半导体专用检测

半导体系统专用高精度控制电源应用在国内半导体行业中，无锡冠亚的半导体系统专用高精度控制电源中每个配件都是很重要的，其中，关于水泵是比较重要，我们也需要对其有一定的认识。　　半导体系统专用高精度控制电源是一类广泛应用于国内工业生产领域的专业制冷设备，在半导体系统专用高精度控制电源中，水泵的运行是否正常对于保证低温半导体系统专用高精度控制电源设备的正常运转是非常重要的，定期对低温半导体系统专用高精度控制电源的水泵进行检测是非常关键的，那么，怎样合理的评估和检测低温半导体系统专用高精度控制电源水泵的情况好呢?　　半导体系统专用高精度控制电源水泵的情况在较大程度上影响着低温半导体系统专用高精度控制电源设备的整体运行。在半导体系统专用高精度控制电源工作的时候，水泵在运行中，应注意检查各个仪表工作是否正常、稳定，特别注意电流表是否超过电动机额定电流，电流过大，过小应立即停机检查。　　另外，半导体系统专用高精度控制电源设备的水泵相关工作系统能够较好的反映半导体系统专用高精度控制电源设备的工作状态。比如，水泵流量是否正常，检查出水管水流情况，根据水池水位变化，估计水泵运行时间，及时与调度联系。同时，还要检查水泵填料压板是否发热，滴水是否正常，每班不得少于八次。　　半导体系统专用高精度控制电源的水泵性能是很关键的，需要我们认真对待，认真保养，只有每个配件的性能都可以的话，半导体系统专用高精度控制电源才能更好的使用。

大家好，请问变压器专用色谱柱配合半导体检测器TGS813使用时，色谱峰为什么分不开，理论上半导体检测器的灵敏度要高于TCD检测器，但测试结果却不然，色谱柱配合离线色谱仪的TCD检测器使用时，色谱峰的分离效果很好，请大家帮我分析一下是什么原因，是那个环节出问题了，是不是与进样方式有关系呢，是不是进样速度不够快呢？

由于使用场所禁止易燃易爆气体，所以不能选用FID检测器。但是TCD的灵敏性距检测要求略低，因此打算采用半导体检测器。请各位前辈指点1、2，帮忙推荐几种性能比较稳定的半导体检测器。

各位大神好！ 小弟刚转到半导体行业做化学检测，之前工作无半导体行业测试经验，现在所测的化学品杂质含量极低，不稀释进样的话色谱柱超载，稀释的话又低于离子色谱检出限，导致实验室的ICS1100无法满足测试需求，还请各位帮忙是否有办法解决。 所测化学品：盐酸、硫酸、硝酸、双氧水、磷酸、氢氟酸等； 所测离子含量：小于200ppb； 设备：ICS-1100。

现有一位客户要求检测其公司里的半导体金属粉里的化学成分,具体为:铁,铜,铬,镍.样品采用[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]法,请问有人知道采用什么样的前处理方法吗?急求~希望高手帮我解决这个问题~(如果将金属粉酸化成溶液有什么具体的操作方法吗?)

听说半导体材料新的检测标准出台了，哪位同仁有电子版的能分享吗?有SEMI标准更好！xnhhsdgm@163.com

最近在研究变压器油色谱装置，看论坛上的检测器一般是TCD和FID，不知一般的半导体气敏传感器能否作为检测器？

本人急需半导体材料检测的SEMI标准，中英文版的都可以，那位同仁有啊？期待分享！谢谢！xnhhsdgm@163.com

半导体材料检测用超净间在洁净度、温度湿度、振动方面都有严格要求，但不知道在哪可以找到相关标准？

[size=3]中国国家半导体光电产品检测实验室落户广东江门[/size] 中新社江门6月4日电 记者4日从江门出入境检验检疫局获悉,日前,中国国家质检总局下发文件,正式批准江门市筹建“国家半导体光电产品检测重点实验室”。　　为支持江门市发展新兴产业,推动绿色(半导体)光源产业上规模、上层次,江门出入境检验检疫局申报的“国家半导体光电产品检测重点实验室”项目,日前得到国家质检总局正式批准筹建。　　据江门出入境检验检疫局介绍,近年来,由于节能环保等“低碳”要求,包括LED(发光二极管)照明在内的半导体光电产业的技术创新和产业发展突飞猛进。世界发达国家高度重视LED测试方法及标准研究,争相建立相关的标准体系,而在中国国内还基本处于空白。

[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=152866]关于半导体检测分析设备[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]的日常维护[/url]摘要：介绍了半导体检测设备ICP—MS在半导体3-业中的发展及几个重要组成部件的功用，着重介绍了该设备各主要部件的维护。

