发光二极管原理

现在市场上的发光二极管是否可靠，是否可以将单波长发光二极管直接作为发光光源进行光度法的测试？如果可以的话，作为接受部分的光电三极管怎样选择？谢谢！！

基于有机材料的发光二极管（被称为OLEDs），对于各种不同的照明及显示应用来说正在成为一项很有吸引力的技术。比如说，如果白光OLEDs的性能得到提高，那么它们就有可能用来生成大面积光源。这将要求可与荧光管等现有技术相媲美的发光效率——荧光管每瓦可产生约70流明的光。现在，这个标准（实际上为每瓦90流明）通过OLEDs已经达到。这些OLEDs采用了一个具有高内部量子效率的新型发光层结构，同时采用高指数玻璃基质来提高输出耦合效率。在有可能进行实际应用之前，还需要解决成本、制造方法和寿命等问题，但研究人员的目标是，研制出一种未来的光源，这种光源可以比今天的技术具有更小的碳足迹。

请问哪位朋友知道发光二极管和普通节能灯的发光效率各是多少？

市面上见很多食品快速检测仪器，但是光源基本上都是高亮度发光二极管，请教高亮度发光二极管作为光源有哪些缺陷。

一、LED基础知识 LED 是取自 Light Emitting Diode 三个字的缩写，中文译为“发光二极管”，顾名思义发光二极管是一种可以将电能转化为光能的电子器件具有二极管的特性。目前不同的发光二极管可以发出从红外到蓝间不同波长的光线，目前发出紫色乃至紫外光的发光二极管也已经诞生。除此之外还有在蓝光LED上涂上荧光粉，将蓝光转化成白光的白光LED。　　LED的色彩与工艺： 制造LED的材料不同，可以产生具有不同能量的光子，借此可以控制LED所发出光的波长，也就是光谱或颜色。历史上第一个LED所使用的材料是砷(As) 化镓(Ga) ,其正向PN结压降(VF，可以理解为点亮或工作电压)为1.424V，发出的光线为红外光谱。另一种常用的LED材料为磷(P)化镓(Ga)，其正向 PN结压降为2.261V，发出的光线为绿光。　　基于这两种材料，早期 LED工业运用GaAs1-xPx材枓结构，理论上可以生产从红外光一直到绿光范围内任何波长的LED，下标X代表磷元素取代砷元素的百分比。一般通过 PN结压降可以确定LED的波长颜色。其中典型的有GaAs0.6P0.4 的红光 LED，GaAs0.35P0.65 的橙光LED，GaAs0.14P0.86 的黃光 LED等。由于制造采用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些LED为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 LED 、GaP 的绿光 LED和GaAs红外光LED，被称为二元素发光管。而目前最新的工艺是用混合铝(Al)、钙(Ca) 、铟(In)和氮(N)四种元素的AlGaInN 的四元素材料制造的四元素LED，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。　　LED发光强度： 发光强度的衡量单位有照度单位（勒克司Lux）、光通量单位（流明Lumen）、发光强度单位（烛光　Candle power）.　　1CD（烛光）指完全辐射的物体，在白金凝固点温度下，每六十分之一平方厘米面积的发光强度。（以前指直径为2.2厘米，质量为75.5克的鲸油烛，每小时燃烧7.78克，火焰高度为4.5厘米，沿水平方向的发光强度）　　1L（流明）指1 CD烛光照射在距离为1厘米，面积为1平方厘米的平面上的光通量。　　1Lux（勒克司）指1L的光通量均匀地分布在1平方米面积上的照度。　　一般主动发光体采用发光强度单位烛光CD，如白炽灯、LED等；反射或穿透型的物体采用光通量单位流明L，如LCD投影机等；而照度单位勒克司Lux，一般用于摄影等领域。三种衡量单位在数值上是等效的，但需要从不同的角度去理解。比如：如果说一部LCD投影机的亮度（光通量）为1600流明，其投影到全反射屏幕的尺寸为60英寸（1平方米），则其照度为1600勒克司，假设其出光口距光源1厘米，出光口面积为1平方厘米，则出光口的发光强度为 1600CD。而真正的LCD投影机由于光传播的损耗、反射或透光膜的损耗和光线分布不均匀，亮度将大打折扣，一般有50％的效率就很好了。　　实际使用中，光强计算常常采用比较容易测绘的数据单位或变向使用。对于LED测试仪显示屏这种主动发光体一般采用CD／平方米作为发光强度单位，并配合观察角度为辅助参数，其等效于屏体表面的照度单位勒克司；将此数值与屏体有效显示面积相乘，得到整个屏体的在最佳视角上的发光强度，假设屏体中每个像素的发光强度在相应空间内恒定，则此数值可被认为也是整个屏体的光通量。一般室外LED显示屏须达到4000CD／平方米以上的亮度才可在日光下有比较理想的显示效果。普通室内LED，最大亮度在700～2000 CD／平方米左右。

