多晶硅检测

布鲁克光谱低温硅分析系统(CryoSAS) 是一款专用于分析低温(15K)下硅中杂质的一体化系统，专为工业环境设计。CryoSAS 内置了一个布鲁克高性能的傅立叶红外光谱仪，闭循环的低温制冷技术，不需要液氦。所有CryoSAS部件都是最先进的，其最新的技术满足了多晶硅生产环境中的艰难分析工作。CryoSAS 能够实现高水平的全自动操作，包含准确的报告及分析结果。产品特点包括：高灵敏度：CryoSAS 依据ASTM/SEMI MF1630标准分析浅层杂质（例如硼、磷等等），浓度可低至ppta水平。此外，依据ASTM/SEMI MF1391标准，可以分析碳/氧含量，浓度可低至ppba水平。闭循环低温制冷系统：不需要耗费昂贵的低温制冷剂高可靠性的闭循环低温系统冷却检测器和样品仓。与液氦制冷系统相比，闭循环系统每年可以节省制冷操作费用50,000欧元，甚至更多。不锈钢设计样品仓：方便样品替换样品仓配有稳定的光学系统及自动样品头。样品仓内部的大尺寸方便样品架进入。机械泵及涡轮泵的结合：简单清洁的真空系统使用快速可靠的机械泵和涡轮泵抽真空。坚固的9个样品支架及精密的步进马达：稳定的转移平台及支架支持多样品分析，高性能马达及固体机械系统确保精确的样品测试。样品及样品架在样品仓内的安装非常容易。特殊设计的镀金OFHC 铜样品架保证了温度的均一性。易用性：CryoSAS 提供了适用于工业环境的简易操作。所有的真空和制冷系统都由程序控制。冷却和开始测量是简单的按钮操作。操作者无需是光谱仪专家或者真空系统专家。专用的CryoSAS 软件完全根据工业质量控制设计。它可以通过触摸屏操作。操作者只需选择想要的分析方法、输入样品信息，然后按下开始按钮即可启动测量。CryoSAS 可以全自动的冷却样品并开始红外测量、评价结果、生成分析报告。

太阳能电池量子效率测试系统——SolarCellScan100系列系统功能系统可以实现测试太阳电池的：光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、透射率、短路电流密度、量子效率Mapping、反射率Mapping。系统适用范围1、适用于各种材料的太阳电池包括：单晶硅Si、多晶硅mc-Si、非晶硅α-Si、砷化镓GaAs、镓铟磷GaInP、磷化铟InP、锗Ge、碲化镉CdTe、铜铟硒CIS、铜铟镓硒CIGS、染料敏化DSSC、有机太阳电池Organic Solar Cell、聚合物太阳电池Polymer Solar Cell 等2、适用于多种结构的太阳电池包括：单结Single junction、多结multi junction、异质结HIT、薄膜thin film、高聚光HPV 等不同材料或不同结构的太阳电池，在测试过程中会有细节上的差异。比如说：有机太阳电池的测试范围主要集中在可见光波段，而GaAs 太阳电池的测试范围则很可能扩展到红外1.4um 甚至更长波段；单晶硅电池通常需要测内量子效率，而染料敏化太阳电池通常只需要测外量子效率；有机太阳电池测试通常不需要加偏置光，而多结非晶硅薄膜电池则需要加偏置光……SolarCellScan100 通过主机与各种附件的搭配，可以实现几乎所有种类电池的测试。这种模块化搭配的方式，适合科研用户建立测试平台。 选型列表：型号名称和说明主机SCS1011太阳能电池量子效率测量系统，含直流、交流测量模式，氙灯光源SCS1012太阳能电池量子效率测量系统，含直流测量模式，氙灯光源SCS1013太阳能电池量子效率测量系统，含直流、交流测量模式，溴钨灯光源SCS1014太阳能电池量子效率测量系统，含直流测量模式，溴钨灯光源SCS1015太阳能电池量子效率测量系统，含直流、交流测量模式，氙灯溴钨灯双光源SCS1016太阳能电池量子效率测量系统，含直流测量模式，氙灯溴钨灯双光源附件QE-A1偏置光附件，150W氙灯QE-A2偏置光附件，50W溴钨灯QE-B1标准太阳电池（单晶硅）QE-B1-SP标准太阳电池QE-B2标准铟镓砷探测器(800-1700nm，含标定证书）QE-B3标准硅探测器(300-1100nm，含标定证书)QE-B4标准铟镓砷探测器(800-2500nm，含标定证书）QE-B7透过率测试附件(300-1100nm)QE-B8透过率测试附件(800-1700nm)QE-BVS偏置电压源（±10V可调）QE-C2漫反射率测试附件（300-1700nm）QE-C7标准漫反射板QE-D1二维电动调整台QE-D2手动三维调整台QE-IV-Convertor短路电流放大器专用机型介绍系统功能部分太阳能应用方向的研究人员需要测量量子效率，但本身却不是光电测量方面的行家，卓立汉光在测量平台SolarCellScan100的基础上，进一步开发出以下几套极具针对性的专用机型配置，方便客户使用。以下的专用配置也适合产业化的工业客户使用。1、通用型太阳电池QE测试系统SCS100-Std系统特点符合IEC60904-8国际标准；测量结果高重复性；内外量子效率测量功能；快速导入参数功能；适用于科研级别小样品测试适用范围： 晶体硅电池、非晶硅薄膜电池、染料敏化电池、CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池等； 光谱范围： 300~1100nm； 电池结构： 单结太阳电池； 可测参数： 光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、短路电流密度； 可测样品面积： 30mm×30mm 2.通用型太阳电池QE测试系统SCS100-Exp系统特点符合IEC60904-8国际标准；测量结果高重复性；高度自动化测量；双光源设计；红外光谱范围扩展；薄膜透过率测试功能；小面积、大面积样品测试均适用；适用范围： 晶体硅电池、非晶硅薄膜电池、染料敏化电池、有机薄膜电池、CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池、三结砷化镓GaAs电池、非晶/微晶薄膜电池等； 光谱范围： 300~1700nm； 电池结构： 单结、多结太阳电池； 可测参数： 光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、透射率、短路电流密度； 可测样品面积： 156mm×156mm以下 3.晶体硅太阳电池测试专用系统 SCS100-Silicon系统特点集成一体化turnkey系统晶体硅电池测试专用内外量子效率测试快速Mapping扫描功能快速高效售后服务适用范围： 单晶硅电池、多晶硅电池 光谱范围： 300~1100nm 电池结构： 单结太阳电池 可测参数： 光谱响应度、外量子效率、反射率、内量子效率、短路电流密度、*量子效率Mapping、*反射率mapping 可测样品面积： 156mm×156mm 4.薄膜太阳电池QE测试专用系统 SCS100-Film系统特点集成一体化turnkey系统；大面积薄膜电池测试专用；超大样品室，光纤传导；背面电极快速连接；反射率、内外量子效率同步测试；快速高效售后服务。适用范围： 非晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池、CdTe薄膜电池、非晶/微晶双结薄膜电池、非晶/微晶/微晶锗硅三结薄膜电池等； 光谱范围： 300~1700nm ； 电池结构： 单结、多结太阳电池； 可测参数： 光谱响应度、外量子效率、反射率、透射率、内量子效率、短路电流密度； 可测样品面积： 300mm×300mm 5.光电化学太阳电池测试专用系统 SCS100-PEC系统特点光电化学类太阳电池专用配置方案；直流测量模式；低杂散光暗箱；电解池样品测试附件；经济型价格适用范围： 染料敏化太阳电池； 光谱范围： 300~1100nm； 电池结构： 光电化学相关的纳米晶太阳电池； 可测参数： IPCE； 可测样品面积： 50mm×50mm