一、中国大陆半导体产业发展现状 （一）高速发展的中国大陆半导体产业 中国大陆由於PC、手机及数位消费电子等整机产品的制造向中国大陆地区转移，带动了上游晶片市场需求的增加，半导体市场规模首次突破人民币2000亿元，总销售额达到人民币2074.1亿元，增长率高达41％。其中，PC首次成为中国大陆半导体市场最大的应用领域，对高阶晶片的需求量也大幅增长。 从2001年开始，全球半导体业的平均资本支出每年萎缩了30％，而中国大陆半导体业的资本支出年增长率却高达50％。目前中国大陆地区有中芯国际、上海先进、华虹NEC、和舰和宏力五个主要晶圆代工厂，光是8英寸晶圆厂就达8个，总月产能达到15.5万片，较2003年单月的8.4万片大幅增长83％。 在未来几年，受到中国大陆经济高速增长的拉动、政策的扶持、2008北京奥运会以及2010上海世博会等众多因素的影响，中国大陆半导体需求将持续高速增长，预计2004年中国大陆半导体市场销售额将达到人民币2800亿元，到2008年市场规模将达到人民币6000亿元以上。 （二）不断追赶高端技术 虽然中国大陆的半导体制造制程整体上落后於台湾，但由於近年来的迅猛发展，中芯国际、宏力、苏州和舰等晶圆代工厂陆续进入了0.18mm制程的量产阶段，中国大陆各主要晶圆代工厂都有计划在今年年底前导入0.13mm的制程。而且，为了能与晶圆代工业巨头台积电、联电相抗衡，中国大陆晶圆代工报价普遍低於台湾，正不断蚕食台、联两家的市场份额。 从2004起，中国大陆前4大晶圆代工厂相继导入0.18mm制程，直到产品的量产，相关的制程技术已经达到了成熟阶段，且中国大陆晶圆代工厂在技术上也在快速追赶台湾晶圆厂。 对於半导体设计业，整机生产的下游客户大多集中在中国大陆地区，中国大陆晶圆厂又有能力提供越来越先进的制程，部分台湾半导体设计业者甚至计画将主力产品转移至中国大陆代工厂。 因此，在市场规模迅速扩大的同时，中国大陆半导体的制造工艺与国际先进水准将日益缩小，0.13mm的晶片制造将规模化，0.09mm的工艺也将走向市场，系统晶片（SoC）将成为发展的主 要方向。 （三）中国大陆半导体产业的地区分布 从地域上来看，中国大陆半导体产业主要分布在长江三角洲、京津环渤海湾和珠江三角洲地区，三个地区的产值占全中国大陆半导体行业产值的95%以上。 在三大经济区域中，由於长三角地区近几年的高速发展，成为中国大陆地区半导体最主要的开发和生产基地，在中国大陆半导体产业中占有重要地位。在半导体设计方面，长三角地区的半导体设计业销售额占中国大陆地区的45%左右。晶圆制造约占中国大陆的70%左右，2003年近80%的封装测试企业和近65%的封装测试量都集中在长三角地区。目前，长三角地区已形成半导体设计、制造、封装、测试及设备、材料等配套齐全、较为完整的半导体产业链。在半导体产业链下游整机部分，长三角地区的笔记型电脑产量占中国大陆的80％，DVD产量占50％以上。目前，长三角地区已经有上海张江开发区、苏州工业园、无锡等众多电子园区和上海、杭州、无锡三个半导体设计产业化基地，还有常州高新技术开发区和常州新区。中芯国际、宏力半导体、先进和华虹NEC都落户在上海张江开发区；台积电落户在了上海松江开发区；和舰落户在苏州工业园。这些晶圆生产企业带动了集群效应，初步形成了长三角地区半导体设计、晶圆制造、封测、设备材料企业以及下游整机生产完整的半导体产业链。 在京津环渤海区域，有北京、天津、山东、河北、辽宁行政区域，其中北京、天津的资讯产业在中国大陆占有重要地位。中国大陆第一座12英寸晶圆厂，中芯国际四厂正是设在北京经济技术开发区；现被中芯国际收购的原摩托罗拉8英寸晶圆厂位於天津。晶圆生产业是高耗水工业，而且对水质和空气的品质要求非常高。但北京地区面临缺水的环境以及沙尘暴气候，这无疑增加晶圆生产的成本，不过，北京在发展环境、市场条件、技术基础和人才资源上的优势大大抵消了环境上的影响。 珠江三角洲地区是中国大陆地区电子产品的重要制造地，集中了大量的下游整机制造商，对进口半导体产品的依赖程度极高，消费量占中国大陆进口总量的80%以上。 二、中国大陆半导体的优惠扶持政策 半导体业在中国大陆的迅速发展，尽管有中国大陆中央政府和地方政府在土地、环境、手续等方面的大力支持，也有中国大陆市场的巨大需求和运作成本较低等因素的存在，但不可否认的是，目前中国大陆政府所颁布的各种优惠政策和给予的各种优惠措施也同样功不可没。其中，首当其冲的是国务院在2000年颁布和实施的《鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策》，即业界所称的“18号文件”。其次，中国大陆财政部、税务总局、海关总署和各地政府还分别在自己的责任范围内为鼓励半导体行业制定了优惠政策的实施细则，如关於《鼓励软体产业和积体电路产业发展有关税收政策问题》的通知（财税[2000]25号）、《财政部、国家税务总局关於进一步鼓励软体产业和积体电路产业发展税收政策的通知》（财税〔2002〕70号）、上海市《关於本市鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策规定》、《江苏省鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策》等。这些政策的颁布为半导体产业链上游的半导体设计、中游的晶圆生产、下游的封装测试环节给予了优惠，进一步推动半导体产业在中国大陆的发展。 （一）在半导体设计企业方面 “18号档”将半导体设计企业视同於软体企业，享受与软体企业同等优惠。而依据18号档和其他相关档可知，半导体企业优惠政策主要为： 1、 所得税方面，可以享受自获利年度开始“两免三减半”的优惠政策； 2、 增值税方面，在销售自行设计的半导体产品时，可以享受“2010年前按17％的法定税率徵收增值税，对实际税负超过3％的部分即徵即退”的优惠； 3、 对经认定的半导体设计企业引进半导体技术和成套生产设备，单项进口的半导体专用设备与仪器，除国务院规定的《外商投资专案不予免税的进口商品目录》和《国内投资项目不予免税的进口商品目录》所列商品外，免徵关税和进口环节增值税； 4、 半导体设计企业设计的半导体，如在境内确实无法生产，可在国外生产晶片，其加工合同(包括规格、数量)经行业主管部门认定后，进口时按优惠暂定税率徵收关税； 5、 半导体设计企业的工资和培训费用，可按实际发生额在计算应纳税所得额时扣除； 6、 企业对购进半导体产品，凡购置成本达到固定资产标准或构成无形资产，可以按照固定资产或无形资产进行核算。投资额在3000万美元以上的外商投资企业，报由税务总局批准；投资额在3000万美元以下的外商投资企业，经主管税务机关核准，其折旧或摊销年限可以适当缩短，最短可为2年。 不过要提醒注意的是，要享受这样的优惠条件，半导体设计企业应按照《积体电路设计企业及产品认定管理办法》之规定获得资讯产业部和税务总局的认定，并取得《积体电路设计企业认定证书》和《积体电路产品认定证书》。 （二）关於半导体生产企业方面 按照目前半导体企业的分类可知，除了半导体设计企业之外，其他制造、封装测试等企业都属於半导体生产企业，根据“18号档”和其他相关规定可知，目前中国大陆对於半导体生产企业的优惠政策主要有： 1、所得税方面：作为生产性企业，可以依照《外商投资企业和外国企业所得税法》等规定，享受“两免三减半”之税收优惠。 2、增值税方面： 半导体生产企业销售自己生产的半导体产品（含单晶矽片），2010年前按17%法定税率徵收增值税，对实际税负超过3%的部分即徵即退；对投资超过80亿人民币或半导体线宽小於0.25微米的，企业所得税为“五免五减半”。 3、对经认定的半导体生产企业引进半导体技术和成套生产设备，单项进口的半导体专用设备与仪器，除国务院规定的《外商投资专案不予免税的进口商品目录》和《国内投资项目不予免税的进口商品目录》所列商品外，免徵关税和进口环节增值税。 4、投资额超过80亿元人民币或半导体线宽小於0.25微米的半导体生产企业，除了享受所得税“五免五减半”之外，对於其进口自用生产性原材料、消耗品，免徵关税和进口环节增值税。 5、对於半导体生产企业的生产性设备，投资额在3000万美元以上的外商投资企业，报由税务总局批准；投资额在3000万美元以下的外商投资企业，经主管税务机关核准，其折旧年限可以适当缩短，最短可为3年。

