兆声湿法去胶系统

仪器系统 功能 湿法转印电泳 可快速高效地转印蛋白样品，尤其是200kD以上的大分子蛋白，转印重现性好 凝胶大小 9.4 x 8.0cm 不同规格以满足不同的应用 凝胶容量 1-4块 根据样品量多少可调节凝胶数量 转印夹板 正负极夹板颜色不同 根据颜色来判断转印夹板的正负极，不会放反 冷却循环装置 面积大 有效制冷，可防止因转印时间长而导致局部温度过高，条带变形 配置 灵活 即可作为独立的湿法转印设备，也可作为一个模块与Eco垂直电泳槽兼容 产品特点： 1.蛋白质转印快速、高效、重现性好 2.特别适用于分子量200kDa以上的大分子蛋白质和对温度敏感的蛋白质（如某些酶类） 3.槽壁上有大面积的整合式冷却夹层，不断循环，高效冷却，使得转印时整个槽内的温度达到高度均一（缓冲液为6℃，其温度均一性为± 0.5℃），比普通的通过磁力搅拌混匀的方式效果更好，可实现超过12h以上的连续工作 4.最多可同时进行4块凝胶的转印

仪器系统 功能 湿法转印电泳 可快速高效地转印蛋白样品，尤其是200kD以上的大分子蛋白，转印重现性好 凝胶大小 22.0 x 19.0cm 不同规格以满足不同的应用 凝胶容量 1-4块 根据样品量多少可调节凝胶数量 转印夹板 正负极夹板颜色不同 根据颜色来判断转印夹板的正负极，不会放反 冷却循环装置 面积大 有效制冷，可防止因转印时间长而导致局部温度过高，条带变形 配置 灵活 即可作为独立的湿法转印设备，也可作为一个模块与Eco垂直电泳槽兼容 产品特点： 1蛋白质转印快速、高效、重现性好 2、特别适用于分子量200kDa以上的大分子蛋白质和对温度敏感的蛋白质（如某些酶类） 3、槽壁上有大面积的整合式冷却夹层，不断循环，高效冷却，使得转印时整个槽内的温度达到高度均一（缓冲液为6℃，其温度均一性为± 0.5℃），比普通的通过磁力搅拌混匀的方式效果更好，可实现超过12h以上的连续工作 4、最多可同时进行4块凝胶的转印

MidiLab9000-E/P/T 湿法冶金元素在线检测系统是一款用于化工新能源和湿法有色冶金工厂液体样品在线过程检测系统。特别是针对萃取工艺、电解工艺生产镍、铜、锌、锂等有色金属过程中的浸出液、电解液和废液实时检测。并在异常时及时预警和复测。可进行元素分析检测、粒度分析检测、滴定分析检测、酸度分析检测、浓度分析检测等。“多”—集中或分布式采样点可设置20个以上“快”—单个样品分析和异常复测15分钟内完成“好”—采用品牌的分析仪器，如ICP-MS、ICP-OES、激光衍射粒度仪、在线滴定仪“省”—采用微正压洁净分析舱，恶劣现场依然能够给精密分析仪器提供最佳的工作环境，延长寿命，降低用户使用成本可用于化工新能源和湿法有色冶金工厂液体样品在线过程检测，特别是针对萃取工艺、电解工艺生产镍、铜、锌、锂等有色金属过程中的浸出液、电解液和废液实时检测。

兆声湿法去胶技术SWC-4000 (D)兆声湿法去胶系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-4000 (D)兆声湿法去胶系统应用： 光刻胶去除，剥离带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-4000 (D)兆声湿法去胶系统的特点：支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-4000 (D)兆声湿法去胶系统选配项：机械手自动上下载片掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

LSC-5000 (AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统应用：光刻胶去除/剥离硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带保护膜/不带保护膜的掩模版LSC-5000(AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统的特点：支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面机械手上下载片，带EFEM以及SMIF界面安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-5000(AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统选配项：化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水（20ppm的O3）氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜

兆声辅助湿法去胶技术SWC-5000 (AD) 全自动兆声湿法去胶系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-5000 (AD) 全自动兆声湿法去胶系统应用：湿法去胶带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-5000 (AD) 全自动兆声湿法去胶系统的特点： 机械手全自动上下载片支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-5000 (AD) 全自动兆声湿法去胶系统选配项：多系统集成掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

兆声湿法去胶技术LSC-5000 (AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(LSC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。LSC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。LSC和SWC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。LSC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。LSC是占地面积较小，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。LSC-5000 (AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统应用：光刻胶去除/剥离硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版 掩模版空白部位掩模版接触部位带保护膜/不带保护膜的掩模版LSC-5000(AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统的特点：支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面机械手上下载片，带EFEM以及SMIF界面安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-5000(AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统选配项：化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水（20ppm的O3）氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜

