成套束光刻系统

系统功能描述芯片制造与应用教学训练成套系统用于集成电路学科的芯片制造工程实训、芯片功能教学演示、以及简单电子器件的微纳加工。基于本系统,能够让学生从材料生长、检测、光刻、刻蚀、键合、封测和应用各环节直观了解芯片制造工艺,并实际上手操作,亲身体验,接受成套训练,并将自己制造的芯片进行应用演示。可支撑《集成电路工艺原理》《微纳加工技术》等课程实验环节的开展，也可以用于学生的工程实训,实现从“工程实训做锤子”到“每个学生做一块芯片”的转变。芯片制造与应用教学训练成套系统同时包含设备使用培训、教学案例等。包括材料生长系统、光刻系统、量检测系统、刻蚀系统、封测系统、芯片演示系统。

电子束光刻系统 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm 产品介绍产品介绍纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技 术制作中是zui好的方法之一。为21世纪先进纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 系列zui小线宽可达8nm，zui小束斑直径2nm，套刻 精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

请联系：张先生一、设备简介纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用，而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是的方法之一。电子束光刻系统（EBL）又称电子束直写（EBD）或电子束曝光系统。 日本CRESTEC是世界上制造电子束光刻设备的厂商之一，其制造的电子束光刻机具有电子束稳定，电子束定位精度高以及拼接套刻精度高等特点，赢得了科研机构以及半导体公司的青睐。二、设备特点CRESTEC CABL系列采用恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了极大的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达 5 小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。三、设备参数型号CABL-UH（130kV）系列CABL-AP（50kV）系列电子发射枪／加速电压范围TFE（ZrO／W）／25～130kVTFE（ZrO／W）／5～50kV加速电压130 kV，110 kV，90 kV50kV，30kV电子束直径1.6nm2.0nm (研发) /3.0nm (量产) 最小线宽＜10nm＜10/20nm扫描方式矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)高级光刻功能场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻写场的尺寸30μm² ，60μm² ，120μm² ，300μm² ，600μm² , 1000μm² 30μm² - 1000μm² （50kV) (研发) 30μm² - 1500μm² （50kV) (量产)加工晶圆尺寸4/6/8寸，其他尺寸和形状的工件都可以用我们的柔性装置进行安装4/6/8寸CAD软件专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)操作系统WindowsWindows

1.产品概述：eLINE Plus -专为多种原位纳米加工技术的最宽带宽应用而设计，超越了经典的电子束光刻(EBL)。2.产品优势：世界上专业EBL系统中最小的波束尺寸（ 1.6 nm）EBL抗蚀剂的线宽小于5nm使用电子束诱导沉积（EBID）技术演示了亚7纳米线新的eLINE Plus被设计为最通用的多重技术纳米光刻系统，用于所有科学学科的广泛应用ELINEPlus公司的先进光刻基础设施使超高分辨率和大面积纳米制造成为可能，并统一了电子束光刻、纳米工程和超高分辨率成像的世界。专业和无损的EBL：保证优越的系统规格和世界上最小的光束尺寸与全球应用支持基础设施相结合，使eLINE Plus成为努力有效地建立纳米制造新前沿的学术机构的理想解决方案。3. 产品参数：最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm50KV加速电压下，写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调肖特基热场发射电子束源，最高加速电压≥50kv，束电流范围至少为50pA~40nA，最大束电流≥40nA图像发生器扫描频率≥50MHz，20bit分辨率，最小步距为0.5nm通用样品架可承载散片，4inch以下的衬底，4inch专用晶圆专用样品架，6inch专用晶圆专用样品架，多样品专用样品架拼接精度：100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下，拼接精度≤30nm【mean】+3sigma套刻精度：100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下，拼接精度≤25nm【mean】+3sigma束电流稳定性＜0.2%/h 束位置稳定性＜120nm/8h

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 由于 EBL 刻写精度很高，因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要，这对大范围内的图形制备非常关键。 采用其独有的技术使其具有极高的电子束稳定性以及电子束定位精度，在大范围内可以实现图形的高精度拼接和套刻。 Stitching accuracy50nm (500μm sq., μ+ 3σ) 20nm (50μm sq., μ+ 2σ) Overlay accuracy50nm (500μm sq., μ+ 3σ) 20nm (50μm sq., μ+ 2σ)Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm该图是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的图案进行拼接，写满整个片子，其拼接精度低于 10 nm.（实验室数据）。 主要特点：1.采用高亮度和高稳定性的 TFE 电子枪2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达 0.0012nm4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达 0.01mrad5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。 电子束光刻 最小线宽可达 8nm，最小束斑直径 2nm，套刻精度20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。 技术参数： 1.最小线宽：小于 10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV3. 电 子 束 直 径 ： 小 于 2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)7.描电镜分辨率：小于 2nm 超高分辨率的电子束光刻 技术参数：加速电压：最高 130keV单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力 光束直径：1.6nm①最小线宽：7 nm（在130kV时）加速电压：130 kV，110 kV或90 kV载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）我的特色?Vacc：最大130kV（25-130kV，5kV步进）?单级加速能力高达130kV，以最小化EOC尺寸?无放电电子枪?光束直径： 1.6nm?细线能力：7nm?发射极和阳极之间的静电透镜设计为在消隐电极的中心实现非常低的像差和近距离交叉图像?使用双热控制器实现超稳定的写入能力I规格电子发射器/加速电压TFE（ZrO / W）Z25?130kV最小光束直径/最小线宽1.6nm / 7.0nm扫描方式矢量扫描（x，y）（标准）矢量扫描（r，6），光栅扫描，点扫描（可选）高级光刻功能（可选）场尺寸调制光刻，轴向对称图案光刻字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr）Z，SOOpmZ，600pm3（标准）1200pmZi，2400pmZi（可选）20,000 x20,000点，60,000 x 60，OO点，96,000 x 96，OO点，像素数240,000x 240，OO点© 矢量扫描（标准）10,000xl0,000dot @ R3Ster扫描（可选）最小地址大小10nm @ 600pmZfield，2nm @ 120pmZfield（标准）0.0012nm@600pmZfield（可选）尺寸为4、6、8英寸的工件（其他尺寸和其他形状的工件可以通过我们的灵活装置安装）■拼接业纭苏• 50nm（3u）@ 600pmZ，20nm（2a）@ 60pmZ重叠精度50nm（3o）@ 600pmZCAD软件专用CAD（标准），GDS n转换（可选），DXF转换（可选）操作系统Windows