我们现在要搞一个LED半导体照明的检测中心，将来还要有能力出具检测报告。实验室，目前有5人，不是简单的实验室操作人员，而是将来实验室管理的负责人，问题是：我们现在不知道，要拿到哪些上岗证或者说是从业证？要具体的名称。谢谢

半导体封装是半导体产业链的重要组成部分。半导体制造工艺的进步也在推动封装企业不断追求技术革新，持续加大研发投资。在半导体产业强势发展下，半导体行业对半导体封装设备的质量、技术参数、稳定性等有严苛的要求，因此其中涉及的检测技术至关重要。 基于此，仪器信息网将于[color=#0070c0][b]2022年4月28日[/b][/color]举办[b]”半导体封装检测技术与应用“主题网络研讨会[/b],邀请业内专家进行精彩报告分享，旨在为广大半导体封装行业用户、检测人员和相关学者提供一个线上近距离交流平台。[b]会议日程：[/b][list][*][size=16px][back=#ededf3][/back]09:30 高灵敏cmos EBSD技术在封装行业的应用——马岚(牛津仪器应用工程师)[/size][*][size=16px][back=#ededf3][/back]10:00 1200V碳化硅功率模块封装与应用——田鸿昌(陕西半导体先导中心总经理)[/size][*][size=16px][back=#ededf3][/back]11:00 面向感存算一体化应用的先进封装技术浅探——王刚(中国电子科技集团公司第五十八研究所 高级工程师)[/size][*][size=16px][back=#ededf3][/back]13:30 可靠性评估的功率循环测试技术——邓二平(华北电力大学 讲师)[/size][*][size=16px][back=#ededf3][/back]14:00 封装材料高温高湿可靠性检测新方法及应用——石琳琳(英国SMS仪器公司 市场与应用工程师)[/size][*][size=16px][back=#ededf3][/back]15:30 芯片封装及表面贴装后失效根因的追溯与分析——张兮(胜科纳米（苏州）股份有限公司 副总经理)[/size][/list]（更多精彩详见报名页面）[b][size=18px][color=#ff0000]点击链接报名参会：[/color][/size][/b][url]https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/bdtfc20220428/[/url]

半导体气体传感器是利用半导体气敏元件作为敏感元件的气体传感器，是最常见的气体传感器，广泛应用于家庭和工厂的可燃气体泄露检测装置，适用于甲烷、液化气、氢气等的检测。　　分类　　对于半导体气体传感器，按照半导体与气体的相互作用是在其表面还是在其内部，可分为表面控制型和体控制型两种；按照半导体变化的物理性质，又可分为电阻型和非电阻型两种。电阻型半导体气体传感器是利用半导体接触气体时其阻值的改变来检测气体的成分或浓度；而非电阻型半导体气体传感器则是根据对气体的吸附和反应，使半导体的某些特性发生变化对气体进行直接或间接检测。

