辛耘清洗蚀刻设备

辛耘科技致力于高端清洗蚀刻设备的研发和生产 拥有强大的研发与软件编写团队 实现完全自主的软硬件售后服务和升级 最大程度地解决了客户的后顾之优 产品涵盖2&rdquo ~12&rdquo 主流湿法工艺以及薄片、大功率器件、高温制程、电镀 、化镀 、等特殊应用、广泛应用于半导体、三五族、微机电、和LED领域 仪器简介：2&rdquo ~12&rdquo 手动/半自动/全自动湿制程设备及干燥机传送技术: Cassette type / Boat type / Cassette-less领域 : 半导体前后段 / LED / 蓝宝石/薄片/ GaAs / MEMS&hellip 制程 : lean/Etching/PRStrip/Solvent/Developer/Reclaim/Plating /High-temp/De-wax/CDU 特点:高稳定性与高可靠度自有的软硬件设计及完善QC系统可提供客制化与量产设计可灵活实现 手动 半自动 全自动及干进干出 功能多种可选择的晶圆传递方式(cassette /cassetteless /both type)友好的人机操作界面完整的全自动生产（包括SMIF、晶圆传递、晶圆盒的自动传递）完善的客服系统唯一可提供cassetteless传输的local厂家应用领域：半导体/三五族/微机电：4&rdquo -12&rdquo 相关清洗、显影、蚀刻等制程LED :蓝宝石基板清洗工艺（切割、研磨、抛光段应用、PSS图形化衬底应用）前后端工序中的清洗、显影、蚀刻、去胶、高温磷酸（侧腐蚀工艺）、化镀金工艺等湿法应用

美国Chemcut湿法蚀刻设备Chemcut 半导体制造的水平化学加工设备专注于：&bull 晶圆湿法加工包括铜，钛/钨等金属蚀刻，干膜显影和退膜等&bull 导线框架 (QFN) 和 BGA 等背蚀刻和半蚀刻&bull 导线框架 (QFN) 和集成电路 IC 截板加工湿式加工设备 CC8000CC8000 设计用于加工半导体，IC (引线框架和 IC 基板)，高端HDI PCB / FPC，触控和 LCD 显示屏幕，太阳能和精密金属零件。其独特的喷涂架设计使其能够达到更高水平的蚀刻质量。自启动以来，已成交并安装了700多个系统。晶圆图案制作：&bull 干膜显影&bull 铜蚀刻&bull 钛/钨蚀刻晶圆 Bumping 湿法工艺&bull 光阻显影：与 Pad 制作类似&bull 光阻剥离：需要高喷洒压力 (30 - 40 bars)&bull 种子层 (UBM) 蚀刻：使用喷洒或浸渍技术Chemcut 2300 系列 小批量生产批量和原型系统Chemcut 2300 是一种紧凑，双面，水平，传送带式，振荡喷射处理系统系列，采用了与大型系统相同的成熟技术和质量。 2300 系列非常适用于实验室，原型和小批量印刷电路以及化学机械加工零件，仪表板和铭牌。本系列湿法设备有多种配置，可用于铜和氯化铁蚀刻，碱性氨蚀刻，抗蚀剂显影，化学清洗和抗蚀剂剥离。该机器的特殊版本可用于专业处理，如使用氢氟酸和硝酸混合物进行蚀刻以及高温蚀刻（最高 160°F，71°C）。适用于：&bull 化学清洗&bull 铁蚀刻&bull 铜蚀刻&bull 碱性蚀刻&bull 抗蚀剂显影&bull 抗蚀剥离&bull 宽度 15 到 20 英寸&bull 18 X 24 功能应用于：&bull 原型商店&bull 小批量商店&bull 开发实验室&bull 研发部门&bull 大学&bull 特殊加工&bull 替代化学品&bull 研磨特殊合金&bull 减少废物

Diener等离子表面处理设备 德国原装进口德国Diener是专门生产经济、可靠的等离子清洗和等离子刻蚀设备的公司, 是世界上材料处理低温等离子体设备的市场和技术领先者。Diener采用先进的集成化技术开发生产射频频率为40KHz 、80KHz、13.56MHz，以及代表等离子应用先进技术的2.45GHz的等离子清洗机。目前设备广泛应用于：等离子清洗、刻蚀、灰化、涂镀和表面处理。产品主要分布在真空电子、LED、太阳能光伏、集成电路、生命科学、半导体科研、半导体封装、芯片制造、MEMS器件等领域。其设备生产零件均选用其零件行业的优质产品，以保证性能技术稳定。 德国diener等离子表面处理设备特点：等离子清洗机清洗效果好，效率高，应用范围广。对清洗样品，没有任何材质、外观尺寸等要求 等离子清洗过程中，温升很小，基本可达到常温处理。射频功率无极连续可调。 高效的特制电极，是产生均匀等离子体的保证。特制电极和托盘结构，可充分利用真空舱体内部空间，使处理效率最大化，同时也可保证样品可得到全面有效的清洗。 特有的过载、短路和过热保护电路，可保证射频电源的稳定和安全。设备整体模块化设计，安装与维护极为简单。德国diener等离子表面处理设备的应用范围： 清洗电子元件、光学器件、激光器件、镀膜基片、芯片。 清洗光学镜片、电子显微镜片等多种镜片和载片。 移除光学元件、半导体元件等表面的光阻物质。 清洗ATR元件、各种形状的人工晶体、天然晶体和宝石。 清洗半导体元件、印刷线路板。 清洗生物芯片、微流控芯片。 清洗沉积凝胶的基片。 高分子材料表面修饰。 牙科材料、人造移植物、医疗器械的消毒和杀菌。 改善粘接光学元件、光纤、生物医学材料、宇航材料等所用胶水的粘和力。 煤、石棉灰化。 Diener Plasma 低压/真空等离子表面处理/清洗/蚀刻机 Tetra100 主要技术参数：基本配置：根据具体组件/选装件，外壳规格会有所不同腔室容积：根据具体版本，分为 80 - 100 升供电电源： 230 V 或者 400 V / 3 相位气源质量流量控制器 (MFCs)真空腔室圆形不锈钢件，配有铰链的门（约 ? 400 mm、长 625 mm）矩形不锈钢件，配有铰链的门（约宽 400 mm x 高 400 mm x 深 625 mm）装载件产品支架（选项：水冷型）、石英玻璃舟皿、粉末转鼓、散装件转鼓、铝板、不锈钢板、硼硅玻璃、石英玻璃电极单层或多层具有气体喷淋的 RIE 电极控制系统PCCE 控制系统 (MicrosoftWindows CE)PC 控制系统 (Microsoft Windows POS Ready 2009)压力测量PiraniBaratron（适用于腐蚀性气体版本）计时器数字型发生器频率： 40 kHz: 功率 0 - 1000 W；0 - 1500 W；0 - 2500 W13.56 MHz: 功率 0 - 300 W；0 - 600 W；0 - 1000 W2.45 GHz: 功率 0 - 1200 W所有发生器均为 0 - 100% 无级可调型真空泵规格和制造商均各有不同（按照活性炭过滤器的需要）其他选项备件套件、压力计、腐蚀性气体设计结构、气瓶、减压器、加热板、温度显示器、加热型腔室、Faraday Box、等离子体聚合配件、测试墨水、 氧气发生器、慢速通风装置、慢速抽吸装置、TEM样品架法兰、维护/服务、当地语言的文件、现场安装，包括培训。可应要求提供的其他选项。 上海尔迪仪器科技有限公司 中国总代理

