四英寸快速退火炉

简介：快速退火炉是利用卤素红外灯做为热源，通过极快的升温速率，将晶圆或者材料在极短的时间内加热到300℃-1200℃，从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能。快速退火炉采用先进的微电脑控制系统，采用PID闭环控制温度，可以达到极高的控温精度和温度均匀性，并且可配置真空腔体，也可根据用户工艺需求配置多路气体。行业背景：快速退火炉是现代大规模集成电路生产工艺过程中的关键设备。随着集成电路技术飞速发展，开展快速退火炉系统的创新研发对国内开发和研究具有自主知识产权的快速退火炉设备具有十分重大的战略意义和应用价值。目前快速退火炉的供应商主要集中在欧、美和台湾地区，大陆地区还没有可替代产品，市场都由进口设备主导，设备国产化亟待新的创新和突破。随着近两年中美贸易战的影响，国家越来越重视科技的创新发展与内需增长，政府出台了很多相关的产业政策，对于国产快速退火炉设备在相关行业产线上的占比提出了一定要求，给国内的半导体设备厂商带来了巨大机遇，预测未来几年时间国内退火炉设备市场会有快速的内需增长需求。技术特点：快速退火炉（芯片热处理设备）广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产。和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，具有技术指标高、工艺复杂、专用性强的特点。一般参数：名称数值最高温度1200摄氏度升温速率150摄氏度/秒降温速率200摄氏度/分钟（1000摄氏度→300摄氏度）温度精度±0.5摄氏度温控均匀性≤0.5%设定温度加热方式红外卤素灯，顶部加热真空度10mTorr以下工艺应用：快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；离子注入/接触退火；金属合金；热氧化处理；高温退火；高温扩散。应用领域：化合物合金（砷化镓、氮化物，碳化硅等）；多晶硅退火；太阳能电池片退火；IC晶圆；功率器件；MEMS；LED晶圆。设备说明：快速退火炉主要由真空腔室、加热室、进气系统、真空系统、温度控制系统、气冷系统、水冷系统等几部分组成。真空腔室：真空腔室是快速退火炉的工作空间，晶圆在这里进行快速热处理。加热室：加热室以多个红外灯管为加热元件，以耐高温合金为框架、高纯石英为主体。进气系统：真空腔室尾部有进气孔，精确控制的进气量用来满足一些特殊工艺的气体需求。真空系统：在真空泵和真空腔室之间装有高真空电磁阀，可以有效确保腔室真空度，同时避免气体倒灌污染腔室内的被处理工件。温度控制系统：温度控制系统由温度传感器、温度控制器、电力调整器、可编程控制器、PC及各种传感器等组成。气冷系统：真空腔室的冷却是通过进气系统向腔室内充入惰性气体，来加速冷却被热处理的工件，满足工艺使用要求。水冷系统：水冷系统主要包括真空腔室、加热室、各部位密封圈的冷却用水。硬件更换：1.加热灯管更换：加热灯管超过使用寿命或无法点亮时需进行更换。加热灯管的使用寿命为3000小时，高温状态下会降低其使用寿命。2.真空泵油更换：在使用过程中，请每季度固定观察1次真空油表，当油表显示油量低于1/3时请添加真空泵润滑油到油表一半以上。3.热电偶更换：当热电偶测温不正常或者损坏时需进行更换。热电偶的正常使用寿命为3个月，随环境因素降低其寿命。4.O型圈的更换：O型圈表面有明显破损或者无法气密时需进行更换，其寿命受外力以及温度因素影响。保养周期：项目检查周期零件或耗材加热灯管周IR灯管托盘表面擦拭周碳化硅材质热电偶固定状态周石英板清理季度O型圈检查更换季度真空泵油季度MR100M导向轴承季度使用润滑油产品推荐：全自动12英寸多腔体快速退火炉RTP设备规格:全自动操作模式，机械手臂自动上片取片；多腔体生产模式，单个腔体适应于 2英寸-12英寸 晶圆或者最大支持 300mmx300mm 样品；退火温度范围 300℃-1300℃；升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性 ≦±1%；真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，3-5路制程气体。半自动12英寸快速退火炉RTP设备规格:适应于 2英寸-12英寸 晶圆或者最大支持 300mmx300mm 样品；退火温度范围 300℃-1300℃；升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性 ≦±1%；真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，3-5路制程气体。桌上型4英寸快速退火炉RTP设备规格:桌上型小型快速退火炉；适应于 2英寸-4英寸 晶圆或者最大支持 100mmx100mm 样品；退火温度范围 300℃-1200℃；升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性 ≦±1%；常压腔体（可选配真空腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，1-4路制程气体。快速退火炉，RTA，RTP，合金炉，RTO，快速退火炉RTP，国产快速退火炉，自主研发，快速退火工艺，半导体设备，芯片退火设备

在半导体制造中，快速热处理(RTP)被认为是半导体制程的一个重要步骤。因为半导体材料在晶体生长和制造过程中，由于各种原因会出现缺陷、杂质、位错等结构性缺陷，导致晶格不完整，施加电场后的电导率较低。需要通过RTP快速退火炉进行退火处理，可以使材料得到修复，结晶体内部重新排列，可以消除硅片中的应力，激活或迁移杂质，使沉积或生长的薄膜更加致密化，并修复硅片加工中的离子注入损伤。RTP快速退火炉通常还用于离子注入退火、ITO镀膜后快速退火、氧化物和氮化物生长等应用。桌面型快速退火炉-RTP-Table-6RTP-Table-6为桌面型6英寸晶圆快速退火炉，使用上下两层红外卤素灯管 作为热源加热，内部石英腔体保温隔热，腔体外壳为水冷铝合金，使得制品加热均匀，且表面温度低。6英寸晶圆快速退火炉采用PID控制，系统能快速调节红外卤素灯管的输出功率，控温更加精准。桌面型快速退火炉的功能特点①极快的升温速率：RTP快速退火炉的裸片升温速率是150℃/s，大大缩短了热处理时间。②精确的温度控制：配备高精度的温度传感器和控制系统，确保温度的精确性和稳定性。③多样化的气氛选项：支持多种气体气氛，如氮气、氩气等，满足不同材料的热处理需求。④紧凑的桌面式设计：适合实验室和小型生产环境，节省空间，便于移动和部署。除了以上功能特点，在半导体制造的快速热退火工艺步骤中，测量晶圆的温度是关键。如果测量不准确，可能会出现过热和温度分布不均匀的情况，这两者都会影响工艺的效果。因此，晟鼎桌面型快速退火炉配置测温系统，硅片在升温、恒温及降温过程中精确地获取晶圆表面温度数据，误差范围控制在±1℃以内。桌面型快速退火炉的应用1. 晶体结构优化：在加热阶段，高温有助于晶体结构的再排列。这可以消除晶格缺陷，提高晶体的有序性，从而改善半导体材料的电子传导性能。2. 杂质去除：高温RTP快速退火可以促使杂质从半导体晶体中扩散出去，减少杂质的浓度。这有助于提高半导体器件的电子特性，减少杂质引起的能级或电子散射。3. 衬底去除：在CMOS工艺中，快速退火炉可用于去除衬底材料，如氧化硅或氮化硅，以形成超薄SOI（硅层上绝缘体）器件。4. 应力消除：高温退火还有助于减轻半导体器件中的内部应力，从而降低了晶体缺陷的形成，提高了材料的稳定性和可靠性。

