四点探针仪使用原理

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四点探针仪使用原理相关的仪器

  • 最高温度 1650°c测量范围 0.1mΩ-100MΩ温度精度 ±0.25°c最快测量 6.4ms更多功能 高温四探针、退火高温I-V特性测试高温真空测量高温气氛测量高温烧结/退火高温四探针测量 消除电网谐波对采集精度的影响高温四探针测试仪采用直排四探针法设计原理测量。主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能,参考美国 A.S.T.M 标准设计。重复性与稳定性更好,采用双屏蔽高频测试线缆,提高测试参数的精确度,同时抗干扰能力更强。本设备也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 搭配Labview系统开发的Huacepro软件,具备弹性的自定义功能,可进行介电温谱、频谱、升温速度、测量参数等设置,符合功能材料测试多样化的需求。电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全;资料保存机制,当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中,不丢失试验数据,设备重新启动后可恢复原有试验数据。 源测量仪器的精密耦合特点相对分立仪器具有许多优点。例如,它具有更短的测试时间,通过减少GPIB的流量并简化了远程编程接口。它还保护被测设备在偶尔过载、热失控等情况下不被损坏。电流源和电压源都可设置回读使器件测量完整性最大化。如果回读达到可编程容限的极限,那么该源就被钳位在此极限,从而提供错误保护。 华测系列阻抗分析仪是华测仪器电子事业部采用当前先进的自动平衡电桥原理研制成功的新一代阻抗测试仪器,为国产阻抗测试仪器的最新高度。也彻底超越了国外同类仪器,在测量10Hz-50MHz的频率瓶颈;解决了国外同类仪器只能分析、无法单独测试的缺陷;采用单测和分析两种界面,让测试更简单。得益于先进的自动平衡电桥技术,在10Hz-50MHz的频率范围可以保证0.05%的基本精度。 快达5ms的测试速度及高达50M的阻抗测试范围可以满足元件与材料的测量要求,特别有利于低损耗(D)电容器和高品质因数(Q)电感器的测量。四端对的端口配置方式可有效消除测试线电磁耦合的影响,将低阻抗测试能力的下限比常规端配置的仪器向下扩展了十倍。 消除不规则输入的自动平均值功能 更强数据处理及内部屏蔽华测近红外高温炉配合吉时利数字源表进行四探针电阻测量,让测试更加稳定可靠,吉时利数字源表系列专用于要求紧密结合源和测量 的测试应用。全部数字源表型号都提供精密电压源和电 流源以及测量功能。每款数字源表既是高度稳定的直流 电源也是真仪器级的6位半万用表。此电源的特性包括 低噪声、精密和回读。此万用表的功能包括可重复性高和低噪声。最终形成了紧凑、单通道、直流参数测试仪。 在工作时,这些仪器能用作电压源、电流源、电压表、电流表和欧姆表。源和阱(4象限)工作,0.012%基础测量精度(6位半分辨率)。 2线、4线电压源和测量感测1700读数/秒(4位半分辨率),通过GPIB通过/失效比较器用于快速提供高速感测线接触检查功能,在半导体、功能材料行业吉时利数字源表是适于特性析和生产测试等广泛应用的重要源表。目前国内高温加热大都为管式炉或马弗炉,主要原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热,加热与降温过程速度慢,效率低下。也无法实现温度的高精度测量,加热区域也存在不均匀的现象,华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度,高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置,在高速加热及高速冷却时,具有良好的温度分布。 可实现宽域均热区,高速加热、高速冷却 ,用石英管保护加热试样,无气氛污染。可在高真空,高纯度气体中加热 。设备可组成均热高速加热炉,温度斜率炉,阶段加热炉。 它提高了加热试验能力。 同电阻炉和其他炉相比,红外线反射炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间,再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲,都节省试验时间并提高实验速度。 