兆声湿法去胶技术LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统应用：光刻胶去除/剥离硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带图案/不带图案的掩模版LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统的特点：支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面手动上下载片安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统选配项：化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水（20ppm的O3）氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜机械手上下载片，带EFEM以及SMIF界面

1. 产品概述用于先进封装工艺过程中的晶圆去胶制程和金属剥离制程。设备可搭载槽式浸泡单元、高压喷淋或二流体喷淋去胶单元、清洗及干燥单元等工艺模块，满足各种品牌型号、各种厚度的正负性光阻去除及金属剥离等工艺。具有药液回收循环过滤再使用、金属高效率回收等功能。 2. 产品优势 1.槽式浸泡与单片旋转喷淋方式相结合，提高产能2.高压或二流体喷淋可除去光刻胶3.基片干进湿传干出4.去胶液回收、循环过滤再使用，降低用户成本5.贵重金属回收3. 应用域●封装域中的光阻去除工艺，掩膜版清洗等●OLED 域中的光阻去除及蒸镀后金属剥离等工艺

微波等离子去胶机： 产品优势：去胶快速干净对样片无损伤操作简单安全设计紧凑美观产品性价比高 应用领域：高剂量离子注入光刻胶的去除湿法或干法刻蚀前后残胶去除MEMS中牺牲层的去除去除化学残余物去浮渣工艺SU-8光刻胶去除

ICP/RIE-200PA 是一种新型的低成本、高性能、实验性远程射频等离子去胶系统，手动装载晶圆片，应用于单片晶圆光刻胶灰化、残胶去除及表面清洗工艺，可满足小型晶圆厂、大学实验室、初创公司的使用需求。设备采用触摸屏+PLC全自动控制，凭借其时尚、紧凑的设计，只需占用很小的洁净室空间，使用维护简单方便。产品特点： 可最大处理8寸晶圆ø203mm，也可兼容处理3寸、4寸和6寸晶圆 12寸触摸屏+PLC全自动控制，具有手动和自动两种模式 PID自动真空压力控制，可精确控制过程压力(±1pa)，不受气体流量的影响 独特工艺气体分配喷淋结构，使进气更均匀，去胶均匀度≤5% 水冷放电电极，去胶过程工艺可控(可选择加热功能)产品应用： 光刻胶灰化、剥离和残胶去除 湿法蚀刻前的晶圆清洗、表面预处理 晶圆应力释放Si、SiO2、SiN、Poly-Si、GaAs、Pt、聚酰亚胺等各种材料的蚀刻（可选配）

M&RRIE去胶机产品介绍如下： 产品概述M&RRIE去胶机是一款高性能的反应离子刻蚀（RIE）设备，专为微电子、半导体、光电等领域设计，用于去除材料表面的光刻胶、氧化物、金属薄膜等残留物。该设备以其高效、稳定、精准的去除效果受到业界广泛好评。 核心特点1. 高效去胶：采用先进的RIE刻蚀技术，能够在短时间内高效去除材料表面的残留物，提高生产效率。2. 稳定可靠：设备结构紧凑，设计合理，运行稳定可靠，能够保证长时间连续工作的稳定性。3. 精准控制：通过精确控制刻蚀气体的流量、压力、功率等参数，实现去胶过程的精准控制，保证去胶效果的一致性。4. 兼容性强：支持多种材料、多种尺寸的晶圆处理，兼容性强，满足不同用户的需求。 应用领域M&RRIE去胶机广泛应用于微电子、半导体、光电等领域，包括但不限于：* 去除光刻后的HDMS和BARC层* 刻蚀高分子聚合物，如聚酰亚胺、PDMS、石墨烯等* 湿法蚀刻前的晶圆清洗、表面预处理* 表面改性（润湿性和附着力的改善）* 故障分析中的选择性层蚀刻 售后服务我们提供全面的售后服务支持，包括设备安装、调试、培训、维修等。同时，我们拥有专业的技术团队和完善的售后体系，能够为用户提供及时、专业的技术支持和解决方案。总之，M&RRIE去胶机以其高效、稳定、精准的去胶效果和广泛的应用领域，成为微电子、半导体、光电等领域用户的理想选择。

