半导体材料与器件检测

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等； 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验，为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案，包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外，普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息，欢迎随时来电咨询普赛斯仪表！

1.恒奥德仪器手持式四探针测试仪四探针检测仪 配件型号HAD-3 HAD-3型手持式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法家标准并参考美 A.S.T.HAD 标准。仪器成套组成：由HAD-3主机、选配的四探针探头等二分组成，也可加配测试台。仪器所有参数设定、能转换采用轻触按键输入；具有零位、满度自校能；手动/自动转换量程可选；测试结果由数字表头直接显示。本测试仪采用可充电电池供电，适合手持式变动场合操作使用！探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。有耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻行测量。配探头，也可测试电池片等箔上涂层电阻率方阻。详见《四探针探头特点与选型参考》点击入仪器具有测量度、灵敏度、稳定性好、智能化程度、结构紧凑、使用简便等特点。仪器适用于半导体材料厂、器件厂、科研单位、等院校对导体、半导体、类半导体材料的手持式导电性能的测试。 三、基本术参数1. 测量范围、分辨率电 阻： 0.010 ～ 50.00kΩ, 分辨率0.001 ～ 10 Ω电 阻 率： 0.010～ 20.00kΩ-cHAD， 分辨率0.001 ～ 10 Ω-cHAD方块电阻： 0.050～ 100.00kΩ/□ 分辨率0.001 ～ 10 Ω/□ 2. 可测材料尺寸手持方式不限材料尺寸，但加配测试台则由选配测试台决定如下：直 径：HADT-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130HADHAD。HADT-C方测试台直接测试方式180HADHAD×180HADHAD。长()度：测试台直接测试方式 H≤100HADHAD。.测量方位: 轴向、径向均可. 量程划分及误差等 2.声波泥水界面计污泥水界面计声波泥水界面仪 型号DQF-QFWJ-100 测量原理传感器发出声波遇到泥层会反射，测出发射波和反射波之间的时间，就可以得出传感器到泥层的距离H；传感器到池子底面的距离是用户设置的L；这样就可以得到泥层的厚度D=L-H。参数:测量范围：0.5~10m准确度：±1.0%分辨率：1mm标 定：出厂标定，可现场校验 显 示：液晶显示 模拟输出：4～20mA、大负载750W继电器输出：报警继电器输出 继电器容量：AC230V、5A数字接口：可选RS485供电电源：AC220V±10%材 质：PC防护等：IP65作温度：-20~60℃材 质：316不锈钢、PVC连接方式：G1管螺纹 传感器线缆：10米（其他长度可在订货中说明） 防护等：IP68作温度：0~60℃环境湿度：相对湿度≤90%过程压力：0.6MPa 3.红外辐照计/红外辐照度计 型号:HAD-IR850 标 1、波长选择：本仪器有如下两种波长的红外探测器可供选择： （1）中心波长850nm； （2）中心波长940nm；2、测量范围：1uw/cm2~999.9k uw/cm2；3、测量度：5%；4、显示刷新率：1次／秒；5、供电电源：9V叠层电池；6、耗：＜20mW 7、作环境条件：温度0~40℃、湿度：＜90％；8、仪表尺寸：130mm×65mm×25mm 4.多能土壤腐蚀速度测量仪 型号 HAD-ZKW180 术特点】 采用五个相同材质电环组合联结成组合式电化学探头，有效地降低了测量腐蚀电流密度时土壤介质IR降的影响；其中辅助电（CE ）研究电（WE ）和 参比电（RE）的连接方式以（CE-WE-RE）表示，组合式电化学探头连接方式为（1-5，2-4 ，3 ）。研究电（WE ）和参比电（RE） 的面积为5cm2 ； 运用四电探针，采用相对较低的测量电压，准确测定土壤电阻率，避免压测量带来的读数困难和土壤电解成理化性能破坏； 采用标准铂电、硫酸铜电用于测量土壤氧化还原电位； 在探头聚四氟缘棒上固定度测温元件测量土壤温度； 运用预孔器方法，测量时对土壤原有结构的破坏很小且不用开挖； 前端采用锥形设计以保证探头和土壤间有良好的接触； 探头通过打磨可重复利用。 1 土壤腐蚀性评定 多能土壤腐蚀速度测量仪 应用域 Ø 输油、气埋地管线、城市埋地管线外腐蚀评价 Ø 混凝土腐蚀性评定 Ø 水溶液腐蚀介质腐蚀性评定 Ø 等等 多能土壤腐蚀速度测量仪 术标 Ø 仪器正常使用的环境条件： • 温度：0 ℃至40 ℃. • 相对湿度：≤80%RH Ø 土壤温度测量范围：零下10℃至100℃，误差：2 ℃ Ø 土壤氧化还原电位测量范围：±2000mV，误差：≤1% Ø 土壤电阻率测量范围：0至10KΩm，误差：≤2% 土壤化电阻测量范围：40Ω至300KΩ，误差：≤3% 土壤腐蚀速度测量范围：1 ×10-4至2 mm/a 蓄电池充电时间6小时，充电时可正常作。次充电后可持续作24小时 5.初粘性和持粘性测试仪/斜面滚法、胶粘带瞬间粘合力测试仪/初粘性测试仪 型号:CZYG 适用于压敏胶带等相关产品行初粘性测试试验，具A斜面滚法B斜槽滚法两种试验方法，转换方式简单易行。特点: 采用斜面滚法的测试原理，测试试样的瞬间粘附性能 按照家标准设计的测试钢，确保了测试数据的准性 测试倾斜角度可以按照用户的需求行自由调整 应用: 基础应用 胶粘制品 适用于各种胶粘类制品的初粘性测试，如压敏胶带、用贴剂、不干胶标签、保护膜等 作原理：采用A法斜面滚法和B法斜槽滚法 1. A法通过钢和压敏胶粘带试样粘性面之间以微小压力发生短暂接触时，胶粘带对钢的粘附作用来测试试样初粘性。将钢滚过平放在倾斜板上的胶粘带粘性面，根据规定长度的粘性面能够粘住的钢尺寸，评价其初粘性大小。 2. B法将规定大小的钢滚过倾斜槽，测量其在水平板上的胶粘带粘性面上滚动的距离来评价其初粘性的大小。 术参数:可调倾角： 0-60° 台面宽度： 120mm 试区宽度： 80mm 标准钢： 1/32-1英寸 药典46枚钢 外形尺寸： 14（B）×32（L）×18（H）cm 重 量： 13 kg 配置:主要由倾斜板、放器、支架、可调水平底座及钢盒等分构成 6.单体支柱测压仪 测压仪 型号HAD-40Z HAD-40Z单体支柱测压仪也称为外平衡仪表，用以检测单体液压支柱初撑力（作阻力）的增压式。 HAD-40Z单体支柱测压仪术参数： ⑴ 量程： 0 ～ 40MPa ；⑵ 显示方式：微表式；⑶ 度： 2.5%FS ；⑷ 作介质：含 2% 乳化液或乳化油；⑸ 重量： 1.3 ㎏；⑹ 每桶液体充液次数： 90 ～ 100 7.测力环/ 土用测力环 测力装置 应力环 型号:HAD-100KN 测力环与路面材料强度试验仪主机及相应附件配套使用，可做无侧限抗压强度、承载比、马歇尔稳定度、劈裂试验、回弹簧模量等试验。规格：150KN、100KN、60KN、30KN、7.5KN、2KN能简介：测力环结构合理、操作方便，适用于各种型号路面材料强度试验仪、承载比试验仪、电动应变无侧限压力仪、土基试验仪等公路仪器标准力值的试验。术参数：示值重复性相对误差不大于0.3% 示值回程相对误差不大于1.5% 示值长期稳定度（三个月）不大于0.3% 回零偏差不大于0.2个分度 灵敏度所不大于0.2个分度对应的力值8.智能化γ辐射仪/智能化伽玛辐射仪 型号 HAD-2000 仪器特点 灵敏度、能量响应范围宽、耗低、稳定性好、操作方便，中文显示被测石材的A、B、C类别，亦可显示计数率和吸收剂量率。 术标 1.测量模式 常规测量：每3s测量次，显示每秒的平均值； 定时测量：可自行选择10s、30s、60s、300s、600s中的 档测量，仪器显示每秒钟的平均值 2.测量范围：（0.01～100）μGy/h 3.能量阈：40keV 4.测量线性：放射性强度γ与计数率CPS的相关系数≥0.999 5.长期稳定性：≤6%（连续作8h） 6.准确度：＜20％ 7.灵敏度：1μGy/h（103nGy/h）的计数≥350s-1 8.电源：3节1号电池 9.耗：≤100mW 10.使用环境 温度：（0～40）℃ 湿度：≤90%（40℃） 11.外形尺寸及重量（含包装箱）：（350×200×250）㎜；6㎏ 仪器认证 中计量科学研究院检定并出具检定证书 9.活化仪/吸附管老化仪/老化仪 型号:HAD-TH-10 HAD-TH-10 型活化仪是在热解吸的基础上，为提作效率而研制设计的检 测配套件。其特点是具有立控温系统，不需外接其何控温设备，即可 立成 1 — 10 支吸附管的活化过程，自带流量计，显示直观，操作简单。 术参数： ◆ 电源：220VAC 50Hz ◆ 率：300VA ◆ 控温范围：室温~400℃ ◆ 控温度：±1℃ ◆ 定时范围：1分钟~99小时59分钟 ◆ 流量调节范围：0~1000ml/分钟 ◆ 次多活化数量：10支吸附管 ◆ 吸附管长度：110mm以上（却省） ◆ 外型尺寸：x宽x深 225 x 265 x 345 ◆ 净重：约7.5kg 10凝胶化时间测试仪/凝胶化时间检测仪/酚醛树脂凝胶化 型号：HAD-YGT-A 产品说明： 常温HAD-YGT-A型凝胶化时间测试仪术规范： ►温度：室温—230.0℃ 意调节 ►温度度：±0.5℃，四位LED显示 ►热盘尺寸：￠50×2.5 ｍｍ ►温度控制：欧姆龙固态继电器PID控制 ►时钟：0—999.9秒计时，带“启动/停止”和“归零”开关 ►温度和时间控制与热盘是二个并列的组合体（参考照片） ►外形尺寸（W×D×H）：342×170×190mm ►机体重量（㎏）：约18㎏ ►电 源：220V,50HZ,600W 本公司主营 不锈钢采水器，弯曲测量装置，鼓风干燥箱，色度计，化学试剂沸点测试仪，提取仪，线缆探测仪，溶解氧测定仪，活性炭测定仪，磁导率仪，比浊仪，暗适应仪，旋转仪，酸度计，硅酸根测定仪，过氧化值测定仪，腐蚀率仪，电阻率测定仪，耐压测定仪，污泥比组测试仪，粉体密度测试仪，机械杂质测定仪，运动粘度测试仪，过氧化值酸价测定仪，噪声源，土壤腐蚀率仪，直流电阻测试仪，厌氧消化装置，耐压测试仪，甲醛检测仪，硅酸根测试仪，PH酸度计，测振仪，消解仪，读数仪，空气微生物采样器，，双波长扫描仪，涂层测厚仪，土壤粉碎机，钢化玻璃表面平整度测试仪，腐蚀率仪，凝固点测试仪，水质检测仪，涂层测厚仪，土壤粉碎机，气体采样泵，自动结晶点测试仪，凝固点测试仪，干簧管测试仪，恒温水浴箱，汽油根转，气体采样泵，钢化玻璃测试仪，水质检测仪，PM2.5测试仪，牛奶体细胞检测仪，氦气浓度检测仪，土壤水分电导率测试仪，场强仪，采集箱，透色比测定仪，毛细吸水时间测定仪，氧化还原电位计 测振仪，二氧化碳检测仪，CO2分析仪，示波谱仪，黏泥含量测试仪，汽车启动电源，自动电位滴定仪，，干簧管测试仪，电导率仪，TOC水质分析仪，微电脑可塑性测定仪，风向站，自动点样仪，便携式总磷测试仪，腐蚀率仪，恒温水浴箱，余氯检测仪，自由膨胀率仪，离心杯，混凝土饱和蒸汽压装置，颗粒强度测试仪，斯计，自动涂膜机，，气象站，动觉方位仪，，气味采集器，雨量计，四合气体分析仪，乳化液浓度计，溶解氧仪，温度测量仪，薄层铺板器，温度记录仪，老化仪，噪音检测仪，恒温恒湿箱，分体电阻率测试仪，初粘性和持粘性测试仪，红外二氧化碳分析仪，氢灯，动觉方位仪，冷却风机，油脂酸价检测仪，粘数测定仪，菌落计数器，气象站，雨量计，凯氏定氮仪，荧光增白剂，啤酒泡沫检测仪，发气性测试仪，低频信号发生器，油液质量检测仪，计数器，漏电流测试仪，标准测力仪，毛细吸水时间测定仪，大气采样器，流速仪，继电器保护测试仪，体积电阻率测试仪，侧面光检测仪，照度计，体化蒸馏仪，涂布机，恒温加热器，老化仪，烟气分析仪 本产品价格仅为配件价格，由于检测参数不同对仪器的终要求也不同，所展示的价格并非产品终价格，如给您带来不便请谅解请您在购买前联系我们客服人员，我们会给你确认产品信息，术参数以及报价，我们会以优惠的价格，诚恳的态度为您服务，期待您的来电！ 以上参数资料与图片相对应

