红外二极管测试

InGaAs光电二极管 Fermionics公司于1991年在加利福尼亚成立，它是一家生产InGaAs光电二极管的独立生产商，产品主要是用于光学通信、测试仪器、传感和医学设备应用。高速InGaAs光电二极管（FD50~FD300）描述：1.探测速度非常快、电容低、暗电流低；2.适用于高比特率接收机、高速模拟和数字通信系统、LAN、FDDI、红外仪器和探测应用；3.所有的器件使用平面钝化技术制造；4.光灵敏表面镀有宽带增透膜；5.光灵敏区域直径：50、80、100、150和300微米；6.存储温度：-40~100℃；工作温度：-40~85℃。大面积InGaAs光电二极管（FD500~FD5000W）描述：1.大面积光电二极管用于红外仪器和探测、中速通信系统；2.在波长范围800到1700纳米响应良好；3.分流电阻对低光信号灵敏度高；4.所有器件使用平面钝化技术制造；5.光灵敏表面镀有宽带增透膜；6.光灵敏区域直径：500、1000、1500、2000、3000和5000微米。杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门等。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 拉曼激光器，量子级联激光器，微型光谱仪，光机械，Oceanoptics，Thorlabs 。。。热线电话： / 传真：网址： /邮箱：

光电二极管简介：GPD Optoelectronics提供Ge （p-n, p-i-n, APD），InGaAs探测器，双波长探测器，自由空间和光纤输入，波长覆盖可见光到近红外。GPD Optoelectronics提供Ge （p-n, p-i-n, APD），InGaAs探测器，双波长探测器，自由空间和光纤输入，波长覆盖可见光到近红外。 特点：低噪音近红外雪崩二极管覆盖波段900-1700nm有效面积20-350um最大带宽2Ghz自由空间和光纤输入 一、 Ge探测器二、 Ge 雪崩探测器 三、 高速InGaAs光电二极管 四、 InGaAs探测器 五、 扩展InGaAs光电二极管 六、 InGaAs雪崩光电二极管 七、 热电冷却的InGaAs光电二极管 八、InGaAs象限光电二极管 九、双波长探测器

光电二极管 Related Products Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。磷化镓光电二极管－紫外波长Zoom超短波长范围（150至550纳米）快速上升时间安装在带有蓝宝石窗口的密封封装内型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)時間a噪音等效功率(W/Hz1/2)暗电流接合电容aFGAP71150 - 5504.8 mm2(2.5 mm x 2.5 mm)-1 ns (140 ns)@ 5 V1.0 x 10-14@ 440 nm10 nA (最大)@ 5 V-a) 典型值 RL＝50欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表ください。硅光电二极管－可见光波长ZoomFDS02特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FDS010特性：紫外级融石英窗口，提供低至200纳米的灵敏度范围FDS100特性：TO-5型金属封装中最大的传感器FDS1010特性：安装在绝缘的陶瓷衬底上，在本系列中具有最大有效面积。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型値)结电容aFDS02 400 - 11000.25 mmTO-46FC/PC Connector47 ps (246 ps) @ -5 V9.3 x 10-1535 pAd @ 5 V0.94 pF@ 5 VFDS010200 - 11000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN@ 20 V5.0 x 10-14@ 900 nm2.5 nA10 pF@ 0 VFDS100350 - 110013 mm2(3.6 mm x 3.6 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 20 V1.2 x 10-14@ 900 nm20 nA20 pF@ 1VFDS1010400 - 1100100 mm2(9.7 mm x 9.7 mm)Ceramic Wafer45 ns (45 ns)@ 5 V5.5 x 10-13@ 900 nm0.6 µ A@ 5V375 pF @ 5Va) 典型値. RL = 50 欧姆b) 详细引脚配置请参看专门规格表d) 最大500 pA铟镓砷光电二极管&mdash 近红外到红外波长ZoomFGA04特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FGA10特性：高速、有效面积大。FGA20特性：波长范围长FGA21特性：本系列中有效面积最大的产品。型号波长范围(nm)有效面积二极管封装形式b上升（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型值)结电容aFGA04c800 - 18000.008 mm2(Ø 0.1 mm)TO-46 w/ FC/PC Connector100 ps (100 ps)@ 5 V1.5 x 10-15@ 1550 nm0.5 nA@ 5 V1.0 pF @ 5 VFGA10700 - 18000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 5 V2.5 x 10-14@ 900 nm100 nA @ 5 V (max)80 pF @ 0 VFGA201200 - 26000.79 mm2(Ø 1 mm)TO-18/PIN23 ns (23 ns)@ 1 V2.0 x 10-1275 µ A @ 1 V (max)200 pF @ 1 VFGA21800 - 18003.14 mm2(Ø 2 mm)TO-5/PIN66 ns (66 ns)@ 0 V3.0 x 10-14@ 2300 nm200 nA @ 1 V500 pF @ 0 Va)典型値.RL=5欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表。c) 探测器本身的损伤阈值为70毫瓦（连续光）然而，封装内部的电线（非导线）在光电流超过10毫安的情况下可能会熔化，将会造成装置失效。当将FGA04用于更高功率的应用时，该区域中探测器具有高的响应率，请考虑使用 光纤衰减器。t锗光电二极管－近红外波长ZoomFDG03具有大有效面积，为TO-5封装。FDG05为陶瓷衬底并具有高速特性。FDG1010为陶瓷衬底，其上具有最大的有效面积。请注意，FDG05和FDG1010上的引线是通过导电的环氧树脂连接到传感器上，因为焊接会破坏传感器。这使得连接比较脆弱。参看内附的操作说明保护连接处。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流（典型值）结电容aFDG03800 - 18007.1 mm2(Ø 3 mm)TO-5/PIN500 ns (500 ns)@ 3 V1.0 x 10-12@ 1550 nm4.0 µ A@ 1 V4 nF @ 1 VFDG05800 - 180019.6 mm2(Ø 5 mm)Ceramic Substrate220 ns@ 3 V4.0 x 10-12@ 1550 nm40 µ A @ 3 V3 nF @ 5 VFDG1010800 - 1800100 mm2(10 mm x 10 mm)Ceramic Substrate3.5 µ s@ 1 V4.0 x 10-12@ 1550 nm50 µ A (max.)@ 0.5 V30 nF @ 0.5 Va) 典型值。 RL=50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表 双波段探测器Zoom 双探测器芯片设计－硅在铟镓砷上－具备宽探测范围4引脚的TO-5型封装大有效面积型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)典型暗电流结电容aDSD2400 - 11001000 - 1700Ø 2.54 mmØ 1.5 mmTO-5/PIN4 µ s (典型値)(两层)1.9 x 10-142.1 x 10-13-450 pF300 pFa) 典型値 RL =50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表

