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半导体器件的机械标准

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  • 【转帖】2010年全国半导体照明电子行业标准发布及宣贯大会

    为宣传和贯彻获准发布的9项半导体照明行业标准，中国电子技术标准化研究所、工业和信息化部半导体照明技术标准工作组定于2010年1月24-25日在广东省江门市举行2010年全国半导体照明电子行业标准发布及宣贯大会。本次大会得到工业和信息化部、广东省经济和信息化委员会、江门市人民政府及国内外上中下游厂商的大力支持。出席本次大会的领导有工业与信息化部科技司韩俊副司长、电子信息司丁文武副司长、关白玉副巡视员、广东省经济和信息化委员会彭平副主任，中国电子技术标准化研究所张宏图副所长、江门市人民政府常务副市长吴紫骊、副市长易中强等领导，共汇集了国内外上中下游重要厂商、研究机构、行业协会以及政府机构等代表400多人报名参会。 此次大会发布的标准包括《SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11394-2009半导体发光二极管测试方法》、《SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片》、《SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉》、《SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范》、《SJ/T 11399-2009半导体发光二极管芯片测试方法》、《SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11401-2009半导体发光二极管产品系列型谱》以及《SJ/T 11395-2009半导体照明术语》共9项，涵盖LED材料、芯片、器件及相关检验测试方法等领域。 大会邀请了工业和信息化部半导体照明技术标准工作组各项标准起草专家分别对9项电子行业标准进行详细讲解，主要讲师包括中国光电协会副秘书长胡爱华、中电十三所张万生教授、浙大三色董事长牟同升、深圳淼浩总经理李明远、有研稀土研发主任庄卫东等，他们现场讲解标准的技术内容、测试方法操作时应注意的问题以及产品规范类标准编写实例等。

  • 阀件、控制器半导体元器件控温中的作用有哪些？

    半导体元器件控温设备中，每个配件都有着不同的作用，由于作用不同，无锡冠亚的半导体元器件控温的阀件和控制器的作用也是不同的。　　半导体元器件控温的水泵，是用于加速水流动的工具，以达到加强水在换热器中换热的效果。半导体元器件控温的水流开关用作管道内流体流量的控制或断流保护，当流体流量到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的压力控制器用作压力控制和压力保护之用，机组有低压和高压控制器，用来控制系统的压力的工作范围，当系统压力到调定值时，开关自动切断（或接通）电路。　　半导体元器件控温的压差控制器用作压力差的控制，当压力差到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的温度控制器用作机组的控制或保护，当温度到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。在我们的产品上，温度的控制常用到，用水箱温度来控制机组的开停机情况。还有些象防冻都需要用到温度控制器。　　半导体元器件控温视液镜用于指示制冷装置中液体管路的制冷剂的状况、制冷剂中的含水量、回油管路中来自油分离器的润滑油的流动状况，有的视液镜带有一指示器，它通过改变其颜色来指出制冷剂中的含水量。（绿色表示干燥，黄色表示潮湿）。因温度变化而引起水的体积变化，膨胀水箱用来贮存这部分膨胀水，对系统起稳压定压的作用，能给系统补偿部分水。　　半导体元器件控温是一项比较新的设备，性能上面要求高一点才能使得半导体元器件控温的运行更加稳定。

