半导体参数分析仪原理

项目编号：JW-ZBDL-2201项目名称：北京脑科学与类脑研究中心半导体参数分析仪等设备采购项目预算金额：610.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：610.0000000 万元（人民币）采购需求：包数采购设备名称数量简要说明1▲ 半导体参数分析仪等设备1套包括：半导体参数分析仪2台、探针台1台及配套全部附件。… 3.1 测量频率范围1kHZ-5MHZ，最小设定分辨率1mHZ。… 详见招标文件“第五章——二.技术性能参数”备注：⑴.标“▲”项为允许提供进口产品。未标明允许提供进口产品的，如投标人所投货物为进口产品，其投标无效。⑵.本项目共1个包，投标人只可投完整包，不允许将一包中的内容拆开进行投标。合同履行期限：采购合同签订后半导体参数分析仪40周内完成交货安装；探针台20周内完成交货安装。本项目( 不接受 )联合体投标。

托普云农作物考种分析系统TPKZ-1型，专业用于各种作物籽粒的考种，同时也适用于测量玉米果穗、截面。种子尺寸分析仪-玉米种子粒型参数分析仪器。　　种子分析仪适用范围：　　玉米、水稻、小麦、油菜、豆类、花生、芝麻等各种作物种子。　　种子尺寸分析仪功能特点：　　1、配A3幅面最gao分辨率1600dpi × 1600dpi、紫光M1彩色扫描仪。可分析各类种粒的种粒直径1～20mm。扫描仪分析工作区：A3幅面(431.8mm×304.8 mm)。　　2、分析速度：可同时成像分析10个玉米果穗、35个玉米截面、1000粒左右玉米籽粒。　　3、自动数粒速度：1500～3000粒/分钟(玉米籽粒)，其它籽粒为1200～20000粒/分钟，数粒误差≤±0.1~0.4%，可监视修正结果，监视修正即达准确。具有相机画面畸变、背光板均匀性的自动矫正特性，有效减小尺寸测量误差。　　4、自动测出籽粒数、各籽粒的粒形参数(长、宽、长宽比、面积、等效直径、周长等)，以及其平均值，并排序输出。自动千粒重分析的精度误差：≤±0.5%。并能对不同品种的种子进行长和宽的对比，并输出矢量图。　　5、同时成像分析玉米果穗：10个/次/分钟、玉米截面：35个/次/2分钟。自动测出各玉米穗长、穗粗、秃尖长、左右穗缘角、穗行角、平均行粒数、粒厚、截面穗行数、穗粗、轴粗，颜色以及其平均值，可测出各玉米截面上的种子粒长、粒宽、颜色(RGB具体数值表示)、粒高等尺寸参数。　　6、水分测定：通过水分测定仪，数据能输入到软件中，然后统一输出分析数据。　　7、图像分析：有任意放大、缩小，方便查看标记结果。　　8、有被测样本条码、电子天平RS232重量数据的自动输入接口，插上电脑条码枪即可刷入样本条码编号 电子天平上的被测样本重量数据可一键送到电脑保存为EXCEL表。　　9、分析过程为全程电脑控制，高效、准确、简便易用，真正一键式操作，鼠标一点，结果即现。　　10、辅助删补：用鼠标选择增加/删除，或直接用鼠标在屏上手工计数，以确保结果准确性。目标区的个性化计数：对工作区视野中任选范围或矩形范围内的计数。　　11、种子尺寸分析数据导出：分析图像结果可保存，自动形成总报表，统计分析结果能输出至Excel表，考种系统有云平台的支持，通过云平台可以上传或是下载数据。　　12、软件加密：采用动态二维码+密码狗加密，登记具体使用单位的信息，防止加密狗的丢失。

精科公司电化学事业部新近向市场推出新一代“三合一”718型便携式多参数分析仪，因新产品具有过去三种实验室仪器即离子计、电导率仪、溶解氧测定仪的一般特点及功能，受到了用户的欢迎。该小型仪器内置离子测量模块、电导测量模块、溶解氧测量模块和温度测量模块，允许同时检测上述模块的相应参数，也允许用户按实际需要选择单独的模块进行测量。产品技术与指标在国内同行业中属先进。 　　“三合一”718型便携式多参数分析仪其离子测量模块具有很大的“宽容性”，除了仪器提供的离子模式，如用户需要测量其它离子，只要用户有相应的离子电极，可自己建立自定义离子模式，同样可以测量其它离子 其电导测量模块可测量电导率、电阻率、总固态溶解物(TDS)以及盐度值，具有自动温度补偿、自动校准、自动量程、自动频率切换等功能 其溶解氧测量模块，可进行溶解氧浓度、溶解氧饱和度和电极电流的测量，具有自动温度补偿功能、标定功能，可进行零氧、满度、气压校准和盐度校准。该仪器可满足化工、环保、科研、教育等领域用户的不同测量需要。 　　该多参数分析仪采用低功耗设计，还具有欠压检测、自动关机、背光控制以及测量模块电源智能管理等电源管理功能，防水防尘，非常适用于野外作业。　　 　　图为新一代“三合一”718型便携式多参数分析仪

项目编号：2240SUMEC/ZWGG2140项目名称：生态环境部南京环境科学研究所同位素实验室建设及生态环境分析测试中心能力建设（第二期）仪器设备购置项目（1）预算金额：546.9400000 万元（人民币）采购需求：序号货物名称数量单位是否接受进口产品投标（是/否）★合同履行期限预算（万元人民币）1BOD测定仪1套是合同签订后90天内3.002COD分析仪1套是合同签订后90天内2.303便携式水质多参数分析仪2套是合同签订后90天内8.304便携式悬浮物、污泥界面、浊度测量仪1套是合同签订后90天内3.265超纯水机1套是合同签订后 90天内16.206大容量高速冷冻离心机1套是合同签订后120天内20.307氮吹仪1套否合同签订后30天内1.658冻干机1套是合同签订后90天内29.509多参数测量仪1套是合同签订后60天内5.2010高速离心机1套否合同签订后30天内8.1011恒温恒湿培养箱2套否合同签订后30天内2.8412恒温恒湿培养箱（可程式彩色触摸屏）4套否合同签订后30天内20.4013火焰原子吸收（AAS）1套否合同签订后30天内19.9814净气式样品柜2套否合同签订后 60天内9.3015全自动均质仪1套否合同签订后45天内4.7016人工气候箱3套否合同签订后45天内4.2617生物氧化燃烧仪1套否合同签订后45天内39.6018石墨炉原子吸收1套否合同签订后30天内25.2019台式多参数分析仪1套是合同签订后90天内6.8520土壤多参数检测仪2套是合同签订后30天内2.4021气相色谱仪（全自动烷基汞分析仪）（核心产品）1套否合同签订后30天内55.0022无烟道通风橱1套否合同签订后45天内8.5023旋转蒸发仪2套是合同签订后90天内24.6024摇 床2套是合同签订后90天内22.7025液体闪烁计数分析仪（核心产品）1套是合同签订后120天内93.0026在线放射性同位素检测仪1套是合同签订后90天内94.0027振荡培养箱2套否合同签订后45天内15.80超过对应的预算金额作无效投标处理。 合同履行期限：详见采购需求本项目( 不接受 )联合体投标。

上海仪电科学仪器股份有限公司于2011年上半年推出的集离子计、电导率仪、溶解氧测定仪功能、特点于一身的718型便携式多参数分析仪，因具有&ldquo 三合一&rdquo 的功能、特点，尤其受到用户的青睐。今年第三季度开始产销强劲，订单比去年同季至少增加200%以上，成为仪电科仪公司新产品产销的一个增长点。 &ldquo 雷磁&rdquo 三合一718型便携式多参数分析仪，属于袖珍式仪器，防水防尘，非常适用于野外作业，可满足化工、环保、科研、教育等领域用户的不同测量需要，产品技术与指标在国内同行业中位于先进水平。 采用低功耗设计，具有欠压检测、自动关机、背光控制以及测量模块电源智能管理等电源管理，自动温度补偿功能、标定功能，可进行零氧、满度、气压校准和盐度校准功能； 内置三大模块： 离子测量模块:具有有强大的&ldquo 宽容性&rdquo ，除仪器提供的离子模式,如果用户需要测量其它离子，配上相应的离子电极，可自己建立自定义离子模式进行测量； 电导测量模块:可测量电导率、电阻率、总固态溶解物（TDS）以及盐度值，并且具有自动温度补偿、自动校准、自动量程、自动频率切换等功能； 溶解氧测量模块：可进行溶解氧浓度、溶解氧饱和度和电极电流的测量。 图为即将大批量面市的&ldquo 雷磁&rdquo 三合一718型便携式多参数分析仪

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 半导体器件生产中，从半导体单晶片到制成最终成品，须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠，并有高的成品率，根据各种产品的生产情况,对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。因而,在生产过程中必须建立相应的系统和精确的监控措施，首先要从半导体工艺检测着手。 /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 半导体工艺检测的项目繁多，内容广泛，方法多种多样，可粗分为两类。第一类是半导体晶片在经历每步工艺加工前后或加工过程中进行的检测，也就是半导体器件和集成电路的半成品或成品的检测。第二类是对半导体单晶片以外的原材料、辅助材料、生产环境、工艺设备、工具、掩模版和其他工艺条件所进行的检测。第一类工艺检测主要是对工艺过程中半导体体内、表面和附加其上的介质膜、金属膜、多晶硅等结构的特性进行物理、化学和电学等性质的测定。其中许多检测方法是半导体工艺所特有的。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 工艺检测的目的不只是搜集数据，更重要的是要把不断产生的大量检测数据及时整理分析，不断揭示生产过程中存在的问题，向工艺控制反馈，使之不致偏离正常的控制条件。因而对大量检测数据的科学管理，保证其能够得到准确和及时的处理，是半导体工艺检测中的一项重要关键。同时半导体检测也涉及大量的科学仪器，针对于此，对一些半导体检测的仪器进行介绍。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/537.html" target=" _self" 椭偏仪 /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 椭偏仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高，适用于超薄膜，与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 目前，椭偏仪是测量透明、半透明薄膜厚度的主流方法，它采用偏振光源发射激光，当光在样本中发生反射时，会产生椭圆的偏振。椭偏仪通过测量反射得到的椭圆偏振，并结合已知的输入值精确计算出薄膜的厚度，是一种非破坏性、非接触的光学薄膜厚度测试技术。在晶圆加工中的注入、刻蚀和平坦化等一些需要实时测试的加工步骤内，椭偏仪可以直接被集成到工艺设备上，以此确定工艺中膜厚的加工终点。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/1677.html" target=" _self" span style=" text-indent: 2em " 四探针测试仪 /span /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 四探针测试仪是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻等的测量仪器。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 测量半导体电阻率方法的测量方法主要根据掺杂水平的高低，半导体材料的电阻率可能很高。有多种因素会使测量这些材料的电阻率的任务复杂化，包括与材料实现良好接触的问题。特殊的探头设计用于测量半导体晶片和半导体棒的电阻率。这些探头通常由诸如钨的硬质金属制成，并接地到探头。在这种情况下，接触电阻很高，必须使用四点共线探针或四线绝缘探针。两个探针提供恒定电流，另外两个探针测量整个样品一部分的电压降。通过使用所测电阻的几何尺寸来计算电阻率。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 薄膜应力测试仪 /span br/ /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项，其测试的精度、重复性、效率等因素为业界所重点关注。对应产品目前业界有两种主流技术流派：1）以美国FSM、KLA、TOHO为代表的双激光波长扫描技术（线扫模式），尽管是上世纪90年代技术，但由于其简单高效，适合常规Fab制程中进行快速QC，至今仍广泛应用于相关工厂。2）以美国kSA为代表的MOS激光点阵技术，抗环境振动干扰，精于局部区域内应力测量，这在研究局部薄膜应力均匀分布具有特定意义。线扫模式主要测量晶圆薄膜整体平均应力，监控工序工艺的重复性有意义。但在监控或精细分析局部薄膜应力，激光点阵技术具有特殊优势，比如在MEMS压电薄膜的应力和缺陷监控。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 热波系统 /span br/ /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 热播系统主要用来测量掺杂浓度。热波系统通过测量聚焦在硅片上同一点的两束激光在硅片表面反射率的变化量来计算杂质粒子的注入浓度。在该系统内，一束激光通过氩气激光器产生加热的波使硅片表面温度升高，热硅片会导致另一束氦氖激光的反射系数发生变化，这一变化量正比于硅片中由杂质粒子注入而产生的晶体缺陷点的数目。由此，测量杂质粒子浓度的热波信号探测器可以将晶格缺陷的数目与掺杂浓度等注入条件联系起来，描述离子注入工艺后薄膜内杂质的浓度数值。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " ECV设备 /span /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布。电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业，是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 少子寿命测试仪 /span /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义。少子寿命测试仪可以直接获得长硅的质量参数。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/34.html" target=" _self" 拉曼光谱 /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 拉曼光谱是一种散射光谱。拉曼光谱分析法是基于印度科学家C.V.Raman在1928年所发现的拉曼散射效应，对与入射光频率不同的散射光谱进行分析以得到分子振动、转动方面信息并应用于分子结构研究的一种分析方法。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 拉曼光谱在材料科学中是物质结构研究的有力工具，在相组成界面、晶界等课题中可以做很多工作。半导体材料研究中，拉曼光谱可测出经离子注入后的半导体损伤分布，可测出半磁半导体的组分，外延层的质量，外延层混品的组分载流子浓度。 span style=" text-indent: 2em " & nbsp /span /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/31.html" target=" _self" 红外光谱仪 /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 红外光谱仪是利用物质对不同波长的红外辐射的吸收特性，进行分子结构和化学组成分析的仪器。红外光谱仪通常由光源，单色器，探测器和计算机处理信息系统组成。根据分光装置的不同，分为色散型和干涉型。对色散型双光路光学零位平衡红外分光光度计而言，当样品吸收了一定频率的红外辐射后，分子的振动能级发生跃迁，透过的光束中相应频率的光被减弱，造成参比光路与样品光路相应辐射的强度差，从而得到所测样品的红外光谱。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 红外光谱法操作简单，不破坏样品，使其在半导体分析的应用日趋广泛。半导体材料的红外光谱揭示了晶格吸收、杂质吸收和自由载流子吸收的情况，直接反映了半导体的许多性质，如确定红外透过率和结晶缺陷，监控外延工艺气体组分分布，测载流子浓度，测半导体薄层厚度和衬底表面质量。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 二次粒子质谱 /span /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 二次粒子质谱是借助入射粒子的轰击功能，将样品表面原子溅出，由质谱仪测定二次粒子质量，根据质谱峰位的质量数，可以确定二次离子所属的元素和化合物，从而可精确测定表面元素的组成。这是一种常用的表面分析技术。其特点是高灵敏度和高分辨率。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 利用二次离子质谱对掺杂元素的极高灵敏度的特点，对样品的注入条件进行分析，在生产中可以进行离子注入机台的校验，并确定新机台的可以投入生产。同时，二次离子质谱对于CVD沉积工艺的质量监控尤其是硼磷元素的分布和生长比率等方面有不可替代的作用。通过二次离子质谱结果的分析帮助CVD工程师进行生长条件的调节，确定最佳沉积工艺条件。对于杂质污染的分析,可以对样品表面结构和杂质掺杂情况进行详细了解，保证芯片的有源区的洁净生长，对器件的电性质量及可靠性起到至关重要的作用。对掺杂元素退火后的形貌分析研究发现通过改变掺杂元素的深度分布，来保证器件的电学性能达到设计要求。可以帮助LTD进行新工艺的研究对于90nm/65nm/45nm新产品开发起到很大作用。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " X射线光电子能谱仪 /span br/ /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " X射线光电子能谱仪以X射线为激发源。辐射固体表面或气体分子，将原子内壳层电子激发电离成光电子，通过分析样品发射出来的具有特征能量的光电子，进而分析样品的表面元素种类、化学状态和电荷分布等信息，是一种无损表面分析技术。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 这种技术分析范围较宽，原则上可以分析除氢以外的所有元素，但分析深度较浅，大约在25~100 Å 范围，不过其绝对灵敏度高，测量精度可达10 nm左右，主要用于分析表面元素组成和化学状态，原子周围的电子密度，特别是原子价态及表面原子电子云和能级结构。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " X射线衍射 /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 当一束单色X射线入射到晶体时，由于晶体是由原子规则排列成的晶胞组成，这些规则排列的原子间距离与入射X射线波长有X射线衍射分析相同数量级，故由不同原子散射的X射线相互干涉，在某些特殊方向上产生强X射线衍射，衍射线在空间分布的方位和强度，与晶体结构密切相关，每种晶体所产生的衍射花样都反映出该晶体内部的原子分配规律。这就是X射线衍射的基本原理。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 半导体制造中的大部分材料是多晶材料，比如互连线和接触孔。XRD能够将多晶材料的一系列特性量化。这其中最重要的特性包括多晶相(镍单硅化物，镍二硅化物)，平均晶粒大小，晶体织构，残余应力。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " 阴极荧光光谱 /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 阴极荧光谱是利用电子束激发半导体样品，将价带电子激发到导带，之后由于导带能量高不稳定，被激发电子又重新跳回价带，并释放出能量E≤Eg（能隙）的特征荧光谱。CL谱是一种无损的分析方法，结合扫描电镜可提供与形貌相关的高空间分辨率光谱结果，是纳米结构和体材料的独特分析工具。利用阴极荧光谱，可以在进行表面形貌分析的同时，研究半导体材料的发光特性，尤其适合于各种半导体量子肼、量子线、量子点等纳米结构的发光性能的研究。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如，对于氮化镓单晶，由于阴极萤光显微镜具有高的空间分辨率并且具有无损检测的优点，因此将其应用于位错密度的检测已经是行业内广泛采用的方法。目前也制定了相应的标准。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/1016.html" target=" _self" 轮廓仪 /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 轮廓仪是一种两坐标测量仪器，仪器传感器相对被测工件表而作匀速滑行，传感器的触针感受到被测表而的几何变化，在X和Z方向分别采样，并转换成电信号，该电信号经放大和处理，再转换成数字信号储存在计算机系统的存储器中，计算机对原始表而轮廓进行数字滤波，分离掉表而粗糙度成分后再进行计算，测量结果为计算出的符介某种曲线的实际值及其离基准点的坐标，或放大的实际轮廓曲线，测量结果通过显示器输出，也可由打印机输出。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 而利用先进的3D轮廓仪可以实现对硅晶圆的粗糙度检测、晶圆IC的轮廓检测、晶圆IC减薄后的粗糙度检测。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em font-size: 16px " AOI （自动光学检测） /span br/ /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " AOI的中文全称是自动光学检测，是基于光学原理来对焊接生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。AOI是新兴起的一种新型测试技术，但发展迅速，很多厂家都推出了AOI测试设备。当自动检测时，机器通过摄像头自动扫描PCB，采集图像，测试的焊点与数据库中的合格的参数进行比较，经过图像处理，检查出PCB上缺陷，并通过显示器或自动标志把缺陷显示/标示出来，供维修人员修整。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 运用高速高精度视觉处理技术自动检测PCB板上各种不同贴装错误及焊接缺陷。PCB板的范围可从细间距高密度板到低密度大尺寸板，并可提供在线检测方案，以提高生产效率，及焊接质量。通过使用AOI作为减少缺陷的工具，在装配工艺过程的早期查找和消除错误，以实现良好的过程控制。早期发现缺陷将避免将坏板送到随后的装配阶段，AOI将减少修理成本将避免报废不可修理的电路板。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " ATE测试机 /span /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 广义上的IC测试设备我们都称为ATE（AutomaticTest Equipment），一般由大量的测试机能集合在一起，由电脑控制来测试半导体芯片的功能性，这里面包含了软件和硬件的结合。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 在元器件的工艺流程中，根据工艺的需要，存在着各种需要测试的环节。目的是为了筛选残次品，防止进入下一道的工序，减少下一道工序中的冗余的制造费用。这些环节需要通过各种物理参数来把握，这些参数可以是现实物理世界中的光，电，波，力学等各种参量，但是，目前大多数常见的是电子信号的居多。ATE设计工程师们要考虑的最多的，还是电子部分的参数比如，时间，相位，电压电流，等等基本的物理参数。就是电子学所说的，信号处理。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 此外，原子力显微镜、俄歇电子能谱、电感耦合等离子体质谱仪、X光荧光分析、气相色谱等都可以用于半导体检测。而随着半导体制程工艺的进步，工艺过程中微小的沾污、晶格缺陷等都可能导致电路的失效等，半导体的工艺检测也凸显的越来越重要。 /p