兆声去胶技术SWC-3000 (D) 兆声辅助光刻胶剥离系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模板清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC-3000是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。 SWC-3000 (D)兆声辅助光刻胶剥离系统应用：带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-3000 (D)兆声辅助光刻胶剥离系统的特点： 台式系统无损兆声掩模版或晶圆片清洗及旋转甩干支持12”直径的圆片或9”x9”方片微处理机自动控制IR红外灯 SWC-3000 (D)兆声辅助光刻胶剥离系统选配项：掩模版或晶圆片夹具PVA软毛刷清洗化学试剂清洗(CDU)氮气离子发生器

产品优势：去胶快速干净对样片无损伤操作简单安全设计紧凑美观产品性价比高 应用领域：高剂量离子注入光刻胶的去除湿法或干法刻蚀前后残胶去除MEMS中牺牲层的去除去除化学残余物去浮渣工艺SU-8光刻胶去除

产品优势：去胶快速干净对样片无损伤操作简单安全设计紧凑美观产品性价比高 应用领域：高剂量离子注入光刻胶的去除湿法或干法刻蚀前后残胶去除MEMS中牺牲层的去除去除化学残余物去浮渣工艺SU-8光刻胶去除

RIE-210EH 是一种新型的低成本、高性能、实验性反应离子刻蚀系统，手动装载晶圆片，应用于单片晶圆刻蚀、残胶去除及表面清洗工艺，可满足小型晶圆厂、大学实验室、初创公司的使用需求。设备采用触摸屏+PLC全自动控制，凭借其时尚、紧凑的设计，只需占用很小的洁净室空间，使用维护简单方便。 产品特点： 可最大处理8寸晶圆 ø203 mm，也可兼容处理3寸、4寸和6寸晶圆 12寸触摸屏+PLC全自动控制，具有手动和自动两种模式 PID自动真空压力控制，可精确控制过程压力(±1pa)，不受气体流量的影响 独特工艺气体分配喷淋结构，使进气更均匀，去胶均匀度≤5% RIE水冷放电电极，刻蚀过程工艺可控(可选择加热功能) 产品应用： 晶圆刻蚀、光刻胶灰化、剥离和残胶去除 湿法蚀刻前的晶圆清洗、表面预处理 表面改性（润湿性和附着力的改善） 故障分析中的选择性层蚀刻 Si、SiO2、SiN、Poly-Si、GaAs、Pt、聚酰亚胺等各种材料的蚀刻

湿法刻蚀机(英文名：Developing， Wet Etching)型号：EDC-650Hz-15NPPB产地：美国 一、湿法腐蚀机用途和特点：1、 用途：主要用微细加工、半导体、微电子、光电子和纳米技术工艺中在硅片、陶瓷片上显影，湿法腐蚀，清洗，冲洗，甩干与光刻、烘烤等设备配合使用。设备能满足各类以下尺寸的基片处理要求，并配制相应的托盘夹具。2、湿法腐蚀机特点：（1）外观整洁、美观，占地面积小，节省超净间的使用面积；（2）VoD顶盖阀门控制技术 避免二次污染；（3）显影腐蚀液独立的试剂供给管路；（4）处理腔内差压精准控制；（5）满足2英寸~12英寸的防腐托盘；（6）试剂注射角度可调节；（7）独特设计的“腔洗”构造，保证“干进干出”；（8） 湿法腐蚀机具备高性能、低故障率、长使用寿命、易操作维修、造型美观、售后服务完备。二、湿法腐蚀机主要性能指标：1. 系统概述1.1智能嵌锁，系统盖板具有智能嵌锁装置，确保操作安全；1.2保护气体，CDA（清洁干燥气体）/氮气（N2）,气压60~70PSI；1.3通信接口，蓝牙连接；2. 基片及处理方式2.1 基片尺寸满足直径300mm以内基底材料；2.2 基片处理方式，手动上下载；3. 控制系统3.1 用户界面，650高精度数显屏/基于Windows的SPIN3000操作软件；3.2 最大可存储20个程序段；3.3 最大51 骤工艺步骤；3.4时间设定范围，0.1S~99Min59.9S（最小增量0.1 S）；3.5最大旋转速度，3,000 rpm，±0.5 rpm (带安全罩)；3.6马达加速度，1–12,000 rpm/s ；4. 试剂分配系统4.1 化学试剂分配4.1.1 A标准腔洗 Bowl Wash 1路纯水和1路氮气；4.1.2 B 背部清洗 Back Riser 1路纯水；4.1.3 C 样片冲洗甩干 1路纯水和1路氮气；4.1.4 D 自定义化学试剂可同时接入（根据用户应用选择几路液体）自定义的化学试剂（显影液/腐蚀液/其他清洗液）；4.2试剂供给方式*4.2.1 A 系统所需纯水和氮气以及压缩气体（可用氮气替代）由实验室自行供应；4.2.2 B 自定义化学试剂由气动泵浦BP和压力容器供给；4.3 注射装置采用日本原装进口雾的池内专用喷嘴；三、适用工艺（包括但不限于下述湿法制程）光刻胶显影（KrF/ArF）SU8厚胶显影显影后清洗PostCMP清洗光罩去胶清洗光刻胶去除金属Lift-off处理刻蚀微刻蚀处理