设备型号：JY 600-2 滚轮蚀刻机输入电压：220V/ 380 V 喷淋区域：宽600 mm 长1200 mm ( 可定制 )设备尺寸：1160 × 1000 × 2000 mm工作原理：电化学腐蚀；雾化喷淋；水平传送，连续进料加热系统：钛管防腐加热，380v/3kw，自动加热温控蚀刻速度：无级调速，0.5-2m/min变频调速机身材质：优质工程塑料，不变形，抗高温作业 绝缘等级：A 级功 率：液泵功率：2.2KW，总功率：5.26 KW 特点：1、采用传动装置，雾化喷淋，结构合理；加工尺寸长度不限制，速度快、精度高；2、效率高使用方便：有效地设计喷淋与被蚀刻金属板的有效面积和蚀刻均匀程度；蚀刻效果、速度和操作者的环境及方便程度等方面都有改善；药液使用充分，大大降低生产成本。应用：1、工作领域：适合单双面图文腐蚀，可在铜/铝/钛金/不锈钢/铁/锌版/钛等金属和金属制品的表面蚀刻和镂空文字、花纹、几何形状。2、是标牌厂、电镀厂、铭牌厂等生产高精度高品位标牌、奖牌礼品、饰品、工业品电蚀刻及反蚀刻精密加工等必备的现代化设备。

