等离子处理设备

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等离子处理设备相关的厂商

  • OPS Plasma专注于等离子表面处理,集设备开发与设备制造、工艺开发与方案解决为一体,为各行业提供高效、节能、环保的等离子表面处理方案,包括等离子清洗、等离子活化、等离子改性、等离子接枝与聚合、等离子刻蚀、等离子沉积等。 OPS Plasma的创始人在德Fraunhofer Institute期间积累了丰富的设计开发经验,研发团队拥有10年以上的等离子系统设计经验、5年以上的等离子设备制造经验,是国内最大的等离子应用技术方案解决专家,不仅能为客户提供优质的等离子处理设备,还能为客户提供整套的解决方案和工艺指导。 OPS Plasma的制造团队多年从事等离子设备制造,成功开发出多款设备。设备采用具有独立知识产权的电极系统和进气系统,保证电场和气场的均匀分布,并完美地解决了真空动密封、真空冷却等一系列问题。 OPS Plasma的等离子设备广泛地应用在光学电子、太阳能、半导体、生物医疗、纳米材料、及通用工业领域,销往各大知名院校、科研机构和企业。在全国范围内超过100台实验设备和工业设备的良好运行,充分证明了OPS Plasma等离子系统的优越品质。 OPS Plasma致力于用国际的品质、国内的价格和优质的服务为全球各行业客户提供等离子处理设备和解决方案,成为全球行业领先的等离子应用技术方案解决专家。
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  • 中国博友纳米集团有限公司成立于2010年, 是一家集研发,设计,生产,销售及提供全面的售后服务为一体的高新技术环保纳米等离子喷涂设备、材料、技术公司。公司总部在湖南省,在北京顺义、江苏常州、浙江东阳、福建泉州、广东东莞建有分公司,印度和越南的分公司在2019年正式开张,公司已在中国贵州省黔东南州筹建10万平米以上研发生产和营销中心售后服务总基地及后续准备在贵州上市,海外其它国家的销售及技术服务分公司也在筹划中。我们的市场覆盖全球范围内的工艺品,塑料、塑胶、五金、玻璃、木材、陶瓷、家具,灯饰,汽车,装饰,电子电器等等各行各业领域任何需要喷涂效果的产品, 投入小,回报大,高新的技术和全面的技术支持和售后服务让我们的市场和业绩一直超高速的在增长。
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  • 深圳市华南高科水处理设备有限公司是一家专业从事水质处理,液体灌装及配套产品的设计制造,销售安装及相关工程技术服务的高科技企业。公司一直致力将膜分离技术、化工分离新工艺等最尖端、最前沿的水处理技术应用于工业超纯水制造,民用直饮水处理及中水回用、污水处理等相关产品上。  公司现主要产品包括:超滤、微滤、纳滤装置,反渗透设备,离子交换设备,电去离子(EDI)设备,沙、炭过滤设备,软水装置,小型水质处理器(反渗透纯水机,中央净水器,直饮机),灌装设备及相关配套产品。可广泛应用于电镀、光学、电阻电容、电池、PCB、LED、化工、半导体、化妆品、食品、饮料、热电厂、冶金、轻工、汽车制造、制药、医疗卫生等工业用纯水、超纯水的生产上。也可应用于工厂、学校、楼宇、社区、办公场所、家庭等直饮水,纯净水的制备上。灌装设备可广泛应用于各矿泉水厂,纯净水厂,饮料厂等液体生产企业的产品灌装上,公司可提供从方案设计,设备安装,设备调试到生产一整套工程服务。  公司经过多年在行业内的发展,培育并拥有一批在工程方案设计,设备安装调试上实践工作经验丰富的工程技术人员。能够根据用户的实际使用要求,提供性价比最佳的解决方案。  公司设有专门的售后服务部门,24小时有专职售后服务人员接听用户的故障申报电话,力争以最短的时间,最快的速度了解并排除故障。  公司一直奉行“技术创新以科技为中心,设备生产以质量为中心,售后服务以用户为中心”的宗旨。努力为广大顾客提供性价比更佳,质量更优,服务更全的产品,去提高顾客的生产力和竞争力。