发光二极管(LED)是一种直接注入电流的发光器件,是半导体晶体内部受激电子从高能级回复到低能级时,发射出光子的结果,这就是通常所说的自发发射跃迁.当LED的PN结加上正向偏压,注入的少数载流子和多数载流子(电子和空穴)复合而发光.值得注意的是,对于大量处于高能级的粒子各自分别自发发射一列一列角频率为ν=Eg/h的光波,但各列光波之间没有固定的相位关系,可以有不同的偏振方向,并且每个粒子所发射的光沿所有可能的方向传播,这个过程称为自发发射.其发射波长可用下式来表示:　　λ(μm)=1.2396/Eg(eV)　　发光二极管(LED)一般由磷砷化镓、磷化镓等材料制成.它的内部存在一个PN结，也具有单向导电性，但发光二极管在正向导通时会发光，光的亮度随导通电流增大而增强，光的颜色与波长有关。　　普通发光二极管的万用表检测方法：　　用万用表的R×10K档测量　　利用具有×10kΩ挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。正常时，二极管正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻的值为∝。如果正向电阻值为0或为∞，反向电阻值很小或为0，则易损坏。种检测方法，不能实地看到发光管的发光情况，因为×10kΩ挡不能向LED提供较大正向电流。　　用两块万用表配合测量　　如果有两块指针万用表(最好同型号)可以较好地检查发光二极管的发光情况。用一根导线将其中一块万用表的“+”接线柱与另一块表的“-”接线柱连接。余下的“-”笔接被测发光管的正极(P区)，余下的“+”笔接被测发光管的负极(N区)。两块万用表均置×10Ω挡。正常情况下，接通后就能正常发光。若亮度很低，甚至不发光，可将两块万用表均拨至×1Ω若，若仍很暗，甚至不发光，则说明该发光二极管性能不良或损坏。应注意，不能一开始测量就将两块万用表置于×1Ω，以免电流过大，损坏发光二极管。　　外接辅助电源测量　　用3V稳压源或两节串联的干电池及万用表(指针式或数字式皆可)可以较准确测量发光二极管的光、电特性。为此可按图10所示连接电路即可。如果测得VF在1.4～3V之间，且发光亮度正常，可以说明发光正常。如果测得VF=0或VF≈3V，且不发光，说明发光管已坏。