一、项目基本情况项目编号：GZSW22156HG1090项目名称：网络分析仪与高功率半导体器件分析仪等设备采购采购方式：公开招标预算金额：3,380,000.00元采购需求：合同包1(网络分析仪与高功率半导体器件分析仪等设备采购):合同包预算金额：3,380,000.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1其他专用仪器仪表高功率半导体器件分析仪1(台)详见采购文件1,000,000.00-1-2其他专用仪器仪表网络分析仪1(台)详见采购文件1,320,000.00-1-3其他专用仪器仪表网络分析仪1(台)详见采购文件410,000.00-1-4其他专用仪器仪表高性能数字实时示波器1(台)详见采购文件210,000.00-1-5其他专用仪器仪表矢量信号分析仪1(台)详见采购文件440,000.00-本合同包不接受联合体投标合同履行期限：自合同签订之日起至质保期满之日。二、申请人的资格要求：1.投标供应商应具备《政府采购法》第二十二条规定的条件，提供下列材料：1）具有独立承担民事责任的能力：在中华人民共和国境内注册的法人或其他组织或自然人， 投标时提交有效的营业执照（或事业法人登记证或身份证等相关证明） 副本复印件。分支机构投标的，须提供总公司和分公司营业执照副本复印件，总公司出具给分支机构的授权书。2）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录：提供投标截止日前6个月内任意1个月依法缴纳税收和社会保障资金的相关材料。 如依法免税或不需要缴纳社会保障资金的， 提供相应证明材料。3）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度：提供2020年度财务状况报告或基本开户行出具的资信证明。4）履行合同所必需的设备和专业技术能力：按投标文件格式填报设备及专业技术能力情况。5）参加采购活动前3年内，在经营活动中没有重大违法记录：参照投标函相关承诺格式内容。 重大违法记录，是指供应商因违法经营受到刑事处罚或者责令停产停业、吊销许可证或者执照、较大数额罚款等行政处罚。（根据财库〔2022〕3号文，“较大数额罚款”认定为200万元以上的罚款，法律、行政法规以及国务院有关部门明确规定相关领域“较大数额罚款”标准高于200万元的，从其规定）2.落实政府采购政策需满足的资格要求：合同包1(网络分析仪与高功率半导体器件分析仪等设备采购)落实政府采购政策需满足的资格要求如下:无（本项目不属于专门面向中小企业采购的项目）3.本项目的特定资格要求：合同包1(网络分析仪与高功率半导体器件分析仪等设备采购)特定资格要求如下:(1)供应商未被列入“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)“记录失信被执行人或重大税收违法案件当事人名单”记录名单； 不处于中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)“政府采购严重违法失信行为信息记录”中的禁止参加政府采购活动期间。 （以采购代理机构于投标截止时间当天在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn） 及中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/） 查询结果为准， 如相关失信记录已失效， 供应商需提供相关证明资料） 。(2)单位负责人为同一人或者存在直接控股、 管理关系的不同供应商，不得同时参加本采购项目（或采购包） 投标。 为本项目提供整体设计、 规范编制或者项目管理、 监理、 检测等服务的供应商， 不得再参与本项目投标。 参照投标函相关承诺要求内容。(3)若投标人所投设备为进口设备，则必须提交以下文件中的其中一种：①制造商的授权文件；②制造商指定的代理商（经销商）的资格证书及代理商（经销商）对投标人的授权文件。三、获取招标文件时间： 2022年04月12日 至 2022年04月19日 ，每天上午 00:00:00 至 12:00:00 ，下午 12:00:00 至 23:59:59 （北京时间,法定节假日除外）地点：广东省政府采购网https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/方式：在线获取售价： 免费获取四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点2022年05月13日 14时30分00秒 （北京时间）地点：广州市环市中路205号恒生大厦B座501室开标大厅（广州顺为招标采购有限公司）五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜1.本项目采用电子系统进行招投标，请在投标前详细阅读供应商操作手册，手册获取网址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/transaction/download.html。投标供应商在使用过程中遇到涉及系统使用的问题，可通过400-1832-999进行咨询或通过广东政府采购智慧云平台运维服务说明中提供的其他服务方式获取帮助。2.供应商参加本项目投标，需要提前办理CA和电子签章，办理方式和注意事项详见供应商操作手册与CA办理指南，指南获取地址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/problem/。3.如需缴纳保证金，供应商可通过"广东政府采购智慧云平台金融服务中心"(http://gdgpo.czt.gd.gov.cn/zcdservice/zcd/guangdong/)，申请办理投标（响应）担保函、保险（保证）保函。4.本项目支持电子保函，可通过登录项目采购电子交易系统跳转至电子保函系统进行在线办理。电子保函办理办法详见供应商操作手册。5.为了确保投标保证金顺利退还，请投标人按附件《退保证金说明》格式填写，并随同纸质投标文件一并递交。6.本项目为远程网上开标方式，参与本项目的供应商登录云平台通过“新供应商开标大厅”进行开标签到及投标文件解密，签到需在开标时间前30分钟内完成。开标/唱价时，供应商应当使用编制本项目（采购包）电子投标文件时加密所用数字证书开始解密，解密时限为主持人开启远程解密起30分钟内完成。各供应商在参加开标/唱价之前须自行对使用电脑的网络环境、驱动安装、客户端安装以及数字证书的有效性等进行检测，确保可以正常使用。7.纸质投标文件可以现场提交或邮寄，现场提交地址和邮寄地址（邮寄地址：广州市环市中路205号恒生大厦B座501室（广州顺为招标采购有限公司）），收件人及电话：详见项目公告的项目联系人）。投标人如选择邮寄投标文件，请提前安排时间邮寄，务必保证投标文件于提交投标文件截止时间前到达上述地址（以签收时间为准），并及时将快递单号发送至招标代理机构邮箱：gzswbc08@163.com。七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：广东工业大学地 址：广州市广州大学城外环西路100号联系方式：393221462.采购代理机构信息名 称：广州顺为招标采购有限公司地 址：广东省广州市越秀区环市中路205号恒生大厦B座自编B501-B505、B512-B525房联系方式：020-83592216-8183.项目联系方式项目联系人：韦小姐电 话：020-83592216-818

小碳小碳又和大家见面啦！我们的#小碳微课堂#第五期将于8月28日（本周五）开课。本期直播课，我们还将从报名观众中随机抽取10名幸运儿，送出一份小礼品，快来报名吧！（报名时，请准确填写您的邮寄地址。获奖名单将于9月初在微信公众号中公布，敬请留意。）TOC分析仪和硼分析仪在微电子/半导体行业中的应用时间：2020年8月28日周五，14:00形式：网络直播课注册报名后可随时回看费用：免费微电子/半导体超纯水系统旨在降低水中的潜在污染物，这些污染物可能造成电子器件细微缺陷，从而降低产品质量和生产率。芯片尺寸的缩小和线宽的降低，对超纯水系统提出了更高要求，甚至需要将有机污染物控制到小于1 ppb。而为了准确检测如此微量的指标，要求所用的分析技术能够检出所有有机物组分，并且读值不受背景电导、pH和溶氧值变化的影响。总有机碳（TOC）分析仪为半导体超纯水检测需求提供了一种量化指标，可用于检测污染物，并适用于故障排除，或改进水系统和特种化学品的处理过程。此次直播课程中，我们将与您分享以下议题，欢迎收看：●微电子/半导体行业超纯水系统中TOC监测的重要性●TOC检测方法评审和Sievers® 分析仪的解决方案●TOC应用在超纯水系统中的监测点和目的●硼分析仪的介绍●TOC对废水排放和生产化学品溶液纯度的监测讲师介绍王延弘项目渠道经理Sievers分析仪王延弘经理是苏伊士水务技术与方案-Sievers分析仪的项目渠道经理，具有20余年水处理工艺系统设计的工作经验，熟悉制药和半导体用水处理系统中的预处理、反渗透、EDI、TOC等关键设备和仪器的性能，具有9年TOC分析仪的操作、使用和维护经验。报名方式扫下列二维码，进行会议注册，注册成功后，直播时登录直播链接，验证注册时的手机号，即可收看课程。若您未收到微信提醒，直播时可通过苏伊士Sievers分析仪的微信公众号菜单：最新资讯-小碳微课堂进入课程直播。如您当天无法收看直播，课程结束后您也可以登录直播链接，验证注册时的手机号，收看课程回放。

p 　　 span style=" font-family: & quot times new roman& quot " strong 2018年6月12日，“半导体材料及器件研究与应用进展”主题网络研讨会在仪器信息网“网络讲堂”栏目成功举办。本次会议旨在为全国在半导体及器件领域或有意在本领域从事研发、教学、生产的科技人员提供一个学术与技术交流的平台，以促进我国半导体材料及器件领域的科技创新和产业发展。 /strong /span /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。近年来半导体材料迅猛发展，特别是宽禁带化合物半导体在材料生长、器件与电路设计、制造工艺及其应用等方面具有最新进展。 /span /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　本次会议邀请了来自 span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(255, 0, 0) " 华进半导体、赛默飞、雷尼绍、HORIBA、牛津、华东师范大学 /span 六家机构从事半导体研究及应用的专家学者，对目前科学仪器在半导体应用领域的研究进展进行了介绍了。各项报告内容简介如下： /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/9f4a0912-662e-44eb-a670-f31943137df6.jpg" title=" 先进封装工艺与可靠性-刘海洋.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　 span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " i 华进半导体研发部高级工程师刘海燕介绍了数种半导体材料与部件的封装工艺及其各自特点，着重讲解了目前处于前沿领域的扇出型封装工艺，代表的类型有eWLB、INFO POP、大板级。华进半导体目前正在开发晶圆级、大板级扇出封装技术，现已制备出部分样品，并申请了相关专利。此外还补充介绍了Low k芯片封装工艺。华进公司的主要业务包括设计仿真、封装工艺、测试验证、技术转移等领域。 /i /span /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/460a9fdb-85d5-4566-a742-3dbbc89e87dd.jpg" title=" ICP-MS在半导体行业原材料及高纯化学品分析中的应用-朱中正.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　 span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " i 　赛默飞的应用工程师朱中正介绍了ICP MS(电感耦合等离子体质谱仪)在半导体行业的应用和最新进展。半导体行业中，对痕量金属元素进行常规且准确的分析是十分重要的工作。随着半导体器件尺寸的不断缩小，杂质的存在对其性能的影响逐渐增加。报告重点介绍了赛默飞公司的四级杆ICP-MS和SQ-ICP-MS的结构、工作机理、主要优势以及局限性。 /i /span /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/776571c0-f293-46a7-b115-c43a17856c0f.jpg" title=" 雷尼绍拉曼光谱技术在半导体领域的一些应用-王志芳.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　 i span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " 雷尼绍的高级应用工程师王志芳介绍了雷尼绍公司的拉曼光谱在半导体领域的一些应用工作。她首先为观众进行了拉曼光谱基础知识的讲解，拉曼光谱具有无损无创、原位检测、快速简便的使用特点，可应用于材料科学、生命科学、分析科学等多个领域。在半导体领域，拉曼光谱可对SiC、GaN、MoS sub 2 /sub 等半导体材料进行性能表征，可检测的性能特征有：晶型分布鉴定、应力表征缺陷分析、鉴定和发现污染物、电子迁移率分布、块材生长过程等。 /span /i /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/d979950b-1148-45f7-8de4-41a3357cc646.jpg" title=" 光谱分析在半导体材料领域的应用-孙正飞.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　 i span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " 　HORIBA公司仪器事业部的应用工程师孙正飞分享了光谱分析技术在半导体材料领域的应用，主要应用的分析手段有光致发光光谱、拉曼光谱、辉光放电GD、椭偏仪TF，并着重介绍了前两者的工作机理和应用方向。光致发光光谱可测定半导体材料的组分、识别其中的掺杂元素、测试材料/器件的发光效率、研究位错缺陷 拉曼光谱可分析半导体化学组成、结构、构象、形态、浓度、应力、温度、结晶度等特征。 /span /i /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/563d8427-33a1-40e8-ab1e-751277616320.jpg" title=" 能谱及EBSD在半导体行业中的应用-马岚.pptx.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　 span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " i 牛津仪器纳米分析部的应用科学家马岚介绍了EDS能谱和EBSD(电子背散射衍射Electron Backscattered Diffraction)在半导体行业的应用。SEM-EDS可对样品进行成分检测、定性分析。针对扫描电镜及有窗能谱测试结果不准确的问题，提出了建议解决办法，通过对三种不同样品图像结果的分析，得出适当降低工作电压可提高电镜和能谱的空间分辨率。鉴于有窗能谱对10nm以下尺度空间分辨率的局限性，有窗能谱Extreme应运而生，在低电压下具有优良的表现。EBSD目前在半导体相关行业的应用还处于起步阶段，但由于其技术优势，会越来越多的应用在半导体的研发当中。可用于观测样品中晶粒的取向。 /i /span /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/b562f762-930a-494d-bec6-5ffda980fba0.jpg" title=" 相变存储器及存储材料-成岩.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　 i span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " 华东师范大学电镜中心的成岩老师向观众分享了半导体存储领域的新秀—相变存储器，介绍了其发展、结构、原理、材料等研究内容。DRAM和Flash占据了存储器市场95%以上的份额，旧的存储器存在一定的性能缺陷以及存储速度和存储性能之间的矛盾，开发新型存储架构势在必行。IBM开发的SCM(Storage Class Memory)使用高速、非易失性、字节可访问、存储密度高的新型存储级内存介质构建外部大容量存储器，为计算机系统延续了数十年的内外存架构提供了新的选择，应用相变存储技术的PCRAM将高速、随机访问和非易失在同一存储介质上实现。透射电子显微镜可应用于对相变存储材料Ge sub 2 /sub Sb sub 2 /sub Te sub 5 /sub 的结构进行观测，发现其具有两级相变过程，可由非晶转变为面心立方结构，再转变为六方相结构。 /span /i /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/0881776f-607b-4fdd-8408-b0ca4a572b4e.jpg" title=" 赞助厂商.png" / /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 赞助厂商 /span /strong /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　每场报告结束后，观众对报告内容踊跃提问和发言，老师也对观众们提出的部分问题进行了答疑，会议为关注和研究半导体材料应用的工作者们提供了一个交流和学习的良好平台。 /span /p