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  • 真空式等离子处理系统CRF-VPO-8L-S名称(Name)真空式等离子处理系统型号(Model)CRF-VPO-8L-S控制系统(Control system)PLC+触摸屏电源(Power supply)380V/AC,50/60Hz,3kw中频电源功率(MF Power)600W/13.56MHz容量(Volume)80L(Option)层数(Electrode of plies)8(Option)有效处理面积(Area)400(L)*300(W)(Option)气体通道(Gas)两路工作气体可选: Ar、N2、CF4、O2 产品特点:超大处理空间,提升处理产能,采用PLC+触摸屏控制系统,有效控制设备运行。可按照客户要求定制设备腔体容量和层数,满足客户的需求。保养维修成本低,便于客户成本控制。高精度,快响应,良好的操控性和兼容性,完善的功能和专业的技术支持。应用范围:主要适用于生物医疗行业,印制线路板行业,半导体IC领域,硅胶、塑胶、聚合体领域,汽车电子行业,航空工业等。
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  • 美国MARCH AP-600等离子系统——紧凑型、桌面式等离子处理设备 AP-600是特别设计的均匀清洗和处理的等离子设备,具有易操作性强、可靠性高、低成本的优点。AP-600是完全独立的系统,需要很小的空间。等离子腔体、控制设备、13.56MHz的等离子发生器和自动匹配网络都安装在底盘上,一个连锁的门和面板提供了维护通道。等离子腔体由耐用的高品质铝做成的,并且带有铝支架。腔体里有最多达7个可移动的、可调整的电源极或接地极支架,以适应更款范围的器件、组件或工装(盒、盘或舟)。 清洗、表面活化、改善粘性AP-600系统适合多种多样的等离子清洗、表面活化和改善粘性等应用,广泛应用在半导体器件制造、微电子封装和组装、医疗设备器件和生命科学器件的制造等。AP-600适合多种工艺气体,例如Ar、O2、H2、He及氟化合物气体,通过2个(标准配置)气体质量流量控制器控制气体的标准,系统还可以选配2个气体质量流量控制器来提高系统的控制性能。 半导体和微电子应用举例:粘片前进行处理,提高芯片附着力;键合前进行处理,提高键合强度;塑模和封装前进行处理,减少封装分层;倒装片采用底部填充工艺前进行处理,可以提高填充速度、减少空洞率、增加填充高度及一致性、增加填充物的附着力。 AP-600性能:触摸屏控制及图形用户界面,提供实时过程显示;灵活的支架,具有适应多种器件、组件及工装的能力;带有自动匹配网络的13.56MHz的RF发生器,保证设备优异过程一致性;设备满足简便的定期校准需要。 主要参数:组成高品质铝结构,带有热塑性塑料面板处理腔体、控制设备、RF发生器、匹配网络(真空泵)内置规格569W×704H×869D(mm)
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  • 产品描述Europlasma JuniorPLC 低压等离子表面处理设备可以实现产品的清洗, 功能性改性, 处理温度 40℃ 以下材料: 铝有效尺寸: 直径230mm x 深度250mm容积: 10.4升托盘: 订制根据处理材料设定不同的处理工艺参数JuniorPLC 低压等离子表面处理设备 技术参数:若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东罗女士上海伯东版权所有, 翻拷必究!
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  • 光伏太阳能电池-等离子表面处理和USC干式除尘的关键作用
    光伏电池又称太阳能电池,是一种直接将光能转化为电能的半导体薄片。*光伏电池(图源网络,侵删)其中,基板作为光伏电池的主要组成部分之一,其表面性能和洁净度直接关系到电池的光电转换效率和稳定性。光伏太阳能电池等离子处理、除尘解决方案在光伏电池制程中,等离子表面处理可用于玻璃基板表面活化,阳极表面改性,涂保护膜前处理等,在提高光伏元件表面亲水性、附着力等方面具有显著的优势。*光伏电池结构(图片来源:灼识咨询,侵删)同时,需要解决光伏电池制程中的尘埃污染问题。浮尘颗粒会附着在基材表面,不仅影响光电转换效率,还可能引发电池内部故障。*光伏电池工艺制程(资料来源:灼识咨询、中泰证券,侵删)因此,在光伏电池制程中,需要对光伏元件进行表面活化和除尘处理,增强基板表面附着力和洁净度,提升电池的稳定性。大气等离子应用案例通过等离子表面活化,可以提高玻璃基板表面亲水性,有效优化表面附着力,提升电池的稳定性和品质,从而改善器件的性能。