请教：红外发光二极管所光的最大波长为多少。

我室MX2600FE主机指示灯的发光二极管损坏，那位知道何处有销售的，或者有备品，高价求购。或者有什么可以替代的办法。

发光二极管简称为LED，由于LED在使用过程中会遇到各种复杂多变的自然环境，比如高低温骤变，高温高湿交替，高温低湿同时存在等环境，这就需要通过温度冲击试验箱来模拟周边环境，从而改进产品的使用性能。那么YSL温度冲击试验箱主要有哪些特点呢？ （1）温控仪表采用日本原装进口“优易控”品牌温湿度仪表，具有1000段程式、每段可循环999步骤的容量，控制器可存储600天内历史数据，可随时插入U盘导出或上传数据等； （2）独有的断电保护功能，如果设备出现漏电情况，可在第一时间内切断电源，来保证操作人员和设备的绝对安全； （3）为了保证温度冲击试验箱降温速率和最低温度的要求，试验箱采用一套进口法国全封闭压缩机所组成的二元复叠式风冷制冷系统。制冷剂采用DUPONT公司R404A（高温循环）、R23（低温循环）； （4）本设备空气调节方式采用强制通风内平衡调温法（BTC）。该方法即指在制冷系统连续工作的情况下，控制系统根据设定之温度点通过PID自动运算输出的结果去控制加热器的输出量，最终达到一种动态平衡； （5）YSL温度冲击试验箱均可满足GB/T2423.1-2008、GB/T2423.2-2008、GJB150.3-1986、GJB360A-96方法107温度冲击试验的要求。 本文出自北京雅士林试验设备有限公司 转载请注明出处

香港机电工程署由2011年6月14日起，将“自愿参与能源效益标签计划”扩展以涵盖发光二极管灯（LED灯）。该署邀请LED灯的制造商、进口商及本地代理商参与能源效益标签计划。参与机构可为符合计划所规定的能源效益和性能要求的产品贴上“确认式”标签。其标签计划旨在帮助消费者认识使用能效产品的重要性，鼓励制造商和供应商推出更多节能产品以节约能源。同时消费者可凭标签鉴别产品是否已达到指定的能效要求，以便选购产品。

之前为了测420nm处某溶液吸光度，采用的方案是用LED发光管发光，然后采用滤光片滤光得到420nm具有一定带宽的光。可不可以直接使用一个420nm的激光二极管来代替LED+滤色片这种方案？因为激光二极管的单色性是很好的，这样也省去了滤色片。不知道可以不

要做一个紫外检测仪器，光源为LED单色光源，光电二极管做检测用，请问有了解发光二极管和光电二极管的吗？型号太多，不知道怎么选择。如发光二极管的参数有：功率，发光强度，波段，正向电压。。。选择多大功率是根据什么？？光电二极管的参数：工作电压，光接受尺寸，暗电流，响应时间。。。。依据什么来选择合适的参数呢？？貌似这些属于光电行业，实在不懂特来求助，急急急。

晶体二极管是由一个PN结构成的具有单向导电性质的器件，它在正向导通时呈低阻，这个电阻称为晶体管的正向电阻，在反向偏置时呈高阻，这个电阻称为晶体管的反向电阻。总之，晶体二极管性能的好坏，依据单向导电性的测量来做简单的判断。 http://www.realchip.net/images/upload/Image/37d3d539b6003af3d2349ab2342ac65c1138b652.jpg 一、万用表在晶体二极管检测中的应用 1、普通二极管的检测 将万用表拨到电阻档的R*100或R*1K，将万用表的红、黑表笔分别接在二极管两端，若测得电阻比较小（几千欧以下），再将红、黑表笔对调后连接在二极管两端，而测得的电阻比较大（几百千欧），说明二极管具有单向导电性，质量良好。 如果测得二极管的正、反向电阻都很小，甚至为零，表示管子内部已短路；如果测得二极管的正反向电阻都很大，则表示管子内部已断路。 2、稳压二极管的检测 将万用表置于R*1K档，测量其正向电阻时，万用表的黑表笔接稳压二极管的正极，红表笔接稳压二极管的负极；测反向电阻时，两表笔的接法正好相反。一般正向电阻为几千欧到几十千欧，反向电阻为几百千欧以上。 3、发光二极管的检测 将万用表置于R*10k档，若测得的正向电阻在30KΩ之内，同时可以看到发光二极管的管芯有一个亮点，反向电阻值大于几百千欧，则表明被测发光二极管性能正常。二、检测二极管时应注意以下事项： 1、由于各电阻量程档的测试电流不尽相同，量程档越小，测试电流越大；反之，量程档越大，测试电流越小。为了被测元器件安全，必须正确选择合适的量程档。如果用万用表的小量程电阻档去测量小功率的元器件时，元器件会流过大电流，如果该电流超过了元器件所允许通过的电流，元器件可能会烧毁。另外，在大量程档，万用表内部电池电压较高，在测量耐压较低的元器件时，万用表不宜放置在大量程的电阻档上。 2、晶体二极管是非线性元器件，在用不同电阻档测同一只晶体二极管时，所测出的电阻值会有差异，这是由于各电阻档的测试电流不相同造成的，属于正常现象。