LEDLED是一种能将电能转化成光能的光半导体器件。和半导体激光相比，LED具有低功耗和长寿命的优点。滨松光子能够提供高能量输出的LED，广泛的应用于光开关、编码、光通信，及其他工业领域。 应用领域光通信自动控制系统光开关远程控制光编码湿度测量异物检查自由空间光学（FSO）测距仪产品列表产品名称封装峰值波长(nm)辐射功率（mW）截止频率（Hz）备注 L10596金属TO-46870315M L10596-02金属TO-46带透镜870315M L10596-03树脂TO-468706.515M L1915树脂TO-46890101M L1915-01金属TO-46带透镜8904.51M L1915-02金属TO-468904.51M L2388树脂TO-4694560.3M L2388-01金属TO-46带透镜9453.40.3M L2656树脂TO-46带反射镜890151M L2656-03金属TO-46带透镜89091M L2690树脂890141M L2690-02金属TO-46带透镜89091M L3989树脂TO-46带反射镜830830M L3989-01金属TO-46带透镜8303.630M L3989-02金属TO-468305.830M L6112树脂TO-46带反射镜6705.55M L6112-01金属TO-46带透镜6702.55M L6112-02金属TO-466702.55M L1939树脂890101M L1939-04金属TO-468902.81M L1909树脂TO-4689010mW1M L3882树脂带反射镜6601.84M L4100树脂带反射镜890141M L9337树脂带反射镜8702340M L9338树脂带反射镜945150.3M L11767树脂660136M L6108树脂6705.55M L2204塑料94560.3M L2204-01塑料94560.3M L2204-03塑料94560.3M L2402塑料89091M L2402-01塑料89091M L2402-02塑料89091M L3458塑料890131M L3458-01塑料890131M L3458-02塑料890131M L8957金属带透镜8702.1（光输出）40M编码器用L9437金属带透镜8701.6（光输出）40M编码器用L10660金属TO-4614502.415M水分（湿度）检测L10660-01金属TO-46带透镜14502.815M水分（湿度）检测L7558树脂带反射镜8501450M光通信用L7558-01金属带透镜850750M光通信用L10762金属660 70M光通信用L10881塑料带透镜650 70M光通信用L7560金属带透镜850 100M光通信用L8013金属870 50M光通信用L8045塑料带透镜650 50Mbps光通信使用L5276塑料（带透镜）8802.2 超小型L5586塑料（带透镜）9400.5 超小型L6286塑料（带透镜）9400.8 超小型L5766塑料（带透镜）660 红外微小型L6287塑料（带透镜）9401.4 微小型L6895-10塑料（带透镜）9401.2 高功率近红外

半导体制冷器件的优点是没有滑动部件，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。利用半导体材料的Peltier效应，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性比较高。为了达到更高的制冷效果，我公司这款半导体制冷器件均采用大功率手焊器件，尺寸为170*75*21mm三级制冷，降温速度快，稳定控制精度高，主要应用在生产，科研，大专院校、工厂企业等部门低温实验的应用，是理想的低温试验器件．并可为您定做特殊需要的异型产品。希望我们的产品能满足您的需要。欢迎新老客户来电咨询洽谈！

一.机型称号：半导体感光材料研磨混合机，药物研磨混合机，毫微米研磨混合机，超飞快研磨混合机，水管式研磨混合机，3级研磨混合机，高剪切研磨混合机。二.研磨机：机型19款，处理量50到8*10000KG/小时，旋转1100到1.4*10000转/分钟，线速度23到44m/秒，电滚功耗1.5到160kW，磨头胶体磨&锥体磨。三.研磨分散机：机型6款，处理量50到6*1000KG/小时，旋转1100到9*1000转/分钟，线速度23m/秒，电滚功耗2.2到150kW，磨头胶体磨。四.小型分散乳化机：机型30款，处理量0.2克到10KG/小时，旋转50到3*10000转/分钟，线速度3到33m/秒，电滚功耗0.3到0.8kW。五.真空分散乳化机：机型32款，处理量5到2*10000KG/小时，旋转14到1.4*10000转/分钟，线速度44m/秒，电滚功耗0.18到120kW。六.均质匀浆机：机型4款，处理量0.2到150克/小时，旋转3500到8*1000转/分钟，线速度3到10m/秒，电滚功耗0.145到0.18kW。七.多效用分散乳化均质机：机型27款，处理量150到12.5*10000KG/小时，旋转960到1.4*10000转/分钟，线速度10到44m/秒，电滚功耗1.5到160kW。八.混合机：机型I6款，处理量300到12.5*10000KG/小时，旋转1100到9*1000转/分钟，线速度20到23m/秒，电滚功耗1.5到160kW。九.实用物料种类：胶粘溶胶，巨粒子固态液体悬空液乳剂，不包溶等。十.终级粒径：主腔内有叁组定转子，每组粗齿、中齿、细齿、超细齿。调动定转子间隙，加工后地终级粒径在10微纳米之下。十一.胚料配件：百分之八十以上进ロ海内外公司。十二.技艺出处：引荐德国技艺，立发明加工，备有专利。十三.工作方式：有在线式，批次式，内外循环式，水管式，可倒式，若干效用式。十四.机型合成：靠预加工锅、搅动锅、泵、液压系统、倒料系统、电力调动系统、主腔等部件合成。十五.智力化：CIP冲洗系统，液压升降松盖，包括配料给料吸料安装。十六.磨头好处：研磨头可调5款模版，6款分散头，20多款工作头。十七.锥磨好处：锥磨转子外层包含金属碳化物跟不一样粒子地陶瓷镀层等高上材料，提防毁伤腐蚀。十八.机型材料：统统接碰物料地材料皆是进口耐酸钢，主腔跟管路内乃亮面抛光三百EMSH（卫生级），无死角。十九.密封好处：博格曼双机械密封，液压平稳系统（可以担当16atm重压），软密封。?.翻搅形式：可定刮壁式/锚杆式/熔解式/页片式。?.产品特点：产品采取上边同轴3重装翻搅器，回路管路，出口阀。?.操控柜长处：不单可以控制电动调速，气温减温加温（经过电力，热气，油水回路，可承担负40—250度），压强，酸碱值，黏度。更可以设定不相同功用模板，表现互相配得各个参量，可线性变大大量出产。?.可抉选：参观窗，硅氟酸玻璃参观，电导率计，二层绝缘保护，稳定夹，作业台，底盘，图案解析多功用显微硬度仪（测量界线1—4千维氏硬度），管路式测量电炉（测量界线zui高1350度），传送泵/转子泵/气动隔膜泵/锚杆泵/离心泵（产量850—4.3万升/H），反应翻搅单罐/多罐（500—3千升/H），反渗入/全自动纯净装备（0.5—3千升/H)，超氧产生器，过流式紫外光灭菌器等。?.别的特长：整体立方小，电耗低，分贝低，可每日不断出产。?.访客垂访：按照访客实况必要恰当抉选！别的可订制非标和生产线！假若是非常情况，比方超温，超压，易烧易炸，侵蚀性，可产品升级！?.物料测量：得到访客物料后当即投入测量，瞧可否到达要求&答复测量进程&成果。?.方案价格：断定好产品功用后当即策画方案，包含2D部署图，总安装出产线表示图，立体成果图，&呈上本该得价格单子！?.结语：我们是出产厂家，详尽信息可以企业查看，因此分外恭候访客去垂访&更深一步长谈！以上信息不容坊造，非常道谢！扩展内容可不看：半导体（semiconductor）是指常温下电导率介于导体和绝缘体之间的材料。半导体应用于集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域。 例如，二极管是由半导体制成的器件。无论从技术还是经济发展的角度来看，半导体的重要性都非常。 大多数电子产品的核心单元，如电脑、手机或数码录音机，都与半导体息息相关。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中影响大的一种。物质以各种形式存在，如固体、液体、气体、等离子体等。 我们通常将导电性较差的材料，如煤、人造水晶、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。 而导电性较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。 介于导体和绝缘体之间的材料可以简单地称为半导体。 与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是新的。 半导体是指具有可控导电性的材料，范围从绝缘体到导体。 从科学技术和经济发展的角度来看，半导体影响着人们的日常工作和生活，而这种材料直到 1930 年代材料的提纯技术进步，才得到学术界的认可。