等离子处理玻璃基板*光伏原片玻璃(图片来源:江西赣悦新材料,侵删)USC干式超声波除尘应用案例通过USC干式超声波除尘清洗机清除基板上的浮尘,可以提高光伏电池的性能和稳定性。除尘率可达97-99%光伏电池基板除尘光伏太阳能电池领域应用设备1、 大气等离子清洗机SPA-5800具有强大的数据处理功能,实现设备数字化控制,可对接客户产线,有效减低生产成本。✅ 支持数字通信接口和模拟通信接口✅ 搭载进口ARM芯片,实现功率自匹配✅ 具有十余种故障报警功能,故障率低2、 中频宽幅等离子清洗机适用于各种平面材料的清洗活化,可装配不同长度等离子枪头,可客制化流水线设备。✅ 等离子体均匀✅ 电源设计兼容性充足,输出功率范围大✅ 软件/硬件多重保护,安全可靠3、 在线式干式超声波除尘清洗机集除尘、除静电为一体的在线式除尘设备。配有真空吸附移动平台、内部洁净系统,不会对洁净室造成2次污染。✅ 非接触式除尘,产品无损伤✅ 闭环系统,不造成2次污染✅ 以空气作为除尘媒介物质,无需水、溶剂、干燥等过程4、 接触角测量仪SDC-200S光伏电池制备中对于基板表面的润湿性能具有一定的要求,SDC-200S具有全面、完整、精准的拟合测量法,可用于光伏电池基材表面润湿性能检测。✅ 变焦变倍镜头,成像清晰✅ 自动注液系统✅ 可自动生成报告
  • 片式真空等离子清洗机:双工位处理平台,有效提升半导体封装效率,提升产能
    随着集成电路技术的发展,半导体封装技术也在不断创新和改进,以满足高性能、小型化、高频化、低功耗、以及低成本的要求。等离子处理技术作为一种高效、环保的解决方案,能够满足先进半导体封装的要求,被广泛应用于半导体芯片DB/WB工艺、Flip Chip (FC)倒装工艺中。DB工艺前等离子处理芯片键合(Die Bonding)是指将晶圆上切割下来的单个芯片固定到封装基板上的过程。其目的在于为芯片提供一个稳定的支撑,并确保芯片与外部电路之间的电气和机械连接。常用的方法有树脂粘结、共晶焊接、铅锡合金焊接等。在点胶装片前,基板上如果存在污染物,银胶容易形成圆球状,降低芯片粘结度。因此,在DB工艺前,需要进行等离子处理,提高基板表面的亲水性和粗糙度,有利于银胶的平铺及芯片粘贴,提高封装的可靠性和耐久性。在提升点胶质量的同时可以节省银胶使用量,降低成本。WB工艺前等离子处理芯片在引线框架基板上粘贴后,要经过高温使之固化。如果芯片表面存在污染物,就会影响引线与芯片及基板间的焊接效果,使键合不完全或粘附性差、强度低。在WB工艺前使用等离子处理,可以显著提高其表面附着力,从而提高键合强度及键合引线的拉力均匀性,提升WB工艺质量。*WB工艺前处理应用案例Flip Chip (FC)倒装工艺等离子应用在Flip Chip(FC)倒装工艺中,将称为“焊球(Solder Ball)”的小凸块附着在芯片焊盘上。其次,将芯片顶面朝下放置在基板上,完成芯片与基板的连接后,通常需要在在芯片与基板之间使用填充胶进行加固,以提高倒装工艺的稳定性。通过等离子清洗可以改善芯片和基板表面润湿性,提高其表面附着力,进而影响底部填充胶的流动性,使填充胶可以更好地与基板和芯片粘结,从而达到加固的目的,提高倒装工艺可靠性。片式真空等离子清洗机针对半导体行业,DB/WB工艺、RDL工艺、Molding工艺、Flip Chip (FC)倒装工艺等,能够大幅提高其表面润湿性,保证后续工艺质量,从而提高封装工艺的可靠性。设备优势:1. 一体式电极板结构设计,等离子体密度高,均匀性好,处理效果佳2. 双工位处理平台,四轨道同时上料,有效提升产能3. 可兼容多种弹匣尺寸,可自动调节宽度,提升效率并具备弹匣有无或装满报警提示功能4. 工控系统控制,一键式操作,自动化程度高行业应用:1. 金属键合前处理:去除金属焊盘上的有机污染物,提高焊接工艺的强度和可靠性2. LED行业:点银胶、固晶、引线键合前、LED封装等工序中可提高粘和强度,减少气泡,提高发光率3. PCB/FPC行业:金属键合前、塑封前、底部填充前处理、光刻胶去除、基板表面活化、镀膜,去除静电及有机污染物
  • 应用:通过表面能表征等离子体对聚合物表面的处理效果
