半导体材料与器件检测

[font=&]当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]　　会议日程：[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] 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[font=&]　当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]　　会议日程：[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] 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[font=&]当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]　　会议日程：[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] 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[font=&]当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 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[font=宋体]罗帅[/font][/align][/td][/tr][tr][td=3,1,484][align=center][b]10[font=宋体]月[/font]16[font=宋体]日半导体器件研发、应用及分析检测技术[/font][/b][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]双模微腔激光器及其应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]黄永箴[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅光通信与互连：一种变革性的技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]杨林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体微纳加工中的硅干法刻蚀技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]王晓东[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]待定[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院电工研究所副所长[/font][font=宋体]韩立[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体][color=#333333]半导体产业现状及相关检测技术进展[/color][/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体][/font][color=#333333]国家半导体器件质量监督检验中心副主任 席善斌[/color][font=宋体][/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅基[/font]III-V[font=宋体]族光电器件及其缺陷的表征[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员[/font][font=宋体]樊士钊[/font][/align][/td][/tr][/table][font=&]　　[/font][b]报名链接（点击下方链接皆即可报名）[/b][font=&]:[/font][font=&]　　[/font][url]https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs[/url]

[font=&]　当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]　　会议日程：[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]王智杰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]赛默飞色谱质谱产品在半导体行业中的的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]赛默飞世尔科技应用专家[/font][font=宋体]钟新林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:00--10:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center]PerkinElmer[font=宋体]在半导体制程中的检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]珀金埃尔默企业管理（上海）有限公司技术专家[/font] [font=宋体]华瑞[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:30--11:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体材料生产与工艺质量监控的先进技术进展[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]布鲁克（北京）科技有限公司应用经理[/font] [font=宋体]黄鹤[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:00--11:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多公司半导体行业检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多产品专员[/font] [font=宋体]李玉琪[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:30--12:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]InP[font=宋体]基光子集成材料与器件及标准代工平台[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]赵玲娟[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]12:00--13:30[/align][/td][td=2,1,361][align=center][font=宋体]午休[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]Si[font=宋体]基[/font]GaN[font=宋体]材料的[/font]MOCVD[font=宋体]外延生长及杂质缺陷研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]北京大学高级工程师[/font] [font=宋体]杨学林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]阴极发光成像技术的发展及其在表征半导体材料研究中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]荷兰[/font]Delmic[font=宋体]公司应用专家[/font]Sangeetha Hari[/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]电子级水在半导体行业中的应用及解决方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]默克化工技术（上海）有限公司高级应用专家[/font] [font=宋体]李子超[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]日立电子显微镜在半导体分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]日立高新技术（上海）国际贸易有限公司经理[/font] [font=宋体]周鸥[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]扫描探针技术在半导体材料及器件表界面分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]暨南大学教授[/font] [font=宋体]谢伟广[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体纳米材料原子尺度结构性能关系的透射电子显微学研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]华中科技大学武汉光电国家研究中心副教授[/font] [font=宋体]李露颖[/font][/align][/td][/tr][tr][td=3,1,484][align=center][b]10[font=宋体]月[/font]16[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（下）[/font][/b][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]氧化镓基半导体器件研究进展[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]复旦大学青年研究员[/font] [font=宋体]刘文军[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:00--10:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]高纯半导体材料的无机元素分析[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]安捷伦科技（中国）有限公司原子光谱应用工程师[/font] [font=宋体]应钰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:30--11:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]待定[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center]HORIBA[/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:00--11:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体光电子外延材料国产化[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]江苏华兴激光科技有限公司总经理[/font] [font=宋体]罗帅[/font][/align][/td][/tr][tr][td=3,1,484][align=center][b]10[font=宋体]月[/font]16[font=宋体]日半导体器件研发、应用及分析检测技术[/font][/b][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]双模微腔激光器及其应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]黄永箴[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅光通信与互连：一种变革性的技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]杨林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体微纳加工中的硅干法刻蚀技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]王晓东[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]待定[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院电工研究所副所长[/font][font=宋体]韩立[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体][color=#333333]半导体产业现状及相关检测技术进展[/color][/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体][/font][color=#333333]国家半导体器件质量监督检验中心副主任 席善斌[/color][font=宋体][/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅基[/font]III-V[font=宋体]族光电器件及其缺陷的表征[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员[/font][font=宋体]樊士钊[/font][/align][/td][/tr][/table][font=&]　　[/font][b]报名链接（点击下方链接皆即可报名）[/b][font=&]:[/font][font=&]　　[/font][url]https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs[/url]