快速退火炉LRTP-1200，采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸）快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到极佳的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)等研究工作起到重要作用。 快速退火炉应用案例l 快速热处理，快速退火，快速热氧化，快速热氮化l 离子注入/接触退火l SiAu, SiAl, SiMo合金化l 太阳能电池片键合l 电阻烧结l 低介电材料热处理l 晶体化，致密化l 其他热工艺需求 快速退火炉产品特点l 可测大尺寸样品 可测单晶片样品的最大尺寸为4英寸（100mm）。l 快速控温与高真空 最高升温速率可达100℃/s，真空度最高可达到10Pa。l 程序设定与气路扩展 最多可创建和存储32个程序、8个PID设定，实现不同温度段的精确测试。最多可扩展至4条工艺气路（MFC），应用不同气氛环境（真空、氮气、氩气、氧气、氢氮混合气体等）。l 全自动智能控制 采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、气氛、冷却水等均可实现自动控制。l 超高安全系数 采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障仪器使用安全。 快速退火炉技术参数型号LRTP-1200最高温度1200℃最高升温速率100℃/s最快降温速度200℃/min(1000℃--400℃)控温精度≤0.1℃温场均匀性≤0.5%腔体冷却水冷方式，独立冷却源衬底冷却氮气吹扫工艺气路MFC控制，4路(可选氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)主机尺寸450×625×535，单位mm创新点：1.产品控温精度极高：可达± 0.5℃； 2.采用红外加热技术，最高升温速率达150℃/s； 3.全方位自动化，首次将真空及气路控制集成在软件中，一键操作方便快捷； 4.打破行业内高精退火炉的进口设备长期垄断的局面； 快速退火炉 LRTP

前言碳化硅（SiC）是制作半导体器件及材料的理想材料之一，但其在工艺过程中，会不可避免的产生晶格缺陷等问题，而快速退火可以实现金属合金、杂质激活、晶格修复等目的。在近些年飞速发展的化合物半导体、光电子、先进集成电路等细分领域，快速退火发挥着无法取代的作用。01快速退火在化合物半导体上的应用碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，具有硬度高、热导率高、热稳定性好等优点，在半导体领域具有广泛的应用前景。由于碳化硅器件的部分工艺需要在高温下完成，这给器件的制造和封测带来了较大的难度。例如，在掺杂步骤中，传统硅基材料可以用扩散的方式完成掺杂，但由于碳化硅扩散温度远高于硅，所以需要采用高温离子注入的方式。而高能量的离子注入会破坏碳化硅材料原本的晶格结构，因此需要采用快速退火工艺修复离子注入带来的晶格损伤，消除或减轻晶体应力和缺陷，提高结晶质量。*退火工艺处理前后对比（图源：网络）02什么是快速退火炉（RTP SYSTEM）快速退火炉是利用卤素红外灯作为热源，通过极快的升温速率，将材料在极短的时间内从室温加热到300℃-1250℃，从而消除材料内部的一些缺陷，改善产品性能。*图源：网络03快速退火炉产品介绍 全自动双腔快速退火炉 RTP-DTS-8是一款全自动双腔快速退火设备，可兼容6-8英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 全自动双腔设计，有效提升产能✅ 温度可达1250℃，具有超高温场均匀性✅ 具备稳定的温度重现性✅ 能够满足SIC量产化制程需求半自动快速退火炉RTP-SA-12是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统，可兼容4-12英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 采用红外卤素灯管加热，冷却采用风冷；✅ 快速PID温控，可控制温度升温，保证良好的重现性和温度均匀性；✅ 采用平行气路进气方式，气体进出口设置在晶圆表面，避免退火过程中冷点产生，保证良好的温度均匀性；✅ 大气与真空处理方式均可选择，实现进气前气体净化处理；✅ 标配两组工艺气体，可扩展至6组工艺气体。桌面型快速退火炉RTP-TABLE-6是一款桌面型快速退火设备，标配三组工艺气体，可兼容6英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷；✅ 采用快速PID温控，可控制温度升温，保证良好的重现性和温度均匀性；✅ 采用平行气路进气方式，气体进出口设置在晶圆表面，避免退火过程中冷点产生，保证良好的温度均匀性；✅ 大气与真空处理方式均可选择，实现进气前气体净化处理。