电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)电子束直写系统 、 电子束曝光系统纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法之一。 技术参数：1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm主要特点：1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。

电子束光刻系统，EBL电子束光刻系统100KV 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm

电子束光刻系统，EBL电子束光刻系统200KV 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm

电子束光刻系统，EBL电子束光刻系统50KV 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm

电子束光刻系统，EBL电子束光刻系统150KV 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。电子束光刻最小线宽可达 8nm，最小束斑直径 2nm，套刻精度20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。 技术参数： 1.最小线宽：小10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV3. 电 子 束 直 径 ： 小 于 2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)7.描电镜分辨率：小于 2nm

广泛使用的eLINE系统是大学和研究中心寻求通过单一多功能电子束光刻(EBL)系统访问纳米制造应用宽带的最佳系统。eLINE 的先进光刻基础设施支持超高分辨率电子束光刻和大面积纳米加工。此外，eLINE 的多功能性结合了电子束光刻，纳米工程，超高分辨率和大面积SEM成像的世界，包括用于计量和过程控制的专用功能。 eLINE 提供以下智能构建基块和概念:&bull 先进的30 kV TFE电子光柱技术&bull 创新独特的无针迹书写策略&bull 晶圆级自动计量和过程控制的专用功能&bull 激光干涉仪平台&bull 多探测器概念&bull 多端口真空室&bull 开放和可升级的平台概念&bull Raith NanoSuite：全面集成所有模块的全面软件界面