一、设备简述：天士立科技ST-CVX半导体功率器件CV特性结电容分析测试仪是陕西天士立科技有限公司根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。仪器采用了一体化集成设计，二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄生电容、CV特性可一键测试，无需频繁切换接线及设置参数，单管功率器件及模组功率器件均可一键快速测试，适用于生产线快速测试、自动化集成。CV曲线扫描分析能力亦能满足实验室对半导体材料及功率器件的研发及分析。仪器设计频率为1kHz-2MHz，VGS电压可达±40V，VDS电压可达±200V/±1500V/±3000V，足以满足大多数功率器件测试。 二、应用领域： 半导体功率器件：二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析 半导体材料：晶圆切割、C-V特性分析 液晶材料 弹性常数分析 电容元件：电容器C-V特性测试及分析，电容式传感器测试分析 三、性能特点： 一体化设计：LCR+VGS低压源+VDS高压源+通道切换+上位机软件 单管器件、模组器件、曲线扫描)三种测试方式一体 四寄生参数(Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、Rg) 同屏一键测量及显示 CV曲线扫描、Ciss-Rg曲线扫描 四、功能指标： Vds：0~1200V Vgs：±25V Rg ：0~10KΩ 信号电压：1mV~1000mV 测试精度：0.01pf 测试频率：0.01KHZ~1MHZ 主要功能：IGBT，二极管，氮化镓、碳化硅 MOSFET等功率器件Rg\Ciss\Coss\Crss参数和CV特性测试分析 五、软件操作上位机使用Labview界面开发，该程序体现为人机交互界面，作为测试平台的交互系统，通过与LCR表、主控板等设备通讯，实现对设备的自动操作并进行数据采集、在界面上显示LCR表的测试波形、并对测试波形进行分析、计算，最终得到结果进行显示和存储。➢ 进入主界面，主界面分为参数录入区、波形显示区和参数显示区，如下图所示：六、系统主要部件：七、验收流程1. 在需方工作现场完成设备安装；2. 安装完成后, 双方依据技术协议对设备进行验收进行验收。3. 验收完成后, 双方签署《验收报告》，作为合同执行依据。 八、技术培训供方在需方工作现场免费为需方进行测试技术培训。培训内容包括：1. 系统介绍；2. 软件使用方法；3. 硬件使用方法；4. 器件测试技术；5. 测试实际操作；6. 系统使用注意事项；7. 日常维护与保养 九、售后服务1、全部供货范围内的设备、材料、零配件和工器具等，除合同特别约定外，其质保期均自终验收签字生效之日起 12 个月。2、若买方需卖方派工程师来现场解决设备问题，我方应在 3 小时内响应，2 个工作日内派人员抵达买方现场，因我方造成的设备停工时间应在质量保证期中予以相应延长。3、质保期之内，系统及设备发生任何非人为原因造成的故障和损坏，均由我方负责免费维修和服务，失效零件予以免费更换，所更换的部件三包期从更换之日起重新计算。4、质保期终止之日起一年内重复出现的质保期之内出现的故障，仍在质保范围而且免费维修。5、对于备件及易损件的报价，三年内不得提升，确保设备验收后五年内所需的配件国内能够实现现货供应。6、对于质量保证期后可能涉及的大修改造情况，我司承诺以不高于国内其他用户的供货价格为原则，根据新增功能的难易程度和全新设备的整体价格来综合报价。7、我方派往买方使用现场的人员，具有 5 年以上的专用素质；现场解决问题时，不得无故拖延或推迟，应为买方提供最佳的服务。8、产品终生免费技术支持，包括硬件维修，软件升级等。硬件维修只收取 相应的器件 成本费用，软件实行终生免费升级。9、六个月定期产品巡检，对产品硬件及软件升级等。10、不定期对使用设备人员走访或者电话培训服务。

该测试方案可适用于多数半导体器件的测试，以五种器件为例：场效应晶体管式传感器、电阻型二极管式传感器、电阻式存储器、生物器件脉冲式和电容测试。其他要求为系统漏电小于10-13（100fA）。测试需求整体可以归纳为微纳传感器件的IV、脉冲IV 和CV测试，漏电需求为100fA。整体系统组成为微纳器件测试探针台和半导体参数分析仪。可测器件器件1：场效应晶体管式传感器器件2：电阻型二极管式传感器器件3：电阻式存储器器件4：脉冲式（输入脉冲电压，测量电流值）器件5：电容测试欢迎与我司联系了解详情，可按需定制系统。

产品系列晶体管图示仪半导体分立器件测试筛选系统静态参数测试（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）动态参数测试（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件ST-DP_S（2500A） 半导体器件IGBT 短路电流测试仪IGBTs,MOSFETs, Diode短路电流测试仪，短路电流2500A短路电流 Isc 1A~500A（VDS 电压＞600V 条件下）短路耐量 Esc 1uJ~5000mJ（VDS 电压＞600V 条件下）短路时间 Tsc 1us~150us（VDS 电压＞600V 条件下）?产品简述 ST-DPX 系列产品是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试 而开发设计。通过DUT适配器的转换，可测试各类封装外观的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs等功率器件，包括器件、模块、DBC衬板以及晶圆。产品功能模块化设计，根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有DPT（双脉冲测试 Double Pulse Testing，以下简称DPT。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性）栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案完全符合IEC60747-9国际标准。 产品功能及输出功率进行了模块化设计，满足用户潜在的后期需求，*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA，变温测试支持常温到200℃，支持生产线批量化全自动测试。?产品特点? 测试系统电压以1500V为一个模块，电流以2000A为一个模块，可扩展至10KA/10KV? 内置7颗标准电感负载可选用, 另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)? 另有程控式电感箱可供选择? 针对不同结构的封装外观，通过更换 DUT适配器即可? 可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能? 测试软件具有实验模式和生产模式，测试数据可存储为Excel文件? 门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nH? 系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用（24hr 工作）? 安全稳定（PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）? 系统具有安全工作保护功能，以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害，设计符合CE认证? 支持半自动和全自动测试? 采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点? 自动化：单机测试时只需手动放置DUT，也可连接机械选件实现自动化测试线? 智能化，通过主控计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传指定局域网? 安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。?参数指标

NS3500 Solar 半导体晶圆质量检测系统NS-3500 Solar 是一种可靠的三维(3D)测量高速共焦激光扫描显微镜(CLSM)。通过快速光学扫描模块和信号处理算法实现实时共焦显微图像。在测量和检测微观三维结构，可以为半导体晶片，FPD产品，MEMS设备，玻璃基板，材料表面等提供各种解决方案。 Features & Benefits（性能及优势）：高分辨无损伤光学3D测量 自动倾斜补偿实时共焦成像 简单的数据分析模式多种光学变焦 双Z扫描大范围拼接 半透明基材的特征检测实时CCD明场和共聚焦成像 无样品准备自动聚焦 Application field（应用领域）：NS-3500是测量低维材料的有前途的解决方案。可测量微米和亚微米结构的高度，宽度，角度，面积和体积，例如-半导体:IC图形，凹凸高度，线圈高度，缺陷检测，CMP工艺- FPD产品:触摸屏屏幕检测，ITO图案，LCD柱间距高度- MEMS器件:结构三维轮廓，表面粗糙度，MEMS图形-玻璃表面:薄膜太阳能电池，太阳能电池纹理，激光图案-材料研究:模具表面检测，粗糙度，裂纹分析Specifications(规格）:ModelMicroscope NS-3500 Solar备注物镜倍率10x20x50x100x观察/ 测量范围 水平 (H): μm1400700280140垂直 (V): μm1050525210105工作范围: mm16.53.10.540.3数值孔径(N.A.)0.300.460.800.95光学变焦x1 to x6总放大倍率178x to 26700x观察/测量光学系统 Pinhole共聚焦光学系统高度测量测量扫描范围 400 um注 1显示分辨率0.001 μm重复率 σ0.010 μm注 2帧记忆像素1024x1024, 1024x768, 1024x384, 1024x192, 1024x96单色图像12 bit彩色图像8-bit for RGB each高度测量16 bit帧速率表面扫描20 Hz to 160 Hz线扫描~8 kHz激光共焦测量光源波长 405nm输出~2mW激光等级Class 3b激光接收元件PMT (光电倍增管)光学观察光源灯10W LED光学观察照相机成像元件1/2” 彩色图像 CCD 传感器记录分辨率640x480自动调整增益, 快门速度, White balance数据处理单元 PC电源电源电压100 to 240 VAC, 50/60 Hz电流消耗500 VA max.重量显微镜Approx. ~50 kg(Measuring head unit : ~12 kg)控制器~8 kg隔振系统气浮光学平台隔振系统Option 注1:精细扫描由压电执行器（PZT）执行。注2 :以100×/ 0.95物镜对标准样品（步长1μm）进行100次测量。