由于美国调整芯片出口规则，中国对芯片国产化的重视程度越来越高，并定下了2025年将芯片自给率提高到70%的目标，国内半导体行业也掀起了投资热潮。近年来，随着国家的对于集成电路产业的重视以及资本的支持，国内的集成电路产业发展迅速，但是与国外仍有不小的差距，特别是在上游的半导体材料等领域，更是差距巨大。不过，随着国内半导体制造的崛起，也推动了半导体材料的国产化进程。虽然目前各大主要品类的半导体材料领域均有国内企业涉足，但整体对外依存度仍在 60%以上，特别是大尺寸半导体硅片、光刻胶、电子特气等材料更为依赖进口，进口替代空间巨大。除技术难题外，还有一个阻绊我们半导体制造的崛起的难题：在芯片制程中要使用到极高毒性,腐蚀性及易燃性气体、液体和大量可燃性塑材。在目前工艺技术较为先进的半导体晶圆代工厂的制造过程中，全部工艺步骤超过450道，其中大约要使用50种不同种类的气体。一般把气体分为大宗气体和特种气体两种。大宗气体一般是指集中供应且用量较大的气体，特种气体主要有各种掺杂用气体、外延用气体、离子注入用气体、刻蚀用气体以及其他广为各种制程设备所使用的惰性气体等。如沉积工艺中作为所用的NH3氨气、O2氧气等，光刻时常用的H2氢气等，刻蚀时常用的HCL氯化氢、Cl2氯气、F2氟气等。热处理时常用的O2氧气和H2氢气等。腔室清洗时常用的卤化物HCI氯化氢、Cl2氯气、HF氟化氢、HBr溴化氢和O2氧气等以及离子注入法作为n型硅片离子注入磷源、砷源的PH 3磷化氢和AsH3砷化氢等。从以上的应用可以看出，气体在半导体晶圆代工厂有着非常重要的作用。因为各种气体的特性不同，所以要设计出不同的气体来满足各种不同制程的需求。[url=http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171055.png][img=QQ图片20220714171055,401,300]http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171055-401x300.png[/img][/url]半导体制造业所使用的特种气体一般按其使用时的特性，[b][b]可分为易燃性气体、毒性气体、腐蚀性气体、惰性气体和氧化性气体五大类。[/b][/b]隋性气体本身一般不会直接对人体产生伤害，在气体传输过程中，相对于安全上的要求不如以下其他气体严格。惰性气体具有窒息特性，不开阔空间下发生少量泄漏不会使人窒息而造成工伤事故；易燃性气体一般指可发生自燃、易燃的可燃气体。当环境温度达到一定时，PH3等气体也会产生自燃。可燃易燃气体都有一定的着火燃烧爆炸范围，即上限、下限值。此范围越大的气体起爆炸燃烧危险性就越高，属于易燃气体有H2,NH3,PH3, 等等；毒性气体是指在半导体制造行业中使用的气体很多都是对人体有害、有毒的。如PH3、NH3、HCL、CL2、AsH3、CO等气体在工作环境中的允许浓度极微，因此在贮存、输送以及使用的过程中都要求特别的小心。一般都应该采取特定的技术措施来控制使用这些气体；腐蚀性气体通常同时也兼有较强的毒性。腐蚀性气体在干燥状态下一般不易侵蚀金属，但在遇到水的环境下就显示出很强的腐蚀性，如HCl, HF, 等；氧化性气体有较强的氧化性，一般同时具有其他特性，如毒性或腐蚀性等。属于这类的气体有ClF3 ,Cl2,NF3等。半导体制造业被美国(FMS)组织列为”极高风险”的行业。主要是因为它在制程中要使用到极高毒性,腐蚀性及易燃性气体、液体和大量可燃性塑材，再加上无尘室的密闭作业环境及回风系统,所有这些因素都大大增加了半导体厂房的风险。作为半导体晶圆代工厂气体的使用者，每一位工作人员都应该在使用前对各种危险气体的安全数据加以了解，并且应该知道如何应对这些气体外泄时的紧急处理程序。一般来讲，我们将有三重保障来防范万一有意外发生的危险气体外泄进入到工作环境中。一个是特种气体的气瓶以及全部经过正负压测漏的气体输送管路；第二个是持续不断的排气抽风系统（Exhaust），管路节点如气瓶柜、VMB、工作台等均具有很强排气抽风系统，以确保每一管路节点外围都处于负压环境。若发生微量的有毒气体的泄漏，排气抽风系统将第一时间抽出。另外一个很重要的是：根据现行国家标准[b][b]《特种气体系统工程技术规范》GB50646-2011[/b][/b]和[b][b]《有毒气体检测报警仪技术条件及检验方法》HG23006[/b][/b]中的有关规定，同时结合半导体工厂使用气体检测装置产品的快速响应要求作出检测报警响应时间规定。要求处于抽风口或环境点安装[b][b]毒性气体侦测器[/b][/b]及系统，若发生任何有毒气体的泄漏将会被气体侦测系统所侦测到，这个控制系统将根据气体外泄对人体危害的大小来确定整个气体输送系统的相关互锁动作，严重时紧急关闭上游所有气源，同时会驱动中央控制室和现场的相关报警系统LAU，甚至会驱动全厂的自动语音广播系统通知立即疏散，要求相关人员迅速撤离报警区域。因此只要工程技术人员严格按照所制定的标准作业程序操作，所有这些安全装置都将确保人员不会有安全上的顾虑。[b][b]工采网提供监测[/b][/b]一氧化碳CO、氨气NH3、氧气O2、氯化氢HCL、氯气CL2、氟化氢HF、磷化氢PH3和氢气H2等有毒有害/易燃易爆气体传感器，是针对半导体制造业毒气监测应用的专业级传感器产品，传感器寿命长，可长时间稳定持续监测，可大大降低半导体制造业毒气监测成本，实现大范围安装应用，为半导体制造业毒气监测提供了切实可行的安全生产监测解决方案。具体产品如下：[url=http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171413.png][img=QQ图片20220714171413,756,222]http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171413.png[/img][/url]

荏原株式会社宣布，已开发出2种环保型无汞臭氧监测仪。该公司开发、设计、制造和维护正确使用臭氧所需的臭氧监测仪，以及结合了预处理系统和臭氧监测仪的臭氧浓度测量设备，以便在各种条件下进行精确测量。 它被用于许多领域，例如供水和污水处理设施的先进处理工艺以及半导体工厂的制造工艺。 为了应对社会对环境的日益关注，新开发的产品组的特点是采用UV-LED作为光源，在实现无汞使用的同时，实现高精度测量。第一类新产品是EG-3100系列，这是一款用于水和污水处理设施的高精度臭氧监测仪，它不含汞，并采用公司独特的发光校正技术，实现了与低压汞灯相同的精度。 除了提供涵盖水净化过程中臭氧处理中所有气体测量点的产品阵容外，该公司还实现了高精度和高分辨率，因此可以应用于研发应用。第二种是EG-690，这是一款用于半导体制造工艺的在线臭氧监测仪，与EG-3100系列一样，不含汞，并达到与低压汞灯产品相同的精度。 此外，它具有占地面积小的特点，可以在线安装在半导体制造工艺（生产线）的臭氧气体管道中，适用于设备嵌入。EG-3100 系列和 EG-690 的订单计划于 2024 年 4 月开始。[来源：仪器信息网译] 未经授权不得转载[align=right][/align]