总览LED Microsensor NT 很高兴地宣布新的发光二极管具有特殊的玻璃覆盖层，增加了 LED 输出光功率（高达 3-5 倍）。这允许在不同的气体、液体和固体传感和分析应用中获得更高的精度。连同其他优势（紧凑尺寸、低功耗、高调制范围），我们的 LED 成为传感器和分析仪的更令人印象深刻的元件基础。中红外(MIR)发光二极管LED 带玻璃盖系列 2.7-4.3um,中红外(MIR)发光二极管LED 带玻璃盖系列 2.7-4.3um通用参数带玻璃罩的 LED 型号 - LmsXXLED-CG型号峰值发射波长 [µ m]min-max发射频带的FWHM[nm]min-maxqCW 模式1平均光功率 [µ W]Min值/典型值脉冲模式2,3峰值光功率 [µ W]Min值/典型值电压1 [V](200 mA)min-maxqCW 模式1工作电流[mA]脉冲模式2工作电流[mA]工作/储存温度4新Lms27LED-CG2.70-2.79300-50050/150370/10000.2-1.020010000..+50/0..+40新Lms28LED-CG2.83-2.90300-500100/300700/20000.2-1.020010000..+50/0..+40LMS34LED-CG3.30-3.44250-600100/300700/20000.2-1.320010000..+50/0..+40LMS38LED-CG3.70-3.94400-70080/180500/15000.2-0.825020000..+50/0..+40LMS43LED-CG4.05-4.30400-120080/180500/15000.2-0.825020000..+50/0..+40*1重复频率：0.5 kHz，脉冲持续时间：1 ms，占空比：50%*2重复频率：0.5 kHz，脉冲持续时间：20µ s，占空比：1%*3代表性抽样测试的参数；为每个设备测试的所有其他参数*4不同包装类型的温度范围可能不同一, 中红外(MIR)发光二极管LED 带玻璃盖 4.05-4.30umLED Microsensor NT 很高兴地宣布新的发光二极管具有特殊的玻璃覆盖层，增加了 LED 输出光功率（高达 3-5 倍）。这允许在不同的气体、液体和固体传感和分析应用中获得更高的精度。连同其他优势（紧凑尺寸、低功耗、高调制范围），我们的 LED 成为传感器和分析仪的更令人印象深刻的元件基础。中红外(MIR)发光二极管LED 带玻璃盖 4.05-4.30um,中红外(MIR)发光二极管LED 带玻璃盖 4.05-4.30um型号参数 设备参数标志值单位操作/储存温度Topr0..+50°C焊接温度 (时间 3秒，距离外壳3毫米)Tsol+180°C 除非另有说明，否则所有参数均适用于 25°C 下的 LED 操作.LED参数条件标志值单位峰值发射波长1qCW mode3 I = 150 mAλp4.05-4.30µ m发射频带1的FWHMqCW mode3 I = 150 mAFWHM400-1200nm平均光功率（Min/典型）1qCW mode3 I = 200 mAPqcwmin 80 / typ 180µ W峰值光功率（Min/典型）2Pulse mode4 I = 1 APpulmin 500 / typ 1500µ WMax工作电流qCW mode3Imax qcw250mAPulse mode4Imax pulse2A正向电压1qCW mode3 I = 200 mAV0.2 - 0.8V典型光谱 (qCW3 ) 及典型光功率特性 (qCW3 )典型电流-电压特性 (qCW3 )1 为每个设备测试的参数.2 代表性抽样测试的参数.3 qCW 模式: 重复频率：0.5KHz，脉冲持续时间：1ms，占空比：50%.4 脉冲模式：重复频率：0.5KHz，脉冲持续时间：20µ s，占空比：1%.辐射特性（远场模式）TO-18 封装带玻璃盖板相关产品:光电二极管Lms43PD、Lms49PD系列-中红外辐射探测器；LED驱动器（D-41i、D-51i、小型驱动器mD-1c、mD-1p）-以脉冲模式提供LED电源。为了驱动LED，我们推荐以下基本电路连接:我们建议使用占空比为50%或25%的准连续波（qCW）模式来获得Max平均光功率，使用短脉冲模式来获得zui高峰值功率。不建议使用强CW（连续波）模式.准连续波 (qCW) 模式 以及 脉冲模式注意事项● 请在点亮LED 前检查您的连接电路 ● 请注意LED极性：正极标有红点； 禁止施加反向电压 ● 请不要将LED 接到万用表上 ● 请控制施加在LED 上的电流，不要超过Max允许值 ● 请不要触摸玻璃罩，不要对其施加任何力t ● 请注意使用和储存温度，超过允许范围可能会对玻璃罩造成不可修复的损坏.

主要应用：-5G及其以上传输系统不断增长的高速及大容量需求对光电二极管提出了更高的要求. 铟镓砷 (InGaAs)二极管、磷化镓(GaP)二极管和硅(Si)光电二极管，锗(Ge)光电二极管....-光电二极管（光敏二极管），有机光电二极管,光电三极管（光敏三极管），光敏器件......-光谱响应测试-DIV测试，电容测试-光电二极管（ Photodiode）灵敏度角度特性测试.