产品概要：FS-Pro 半导体参数测试系统是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV) 测试、电容电压(CV)测试、脉冲式 IV 测试、高速时域信号采集以及低频噪声测试能力。一套设备可完成半导体器件的全部低频特性表征，其强大而全面的测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发评估进程，可无缝地与 9812 噪声测试系统集成，其快速 DC 测试能力进一步提升了 9812 系列产品的噪声测试效率。基本信息：软件功能：FS-Pro 系列内置 LabExpress 测量软件具有强大的测试和分析功能，该软件提供友好的图形化用户使用界面和灵活的设定，具有下列主要功能 :1、完整支持直流，脉冲，瞬态，电容和噪声测试功能2、内置的常见器件测试预设可大大提高测试设置效率，帮助新手操作者快速完成测试3、强大的自定义设定功能可以灵活编辑电信号4、内置强大数据处理能力可测试后直接展开器件特性分析5、多种数据保存方式，导出数据可供用户后续分析研究也可直接导入建模软件 BSIMProPlus 和 MeQLab 进行模型提取和特性分析6、LabExpress 专业版支持对主流半自动探针台和矩阵开关设备的控制，支持晶圆映射、并行测试实现自动测试功能，进一步提升测试效率IV电流电压测试CV电容电压测试1/f噪声测试 IVT测试采用工业通用的 PXI 模块化硬件结构，配合自主开发的测试软件 LabExpress，FS-Pro 在半导体工业产线测试与科研应用方面都具有优秀的性能表现，可广泛应用于各种半导体器件、 LED 材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。LabExpress 为用户提供了丰富的测试预设和强大的测试功能，可实现非常友好的用户即插即用体验； 该系统还可支持多通道并行测试，进一步提升测试效率。技术优势：1、同时具备高速高精度直流测试和脉冲测试能力2、量程范围宽、测试速度快3、支持小于1us采样时间的高速时域信号采集4、高达10万点的数据量可以精细描绘信号随时间变化特性5、低频噪声(1/f noise,flicker noise)测试能力特别是RTN(随机电报噪声)测试能力与对准能力6、使用方式简单灵活，无需编程即可实现自由的波形发生或电压同步与跟随7、支持并行测试，内置功能强大的测试软件和算法，支持多通道并行测试成倍提升测试效率8、系统架构，PXI标准机箱，可扩展架构,支持通过多机箱扩展SMU卡数量应用方向：被半导体工业界和众多知名大学及科研机构采用作为标准测试仪器。

产品简介WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等参数，同时生成 Mapping 图；采用白光干涉测量技术对 Wafer 表面进行非接触式扫描同时建立表面 3D 层析图像，显示 2D 剖面图和 3D 立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关 3D 参数；基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；红外传感器发出的探测光在 Wafer 不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量 Bonding Wafer 的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。产品应用WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等参数，同时生成 Mapping 图可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C 电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS 器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。产品优势 1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。 5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。应用案例1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

产品概要：4200A-SCS 是一种可以量身定制、全面集成的半导体参数分析仪，可以同步查看电流电压 (I-V)、电容电压 (C-V) 和超快速脉冲式 I-V 特性。作为性能很高的参数分析仪，4200A-SCS加快了半导体、材料和工艺开发速度。基本信息：使用强大的 Clarius 软件，可以更加快速的完成 I-V, C-V 和脉冲 I-V 测试，结果清晰。 I-V 源测量单元 (SMU) ● ± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模块● 100 fA 测量分辨率● 选配前端放大器提供了 0.1 fA 测量分辨率● 10 mHz - 10 Hz 超低频率电容测量● 四象限操作● 2 线或 4 线连接C-V 多频率电容单元 (CVU)● AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)● 1 kHz - 10 MHz 频率范围● ± 30 V (60V差分)内置 DC 偏置源，可以扩展到 ± 210 V(420 V 差分 )● 选配 CVIV 多功能开关，在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换脉冲式 I-V 超快速脉冲测量单元 (PMU)● 两个独立的或同步的高速脉冲 I-V 源和测量通道● 200 MSa/s，5 ns 采样率● ±40 V (80 V p-p)，±800 mA● 瞬态波形捕获模式● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率高压脉冲发生器单元 (PGU)● 两个高速脉冲电压源通道● ±40 V (80 V p-p)，± 800 mA● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率-V/C-V 多开关模块 (CVIV)I● 在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换，无需重新布线或 抬起探针● 把 C-V 测量移动到任意端子，无需重新布线或抬起探针远程前端放大器 / 开关模块 (RPM)● 在 I-V 测量、C-V 测量和超快速脉冲 I-V 测量之间自动切换● 把 4225-PMU 的电流灵敏度扩展到数十皮安● 降低电缆电容效应 技术优势：1、随时可以投入使用、可以修改的应用测试、项目和器件，缩短测试开发时间2、内置测量视频的仪器，测试视频由全球应用工程师提供，分为4种语言，缩短学习周期3、pin to pad接触检查，确保测量可靠4、多种测量功能5、数据显示、分析和代数运算功能6、专家视频，降低特性分析复杂度，观看吉时利全球应用工程师制作的内置视频，迅速掌握应用，缩短学习周期。数小时的专家测量专业帮助，在发生意想不到的结果或对怎样设置测试存在疑问时，将为您提供指引。Clarius Software短专家视频支持四种语言(英语、中文、日语和韩语)，可以迅速让你洞察先机。7、大量随时可以使用的应用测试可供选择，通过Clarius库中装备的450多项应用测试，您=可以选择或修改预先定义的应用测试，加快特性分析速度，或从一开始简便地创建自定义测试。只需三步，Clarius Software就可以引导新用户像专家一样完成参数分析。8、实时结果和参数，自动数据显示、算法分析和实时参数提取功能，加快获得所需信息的速度。不必担心数据丢失，因为所有历史数据都会保存下来。9、无需示波器检验脉冲测量，脉冲定时预览模式可以简便地查看脉冲定时参数，确认脉冲式I-V测试按希望的方式执行。使用瞬态I-V或波形捕获模式，进行基于时间的电流或电压测量，而无需使用外部示波器。应用方向：MOSFET, BJT 晶体管；材料特性分析；非易失性存储设备；电阻率系数和霍尔效应测量；NBTI/PBTI；III-V 族器件；失效分析；纳米器件；二极管和 pn 联结；太阳能电池；传感器；MEMS器件；电化学；LED和OLED。