半导体器件芯片内部失效分析 超声波扫描显微镜（扫描频率最高可以达到２Ｇ）． 其主要是针对半导体器件 ,芯片，材料内部的失效分析．其可以检查到:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/emyc1002.gif请点激链接:半导体器件芯片失效分析 芯片内部分层，孔洞气泡失效分析C-SAM的叫法很多有，扫描声波显微镜或声扫描显微镜或扫描声学显微镜或超声波扫描显微镜(Scanning acoustic microscope）总概c-sam(sat)测试。ＸRAY 与C-SAM区别ＸRAY：X射线可以穿过塑封料并对包封内部的金属部件成像，因此，它特别适用于评价由流动诱导应力引起的引线变形　在电路测试中，引线断裂的结果是开路，而引线交叉或引线压在芯片焊盘的边缘上或芯片的金属布线上，则表现为短路。X射线分析也评估气泡的产生和位置，塑封料中那些直径大于1毫米的大空洞，很容易探测到. 而小于1毫米的小气泡空洞,分层.就非常难检测到.用X射线检测芯片焊盘的位移较为困难，因为焊盘位移相对于原来的位置来说更多的是倾斜而不是平移，所以，在用X射线分析时必须从侧面穿过较厚的塑封料来检测。检测芯片焊盘位移更好的方法是用剖面法，这已是破坏性分析了。C－SAM：由于超声波具有不用拆除组件外部封装之非破坏性检测能力，根据其对空气的灵敏度非常强的特性.故C-SAM可以有效的检出IC构装中因水气或热能所造成的破坏如﹕脱层、气孔及裂缝…等。 超声波在行经介质时，若遇到不同密度或弹性系数之物质时，即会产生反射回波。而此种反射回波强度会因材料密度不同而有所差异.C-SAM即最利用此特性来检出材料内部的缺陷并依所接收之讯号变化将之成像。因此，只要被检测的IC上表面或内部芯片构装材料的接口有脱层、气孔、裂缝…等缺陷时，即可由C-SAM影像得知缺陷之相对位置C-SAM服务超声波扫描显微镜(C-SAM)主要使用于封装内部结构的分析，因为它能提供IC封装因水气或热能所造成破坏分析，例如裂缝、空洞和脱层。C-SAM内部造影原理为电能经由聚焦转换镜产生超声波触击在待测物品上，将声波在不同接口上反射或穿透讯号接收后影像处理，再以影像及讯号加以分析。C-SAM可以在不需破坏封装的情况下探测到脱层、空洞和裂缝，且拥有类似X-Ray的穿透功能，并可以找出问题发生的位置和提供接口数据。主要应用范围：· 晶元面处脱层· 锡球、晶元、或填胶中之裂缝· 晶元倾斜· 各种可能之孔洞（晶元接合面、锡球、填胶…等）· 覆晶构装之分析C-SAM的主要特性： 非破坏性、无损伤检测内部结构 可分层扫描、多层扫描 实施、直观的图像及分析 缺陷的测量及百分比的计算 可显示材料内部的三维图像 对人体是没有伤害的 可检测各种缺陷（裂纹、分层、夹杂物、附着物、空洞、孔洞、晶界边界等）C-SAM的主要应用领域： 半导体电子行业：半导体晶圆片、封装器件、红外器件、光电传感器件、SMT贴片器件、MEMS等; 材料行业：复合材料、镀膜、电镀、注塑、合金、超导材料、陶瓷、金属焊接、摩擦界面等； 生物医学：活体细胞动态研究、骨骼、血管的研究等；

听说半导体材料新的检测标准出台了，哪位同仁有电子版的能分享吗?有SEMI标准更好！xnhhsdgm@163.com

半导体材料检测用超净间在洁净度、温度湿度、振动方面都有严格要求，但不知道在哪可以找到相关标准？

超声波扫描显微镜(C-SAM)主要使用于封装内部结构的分析，因为它能提供IC封装因水气或热能所造成破坏分析，例如裂缝、空洞和脱层。C-SAM内部造影原理为电能经由聚焦转换镜产生超声波触击在待测物品上，将声波在不同接口上反射或穿透讯号接收后影像处理，再以影像及讯号加以分析。C-SAM可以在不需破坏封装的情况下探测到脱层、空洞和裂缝，且拥有类似X-Ray的穿透功能，并可以找出问题发生的位置和提供接口数据。主要应用范围：· 晶元面处脱层· 锡球、晶元、或填胶中之裂缝· 晶元倾斜· 各种可能之孔洞（晶元接合面、锡球、填胶…等） · 覆晶构装之分析C-SAM的主要特性： 非破坏性、无损伤检测内部结构 可分层扫描、多层扫描 实施、直观的图像及分析 缺陷的测量及百分比的计算 可显示材料内部的三维图像 对人体是没有伤害的 可检测各种缺陷（裂纹、分层、夹杂物、附着物、空洞、孔洞、晶界边界等）C-SAM的主要应用领域： 半导体电子行业：半导体晶圆片、封装器件、红外器件、光电传感器件、SMT贴片器件、MEMS等 ;材料行业：复合材料、镀膜、电镀、注塑、合金、超导材料、陶瓷、金属焊接、摩擦界面等； 生物医学：活体细胞动态研究、骨骼、血管的研究等；

随着硅半导体技术的发展，全球知名半导体厂商也开始向医疗领域进军。医疗电子器件和技术的革新，不仅是医疗电子领域的一次大发展，也为患者带来新的体验。看看半导体厂商给医疗领域带来了哪些革新。 德州仪器在医疗领域的新成果，包括病人监护仪、消费者健身设备、可移植脊髓调节器等。德州仪器新开发的病人监护仪不同于传统监护仪，该仪器具有远距离可移植的系统。而消费者健身设备则嵌入了身体质量指数仪，能够精确测试出肥胖百分比。可移植脊髓调节器能够有效减轻患者背部疼痛，并对帕金森症患者有一定的治疗效果。 基于德州仪器芯片，GoWear便携医疗仪器被开发出来，主要用于测量人体生命体征健康和体重，同时这些数据将能够传输到手表等期间上，让你随时了解自己身体信息。比利时微电子研究中心则最新研发出了大脑电波无线检测器，特别之处是该检测器可以由耳机充当。通过八通道模拟ASIC芯片和EEG传感器，该耳机能够帮助癫痫患者实现交流，让其用大脑意念控制键盘。 一次性有源电子医疗电子器件也在飞速增长，而内置了8位微控制器驱动和血糖仪的一次性注射筒OmniPod就属于此类。Onyx II血氧计是Nonin的新品，能够对人体血氧含量进行检测并通过蓝牙传输将数据传输到手机等进行报告。ADI公司集成了模拟前端前沿的医疗产品就是——ADAS1000，该仪器能够对五组心电图系统数据和呼吸进行监测。 事实上，半导体厂商将技术应用于医疗领域的，远不止上面介绍的这些。包括飞思卡尔半导体等也在向该领域进军，开发出一系列医疗仪器。医疗电子器件和技术的革新，带来医疗领域的新发展。