[B][center]英破解塑料激光二极管制造难题新材料在提高导电性能的同时不影响发光性能[/center][/B]　　英国帝国理工学院科学家在近期《自然• 材料》杂志上发表文章称，他们通过对一种被称为PFO的塑料材质的分子结构进行改进，最终解决了塑料激光二极管的制造难题。这意味着以塑料半导体作为材质的激光二极管有望很快应用于CD播放器等电子产品中。　　目前在各类电子产品中被广泛应用的激光二极管都是由无机半导体材料制成的，如砷化镓、氮化镓及其相关合金等。电流的正负电荷在激光二极管的材料内部相结合产生出激光发生需要的初始光，之后，初始光被驱动多次来回穿梭于半导体材料，并且每穿过一次光强都会增加，那么一段时间以后，一束发散性小、强度高、定向性好的激光束就产生了。　　在过去的20年里，尽管在有机分子半导体领域里也取得了很多的成就，例如一系列特别塑料的产生以及很多基于该类塑料的重要设备都得到了成功的应用，其中包括发光二极管、场效应晶体管以及光敏二极管等。然而，塑料激光二极管却在近十几年里没有取得任何的突破。直到现在，人们仍然普遍认为塑料半导体激光二极管几乎不可能生产出来，主要因为这一领域有一个重大阻碍：一种既可以维持足够大电流又可以提供有效初始光的塑料材质至今没有被发现或发明。　　现在，帝国理工学院的科学家们找到了符合要求的材料。他们对日本住友化学公司合成的、与蓝光塑料PFO密切关联的塑料进行了研究，通过轻微改变该塑料的化学结构生产出一种新型材料，可以比原材料多传递200倍的电荷却不会损耗它的发光效能，同时也提高了激光的产生能力。　　该研究小组带头人，帝国理工学院物理系多纳尔• 布拉德利教授说：“这是一次真正的突破。此前的研究大多是为电子设备和光电子设备设计聚合物，只涉及到加强材料的一种特质。然而，结果并不理想，因为当人们尝试去提高塑料半导体的发光性能时，导电性能会受到损害，而提高导电性能就会影响其发光性能。”　　研究小组成员保罗• 斯塔夫里诺补充说，对PFO结构的修改则使研究人员成功地协调了这两个先前水火不容的特性，这意味着塑料发光二极管将成为现实。　　塑料激光二极管的优势并不仅仅在于它的生产成本低廉以及其易整合的特性，它将比目前的激光二极管拥有更多优点。目前可用的激光二极管不能涵盖所有的可见光谱，这限制了显示器和分光镜的应用，而应用于波导和光学纤维的标准塑料则可以覆盖全部波长。这种新型塑料激光二极管也能够产生从近紫外到近红外的更广泛的波长。

各位大虾: 我看见有些紫外可见分光光度计用的检测器是光电二极管或硅光二极管,它们之间各自的特点是什么,各有什么优点?谁更好一些?现在用得比较多的是哪一个检测器? 谢谢您的回答.请参照：http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20071107/1050063/