Thorlabs近红外激光二极管 LP705-SF15特性法布里-珀罗(FP)、分布反馈(DFB)和体全息光栅(VHG)稳定型、光纤布拉格光栅(FBG)稳定型分布式布拉格反射体(DBR)激光二极管和垂直腔面发射激光器(VCSEL)输出功率高达2 W中心波长从705 nm至2000 nm提供多种封装：TO、TO尾纤、蝶形、C-Mount和COS(Chip on submount)通过我们的LD引脚可便捷地选择兼容的安装座兼容Thorlabs的激光二极管和TEC控制器提供OEM解决方案中心波长注意事项虽然对每个激光二极管都列出了中心波长，但这只是典型值。每个产品的中心波长在生产过程中都会略有偏差，所以您收到的二极管可能不工作在典型中心波长上。激光二极管可通过温度调谐，从而改变激光波长。下面的许多产品表格中都有Wavelength Tested栏，说明这些型号的主要波长都经过测量并记录。对于其中很多型号，点击下面的"Choose Item"后会弹出一个列表，包括每个库存产品的主波长、输出功率和工作电流。点击序列号旁的红色文件按钮可打开一个PDF文件，它包含了该序列号产品的L-I-V和光谱特性曲线。如果下方没有提供相关序列号产品的信息，客户也可以联系技术支持techsupport-cn@thorlabs.com来基于测试波长选择一种激光二极管。封装和安装座我们的激光二极管以不同封装提供，包括标准的?5.6 mm和?9 mm的TO封装，以及带尾纤的TO封装二极管、COS和C-Mount。我们将TO封装的二极管引脚配置分成标准的A、B、C、D、E、F、G和H型引脚代码(见下图)。这个引脚代码使用户能很容易确定兼容的安装座。Thorlabs的产品线对TO封装的二极管支持最广泛，其次是蝶形封装激光器。COS和C-Mount激光器更适合OEM应用。我们的一些二极管以开放式端头封装提供，它们可根据要求转换成密封的TO封装空间模式和线宽我们提供具有不同输出特性(功率、波长、光束尺寸、形状等等)的激光二极管。这里提供的大多数激光器为单空间模式("单模"或SM)，少部分设计用于高功率多空间模式("多模"或MM)工作。一些单模激光二激管能够以有限的单纵模工作(请见下面的表格了解更多信息)。为了达到更好的边模抑制比(SMSR)性能，请考虑如DFB激光器、VHG稳定性激光器、DBR激光器或外腔激光器等。Thorlabs也提供极窄线宽的单频激光器(VHG稳定型和DFB激光器线宽≤20 MHz，DBR和ECL激光器线宽小于100 kHz)，这些产品在表格中以绿色背景高亮显示。请通过激光二极管教程了解激光二极管的空间模式和线宽以及其它概述信息。激光二极管对静电冲击非常敏感。在操作时请采取适当的预防措施(请看我们的防静电冲击配件)。激光二极管对光学反馈也很敏感，这在特定应用中可能会引起激光二极管输出功率的显著波动。如需解决这个问题，请查看我们的光隔离器。对于所有的尾纤激光二极管，在连接到其它光纤或从其它光纤断开连接时，都要先关闭激光器，尤其是功率大于10 mW时。我们建议每次使用前清洁光纤接头，避免灰尘或任何其它污染物沉积在接头表面。光纤端面中心的激光强度可能非常高，如果有污染物存在很有可能会烧坏光纤端面。虽然发货前我们清洁了尾纤激光二极管的接头且盖上保护帽，但我们无法保证它们拆开包装后一直没有任何污染物。

近红外激光二极管：中心波长1550 - 1575 nm特性激光二极管类型包括：法布里-珀罗(FP)分布反馈(DFB)体全息光栅(VHG)稳定型光纤布拉格光栅(FBG)稳定型分布式布拉格反射体(DBR)垂直腔面发射激光器(VCSEL)超低噪声(ULN)混合型输出功率最高2 W中心波长从1550 - 1575 nm提供多种封装：TO、TO尾纤、蝶形、加长蝶形、C-Mount和COS(Chip on submount)通过我们的LD引脚可便捷地选择兼容的安装座兼容Thorlabs的激光二极管和TEC控制器提供OEM解决方案中心波长注意事项虽然对每个激光二极管都列出了中心波长，但这只是典型值。每个产品的中心波长在生产过程中都会略有偏差，所以您收到的二极管可能不工作在典型中心波长上。激光二极管可通过温度调谐，从而改变激光波长。下面的许多产品表格中都有Wavelength Tested栏，说明这些型号的主要波长都经过测量并记录。LPS-1550-FC 近红外激光二极管光源

我公司独特的半导体处理技术生产的硅光电二极管，涵盖了从近红外到紫外直至高能波长区域等宽广的波长范围。它们具有快速相应、高灵敏、低噪声的特性，广泛地应用于医疗和分析领域、科学计测、光通信以及一般性电子产品等。滨松提供硅光电二极管及阵列及模块、带放大器的Si光电二极管阵列、InGaAs 光电二极管及阵列、MSM光电探测器、平衡探测器、光学模块，以及光电传感器放大器、电荷放大器等附件产品。从金属、陶瓷、塑料封装到表面贴装，多种包装配备齐全，而且滨松还可以依据用户要求提供专门的设计产品。

仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器

激光二极管/LED LIV(光强-电流-电压)测试系统姓名：田工(Allen)电话：（微信同号）邮箱：该款激光二极管/LED LIV(光强-电流-电压)测试系统可以测试无论是封装形式还是裸芯片。这些仪器可在短的时间内完成完整的 LIV 测量，实现高效生产 激光二极管/LED LIV(光强-电流-电压)测试系统产品特点该款产品采用数字可编程模拟终端级来实现灵活和准确的电流控制。产品提供多种电流匹配，从 250mA，到1200A。可定制支持其他范围电流需求！ 产品提供脉冲系统，脉冲持续时间为 150ns 至 2000μs。快速上升时间版本拥有 50ns 的上升和下降时间（在 60A 时）——实现基本无过载。这种独特的功能允许在芯片级或条级对高功率二极管激光器进行准确测试，而不会对被测设备产生过度的热负载。系统也提供CW/QCW 测试，具有大量包括老化测试在内的各种功能测试 系统都通过 USB 端口进行控制以进行自动测量。从控制计算机上传参数集。在启动命令之后， 然后完全自主地执行完整的测量序列。 激光二极管/LED LIV(光强-电流-电压)测试系统应用领域应用包括在子安装或包装之前和之后的激光二极管表征、进货检查和原始设备制造商。快速数据采集提供了高生产效率。系统通过定制带状线或接触卡配置服务支持该产品。 激光二极管/LED LIV(光强-电流-电压)测试系统工作原理系统都通过 USB 端口进行控制以进行自动测量。从控制计算机上传参数集。在启动命令之后，LIV 然后完全自主地执行完整的测量序列。快速数据采集提供了高测量速度。仅在脉冲模式下测量的产品型号： Pulsed LIV mode 该模式冲（或步长）宽度和脉冲间隔以恒定电流运行驱动器。在这种模式下测量每个脉冲的激光功率。示意图如下： Pulsed burst mode 此模式可用于检查设备上的热接触，也可以在一定时间内产生光以进行其他测量，例如smile、近场/远场模式或光谱，产品通过定制带状线或接触卡配置服务支持该产品。 详细资料请点击下载 软脉冲测试：

浊度计品牌：AS ONE/亚速旺特点：● 聚合物标准液的校准单元是经济的，因为它可以重复使用(有效期内)。● 测量时背景为蓝色，校正时背景为绿色。● 显示屏是TFT彩色屏幕，可视性很好。规格：● 测定项目:浊度● 测定范围:浊度/0-1000NTU● 分解能:0.01～19.99/0.01NTU、20.0～99.9/0.1NTU、100～1000/1NTU● 重现性:≤1%rdgor0.02NTU的较大一方● 测定方法:符合ISO7027的浊度标准(90°)● 光源:红外线放射二极管(波长860nm)● 读取误差:≤±2%rdg±杂散光误差● 功能:支持、自动关闭电源(8分钟)、低电池显示● 校正用单元:0NTU、20.0NTU、100NTU、400NTU、800NTU(聚合物)● 样品容量:18ml● 防尘防水:IP67● 电源:3号电池×4个(测试用附带)● 尺寸:90×203×80mm● 重量:385g● 配件:更换用单元(φ×mm)×6个、更换用单元(φ25×60mm)×6个、校正用单元5种※0NTU校正液请使用40.0120.0～99.9。除此之外，请使用4-358-31的套装