  • 20余位行业大咖，与您相约首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议

    [font=&]当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]　　会议日程：[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]王智杰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]赛默飞色谱质谱产品在半导体行业中的的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]赛默飞世尔科技应用专家[/font][font=宋体]钟新林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:00--10:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center]PerkinElmer[font=宋体]在半导体制程中的检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]珀金埃尔默企业管理（上海）有限公司技术专家[/font] [font=宋体]华瑞[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:30--11:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体材料生产与工艺质量监控的先进技术进展[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]布鲁克（北京）科技有限公司应用经理[/font] [font=宋体]黄鹤[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:00--11:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多公司半导体行业检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多产品专员[/font] [font=宋体]李玉琪[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:30--12:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]InP[font=宋体]基光子集成材料与器件及标准代工平台[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]赵玲娟[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]12:00--13:30[/align][/td][td=2,1,361][align=center][font=宋体]午休[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]Si[font=宋体]基[/font]GaN[font=宋体]材料的[/font]MOCVD[font=宋体]外延生长及杂质缺陷研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]北京大学高级工程师[/font] [font=宋体]杨学林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]阴极发光成像技术的发展及其在表征半导体材料研究中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]荷兰[/font]Delmic[font=宋体]公司应用专家[/font]Sangeetha Hari[/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]电子级水在半导体行业中的应用及解决方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]默克化工技术（上海）有限公司高级应用专家[/font] [font=宋体]李子超[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]日立电子显微镜在半导体分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]日立高新技术（上海）国际贸易有限公司经理[/font] [font=宋体]周鸥[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]扫描探针技术在半导体材料及器件表界面分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]暨南大学教授[/font] [font=宋体]谢伟广[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体纳米材料原子尺度结构性能关系的透射电子显微学研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]华中科技大学武汉光电国家研究中心副教授[/font] [font=宋体]李露颖[/font][/align][/td][/tr][tr][td=3,1,484][align=center][b]10[font=宋体]月[/font]16[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（下）[/font][/b][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]氧化镓基半导体器件研究进展[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]复旦大学青年研究员[/font] [font=宋体]刘文军[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:00--10:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]高纯半导体材料的无机元素分析[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]安捷伦科技（中国）有限公司原子光谱应用工程师[/font] [font=宋体]应钰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:30--11:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]待定[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center]HORIBA[/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:00--11:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体光电子外延材料国产化[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]江苏华兴激光科技有限公司总经理[/font] [font=宋体]罗帅[/font][/align][/td][/tr][tr][td=3,1,484][align=center][b]10[font=宋体]月[/font]16[font=宋体]日半导体器件研发、应用及分析检测技术[/font][/b][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]双模微腔激光器及其应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]黄永箴[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅光通信与互连：一种变革性的技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]杨林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体微纳加工中的硅干法刻蚀技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]王晓东[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]待定[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院电工研究所副所长[/font][font=宋体]韩立[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体][color=#333333]半导体产业现状及相关检测技术进展[/color][/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体][/font][color=#333333]国家半导体器件质量监督检验中心副主任 席善斌[/color][font=宋体][/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅基[/font]III-V[font=宋体]族光电器件及其缺陷的表征[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员[/font][font=宋体]樊士钊[/font][/align][/td][/tr][/table][font=&]　　[/font][b]报名链接（点击下方链接皆即可报名）[/b][font=&]:[/font][font=&]　　[/font][url]https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs[/url]

  • 20余位行业大咖，与您相约首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议

    [font=&]　当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]　　会议日程：[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] 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  • 20余位行业大咖，与您相约首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议

    [font=&]当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]　　会议日程：[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] 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  • 20余位行业大咖，与您相约首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议

    20余位行业大咖，与您相约首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议

    当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了!　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align]　　会议日程：[table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]王智杰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]赛默飞色谱质谱产品在半导体行业中的的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]赛默飞世尔科技应用专家[/font] 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  • 20余位行业大咖，与您相约首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议

    [font=&]当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]　　会议日程：[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] 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  • 20余位行业大咖，与您相约首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议

    [font=&]　当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 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[font=宋体]王智杰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]赛默飞色谱质谱产品在半导体行业中的的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]赛默飞世尔科技应用专家[/font][font=宋体]钟新林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:00--10:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center]PerkinElmer[font=宋体]在半导体制程中的检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]珀金埃尔默企业管理（上海）有限公司技术专家[/font] [font=宋体]华瑞[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:30--11:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体材料生产与工艺质量监控的先进技术进展[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]布鲁克（北京）科技有限公司应用经理[/font] [font=宋体]黄鹤[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:00--11:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多公司半导体行业检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多产品专员[/font] [font=宋体]李玉琪[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:30--12:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]InP[font=宋体]基光子集成材料与器件及标准代工平台[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]赵玲娟[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]12:00--13:30[/align][/td][td=2,1,361][align=center][font=宋体]午休[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]Si[font=宋体]基[/font]GaN[font=宋体]材料的[/font]MOCVD[font=宋体]外延生长及杂质缺陷研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]北京大学高级工程师[/font] [font=宋体]杨学林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]阴极发光成像技术的发展及其在表征半导体材料研究中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]荷兰[/font]Delmic[font=宋体]公司应用专家[/font]Sangeetha Hari[/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]电子级水在半导体行业中的应用及解决方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]默克化工技术（上海）有限公司高级应用专家[/font] [font=宋体]李子超[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]日立电子显微镜在半导体分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]日立高新技术（上海）国际贸易有限公司经理[/font] [font=宋体]周鸥[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]扫描探针技术在半导体材料及器件表界面分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]暨南大学教授[/font] [font=宋体]谢伟广[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体纳米材料原子尺度结构性能关系的透射电子显微学研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]华中科技大学武汉光电国家研究中心副教授[/font] [font=宋体]李露颖[/font][/align][/td][/tr][tr][td=3,1,484][align=center][b]10[font=宋体]月[/font]16[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（下）[/font][/b][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]氧化镓基半导体器件研究进展[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]复旦大学青年研究员[/font] [font=宋体]刘文军[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:00--10:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]高纯半导体材料的无机元素分析[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]安捷伦科技（中国）有限公司原子光谱应用工程师[/font] [font=宋体]应钰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:30--11:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]待定[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center]HORIBA[/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:00--11:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体光电子外延材料国产化[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]江苏华兴激光科技有限公司总经理[/font] [font=宋体]罗帅[/font][/align][/td][/tr][tr][td=3,1,484][align=center][b]10[font=宋体]月[/font]16[font=宋体]日半导体器件研发、应用及分析检测技术[/font][/b][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]双模微腔激光器及其应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]黄永箴[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅光通信与互连：一种变革性的技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]杨林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体微纳加工中的硅干法刻蚀技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]王晓东[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]待定[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院电工研究所副所长[/font][font=宋体]韩立[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体][color=#333333]半导体产业现状及相关检测技术进展[/color][/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体][/font][color=#333333]国家半导体器件质量监督检验中心副主任 席善斌[/color][font=宋体][/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅基[/font]III-V[font=宋体]族光电器件及其缺陷的表征[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员[/font][font=宋体]樊士钊[/font][/align][/td][/tr][/table][font=&]　　[/font][b]报名链接（点击下方链接皆即可报名）[/b][font=&]:[/font][font=&]　　[/font][url]https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs[/url]