本温升测试系统适用于低压成套开关设备和控制设备的温升试验。应提供完整的系统解决方案。具体配置见主要设备供货表。主要技术参数:1、输入电源主电路电源： Ue：380（1±10％）V 三相五线制电源；控制电路电源：Us：220（1±10％）V单相电源。2、电源频率：AC 50（1±10％）Hz；③电流等级：见下表；④稳流范围内输出电流：任意连续可调。可数字设定电流定值（无级式），使交流恒流电源设备可以连续平滑地调节输出电流，以适应不同试验项目的需要；⑤电流稳定度范围： +0～3％ (可选择上下限值)；⑥恒流精度：≤±1.0％读数；⑦输出波形：交流正弦波，波形失真度小于3％。（5）功能要求①具有真彩触摸式液晶显示屏，电流设定、监测均可在触摸屏上完成，全中文界面，设置简洁、操作方便；②具有友好的人机交互界面，提供丰富的报警和诊断功能。主控单元选用可编程控制器（PLC），可同时对多路负载电流进行全自动调节，实现全面监测和闭环控制，自动化程度应较高；③智能化程序控制软件，可靠性高，抗干扰能力强，具有数字量逻辑控制，运动控制、闭环过程控制，数据处理，通讯联网等功能，完成电流数据采集、显示和控制。提供无线（WIFI）通讯接口或RS485接口，并能与后台PC机监控实现无线通讯功能，实现对各回路试验电流集中设置、自动控制。④采用支持现场总线技术的智能型电压、电流传感器，实现数据传送的全数字化，提高数据的准确性和产品的可靠性；⑤具有零点补偿和电流修正自校准功能，可在设备可调范围内生成多段校正系数，确保交流恒流电源设备的稳流精度；⑥保护功能：具有逆相序、过流保护功能，允许空载。交流调压装置保护应采用微机自动保护控制和机械微动限位开关双重保护，确保交流恒流电源设备正常工作，保证产品的安全性和可靠性；⑦试验电流稳定度不受外界试验环境影响，整个试验过程中输出电流始终保持在设定精度范围内；⑧采用智能风冷散热，额定电流时长时间运行，主电路器件温升不超过其各自标准要求；⑨各电流等级设备可作为电源单独或多台设备可任意组合同时并联使用，总电流应满足温升试验要求。⑩出线端子均为铜母排，铜排镀锡，尺寸不低于GB7251.1的试验母线尺寸，方便单相、三相接线。11.恒流源柜、配电箱均要求安装承重轮，便于移动，底部为万象滚轮，带刹车。与外部连接的电源线、通讯线、控制线要求做到端口连接或航空插头连接，以满足独立使用和组合使用的要求；12.所有独立恒流源均可独立进行操作和显示，同时要求可集中在一个PC机上进行操作和显示。13.配备电源控制箱三相四线制380V，带8路航空插座输出和2路端子输出，完全满足多台恒流电源并机运行配电要求。1.2.2温升检测试验标准导线及铜排（1）用于低压电器设备和控制设备、低压成套开关设备和控制设备的温升试验，符合GB 14048.1-2006和GB 7251.1-2005标准要求。（2）使用环境条件：应具有广泛的适应性，工作安全，可靠。（3）规格要求：见下表。（4）质量要求：标准铜排表面去毛刺、倒角，全长镀锡，除两端头120mm以外，铜排外表面涂以黑色无光磁漆。1.2.3温升检测试验软连接（1）用于低压电器设备和控制设备、低压成套开关设备和控制设备的温升试验，符合GB 14048.1-2006和GB 7251.1-2013标准要求。（2）使用环境条件：应具有广泛的适应性，工作安全，可靠。（3）软连接：用于连接温升试验设备输出端与标准铜排或试品之间的联结导体，采用软铜导体制成。（4）质量要求：铜管（壁厚2mm）和镀锡铜编织带（φ0.2 mm）采用冷压加工，两端头镀锡，自由公差。1.2.4温度采集系统1.2.4.1 温度巡回检测仪要求（1）功能要求：先进的全自动数字化调校技术，自动化程度高、稳定性和一致性好；精密的误差修正和温漂自动补偿功能，测控精确性高；完善的保护、隔离设计，抗干扰能力强、可靠性高。具有网络通讯功能，能实现远程监控； 采用智能隔离传感器各通道间绝缘，可直接对380V高压型以下带电导体的信号进行多路巡回测控；每一检测通道可根据需要任意选择打开和关闭状态；具有数据存储功能，提供USB接口数据会自动保存在U盘中。再输入到电脑中进行查看分析，可以将数据转变成EXCEL文档储存在电脑中；温度巡检仪一体式具有24通道的直接插槽接上热电偶就可以进行测量；具有温度修正功能，仪器测温偏低或偏高，都可以在测试人机界面菜单里面去进行修改。系统组成：交流稳流电源由电源控制、电动调压器、电流变送器、PLC可编程控制器、电流传感器、触摸式人机界面、可移动机箱（机柜）及配电接线箱（）组成。能够稳定输出测试电流，消除由于电源电压波动、连接导线或铜排、试品阻值变化对的测试电流影响，提高测试结果的准确性。该电源具有损耗小、效率高、操作简便，并且具有完备的控制和检测功能。主要用于低压电器设备的温升试验、脱扣极限和特性试验（长延时）、熔断器熔断特性（长延时）等，亦可用于电流互感器测试、热磁电器的过载延时测试，也能够用于配电所对继电保护装置的综合调试。符合标准：满足GB7251.1-2013第10.10章温升验证、GB7251.1-2005第8.2.1章温升验证要求；GB 7251.1 -2013 低压成套开关设备和控制设备第1部分：总则；GB 7251.3-2006 低压成套开关设备和控制设备 第3部分:对非专业人员可进入场地的低压成套开关设备和控制设备 配电板的特殊要求；GB7251.5-2008 低压成套开关设备和控制设备 第5部分: 对公用电网动力配电成套设备的特殊要求；GB7251.12-2013 低压成套开关设备和控制设备

EBPG 是一种超高性能电子束光刻系统。100kv写入模式和5 nm以下的高分辨率光刻，涵盖了各种纳米制造设备中直接写入纳米光刻、工业研发和批量生产的广泛前沿应用。新系统集稳定性，保真度和精度于一体，确保最佳的高分辨率光刻结果的所有性能参数之间的完美交互。技术参数&bull 肖特基热场发射电子枪&bull 加速电压：50 kV，100 kV&bull 发生器扫描频率：50 MHz，可选配至125 MHz&bull 主场分辨率：20 bit&bull 工作台运动范围：210 mm x 210 mm&bull 工作台最高运动速度：25 mm/s&bull 激光干涉仪分辨率：0.15 nm&bull 束流范围: 50 pA-350 nA&bull 最小线宽：≤ 8 nm&bull 曝光剂量调节范围：32 bit（2^32级）&bull 自动寻找50 个对准标记时间：≤90 s

PicoMaster ATE-100 无掩模激光直写光刻机●250纳米分辨率（375纳米激光源）●300纳米分辨率（405纳米激光源）●4095灰阶●业界最具实力的成套全息设计软件●最大125x125毫米基板尺寸PicoMaster 100 采用波长405纳米二极管激光器，它拥有市场上最小的300纳米激光分辨率。升级375纳米激光源，可以更好地兼容市面上I-line光刻胶材，从而满足更高级别的应用需求。备用光学模块，将大大的降低机器停机时间。更为人性化的软件设计，大大提升了用户实际操作效率，它将是您科学研究、实验开发、设计创新，理想的光学伙伴。PicoMaster 100广泛应用于半导体光刻, LED芯片,微流控芯片,微纳结构,灰度光刻,三维加工,全息影像等多个领域。PicoMaster 100 无掩模激光直写系统性能规格

