垂直提拉涂膜机

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垂直提拉涂膜机相关的厂商

  • 苏州途克精密科技有限公司
    途克精密专注于精密检测设备的研发、生产与销售，企业自主研发有高精密垂直度仪、高精密直线度仪，同时能够为用户提供精密测量解决方案。
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  • 上海希骥仪器设备有限公司 银牌1年
    400-860-5168转6248
    上海希骥仪器设备有限公司成立于2023年，公司专注于光谱和质谱类分析仪器销售，应用开发和定制化服务。目前已经同美国BaySpec Inc.达成深度合作，并与中科院过程所成立联合实验室，进一步加强产品的本土应用开发。BaySpec公司是一家垂直光谱技术整合公司，拥有红外，紫外，可见光以及拉曼等全光谱仪器研发和生产技术，其产品适用于精准农业，研发，生物医药，化工，食品，半导体，国土防空以及刑侦缉毒等行业。
    主营产品： 其它光谱仪   激光拉曼光谱   超声波探伤仪   其它质谱仪  
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  • 上海德沪涂膜设备有限公司
    上海德沪涂膜设备有限公司（简称“ SPS”）是一家位于上海嘉定工业园区的中外合资设备公司SPS致力高端涂膜设备本土化，聚焦解决光电、半导体、等产业的上游卡脖子问题，采取弯道超车的战略，一边借力海外技术资源，进行本土制造，一边推进本土自主开发创新SPS借助nTact最新涂膜设备技术，提供系列涂膜解决方案，提供高品质研发/中试到量产精密涂膜设备及修改设备系统
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垂直提拉涂膜机相关的仪器

  • PTL-MM02-200程控垂直提拉涂膜机 400-860-5168转1374
    PTL-MM02-200程控垂直提拉涂膜机是专为研究液相生长薄膜而设计的精密设备，通过垂直提拉浸渍在液相中的样件而生长薄膜。可对较大的样品进行涂膜，样件尺寸可达310mm×260mm，厚度1mm-5mm，通过定制不同样品夹也可以一次固定多个样品，样品的提拉速度、样件在液相薄膜材料中的浸渍时间、样件的入液速度及样件涂膜的循环次数、样件的干燥时间都可以通过控制系统进行控制。PTL-MM02-200程控垂直提拉涂膜机采用高精度速度控制系统，以及触摸屏参数输入端，实现提拉涂膜全过程的自动控制。本机体积小，操作简单方便，是室温下实验室及小型生产车间对较大块样品进行涂膜的理想设备。1、采用触摸控制屏，根据实际需要设置提拉速度、下降速度、停留时间。2、可设定提拉速度、浸渍时间、入液速度、循环次数、干燥时间。3、采用高精度步进电机。4、已通过CE认证。产品名称 PTL-MM02-200程控垂直提拉涂膜机产品型号 PTL-MM02-200安装条件 本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：不需要2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：不需要4、工作台：尺寸800mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：不需要主要参数 1、电源：220V(50Hz)2、运行(上 下)速度：1mm/min-200mm/min3、行程：270mm4、样件尺寸：:(长)310(mm)×(宽)260（mm）×(厚) 1~5 (mm)5、提拉负荷：≤5.5kg6、两相混合式步进电机 由驱动器细分步进角度.7、浸渍、干燥时间设置：1-999s8、可提拉次数：1-20次产品规格 455mm（L)x330mm（W)x890mm（H)标准配件 1控制盒1个2浸液槽1个
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    厂商： 沈阳科晶自动化设备有限公司
    品牌： 沈阳科晶/KJ GROUP
    型号： PTL-MM02-200
    价格： 面议
  • PTL-MMB02-200恒温垂直提拉涂膜机 400-860-5168转1374
    PTL-MMB02-200恒温垂直提拉涂膜机是专为研究液相生长薄膜而设计的精密设备，在恒温场内通过垂直提拉在液相中的样件而生长薄膜。本机采用高精度速度控制系统，以及触摸屏参数输入端，实现提拉涂膜全过程的自动控制。由驱动器细分两相混合式步进电机的步进角度。产品名称 PTL-MMB02-200恒温垂直提拉涂膜机产品型号 PTL-MMB02-200主要参数 1、电源：220V 50Hz2、加热功率：2.3KW3、提拉速度：1mm/min-200mm/min4、行程：250mm5、温度：80℃-200℃6、温度精度：±1.5℃7、熔断器：15A8、样件尺寸：407mm×229mm，厚度1mm-10mm9、提拉负荷：≤5kg产品规格 尺寸：636mm×680mm×1520mm标准配件 1、控制盒1个2、浸液槽1个