[b]新上讲座：XPS技术在能源电池及半导体领域的应用举行时间：2017-09-28 14:00立即免费报名：[url]http://www.instrument.com.cn/webinar/meeting_2732.html[/url][/b]主讲人：范燕 赛默飞 XPS 应用工程师 硕士 毕业于中国石油大学（北京），硕士期间实习于中国计量科学研究院，主要研究课题为典型碳材料的定性与定量分析，并参与利用XPS进行纳米金颗粒有机壳层厚度的计算及X射线光电子能谱（XPS）能量标尺标物（Au、Ag、Cu）的研制等课题。发表文献：《XPS分析过程中X射线照射对PET的影响》。 本科及硕士期间曾获得“国家励志奖学金”、“山东省省级优秀毕业生”、“一等奖学金”、“校级优秀学生”等荣誉。[b]主要内容：[/b]XPS作为表面分析的重要手段，不仅被广泛地应用于化学分析、材料开发应用研究、物理理论探讨等学术领域，在机械加工、印刷电路技术、镀膜材料工艺控制、纳米功能材料开发等工业领域，XPS都能提供全方位的解决方案。在本次报告中，我们主要分享XPS在能源电池（包括MEA燃料电池层结构及元素扩散行为、太阳能电池质量评估、储氢材料中的H含量检测等）及半导体（包括触摸屏缺陷检测、硅晶圆片元素层间扩散、SiO2类栅极介电层材料检测）领域的广泛应用。

本人急需半导体材料检测的SEMI标准，中英文版的都可以，那位同仁有啊？期待分享！谢谢！xnhhsdgm@163.com

半导体元器件控温设备中，每个配件都有着不同的作用，由于作用不同，无锡冠亚的半导体元器件控温的阀件和控制器的作用也是不同的。　　半导体元器件控温的水泵，是用于加速水流动的工具，以达到加强水在换热器中换热的效果。半导体元器件控温的水流开关用作管道内流体流量的控制或断流保护，当流体流量到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的压力控制器用作压力控制和压力保护之用，机组有低压和高压控制器，用来控制系统的压力的工作范围，当系统压力到调定值时，开关自动切断（或接通）电路。　　半导体元器件控温的压差控制器用作压力差的控制，当压力差到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的温度控制器用作机组的控制或保护，当温度到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。在我们的产品上，温度的控制常用到，用水箱温度来控制机组的开停机情况。还有些象防冻都需要用到温度控制器。　　半导体元器件控温视液镜用于指示制冷装置中液体管路的制冷剂的状况、制冷剂中的含水量、回油管路中来自油分离器的润滑油的流动状况，有的视液镜带有一指示器，它通过改变其颜色来指出制冷剂中的含水量。（绿色表示干燥，黄色表示潮湿）。因温度变化而引起水的体积变化，膨胀水箱用来贮存这部分膨胀水，对系统起稳压定压的作用，能给系统补偿部分水。　　半导体元器件控温是一项比较新的设备，性能上面要求高一点才能使得半导体元器件控温的运行更加稳定。

小弟是刚入门半导体材料行业，对于材料的物理测试不是很清楚！？ 不知道那位大虾能否指导下关于少数寿命，电阻率，PB含量的测试？有没有关于方法与资料？？那个公司的仪器比较好？

一、 中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。　　第四部分：用数字表示序号　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管　　二、日本半导体分立器件型号命名方法　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。　　三、美国半导体分立器件型号命名方法　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：　　第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。　　第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。　　第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。　　第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。　　第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。　　四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：　　第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料　　第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。　　第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。　　第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：　　1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。　　五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。　　第一部分：O-表示半导体器件　　第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。　　第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。　　第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

科技日报北京1月22日电 德国维尔茨堡—德累斯顿卓越集群ct.qmat团队的理论和实验物理学家开发出一种由铝镓砷制成的半导体器件。这项开创性的研究发表在最新一期《自然物理学》杂志上。由于拓扑趋肤效应，量子半导体上不同触点之间的所有电流都不受杂质或其他外部扰动的影响。这使得拓扑器件对半导体行业越来越有吸引力，因为其消除了对材料纯度的要求，而材料提纯成本极高。拓扑量子材料以其卓越的稳健性而闻名，非常适合功率密集型应用。新开发的量子半导体既稳定又高度准确，这种罕见组合使该拓扑器件成为传感器工程中令人兴奋的新选择。利用拓扑趋肤效应可制造新型高性能量子器件，而且尺寸也可做得非常小。新的拓扑量子器件直径约为0.1毫米，且易于进一步缩小。这一成就的开创性在于，首次在半导体材料中实现了微观尺度的拓扑趋肤效应。这种量子现象3年前首次在宏观层面得到证实，但只是在人造超材料中，而不是在天然超材料中。因此，这是首次开发出高度稳健且超灵敏的微型半导体拓扑量子器件。通过在铝镓砷半导体器件上创造性地布置材料和触点，研究团队在超冷条件和强磁场下成功诱导出拓扑效应。他们采用了二维半导体结构，触点的排列方式可在触点边缘测量电阻，直接显示拓扑效应。研究人员表示，在新的量子器件中，电流—电压关系受到拓扑趋肤效应的保护，因为电子被限制在边缘。即使半导体材料中存在杂质，电流也能保持稳定。此外，触点甚至可检测到最轻微的电流或电压波动。这使得拓扑量子器件非常适合制造尺寸极小的高精度传感器和放大器。[来源：科技日报][align=right][/align]