1. 产品介绍 槽式湿法刻蚀清洗设备2. 应用领域RCA清洗，湿法去胶，介质层湿法刻蚀，金属层湿法刻蚀，炉管前清洗等3. 技术参数晶圆尺寸：100mm~300mm4. 设备配置：支持化学液C.C.S.S.、L.C.S.SMarangoni dry 或 spin dry自动换酸，自动补液、配液加热控制，浓度控制，流量控制，压力控制等槽体过温保护，各单元配置漏液传感器支持化学液回收全面支持SECS/GEM通讯协议5. 工艺指标蚀刻非均匀性 片内：≤4%；片间：≤4%；批次间： ≤4%；6. 颗粒控制增加值30颗@0.09μm（带氧化硅膜测试，来料颗粒50颗）7. 金属离子5E9 atoms/cm28. 企业概括深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪无等离子体设计,可以实现快速, 化学特定的原位定量气体分析, 与光学发射光谱 OES 对比, Aston™ 质谱仪 的 OA% 灵敏度显示为 0.25%, 适用于半导体工艺中蚀刻计量控制, ALD, 3D-NAND 和新兴的堆叠式 DRAM.半导体蚀刻工艺挑战日益增加蚀刻是半导体制造中常用的工艺之一. 介电蚀刻用于形成绝缘结构, 触点和通孔, 多晶硅蚀刻用于在晶体管中创建栅极, 金属蚀刻去除材料以显示电路连接图案并钻穿硬掩模.连续蚀刻铝 Al, 钨, 铜 Cu,钛 Ti 和氮化钛 TiN 等工艺金属具有挑战性, 因为许多金属会形成非挥发性金属卤化物副产品（例如六氯化钨 WCl6）, 这些副产品会重新沉积在蚀刻侧壁上, 导致成品率降低（通过微粒污染或沉积材料导致短路）.随着半导体行业不断缩小关键特征尺寸并采用垂直扩展 (如 3D-NAND 存储器和全环绕栅极先进技术节点), 各种新的蚀刻挑战已经出现. 这些包括在晶圆上蚀刻更小的特征, 高展弦比 HAR 沟槽蚀刻 (具有小的开放面积百分比- OA%), 以及在新兴的非挥发性存储器和高 k介质中蚀刻金属闸极, 稀土金属等新材料. 对于先进的纳米级工艺, 如蚀刻到硅介质和金属薄膜, 选择性处理, 如原子层蚀刻 ALE 一次去除材料的几个原子层. ALE 提供了比传统蚀刻技术更多的控制. 对于 3D-NAND 和先进 DRAM 来说, 向批量生产过渡的重大挑战包括解决导体蚀刻困难的要求, 满足积极的生产斜坡和实现所需的吞吐量, 以推动成本效益.上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪提供高性能, 嵌入式和可靠的原位定量分子气体计量已经成为验证工艺室和持续监测工艺化学过程的关键工具, 确保生产环境中的高产率和更大吞吐量.Aston™ 质谱分析仪提供全腔室解决方案使用上海伯东 Atonarp Aston™ 质谱仪通过实时, 定量和精确的分子传感器来解决半导体新兴蚀刻工艺技术相关的关键挑战. 通过解决传感器耐久性, 灵敏度, 匹配, 系统集成和易用性等方面的挑战, 日本 Atonarp Aston™ 质谱仪升级了传统的气体分析计量方法. Aston 是一种全室解决方案, 用于在各种工艺步骤中实时监测前体, 反应物和副产物.这些包括基准室和过程指证, 腔室清洁, 过程监测 (包括存在腐蚀性气体), 颗粒沉积和气体污染物凝结. 小的占地面积和灵活的通信接口允许在室内安装和集成到过程设备控制系统. 为了集成到半导体工艺工具中, Aston 质谱分析仪的高性能和可靠性设计用于生产晶圆的大批量生产过程控制.Aston™ 质谱分析仪半导体蚀刻计量控制半导体行业正从二维结构的扩展转向复杂三维结构的挑战性要求. 传统的离线晶圆测量已不足以实现性能和良率目标, 原位蚀刻测量传统上缺乏生产所需的鲁棒性和可重复性. Aston™ 质谱分析仪的结构中嵌入了专利技术, 使其具有卓越的分析和操作性能. 为了满足过程控制和跨工厂生产工具匹配的严格要求, Aston 从头开始设计, 高运行时间和低维护的吞吐量, 长期信号稳定性和可重复性.为了承受腐蚀和沉积过程的恶劣环境, Aston™ 引入了两个的功能: 等离子电离和自清洁 (ReGen™模式). 等离子体电离消除了由于与腐蚀性气体(如NF3, CF4, Cl2)的反应而导致的灯丝降解. 此外, 除去(正硅酸四乙酯) TEOS 等颗粒和蒸汽污染物沉积, 同时定期进行室内清洁循环, 延长了 Aston™ 质谱仪的使用寿命. ReGenTM 模式使仪器能够使用高能等离子离子清洗自身, 通过去除在膜沉积过程中可能发生在传感器和腔室壁上的沉积. 结合这两个功能, 传感器的灵敏度可维持在数百个RF(射频)小时的操作. Aston质谱仪支持的基于测量的控制, 有可能延长清洗间隔 MTBC 的平均时间. MTBC 的增加意味着工具可用性和长期吞吐量的增加. 除了等离子电离器(用于工艺), 传感器还配备了传统的电子冲击 EI 灯丝电离器, 用于基线和校准.分子传感器的分析级是使用微米级精密双曲电极的四极杆. 由高度线性射频(RF)电路驱动, Aston 质谱的HyperQuad 传感器在 2到300 amu的质量范围内具有更高的分析性能.Aston™ 质谱分析仪技术参数参数值质量分辨率0.8u质量数稳定性0.1u灵敏度(FC / SEM)5x10-6 / 5x10-4 A/Torr最低可检测的部分压力(FC / SEM)10-9 / 10-11 Torr检测极限10 ppb最大工作压力1X10-3 Torr每 u 停留时间40 ms每u扫描更新率37 ms发射电流0.4 mA发射电流精度0.05 %启动时间5mins离子电流稳定 ±1%浓度的准确性 1%浓度稳定±0.5%电力消耗350w重量13.7kg尺寸400 x 297 x 341mm高展弦比 HAR 3D 蚀刻随着多模式技术和 3D器件结构的出现, 高度密集的蚀刻和沉积过程驱动了计量需求. 3D多层膜栈, 如 NAND 存储架构, 代表复杂的, 具有挑战性的蚀刻过程, 具有关键的蚀刻角度, 统一的通道直径和形状要求, 尽管高蚀刻纵横比通道 100:1 是常见的. 对于 3D-NAND, 关键导体蚀刻过程包括阶梯蚀刻(下图)和用于垂直通道和狭缝的 HAR 掩模打开. 通过硝酸硅和氧化硅交替层蚀刻需要高速定量终点检测. 对于 DRAM, 蚀刻过程包括 HAR 门, HAR 沟槽和金属隐窝. 对于阶梯蚀刻, 关键是在整个 3D堆栈的每个介质膜对的边缘创建等宽的“步骤”, 以形成阶梯形状的结构. 在器件加工过程中, 这些步骤的大量重复要求蚀刻高吞吐量和严格的过程控制.多功能现场气体计量需要在一个工具中执行多种监测功能:• 检测和量化污染, 交叉污染, 气体杂质和工艺室内的工艺化学• 评估已开发的蚀刻过程在生产工具 / 运行的复杂功能上的性能• 测量刻蚀后的清洁 (包括先进的无晶圆自动清洁 WAC) 作为腔条件对于消除工艺漂移和确保可重复性性能是至关重要的• 快速准确的蚀刻端点检测 EPD, 通过等离子体或气体监测, 因为这是一个关键的控制功能. 举例包括一氧化碳 CO 副产物在介电蚀刻中下降或氯 Cl 反应物在多晶硅和金属蚀刻端点上升.• 全面的实时计量数据, 允许过程等离子体和反应物的动态腐蚀控制, 以管理要求的腐蚀剖面Aston™ 质谱分析仪无等离子体终点检测虽然光学发射光谱 OES 已被广泛用于蚀刻 EPD, 但低开放面积 OA 和 HAR 设计的趋势使其在许多蚀刻任务中无效. OES 技术需要等离子体'开'和发光物种. 随着昏暗和远程等离子体越来越多地用于 3D设备和原子水平蚀刻 ALE 工艺, 需要更多敏感的数据和分析技术来实现迅速和确定的 EPD. 此外, 脉冲等离子体通常用于管理 HAR 和 低 OA% 工艺的蚀刻剖面, 这使得 OES 对于 EPD 来说是一个不切实际的解决方案. 在3D 结构中, 多层薄膜和多个接触深度阻碍了每一行触点到达底部时端点的光学发射信号的急剧步进变化其他 OES 限制包括:• 在电介质蚀刻中, 在 OA 5% 的模式上进行 EPD一直具有挑战性, 因为 OES 在低浓度下具有低信噪比.在高压Si深蚀刻(例如博世工艺)中, 要求 OA% 的 EPD低于 0.3%, OES 中较大的背景噪声水平抑制了对发射种数量的任何变化的检测.• 在金属蚀刻中, OA% 可能低于10%, 这取决于所涉及的互连尺寸. 对于接触和通过蚀刻, OA 可以在0.1-0.5%之间或更低, 这取决于所涉及的特征的大小. 在钨 W 蚀刻的情况下, 随着 OA的减小, 氯 Cl 反应物的消耗减少, 由于材料运输到 HAR 蚀刻特征, 蚀刻趋于放缓. 这两个因素都降低了反应气的消耗率. 因此, 由于等离子体中反应物的耗尽, 很难看到在终点处 OES信号的显著变化.Aston™ 质谱仪可以利用蚀刻反应物和 EPD 的副产物. 此外, Aston 能够在小的, 有限体积的传感器上运行周期性清洗, 以保持其性能(灵敏度), 在延长晶圆运行次数的情况下获得更大的正常运行时间. 然而, OES 要求在腔室上有一个需要保持清洁的访问窗口，以获得足够强度的稳定信号。通常，加热石英窗用于减缓工艺产品的堆积. 使用 Aston™质谱分析仪，在低浓度下的检测不受等离子体发射的背景光谱的影响, 也不受射频功率脉冲期间等离子体强度波动的影响.图 3a/3b 显示了 CO+和 SiF3 +的副产物 OA%下降到0.25%的电介质腐蚀EPD数据数据清楚地显示了线性行为和在低浓度下的检测不受等离子体发射的背景光谱影响. Aston 质谱的 ppb 灵敏度是针对 0.1%以下的 OA性能.原子级蚀刻 ALE在三维结构中, ALE 过程中的逐层去除需要脉冲射频电源来控制自由基密度和较低的离子能量, 以减少表面损伤和保持方向性. 在这样的光源中, 等离子体的整体光强较低, 并表现出波动幅度. 通常等离子体离晶圆区很远(距晶圆区25厘米), 而且等离子体激发的副产物很少, 使得光学测量不切实际.在 ALE中, 由于每个周期都是自我限制的, 端点检测可能不那么重要. 然而, 在缺乏气体分析的情况下, 工艺工程师对监测腔室和工艺健康状况“视而不见”, 因为无法看到化学状态, 特别是在工艺步骤 (吸附/净化/反应/净化) 之间过渡时的动态状态, ALE 的自限性并不能使它不受过程漂移的影响. 此外, 由于 ALE 不是基于等离子体的, 因此过程中的化学变化不一定可以通过等离子体监测检测到.有一种误解, 认为 ALE 技术实际上是一次一个原子层 相反, 它们每循环的去除/沉积量可能比单分子膜多一点(或少一点). 由于真空泵性能, 晶圆温度或离子轰击能量 (电压) 的变化分别导致表面饱和度和表面反应性的变化, 工艺移位(Å/周期的变化)可能发生.在 ALE (下图)中,由于等离子体的使用不一致, 化学监测方面的差距就不那么明显了. 在这种情况下, Aston™ 质谱仪具有以下优点:• 在每个工艺步骤中建立一个腔室化学状态的指证. 这可以参照其自身的正常行为, 也可以参照标准腔• 描述和监控与化学变化相关的动态过程中, 从一个步骤过渡到下一个步骤• 监测在 ALE 循环第一步之后从系统中清除吸附物质的时间. 等离子体通常用于产生吸附物质(自由基), 但它是在远离晶圆片的地方产生的• 监测 ALE 循环第二步反应产物的变化. 等离子体光强通常较低, 因为它使用了低占空比的脉冲射频• 监测反应产物和反应物在ALE循环第二步后被净化的时间结论原子级蚀刻只能使用像上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱仪这样的分子传感器进行真正的测量和监测. 它的高灵敏度, 速度和对等离子体强度变化的低敏感性产生可靠的定量测量, 即使在低浓度的反应物和副产物, 具有低于1% 水平的高精度, 可以监测微妙的过程漂移和过程变化效应, 提供了可用于机器学习模型的见解.利用其高扫描速度, 通过监测反应产物减少的时间来实现步进时间优化, 因为它是表面反应活性变化的指示, 增加了总体吞吐量.ALE 是先进的蚀刻技术, 上海伯东 Aston 质谱仪为 ALE 提供了先进的化学计量技术, 可以测量和控制反应及其持续时间, 为大批量生产提供了可靠的解决方案.若您需要进一步的了解 Atonarp Aston™ 在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生