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    厂商： 沈阳科晶自动化设备有限公司
    品牌： 沈阳科晶/KJ GROUP
    型号： PTL-MMB02-200
    价格： 面议
  • PTL-MMB02-500恒温垂直提拉涂膜机 400-860-5168转1374
    PTL-MMB02-500恒温垂直提拉涂膜机是专为研究液相生长薄膜而设计的精密设备，在恒温场内通过垂直提拉在液相中的样件而生长薄膜。本机采用高精度速度控制系统，以及触摸屏参数输入端，实现提拉涂膜全过程的自动控制。由驱动器细分两相混合式步进电机的步进角度。产品名称 PTL-MMB02-500恒温垂直提拉涂膜机产品型号 PTL-MMB02-500主要参数 1、电源：220V 50Hz2、加热功率：2.3KW3、提拉速度：1mm/s-100mm/s4、行程：500mm5、温度：80℃-200℃6、温度精度：±1.5℃7、熔断器：15A8、样件尺寸：407mm×229mm，厚度1mm-10mm9、提拉负荷：≤5kg
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    厂商： 沈阳科晶自动化设备有限公司
    品牌： 沈阳科晶/KJ GROUP
    型号： PTL-MMB02-500
    价格： 面议
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垂直提拉涂膜机相关的资讯

  • 朱慧珑研究员团队垂直沟道纳米晶体管研发工作获重要突破
    垂直沟道纳米器件因其对栅长限制小、布线灵活及便于3D一体集成等天然优势，在1纳米逻辑器件/10纳米 DRAM存储器及以下技术代的集成电路先进制造技术方面具有巨大应用潜力。 要实现垂直沟道纳米晶体管的大规模制造，须对其沟道尺寸和栅极长度进行精准控制。对于高性能垂直单晶沟道纳米晶体管，现阶段控制沟道尺寸最好方法是采用先进光刻和刻蚀技术，但该技术控制精度有限，导致器件性能波动过大，不能满足集成电路大规模先进制造的要求。 微电子所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究员团队，在实现对栅极长度和位置精准控制的基础上，提出并研发出了一种C型单晶纳米片沟道的新型垂直器件（VCNFET）以及与CMOS技术相兼容的“双面处理新工艺”，其突出优势是沟道厚度及栅长/位置均由外延层薄膜厚度定义并可实现纳米级控制，为大规模制造高性能器件奠定了坚实基础，研制出的硅基器件亚阈值摆幅（SS）以及漏致势垒降低（DIBL）分别为61mV/dec和8mV/V，电流开关比高达6.28x109，电学性能优异。 近日，该研究成果以“Vertical C-Shaped-Channel Nanosheet FETs Featured with Precise Control of both Channel-Thickness and Gate-Length”为题发表在电子器件领域著名期刊IEEE Electron Device Letters(DOI: 10.1109/LED.2022.3187006）上，先导中心博士生肖忠睿为该文第一作者，朱慧珑研究员为通讯作者。 该研究得到科技部、中科院和北京超弦存储器研究院的项目资助。论文链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/9810318 图1 (a) 垂直纳米片器件的TEM截面图 (b) 器件沟道中心位置的纳米束衍射花样 (c) 外延硅沟道的TEM俯视图 (d)-(f) 器件截面的EDS能谱图图2 垂直纳米片器件的转移输出特性曲线【近期会议推荐】仪器信息网将于2022年8月30-31日举办第五届纳米材料表征与检测技术网络会议，开设“能源与环境纳米材料”、“生物医用纳米材料”“纳米材料表征技术与设备研发（上）”、“纳米材料表征技术与设备研发（下）”4个专场，邀请20余位国内知名科研院所、高等院校、仪器企业的专家学者做精彩报告，内容涉及冷冻电镜、透射电镜、扫描电镜、扫描隧道能谱、X射线光电子能谱仪、纳米粒度及Zeta电位仪、超分辨荧光成像、表面等离子体耦合发射、荧光单分子单粒子光谱磁纳米粒子成像、拉曼光谱、X射线三维成像等多种表征与分析技术。报名听会1、扫描下方二维码进入会议官网，点击“立即报名”：2、复制下方链接在浏览器中打开，进入会议官网后点击“立即报名”https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/nano2022/
    时间： 2022-08-19
    作者： 葱头
  • 金属所在基于金刚石/膨胀垂直石墨烯的层状限域双电层电容行为的研究获进展