湿法显影腐蚀机Wet Etcher/Developer型号：EDC-650Hz-8NPPB产地：美国一、湿法腐蚀机用途和特点：1、 用途：主要用微细加工、半导体、微电子、光电子和纳米技术工艺中在硅片、陶瓷片上显影，湿法腐蚀，清洗，冲洗，甩干与光刻、烘烤等设备配合使用。设备能满足各类以下尺寸的基片处理要求，并配制相应的托盘夹具。2、湿法腐蚀机特点：（1）外观整洁、美观，占地面积小，节省超净间的使用面积；（2）VoD顶盖阀门控制技术 避免二次污染；（3）显影腐蚀液独立的试剂供给管路；（4）处理腔内差压精准控制；（5）满足2英寸~8英寸的防腐托盘；（6）试剂注射角度可调节；（7）独特设计的“腔洗”构造，保证“干进干出”；（8） 湿法腐蚀机具备高性能、低故障率、长使用寿命、易操作维修、造型美观、售后服务完备。二、工作原理：显影系统具有可编程阀，它可以使单注射器试剂滴胶按照蚀刻、显影和清洗应用的要求重复进行，如冲洗（通常是去离子水或溶剂），然后干燥（通常是氮气）等最后的处理步骤。采用此序贯阀门技术的晶圆片和管道在完全干燥的环境中开通和关闭处理过程。隔离和独立的给水器可处在静态的位置还可以盖内调节。匀胶显影机还有可选择的动态线性或径向滴胶的特性。三、适用工艺（包括但不限于下述湿法制程）光刻胶显影（KrF/ArF）SU8厚胶显影显影后清洗PostCMP清洗光罩去胶清洗光刻胶去除金属Lift-off处理刻蚀微刻蚀处理四、主要技术参数：1. 系统概述1.1智能嵌锁，系统盖板具有智能嵌锁装置，确保操作安全；1.2保护气体，CDA（清洁干燥气体）/氮气（N2）,气压60~70PSI；1.3通信接口，蓝牙连接；2. 基片及处理方式2.1 基片尺寸满足直径200mm以内基底材料；2.2 基片处理方式，手动上下载；3. 控制系统3.1 用户界面，650高精度数显屏/基于Windows的SPIN3000操作软件；3.2 最大可存储20个程序段；3.3 最大51 骤工艺步骤；3.4时间设定范围，0.1S~99Min59.9S（最小增量0.1 S）；3.5最大旋转速度，3,000 rpm，±0.5 rpm (带安全罩)；3.6马达加速度，1–12,000 rpm/s ；4. 试剂分配系统4.1 化学试剂分配4.1.1 A标准腔洗 Bowl Wash 1路纯水和1路氮气；4.1.2 B 背部清洗 Back Riser 1路纯水；4.1.3 C 样片冲洗甩干1路纯水和1路氮气；4.1.4 D 自定义化学试剂可同时接入（根据用户应用选择几路液体）自定义的化学试剂（显影液/腐蚀液/其他清洗液）；4.2试剂供给方式*4.2.1 A 系统所需纯水和氮气以及压缩气体（可用氮气替代）由实验室自行供应；4.2.2 B 自定义化学试剂由气动泵浦BP和压力容器供给；4.3 注射装置采用日本原装进口雾的池内专用喷嘴；

1. 产品介绍 槽式湿法刻蚀清洗设备2. 应用领域RCA清洗，湿法去胶，介质层湿法刻蚀，金属层湿法刻蚀，炉管前清洗等3. 技术参数晶圆尺寸：100mm~300mm4. 设备配置：支持化学液C.C.S.S.、L.C.S.SMarangoni dry 或 spin dry自动换酸，自动补液、配液加热控制，浓度控制，流量控制，压力控制等槽体过温保护，各单元配置漏液传感器支持化学液回收全面支持SECS/GEM通讯协议5. 工艺指标蚀刻非均匀性 片内：≤4%；片间：≤4%；批次间： ≤4%；6. 颗粒控制增加值30颗@0.09μm（带氧化硅膜测试，来料颗粒50颗）7. 金属离子5E9 atoms/cm28. 企业概括深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