2024年3月23日，HORIBA 开放日——半导体材料表征主题研讨会在HORIBA集团全新投资的厚立方大楼(C-CUBE) 成功举办。本次研讨会由HORIBA携手上海集成电路材料研究院、集成电路材料创新联合体共同举办，吸引了诸多技术专家与前端企业共聚一堂，共同探讨光刻胶、宽禁带材料和光掩膜等关键领域的创新发展。[align=center][img=01.现场.png]https://img1.17img.cn/17img/images/202403/uepic/759201a8-fbc1-4187-88a3-f8d6876b6acb.jpg[/img][/align][align=center][size=14px][color=#7f7f7f]△ HORIBA半导体材料表征主题研讨会现场[/color][/size][/align]会议伊始，日本半导体设备协会专务理事Kiyoshi WATANABE先生、上海集成电路材料研究院副总经理、集成电路材料创新联合体秘书长冯黎女士，以及HORIBA前沿应用开发中心总监沈婧博士分别发表欢迎致辞。他们强调了半导体材料表征在推动产业进步中的重要作用，并期待通过本次研讨会能够汇聚各方智慧，共同推动半导体产业创新。[align=center][size=14px][color=#7f7f7f][img=02.欢迎致辞.gif]https://img1.17img.cn/17img/images/202403/noimg/5af5fa96-efa0-4c3e-bd22-8a871ff9bc33.gif[/img][/color][/size][/align][align=center][size=14px][color=#7f7f7f]△ 三位嘉宾发表开场致辞[/color][/size][/align][align=center][size=14px][color=#7f7f7f]（日本半导体设备协会的Kiyoshi WATANABE先生通过线上方式欢迎嘉宾莅临）[/color][/size][/align]作为现代电子技术的核心领域，半导体工业的发展离不开量测手段、创新研发、材料表征以及检测方法的支持。为此，HORIBA精心安排了四位讲师就这四个维度进行了深入分享。首先，HORIBA集团半导体全球业务负责人Ramdane BENFERHAT博士介绍了HORIBA在半导体产业材料表征及制程监控的能力，他还特别强调了公司在光刻胶、宽禁带半导体和光掩膜等材料领域的解决方案，这些方案有望为半导体企业提速增效提供有力支持。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202403/uepic/f54de651-9e2f-4dee-b28b-fc9f59afe536.jpg[/img][size=14px][color=#7f7f7f]△ Ramdane BENFERHAT博士指出，随着AI智能、高速快充及新能源汽车等新兴应用快速发展，半导体解决方案的不断优化创新正是产业发展的强劲动力。[/color][/size][/align]在精确计量和检测方案多样化需求的驱动下，集成电路材料的创新研发前景自然令人欣喜。来自上海集成电路材料研究院的黄嘉晔博士紧接着为来宾们介绍了集成电路材料的现状，同时他强调了合作与开放的重要性，呼吁各方加强交流与合作，共同推动半导体产业的繁荣发展。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202403/uepic/10dee330-fe3e-412a-a4c0-4b23abd50b8f.jpg[/img][size=14px][color=#7f7f7f]△ 上海集成电路材料研究院的黄嘉晔博士表示，上海集成电路材料研究院作为聚焦于集成电路材料的创新研发平台，以全面、客观、高效的材料研发创新为目标，为产业发展保驾护航。[/color][/size][/align]短暂的茶歇后，来宾们带着对创新研发平台的期待，共同探讨了宽禁带半导体材料的热点话题——碳化硅单晶的缺陷表征。浙江大学杭州国际科创中心的研究员王蓉教授详细介绍了拉曼光谱对分析碳化硅晶型、应力分布、掺杂浓度的重要意义以及光致发光技术对碳化硅缺陷分析的重要作用，为研究人员丰富了碳化硅缺陷调控与表征的思路。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202403/uepic/0b73f82b-822a-4820-bc4f-8e34528ba6f2.jpg[/img][/align][align=center][size=14px][color=#7f7f7f]△ 王蓉教授指出，精准的缺陷表征技术可以实现对碳化硅单晶性能的优化和提升，进而推动半导体产业的进步。[/color][/size][/align]了解了半导体材料的调控方法后，如何对材料进行准确的检测更是保证产品质量的关键。上海集成电路材料研究院的刘国林博士就集成电路材料检测标准方法进行了深入讲解。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202403/uepic/67f55483-ffbd-49ab-84e7-799cfbcd8e95.jpg[/img][size=14px][color=#7f7f7f]△ 刘国林博士为现场观众系统介绍了集成电路材料的物理和化学检测方法，并展示了集成电路材料研究院的检测能力与实例。[/color][/size][/align]四位讲师的精彩报告过后，来宾们在工作人员的引导下参观了厚立方（C-CUBE）。位于二楼的前沿应用开发中心（Analytical Solution Plaza，简称ASP），是HORIBA依托资深的专业技术团队，致力于与中国用户深化合作、协同创新、探索解决方案而打造的综合平台，也是本次参观的重点。在ASP应用专家团队的精彩讲解下，多款分析检测仪器给来宾们留下了深刻印象，为未来多方合作奠定了基础。例如，在半导体材料表征阶段，拉曼光谱仪能为结晶度/分子浓度、缺陷/杂质分析、应力和化学组成等提供检测支持；荧光光谱仪则为材料禁带宽度提供了快速精准的结果。此外，氧氮氢分析仪、辉光放电光谱仪以及X射线荧光显微分析仪，为元素分析提供了多元化的解决方案；椭圆偏振光谱仪不仅能够检测膜厚，还能对光刻胶进行表征；光掩模颗粒检测系统（PD Xpadion）则能快速对光罩进行精准而全面的颗粒扫描，为工程师颗粒监控提供便利。粒度仪能够对CMP浆料进行颗粒分析，精准表征工作颗粒的尺寸和分布。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202403/uepic/96baf1ac-a8ea-492c-96c8-851646529838.jpg[/img][size=14px][color=#7f7f7f]△ ASP内的多款仪器能为半导体材料与制程监控提供强有力的技术支持。[/color][/size][/align][align=center][img=08.参观.gif]https://img1.17img.cn/17img/images/202403/noimg/b75485e0-3605-4971-9ce1-ebf4fb9c8436.gif[/img][/align][align=center][size=14px][i][color=#7f7f7f]△ 厚立方（C-CUBE）参观活动充分展现了HORIBA的技术实力与团队风采。[/color][/i][/size][/align]本次由HORIBA与上海集成电路材料研究院、集成电路材料创新联合体联合举办的研讨会不仅为业内专家和企业搭建了一个交流与合作的平台，更为半导体产业的蓬勃发展注入了活力。与会者纷纷表示收获颇丰，结识了众多志同道合的伙伴，为未来的合作与发展牢筑基石。[align=center][img=09.提问及交流-合.gif]https://img1.17img.cn/17img/images/202403/noimg/b5caad22-4abf-4b9d-bc51-b2f4307a256a.gif[/img][/align][align=center][size=14px][color=#7f7f7f]△ 现场气氛热烈，来宾们互相交流学习，收获颇丰。[/color][/size][/align]展望未来，半导体产业将在各方共同努力下持续快速发展，HORIBA也将继续通过一系列开放日活动，为更多国内研发机构及前端企业提供卓越的技术支持与服务，让我们一起“分析见世界，合作创未来”！[align=center][img=10.集体照.png]https://img1.17img.cn/17img/images/202403/uepic/5bffcdaa-2e04-4c4c-bc8f-e2e40ea8a858.jpg[/img][/align][align=center][size=14px][color=#7f7f7f]△ 大家合影留念，记录下本次研讨会圆满落幕的珍贵瞬间。[/color][/size][/align][来源：HORIBA][align=right][/align]

