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集成电路一般是在一块厚0.2~0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上通过平面工艺制做成的。这种硅片(称为集成电路的基片)上可以做出包含为十个(或更多)二极管、电阻、电容和连接导线的电路。一、集成电路中元器件的特点与分立元器件相比,集成电路元器件有以下特点:1. 单个元器件的精度不高,受温度影响也较大,但在同一硅片上用相同工艺制造出来的元器件性能比较一致,对称性好,相邻元器件的温度差别小,因而同一类元器件温度特性也基本一致;2. 集成电阻及电容的数值范围窄,数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω~几十 kΩ范围内,电容一般为几十pF。电感目前不能集成;3. 元器件性能参数的绝对误差比较大,而同类元器件性能参数之比值比较精确;4. 纵向NPN管β值较大,占用硅片面积小,容易制造。而横向PNP管的β值很小,但其PN结的耐压高。二、集成电路的设计特点由于制造工艺及元器件的特点,模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。1. 在所用元器件方面,尽可能地多用晶体管,少用电阻、电容;2. 在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路,级间耦合采用直接耦合方式;3. 尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求;尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路
集成电路一般是在一块厚0.2~0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上通过平面工艺制做成的。这种硅片(称为集成电路的基片)上可以做出包含为十个(或更多)二极管、电阻、电容和连接导线的电路。一、集成电路中元器件的特点与分立元器件相比,集成电路元器件有以下特点:1. 单个元器件的精度不高,受温度影响也较大,但在同一硅片上用相同工艺制造出来的元器件性能比较一致,对称性好,相邻元器件的温度差别小,因而同一类元器件温度特性也基本一致;2. 集成电阻及电容的数值范围窄,数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω~几十 kΩ范围内,电容一般为几十pF。电感目前不能集成;3. 元器件性能参数的绝对误差比较大,而同类元器件性能参数之比值比较精确;4. 纵向NPN管β值较大,占用硅片面积小,容易制造。而横向PNP管的β值很小,但其PN结的耐压高。二、集成电路的设计特点由于制造工艺及元器件的特点,模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。1. 在所用元器件方面,尽可能地多用晶体管,少用电阻、电容;2. 在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路,级间耦合采用直接耦合方式;3. 尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求;尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路
集成电路运算放大器主要参数对于实际使用运算放大器而言,重要的不是了解集成运算放大器的内部电路,而是在于了解它的特性,参数及实际连接方法.运算放大器的主要参数有:(1)输入失调电压力在输入电压和输入端外接电阻为0Ω时,为了使运算放大器输出失调电压为0V,在输入端间必须加一个直流补偿电压.这个电压就是输入失调电压UIO. UIO的值越小越好,一般运算放大器的UIO在1~20μV之间.(2)输入失调电流IIO当运算放大器失调电压为0时,两输入端静态偏置电流之差,称为输入失调电流0时,两输入端静态偏置电流之差,称为输入失调电流IIO. IIO实际上为运算放大器两个输入端所加的补偿电流,它越小越好.(3)输入偏置电流IIO运算放大器反相输入端与同相输入端的静态偏置电流IB1和IB2的平均值,称为输入偏置电流IB1.双极型运算放大器的IiB为μA数量级,MOS运算放大器的IiB为pA数量级.(4)输入失调电压温度系数dUIOt和输入失调电流温度系数dHO这俩个参数用来衡量运算放大器的温漂特性.这两个指标越小越好.(5)开环差模电压增益Aod当运算放大器工作在线性区时,输出开路电压uO与输入差模电压Uid的比值,称为Aod. Aod0,其值在60~180dB之间.(6)共模抑制比KCMR KCMR=| Aod / Aoc |,即动算放大器的开环差模型增益与开环共模型增益之比的绝对值,用分贝表示.此值一般在80~180dB之间.使用[url=http://www.bjshtek.net]集成电路测试仪[/url]GT2200A来解决这些参数的测试问题,也可以用这个设备对器件进行筛选测试。