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。 规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

标准太阳电池为50px*50px的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：★ CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池★ CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA?oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV?oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5%测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

用于制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备 MVSSilicon Nitride Coating Systems for Multi-crystalline Silicon Solar CellsThroughput: 475 wafers/hrSiNx uniformity: ?5%产率：475硅片/小时。氮化硅膜不均匀性： 5%。

用于制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备 MVSSilicon Nitride Coating Systems for Multi-crystalline Silicon Solar CellsThroughput: 475 wafers/hrSiNx uniformity: ?5%产率：475硅片/小时。氮化硅膜不均匀性： 5%。

MDPmap： 单晶和多晶硅片寿命测量设备用于复杂的材料研究和开发。 特点： ◇ 灵敏度：高的灵敏度，用于可视化迄今为止不可见的缺陷和调查外延层的情况 ◇ 测量速度：6英寸硅片5min，分辨率为1mm ◇ 寿命范围：20ns到几十ms ◇ 污染测定：源于坩埚和设备的金属（铁）污染 ◇ 测量能力：从切割好的硅片到完全加工的样品 ◇ 灵活性：固定的测量头可以与外部激光器连接并触发 ◇ 可靠性：模块化和紧凑型台式仪器，可靠性更高，正常运行时间99% ◇ 重复性： 99% ◇ 电阻率：电阻率测绘，无需频繁校准 技术规格: 样品尺寸 直径达300mm（标准台），直径达450mm（定制），*小为5 x 5mm 寿命测量范围 20ns至几十ms以上 电阻率 0.2 - 10³ Ωcm，p-型/n-型 样品材料 硅片、外延层、部分或完全加工的硅片、化合物半导体及更多材料 可测量的特性 寿命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光导率 激发波长 选择从355nm到1480nm的*多四个不同波长。980nm(默认) 尺寸规格 体积：680 x 380 x 450毫米；重量：约65公斤 电源 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A 细节：◇ 用于研发或生产监控的灵活测绘工具 ◇ MDPmap被设计成一个紧凑的台式非接触电学表征工具，用于离线生产控制或研发，在稳态或短脉冲激励（μ-PCD）下，在一个宽的注入范围内测量参数，如载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息。自动化的样品识别和参数设置允许轻松适应各种不同的样品，包括外延层和经过不同制备阶段的晶圆，从原生晶圆到高达95%的金属化晶圆。 ◇ MDPmap的主要优点是它的高度灵活性，例如，它允许集成多达四个激光器，用于测量从较低到高的注入水平的寿命，或通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设施，以及μ-PCD或稳态注入条件的选项。可以用不同的地图进行客户定义的计算，也可以输出主要数据进行进一步评估。对于标准的计量任务，预定义的标准只需按下一个按钮就能进行常规测量。 附加选项： ◇ 光斑大小的变化 ◇ 电阻率测量（晶圆） ◇ 方块电阻 ◇ 背景/偏光 ◇ 反射测量（MDP） ◇ 太阳能电池的LBIC（扩散长度测量） ◇ 偏压MDP ◇ 参考晶圆 ◇ 硅的内部/外部铁制图 ◇ 集成加热台 ◇ 灵活的激光器配置 MDPmap 测量案例： 钝化多晶硅的寿命图 多晶硅的铁污染图 单晶硅的硼氧图 单晶硅的缺陷密度图 碳化硅外延片（＞10μm）-少数载流子寿命mapping图（平均寿命τ=0.36μs） 高阻硅片（＞10000Ωcm）-少数载流子寿命mapping图 非钝化硅外延片（20μm）-少数载流子寿命mapping图 MDPmap 应用：铁浓度测定 铁的浓度的精确测定是非常重要的，因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，具有非常高的分辨率且**是在线的 更多...... 掺杂样品的光电导率测量 B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难…… 更多...... 陷阱浓度测定 陷阱中心是非常重要的，为了了解材料中载流子的行为，也可以对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度和活化能。 更多...... 注入相关测量 少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心和俘获中心的信息。 更多......