Nano analytik公司成立于2010年4月，技术源自德国伊尔梅瑙科技大学，公司的核心竞争力在于传感器、微系统和控制技术，公司宗旨是让纳米分析技术简单化，在保证科研严谨性的同时提高科研效率。Nano analytik研发了一款基于新型扫描探针的高性能光刻系统。可在大气环境下，高经济效益、快速直写10纳米以下结构和制备纳米级器件。该系统的闭环回路可实现使用同一扫描探针对纳米结构的成像、定位、检测和操纵。扫描针尖电子束光刻机（SPL）技术特点：场发射低能电子束大幅降低电子束背底散射几乎消除电子束临近效应无需调制电子束聚光10 nm 以下光刻精度接近原子级分辨的套刻精度线写速度高达 300 μm/s大气环境下可实现正负光刻正光刻流程无需显影步骤大范围分步重复工艺Mix & Match 混合光刻模式闭环系统：光刻成像同一针尖反复交替进行多针尖并联阵列提高效率产品规格光刻模式正光刻、负光刻工作环境大气、真空最小线宽5 nm （验收指标）直写速度300 μm/s套刻精度 7 nm拼接精度 10 nm最大光刻区域200 μm x 200 μm最大样品尺寸直径：150 mm （6 英寸）占用空间80 cm x 100 cm x 190 cm探针扫描头配置工作模式顶部XYZ扫描头扫描范围（XYZ） 10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm定位精度（XYZ）0.01 nm；0.01 nm；0.01 nm传感器压阻闭环传感输入/输出频道3样品台配置工作模式底部XY定位器运动范围（XY）18 mm × 18 mm 可扩展 150 mm × 150 mm最大运动速度20 mm/s运动精度7 nm运动重复性80 nm （每运动100 μm）AFM功能参数样品/探针接近自动（无需激光对准）探针调谐自动悬臂梁激发模式双材料热机械激发检测原理压阻读数扫描模式接触式，非接触式探针移动范围20 mm × 20 mm × 10 mm精度 10 nm重复性± 25 nmAFM成像范围10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm本底噪声0.01 nm rms 垂直方向横向精度99.7% 闭环扫描扫描速度0.01 线/秒 至 10 线/秒实时图像显示二维、三维形貌,相位,频移,振幅电子配置分辨率 振幅/相位16-bit反馈控制平台实时FPGA带宽8 MHz计算机接口USB, 以太网可选传感器调节0-4 V可编程电桥软件实时修正线, 面, 多项式轮廓线测量YES粗糙度测量YES对比度/亮度/色彩调节YES3D 图像YES线平均YES图像输出bmp, png, jpg格式原始数据输出txt格式图像后续处理软件Gwyddion, WSxM

Nano analytik公司成立于2010年4月，技术源自德国伊尔梅瑙科技大学，公司的核心竞争力在于传感器、微系统和控制技术，公司宗旨是让纳米分析技术简单化，在保证科研严谨性的同时提高科研效率。Nano analytik研发了一款基于新型扫描探针的高性能光刻系统。可在大气环境下，高经济效益、快速直写10纳米以下结构和制备纳米级器件。该系统的闭环回路可实现使用同一扫描探针对纳米结构的成像、定位、检测和操纵。扫描针尖电子束光刻机（SPL）技术特点：场发射低能电子束大幅降低电子束背底散射几乎消除电子束临近效应无需调制电子束聚光10 nm 以下光刻精度接近原子级分辨的套刻精度线写速度高达 300 μm/s大气环境下可实现正负光刻正光刻流程无需显影步骤大范围分步重复工艺Mix & Match 混合光刻模式闭环系统：光刻成像同一针尖反复交替进行多针尖并联阵列提高效率产品规格光刻模式正光刻、负光刻工作环境大气、真空最小线宽5 nm （验收指标）直写速度300 μm/s套刻精度 7 nm拼接精度 10 nm最大光刻区域200 μm x 200 μm最大样品尺寸直径：150 mm （6 英寸）占用空间80 cm x 100 cm x 190 cm探针扫描头配置工作模式顶部XYZ扫描头扫描范围（XYZ） 10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm定位精度（XYZ）0.01 nm；0.01 nm；0.01 nm传感器压阻闭环传感输入/输出频道3样品台配置工作模式底部XY定位器运动范围（XY）18 mm × 18 mm 可扩展 150 mm × 150 mm最大运动速度20 mm/s运动精度7 nm运动重复性80 nm （每运动100 μm）AFM功能参数样品/探针接近自动（无需激光对准）探针调谐自动悬臂梁激发模式双材料热机械激发检测原理压阻读数扫描模式接触式，非接触式探针移动范围20 mm × 20 mm × 10 mm精度 10 nm重复性± 25 nmAFM成像范围10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm本底噪声0.01 nm rms 垂直方向横向精度99.7% 闭环扫描扫描速度0.01 线/秒 至 10 线/秒实时图像显示二维、三维形貌,相位,频移,振幅电子配置分辨率 振幅/相位16-bit反馈控制平台实时FPGA带宽8 MHz计算机接口USB, 以太网可选传感器调节0-4 V可编程电桥软件实时修正线, 面, 多项式轮廓线测量YES粗糙度测量YES对比度/亮度/色彩调节YES3D 图像YES线平均YES图像输出bmp, png, jpg格式原始数据输出txt格式图像后续处理软件Gwyddion, WSxM