  • 【转帖】半导体型号命名方法

    一、 中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。　　第四部分：用数字表示序号　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管　　二、日本半导体分立器件型号命名方法　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。　　三、美国半导体分立器件型号命名方法　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：　　第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。　　第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。　　第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。　　第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。　　第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。　　四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：　　第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料　　第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。　　第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。　　第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：　　1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。　　五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。　　第一部分：O-表示半导体器件　　第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。　　第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。　　第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

  • Heller PCO-700半导体芯片压力烤箱，半导体真空压力烤箱

    Heller PCO-700半导体芯片压力烤箱，半导体真空压力烤箱

    Heller PCO-700真空压力烤箱是一种槁端的电子元器件封装设备，具有多项优良特性。该设备占地面积小，手动操作方便，蕞大工作压力可达8bar，蕞高工作温度为200℃。用户可以根据需要选择使用氮气、洁净室或真空功能。这款半导体芯片压力烤箱设备广泛应用于封装胶注入、晶片粘接、晶圆压合和薄膜胶带粘合等领域。其中，在电子封装领域中应用较为广泛的是Underfill固化和Die Attach固化技术。[img=,690,847]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307211129403027_1076_5802683_3.jpg!w690x847.jpg[/img]Underfill（封装胶注入）技术指将芯片与基板之间填充一定量的硅酸盐类或环氧类物质来加强二者间的连接稳定性以及防止机械冲击所造成的损伤。在这个过程中，需要将芯片放置在基板上，并在二者之间加入一定量的封装胶进行填充；填充完毕后需要对其进行快速固化以保怔连接质量并提高生产效率。Die Attach（晶片粘接）技术是指将芯片固定在基板上的过程，在这个过程中我们需要使用一种特殊的粘合剂来将芯片牢固地粘贴在基板上。与传统手工操作相比，使用Heller PCO-700半导体芯片压力烤箱可以大幅提高产品生产效率和减少人员误差。[img=,690,706]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307211129507334_1934_5802683_3.jpg!w690x706.jpg[/img]HELLER企业是一家专业从事电子制造设备开发、销售和服务于一体的企业。自成立以来，HELLER始终坚持“品质至上、诚信为本”的核心价值观，并通过严格的管理流程和恮面优秀的售后服务为客户提供蕞好的解决方案。HELLER公司拥有超过55年在电子行业领域的经验和强大实力。在中国和韩国两个工厂内采用分布式精益制造模式，保怔每台焊炉达到6Sigma标准并实现本地化运营，能够更好地满足客户需求并提供更加犹质的售前、售后服务。[img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307211130093302_7745_5802683_3.jpg!w690x517.jpg[/img]HELLER公司还注重与客户之间直接沟通，定期拜访客户并聆听他们宝贵的意见，以不断改进产品和服务。因此，在电子封装行业中，HELLER品牌的设备备受客户青睐，并取得了良好的口碑。Heller PCO-700半导体芯片压力烤箱是一款槁端、可靠、方便使用的电子元器件封装设备；而HELLER企业则是一家专注于为客户提供犹质产品和服务的值得信赖的企业。相信在未来，这两者都会持续发展壮大，并为行业带来更多创新性解决方案。您正在寻找一家提供半导体设备和材料的可靠供应商吗？苏州仁恩机电科技有限公司将为您提供一站式解决方案，满足您的需求。联系方式：请联系我们以获取更多信息。