应用材料范围：● 硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层无接触且非破坏的少子寿命成像测试：(μPCD/MDP(QSS),光电导率，电阻率和p/n型检测● 符合半导体行业标准 SEMI PV9-1110半导体质量的可视化是通过广泛应用的先进微波技术实现的。关键的电子半导体参数的无接触的快速图形化检测，像少数载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息等参数的测量，都可以通过无与伦比的空间分辨率、灵敏度和测量速度的图形化方式来展现。这种方法为半导体生产和研究提供了一个广泛的已有和新的应用领域。MDP系列产品涵盖了广泛的应用范围，从高产量、自动化生产的易集成OEM模块到研究和高灵活性的故障排除工具，MDP始终专注于各种解决方案。可靠和耐用的设计，再加上新电子可能性的集成，使MDP系列产品成为未来高速非接触式电子半导体特性检测的完美选择。MDPpro单晶、多晶晶圆和晶锭少数载流子寿命测试设备产品性能介绍：● 上限通量: 240 bricks/day或720 wafers/day● 测试速度: 4 minutes，156×156×400 mm 标准晶锭● 寿命测试范围: 20 ns到几十ms● 产量提升: 1mm的切割标准156×156×400mm标准晶锭● 质量控制: 专为单晶或多晶硅等工艺和材料的质量监控而设计● 污染判断: 产生于坩埚和生产设备中的金属污染 (Fe)● 可靠性: 模块化，坚固耐用的工业仪器，具有更高的可靠性和正常运行时间 99%● 重复性: 99.5%● 电阻率：电阻率面扫功能，无需频繁校准应用方向：● 半导体材料少子寿命● 铁浓度测定● 缺陷浓度测试● 硼氧浓度测试● 受注入浓影响的测试● 晶圆切割，熔炉监控，材料优化a.具有自动确定切割标准的多晶硅砖的寿命（τ）图b. 空间分辨p / n电导转换的检测c.多晶硅块的电阻率图

应用材料范围：硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层半导体质量的可视化是通过广泛应用的先进微波技术实现的。关键的电子半导体参数的无接触的快速图形化检测，像少数载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息等参数的测量，都可以通过无与伦比的空间分辨率、灵敏度和测量速度的图形化方式来展现。这种方法为半导体生产和研究提供了一个广泛的已有和新的应用领域。MDP系列产品涵盖了广泛的应用范围，从高产量、自动化生产的易集成OEM模块到研究和高灵活性的故障排除工具，MDP始终专注于各种解决方案。可靠和耐用的设计，再加上新电子可能性的集成，使MDP系列产品成为未来高速非接触式电子半导体特性检测的完美选择。 MDPmap 单晶和多晶片的少数载流子寿命测试设备产品性能介绍：● 灵敏度: 对外延层监控和不可见缺陷检测， 具有可视化测试的高分辨率● 测试速度: 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率● 寿命测试范围: 20ns到几ms● 玷污测试: 产生于坩埚和生产设备中的金属沾污（Fe）● 测试能力: 从切割的晶元片到所有工艺中的样品● 灵活性: 允许外部激发光与测试模块进行耦合● 可靠性: 模块化紧凑型台式检测设备，使用时间 99%● 重复性: 99.5%● 电阻率: 无需时常校准的电阻率面扫描 应用方向：● 半导体材料少子寿命● 铁浓度测定● 缺陷浓度测试● 硼氧浓度测试● 受注入浓影响的测试 氧化物钝化CZ-Si的寿命 生长的多晶硅的寿命图 a. 铁浓度图 b. 反射图 c. 硼氧相对浓度图 d.电阻率图配置选项● 光斑尺寸可调● 电阻率测试（晶圆片）● 参考晶圆● 方块电阻● 背景光/偏置光选项● 反射率测试(MDP)● 用于光伏的LBIC● BiasMDP● Si晶圆片中的内外铁浓度分布图● 集成的加热台● 多种可选的激发光源