BW-4022A晶体管直流参数测试系统一、产品介绍：BW-4022A 晶体管直流参数测试机是新一代针对半导体器件测试系统，经过我公司多次升级与产品迭代，目前测试性能、精度、测试范围及产品稳定度得到大幅提升，成为半导体电子行业、新能源行业、封装测试、家电行业、科研教育等领域来料检验、研发分析、产品选型等重要检测设备之一。BW-4022A 晶体管直流参数测试机大规模 32 位 ARM&MCU 设计， PC 中文操作界面，高压源 2500V：选配 1.4KV-- 2KV，高流源 500A ：选配 40A、100A、200A、300A 及以上。程控软件基于 Lab VIEW 平台， 填充调用式菜单操作界面，测试界面简洁灵活、人机界面友好。配合开尔文综合集成测试插座，只需要根据不同器件更换测试座配合系统自适应测试设置可完成大多数电子元件的静态参数参数， 系统内部配置因线路、接触性、及 EMC 引起的干扰进行自动补偿，确保测试结果准确度；针对 Si/SiC/GaN 材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR 等高精度静态参数包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数进行精确测试。该测试系统主要由测试主机和程控电脑及外部测试夹具（其他联机设备）三部分组成。可对常见的 SOD/SOT/DO/TO/LL/DFN 等封装进行直接配置测试，对特殊封装夹具进行定制，通过 Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测试，测试数据可在线存贮、导出，二、服务领域与应用场景：产品特点：▶ 客户端PC、工控机均可程控测试机进行测试▶ 菜单调用式测试程序亦可编辑软件操作简便、人机界面友好▶ 针对Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等高精度静态参数测试▶ 系统基于 Lab VIEW 平台开发▶ 自动识别器件极性、 NPN/PNP▶ 16 位 ADC，1M/S 采样速率；▶ 高压源 2500V：选配1.4KV-- 2KV▶ 高流源500A ：选配 40A、100A、200A、300A及以上▶ 驱动电压 10mV~40V ▶ 控制极电流 10uA~100mA▶ 四线开尔文连接确保连接可靠性 ▶ RS232 串口通信▶ Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）▶ 提供丰富的测试适配器 ▶ 切换板采用高速水银继电器，测试效率与可靠性大大提高，▶ 可与分选机、探针台、编带机等联机测试三、BW-4022A 可测试器件类型及测试项目：（1）测试类型▶ 二极管类：Diode/ZD（Zener Diode） /SBD（SchottkyBarrierDiode）/TVS/整流桥堆▶ 三极管类：三极管/单双向可控硅/MOS/JFET/IGBT/三端功率驱动器/七端半桥驱动/高 边功率开关▶ 保护类：压敏电阻/单组电压保护器/双组电压保护器▶ 稳压集成类：三端稳压器/基准 IC（TL431） /四端稳压/稳压集成类▶ 继电器类&光耦类&传感监测类▶ 高压源 2400V：（选配 1.4KV-- 2KV）▶ 高流源 500A ：（选配 40A.100A,200A.300A 及以上）▶ 栅极电压 40V/100mA 分辨率至 1.5uV / 1.5pA 精度可至 0.1%▶ 支持“脉冲式自动加热”▶ 支持“分选机”、”编带机“、“探针台”等半导体设备通信联机（2）测试项目：▶ 漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、 IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)▶ 击穿参数：BVCEO BVCES (300μS Pulse above 10mA) BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO▶ 导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、 VGSON、VF(Opto-Diode) VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、 VO(Regulator)Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)▶ 关断参数：VGSOFF ▶ 触发参数：IGT、VGT ▶ 保持参数：IH、IH+、IH-▶ 锁定参数：IL、IL+、IL- ▶ 增益参数：hFE、CTR、gFS▶ 间接参数：IL ▶ 混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、 Output Regulation四、物理规格及电气环境：主机尺寸：深 660*宽 430*高 210(mm)主机重量：＜28kg 电气环境主机功耗：＜300W海拔高度：海拔不超过 4000m环境要求：-20℃ ~ 60℃（储存）、5℃ ~ 50℃（工作）相对湿度： 20%RH～75%RH (无凝露 ，湿球温度计温度 45℃以下)大气压力：86Kpa ～106Kpa防护条件：无较大灰尘 ，腐蚀或爆炸性气体 ，导电粉尘等电网要求：AC220V、 ±10%、50Hz±1Hz工作时间：连续五、功能与配置：1、设备配置选项详见产品说明书。2、设备配置选项详见产品说明书。3、测试种类及参数(1) 二极管类：二极管 Diode Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf ，△Vf ，△Vrrm ，Cka ，Tr（选配）；(2) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode） Kelvin ，Vz ，lr ，Vf ，△Vf ，△Vz ，Roz ，lzm ，Cka；(3) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode） Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；(4) 二极管类：三端肖特基二极管 SBD（SchottkyBarrierDiode） Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka 、Tr（选配）；(5) 二极管类： 瞬态二极管 TVS Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ；(6) 二极管类：整流桥堆 Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；(7) 二极管类：三相整流桥堆 Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；(8) 三极管类：三极管 Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、 Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、 Ts （选配）、Value_process；(9) 三极管类：双向可控硅 Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、 Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；(10)三极管类：单向可控硅 Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、 Vtm；(11)三极管类： MOSFET Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ；(12)三极管类：双 MOSFET Kelvin、Pin_chk、Ic fx chk、Type_ident、Vgs1(th)、VGs2(th)、VBR)Dss1、VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、 Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、 Coss、Crss(13)三极管类：JFET Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、 Ciss、Crss、Coss；(14)三极管类： IGBT Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；(15)三极管类：三端开关功率驱动器 Kelvin 、Vbb(AZ) 、 Von(CL) 、 Rson 、Ibb(off) 、Il(lim) 、Coss 、Fun_pin_volt；(16)三极管类：七端半桥驱动器 Kelvin 、lvs(off) 、lvs(on) 、Rson_h 、Rson_l 、lin 、Iinh 、ls_Volt 、Sr_volt；(17)三极管类：高边功率开关 Kelvin 、Vbb(AZ) 、Von(CL) 、Rson 、Ibb(off) 、ll(Iim) 、Coss 、Fun_pin_volt；(18)保护类：压敏电阻 Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm 、Cka 、 △Vr(19)保护类：单组电压保护器 Kelvin 、Vrrm 、Vdrm 、Irrm 、Idrm 、Cka 、△Vr；(20)保护类：双组电压保护器 Kelvin 、Vrrm 、Vdrm 、Irrm 、Idrm 、Cka 、△Vr；(21)稳压集成类 ：三端稳压器 Kelvin 、Type_ident 、Treg ix chk 、Vout 、Reg_Line 、Reg_Load 、IB 、IB_I 、Roz 、 △IB 、VD、 ISC 、Max_lo 、Ro 、Ext _Sw 、Ic_fx_chk；(22)稳压集成类 ：基准 IC（TL431） Kelvin 、Vref 、△Vref 、lref 、Imin 、loff 、Zka 、Vka；(23)稳压集成类 ：四端稳压 Kelvin 、Type_ident 、Treg ix chk 、Vout 、Reg_Line 、Reg_Load 、IB 、IB_I 、Roz 、△lB 、VD 、 Isc、 Max_lo 、Ro 、Ext_Sw 、Ic_fx_chk；(24)稳压集成类 ：开关稳压集成器选配；(25)继电器类：4 脚单刀单组、 5 脚单刀双组、 8 脚双组双刀、 8 脚双组四刀、 固态继电器 Kelvin 、Pin_chk 、Dip6_type_ident 、Vf 、Ir 、Vl 、Il 、Ift 、Ron 、Ton（选配）、Toff（选配）；(26)光耦类：4 脚光耦、 6 脚光耦、8 脚光耦、 16 脚光耦 Kelvin 、Pin_chk 、Vf 、Ir 、Bvceo 、Bveco 、Iceo 、Ctr 、Vce(sat) 、Tr 、Tf；(27)传感监测类： 电流传感器（ACS712XX 系列、CSNR_15XX 系列）（选配）； 霍尔器件（MT44XX 系列、A12XX 系列）（选配）； 电压监控器（选配）； 电压复位 IC（选配）；六、精度与指标详见产品说明书。

便携式气体检漏仪SP-230 系列SP-230 TYPE SC（用于半导体材料气体）长处・ 一台可测量50种气体，LED显示屏更易于查看！・ 可靠的设计，可在恶劣环境中使用，功能齐全 ・ 可靠的设计，可在恶劣环境中使用，一键访问多种功能 检测方法吸入式/单式检测原理热线半导体检测范围取决于要检测的气体警报类型气体报警器、故障报警器报警动作灯闪烁，蜂鸣器响起防爆类型非防爆结构防护等级IP67 等效等级CE标志EMC指令、RoHS指令权力2 节 AA 碱性电池连续使用时间约13小时（25°C时，无报警，无照明）外形尺寸约 41 （W） × 186 （H） × 38 （D） mm （不包括喷嘴）质量约220g（不含电池）工作温度范围-20°C~+55°C（无突然变化）工作湿度范围95%RH以下（无凝露）检测目标气体AsH3、B2H6、C2H2、C2H2CL2、C2H4、C2H5OH、C2HCL3、C3H6O、C3H8、C4F6、C6H6、C7H8、C8H10、CH2C2F4、CH2CL2、CH3Br、CH3CL、CH3OH、CH4、CO、COS、D2、EDC、EO、GeH4、H2S、H2Se、HBr、HCHO、HCL、i-C4H10、 IPA、MEK、n-C6H14、NH3、PH3、PO、R-134a、R-22、R-245FA、R-32、R-404A、R-407C、R-41、R-410A、SiH4、SO2、tC3H2F4、VCM

检查半导体用的便携式X光机工业检测仪不用暗室,实时观察； 检测仪是一款便携式的安检设备。主要用于工厂的电子产品,电子配件,接扦件的质量检测。可检测产品的内部结构是否有损坏、检测内部的图形结构,产品是否合格，是电子产品质量检测的专用设备。可透视金属、非金属、塑料、电子元器件体积小,重量轻,；射线剂量低,防护安全可靠；高灵敏度,高空间分辨率的影像增强器.给您崭新的视觉效果； 可加配拍片系统及电视监视系统。便携式X光机广泛被用于：主要针对电子产品、电子元件、GPA封装、铝铸件、塑胶件、发热管、电路板等各类产品内部结构透视检测，如电子元器件、焊接插件内部结构是否变形、移位、断裂、裂纹、空焊、虚焊、气孔、气泡、鞋、箱包、玩具内是否有金属异物掉入等工业X光检测仪。为了对客户负责，我们希望客户能寄样或带样都我司检测，确认效果后在购买设备！

薄膜无损检测系统/半导体无损检测系统姓名：田工(Allen)电话：（微信同号）邮箱：薄膜无损检测仪产品特点：系统使用获得专利的光声技术设计无损测量系统。源自 CNRS 和波尔多大学的技术转让，它依靠激光、材料和声波之间的相互作用实验超精密材料物性，薄膜厚度检测系统使用无接触，无损光学测量。运用激光产生100GHz以上超高频段超声波，以此检测获得材料诸如厚度，附着力，界面热阻，热导率等。产品尤其适测量从几纳米到几微米的薄层，无论是不透明的（金属、金属氧化物和陶瓷），还是半透明和透明的。 这种全光学无损检测技术（without contact, no damage, no water, no Xray）不受样品形状的影响。产品适用精度可以达 1nm to 30 microns , Z轴分辨率为亚纳米于此同时，系统提供附着力、热性能（纳米结构界面热阻）测量分析 多种材料适用性广泛的材料至关重要。我们的技术已证明其能够测量许多金属材料以及陶瓷和金属氧化物，并且不受外形因素的影响。 薄膜无损检测仪广泛的应用中发挥作用半导体行业半导体行业为我们周围遇到的大多数电子设备提供了基本组件。它的制造需要在硅晶片上进行多次薄膜沉积，。工业过程中厚度测量和界面表征都是确保质量的关键。尤其是半导体行业中多层/单层不透明薄膜沉积对于以上问题，我们针对提供：-高速控制检测-无损无接触测量-单层/多层测量显示行业今天，不同的技术竞争主导显示器的生产，而显示器在我们的日常使用中无处不在。事实上，由于未来 UHD-8K 标准以及新兴柔性显示器的制造工艺，这不断扩大的行业存在技术限制单个像素仍然是一堆薄层有机墨水、银、ITO… … 在这方面，控制薄层厚度的问题仍然存在。这些问题可能会导致产品出现质量缺陷。对此我们可提供：- 对此类层级样品的独特检查。- 提取厚度的可能性。- 非破坏性和非接触式厚度测量。薄层沉积无论是在航空工业还是医疗器械制造领域，技术涂层都可用于增强高附加值部件中的某些功能。这些涂层的厚度随后成为确保目标性能的关键因素。接触式破坏测量对于此领域会带来特定问题，且受限于待测样品形状因素、曲率等原因，很难控制样品特性。 对此我们可以提供：不改变样品形貌无损检测（Form factor postage）快速厚度测量在线测量控制 部分合作单位