  • 【原创大赛】GaN HEMT半导体器件的特点及其应用

    【原创大赛】GaN HEMT半导体器件的特点及其应用

    [align=center]GaN HEMT半导体器件的特点及其应用[/align][align=center]西安国联质量检测技术股份有限公司[/align][align=center]品控 张敏莉[/align]摘 要[b]：[/b]随着电力电子技术的发展，高频、高功率密度成为未来的发展趋势，GaN器件由于其高频、低损耗等特点而受到广泛关注。本文通过将GaN HEMT器件和Si器件进行对比，对GaN HEMT半导体器件的自身特性以及未来的应用趋势进行综述。关键词[b]：[/b]电力电子器件；GaN器件 与传统的Si器件相比，GaN宽禁带半导体材料有很多出色的性能,随着其商业化，其应用也越来越广泛，本文针对增强型GaN器件的特性进行分析，1 GaN功率器件的特点1.1 与Si功率器件的特性对比表 1 宽禁GaN器件与传统Si器件对比Tab.1 The comparison of Wide Band Gap GaN device and Traditional Si devices[table][tr][td][align=center]器件特性[/align][/td][td][align=center]IPW65R110CFDA[/align][align=center]Cool MOSFET[/align][/td][td][align=center]GS66508B[/align][align=center]GaN HEMT[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]漏源电压V[sub]DS[/sub]/V[/align][/td][td][align=center]650[/align][/td][td][align=center]650[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]通态电流I[sub]D[/sub]/A(25℃)[/align][/td][td][align=center]31.2[/align][/td][td][align=center]30[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]通态电流I[sub]D[/sub]/A(100℃)[/align][/td][td][align=center]19.7[/align][/td][td][align=center]25[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]通态电阻R[sub]DS(on)[/sub]/mΩ(25℃)[/align][/td][td][align=center]110[/align][/td][td][align=center]50[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]驱动电压Vgs/V[/align][/td][td][align=center]-20/20[/align][/td][td][align=center]-10/7[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]驱动阈值电压V[sub]GS(th)[/sub]/V[/align][/td][td][align=center]4[/align][/td][td][align=center]1.3[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]输入电容C[sub]iss[/sub]/pF[/align][/td][td][align=center]3240[/align][/td][td][align=center]260[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]反向恢复电荷Q[sub]rr[/sub]/nC[/align][/td][td][align=center]800[/align][/td][td][align=center]0[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]封装[/align][/td][td][align=center]14.81x9.70mm[sup]2[/sup][/align][/td][td][align=center]7.0x8.4mm[sup]2[/sup][/align][/td][/tr][/table]表1是选取了GaN System公司的GaN器件GS66508B以及Infineon公司的Si器件Cool MOSFET进行主要的参数对比。100℃和25℃下通态电流的对比可以发现GaN HEMT的高温稳定性能更好，在高温下仍能承受很高的电流；通态电阻对比可以发现GaN HEMT的通态电阻更小，其通态功率损耗小，提升变换器的效率；通过对比驱动电压可以发现GaN HEMT驱动电压更小，驱动电源设计更加简化；通过驱动阈值电压以及输入电容可以发现，GaN HEMT的驱动阈值电压以及输入电容远远小于Si器件，说明再开通过程中米勒效应影响较小、驱动损耗小、开通时间更短、开通损耗更小、开关频率更高；通过对比反向恢复电荷可以发现GaN HEMT的反向恢复特性好，反向恢复损耗小；通过对比封装可以发现，相同的电压等级下，GaN的封装面积更小。 1.2 GaN半导体器件其他特性GaN HEMT除了以上的从datasheet中可以得到的特性外，还可以发现GaN HEMT还存在以下特性：1) 虽然GaN HEMT的开关频率比Si Cool MOSEFET高很多，但实际测试以及实验中发现，其共模干扰与Si MOSFET相差不大。2) GaN HEMT。1.3 GaN器件应用上存在的问题2 功GaN器件的应用趋势2.1 发展现状[align=center][img=,197,146]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807031902104965_5678_2904018_3.png!w197x146.jpg[/img][/align][align=center]表1是选取了功率等级相同的GaN器件以及Si器件进行其材料性能的对比。[/align]图 1 现有光伏逆变器功率密度分析2.2 宽禁带器件的应用前景表 2 目前已经商用的SiC功率器件[table][tr][td]材料特性[/td][td]U[sub]DS[/sub]/V[/td][td]R[sub]ON[/sub]/m[/td][td]I[sub]Dmax[/sub]/A[/td][td]U[sub]GS(DC)[/sub]/V[/td][/tr][tr][td]C3M0065090J[/td][td]900[/td][td]65[/td][td]35[/td][td]-4/15[/td][/tr][tr][td]C3M0120100J[/td][td]1000[/td][td]120[/td][td]22[/td][td]-4/15[/td][/tr][tr][td]C2M0025120D[/td][td]1200[/td][td]25[/td][td]90[/td][td]-5/20[/td][/tr][tr][td]C2M0045170D[/td][td]1700[/td][td]45[/td][td]72[/td][td]-5/20[/td][/tr][/table]表 3 目前已经商用的GaN功率开关器件[table][tr][td]材料特性[/td][td]U[sub]DS[/sub]/V[/td][td]R[sub]ON[/sub]/m[/td][td]I[sub]Dmax[/sub]/A[/td][td]U[sub]GS(DC)[/sub]/V[/td][td]U[sub]GS(DC)[/sub]/V[/td][/tr][tr][td]EPC2100[/td][td]30[/td][td]8[/td][td]9.5[/td][td]-4/6[/td][td]0.8/2.5[/td][/tr][tr][td]EPC2033[/td][td]15[/td][td]7[/td][td]31[/td][td]-4/6[/td][td]0.8/2.5[/td][/tr][tr][td]EPC2025[/td][td]300[/td][td]120[/td][td]6.3[/td][td]-4/6[/td][td]0.8/2.5[/td][/tr][tr][td]EPC66502[/td][td]650[/td][td]220[/td][td]7[/td][td]-10/7[/td][td]0.8/2.5[/td][/tr][/table][align=center][img=,459,343]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807031902312195_4497_2904018_3.png!w459x343.jpg[/img][/align][align=center](a) GaN HEMT开通波形 [/align][align=center][img=,437,339]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807031902588253_3023_2904018_3.png!w437x339.jpg[/img][/align][align=center](b) GaN HEMT关断波形[/align][align=center][img=,629,470]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807031903395129_2456_2904018_3.png!w629x470.jpg[/img][/align][align=center](a) Si MOSFET开通波形 [/align][align=center][img=,471,350]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807031903579049_1528_2904018_3.png!w471x350.jpg[/img][/align][align=center] (b) Si MOSFET关断波形[/align][align=center]图 2 GaN HEMT和Si MOSFET开通关断波形对比[/align]2.3 宽禁带器件的目前应用实例表 4 SiC 器件在光伏逆变器中的应用情况[table][tr][td]年份[/td][td]单位[/td][td]功率/kW[/td][td]效率%[/td][td]功率密度（KW/L）[/td][/tr][tr][td]2014[/td][td]三菱和欧姆龙[/td][td]5.5[/td][td]--[/td][td]--[/td][/tr][tr][td]2014[/td][td]富士电机[/td][td]20[/td][td]99[/td][td]0.25[/td][/tr][tr][td]2014[/td][td]富士电机[/td][td]1[/td][td]98.8[/td][td]0.2[/td][/tr][tr][td]2015[/td][td]三菱[/td][td]4.4[/td][td]98[/td][td]0.26[/td][/tr][tr][td]2015[/td][td]美国科锐[/td][td]50[/td][td]99.1[/td][td]0.23[/td][/tr][/table]3 总结本文通过对比Si半导体器件以及宽禁带器件的材料性能以及开关性能，发现使用宽禁带半导体器件的使用使功率变换器的成本降低、体积减小、功率密度提高，在新能源领域具有很好的应用前景。