摘要：通过对氧化物半导体样品的特性测试和分析，首先用可见-紫外光分光光度方法测量了掺杂不同杂质的二氧化钛的的透射（或吸收）谱，并利用这些谱确定样品的光学禁带宽度。随后又用热激活方法测量数种不同氧化物半导体的阻-温特性关系，即研究了温度变化对掺杂Nb2O5的二氧化钛电阻性能的影响，并进一步利用这些关系推导出样品的激活能。在实验过程中，我们还进行了二氧化钛镀膜样品的制作和氧化锌压片样品的制备并为其镀上电极。1 引言 纳米材料是20世纪80年代末、90年代初才逐步发展起来的一类新型材料。这一概念形成后，引起世人的密切关注，它所具有的独特性质，使人们充分意识到它的广阔发展前景。随着纳米氧化物材料制备技术的不断发展和成熟，人们已经可以方便地制备出不同粒径、不同组分、不同结构的各种类型的纳米氧化物。这些研究成果为我们进一步研究纳米氧化物材料的微观结构、特殊性质奠定了坚实的基础。2000年美国政府启动了纳米科技发展计划，我国也将纳米材料和纳米技术列为科技发展的优势领域，近年来，纳米材料的开发和应用已成为各国科技工作者的研究热点，纳米材料在涂料中的应用也是研究热点之一。纳米二氧化钛是其中最重要的一类无机功能材料之一。它除了具有一般纳米粒子所特有的特性外，还具有高光催化效应、强紫外线屏蔽能力以及能产生奇特颜色效应等许多特殊性能，广泛应用在生产和生活的各个方面，其制备及应用研究受到世界各国的高度重视。1）氧化钛用于电极基体。一般需将金属氧化物电极附载于某种具有电催化活性的基体表面。由于钛具有良好的导电性和耐蚀性，因此目前大多采用高耐蚀性的钛作为电极的基体。2）抗菌性。在阳光，尤其是紫外光的照射下，在水和空气中，纳米氧化物能自行分解出自由移动的带负电的电子，同时留下带正电的空穴。这种空穴可以激活空气中的氧变为活性氧，具有极强的化学活性，能与多种有机物发生氧化反应（包括细菌内的有机物），从而把大多数病毒和病菌杀死。3）涂料。紫外线能量很高，足以破坏高分子之间的化学键，可直接导致涂料老化。实验研究证明，纳米TiO2对波长在400nm～750nm的可见光具有透过作用，能够屏蔽日光中的紫外线。将经过处理的纳米氧化物用于涂料中，可有效保护涂料中的有机分子免受紫外线的侵害，长久保持良好的性能。2 原理概述 二氧化钛由于具有高活性、安全无毒、化学性质稳定及成本低等优点,被广泛应用于环境保护、太阳能转化、化妆品、纺织、涂料、橡胶等领域。在一些领域二氧化钛大规模的生产应用受到二氧化钛量子效率低和禁带宽度宽对太阳能利用率低的缺陷的限制。 根据定义，半导体具有由价带所构成的带隙，价带由一系列填满电子的轨道所构成，而导带是由一系列未填充电子的轨道所构成。当半导体近表面在受到能量大于其带隙能量的光辐射时，价带中的电子会受到激发跃迁到导带。一个半导体必须要具有合适的禁带宽度和导带电位，首先是禁带宽度必须位于光源的能量范围之内，当受到光照时，才能吸收光能形成禁带激发，导致产生光氧化还原反应所必须的电子空穴对。　　大多数氧化物电极都是半导体材料，因而具有许多半导体的性质。同金属电极相比，氧化物半导体中载流子的密度是较低的常数。因此要提高它们的导电性，首先要提高氧化物半导体中载流子的数目。电催化氧化要求阳极具有良好的导电性，而钛表面的钝化膜导电性极差，由于该膜的成分主要是TiO 2，它属n型半导体，禁带宽度为3.0eV。在众多半导体中，它的禁带宽度是较宽的，也就是说它的载流子难于激发出来，这就是其导电性不好的原因。掺杂离子可降低TiO2的禁带宽度，由于杂质离子半径与Ti不同，所以可造成TiO 2晶体发生扭曲，甚至造成缺陷。这些扭曲和缺陷使TiO2的能级发生分裂，在规整的能级中形成新的缺陷能级，使得价带中电子很容易进入一些缺陷能级中。因而载流子密度升高，导电性提高。同时有些掺杂杂质作为施主加入形成施主能级，这些能级中的电子很容易受激发进入导带，大大提高地载流子密度，使半导体导电性大幅提高。受上述理论分析的启发，人们在制备钛氧化物电极时都要寻找合适的掺杂物去提高TiO 2氧化物的导电性。 我们在上述理论的基础上，在实验中对已经掺杂杂质的TiO2样品进行测试与分析，得到其禁带宽度与不同掺杂浓度，不同掺杂离子的关系，以及其阻温特性。

请问有人做过半导体材料的荧光量子效率的测定吗？？我想测定II-IV族材料的，主要是CdTe水溶液。有文献以罗丹明6G为参照物（荧光效率为0.95）请问：其浓度，温度如何确定？？激发波长多少？？另外计算量子效率时，参比和待测物质的激发波长需要一样吗？？如有回复，万分感激，谢谢！！！！