ALT蚀刻液酸浓度在线分析仪是一款由禾工科仪自主研发的无人值守的工业过程在线分析滴定仪，取代人工分析，可实现自动取样、上样、信号测量、滴定分析、自动清洗、自动分析、在获取分析结果后根据生产工艺控制加药泵对槽液进行精确配比加药，将槽液指标维持在生产工艺的预设范围内，还可将分析结果和加药量发送给服务器的数据库进行存储和统计，满足现代化生产过程控制的要求。ALT蚀刻液酸浓度在线分析仪采用A8处理器，模块化设计， 七英寸中文人机对话全彩触摸屏，高精度滴定管、电磁切换阀、长寿命溶剂泵，高分辨率的颜色采集模块和多样的检测模块，可通过测量电极的电位变化和颜色变化的自动判断，来指示滴定的终点，根据样品性质，仪器选用不同电极和检测器进行自动颜色滴定、pH滴定、氧化还原滴定、络合滴定、非水滴定和沉淀滴定等多种滴定，适用于化工、环保、食品、制药、造纸、纺织、冶金、金属表面处理、水质处理等领域。ALT蚀刻液酸浓度在线分析仪 功能示意图在线设备的开发标准:结果准确，控制精确，可靠稳定，智能可控。禾工科仪目前具备下列行业及生产控制领域的样品在线检测及现场药水添加系统开发经验:工业涂装工艺流程生产线、印染工艺生产线、PCB印刷生产流水线、冶金治炼流水线、各类化工过程槽液浓度参数控制等领域的酸值、碱值、水质硬度、钙镁等金属与氯氟等非金属离子的在线浓度监测与药水添加系统。ALT蚀刻液酸浓度在线分析仪 产线应用示意图* 根据行业生产线专业定制研发，在线分析，无人值守，可完全替代人工；* 在线分析模块可进行分析自动化进程的编辑、修改和存储；包括在线自动取样，自动上样，自动分析，自动清洗，自动数据存储；计算公式可进行编辑和存储，分析完成后自动计算最终结果并发送给服务器；* 过程控制模块可监控多台在线分析仪的状态，并可根据客户需要开发配合自动化生产控制功能，本设备具有监控报警功能，可设置，液体，电源及分析结果等异常报警功能；★配置清单（基本配置）：数量1、主机控制单元 1套2、高精度滴定馈液单元2套3、搅拌滴定台（通用）1个4、电位滴定（PH滴定）模块1套5、双铂针测量电极1支6、精密辅助泵（含控制系统）2个7、通讯模块（RS232,TCP/IP,MODBUS）1套8、滴定控制软件(在线滴定，自动计算，自动输出)1套9、整机安装及机箱与包装1套10、新机安装培训服务及12个月有限保修服务1台

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。Trymax 先进等离子灰化和蚀刻 NEO300A/NEO200A系列平台 NEO300A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达300mm的基板兼容。占地面积小的NEO300A配置有单个装载端口。 • 特征 - 最大300毫米晶圆尺寸/基板尺寸 - 桥梁工具能力200-300mm - 单个SMIF装载端口-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO） NEO200A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进灰化和蚀刻产品的最新成员。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达200mm的基板兼容。占地面积小的NEO200A配置有双盒式磁带。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 双盒式平台-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）Trymax Semiconductor Equipment的NEO200系列先进等离子灰化/蚀刻系统是最新的光刻胶和蚀刻设备，以惊人的价格提供卓越的性能。专为最大200 mm基板应用而设计。 它配备了一个灵活的装载站，可配置用于处理最大200 mm的所有不同尺寸的基板。 NEO200系列集成了研究和设备制造商紧凑设计的所有要求，可实现最低的拥有成本。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 用于半自动晶圆传输的单个装载平台。-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）

Hakuto 离子蚀刻机 伯东公司日本原装设计制造离子蚀刻机 IBE. 提供微米级刻蚀, 均匀性: ≤±5%, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, 伯东公司已累计交付约 500套离子刻蚀机.伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 离子刻蚀机 4IBE 离子刻蚀机 20IBE 全自动蚀刻机 MEL 3100离子蚀刻机 IBE 主要型号 伯东提供用于研究分析的小尺寸离子刻蚀机, 用于生产制造的大尺寸离子蚀刻机以及全自动蚀刻机.配置美国 KRI 考夫曼离子源和德国 Pfeiffer 分子泵.型号4 IBE7.5 IBE16 IBE20 IBE-CMEL 3100样品数量尺寸4”φ, 1片4”φ, 1片6”φ, 1片4”φ, 6片6”φ, 4片3”φ-6”φ,1片离子束入射角度0～± 900～± 900～± 900～± 90-考夫曼离子源KDC 40KDC 75KDC 160考夫曼型-极限真空度 Pa≦1x10-4≦1x10-4≦1x10-4≦1x10-4≦8x10-5Pfeiffer 分子泵抽速 l/s35035012501250-均匀性≤±5%≤±5%≤±5%≤±5%≤±5%离子蚀刻机特性:1. 采用美国 KRI 考夫曼型离子源, 保障蚀刻速率和均匀性2. 干式制程, 物理蚀刻的特性3. 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.4. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.5. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面.通 Ar 时, 对各种材料的刻蚀速率NS 离子刻蚀机 20IBE-J 视频离子刻蚀机 3-4inch 20IBE 视频离子蚀刻机应用 薄膜磁头 Thin film Magnetic Head, 自旋电子学 Spintronics, MR Sencer微电子机械系统 MEMS Micro-electromechanical Systems射频设备 RF Devices, 光学组件 Optical Component, 超导电性 Super Conductivity Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息, 请联络上海伯东叶女士,分机109