最近领导说要买二极管阵列检测器，我只是听说，没有见过，不知什么原理，二极管个数对仪器是否重要？

论坛上面好大条广告写第一台商品化二极管阵列，是国产的嘛？我看到过上海有个厂家自己做了蒸发光散射检测器，二极管呢？有知道的大侠指导下呀

看到网上及论坛内不少说这两种是一样的，也有说是不一样的http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20071107/1050063/硅光电池(硅光二极管)是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把射到它表面的光转化为电能，因此，可用在光电探测器和光通信等领域。特点：当它照射光时会流过大致与光量成正比的光电流. 用途：1.作传感器用时,可广泛用于光量测定和视觉信息,位置信息的测定等. 2.作通信用时,广泛用于红外线遥控之类的光空间通信,光纤通信等. 3.紫蓝硅光电池是用于各种光学仪器，如分光光度计、比色度计、白度计、亮度计、色度计、光功率计、火焰检测器、色彩放大机等的半导体光接收器；紫蓝硅光电池具有光电倍增管，光电管无法比拟的宽光谱响应，它特别适用于工作在300nm-1000nm光谱范围的各种光学仪器对紫蓝光有较高的灵敏度、器件体积小、性能稳定可靠，电路设计简单灵活，是光电管的更新换代产品。目前也有可以使用到190-1100nm的产品,但紫外能量弱一些,光谱带宽不能太小,已经有很多厂家在紫外可见分光光度计上用了。 网上硅光电池是发电的硅光电二极管只要是用光来控制电流 本身几乎不发电另外光电二管管与硅光电二极管有什么区别？

请教各位HPLC高手有关光电二极管阵列检测器的原理.

光二极管阵列检测器是一种对光子有响应的检测器。它是由硅片上形成的反相偏置的p-n结组成。反向偏置造成了一个耗尽层，使该结的传导性几乎降到了零。当辐射照到n区，就可形成空穴和电子。空穴通过耗尽层到达p区而湮灭，于是电导增加，增加的大小与辐射功率成正比。光二极管阵列检测器每平方毫米含有15000个以上的光二极管。每个二极管都与其邻近的二极管绝缘，它们都联结到一个共同的n型层上。当光二极管阵列表面被电子束扫描时，每个p型柱就连接着被充电到电子束的电位，起一个充电电容器的作用。当光子打到n型表面以后形成空穴，空穴向p区移动并使沿入射辐射光路上的几个电容器放电。然后当电子束再次扫到它们时，又使这些电容器充电。这一充电电流随后被放大作为信号。光二极管阵列可以制成光学多道分析器。

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（0.5-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns(纳秒)以下。 　 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--1.0V）、反向恢复时间很短（2-10ns纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！ 　前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 　肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V），通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 　 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 　 快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（Superfast Recovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=27][color=#0000ff]开关电源[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=32975][color=#0000ff]电源模块V-60[/color][/url] 、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 1．性能特点 1）反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=38][color=#0000ff]整流器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=4862][color=#0000ff]硅整流[/color][/url] 件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受 很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。 20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C 20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，主要技术指标见表1。 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。 2．检测方法 1）测量反向恢复时间 测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=456][color=#0000ff]发生器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=48158][color=#0000ff]SP1641B/1642B发生器[/color][/url] 经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=293][color=#0000ff]示波器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=18771][color=#0000ff]示波表190[/color][/url] 观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。 设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式trr≈2Qrr/IRM由式(5.3.1)可知，当IRM 为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。 2）常规检测方法 在业余条件下，利用[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=277][color=#0000ff]万用表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=17373][color=#0000ff]绝缘万用表UT531[/color][/url] 能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=283][color=#0000ff]兆欧表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=14870][color=#0000ff]指针式兆欧表MIS-4A[/color][/url] ，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，IF=5A，IFSM=50A，VRM=700V。将万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。 注意事项： 1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。 2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。 3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。更多技术论文请详见：[url=http://www.midiqi.com/][color=#810081]买电器网[/color][/url]（MIDIQI.COM） [url=http://www.midiqi.com/Knowledge/Index.asp][color=#810081]知识库[/color][/url]