激光二极管光电特性测试分析系统 / 半导体芯片测试系统短脉冲大电流测试系统-LIV100LIV系列是专门用于激光二极管光电特性测量的系统，测试样品无论封装的还是裸芯片形式，均可在极短的时间内完成全部LIV测量。LIV测试对象：LIV100是用于激光二极管（chip, bar以及submount）光电特性分析的短脉冲测试系统。主要特点：l 上升时间：50ns (F-version)；500ns (L-version)；1μs (XL-version)l 最大电流：250mA-600A，最大电流阶跃数：4000l 只适用于脉冲测量l USB接口控制，同步光谱测量l 处理能力：1s/每器件（典型）LIV100提供三种不同测试速度和脉冲长度的版本：l LIV100-Fxxx（短脉冲版）：上升时间50ns，脉冲宽度范围150ns-10μs。l LIV100-Lxxx（长脉冲版）：上升时间500ns，脉冲宽度范围2μs-100μs。l LIV100-XLxxx（超长脉冲版）：上升时间1μs，脉冲宽度范围5μs-2000μs。 应用领域应用范围包括激光二极管半封装或封装前后的特性分析，来料检测以及OEM。软件支持一键生成测试样品完整的PDF数据表。LIV100的短脉冲性能可以确保测试样品可以在忽略热负荷的情况下进行测量。运行原理LIV100系统通过USB接口控制，实现自动测量。从控制计算机上传一个命令集，执行开始命令后，LIVs会按自动按照测量序列执行测量。快速的数据采集提供了高测量效率。附件：l 积分球l 光谱仪l 带状（针状）连接器l 真空卡盘l TEC和TEC驱动器 注意：标准型LIV100不具备CW测量模式。如有需要，可以按要求定制具备CW测量的LIV100如果需要CW和脉冲两种测量模式，请考虑LIV120系列，脉冲宽度： 1001μs-CW。 脉冲/QCW/CW测试系统LIV120LIV120是一款功能强大的用于实验室以及OEM应用的激光二极管测试系统。适用于脉冲/QCW/CW测量以及老化测试，测量周期通常少于1秒。主要特点：l 最大电流：250mA-1200Al 最大电流阶跃数：4000l USB接口控制，同步光谱测量l 波长范围：250-1100nm 400-1650nml 测量光功率，电压，电流，监测电流等 运行原理命令集上传到LIV120后，LIV120按命令集驱动测试样品，并进行数据采集和存储。便捷/强大的处理软件：LIV120有CW和脉冲两种工作模式： CW-LIV模式 脉冲burst模式 CW-burst模式 脉冲LIV模式 LIV120可以运行所谓 “软脉冲”模式。也就是脉冲模式下，如果用户设置最小电流值，电流脉冲就不会掉落至零。请注意非常清晰的方形电流脉冲。 电流输出（min=0） 电流输出（min ≠0） 激光二极管驱动器LDD100 LDD100是一款强大的激光二极管驱动器，适用于实验室以及OEM。例如：激光二极管LIV测试以及老化测试。特点：最大200A电流，50ns-3s脉宽，25ns上升/下降时间（无过冲）。LDD100采用数字可编程模拟平台对电流进行灵活精确控制。USB接口直接控制，可实现自动测量。所有参数可以通过图形化软件或集成键盘和LCD输入显示。支持带状线定制服务 LDD100-F40（40A脉冲）输出脉冲波形 欲了解产品详细信息，请联系公司销售人员。

总览NTT Electronics Corporation的NLK1U5FAAA是一种波长为1625至1670 nm、输出功率（CW)为15 mW、阈值电流为15至20 mA的１４引脚蝶形封装激光二极管。有关NLK1U5FAAA的更多详细信息，请详见技术参数表。 1653.74nm DFB激光二极管（NEL),1653.74nm DFB激光二极管（NEL) 通用参数产品特点：窄线宽高输出功率出色的波长和功率稳定性14引脚蝶形封装产品应用：近红外气体分析可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）光纤传感器 技术参数：电/光学特性(Tsub=deg.C) 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 正向电压 VF IF=30mA 1.2 1.6 V阈值电流I(TH)CW1520mA光纤输出功率feCW,IF=130mA1525mW峰值波长lpCW,fe=15mW16251655nm光谱线宽DnCW,fe=15mW2MHz边模抑制比SMSCW,fe=15mW35dB监控电流(PD)IR(E)CW,fe=15mW0.1mA暗电流(PD)Ir(0)CW,VDR=5V100nA跟踪误差ERIR(E)=constant-0.5+0.5dB冷却DTPEfe=15mW,Tcase=70deg45deg.Peltier 电流IPETcase=-5 to 70deg.1APeltier电压VPETcase=-5 to 70deg.2V热敏电阻RTsub=25deg.10kW隔离度IsTsub=25deg.30dBD T=| Tcase-Tsub | 绝对最大值参数(Tsub=25deg.C)参数符号数值单位激光二极管反向电压VR2.0V激光二极管正向电流IF225mA操作机身温度Tcase-5 to 70deg.存储温度Tstg-40 to 85deg.PD反向电压VDR10VPD正向电流IDF10mAPeltier 电流IP1.4A 1653.74nm DFB激光二极管（NEL),1653.74nm DFB激光二极管（NEL)