同高频炉相比,不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单,有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率,实现全新的温度控制操作!高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统,增设气体冷却装置,可实现快速冷却。 1、高速加热与冷却方式高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统,增设气体冷却装置,可实现快速冷却。2、温度高精度控制近红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用,可以精确控制样品的温度(远比普通加温方式)。此外,冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。3、不同环境下的加热与冷却加热/冷却可用真空、气氛环境、低温(高纯度惰性气体 静态或流动),操作简单,使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 更强的扩展能力,实现一机多用█ 多功能真空加热 炉,可实现高温、真空、气氛环境下电学测试 █ 采用铂金材料作为测量导线、以减少信号衰减、提高测试精度 █ 设备配置水冷装置,降温速度更快、效率更高█ 可实现高温下四探针电阻谱等测量功能█ 进口温度传感器、PID自动温度控制,使测量温度更精准█ 近红外加热,样品受热更均匀,不存在感应电流,达到精准测量█ 10寸进口触摸屏设计,一体化设计机械结构,更加稳定、可靠 █ 采用进口高频测试线,抗干扰能力更强,采集精度更高█ 99氧化铝陶瓷绝缘,配和铂金电极夹具█ huace pro 强大的控制分析软件与功能测试平台系统相互兼容温度范围: RT-800 (最高1650)°C 控温精度:±0.25°C 升温斜率:10°C/min(可设定) 测试范围 : 0.1mΩ-100MΩ 加热方式:近红外加热 冷却方式:水冷 输入电压:110~220V 样品尺寸:φ<25mm,d<4mm 电极材料:碳化钨针 夹具辅助材料:99氧化铝陶瓷 测量方式:直接四探针 测试功能:I-V、R-T等 数据传输:4个USB接口 设备尺寸:600x500x350mm动态测量范围:电流:10pA to 10A 电压:1µ V to 200V四象限工作 0.012%的精确度,5&half 的分辨率 可程控电流驱动和电压测量钳位的 6位线电阻测量 在4&half 数位时通过GPIB达1700读数/秒 可选式接触检查功能
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  • 四探针 四点探针 四探针测试仪 四探针太阳能硅片电阻率测试仪光伏测试专用美国ResMap四点探针CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,THROUGHPUT高 * 数字方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67m&Omega -cm及Implant高电阻2K&Omega /□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可以装2~4个量测头,并且可以Recipe设定更换CDE ResMap&ndash CDE 公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺,以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控,超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的。 主要特点: 测量范围广,精度高,稳定性好,功能齐全强大,软件好用,维修成本低,服务好,配件齐全...美国进口四探针电阻率测试仪(4PP)/方块电阻测试仪/太阳能光伏扩散薄层电阻测试仪(Four point probe(4PP))设备名称: 四点探针电阻仪 (CDE ResMap)主机厂牌、型号与附件: CDE ResMap规格:1. Pin material: Tungsten Carbide.2. Pin compression force Typically 100 gm to 200 gm.3. 样品尺寸: 2吋至6吋晶圆 (表面须为平整的导电薄膜,半导体材料)设备用途: 导电薄膜的电阻值分布测量,半导体,光伏特点:1)针尖压力一致2)适用于各种基底材料3)友好的用户界面4)快速测量5)数据可存储 应用:1)方块电阻2)薄片电阻3)掺杂浓度4)金属层厚度5)P/N类型6)I/V测试