半导体快速退火炉（RTP）是一种特殊的加热设备，能够在短时间内将半导体材料迅速加热到高温，并通过快速冷却的方式使其达到非常高的温度梯度。快速退火炉在半导体材料制造中广泛应用，如CMOS器件后端制程、GaN薄膜制备、SiC材料晶体生长以及抛光后退火等。一、快速退火炉的原理半导体快速退火炉通过高功率的电热元件，如加热电阻来产生高温。在快速退火炉中，通常采用氢气或氮气作为气氛保护，以防止半导体材料表面氧化和污染。半导体材料在高温下快速退火后，会重新结晶和再结晶，从而使晶体缺陷减少，改善半导体的电学性能，提高设备的可靠性和使用寿命。1.1快速退火（RTA）与传统退火相比，快速退火具有更高的加热和冷却速度。通过快速加热和冷却，可以缩短退火时间，提高生产效率。1.2快速热处理（RTP）热处理是半导体制造中的一项关键技术，它可以改变材料的微观结构和性能。在热处理过程中，材料被加热到高温，然后进行保温和冷却。这个过程中，材料内部的原子会发生重新排列，从而改变材料的物理、化学和机械性质。二、半导体退火炉的应用领域1.封装工艺在封装工艺中，快速退火炉主要用于引线的切割和组装。引线经过切割和组装后，可能会产生内应力，影响封装的稳定性和可靠性。通过快速退火处理，可以消除引线内的应力，提高封装的稳定性和可靠性，保证产品的使用寿命。2.CMOS器件后端制程在CMOS器件后端制程中，快速退火炉可用于修复制程中产生的损伤和缺陷，增强器件的电学性能。通过快速退火处理，可以减少CMOS器件中的氧化物陷阱电荷和界面态密度，提高器件的可靠性和寿命。3.GaN薄膜制备GaN是一种重要的宽禁带半导体材料，具有优异的光电性能和稳定性。在GaN薄膜制备过程中，快速退火炉可用于提高薄膜的结晶质量和表面平滑度。通过快速退火处理，可以消除薄膜中的应力，减少缺陷，提高GaN薄膜的光电性能和稳定性。4.SiC材料晶体生长SiC是一种具有高热导率、高击穿电压、高饱和电子速度等优良特性的宽禁带半导体材料。在SiC材料晶体生长过程中，快速退火炉可用于提高晶体生长的质量和尺寸，减少缺陷和氧化。通过快速退火处理，可以消除晶体中的应力，提高SiC材料的晶体品质和性能。5.抛光后退火在半导体材料抛光后，表面会产生损伤和缺陷，影响设备的性能。快速退火炉可用于抛光后的迅速修复损伤和缺陷，使表面更加平滑，提高设备的性能。通过快速退火处理，可以减少表面粗糙度，消除应力，提高材料的电学性能和可靠性。

作为新一代半导体的代表材料，氮化镓（GaN）具有大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率等特性，是制造高功率、高频电子器件中重要的半导体材料。其中，GaN材料与金属电极的欧姆接触对器件性能有着重要的影响，器件利用金属电极与GaN间接触形成的欧姆接触来输入或输出电流。当欧姆接触电阻过高时会产生较多的焦耳热，缩短器件寿命，而良好的欧姆接触可使器件通态电阻低，电流输出大，具有更好的稳定性。退火温度影响欧姆接触质量氮化镓欧姆接触的制备通常需要进行退火处理，退火的目的是通过热处理改变材料的结构和性质，使金属电极与氮化镓之间形成低电阻接触。而金属与GaN之间形成欧姆接触的质量受退火条件的影响，良好的欧姆接触图形边缘应保持平整，电极之间不应存在导致短路的金属粘合，退火完成后不会出现金属的侧流。（a） 退火前欧姆接触形态 （b）退火后欧姆接触形态（图源网络）退火温度作为影响欧姆接触性能的重要参数，温度过高或过低都会导致电阻率的增加和电流的减小。一般来说，退火温度越高，金属电极与氮化镓之间的比接触电阻率则越低。比接触电阻率与退火温度的函数关系（图源：知网）然而，当退火温度过高则可能导致氮化镓材料的损伤或金属电极的熔化，不利于形成好的欧姆接触；当温度过低时会导致金属与半导体之间形成较高的势垒，阻碍载流子的传输。因此在对GaN欧姆接触进行退火处理时，对于退火温度的条件选择尤为重要。快速退火炉（RTP）原理：快速退火炉（RTP）是一种用于半导体器件制造和材料研究的设备，其工作原理是通过快速升温和降温来处理材料，以改变其性质或结构。RTP结构示意图（图源网络）晟鼎快速退火炉（RTP）优势RTP快速退火炉具有温度控制精确、升温速度快等优点，可以满足欧姆接触对温度敏感的材料和结构的需求。晟鼎快速退火炉制程范围覆盖200-1250℃，具有强大的温场管理系统，此外，还能灵活、快速地转换和调节工艺气体，使得其在同一个热处理过程中可以完成多段处理工艺。晟鼎快速退火炉RTP温度控制—1000℃制程半自动快速退火炉RTP-SA-12为半自动立式快速退火炉，工艺时间短，控温精度高，相对于传统扩散炉退火系统和其他RTP系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的 RL900软件控制系统，确保了极好的热均匀性。产品优势◎红外卤素灯管加热，冷却采用风冷◎大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理◎灯管功率 PID 控温，可精准控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性全自动双腔退火炉RTP-DTS-8相对于传统扩散炉退火系统和其他 RTP 系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的RL900 软件控制系统，确保了极好的热均匀性。产品优势◎红外卤素灯管加热，冷却采用风冷 ◎灯管功率 PID 控温，可精准控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性 ◎大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理 ◎标配两组工艺气体，最多可扩展至 6 组工艺气体桌面型快速退火炉RTP-Table-6 为桌面式 6 英寸晶圆快速退火炉，使用上下两层红外卤素灯管作为热源加热，内部石英腔体保温隔热，腔体外壳为水冷铝合金，使得制品加热 均匀，且表面温度低。 RTP-Table-6 采用 PID 控制，系统能快速调节红外卤素灯管的输出功率，控温更加精准。产品优势◎双层红外卤素灯管加热，氮气快速降温◎自主研发灯管分组排布，使温度均匀性更好 ◎采用PID 算法控制，实时调节灯管功率输出 ◎软件主界面能实时显示气体、温度、真空度等参数◎自动识别错误信息，出现异常时设备自动保护