    研究背景等离子体处理是聚合物表面改性的一种常用方法,一方面等离子体中的高能态粒子通过轰击作用打断聚合物表面的化学键,等离子体中的自由基则与断开的化学键结合形成极性基团,从而提高了聚合物表面活性;另一方面,高能态粒子的轰击作用也会使聚合物表面微观形貌发生改变 。本文提出通过等离子体处理提高 PP的胶粘接强度。利用KRÜ SS光学接触角测量仪DSA100分析了等离子体处理对于PP表面的接触角、自由能的影响。利用胶粘剂将 PP薄膜与铝箔粘接到一起,采用T剥离强度试验方法对PP的胶粘接强度进行了测试,结果表明等离子体处理可以显著提高 PP的胶粘接强度。DSA100型液滴形状分析仪试验样品制备由于PP薄膜表面可能会有油污、脱模剂等残留物,本文采用超声清洗方法对其表面进行实验前的处理。结果与讨论1.PP表面接触角系统分析了等离子体改性的射频功率和处理时间对于PP表面接触角的影响。首先,将处理时间恒定为 120 s,射频功率分别选取了 80 W、120 W、180 W、240 W 和300 W。如图1(a) 所示,PP表面经等离子体处理后,去离子水和二碘甲烷的接触角均有较明显的下降。当射频功率超过120 W时,接触角下降趋势缓慢,此时去离子水的接触角由99.08°降到了79.25°,二碘甲烷的接触角则由69.31°降到了59.39°。当射频功率达到300 W时,去离子水的接触角为 74.88°,二碘甲烷的接触角为55.88°。去离子水属于极性溶液,它的接触角越小表明PP表面润湿性越好,PP与胶粘剂的粘接强度将越高。 图1.薄膜表面接触角的变化其次,将射频功率恒定为 80 W,处理时间分别为30 s、60 s、120 s、300 s和600 s,PP表面的接触角与处理时间的关系如图1(b)所示。可见,随着处理时间的增长,接触角逐渐减小。当处理时间长于120 s时,接触角变化缓慢,此时去离子水的接触角由 99.08°降到了77.39°,二碘甲烷的接触角由69.31°降到了56.05°。结合上述两个实验结果,本文选择射频功率120 W和处理时间120 s作为后续的PP等离子体改性工艺参数数值。2.PP表面自由能本文采用Owens二液法 ,通过测量去离子水和二碘甲烷在 PP表面的接触角,计算出PP表面的自由能。PP表面自由能与射频功率和处理时间的关系如图2所示。从图中可以看出,PP在等离子体处理后,色散分量和极性分量均有所提升,其中极性分量的提升更显著,PP的表面自由能得到了较大提高。经计算,未经等离子体处理的 PP表面色散分量、极性分量和自由能分别为18.68 mJ/m 2 、12.12 mJ/m 2 、30.8 mJ/m 2 ,经等离子体处理后的PP表面色散分量、极性分量和自由能分别为22.27mJ/m 2 、26.64 mJ/m 2 、48.91 mJ/m 2 。即,经等离子体处理后,PP表面色散分量增加了 19.22%,极性分量增加了119.8%,自由能增加了58.8%。可见,PP表面自由能的提高主要归因于极性分量的增加,而极性分量的增加则是由于等离子体处理使得PP表面形成了极性基团,从而有助于提高PP的胶粘接强度。 图2.PP表面自由能3.PP胶接强度根据T剥离强度试验记录的最大剥离力和最小剥离力计算得到平均剥离力(FT),而剥离强度(σT)为 式中:B为测试样品的宽度 ,本文测试样品的宽度为25 mm。在剥离过程中,可以看到胶粘剂形成的胶膜完全保留在铝箔表面,证明胶粘剂对铝箔的粘附性远高于对PP薄膜的粘附性,即通过该实验测试到的剥离强度为PP与胶粘剂之间的粘接强度。未改性的 PP薄膜和改性后的PP薄膜的剥离力与剥离长度的关系曲线如图3所示,由于夹持位置的差异,PP薄膜与铝箔之间开始出现分离的位置稍有不同。在二者刚出现分离时,剥离力较大,之后剥离力逐渐下降并保持稳定。根据上述公式可以计算出,未改性的PP薄膜最小剥离强度为588 kN/m,最大剥离强度为 661.2 kN/m,平均剥离强度为 624.8 kN/m;与之对应,改性后的PP薄膜最小剥离强度为734 kN/m,最大剥离强度为810.8 kN/m,平均剥离强度为775.2 kN/m。即,PP薄膜经过等离子体改性处理后最小剥离强度提高了24.83%,最大剥离强度提高了22.63%,平均剥离强度提高了24.07%。 图3.剥离长度和剥离力的关系结论本文从接触角、表面自由能等方面揭示了等离子体处理提高PP材料胶粘接强度的机理。实验结果表明,经过等离子体改性处理后,PP表面由疏水性变为亲水性,去离子水的接触角由99°减小到了75°,PP表面自由能由31 mJ/m 2 增大到了49 mJ/m 2 ,同时PP表面整体上变得凸凹不平,且出现了大量纳米级凸起和凹坑。PP表面发生的这些化学和物理变化共同作用,使得PP的胶粘接强度提高了24%。参考文献隋裕,吴梦希,刘军山.等离子体处理对于聚丙烯胶粘接强度的影响[J].机电工程技术,2023,52(01):30-32.