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  • 四点探针系统 400-860-5168转3827
    这款四点探针系统是一款易于使用的工具,用于快速测量材料的薄层电阻,电阻率和电导率。 通过使用我们自己的源测量单元,我们能够创建一个低成本的系统,使测量范围更广泛。 探头采用弹簧加载接触,而不是尖锐的针头,防止损坏精密样品,如厚度在纳米左右的聚合物薄膜。 四点探针系统为您的研究提供以下益处:? 广泛的薄膜电阻测量范围,从10mΩ/□到10MΩ/□? 弹簧加载的探针保护易损的样品免受损坏? 体积小巧,可用于空间有限的繁忙实验室? 易操作的PC软件,用于薄膜电阻,电阻率和电导率的测量? 使用自动校正因子计算加快材料表征? 使用保存设置可轻松重复测量 特征:广泛的测量范围 - 四点探头能够提供10 nA-100 mA的电流,并且可以测量低至100μV-10 V的电压。广泛的薄层电阻测量范围,从10mΩ/□到10MΩ/□,可表征多种材料。 非破坏性测试 - 设计时考虑到了精密样品的测量,四点探头采用镀金弹簧接触圆头, 60克的恒定接触力,防止探针刺破脆弱的薄膜,同时仍能提供良好的电接触。 节省空间的设计 - 通过垂直堆叠组件,我们能够将四点探头的占地面积降至最低(总台面面积12 cm x 30 cm),甚至可以在缺乏货架空间的实验室中使用。 易于使用 - 只需插入系统,安装软件,即可开始使用! 直观的界面和清洁的设计,简化了薄膜电阻的测量。 快速材料表征 - PC软件可执行薄膜电阻,电阻率和电导率所有必要的测量和计算,从而使材料表征变得毫不费力。 不要忘记保存您的实验数据 - 用于测量的设置会与数据一起保存,从而轻松查看实验的详细信息。 此外,这些设置文件可以通过相同的软件加载,加快重复测量和材料表征。 用更少的时间重复测量,您的研究成果可以显着增加应用示例:材料特性 - 电阻率是材料的固有特性,也是重要的电学特性。 它可以通过测量已知厚度的薄膜薄层的电阻来确定,这使得四点探针测量成为材料电特性的关键技术。 薄膜太阳能电池和发光二极管 - 薄膜器件(如钙钛矿太阳能电池或有机发光二极管)需要薄的导电电极,横向输送电荷以进行提取。 因此,需要低表面电阻材料来减少这个阶段的潜在损失。 当试图放大这些设备时,这变得更加重要,因为电荷在它们可被提取之前,不得不沿着电极方向行进。测量规格电压范围100μV至10 V当前范围10 nA到100 mA薄层电阻范围10mΩ/□至10MΩ/□测量精度 ±4%测量精度±0.5%
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  • 【分享】AFM探针分类及各探针优缺点

    AFM探针分类及各探针优缺点   AFM探针基本都是由MEMS技术加工 Si 或者 Si3N4来制备. 探针针尖半径一般为10到几十 nm。微悬臂通常由一个一般100~500μm长和大约500nm~5μm厚的硅片或氮化硅片制成。典型的硅微悬臂大约100μm长、10μm宽、数微米厚。   利用探针与样品之间各种不同的相互作用的力而开发了各种不同应用领域的显微镜,如AFM(范德法力),静电力显微镜EFM(静电力)磁力显微镜MFM(静磁力)侧向力显微镜LFM(探针侧向偏转力)等, 因此有对应不同种类显微镜的相应探针。   原子力显微镜的探针主要有以下几种:   (1)、 非接触/轻敲模式针尖以及接触模式探针:最常用的产品,分辨率高,使用寿命一般。使用过程中探针不断磨损,分辨率很容易下降。主要应用与表面形貌观察。   (2)、 导电探针:通过对普通探针镀10-50纳米厚的Pt(以及别的提高镀层结合力的金属,如Cr,Ti,Pt和Ir等)得到。导电探针应用于EFM,KFM,SCM等。