  • 量子半导体器件实现拓扑趋肤效应，可用于制造微型高精度传感器和放大器

    科技日报北京1月22日电 德国维尔茨堡—德累斯顿卓越集群ct.qmat团队的理论和实验物理学家开发出一种由铝镓砷制成的半导体器件。这项开创性的研究发表在最新一期《自然物理学》杂志上。由于拓扑趋肤效应，量子半导体上不同触点之间的所有电流都不受杂质或其他外部扰动的影响。这使得拓扑器件对半导体行业越来越有吸引力，因为其消除了对材料纯度的要求，而材料提纯成本极高。拓扑量子材料以其卓越的稳健性而闻名，非常适合功率密集型应用。新开发的量子半导体既稳定又高度准确，这种罕见组合使该拓扑器件成为传感器工程中令人兴奋的新选择。利用拓扑趋肤效应可制造新型高性能量子器件，而且尺寸也可做得非常小。新的拓扑量子器件直径约为0.1毫米，且易于进一步缩小。这一成就的开创性在于，首次在半导体材料中实现了微观尺度的拓扑趋肤效应。这种量子现象3年前首次在宏观层面得到证实，但只是在人造超材料中，而不是在天然超材料中。因此，这是首次开发出高度稳健且超灵敏的微型半导体拓扑量子器件。通过在铝镓砷半导体器件上创造性地布置材料和触点，研究团队在超冷条件和强磁场下成功诱导出拓扑效应。他们采用了二维半导体结构，触点的排列方式可在触点边缘测量电阻，直接显示拓扑效应。研究人员表示，在新的量子器件中，电流—电压关系受到拓扑趋肤效应的保护，因为电子被限制在边缘。即使半导体材料中存在杂质，电流也能保持稳定。此外，触点甚至可检测到最轻微的电流或电压波动。这使得拓扑量子器件非常适合制造尺寸极小的高精度传感器和放大器。[来源：科技日报][align=right][/align]