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  • 等离子体废气处理设备的放电等离子体处理

    目前,我国对废气处理的重视程度越来越高,越来越多的企业投资于等离子废气处理设备。   等离子废气处理设备工业尾气的放电等离子体处理因其自身的特点受到企业的青睐。   下面介绍了一种等离子体废气处理设备的放电等离子体处理方法。   等离子废气处理设备   等离子废气处理设备的放电等离子体处理方法是通过高压放电获得非热平衡等离子体;   产生大量的由电子产生的O、OH、N基活性粒子,破坏C-H、C-C等化学键,引起置换反应。   尾气分子中H、Cl、F等的作用,然后产生CO_2和H_2,即工业废气经排放处理以后不再对人的健康有害。   等离子废气处理设备是目前处理有害气体的有效方法之一。   世界对协同催化剂和反应器进行了大量的研究工作。   在等离子体中添加催化剂,可以提高污染物的去除效率,大大降低能耗和副产物。   世界上对这种协同催化剂的研究主要集中在金属氧化物和二氧化钛催化体系。   利用等离子体和催化反应的协同作用,提高有机废气的净化率,使能耗降低是成功的。

  • 【原创】介绍一个国内关于低温等离子技术内容最多的网站

    科罗纳实验室(CORONA Lab.)http://www.coronalab.net/南京苏曼电子有限公司始建于1983年。二十几年来一直致力于低温等离子体技术的理论和应用技术的研究及产品开发。成熟的掌握了直流、中频、射频、微波在低气压和大气压下以辉光放电、电晕放电、介质阻挡放电、电弧放电的方式产生低温等离子体的技术。并将谐振型频率脉宽调制、微程序控制、模糊程序控制、数字信号处理等现代先进技术融合在各种低温等离子系列产品之中。使苏曼公司推出的相关PLASMA产品实现了电路数字化、软件模糊化、结构模块化、产品系列化。各种PLASMA设备在体积、效率、功率、可靠性、外观、可操作性等方面都处于国内领先水平。尤其在系列化、价格和易用性方面更具中国特色。 苏曼公司创建的科罗纳实验室(CORONA Lab.)现在已经成为国内最具技术实力和影响力的低温等离子体技术和相关设备的研发基地,科研成果有60多项。已经推出了十几个系列的PLASMA产品。这些PLASMA设备已经广泛的应用于包装、纺织、塑料制品、汽车制造、电子设备制造、家电制造、计算机、手机、生物材料、医疗器皿、环保设备、石油天然气管道、供暖管道等行业中。成功的推动了我国高分子材料、金属材料和陶瓷材料的低温等离子表面处理技术的发展。另外,科罗纳实验室为国内80多所高等院校和研究院所设计和研制了各种用于低温等离子体物理与技术、常压等离子体物理与技术、等离子体尘埃与等离子体晶体物理与技术、等离子体材料合成、等离子体表面处理、等离子体医学生物应用、等离子体纳米技术、等离子体化工环保应体用等实验和生产设备及各种类型的[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]、气液和气固反应器。在表面聚合、表面接枝、金属渗氮、冶金、表面催化、化学合成和气液态处理等技术中都有对应的低温等离子体设备、实验装置和系统方案。 科罗纳实验室目前正在开展大气压辉光放电技术和等离子天线技术的研究,其部分阶段性的成果已经在工业和国防相关领域获得应用。 苏曼公司目前的系列产品有:用于塑料或金属薄膜类表面处理的ZW-A系列,CTE-K系列, CTR系列;用于纺织品表面处理的CTE-H系列;用于片材类表面处理的CTK系列;用于二维和三维零件表面处理的CTD,RFD系列;用于塑料管、金属管或复合管内外壁表面处理的CTT系列;用于家电处理的CTB系列;用于金属板材处理的CTF系列;用于物理,化学,生物,材料等实验的CTP系列。用于医疗器械生物材料处理的次大气辉光放电类HPD系列;用于环保和水处理的臭氧电源CTO系列;用于塑胶焊接和清洗的数码超声波类USW系列等。 苏曼公司提供各种系列相关产品的OEM、ODM、ESM。转让和授权使用相关技术和知识产权,并提供技术咨询及科研和生产解决方案。

  • 微波等离子体高温热处理工艺中真空压力的下游控制技术及其装置

    微波等离子体高温热处理工艺中真空压力的下游控制技术及其装置

    [size=14px][color=#cc0000]  摘要:本文介绍了合肥等离子体所研发的微波等离子高温热处理装置,并针对热处理装置中真空压力精确控制这一关键技术,介绍了上海依阳公司为解决这一关键技术所采用的真空压力下游控制模式及其装置,介绍了引入真空压力控制装置后微波等离子高温热处理过程中的真空压力控制实测结果,实现了等离子体热处理工艺参数的稳定控制,验证了替代进口真空控制装置的有效性。[/color][/size][align=center]~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/align][color=#cc0000][b]1. 问题的提出[/b][/color][size=14px]  各种纤维材料做为纤维复合材料的增强体在军用与民用工业领域中发挥着巨大作用,例如碳纤维、陶瓷纤维和玻璃纤维等,而高温热处理是提高这些纤维材料性能的有效手段,通过高温可去除杂质原子,提高主要元素含量,可以得到性能更加优良的纤维材料,因此纤维材料高温热处理的关键是方法与设备。[/size][size=14px]  低温等离子体技术做为一种高温热处理的新型工艺方法,气体在加热或强电磁场作用下电离产生的等离子体可在室温条件下快速达到2000℃以上的高温条件。目前已有研究人员利用高温热等离子体、直流电弧等离子体、射频等离子体等技术对纤维材料进行高温热处理。