01背景介绍自石墨烯被发现以来，二维(two-dimensional, 2D)材料因其奇妙的特性吸引了大量的研究兴趣。特别是二维形式的材料由于更大的面体积比可以更有效的性能调节，通常表现出比块体材料更好的性能。迄今为止，已有许多具有优异性能的二维材料被报道和研究，如硅烯、磷烯、MoS2等，它们在电子、光电子、催化、热电等方面显示出应用潜力。在微电子革命中，宽带隙半导体占有关键地位。例如，2014年诺贝尔物理学奖材料氮化镓(GaN)已被广泛应用于大功率电子设备和蓝光LED中。此外，氧化锌(ZnO)也是一种广泛应用于透明电子领域的n型半导体，其直接宽频带隙可达3.4 eV。在透明电子的潜在应用中，n型半导体的有效质量通常较小，而p型半导体的有效质量通常较大。然而，人们发现立方纤锌矿(γ-CuI)中的块状碘化铜是一种有效质量小的p型半导体，具有较高的载流子迁移率，在与n型半导体耦合的应用中很有用。例如，γ-CuI由于其较大的Seebeck系数，在热电中具有潜在的应用。二维材料与块体材料相比，一般具有额外的突出性能，因此预期单层CuI可能比γ-CuI具有更好的性能。作为一种非层状I-VII族化合物，CuI存在α、β和γ三个不同的相。温度的变化会导致CuI的相变，即在温度超过643 K时，从立方的γ-相转变为六方的β-相，在温度超过673 K时，β-相进一步转变为立方的α-相。因此，不同的条件下，CuI的结构是很丰富的。超薄的二维γ-CuI纳米片已于2018年在实验上成功合成 [npj 2D Mater. Appl., 2018, 2, 1–7.]。然而，合成的CuI纳米片是非层状γ-CuI的膜状结构，由于尺寸的限制，单层CuI的结构可能与γ-CuI薄膜中的单层结构不同。因此，需要对单层CuI的结构和稳定性进行全面研究。在这项研究中，我们预测了单层CuI的稳定结构，并系统地开展电子、光学和热性质的研究。与γ-CuI相比，单层CuI中发现直接带隙较大，可实现超高的光传输。此外，预测了单层CuI的超低热导率，比大多数半导体低1 ~ 2个数量级。直接宽频带隙和超低热导率的单层CuI使其在透明和可穿戴电子产品方面有潜在应用。02成果掠影近日，湖南大学的徐金园（第一作者）、陈艾伶（第二作者）、余林凤（第三作者）、魏东海（第四作者）、秦光照（通讯作者），和郑州大学的秦真真、田骐琨（第五作者）、湘潭大学的王慧敏开展合作研究，基于第一性原理计算，预测了p型宽带隙半导体γ-CuI(碘化亚铜)的单层对应物的稳定结构，并结合声子玻尔兹曼方程研究了其传热特性。单层CuI的热导率仅为0.116 W m-1K-1，甚至能与空气的热导率(0.023 W m-1K-1)相当，大大低于γ-CuI (0.997 W m-1K-1)和其他典型半导体。此外，单层CuI具有3.57 eV的超宽直接带隙，比γ-CuI (2.95-3.1 eV)更大，具有更好的光学性能，在纳米/光电子领域有广阔的应用前景。单层CuI在电子、光学和热输运性能方面具有多功能优势，本研究报道的单层CuI极低的热导率和宽直接带隙将在透明电子和可穿戴电子领域有潜在的应用前景。研究成果以“The record low thermal conductivity of monolayer Cuprous Iodide (CuI) with direct wide bandgap”为题发表于《Nanoscale》期刊。03图文导读图1. 声子色散证实了CuI单层结构的稳定性。单层CuI(记为ML-CuI)几种可能的结构:(a)类石墨烯结构，(b)稳定的四原子层结构，(c)夹层结构。(d)稳定的γ相快体结构(记为γ-CuI)。(e-h)声子色散曲线对应于(a-d)所示的结构。给出了部分状态密度(pDOS)。通过测试二维材料的所有可能的结构模式，发现除了如图1(b)所示的弯曲夹层结构外，单层CuI都存在虚频。平面六边形蜂窝结构中的单层CuI，类似于石墨烯和三明治夹层结构，如图1(a,c)所示作为对比示例，其中声子色散中的虚频揭示了其结构的不稳定性[图1(e,f)]。因此，通过考察单层CuI在不同二维结构模式下的稳定性，成功发现单层CuI具有两个弯曲子层的稳定结构，表现出与硅烯相似的特征。优化后的单层CuI晶格常数为a꞊b꞊4.18 Å，与实验结果(4.19 Å)吻合较好。而在空间群为F3m的闪锌矿结构中，得到的优化晶格常数a=b=c=6.08 Å与文献的结果(5.99-6.03 Å)吻合较好。此外，LDA泛函优化得到的单层CuI和γ-CuI的晶格常数分别为4.01和5.87 Å，为此后续计算都基于更准确的PBE泛函。通过观察晶格振动的投影态密度，发现Cu和I原子在不同频率下的贡献几乎相等。此外，光学声子分支之间存在带隙[图1(g)]，这可能导致先前报道的光学声子模式散射减弱。相反，在γ-CuI中不存在声子频率带隙[图1(h)]。图2. 热导率及相关参数的收敛性测试。(a)原子间相互作用随原子距离的变化。(b)热导率对截断距离的收敛性。彩色椭圆标记收敛值。(c)热导率相对于Q点的收敛性。(d)单层CuI和γ-CuI的热导率随温度的函数关系。在稳定结构的基础上，比较研究了单层CuI和γ-CuI的热输运性质。基于原子间相互作用的分析验证了热导率的收敛性[图2(a)]。如图2(b)所示，热导率随着截止距离的增加而降低，其中出现了几个阶段。热导率的下降是由于更多的原子间相互作用和更多的声子-声子散射。注意，当截止距离大于6 Å时，热导率仍呈下降趋势，说明CuI单层中长程相互作用的影响显著。这种长程的相互作用通常存在于具有共振键的材料中，如磷烯和PbTe。通过收敛性测试，预测单层CuI在300 K时的热导率为0.116 W m-1K-1[图2(c)]，这是接近空气热导率的极低值。单层CuI的超低热导率远远低于大多数已知的半导体。此外，计算得到的γ-CuI的热导率为0.997 W m-1K-1，与Yang等的实验结果~0.55 W m-1K-1基本吻合，值得注意的是Yang等人的实验结果测量了多晶态γ-CuI。此外，单层CuI和γ-CuI的热导率随温度的变化完全符合1/T递减关系[图2(d)]。考虑到温度对热输运的影响，今后研究声子水动力效应对单层CuI热输运特性的影响，特别是在低温条件下，可能是很有意义的。图3. 单层CuI和γ-CuI在300 K的热输运特性。(a)群速度，(b)相空间，(c)声子弛豫时间，(d) Grüneisen参数，(e)尺寸相关热导率的模态分析。(f)平面外方向(ZA)、横向(TA)和纵向(LA)声子和光学声子分支对热导率的贡献百分比。超低导热率的潜在机制可能与重原子Cu和I有关，也可能与单层CuI的屈曲结构有关。声子群速度[图3(a)]和弛豫时间[图3(c)]都较小，而散射相空间[图3(b)]较大。总的来说，单层CuI (1.6055)的Grüneisen参数的绝对总值显著大于γ-CuI (0.4828)。即使在低频下Grüneisen参数没有显著差异[图3(d)]，单层CuI和γ-CuI的声子散射相空间却相差近一个数量级，如图3(b)所示。因此，低频声子弛豫时间的显著差异[图3(c)]在于不同的散射相空间。此外，单层CuI的声子平均自由程(MFP)低于γ-CuI，如图3(e)所示。因此，在单层CuI中产生了超低的热导率，这将有利于电源在可穿戴设备或物联网的应用，具有良好的热电性能。此外，详细分析发现，光学声子模式在单层CuI[图3(f)]中的较大贡献是由于相应频率处相空间相对较小，这是由图1(g)所示的光学声子分支之间的带隙造成的。图4. 单层CuI的电子结构。(a)单层CuI和(h)γ-CuI的电子能带结构，其中电子局部化函数(ELF)以插图形式表示。(b-d)单层CuI和(i)γ-CuI的轨道投影态密度(pDOS)。(e)透射系数，(f)吸收系数，(g)反射系数。在验证了CuI单层结构稳定的情况后，进一步研究其电子结构，如图4(a)所示。利用PBE泛函，预测了单层CuI的直接带隙，导带最小值(CBM)和价带最大值(VBM)都位于Gamma点。PBE预测其带隙为2.07 eV。我们利用HSE06进行了高精度计算，得到带隙为3.57 eV。如图4 (h)所示，单层CuI的带隙(3.57 eV)大于体γ-CuI的带隙(2.95 eV)，这与Mustonen, K.等报道的3.17 eV非常吻合，使单层CuI成为一种很有前景的直接宽频带隙半导体。此外，VBM主要由Cu-d轨道贡献，如图4(b-d)的pDOS所示。能带结构、pDOS和ELF揭示的电子特性的不同行为是单层CuI和γ-CuI不同热输运性质的原因。电子结构对光学性质也有重要影响。如图4(e-g)所示，在0 - 7ev的能量范围内，单层CuI的吸收系数[图4(f)]和折射系数[图4(g)]不断增大，说明单层CuI在该区域的吸收和折射能力增强。相应的，随着透射系数的减小，单层CuI的光子传输能力[图4(e)]也变弱。当光子能量大于7 eV时，CuI的吸收和折射系数开始显著减弱，最终在8 eV的能量阈值处达到一个平台。值得注意的是，与声子的吸收和传输能力相比，单层CuI对光子的反射效率较低，最高不超过2%。对于光子吸收，单层CuI的工作区域在5.0 - 7.5 eV的能量范围内，而可见光的光子能量在1.62 - 3.11 eV之间。显然，CuI的主要吸收光是紫外光，高达20%。

半导体业务中的典型供应链， 显示了需要材料表征、材料选择、质量控制、工艺优化和失效分析的不同工艺步骤热分析在半导体封装行业中有不同的应用。使用的封装材料通常是环氧基化合物（环氧树脂模塑化合物、底部填充环氧树脂、银芯片粘接环氧树脂、圆顶封装环氧树脂等）。具有优异的热稳定性、尺寸稳定性以及良好户外性能的环氧树脂非常适合此类应用。固化和流变特性对于确保所生产组件工艺和质量保持一致具有重要意义。通常，工程师将面临以下问题：特定化合物的工艺窗口是什么？如何控制这个过程？优化的固化条件是什么？如何缩短循环时间？珀金埃尔默热分析仪的广泛应用可以提供工程师正在寻找的答案。差示扫描量热法(DSC)此项技术最适合分析环氧树脂的热性能，如图1所示。测量提供了关于玻璃化转变温度(Tg)、固化反应的起始温度、固化热量和工艺最终温度的信息。图 1. DSC曲线显示环氧化合物的固化特征DSC可用于显示玻璃化转变温度，因为它在给定温度下随固化时间（图2）的变化而变化。图 2. DSC 曲线显示玻璃化转变温度随着固化时间的延长而逐渐增加玻璃化转变温度(Tg)是衡量环氧化合物交联密度的良好指标。事实上，过程工程师可以通过绘制玻璃化转变温度与不同固化温度下固化时间的关系图来确定最适合特定环氧化合物的工艺窗口（图3）。图 3. 玻璃化转变温度与不同固化温度下的固化时间的关系如果工艺工程师没有测试这些数据，则生产过程通常会导致产品质量低下，如图4所示。图 4. 玻璃化转变温度与不同固化温度下的固化时间的关系在本例中，制造银芯片粘接环氧树脂使用的固化条件处于玻璃化转变温度与时间的关系曲线的上升部分（初始固化过程）。在上述条件下，只要固化时间或固化温度略有改变，就有可能导致结果发生巨大变化。结果就是组件在引脚框架和半导体芯片之间容易发生分层故障。通过使用功率补偿DSC（例如珀金埃尔默的双炉DSC），生成上述玻璃化转变温度与温度 / 时间关系曲线，可确定最佳工艺条件。使用此法，即使是高度填充银芯片粘接环氧树脂的玻璃化转变也可以被检测出。这些数据为优化制造工艺提供了极有帮助的信息。使用DSC技术，可以将固化温度和时间转换至160° C和2.5小时，以此达到优化该环氧树脂固化条件的目的。这一变化使过程稳定并获得一致的玻璃化转变温度值。在珀金埃尔默，DSC不仅被用于优化工艺，而且还通过监测固化产物的玻璃化转变温度值，发挥质量控制工具的作用。DSC 8000 差示扫描量热仪DSC 还可以用于确定焊料合金的熔点。用DSC分析含有3%（重量比）铜(Cu)、银(Ag)或铋(Bi)的锡合金。图5中显示的结果表明，不同成分的合金具有非常不同的熔点。含银合金在相同浓度（3%（重量比））下熔点最低。图 5. DSC：不同焊接合金在不同湿度环境下的熔点分析热重分析(TGA)珀金埃尔默热分析仪有助于设计工程师加深对材料选择的理解。例如，珀金埃尔默TGA 8000® （图6）可以检测出非常小的重量变化，并可用于测量重要的材料参数，如脱气性能和热稳定性。这将间接影响组件的可焊性。图7显示了在230°C 和260° C下具有不同脱气性能的两种环氧树脂封装材料。重量损失（脱气）程度越高，表明与引脚框架接触的环氧树脂密封剂的环氧—引脚框架分离概率越高。图 6. 珀金埃尔默TGA 8000图 7. TGA结果显示两种材料具有不同的脱气性能热机械分析(TMA)当材料经受温度变化时，TMA可精确测量材料的尺寸变化。对于固化环氧树脂体系，TMA可以输出热膨胀系数(CTE)和玻璃化转变温度。环氧树脂的热膨胀系数是非常重要的参数，因为细金线嵌入环氧化合物中，并且当电子元件经受反复的温度循环时，高热膨胀系数可能导致电线过早断裂。不同热膨胀系数之间的拐点可以定义为玻璃化转变温度（图8）。TMA还可以用于确定塑料部件的软化点和焊料的熔点。图 8. 显 TMA 4000 测试的典型的 TMA 图动态力学分析(DMA)选择材料时，内部封装应力也是关键信息。将DMA与 TMA技术结合，可以获得关于散装材料内应力的定量信息。DMA测量材料的粘弹性，并提供不同温度下材料的模量，具体如图9所示。当材料经历热转变时，模量发生变化，使分析人员能够轻松指出热转变，如玻璃化转变温度、结晶或熔化。图 9. DMA 8000 测试的典型的 DMA 图热分析仪用于ASTM® 和IPC材料标准试验、质量控制和材料开发。图10显示了一个涉及热分析仪的IPC试验。珀金埃尔默DMA目前已在半导体行业得到广泛应用。图 10. DMA：显示透明模塑化合物的内应力热分析仪是半导体封装行业的重要工具。它们不仅在设计和开发阶段发挥了重要作用，而且还可用于进行故障分析和质量控制。许多标准方法都对热分析的使用进行了描述（图11）。使用珀金埃尔默热分析仪，用户可以优化加工条件并选择合适的材料以满足性能要求，从而确保半导体企业能够生产出高品质的产品。考虑到此类分析可以节省大量成本，热分析仪无疑是一项“必备”试验设备！图 11. 用于标准方法的热分析仪

失效分析是芯片测试重要环节，无论对于量产样品还是设计环节亦或是客退品，失效分析可以帮助降低成本，缩短周期。常见的半导体失效都有哪些呢？下面为大家整理一下：显微镜分析OM无损检测金相显微镜OM：可用来进行器件外观及失效部位的表面形状，尺寸，结构，缺陷等观察。金相显微镜系统是将传统的光学显微镜与计算机（数码相机）通过光电转换有机的结合在一起，不仅可以在目镜上作显微观察，还能在计算机（数码相机）显示屏幕上观察实时动态图像，电脑型金相显微镜并能将所需要的图片进行编辑、保存和打印。金相显微镜可供研究单位、冶金、机械制造工厂以及高等工业院校进行金属学与热处理、金属物理学、炼钢与铸造过程等金相试验研究之用，实现样品外观、形貌检测 、制备样片的金相显微分析和各种缺陷的查找等功能。体视显微镜OM无损检测体视显微镜，亦称实体显微镜或解剖镜。是一种具有正像立体感的目视仪器，从不同角度观察物体，使双眼引起立体感觉的双目显微镜。对观察体无需加工制作，直接放入镜头下配合照明即可观察，成像是直立的，便于操作和解剖。视场直径大，但观察物要求放大倍率在200倍以下。体视显微镜可用于电子精密部件装配检修，纺织业的品质控制、文物 、邮票的辅助鉴别及各种物质表面观察等领域，实现样品外观、形貌检测 、制备样片的观察分析、封装开帽后的检查分析和晶体管点焊检查等功能。X－Ray无损检测X-Ray是利用阴极射线管产生高能量电子与金属靶撞击，在撞击过程中，因电子突然减速，其损失的动能会以X-Ray形式放出。而对于样品无法以外观方式观测的位置，利用X-Ray穿透不同密度物质后其光强度的变化，产生的对比效果可形成影像，即可显示出待测物的内部结构，进而可在不破坏待测物的情况下观察待测物内部有问题的区域。X-Ray可用于产品研发，样品试制，失效分析，过程监控和大批量产品观测等，实现观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板，观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况，芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装缺陷，以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷等功能。C-SAM（超声波扫描显微镜)无损检测超声扫描显微镜是一种利用超声波为传播媒介的无损检测设备。在工作中采用反射或者透射等扫描方式来检查材料内部的晶格结构，杂质颗粒、夹杂物、沉淀物、内部裂纹、分层缺陷、空洞、气泡、空隙等。I/V Curve量测可用于验证及量测半导体电子组件的电性、参数及特性。比如电压-电流。集成电路失效分析流程中，I/V Curve的量测往往是非破坏分析的第二步（外观检查排在第一步），可见Curve量测的重要性。I/V Curve量测常用于封装测试厂，SMT领域等，实现Open/Short Test、 I/V Curve Analysis、Idd Measuring和Powered Leakage（漏电）Test功能。SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸）扫描电镜（SEM）SEM/EDX（形貌观测、成分分析）扫描电镜（SEM）可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。EDX是借助于分析试样发出的元素特征X射线波长和强度实现的，根据不同元素特征X射线波长的不同来测定试样所含的元素。通过对比不同元素谱线的强度可以测定试样中元素的含量。通常EDX结合电子显微镜（SEM）使用，可以对样品进行微区成分分析。在军工，航天，半导体，先进材料等领域中，SEM/EDX（形貌观测、成分分析）扫描电镜（SEM）可实现材料表面形貌分析，微区形貌观察，材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析，薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析，纳米尺寸量测及标示和微区成分定性及定量分析等功能EMMI微光显微镜微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言，微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP（Electron Hole Pairs）Recombination会放出光子（Photon）。如在P-N结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴（或N端的电子）做EHP Recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面，微光显微镜可分析P-N接面漏电；P-N接面崩溃；饱和区晶体管的热电子；氧化层漏电流产生的光子激发；Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题Probe Station 探针台测试探针台主要应用于半导体行业、光电行业。针对集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本，可用于Wafer，IC测试，IC设计等领域。FIB（Focused Ion beam）线路修改FIB（聚焦离子束，Focused Ion beam）是将液态金属离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像，此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似，或用强电流离子束对表面原子进行剥离，以完成微、纳米级表面形貌加工。在工业和理论材料研究，半导体，数据存储，自然资源等领域，FIB可以实现芯片电路修改和布局验证、Cross-Section截面分析、Probing Pad、 定点切割、切线连线，切点观测，TEM制样，精密厚度测量等功能。失效分析前还有一些必要的样品处理过程。取die用酸法去掉塑封体，漏出die decap（开封，开帽）利用芯片开封机实现芯片开封验证SAM，XRAY的结果。Decap即开封，也称开盖，开帽，指给完整封装的IC做局部腐蚀，使得IC可以暴露出来，同时保持芯片功能的完整无损，保持 die，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受损伤，为下一步芯片失效分析实验做准备，方便观察或做其他测试（如FIB，EMMI）， Decap后功能正常。化学开封Acid DecapAcid Decap，又叫化学开封，是用化学的方法，即浓硫酸及发烟硝酸将塑封料去除的设备。通过用酸腐蚀芯片表面覆盖的塑料能够暴露出任何一种塑料IC封装内的芯片。去除塑料的过程又快又安全，并且产生干净无腐蚀的芯片表面。研磨RIERIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。 自动研磨机自动研磨机适用于高精微（光镜，SEM，TEM，AFM，ETC）样品的半自动准备加工研磨抛光，模块化制备研磨，平行抛光，精确角抛光，定址抛光或几种方式结合抛光，主要应用于半导体元器件失效分析，IC反向等领域，实现断面精细研磨及抛光、芯片工艺分析、失效点的查找等功能。 其可以预置程序定位切割不同尺寸的各种材料，可以高速自动切割材料，提高样品生产量。其微处理系统可以根据材料的材质、厚度等调整步进电动机的切割距离、力度、样品输入比率和自动进刀比率等。去金球 De-gold bump,去层,染色等，有些也需要相应的仪器机台，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray观察封装内部情况以及分层失效。除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段，原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF － SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统，能量损失 X 光微区分析系统等很多手段，不过这些项目不是很常用。芯片失效分析步骤:1、非破坏性分析：主要是超声波扫描显微镜（C-SAM）--看有没delamination，xray--看内部结构，等等；2、电测：主要工具，万用表，示波器，sony tek370a3、破坏性分析：机械decap，化学 decap芯片开封机4、半导体器件芯片失效分析 芯片內部分析，孔洞气泡失效分析（原作者：北软失效分析赵工）