可集成到Instrument Systems测量系统中的光电二极管，用于快速测量辐射功率PD 100 光电二极管是一款紧凑型检测器，可以轻松集成到带有Instrument Systems积分球的测量系统中，用于测量光通量或辐射功率，特别适合生产线上的快速测量需求。将Instrument Systems的三开口积分球连接上 CAS 系列光谱仪，即可同时对待测物（DUT）进行光谱测量。通过对比待测设备的光谱与光电二极管的校准曲线，PD 100 能提供更准确的辐射功率或光通量测量值。适用于 450 nm 至 1650 nm 的光谱范围PD 100 光电二极管有两种型号，一种配备硅（Si）探测器，另一种配备铟镓砷（InGaAs）探测器。硅探测器型号的测量范围为450至1100 nm，适用于具有硫酸钡涂层的积分球 (如 ISP 75B 和 ISP 100B).配备InGaAs探测器的型号则专为900至1650 nm的光谱范围测量设计，通常安装在有PTFE涂层的积分球上。在测量波长超过1100 nm的待测物时，PTFE积分球的表现更出色，因为其反射率的波动较小，且一致性更高。PD 100 – 产品特长测量范围广，400-1100 nm（硅）或900-1700 nm（InGaAs）脉冲DUT的测量上升/衰减时间短可结合Instrument Systems的先进三开口积分球可追溯的校准，用于绝对测量和使用.dll或SpecWin Pro（从4.0开始）的LIV测量 高度精确且可追溯的测量结果如同所有Instrument Systems的测量仪器，PD 100光电二极管的灵敏度已校准并可以追溯到PTB或NIST。校准曲线存储在光电二极管内，使用SpecWin Pro软件或PD.dll与光源的光谱对比，可以推算出精确的绝对辐射功率（或光通量）。这个过程实现了高度精确且可追溯的测量结果。PD 100光电二极管在获得ISO 17025认证的Instrument Systems测试实验室中进行校准，并且可以追溯到国家标准（例如PTB或NIST）。每个光电二极管都附带有关光谱灵敏度的个体测试报告。快速测量VCSEL或LED德国IS PD 100 光电二极管 是光谱辐射计（CAS系列）和积分球（ISP系列）测量系统的理想补充检测器。其快速响应时间能够精确测量脉冲光源，例如用于测量VCSEL的LIV曲线。如果使用具有高采样率的快速数字万用表（例如Keithley 7510，1 ms/sec），还可以可视化光学波形。技术数据型号PD100-SB-0001 orPD100-SB-0002PD100-IP-0001 orPD100-IP-0002 *探测器材料Silicon (Si)IndiumGalliumArsenide (InGaAs)光谱范围400 - 1100 nm900 - 1700 nm最高灵敏度的波长960 nm1550 nm上升/下降时间40 µ s (typ.)5 µ s (typ.)典型放大倍数 (ISP 100上)240 V/W (@940nm) or28 V/W (@940nm)2700 V/W (@1380nm) or12.5 V/W (@1380nm)* PD100-IP-0002 without calibration

激光二极管 深紫外激光二极管：波长范围 250nm-355nm输出功率范围：1mW至100mW效率高，高达20%坚固紧凑的设计数字、即时开/关、2ns 上升时间灵活的配光和传输使用寿命长，可靠性高易于集成到便携式系统中ISO9001：2008 和 NSF AS9100 认证应用包括紫外线固化、光疗、消毒、水净化、荧光光谱、生物分析和检测、传感器和监视器。自由空间激光二极管：法布里佩罗 （FP） 激光器或光纤布拉格光栅 （FBG） 波长稳定激光器连续波或脉冲操作单模或 PM 光纤尾纤14 引脚 DIL 或 14 引脚蝶形封装，内置热敏电阻、热电冷却器和光电二极管。内置监控光电二极管的Mini-DIL封装光纤耦合单模激光二极管：光纤耦合法布里佩罗 （FP） 半导体激光管具有光纤布拉格光栅 （FBG） 或分布式反馈 （DFB） 的光纤耦合波长稳定激光二极管连续波或脉冲操作波长范围 405-1550nm14 引脚 DIL 或 14 引脚蝶形封装，内置热敏电阻、热电冷却器和光电二极管。同轴和微型DIL封装，内置监控光电二极管单模光纤尾纤可选 FC/PC 或 FC/APC 连接器高功率泵浦半导体激光管:单频激光二极管、光纤布拉格光栅激光二极管、光纤布拉格光栅、DFB激光二极管、分布式反馈激光二极管、波长稳定激光二极管、光纤布拉格光栅 （FBG） 或分布式反馈 （DFB） 波长稳定的激光二极管连续波或脉冲操作14 引脚 DIL 或 14 引脚蝶形封装，内置热敏电阻、热电冷却器和光电二极管单模光纤尾纤保偏 （PM） 光纤尾纤可选 FC/PC 或 FC/APC 连接器固定波长激光二极管， 光纤光栅半导体激光管， 单纵模半导体激光管， 单纵模激光二极管， 光纤光栅半导体激光管 1060 nm， 光纤光栅半导体激光管 1300 nm， 光纤光栅半导体激光管 1480 nm， 窄带宽光源， 光纤光栅半导体激光管 1550 nm， 光纤光栅半导体激光管模块， 967nm， 976nm， 980nm， 1064nm， 1061nm， 1062nm， 1080nm、1420nm、1450nm、1480nm、1280nm、1490nm、1510nm宽带光源：光纤布拉格光栅 （FBG） 或分布式反馈 （DFB） 波长稳定的激光二极管连续波或脉冲操作14 引脚 DIL 或 14 引脚蝶形封装，内置热敏电阻、热电冷却器和光电二极管单模或多模光纤尾纤可选的保偏 （PM） 光纤尾纤可选 FC/PC 或 FC/APC 连接器InGaAs PIN 光电二极管：12GHz光纤耦合微波光电二极管接收器，QPDW-40。超快光接收机QPDF-50。具有单模或多模光纤尾纤的快速光电二极管，QPDF-70。通用光纤耦合光电二极管，QPDF-200激光二极管控制器和支架：提供多种用户友好的控制器套件，用于在连续和脉冲模式下操作激光二极管、超发光二极管、LED 和半导体光放大器。每套设备都包括激光驱动器、温度控制器、激光二极管支架、交流适配器、电缆，并可作为一个完整的交钥匙系统使用。我们还提供单独的 14 针 DIL 安装座、14 针蝶形安装座和 TO 罐头安装座。智能人性化设计连续波和脉冲操作（在某些型号中）精确稳定的温度控制包括激光二极管安装包括 110-240V 交流适配器半导体光放大器：行波，MQW设计连续波或脉冲操作单模输入/输出芯片到光纤耦合损耗低内置热敏电阻和TEC密封蝴蝶封装可选 FC/APC 连接器激光二极管的外延晶圆：由 Aixtron MOCVD 种植波长是可选的用于单模和多模半导体激光管的外延晶圆AlGaAs/GaAs量子阱（QW）有效区晶圆表面均匀性高客户设计的外延晶圆作为选项更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