应用范围：灵活的OEM设备，用于多种不同样品的在线寿命测量：从单晶硅到多晶硅锭，从生成态晶圆片到不同镀层或金属化晶圆的过程控制。标准软件接口，易于连接到许多处理或自动化系统。在线面扫和单点检测MDPlinescan是一个易于集成的OEM单元，可集成到各种自动化的检测线。关键的测量参数是实时的载流子寿命扫描。样品通常由测量头下的传送带或机器人系统来输送。应用实例从晶锭到晶圆的检测，每个晶圆的测量速度小于一秒。电池生产线上的来料质量检查是最常用的一种应用方向，同样，钝化和扩散后的工艺质量检查也能用到此款产品。 还有许多其他的专门应用可能性。由于其易于集成，只需要以太网连接和电源。 产品介绍l 各种不同的样品，从单晶硅到多晶硅，从生长的晶片到加工过的晶片，都可以通过MDPlinescan使用少子寿命测量进行检测。 l MDPlinescan是一个易于集成的OEM单元，可集成到各种自动化的检测线。关键的测量参数是实时的载流子寿命扫描。 l 样品通常由测量头下的传送带或机器人系统来输送。应用实例从晶锭到晶圆的检测，每个晶圆的测量速度小于一秒。 该仪器有许多专门应用可能性。由于其易于集成，只需要以太网连接和电源即可。例如，电池生产线上的来料质量检查是其最常用的一种应用方向，同样，钝化和扩散后的工艺质量检查也能用到此款产品。优势l 在μ-PCD或稳态激发条件下测量少数载流子寿命和电阻率是这个工具的重点。l 用于集成在生产线的多晶或单晶硅晶圆,包括材料制备，和各种工艺处理阶段。小尺寸和标准的自动化接口使集成变得容易。优势是长时间的可靠性和测量结果的高精度。技术参数样品种类多晶或单晶晶元片， 晶锭，晶胞样品尺寸大约50 x 50 mm2电阻率0.2 - 103 Ohm cm电导类型p, n材质硅晶圆，部分或完全加工晶圆，化合物半导体等测量属性载流子的少子寿命硬件接口ethernet大小174 x 107 x 205 mm, 重量: 3 kg电源24 V DC, 2 A

MDPinline ingot系统是世界上最快的多晶硅晶锭电学参数特性测量工具。它是专为高通量工厂的单块晶锭测试而研发的。每块晶锭可以在不到一分钟时间里测量其四面。所有的图谱(寿命，光电导率，电阻率)都是同时测量的。 该系统包括一个数据库和统计数据评估，可用于自动确定精确的切割位置，以提高成品率。用于材料质量监控，炉选择和工艺改进。性能无接触破坏的半导体特性少数载流子寿命的检测能力 先进的灵敏度让所有隐形缺陷可视化自动切割标准定义获取体材料性质的稳态测量完全自动化的内联集成对太阳能级硅錠进行扫描，1mm分辨率测量时间:1分钟内完成晶锭的面扫描，可自动测量所有4个面 Automated determination of cut off criteria 优势先进光伏晶圆厂多晶硅晶锭在线特性快速检测的世界记录。在1分钟内完成分辨率大于1mm成像扫描测试，同时可完成电导类型转变的空间分布扫描和电阻率的线扫描测试。客户定义的切割标准可以传输到晶圆厂数据库，该数据库允许对下一代光伏晶圆厂进行完全自动化的材料监控。对炉料进行质量控制和炉况监测，并进行失效分析。特殊的“underneath the surface”测量技术大大减少了表面重组造成的数据失真。 Recognition of cracks, chunks etc. Automated cut criteria definition, lifetime map

桌面单点测量 低成本的台式寿命测量系统，可在不同的制备阶段表征各种不同的硅样品，没有内置的自动化。可选配手动z轴，用于厚度在156毫米以下的晶锭。结果可视化的标准软件。 MDPspot包括一个额外的电阻率测量选项。电阻率测量仅适用于硅，可用于没有高度调整可能性的晶圆片，也可用于晶锭。须预定义这两个选项之一。 特性 无接触破坏的电子半导体特性μ-PCD测量选项外延片不可见的缺陷和检测的灵敏度的可视化集成多达四个激光器适用于一个广泛的注射水平获取单一瞬态的原始数据以及用于特殊评估目的的图 优势 用于不同制备阶段，从成体到最终器件，多晶硅或单晶硅单点测量载流子寿命的台式装置。 体积小，成本低，使用方便。拥有一个基本的软件，结果可视化。适用于晶圆片到晶锭，易于高度调整。技术参数样品不同的处理步骤，如钝化或扩散后的单晶或多晶硅晶圆、晶锭、电池、晶圆样品尺寸50 x 50 mm2 到12“ 或210 x 210 mm2电阻率0.2 - 103 Ohm cm材质硅晶圆，晶锭，部分或全部加工晶圆，复合半导体和更多其它类型 检测性能载流子寿命尺寸360 x 360 x 520 mm，质量：16 kg电源110/220 V, 50/60 Hz, 3 A其它细节 允许单片调查不同种类的晶圆片有不同的菜单监控材料、工艺质量和稳定性

产品介绍▼l 各种不同的样品，从单晶硅到多晶硅，从生长的晶片到加工过的晶片，都可以通过MDPlinescan使用少子寿命测量进行检测。 l MDPlinescan是一个易于集成的OEM单元，可集成到各种自动化的检测线。关键的测量参数是实时的载流子寿命扫描。 l 样品通常由测量头下的传送带或机器人系统来输送。应用实例从晶锭到晶圆的检测，每个晶圆的测量速度小于一秒。 l 该仪器有许多专门应用可能性。由于其易于集成，只需要以太网连接和电源即可。例如，电池生产线上的来料质量检查是其最常用的一种应用方向，同样，钝化和扩散后的工艺质量检查也能用到此款产品。 特性▼l 允许单片调查l 配方的基础测量l 监控材料质量、工艺的完整性和稳定性 优势▼l 在μ-PCD或稳态激发条件下测量少数载流子寿命和电阻率是这个工具的重点。l 用于集成在生产线的多晶或单晶硅晶圆,包括材料制备，和各种工艺处理阶段。l 小尺寸和标准的自动化接口使集成变得容易。优势是长时间的可靠性和测量结果的高精度。 技术参数▼样品种类多晶或单晶晶元片， 晶锭，晶胞样品尺寸大约50 x 50 mm2电阻率0.2 - 103 Ohm cm电导类型p, n材质硅晶圆，部分或完全加工晶圆，化合物半导体等测量属性载流子的少子寿命硬件接口ethernet大小174 x 107 x 205 mm, 重量: 3 kg电源24 V DC, 2 A