低温等离子体具有工作气压宽,电子温度高,纯净无污染等优势,且在利用微波等离子体对纤维材料进行高温处理时,可利用某些纤维材料对电磁波吸收以及辐射作用,通过产生的微波等离子体、电磁波以及等离子体产生的光能等多种加热方式,将大量能量作用于纤维材料上,实现快速且有效的高温热处理。同时,通过调节反应条件,可将多种反应处理一次性完成,大大降低生产成本。[/size][size=14px]  中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所对微波等离子体高温热处理工艺进行了大量研究,并取得了突破性进展,在对纤维材料的高温热处理过程中,热处理温度可以在十几秒的时间内从室温快速升高到2000℃以上,研究成果申报了国家发明专利CN110062516A“一种微波等离子体高温热处理丝状材料的装置”,整个热处理装置的原理如图1-1所示。[/size][align=center][size=14px][img=,690,416]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/05/202105202228157595_5464_3384_3.png!w690x416.jpg[/img][/size][/align][align=center][size=14px][color=#cc0000]图1-1 微波等离子体高温热处理丝状材料的装置原理图[/color][/size][/align][size=14px]  等离子体所研制的这套热处理装置,可通过调节微波功率、真空压力等参数来灵活调节温度区间,可在低气压的情况下获得较高温度,但同时也要求这些参数具有灵活的可调节性和控制稳定性,如为了实现达到设定温度以及温度的稳定性,就需要对热处理装置中的真空压力进行精确控制,这是实现等离子工艺平稳运行的关键技术之一。[/size][size=14px]  为了解决这一关键技术,上海依阳实业有限公司采用新开发的下游真空压力控制装置,为合肥等离子体所的高温热处理装置较好的解决了这一技术难题。[/size][size=14px][b][color=#cc0000]2. 真空压力下游控制模式[/color][/b][/size][size=14px]  针对合肥等离子体所的高温热处理装置,真空腔体内的真空压力采用了下游控制模式,此控制模式的结构如图2-1所示。[/size][align=center][color=#cc0000][size=14px][img=,690,334]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/05/202105202229013851_5860_3384_3.png!w690x334.jpg[/img][/size][/color][/align][color=#cc0000][/color][align=center][color=#cc0000]图2-1 下游控制模式示意图[/color][/align][size=14px]  具体到图1-1所示的微波等离子体高温热处理丝状材料的装置,采用了频率为2.45GHz的微波源,包括微波源系统和上、下转换波导,上转换波导连接真空泵,下转换波导连接微波源系统和样品腔,上、下转换波导间设有同轴双层等离子体反应腔管,双层等离子体反应腔管包括有同轴设置的外层铜管和内层石英玻璃管,内层石英玻璃管内为等离子体放电腔,外层铜管与内层石英玻璃管之间为冷却腔,外层铜管的两端设有分别设有冷媒进口和出口以形成循环冷却。真空泵、样品腔分别与等离子体放电腔连通,样品腔设有进气管,工作气体及待处理丝状材料由样品腔进气管进入等离子体放电腔。微波源系统采用磁控管微波源,磁控管微波源包括有微波电源、磁控管、三销钉及短路活塞,微波由微波电源发出经磁控管产生,磁控管与下转换波导之间设置有矩形波导,矩形波导安装有三销钉,下转换波导另一端连接有短路活塞,通过调节三销钉和短路活塞,得到匹配状态和传输良好的微波。[/size][size=14px]  丝状材料由样品腔进入内层石英层玻璃管,从两端固定拉直,安装完毕后真空泵抽真空并由进气管向等离子体放电腔通入工作气体。微波源系统产生的微波能量经三销钉和短路活塞调节,通过下转换波导由TE10模转为TEM模传输进入等离子体放电腔,在放电腔管内表面形成表面波,激发工作气体产生高密度微波等离子体作用于待处理丝状材料,同时等离子体发出的光以及部分泄露的微波也被待处理丝状材料吸收,实现多种手段同时加热。双层等离子体反应腔管外围环绕设有磁场组件,外加磁场可调节微波在等离子体中的传播模式,同时可以使得丝状材料更好的重结晶,提高处理后的丝状材料质量。[/size][size=14px]  装置可以通过调节微波功率、工作气压调节温度,变化范围为1000℃至5000℃间,同时得到不同长度的微波等离子体。为了进行工作气压的调节,在真空泵和上转换波导的真空管路之间增加一个数字调节阀。当设定一定的进气速率后,调节阀用来控制装置的出气速率由此来控制工作腔室内的真空度,采用薄膜电容真空计来高精度测量绝对真空度,而调节阀的开度则采用24位高精度控制器进行PID控制。[/size][size=14px][b][color=#cc0000]3. 下游控制模式的特点[/color][/b][/size][size=14px]  如图2-1所示,下游控制模式是一种控制真空系统内部真空压力的方法,其中抽气速度是可变的,通常由真空泵和腔室之间的控制阀实现。[/size][size=14px]  下游控制模式是维持真空系统下游的压力,增加抽速以增加真空度,减少流量以减少真空度,因此,这称为直接作用,这种控制器配置通常称为标准真空压力调节器。[/size][size=14px]  在真空压力下游模式控制期间,控制阀将以特定的速率限制真空泵抽出气体,同时还与控制器通信。如果从控制器接收到不正确的输出电压(意味着压力不正确),控制阀将调整抽气流量。