Cutting Edge Optronics（简称CEO）是Northrop Grumman公司的一个子部门，是世界上未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器的主要供应商。基于CEO二极管激光器的产品已经成为工业标准，并应用在多种商业、工业和军事应用中。CEO公司的主要产品包括：未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器。 未安装二极管靶条、已封装激光二极管CEO高功率激光二极管产品线可选多种（传导冷却型和水冷型）热沉设计，每个激光耙条的CW输出功率超过100W，QCW输过300W。CEO具有10年以上经验，封装类型超过200种，其生产的激光二极管广泛用于工业、军事和航空应用中。CEO波长范围从790nm到1550nm，其中包括808nm、885nm和940nm，且能为特殊的泵浦应用提供定制设计，可以根据客户应用要求提供标准产品或者设计完整的封装。产品特点• 可选两种工作模式：CW和QCW• 总输出功率可达20kW• 可选配准直：快轴或慢轴• 多种封装方式其它特点? 多种组装• 激光二极管耙条• 激光二极管子模块• 已封装激光二极管? 标准波长范围• 780nm – 815nm• 875nm – 890nm• 935nm – 945nm• 965nm – 975nm? 冷却方法• 传导冷却• 水冷• 微通道冷却 芯片和耙条CEO具备提供大批量激光二极管耙条的实力，不管是客户需求每年1000耙条还是数万耙条，CEO都有相应的产能来满足要求。这些耙条的特点是CEO的专利外延结构设计，有多种波长可供选择，标准波长（nm）包括：790-820、872-890、930-950、970-990（其它波长可定制）? CW输出功率可达：100W/bar ? QCW输出功率可达：300W/bar激光二极管芯片（子模块）可选Silver或者Golden Bullet封装技术，两者都使用长寿命激光二极管耙条且可选CW或QCW工作模式。有多种波长可供选择，标准波长（nm）包括：790-820、872-890、930-950、970-990（其它波长可定制）。? CW输出功率可达：100W/bar? QCW输出功率可达：300W/bar 散热类型：传导冷却型 HDS阵列功率密度达到了25 W/cm2。这种高密度堆栈（HDS）阵列是在尽可能小的面积上要求极大二极管密度的轻小型应用的理想选择。这些阵列可选多种波长，也可以封装在几乎所有的CEO激光二极管阵列平台上，包括G、Cs和Derringer封装。? QCW工作? 耙条数：5-20? 总输出功率：0.5 - 6kWG型封装分为G1、G2和G3封装。G1可使用多达8个QCW耙条，该配置可以提供高达2.4kW峰值输出功率；G2可使用最多22个QCW耙条，该配置可以提供高达6.6kW峰值输出功率；G3可使用多达26个QCW耙条，该配置可以提供高达7.8kW峰值输出功率。另外，G型封装也可选CW配置，连续光输出功率可达40W。? CW和QCW工作? 耙条数：1-26? QCW功率：0.1kW到7kW以上密闭封装能够防尘和湿气，可以防止性能退化，设计用于多种环境条件下。QCW输出功率可达2.4kW，而CW功率可达40W，这种密闭封装是激光照明和激光测距应用的理想选择。该封装带有10kΩ热敏电阻，用户可以监测器件的温度变化，可根据要求提供其它监测电路。? CW和QCW工作? 耙条数：1-8? CW功率可达40W，QCW可达2.4kWCs封装是激光器工业的一种标准，经常在大型激光系统中用作搭建模块，或者在实验室环境中用作独立单元。如果选择QCW配置可使用多达8个耙条，总峰值功率可高达2.4kW。也可选择单耙条40W CW版本。? CW和QCW工作? 耙条数：1-8? CW功率可达40W，QCW可达2.4kWA型封装分为A、AA、AAA和AAAA四种，是一种紧凑的传导冷却型激光二极管阵列，可选脉冲配置或连续波配置，脉冲功率Max.可达9.6kW，连续波功率可达160W。? CW和QCW工作? 耙条数：1-32? CW功率可达160W，QCW可达9.6kW 散热类型：水冷型E2封装是一种紧凑的水冷激光二极管阵列，可选CW或QCW配置。对于CW工作输出功率可达40W，对于QCW配置E2封装可用多达15个激光二极管耙条，总峰值功率可达4.5kW。? CW或QCW工作? 耙条数：1-15? CW功率可达40W，QCW功率可达4.5kDerringer封装的特点是使用了专利水冷设计，该阵列非常适合固态激光晶体的侧向泵浦。Derringer按照发光的输出长度分为三种，分别是125px、100px和75px，它们都可以选择QCW和CW配置。Shooter 5的CW和QCW功率分别可达200W和12kW；Shooter 4功率分别可达160W和9.6kW；Shooter 3功率分别可达120W和7.2kW。? CW或QCW工作? 耙条数可达40? CW功率可达200W，QCW功率可达12kWShooter封装是一种坚固的二极管阵列，非常适合工业应用。这种阵列的特点是高电流电气连接和电螺柱，它们能够确保阵列在高平均电流下工作。Shooter封装分为6 shooter、8 shooter、10 shooter和12 shooter四种，它们都能配置以CW或QCW模式工作。? CW或QCW工作? 耙条数可达96? CW功率可达480W，QCW功率可达29kW 散热类型：微通道冷却型微通道冷却型（MCS）封装安装耙条数分为三种，分别是1耙条、3耙条和6耙条版本，它们都可以选择CW或QCW配置，使用先进的冷却技术确保较佳的散热效果，因此可以比其它阵列类型有更高的输出功率。 ? CW或QCW工作? 耙条数：1-6? CW功率范围60-600W

连续激光二极管 用连续波（CW）驱动的连续激光二极管（CWLD）输出功率从mW量级到几个W。封装形式有多种，例如，C接口(C-mount)，紧凑密封型和高热负载型等。滨松有多种LD产品，欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！典型峰值波长：980nm 940nm 915nm 850nm 830nm 808nm典型输出功率：5W 2W 1W 0.5W 0.02W产品实例：产品图像产品型号产品名称产品型号峰值发射波长(typ.)输出功率(typ.)封装 L9418-42连续激光二极管L9418-42980 nm1 Wdia. 9.0CD L9418-62连续激光二极管L9418-62980 nm1 WSide-out OHS(2 mmt) L9418-72连续激光二极管L9418-72980 nm1 WHead-out OHS L9777-02连续激光二极管L9777-02808 nm5 WHHL L10402-62连续激光二极管L10402-62808 nm5 WSide-out OHS(3 mmt) L10402-72连续激光二极管L10402-72808 nm5 WHead-out OHS L10452-42连续激光二极管L10452-42808 nm0.5 Wdia. 9.0CD L10452-62连续激光二极管L10452-62808 nm0.5 WSide-out OHS(2 mmt) L10452-72连续激光二极管L10452-72808 nm0.5 WHead-out OHS L8763-42连续激光二极管L8763-42808 nm1 Wdia. 9.0CD