根据SEMI标准PV9-1110的非接触式和无损成像(μPCD / MDP(QSS))、光电导性、电阻率和p/n检查。晶圆切割，炉内监控，材料优化等。日常寿命测量，质量控制和检验最佳产量：240块/天或720片/天测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，4分钟良品率提升：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅沾污检测：起源于坩埚和生产设备的金属(Fe)可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高可靠性，运行时间 99%可重复性: 99.5%电阻率：可做面扫描，不需经常校准精密材料研发铁浓度测定陷阱浓度测定硼氧测定依赖于注入的测量等特性无接触和无破坏的半导体检测特殊“underneath the surface”寿命测量技术对不可见缺陷的可视化测试具有很高灵敏度自动设置硅錠切割标准空间分辨p/n电导型变换检测

Mono- and Multi-crystalline wafer and brick lifetime measurement device应用范围：用于常规质量控制、精密材料研发的单晶和多晶片及晶锭的寿命测量 根据SEMI标准PV9-1110的非接触式和无损成像(μPCD / MDP(QSS))、光电导性、电阻率和p/n检查。晶圆切割，炉内监控，材料优化等。日常寿命测量，质量控制和检验 ◆产量：240块/天或720片/天◆测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，4分钟◆生产改善：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭◆质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅◆污染测定：起源于炉和设备的金属(Fe)◆可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高的可靠性和运行时间 99%◆可重复性: 99.5%◆电阻率：不需要经常校准精密材料研发铁浓度测定陷阱浓度测定硼氧测定依赖于注入的测量等特性完全无触点无破坏的半导体特性特殊的“表面之下”寿命测量技术不可见缺陷的 灵敏度的可视化自动切割标准定义空间分辨p/n电导型变换检测

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

适用电池：单晶硅、多晶硅太阳能电池；交流分析模式下的材料性能分析测试项目：绝对光谱响应，外量子效率，光谱透过率，光谱反射率（选配），内量子效率（选配）、标准太阳 AM1.5G 照射下的短路电流密度、表面均匀度等。 1）外量子效率测试： 利用太阳电池光谱响应的测量，可以得出太阳电池的量子效率 η(λ)，2）光谱反射率测试：将单色仪输出的单色光输入积分球，分别将已知光谱漫反射率的标准白板和被测太阳能电池放到积分球的一个开口处，测量积分球另一开口处的探测器的输出光谱电流，通过比对得到绝对光谱反射率曲线。3）光谱透过率测试：测试样品室内放入样品和不放入样品时标准探测器的光谱电流/电压值，相比得到样品的透过率，可以测量太阳能电池的光谱透过率，也可以测量玻璃的光谱透过率4）内量子效率测试：扣除反射率对外量子效率的影响部分就得到了内量子效率。 测试原理光源在不同波长的辐射能量不同，探测器在不同波长的响应度也不同，因此，所测得的响应电流也会有较大的不同。假设系统噪声 N 不变，响应电流 S 大时，系统信噪比（S/N）大，不会影响测量精度，如果响应电流很小，甚至小于系统噪声，使 S/N1，此时测量的精度就会受到极大影响。为解决这个问题，系统采用了相关检测法，利用信号在时间上的相关性，把深埋于噪声中的周期信号提取出来。具体做法是：将光源经过斩波器调制成具有固定频率（参考频率）的周期信号，则探测器也输出具有相同频率的电信号，经过锁相放大器将含有参考频率的电信号检出，而其它频率的信号（噪声）则被抑制掉，从而提高了系统的信噪比，保证了测量准确度。主要技术指标：指标参数适用电池单晶硅、多晶硅、半导体材料控制模式软件控制、全自动扫描、自动消除误差、自动扣除背景光谱范围200-1100nm扫描间隔≥1nm连续可调光谱扫描全自动、连续测试结果重复性0.3%（短路电流）工作模式交流模式AC、斩波频率5-1000Hz温控台：温控范围5-40℃（±0.5℃），选配偏置光源可选配2路单色仪焦距300mm、150mm可选 实测光谱响应曲线 实测量子效率曲线