一、概述　　BD-86A型半导体电阻率测试仪是根据四探针测试原理研制成功的新型半导体电阻率测试器，适合半导体器件厂、材料厂用于测量半导体材料（片状、棒状）的体电阻率、方块电阻（薄层电阻），也可以用作测量金属薄层电阻、导电薄层电阻，具有测量精度高、范围广、稳定性好、结构紧凑、使用方便、价格低等特点。　　仪器分为电气箱和测试架两大部分，电气箱由高灵敏度直流数字电压表，高稳定、高精度的恒流源和高性能的电源变换装置组成，测量结果由LED数字显示，零位稳定，输入阻抗极高。在片状材料测试时，具有系数修正功能，使用方便。测试架分为固定式和手持式两种，探头的探针具有宝石导向，测量精度高、游移率小、耐磨和使用寿命长等特点，而且探针压力可调，特别适合薄片材料的测量。　　二、主要技术指标 　　1.测量范围：　　电阻率：10-3--103Ω㎝（可扩展到105Ω㎝），分别率10-4Ω㎝。　　方块电阻：10-2--104Ω/□（可扩展到106Ω/□），分辨率10-3Ω/□。　　薄层金属电阻：10-4--105Ω，分辨率10-4Ω。　　2.数字电压表： 　　电压表量程为3档，分别是20mV档（分辨率10μV)；200mV档(分辨率100μV)；2V档（分辨率1mV)。电压表测量误差±0.3%读数±1字，输入阻抗大于109Ω。　　3.恒流源：　　恒流源由交流供电，输出直流电流0---100mA连续可调。恒流源量程为5档，分别是10μA、100μA、1mA、10mA、100mA；分辨率对应是10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA。电流误差±0.3%读数±2字。　　4.测试架：（可选件）　　测试架分为固定和手持两种，可测半导体材料尺寸为直径Φ15--Φ600㎜。测试探头探针间距S=1㎜，探针机械游移率±0.3%，探针压力可调。　　5.显示：3?位LED数字显示0-1999，能自动显示单位、小数点、极性、过载。　　6.电性能：电性能模拟考核误差﹤±0.3%，符合ASTM规定指标。　　7.电源：220V±10%，50Hz或60Hz,功耗﹤30W。　　8.电气箱外形尺寸：440×320×120㎜。　　三、工作原理　　直流四探针法测试原理简介如下：　　（1）体电阻率测量： 　　如图：当1、2、3、4根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体试样上，在1、4两处探针间通过电流I，则2、3探针间产生电压差V。　　材料的电阻率ρ=（V/I）×C （Ω㎝） 3-1　　式3-1中：C为探针系数，由探针几何位置决定，当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足半无限大条件时，　　C=2π÷{1/S1+1/S3-1/(S1+S2)-1/(S2+S3）}=2πFSP 3-2　　式3-2中：S1、S2、S3分别为探针1与2、2与3、3与4之间的距离。当S1=S2=S3=1mm时，则FSP=1，C=2π。若电流取I=C时， 　　电阻率ρ=V,可由数字电压表直接读出。　　①、块状和棒状晶体电阻率测量：由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较，合乎半无限大的边界条件，电阻率值可以直接由公式3-1、3-2式求出。　　②、薄片电阻率测量：由于薄片样品厚度和探针的间距相比，不能忽略。测量时要提供样品的厚度、形状和测量位置的修正系数。　　电阻率值可由下面公式得出：　　ρ=V/I×2πS×FSP×G(W/S)×D(d/s)= ρ0×G(W/S)×D(d/s) 3-3　　式中：ρ0 为块形体电阻率，W为试片厚度，S为探针间距，G（W/S）为样品厚度修正函数，D(d/s)为样品形状和测量位置修正函数。　　③、方块电阻、薄层电阻测量：当半导体薄层尺寸满足半无限大平面条件时：　　R□=π/ln2×(V/I)=4.532(V/I) 3-4　　若取I1=4.532I,则R□值可由电压表直接读出。 　　注意：以上的测量都在标准温度(230 C)下进行，若在其他温度环境中测量，应乘以该材料的温度修正系数FT。　　FT=1-CT（T230） 3-5　　式中：CT为材料的温度系数。（请根据不同材料自行查找）　　（2）金属电阻测试：本仪器也可用作金属电阻的测量，采用四端子电流-电压降法，能方便的测量金属电阻R,测量范围从100μΩ---200K　　四、仪器结构 　　本仪器为台式结构，分为电气箱和测试架两大部分。　　【1】电气箱为仪器主要电器部分，电气箱前面板如图4-1所示：

微焦点CT-半导体元器件X射线显微成像系统-布鲁克代理商 CT基本原理微焦点CT/三维X射线显微镜(3D XRM)是一种基于X射线的成像技术，使用微型计算机断层扫描技术(Micro Computed Tomography)。包括扫描和重构两个主要部分，Micro/Nano 表明其分辨率可达到微米/亚微米级别。 半导体产业是国家重点支持和鼓励的发展方向，半导体器件封装和内部缺陷检测越来越重要，而微焦点CT/三维X射线显微镜(3D XRM)，可以在无损不破坏样品的情况下，清晰地观测到电子元器件的分布情况及封装器件的内部结构，同时，可检测虚焊、连锡、断线等缺陷信息，可以三维重构整个半导体器件内部结构，对于研发和后期加工工艺的改进、提升起到重要的指导作用。 SkyScan 1272 High Resolution Micro CT针对半导体领域小样品器件，如电阻电容、摄像头的镜头等有着超高分辨率优势。 小型电子产品 Inductor – 3 μm voxel size Chip – 2 μm voxel size 了解更多应用方向，请致电束蕴仪器（上海）有限公司~

半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 产品介绍：载流子表征的最佳工具本系统针对光电器件 (探测器或光伏器件) 进行光电转换过程的响应行为测量与分析。利用一单色 (单波长) 的光源，对其进行连续脉冲或是周期性的光强调制后，照射到光电器件产生光生电流或是光生电压讯号，并对此进行频域或时域的测量与分析，得到光电器件光电转换过程的重要参数。包含频率响应、爬升/下降时间、LDR线型动态范围、瞬态光电压 (TPV) 、瞬态光电流 (TPC) 等光电转换能力评价参数。用以了解光电器件内部结构与载流子动力学、内部材料组成、器件结构与载流子动力学之关系。作为光电器件特性评价与性能改进的参考。半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 特色：光强线性度测量与分析频率响应测量 0~40MHz可选雷射模块系统波长雷射光调变控制频率响应测量与分析截止频率 (Cut Frequency) 计算分析Rise/ Fall time 测量与分析TPC/TPV 测量与分析高动态光强变化光学调变模块，可自动调变强度 6 个数量级半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 规格TPC/TPV 量测功能雷射波长：半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 应用：有机光传感器 (OPD, Organic Photodiode)钙钛矿光传感器 (PPD, Perovskite Photodiode)量子点光传感器 (QDPD, Quantum Dots Photodiode)新型材料光传感器实证Cs2Pb(SCN)2Br2 单晶光电器件性能表征2021 年 Advanced Materials 期刊报导了第一种无机阳离子拟卤化物二维相钙钛矿单晶 Cs2Pb(SCN)2Br2。作者使用 PD-RS 系统对单晶光电器件进行多种的光电转换响应行为进行测量与分析。其中包含：变光强 IV 曲线测试。变光强光电流与响应度变化测试。定电压下光电转换爬升与下降时间测试。恒定光强脉冲光的时间相关光电流响应测试。TPC/TPV 瞬态光电流/光电压测试。 恒定光强脉冲光的光电流时间响应PD-RS 系统具备高速调制能力的激光器 (爬升/下降时间 5ns)，在恒定光强脉冲光条件下，可以对器件进行光电流时间响应测试，并且分析光电器件的爬升/下降时间的分析。以了解光电器件最快的时间响应极限特征。变光强光电流与响应度变化测试 (LDR) PD-RS 具备 120 dB 光强动态范围测试能力。在软件自动化的测试光电流的变化，绘制出待测器件的线性动态范围响应图 (LDR, Linearity Dynamic Range)。LDR 试评估光电器件特性的一项重要指标。由光电流与光强的测试可以得到响应度 (mA/W) 变化，是常用于表征光电器件优劣的参数。