Raith 电子束光刻机 EBPG Plus 超高性能电子束光刻系统1.系统适用于2"及以下的样片，采用热场发射电子枪，加速电压为20V~30kV。可实现高分辨电子束曝光，最小验收线宽≤8nm。2.系统中集成了高精度的激光干涉工作台，运动行程为50 x 50 x 25mm，XY方向定位精度2nm，可以实现精确的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。3.系统兼具了高精度成像度量的功能，其成像效果和市面上中高端的热场电镜类似，放大倍数为20x ~1,000,000x。 4.另外，除了标准配置, 客户还可以增加一些选配件，如选配背散射探测器、能谱仪等，进行材料分析；选配工作台旋转倾斜模块，实现不同角度的材料成像等。如果选择相应的选配件，请增加相应的价格。3D SEM image mosaics stitched over large areas and in 3D with CAD shape extractionThe CHIPSCANNER combines high-resolution electron optics, multiple high-efficiency electron detectors, and ultra-precise Laser Interferometer Stage technology with unique software to deliver homogenous large-area image mosaics for each layer with minimum stitching errors and stable brightness/contrast values and CAD shape extraction. With features such as&bull Active focus control using laser height sensing&bull Highest position and beam accuracy and stability, and&bull A wide range of selectable electron detectors,the CHIPSCANNER produces the most accurate large-area, high-resolution image mosaics directly acquired by an SEM instrument. Since the absolute position of each pixel, even over cm² , is ultimately known to the accuracy provided by the laser interferometer stage and ultra-precise image calibrations, these images can be precisely stacked (3D-stitched).Various high-speed detectors, flexible working distance, parallel detector stream handling and a high-speed scan generator allow precise and flexible image acquisition that is also high throughput.Large-area, ultra-high-resolution 3D SEM imaging applications in chip reverse engineering, materials science, and life sciences (e.g. connectomics) require surfaces of up to cm² areas to be scanned with nm resolution and excellent layer to layer accuracy (‘3D stitching’) for layout and schematic extraction or 3D modeling. While traditional SEM instruments are inherently limited by small, uncalibrated fields of view (FOVs) and imprecise sample positioning, the CHIPSCANNER addresses these challenges by combining the resolution and flexibility of an SEM instrument with the accuracy, stability, and automation of an electron beam lithography (EBL) instrument – a core area of expertise at Raith. High-resolution, large-area image mosaics are created by capturing sequential SEM images and stitching them together for further analysis, while the laser interferometer stage and field-of-view calibration reduce overlap to an absolute minimum and thus reduce required computing. A true large-area 3D SEM!

产品类型：1. 紫外光刻胶（Photoresist）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample）电子束曝光导电层，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。4. 配套试剂（Process chemicals）显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等） 2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。 3. 交货时间短。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。 5. 储存条件： 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。 光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度（Sensitivity） 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面： （1）曝光系统的分辨率。 （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度（Contrast） 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性（Anti-etching） 光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度（Process latitude） 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。 特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐： AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点：光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐：AR-N 7720 3. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸，使之转化为金属深结构，因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等 4. lift-off工艺 溶脱剥离法（lift-off）是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形，在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除，凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜，实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等 5. 电镀法（electroplating） 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤：首先，在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底，然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜； 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路，金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上； 最后，将光刻胶去除，并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜，便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐： AR-P 3200, AR-N 4400等

PicoMaster ATE-200无掩模激光直写光刻机●250纳米分辨率（375纳米激光源）●300纳米分辨率（405纳米激光源）●4095灰阶●业界最具实力的成套全息设计软件●最大230x230毫米基板尺寸 PicoMaster 200 是一款具有超高精度组件的多功能紫外激光写入器，专为用户提供在感光层中创建最高自由度的微结构而设计。系统的光栅化工作原理，搭配上高速扫描以及可调螺距步进激光头，确保了整个曝光制程在感光层表面准确而稳定地完成。PicoMaster 200 广泛应用于半导体光刻，LED芯片，微流控芯片，微纳结构，灰度光刻 ，三维加工全息影像等多个领域。系统优点：√ 系统支持高达4095级的灰度、纯二进制模式；√ 系统对准精度最高小于250纳米，线宽均匀性小于50纳米；√ 系统最大支持9英寸基版，400毫米/秒扫描速度，200x200毫米曝光面积；√ 系统采取全封闭结构设计，必需的部件、控制架构和真空泵都在外壳内，便于快速安装；√ 统连接到空气温度调节器机组开始供应空调空气时，内置堆式过滤器将产生干净的交叉气流； √ 系统运动平台由机械缓振系统支撑，它将过滤掉绝大多数的噪音振动，以确保工作时的振动最小激光直写：√ 系统使用405纳米（可升级375纳米）激光源在感光层上曝光，不需订购或制作掩模，图案可随用户设计而改变；√ 系统不使用掩模版，只需在基版上涂胶后用紫外激光聚焦进行曝光，激光在靶区被连续地调制到规定的剂量； √ 光刻胶在激光照射下会改变其化学结构，曝光后很容易溶解在显影剂中，只需暴露部分区域就可以形成目标的图案。 无掩模激光直写系统性能规格：