适用电池：单晶硅、多晶硅太阳能电池；交流分析模式下的材料性能分析测试项目：绝对光谱响应，外量子效率，光谱透过率，光谱反射率（选配），内量子效率（选配）、标准太阳 AM1.5G 照射下的短路电流密度、表面均匀度等。 1）外量子效率测试： 利用太阳电池光谱响应的测量，可以得出太阳电池的量子效率 η(λ)，2）光谱反射率测试：将单色仪输出的单色光输入积分球，分别将已知光谱漫反射率的标准白板和被测太阳能电池放到积分球的一个开口处，测量积分球另一开口处的探测器的输出光谱电流，通过比对得到绝对光谱反射率曲线。3）光谱透过率测试：测试样品室内放入样品和不放入样品时标准探测器的光谱电流/电压值，相比得到样品的透过率，可以测量太阳能电池的光谱透过率，也可以测量玻璃的光谱透过率4）内量子效率测试：扣除反射率对外量子效率的影响部分就得到了内量子效率。 测试原理光源在不同波长的辐射能量不同，探测器在不同波长的响应度也不同，因此，所测得的响应电流也会有较大的不同。假设系统噪声 N 不变，响应电流 S 大时，系统信噪比（S/N）大，不会影响测量精度，如果响应电流很小，甚至小于系统噪声，使 S/N1，此时测量的精度就会受到极大影响。为解决这个问题，系统采用了相关检测法，利用信号在时间上的相关性，把深埋于噪声中的周期信号提取出来。具体做法是：将光源经过斩波器调制成具有固定频率（参考频率）的周期信号，则探测器也输出具有相同频率的电信号，经过锁相放大器将含有参考频率的电信号检出，而其它频率的信号（噪声）则被抑制掉，从而提高了系统的信噪比，保证了测量准确度。主要技术指标：指标参数适用电池单晶硅、多晶硅、半导体材料控制模式软件控制、全自动扫描、自动消除误差、自动扣除背景光谱范围200-1100nm扫描间隔≥1nm连续可调光谱扫描全自动、连续测试结果重复性0.3%（短路电流）工作模式交流模式AC、斩波频率5-1000Hz温控台：温控范围5-40℃（±0.5℃），选配偏置光源可选配2路单色仪焦距300mm、150mm可选 实测光谱响应曲线 实测量子效率曲线

弗莱贝格的MDPpro（晶圆片/晶锭寿命检测仪）系列主要用于测量少子寿命、光电导率、电阻率和样品平整度及p/n检查等，其非接触式检测和无损成像（μPCD /MDP(QSS)）的设计完全符合SEMI标准PV9-1110。这也使得该仪器在晶圆切割、炉内监控和材料优化等领域被广泛应用。可以说，MDPpro是晶锭生产商以及晶体炉技术生产商的标准仪器。特性&优势▼u 无接触和无破坏的半导体检测；u 特殊“underneath the surface”寿命测量技术；u 对不可见缺陷的可视化测试具有很高灵敏度；u 自动设置硅錠切割标准；u 空间分辨p/n电导型变换检测；u 多项数据同时自动检测扫描，5幅测量图形同时绘制；u 坚固耐用的设计和易于设置的性能。安装，仅需要电源。 应用实例▼1.日常寿命测量，质量控制和检验高产量：240块/天或720片/天测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，4分钟良品率提升：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅沾污检测：起源于坩埚和生产设备的金属(Fe)可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高可靠性，运行时间 99%可重复性: 99.5%电阻率：可做面扫描，不需经常校准2. 精密材料研发a.铁浓度测定b.陷阱浓度测定c.硼氧测定d.依赖于注入的测量等

应用材料范围：● 单晶或多晶硅锭无接触且非破坏的少子寿命成像测试：(μPCD/MDP(QSS),光电导率，电阻率和p/n型检测。● 符合半导体行业标准 SEMI PV9-1110MDPinline ingot系统是全球范围内非常快的测量工具，可用于对多晶硅和类单晶硅锭进行电学表征。专为高通量工厂中的单个晶锭测试而开发，每个晶锭都可在1分钟内完成所有面的电学参数表征测试参数包括1mm分辨率的少子寿命面扫描分布，电导类型分布图，以及电阻率线扫描分布图MDPinline ingot在线硅锭成像设备优势介绍：● MDPinline ingot对有高通量要求PV工厂里的多晶硅锭电学参数，具备最快的在线测试速度：在1分钟内可完成分辨率大于1mm的成像扫描测试，同时可完成电导类型转变的空间分布扫描和电阻率的线扫描测试。● 客户制定的硅锭切割标准，可通过数据中心，对下一代PV工厂的材料制备进行全自动监控，完成对材料生长质量控制，坩埚状况监控，以及各种失效析。● 通过特殊的“underneath the surface”测试技术，可有效减少由表面复合引起的数据失真情况出现。● 对半导体材料电学参数进行非接触和非破坏性测试● 对少子寿命参数可做面扫描测试● 对不可见缺陷的可视化测试具有很高灵敏度● 对铁浓度分布做面扫描● 自动设置硅锭切割标准● 对硅锭少子寿命的稳态测试，● 可有效改善硅锭的性能● 完全自动化的集成设计低成本测试技术指标：

u 产品介绍组件EL检测仪利用电致发光原理开发的一种检测太阳能电池组件内部缺陷的检测设备，通过检测结果的分析判断，更好的控制来料的选择和生产过程中的工艺问题，是太阳能组件生产商必不可少的检测设备。u 适用类型单晶硅多晶硅铜铟镓硒CIGS砷化镓u 应用范围组件生产中的抽样EL检测——半自动组件生产中的过程EL检测——自动电池/组件实验室中的EL检测——实验室定制u 主要参数像素：1600万/2400万像素测试范围：2000mm*1000mm测试节拍：30s进料模式：短边/长边/正面向上/正面向下上电模式：手动/自动检测缺陷：隐裂、材料缺陷、碎片、断栅、虚焊、低效率、电流等级混档等