  • 半导体器件/材料焊接层\填充层空洞分析手段-超声波扫描显微镜

    半导体器件芯片内部失效分析 超声波扫描显微镜（扫描频率最高可以达到２Ｇ）． 其主要是针对半导体器件 ,芯片，材料内部的失效分析．其可以检查到:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/emyc1002.gif请点激链接:半导体器件芯片失效分析 芯片内部分层，孔洞气泡失效分析C-SAM的叫法很多有，扫描声波显微镜或声扫描显微镜或扫描声学显微镜或超声波扫描显微镜(Scanning acoustic microscope）总概c-sam(sat)测试。ＸRAY 与C-SAM区别ＸRAY：X射线可以穿过塑封料并对包封内部的金属部件成像，因此，它特别适用于评价由流动诱导应力引起的引线变形　在电路测试中，引线断裂的结果是开路，而引线交叉或引线压在芯片焊盘的边缘上或芯片的金属布线上，则表现为短路。X射线分析也评估气泡的产生和位置，塑封料中那些直径大于1毫米的大空洞，很容易探测到. 而小于1毫米的小气泡空洞,分层.就非常难检测到.用X射线检测芯片焊盘的位移较为困难，因为焊盘位移相对于原来的位置来说更多的是倾斜而不是平移，所以，在用X射线分析时必须从侧面穿过较厚的塑封料来检测。检测芯片焊盘位移更好的方法是用剖面法，这已是破坏性分析了。C－SAM：由于超声波具有不用拆除组件外部封装之非破坏性检测能力，根据其对空气的灵敏度非常强的特性.故C-SAM可以有效的检出IC构装中因水气或热能所造成的破坏如﹕脱层、气孔及裂缝…等。 超声波在行经介质时，若遇到不同密度或弹性系数之物质时，即会产生反射回波。而此种反射回波强度会因材料密度不同而有所差异.C-SAM即最利用此特性来检出材料内部的缺陷并依所接收之讯号变化将之成像。因此，只要被检测的IC上表面或内部芯片构装材料的接口有脱层、气孔、裂缝…等缺陷时，即可由C-SAM影像得知缺陷之相对位置C-SAM服务超声波扫描显微镜(C-SAM)主要使用于封装内部结构的分析，因为它能提供IC封装因水气或热能所造成破坏分析，例如裂缝、空洞和脱层。C-SAM内部造影原理为电能经由聚焦转换镜产生超声波触击在待测物品上，将声波在不同接口上反射或穿透讯号接收后影像处理，再以影像及讯号加以分析。C-SAM可以在不需破坏封装的情况下探测到脱层、空洞和裂缝，且拥有类似X-Ray的穿透功能，并可以找出问题发生的位置和提供接口数据。主要应用范围：· 晶元面处脱层· 锡球、晶元、或填胶中之裂缝· 晶元倾斜· 各种可能之孔洞（晶元接合面、锡球、填胶…等）· 覆晶构装之分析C-SAM的主要特性： 非破坏性、无损伤检测内部结构 可分层扫描、多层扫描 实施、直观的图像及分析 缺陷的测量及百分比的计算 可显示材料内部的三维图像 对人体是没有伤害的 可检测各种缺陷（裂纹、分层、夹杂物、附着物、空洞、孔洞、晶界边界等）C-SAM的主要应用领域： 半导体电子行业：半导体晶圆片、封装器件、红外器件、光电传感器件、SMT贴片器件、MEMS等; 材料行业：复合材料、镀膜、电镀、注塑、合金、超导材料、陶瓷、金属焊接、摩擦界面等； 生物医学：活体细胞动态研究、骨骼、血管的研究等；

  • 半导体恒温系统性价比怎么选择？

    半导体恒温系统在选择的时候除了看必要的品牌，其性价比也是我们需要重视的，无锡冠亚半导体恒温系统是集合公司制冷加热控温人才研发出来的，用户在选择半导体恒温系统的时候，需要注意性价比的选择。　　现在，可以说各类的工业生产大多都需要半导体恒温系统来提供专业制冷，一台高效的半导体恒温系统对于各种工业生产都能够提供较大的帮助，那么，到底什么样的半导体恒温系统性价比比较高呢?这可能是不少企业都非常想了解的一个关键性问题？　　半导体恒温系统的不少技术人员认为，在选择半导体恒温系统的时候，一定要注意几个相关的因素。 一台半导体激光器自动温度控制 半导体恒温系统使用费用是否省钱，我们是看它的综合总花费来看：如购买价格，耗电量，维护费，故障检修费等。半导体恒温系统组耗电量都是不同，有的比较省电，有的又比较耗电，所以在选型的时候，一般都会比较是否有耗电大的可能。　　无锡冠亚的半导体恒温系统以科技为中心，应用国际先进技术，不断推陈出新，紧随市场步伐，满足市场需求，坚持从产品的设计、元器件的采购、筛选，到生产工艺流程、包装运输等都严格 ISO9001-2008 国际质量认证要求规范化管理，力求产品精益求精、价格合理、服务满意周到。　　另外，在选择半导体恒温系统的时候，还要考虑到以上因素相关联的一些问题，比如，选择半导体恒温系统还要考虑是否适合用该行业，那么显而易见的是需要半导体恒温系统组的进行多方面了解，除了用电量外，还需要了解维护费用的高低、故障检修的时间设定等等。　　半导体恒温系统的选择，想必大家也心中有数，性价比对于半导体恒温系统来说也是比较重要的，所以我们选择也是很重要的。