导电探针分辨率比tapping和contact模式的探针差,使用时导电镀层容易脱落,导电性难以长期保持。导电针尖的新产品有碳纳米管针尖,金刚石镀层针尖,全金刚石针尖,全金属丝针尖,这些新技术克服了普通导电针尖的短寿命和分辨率不高的缺点。   (3)、磁性探针:应用于MFM,通过在普通tapping和contact模式的探针上镀Co、Fe等铁磁性层制备,分辨率比普通探针差,使用时导电镀层容易脱落。   (4)、大长径比探针:大长径比针尖是专为测量深的沟槽以及近似铅垂的侧面而设计生产的。特点:不太常用的产品,分辨率很高,使用寿命一般。技术参数:针尖高度 9μm;长径比5:1;针尖半径 10 nm。   (5)、类金刚石碳AFM探针/全金刚石探针:一种是在硅探针的针尖部分上加一层类金刚石碳膜,另外一种是全金刚石材料制备(价格很高)。这两种金刚石碳探针具有很大的耐久性,减少了针尖的磨损从而增加了使用寿命。   还有生物探针(分子功能化),力调制探针,压痕仪探针

  • 四探针电阻率测试仪

    四探针电阻率测试仪。XH-KDY-1BS 型四探针电阻率测试仪是严格按照硅材料电阻率测量的国际标准(ASTM F84)及国家标准设计制造,并针对目前常用的四探针电阻率测试仪存在的问题加以改进。整套仪器有如下特点:1、 配有双数字表: 一块数字表在测量显示硅片电阻率的同时,另一块数字表(以万分之几的精度)适时监测全过程中的电流变化,使操作更简便,测量更精确。数字电压表量程:0—199.99mV 灵敏度:10μV输入阻抗:1000ΜΩ基本误差±(0.04-0.05%读数+0.01%满度)2、可测电阻率范围:10—4 —1.9×104Ω·cm可测方块电阻范围:10—3 —1.9×105Ω/□。2、 设有电压表自动复零功能,当四探针头1、4 探针间未有测量电流流过时,电压表指零,只有1、4 探针接触到硅片,测量电流渡过单晶时,电压表才指示2、3 探针间的电压(即电阻率)值,避免空间杂散电波对测量的干扰。3、 流经硅料的测量电流由高度稳定(万分之五精度)的特制恒流源提供,不受气候条件的影响,整机测量精度10 万次),在绝缘电阻、电流容量方面留有更大的安全系数,提高了测试仪的可靠性和使用寿命。5、 加配软件配电脑使用,实现自动换向测量、求平均值,计算并打印电阻率最大值、最小值、最大百分变化率、平均百分变化率等内容。6、 四探针头采用国际上先进的红宝石轴套导向结构,使探针的游移率减小,测量重复性提高(国家知识产权局已于2005.02.02 授予专利权,专利号:ZL03274755.1)。

四点探针仪使用原理相关的耗材

  • 射频探针|MPI T67A 探针
    MEMS技巧MPI TITAN™ 探针经过精确制造,具有完美匹配的50ΩMEMS触点。由于出色的探头电气特性(最小的插入损耗和串扰以及高的回波损耗),它们可确保在最宽的频率范围内提供无与伦比的校准和测量结果。独特的接触结构与市场上的其他针尖不同,由于独特的突起式针尖设计,MPI TITAN™ RF探针可提供出色的实时可视性。首次,即使对于没有经验的操作人员,也无需使用探头对准标记,就可以将RF探头高精度地定位在校准标准件或DUT焊盘上。减少接触探针MPI公司通过引入TITAN-RC探针来扩展RF TITAN探针的系列。新的探针模型的特点是触头尖端的宽度减小了33%,减小到20μm。TITAN-RC探针与进一步减小RF器件和IC的焊盘尺寸的行业趋势完全吻合,大大降低了下一代商用RF和毫米波硅器件和IC的测试成本。对于铝焊盘金属化小至30 x 35μm的Si器件,它可以获得准确且可重复的测量结果。TITAN-RC探针具有GSG探针配置,探针间距为50μm至150μm。杰出的寿命TITAN™ 探针技术的最强功能之一是其均匀的磨损:经过数十万次探针循环后,探针尖端的长度自然会缩小。然而,由于独特的探头设计,其电气特性保持不变。因此,TITAN™ 探针的使用寿命超过了同类探针技术的使用寿命。 最后但并非最不重要的一点是,TITAN™ 探针以实惠的价格脱颖而出。
  • 射频探针|MPI T40A 探针