为优化政府采购营商环境，提升采购绩效，《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定要求各预算单位按采购项目公开采购意向，内容应包括采购项目名称、采购需求概况、预算金额、预计采购时间等。近两年来，各大高校、科研院所等纷纷在相关平台公布本单位政府采购意向。中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）是国内微电子领域学科方向布局最完整的综合研究与开发机构，是国家科技重大专项集成电路装备及工艺前瞻性研发牵头组织单位，是中国科学院大学微电子学院（国家示范性微电子学院）的依托单位，是中国科学院集成电路创新研究院的筹建依托单位。微电子所目前拥有2个基础研究类中国科学院重点实验室（微电子器件与集成技术重点实验室、硅器件技术重点实验室），5个行业服务类研发中心（EDA中心、集成电路先导技术研发中心、系统封装与集成研发中心、中科新芯三维存储器研发中心、光刻总体部），7个行业应用类研发中心（通信与信息工程研发中心、新能源汽车电子研发中心、健康电子研发中心、智能感知研发中心、智能制造电子研发中心、智能电子系统研发中心、电磁信息智能应用研究中心），4个核心产品类研发中心（硅器件与集成研发中心、高频高压器件与集成研发中心、微电子仪器设备研发中心、光电研发中心）。 微电子所与北京大学、清华大学、复旦大学等高校和武汉新芯、上海华力、华润微电子、北方微电子等企业结为战略合作伙伴，在北京、江苏、湖北、四川、广东、湖南等省市开展科技成果转移转化，在我国微电子领域拥有广泛的影响，为支撑我国微电子产业核心竞争力发挥了不可替代的重要作用。 成果的产出和人才的培养都离不开仪器的支持，微电子所每年都会投入一定的经费采购科学仪器，以建立具有国际先进水平的实验研究和测试平台。为方便仪器信息网用户及时了解仪器采购信息，本文特对微电子所2022年仪器设备类政府采购意向进行了整理汇总。共收集到21个采购项目，预算金额相加约1.5亿元，采购品目涉及示波器、探针台、ALD、键合机、清洗机、退火炉等多种仪器类型。中国科学院微电子所2022年政府采购意向汇总表序号采购项目名称采购品目预算金额(万元)预计采购日期项目详情15.7寸移动作业终端A021199-其他电子和通信测量仪器2003月详情链接2示波器A032199-其他电工、电子专用生产设备1343月详情链接3多通道高精度阻抗谱分析子系统A02100305-电子光学及离子光学仪器285.244月详情链接4直流-6GHz 多频段微弱电信号高性能分析测试平台A02100305-电子光学及离子光学仪器389.84月详情链接512英寸晶圆贴膜揭膜减薄一体机A032199-其他电工、电子专用生产设备12005月详情链接612英寸芯片至晶圆微米级混合键合一体机A032199-其他电工、电子专用生产设备49305月详情链接7PA-连续波/脉冲功率测试系统A02100305-电子光学及离子光学仪器4405月详情链接8精密电感耦合等离子刻蚀系统A032199-其他电工、电子专用生产设备3505月详情链接912吋晶圆底填机A032199-其他电工、电子专用生产设备1306月详情链接1012吋晶圆助焊剂清洗机A032199-其他电工、电子专用生产设备6006月详情链接1112英寸超薄晶圆划片机A032199-其他电工、电子专用生产设备1706月详情链接1212英寸晶圆化学机械抛光机A032199-其他电工、电子专用生产设备17006月详情链接1312英寸晶圆键合退火炉A032199-其他电工、电子专用生产设备2006月详情链接1412英寸晶圆清洗机A032199-其他电工、电子专用生产设备3006月详情链接15大功率快脉冲测试仪A032199-其他电工、电子专用生产设备215.236月详情链接16高精度靶点识别与成型设备A032199-其他电工、电子专用生产设备1406月详情链接17三维堆叠键合机A032199-其他电工、电子专用生产设备7006月详情链接18大功率高温探针台A032199-其他电工、电子专用生产设备250.37月详情链接19清洗设备研发A032199-其他电工、电子专用生产设备1257月详情链接20多场原位电子全息三维高分辨成像系统A02100305-电子光学及离子光学仪器163512月详情链接21多腔室新型高k金属栅ALD生长系统A032199-其他电工、电子专用生产设备85012月详情链接值得而注意的是，微电子所除了采购仪器设备外，还采购了总额超四千万的流片服务。在集成电路设计领域，“流片”指的是“试生产”，就是说设计完电路以后，先生产几片几十片，供测试用。如果测试通过，就照着这个样子开始大规模生产了。流片服务采购意向汇总序号采购项目名称采购品目预算金额(万元)预计采购日期项目详情1砷化镓流片和SOI流片加工C0908-其他专业技术服务8103月详情链接2流片加工C0908-其他专业技术服务1302月详情链接3新型存储器流片加工服务C0908-其他专业技术服务3003月详情链接4测试调试C0908-其他专业技术服务1205月详情链接5芯片流片C0908-其他专业技术服务1205月详情链接6小芯片加工制造C0908-其他专业技术服务1506月详情链接7芯片分析C0908-其他专业技术服务1506月详情链接8MPW投片费C0908-其他专业技术服务1707月详情链接9流片C0908-其他专业技术服务1957月详情链接10流片、制版C0908-其他专业技术服务1907月详情链接11流片、制版C0908-其他专业技术服务2557月详情链接12流片、制版C0908-其他专业技术服务50944743详情链接13封装加工服务C0908-其他专业技术服务25012月详情链接14流片费C0908-其他专业技术服务10012月详情链接15流片加工服务C0908-其他专业技术服务70012月详情链接

成立于2022年的华鑫微纳集成电路有限公司在安徽蚌埠正如火如荼的建设着8寸MEMS晶圆生产线，项目总投资高达50.6亿元，用于生产厂房、动力厂房、仓库等的建设，MEMS生产制造设备、公用设备等的采购，项目实施后将达到月产3万片晶圆的规模，在行业内颇具竞争力。就在近日，中国仪器进出口集团有限公司就华鑫微纳仪器采购发布相关招标信息。截至目前不完全统计，此次采购仪器设备数量达88台/套，种类达49种，涉及多个工艺段的建设，有显影机、金属刻蚀机等工艺设备，也有如套壳检测仪、膜厚检测仪等检测仪器，具体详情如下：序号采购项目数量招标状态截止时间项目详情0709-244035614017蒸发台3套招标中2024/5/30 9:30详情0664-2440SUMECF28/07匀喷一体机1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF18/01匀胶机2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF28/06原位掺杂多晶硅生长炉1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF20/02有机去胶湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/02氧化清洗湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/03压膜机1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/05线宽测试仪(非金属）3台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/06线宽测试仪1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/01显影机2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/04外延层厚度检测仪1台招标中2024/5/27 