RTO处理前端的VOC浓度监测仪 VOC成套系统供应型号：SD-MON-VOC-EX设备简介：RTO处理前端的VOC浓度监测仪是为监测挥发性有机化合物而开发的一款产品，能够在线实时自动监测各种挥发性有机物，管道VOC成套系统具有响应速度快、可靠性强，维护成本低、使用寿命长等特点，该系统采用隔爆型设计，真空泵抽取式采样监测。广泛应用于固定污染源有组织排放的管道VOC气体监测：如废气处理前后端的VOC浓度监测、RTO处理前端的VOC浓度监测、管道中VOC浓度监测，也可应用于厂界环境无组织排放VOC气体监测。VOC成套系统工作原理： PID原理，PID是通过紫外灯来离子化样气，从而检测其浓度。当样气分子吸收到高紫外线能量时，分子被电离成带正负电荷的离子，这些离子被电荷传感器感受到，形成电流信号，电流的大小反映气体的浓度。管道VOC气体浓度在线监测仪产品特点：1、采用进口高精度PID传感器2、八寸宽大触摸屏显示3、强大的声光报警功能，超标自动报警4、模块化设计，方便设备维护5、内置流量计、粉尘过滤器等组成的初级预处理系统6、采用防爆箱集成，防爆等级EX De IIBT4，可选配CT4，IP657、强大的本地数据存储功能，可存储3年以上历史数据8、具有自动测试、自检、故障报警、屏幕显示、结果查询等功能9、选配气象监测传感器，采用坚实耐用的超声波原理设计、整个系统免维护10、modbus通讯可连接上位机，兼容常规控制输出方式：2路继电器输出11、全中文操作界面（可转换成英文界面）12、防雨防灰尘外壳设计13、泵吸式采样，选择不同的采样探头可应用于厂界无组织排放和固定污染源有组织排放废气的监测。14、可增加4~8种监测因子，根据现场污染因子选配。15、可选配无线GPRS模块，HJ212协议联网环保云平台。16、可选配气象五参数（风速、风向、气压、温度、湿度）17、浓度单位可选PPM、VOL、 LEL、 mg/m3、 ug/m3。

管道VOC气体浓度在线监测仪 VOC成套系统供应型号：SD-MON-VOC-EX设备简介：管道VOC气体浓度在线监测仪（防爆）是为监测挥发性有机化合物而开发的一款产品，能够在线实时自动监测各种挥发性有机物，管道VOC成套系统具有响应速度快、可靠性强，维护成本低、使用寿命长等特点，该系统采用隔爆型设计，真空泵抽取式采样监测。广泛应用于固定污染源有组织排放的管道VOC气体监测：如废气处理前后端的VOC浓度监测、RTO处理前端的VOC浓度监测、管道中VOC浓度监测，也可应用于厂界环境无组织排放VOC气体监测。VOC成套系统工作原理： PID原理，PID是通过紫外灯来离子化样气，从而检测其浓度。当样气分子吸收到高紫外线能量时，分子被电离成带正负电荷的离子，这些离子被电荷传感器感受到，形成电流信号，电流的大小反映气体的浓度。管道VOC气体浓度在线监测仪产品特点：1、采用进口高精度PID传感器2、八寸宽大触摸屏显示3、强大的声光报警功能，超标自动报警4、模块化设计，方便设备维护5、内置流量计、粉尘过滤器等组成的初级预处理系统6、采用防爆箱集成，防爆等级EX De IIBT4，可选配CT4，IP657、强大的本地数据存储功能，可存储3年以上历史数据8、具有自动测试、自检、故障报警、屏幕显示、结果查询等功能9、选配气象监测传感器，采用坚实耐用的超声波原理设计、整个系统免维护10、modbus通讯可连接上位机，兼容常规控制输出方式：2路继电器输出11、全中文操作界面（可转换成英文界面）12、防雨防灰尘外壳设计13、泵吸式采样，选择不同的采样探头可应用于厂界无组织排放和固定污染源有组织排放废气的监测。14、可增加4~8种监测因子，根据现场污染因子选配。15、可选配无线GPRS模块，HJ212协议联网环保云平台。16、可选配气象五参数（风速、风向、气压、温度、湿度）17、浓度单位可选PPM、VOL、 LEL、 mg/m3、 ug/m3。

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。3D SEM image mosaics stitched over large areas and in 3D with CAD shape extractionThe CHIPSCANNER combines high-resolution electron optics, multiple high-efficiency electron detectors, and ultra-precise Laser Interferometer Stage technology with unique software to deliver homogenous large-area image mosaics for each layer with minimum stitching errors and stable brightness/contrast values and CAD shape extraction. With features such as&bull Active focus control using laser height sensing&bull Highest position and beam accuracy and stability, and&bull A wide range of selectable electron detectors,the CHIPSCANNER produces the most accurate large-area, high-resolution image mosaics directly acquired by an SEM instrument. Since the absolute position of each pixel, even over cm² , is ultimately known to the accuracy provided by the laser interferometer stage and ultra-precise image calibrations, these images can be precisely stacked (3D-stitched).Various high-speed detectors, flexible working distance, parallel detector stream handling and a high-speed scan generator allow precise and flexible image acquisition that is also high throughput.Large-area, ultra-high-resolution 3D SEM imaging applications in chip reverse engineering, materials science, and life sciences (e.g. connectomics) require surfaces of up to cm² areas to be scanned with nm resolution and excellent layer to layer accuracy (‘3D stitching’) for layout and schematic extraction or 3D modeling. While traditional SEM instruments are inherently limited by small, uncalibrated fields of view (FOVs) and imprecise sample positioning, the CHIPSCANNER addresses these challenges by combining the resolution and flexibility of an SEM instrument with the accuracy, stability, and automation of an electron beam lithography (EBL) instrument – a core area of expertise at Raith. High-resolution, large-area image mosaics are created by capturing sequential SEM images and stitching them together for further analysis, while the laser interferometer stage and field-of-view calibration reduce overlap to an absolute minimum and thus reduce required computing. A true large-area 3D SEM!