微焦点SMT焊接X-Ray检测设备X6800（半导体） ▋ 设备工作原理图 ▋ 设备优势 1: X射线源采用日本滨松Hamamatsu封闭式X光管，寿命长，免维护。 2: X射线接收采用新一代韩国Rayence高清数字平板探测器，淘汰了影像增强器。 3: 平板探测器而非载物台可倾斜60°，不牺牲放大倍率。 4: 自动导航窗口，想看哪里点哪里。 5: 载重10KG超大530*530mm载物台。 6: 可调速度的5个运动轴联动系统，倾斜时保持画面中心。 7: 可编辑检测程序实现大批量自动化检测，自动判断NG或OK。 8: 操作简单快捷，迅速找到目标缺陷，两小时培训上手。 ▋ 硬件参数 X射线源品牌日本滨松Hamamatsu类型封闭式、微焦斑管电压90kV管电流200μA焦斑尺寸5μm功能自动预热平板探测器品牌韩国Rayence有效面积58mm*54mm像素尺寸49.5μm分辨率1176*1104帧速30帧/秒可倾斜角度60°碳纤维载物台平台尺寸530mm*530mm可检测区域500mm*500mm最大负荷10kg整机放大倍率几何倍率200X系统倍率1500X最快检测速度3秒/点尺寸长1360mm，宽1365mm，高1630mm净重1350kg电源AC110-220V 50/60HZ最大功率1500W工控电脑I3-7100 CPU, 4G RAM, 240GB SSD显示器24寸HDMI显示器安全保障辐射泄露量无，国际标准：低于1微西弗。铅玻璃观察窗透明铅玻璃，隔离辐射以观察被测物体。前后门安全互锁一旦开门X光管立即断电，门开时无法开启X光。电磁安全门开关X光开启时自锁，无法开门。急停按钮位于操作位旁，按下立刻断电。X光管保护关闭X光后，才可以离开软件进行其他操作。 ▋ 软件功能 功能模块操作方式键盘+鼠标完成所有操作。X光管控制鼠标点击按钮可开启或关闭X光，旁边显示实时管电压和管电流值，用户可点击上下按钮，或拖动滑动条，或手动输入调节。状态栏通过是否红绿色交替闪烁，提示互锁状态、预热状态和X光开关状态。图像效果调节可自由调节图像的亮度、对比度和增益，达到满意的效果。产品列表用户可储存当前的，或者调用以前储存的Z轴位置、亮度、对比度和增益等参数，下次检测同样产品可以直接调用，提高检测效率。导航窗相机拍摄平台照片后，点击照片任一位置，平台会移动直至画面显示该位置。运动轴状态显示实时坐标。检测结果按次序显示每次的测量结果（气泡比率、距离、面积等用户设置的测量项）。速度控制各轴移动速度可调整为慢速、常速和快速。气泡率测量自动计算点击两个点确定一个矩形，软件自动找到和测量矩形内的锡球边缘、焊盘和内部气泡，可得出锡球气泡率、锡球面积、周长、最大气泡比率、长、宽等数据，并以红绿两个颜色表示NG或者OK。调整参数用户可调整灰阶阀值，像素、对比度、大小过滤等参数，以得到自动计算的准确结果。手动添加气泡用户可画多边形或自由图形，作为气泡计算到气泡率内。储存参数用户可储存当前测量气泡的灰阶阀值，像素、对比度、大小过滤等参数，下次检测同样产品可以直接调用，提高检测效率。其他测量功能距离按需点击A、B两点设置为基准线，再点击C点，测量C点到基准线的垂直距离。距离比多用于测量电路板通孔过锡率，比测量距离多设置一个D点，以D点到基准线的垂直距离，除以C点的垂直距离，得出D占C的垂直距离的百分比率。角度按需点击A、B两点设置为基准线，再点击C点，测量BA和BC射线之间的夹角角度。圆形多用于测量锡球等圆形元器件，点击三个点确定一个圆形，测量出周长、面积和半径。方形多用于测量方形元器件，点击两个点确定一个方形，测量出长、宽和面积。自动检测手动设置位置用户可以设置平台上的任意位置作为检测点，软件将自动拍摄并保存图片。阵列对于有排列规律的检测点，用户只需要设置其中两个检测点和行列数量，软件将自动拍摄每个检测点并保存图片。自动识别对于有明显特征的检测点，软件可自动识别具体位置，进行测量，并保存图片。 ▋ 应用举例 BGA连锡BGA气泡PCB通孔过锡IC气泡和金线LED焊接气泡LED金线断裂电容电感器感应器半导体放电管TSS玻璃纤维塑料线缆二极管钢管焊接缝隙汽车元器件

半导体材料能带测试,亚带隙测量系统 该系统采用恒定光电流法分析半导体薄膜和各种光导材料的带隙结构，是评价非晶硅和各种非晶半导体的理想方法。规格：原理:恒流法(CPM)光源:氙灯或卤素灯工作范围:约4小时，13 - 0.59 ev (300 - 2100 nm)辐照面积:6 x6mm辐照强度:2 nw-2mw

西安厂家直供半导体分立器件测试系统EN-2005B功率器件综合测试系统系统特征测试范围广（19总大类，27分类）升级扩展性强，通过选件可提升电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定300uS被测器件引脚接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试，确保被测器件不受损坏真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导，其结果与器件实际偏差很大）系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排除故障二极管极性自动判断功能，无需人工操作系统概述西安易恩电气 EN-2005B功率器件综合测试系统，设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品质范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果。前面板的小键盘方便了系统操作。通过小键盘，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。应用领域院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车检修等设备用途测试分析、器件选型 、筛选检验 、生产线自动批量测试等 技术指标主极电压: 10mV-2000V主极电流： 100nA-50A扩展电流： 100A、500A、1000A、1300A电压分辨率： 1mV电流分辨率： 1nA测试精度： 0.2%+2LSB测试速度： 0.5mS/参数系统功耗： 150w质 量： 35KG尺 寸： 450x570x280mm通信接口： RS232 USB工作温度： 25-40°C测试范围测试范围 / 测试参数序号测试器件测试参数01二极管DIODEIR；BVR ；VF02晶体管（NPN型/PNP型）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF03J型场效应管J-FETIGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04MOS场效应管 MOS-FETIDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS05双向可控硅TRIACVD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-06可控硅SCRIDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH07绝缘栅双极大功率晶体管IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS08硅触发可控硅STSIH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW-09达林顿阵列DARLINTONICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；VCESAT； VBESAT；VBEON10光电耦合OPTO-COUPLERICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)11继电器RELAYRCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME12稳压、齐纳二极管ZENERIR；BVZ；VF；ZZ13三端稳压器REGULATORVout；Iin；14光电开关OPTO-SWITCHICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF15光电逻辑OPTO-LOGICIR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF16金属氧化物压变电阻MOVID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；17固态过压保护器SSOVPID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 18压变电阻VARISTORID+； ID-；VC+ ；VC-19双向触发二极管DIACVF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

F-200A型半导体器件通用测试机一、 概述 F-200A半导体器件通用测试机是专为测量包括二极管、MOS管、IGBT、毫欧电阻等电子器件正向压降而设计，正向电流分为0.01-0.1A、0.1~1A、1~10A、10~200A四个档位，测量范围更广。0.01~0.1A：小电流硅堆、（高压二极管：定制60V）、0.1A内的小电流MOS管和二极管、LED、10~100Ω电阻等测试；0.1~10A：中小功率二极管、MOS管、0.1~1Ω电阻；10~200A：大功率二极管、MOS管、IGBT管、0~0.1Ω电阻、开关触点压降稳定性测试二、技术参数1. 正向脉冲电流调节范围：0.01A~200A，四个档位，每个档位步进为档位满量程的0.01%（10-200A为10mA步进）2. 脉冲宽度：300us-600us 固定3. 开路输出电压:≥65V4. 正向压降测量范围：10mA-10A：60V；10A-200A：20V5. 正向压降测量电流电压的分辨率：测量范围测试电流分辨率测试电压分辨率压降测量范围10~100mA0.01mA1mV60V100~1000mA0.1mA1mV60V1~10A1mA1mV60V10~200A10mA1mV20V6. 供电电压：AC220V±10％，50Hz7. 消耗功率：≤100W8. 工作温度：25℃±10℃9. 串口RS485通信接口10. 配电脑软件,输出特性曲线、导出图像和excel数据点11. 测试仪器可脱机独立运行12. 选配栅极测量选件，可测量栅极端口电容、栅极正反向漏电、测量IG/VGE、IC(ID)/VGE 选配极性自动切换选件，可自动切换电压电流正负极性；选配耐压测试盒选件，可测试最gao5kV的器件耐压。有关选件具体信息，请咨询销售经理。

正业科技半导体分立元件在线全自动X-RAY检测设备应用介绍：该设备具有一套Xray成像系统，四轴机器人自动上下料，针对半导体行业内的分立元件进行在线全自动检测，可自适应7英寸，11英寸，13英寸的料盘。该设备通过Xray发生器发出X射线，穿透芯片内部，由平板探测器接收X射线进行成像，通过图像算法对图像进行分析、判断，确定良品与不良品，并通过复盘功能，确定芯片在料盘中的序号，以便后端将不良芯片挑出。 产品特色：? 算法软件功能强大：1. 自主研发的复盘算法能够实时复盘，边采图边复盘。2. 人机交互功能丰富。界面图片可拖拽、缩放，可在复盘图上双击NG芯片，即可索引并显示出该芯片的原图、NG类型等信息。3. 自主研发的检测算法能够自动准确地检测芯片的线型及芯片导物等不良项。4. 软件具备扫码、MES上传、人工复判等功能。? 检测效率高：整盘矩阵式采图，无需拉料卷料；具有CCD视觉定位系统，机器人自动上料。7英寸料盘检测用时3min(3000pcs)。? 生产线对接：具备与AGV对接功能。? 安全环保：整个设备安全互锁，三重防护功能，机身表面任何部位均满足安全辐射标准。