9:00详情07009-244035614005贴膜机2台招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF18/04套刻检测仪2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF28/04探针台5台招标中2024/6/3 10:00详情0709-244035614024台阶仪2套招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF20/01四探针测试仪3台招标中2024/5/27 9:00详情4197-2440HXWN0001/01刷片机3台 招标中2024/5/30 9:00详情0664-2440SUMECF18/03扫描电镜1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/05缺陷检测仪1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF28/07喷胶机1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF28/03膜厚检测仪2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/02硫酸去胶湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0709-244035614023离子束刻蚀机1套招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF28/02快速退火炉1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/06颗粒度检测仪5台招标中2024/6/7 10:00详情0709-244035614019金属溅射机3套招标中2024/5/30 9:30详情07009-244035614006揭膜机2台招标中2024/5/31 9:30详情0709-244035614016键合对准机1套招标中2024/5/31 9:30详情0709-244035614020减薄机2套招标中2024/5/29 9:30详情07009-244035614004化学机械抛光系统1台招标中2024/5/31 9:30详情0709-244035614025多靶溅射机1套招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF28/06低应力氮化硅生长炉1台招标中2024/6/3 10:00详情07009-244035614003大束流离子注入机1台招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF28/01剥离机1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF20/02标准清洗湿台2台招标中2024/5/27 9:00详情0709-244035614009UV固胶机1套招标中2024/5/30 9:30详情0664-2440SUMECF28/05PECVD2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/02BOE湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/02AOI设备4台招标中2024/5/27 9:00详情07009-244035614007氧化硅、氮化硅刻蚀机3套中标/详情07009-244035614015外延生长系统2套中标/详情07009-244035614022立式氧化炉2套中标/详情07009-244035614022立式退火炉2套中标/详情07009-244035614022立式合金炉1套中标/详情07009-244035614008金属刻蚀机1套中标/详情07009-244035614012多晶硅、硅刻蚀机1套中标/详情0709-244035614001电镀系统设备1套中标/详情07009-244035614011等离子去胶机5台中标/详情

日本ADVANCE RIKO公司从上世纪70年代到现在50多年来，专业从事“热学”相关技术和设备的研究开发，并一直走在相关领域的前端。其开发生产的设备受到钢铁，汽车相关企业与科研单位的广泛关注，新日本制铁，JSW日本制铁所，上海宝钢，北京科技大学等国内外知名企业和高校均是其设备的用户。2017年下旬，Quantum Design中国子公司将日本ADVANCE RIKO公司的新先进热处理技术设备引进中国。连续退火实验与模拟系统 日本ADVANCE RIKO公司提供连续退火实验与模拟系统CAS-AYⅡ。这套系统可以地实现钢铁材料热处理过程的模拟，可以对钢板,不锈钢板,和磁性钢板等进行通用热处理实验以及热处理模拟。CAS-AYⅡ可以实现样品加热和冷却温度控制；钢板表面良好的温度均匀性；使用立的冷却腔实现急速冷却。CAS-AYⅡ可以用于薄钢板连续退火模拟实验；在各种气氛下退火实验，表面处理实验；在钢板时效过程中的热处理。超高温高速退火炉日本ADVANCE RIKO公司提供超高温高速退火炉。这个桌面型超高温高速退火炉的大功率点聚焦加热以及超高的反射效率可以在10s 内将15mm×15mm 的试样加热到1800℃，可以同时搭载水淬系统实现对金属材料的快速加热和热后急冷。红外线灯加热法可实现清洁加热，减少灰尘和气体的生成。可以运用于SiC氧化膜的生成和激活；可以作为热处理炉对高熔点材料进行热处理；也可以作为局部热处理冲击炉来使用。