随着半导体技术的进步，设备微型化和集成化程度不断提高，对制造环境的要求也越来越高。特别是在先进工艺节点（如7nm、5nm及更小节点）中，高TOC（总有机碳）水平可能导致晶圆表面污染，从而引发缺陷，影响最终产品的性能和良品率。因此，加强TOC监控已成为半导体制造过程中的重要环节。在半导体制作工艺中,80%以上的工序要经过化学处理，而每一道化学处理都离不开超纯水，用于半导体工艺的超纯水，根据美国ASTM D5127-2013（2018）标准，一级电子级别水的TOC通常要求低于5ppb，GB/T 11446.1-2013要求一级电子级水低于20ppb。同时，生产工艺过程中电镀液有机污染物的控制也很重要，不能超过一定的限值（3000-5000ppm）从而保证PCB（印制电路板）的品质。半导体行业TOC分析难点：超纯水中低TOC浓度的准确测定电镀液中高TOC浓度高盐样品的准确测定不同数量级浓度样品不能一次测定维护成本高、耗材贵德国耶拿解决方案：难点突破1：VITA流量管理系统氧化过程中会引起气体流速波动，德国耶拿采用VITA流量控制系统，集成式高性能气体控制盒确保稳定的气体流速，通过电子控制实时调整气体流量计数，有效的补偿流速波动。可以实现高达20ml的大体积进样，显著提高痕量分析范围内测定结果的精密度和灵敏度，检出限低至ppb级别。案例一：超水TOC测定对超纯水样品进行直接测定，SD为0.272 μg/L ,检出限为3SD=0.816 μg/L，远低于国家对一级电子水的限值要求，可以满足超纯水中低TOC含量的准确测定。难点突破2：可靠高效的样品消解系统+高聚焦NDIR检测器高能长效紫外消解系统，采用高能双波长紫外氧化254+185nm波长，更高能量，保证样品完全消解为 CO2。德国耶拿首创的高聚焦NDIR检测器，改变了传统光源需要通过管壁折射后到达检测器的设计，平行光源无机械移动、能量无损失、量程宽，测量范围0-30000mg/L，满足高TOC浓度高盐样品等多种类型样品的测试需求。案例二：电镀液中TOC测定对3个电镀液样品进行直接测定，同时电镀液2#和电镀液3#做100ppm和1000ppm的加标回收率实验，从实验结果可以看出，结果重复性佳，电镀液2#和电镀液3的加标回收率为103%和101%，说明仪器对于高浓度的电镀液能准确测定，耐盐性好。难点突破3：一个测试方法同时连接3条标准曲线为了解决不同梯度样品只能连接一条曲线，或是需要对样品进行稀释和富集的前处理繁琐工作，我们设计了一个测试方法可以同时连接低中高浓度的标准曲线的功能，仪器会自动匹配合适的曲线，使测试结果更加准确可靠；同时，我们也提供同个样品盘选择不同方法的功能，满足您测试的需求，大大减少前处理的时间。难点突破4：少耗材+开放性试剂高能长效紫外灯和高聚焦NDIR检测器，寿命长，低故障，低损耗，低维护。采用半导体物理制冷模块去除水分，无耗材；电路和液体完全分开，客户可以放心自己更换耗材，无需专业工程师上门。测试用到的试剂均为开放试剂，可以自行购买，成本低，经济实惠。综上，德国耶拿multi N/C 总有机碳分析仪是半导体行业品控好帮手，可以有效控制半导体生产过程中TOC水平，维持化学工艺的稳定性，降低因缺陷造成的返工和材料浪费，提高最终产品的性能和良品率。更多精彩敬请期待～

p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　当今时代，以人工智能、5G、移动通信、物联网、区块链等为代表的新一代信息技术突飞猛进，给社会生产方式和人们生活都带来了翻天覆地的变化，而这些新技术，离不开半导体行业和芯片科技的发展。6月15日，比亚迪发布公告宣称，比亚迪半导体将引入SK、小米、招银等多家战投合计8亿元投资。而在此前的5月底，红杉、中金等14位投资者，已向其注入19亿元投资。可见，半导体产业链正在引发越来越多的关注，新一轮的发展机遇扑面而来。 br/ /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　先进的半导体生产工艺离不开先进的材料检测表征手段。6月26-29日，半导体行业盛会SEMICON China 2020在上海新国际博览中心举行，全球最大的分析仪器制造商之一珀金埃尔默，携全面的半导体行业解决方案，以及最新的无机元素分析利器，业界首款化学高分辨多重四极杆ICP-MS NexION& reg 5000精彩亮相。展会现场，我们采访了珀金埃尔默应用市场高级产品经理朱敏，请他介绍珀金埃尔默在半导体行业检测中的布局及其先进的分析检测技术如何助力半导体行业发展。 /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 400px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202007/uepic/129ba450-d218-47aa-94bf-d589e8d8e64c.jpg" title=" 微信图图.jpg" alt=" 微信图图.jpg" width=" 600" height=" 400" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　半导体行业是电子信息产业的基础，更先进的芯片一直是行业的核心追求之一。在指甲盖大小的芯片上可能集合了近万米金属线和几千万甚至上亿根晶体管，这犹如在一粒沙上建造一座城市，对集成电路芯片生产工艺提出了很高的要求。在半导体器件制造过程中，对痕量元素杂质的控制会直接影响半导体产品的良品率。这要求对半导体制程中的晶圆、超纯水、化学试剂、光刻胶、电子特气等进行严格的无机元素检测。目前，根据最新的制程要求，SEMI(国际半导体设备和材料协会)Grade 5 标准，半导体用超纯水本底要求为小于1ppt水平，所有超纯化学品中关键无机元素离子小于10ppt，更有半导体生产企业依据其制程工艺，提出需达到5ppt甚至更低的水平。 /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 500px height: 500px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202007/uepic/90d4f3d1-7f76-405a-b132-5d2641cabe9b.jpg" title=" 5000.png" alt=" 5000.png" width=" 500" height=" 500" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center line-height: 1.5em " 　　NexION sup & reg /sup 5000 化学高分辨多重四极杆ICP-MS /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　珀金埃尔默为满足严苛的痕量元素、超痕量元素检测而开发的NexION 5000，具有业内独有的四组四极杆设计，结合碰撞反应池技术，可提供超低的背景等效浓度、优异的检出能力和基体耐受性，可实现高准确度和高可重现性的分析结果。其四组四极杆质谱平台和四路碰撞反应气，可以依据不同的应用需求，简单、灵活地进行选择，在性能上较现有的高分辨HR-ICP-MS、传统三重四极杆和单四极杆ICP-MS均有质的提升，可满足半导体行业越来越严苛的工艺质控要求。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　 strong 以化学品硫酸分析为例 /strong ，它在半导体晶片清洗、半导体晶片蚀刻方面应用广泛，但98%的硫酸粘度为27cP，未经稀释直接引入ICP-MS 进行分析会存在物理干扰，一般需要稀释10倍后再进行分析，因此，其要求的元素需要满足小于1ppt。这对于一些因硫酸基质带来的质谱干扰较大的元素如Ti、Zn的检测则非常困难。同时，硫酸的强腐蚀性，对ICP-MS仪器的长久稳定分析也提出了很高的要求。“而NexION 5000在检测化学品硫酸中的Ti和Zn含量时，可满足SEMI Grade 5所提出的 & lt 10ppt 要求，同时在热等离子体条件下展现很强的基体耐受性，其长时间运行性能也非常优秀。”朱敏介绍说。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　 strong 再例如被广泛地用于半导体器件生产中所有湿法工艺步骤的超纯水。 /strong 在这些步骤中，超纯水可能会吸收污染物并沉淀到硅表面。在SEMI F63-0918《半导体加工中超纯水使用指南》中，除B(50ppt)和Ni(3ppt)外，26种金属污染物的目标值应小于1ppt。NexION 5000通过各四极杆的不同质量分辨能力和工作模式，在等离子体更加强健的热等离子体条件下，结合碰撞反应池技术，可实现化学高分辨，获得终极干扰消除，26种关键金属元素的背景等效浓度小于0.5ppt，而对于硅、硫等非金属元素检出能力也非常突出。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　 strong 抛光材料中悬浮物纳米颗粒的尺寸分布特征 /strong ，以及大颗粒的辨别，是光刻过程中质量控制的重要方面，同时晶片清洗所使用的化学品中潜存的纳米颗粒，都会影响芯片质量。NexION系列 ICP-MS超快速的瞬时采集能力(达10,0000点每秒)，可快速扫描和分析识别纳米颗粒、获得颗粒浓度、大小和分布信息，协助工艺生产。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　朱敏表示， strong 集成电路行业金属杂质检测目前面临的主要挑战来自于两方面， /strong 一是对常见样品的分析能力，包括检出能力和该检出能力实现的难易程度与可靠性 另一方面就是一些新兴需求的解决方案，如在线化学品、纳米颗粒、气体元素杂质的直接进样分析等。以常见样品，如化学品硫酸为例，现有的技术手段存在单次样品分析时间过长、部分关键元素检出能力不强、部分元素稳定性不佳以及需要频繁清洗维护仪器等不足，珀金埃尔默NexION 5000很好地解决了这些问题。对于新兴的客户需求，珀金埃尔默也积极开发方案，如气体元素杂质的直接进样技术，目前该技术已在该领域多家龙头企业中得到了应用。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　 strong 多技术提供半导体全面解决方案 /strong /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　除痕量元素检测之外，半导体行业中使用的有机化合物的纯度和杂质的含量，以及这些有机化合物挥发到空气中形成的气态分子污染物(AMC)也会影响到产品质量。这对有机化合物的质量控制，以及实时空气中AMC的在线监控提出了更高要求。珀金埃尔默的气相色谱/质谱联用可高效高灵敏度地检测有机化合物的质量，并且还可以搭配热脱附仪，实现洁净室或生产区域内空气中AMC的在线或离线采集进样，并检测出空气中极低浓度(& lt ppb)的有机污染物。而对于芯片封装过程中广泛的材料表征需求，以及显示面板、光伏电池、光学薄膜等领域，珀金埃尔默可提供傅里叶变换红外光谱仪、红外显微镜、紫外可见近红外分光光度计、差示扫描量热仪、热机械分析仪等产品，用于测定固化率、固化热、热膨胀系数、透光率、反射率、微观污染物、成分浓度等，为客户提供全面的解决方案。 /p p style=" text-align: center" img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202007/uepic/54908695-dd8b-4a87-a2ad-ed55595caec5.jpg" title=" GC.png" alt=" GC.png" / /p p style=" text-align: center line-height: 1.5em " strong 珀金埃尔默气质联用仪及热脱附-气相色谱/质谱 /strong /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　化学分析与检测对集成电路生产非常重要，它们为确保芯片生产质量，改善良品率，提供敏锐的“眼睛”。前不久，业界就发生过因光刻胶中相关金属离子不达标从而引起几亿美金损失的惨痛教训。珀金埃尔默在半导体行业的检测方案囊括了无机元素与纳米颗粒检测、AMC及VOCs等有机物检测以及IC封装中材料检测等方面。“我们期待与用户一同，引进和开发更多有针对性的应用方案，用先进的技术和可靠的仪器为客户带来实实在在的帮助，助力中国半导体行业的发展。” /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　后记： /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　半导体作为新材料的重要组成部分，是世界各国为发展电子信息产业而关注的重中之重。机遇与挑战并存的中国半导体产业正在努力提升核心竞争力，向产业链上下游延伸。未来可期，让我们拭目以待。 /p p br/ /p

01 两种通量选择CCEasy全自动高通量细胞计数分析仪镁伽CCEasy全自动高通量细胞计数分析仪，以高通量细胞分析技术为核心，兼容台盼蓝、荧光（AO/PI）两种染色方式，能自动化完成细胞计数、活率检测及生长情况分析，实现高效率、高质量、标准化的活细胞在线检测。机型提供24位转盘和96孔板两种选择，支持进行自动化整合，充分满足多领域的细胞分析实验需求。全自动24通量细胞计数分析仪全自动96通量细胞计数分析仪 滑动查看更多 CCEasy的软件系统通过高精度视觉检测系统结合智能主动学习Al算法，能在短时间内对多细胞样本进行高精度识别和计算，为细胞分析和质量控制提供更加可靠的自动化解决方案！02 全流程自动化无需人工介入，让细胞计数分析更智能标准高效全程标准化检测，无需人工介入，兼容24位转盘或96孔板不间断连续测样；无需设置细胞参数，即可准确识别细胞状态和数量。快速灵敏解放双手，预置试剂包，无需人工混合染料与样品；检测耗时短，1min内即可完成单个样品的制备及检测。智能管理多级用户、多级权限管理，支持电子签名、电子记录存档，符合FDA21 Part11要求。降本增效内置可长期持续使用的检测池，无需一次性细胞计数板，帮助客户节省耗材成本。 细胞计数分析仪运行流程 03 数据验证符合GMP规范，细胞质量控制更可靠标准颗粒梯度测试结果通过CCEasy细胞计数分析仪测试多种稀释倍数下标准颗粒的数量，测试数据呈现良好线性趋势，R2高达0.998，表明CCEasy细胞计数仪具有良好的准确性和一致性。以下分别为镁伽CCEasy24通道细胞计数仪测试数据和96通道细胞计数仪测试数据。多细胞样本直径测定通过CCEasy细胞计数仪对多细胞样本的直径进行测试，结果显示，通过24通道和96通道的细胞计数仪测量细胞直径，两台设备测量结果偏差非常小，具有良好的重复性。

前言芯片封装的主要目的是为了保护芯片，使芯片免受苛刻环境和机械的影响，并让芯片电极和外界电路实现连通，如此才能实现其预先设计的功能。常用的一种封装技术是包封或密封，通常采用低温的聚合物来实现。例如，导电环氧银胶用于芯片和基板的粘接，环氧塑封料用于芯片的模塑封，以及底部填充胶用于倒装焊芯片与基板间的填充等。主要的封装材料、工艺方法及特性如图1所示。包封必须满足一定的机械、热以及化学特性要求，不然直接影响封装效果以及整个器件的可靠性。流动和粘附性是任何包封材料都必须优化实现的两个主要物理特性。在特定温度范围内的热膨胀系数（CTE）、超出可靠性测试范围（-65℃至150℃）的玻璃化转变温度（Tg）对封装的牢固性至关重要。对于包封，以下要求都是必须的：包封材料的CTE和焊料的CTE比较接近以确保两者之间的低应力；在可靠性测试中，玻璃转化温度（Tg）能保证尺寸的稳定性；在热循环中，弹性模量不会导致大的应力；断裂伸长率大于1%；封装材料必须有低的吸湿性。但是，这些特性在某种类型的环氧树脂里并不同时具备。因此，包封用的环氧树脂是多种环氧的混合物。表1列出了倒装焊底部填充胶的一些重要的特性。随着对半导体器件的性能要求越来越高，对封装材料的要求同步提高，尤其是在湿气的环境下，性能评估和热失效分析更是至关重要，而这些都可以通过热分析技术给予准确测量，并可进一步用于工艺的CAE模拟仿真，帮助准确评估封装质量的优劣与否。表1 倒装焊中底部填充胶的性能要求[1]图1. 主要封装材料、工艺方法及特性[2]热性能检测梅特勒托利多全套热分析技术为半导体封装材料的性能评估和热失效分析提供全面、创新的解决方案。差示扫描量热仪DSC可以精准评估封装材料的Tg、固化度、熔点和Cp，并且结合行业内具有优势的动力学模块（非模型动力学MFK）可以高精准评估环氧胶的固化反应速率，从而为Moldex 3D模拟环氧塑封料、底部填充胶的流动特性提供可靠的数据。如图2所示，在非模型动力学的应用下，环氧胶在180℃下所预测的固化速率与实际测试曲线所表现出的固化行为具有非常高的一致性。热重TGA或同步热分析仪TGA/DSC可以准确测量封装材料的热分解温度，如失重1%时的温度，以及应用热分解动力学可以评估焊料在一定温度下的焊接时间。热机械分析仪TMA可以精准测量封装材料的热膨胀、固化时的热收缩、以及CTE和Tg，动态机械分析仪DMA提供封装材料准确的弹性模量、剪切模量、泊松比、断裂伸长率等力学数据，进一步可为Moldex 3D模拟芯片封装材料的翘曲和收缩提供可靠数据来源。图2. DSC结合非模型动力学评估环氧胶的固化反应速率检测难点1、 凝胶时间凝胶时间是Moldex 3D模拟环氧塑封料、底部填充胶流动特性的非常重要的数据来源之一。目前，行业内有多种测试凝胶时间的方法和设备。比如利用拉丝原理的凝胶时间测试仪，另有国家标准GB 12007.7-89环氧树脂凝胶时间测定方法[3]，即利用标准柱塞在环氧树脂固化体系中往复运动受阻达到一个值而指示凝胶时间。但是，其对柱塞的形状和浮力要求较高，测试样品量也很大，仅适用于在试验温度下凝胶时间不小于5 min的环氧树脂固化体系，并且不适用于低于室温的树脂、高粘度树脂和有填料的体系。由此可见，现有测试方法都存在测试误差、硬件缺陷和测试范围有限等问题。梅特勒托利多创新性TMA/SDTA2+的DLTMA（动态载荷TMA）模式结合独家的负力技术可以准确测定凝胶时间。在常规TMA测试中，探针上施加的是恒定力，而在DLTMA模式中，探针上施加的是周期性力。如图3右上角插图所示，探针上施加的力随时间的变化关系，力在0.05N与-0.05N之间周期性变化，这里尤为关键的一点是，测试凝胶时间必须要使用负力，即不仅需要探针往下压，还需要探针能够自动向上抬起。图3所示案例为测试导电环氧银胶的凝胶时间，样品置于40μl铝坩埚内并事先固定在TMA石英支架平台上，采用直径为1.1 mm的平探针在恒定160℃条件下施加正负力交替变换测试。在未发生凝胶固化之前，探针不会被样品粘住，负力技术可使探针自由下压和抬起，测试的位移曲线表现出较大的位移变化。当发生交联固化，所施加的负力不足以将探针从样品中抬起，位移振幅突然减小为0，曲线成为一条直线。通过分析位移突变过程中的外推起始点即可得到凝胶时间。此外，固化后的环氧银胶片，可通过常规的TMA测试获得Tg以及玻璃化转变前后的CTE，如图3下方曲线所示。图3. 上图：TMA/SDTA2+的DLTMA模式结合负力技术准确测定凝胶时间. 下图：固化导电环氧银胶片的CTE和Tg测试.2、 弯曲弹性模量在热循环过程中，弹性模量不会导致过大的应力。封装材料在不同温度下的弹性模量可通过DMA直接测得。日本工业标准JIS C6481 5.17.2里要求使用弯曲模式对厚度小于0.5mm、跨距小于4mm、宽度为10mm的封装基板进行弯曲弹性模量测试。从DMA测试技巧角度来讲，如此小尺寸的样品应首选拉伸模式测试。弯曲模式在DMA中一共有三种，即三点弯曲、单悬臂和双悬臂，从样品的刚度及夹具的刚度和尺寸考虑，三点弯曲和双悬臂并不适合此类样品的测试。因此，单悬臂成为唯一的可能性，但考虑到单悬臂夹具尺寸和跨距小于4mm的要求，市面上大部分DMA难以满足此类测试。梅特勒托利多创新性DMA1另标配了单悬臂扩展夹具，可方便夹持小尺寸样品并能实现最小跨距为1mm的测试。图4为对厚度为40μm的基板分别进行x轴和y轴方向上的单悬臂测试，在跨距3.5mm、20Hz的频率下以10K/min的升温速率从25℃加热至350℃。从tan delta的出峰情况可以判断基板的Tg在241℃左右，以及在室温下的弯曲弹性模量高达12-13GPa。图4. DMA1单悬臂扩展夹具测试封装基板的弯曲弹性模量.3、 湿气对封装材料的影响湿气腐蚀是IC封装失效的主要原因，其降低了器件的性能和可靠性。保存在干燥环境下的封装环氧胶，完全固化后在高温和高湿气环境下也会吸湿发生水解，降低封装体的机械性能，无法有效保护内部的芯片。此外，焊球和底部填充环氧胶之间的粘附强度在湿气环境中放置一段时间后也会遭受破坏。水汽的吸收导致环氧胶的膨胀，并引起湿应力，这是引线连接失效的主要因素。通过湿热试验可以对封装材料的抗湿热老化性能进行系统的评估，进而对其进行改善，提升整体性能。通常是采用湿热老化箱进行处理，然后实施各项性能的评估。因此，亟需提供一种能够提高封装材料湿热老化测试效率的方法。梅特勒托利多TMA/SDTA2+和湿度发生器的联用方案，以及DMA1和湿度发生器的联用方案可以实现双85（85℃、85%RH）和60℃、90%RH的技术参数，这也是行业内此类湿度联用很难达到的技术指标。因此，可以原位在线环测封装材料在湿热条件下的尺寸稳定性和力学性能。图5. TMA/SDTA2+-湿度联用方案测试高填充环氧的尺寸变化.图5显示了TMA-湿度联用方案在不同湿热程序下高填充环氧的尺寸变化。湿热程序分别为20℃、60%RH、约350min，23℃、50%RH、约350min，30℃、30%RH、约350min，40℃、20%RH、约350min，60℃、10%RH、约350min，80℃、5%RH、约350min。可以看出，在60%的高湿环境下高填充环氧在350min内膨胀约0.016%，后续再降低湿度并升高温度，样品主要在温度的作用下发生较大的热膨胀。图6为DMA-湿度联用方案在双85的条件下评估PCB的机械性能的稳定性，测试时间为7天。可以看出，PCB在高湿热的环境下弹性模量有近似6%的变化，这与PCB的树脂材料发生吸湿后膨胀并引起湿应力是密不可分的，并且存在导致器件失效的风险。图6. DMA1-湿度联用方案测试PCB的弹性模量.4、 化学品质量对于封装结果的影响封装过程中会使用到各类的湿电子化学品，尤其是晶圆级封装等先进封装的工艺流程，对于清洗液、蚀刻液等材料的质量管控可以类比晶圆制造过程中的要求，同时针对不同工艺段的化学品浓度等配比都有所不同，因此如何控制使用的电子化学品质量对于封装工艺的效能有着重要的意义。下表展示了部分涉及到的化学品浓度检测的滴定检测方案，常规的酸碱滴定、氧化还原滴定可以基本满足对于单一品类化学品浓度的检测需求。指标电极滴定剂样品量85%H3PO4酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g96%H2SO4酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g70%HNO3酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g36%HCl酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g49%HF特殊耐HF酸碱电极1mol/L NaOH0.3~0.4gDHF（100：1）特殊耐HF酸碱电极1mol/L NaOH20-30g29%氨水酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.9~1.2gECP（acidity）酸碱玻璃电极1mol/L NaOH≈8g29%NH4OH酸碱玻璃电极1mol/L HCl0.5~1gCTS-100清洗液酸碱玻璃电极1mol/L NaOH≈1g表1. 部分化学品检测方法列表另一方面，对于刻蚀液等品类，常常会用到混酸等多种物质混配而成的化学品，以起到综合的反应效果，如何对于此类复杂的体系浓度进行检测，成为实际生产过程中比较大的挑战。梅特勒托利多自动电位滴定仪，针对不同的混合液制订不同的检测方案，如铝刻蚀液的硝酸/磷酸/醋酸混合液，在乙醇和丙二醇混合溶剂的作用下，采用非水酸碱电极针对不同酸液pKa的不同进行检测，得到以下图谱，一次滴定即可测定三种组分的含量。图7. 一种铝刻蚀液滴定曲线结论梅特勒托利多一直致力于帮助用户提高研发效率和质量控制，我们为半导体封装整个产业链提供完整专业的产品、应用解决方案和可靠服务。梅特勒托利多在半导体封装行业积累了大量经验和数据，希望我们的解决方案给半导体封装材料性能评估的工作者带来帮助。参考文献[1] Rao R. Tummala. 微系统封装基础. 15. 密封与包封基础 page 544-545.[2] Rao R. Tummala. 微系统封装基础. 18. 封装材料与工艺基础 page 641.[3] GB12007.7-89：环氧树脂凝胶时间测定方法.（梅特勒-托利多 供稿）