最新设计有望突破转化效率的极限科技日报 2012年04月21日 星期六 本报讯 （记者刘霞）据物理学家组织网4月20日（北京时间）报道，科学家们认为，太阳能电池吸光越多，提供的电力就会越多，但美国的一个科研团队却反其道而行之，提出并演示了一种新的设计理念——太阳能电池设计得像发光二极管（LED），既能吸光又能发光。他们称，最新设计有望让太阳能电池突破转化效率的极限。 该团队主要负责人、加州大学伯克利分校电子工程系教授艾利·雅布龙诺维奇说：“演示结果表明：太阳能电池发出的光子越多，产生的电压和获得的转化效率越高。” 科学家们自1961年就知道，太阳能电池的光电转化效率存在着一个理论最大值：约为33.5%。但50年过去了，始终无人突破这一极限。2010年，科学家们让平板单节点太阳能电池（能吸收特定频率光波）的转化效率达到了26%。 为了获得更高的转化效率，雅布龙诺维奇团队基于吸光和发光之间的数学关联，提出了上述设计理念。研究人员欧文·米勒表示，当太阳中的光子“袭击”太阳能电池内的半导体时，电池会产生电。光子提供的能量会让材料中的电子变得松散从而能自由移动，但这一过程（发冷光过程）可能也会产生新光子。新式太阳能电池背后的理念是：应让这些并不直接来自于太阳光的新光子能容易地从电池中逃逸。米勒表示：“尽管这与直觉相悖，但从数学角度而言，使新光子逃逸会让电池产生更多电压。” 米勒解释道：“从根本上而言，太阳能电池的吸光和发光之间存在着热力学关系。让太阳能电池发光，那么，光子就不会在太阳能电池内‘失去’，就会增加太阳能电池产生的电压。发光越好的太阳能电池产生的电压越高，转化效率也越高。”米勒表示，尽管冷光发射过程会增加电压这一理论并不新鲜，但从没有人想过用其来设计太阳能电池。 雅布龙诺维奇说，他参与创办的阿尔塔设备公司去年使用新概念设计出的一种由砷化镓制成的太阳能电池模型就取得了高达28.3％的创纪录转化效率。该进展应部分归功于他们在设计电池时，也让光能尽可能容易地从电池中逃逸，他们使用的技术包括改进电池背面，确保产生的光子被反射回材料中，从而产生更多电力。 雅布龙诺维奇希望能利用最新技术，让太阳能电池的转化效率超过30%。该研究适用于各种类型的太阳能电池，有望让整个太阳能电池领域大大受益。科学家们将在5月6日至11日于加州旧金山举办的激光器和电子设备大会上宣读最新成果。 总编辑圈点 33.5%这一理论极值，仅指平板型单结太阳能电池，它们只吸收特定频率的光，而多结电池吸的多，转化率自然也要高得多。本文中吸光又发光的电池，其工作模式并不难理解，像我们常见的发光二极管，就是利用注入式电致发光的原理制成的，但它却不是说明这种电池技术亮点的好例子。因为加州大学的目的在于：改变光捕获的特点，以吸收更多的频谱，进而刷新电池转换率。从测试及研究太阳能电池的角度来看，其无疑是一个极具创造性的新方法。