PFA 烧 杯 一、产品简介我厂的PFA系列产品金属元素空白值低，铅、铀含量小于0.01ppb,无溶出与析出，未添加回料具有低的本底，它不仅对温度和各种化学试剂有很好的抗性，同时具有清洗方便的优点。主要用于痕量分析、同位素分析等实验，是目前国内外洁净的实验分析器皿。二、产品规格10、30、50、100、250、500、1000、2000ml，其他1000、2000ml是带把手的。三、产品特性：1、高难度的无接缝一体成模生产技术，确保产品质量的稳定性，使用时间长；2、PFA这种材料的化学稳定性可显著减少交差污染，摩擦系数在塑料中低，还有很好的电性能，其电绝缘性不受温度影响。3、耐高底温：使用温度-200～+260℃，在大温差内，能保持其机械强度：从低到高温，PFA均能维持其柔性而不减韧性，和PTFE相同，这是所有碳氟聚合物的持续使用温度。4、耐腐蚀：耐强酸、强碱、王水、氢氟酸和各种有机溶剂；5、相比聚四氟乙烯同类产品而言，其高度的透明性，具体实验过程中，实验人员可以随时观察杯内样品反应情况，方便实验；且杯体带有刻度线，定量准、误差小，可满足常规实验的定量要求；6、易于清洗：PFA本身不粘性并且具有防水、油和其他物质的能力，表面平整光滑，无任何划痕，在使用过程中，易清洗，满足苛刻的痕量分析实验需求。南京滨正红仪器有限公司

桌面单点测量低成本的台式少子寿命测量系统，对不同制备阶段的硅材料电学参数进行表征。没有内置自动化。可选配手动z轴，用于厚度在156毫米以下的晶锭。MDPspot可配电阻率测试选项。仅适用于硅，用于晶圆片，也可用于晶锭。 结果可视化的标准软件。特性无接触和非破坏的电学参数测试对外延工艺监控和不可见缺陷检测，具有可视化测试的高分辨率对于不同级别晶圆片，提供不同的菜单选项优势用于不同制备阶段，从成体到最终器件，多晶硅或单晶硅单点测量载流子寿命的台式装置。体积小，成本低，使用方便。拥有一个基本的软件，结果可视化。适用于晶圆片到晶锭，易于高度调整。

u 产品介绍电池片EL检测仪利用电致发光原理开发的一种检测太阳能电池片内部缺陷的检测设备，通过检测结果的分析判断，更好的控制来料的选择和生产过程中的工艺问题，是太阳能电池片生产商和组件生产商必不可少的检测设备。u 适用类型单晶硅多晶硅铜铟镓硒CIGS砷化镓u 应用范围电池片生产中的抽样EL检测组件生产中的电池片来料EL检测电池/组件实验室中的EL检测——实验室定制u 主要参数像素：1600万/2400万像素测试范围：160mm*160mm测试节拍：15s进料模式：正面向上上电模式：探针接触检测缺陷：隐裂、材料缺陷、碎片、断栅、低效率等

产品介绍：此款仪器是针对硅电池的专业一体式测试仪器，是在多功能测试仪器的基础上，结合硅电池的特性研发而成。同点同时进行内、外量子效率测试，真正实现了一键式全自动的测量过程，避免了测试源的不一致性造成测试结果的偏差，使得测试精度大大提升。 测试对象: 单晶硅、多晶硅太阳电池 测量项目：绝对光谱响应，外量子效率，内量子效率、短路电流密度，光谱反射率，表面均匀度等 技术指标：光谱范围：360-1100nm（200-1200nm可选）扫描间隔：&ge 1nm整数（可调）扫描方式：全自动短路电流密度重复性：1%测量模式：一键式全自动测量样品尺寸：&le 156mmx156mm

CEL-QPCE2010太阳能硅电池光谱响应系统（QE/IPCE）适用电池：单晶硅、多晶硅太阳能电池；交流分析模式下的材料性能分析测试项目：绝对光谱响应，外量子效率，光谱透过率，光谱反射率（选配），内量子效率（选配）、标准太阳 AM1.5G 照射下的短路电流密度、表面均匀度等。 l 外量子效率测试： 利用太阳电池光谱响应的测量，可以得出太阳电池的量子效率 η(λ)，l 光谱反射率测试：将单色仪输出的单色光输入积分球，分别将已知光谱漫反射率的标准白板和被测太阳能电池放到积分球的一个开口处，测量积分球另一开口处的探测器的输出光谱电流，通过比?

1:便携式四探针电阻率测试仪 四探针电阻率测试仪 四探针电阻率检测仪 四探针电阻率测定仪 型号：KDK-KDY-1A概述便携式电阻测度仪是用来测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。本仪器按照半导体材料电阻率的际及家标准测试方法有关规定。它主要由电器测量份（主机）及四探头组成，需要时可加配测试架。为减小体积，本仪器用同块数字表测量电流及阻率。样品测试电流由宽的恒流源提供，随时可行校准，以确保电阻率测量的准确度。因此本仪器不仅可以用来分材料也可以用来作产品检测。对1～100&Omega &bull cm标准样片的测量瓿差不过± 3%，在此范围内达到家标准机的水平。测量范围：可测量 电阻率：0.01～199.9&Omega &bull cm。可测方块电阻：0.1～1999&Omega /口当被测材料电阻率&ge 200&Omega &bull cm数字表显示0.00。（2）恒流源：输出电流：DC 0.1mA～10mA分两档10mA量程：0.1～1mA 连续可调10mA量程：1mA ～10mA连续可调恒流度：各档均优于± 0.1%适合测量各种厚度的硅片（3） 直流数字电压表测量范围：0～199.9mv灵敏度：100&mu v准确度：0.2%（± 2个字）（4） 供电电源：AC：220V ± 10% 50/60HZ 率8W（5） 使用环境：相对湿度&le 80%（6） 重量、体积重量：2.2 公斤体积：宽210× 100× 深240（mm）（7）KD探针头压痕直径：30/50&mu m间距：1.00mm探针合力：8± 1N针材：TC2:· 数字式硅晶体少子寿命测试仪 型号：KDK-LT-100C为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照标GB/T1553及SEMI MF-1535用频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。 该设备是按照家标准GB/T1553&ldquo 硅单晶少数载流子寿命测定的频光电导衰减法&rdquo 。频光电导衰减法在我半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。 KDK-LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点：1、 可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管硅单晶的少子寿命。2、 可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。3、配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。4、配置两种波长的红外光源：a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深&ge 500&mu m，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅&asymp 30&mu m，但光强较强，有利于测量低阻太阳能硅晶体。5、测量范围宽广测试仪可直接测量：a、研磨或切割面：电阻率&ge 0.3&Omega &bull ㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。b、抛光面：电阻率在0.3～0.01&Omega &bull ㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。寿命可测范围 0.25&mu S&mdash 10ms 温馨提示：以上产品资料与图片相对应。