    MEMS技巧MPI TITAN™ 探针经过精确制造,具有完美匹配的50ΩMEMS触点。由于出色的探头电气特性(最小的插入损耗和串扰以及高的回波损耗),它们可确保在最宽的频率范围内提供无与伦比的校准和测量结果。独特的接触结构与市场上的其他针尖不同,由于独特的突起式针尖设计,MPI TITAN™ RF探针可提供出色的实时可视性。首次,即使对于没有经验的操作人员,也无需使用探头对准标记,就可以将RF探头高精度地定位在校准标准件或DUT焊盘上。减少接触探针MPI公司通过引入TITAN-RC探针来扩展RF TITAN探针的系列。新的探针模型的特点是触头尖端的宽度减小了33%,减小到20μm。TITAN-RC探针与进一步减小RF器件和IC的焊盘尺寸的行业趋势完全吻合,大大降低了下一代商用RF和毫米波硅器件和IC的测试成本。对于铝焊盘金属化小至30 x 35μm的Si器件,它可以获得准确且可重复的测量结果。TITAN-RC探针具有GSG探针配置,探针间距为50μm至150μm。杰出的寿命TITAN™ 探针技术的最强功能之一是其均匀的磨损:经过数十万次探针循环后,探针尖端的长度自然会缩小。然而,由于独特的探头设计,其电气特性保持不变。因此,TITAN™ 探针的使用寿命超过了同类探针技术的使用寿命。 最后但并非最不重要的一点是,TITAN™ 探针以实惠的价格脱颖而出。
  • 射频探针| MPI T26A 探针
    MEMS技巧MPI TITAN™ 探针经过精确制造,具有完美匹配的50ΩMEMS触点。由于出色的探头电气特性(最小的插入损耗和串扰以及高的回波损耗),它们可确保在最宽的频率范围内提供无与伦比的校准和测量结果。独特的接触结构与市场上的其他针尖不同,由于独特的突起式针尖设计,MPI TITAN™ RF探针可提供出色的实时可视性。首次,即使对于没有经验的操作人员,也无需使用探头对准标记,就可以将RF探头高精度地定位在校准标准件或DUT焊盘上。减少接触探针MPI公司通过引入TITAN-RC探针来扩展RF TITAN探针的系列。新的探针模型的特点是触头尖端的宽度减小了33%,减小到20μm。TITAN-RC探针与进一步减小RF器件和IC的焊盘尺寸的行业趋势完全吻合,大大降低了下一代商用RF和毫米波硅器件和IC的测试成本。对于铝焊盘金属化小至30 x 35μm的Si器件,它可以获得准确且可重复的测量结果。TITAN-RC探针具有GSG探针配置,探针间距为50μm至150μm。杰出的寿命TITAN™ 探针技术的最强功能之一是其均匀的磨损:经过数十万次探针循环后,探针尖端的长度自然会缩小。然而,由于独特的探头设计,其电气特性保持不变。因此,TITAN™ 探针的使用寿命超过了同类探针技术的使用寿命。 最后但并非最不重要的一点是,TITAN™ 探针以实惠的价格脱颖而出。

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  • 南大张伟华&鲁振达团队丨热扫描探针刻写助力单量子点确定性组装
    纳米颗粒(特别是当粒径小于20 nm时)所展现出的诸多新奇光学性质,一直是令无数研究人员着迷的话题。研究人员一方面不断探索、发掘新的现象并尝试给予解释,一方面积地尝试将各种新奇的性质应用于改善人们的生活。随着纳米颗粒相关领域研究的蓬勃发展,高品质纳米颗粒的合成以及宏量制备已经成为现实。然而,随着研究需求与实际应用需求的不断提升,不论是实验抑或是生产,对纳米颗粒的定位与组装的精度和可靠性的要求也越来越高。由于纳米颗粒的特殊物性,以及其与衬底及周围环境的作用方式,展现出了诸多新奇的特点,从而使得对于颗粒的定位、组装伴随着新的挑战。尤其是当颗粒粒径小于20纳米时,迄今仍缺少简单高效、工艺兼容性好、度高的组装及定位方式。有鉴于前述问题,南京大学张伟华教授与鲁振达教授课题组,发展了一种改性模板技术来实现高精度的纳米颗粒组装技术。相关成果以 “Deterministic Assembly of Single Sub-20 nm Functional Nanoparticles Using a Thermally Modified Template with a Scanning Nanoprobe”为题目刊载于知名材料科学刊物Advanced Materials上。南京大学现代工学院官网,亦对此工作进行了详细报道。 以下内容转载自南京大学现代工学院官网“当尺寸下降到20纳米或以下时,纳米颗粒常会呈现出宏观所不具备的特性,如分立能,高吸收性,超顺磁等。特别的,半导体纳米颗粒(量子点)由于其特的量子发光特性,已被广泛的应用在显示、传感、量子信息处理等领域。今天,随着合成技术的发展,各类功能纳米颗粒可控的合成已经成为现实,但如何将这些纳米“乐高”逐个拼接在一起,组成复杂结构甚至器件仍是一个未决的难题。