由于使用场所禁止易燃易爆气体，所以不能选用FID检测器。但是TCD的灵敏性距检测要求略低，因此打算采用半导体检测器。请各位前辈指点1、2，帮忙推荐几种性能比较稳定的半导体检测器。

[color=#000000]2024年3月20日至22日，备受瞩目的SEMICON China 2024在上海新国际博览中心隆重举行。作为全球规模最大、规格最高的半导体行业盛会，此次展会吸引了众多顶尖企业的参与。其中，HORIBA（堀场）以其先进的半导体产业材料表征及制程监控解决方案在N2馆亮相。[/color][color=#000000]在本次展会上，HORIBA重点展示了量检测领域的多款产品，包括光掩模颗粒异物检测技术、刻蚀终点检测技术，以及针对先进半导体材料、二维材料、化合物半导体材料的专项检测技术。[/color][color=#000000]展会期间，仪器信息网有幸采访到了堀场（中国）贸易有限公司半导体事业部销售经理熊洪武。在采访中，熊经理就HORIBA的主要产品、技术优势以及半导体行业的发展趋势等话题进行了深入的探讨和分享。[/color][color=#0070c0][b]以下是现场采访视频：[/b][/color][color=#ff6428][/color][align=center][img]https://img.bokecc.com/comimage/D9180EE599D5BD46/2024-04-08/19648AA9A0C7626C63835A29B2A11961-1.jpg[/img][/align][back=url(&][/back][font=Arial, Helvetica, sans-serif][size=12px][color=#ffffff]00:00[/color][/size][/font][font=Arial, Helvetica, sans-serif][size=12px][color=#ffffff]/[/color][/size][/font][font=Arial, Helvetica, sans-serif][size=12px][color=#ffffff]06:32[/color][/size][/font][back=url(&]B[/back][font=web][size=24px][color=#ffffff]T[/color][/size][/font][size=12px][color=#dddddd][back=rgba(51, 51, 51, 0.5)]高清[/back][/color][/size][size=12px][color=#dddddd][back=rgba(51, 51, 51, 0.5)]正常[/back][/color][/size][来源：仪器信息网] 未经授权不得转载[align=right][/align]

由于美国调整芯片出口规则，中国对芯片国产化的重视程度越来越高，并定下了2025年将芯片自给率提高到70%的目标，国内半导体行业也掀起了投资热潮。近年来，随着国家的对于集成电路产业的重视以及资本的支持，国内的集成电路产业发展迅速，但是与国外仍有不小的差距，特别是在上游的半导体材料等领域，更是差距巨大。不过，随着国内半导体制造的崛起，也推动了半导体材料的国产化进程。虽然目前各大主要品类的半导体材料领域均有国内企业涉足，但整体对外依存度仍在 60%以上，特别是大尺寸半导体硅片、光刻胶、电子特气等材料更为依赖进口，进口替代空间巨大。除技术难题外，还有一个阻绊我们半导体制造的崛起的难题：在芯片制程中要使用到极高毒性,腐蚀性及易燃性气体、液体和大量可燃性塑材。在目前工艺技术较为先进的半导体晶圆代工厂的制造过程中，全部工艺步骤超过450道，其中大约要使用50种不同种类的气体。一般把气体分为大宗气体和特种气体两种。大宗气体一般是指集中供应且用量较大的气体，特种气体主要有各种掺杂用气体、外延用气体、离子注入用气体、刻蚀用气体以及其他广为各种制程设备所使用的惰性气体等。如沉积工艺中作为所用的NH3氨气、O2氧气等，光刻时常用的H2氢气等，刻蚀时常用的HCL氯化氢、Cl2氯气、F2氟气等。热处理时常用的O2氧气和H2氢气等。腔室清洗时常用的卤化物HCI氯化氢、Cl2氯气、HF氟化氢、HBr溴化氢和O2氧气等以及离子注入法作为n型硅片离子注入磷源、砷源的PH 3磷化氢和AsH3砷化氢等。从以上的应用可以看出，气体在半导体晶圆代工厂有着非常重要的作用。因为各种气体的特性不同，所以要设计出不同的气体来满足各种不同制程的需求。[url=http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171055.png][img=QQ图片20220714171055,401,300]http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171055-401x300.png[/img][/url]半导体制造业所使用的特种气体一般按其使用时的特性，[b][b]可分为易燃性气体、毒性气体、腐蚀性气体、惰性气体和氧化性气体五大类。[/b][/b]隋性气体本身一般不会直接对人体产生伤害，在气体传输过程中，相对于安全上的要求不如以下其他气体严格。惰性气体具有窒息特性，不开阔空间下发生少量泄漏不会使人窒息而造成工伤事故；易燃性气体一般指可发生自燃、易燃的可燃气体。当环境温度达到一定时，PH3等气体也会产生自燃。可燃易燃气体都有一定的着火燃烧爆炸范围，即上限、下限值。此范围越大的气体起爆炸燃烧危险性就越高，属于易燃气体有H2,NH3,PH3, 等等；毒性气体是指在半导体制造行业中使用的气体很多都是对人体有害、有毒的。如PH3、NH3、HCL、CL2、AsH3、CO等气体在工作环境中的允许浓度极微，因此在贮存、输送以及使用的过程中都要求特别的小心。一般都应该采取特定的技术措施来控制使用这些气体；腐蚀性气体通常同时也兼有较强的毒性。腐蚀性气体在干燥状态下一般不易侵蚀金属，但在遇到水的环境下就显示出很强的腐蚀性，如HCl, HF, 等；氧化性气体有较强的氧化性，一般同时具有其他特性，如毒性或腐蚀性等。属于这类的气体有ClF3 ,Cl2,NF3等。半导体制造业被美国(FMS)组织列为”极高风险”的行业。主要是因为它在制程中要使用到极高毒性,腐蚀性及易燃性气体、液体和大量可燃性塑材，再加上无尘室的密闭作业环境及回风系统,所有这些因素都大大增加了半导体厂房的风险。作为半导体晶圆代工厂气体的使用者，每一位工作人员都应该在使用前对各种危险气体的安全数据加以了解，并且应该知道如何应对这些气体外泄时的紧急处理程序。一般来讲，我们将有三重保障来防范万一有意外发生的危险气体外泄进入到工作环境中。一个是特种气体的气瓶以及全部经过正负压测漏的气体输送管路；第二个是持续不断的排气抽风系统（Exhaust），管路节点如气瓶柜、VMB、工作台等均具有很强排气抽风系统，以确保每一管路节点外围都处于负压环境。若发生微量的有毒气体的泄漏，排气抽风系统将第一时间抽出。另外一个很重要的是：根据现行国家标准[b][b]《特种气体系统工程技术规范》GB50646-2011[/b][/b]和[b][b]《有毒气体检测报警仪技术条件及检验方法》HG23006[/b][/b]中的有关规定，同时结合半导体工厂使用气体检测装置产品的快速响应要求作出检测报警响应时间规定。要求处于抽风口或环境点安装[b][b]毒性气体侦测器[/b][/b]及系统，若发生任何有毒气体的泄漏将会被气体侦测系统所侦测到，这个控制系统将根据气体外泄对人体危害的大小来确定整个气体输送系统的相关互锁动作，严重时紧急关闭上游所有气源，同时会驱动中央控制室和现场的相关报警系统LAU，甚至会驱动全厂的自动语音广播系统通知立即疏散，要求相关人员迅速撤离报警区域。因此只要工程技术人员严格按照所制定的标准作业程序操作，所有这些安全装置都将确保人员不会有安全上的顾虑。[b][b]工采网提供监测[/b][/b]一氧化碳CO、氨气NH3、氧气O2、氯化氢HCL、氯气CL2、氟化氢HF、磷化氢PH3和氢气H2等有毒有害/易燃易爆气体传感器，是针对半导体制造业毒气监测应用的专业级传感器产品，传感器寿命长，可长时间稳定持续监测，可大大降低半导体制造业毒气监测成本，实现大范围安装应用，为半导体制造业毒气监测提供了切实可行的安全生产监测解决方案。具体产品如下：[url=http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171413.png][img=QQ图片20220714171413,756,222]http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171413.png[/img][/url]