我知道：紫外-可见光（UV-VIS）检测器　原理： 基于Lambert-Beer定律，即被测组分对紫外光或可见光具有吸收，且吸收强度与组分浓度成正比。很多有机分子都具紫外或可见光吸收基团，有较强的紫外或可见光吸收能力，因此UV-VIS检测器既有较高的灵敏度，也有很广泛的应用范围。由于UV-VIS对环境温度、流速、流动相组成等的变化不是很敏感，所以还能用于梯度淋洗。一般的液相色谱仪都配置有UV-VIS检测器。用UV-VIS检测时，为了得到高的灵敏度，常选择被测物质能产生最大吸收的波长作检测波长，但为了选择性或其它目的也可适当牺牲灵敏度而选择吸收稍弱的波长，另外，应尽可能选择在检测波长下没有背景吸收的流动相。　　二极管阵列检测器（diode-array detector, DAD）： 以光电二极管阵列（或CCD阵列，硅靶摄像管等）作为检测元件的UV-VIS检测器.它可构成多通道并行工作，同时检测由光栅分光，再入射到阵列式接受器上的全部波长的信号，然后，对二极管阵列快速扫描采集数据，得到的是时间、光强度和波长的三维谱图。与普通UV-VIS检测器不同的是，普通UV-VIS检测器是先用单色器分光，只让特定波长的光进入流动池。而二极管阵列UV-VIS检测器是先让所有波长的光都通过流动池，然后通过一系列分光技术，使所有波长的光在接受器上被检测。二极管阵列检测器可以获得全波长的样品信息，而且可以根据吸收光谱辅助定性。但相对来说，专门的紫外检测器灵敏度能高一些。二极管阵列检测器是检测的全波长，但是我做的产品需要打印特定波长下的谱图。现在我只会一个一个在离线下改波长。但我听说lc solution是可以在一开始做样前改方法的，不知道怎么弄，希望前辈能指点！谢谢！

二极管阵列检测器可提取某一色谱峰的光谱图、可进行峰纯度检测，在药品日常检验和方法学验证中有广泛应用，这里介绍我所工作中的几个应用实例，供同行参考。 一、用HPLC法测定含量，当结果明显偏高时，进行峰纯度检查非常必要，可提示有无杂质干扰。我所按USP29检测某企业生产的三批“D-氨基葡萄糖硫酸钾盐”含量测定时，发现每批样品均在104.0%~105.0%之间,用二极管阵列检测器进行峰纯度检测,发现峰不纯,提示含有杂质。这一提示使我们进一步研究发现检测原理错误（论文发表在《中国现代应用药学》2008年6月第25卷第3期上）。二、对峰的每一点进行光谱提取，有时可提示有无疑似物。2007年，我们用HPLC法检测“天蚕镇痛片”非法添加双氯芬酸盐的过程中，用平时建立的同时鉴定多种解热镇痛药的HPLC法进行鉴定时，曾经得出不含双氯酚酸盐成分的结论，差一点错失良机。后用峰纯度检测功能对每一个峰进行纯度检测，发现其中3个峰不纯，对这3个峰的每一点进行光谱提取，发现在与双氯酚酸盐保留时间接近的色谱峰的某一较窄区段，其提取光谱基本一致，使我们得出处方中中药成分有较大干扰，导致色谱保留时间与提取光谱图与目标物不符，明确了下一步要把这一峰分开的实验思路，最终成功检出。三、利用提取光谱确定疑似目标物。我们在非标检测中，有时发现色谱图上的某一色谱峰的提取光谱形状与某一化学药品类似，进而用该化学药品的对照品进行比较，往往能减少不必要的筛选实验，加快目标物的确定。不过，这需要平时专业理论和学习经验的积累，同时应注意色谱条件不同可能引起光谱形状的不同。四、峰位置的确定。在HPLC法中，有时碰到几种主成分同时分析，事先需要分别进样确定某一成分峰的位置，当几种成分的峰形状特别是最大吸收波长有较大差别时，可用二极管阵列检测器提取光谱进行确认，不必分别定位。