产品介绍：此款仪器是针对硅电池的专业一体式测试仪器，是在多功能测试仪器的基础上，结合硅电池的特性研发而成。同点同时进行内、外量子效率测试，真正实现了一键式全自动的测量过程，避免了测试源的不一致性造成测试结果的偏差，使得测试精度大大提升。 测试对象: 单晶硅、多晶硅太阳电池 测量项目：绝对光谱响应，外量子效率，内量子效率、短路电流密度，光谱反射率，表面均匀度等 技术指标：光谱范围：360-1100nm（200-1200nm可选）扫描间隔：&ge 1nm整数（可调）扫描方式：全自动短路电流密度重复性：1%测量模式：一键式全自动测量样品尺寸：&le 156mmx156mm

便携式el检测仪为了检测光伏电池组件是否存在缺陷的仪器，光伏电池如果内部存在一定的缺陷，会严重影响到光伏电池板的使用寿命，严重的甚至会引起火灾。一、产品概述 便携式el检测仪用于检测光伏电池组件的隐裂、碎片、虚焊、黑片、断栅及混档等各类缺陷。光伏电池的内部缺陷严重影响光伏电池板的使用寿命和长期发电效率，甚至会引起现场火灾，有缺陷的光伏电池组件会对业主方造成严重的经济损失。为了满足电站EL现场测试的需要，我司开发了便携式EL检测设备，产品方便携带，易于安装，可在各类复杂现场条件下进行测试，快速诊断光伏组件的 EL 缺陷。给光伏电站安装、运行维护及电站质量评估提供了重要依据。二、产品特点1) 便携性：整机重量轻，便于携带；易于安装。2) 对焦系统：全自动对焦，暗光对焦。3) 滤光系统：可过滤灯光，月光，星光等，测试效果无影响。4) 线性恒流EL电源：轻便小巧，输出0~100、0~10可调，兼容高低电流切换。5） 智升WUSB管理软件：软件分为权限操作，权限密码，数据统计，图像处理，条码录入，日期分类，缺陷分类，命名保存，图片水印，数据导出，数据日志等功能；更专业、更便捷。三、产品应用及适用对象项目内容检测对象1. 生产企业的出厂检测2. 电站组件来料检测测试条件白天：室内/暗室黑天：室内/室外检测模式1. 单组件（1块）上电2. 双组件（1~2块）同步上电3. 多组件（组串，1~24块）同步上电缺陷类型高电流：隐裂、材料缺陷、碎片、断栅、虚焊、低效率等低电流：电流等级混档、PID组件类型多晶硅、单晶硅、异质结、CIGS、等 1) 检测系统项目规格供电类型检测数量上电数量10~100V，0~10AAC 220V\1-2块2250~800W，ZS-10AH自供电》300块1-2块3250~800W，ZS-15AH自供电》450块1-2块4250~800W，ZS-20AH自供电》900块1-2块50~1000V,0~5A 组串AC 220V\1-24块60~1000V,0~10A 组串380V三相\1-24块70~1500V,0~5A 组串380V三相\1-30块80~1500V,0~10A 组串380V三相\1-30块 五、配置清单序号模块名称规格数量单位1成像EL相机1600万像素 1台2EL红外镜头ZS30M1个3控制器软件/遥控器1套4SD存储卡32G/120MB1张5相机电池专用锂电池3块6充电器专用1套7数据线3M1根8EL电源线性恒流EL电源0~100V，0~10A 可调式1套9电源线电源专用1根10组件上电线5M、MC4专用插头线1根11仪器拉杆箱拉杆，滚轮式1个12EL支架检测支架专用测试支架1.3M1个13软件Scorpio软件（USB版）智升WUSB管理软件1套14其他U盘，使用手册，保修卡，合格证，装箱单1套

1. 产品概述：Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）以及传输模块（transfer module）构成适用于0.11微米及其它技术代的多晶硅栅（poly gate）、侧墙（spacer）、浅沟槽隔离（STI）工艺2. 工艺数据3 μm Trench0.4 μm Trench0.25 μm Trench2 μm Poly0.18 μm Poly3. 详细介绍Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备，为8英寸IC产线上栅工艺的多腔式量产型设备，拥有自主开发的优化设计， 保证了优异的刻蚀均匀性（片内5%，片间5%）和颗粒控制。提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各项工艺的刻蚀解决方案。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升提供帮助。