为此,在过去二十年间科学家尝试了各种技术路径,通过化学修饰、静电、颗粒操控等方法实现了微米及亚微米颗粒的组装。但对于20纳米之下的颗粒,由于颗粒-衬底相互作用弱,迄今仍缺少简易、高效、、广适用面的组装方法。目前相对有效的方法依赖表面化学改性与静电作用,其模板制备复杂,仅针对单一材料,难以制备纳米颗粒团簇,更无法解决多种材料异质集成的问题。 有鉴于此,张伟华教授与鲁振达教授课题组合作开发了一种基于热扫描探针改性模板的单颗粒组装技术。该技术将扫描探针的针加热至900 ℃以上,可对聚合物表面刻蚀的同时实现表面改性,使微结构区域的表面能显著升高。实验测量与理论计算显示,改性后局域吸附能的提高可达2倍以上,从而大幅度提高了纳米颗粒在改性区域的组装效率。此外,表面能的升高也使液面在微结构内的接触角降低,增强了颗粒所受毛细力,使其更易于被束缚在微结构当中。图1热表面改性模板辅助纳米组装技术示意图:模板制备与纳米组装过程 该方法不涉及特殊化学键或静电作用,为此对纳米颗粒的材料没有特定要求,相比于传统方法具有更广的适用性。为证实这一点,文章演示了包括单颗10纳米量子点(65%),20纳米金颗粒(95%),20纳米聚苯乙烯荧光小球(97%)等材料的高效组装。通过调整微结构的几何尺寸,该方法能还够制备金纳米颗粒各种规则形状的密堆团簇。 图2小尺寸纳米颗粒的组装结果 a)10纳米量子点 b)20纳米聚苯乙烯荧光小球 c)20纳米金颗粒 d)20纳米金颗粒的各种规则密堆团簇 此外,由于该方法基于扫描探针技术可获取表面形貌信息,使得多步组装结构的对准成为可能。利用此优势,工作演示了量子点-纳米银线耦合结构的制备,展示了该技术在多材料跨尺度异质面的巨大潜力。图3量子点-银纳米线异质结构的制备 a)制备过程示意图 b1)单根银纳米线光镜照片 b2)对应的银纳米线形貌扫描图 b3)在银纳米线部制备微结构 b4)组装量子点后的荧光图像 由于其高精度、高确定性与广适用面,并可与已有工艺结合,该方法有望为集成量子光学信息、光学超分辨、纳米生化传感器等方向带来更多的可能性,推动相关领域的发展。”在此论文当中所谈及的热扫描探针光刻技术(thermal scanning probe lithography,t-SPL),衍生于IBM Research的研发成果,是近年来发展起来的一种可快速、可靠、高精度地实现纳米图案制备的直写技术,其技术核心是利用加热针的热能来诱导局部材料的改性,从而实现图案化。由于特的技术原理,使其具有刻写图案精度高(水平方向特征线宽15 nm/纵向台阶精度2 nm)、原位成像/闭环光刻、套刻与拼接精度高(25 nm)等诸多优势。 热扫描探针刻写技术的更多信息:1. 可参考刊载于Microsystems & Nanoengineering(volume 6, Article number: 16 (2020))的综述“Thermal scanning probe lithography—a review”。
  • 瑞柯发布瑞柯全自动四探针测试仪新品
    FT-3110系列全自动四探针测试仪一.功能描述:四点探针法,全自动化运行测量系统,PC软件采集和数据处理;参照A.S.T.M 标准方法测试半导体材料电阻率和方块电阻;可设定探针压力值、测试点数、多种测量模式选择;真空环境,可显示:方阻、电阻率、显示2D,3D扫描/数值图、温湿度值、提供标准校准电阻件. 报表输出数据统计分析.FT-3110系列全自动四探针测试仪二.适用范围晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等;半导体材料分析,铁电材料,纳米材料,太阳能电池,LCD,OLED,触摸屏等. FT-3110系列全自动四探针测试仪三.技术参数: 规格型号FT-3110AFT-3110B1.电阻10^-5~2×10^5Ω10^-6~2×10^5Ω2.方块电阻 10^-5~2×10^5Ω/□10^-6~2×10^5Ω/□3.电阻率 10^-6~2×10^6Ω-cm10-7~2×106Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA, 10mA,100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA5.电流精度 ±0.1% 6.