    多孔或层状电极材料具有丰富的纳米限域环境，表现出高效的电荷储存行为，被广泛应用于电化学电容器。而这些限域环境中形成的双电层(限域双电层)结构与建立在平面电极上的经典双电层之间存在差异，导致其储能机理尚不清晰。因此，解析限域双电层结构对探讨这类材料的电化学电容存储机理和优化电化学电容器件的性能具有重要意义。中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心项目研究员黄楠团队与比利时哈塞尔特大学教授杨年俊合作，设计并制备了具有规则有序0.7 nm层状亚纳米通道的膨胀垂直石墨烯/金刚石复合薄膜电极。其中，金刚石与垂直膨胀石墨烯纳米片共价连接，作为机械增强相为构筑层状限域结构起到支撑作用。进一步，研究发现，该电极表现出离子筛分效应，离子部分脱溶等典型的限域电化学电容行为，是研究限域双电层的理想电极材料。基于该材料，科研人员利用原位电化学拉曼光谱和电化学石英晶体微天平技术分别监测充放电过程中电极材料一侧的响应行为和电解液一侧的离子通量发现，在阴极扫描过程中，电极材料一侧出现拉曼光谱 　　峰劈裂现象，溶液一侧为部分脱溶剂化阳离子主导的吸附过程。该研究综合以上实验结果并利用三维参考相互作用位点隐式溶剂模型的第一性原理计算方法，在原子尺度上评估了限域双电层中离子-碳宿主相互作用，揭示了在限域环境中增强的离子-碳宿主相互作用会诱导电极材料表面产生高密度的局域化图像电荷。该工作完善了限域双电层电容的电荷储存机理，为进一步探讨纳米多孔或层状材料在电化学储能中的功能奠定了基础。 　　8月9日，相关研究成果以Highly localized charges of confined electrical double-layers inside 0.7-nm layered channels为题，在线发表在《先进能源材料》(Advanced Energy Materials)上。研究工作得到国家自然科学基金和德国研究联合会基金的支持。图1. 层状限域双电层膨胀垂直石墨烯/金刚石薄膜电极的制备和表征：(A)制备流程示意图；(B)石墨插层化合物的拉曼光谱；(C-D)XRD图谱；(E)SEM和TEM图像。图2. 层状限域双电层膨胀垂直石墨烯/金刚石薄膜电极的电化学行为：(A)CV曲线；(B)微分电容-电极电势关系；(C)离子筛分效应；(D)EIS图谱；(E-F)动力学分析。图3. 层状限域双电层膨胀垂直石墨烯/金刚石薄膜电极的原位电化学拉曼光谱：(A-D)原位电化学拉曼光谱；(E-F)拉曼特征演变幅度分析。图4. 层状限域双电层电容的储能机理分析：(A)拉曼光谱中的G峰劈裂；(B)电化学石英晶体微天平分析；(C)电极质量变化和拉曼特征变化的关联性；(D)DFT-RISM计算获得的图像电荷分布。
    时间： 2023-08-21
    作者： 情绪波动
  • 基于HfS₂/MoS₂范德华垂直异质结的高性能红外探测器
    由范德华（vdW）异质结内产生的层间激子（interlayer excitons）驱动的红外（IR）探测器，能够克服二维材料光电探测器的诸多问题。过渡金属二硫族化合物（TMDC）的范德华异质结为层间激子的产生提供了先进平台，可用于探测单个TMDC的超截止波长。近日，韩国化学技术研究院（Korea Research Institute of Chemical Technology）、韩国忠南国立大学（Chungnam National University）与韩国国立蔚山科学技术院（Ulsan National Institute of Science and Technology）组成的科研团队在Advanced Functional Materials期刊上发表了以“High-Performance Infrared Photodetectors Driven by Interlayer Exciton in a Van Der Waals Epitaxy Grown HfS2/MoS2 Vertical Heterojunction”为主题的论文。该论文的共同第一作者为Minkyun Son、Hanbyeol Jang和Dong-Bum Seo，通讯作者为Ki-Seok An。这项研究首次提出了一种由层间激子驱动的高性能红外光电探测器，该红外探测器由化学气相沉积（CVD）生长的范德华异质结所制备。这项研究标志着光电器件领域进步的一个重要里程碑。研究人员选择HfS₂与MoS₂的组合来构成范德华异质结平台，从而制备成层间激子驱动的红外探测器。这是由HfS₂的选择性生长以及HfS₂与MoS₂的适当能带偏移（band offset）所激发的。在两步CVD工艺中，HfS₂仅在MoS₂上选择性生长，从而构建了具有较大界面面积的垂直异质结，并为层间激子的产生提供有利的条件。图1a展示了采用两步CVD工艺制备HfS₂/MoS₂范德华垂直异质结的过程。图1 HfS₂/MoS₂范德华垂直异质结的制备及成果研究人员利用拉曼光谱和光致发光（PL）技术，探究了原始MoS₂和HfS₂/MoS₂的结构特征和光学性质，结果如图2a至图2c所示。为了进一步阐明异质结构的化学组成，研究人员利用X射线光电子能谱技术（XPS）对HfS₂/MoS₂进行了化学鉴定，测量结果如图2d至图2f所示。