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中心切割原理

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中心切割原理相关的论坛

  • 中心切割

    怎样理解色谱中的中心切割,尽量详细一点,谢谢

  • 【气相色谱之家】 什么是中心切割

    请教一下 什么是中心切割 中心切割对程序升温有要求吗好友回复:中心切割把中间出来的的物质切出来分析,主要作用是减小高含量物质对低浓度的影响大家讨论下~

  • 【求助】中心切割对高纯氢的影响

    单位最近将gowmac592DID+脱氢阱的仪器改造成中心切割的操作气路,为了验证改造后仪器对氢中氧的影响,我们测试了高纯氢中的氧和纯氢中的氧,结果数值有很大的偏差,6.38ppm的氧响应值为6450µv·s,1.53ppm的氧响应值只有70µv·s。这个结果差值非常大,根据我们做样的正常流程,应该不会出现这么大的误差,查了原因可能是13X分子筛柱将样品中的氧吸掉,造成误差这么大,就将色谱柱重新老化后进行做样,结果还是一样。试了不同的切割时间,将钢瓶平放摇匀还是没法解决问题。麻烦各位同仁给支支招吧,看看原因在哪???

  • 【原创大赛】利用中心切割技术实现杂质峰检测的实验记录

    【原创大赛】利用中心切割技术实现杂质峰检测的实验记录

    [align=center][size=24px]利用中心切割技术实现杂质峰检测的实验记录[/size][/align][align=center]概述[/align]化工品纯度分析过程中,与样品主要组分分离度较差的低含量杂质的定量较为困难,主峰的严重拖尾可能会使得色谱峰的识别和积分发生问题。中心切割手段可以用以应对此类微量杂质的检测工作。[align=center]背景介绍[/align]某化工企业用户分析某卤代烃类气体样品,当分析纯度较高的样品时,由于主峰超载造成的拖尾较为严重,某些较为重要的杂质恰巧处于主峰拖尾部分。如果含量较低,杂质的色谱峰可能会表现为肩峰造成色谱积分的困难。并且由于主峰的干扰,杂质峰的准确积分相对比较困难。该用户采用的[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相色谱[/url]实验分析条件:[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相色谱仪[/url]: Shimadzu [url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]gc[/url]-2030 AF色谱柱: HP-Al2O3,50m*0.53mm*15um柱温: 80℃,恒温分流比: 10:1进样体积: 1mL,采用气密性注射器进样检测器: FID, 200℃进样口温度: 200℃用户色谱分析样品的典型谱图如图1所示,主峰的拖尾部分存在强度较低的两个杂质峰,当杂质浓度更低时容易发生积分不良问题。[align=center][img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/11/202111022100485932_7531_1604036_3.jpg[/img][/align][align=center]图1 用户样品的原始谱图[/align][align=center]中心切割的实验记录[/align]用户采购Shimadzu的AFT中心切割模块试图处置此问题,(AFT模块与Agilent的Deans Switch技术类似)。选用三根规格相同的HP-Al2O3毛细管、两个FID检测器并组合AFT模块进行系统搭建,系统的结构如图2所示。[align=center][img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/11/202111022100489057_3322_1604036_3.jpg[/img][/align][align=center]图2 系统结构图[/align][align=center]实验谱图[/align]样品进样的瞬间Col2色谱柱串联在Col1色谱柱之后,当样品中的主要组分流入Col2色谱柱之后,在[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]gc[/url]编制中心切割程序控制AFT动作进行流路切换。主峰拖尾的小半部分以及杂质进入进入Col3色谱柱并在检测器2上出峰,此时杂质峰的响应受主组分拖尾的影响变小,可以改善杂质峰的积分和检出限,如图3中的紫色谱图所示。[align=center][img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/11/202111022100490536_7461_1604036_3.jpg[/img][/align][align=center]图3 中心切割谱图[/align]