  • 【求助】(已应助)关于半导体硅的测试

    请问各位大侠：半导体硅在做器件前除了测载流子浓度、电阻率、C、O杂质浓度、少数载流子密度外还要测那些参数啊！！老板要求写调研报告，实在找不到相关的资料！只要请教各位大侠了！！谢谢！

  • 色谱仪器温度电子器件 —— 半导体制冷器

    色谱仪器温度电子器件 —— 半导体制冷器

    [align=center][font=宋体]色谱仪器温度电子器件[/font][font='Times New Roman'] [font=Times New Roman]—— [/font][/font][font=宋体]半导体制冷器[/font][/align][align=center][font='Times New Roman'] [/font][/align][align=center][font='Times New Roman'][font=宋体]概述[/font][/font][/align][font=宋体][font=宋体]半导体制冷器基于特殊半导体材料的热电效应（帕尔贴效应）原理实现制冷功能，体积和重量较小、工作噪声低、无有害物质排放、制冷效果不受空间方向与重力影响、可以方便的控制切换制冷[/font][font=Times New Roman]/[/font][font=宋体]加热状态，但制冷效率较低，功耗较大、一般用于空间较小或制冷量需求较低的场合，例如电子设备中某些部件的冷却或者便携式冰箱。[/font][/font][align=center][font=宋体]简介[/font][/align][font=宋体][url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相色谱仪[/color][/url]某些部件（如进样口或柱温箱）、[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相色谱[/color][/url]外围设备中的某些部件（例如二次热解析的冷阱）、[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/5p][color=#3333ff]液相色谱仪[/color][/url]的柱温箱、自动进样器样品架或者检测器在某些特殊分析条件中的工作温度要求低于室温，在此情况下分析仪器系统需要装备制冷功能部件，常用的有液氮制冷、液态二氧化碳制冷或者半导体制冷器。[/font][font=宋体][font=宋体]将两种不同材料的导体组成一个闭合环路时，只要两个结合点[/font][font=Times New Roman]T[/font][font=宋体]和[/font][font=Times New Roman]T[/font][/font][sub][font=宋体][font=Times New Roman]0[/font][/font][/sub][font=宋体][font=宋体]的温度不同，在该回路中就会产生电动势，此种现象称为塞贝克效应（[/font][font=Times New Roman]Seebeck effect[/font][font=宋体]，属于热电效应），回路产生的相应电动势称为热电势。塞贝克效应是可逆的，在两种不同材料导体构成的回路中提供直流电源，则在导体的两个结合点[/font][font=Times New Roman]T[/font][font=宋体]和[/font][font=Times New Roman]T[/font][/font][sub][font=宋体][font=Times New Roman]0[/font][/font][/sub][font=宋体]将[/font][font=宋体][font=宋体]会产生温差，此种效应称为帕尔贴效应（[/font][font=Times New Roman]Peltier effect[/font][font=宋体]），导体[/font][font=Times New Roman]A[/font][font=宋体]、[/font][font=Times New Roman]B[/font][font=宋体]组成的回路称为帕尔贴元件，其结构如图[/font][font=Times New Roman]1[/font][font=宋体]所示。[/font][/font][align=center][img=,343,119]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/11/202211300837240921_8798_1604036_3.jpg!w690x239.jpg[/img][font=宋体] [/font][/align][align=center][font=宋体][font=宋体]图[/font][font=Times New Roman]1 [/font][font=宋体]帕尔贴元件的结构[/font][/font][/align][font='Times New Roman'][font=宋体]由于电荷载体在不同的材料中处于不同的能级，当它从高能级向低能级运动时，便释放出多余的能量；相反，从低能级向高能级运动时，从外界吸收能量。能量在两材料的交界面处以热的形式吸收或放出。这一效应是可逆的，如果电流方向反过来，吸热便转变成放热[/font][/font][font=宋体]。帕尔贴元件吸收或者释放的热量与电流成正比。[/font][font=宋体]帕尔贴元件[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]吸收或释放的热量[/font][/font][font=宋体]与通过帕尔贴元件的电流[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]满足[/font][/font][font=宋体]以下公式[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]：[/font][/font][align=center][font='Times New Roman']Q = ( π[/font][sub][font='Times New Roman'] [/font][/sub][sub][font=宋体][font=Times New Roman]A[/font][/font][/sub][font='Times New Roman'] [font=Times New Roman]? π[/font][/font][sub][font='Times New Roman'] [/font][/sub][sub][font=宋体][font=Times New Roman]B[/font][/font][/sub][font='Times New Roman'] ) I[/font][/align][font=宋体][font=宋体]式中[/font] [font=Times New Roman]Q - [/font][font=宋体]热量[/font][/font][font='Times New Roman']?[/font][font='Times New Roman']?[/font][font='Times New Roman']π[/font][sub][font='Times New Roman'] [/font][/sub][sub][font=宋体][font=Times New Roman]A [/font][/font][/sub][font=宋体][font=Times New Roman]- [/font][font=宋体]导体[/font][font=Times New Roman]A[/font][font=宋体]的帕尔贴系数[/font][/font][font='Times New Roman']π[/font][sub][font='Times New Roman'] [/font][/sub][sub][font=宋体][font=Times New Roman]B[/font][/font][/sub][font=宋体] [font=Times New Roman]- [/font][/font][font='Times New Roman'][font=宋体]导体[/font][/font][font=宋体][font=Times New Roman]B[/font][/font][font='Times New Roman'][font=宋体]的帕尔贴系数[/font][/font][font=宋体][font=宋体]金属材料由帕尔贴效应产生的温度变化较弱，一般使用特殊半导体材料制作帕尔贴元件，称为半导体制冷器，其外观如图[/font][font=Times New Roman]2[/font][font=宋体]所示。半导体制冷器与其他常见制冷方式相比，具有如下特点：[/font][/font][font=宋体]1、 [/font][font=宋体]无需使用制冷剂，可以连续工作、无污染、体积和重量小。[/font][font=宋体][font=Times New Roman]2[/font][font=宋体]、 工作时无机械振动，运行噪音低，使用寿命长，容易安装。[/font][/font][font=宋体][font=Times New Roman]3[/font][font=宋体]、 半导体制冷器本身具有制冷和加热功能，可以用单一部件实现较宽范围温度控制。例如某些小体积的[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/5p][color=#3333ff]液相色谱仪[/color][/url]柱温箱的温度控制器，使用帕尔贴元件即可实现室温附近范围的温度控制。[/font][/font][font=宋体][font=Times New Roman]4[/font][font=宋体]、半导体制冷器控制方式较为简单，可以通过调整其工作电流的大小和方向实现温度控制。[/font][/font][font=宋体][font=Times New Roman]4[/font][font=宋体]、半导体制冷器惯性较小，制冷制热速度较快。[/font][/font][font=宋体][font=Times New Roman]5[/font][font=宋体]、半导体制冷器制冷效率相对较低，功耗较大。[/font][/font][font=宋体] [/font][align=center][img=,248,131]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/11/202211300837338967_3140_1604036_3.jpg!w444x235.jpg[/img][font='Times New Roman'] [/font][/align][align=center][font=宋体][font=宋体]图[/font][font=Times New Roman]2 [/font][font=宋体]半导体制冷器外观[/font][/font][/align][font=宋体] [/font][font='Times New Roman'] [/font][align=center][font=宋体]小结[/font][/align][font=宋体]半导体制冷器的基本原理和使用注意事项。[/font]