GEHC China 于11月底完成与日本ECI公司CYTORECONTM产品独家经销授权之签订。经销范围包含中国，香港台湾三地。 由日本ECI 公司研发的细胞自动计数分析仪—CYTORECON，透过CCD影像撷取与软件分析，可自动计数细胞，其步骤简单，只需将少量 不 需稀释的细胞悬浮液注入Disk中，CYTORECONTM 即可完成计数，并计算细胞浓度 ，节省 自行 计算的麻烦。CYTORECONTM 使用抛弃式的样品盘 （Disk），可计数二十个检体，省去清洗血球计数盘的麻烦，又可避免生物性污染的发生。 CYTORECONTM 的图像分析软件是利 用细胞之形状及颜色深浅判断是否为细胞，具有较客观的判读标准，不 因不 同人员操作而有差别，可大大降 低人为误差。 CYTORECON特点： 1) 软件辅助自动细胞计数分析及存活细胞判别，测量客观快速 2) 测量体积仅需11uL 3) 采用特制样品盘，无须系统清洗步骤，完全排除样品污染 4) 分析参数： 活细胞数目及浓度，死细胞数目及浓度，总细胞数目及浓度，细胞存活率。 5) 体积小巧，易于操作维护 6) 可保存细胞图像做日后参考 screen.width-300)this.width=screen.width-300"

当前， 我国在半导体领域面临着被“卡脖子”的问题。为了尽快发展国内半导体产业，鼓励自主创新，及早摆脱对进口的依赖，国家陆续出台免税、补贴多项政策大力支持国内半导体产业发展。中国的半导体产业近年来保持着20%以上的高速增长率，据估计2021年国内市场将达到677亿美元。科学仪器在半导体研发中起到关键作用，半导体的纯度、杂质、性能检测都离不开科学仪器，因此越来越多的科学仪器厂商对于半导体领域愈发重视。伴随着政策的支持、资本的注入，国内半导体市场必将成为最具发展潜力的产业之一；随着半导体研发项目的增加及产量的提升，对于科学仪器的需求必将增大，这将直接拉动科学仪器企业半导体领域的仪器销量和业绩，成为备受瞩目的盈利增长点。仪器信息网综合科学仪器在硅材料、光掩模、光刻材料、电子气体、工艺化学品、抛光材料、靶材、封装材料等领域的应用整理了一份仪器清单，近200类仪器或将在伴随着未来半导体行业发展的“黄金十年”而大展拳脚。（以下仪器可能存在并列或包含关系，未进行区分）序号仪器1高频红外碳硫分析仪2高阻仪3高速老化试验箱4高温试验箱5高效液相色谱6高压离子色谱系统7高低温湿热交变试验箱8高低温冲击试验箱9高低温交变湿热试验箱10飞行时间二次离子质谱仪11颗粒仪12频谱分析仪13顶空-气相色谱-质谱联用仪14顶空-气相色谱15非金属膜厚仪16阿贝闪点仪17阳离子色谱仪18针/锥入度仪19金相显微镜20金属膜厚仪21酸开封机22透射电子显微镜23透光率/雾度测定仪24辉光放电质谱仪25超高温差热分析仪26超纯水机27超景深显微系统28超声扫描显微镜29表面缺陷检测系统30表面张力仪31色谱仪32自动研磨机33自动电位滴定仪34自动滴定仪35能量色散型X射线荧光分析仪36聚焦离子束扫描电子显微镜37聚焦离子束场发射扫描电子显微镜38聚焦离子束39耐压测试仪40网络分析仪41维氏硬度计42纳米粒度仪43红外光谱仪44紫外老化箱45紫外/可见分光光度计46精密研磨机47精密切割机48粘着力测试仪49粘度计50等离子聚焦离子束51空气粒子计数器52离子色谱仪53离子研磨仪54磷检区熔炉55磨损测试系统56硝酸提纯仪57研磨机58矢量网络分析仪59矢量信号发生器60直读光谱仪61盐雾试验箱62界面材料热阻及热传导系数测量系统63电热鼓风干燥箱64电感耦合等离子质谱仪65电感耦合等离子发射光谱仪66电感耦合等离子光谱仪67电导率仪68电子天平69电子分析天平70电化学工作站71电位滴定仪72热风回流焊73热重分析仪74热机械分析仪75热常数分析仪76热导气相色谱77热导检测器气相色谱仪78热导分析仪79激光粒度仪80激光粒子计数器81激光散射粒径分布分析仪82激光开封机83激光导热仪84漏电起痕测试仪85温度循环试验箱86混合气体试验箱87液相色谱质谱联用仪88液相色谱仪89液体颗粒计数仪90液体颗粒仪91液体粒子传感器92流变仪93水氧分析仪94水分析仪95水分仪96氧氮氢分析仪97氧弹燃烧离子色谱仪98氧化物膜厚仪99氧分仪100氦离子化气相色谱仪101氦气氟油加压检漏装置102氦检漏仪103氢火焰离子化气相色谱仪104氙灯老化机105气相色谱仪106气相色谱-质谱联用仪107气相色用仪108气体分析仪109显微红外分析仪110数字式硅晶体少子寿命测试仪111放电氦离子化气相色谱仪112摆锤冲击试验机113接触角测量仪114拉力剪切仪115扫描电镜-电子背散射衍射116扫描电镜117扩展电阻测试仪118手动磨抛机119感应偶合等离子质谱仪120恒温恒湿箱121总有机碳检测仪122快速高低温湿热交变试验箱123微量水分仪124微量氧分析仪125微波消解仪126微机控制万能（拉力）试验机127微控数显电加热板128微探针台129影像仪130库伦法卡尔费休水分仪131库仑法卡氏水分测定仪132库仑水分滴定仪133差示扫描量热仪134少子寿命分析仪135导电型号测试仪136密度仪137多参数测量仪138多功能颗粒计数仪139塑料摆锤冲击试验机140场发射扫描电镜141四探针阻抗仪142台阶仪143台式BSE扫描电子显微镜144可编程晶体管曲线图示仪145可焊性测试仪146原子力显微镜147单面抛光机148半导体参数测试仪149动态热机械分析仪150凝胶渗透色谱151冷热冲击试验箱152冷场扫描电镜153关键尺寸扫描电子显微镜154全自动色度测试仪155光学金相显微镜156光学膜厚仪157傅立叶变换近红外光谱仪158傅立叶变换红外光谱仪159低温试验箱160低温傅立叶变换红外光谱仪161二维X射线检测仪162两探针电阻率测试仪163三重四极杆ICPMS164三维立体成像X射线显微镜165三维光学轮廓仪166三坐标测量机167万能试验机168万能推拉力试验机169α-粒子计数器170X射线检测仪171X光电子能谱仪172TOC仪173纳米粒度仪174PH计175EMI扫描台176单面抛光机177CNC视像测量系统(三次元)1788寸化学机械研磨机台1793D立体显微镜18012寸晶圆缺陷检测机18112寸化学机械研磨机台182三参数测定仪可预见的是，以上仪器必将在未来的半导体领域大有可为，同时仪器厂商对于半导体板块的竞争和细分市场争夺也必将更加激烈。

2023年10月18-20日，仪器信息网(www.instrument.com.cn) 与电子工业出版社将联合主办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会。iCSMD 2023会议围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件的材料分析、失效分析、可靠性测试、缺陷检测和量测等热点分析检测技术，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。本次大会分设：半导体材料分析技术新进展、可靠性测试技术新进展、半导体失效分析技术、缺陷检测和量测技术4个主题专场，诚邀业界人士报名参会。主办单位：仪器信息网，电子工业出版社参会方式：本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/或扫描二维码报名“半导体材料分析技术新进展”专场预告（注:最终日程以会议官网为准）时间报告题目演讲嘉宾专场1：半导体材料分析技术新进展（10月18日）专场主持暨召集人：汪正 中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员9:30等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究汪正（中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员）10:00有机半导体材料的质谱分析技术王昊阳（中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师）10:30牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展马岚（牛津仪器科技（上海）有限公司 应用工程师）11:00氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究（拟）王涛（北京大学 高级工程师）11:30集成电路材料国产化面临的性能检测需求王轶滢（上海集成电路材料研究院 性能实验室总监）午休14:00离子色谱在高纯材料分析中的应用李青（中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员）14:30拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用刘争晖（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师）15:00半导体—离子色谱检测解决方案王一臣（青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理）15:30共宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授）嘉宾简介及报告摘要（按分享顺序）汪正 中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员【个人简介】汪正，博士，中国科学院上海硅酸盐研究所研究员、博士生导师、材料谱学组分表征与应用课题组组长。研究方向为原子光谱/质谱/色谱基础和应用研究、光谱质谱新型仪器的研发和先进材料制备表征及在分析化学和环境化学的应用研究。曾先后负责科技部国家仪器研制重大专项、国家自然科学青年和面上基金、中科院仪器研制项目、中科院仪器设备功能开发技术创新项目和上海科委基金等。是国际期刊《Atomic Spectroscopy》、《Chinese Chemical Letters》和《光谱学与光谱分析》期刊编委。以第一和通讯作者在国内外同行认可的高水平期刊Anal. Chem., J. Anal. At. Spectrom.，Spectrochim. Acta Part B，Anal. Chim. Acta 等发表论文100 余篇，出版学术专著2 部，建立国家标准3 项，获授权专利17项。2010 和2018 年两次获得中国分析测试协会科学技术奖励（排名均为第一）。报告题目：等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究【摘要】材料是制造业的基础，高纯材料是半导体制造业的最重要环节之一，高纯材料的纯度分析与表征是纯化工艺中的一个重要环节，对材料性质研究和工艺改进至关重要。本报告主要介绍电感耦合等离子体质谱法在高纯有机/无机半导体用材料方向的工作。王昊阳 中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师【个人简介】2000年本科毕业于中国药科大学药学院药物分析专业；2003年获得中国药科大学与上海有机化学研究所联合培养硕士学位；2006年获得中国科学院上海有机化学研究所的博士学位；后前往德国奥尔登堡大学化学系博士后；2008年开始任中国科学院上海有机化学研究所，副研究员；2017年–至今担任中国科学院上海有机化学研究所公共技术服务中心质谱组课题组长。报告题目：有机半导体材料的质谱分析技术【摘要】根据有机半导体材料领域具体的测试需求和测试对象的不同，建立体系化的质谱分析方法与手段，结合顶空气相色谱对挥发性有机物进行分析，结合ESI以及(AP-)MALDI对小分子有机半导体材料进行表征与分析，再结合热裂解分析对有机半导体材料中的聚合物及其相关添加剂进行分析。马岚 牛津仪器科技（上海）有限公司 应用工程师【个人简介】2012年获得上海交通大学材料科学与工程学院博士学位，博士研究镁合金的时效强化机制及变形机制，主要利用TEM、SEM、 EBSD等手段进行表征。2012-2015年间在日本物质材料研究所进行博后工作，期间研究的课题为高强韧镁合金的开发及磁性材料微结构表征，利用HAADF-STEM、SEM、EBSD及3DAP进行材料表征，熟悉掌握FIB及纳米操作手。2015年回国加入牛津仪器公司，主要负责EDS、WDS、EBSD、OP的推广及技术支持。报告题目：牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展【摘要】能谱（EDS）是半导体失效分析中常用的检测手段，但它只能揭示元素的异常，如果要对晶圆进行其他物性（如粗糙度、掺杂浓度、电势电位和内应力等）的分析，则需借助电子背散射衍射（EBSD）、原子力显微镜（AFM）和拉曼光谱（Raman）进行多尺度、多方位的检测和分析。 本报告将从结合三代半导体的痛点，展开介绍牛津仪器材料分析手段的进展及其在三代半导体中的应用，内容包括使用EBSD检测外延片位错，利用Raman分析碳化硅晶芯片晶型和微管类型及其带来的应力变化，以及采用AFM的SCM模式检测电容，并定量载流子浓度的最新应用。王轶滢 上海集成电路材料研究院 性能实验室总监【个人简介】从事半导体与集成电路领域技术研发、战略研究与规划工作多年。现承担负责上海市及国家集成电路材料重大项目测试平台课题，推进集成电路材料测试的科学评价体系建设，加速促进国产化替代。报告题目：集成电路材料国产化面临的性能检测需求李青 中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员【个人简介】博士，中国科学院上海硅酸盐研究所助理研究员。主要从事高纯材料分析方法开发、光谱质谱仪器研制等工作。先后主持承担了包括国家自然科学基金、上海科委项目、中国科学院仪器功能开发项目等各类研发项目5项。目前在Anal. Chem., Anal. Chim. Acta等国际期刊发表论文10余篇，获授权国内专利14项，美国专利1项。报告题目：离子色谱在高纯材料分析中的应用【摘要】 阴阳离子分析涉及生物医学、集成电路、环境、食品安全等重要研究课题。利用离子色谱技术测定离子态物质的检测方法，分析速度快、灵敏度高、选择性好，已被广泛应用。本报告将主要介绍高纯电子试剂、高纯晶体、OLED材料中痕量卤素离子的分析方法。刘争晖 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师【个人简介】正高级工程师、博士生导师、中科院青年创新促进会会员、中科院关键技术人才。中科院苏州纳米所真空互联实验站工作，研发基于扫描探针的微纳米尺度光、电、力学综合测试分析设备和相关技术；开展基于新装备和新方法的应用基础研究。 主要成果： (1) 主持和参与中科院、基金委和科技部的多项仪器和表征技术研发项目，自主研制基于扫描开尔文探针的深紫外扫描近场光电探针系统，实现深紫外时间分辨光谱与表面光电压谱的同位微区测量，从时间和空间两个维度，以皮秒的时间分辨率和纳米级的空间分辨率对半导体光电材料的表面性质进行表征，从而为微观机制的探索提供有力的武器。 (2) 发展了基于光辅助扫描开尔文探针显微镜的新型扫描扩散显微术方法，定量测量光吸收系数、扩散长度、载流子寿命以及扩散系数的空间分布和变化，揭示了缺陷、相分离等微观结构对纳米光电性质的影响。 (3) 对氮化镓与石墨烯二维材料的界面输运性质进行了系统的研究，从实验和理论上系统阐明了石墨烯浮动费米面的特性对异质结电学输运性质的影响，发展了半导体表面测量二维材料微区迁移率的方法。 (4) 制定了国家标准GB/T 32189-2015 《氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法》，并取得相关实验室认证资格，为产业提供了大量支撑服务。报告题目：拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用【摘要】 半导体晶圆质量检测目前普遍采用工业视觉检测方法对全晶圆质量和缺陷进行评估，但诸如组分、应力、载流子浓度等关键物理性质的分布不均匀，难以通过视觉检测方法获得，这时光谱学的手段是重要的补充方法。光穿过介质时被原子和分子散射的光发生频率变化，该现象称为拉曼散射。拉曼光谱的强度、频移、线宽、特征峰数目以及退偏度与分子的振动能态、转动能态、对称性等紧密相关，广泛地应用于半导体材料的质量监控、失效分析，可用于检测组分、应力、载流子浓度、温度、晶向和缺陷等信息。通常的共聚焦拉曼测试由于信号较弱、对聚焦稳定性要求较高，常常只局限于单点或少量采样点。而对大到8寸乃至12寸全晶圆范围的覆盖性检测，可能会极大地帮助改进工艺制程和产品质量。我们通过一些的典型的案例，例如结晶硅薄膜晶化率测试，第三代半导体晶圆的应力和载流子浓度检测，以及多层复杂器件结构的综合性质检测，展示了拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用前景。王一臣 青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理【个人简介】硕士研究生，现任青岛盛瀚色谱技术有限公司产品经理。目前主要负责青岛盛瀚公司离子色谱实验室类、在线类仪器以及联机类仪器的应用方法的开发和技术支持工作，拥有仪器分析行业多年的工作经验。对离子色谱行业有深刻见解，对设备选型、市场调研、需求管理等有丰富经验。报告题目：半导体—离子色谱检测解决方案【摘要】 针对半导体行业中，离子色谱技术对于检测其中的杂质阴离子具有的得天独厚的优势，本次盛瀚就针对半导体行业离子色谱方面做出的工作进行分享。徐宗伟 天津大学精密测试技术及仪器全国重点实验室 教授【个人简介】徐宗伟，天津大学，教授，博士/硕士生导师。中国电子显微镜学会聚焦离子束FIB专业委员会委员，中国微米纳米技术学会微纳米制造及装备分会理事。主要从事宽禁带半导体，微纳/原子尺度制造，拉曼/光致发光光谱，以及纳米功能器件设计、制备及应用。作为负责人获批十余项国家级项目，包括五项国际合作交流项目，其中一项被英国皇家学会列入“牛顿基金”项目。与德国弗朗霍夫协会、中电集团等宽禁带半导体企业和研究所开展紧密合作。研究成果受邀作主题报告/特邀报告30余次。报告题目：宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征【摘要】碳化硅SiC、六方氮化硼hBN和金刚石等宽禁带半导体是制造量子及高功率半导体器件的优良材料。基于氦离子束、飞秒激光等超快能量束加工、变温光致发光光谱、分子动力学模拟等研究方法，研究了SiC硅空位/双空位色心、hBN和金刚石色心等加工产率，开展了飞秒激光原位退火、微结构阵列等色心荧光增强方法研究，基于共聚焦光致发光光谱表征了色心三维分布。会议联系会议内容康编辑：15733280108，kangpc@instrument.com.cn会议赞助周经理，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn

近日，致力于原创国产高端科学分析仪器研发和产业化的创业公司——海恩迈科技，成功开发出基于悬臂梁上的实验室（Lab on a CantileverTM）技术的创新性仪器——芯片式热重分析仪。这个基于全新原理的仪器，将传统热重分析仪天平称重+炉管加热+热电偶测温的结构，用一个尺寸仅为2mm2.5mm的MEMS谐振式微悬臂梁芯片替代，实现了片上热失重分析功能。得益于芯片微小的体积，每次分析所消耗的样品量，由传统仪器的数十毫克降低至几纳克，而且极大的改善了传统仪器的热滞后效应，升降温速率也可以获得数十倍的提升。7月初，海恩迈科技携芯片式热重分析仪等创新仪器产品参加了在厦门举办的2021中国材料大会暨展览会，获得了参会专业人士的一致好评。那么，这项Lab on a Cantilever技术的背后有着怎样的故事？海恩迈科技开发的芯片式热重分析仪1.血统高贵的悬臂梁1981年扫描隧道显微镜（STM）的发明，为在苏黎世（Zurich）的IBM实验室工作的科学家盖尔德宾尼（Gerd Binning）和海因里希罗雷尔（Heinrich Rohrer）赢得了1986年诺贝尔物理学奖。原子力显微镜 (AFM) 是 STM 的后代产品，由 Binnig 在1986年开发出来，它通过对非导电材料进行成像而开辟了显微镜的全新应用领域。AFM的核心即为一根精细的微悬臂梁（Micro-cantilever）。1995年，美国橡树岭国家重点实验室的T. Thundat等人发表了表面吸附对微悬臂梁谐振频率影响的文章，为谐振式悬臂梁用于生化检测做了开创性的研究。之后，基于谐振式悬臂梁的生化传感器研究如雨后春笋般涌现。海恩迈科技的创始人兼CEO于海涛博士于2009年，开发出了国内首款激励/检测元件片上集成的谐振式微悬臂梁，摆脱了传统的光学杠杆检测方式，有效减小了系统的体积与成本。之后，在时任传感技术国家重点实验室主任的李昕欣研究员的支持和指导下，与研究伙伴许鹏程博士共同合作，从悬臂梁结构、电路、敏感材料等多方开展深入研究，开发出了一系列气体探测器。（左）宾尼与罗雷尔；（右）诺贝尔奖牌2.国产科学仪器的困境工欲善其事必先利其器。科学仪器是科研人员的重要工具，位于科技创新链的源头。科研的竞争，往往也是科学仪器的竞争。然而，在这个领域，现状让人唏嘘：中国被卡脖子到离开国外供应，就寸步难行的境地。按照中国科学院电工研究所副所长韩立的说法，我国高端科学仪器现状惨淡——多种科学仪器基本被国外厂商垄断，某些类型的仪器国内厂商市场占有率甚至趋近于零。虽然国家一直鼓励自主研发，但当前成果还是主要集中于中低端领域，越高端依赖性越严重。以材料领域的通用仪器热重分析仪为例，进口仪器价格在30万元左右，部分可超过50万元，而国产仪器价格在10万元左右，相差数倍。这一方面是由于国产企业规模较小、名气不足、市场占有率不高，只能靠性价比抢占低端市场；而更重要的是技术上进口厂商占据先发优势，国产仪器基本上是仿制进口仪器，进行一些微改进，缺少原理性和方法论的创新，很难在性能上超越进口仪器。根据仪器信息网统计的“2020年全球仪器公司市值TOP20排行榜”，美国有11家科研仪器厂商上榜，日本上榜4家，德国和瑞士各上榜2家，英国上榜1家。中国作为GDP世界排名第二，工业总产值独霸全球的国家，没有一家。3.“中国制造”or“中国智造”？在中国的很多经济领域，依靠仿制进口产品，主打性价比，是可以获得成功的，比如纺织品、白色家电等。然而，这个方法在科学仪器领域很难行得通。这是因为在这个领域，用户第一追求的永远是高性能，为了追求极致的性能，用户愿意支付高价。因此，如果国产仪器仅靠仿制进口仪器，缺少关键性的创新，性能无法达到或者超越进口仪器，用户往往是不愿意为之买单的。科学仪器领域更需要的是在关键技术上拥有自主知识产权的“中国智造”。Lab on a CantileverTM系列科学仪器就是“中国智造”的一个典范。目前，这一系列仪器包括气体吸附热力学动力学参数分析仪、微悬臂梁气敏测试仪以及芯片式热重分析仪。顾名思义，这一系列仪器的核心就是谐振式微悬臂梁。Lab on a Cantilever技术来源于于海涛博士团队一次逆向思维的头脑风暴。谐振式微悬臂梁之前一直被用作气敏传感器，受关注的是传感器的灵敏度、选择性、响应速度等参数，更多的是由敏感材料决定，谐振式微悬臂梁处于从属地位。而反向思考的话，可以通过微悬臂梁气敏传感器为主导，反过来研究敏感材料，去探究敏感吸附表象背后蕴藏着的科学本质。基于此想法，气体吸附热力学动力学参数分析仪首先被开发出来，利用世界首创的“变温微称重法”，定量测量功能材料与气体分子发生吸附时，焓变、熵变、吉布斯自由能、活化能等表界面分子作用的热力学和动力学参数。这些参数作为材料吸附的“基因参数”，决定了材料吸附的表象特征，可被用于材料吸附的机理研究以及指导新材料的调控，摆脱传统“试错法”研发新材料的盲目性。作为一款拥有完全自主知识产权的原理性创新的科学仪器，气体吸附热力学动力学参数分析仪得到专家的认可和国家的大力支持。其研发过程受到了自然科学基金重大科研仪器研制项目和国家重点研发计划项目的支持，仪器的检测方法也成功获得国家标准立项。目前，该仪器的用户包括清华大学未来实验室、上海交通大学、复旦大学、福建嘉庚创新实验室等多家国内顶级科研单位。海恩迈科技开发的气体吸附热力学动力学参数分析仪近期，随着微悬臂梁气敏测试仪以及可以实现片上热失重分析的芯片式热重分析仪的亮相，海恩迈科技公司成功踢出了高端科学仪器产品创新的“前三脚”。这三种仪器均拥有自主知识产权，全部具有原理及方法论上的创新，国内外没有类似的竞品，是国产高端科学仪器的新突破，“中国智造”的新典范！值得指出的是，在提出Lab on a Cantilever技术的时候，于海涛博士还在中国科学院上海微系统与信息技术研究所担任研究员。当他发现这个技术的商业价值之后，便毅然决然的放弃了体制内的“金饭碗”，离岗创业与合作伙伴共同创立了厦门海恩迈科技有限公司，并通过有偿技术转让的形式将相关知识产权转移到公司。这项创新性技术也获得了投资机构的看好，厦门半导体投资集团为海恩迈科技提供了千万级别的天使轮融资，为公司发展加注了“助推燃料”。做有独立思想的研发，做有技术灵魂的产业！秉承着“创新引领，追求卓越”的宗旨，海恩迈科技将继续在“中国智造”高端科学仪器的大道上披荆斩棘、一往无前。

p 　　自动化是未来实验室重要的发展趋势之一。在水质分析实验室，COD和高锰酸盐指数是分析量最大的两个参数，传统的分析方法基本是采用实验室常用设备全手工操作，需要消耗大量的人工，如果能实现全自动分析，将大大提高实验室运行效率。幸运的是，随着机械臂技术和自动滴定技术的完善以及在国内仪器行业的普及，近三年以来，全自动COD分析仪和全自动高锰酸盐指数分析仪大量涌现，这其中既包括代理商引入的进口产品，也包括我国仪器生产商自主研发的产品。 /p p 　　本文盘点了近几年我国市场上出现的在线COD分析仪和在线高锰酸盐指数分析仪，如有遗漏，欢迎补充! /p p 　　 span style=" color: rgb(0, 112, 192) font-size: 18px " strong 在线COD分析仪 /strong /span /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(0, 112, 192) font-size: 18px " strong /strong /span /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/1d5d0d8c-9609-4970-a8f8-07fa6ce3e799.jpg" title=" cc25e61f-97a4-47d1-be6c-d308ffefe14f.jpg!w300x300.jpg" alt=" cc25e61f-97a4-47d1-be6c-d308ffefe14f.jpg!w300x300.jpg" / /p p style=" text-align: center " 　　荷兰SKALAR全自动COD机器人分析仪（ a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/C259861.htm" target=" _blank" 查看详情 /a ） /p p style=" text-align: center " 　　生产厂商：荷兰AKALAR(昌信科学仪器公司) /p p 　　此款仪器既可以完成密闭消解—分光光度法测定COD，也可以采用密闭消解—滴定法测定COD。对于同样可采用分光光度法测定的总磷、总氮等指标，此款仪器也可以测定，并且可以同批次测定几个不同的指标。 /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/772295da-3992-4127-9c9f-28ea30e22d1d.jpg" title=" 2fcb5610-f6fa-4e11-81a2-e4ee62ea1012.jpg!w300x300.jpg" alt=" 2fcb5610-f6fa-4e11-81a2-e4ee62ea1012.jpg!w300x300.jpg" / /p p br/ /p p style=" text-align: center " 加拿大SCP 全自动COD分析仪COD-200（ a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/C312427.htm" target=" _blank" 查看详情 /a ） br/ /p p style=" text-align: center " 生产厂商：加拿大SCP SCIENCE(杭州旭东升科技有限公司) /p p 　　此款仪器采用快速消解—分光光度法全自动测定COD，同时可实现高锰酸盐指数及浊度的检测。此款仪器实现消解、样品时间追踪、摇匀、分析、数据传输及储存全过程的自动化，即可全模式运行消解和分析程序，也可选择只分析模式。 /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/38e50ed9-e44b-41e1-890c-ae9f1e372d7a.jpg" title=" 0141466b-813d-48b9-802d-cd839ff0ce05.jpg!w280x280.jpg" alt=" 0141466b-813d-48b9-802d-cd839ff0ce05.jpg!w280x280.jpg" / /p p style=" text-align: center " 仪乐+TS7300+COD全自动分析机器人（ a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104069/C278976.htm" target=" _blank" 查看性情 /a ） /p p style=" text-align: center " 生产厂商：上海仪乐智能仪器有限公司 /p p 　　此款仪器完全遵循HJ828-2017标准，采用机械臂实现COD的一键式检测。采用颜色法判断终点，更符合国家标准。 /p p 　　 strong 小编有话说： /strong br/ /p p 　　三款仪器的简单对比见下表： /p table style=" border-collapse:collapse " align=" center" tbody tr class=" firstRow" td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 仪器名称 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 支持方法 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 批处理量 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 独树一帜 /td /tr tr td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 荷兰SKALAR全自动COD机器人分析仪 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 密闭消解-分光光度法、密闭消解-滴定法 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 200 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 支持两种分析方法，且支持总磷、总氮等指标测定 /td /tr tr td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 加拿大SCP全自动COD分析仪COD-200 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 快速消解-分光光度法 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 204 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 除COD外，还可测定高锰酸盐指数和浊度 /td /tr tr td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 仪乐+TS7300+COD全自动分析机器人 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 快速消解-颜色滴定法 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 36 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" 采样颜色法判断滴定终点 /td /tr /tbody /table p 　　可以看出，由于COD分析方法的差异，不同厂商的在线COD分析仪支持不同的分析方法，国外厂商更倾向于分光光度法，而国内厂商更倾向于滴定法，尤其是颜色滴定法，属于国内厂商比较独特的技术。此外，国外厂商一般倾向于超大通量，相对应产品体积和产品价格都比较高 国内厂商一般都是高通量。 br/ /p p 　　 span style=" color: rgb(0, 112, 192) font-size: 18px " strong 在线高锰酸盐指数分析仪 /strong /span /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(0, 112, 192) font-size: 18px " strong /strong /span /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/c57785af-b6be-422a-8e4b-407476bc5964.jpg" title=" 33e0b8e7-2930-422b-bb9a-4c40d142c189.jpg!w300x300.jpg" alt=" 33e0b8e7-2930-422b-bb9a-4c40d142c189.jpg!w300x300.jpg" / /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(0, 112, 192) font-size: 18px " strong /strong /span br/ /p p style=" text-align: center " SUPEC 5000全自动高锰酸盐指数分析仪(A型)（ a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/C311190.htm" target=" _blank" 查看详情 /a ） /p p style=" text-align: center " 生产厂商：杭州谱育科技发展有限公司 /p p 　　此款仪器采用机械臂实现样品抓取、传递，采用符合国家标准的高锰酸盐指数测定方法，沸水浴消解，支持酸性法和碱性法，可实现一键检测、一键清洗等，适用于有色、浑浊、清澈样品检测。 /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/30db6b8c-77b5-4a80-b541-e845c01b1d55.jpg" title=" 3c06d298-eb4d-4607-963f-8d0be627a671.jpg!w280x280.jpg" alt=" 3c06d298-eb4d-4607-963f-8d0be627a671.jpg!w280x280.jpg" / /p p style=" text-align: center " 顺昕1600型智能机器人分析系统(高锰酸盐指数)（ a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/SH103989/C286103.htm" target=" _blank" 查看详情 /a ） /p p style=" text-align: center " 生产厂商：青岛顺昕电子科技有限公司 /p p 　　此款产品遵循GB11892-1989标准，配套试剂液量安全预警、八通道沸水浴加热、恒温滴定比色、样品机器手臂转移等独立单元。其机械臂选用智能电驱动力机器人手臂，抓取样品能够自动识别判断，避免抓取失败，且无需空压机占空间、噪音大的辅助设备。 /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/bb13db70-1900-4435-aa10-b528a637b0d8.jpg" title=" f5600028-8253-4efd-9909-6b136c61fbc9.jpg!w280x280.jpg" alt=" f5600028-8253-4efd-9909-6b136c61fbc9.jpg!w280x280.jpg" / /p p style=" text-align: center " CGM800全自动CODMn分析仪（ a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/SH101738/C258928.htm" target=" _blank" 查看详情 /a ） /p p style=" text-align: center " 　　生产厂商：上海北裕分析仪器股份有限公司 /p p 　　此款仪器首先按照国家标准对水样进行消解，之后加入定量亚硝酸钠消耗剩余的高锰酸盐，之后将水样进入气相分子吸收光谱仪，测定亚硝酸盐氮含量，从而计算出高锰酸盐指数。优势是抗干扰能力强，水样色度和浊度对分析影响小。 /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/6a7db530-9ac8-462d-9d8c-b5cd6ffb6bdf.jpg" title=" 415caccd-e883-4f25-8ff1-759cdb6dbb3e.jpg!w280x280.jpg" alt=" 415caccd-e883-4f25-8ff1-759cdb6dbb3e.jpg!w280x280.jpg" / /p p style=" text-align: center " CGM200W全自动高锰酸盐指数分析仪（ a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/SH101738/C291154.htm" target=" _blank" 查看详情 /a ） /p p style=" text-align: center " 生产厂商：上海北裕分析仪器股份有限公司 /p p 　　按照国标方法，使用机械手臂完成水样在进样、消解、滴定之间的流转，采用仿生学颜色识别技术来判断滴定终点，从而实现自动滴定。对于消解加热方式，此款仪器采用水浴加热，北裕仪器还有一款类似仪器CGM400，采用电热消解。 /p p 　　 strong 小编有话说： /strong br/ /p p 　　四款仪器的简单对比如下： /p table style=" border-collapse:collapse " align=" center" width=" 648" tbody tr class=" firstRow" td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 336" 仪器名称 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 236" 支持方法 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 75" 批处理量 /td /tr tr td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 336" SUPEC 5000全自动高锰酸盐指数分析仪（A/B型） /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 236" 酸/碱高锰酸盐指数测定 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 75" 24/48 /td /tr tr td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 336" 顺昕1600型智能机器人分析系统（高锰酸盐指数） /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 236" 水浴消解-颜色滴定 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 75" 48 /td /tr tr td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 336" CGM800全自动CODMn分析仪 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 236" 水浴消解-气相分子吸收光谱法测定 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 75" 30 /td /tr tr td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 336" CGM200W全自动高锰酸盐指数分析仪 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 236" 水浴/电热消解-颜色滴定 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all " valign=" middle" align=" center" width=" 75" 48 /td /tr /tbody /table p 　　全自动高锰酸盐指数分析仪目前大多为国产产品，且除北裕仪器有一款采用气相分子吸收法测定结果的之外，大部分采用的是水浴消解—颜色滴定的原理，批处理量也基本维持在20-50位之间的高通量。 /p p style=" text-align: right " 　　 span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " (按生产厂商名称字母排序) /span /p

1月30日，在江苏富乐华功率半导体研究院，高新区与无锡海古德新技术有限公司成功签约，清华大学国家863科技成果转化项目——年产1020万片半导体功率模块使用陶板基板项目正式落户高新区半导体产业园。该项目由无锡海古德投资6亿元创建江苏海古德新技术有限公司，占地80亩，厂房面积7万平方米，新上六条流延线及排胶线，新购烧结炉、研磨机、激光粒度分析仪、气相色谱仪等进口设备，年产氮化铝基板720万片、氮化硅基板300万片，年可实现开票10亿元。据悉，无锡海古德是一家拥有自主知识产权、高科技专利技术，集新型陶瓷材料及其电子元件研发、生产、销售为一体的现代化高新技术企业。核心产品高性能氮化铝陶瓷材料、氮化硅陶瓷基板及其元器件，是国家强基工程关键领域的关键基础材料，已通过欧、美、日、韩等多家知名企业技术认证，各项性能指标均已达到国际先进水平，得到众多客户信赖与支持。签约前，高新区和投资方研究审定了江苏海古德新技术有限公司年产1020万片半导体功率模块使用陶板基板项目的规划和建筑单体设计方案，并就加快项目实施速度，提升项目推进效率，扎实推动半导体产业集群高质量发展进行了交流、沟通和探讨。签约活动结束后，无锡海古德新技术有限公司一行参观了江苏富乐华功率半导体研究院。富乐华研究院以创建国家级功率半导体科研机构为目标追求，致力于将技术成熟的功率半导体系列项目就地转化，强力驱动高新区半导体产业不断延链强链。

p 　　常规的热分析仪器主要有热重分析仪(TGA)，差热分析仪(DTA)，差示扫描量热仪(DSC)，热机械分析仪(TMA)和动态热机械分析仪(DMA)。 /p p 　　热分析仪器测量各种各样的物理量需要靠其核心部件来实现。这些部件有电子天平、热电偶传感器、位移传感器等。 /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 电子天平 /strong /span /p p 　　电子天平是热重分析仪(TGA)和同步热分析仪(STA)的核心部件，是测量试样质量的关键。 /p p 　　电子天平采用了现代电子控制技术，利用电磁力平衡原理实现称重。 /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201807/insimg/b44413c9-13e5-46ab-a916-78c021d42f3e.jpg" title=" 电压式微量热天平.png" / /p p style=" text-align: center " strong 电压式微量热天平 /strong /p p 　　天平的秤盘通过支架连杆与线圈连接，线圈置于磁场内，当向秤盘中加入试样或被测试样发生质量变化时，天平梁发生倾斜，用光学方法测定天平梁的倾斜度，光传感器产生信号以调整安装在天平系统和磁场中线圈的电流，线圈转动恢复天平梁的倾斜。在称量范围内时，磁场中若有电流通过，线圈将产生一个电磁力F，可用下式表示： /p p style=" text-align: center " F=KBLI /p p 　　其中K为常数(与使用单位有关)，B为磁感应强度，L为线圈导线的长度，I为通过线圈导线的电流强度。电磁力F和秤盘上被测物体重力的力矩大小相等、方向相反而达到平衡。即处在磁场中的通电线圈，流经其内部的电流I与被测物体的质量成正比，只要测出电流I即可知道物体的质量m。 /p p 　　无论采用何种控制方式和电路结构，其称量依据都是电磁力平衡原理。 /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 热电偶传感器 /strong /span /p p 　　热电偶传感器是所有热分析仪器均会用到的部件，用于测定不同部位(试样、炉体)的温度。 /p p 　　热电偶传感器是工业中使用最为普遍的接触式测温装置。这是因为热电偶具有性能稳定、测温范围大、信号可以远距离传输等特点，并且结构简单、使用方便。热电偶能够将热能直接转换为电信号，并且输出直流电压信号，使得显示、记录和传输都很容易。 /p p 　　热电偶测温的基本原理是两种不同成份的材质导体组成闭合回路,当两端存在温度梯度时,回路中就会有电流通过，此时两端之间就存在电动势——热电动势，这就是所谓的塞贝克效应(Seebeck effect)，即热电效应。热电偶实际上是一种能量转换器，它将热能转换为电能，用所产生的热电势测量温度。 /p p 　　热电偶的热电势是热电偶工作端的两端温度函数的差，而不是热电偶冷端与工作端，两端温度差的函数 热电偶所产生的热电势的大小，当热电偶的材料是均匀时，与热电偶的长度和直径无关，只与热电偶材料的成份和两端的温差有关 当热电偶的两个热电偶丝材料成份确定后，热电偶热电势的大小，只与热电偶的温度差有关 若热电偶冷端的温度保持一定，热电偶的热电势仅是工作端温度的单值函数。将两种不同材料的导体或半导体A和B连接起来，构成一个闭合回路，当导体A和B的两个连接点之间存在温差时，两者之间便产生电动势，因而在回路中形成一个大小的电流。 /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 位移传感器 /strong /span /p p 　　位移传感器是热膨胀仪(DIL)、热机械分析仪(TMA)和动态热机械分析仪(DMA)中会用到的核心部件。通过测定直接放置于试样上或覆盖于试样的石英片上的探头的移动，来测定试样的尺寸变化。 /p p 　　LVDT位移传感器，LVDT(Linear Variable Differential Transformer)是线性可变差动变压器缩写,属于直线位移传感器。LVDT的结构由铁心、衔铁、初级线圈、次级线圈组成。初级线圈、次级线圈分布在线圈骨架上，线圈内部有一个可自由移动的杆状衔铁。当衔铁处于中间位置时，两个次级线圈产生的感应电动势相等，这样输出电压为0 当衔铁在线圈内部移动并偏离中心位置时，两个线圈产生的感应电动势不等，有电压输出，其电压大小取决于位移量的大小。为了提高传感器的灵敏度，改善传感器的线性度、增大传感器的线性范围，设计时将两个线圈反串相接、两个次级线圈的电压极性相反，LVDT输出的电压是两个次级线圈的电压之差，这个输出的电压值与铁心的位移量成线性关系。线圈系统内的铁磁芯与测量探头连接，产生与位移成正比的电信号。电磁线性马达可消除部件的重力，保证探头传输希望的力至试样。使用的力通常为0~1N。 /p