用途：表面清洗活化表面蚀刻Tetra 8 RIE 产品特点：适用于8”以下样品的处理等离子蚀刻机，可实现快速且一致的样品表面刻蚀全局的工艺气体通过气浴进气实现了均匀的气体分布电极水冷确保了样品的温度不会偏高工业Windows控制系统，多段程序控制功能，实现一键蚀刻功能适合于研究院、高校、研发中心等使用，也可小批量生产

AXIC IsoLok® ICP等离子体系统经济实惠的高性能驱动器和低温等离子体处理系统AXIC公司的AXIC IsoLok® 电感耦合等离子体(ICP)负载锁定处理系统定义了深度反应离子蚀刻(DRIE)和低温低损伤等离子体增强化学气相沉积(ICP- pecvd)等离子体处理的新概念。该系统基于模块化设计，从通用腔室和机柜单元开始，具有ICP蚀刻或沉积底部电极，可轻松安装到腔室单元并结合负载锁。我们相信您会发现易用性，各种等离子工艺，可维护性和有吸引力的价格是市场上任何其他等离子产品所无法超越的。系统描述在等离子体加工的研究和开发中，一直对高通用性和可靠的负载锁定工具有很大的需求。随着等离子体研究需求的不断变化，任何系统都必须提供最广泛的工艺参数和高度的可重复性，以进行工艺验证。它还必须易于修改以适应新的工艺要求。我们相信我们的IsoLok® ICP蚀刻/沉积等离子体系统可以满足这些非常苛刻的要求。IsoLok® ICP系统是一种等离子体工具，可用于研究，工艺开发或小批量生产，可在直径达8″的基板上进行精确蚀刻和沉积。该系统还可以容纳片晶圆或基板与适当的夹具。在设计IsoLok® ICP工具时，主要目标是创建一个包含负载锁定分段区域的系统，同时保持质量和可靠性。保留专用生产导向系统的过程控制，同时大幅降低成本和维护以及占地面积，是关键要求。IsoLok® 负载锁定ICP系统独特的机柜和电极设计可以轻松安装在层流模块或洁净室中。经过验证的高质量组件，模块化组件，多功能腔室和电极设计，紧凑的尺寸，自动化和现场验证的工艺配方使IsoLok® ICP系统成为工程师的“首选系统”。负载锁模块该系统配备了一个真空负载锁定模块，由阳极氧化铝构造。负载锁定系统是大气到真空样品的分级和进入模块。它们是一种方便实用的方法，用于在真空系统中进出样品，而无需将腔室排放到大气中。这大大提高了效率和吞吐量，减少了周期时间，更重要的是减少了污染。负载锁允许在受控的环境条件下交换样品。负载锁可容纳直径从4“到8”的晶圆，具有特定的末端执行器。在负载锁和工艺室之间提供一个隔离阀，以隔离被转移的样品。

反应式离子蚀刻机 性能特点 Capability Features: 用于失效分析的剥层分析解决方案群，世界顶尖反应式离子蚀刻机，物理沉移系统，原子层化学气相沉积系统.RIE/PE and RIE-ICP FA system这些灵活的失效分析工具可以实现从钝化层的去除到各项异性的氧化物的去除，从小管芯或已封装的器件到300mm直径的晶片整个范围的工艺. 去除氮化物钝化层后 刻蚀金属间介质后 四层金属暴露 金属间介质后的失效分析优点:- 工艺灵活，既可采用RIE/PE，也可采用ICP- 先进的管芯工艺：采用等离子体加速器的刻蚀速率比标准的RIE工艺快20倍产品范围：- 可以处理300mm晶片的RIE/PE双模式设备- 快速低损伤的模具刻蚀装置- 处理200mm晶片的双模式设备- 填充用的正硅酸乙酯（TEOS）工艺应用:- 各向同性的聚酰亚胺的去除（RIE或ICP模式）- 各向同性的氮化物（钝化层）的去除（PE或ICP模式）- 各向异性的氧化物（金属间介质/层间介质）的去除（RIE或ICP模式）- 各向异性的低K值氧化物的去除（RIE或ICP模式）- 金属支架的去除（RIE或ICP模式）- 多晶硅的去除（RIE模式）- 铝或铜的去除（ICP模式）

离子蚀刻机 10-M/NS-5上海伯东日本NS进口离子蚀刻机 10-M/NS-5，适合小规模生产使用和实验室研究用的离子刻蚀机。离子蚀刻机 10-M/NS-5 主要技术参数：基片尺寸直径 6英寸 X 1片样品台直接冷却，单独冷却离子源10cm 考夫曼离子源电源WELL-2000(可更换为国内电源上海伯东是日本NS离子蚀刻机中国总代理，NS离子蚀刻机对磁性材料、黄金、铂和合金金属提供最佳蚀刻技术，很容易做各种材料的蚀刻，主要应用于薄膜磁头 (Thin film Magnetic Head)，自旋电子学 (Spintronics)，MR Sencer，微电子机械系统 (MEMS Micro-electromechanical Systems)，射频设备 (RF Devices)，光学组件 (Optical Component)，超导电性 (Super Conductivity)等。可依据客户实际需要，提供客制化服务。NS离子蚀刻机主要优点：干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。配置使用美国考夫曼公司制造的原装离子源。射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。上海伯东主营产品：德国普发 Pfeiffer 涡轮分子泵，干式真空泵，罗茨真空泵，旋片真空泵；应用于各种真空环境下的真空计，氦质谱检漏仪，质谱分析仪以及美国考夫曼公司 KRI 离子源 离子枪 霍尔源，美国 HVA 真空阀门，Polycold 冷冻机，离子刻蚀机等。

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物 　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。 用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理 可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件 通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知 金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。Trymax 先进等离子灰化和蚀刻 NEO300A/NEO200A系列平台 NEO200A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进灰化和蚀刻产品的最新成员。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达200mm的基板兼容。占地面积小的NEO200A配置有双盒式磁带。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 双盒式平台-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）Trymax Semiconductor Equipment的NEO200系列先进等离子灰化/蚀刻系统是最新的光刻胶和蚀刻设备，以惊人的价格提供卓越的性能。专为最大200 mm基板应用而设计。 它配备了一个灵活的装载站，可配置用于处理最大200 mm的所有不同尺寸的基板。 NEO200系列集成了研究和设备制造商紧凑设计的所有要求，可实现最低的拥有成本。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 用于半自动晶圆传输的单个装载平台。-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）