  • 高纯气体检测中气相色谱-中心切割方法

    高纯气体检测中气相色谱-中心切割方法

    [align=center]高纯气体检测中[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相色谱[/url]-中心切割方法[/align][align=left] 随着电子产业、半导体产业、液晶产业等高新科技产业的发展,对于气体的要求也逐步提高。而对于高纯气体中杂质的分析也提出了越来越高的要求,目前市面上占据主流地位的是氦离子放电检测器(DID、PDHID等),由于检测器原理的限制,这类色谱的载气只能是氦气。这导致氢、氧、氩、氮、甲烷、一氧化碳、二氧化碳等通常的杂质组分都会在色谱上产生信号,这些杂质作为主组分存在时会产生巨大的信号,干扰到临近的杂质峰。导致这些微量组分被掩盖或在主组分拖尾峰上有小的峰,对于积分和定量都带来很大的干扰,如下图一。[/align][align=center][img=,690,155]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/05/201805280943369755_9850_1107779_3.png!w690x155.jpg[/img][/align][align=left] 这些色谱必然都搭配有多阀多柱系统通过一定的阀序动作来实现主组分的放空和杂质组分的分离。而这些阀序动作又跟载气流速和柱箱温度密切关联,这两个条件的改变都会导致保留时间的改变,进而影响到阀序时间。因此必须根据实际的情况定期审视方法中阀动作的时间参数。[/align][align=left] 但是,部分仪器使用者对于中心切割的原理不是很了解,对于切割阀的动作意义也没有深入的学习。只能简单的选择方法进行样品检测,不能根据色谱条件的改变修正方法。使检测结果不能真实反映样品的真实质量,进而认为仪器故障或者仪器不好使用。[/align][align=left] 下面就中心切割的原理来做一点简单的说明和探讨,希望能给仪器的使用者带来一点帮助。(以氦气中氢、氧和氮为例) 进样阀动作后,载气将定量管中的样品气带入色谱柱进行分离,然后按照保留时间顺序依次通过检测器,在检测器上形成各自的响应信号。[/align][align=center][img=,690,390]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/05/201805280945271740_7462_1107779_3.png!w690x390.jpg[/img][/align][align=left] 其中色谱柱长度为a,氢气保留时间为t[sub]1[/sub], 氧气保留时间为t[sub]2[/sub]。[/align][align=center]t[sub]1[/sub]时,氢气组分流动到色谱柱出口(假定色谱柱到检测器无时间误差)[/align][align=center][img=,472,63]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/05/201805280946424085_8335_1107779_3.png!w472x63.jpg[/img] t1[/align][align=center]t[sub]2[/sub]时,氧气组分流动到色谱柱出口[/align][align=center][img=,482,43]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/05/201805280948253135_5295_1107779_3.png!w482x43.jpg[/img] t2[/align][align=left] 对于氦气本底的杂质分离情况,由于氦气本底不出峰。色谱柱长度合适的情况会产生如下图a所示的完全分离状态。但如果混合气体本底为氢气或其他气体,主组分的峰宽将大大扩大,产生如下图b的分离状态(以氢气为例)。[/align][align=center][img=,494,132]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/05/201805280949583921_1558_1107779_3.png!w494x132.jpg[/img][/align][align=center]图a:氦气本底分离状态[/align][align=center][img=,494,132]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/05/201805280950341547_9181_1107779_3.png!w494x132.jpg[/img][/align][align=center]图b:氢气本底分离状态[/align][align=left] 如上图b所示,氢气作为本底时,氧气和氮气组分的峰将被氢气组分的峰干扰甚至掩盖,无法准确定量这两个杂质组分。[/align][align=left] 现在,使用一个四通阀将两根完全一致的色谱柱串联起来,分别为色谱柱1和色谱柱2,其他条件保持不变。这样,氢、氧、氮的保留时间均延长一倍,分别为2t[sub]1[/sub]和2t[sub]2[/sub]。但分别通过色谱柱1出口的时间仍为t[sub]1[/sub]和t[sub]2[/sub]。[/align][align=center][img=,551,259]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/05/201805280951460165_9263_1107779_3.png!w551x259.jpg[/img][/align][align=left] 经过上面的图例可以知道,对于氢气中的微量氧组分,t[sub]2[/sub]时流动到色谱柱1出口。而t[sub]2[/sub]之前流经色谱柱1的是主组分氢气。因而,我们可以通过一定的阀动作,将对于检测工作来说是干扰的氢气组分通过色谱柱1放空到系统之外,而将包含微量氧、氮组分的切割气团导入色谱柱2继续分离,实现较好的分离效果。[/align][align=left]示范阀序动作如下(a为半峰宽时间):[/align][align=center] [img=,549,499]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/05/201805280953085771_6426_1107779_3.png!w549x499.jpg[/img][/align][align=center][img=,561,204]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/05/201805280953487632_8761_1107779_3.png!w561x204.jpg[/img][/align][align=left] 对于其他微量组分,可以通过重复上述动作来实现切割分离过程。[/align][align=left] 最终,通过一系列的阀动作,控制预分离色谱柱的放空、预分离色谱柱和分离色谱柱的串联。实现每个目标组分的切割工作,将大部分干扰组分放空到系统之外。既实现了较好的分离效果,又减轻了主组分对检测器的损坏,完成对高纯气体中微量杂质组分的分离检测。[/align][align=left] 在实际使用中,首先没有两根完全一致的色谱柱,其次为了取得更好的分离效果,也会采用不一样长度的两个色谱柱串联。因而,对于阀动作的时间,并不是总保留时间的一半,而是使用总保留时间和色谱柱长度计算修正而来。这对于刚接触这类仪器的操作人员带来了不便,但只要理解了中心切割的原理,相信可以很快的掌握切割方法阀序动作的编制和修正。[/align][align=left] 以现场仪器为例: 色谱柱1:10' + 12' X 1/8'' 13X Mol Sieve 色谱柱2:8’+ 15’X 1/8'' HayeSep S 柱箱温度:60℃ 检测器温度:46℃(设定值23℃) 载气1~4:30ml/min 放电气:12.6ml/min[/align][align=center][img=,592,184]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/05/201805280955206545_9998_1107779_3.png!w592x184.jpg[/img][/align][align=left] 切割谱图如下:[/align][align=center][img=,540,539]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/05/201805280956101733_893_1107779_3.png!w540x539.jpg[/img][/align][align=center][/align][align=center]以上是个人对于中心切割氦[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/3p][color=#3333ff]离子色谱[/color][/url]的一点认识,希望对大家有一点点帮助。[/align][align=left][/align][align=center][/align][align=left][/align][align=left][/align][align=center][/align][align=left][/align]