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 近日，有消息称，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。这一消息再次将第三代半导体映入人们的视线。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 第一代半导体兴起于20世纪五十年代，以硅（Si）、锗（Ge）半导体材料为代表，广泛应用于集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业。20世纪九十年代以来，随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起,以砷化镓、锑化铟为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 近年来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。第三代半导体具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 0em " 密集出台第三代半导体发展政策 /h3 p 　　2014 年，美国总统奥巴马宣布成立“下一代功率电子技术国家制造业创新中心” 同期，日本建立了“下一代功率半导体封装技术开发联盟 欧洲启动了产学研项目“LASTP OWER”，由意法半导体公司牵头，协同来自意大利、德国、法国、瑞典、希腊和波兰等六个欧洲国家的私营企业、大学和公共研究中心，联合攻关SiC和GaN的关键技术。 /p p 　　我国政府高度重视第三代半导体材料的研究与开发，从 2004 年开始对第三代半导体领域的研究进行了部署，启动了一系列重大研究项目，2013 年中国科技部在 863 计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及应用列为重要内容。2015年，中国建立第三代半导体材料及应用联合创新基地，，国家科技部、工信部、北京市科委牵头成立第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)，推动我国第三代半导体材料及器件研发和相关产业发展。 /p p 　　我国在“中国制造2025”计划中明确提出要大力发展第三代半导体产业。国内厂商在第三代半导体进行全产业链布局，自主可控能力较强。国内厂商布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节，第三代半导体全产业链布局，可完全自主可控。 /p table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" style=" border-collapse:collapse border:none" tbody tr class=" firstRow" td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 政策名称 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 发布时间 /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 相关内容 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《科技部关于举办第七届中国创新创业大赛的通知》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2018/3 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 大赛设立专业赛事，促进创新方法实践、港澳台创业交流、大中小企业协同创新创业、军民融合以及新能源汽车、第三代半导体等专业领域创新创业 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《第三代半导体电力电子技术路线图》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2018/7 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p style=" text-indent:28px" 路线图主要从衬底 span / /span 外延 span / /span 器件、封装 span / /span 模块、 span SiC /span 应用、 span GaN /span 应用等四个方面展开论述，提出了中国发展第三代半导体电力电子技术的路径建议和对未来产业发展的预测 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《工业和信息化部关于印发重点新材料首批次应用示范指导目录（ span 2019 /span 年版）》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2019/11 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 将 span GaN /span 单晶衬底、功率器件用 span GaN /span 外延片、 span SiC /span 外延片， span SiC /span 单晶衬底等第三代半导体产品纳入目录 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2019/12 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 明确要求长三角区域加快培育布局第三代半导体产业，推动制造业高质量发展 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《中国（安徽）自由贸易试验区总体方案》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2020/9/21 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 将第三代半导体产业列入安徽自由贸易试验区发展重点 /p /td /tr /tbody /table p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 此外，地方政府更是密集出台大量政策来响应国家计划，扶持第三代半导体产业发展。2018年，福建省出台9项政策，北京2项。2019年，福建省出台2项政策，江苏省出台1项，北京2项，广东省1项，山东省2项。据CASA统计，2019年1季度，我国各级政府机构涉及第三代半导体相关的政策条文就多达10条（2018年同期18条），政策内容涉及集群培育、科研奖励、人才培育、项目招商、生产激励等多个方面，地区包括天津、深圳、济南、北京、厦门、南昌、广州、徐州等8个地区。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 今年更是有消息称大力发展第三代半导体将写入“十四五”规划。在国家政策的大力支持下，国内第三代半导体产线陆续开通，产能不断增加。据CASA Research不完全统计，2019年，国内主要企业Si基GaN外延片(不含LED)折算6英寸产能约为20万片/年，Si基GaN器件(不含LED)折算6英寸产能约为19万片/年。SiC基GaN外延片折算4英寸产能约为10万片/年，SiC基GaN器件折算4英寸产能约为8万片/年。SiC方面，国内主要企业导电型SiC衬底折合4英寸产能约为50万片/年，半绝缘SiC衬底折合4英寸产能约为寸产能约为20万片/年 SiC外延片折算6英寸产能约为20万片/年。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 0em " 分析检测仪器助力第三代半导体发展 /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 随着工业、汽车等市场需求的增加，以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料的重要性与优越性逐渐凸显了出来。同时，随着第三代半导体材料产业化技术日趋成熟，生产成本不断降低，使得第三代半导体材料突破传统硅基半导体材料的瓶颈，从而引领了新一轮产业革命。未来采用第三代半导体材料器件的产品和企业将会越来越多。但在半导体器件向小型化和集成化方向发展的同时，半导体器件特性测试也越来越重要。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 数字源表源测量单元（SMU）就被视为是可支持第三代半导体材料器件的测试仪器。这种仪器在同一引脚或连接器上结合了源功能和测量功能，它将电源或函数发生器，数字万用表（DMM）或示波器，电流源和电子负载的功能集成到一个紧密同步的仪器中。可以在输出电压或电流的同时，测量电压和/或电流。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 一般说来，SMU测量能力超过类似单台仪器的任意组合。SMU可以进行高精度，高分辨率和高灵活性的测试分析。被广泛应用在 IV 检定、测试半导体及非线性设备和材料等方面的测试方面。这对于吞吐量和准确度尤其如此。源和测量电路的详尽设计知识和工作电路之间的反馈实现补偿技术能实现优秀的仪器特性，包括能针对具体工作条件进行动态调整的近乎完美输入和输出阻抗。这种紧密集成以极高分辨率实现快速源-测量周期。这些优点在半成品晶圆以及成品上进行的半导体测量中最突出。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " SiC、GaN等薄膜外延生长后，需要检测薄膜的表面形貌来表征材料生长效果。通常使用高分辨率的透射电镜（HRTEM）检测，它只是分辨率比较高，一般透射电镜能做的工作它也能做，但高分辨电镜物镜极靴间距比较小，所以双倾台的转角相对于分析型的电镜要小一些。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 高分辨X射线衍射是半导体材料表征的标准装备，可用于半导体材料和器件等的研究和生产质量控制。其适用于各种薄膜样品的测试应用，尤其适合外延薄膜和单晶晶圆的结构分析和表征，例如：摇摆曲线分析、倒易空间图、反射率、薄膜物相分析、掠入射表面分析、残余应力和织构分析等。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 此外，光致发光光谱(PL)、原子力显微镜、二次离子质谱（SIMS）、椭圆偏振仪等是第三代半导体的检测的重要仪器。随着国内第三代半导体的研究热潮和产业大面积落地，第三代半导体检测仪器将迎来巨大的市场机遇。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/3bb43945-c34d-4a4d-b174-450445394cb6.jpg" title=" 半导体材料与器件.jpg" alt=" 半导体材料与器件.jpg" / /a /p

半导体快速退火炉（RTP）是一种特殊的加热设备，能够在短时间内将半导体材料迅速加热到高温，并通过快速冷却的方式使其达到非常高的温度梯度。快速退火炉在半导体材料制造中广泛应用，如CMOS器件后端制程、GaN薄膜制备、SiC材料晶体生长以及抛光后退火等。一、快速退火炉的原理半导体快速退火炉通过高功率的电热元件，如加热电阻来产生高温。在快速退火炉中，通常采用氢气或氮气作为气氛保护，以防止半导体材料表面氧化和污染。半导体材料在高温下快速退火后，会重新结晶和再结晶，从而使晶体缺陷减少，改善半导体的电学性能，提高设备的可靠性和使用寿命。1.1快速退火（RTA）与传统退火相比，快速退火具有更高的加热和冷却速度。通过快速加热和冷却，可以缩短退火时间，提高生产效率。1.2快速热处理（RTP）热处理是半导体制造中的一项关键技术，它可以改变材料的微观结构和性能。在热处理过程中，材料被加热到高温，然后进行保温和冷却。这个过程中，材料内部的原子会发生重新排列，从而改变材料的物理、化学和机械性质。二、半导体退火炉的应用领域1.封装工艺在封装工艺中，快速退火炉主要用于引线的切割和组装。引线经过切割和组装后，可能会产生内应力，影响封装的稳定性和可靠性。通过快速退火处理，可以消除引线内的应力，提高封装的稳定性和可靠性，保证产品的使用寿命。2.CMOS器件后端制程在CMOS器件后端制程中，快速退火炉可用于修复制程中产生的损伤和缺陷，增强器件的电学性能。通过快速退火处理，可以减少CMOS器件中的氧化物陷阱电荷和界面态密度，提高器件的可靠性和寿命。3.GaN薄膜制备GaN是一种重要的宽禁带半导体材料，具有优异的光电性能和稳定性。在GaN薄膜制备过程中，快速退火炉可用于提高薄膜的结晶质量和表面平滑度。通过快速退火处理，可以消除薄膜中的应力，减少缺陷，提高GaN薄膜的光电性能和稳定性。4.SiC材料晶体生长SiC是一种具有高热导率、高击穿电压、高饱和电子速度等优良特性的宽禁带半导体材料。在SiC材料晶体生长过程中，快速退火炉可用于提高晶体生长的质量和尺寸，减少缺陷和氧化。通过快速退火处理，可以消除晶体中的应力，提高SiC材料的晶体品质和性能。5.抛光后退火在半导体材料抛光后，表面会产生损伤和缺陷，影响设备的性能。快速退火炉可用于抛光后的迅速修复损伤和缺陷，使表面更加平滑，提高设备的性能。通过快速退火处理，可以减少表面粗糙度，消除应力，提高材料的电学性能和可靠性。

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近日，国家标准化管理委员会下达2020年第四批推荐性国家标准计划。本批计划共计524项，其中制定340项、修订184项，推荐性标准517项，指导性技术文件7项。本批524项国家标准计划中，涉及颗粒测试与无损检测仪器，以及试验机等物性测试仪器；色谱、质谱、光谱等多种分析仪器；汽车、半导体与集成电路、增材制造等行业。小编按分类整理如下：颗粒测试序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位3220204663-T-491微细气泡技术 微细气泡使用和测量通则 第1 部分：术语推荐制定ISO 20480-1:201718全国微细气泡技术标准化技术委员会中国科学院过程工程研究所等25220204883-T-469颗粒 激光衍射粒度分析仪 通用技术要求推荐制定24全国颗粒表征与分检及筛网标准化技术委员会中国计量科学研究院等37120205002-Z-469Zeta 电位测量操作指导原则指导制定ISO/TR 19997:201812全国颗粒表征与分检及筛网标准化技术委员会上海第二工业大学、山东理工大学等41520205046-T-606离子交换树脂粒度、有效粒径和均一系数的测定推荐修订GB/T 5758-200118全国塑料标准化技术委员会江苏苏青水处理工程集团有限公司、西安热工研究院有限公司无损检测仪器序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位5220204683-T-604无损检测仪器 相控阵超声设备的性能与检测 第3 部分：组合系统推荐制定ISO 18563-3:201518全国试验机标准化技术委员会汕头市超声仪器研究所有限公司、广东汕头超声电子股份有限公司超声仪器分公司5320204684-T-604无损检测仪器 相控阵超声设备的性能与检验 第2 部分：探头推荐制定ISO 18563-2:201718全国试验机标准化技术委员会广东汕头超声电子股份有限公司超声仪器分公司、汕头市超声仪器研究所有限公司5420204685-T-604无损检测仪器 相控阵超声设备的性能与检验 第1 部分：仪器推荐制定ISO 18563-1:201518全国试验机标准化技术委员会广东汕头超声电子股份有限公司超声仪器分公司、汕头市超声仪器研究所有限公司24820204879-T-469铸钢件 超声检测 第2部分：高承压铸钢件推荐修订GB/T7233.2-2010ISO 4992-2:202018全国铸造标准化技术委员会沈阳铸造研究所有限公司24920204880-T-469铸钢件 超声检测 第1部分：一般用途铸钢件推荐修订GB/T7233.1-2009ISO 4992-1:202018全国铸造标准化技术委员会沈阳铸造研究所有限公司30020204931-Z-469无损检测 自动超声检测总则指导制定ISO/TS 16829:201718全国无损检测标准化技术委员会武汉中科创新技术股份有限公司、上海材料研究所等30220204933-T-469筒形锻件内表面超声波检测方法推荐修订GB/T 22131-200818全国锻压标准化技术委员会北京机电研究所有限公司、二重（德阳）重型装备公司等试验机测试方法序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位13720204768-T-605金属材料 蠕变及蠕变-疲劳裂纹扩展速率测定方法推荐制定24全国钢标准化技术委员会华东理工大学、钢研纳克检测技术股份有限公司等13820204769-T-605金属材料 疲劳试验 应变控制拉-扭热机械疲劳试验方法推荐制定24全国钢标准化技术委员会北京工业大学等20220204833-T-610铝合金断裂韧度试验方法推荐制定24全国有色金属标准化技术委员会西南铝业（集团）有限责任公司、国标（北京）检验认证有限公司等分析仪器检测方法序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位3420204665-T-491纳米技术 表面增强拉曼固相基片均匀性测定 拉曼成像法推荐制定24全国纳米技术标准化技术委员会苏州天际创新纳米技术有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州大学等14820204779-T-605石墨材料 当量硼含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法推荐制定24全国钢标准化技术委员会中钢集团新型材料（浙江）有限公司、冶金工业信息标准研究院等14920204780-T-605石灰石及白云石化学分析方法 第12部分：氧化钾和氧化钠含量的测定 火焰原子吸收光谱法推荐制定24全国钢标准化技术委员会鞍钢股份有限公司15020204781-T-605钨铁钴、镍、铝含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法推荐制定24全国生铁及铁合金标准化技术委员会江西省钨与稀土产品质量监督检验中心、赣州江钨钨合金有限责任公司等15120204782-T-605锰铁、锰硅合金、氮化锰铁和金属锰 锰、硅、磷和铁含量的测定 波长色散X 射线荧光光谱法(熔铸玻璃片法)推荐制定24全国生铁及铁合金标准化技术委员会广东韶钢松山股份有限公司、武汉科技大学、冶金工业信息标准研究院15420204785-Z-605铁矿石 波长色散X 射线荧光光谱仪 精度的测定指导制定ISO/TR 18231:201618全国铁矿石与直接还原铁标准化技术委员会广州海关技术中心18720204818-T-609玻璃纤维及原料化学元素分析方法 电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）法推荐制定24全国玻璃纤维标准化技术委员会南京玻璃纤维研究设计院有限公司18820204819-T-609玻璃纤维及原料化学元素的测定 X 射线荧光光谱法推荐制定24全国玻璃纤维标准化技术委员会南京玻璃纤维研究设计院有限公司35620204987-T-469金矿石化学分析方法 第15 部分：铜、铅、锌、银、铁、锰、镍、钴、铝、铬、镉、锑、铋、砷、汞、硒、钡和铍含量的测定 电感耦合等离子体质谱法推荐制定24全国黄金标准化技术委员会紫金矿业集团股份有限公司、长春黄金研究院有限公司等37920205010-T-607化妆品中功效组分虾青素的测定 高效液相色谱法推荐制定24全国香料香精化妆品标准化技术委员会北京市产品质量监督检验院39320205024-T-607皮革 化学试验 热老化条件下六价铬含量的测定推荐制定ISO 10195:201818全国皮革工业标准化技术委员会嘉兴市皮毛和制鞋工业研究所、中轻检验认证有限公司41420205045-T-606水处理剂分析方法 第1部分：磷含量的测定推荐制定24全国化学标准化技术委员会中国石油天然气股份有限公司乌鲁木齐石化分公司等47720205108-T-326土壤质量 土壤中22 种元素的测定 酸溶-电感耦合等离子体质谱法推荐制定18全国土壤质量标准化技术委员会中国科学院南京土壤研究所、中国环境科学研究院等48020205111-T-334珠宝玉石鉴定 红外光谱法推荐制定24全国珠宝玉石标准化技术委员会国家黄金钻石制品质量监督检验中心、国家珠宝玉石质量监督检验中心等48120205112-T-334珠宝玉石鉴定 紫外可见吸收光谱法推荐制定全国珠宝玉石标准化技术委员会自然资源部珠宝玉石首饰管理中心（国家珠宝玉石质量监督检验中心）汽车试验方法序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位48920205120-T-339道路车辆 安全玻璃材料电加热玻璃试验方法推荐制定ISO 17449:201518全国汽车标准化技术委员会中国建材检验认证集团股份有限公司、福耀玻璃工业集团股份有限公司等49120205122-T-339汽车通过性试验方法推荐修订GB/T 12541-199018全国汽车标准化技术委员会中国人民解放军63969 部队、中国汽车研究中心有限公司等49320205124-T-339汽车列车性能要求及试验方法推荐修订GB/T 26778-201118全国汽车标准化技术委员会中国汽车技术研究中心有限公司、交通运输部公路科学研究院等49420205125-T-339乘用车后部交通穿行提示系统性能要求及试验方法推荐制定24全国汽车标准化技术委员会中国第一汽车股份有限公司、中国汽车技术研究中心有限公司等49520205126-T-339乘用车车门开启预警系统性能要求及试验方法推荐制定24全国汽车标准化技术委员会吉利汽车研究院有限公司、中国汽车技术研究中心有限公司半导体与集成电路序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位20620204837-T-610半导体封装用键合金及金合金丝推荐修订GB/T 8750-201418全国有色金属标准化技术委员会北京达博有色金属焊料有限责任公司20820204839-T-339集成电路 电磁抗扰度测量 第4部分：射频功率直接注入法推荐制定IEC 62132-4:200618全国半导体器件标准化技术委员会中国电子技术标准化研究院、北京智芯微电子科技有限公司等20920204840-T-339静电放电敏感度试验 传输线脉冲器件级推荐制定21520204846-T-339半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分：使用加速度计进行板级跌落试验方法推荐制定IEC 60749-37:200818增材制造序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位7520204706-T-604