7月8日，科晶联盟携全套材料样品制备和分析产品亮相2021年中国材料大会。“中国材料大会”是中国材料研究学会的最重要的系列会议，去年由于疫情取消，今年材料大会的参会人数再攀新高，总人数超过了12000人，可谓是材料界在2020年疫情过后的一场盛会。科晶联盟由深圳科晶、合肥科晶、沈阳科晶三家公司组成。在这场时隔两年的盛会中，科晶联盟全面展示了材料制备和加工设备产品线的多个型号产品，覆盖了混料球磨、压片、烧结、熔炼、切割、磨抛、清洗、镀膜、电池研究设备。双罐高速三维摆震球磨机曲线金刚石线切割机小型5英寸快速退火炉本次展会，科晶也带来了一些新品。最新的小型桌面曲线切割机可以实现各种异形切割。用户可在计算机上画成各种图形，设备即可根据图形加工。振动抛光机可用于消除抛光之后的表面应力，做一些测试。最新的20000转旋涂仪可用于溶胶凝胶法制备薄膜。此外，科晶还展出了最新的CMP（化学机械抛光机）。16工位高通量电动无油压机（左）和8通道管式炉（右）此外，科晶与上海大学材料基因组工程研究院联合研发了全流程高通量合金制备与表征系统。据介绍，这是国际和国内首套全流程块体合金高通量制备和表征设备，包括十余种配料、混料、压制、熔炼、热处理、成分分析、硬度测试等覆盖各工序的材料制备和表征设备，以及高通量线切割、镶嵌和研磨抛光等制样设备，整体实验效率可提高10-20倍以上。该高通量材料制备与表征设备已在上海大学、鞍钢北京研究院等高校和企业投入使用，助力低成本加速材料研发。高温蠕变测试仪除了材料样品制备外，目前科晶也涉足材料分析测试领域。科晶开发了高温蠕变剪切应力测试仪，可针对金属或陶瓷材料在高温下对其进行拉伸蠕变剪切测试，分析材料的力学性能。这款产品具有小型化和高温的特点，可升温到1350℃，升降温速率可设定。目前，科晶已经开发出硬度测试、X射线荧光光谱分析、热重分析等产品。据介绍，科晶不仅是一家立足新材料研发的仪器设备公司，也是一家晶体材料和靶材公司。科晶产品应用到先进关键战略材料如3D打印材料、石墨烯，超导材料、新型能源材料、新一代生物医用材料、电子陶瓷和人工晶体、稀土功能材料、先进半导体材料以及现代航空、高铁、汽车等交通业用的高温合金、轻合金材料，科晶始终重视研发，不断推陈出新，以半导体行业为例，产品包括半导体材料、清洗、退火、晶体生长设备。

第十三届中美华人纳米论坛将于2018年6月29日-7月3日在成都环球中心天堂洲际大饭店举行。届时，嘉仪通将携手成都办事处——嘉瑞通科技，以及合作伙伴——颐光科技共同参加此次会议，并现场展示嘉仪通测试薄膜材料Seebeck系数和电阻率的“薄膜热电参数测试系统”以及用于多种材料的快速热处理的“红外退火炉”，我们热诚欢迎各界同仁莅临嘉仪通展位参观指导。 大会详情中美华人纳米论坛自2006年创办以来受到海内外广泛关注，影响力迅速扩大，被誉为“华人纳米年度顶级盛会”。本届论坛由西南交通大学和四川大学联合承办，主题为“纳米科学及前沿技术”。会议内容此次会议将国绕纳米创制与功能、纳米能源与环境纳米生物与医学、纳米材料及表征等议题开展学术交流；同时，安排纳米医疗应用、纳米能源和环境、量子点与钙钛矿等专题讨论和墙报展示。会议信息论坛时间：2018年6月29日-7月3日论坛地址：成都环球中心天堂洲际大饭店主办单位：中美华人纳米论坛组受会承办单位：西南交通大学、四川大学【薄膜热电参数测试系统】和【红外退火炉】【薄膜热电参数测试系统】：l薄膜热电参数测试系统MRS-3 ，专门针对薄膜材料的Seebeck系数和电阻率测量，采用动态法测量Seebeck系数,避免了静态测量在温差测量上的系统误差,采用四线法测量电阻率，测量更准确便捷。【红外退火炉】：红外退火炉IRLA-1200，采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，24秒内仪器可快速升温至1150℃,升温速率最快可达50℃/s，控温精度可达±0.1℃，可实现样品快速升温和退火，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。

中国真空学会2018学术年会，即将于北京时间8月16-19日在东北师范大学（长春）举办。武汉嘉仪通科技有限公司作为会员单位及薄膜物理性能分析领域的领跑者，受邀参加此次盛会。嘉仪通科技将在会议现场，为大家展示红外退火炉、便携式Seebeck系数测试仪PTM-3等多款自主研发的系列产品。届时，我们热诚欢迎各界同仁莅临嘉仪通展位参观指导！大会详情 每两年举办一届的中国真空学会学术年会是中国真空学会重要的学术交流品牌。中国真空学会（Chinese Vacuum Society， CVS）是一个全国性的学术组织，成立于1979年10月。学会是由来自真空科学与技术领域，分布于各大、专院校、研究所和公司企业的科学家、工程师和技术人员组成。学会已发展成拥有12个地方真空学会、约250个团体会员和5000多个个人会员的组织。学会为科学研究者之间的学术交流和企业界之间的技术转让提供了重要的论坛。会议信息会议时间：2018年8月16日-8月19日会议地址：长春东北师范大学主办单位：中国真空学会承办单位：紫外光发射材料与技术教育部重点实验室（东北师范大学）会议日程日期时间内容8月16日全天会议报到8月16日晚上中国真空学会第八届五次理事会8月17日上午开幕式、颁发“成就奖”、“创新奖”、大会特邀报告下午分会场学术报告8月18日上午分会场学术报告下午分会场学术报告8月19日上午 闭幕式、颁发“最佳张贴报告奖”、大会特邀报告 【便携式泽贝克系数测试仪】【便携式泽贝克系数测试仪】：便携式泽贝克系数测试仪PTM 是一款测试热电材料Seebeck系数（常温）的专业仪器。该仪器可用于快速测试薄膜、块体、纤维等不同形态热电材料的Seebeck系数，为热电材料科研及产业化提供更专业便携的测试新选择。【红外退火炉】【红外退火炉】：红外退火炉IRLA-1200，采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，24秒内仪器可快速升温至1150℃,升温速率最快可达50℃/s，控温精度可达±0.1℃，可实现样品快速升温和退火，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。