海思科技 吴先生 全自动接近式曝光机、半自动光刻机主要应用：MEMS制造、CMOS图像传感器、存储器、声波器件、微流体芯片、化合物半导体、 晶圆级先进封装、（TSV）等领域。技术参数：1．工作方式：装载机械手将晶圆片从 A 晶圆盒自动装载至预定位工作台，经过定位传感器及自动旋转系统的调节，实现工件的预定位；装载机械手再将完成预定位后的晶圆片装载至对准工作台，经过计算机图像识别及自动对准系统的调节，实现掩模版上图形与晶圆片上的图形的自动对准，也可以不用对位图形完成一次曝光，经过曝光系统的自动曝光后，再由卸载机械手将晶圆片自动放入 B 晶圆盒，直至整个晶圆盒内的晶圆全部完成套刻曝光。2．曝光面积：110×110mm； 支持晶圆4-12寸3．曝光照度不均匀性：≤3%；4．曝光强度：0～≥50mw/cm2可调；5．紫外光束角：≤3°（可选 2?或 1°相对曝光照度会变弱）；6．紫外光中心波长：365nm；7．紫外光源寿命：≥2 万小时；8．分离量：0～≥1090um 可调；9．对准精度：≤1μm；10．曝光方式：硬接触、软接触和接近式曝光；11. 曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光12. 定位传感器及自动旋转系统（含预订位工作台）：旋转角度 Q≥±180°旋转精度 Q≤0.001°；13．图像识别及自动对准系统（含对准工作台）：对准范围 X.Y≥±5mm，升旋转角度 Q≥±3°，显微镜整体横向相对移动≥±70mm。14．掩模版尺寸：5″×5″； 可定制15．晶圆尺寸：4″； 、6、816.A.B 晶圆盒移动：Z≥±100mm；17．装卸载机械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；18.晶圆盒晶圆片数量：根据客户晶圆盒晶圆数量定；19．版架台移动：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；20．曝光定时：0～999.9 秒可调；21. 生产节拍：10 秒+曝光时间；22．电源：单相 AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；23．洁净空气压力：≥0.4MPa；24．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；25．尺寸：1200*1000*1500mm ；26．重量：约 200kg

德国Raith Voyager 新一代电子束光刻系统高速且价格合理的电子束光刻机实现精确的曝光效果对于工业界和学术界所有关注速度和高分辨的电子束曝光应用，我们推荐您选择VOYAGERTM这款专业电子束光刻系统。Raith非常重视这款具有吸引力的在使用寿命期间具有高性价比、新开发的、创新的eWRITE体系结构。系统的硬件和软件被一致设计为自动曝光操作，先进的高性能图形发生器和电子光学系统优化设计并协同一致。系统可实现8英寸样品的高速曝光。系统的稳定性是非常关键的指标，可保证大面积均匀曝光。该系统外部采用环境屏蔽罩，即使在稍差的实验室环境下，仍然能确保系统具有非常好的热稳定性，提高系统对外界环境的容忍度。 超高分辨率曝光系统从最初设计到样品制备完成，实现高速样品加工，提高产量智能设计：设备占地面积小，且集成环境屏蔽罩创新的、未来安全型系统架构专业的电子束曝光系统，可实现每小时1cm2的高速曝光，高性价比 eWrite技术Raith新推出的eWrite技术结合了专业电子束光刻的光学系统和创新的图形发生器设计，该技术适用于研发及批量生产的所有工作。 VOYAGER 应用.HSQ胶上制作亚7nm线条 .SU8胶上制作 1x1 cm2 菲涅尔透镜，曝光时间为53分钟，图为菲涅尔透镜中心区域 .PMMA双层胶上制作150nm T型栅结构 .ZEP520胶上制作 1x1 cm2光栅结构，曝光时间小于2小时 高速度模式（40nA束电流下曝光160um大结构）和高分辨模式（0.4nA束电流下曝光10nm细小结构）自动切换 ZEP520胶上制作光子晶体波导结构 VOYAGER 产品详情 主要应用:。高速直写。衍射光学元件。防伪元件。批量加工化合物半导体器件 样品台:。6“ 移动范围。Z方向移动范围大 电子枪技术:。eWrite。电子。50 kV 独特直写模式:。traxx 长线条无写场拼接曝光模式。periodixx周期结构无写场拼接曝光模式