湿法刻蚀显影机Wet Etcher/DeveloperEDC650系列一、产品概述：650型匀胶显影机适应于半导体、化工材料、硅片、晶片、基片、导电玻璃等工艺，制版的表面显影。一般匀胶显影机由动力系统、显影液槽及喷液管、水洗槽、挤压 (水)辊、涂胶槽等部分组成。二、匀胶显影机工作原理：显影系统具有可编程阀，它可以使单注射器试剂滴胶按照蚀刻、显影和清洗应用的要求重复进行，如冲洗（通常是去离子水或溶剂），然后干燥（通常是氮气）等最后的处理步骤。采用此序贯阀门技术的晶圆片和管道在完全干燥的环境中开通和关闭处理过程。隔离和独立的给水器可处在静态的位置还可以盖内调节。匀胶显影机还有可选择的动态线性或径向滴胶的特性。三、适用工艺（包括但不限于下述湿法制程）光刻胶显影（KrF/ArF）SU8厚胶显影显影后清洗PostCMP清洗光罩去胶清洗光刻胶去除金属Lift-off处理刻蚀微刻蚀处理四、匀胶显影机主要性能指标： 1、腔体尺寸：9.5英寸 (241 毫米)；2、Wafer&芯片：直径6英寸（150毫米）的晶圆片或者5x5英寸（125毫米）的方片；3、非真空托盘：聚丙烯材质非真空托盘，可承载2、3英寸及150毫米的晶圆片-并带有背面清洗功能；3、转动速度：0-12,000rpm， 5、马达旋涂转速：稳定性能误差 ±1%；6、工艺时间设定：1-5999.9 sec/step 0.1 精度；7、高精度数码控制器：PLC控制，设置点精度小于0.006%；8、程序控制：可存储20个程序段，每个程序段可以设置51步不同的速度状态；9、分辨率：分辨率小于0.5转/分，可重复性小于±0.5转/分，美国国家标准技术研究院（NIST）认证过的，并且无需再校准！]10、腔体开关盖板：透明ECTFE材质圆顶盖板，便于实时进行可视化操作；11、腔体材质说明：用聚丙烯材质制成的带有联动传感触点的合瓣式舱体；12、配套分析软件：SPIN3000操作分析软件；13、配套真空泵系统：无油型 220~240伏交流，50/60赫兹；

1. 产品概述：英思特去胶清洗机是用于去除物体表面胶水、胶渍等污染物的专业清洗设备。 2. 设备原理：去胶清洗机主要是利用化学溶剂或特定的清洗液，与工件表面的胶水发生化学反应或物理溶解作用，从而将胶水从工件表面去除。当工件被放置在清洗槽内或通过传输系统经过清洗区域时，清洗液会与胶水接触并开始发挥作用。在清洗过程中，可能会结合机械作用，如喷淋的冲击力或传输系统带动工件的运动，来加速胶水的去除过程。清洗液在完成清洗任务后，通常会经过过滤、净化等处理，以便循环使用或进行环保处理。3. 设备特点：产品用途 适用于 2寸～6寸硅片去胶清洗 整机构造 骨架：进口10mmPP板，优质不锈钢骨架，外包3mmPP板防腐； 外壳：进口10mmPP板； 安全门：采用透明上下推拉门； 管路：管路位于下后部，以节省空间，采用英制接口； 灭火系统：烟热感应CO2自动灭火系统位于工作台面上部； 排风：根据流体学原理设计位于机台后上部，并配有导流和风量调节装置； 工作照明：机台上方配照明（与工作区隔离）； 台面板为优质不锈钢材质（带有漏液孔）； DI/N2 GUN：可伸缩的DI水枪和******各2把，分置于工作区两侧； 人机界面：Touch Screen彩色界面； 支脚：有滑轮装置和固定装置，可调整高度和锁定； 三色报警等和蜂鸣器 控制系统 PLC可程式控制器（欧姆龙）＋Touch Screen彩色人机界面操作。 制程参数皆采用可设定、修改； 操作模式可分为自动/手动/编辑/维修。 配有独立配电箱，电路区进行功能分块，强电、弱电块，以便于维护； 具Password功能以避免操作人员误改参数： Password-1.启动及可进入自动模式內容。 Password-2可进入编辑模式修改制程参数。 Password-3可进入手动模式。