  • 【求助】安捷伦7890带中心切割功能,不知道对分析有用否?

    现想买台[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相色谱[/url]分析产品的杂质,杂质含量较低但数量较多,约30多种,考虑安捷伦7890、Clarus600、瓦里安3900和岛津2010,安捷伦7890和Clarus600带中心切割功能,不知道对分析有用否?请各位大侠详细指导!!!

  • 【求助】切割毛细管时不小心切太长对做样有多大影响?

    今天上午切割毛细管时不小心切太长,本来只想割15cm长(两头同时割),后来因种种原因,切割长度达到50cm之多,不知对做样有多大影响?保留时间会不会有太大变化.我的毛细管为瓦里安 CP-Wax 52 CB 30m,0.32mm,0.5um.上午切完后就老化毛细柱,进样口(1177型)和柱温都设为200度,毛细柱和检测器分开,老化多长时间才够?我的毛细管用了三年多了,前一年天天都有用,后一年多一周用二次,毛细柱的生命周期有多长呢?

  • 离子束切割制样技术的基本原理及其新应用

    离子束切割制样技术是近年来出现的新型、普适性的制样技术,具有应力小、污染少、定位准确、操作简单等特点,广泛应用在材料、生命、地质科学等领域。微课第一节介绍了离子束切割技术的原理、加工模式、工作特点。

  • 关于TSP切割头(加盖)的原理的思考

    关于TSP切割头(加盖)的原理的思考

    [img=,690,467]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/11/201811181129303535_4996_3472331_3.png!w690x467.jpg[/img][img=,690,59]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/11/201811181128408658_8845_3472331_3.png!w690x59.jpg[/img][img=,690,710]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/11/201811181129124185_761_3472331_3.png!w690x710.jpg[/img]如上图,采样头的进气速度是0.3m/s,刚好100um颗粒物的沉降速度也是0.3m/s。我是不是可以这样认为:参考有组织颗粒物等速采样的原理,大于100um的颗粒物由于惯性原因,不受采样器的吸取而直接沉降,而小于100um(TSP)因其沉降速度小,惯性小,从而易受采样头的吸取而被采集,从而达到了切割的目的?