二极管阵列检测器可提取某一色谱峰的光谱图、可进行峰纯度检测，在药品日常检验和方法学验证中有广泛应用，这里介绍我所工作中的几个应用实例，供同行参考。一、用HPLC法测定含量，当结果明显偏高时，进行峰纯度检查非常必要，可提示有无杂质干扰。我所按USP29检测某企业生产的三批“D-氨基葡萄糖硫酸钾盐”含量测定时，发现每批样品均在104.0%~105.0%之间,用二极管阵列检测器进行峰纯度检测,发现峰不纯,提示含有杂质。这一提示使我们进一步研究发现检测原理错误（论文发表在《中国现代应用药学》2008年6月第25卷第3期上）。二、对峰的每一点进行光谱提取，有时可提示有无疑似物。2007年，我们用HPLC法检测“天蚕镇痛片”非法添加双氯芬酸盐的过程中，用平时建立的同时鉴定多种解热镇痛药的HPLC法进行鉴定时，曾经得出不含双氯酚酸盐成分的结论，差一点错失良机。后用峰纯度检测功能对每一个峰进行纯度检测，发现其中3个峰不纯，对这3个峰的每一点进行光谱提取，发现在与双氯酚酸盐保留时间接近的色谱峰的某一较窄区段，其提取光谱基本一致，使我们得出处方中中药成分有较大干扰，导致色谱保留时间与提取光谱图与目标物不符，明确了下一步要把这一峰分开的实验思路，最终成功检出。三、利用提取光谱确定疑似目标物。我们在非标检测中，有时发现色谱图上的某一色谱峰的提取光谱形状与某一化学药品类似，进而用该化学药品的对照品进行比较，往往能减少不必要的筛选实验，加快目标物的确定。不过，这需要平时专业理论和学习经验的积累，同时应注意色谱条件不同可能引起光谱形状的不同。四、峰位置的确定。在HPLC法中，有时碰到几种主成分同时分析，事先需要分别进样确定某一成分峰的位置，当几种成分的峰形状特别是最大吸收波长有较大差别时，可用二极管阵列检测器提取光谱进行确认，不必分别定位。http://www.zjyj.org.cn/jykjdetial.asp?id=706

亿光发射管也可以称作亿光红外发射管或亿光红外线发射二极管，属于二极管类。它是可以将电能直接转换成近红外光（不可见光）并能辐射出去的发光器件，主要应用于各种光电开关及遥控发射电路中。亿光发射管的结构、原理与普通发光二极管相近，只是使用的半导体材料不同。亿光红外发光二极管通常使用砷化镓（GaAs）、砷铝化镓（GaAlAs）等材料，采用全透明或浅蓝色、黑色的树脂封装　　亿光发射管参数介绍　　发射距离、发射角度（15度、30度、45度、60度、90度、120度、180度）、发射的光强度、波长。是亿光发射管的物理参数，需了解其电性能参数：市场上常用的直径3mm,5mm为小功率亿光发射管，8mm,10mm 为中功率及大功率发射管。小功率发射管正向电压：1.1－1.5V，电流20ma,中功率为正向电压：1.4-1.65V 50－100ma，大功率发射管为正向电压：1.5-1.9V200－350ma。1－10W的大功率亿光发射管可应用于红外监控照明。http://www.dzsc.com/data/uploadfile/20121018152042817.jpg　　亿光发射管应用范围　　亿光发射管的应用范围主要有以下几点：　　1、适用于各类光电检测器的信号光源。　　2、适用于各类光电转换的自动控制仪器，传感器等。　　3、根据驱动方式，可获得稳定光、脉冲光、缓变光，常用于遥控、警报、无线通信等方面。　　使用注意事项　　亿光发射管应保持清洁、完好状态，尤其是其前端的球面形发射部分既不能存在脏垢之类的污染物，更不能受到摩擦损伤，否则，从管芯发出的红外光将产生反射及散射现象，直接影响到红外光的传播。　　由于红外波长的范围相当宽，因此亿光发射管必须与LED接收管配对使用，否则将影响遥控的灵敏度，甚至造成失控。因此在代换选型时，要务必关注其所辐射红外光信号的波长参数。　　亿光发射管的发光功率与光敏器件的灵敏度因封装而有角分布使用时注意安装指向调整，更换时亦应做相应调整，注意管子的极性，管子不要与电路中的发烧元器件靠近。　　亿光发射管在工作过程中其各项参数均不得超过极限值，因此在代换选型时应当注意原装管子的型号和参数，不可随意更换。另外，也不可任意变更亿光发射管的限流电阻。