图2 原始MoS₂和HfS₂/MoS₂的光谱探测结果以及HfS₂/MoS₂的XPS测量结果随后，为了直接证实HfS₂与MoS₂之间存在垂直异质结，研究人员针对其获取了高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）图像以及相应的快速傅里叶变换（FFT）分析，结果如图3所示。图3 HfS₂/MoS₂垂直异质结HRTEM图像和FFT分析接着，研究人员对基于HfS₂/MoS₂的光电探测器的原理及性能做了详细研究。图4a为基于HfS₂/MoS₂的光电探测器示意图，光电性能测试结果如图4b至4d所示。研究人员同时制备了MoS₂光电探测器，并与基于HfS₂/MoS₂的光电探测器的光电性能进行了比较，结果如图4e至图4h所示。图4 基于HfS₂/MoS₂的光电探测器的性能及其与MoS₂光电探测器的比较最后，研究人员探索了不同红外波长（850 nm、980 nm和1550 nm）下基于HfS₂/MoS₂的光电探测器的光响应情况，结果如图5a至图5d所示。图5e展示了在漏极电压（VDS）=−5 V和5 V时，HfS₂/MoS₂能带对齐（band alignment）中层间激子的光致电子提取过程。图5 基于HfS₂/MoS₂的光电探测器的光响应及其层间激子的驱动原理综上所述，这项研究成功制备了基于CVD生长的HfS₂/MoS₂异质结高性能光电探测器。在两步CVD工艺中，HfS₂仅在MoS₂上生长，从而建立了具有较大界面面积的垂直异质结。这种有利结构能够有效促进层间激子的产生。该基于HfS₂/MoS₂的光电探测器表现出卓越的性能，在470 nm波长处，探测率（D*）=5 × 10¹⁴ Jones，比MoS₂光电探测器提高了36倍。值得注意的是，在1550 nm波长处（该波段已超出HfS₂和MoS₂各自的探测范围），基于HfS₂/MoS₂的光电探测器的性能表现为：光响应度（R）=600 A/W，D*=7 × 10¹³ Jones，快速上升和衰减时间分别为60 µs和71 µs。这项研究首次报道了利用CVD工艺生长的TMDC来制备层间激子驱动的红外探测器，这种方法为大规模开发高性能二维材料红外探测器开辟了道路。这项研究获得了韩国国家研究基金会（NRF，2021M3H4A3A01055854和2021M3H4A3A02099208）的资助和支持。
    时间： 2023-11-16
    作者： Sunshine
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  • 垂直电泳仪特点参数及应用

    [url=http://www.f-lab.cn/electrophoresis/10wdsys.html][b]垂直电泳仪[/b]MV-10WDSYS[/url]是一款通用型多功能[b]凝胶电泳槽[/b]，非常适合[b]琼脂糖凝胶电泳[/b]等实验室日常电泳使用。最大样品梳和样品盘具有192个样品容积的能力，使用多通道[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/9p][color=#3333ff][url=https://insevent.instrument.com.cn/t/9p][color=#3333ff]移液器[/color][/url][/color][/url]可快速完成样品加载,是进口垂直电泳仪品牌中垂直电泳仪价格合理的电泳仪器.[b]垂直电泳仪[/b]具有内锁功能的盖子，能够阻止电泳过程中有害物质溢出，是一种非常安全的电泳仪。[b]垂直凝胶电泳仪[/b]可广泛用于：Northern blotting, Southern blotting, cosmid library restriction analysis, STS screening, microsatellite analysis,PCR fragment analysis, RFLP analysis, DNA finger-printing and High Throughput analysis.[img=垂直电泳仪]http://www.f-lab.cn/Upload/MV-10WDSYS.jpg[/img][b]垂直电泳仪[/b]特色快速凝胶灌注和加载电泳液冲洗消耗少单个铸造电泳槽安全可靠方便样品加载电泳指示功能冰块制冷[b]垂直电泳槽参数[/b]体积:W260xL160xH160mm凝胶盘尺寸： W180xL80mm 最大样品数：192个 缓冲液容积：600~2800ml构造：注塑铸造，耐用防漏。电极：可更换抗腐蚀99.99%铂金上盖：安全而通风可快速凝胶灌制更多凝胶电泳仪请浏览官网：[url]http://www.f-lab.cn/electrophoresis.html[/url]

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    供应商： 上海希言科学仪器有限公司
    品牌： 赛默飞
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