[b]仪器信息网讯 [/b]2024年3月11日，英国政府发布新的修订条例，即《2024年出口管制（修订）条例》（“修订条例”），更新了《2008年出口管制令》和保留的《欧盟军民两用条例》[url=http://the%20export%20control%20(amendment)%20regulations%202024/]【相关链接】[/url]。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202404/uepic/104e5e04-e908-4da9-9312-f05d6b24c49e.jpg[/img][/align]修订条例在出口管制令中新增三项新条目，对某些两用货物的出口进行管制。新增条目涵盖多类半导体设备、半导体专用仪器设备，包括干法蚀刻设备、扫描电子显微镜 (SEM) 设备、集成电路、参数信号放大器、低温冷却系统和组件、EUV 掩模和掩模版、低温晶圆探测设备、量子测量设备等。[b]2024 年 4 月 1 日起修正条例生效[/b]，将这些产品出口到任何目的地都需要许可证。[color=#0070c0][b]三项新增出口管制条目[/b][/color]修订条例在出口管制令附表 3 中引入了三项新条目，对某些两用货物的出口进行管制。新条目涵盖以下内容：【1】——PL9013 –禁止向任何目的地出口或"以电子手段转让"下列货物、"软件"或"技术":半导体、干法蚀刻设备、扫描电子显微镜 (SEM，应用于半导体器件或集成电路的) 、集成电路、参数信号放大器、低温冷却系统和组件、EUV 掩模和掩模版、低温晶圆探测设备和先进材料。【2】——PL9014 –禁止向任何目的地出口或"以电子手段转让"下列货物、"软件"或"技术":量子计算机、量子位设备和量子位电路、量子控制组件和量子测量设备和计算机、“电子组件”和包含某些集成电路的组件。【3】——PL9015 –禁止向任何目的地出口或"以电子手段转让"下列货物、"软件"或"技术"：某些增材制造设备和专门设计的组件。[color=#0070c0][b]出口限制国家说明[/b][/color]出口管制联合单位（“ ECJU ”）更新了向欧盟成员国出口两用物项的现有开放一般出口许可证（“ OGEL ”），以考虑新条目。OGEL 将允许将新条目涵盖的物品出口到所有 27 个欧盟成员国以及澳大利亚、加拿大、冰岛、日本、新西兰、挪威、瑞士、海峡群岛和美国（受到某些例外情况的限制，例如它们可能用于大规模杀伤性武器的最终用途）。更新后的 OGEL 将于 2024 年 4 月 1 日生效，公司需要在使用前在SPIRE上注册。对于出口到 OGEL 未涵盖的任何目的地，需要出口许可证。向 ECJU 提交的许可证申请可能需要大约两个月的时间来处理，因此任何希望获得此类商品、软件或技术出口许可证的企业都应准备好尽快提交申请。除上述措施外，《修订条例》还引入了多项其他修正案，以反映对瓦森纳安排弹药和两用清单的常规技术更新。这些修订包括对 2008 年出口管制令附表 2 和保留的双重用途法规附件一的修改。[b][color=#0070c0]日益关注新兴技术[/color][/b]新的控制措施是在英国政府（实际上还有许多其他西方国家）过去一年对新兴技术的关注之后推出的。2023 年 3 月发布的国家量子战略包括一项关键的优先行动，以保护“量子能力的关键领域，包括通过使用国家安全投资法和出口管制，以及为量子界提供指导和支持”。本届政府于 12 月发布了国家量子战略任务，并于 2 月宣布对量子领域进行重大投资。国家半导体战略于2023 年 5 月发布，并宣布未来十年向半导体行业投资最多 10 亿英镑。该战略包括政府承诺“与企业合作评估出口管制制度以及如何将其扩大到包括半导体在内的敏感新兴技术”。因此，在努力增加英国在这些领域的研究和开发的同时，英国政府还寻求对这些领域中流出英国的技术和产品进行更大的控制。英国并不是唯一实行这些出口管制的国家。虽然没有作为瓦森纳安排的一部分引入，但英国“与一些志同道合的国家”一起做出了这些改变。去年我们看到几个欧洲国家采取了类似的控制措施。法国今年早些时候对半导体和量子设备及技术实施了新的出口管制，并于 3 月 1 日生效。同样，西班牙于 2023 年实施了管制，荷兰政府也宣布对某些半导体向欧盟以外的目的地出口实施管制；这些措施于 2023 年 9 月生效。预计未来几个月将有更多国家宣布对这些技术进行控制。另外，英国政府现在根据《2021 年国家安全和投资法案》，对涉及量子技术、半导体和其他各种新兴技术领域的英国公司的某些收购和投资，须经过部长级批准。英国根据《修订条例》制定的双重管制清单具有同时扩大该法规定的“军事和两用”敏感部门范围的作用。[b][color=#0070c0]下一步[/color][/b]考虑到这些发展，重要的是半导体或量子技术领域的公司——特别是那些在英国拥有大量业务和/或活动的公司——准备好遵守新的出口管制并在需要时申请许可证。此外，在这些行业运营的英国公司将希望了解《2021 年国家安全和投资法案》对其投资轮次的潜在影响。[来源：仪器信息网] 未经授权不得转载[align=right][/align]