新一期英国《自然·纳米技术》杂志日前刊登报告说，单层的辉钼材料显示出良好的半导体特性，有些性能超过现在广泛使用的硅和研究热门石墨烯，可望成为下一代半导体材料。　　辉钼是钼的二硫化物。瑞士洛桑联邦高等理工学院的研究人员报告说，辉钼在自然界中含量丰富，常用于冶炼合金等领域，但之前对它电学性能的研究却不多，而实际上单层辉钼材料具有良好的半导体特性。　　与现在广泛使用的硅材料相比，辉钼具有两个主要优点：一是达到同等效用的体积更小。只有0.65纳米厚的辉钼材料，电子在其中能像在2纳米厚的硅材料中那样自如移动，同时，现有技术还无法将硅材料制作得跟辉钼材料一样薄；二是能耗更低。据估计，辉钼制成的晶体管在待机状态下消耗的能量只是硅晶体管的约十万分之一。　　本次研究关注的是只有一层二硫化钼分子的辉钼材料，它与现在的研究热门石墨烯类似，后者是只有一层碳原子的超薄材料，也被看做是下一代半导体的热门材料，有关它的研究成果获得2010年诺贝尔物理学奖。　　但报告说，半导体材料的一个重要特征是具有“能隙”，以便制作半导体开关。辉钼能隙的值非常理想，而石墨烯的能隙为零。如何为石墨烯加上合适的能隙是困扰相关研究的一个难题，这使得辉钼与石墨烯相比也具有优势。　　领导研究的安德拉斯·基什教授表示，辉钼是良好的下一代半导体材料，在制造超小型晶体管、发光二极管和太阳能电池方面具有很广阔的前景。(新华网记者黄堃)