电阻精度 ≤0.3%7.PC软件操作PC软件界面:电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、2D、3D图谱、压力、报表生成等8.压力范围:探针压力可调范围:软件控制,100-500g可调9.探针针间绝缘电阻:≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%圆头铜镀金材质,探针间距1mm;2mm;3mm选配,其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸:2-12寸(6寸150mm,12寸300mm);方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式单点、五点、九点、多点、直径扫描、面扫描等模式的自动测试12.加压方式测量重复性:重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境真空15.电源输入: AC220V±10%.50Hz 功 耗:瑞柯全自动四探针测试仪
  • 中科院在SERS光纤探针研究方面取得进展
    近期,中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所四室研究员孟国文课题组与安徽光学精密机械研究所研究员毛庆和课题组合作,在具有表面增强拉曼散射(SERS)活性的光纤探针研究方面取得新进展。基于静电吸附原理,研究团队发展了一种普适的组装方法,将多种具有等离激元特性的带电金属纳米结构组装到锥形光纤探针表面。该结构可用作SERS光纤探针,对污染物的远程、便携式在线检测具有重要意义。相关结果发表在ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 17247?17254上。  光纤通信技术的发展,为污染物的高通量、远程实时SERS检测开辟了新途径,其核心思想是将高SERS活性纳米结构耦合到光纤探针表面,并集成到便携式光纤拉曼光谱仪上,通过采集并检测污染物的SERS信号,实现污染物便携快速检测。为了实现此目的,研究人员发展了涂拉法、光化学沉积或物理气相沉积等方法,将贵金属纳米结构沉积到光纤探针上。然而,这些研究方法制备的SERS光纤探针在功能上具有一定的局限性。例如,对于涂拉法,SERS活性纳米结构在光纤表面的附着力较弱,在液体样品中容易扩散,进而影响到检测信号的稳定性 对于物理气相沉积和激光诱导的光化学沉积法,由于受限于制备过程,难以精确调控纳米结构的形貌和尺寸,无法优化其局域电磁场增强及表面等离子体共振特性,不能保证SERS检测污染物的灵敏度。  针对上述问题,孟国文课题组和毛庆和课题组合作,采用静电组装法(如下图),将带有正/负电性的贵金属纳米结构组装到硅烷偶联剂修饰的锥形光纤表面,构筑了一种高效的SERS光纤探针。首先,在基于液相法构筑形貌可控的纳米结构的过程中,使用的表面活性剂可以使纳米结构呈现出可控的表面物理化学特性,如带有正/负电、亲/疏水性等。其次,光纤主要成分是氧化硅、表面有大量羟基,易于与硅烷偶联剂通过形成Si-O-Si键耦合 同时硅烷偶联剂末端具有一个官能团,使光纤整体富有特定的功能性。因此,对于带负电的纳米结构(如柠檬酸根保护的金纳米球),选取带氨基的硅烷偶联剂修饰光纤 反之,对于带正电的纳米结构(如CTAB保护的金纳米棒),采用带羧基的硅烷偶联剂修饰光纤,可实现贵金属纳米结构在光纤表面的有效组装。比如,可将多种不同形貌及光学特性的SERS活性纳米结构(金纳米球、金纳米棒、金@银核壳纳米棒和立方银)可控组装到光纤表面。这种SERS光纤探针具有稳定性高(相对信号偏差低于3%)、面向光纤种类多(适用于单模、多模、D型和微纳光纤等)及灵敏度高等优势,对农残甲基对硫磷的敏感度达到10纳摩尔。相关成果已申请国家发明专利并发表在ACS Appl. Mater. Interfaces杂志上。  上述研究得到国家科技部“973”计划和国家自然科学基金等项目的资助。  左:带电纳米结构组装到锥形光纤探针上的示意图。中:纳米立方银组装到光纤前后的光学照片及扫描电镜照片。右:SERS光纤探针在分析物溶液中及空气中的SERS信号。

四点探针仪使用原理相关的试剂

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