半导体生产：在晶圆的制备过程中，由于生产流程长，工序繁多，不可避免的会遇到污染，那么该如何分析检测这些濡染物呢？如何评价清洗工序的清洗的效果呢？可以考虑采用飞行时间-二次离子质谱仪来检测。样品制备：飞行时间-二次离子质谱仪作为一种表面分析工具，对样品制备要求非常严格。样品分析的表面绝对不能接触任何包装物，尤其是防静电袋，双面胶等等，这些都会对样品进行污染，常见的污染特征峰，防静电剂：阴离子：311，325，339等，对于双面胶其常见的污染物峰为（硅氧烷）：阳离子：28，43，73，143，281 等等，另外，样品也不能在空气或者办公室内放置过长时间，要不同样会测到大量污染物，而测不到污染物下面的成分，因为，其分析深度只有3~6nm。例如,在晶圆的表面上永远都可以测到大量的CH峰，其本质原因就是生产工艺或者空气中的CH化合物吸附在其表面。众所周知，其分析的检测限为ppm~ppb，相当高。所以，样品制备要极其严格。数据处理：一般上分析过程中要考虑，组合峰的出现，比如我们在分析单晶硅得时候，样品表面会不可避免地出现（正离子）１４，２７，２８，４５，等等一系列的峰，首先要学会辨认他们。比如２８，它可能是Ｓｉ２８，也可能是ｃ２ｈ４２８，如何区分他们，这就需要经验。欢迎大家分享自己的经验。

[size=16px][color=#ff0000][b][url=https://www.instrument.com.cn/job/position-78991.html]立即投递该职位[/url][/b][/color][/size][b]职位名称：[/b]第三代半导体项目工程师[b]职位描述/要求：[/b]"1）负责第三代半导体项目测试方案制定、项目实施、数据分析和报告编写，整体把握试验进度，通过环境应力、电应力、机械等应力评估器件可靠性，测试过程中的异常解决反馈。2）负责测试技术对接，承担技术支持工作，协助实验室开展部分科研项目。3）第三代半导体测试技术的研究开发工作，负责实验室CNAS评审工作和组内测试工程师培训、培养等工作。"[b]公司介绍：[/b] 广州广电计量检测股份有限公司（简称：广电计量）作为专业的第三方计量检测机构，专业提供计量校准、可靠性与环境试验、电磁兼容与安全测试、环保检测、食品农产品检测、消费品检测、技术培训与咨询、产品认证及检测装备研发等一站式服务，在多个行业、领域技术能力处于国内领先水平。 广州广电计量检测股份有限公司（股票简称：广电计量，股票代码002967）始建于1964年，于2019年11月8日登陆...[url=https://www.instrument.com.cn/job/position-78991.html]查看全部[/url][align=center][img=,178,176]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/08/202108160948175602_3528_5026484_3.png!w178x176.jpg[/img][/align][align=center]扫描二维码，关注[b][color=#ff0000]“仪职派”[/color][/b]公众号[/align][align=center][b]即可获取高薪职位[/b][/align]

可调谐半导体激光器吸收光谱（Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy）技术简称 TDLAS 技术，该技术是根据气体选择吸收理论为基础，即不同的气体只对特定波长范围内的光进行吸收，利用可调谐半导体激光器可以输出窄带激光的特点，波长可以通过电流和温度控制调谐的特点，将激光器输出波长控制在待测气体吸收波长附近扫描输出。这样在激光透射气体前后会产生光强差，只需测得这个光强差即可获得气体浓度信息。这种技术可以实现对甲烷气体的在线实时测量，并且由于每种气体的吸收波长峰值不同，因此在检测单一气体浓度时不容易被其他气体干扰，灵敏度较高，分辨率较高，并且由于近年来半导体激光器的发展，可做到检测装置的小型化，为该技术在实际生产生活中的应用提供了便利条件，有相当广阔的发展应用前景。

[color=#000000]2024年3月20日至22日，备受瞩目的SEMICON China 2024在上海新国际博览中心隆重举行。作为全球规模最大、规格最高的半导体行业盛会，此次展会吸引了众多顶尖企业的参与。其中，HORIBA（堀场）以其先进的半导体产业材料表征及制程监控解决方案在N2馆亮相。[/color][color=#000000]在本次展会上，HORIBA重点展示了量检测领域的多款产品，包括光掩模颗粒异物检测技术、刻蚀终点检测技术，以及针对先进半导体材料、二维材料、化合物半导体材料的专项检测技术。[/color][color=#000000]展会期间，仪器信息网有幸采访到了堀场（中国）贸易有限公司半导体事业部销售经理熊洪武。在采访中，熊经理就HORIBA的主要产品、技术优势以及半导体行业的发展趋势等话题进行了深入的探讨和分享。[/color][color=#0070c0][b]以下是现场采访视频：[/b][/color][color=#ff6428][/color][align=center][img]https://img.bokecc.com/comimage/D9180EE599D5BD46/2024-04-08/19648AA9A0C7626C63835A29B2A11961-1.jpg[/img][/align][back=url(&][/back][font=Arial, Helvetica, sans-serif][size=12px][color=#ffffff]00:00[/color][/size][/font][font=Arial, Helvetica, sans-serif][size=12px][color=#ffffff]/[/color][/size][/font][font=Arial, Helvetica, sans-serif][size=12px][color=#ffffff]06:32[/color][/size][/font][back=url(&]B[/back][font=web][size=24px][color=#ffffff]T[/color][/size][/font][size=12px][color=#dddddd][back=rgba(51, 51, 51, 0.5)]高清[/back][/color][/size][size=12px][color=#dddddd][back=rgba(51, 51, 51, 0.5)]正常[/back][/color][/size][来源：仪器信息网] 未经授权不得转载[align=right][/align]