  • 【原创】冲击式切割器

    【原创】冲击式切割器

    [img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2010/05/201005061038_216740_1642164_3.jpg[/img]大家帮忙解释一下空气颗粒物采样,冲击式切割器的切割原理,切割粒径与切割器尺寸的关系?还有PM1的是上图这样吗?

  • 多级颗粒物切割器的使用

    现在已有很多多级颗粒物切割器(下图示),从TSP,PM10,PM5到PM2.5,这些都是利用冲击原理实验不同粒径粒子分离的,平时使用应该是从上到下先装PM10,PM5,PM2.5,各位大侠有没试过用这种多级切割器采一次样,同时做出TSP,PM10,PM5,PM2.5呢?盼分享。http://www.bio-equip.com/images/92531.jpg

  • 【分享】萨瓦尼尼光纤激光切割机大放异彩

    2009年9月26~28日,萨瓦尼尼公司参加了由中国锻压协会组织在苏州召开的2009钣金行业经济形势及技术交流会。  会上,萨瓦尼尼重点介绍了光纤激光切割机,采用光纤激光发生器,与传统的CO2激光发生器在技术上有天壤之别,性能也大幅提高。  萨瓦尼尼公司的销售经理从技术原理到切割参数等,详尽介绍了光纤激光切割机。现场展示的切割样品工件材质有黄铜、紫铜和铝等CO2激光切割机无法切割的高反射材料,也有传统的碳钢及不锈钢等材质。与传统CO2激光切割机相比,光纤激光切割机优势表现为大大提高了切割速度,降低了运行维护成本,极大减少了能耗和环境污染。  现场的钣金加工企业对展示的做工精细的工件表现出强烈的兴趣,纷纷询问有关光纤激光切割机的各种技术问题,现场气氛非常热烈。

  • 十四五 VOC监测箭在弦上 再谈VOCs 分析技术

    十四五 VOC监测箭在弦上  再谈VOCs 分析技术

    十四五voc列入重点监测目标,现在探讨一下: 今年开展VOCs 57PAMS+13醛酮类,开展57PAMS目前采用液氮制冷 冷柱箱+FID与MS 中心切割模式分析;13种醛酮类采用LC 吸附管分析; 疑问就是:下面这张图采用中心切割的话,是否会因为从进样口进来的流速和最终到检测器流速不一样,从而导致实际样品的浓度发生变化呢?毕竟环境空气含量就有限? 有没有单独做,不采用中心切割模式的? 两者有没有做过比对呢?[img=,690,526]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/03/202103251158402776_9788_2328678_3.png!w690x526.jpg[/img]

  • 【原创】砂轮片切割片切割损伤表

    砂轮切割砂轮片 切割速率损伤深度(微米)软粘接氧化铝磨料慢 10 快45硬粘接氧化铝磨料慢 20 快 900锯床 正常70+200精密切割切割片 转速 (转/分) 损伤深度(微米) 时间 (分)金属粘接金刚石100 10 20金属粘接CBN100 8 15 1000 50 150树脂粘接碳化硅1000 9 2 2000 7 1

  • 关于切割尾焰

    经常听说PE的ICP需要使用空气来切割尾焰,想知道矩管是不是水平放置的,如果矩管是垂直放置的还需要空气来切割尾焰吗?

