离子束切割仪操作规程

离子束切割制样技术是近年来出现的新型、普适性的制样技术，具有应力小、污染少、定位准确、操作简单等特点，广泛应用在材料、生命、地质科学等领域。微课第一节介绍了离子束切割技术的原理、加工模式、工作特点。

赛默飞的FIB离子束有C，O，Xe蔡司的离子束是Ga我的样品是高分子材料，用哪家的比较合适

[b]FIB介绍[/b][font=inherit]聚焦离子束技术[/font]（Focused Ion beam，FIB）是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面，实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的[font=inherit]聚焦离子束技术[/font]（FIB）利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。目前已广泛应用于半导体集成电路修改、离子注入、切割和故障分析等。、[b]应用领域[/b]（1）线路修改-在IC生产工艺中，发现微区电路蚀刻有错误，可利用FIB的切割，断开原来的电路，再使用定区域喷金，搭接到其他电路上，实现电路修改，最高精度可达5nm。（2）产品表面存在微纳米级缺陷，如异物、腐蚀、氧化等问题，需观察缺陷与基材的界面情况，利用FIB就可以准确定位切割，制备缺陷位置截面样品，再利用SEM观察界面情况。（3）微米级尺寸的样品，经过表面处理形成薄膜，需要观察薄膜的结构、与基材的结合程度，可利用FIB切割制样，再使用SEM观察。[align=center][img=FEI V400,227,227]http://www.zenh.com/wp-content/uploads/2017/05/%E5%9B%BE%E7%89%8711.png[/img]FEI V400[/align]使用设备：FEI V400可以针对14nm,16nm,28nm, 40nm, 45nm, 65nm, .13um, .18um, .25um, .35um 制程进行线路改造。适用的封装形式BGA, QFN, CSP, WLBGA, Die and board Level, 8” wafer, packaged “flip-chip”[table][tr][td=2,1,568]FIB典型照片[/td][/tr][tr][td=1,1,279]观测[/td][td=1,1,288]线路修改[/td][/tr][tr][td=1,1,279][img=,227,209]http://www.zenh.com/wp-content/uploads/2017/05/%E5%9B%BE%E7%89%8712.png[/img][/td][td=1,1,288][img=,240,218]http://www.zenh.com/wp-content/uploads/2017/05/%E5%9B%BE%E7%89%8713.png[/img][/td][/tr][tr][td=2,1,568]FIB配合TEM进行复杂操作[/td][/tr][tr][td=2,1,568] [img=,554,254]http://www.zenh.com/wp-content/uploads/2017/05/%E5%9B%BE%E7%89%8714.png[/img][/td][/tr][/table]文章引用自正衡检测官网欢迎各位莅临正衡检测网站讨论咨询[url]http://www.zenh.com/[/url]