【摘要】硅酸盐在酸性介质中与钼酸铵反应生成硅钼黄，硅钼黄还原为硅钼蓝后，可被HLB小柱定量萃取。在此基础上，建立了流动注射固相萃取分光光度(FISPEVis)测定水中痕量硅酸盐的新方法。反应生成的硅钼蓝经HLB小柱萃取后，用水清洗去除杂质，NaOH溶液洗脱，分光光度法检测。实验对各参数进行了优化，优化后的参数为：洗脱剂浓度0.01mol/L;试样上柱流速28.0mL/min;洗脱流速3.5mL/min;反应温度45℃;硅钼黄与硅钼蓝反应时间均为5min;钼酸铵混合溶液、草酸溶液、抗坏血酸溶液的用量分别为3.5，3.5和1.75mL。本方法具有良好的重现性和灵敏度，测定含硅9.33μg/L的硅酸盐水样7次，RSD值为1.8%;选取不同的试样富集时间，可将定量分析的线性范围扩展为0.47～117μg/L;检出限0.18μg/L;回收率为96.8%～105%。可满足特殊工业用水中痕量硅检测的需要。1、引言工业用水中的硅含量若超出允许范围，将对产品产生不良影响，甚至造成严重事故。例如，可溶性硅浓度是火力发电厂、试剂厂、半导体厂等用水质量的重要控制指标之一。半导体工业用水的硅浓度限制在1μg/L以下。水中的可溶性硅主要以硅酸形式存在，经典的测定方法为硅钼蓝分光光度法。该法检出限较高，不能满足工业用水中硅的检测要求。近年来新的检测方法相继出现，包括改进的硅钼蓝法、碱性染料分光法、动力学光度法、鲁米诺化学发光法、荧光法、电化学法以及原子光谱法等。这些方法，或灵敏度达不到要求，或干扰严重，实验操作要求高，均未得到广泛应用。本研究以流动注射分析(FI)技术控制分析过程，将硅钼蓝富集在HLBTM固相萃取(SPE)小柱上，以少量NaOH溶液洗脱，由可见分光光度计在线检测，由此建立了流动注射固相萃取分光光度(FISPEVis)测定水中痕量硅酸盐的新方法。2、实验部分2.1仪器和试剂732PC型可见分光光度计(上海光谱仪器有限公司);FIA3110型流动注射分析处理仪(北京吉天仪器有限公司);HH1型数显恒温水浴锅(金坛市顺华仪器有限公司);OasisHLB小柱(美国Waters公司)。实验器皿用HCl(1∶4,V/V)浸泡10min后，用纯水清洗。蠕动泵管为硅橡胶管，流路管道为PTFE管，实验器皿均为非玻璃材质器皿。试剂均由MiliQ纯水机(美国Millipore公司)制备的纯水(18.2MΩ·cm)配制。硅标准溶液(100mg/L(以SiO2计)，国家标准物质研究中心);1.5mol/LH2SO4(优级纯，广东汕头化学试剂厂);钼酸铵(分析纯，国药集团)混合溶液：称取2.1g(NH4)6M7O24·7H2O溶于50mL水中，将此溶液缓慢地加入到50mLH2SO4中;100g/L草酸(分析纯，广东汕头市西陇化工厂)溶液;28g/L抗坏血酸(分析纯，国药集团)溶液。0.6mol/LNaOH(优级纯，上海山海工学团实验二厂)贮备液;0.01mol/LNaOH使用液;无水乙醇(分析纯，国药集团)。1.钼酸铵混合溶液(Ammoniummolybdate);2.草酸溶液(Oxalicacid);3.抗坏血酸溶液(Ascorbicacid);4,6,8.H2O;5.无水乙醇(Ethnaol);7.NaOH;V1.八位阀(8Positionvalve);V2.八通阀(8Portrotoryvalve);P1，P2.蠕动泵(Pump);Rc.反应瓶(Reactioncontainer);D.检测器(Detector);W.废液(Waste)。实线阀位(Valvepositioninrealline)：Inject;虚线阀位(Valvepositionindashedline)：Fill。2.2实验方法与流动注射分析流路图

随着硅半导体技术的发展，全球知名半导体厂商也开始向医疗领域进军。医疗电子器件和技术的革新，不仅是医疗电子领域的一次大发展，也为患者带来新的体验。看看半导体厂商给医疗领域带来了哪些革新。 德州仪器在医疗领域的新成果，包括病人监护仪、消费者健身设备、可移植脊髓调节器等。德州仪器新开发的病人监护仪不同于传统监护仪，该仪器具有远距离可移植的系统。而消费者健身设备则嵌入了身体质量指数仪，能够精确测试出肥胖百分比。可移植脊髓调节器能够有效减轻患者背部疼痛，并对帕金森症患者有一定的治疗效果。 基于德州仪器芯片，GoWear便携医疗仪器被开发出来，主要用于测量人体生命体征健康和体重，同时这些数据将能够传输到手表等期间上，让你随时了解自己身体信息。比利时微电子研究中心则最新研发出了大脑电波无线检测器，特别之处是该检测器可以由耳机充当。通过八通道模拟ASIC芯片和EEG传感器，该耳机能够帮助癫痫患者实现交流，让其用大脑意念控制键盘。 一次性有源电子医疗电子器件也在飞速增长，而内置了8位微控制器驱动和血糖仪的一次性注射筒OmniPod就属于此类。Onyx II血氧计是Nonin的新品，能够对人体血氧含量进行检测并通过蓝牙传输将数据传输到手机等进行报告。ADI公司集成了模拟前端前沿的医疗产品就是——ADAS1000，该仪器能够对五组心电图系统数据和呼吸进行监测。 事实上，半导体厂商将技术应用于医疗领域的，远不止上面介绍的这些。包括飞思卡尔半导体等也在向该领域进军，开发出一系列医疗仪器。医疗电子器件和技术的革新，带来医疗领域的新发展。