压力过高,控制阀会增大开度来增加抽速,压力过低,控制阀会减小开度来降低抽速。[/size][size=14px]  下游模式具有以下特点:[/size][size=14px]  (1)下游模式作为目前最常用的控制模式,通常在各种条件下都能很好地工作;[/size][size=14px]  (2)但在下游模式控制过程中,其有效性有时可能会受到“外部”因素的挑战,如入口气体流速的突然变化、等离子体事件的开启或关闭使得温度突变而带来内部真空压力的突变。此外,某些流量和压力的组合会迫使控制阀在等于或超过其预期控制范围的极限的位置上运行。在这种情况下,精确或可重复的压力控制都是不可行的。或者,压力控制可能是可行的,但不是以快速有效的方式,结果造成产品的产量和良率受到影响。[/size][size=14px]  (3)在下游模式中,会在更换气体或等待腔室内气体沉降时引起延迟。[/size][size=14px][b][color=#cc0000]4. 下游控制用真空压力控制装置及其控制效果[/color][/b][/size][size=14px]  下游控制模式用的真空压力控制装置包括数字式控制阀和24位高精度控制器。[/size][size=14px][color=#cc0000]4.1. 数字式控制阀[/color][/size][size=14px]  数字式控制阀为上海依阳公司生产的LCV-DS-M8型数字式调节阀,如图4-1所示,其技术指标如下:[/size][size=14px]  (1)公称通径:快卸:DN10-DN50、活套:DN10-DN200、螺纹:DN10-DN100。[/size][size=14px]  (2)适用范围(Pa):快卸法兰(KF)2×10[sup]?5[/sup]~1.3×10[sup]?-6[/sup]/活套法兰6×10[sup]?5[/sup]~1.3×10[sup]?-6[/sup]。[/size][size=14px]  (3)动作范围:0~90°;动作时间:小于7秒。[/size][size=14px]  (4)阀门漏率(Pa.L/S):≤1.3×10[sup]?-6[/sup]。[/size][size=14px]  (5)适用温度:2℃~90℃。[/size][size=14px]  (6)阀体材质:不锈钢304或316L。[/size][size=14px]  (7)密封件材质:增强聚四氟乙烯。[/size][size=14px]  (8)控制信号:DC 0~10V或4~20mA。[/size][size=14px]  (9)电源供电:DC 9~24V。[/size][size=14px]  (10)阀体可拆卸清洗。[/size][align=center][color=#cc0000][size=14px][img=,315,400]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/05/202105202231249739_6263_3384_3.png!w315x400.jpg[/img][/size][/color][/align][color=#cc0000][/color][align=center][color=#cc0000]图4-1 依阳LCV-DS-M8数字式调节阀[/color][/align][size=14px][color=#cc0000]4.2. 真空压力控制器[/color][/size][size=14px]  真空压力控制器为上海依阳公司生产的EYOUNG2021-VCC型真空压力控制器,如图4-2所示,其技术指标如下:[/size][size=14px]  (1)控制周期:50ms/100ms。[/size][size=14px]  (2)测量精度:0.1%FS(采用24位AD)。[/size][size=14px]  (3)采样速率:20Hz/10Hz。[/size][size=14px]  (4)控制输出:直流0~10V、4-20mA和固态继电器。[/size][size=14px]  (5)控制程序:支持9条控制程序,每条程序可设定24段程序曲线。[/size][size=14px]  (6)PID参数:20组分组PID和分组PID限幅,PID自整定。[/size][size=14px]  (7)标准MODBUS RTU 通讯协议。两线制RS485。[/size][size=14px]  (8)设备供电: 86~260VAC(47~63HZ)/DC24V。[/size][align=center][size=14px][img=,500,500]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/05/202105202232157970_4559_3384_3.jpg!w500x500.jpg[/img][/size][/align][align=center][size=14px][color=#cc0000]图4-2 依阳24位真空压力控制器[/color][/size][/align][size=14px][b][color=#cc0000]5. 控制效果[/color][/b][/size][size=14px]  安装了真空压力控制装置后的微波等离子体高温热处理系统如图5-1所示。[/size][align=center][size=14px][color=#cc0000][img=,690,395]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/05/202105202232573625_5179_3384_3.png!w690x395.jpg[/img][/color][/size][/align][size=14px][/size][align=center][color=#cc0000]图5-1 微波等离子体高温热处理系统[/color][/align][size=14px]  在热处理过程中,先开启真空泵和控制阀对样品腔抽真空,并通惰性气体对样品腔进行清洗,然后按照设定流量充入相应的工作气体,并对样品腔内的真空压力进行恒定控制。