半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE新世代光电探测器 (PD) 的完整解决方案传统的量子效率系统在新型光电探测器面临许多测试方法挑战。如：偏置电压无法超过 12V：传统量子效率系统使用锁相放大器，其承受直流电压无法过大，因此在一般的量子效率测试仪，电偏压无法施加超过 12V。无法做噪声频率分析。无法直接测得 NEP 与 D*。光焱科技针对新世代的光电探测器 (PD) 提供了完整解决方案~命名为 PD-QE。半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 特色：PD-QE 系统是光焱科技在过去十年的小光斑 (power mode) 基础上，进化开发完成。可应用在 PV 的 EQE 量子效率测试、新型光传感器的研究。在全新的软件平台 SW-XQE 上，具有便捷的扩展性：可测试标准 EQE 外，更可整合多种 SMU 的控制，并量测IV曲线。同时具备各种分析功能，如 D*、NEP、频率噪声图。半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 规格:PD-QE 有不同的模块，偏置电压也可由 20 V 到 1000 V。同时，可测量高分辨率的光电流，分辨率最高可达 10-16 A。波长扩充可达 1800 nm。可选配软件升级控制 Kiethley 4200 SMU半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 应用有机光传感器 (OPD, Organic Photodiode)钙钛矿光传感器 (PPD, Perovskite Photodiode)量子点光传感器 (QDPD, Quantum Dots Photodiode)新型材料光传感器实证：PD-QE 已整合 Keithley 与 Keysight 出产的多种 SMU，进行多种的 IV 曲线扫描。用户无需另外寻找或是自行整合 IV 曲线测试。图中显示 PD-QE 测试不同样品的 IV 曲线，并进行多图显示。PD-QE 凭借先进数字讯号采集与处理技术，直接可测试各种探测器在不同频率下的噪声电流图。用户无需在额外购买、整合频谱分析仪进行测种测试！并且软件可以进行多种频段的特性分析，如 Shot Noise、Johnson Noise、1/f Noise 等。PD-QE 是针对新世代 PD 测试的完整解决方案。

产品概要：ESD(静电放电)测试是在半导体可靠性测试期间进行的。ESD测试对于半导体设计的开发和半导体制造的最终生产过程中的质量保证都是必不可少的。基本信息：&bull 独立的测试系统，便携式空间占用小，性价比高。&bull 搭配嵌入式操作屏幕，无需外置PC或Curve tracer可独立完成HBM，MM和漏电测试&bull 适应于功率半导体器件及少管脚IC技术优势：&bull 易于使用的触摸屏界面,设置可以在没有PC的情况下进行调整&bull 符合多种标准,满足JEDEC/ESDA/AEC/JEITA对HBM/MM的要求&bull 泄漏与曲线追踪应用方向：ESD静电放电测试。

半导体xray检测设备用途：公司半导体元立件在线全自动XRAY检测设备具有一套Xray成像系统，四轴机器人自动上下料，针对半导体行业内的分立元件进行在线全自动检测，可自适应7英寸，11英寸，13英寸的料盘。该设备通过Xray发生器发出X射线，穿透芯片内部，由平板探测器接收X射线进行成像，通过图像算法对图像进行分析、判断，确定良品与不良品，并通过复盘功能，确定芯片在料盘中的序号，以便后端将不良芯片挑出。 半导体元立件在线全自动XRAY检测设备产品特色：? 算法软件功能强大：1. 自主研发的复盘算法能够实时复盘，边采图边复盘。2. 人机交互功能丰富。界面图片可拖拽、缩放，可在复盘图上双击NG芯片，即可索引并显示出该芯片的原图、NG类型等信息。3. 自主研发的检测算法能够自动准确地检测芯片的线型及芯片导物等不良项。4. 软件具备扫码、MES上传、人工复判等功能。? 检测效率高：整盘矩阵式采图，无需拉料卷料；具有CCD视觉定位系统，机器人自动上料。7英寸料盘检测用时3min(3000pcs)。? 生产线对接：具备与AGV对接功能。? 安全环保：整个设备安全互锁，三重防护功能，机身表面任何部位均满足安全辐射标准。

SL8804GT-BDT016:半导体材料表面测试系统 检查灯+工业相机 自动化表面检查系统 半导体材料检查灯 大面积表面检查灯SL8804GT简介荧鸿根据市场的需要特别开发出，半自动化表面测试系统：使用专业的检测灯具以及配套的工业相机来放大测试的效果和效率，我们在专业检测表面灯具灯具领域有丰富的经验和掌握核心的技术：我们的表面检查灯每个LED前面通过添加3-4个不同的光学透镜或镜片，通过不同的角度、高度光学透镜和镜片的组合，发出的光源是自然界不存在的光，是人为的制造出的特殊光源，可以满足不同的测试环境和测试要求；配套的工业相识，使用成熟的方案和算法，专业的表面检查灯和配套的工业相机能提高测试效果和效率。 SL8804-BDT016:半导体材料表面测试系统，有SL8804/SL8804-GT绿色（紫外线）专业的表面检查灯和BDT016工业相机组成，半导体检测检测主要使用的是绿色的表面检查灯，所以主要介绍绿色的表面检查灯：平行灯的原理利用适合的LED灯源，通过光学镜片折射出特殊的光源，照在工件表面折射出光路，使得操作员肉眼可识别出工件表面的灰尘、刮痕、毛刺、凹凸、油墨等瑕疵点，取代传统的照明设备和光学系统机台，直接通过照明光线和肉眼，观测出一般玻璃表面、部件表面的瑕疵，极大的节省了一般工厂的采购成本。要用于镜片、液晶玻璃、玻璃、模具、汽车、保护膜、柔性基板、网版丝印等行业。 平行光检测灯采用人眼敏感的光线来做简单与明确的判别，可精确检查到1um以下的刮痕或微粒子，并 且具有白光、黄光、蓝光三种颜色，几乎可检测出所有尘埃，大大降低产品不良率。使用寿命为2万小时以上。光源强度可达90000LX，可以检测1μ的表面脏污，比传统的检查灯，效用增强10倍 产品参数型号：SL8804-GT表面检查灯（桌面式简称--SL8804GT-D 夹式简称--SL8804GT-C）光 源：高亮度的LED和光学镜片； LED平均寿命是30000小时照度：距离30cm → 48000 lx；距离45cm → 31000 lx（我们掌握了核心技术，我们可以提供不同照度的平行灯，它们可满足不同客户的要求）照射面积： 18cm直径的光圈 在40cm的距离调光方式： 手动调整；消耗功率：20 W电源：采用110-220V电源供电（交流供电），可以24小时持续无间断工作。平行光强的稳定性： 90 ％产品尺寸：11.6 * 10.8CM 净重： 0.96KG(不含配件） SL8804GT特点1.窄波段输出2.真正冷光源，100％纯的LED灯3.LED使用寿命高达3万个小时 。4.发黄光和绿光，人眼易感知且又不伤眼5.可精确检查到10um以下的刮痕或微粒子6：可选择不同波段光源： 白光、绿光、黄光 白光：刮伤以及对不同层次的镀膜均匀或微污染有很好的效果。 绿光：微刮伤、粉尘异物、液晶玻璃，70%以上的表面不良都可以被检出。尤其是表面的微刮伤。黄光：微刻模具、半导体晶圆、蓝宝石。对镀膜检查效果不错。 SL8804GT应用镜片、液晶玻璃、玻璃、模具、汽车、保护膜、柔性基板、网版丝印等行业。 BDT016工业相机简介BDT016是配合SL8804检查灯的一款工业相机：HDMI接口彩色相机，1080P高清晰成像，该相机采用了索尼新款的高端CMOS芯片，画面锐利、对焦速度快、帧速达到60FPS。工业相机的作用主要是放大检查灯的测试效果，通过显示屏方便观察；通过专业的表面检查灯和工业相机的组合，可以达到的检测效果，提高了测试的效率和效率。 BDT016技术参数产品型号：BDT016图像传感器：CMOS彩色有效像素：500万像素像元尺寸：1/2.8菜单：全数字UI设计聚焦方式：自动聚焦、一键聚焦、手动聚焦操作方式：无线鼠标操作镜头接口：C/CS型HDR宽动态：可有效抑制强光图像：可倒置、翻转白平衡：手动/自动曝光方式：手动/自动十字线：四组十字线可变色移动显示帧率：1080P@60fps/1080P@50fps扫描方式：逐行扫描电子快门速度：1/50s(1/60s)～1/10000s工作温度：0℃～50℃电源DC：DC5V输出方式：HDMI数字放大：支持存储功能（选配）：支持TF卡存储 BDT016特点◆ 内置自动对焦系统◆ 500万像素◆ TF卡接口实现了图像与视频的存储功能◆ USB接口可连接U盘对程序进行升级◆ 拥有优异的HDR功能◆ 拥有数字放大功能 SL8804GT-BDT016:半导体材料表面测试系统标准配置：有SL8804-GT绿色（或者SL8804紫外线）专业的表面检查灯一套BDT016工业相机组成一套（不包含显示屏）

正业半导体芯片焊点无损检测 正业科技多年聚焦检测领域，专注X光检测创新技术解决方案，技术成熟，经验丰富，针对这一行业痛点和国内知名半导体公司已开展合作，开发全新的自动检测解决方案，替代进口单机设备。 要实现自动检测，对检测的效率及自动识别的能力及算法提出更高的技术要求，经过项目组的努力，目前已经取得突破性进展，半导体芯片缺陷自动检测技术的识别功能及关键检测指标已得到客户的认可，即将推出自动检测设备，未来将为更多的半导体客户解决检测的难题，助力行业发展！ 目前半导体芯片缺陷类型：有线脱焊、塌线、跪线、弧度低、断颈、平颈、多die、弧度高、多余线、重复焊线、无线脱焊、颈部受损、胶水厚、线尾长、球厚/球大/球畸形等。 ▲良品及部分缺陷类型

WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。 （2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格 品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。