体Wafer Manufacturing, FEOL, BEOL to Wafer Level Packaging领域，SENTRONICS以其精准的测量能力，非接触的测量方式，快速的测试速度，上下双探头符合SEMI标准的测试方式，使得该设备在半导体，MEMS，在化合物外延领域拥有很高的市场占有率,在全球半导体行业已经有200多个Fab工厂已安装该系统。 n主要功能： 1、红外光谱技术：采用专利的光谱相干干涉技术，该技术可用于测量最小厚度为1um的wafer, 分辨率可达纳米量级，主要用于测量晶圆的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度。 配置单探头系统，可以测量一些对红外线透明的材料，例如Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英和一些聚合物，还可以测量常规有图形、有胶带、凸起或者键合在载体上晶圆的衬底厚度。 配置双探头系统时，还提供晶圆整体厚度测量（包括衬底厚度和在光不能穿透的情况下的图形高度厚度)。 还可以用于测量沟槽深度和通孔深度（包括微机电中的高深宽比的沟槽和通孔），微机电应用中薄膜厚度测量和凸块高度测量。2、白光干涉技术：采用白光干涉技术，可得到wafer表面的3D形貌，表面粗糙度，TSV等关键尺寸，测量范围为0-100um，分辨率为亚纳米水平。3、光学反射技术：采用光学反射技术，可得到wafer表面涂层或薄膜的厚度，可测量最小厚度5nm的薄膜，分辨率为亚纳米量级。 n产品特点： 1、兼容4,6,8,12寸样品；2、所有检测数据，一步同时完成测量；3、可在一台仪器上搭配不同技术的测量探头，用于测量晶圆的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度，3D形貌，TSV，关键尺寸，粗糙度等参数。4、测量台为无振动测量的空气悬浮台；5、符合SEMI S2和S8标准；6、用户界面友好的WaferSpect 软件，软件具有mapping功能,可以多点测试后提供样片测试的mapping图。 n应用行业： - 化合物半导体：研磨芯片厚度控制GaAs，InP, SiC，GaN - 硅基器件前段：功率器件，MEMS，射频MEMS- 硅基器件后段：8”和12”的封装及bumping线，TSV(硅通孔技术)- LED：可用作检测蓝宝石或碳化硅片厚度及TTV- 光通讯：石英材料类 n典型应用案例：

中图仪器WD4000半导体晶圆多维度几何形貌特征检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。WD4000半导体晶圆多维度几何形貌特征检测设备系统自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等； 2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。WD4000半导体晶圆多维度几何形貌特征检测设备兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。 （2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。无图晶圆厚度、翘曲度的测量 通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

FSM 128 薄膜应力及基底翘曲测试设备 如果您对该产品感兴趣的话，可以给我留言！ 产品名称：FSM 128 薄膜应力及基底翘曲测试设备产品型号：FSM 128， 500TC, 900TC1. 简单介绍 FSM 128 薄膜应力及基底翘曲测试设备:美国Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，总部位于圣何塞，多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备，客户遍布全世界, 主要产品包括:光学测量设备: 三维轮廓仪、拉曼光谱、 薄膜应力测量设备、 红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及 漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析 (EOT)1. 产品简介：FSM128 薄膜应力及基底翘曲测试设备 在衬底镀上不同的薄膜后, 因为两者材质不一样，以及不同的材料不同温度下特性不一样, 所以会引起应力。 如应力太大会引起薄膜脱落, zui终引致组件失效或可靠性不佳的问题。 薄膜应力激光测量仪利用激光测量样本的形貌,透过比较镀膜前后衬底曲率半径的变化, 以Stoney’s Equation计算出应力, 是品检及改进工艺的有效手段。 1) 快速、非接触式测量 2) 128型号适用于3至8寸晶圆 128L型号适用于12寸晶圆 128G 型号适用于470 X 370mm样品， 另可按要求订做不同尺寸的样品台 3) 专利双激光自动转换技术 如某一波长激光在样本反射度不足，系统会自动使用 另一波长激光进行扫瞄，满足不同材料的应用 4) 全自动平台，可以进行2D及3D扫瞄（可选) 5) 可加入更多功能满足研发的需求 电介质厚度测量 光致发光激振光谱分析 （III-V族的缺陷研究） 6) 500 及 900°C高温型号可选 7) 样品上有图案亦适用1. 规格: 1) 测量方式: 非接触式(激光扫瞄) 2) 样本尺寸: FSM 128NT: 75 mm to 200 mm FSM 128L: 150 mm/ 200 mm/ 300mm FSM 128G: *大550×650 mm 3) 扫瞄方式: 高精度单次扫瞄、2D/ 3D扫瞄(可选) 4) 激光强度: 根据样本反射度自动调节 5) 激光波长: 650nm及780nm自动切换(其它波长可选) 6) 薄膜应力范围: 1 MPa — 4 GPa(硅片翘曲或弯曲度变化大于1 micron) 7) 重复性: 1% (1 sigma)* 8) 准确度: ≤ 2.5% 使用20米半径球面镜 9) 设备尺寸及重量: FSM 128: 14″(W)×22″(L)×15″(H)/ 50 lbs FSM128L:14″(W)×26″(L)×15″/ 70 lbs FSM128G:37″(W)×48″(D)×19″(H)/ 200 lbs 电源 : 110V/220V, 20A********************************************************************************FSM413 红外干涉测量设备如果您对该产品感兴趣的话，可以给我留言！ 产品名称：FSM 413 红外干涉测量设备产品型号：FSM 413EC, FSM 413MOT，FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C1. 简单介绍FSM 128 薄膜应力及基底翘曲测试设备:美国Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，总部位于圣何塞，多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备，客户遍布全世界, 主要产品包括:光学测量设备: 三维轮廓仪、拉曼光谱、 薄膜应力测量设备、 红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及 漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析 (EOT)1. 产品简介：FSM 413 红外干涉测量设备1) 专利红外干涉测量技术, 非接触式测量 2) 适用于所有可让红外线通过的材料硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物… 2. 应用: 衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响) 平整度 厚度变化 (TTV) 沟槽深度 过孔尺寸、深度、侧壁角度 粗糙度 薄膜厚度 环氧树脂厚度 衬底翘曲度 晶圆凸点高度(bump height) MEMS 薄膜测量 TSV 深度、侧壁角度… TSV应用Total Thickness Variation (TTV) 应用1. 规格: 1) 测量方式: 红外干涉(非接触式) 2) 样本尺寸: 50、75、100、200、300 mm， 也可以订做客户需要的产品尺寸 3) 测量厚度: 15 — 780 μm (单探头) 3 mm (双探头总厚度测量)4) 扫瞄方式: 半自动及全自动型号, 另2D/3D扫瞄(Mapping)可选5) 衬底厚度测量: TTV、平均值、*小值、*大值、公差。。。 6) 粗糙度: 20 — 1000? (RMS) 7) 重复性: 0.1 μm (1 sigma)单探头* 0.8 μm (1 sigma)双探头*8) 分辨率: 10 nm 9) 设备尺寸: 413-200: 26”(W) x 38” (D) x 56” (H) 413-300: 32”(W) x 46” (D) x 66” (H) 10) 重量: 500 lbs11) 电源 : 110V/220VAC 12) 真空: 100 mm Hg13) 样本表面光滑（一般粗糙度小于0.1μm RMS) 150μm厚硅片（没图案、双面抛光并没有掺杂）技术/销售热线：邮箱：