  • 半导体新技术应用于医疗仪器

    随着硅半导体技术的发展，全球知名半导体厂商也开始向医疗领域进军。医疗电子器件和技术的革新，不仅是医疗电子领域的一次大发展，也为患者带来新的体验。看看半导体厂商给医疗领域带来了哪些革新。 德州仪器在医疗领域的新成果，包括病人监护仪、消费者健身设备、可移植脊髓调节器等。德州仪器新开发的病人监护仪不同于传统监护仪，该仪器具有远距离可移植的系统。而消费者健身设备则嵌入了身体质量指数仪，能够精确测试出肥胖百分比。可移植脊髓调节器能够有效减轻患者背部疼痛，并对帕金森症患者有一定的治疗效果。 基于德州仪器芯片，GoWear便携医疗仪器被开发出来，主要用于测量人体生命体征健康和体重，同时这些数据将能够传输到手表等期间上，让你随时了解自己身体信息。比利时微电子研究中心则最新研发出了大脑电波无线检测器，特别之处是该检测器可以由耳机充当。通过八通道模拟ASIC芯片和EEG传感器，该耳机能够帮助癫痫患者实现交流，让其用大脑意念控制键盘。 一次性有源电子医疗电子器件也在飞速增长，而内置了8位微控制器驱动和血糖仪的一次性注射筒OmniPod就属于此类。Onyx II血氧计是Nonin的新品，能够对人体血氧含量进行检测并通过蓝牙传输将数据传输到手机等进行报告。ADI公司集成了模拟前端前沿的医疗产品就是——ADAS1000，该仪器能够对五组心电图系统数据和呼吸进行监测。 事实上，半导体厂商将技术应用于医疗领域的，远不止上面介绍的这些。包括飞思卡尔半导体等也在向该领域进军，开发出一系列医疗仪器。医疗电子器件和技术的革新，带来医疗领域的新发展。

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