n产品简介CHEMIXX 1201是全自动湿法处理系统，配置cassette to cassette 或foup,，支持12寸及以下尺寸晶圆或9 x 9 英寸方片的湿法处理，包括蚀刻、清洁或显影工艺。该系统可配置3个自动输送臂，多种不同的喷嘴，以满足不同的湿法应用。 n产品特色÷ 应用领域：清洗、蚀刻或显影÷ 衬底尺寸可达 ?300 毫米或可达 230 x 230 毫米÷ 最多三个自动输送臂÷ 可选不同类型的喷嘴和 BSR 喷嘴÷ 去离子水室冲洗÷ 电阻率 PH-Sensor 控制÷ 单臂或双臂机械臂÷ 带 FOUP 或 Cassette 的÷ 真空或低接触卡盘÷ 外部10或40升不同化学品罐可选÷ 由 PP 制成的工艺室（可选 ECTFE）÷ 两个或多个排液分流器（传感器控制和通过配方编程）÷ 带有四个光区的信号灯，使系统状态可视化÷ 满足洁净室等级 10 (ISO 4) 的通用设计÷ 兼容SCES/GEM通讯协议÷ 清洗部分，包含PVA刷洗，兆声清洗，化学液清洗等模组 n技术数据÷ 衬底尺寸: 最大可达 ?300 mm (?12 inch) 或 230 x 230 mm (9 x 9 inch)÷ 电机转速: 最大 6.000 转数*, 以 1 转 步进可编程÷ 电机加速: 最大 40.000 转/秒*, 以 1 转/秒的步进÷ 步进时间: 1 至 999.9 秒，步长为 0.1 秒÷ 系统架构: 由粉末涂层不锈钢制成，4 个可调节支脚和运输轮以及用于加工区域的透明和可锁定的玻璃门÷ 处理室: 由 PP 白色制成（可选 ECTFE）

胶显影机(英文名：Developing) 产地：美国一、产品概述： 650型匀胶显影机适应于半导体、化工材料、硅片、晶片、基片、导电玻璃等工艺，制版的表面显影。一般匀胶显影机由动力系统、显影液槽及喷液管、水洗槽、挤压 (水)辊、涂胶槽等部分组成。二、匀胶显影机工作原理：显影系统具有可编程阀，它可以使单注射器试剂滴胶按照蚀刻、显影和清洗应用的要求重复进行，如冲洗（通常是去离子水或溶剂），然后干燥（通常是氮气）等最后的处理步骤。采用此序贯阀门技术的晶圆片和管道在完全干燥的环境中开通和关闭处理过程。隔离和独立的给水器可处在静态的位置还可以盖内调节。匀胶显影机还有可选择的动态线性或径向滴胶的特性。三、匀胶显影机主要性能指标： 1、腔体尺寸：12.5英寸 (318 毫米)；2、Wafer&芯片：直径8英寸（200毫米）的晶圆片或者7x7英寸（175毫米）的方片；3、非真空托盘：聚丙烯材质非真空托盘，可承载2、3英寸及200毫米的晶圆片-并带有背面清洗功能；3、转动速度：0-12,000rpm， 5、马达旋涂转速：稳定性能误差 ±1%；6、工艺时间设定：1-5999.9 sec/step 0.1 精度；7、高精度数码控制器：PLC控制，设置点精度小于0.006%；8、程序控制：可存储20个程序段，每个程序段可以设置51步不同的速度状态；9、分辨率：分辨率小于0.5转/分，可重复性小于±0.5转/分，美国国家标准技术研究院（NIST）认证过的，并且无需再校准！]10、腔体开关盖板：透明ECTFE材质圆顶盖板，便于实时进行可视化操作；11、腔体材质说明：用聚丙烯材质制成的带有联动传感触点的合瓣式舱体；12、配套分析软件：SPIN3000操作分析软件；13、配套真空泵系统：无油型 220~240伏交流，50/60赫兹；四、适用工艺（包括但不限于下述湿法制程）光刻胶显影（KrF/ArF）SU8厚胶显影显影后清洗PostCMP清洗光罩去胶清洗光刻胶去除金属Lift-off处理刻蚀微刻蚀处理

IoN系列等离子系统具有多种射频电源选项，可满足客户的特定工艺和产量要求。 我们提供不同腔体和电配置，大腔体可达 1200 升。PVA TePla 的 IoN 10Q 是一款桌式全功能射频等离子机，可用于批量晶圆去胶和清除残胶，为实验室和量产使用而设计，多可处理 25片晶圆，晶圆大尺寸为 150 毫米。 PVA TePla的IoN 100-40Q是一款功能齐全的射频等离子机，可用于批量晶圆去胶和清除残胶，为实验室和量产使用而设计，多可处理50片晶圆，晶圆大尺寸为200毫米。PVA TePla 的 IoN 单片晶圆去胶机是一款功能齐全的先进射频等离子机，可用于单片晶圆去胶和清除残胶，为实验室和量产使用而设计，可处理大的晶圆为200毫米。PVA TePla 的 IoN 200 是一款功能齐全的射频等离子机 ，可用于表面改性，设计用于实验室和处理大型基板或大批量生产。 该机台还为等离子增强化学气相沉积应用提供了对应的功能。PVA TePla 的 IoN 40 是一款功能齐全的桌式先进射频等离子机，可用于表面改性，为实验室和量产使用而设计，适用于处理较小的基板或中小产量。该机台还为等离子增强化学气相沉积应用提供了对应的功能。