真空压力恒定后开启等离子源对样品进行热处理,温度控制在2000℃以上,在整个过程中样品腔内的真空压力始终控制在设定值上。整个过程中的真空压力变化如图5-2所示。[/size][align=center][size=14px][color=#cc0000][img=,690,419]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/05/202105202234216839_5929_3384_3.png!w690x419.jpg[/img][/color][/size][/align][size=14px][/size][align=center][color=#cc0000]图5-2 微波等离子体高温热处理过程中的真空压力变化曲线[/color][/align][size=14px]  为了更好的观察热处理过程中真空压力的变化情况,将图5-2中的温度突变处放大显示,如图5-3所示。[/size][align=center][size=14px][color=#cc0000][img=,690,427]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/05/202105202234347767_4036_3384_3.png!w690x427.jpg[/img][/color][/size][/align][size=14px][/size][align=center][color=#cc0000]图5-3 微波等离子体高温热处理过程中温度突变时的真空压力变化[/color][/align][size=14px]  从图5-3所示结果可以看出,在300Torr真空压力恒定控制过程中,真空压力的波动非常小,约为0.5%,由此可见调节阀和控制器工作的准确性。[/size][size=14px]  另外,在激发等离子体后样品表面温度在几秒钟内快速上升到2000℃以上,温度快速上升使得腔体内的气体也随之产生快速膨胀而带来内部气压的升高,但控制器反应极快,并控制调节阀的开度快速增大,这反而造成控制越有超调,使得腔体内的气压反而略有下降,但在十几秒种的时间内很快又恒定在了300Torr。由此可见,这种下游控制模式可以很好的响应外部因素突变造成的真空压力变化情况。[/size][size=14px]  上述控制曲线的纵坐标为真空计输出的与真空度对应的电压值,为了对真空度变化有更直观的了解,按照真空计规定的转换公式,将上述纵坐标的电压值换算为真空度值(如Torr),纵坐标换算后的真空压力变化曲线如图54所示,图中还示出了真空计电压信号与气压的转换公式。[/size][size=14px]  同样,将图5-4纵坐标放大,如图5-5所示,可以直观的观察到温度突变时的真空压力变化情况。从图5-4中的转换公式可以看出,由于存在指数关系,纵坐标转换后的真空压力波动度为6.7%左右。如果采用线性化的薄膜电容式真空计,即真空计的真空压力测量值与电压信号输出值为线性关系,这种现象将不再存在。[/size][align=center][color=#cc0000][size=14px][img=,690,423]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/05/202105202236297989_3820_3384_3.png!w690x423.jpg[/img][/size][/color][/align][color=#cc0000][/color][align=center][color=#cc0000]图5-4 高温热处理过程中温度突变时的真空压力变化(纵坐标为Torr)[/color][/align][align=center][size=14px][img=,690,421]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/05/202105202236397212_4575_3384_3.png!w690x421.jpg[/img][/size][/align][size=14px][/size][align=center][color=#cc0000]图5-5 高温热处理过程中温度突变时的真空压力变化(纵坐标为Torr)[/color][/align][size=14px][b][color=#cc0000]6. 总结[/color][/b][/size][size=14px]  综上所述,采用了完全国产化的数字式调节阀和高精度控制器,完美验证了真空压力下游控制方式的可靠性和准确性,同时还充分保证了微波等离子体热处理过程中的温度调节、温度稳定性和均温区长度等工艺参数,为微波等离子体热处理工艺的推广应用提供了技术保障。另外,这也是替代真空控制系统进口产品的一次成功尝试。[/size][size=14px]  [/size][size=14px][/size][align=center]=======================================================================[/align][size=14px][/size][size=14px][/size]

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