2020年12月29日，华为数字能源产品线产业暨技术论坛在深圳成功召开，其中在30日的车载电源分论坛 “聚力高压化发展，共擎电动化未来”，吸引了新能源汽车行业上百位技术专家、企业代表、生态伙伴的参与。论坛上来自于行业组织、桩企头部企业、车企等代表就高压快充的发展趋势和未来机遇进行了较为深入的探讨。会议上，华为车载电源产品线总裁王超介绍了中国新能源汽车的超级快充趋势，并表示，预计2024年左右，基于1200V和1700V碳化硅器件的成熟，会帮助产业在7.5分钟快充体验上实现质的飞跃。碳化硅为第三代半导体的主要代表之一，拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率等显著的性能优势，在电动汽车、电源、军工、航天等领域备受欢迎，为众多产业发展打开了全新的应用可能性，被行业寄予厚望。那么，碳化硅究竟是何方神圣呢？性质优良的碳化硅材料碳化硅（SiC）又叫金刚砂，密度是3.2g/cm 3 ，天然碳化硅非常罕见，主要通过人工合成。按晶体结构的不同分类，碳化硅可分为两大类：αSiC和βSiC。在热力学方面，碳化硅硬度在20℃时高达莫氏9.2-9.3，是最硬的物质之一，可以用于切割红宝石；导热率超过金属铜，是Si的3倍、GaAs的8-10倍，且其热稳定性高，在常压下不可能被熔化；在电化学方面，碳化硅具有宽禁带、耐击穿的特点，其禁带宽度是Si的3倍，击穿电场为Si的10倍；且其耐腐蚀性极强，在常温下可以免疫目前已知的所有腐蚀剂。随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，碳化硅单晶抛光片产量在快速增长。碳化硅（SiC）作为发展最为成熟的第三代半导体，是半导体界公认的“一种未来的材料”，是发展第三代半导体产业的关键基础材料。预计在今后 5～10 年将会快速发展和有显著成果出现。碳化硅具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射性能的优点，可以突破硅作为基片的半导体器件性能和能力极限，是电力电子及微波射频器件的“CPU”、绿色经济的“核芯”，在新一代移动通信 、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。碳化硅制备产业链宽禁带半导体晶片和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，大致可分为以下几个阶段：晶体生长、晶片加工、器件制备（包括有源层制备、欧姆接触、钝化层沉积等工艺段）、器件封装等。具体的碳化硅功率器件生产过程如下，1.碳化硅高纯粉料合成碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料，其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。碳化硅粉料有多种合成方式，主要有固相法、液相法和气相法3种。其中，固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法；液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法；气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法等。2.单晶衬底制备单晶衬底是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长基片。生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。目前，SiC单晶生长方法有物理气相传输法（PVT法）、液相法（LPE法）、高温化学气相沉积法（HTCVD法）等。3.外延片生长碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。目前，碳化硅单晶衬底上的SiC薄膜制备主要有化学气相淀积法（CVD）、液相法（LPE）、升华法、溅射法、MBE法等多种方法。4.功率器件制造采用碳化硅材料制造的宽禁带功率器件，具有耐高温、高频、高效的特性。按照器件工作形式，SiC功率器件主要包括功率二极管和功率开关管。SiC功率器件与硅基功率器件一样，均采用微电子工艺加工而成。碳化硅产业链设备半导体制造离不开半导体设备，碳化硅产业链更是如此，其涉及的设备种类繁多。碳化硅的很多工艺段设备可以与硅基半导体工艺兼容，但由于宽禁带半导体材料熔点较高、硬度较大、热导率较高、键能较强的特殊性质，使得部分工艺段需要使用专用设备、部分需要在硅设备基础上加以改进。相关工艺及半导体制造设备如下，环节设备晶体生长碳化硅粉料合成设备碳化硅单晶生长炉晶体加工碳化硅多线切割机碳化硅研磨机碳化硅抛光机器件制备碳化硅外延炉分步投影光刻机涂胶显影机高温退火炉高温离子注入机溅射设备干法刻蚀机PECVDMOCVD高温氧化炉激光退火设备器件封装背面减薄机划片机国内碳化硅产业链企业目前整个碳化硅产业尚未进入成熟期，但国际厂商已实现多个环节规模量产技术瓶颈的突破，并已摩拳擦掌、即将掀起一场大战，而国内碳化硅产业仍处于起步阶段，与国际水平仍存在差距。不过，近年来国内已初步建立起相对完整的碳化硅产业链体系，IDM厂商中车时代电气、世纪金光、泰科天润、扬杰电子等，单晶衬底企业山东天岳、天科合达、同光晶体等，外延片企业天域半导体、瀚天天成等，部分厂商已取得阶段性进展。单晶衬底方面，目前国内可实现4英寸衬底的商业化生产，山东天岳、天科合达、同光晶体均已完成6英寸衬底的研发，中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。外延片方面，国内瀚天天成和天域半导体均可供应4-6英寸外延片，中电科13所、55所亦均有内部供应的外延片生产部门。器件方面，国内600-3300 V SiC SBD已开始批量应用，有企业研发出1200V/50A SiC MOSFET；泰科天润已建成国内第一条碳化硅器件生产线，SBD产品覆盖600V-3300V的电压范围；中车时代电气的6英寸碳化硅生产线也于今年1月首批芯片试制成功。模块方面，国内已开发出1200V/50-400A全SiC功率模块、600-1200V/100-600A混合SiC功率模块；今年9月18日，厦门芯光润泽国内首条碳化硅 IPM产线正式投产。碳化硅功率器件应用领域碳化硅功率器件不仅能够在直流、交流输电，不间断电源，工业电机等传统工业领域广泛应用，而且在新能源汽车、太阳能光伏、风力发电等领域具有广阔的潜在市场。碳化硅功率器件应用领域可以按电压划分：低压应用（600 V至1.2kV）：高端消费领域（如游戏控制台、等离子和液晶电视等）、商业应用领域（如笔记本电脑、固态照明、智能手机、电子镇流器等）以及其他领域（如医疗、电信、国防等）中压应用（1.2kV至1.7kV）：电动汽车/混合电动汽车（EV/HEV）、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动（交流驱动AC Drive）等。高压应用（2.5kV、3.3kV、4.5kV和6.5kV以上）：风力发电、机车牵引、高压/特高压输变电等。由于能源和环境问题日益凸显，节能环保和低碳发展逐渐成为全球共识。降低能耗、提高能源使用效率是当今世界各国节能减排的重大举措。