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用领域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目前只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有极高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米级别的精细结构，因此在纳米科技领域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有极高的制造精度，能够满足微纳加工领域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。 4 技术参数和特点：电子枪ZrO/W热场发射型加速电压50 kV 光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 2.8 nm标准写场大小1000 μm□ 小/大写场大小小 100 μm大（选项）3000 μm扫描频率大 400 MHz发射间距小 0.2 nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm输送机构单自动加载器机器人装载机Softwareelms&bull 束流调整功能&bull 曝光文件功能 &bull 图案数据转换功能&bull 帐户管理功能&bull Python脚本

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用领域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目前只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有极高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米级别的精细结构，因此在纳米科技领域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有极高的制造精度，能够满足微纳加工领域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。 4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV 光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 10 nm标准写场大小5000 μm□小/大写场大小小 1000 μm□ 大 5000 μm□扫描频率大 400 MHz发射间距小 1.0nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm输送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms&bull 射束调整功能&bull 曝光文件功能&bull 图案数据转换功能&bull 帐户管理功能&bull Python脚本

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米别的精细结构，因此在纳米科技域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有高的制造精度，能够满足微纳加工域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 2.8 nm标准写场大小1000 μm小/大写场大小小 100 μm 大（选项）3000 μm扫描频率大 100 MHz发射间距小 0.2 nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm搬送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms束流调整功能曝光文件功能图案数据转换功能帐户管理功能Python脚本

全自动接触式光刻机（紫外光刻机）4-12寸可选　　技术参数：　　1．工作方式：装载机械手将晶圆片从 A 晶圆盒自动装载至预定位工作台，经过定位传感器及自动旋转系统的调节，实现工件的预定位；装载机械手再将完成预定位后的晶圆片装载至对准工作台，经过计算机图像识别及自动对准系统的调节，实现掩模版上图形与晶圆片上的图形的自动对准，也可以不用对位图形完成一次曝光，经过曝光系统的自动曝光后，再由卸载机械手将晶圆片自动放入 B 晶圆盒，直至整个晶圆盒内的晶圆全部完成套刻曝光。　　2．曝光面积： 6寸”（可定制）　　3．曝光照度不均匀性：≤3%；　　4．曝光强度：0～≥50mw/cm2可调；　　5．紫外光束角：≤3°（可选 2?或 1°相对曝光照度会变弱）；　　6．紫外光中心波长：365nm；（可选汞灯全波段）　　7．紫外光源寿命：≥2 万小时；　　8．分离量：0～≥1090um 可调；　　9．对准精度：≤1μm；　　10．曝光方式：硬接触、软接触和接近式曝光；　　11. 曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光　　12. 定位传感器及自动旋转系统（含预订位工作台）：旋转角度 Q≥±180°旋　　转精度 Q≤0.001°；　　13．图像识别及自动对准系统（含对准工作台）：对准范围 X.Y≥±5mm，升旋　　转角度 Q≥±3°，显微镜整体横向相对移动≥±70mm。　　14．掩模版尺寸： 7”x7 “（可定制）　　15．晶圆尺寸： 6“（可定制）　　16.A.B 晶圆盒移动：Z≥±100mm；　　17．装卸载机械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；　　18.晶圆盒晶圆片数量：根据客户晶圆盒晶圆数量定；　　19．版架台移动：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；　　20．曝光定时：0～999.9 秒可调；　　21. 生产节拍：10 秒+曝光时间；　　22．电源：单相 AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；　　23．洁净空气压力：≥0.4MPa；　　24．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；25．尺寸：1200*1000*1500mm ；　　26．重量：约 200kg

介绍： CentriVap提供一系列出厂配置完全的成套系统以满足用户的不同需求. 这些系统基于应用划分,单一目录号下包含了主机，冷阱，化学捕获器，转子和真空泵的真空离心浓缩仪系统, 这些特定的系统包括针对水溶液，溶剂或酸等特定用途的组件设计。另外还有种类繁多的转子可选，可承载微型离心管，各种尺寸试管酶标板甚至梨形烧瓶，可选择带TEFLON涂层的合金转子以抵抗酸碱及有机溶剂的侵蚀，可选择隔膜和旋片真空泵， 多种化学捕获器可选以处理不同溶剂，还可选择频闪样品观察枪以随时观察样品浓缩进程。Labconco CentriVap真空离心浓缩仪成套系统包括:1、Labconco CentriVap水溶液真空离心浓缩仪系统, 配置包括台式真空离心浓缩仪, -50度冷阱,透明滤器壳,水汽捕获滤芯,12-13mm通用转子，隔膜真空泵，泵管和管卡2、Labconco CentriVap酸溶液真空离心浓缩仪系统, 配置包括抗酸防腐台式真空离心浓缩仪, -50度冷阱,透明滤器壳,酸捕获滤芯,玻璃捕获器，12-13mmPTFE涂层通用转子，隔膜真空泵，泵管和管卡3、Labconco CentriVap溶剂真空离心浓缩仪系统, 配置包括带玻璃顶盖的台式真空离心浓缩仪, -84度冷阱,透明滤器壳,溶剂捕获滤芯,12-13mm通用转子，隔膜真空泵，泵管和管卡4、Labconco CentriVap蛋白组学真空离心浓缩仪系统, 配置包括带玻璃顶盖的制冷型真空离心浓缩仪, 带不锈钢顶盖的-50度冷阱,DNA转子，隔膜真空泵，泵管和管卡