二极管反向恢复时间测试仪 一：主要特点A：测量多种二极管 B：二极管反向电流峰值≥100AC：二极管正向电流≥50AD：二极管反向电压分档设定Vr=0-100/0-400VE：二极管接反、短路开路保护F：示波器图形显示G：EMI/RFI屏蔽密封 H：同步触发输出端二：应用范围A：快恢复二极管 B：场效应管（Mosfet）内建二极管C：IGBT内建二极管 D：其他需要测量trr的二极管三：DI-50-400-III外观介绍 第三代产品，在第二代产品的基础上，增加了0~50V低压大功率二极管的兼容测量；二极管反向恢复时间测试仪面板介绍如图1所示，包括电源开关、电源指示灯、触发开关、触发指示灯、接反指示灯、正向电流调节、反向电压调节显示与档位选择、恢复电流斜率调节、示波器波形采集端、示波器同步信号输入端。四：DI-50-400测试仪参数类 型数 值单 位备 注反向恢复电流≥100AA峰值，取决于二极管反向电压0-100/0-400V分档正向电流≥50A峰值触发频率0.5Hz手动按下电源输入220VAC功耗小于30W

DI-1nS-1n4148可以测试反向恢复时间小于350nS的信号二极管，精度0.1nS，尤其擅长测试反向恢复时间小于6nS的高速信号二极管。仪器采用恒流工作模式和脉冲恒流工作模式，测试二极管反向恢复时间稳定可靠。一：主要特点A：测量高速信号二极管B：二极管正向电流值10mAC：二极管反向测试电压6VD：测量精度0.1nSE：可设定下降、上升沿比较预值F：可测试最大反向恢复电流G：用户可自行标定精度H: 不需配合示波器使用二：应用范围A：高速信号二极管B: 二极管筛选测试三：测量原理如下图所示，为测试原理图。它包括下降沿触发发生器模块、可调电源、高速比较和FPGA 测试模块等组成。通过VR设置电位器可调节DI-1nS-1n4148下降沿脉冲的幅度，从而改变二极管反向恢复电流大小。通过调节Vadj的电压幅度，可以改变正向电流IF大小。76.5欧姆和23.5欧姆组成100欧的电阻负载，在23.5欧姆的电阻上进行下降沿和上升沿时间判断；23.5欧姆电阻相比较50欧姆电阻，拥有更高的时间常数优势，精度高2倍。高速比较器和FPGA测试模块二合一且具有可调阈值，可以进行独立的下降沿触和上升沿触发，数字显示Trr值，取消示波器约束，成本低，降低操作示波器的读数难度。增加If正向电流连线工作模式和脉冲工作模式，连续恒流工作模式下，二极管PN结温度慢慢升高，测试反向恢复时间会随着温度慢慢变化；脉冲工作模式下，二极管PN结温度恒定在室温不变化，测试数值稳定不变。四：参数类型数值单位备注反向恢复电流Reverse current=60mA反向电压Reverse Voltage0~7V一般为6V测试精度Measure accuracy0.1nS测试范围Range350nS正向电流Forward current10mA固定值，测试标准规定的测试频率Trigger Input Pulse20Hz测试脉冲信号沿速度Speed of falling pulse700pSAboutIf工作模式If mode连续模式脉冲模式通过触摸屏设置测试脉冲信号沿速度Speed of falling pulse700pSAbout电源输入Power Requirement220VAC功耗小于50W

超大探测面积InGaAs光电二极管特点：u 有效直径 （0.5 mm - 5 mm）u 截止波长 （1.7 μm）u 高分流电阻和高灵敏度u 多个镜头可选 （双凸面，平凸面，球面）u 光学滤光片 (中性密度和带通滤光片)u 封装 (TO-46, TO-18, TO-5 or TO-8)应用：u 近红外传感/辐射测量u LED/LD 表征u 医疗诊断u 光谱学u 拉曼光谱u 天文/光度测量

总览InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm,铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm技术参数产品特性截止波长： 2.6μm低成本感光面积： φ3 mm低噪声高灵敏度高可靠性高速响应产品应用光功率计气体分析湿度计近红外光度法详细参数感光面积φ3mm像元个数1封装Metal封装类型TO-5制冷方式Non-cooled光谱响应范围0.9 to 2.6 μm峰值灵敏度波长(典型值)2.3 μm灵敏度 (典型值)1.3 A/W暗电流 (最大值)100000 nA截至频率（典型值）0.8MHz结电容(典型值)4000 pF噪声等效功率 (典型值)3×10-12 W/Hz1/2测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz.光谱响应外形尺寸（单位：mm）

光电二极管模块 新势力光电供应光电二极管模块，简化光电二极管的使用。该系列光电二极管模块配套用于雪崩二极管、四象限探测器、位敏探测器，特别适合于系统集成和科学研究。不带电路板（集成放大电路）雪崩二极管(APD)TypeTransimpedance/OhmBandwidth/MHzChipPackageSeries 8 (for 800nm)AD230-8TO527502000AD230-8TO5227502000AD500-8TO527501000AD500-8TO5227501300Series 9 (for 900nm)AD500-9-8015TO52275050016AA0.13-9Ceramic10k500AD230-9TO52750600AD500-9TO52750500Series 10 (for 1064nm)AD800-10TO8S10k65带电路板（集成放大电路和温度补偿功能）雪崩二极管(APD)和雪崩二极管阵列(APD Array)ChipTypeAD1100-8USB-module APD-eval-kit25AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit64AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit带电路板（集成放大电路）位敏探测器(PSD)、四象限探测器(QP)、波长敏感探测器(WS)ChipTypePackageQP45-QQuadrant PDHVSDQP50-6Quadrant PDSD2QP50-6Quadrant PDSD2-DIAGQP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2QP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2-DIAGQP154-QQuadrant PDHVSDDL16-7PSDPCBA3DL100-7PSDPCBA3DL400-7PSDPCBAWS7.56Wavelength sensitive PDPCBA2X100-7 with ScintillatorGamma pulse counterShielded module高压电源模块Max.Voltage/VRipple/mVDescriptionFeature-5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+2007.5High performance HV sourceUltra low ripple+20010Compact HV sourceSmall footprint+6010PIN-photodiode HV sourceVery small footprint相关商品 雪崩二极管(APD) 位敏探测器(PSD) 四象限探测器(QP) 波长敏感探测器(WS)