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半导体芯片失效分析实验室汇总随着半导体技术的发展，芯片已经成为现代电子产品中不可缺少的部分。然而，芯片在长时间运行后可能会出现失效或故障，这将导致电子产品无法正常使用。为了解决这个问题，半导体芯片失效分析实验室应运而生。半导体芯片失效分析实验室是一种专门用于分析芯片故障原因和找出解决方案的实验室。它主要由多种设备和技术组成，包括光学显微镜、扫描电子显微镜、离子注入系统、穿透电子显微镜、电子束刻蚀机等。半导体芯片失效分析实验室可以用于以下方面的分析：1.失效分析如果芯片出现了故障，失效分析可以用来找出导致问题的原因。分析的过程通常包括对芯片进行非常规测试，如X射线衍射、扫描探针显微镜和热分析等，以找出故障根源，如堆积缺陷、擦除缺陷、漏电等。2.质量控制半导体芯片失效分析实验室也可以用于质量控制，以确保每个芯片都符合准确的规格和标准。质量控制分析通常包括对芯片进行成品检验，如外观检查、电性能测量和可靠性测试等。半导体芯片失效分析实验室汇总1.北京软件产品质量检测检验中心芯片失效分析实验室（简称：北软检测）成立于2002 年7月。北软芯片失效分析实验室可以进行全流程的失效分析，可靠性测试，安全验证等。主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测（2D X-ray，3D X-ray）、超声波扫描显微就（SAT）、缺陷切割观察系统（FIB系统）、体式显微镜、金相显微镜、研磨台（定点研磨，非定点研磨，封装研磨）、激光黑胶层取出系统（自动decap，laser decap）、自动曲线追踪仪（IV）、切割制样模块、扫描电镜（SEM）、能谱成分分析（EDX）、交变温湿度试验箱、高温储存试验、低温存储试验、温湿度存储试验等。通讯地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼联系人：赵工?2.南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室是国内最早成立的芯片失效分析实验室之一。实验室配备有先进的设备和技术，可对芯片的物理结构、器件参数、芯片性能、线路连接等方面进行全面的分析和测试。3.上海半导体研究所失效分析实验室上海半导体研究所失效分析实验室成立于2005年，是一家具备IC生产能力的高新技术企业。实验室在芯片失效分析领域积累了丰富的经验和成果，并不断引入先进的设备和技术，为客户提供高水平的技术支持和服务。4.北京中科微电子有限公司失效分析实验室北京中科微电子有限公司是一家专业从事半导体封装测试与分析的公司。实验室配备有一批优秀的专业技术人员和一流的设备，能够为客户提供全面、高效的失效分析服务。5.惠州半导体失效分析中心惠州半导体失效分析中心是惠州市政府支持的创新创业平台，依托留学海归、国内外知名院校科研机构等优势资源，致力于半导体失效分析领域的研发和服务。6.中国电子科技集团公司第十四研究所该实验室成立于20世纪80年代，针对集成电路芯片的失效问题，建立了先进的实验室设备和完整的芯片失效分析技术流程。这些技术流程包括非常规样品处理、样品制备、分析测试和故障分析定位等。该实验室能够对各种类型的芯片进行失效分析，如DRAM、NOR FLASH、SRAM、Flip Chip等。7.中国电子科技集团公司第五十五研究所该实验室成立于20世纪90年代，主要研究领域是空间电子电路可靠性和失效分析。在芯片失效分析方面，该实验室研究了很多芯片失效的根本原因和解决办法。例如，该实验室率先提出了在高温下检测集成电路失效的方法，推出了系列失效分析和故障定位技术。8.中国航天科工集团有限公司第六十所该实验室成立于20世纪90年代初期，由中国第一位半导体芯片设计师胡启恒教授领导，主要研究集成电路的失效分析和检测。该实验室在失效分析方面的主要技术包括侵入式和非侵入式技术、信号分析、快速失效分析以及优化分析等。此外，该实验室还开创了集成电路失效分析的新技术领域。9.南京微米尺度材料分析与应用国家级实验室该实验室拥有完整的半导体芯片失效分析实验平台及技术团队，能够进行芯片性能评估、芯片分析、缺陷定位和失效机理研究等多方面的工作，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务。10.北京微电子所半导体芯片失效分析实验室该实验室依托于北京微电子所，能够利用所拥有的半导体芯片分析技术和完善的实验平台，提供专业的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。11.武汉微纳电子制造国家工程研究中心半导体芯片失效分析实验室武汉微纳电子制造国家工程研究中心依托于华中科技大学，其半导体芯片失效分析实验室拥有全套高端的半导体芯片失效分析仪器，为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，涉及芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。12.上海微电子设备有限公司半导体芯片失效分析实验室该实验室作为上海微电子设备有限公司的技术支持，结合上海微电子设备有限公司的芯片检测与分析设备，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。以上仅是部分中国半导体芯片失效分析实验室，随着技术的不断更新和进步，相信未来将会涌现更多实验室，并且实验室之间也将进行更多的协作与交流，加速半导体芯片失效分析技术的发展和普及。国内较为知名的半导体芯片失效分析实验室还有中芯国际、台积电、联芯科技等。这些实验室拥有一流的实验设备和技术人才，可以开展多种类型的半导体芯片失效分析工作，并为客户提供专业的技术支持和服务。此外，在国际上也有多家著名的半导体芯片失效分析实验室，如SiliconExpert、IEEE Components Partitioning and Analysis Center等。这些实验室不仅具备高水平的技术装备和技术人才，还通过与多家知名公司合作，积累了丰富的经验和数据资源。同时，这些实验室还开展了大量的研究工作，不断推动半导体芯片失效分析领域的发展。总之，半导体芯片失效分析实验室在提高半导体芯片可靠性方面起着至关重要的作用。希望通过本文的介绍，可以帮助大家了解半导体芯片失效分析实验室的相关情况，为半导体芯片失效分析工作提供参考和支持。[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/05/202305240713065889_2888_3233403_3.png[/img]

一、 中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。　　第四部分：用数字表示序号　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管　　二、日本半导体分立器件型号命名方法　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。　　三、美国半导体分立器件型号命名方法　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：　　第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。　　第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。　　第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。　　第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。　　第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。　　四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：　　第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料　　第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。　　第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。　　第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：　　1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。　　五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。　　第一部分：O-表示半导体器件　　第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。　　第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。　　第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。