Nano analytik公司成立于2010年4月,技术源自德国伊尔梅瑙科技大学,公司的核心竞争力在于传感器、微系统和控制技术,公司宗旨是让纳米分析技术简单化,在保证科研严谨性的同时提高科研效率。Nano analytik研发了一款基于新型扫描探针的高性能光刻系统。可在大气环境下,高经济效益、快速直写10纳米以下结构和制备纳米级器件。该系统的闭环回路可实现使用同一扫描探针对纳米结构的成像、定位、检测和操纵。扫描针尖电子束光刻机(SPL)技术特点: 场发射低能电子束大幅降低电子束背底散射几乎消除电子束临近效应无需调制电子束聚光10 nm 以下光刻精度接近原子级分辨的套刻精度线写速度高达 300 μm/s大气环境下可实现正负光刻正光刻流程无需显影步骤大范围分步重复工艺Mix & Match 混合光刻模式闭环系统:光刻成像同一针尖反复交替进行多针尖并联阵列提高效率产品规格光刻模式正光刻、负光刻工作环境大气、真空最小线宽5 nm (验收指标)直写速度300 μm/s套刻精度 7 nm拼接精度 10 nm最大光刻区域200 μm x 200 μm最大样品尺寸直径:150 mm (6 英寸)占用空间80 cm x 100 cm x 190 cm探针扫描头配置工作模式顶部XYZ扫描头扫描范围(XYZ) 10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm定位精度(XYZ)0.01 nm;0.01 nm;0.01 nm传感器压阻闭环传感输入/输出频道3 样品台配置工作模式底部XY定位器运动范围(XY)18 mm × 18 mm 可扩展 150 mm × 150 mm最大运动速度20 mm/s运动精度7 nm运动重复性80 nm (每运动100 μm)AFM功能参数样品/探针接近自动(无需激光对准)探针调谐自动悬臂梁激发模式双材料热机械激发检测原理压阻读数扫描模式接触式,非接触式探针移动范围20 mm × 20 mm × 10 mm精度 10 nm重复性± 25 nmAFM成像范围10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm本底噪声0.01 nm rms 垂直方向横向精度99.7% 闭环扫描扫描速度0.01 线/秒 至 10 线/秒实时图像显示二维、三维形貌,相位,频移,振幅 电子配置分辨率 振幅/相位16-bit反馈控制平台实时FPGA带宽8 MHz计算机接口USB, 以太网可选传感器调节0-4 V可编程电桥软件实时修正线, 面, 多项式轮廓线测量YES粗糙度测量YES对比度/亮度/色彩调节YES3D 图像YES线平均YES图像输出bmp, png, jpg格式原始数据输出txt格式图像后续处理软件Gwyddion, WSxM
留言咨询