[font=宋体][color=#333333]点击链接查看更多：[url]https://www.woyaoce.cn/service/info-15694.html[/url][/color][color=#ad1731]材料热分析[/color][/font][font=宋体]：[/font][font=宋体]是在程序控制温度下，测量物质的物理性能随温度变化的技术。[/font][font=宋体]通过测定物质加热或者冷却过程中物理性质的变化来研究物质性质及变化，或者对物质进行鉴别分形。物理性质则包括物质的质量、温度、热焓、尺寸、机械、声学、电学及磁学等性质。[/font][font=宋体]材料热分析目的、意义[/font][font=宋体]材料热分析能快速准确地测定物质的晶型转变、熔融、升华、吸附、脱水、分解等变化，在表征材料的热性能、物理性能、机械性能以及稳定性等方面有着广泛的应用。[/font][font=宋体]对无机、有机及高分子材料的物理及化学性能方面的研究和相关材料生产中的质量控制都具有十分重要的实际意义。[/font][font=SourceHanSansCN-Normal, serif] [/font][font=宋体][color=#ad1731]导热系数测试[/color][/font][font=SourceHanSansCN-Normal, serif]1.[/font][font=宋体]稳态热流法[/font][font=宋体]适用于均质及非均质之导热电绝缘热界面材料的等效热传导系数与热阻抗测试。[/font][font=SourceHanSansCN-Normal, serif]2.[/font][font=宋体]激光闪射法（[/font][font=SourceHanSansCN-Normal, serif]LFA[/font][font=宋体]）[/font][font=宋体]该方法是非接触式与非破坏式的测量技术，不仅能精确地直接测量热扩散系数，也可乘以样品的比热容和密度，计算导热系数。[/font][font=宋体]测试项目[/font][table][tr][td][font=宋体][size=16px]参数[/size][/font][/td][td][font=宋体][size=16px]测试方法[/size][/font][/td][td=1,1,400][font=宋体][size=16px]温度范围[/size][/font][/td][/tr][tr][td][font=宋体][size=16px]熔点、熔融热焓、结晶温度、结晶热焓[/size][/font][/td][td][font=宋体][size=16px]差示扫描量热分析 DSC[/size][/font][/td][td=1,1,400][font=宋体][size=16px]-100℃~550℃[/size][/font][/td][/tr][tr][td][font=宋体][size=16px]比热容[/size][/font][/td][td][font=宋体][size=16px]差示扫描量热分析 DSC[/size][/font][/td][td=1,1,400][font=宋体][size=16px]-100℃~550℃[/size][/font][/td][/tr][tr][td=1,3][font=宋体][size=16px]玻璃化转变温度[/size][/font][/td][td][font=宋体][size=16px]差示扫描量热分析 DSC[/size][/font][/td][td=1,1,400][font=宋体][size=16px]-100℃~400℃[/size][/font][/td][/tr][tr][td][font=宋体][size=16px]热机械分析 TMA[/size][/font][/td][td][font=宋体][size=16px]-100℃~400℃[/size][/font][/td][/tr][tr][td][font=宋体][size=16px]动态热机械分析 DMA[/size][/font][/td][td][font=宋体][size=16px]-100℃~400℃[/size][/font][/td][/tr][tr][td][font=宋体][size=16px]热裂解温度[/size][/font][/td][td][font=宋体][size=16px]热重分析 TGA[/size][/font][/td][td=1,1,400][font=宋体][size=16px]室温~800℃[/size][/font][/td][/tr][tr][td][font=宋体][size=16px]热膨胀系数[/size][/font][/td][td][font=宋体][size=16px]热机械分析 TMA[/size][/font][/td][td=1,1,486][font=宋体][size=16px]-100℃~900℃[/size][/font][/td][/tr][tr][td][font=宋体][size=16px]爆板时间[/size][/font][/td][td][font=宋体][size=16px]热机械分析 TMA[/size][/font][/td][td=1,1,400][font=宋体][size=16px]室温~300℃[/size][/font][/td][/tr][/table][font=SourceHanSansCN-Normal, serif][/font]原料检测[table=944][tr][td=2,1,185]产品类别[/td][td=1,1,759]常见产品[/td][/tr][tr][td=1,3,86]湿电子化学品[/td][td=1,1,99]酸碱类[/td][td=1,1,759]高纯盐酸；高纯硫酸；高纯硝酸；高纯氢氟酸；高纯冰Z酸；高纯草酸；电子级复水；电子级过氧化氢；氢氧化钾溶液；氢氧化钠溶液；电子级磷酸[/td][/tr][tr][td=1,1,99]蚀刻类[/td][td=1,1,759]铝腐蚀液；铬鹰蚀液；镍银腐蚀液；硅腐蚀液；金蚀刻液；铜蚀刻液；显影液；剥离液；清洗液；ITO蚀刻液；缓释剂；BOE；[/td][/tr][tr][td=1,1,99]溶剂类[/td][td=1,1,759]甲醇；乙醇；异丙醇；丙酮；四甲基氢氧化铵；甲苯；二甲苯；三氯乙烯；环已烷；N-甲基吡略烷酮；丙二醇单甲醚；丙二醇单甲醚醋酸酯；[/td][/tr][tr][td=1,1,86]光刻胶及配套试剂[/td][td=1,1,99] [/td][td=1,1,759]光刻胶；负胶显影液；负胶漂洗液；负胶显影漂洗液；正胶显影液正胶稀释剂；边胶清洗剂；负胶剥离液；正胶剥离液；[/td][/tr][tr][td=1,5,86]电池材料[/td][td=1,1,99]负极材料[/td][td=1,1,759]碳材料；非碳负极材料；石墨负极材料；锂电池负极材料；硅负极材料；锂离子负极材料；硅碳负极材料；碳素负极材料；沥青负极材料[/td][/tr][tr][td=1,1,99]正极材料[/td][td=1,1,759]钻酸锂；锰酸锂；磷酸铁锂；三元材料；镍，钴，锰酸锂；镍锰酸锂；正极材料镍钴锰酸锂[/td][/tr][tr][td=1,1,99]电解液[/td][td=1,1,759]锂离子电池用电解液；锂原电池用电解液；六氟磷酸锂；六氟磷酸锂电解液[/td][/tr][tr][td=1,1,99]电池/电解液添加剂[/td][td=1,1,759]成膜添加剂；导电添加剂；阻燃添加剂；过充保护添加剂；改善低温性能的添加剂；多功能添加剂[/td][/tr][tr][td=1,1,99]电池隔膜[/td][td=1,1,759]锂电池隔膜；高性能电池隔膜；电池陶瓷隔膜[/td][/tr][tr][td=2,1,185]电子元器件化学品[/td][td=1,1,759]硝酸铋；硫酸铝；硝酸铝；硝酸钾；溴化钙；重铬酸铵；重络化钼；氯化锶；三氯化梯；磷酸；硅酸钾钠；（硅铝；硫酸镁；硝酸铜；硝酬锶；氟化氢铵；碳酸钡；氧化销；氟化镁；锑酸钠；氧化镓；氧化铟；：[/td][/tr][tr][td=2,1,185]电子工业用气体[/td][td=1,1,759]甲烷；三氯化硼；三氧化氮；六氟化硫；八氧环丁烷；六氟乙烷；四氟化碳；氯化氢；一氧化碳；笑气；硅烷[/td][/tr][tr][td=2,1,185]印刷电子化学品[/td][td=1,1,759]印刷线路板材料及配套化学品、电子油墨、丝网印刷材料[/td][/tr][tr][td=2,1,185]电子胶类[/td][td=1,1,759]SMT贴片红胶、LED贴片硅胶、UV胶、AB胶、填充胶、密封胶、导电银胶、硅胶等[/td][/tr][tr][td=2,1,185]电子级水[/td][td=1,1,759]超纯水；纯化水[/td][/tr][tr][td=2,1,185]其他电子材料[/td][td=1,1,759]CMP抛光材料；靶材；导电录合物；液晶聚合物；聚酯薄膜；抗静电材料；抗蚀剂；封装材料；LED/OLED材料；发光材料；光学薄膜；平板膜；TFT-LCD面板及模组构成材料；电子纸；硅材料；太阳能电池膜等；[/td][/tr][/table]