1. 产品概述PC-1100是一种平行板式等离子清洗机，用于清洗样品表面的有机和无机污染。该工艺室允许用户安装多个电架，架式电配置的灵活性支持从小型电子元件到大型基板等多种产品的批量处理。2. 设备特点大加工尺寸为400mm x 400mm。灵活的架式电可以在RIE或等离子体蚀刻模式下处理各种样品。工艺室可配置多个大型加工架，以满足大批量生产的要求。全自动 "一键式 "操作，可完全手动操作。带触摸屏的PLC控制器提供直观的图形界面。干式泵和系统布局便于维护。可靠、耐用的系统，全球安装了150多个系统。塑料包装和引线框架的表面清洁。光学元件和模具的精密清洗。表面改性（润湿性和附着力的改善。光阻剂的灰化、剥离和除尘。清除有机污染物。

等离子清洗设备 PC-300紧凑耐用的设备概要PC-300是一种平行板式等离子清洗机，用于清洗样品表面的有机和无机污染。该工艺室允许用户安装多个电极架，架式电极配置的灵活性支持从研究到小批量生产的各种产品的批量处理。主要特点和优点最大加工尺寸为320mm x 230mm灵活的架式电极可以在RIE或等离子体蚀刻模式下处理各种样品。凭借其时尚、紧凑的设计，PC-300需要最小的空间。全自动 "一键式 "操作，可完全手动操作。带触摸屏的PLC控制器提供直观的图形界面干式泵和系统布局便于维护。可靠和耐用的系统，全球安装了150多个系统。应用塑料包装和引线框架的表面清洁。光学元件和模具的精密清洗表面改性（润湿性和附着力的改善光阻剂的灰化、剥离和除尘。清除有机污染物

1. 产品概述：Pinnacle300平台适用于集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示领域的清洗工艺。该机台主要由传输模块、工艺模块、药液供给系统、电源柜等组成。传输模块将晶圆传送到指定位置，可同时传送50片，工艺模块用于清洗和蚀刻，药液供给模块用于高精度药液配比、加热、供给、浓度监测。2. 设备应用：晶圆尺寸12英寸 适用材料光阻、单晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、金属膜、金属氧化物 适用工艺炉前、刻蚀/抛光后清洗、光阻、金属氧化物、氮化物去除、控挡片回收 适用领域集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示 3. 特色参数：清洗槽数量：通常具有多个清洗槽，以实现不同的清洗工艺步骤，例如可能有多个化学清洗槽、纯水冲洗槽等。清洗方式：可支持多种清洗方式，如化学清洗、兆声清洗等，以有效去除晶圆表面的各种污染物。温度控制：具备精确的温度控制能力，可在一定温度范围内对清洗液或工艺过程进行温度调节，满足不同清洗工艺的需求。工艺时间：能够对每个清洗步骤的时间进行精确设定和控制，确保清洗效果的一致性。晶圆尺寸：适用于 12 英寸晶圆清洗，能很好地满足大尺寸晶圆的清洗要求。自动化程度：具有较高的自动化水平，可实现晶圆的自动传输、定位和清洗过程的自动控制，提高生产效率和减少人为操作误差4. 设备特点可配备多药液工艺槽，支持DIO₃ 等附属功能软件量身定制，具备快速更新能力较高的温度控制稳定性超高的补水精度精准的蚀刻速率控制优秀的干燥效果

日本 Atonarp Aston™ 质谱仪对小开口区域的蚀刻有更高的灵敏度随着特征尺寸和几何形状的不断缩小, 半导体工艺制造商面临着新的挑战. 对于高纵横比 3D-NAND 和关键尺寸的高级节点逻辑触点, 可靠地检测远低于 1%的开口区域的端点对产量和整体生产力至关重要.随着接触宽度随着工艺节点的减小而减小, 接触蚀刻的开口面积减小得更快，因为面积尺寸与接触宽度的平方成反比. 此外, 触点的电阻会负向增加, 从而影响晶体管的电气性能.关键的是, 需要通过场氧化物（二氧化硅）进行接触蚀刻的端点检测 EPD, 以尽可能降低接触电阻, 并确保与晶体管源极或漏极的良好电接触, 但不会出现过度蚀刻，从而导致栅极区域短路或基片损坏。更复杂的接触蚀刻是非平面晶圆拓扑结构，导致不均匀蚀刻和最终电气测试时的“甜甜圈”或“边缘”屈服模式.对于 3D NAND, 关键蚀刻工艺包括用于垂直沟道的小开口面积阶梯蚀刻和高纵横比开口面积，以及通过100层交替二氧化硅（Si02）和氮化硅（Si3N4）层的狭缝蚀刻. 蚀刻 100个交替层需要高速定量终点检测. 高灵敏度也是至关重要的, 因为多层阶梯式蚀刻减少了用于获得急剧阶梯变化终点的蚀刻副产物的丰度, 因为随着阶梯式蚀刻到达底部, 触点行数减少.上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱仪凭借高灵敏度提供解决方案为了确保一致和优化的接触蚀刻, 需要高灵敏度的原位分子诊断来提供蚀刻副产物的实时测量和量化, 并能够检测到明确定义的终点. 随着接触开口面积 OA% 的减少, 诸如光学发射光谱 OES 等传统计量解决方案缺乏准确检测蚀刻终点的灵敏度（低信噪比 SNR 比）. Aston™ 质谱仪 的 OA% 灵敏度显示为 0.25%, 其检测限比 OES（LOD 约 2.5%）高出一个数量级. 此外, Aston™内部产生的基于等离子体的电离源允许它在存在腐蚀性蚀刻气体的情况下工作, 无论处理室中是否存在等离子体源.Aston™ 质谱仪能够进行准确且可操作的端点检测, OA% 是传统 OES 计量解决方案的一个数量级（1/10）. Aston™ 质谱仪解决方案适用于具有高蚀刻吞吐量和大量重复相同步骤的工艺中的实时 EPD. 这是通过高信噪比 SNR 实现的, 从而避免了 OES 设备中常见的模棱两可和复杂的多变量分析算法.小开口面积 OA% (高纵横比 HAR) 蚀刻使用 Aston 的高灵敏度 (SEM) 提供可操作的数据, 以在小开口区域蚀刻实现终点检测Aston 0.3% OA% EPD 实现多种化学蚀刻: x10次OES 和 RGA 缺乏实现小开口区域蚀刻的灵敏度Aston 质谱在使用或不使用等离子的情况下, 均可工作Atonarp Aston™ 质谱仪优点1. 耐腐蚀性气体2. 抗冷凝3. 实时, 可操作的数据4. 云连接就绪5. 无需等离子体6. 功能: 稳定性, 可重复性, 传感器寿命, 质量范围, 分辨率, 最小可检测分压, 最小检测极限 PP,灵敏度 ppb, 检测速率.Atonarp Aston™ 质谱仪半导体行业应用1. 介电蚀刻: Dielectric Etch2. 金属蚀刻: Metal Etch EPD3. CVD 监测和 EPD: CVD Monitoring and EPD4. 腔室清洁 EPD: Chamber Clean EPD5. 腔室指纹: Chamber Fingerprinting6. 腔室匹配: Chamber Matching7. 高纵横比蚀刻: High Aspect Ratio Etch8. 小开口面积 0.3% 蚀刻: Small Open Area 0.3% Etch9. ALD10. ALE若您需要进一步的了解 Atonarp Aston™ 在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生