总览NTT Electronics Corporation的NLK1U5ＥAAA是一款1670至1690 nmUL(+)波段范围内可选、输出功率（CW)为10 mW的14引脚蝶形封装激光二极管。内置TEC和热敏电阻。有关NLK1U5ＥAAA的更多详细信息，请详见技术参数表。 1680nm　DFB激光二极管（NEL),1680nm　DFB激光二极管（NEL) 通用参数产品特点：窄线宽高输出功率出色的波长和功率稳定性14引脚蝶形封装产品应用：近红外气体分析可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）光纤传感器 技术参数：电/光学特性(Tsub=25℃)参数符号条件最小典型最大单位正向电压VFIF=30mA1.21.6V阈值电流I(TH)CW1520　mA光纤输出功率feCW,IF=100mA10mW峰值波长lpCW,fe=10mW16701690nm光谱线宽DnCW,fe=10mW2MHz边模抑制比SMSCW,fe=10mW35dB监控电流(PD)IR(E)CW,fe=10mW0.1mA暗电流(PD)Ir(0)CW,VDR=5V100nA跟踪误差ERIR(E)=constant-0.5+0.5dB冷却DTPEfe=10mW,Tcase=70deg45deg.Peltier 电流IPETcase=-5 to 70deg.1APeltier 电压VPETcase=-5 to 70deg.2V热敏电阻RTsub=25deg.10kW隔离度IsTsub=25deg.30dBDT=| Tcase-Tsub | 绝对最大值参数(Tsub=25℃)参数符号数值单位激光二极管反向电压VR2.0V激光二极管正向电流IF225mA工作机身温度Tcase-5 to 70deg.存储温度Tstg-40 to 85deg.PD反向电压VDR10VPD正向电流IDF10mAPeltier 电流IP1.4A 1680nm DFB激光二极管（NEL),1680nm DFB激光二极管（NEL)

COB型，适用于无铅焊料回流 S12158-01CT 硅PIN光电二极管适用于可见光近红外波段，兼容无铅焊料回流过程。 小而薄的无铅封装可以减小其在PCB板上的贴装面积。特性COB型, 小而薄的无铅封装适用于无铅焊料回流感光面积: 2.77 × 2.77 mm高灵敏度: 0.7 A/W (λ=960 nm)详细参数 感光面积 2.77 × 2.77 mm 象元数 1 封装 环氧树指玻璃 封装类型 表面贴装 反偏电压（最大） 20 V 光谱响应范围 320 to 1100 nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.7 A/W 暗电流 10 pA 截止频率 25 MHz 结电容 15 pF 测试条件 Ta=25 ℃，除非特别说明为典型值。灵敏度： λ=λp，暗电流：VR==12 V，截止频率: VR=12 V，结电容：VR=12 V光谱响应外形图（单位：mm）

OPTO DIODE 光电二极管AXUV100GOpto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 理想的电子检测&bull 检测面积大&bull 保护盖板活动面积10mm × 10mm × 100mm2分流电阻，Rsh VB =±10 mV 20 m -欧姆反向击穿电压，VR IR = 1µ A 5 10伏电容，cvr = 0 V 5 15 nF上升时间VR = 0 V, RL = 50 Ω 10使用环境温度1 -10℃~ 40℃氮气或真空-20℃~ 80℃焊锡温度260°C天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

OPTO DIODE 光电二极管SXUV5Opto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界性能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 圆形活动区域&bull TO-5封装&bull 稳定性后，EUV曝光&bull 响应度为1nm的无窗口封装活动面积2.5直径5 mm2分流电阻，Rsh @±10 mV 20 mohm反向击穿电压，VR IR = 1µ A 5 20伏电容，C VR = 0 V 500 1500 pF响应时间，tr RL = 50 Ω， VR = 0 V 1 2使用环境温度-10℃~ 40℃氮气或真空-20℃~ 80℃焊锡温度1260°C天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

OPTO DIODE光电二极管SXUV100Opto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 单一活动区域&bull 检测至1nm&bull 暴露于EUV/UV条件后反应稳定&bull 保护盖板2活动面积10mm × 10mm × 100mm2分流电阻，Rsh @±10 mV 10 mohm反向击穿电压，VR IR =µ A 10伏电容，cvr = 0 V 5 15 nF响应时间，tr RL = 50 Ω， VR = 8 V 6µ sec环境温度-10°~ 40°C氮气或真空-20℃~ 80℃焊锡温度1260°C天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

OPTO DIODE 光电二极管AXUV20AOpto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界性能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 圆形活动区域&bull 理想的电子检测&bull 保护盖板活动面积Φ5.5 mm 23mm2分流电阻Vf =±10mv 100mohm反向击穿电压，VR IR = 1µ A 5 10伏电容，C VR = 10v 500 1500pf上升时间VR = 0 V, RL = 50 Ω 2使用环境温度1 -10℃~ 40℃氮气或真空-20℃~ 80℃焊锡温度260°C天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

标准光电二极管功率探头S120VC 光学仪器通用光功率测量集成观察卡便于探头对准探头孔径为?9.5 mm光纤转接件可单独购买(见下表)包含探头、保护盖、红外观察卡和螺纹转接件S12xC标准光电二极管功率探头非常适合从紫外到近红外的低功率相干和非相干光源。每个探头集成观察卡便于对准，增强电磁干扰屏蔽，提供过热报警功能，具有?9.5 mm大孔径。探头兼容?1/2英寸接杆和SM1(1.035"-40)透镜套管，非常适合自由空间和光纤耦合光源。通过带内螺纹的30 mm笼式系统安装座，这些探头可安装至30 mm笼式系统中。每个探头发货时带有可追溯NIST或PTB校准数据。包含的数据与用于测试单个探头的光电二极管校准证书匹配。Thorlabs为这些光电二极管功率探头提供重新校准服务，请在下方订购(型号CAL-UVPD，用于紫外延伸部分的硅探头；型号CAL-PD，用于硅探头；型号CAL-IRPD，用于锗探头)。

适用于紫外到红外的35象元硅光电二极管阵列 S4111-35Q是一款DIP陶瓷封装线阵硅光电二极管，主要用于低光量探测，比如分光光度测量等。其具有从紫外到近红外的宽光谱范围。由于所有象元都可以用反向偏压进行存储电荷读出，该产品具有高灵敏度低光量探测的能力。像元之间的串扰减小，保持了信号的纯度。而且可以用特制的滤波片作为该产品的入射窗。产品特性-大感光面积 - 低串扰- 低暗电流- 红外灵敏度增强详细参数元素大小(每1列)4.4 × 0.9 mm像元个数35封装Ceramic封装类型40pin-DIP冷却方式Non-cooled反向电压(最大值)15 V光谱响应范围190 to 1100 nm峰值灵敏度波长(典型值)960 nm光敏度 (典型值)0.58 A/W暗电流 (最大值)10 pA上升时间 (典型值.)1.2 μs结电容(典型值)550 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise notedper one element, Photosensitivity: λ=960 nm, Dark current: VR=10 mV, Rise time: VR=0 V, Terminal capacitance: VR=0 V光谱响应外形尺寸（单位：mm）