1 产品概述: 去胶设备通过不同的技术和方法去除物体表面的杂质。在电子行业中，等离子去胶机是一种先进的去胶设备，它利用等离子体中的高能粒子对光刻胶进行轰击，使其发生化学反应和物理剥离，从而实现去除光刻胶的目的。等离子去胶机通常包括反应室、等离子体发生器、控制系统和真空系统等关键部件。2 设备用途： 去胶设备的用途广泛，特别是在电子、汽车、化工、建筑等多个领域。在电子行业中，去胶设备主要用于：半导体制造：去除硅基半导体及化合物半导体表面的光阻灰化、高剂量离子注入后的光刻胶残留、晶圆表面的残胶和污染物等。晶圆级封装：在晶圆级封装的前处理工艺中，去除晶圆表面的污染物和杂质，提高封装质量。电路板制造：去除印刷电路板表面的胶层，提高电路板的精度和可靠性。3 设备特点 高效性：等离子去胶机去胶速度较快，可以在较短的时间内完成大量样品的处理，提高生产效率。 环保性：相比化学去胶方法，等离子去胶机不需要使用有害的化学试剂，处理过程中不会产生有毒废物，对环境的影响较小。 可控性：通过调节等离子体的参数（如功率、气压、气体种类等），可以精确控制去胶的速度和效果，满足不同工艺需求。 兼容性：等离子去胶机适用于各种类型的光刻胶和底层材料，且对底层材料的损伤较小。 集成性：可以与其他等离子体工艺（如等离子体清洗、等离子体蚀刻等）集成在同一设备中，实现全自动化生产，提高生产效率。 4 技术参数和特点： 次世代晶圆工艺必须的 1 x 1016atoms/cm2以上离子注入剥离工艺、PI去除工艺中，可实现低颗粒工艺。添加F系气体工艺适合的腔体构成，可对应低颗粒需求。因此，从普通PR到离子注入剥离、有机膜剥离（PI，DFR等）、氧化膜刻蚀等非常广泛的工艺均可对应。采用简单的设备构成可同时实现“维修性信赖性”。有弹性的腔体构成选择（μ波、RIE、μ波＋RIE），可实现丰富的搬送路经。仅设定工艺菜单即可切换晶圆尺寸，晶圆尺寸容易实现。道后端工艺的离子注入剥离工艺(1 x 1016atoms/cm2以上)的PI除去添加CF4工艺必要的晶圆工艺(电子部件・ LED)芯片封装的BUMP工艺CCD颜色过滤膜的制造工艺添加CF4工艺必要的晶圆工艺(电子部件・ LED)芯片封装的BUMP工艺CCD颜色过滤膜的制造工艺

桌上型浸泡（去胶）工作站 RS 去胶系列产品介绍桌上型浸泡（去胶）工作站 RS 去胶系列产品，作为一种专为满足工业生产中去胶需求而设计的设备，具备高效、稳定、易于操作的特点。以下是对该系列产品的主要特点和优势的介绍：一、产品特点1. 高效去胶：桌上型浸泡工作站采用高效的去胶剂，能够快速溶解和去除各种胶水和粘合剂，显著提高生产效率。2. 稳定性能：该系列产品设计精良，结构稳定，能够确保在长时间、高强度的使用中保持稳定的性能。3. 易于操作：设备操作简单，用户只需将待处理的工件放入浸泡槽中，设定好时间和温度，即可自动完成去胶过程。二、产品优势1. 多功能性：桌上型浸泡工作站 RS 去胶系列产品适用于多种材料和工艺件的去胶处理，如电镀工艺件、印刷PCB表面、铜/铝工艺件以及各种电子元件等。2. 高精度：设备配备了高精度的温度和时间控制系统，确保去胶过程的精确性和一致性。3. 环保节能：采用环保型去胶剂，减少了对环境的污染；同时，设备具有节能设计，降低了能源消耗。三、技术参数型号：桌上型浸泡工作站 RS适用范围：多种材料和工艺件的去胶处理去胶剂类型：环保型去胶剂温度控制范围：（具体范围根据产品型号而定）时间控制范围：（具体范围根据产品型号而定）功率：根据具体型号有所不同四、使用说明1. 将待处理的工件放入浸泡槽中，注意工件的放置位置和数量。2. 设定好去胶剂的温度和时间，启动设备。3. 在去胶过程中，注意观察设备的运行状态和工件的变化情况。4. 去胶完成后，取出工件进行后续处理。五、注意事项1. 使用前应确保设备已连接好电源并处于正常工作状态。2. 使用时应根据工件的材质和去胶要求选择合适的去胶剂和温度。3. 在使用过程中，应注意保持设备的清洁和卫生，避免杂质进入浸泡槽中影响去胶效果。4. 定期对设备进行维护和保养，确保其长期稳定运行。以上是桌上型浸泡（去胶）工作站 RS 去胶系列产品的详细介绍。如需了解更多信息或购买产品，请联系我们的客服人员。