1. 产品概述WE2102系列 8英寸槽式清洗设备，该平台工艺区为 12 吋先进槽式清洗设备的拓展，具备优异的工艺效果。2. 设备用途/原理该平台工艺区为 12 吋先进槽式清洗设备的拓展，具备优异的工艺效果。精准控制药液混合比例。多样的药液比例扩展应用。精准的蚀刻速率控制。优秀的干燥效果。软件量身定制，具备快速更新能力。3. 设备特点晶圆尺寸 8 英寸，适用材料 光阻、单晶硅、氧化硅、氮化硅、介质膜、金属膜、氮化钛、硅化物。适用工艺 预清洗、去胶清洗、氮化硅去除、金属去除（Co,Ti）、Recycle 清洗。适用域 集成电路、化合物半导体、新兴应用。

Hydrofluoric Acid Vapor Phase Etcher氢氟酸气相蚀刻系统MEMS领域设备：准干法氢氟酸气相蚀刻系统，4“、6”、8“范围适用。氢氟酸蚀刻二氧化硅是微电子行业中的一道传统工艺，多以湿法为主，但是湿法工艺容易造成硅表面自然氧化层无法完全去除，进而影响金属和硅的欧姆接触。本氢氟酸气相蚀刻是一套准干法工艺设备，通过对基底的加热，晶圆表面的水分可以很好的控制。由[video width="384" height="288" mp4=""][/video]于晶圆完全不与液体接触，可以进行无粘着MEMS释放。特点：安全酸处理可重复利用HF晶圆夹紧机构适于各种尺寸的晶圆无需安装（装置在湿法酸工作台中使用）上部向下晶圆蚀刻背面保护低运行成本应用：无粘着MEMS释放结构减薄SOI基底上的结构免切割释放蚀刻速率从0到10 μm/hour可调（无粘着）单面二氧化硅蚀刻（蚀刻过程背面保护）4英寸产品型号：VPE1006英寸产品型号：VPE1508英寸产品型号：VPE200蚀刻液：50%HF有机溶液蚀刻速率：2-30 μm/hour加热温度：35-60℃反应室温度控制在反应室内，二氧化硅的腐蚀速率随液体HF的温度略有变化。氢氟酸的温度取决于洁净室的环境温度。此外，在长时间的蚀刻过程中，HF会被加热，导致晶圆之间的蚀刻速率增加，直到系统稳定下来。为了稳定腐蚀速率，我们在容器中开发了一个温度可控的HF反应室。高频的温度可以通过附加的控制器来调节。

1. 产品概述WE3102系列 12英寸槽式清洗设备，可配备 i-Clean 多药液工艺槽，支持 DN unit, DIO3 等附属功能。2. 设备用途/原理WE3102系列 12英寸槽式清洗设备，可配备 i-Clean 多药液工艺槽，支持 DN unit, DIO3 等附属功能。软件量身定制，具备快速更新能力，较高的温度控制稳定性，超高的补水精度，精准的蚀刻速率控制，优秀的干燥效果。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料 光阻、单晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、金属膜、金属氧化物。适用工艺 炉清洗、刻蚀 / 抛光后清洗、光阻去除、金属氧化物去除、氮化物去除、控挡片回收。适用域 新兴应用、集成电路。

这款蚀刻和清洁系统专为满足当今晶圆、光掩模和基板的前沿应用的特殊工艺需求而设计。这款高效的蚀刻和清洁系统CESx124、126、128或133是理想选择，可满足不同大小尺寸的晶片、光掩模和衬底，不论是从小直径还是非常大直径。CESx可以配置多种工艺分配选项，Megasonic喷嘴对DI H20或化学药品的处理分配选项；用于化学制剂的低压喷嘴；化学加热器和DI-H20；用于表面搅拌以加快反应的刷子，和/或DI H20等。特点：• 专为重要控制和安全而设计的系统。• 多达9x9英寸/ 300mm直径的基板兼容性。• 主轴组件具有直流无刷伺服电机，可实现精确的速度控制和分度。• 特氟龙涂层不锈钢臂可调节臂速度和行进位置。• 径向排气腔，用于最大层流，盖子顶部有N2进料。• DI-H20加热器，用于清洁和干燥辅助。• 过程中包含化学相容性材料PVDF或可选的PTFE。• 独立式聚丙烯柜。• 微处理器控制功能可以在存储器中保留三十（30）步的配方，每个配方有三十（30）步。配方和步骤的数量均可根据要求扩展。• 内置安全联锁和双重控制。• 用联锁装置冲洗整个工艺区域和基材的pH值，以禁止进入工艺区域并控制排放和主轴转速直到安全。• 按钮盖打开/关闭。• 触摸屏图形用户界面（GUI），易于编程和安全锁定，并带有屏幕错误报告。• 用于化学和房屋排水的排水分流阀。• 设计符合SEMI S2 / S8准则。技术参数：• 产品：蚀刻和剥离系统• 型号：CESx124• 可用机械臂：4• 最大基板尺寸：13英寸直径• 最大主轴速度：2500• 配方：高达30• 分配管路：12主营产品：Laurell匀胶机Harrick等离子清洗机Thetametrisis膜厚仪Microxact探针台ALD原子层沉积系统TRION反应离子刻蚀机Uvitron紫外固化箱NXQ紫外曝光光刻机Novascan紫外臭氧清洗机Nilt纳米压印机Wenesco/EMS/Unitemp/NDA加热板Annealsys高温退火炉Kinematic程序剪切仪Laurell EDC系统，湿站系统Wabash/Carver自动压片机

这款蚀刻和清洁系统专为满足当今晶圆、光掩模和基板的前沿应用的特殊工艺需求而设计。这款高效的蚀刻和清洁系统CESx124、126、128或133是理想选择，可满足不同大小尺寸的晶片、光掩模和衬底，不论是从小直径还是非常大直径。CESx可以配置多种工艺分配选项，Megasonic喷嘴对DI H20或化学药品的处理分配选项；用于化学制剂的低压喷嘴；化学加热器和DI-H20；用于表面搅拌以加快反应的刷子，和/或DI H20等。特点：• 专为重要控制和安全而设计的系统。• 多达9x9英寸/ 300mm直径的基板兼容性。• 主轴组件具有直流无刷伺服电机，可实现精确的速度控制和分度。• 特氟龙涂层不锈钢臂可调节臂速度和行进位置。• 径向排气腔，用于最大层流，盖子顶部有N2进料。• DI-H20加热器，用于清洁和干燥辅助。• 过程中包含化学相容性材料PVDF或可选的PTFE。• 独立式聚丙烯柜。• 微处理器控制功能可以在存储器中保留三十（30）步的配方，每个配方有三十（30）步。配方和步骤的数量均可根据要求扩展。• 内置安全联锁和双重控制。• 用联锁装置冲洗整个工艺区域和基材的pH值，以禁止进入工艺区域并控制排放和主轴转速直到安全。• 按钮盖打开/关闭。• 触摸屏图形用户界面（GUI），易于编程和安全锁定，并带有屏幕错误报告。• 用于化学和房屋排水的排水分流阀。• 设计符合SEMI S2 / S8准则。 技术参数：• 产品：蚀刻和剥离系统• 型号：CESx124• 可用机械臂：4• 最大基板尺寸：13英寸直径• 最大主轴速度：2500• 配方：高达30• 分配管路：12 主营产品： Laurell匀胶机 Harrick等离子清洗机Thetametrisis膜厚仪 Microxact探针台ALD原子层沉积系统TRION反应离子刻蚀机Uvitron紫外固化箱NXQ紫外曝光光刻机 Novascan紫外臭氧清洗机Nilt纳米压印机Wenesco/EMS/Unitemp/NDA加热板Annealsys高温退火炉Kinematic程序剪切仪Laurell EDC系统，湿站系统 Wabash/Carver自动压片机