半导体行业是一个资金密集型、技术密集型的行业，其生产工艺复杂，设备精密度要求高，整体流程涉及到成百上千道工序。随着半导体制造工艺越来越高，其制造难度及品质管控也在呈指数级增长。半导体制造工艺的复杂性在于：生产步骤多达上千步，每道工序工艺参数多达上千，每道工序良率要求极高。以上特点使得半导体制造成为了不折不扣的高端制造业。试想，对于一种包含1000道工序的半导体工艺技术来说，若是每一道工序产品良率为99.9%，则最终的产品良率仅为36.7%。也因此，半导体每一道工艺都几乎要求达到零失误。因此，半导体行业呈现出来材料纯度要求高、制造精度要求高，制作过程复杂等特点。而这也对材料、器件的分析检测技术都提出了极高的要求。基于此，仪器信息网2023年10月中旬举办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件和失效分析、材料分析、可靠性测试等热点分析检测技术，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。一、主办单位仪器信息网&电子工业出版社&中国科学院上海硅酸盐研究所二、会议时间2023年10月18-20日三、会议日程（拟）1.专场安排第四届“半导体材料器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会时间专场名称10月18日全天半导体材料分析技术新进展10月19日上午可靠性测试技术新进展10月19日下午半导体失效分析技术10月20日上午缺陷检测与量测技术2.详细日程（报告正在更新中，敬请期待）时间报告题目演讲嘉宾专场1：半导体材料分析技术新进展（10月18日）9:30待定待定10:00牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展牛津仪器科技（上海）有限公司10:30氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究（拟）王涛（北京大学 高级工程师）11:00待定英国雷尼绍公司11:30待定待定午休14:00扫描扩散显微术对氮化物半导体纳米尺度光电性质的研究（拟）刘争晖（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师）14:30待定青岛盛瀚色谱技术有限公司15:00共聚焦拉曼和PL在第三代半导体材料中的应用（拟）徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授）15:30待定待定16:00待定待定专场2：可靠性测试技术新进展（10月19日上午）9:30高端集成电路5A分析评价技术师谦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）10:00集成电路激光试验测试技术研究马英起（中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师）10:30集成电路振动、冲击试验评价邓传锦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）11:00半导体集成电路热环境可靠性试验方法与标准陈锴彬（工业和信息化部电子第五研究所 工程师）11:30待定何胜宗（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）专场3：半导体失效分析技术（10月19日下午）14:00待定张俊宗（上海季丰电子股份有限公司 FA/CE总监）14:30光学显微分析技术在半导体失效分析中的应用刘丽媛（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）15:00失效半导体器件检测技术及案例分享江海燕（北京软件产品检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理）15:30光发射显微镜原理及在失效分析中的应用蔡金宝（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）16:00待定邹雅冰（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）专场4：缺陷检测与量测技术（10月20日上午）9:30纳米探针测量技术及其应用（拟）杨树明（西安交通大学 教授）10:00国家纳米计量体系与半导体产业应用施玉书（中国计量科学研究院纳米计量研究室主任 主任/副研究员）10:30待定刘俊伯（中国科学院光电技术研究所 副研究员）11:00面向集成电路微纳检测设备产业的自溯源纳米长度计量体系邓晓（同济大学 副教授）四、会议形式仪器信息网3i讲堂直播平台五、参会方式1.本次会议免费参会，参会报名请点击：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后，直播前一天助教会统一审核，审核通过后，会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后，会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接，输入报名手机号，即可参会。六、会议联系1. 会议内容康编辑：15733280108，kangpc@instrument.com.cn2. 会议赞助周经理，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn刘经理，15718850776，liuyw@instrument.com.cn仪器信息网2023年9月27日

仪器信息网讯 2024年7月25日，第二届半导体第三方分析检测生态圈战略大会在苏州召开。大会由胜科纳米(苏州)股份有限公司主办，以主论坛会议、圆桌会议及专业展览的形式开展高峰对话，会议前夕举行了国际合作论坛和生态圈闭门会议。会议吸引半导体产业链上下游龙头企业负责人等500多名嘉宾出席，覆盖芯片设计、晶圆制造、设备材料、封装测试、消费终端、分析检测实验室等领域400多家国内外企业及科研院所，为半导体产业生态圈企业打开一扇观察行业标准化及差异化发展、技术创新、人才培育的活力之窗。大会现场主论坛会议上，十余位行业大咖带来了前沿的技术分享和创新发展的报告，不仅涵盖了半导体产业生态的创新发展与协同合作，还包括了第三方分析检测服务机构评价体系的构建、实验室智能化系统的应用与发展等。演讲嘉宾：胜科纳米(苏州)股份有限公司 董事长 李晓旻演讲题目：半导体行业周期和周期内的赛道轮回报告伊始，李晓旻回顾了半导体分析实验室过去40年的演变历程。各年代实验室的主要技术从最初的光学显微镜到透射电镜，再到现代失效分析综合系统的变迁，半导体分析实验室的技术发展极大提升了对纳米级芯片的观察能力。在半导体产业链专业化分工浪潮下，Labless模式应运而生。接着，李晓旻从半导体分析实验室的发展历程、半导体行业细分的要求、设备和人才痛点的需求以及分析检测赛道对半导体行业周期的判断等方面，详细阐述其首创Labless商业理念的初衷及对行业现状和未来前景的深刻见解。对于未来半导体行业的发展，李晓旻认为，人工智能将成为推动行业发展的新动力，而半导体行业也将迎来更加广阔的应用前景。此外，也强调了建立严谨的评价体系对于第三方实验室的重要性。他认为，只有通过科学的评价体系，才能确保实验室的服务质量和水平，从而推动整个行业的健康发展。最后，李晓旻表示，胜科纳米将始终关注半导体行业的发展动态和技术创新，与业界同仁共同努力，为推动我国半导体行业的进步和发展贡献力量。演讲嘉宾：中国半导体行业 资深专家 江涛演讲题目：发展新质生产力对中国半导体第三方测试机构的高标准和严要求随着人工智能技术的飞速发展，半导体行业面临着前所未有的挑战和机遇。人工智能大模型的工作特点对半导体行业提出了更高的要求。为了跟上人工智能摩尔定律的步伐，半导体行业需要持续创新，提高技术水平。此外，先进封装技术将成为半导体行业的一个重要发展方向，为半导体市场带来更多的机会和挑战。江涛表示，第三方测试行业在新的发展背景下，需要不断提升技术水平和服务质量，以支撑新质新增生产力的发展趋势。第三方测试实验室应具备智慧驱动能力，能够帮助客户解决问题，降低成本，提高效率。此外，第三方测试机构还需要具备前瞻性，能够提前预测行业发展趋势，为客户提供更有价值的服务。同时，还需要加强行业标准的制定和执行，提高整个行业的水平。在这个过程中，第三方测试机构将成为半导体行业发展的重要助力。演讲嘉宾：日立科学仪器(北京)有限公司 副董事长 佐藤贤一演讲题目：Introduction of Advanced semiconductor failure and process analysis随着半导体行业的不断发展，对故障分析和工艺控制的需求越来越高。佐藤贤一表示，为了满足客户的需求，日立科学仪器公司提供了多种先进的半导体分析设备，如OCD量测、SEM、FIB-SEM、TEM等，这些设备可以帮助客户更准确地找到故障点，提高产品质量。他认为，第三方检测机构需要不断研发新技术，提高测试精度和效率，以满足半导体行业的发展需求。关于与客户的合作模式，佐藤贤一认为，第三方检测机构应与客户建立紧密的合作关系，共同开发新技术，提高生产效率，降低成本。此外，佐藤贤一还提到了半导体行业的未来发展趋势，包括人工智能、物联网等领域的应用。并表示，日立愿意与第三方检测机构加强合作，紧跟行业发展趋势，不断提升自身能力，以共同应对未来的挑战。演讲嘉宾：新加坡工程院士、新加坡科学院士、SUTD professor YEO KIAT SENG演讲题目：Talent-The Challenge to Establish a Globally Competitive Semiconductor Industry报告主要讨论了在建立全球竞争力的半导体产业过程中，人才所面临的挑战和机遇。YEO KIAT SENG指出，半导体市场预计将以8.8%的年复合增长率增长，到2032年市场规模将超过1.3万亿美元。而智能、集成和创新将是推动半导体行业发展的关键因素。建立全球竞争力的半导体产业离不开人才的培养和发展。此外，YEO KIAT SENG强调了多学科教育的重要性，面对复杂的问题，单一学科的教育模式已经不再适用。提倡跨学科的教育模式，让学生在学习过程中接触不同领域的知识，培养创新能力和创造力。最后，YEO KIAT SENG谈到了未来工作的变化。并认为，自动化和智能机器人将取代许多传统工作，而信息和数据将成为新的货币。个人需要不断提升自己的技能，以适应未来的挑战。演讲嘉宾：青岛四方思锐智能技术有限公司 副总经理 谢均宇演讲题目：集成电路装备研发与第三方测试协同发展谢均宇表示，集成电路装备研发与第三方测试之间存在密切的协同关系。在研发过程中，测试可以帮助企业更好地了解设备的性能、结构和成分，从而提高设备的稳定性和可靠性。同时，测试还可以为企业提供有关工艺改进和创新的重要依据。通过深度合作和资源共享，双方可以实现优势互补，共同推动技术创新和产业升级。此外，谢均宇提到了公司在集成电路装备研发方面的一些突破，如公司已成功交付国内第一台高能离子注入机，并已实现批量销售。也分享了ALD设备应用、IMP工艺材料的表征需求等。演讲嘉宾：蔡司 XRM亚太应用技术专家 曹春杰演讲题目：三维无损分析在半导体领域的最新应用进展曹春杰首先介绍了三维无损分析技术在半导体领域、尤其是在结构和拓展方面的重要性。 接着，详细阐述了三维无损分析技术的原理、该技术在消费电子、封装测试等领域的应用，以及该技术的优势和特点。案例分享环节，曹春杰展示了三维无损分析技术在半导体领域的实际应用效果。提到了该技术在分析电子管道、IC结构等方面的应用，以及在故障分析和可靠性分析中的作用。最后，曹春杰介绍了蔡司公司的最新技术和产品，如630 Versa系列，以及AI技术在三维无损分析中的应用等。这些新技术也将进一步提高三维无损分析技术的性能和效率。演讲嘉宾：赛默飞世尔公司 高级业务拓展经理 曹潇潇演讲题目：标准化-加速半导体三方检测市场发展的新引擎曹潇潇在报告中强调了标准化在半导体产业中的重要性。认为标准化可以帮助企业在高速发展阶段建立共同的起跑线，提高研发效率和创新能力。此外，标准化还可以提升整个产业链的培训资源和降低错误率，确保产业链上下游站在同一水平上进行对话。接着分享了关于标准化在半导体时效分析中的具体应用。曹潇潇提到，赛默飞世尔公司在时效失效分析领域占据90%的市场份额，并提供了一套系统化的整体解决方案，希望将标准化工作进一步拓展到前端市场关系的过程中。同时也通过一些具体案例展示了标准化工作的实现。例如，在失效分析过程中，通过开发系列功能，可以实现跨平台之间的样品定位和数据的综合管理。此外，还可以实现工厂管理系统的无缝对接，提高自动化水平等。演讲嘉宾：胜科纳米(苏州)股份有限公司 前沿技术总监 乔明胜演讲题目：Labless助力半导体第三方分析检测服务机构评价体系的构建乔明胜首先介绍了半导体分析检测行业的概况，指出全球半导体第三方检测分析市场的年增长率超过10%，国内增长率更是接近20%。接着分析了国际国内实验室认证的现状。并强调，实验室认证本质上是管理体系的评价，而非技术水平的高低评价。乔明胜认为，Labless模式可以帮助企业在满足基本要求的同时，为客户提供更多的价值。并建议第三方检测机构应具备规模、技术先进性、设备能力和质量安全等方面的基本能力。他指出，目前半导体分析检测领域缺乏专门的标准体系，需要进一步完善。提出了构建半导体第三方分析检测服务机构评价体系的建议。而胜科纳米也正在完善自己的技术标准体系，以期为行业做出更多贡献。演讲嘉宾：天津三英精密仪器股份公司 董事长 须颖演讲题目：高分辨X射线三维成像技术与应用目前，通用显微成像技术如光学显微镜、扫描电镜等在分辨率上已达到一定水平，但在观察内部结构方面仍有局限。而X射线三维成像技术可以在不破坏样品的情况下，实现对样品内部结构的三维立体成像。须颖详细介绍了高分辨X射线三维成像技术的原理和特点，以及天津三英在该技术方面的工作成果。公司坚持高层面技术路线，使得公司在高分辨X射线三维成像领域具有竞争优势。须颖认为，随着工业应用的深入，客户对缺陷检测、内部结构测量等方面的需求越来越高，高分辨X射线三维成像技术在这些领域具有广泛的应用前景。天津三英也将不断完善产品线，开发针对不同类型样品的专用设备，以满足客户的需求。也坚信高分辨X射线三维成像技术将为工业检测、设计等领域带来更多的便利和价值。演讲嘉宾：IBM 科技事业部存储产品总监 周立暘演讲题目：IBM 存储,助力企业实现降本、增效、安全的数字化周立暘首先提到了数字化转型和国家半导体行业的发展，强调了数据作为新的生产要素在企业中的重要性。他表示，IBM存储产品可以帮助企业更好地管理和利用数据，实现降本增效。IBM的核心技术已经在国内半导体制造企业的MS系统中得到广泛应用，帮助企业更好地利用资产投入产生效益。在数据安全方面，介绍了IBM的High-Availability Data Replication技术，可以在短时间内恢复被勒索软件攻击篡改的数据。最后，周立暘表示，IBM希望通过存储技术和资源调度技术的结合，帮助企业在全球化国际化的环境中实现数据的优化管理和应用加速，从而助力企业实现更高的发展。演讲嘉宾：麦格昆磁 副总裁 Klaus Dittmer演讲题目：Advanced magnetic powder development and collaboration with third party analytical service providersKlaus Dittmer首先介绍了麦格昆磁公司，包括在稀土和其他关键金属领域的业务等。接着讨论了磁性粉末在永磁材料领域的重要性，并强调了磁性粉末微观结构表征的重要意义。关于如何通过精确的测量和控制来实现所需的磁性能，Klaus Dittmer介绍了扫描电镜、透射电镜、X射线衍射等几种用于表征磁性粉末微观结构的技术。在谈到与第三方分析服务提供商的合作时，Klaus Dittmer强调了成本、时间、质量和保密性等因素在选择合作伙伴时的重要性。他认为，与第三方服务提供商合作可以为公司提供更高效、高质量的分析和表征服务，同时降低成本和提高保密性。最后，Klaus Dittmer总结了麦格昆磁在磁性粉末开发与第三方分析服务合作方面的经验，强调了这种合作为公司带来的价值。演讲嘉宾：滨松光子学商贸(中国)有限公司 半导体领域负责人 王宁波演讲题目：半导体电性失效分析介绍失效分析有助于改进设计和工艺，提升产品性能。王宁波分享了失效分析的技术原理、常用的定位方法，以及在半导体制造和使用过程中的应用，如改善工艺、完善品质和提升芯片能力。最后，王宁波介绍了滨松光子公司在半导体电性失效分析领域的技术发展。包括公司在光电探测方面的专长、公司在半导体检测领域的一些新技术，如磁光电流成像、高分辨热成像和全自动探测系统等。这些技术有助于提高失效分析的精度和效率，满足半导体制造和设计工业的发展需求。圆桌会议为了进一步交流探讨，以“半导体第三方分析检测服务机构评价要素”为议题的圆桌会议压轴亮相。圆桌嘉宾从实验室基本能力、实验室服务效果以及实验室可持续发展三个维度展开深入探讨。在实验室基本能力方面，嘉宾们细致讨论了实验室建设的规模与布局、硬件设施的先进性与完备性，以及管理体系的健全程度。这些因素被普遍认为是实验室提供高质量服务的基础。实验室服务效果的议题中，服务流程的专业性、检测结果的准确性、响应时间的迅速性以及客户服务的周到性等关键指标备受瞩目。此外，信息安全也被特别提及，作为评价服务效果时不可忽视的一个维度。在实验室可持续发展方面，技术创新能力被视为推动实验室长期发展的核心动力。同时，人才培养、市场拓展策略以及行业合作与交流也被认为是实验室持续发展的重要支撑。圆桌讨论内容覆盖了半导体第三方分析检测服务机构评价的多个关键要素，旨在推动行业向更专业、更高效、更可持续的方向发展。这不仅是对当前行业现状的一次全面审视，更是对未来发展方向的一次前瞻性思考。同期展会掠影

从初始的晶圆到最终器件，半导体的分析一直被被认为是专家的工作，很少有分析工具可以直接作为生产过程中材料质量好坏的“决策者”。Freiberg Instruments全新的SPV是一款真正的生产工具，因为它可以在不影响工作流程速度的情况下完成工作。SPV检查生产中使用的材料的关键产率参数：无论是硅，碳化硅或其他半导体或光活性材料。SPV工具测量材料在被一个或多个光源激发时的时间分辨表面光电压响应。光源根据材料的电子特性和材料中可能与产量损失相关的已知缺陷来选择。例如，在单晶硅晶圆中，可能有许多缺陷会导致器件加工过程中的产率损失。单晶硅晶圆可能含有来源于晶体生长周期或不同设备加工步骤的高浓度氮。氮原子可以在原本完美的硅晶体中形成一个取代对，导致在硅片中形成了不好的电子状态，这可以严重影响MOS栅结构的性能。SPVcheck工具不仅可以测量这种缺陷的存在，而且还可以测量它们的近似密度。通过这种方式，晶圆批次内和晶圆批次之间的变化可以通过设备/工具到主机的接口协议进行监控和报告，并用于SPC目的。SPV是一个非常通用的工具，可以通过多种方式进行配置。它几乎可以用于任何光活性材料。可测量纳秒时间分辨的表面光电压信号，具有良好的信噪比和5-6个数量级的尺度。一次测量大约需要15-30秒，包括信号分析环路。可以输出符合各种标准，以及被测材料状态的完整测量报告。符合自动化材料处理系统(AMHS)法规和SEMI标准。【相关应用】金刚石中的电子跃迁宽禁带半导体体极化现象的非接触探测氧化镓的表征光催化材料BiVO4的研究光催化材料(TiO2)的研究与监测SiC、GaN和AlGaN的非接触表征表面光电压光谱-功率半导体研究4H-SiC的缺陷表面光电压光谱-光化学/光催化水裂解研究3C-和4H-SiC的缺陷和电荷动力学【相关产品】SPVmapSPSresearch更多有关SPV产品和应用的资讯，请联系弗莱贝格仪器（上海）有限公司！