n产品简介CHEMIXX 30pm湿法台是一款半自动单面湿法系统，主要用于晶圆或者方片的清洗，刻蚀，显影等应用，其中清洗部分具有化学清洗，兆声清洗，PVA刷洗，高压DI水冲洗，背部清洗等多种功能。 n产品特色 ÷ 圆形晶圆最大可达 ? 300mm÷ 方形衬底最大可达 9 x 9 inch÷ 最多两个电动输送臂，每个最多 6 个管路÷ 液体加热模块高达 60°C÷ 用于去离子水的背面冲洗÷ 集成三种不同化学品液供应系统÷ 工艺室外的手动去离子水枪÷ 工艺室自动去离子水冲洗可选÷ 带有流孔的工艺室档板 n技术数据÷ 衬底尺寸: 最大可达 ? 300mm (?12 inch) 或 230 x 230 mm (9 x 9 inch)÷ 电机转速: 最大 3.000 rpm, 步进1 rpm÷ 步进时间: 1 至 999.9 秒，步长 0.1 s÷ 系统架构: 由粉末涂层不锈钢制成÷ 处理室材料: PP （可选 PVDF)

仪器系统 功能 湿法转印电泳 可快速高效地转印蛋白样品，尤其是200kD以上的大分子蛋白，转印重现性好 凝胶大小 9.4 x 8.0cm 不同规格以满足不同的应用 凝胶容量 1-4块 根据样品量多少可调节凝胶数量 转印夹板 正负极夹板颜色不同 根据颜色来判断转印夹板的正负极，不会放反 冷却循环装置 面积大 有效制冷，可防止因转印时间长而导致局部温度过高，条带变形 配置 灵活 即可作为独立的湿法转印设备，也可作为一个模块与Eco垂直电泳槽兼容 产品特点： 1.蛋白质转印快速、高效、重现性好 2.特别适用于分子量200kDa以上的大分子蛋白质和对温度敏感的蛋白质（如某些酶类） 3.槽壁上有大面积的整合式冷却夹层，不断循环，高效冷却，使得转印时整个槽内的温度达到高度均一（缓冲液为6℃，其温度均一性为± 0.5℃），比普通的通过磁力搅拌混匀的方式效果更好，可实现超过12h以上的连续工作 4.最多可同时进行4块凝胶的转印

兆声清洗技术SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统应用：湿法刻蚀带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统的特点： 机械手全自动上下载片支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统选配项：多系统集成掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

1. 产品优势：该设备具备出色的灵活性，能够兼容处理4英寸及6英寸的晶圆，适应不同规模和需求的生产线。其设计考虑到多种工艺要求，支持两种去胶液摆臂，有效提升去胶效率。此外，变速扫描功能的引入使得处理过程更加精细可调，用户可以根据实际需求快速调整扫描速度，以获取最佳的去胶效果。在工艺流程方面，该设备采用“干进干出”的晶圆加工模式，这一模式不仅提高了处理的效率，也最大限度地减少了湿润环境对晶圆的潜在影响，从而确保晶圆在整个加工过程中的均匀性和稳定性。此外，为了响应可持续发展的需求，该设备配备了先进的化学液循环再利用系统。这一系统能够有效回收和循环利用加工过程中使用的化学药液，降低资源消耗与废物产生。同时，在金属回收和药液分类排放方面，设备具备高效的处理能力，能够将不同种类的废液进行分类并安全排放，减少污染和环境负担，这不仅符合行业环保要求，也为企业降低了生产成本。2. 应用域：LED芯片制造图形化衬底制造适用于半导体及LED芯片制造域中的光刻胶去除、金属剥离等工艺制程