杠杆弯沉仪原理

碳中和：全新的企业社会标准？法国巴黎证券交易所市值前40大企业（CAC 40）中的40家企业于2020年12月签署了一项协议，承诺他们采用新的二氧化碳排放量标准。该协议的目标是：截至2050年，实现碳中和。如果该协议预示着一个强大的信号，那么私营领域也代表着一个同样强大的力量。这些奢侈品、金融、汽车或工业领域的巨头们同样沿袭着同行践行的路径：将企业社会责任制约转变为经济增长杠杆，将他们的环保道德实践变成竞争优势，这不仅可以提升企业形象，而且还能赢得公众青睐。让碳中和成为竞争优势事实上，50%的B2B采购者关注供应商在环保和社会方面的绩效。而这一趋势也越来越全球化，因为它是名副其实的社会变革的一部分：消费者现在将企业的环境承诺作为品牌选择的标准之一。大约1/3至1/2的消费者甚至愿意接受环保产品更昂贵的价格（根据YouGov的相关数据，涉及人口比例为：60%的德国人、58%的美国人、53%的澳大利亚人、27%的日本人）。在制造流程，在供应商和原材料选择方面，大胆创新，以减少温室气体排放，这已成为提升竞争力的杠杆。 因此，一些企业会考虑到气候变暖问题的利害关系，而这些企业的投资回报率较其他企业高出18%（根据CDP国际碳排放信息披露项目的研究）。实施碳税的国家更鼓励了这一增长趋势。企业的碳中和指的是什么？“碳中和”并非“零排放”：对于企业而言，“碳中和”一方面涉及平衡碳排放，另一方面涉及通过天然“碳汇”（森林、海洋和土地）吸收大气中的二氧化碳。在实践中，企业都通过以下途径实现碳中和：1、通过减少旅行和能源消耗，优选可再生能源，改变供应来源等，最大程度地减少温室气体排放。2、通过支持可再生能源开发项目、森林恢复、高能效设备分配等方式抵消剩余排放量。如何实现碳中和并令自身做法更具价值？在实践中，碳中和的承诺是个长期工程，需要逐步进行:1、实施“碳值评估表”（Bilan Carbone），了解企业自身的碳排放量和碳来源。2、制定减少直接碳排放的战略，根据企业及其业务情况，该战略可有多种形式：促进生态设计，反对过时淘汰现象，以循环经济模式促进材料的再利用与回收，提高能源性能… … 相关做法可以是针对性的（针对重大的二氧化碳影响项目），也可以是系统性的（在整个组织中）。3、根据新标准对供应商和分包商进行更严格的挑选，由此减少间接碳排放4、对残留排放采取补偿措施——根据众多标准（永久性、验证和外部认证等）仔细评估碳封存单位。5、验证减少的净排放量，以透明的方式向合作伙伴和客户沟通减排努力的结果。实现“碳中和”的目标不仅需要企业在所有层面做出努力和承诺，而且还需要企业具备坚实的技能，例如在识别和量化碳排放量（或碳减排量）方面，在制定具有针对性的行动计划方面。因此，最好选择一家专业合作伙伴来协助企业，从而帮助企业：1、拥有必要的专业知识和工具以识别和减少碳排放或选择补偿行动。2、由公正的第三方机构验证行动并衡量相关结果。3、对承诺和成果授予标志认证，以向客户和合作伙伴宣传品牌的进步。

什么是原子层沉积技术原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ALD 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。 20 世纪 60 年代，前苏联的科学家对多层 ALD 涂层工艺之前的技术（与单原子层或双原子层的气相生长和分析相关）进行了研究。后来，芬兰科学家独立开发出一种多循环涂层技术（1974年，由 Tuomo Suntola 教授申请专利）。在俄罗斯，它过去和现在都被称为分子层沉积，而在芬兰，它被称为原子层外延。后来更名为更通用的术语“原子层沉积”，而术语“原子层外延”现在保留用于（高温）外延 ALD。 Part 01.原子层沉积技术基本原理 一个完整的 ALD 生长循环可以分为四个步骤： 1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物 原子层沉积（ ALD ）原理图示 涂层的层数（厚度）可以简单地通过设置连续脉冲的数量来确定。蒸气不会在表面上凝结，因为多余的蒸气在前驱体脉冲之间使用氮气吹扫被排出。这意味着每次脉冲后的涂层会自我限制为一个单层，并且允许其以原子精度涂覆复杂的形状。如果是多孔材料，内部的涂层厚度将与其表面相同！因此，ALD 有着越来越广泛的应用。 Part 02. 原子层沉积技术案例展示 原子层沉积通常涉及 4 个步骤的循环，根据需要重复多次以达到所需的涂层厚度。在生长过程中，表面交替暴露于两种互补的化学前驱体。在这种情况下，将每种前驱体单独送入反应器中。 下文以包覆 Al2O3 为例，使用第一前驱体 Al(CH3)3（三甲基铝，TMA）和第二前驱体 H2O 或氧等离子体进行原子层沉积，详细过程如下：反应过程图示 在每个周期中，执行以下步骤： 01 第一前驱体 TMA 的流动，其吸附在表面上的 OH 基团上并与其反应。通过正确选择前驱体和参数，该反应是自限性的。 Al(CH3)3 + OH = O-Al-(CH3)2 + CH4 02使用 N2 吹扫去除剩余的 Al(CH3)3 和 CH4 03第二前驱体（水或氧气）的流动。H2O（热 ALD）或氧等离子体自由基（等离子体 ALD）的反应会氧化表面并去除表面配体。这种反应也是自限性的。 O-Al-(CH3)2 + H2O = O-Al-OH(2) + (O)2-Al-CH3 + CH4 04使用 N2 吹扫去除剩余的 H2O 和 CH4，继续步骤 1。 由于每个曝光步骤，表面位点饱和为一个单层。一旦表面饱和，由于前驱体化学和工艺条件，就不会发生进一步的反应。 为了防止前驱体在表面以外的任何地方发生反应，从而导致化学气相沉积（CVD），必须通过氮气吹扫将各个步骤分开。 Part 03. 原子层沉积技术的优点 由于原子层沉积技术，与表面形成共价键，有时甚至渗透（聚合物），因此具有出色的附着力，具有低缺陷密度，增强了安全性，易于操作且可扩展，无需超高真空等特点，具有以下优点： 厚度可控且均匀通过控制沉积循环次数，可以实现亚纳米级精度的薄膜厚度控制，具有优异的重复性。大面积厚度均匀，甚至超过米尺寸。 涂层表面光滑完美的 3D共形性和 100% 阶梯覆盖：在平坦、内部多孔和颗粒周围样品上形成均匀光滑的涂层，涂层的粗糙度非常低，并且完全遵循基材的曲率。该涂层甚至可以生长在基材上的灰尘颗粒下方，从而防止出现针孔。 ALD 涂层的完美台阶覆盖性 适用多类型材料所有类型的物体都可以进行涂层：晶圆、3D 零件、薄膜卷、多孔材料，甚至是从纳米到米尺寸的粉末。且适用于敏感基材的温和沉积工艺，通常不需要等离子体。 可定制材料特性适用于氧化物、氮化物、金属、半导体等的标准且易于复制的配方，可以通过三明治、异质结构、纳米层压材料、混合氧化物、梯度层和掺杂的数字控制来定制材料特性。 宽工艺窗口，且可批量生产对温度或前驱体剂量变化不敏感，易于批量扩展，可以一次性堆叠和涂覆许多基材，并具有完美的涂层厚度均匀性。

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