离子蚀刻机 4 IBE伯东公司日本原装进口小型离子蚀刻机, 适用于科研院所, 实验室研究, 干式制程的微细加工装置, 特别适用于磁性材料, 金, 铂及各种合金的铣削加工.离子蚀刻机 4 IBE 技术规格型号4 IBE样品数量尺寸4”φ, 1片离子束入射角度0～± 90考夫曼离子源KDC 40极限真空度 Pa≦1x10-4Pfeiffer 分子泵抽速 l/s350均匀性≤±5%伯东离子蚀刻机主要优点1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.3. 配置使用美国考夫曼离子源4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.离子蚀刻机通不同气体的蚀刻速率Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息, 请联络上海伯东叶女士,分机109上海伯东版权所有, 翻拷必究！

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理 　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成 在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等） 未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

美国Nisene 化学/激光开封、湿法去层 Nisene是一家专注从事失效分析开封设备的美国公司，有着30多年自动开封研发制造历史。作为自动塑封开封技术的世界领导者, 可以提供全面的产品,方法和技术支持来满足所有半导体器件的开封要求.Nisene公司承诺提供创新的, 高质量的产品来满足半导体器件失效性分析领域内不断变化的需求.针对OmniEtch其独特的，专利的湿化学刻蚀技术，利用特殊的媒质材料将腐蚀液包含其中，对芯片的各个层面（主要是金属层）进行腐蚀而不相互影响，对集成电路IC（无论是个人芯片或者晶圆级），它能够很快、很精确地刻蚀芯片&mdash &mdash 一个高标准的选择。其优点表现在：1、用户可选的蚀刻化学媒介,湿刻蚀能去除金属层和多晶硅列；2、用户可选的蚀刻时间和蚀刻温度；3、可设定泵的转速（150-600 RPM）来控制蚀刻的效果；4、专有36-6载体媒介通过芯片内部通道去除下一层，蚀刻再循环使用，节省蚀刻化学剂；5、蚀刻目的非常明确到具体层，蚀刻效果非常平坦，没有斜角或圆角 ；6、没有热量或机械摩擦损坏样品，能通过石英窗口观测蚀刻过程和状况；7、设备小巧，只需很小的空间摆放,操作简单，便于清洁和维护；8、微电脑配备彩色触摸屏用户界面 ，方便设定和操作；

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。Trymax 先进等离子灰化和蚀刻 NEO300A/NEO200A系列平台 NEO300A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达300mm的基板兼容。占地面积小的NEO300A配置有单个装载端口。 • 特征 - 最大300毫米晶圆尺寸/基板尺寸 - 桥梁工具能力200-300mm - 单个SMIF装载端口-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）

离子蚀刻机 20-M/NS-8上海伯东日本 NS 进口离子蚀刻机 20-M/NS-8，适合中等规模量产使用的离子刻蚀机。离子蚀刻机 20-M/NS-8 主要技术参数：基片尺寸直径 3英寸 X 8片直径 4英寸 X 6片样品台直接冷却离子源20cm 考夫曼离子源电源WELL-5000(可更换为国内电源 上海伯东是日本NS离子蚀刻机中国总代理，NS离子蚀刻机对磁性材料、黄金、铂和合金金属提供蚀刻技术，很容易做各种材料的蚀刻，主要应用于薄膜磁头 (Thin film Magnetic Head)，自旋电子学 (Spintronics)，MR Sencer，微电子机械系统 (MEMS Micro-electromechanical Systems)，射频设备 (RF Devices)，光学组件 (Optical Component)，超导电性 (Super Conductivity)等。可依据客户实际需要，提供客制化服务。NS离子蚀刻机主要优点：干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。配置使用美国考夫曼公司制造的原装离子源。射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。上海伯东主营产品：德国普发 Pfeiffer 涡轮分子泵，干式真空泵，罗茨真空泵，旋片真空泵；应用于各种真空环境下的真空计，氦质谱检漏仪，质谱分析仪以及美国考夫曼公司 KRI 离子源 离子枪 霍尔源，美国 HVA 真空阀门，Polycold 冷冻机，离子刻蚀机等。 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部罗女士联系。伯东版权所有, 翻拷必究!

反应离子刻蚀机SAMCO RIE-10NR 简介：RIE-10NR是一种新型的低成本、高性能、全自动反应离子刻蚀系统，能够满足非腐蚀性气体化学最苛刻的工艺要求。计算机化触摸屏为工艺配方编程和存储提供了用户友好的界面。该系统可以实现精确的侧壁轮廓控制和材料之间的高蚀刻选择性。凭借其圆滑、紧凑的设计，RIE-10NR只需要很小的洁净室空间。 应用:硅、二氧化硅、氮化硅、多晶硅、砷化镓、钼、铂、聚酰亚胺等材料的腐蚀失效分析中的选择性层腐蚀。 主要功能和优点：1、加工至ø 220 mm（ø 3“x 5，ø 4”x 3，ø 8”x 1）。2、高选择性各向异性蚀刻满足严格的工艺要求全自动“一键式”操作。3、自动压力控制，允许独立于气流干泵和系统布局的过程压力精确控制，便于维护。4、于Windows的用户界面，丰富的配方和内置的数据记录功能，是一个可靠和持久的系统，全球安装了400多个系统。 主要参数规格：基板220 mm（ø 3“x 5，ø 4”x 3，ø 8”x 1）负载开放式上下电极ø 240 mm射频功率300瓦@13.56兆赫，自动匹配（500瓦为选项）可切换射频供电电极（阳极/阴极模式）为选项气体管道内部2条MFC控制的气体管道（最多6条）泵干泵（500升/分钟）操作系统触摸屏操作（可选择基于Windows的用户界面）、配方管理端点检测光学发射光谱（OES）作为一种选择尺寸500 mm（宽）x 920 mm（深）x 1501 mm（高）