  • 金相试样切割片的选择

    金相试样取样的时候一般需要对材料进行切割。 为了方便和加速后续制备过程,要求切割面为平面并且尽可能减少平滑。因此,最合适的切割方法是磨料湿切法,相对于所需时间而言,这种切割方法的损伤程度最低。注: 所取金相试样必须能够代表其母料的特性。 磨料湿切法 磨料湿切法一般采用砂轮片进行切割,砂轮片含磨料和粘合剂。 切割时,用冷却液冲洗砂轮片,以防试样因摩擦热而受损。 另外,冷却液还可清除切割区域的切屑。砂轮片轮的选择 根据需要切割的材料,可能需要选用含不同成分的砂轮片。 砂轮片的选择还会受到材料硬度和韧性的影响。 陶瓷或硬质合金材料的分割需选用由金属或酚醛塑料粘合剂粘合而成的金刚石切割片。采用酚醛塑料粘合剂粘合的氧化铝 (Al2O3) 砂轮片是黑色金属材料切割的典型选择。立方氮化硼(CBN)也在越来越多地应用于更高硬度黑色金属材料的切割。有色金属切割应选择由酚醛塑料粘合剂粘合的碳化硅 (SIC) 砂轮片。切割轮的设计 砂轮片的设计中除了需考虑磨粒外,还应考虑金刚石/ CBN 切割片与 SiC/Al2O3 切割片之间的差别。 因磨粒硬度极高并采用了耐用型粘合剂固定磨粒,金刚石/CBN 切割轮的性能十分持久。金属磨盘周边(连续轮缘)只粘了薄薄的一层磨料。这些切割轮属于长期自耗切割片。SiC 和 Al2O3, 等其他磨料,磨损速度相对较快,价格相对低廉。因此,砂轮片的整个主体由磨料和粘合剂组成。 这种切割轮被称为自耗切割片。 切割片的特性 长期自耗切割片 长期自耗切割片一般为金刚石切割片,金刚石切割片共有两种供您选择,它们采用了不同的磨粒粘合剂——一种切割片采用金属粘合剂,另一种则采用酚醛塑料粘合剂。 这两种切割片均可用于极硬材料的切割。金属粘合剂适用于脆性更高的材料,如陶瓷。酚醛塑料粘合剂则胜任切割类似于硬质合金的材料。 CBN 切割轮仅有酚醛塑料粘合剂型可供选择,适用于切割白口铸铁等极硬的黑色金属材料。 自耗切割片 自耗切割片一般为砂轮片,这种切割片的切割特性随粘合剂特性的不同而变化。粘合剂可根据“硬度”或磨粒保持能力或丢弃能力而划分为不同的类别。 "硬质"砂轮片的磨粒保持能力优于“软质”砂轮片。"软质" 砂轮片用于切割硬质、脆性材料,因为这种砂轮片会随着更低硬度粘合剂的分解,不断补充崭新、尖锐的磨粒。切割软质和韧性材料时,应选择粘合剂硬度更高的砂轮片。另外,粘合剂硬度更高的切割轮磨损速度较慢,因此更为经济。 为特定材料选择正确的切割片非常重要。只有正确的切割片才能确保变形量小、表面平整。切割后表面质量越高,获得所需制备结果的速度就越快。

  • 金相切割常见问题分析

    金相切割就是把金相试样利用薄片砂轮或金刚石锯片截断经过研磨抛光进行物理化验查看金相组织的一道程序。 现在出现的问题是如何避免在切割过程中烧伤,切割效率低。 首先是选用的砂轮是否硬度过高或过底,如若过高就会出现烧伤金相组织,不能准确实验出材料的组织结构,出现误差。如若硬度过底就会出现切割效率底,浪费切割片。怎能使切割过程中不烧伤且锋利,需要对材料的硬度进行检测,及冷却液的正确使用。 其次是选用切割片原材料,切割金属材料首选氧化铝材料,切割非铁金属及非金属材料首选碳化硅材料。因为切割金属材料用氧化铝材料不会与金属中化学成分产生化学反映,有利于切割。非金属及非铁金属化学活动性小,碳化硅材料本身化学活动较氧化铝小,切割性能较好,烧伤小,磨耗小等。 再次是粒度,选用适中的粒度有利于切割。如果要求锋利应选用较粗粒度。如果切割要求精度高,应选用粒度偏细的磨料。 总之,在金相切割过程中的问题要对试样的硬度及材质先进行确定在选用切割片。在有针对性的选用切割片的材料。金相切割不同与普通金属切割,普通金属不要求烧伤只求耐用切断多即可。

  • PM10颗粒物切割器切割性能测试

    求助各位~我们买了个进口的PM10切割器,要做个第三方的切割性能测试,但找不到哪个机构能做。。各位有做过的给个提示,多谢多谢??

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