以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料及功率器件被公认将成为电子电力应用的一次革命，受到世界各国政府与产业界的广泛关注和高度重视，将成为增长潜力巨大的战略性产业。碳化硅的检测碳化硅功率器件的生产离不开检测，只有通过对各个生产环节的检测才能不断提高良率和工艺水平。碳化硅的检测主要包括衬底检测、外延片检测、器件工艺、点穴参数、可靠性分析和失效分析。检测环节检测项目衬底检测抛光片几何尺寸、平整度、缺陷、位错、粗糙度、电阻率、金属沾污、有机污染物、显微结构观察、透射电镜、SIMS杂质成分分析外延片检测外延层厚度、成分、杂质、表面缺陷、位错、电阻率、金属沾污、SRP工艺等器件工艺Stepper曝光、掩模版制备、高能离子注入、氢离子注入、ICP干法刻蚀、A及Ti金属镀膜、介质膜钝化及刻蚀、激光退火、高温退火、SiC背面减薄、激光打标、晶圆测试电学参数静态、动态、反向、热阻、雪崩参数、 Data Sheet测试可靠性分析高温贮存、高温反偏、高温栅偏、机械振动、冲击、气密性试验、三综合试验箱等相关试验等失效分析样品制备、X-Ray、热点分析、IV- Curve、EMMI＆ OBRICH、FIB、红外热像、SAM等碳化硅相关标准无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范碳化硅半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下碳化硅标准只统计其作为半导体材料的现行相关标准）合计35项标准，其中国标7项，地方标准2项，联盟标准20项和行业标准6项。标准号标准名称T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法——共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 001—2017碳化硅单晶T/IAWBS 002—2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 003—2017碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法T/IAWBS 004—2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 005—20186 英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 006—2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 007—20184H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/CASA001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范T/CASA003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片T/CASA004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语T/CASA004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱T/CASA009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/CASA006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范T/CASA007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范SJ/T 11499-2015碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法SJ/T 11504-2015碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015碳化硅单晶抛光片规范SJ/T 11501-2015碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法DB13/T 5118-20194H 碳化硅 N 型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法GB/T 30867-2014碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法GB/T 10195.1-1997电子设备用压敏电阻器 第2部分:空白详细规范 碳化硅浪涌抑制型压敏电阻器 评定水平E值得注意的是，目前新的《碳化硅单晶抛光片》国家标准正在征求意见，以替代GB/T 30656-2014标准，届时将有一批新的标准出台。国内碳化硅研究现状国内碳化硅半导体材料与国外企业的技术水平相差较大，但与前两代半导体技术不同，国内不少专家认为我国有望在以碳化硅为代表的第三代半导体领域实现弯道超车。《中国制造2025》和“十三五规划”也明确将碳化硅行业定位为重点支持行业。国家电网、中国中车、比亚迪、华为等国内企业也在加大针对碳化硅在智能电网、轨道交通、电动汽车、手机通信芯片等领域应用的投资。国内SiC单晶的研究始发于2000年，主要研究单位有中科院物理研究所、山东大学、中科院上海硅酸盐研究所、中电集团46所等。以相关的技术为基础，能批量生产单晶衬底的公司包括北京天科合达、山东天岳、河北同光等。目前，国内已经生产出6英寸SiC单晶，微管密度和国际产品相当，一定程度上可满足国内半导体器件制备的需求，但我国SiC单晶衬底质量与国际先进水平相比还存在巨大差距。SiC外延材料研发工作开始于“九五计划”，材料生长技术及器件研究均取得较大进展。主要研究单位有中科院半导体研究所、中电集团13所和55所、西安电子科技大学等，产业化公司主要是东莞天域和厦门瀚天天成。目前我国已研制成功6英寸SiC外延晶片，且基本实现商业化。可以满足3.3kV及以下电压等级SiC电力电子器件的研制。不过，还不能满足研制10kV及以上电压等级器件和研制双极型器件的需求。国内近年来西安理工大学、西安电子科技大学微电子所、中科院半导体所、上海硅酸盐所等单位一直坚持不懈进行碳化硅材料及其器件的研究，但从市场上市产品来看，多数为SiC肖特基二极管、其参数大致范围为：击穿电压为600V、1200V、1700V等级别。学术论文一定程度上可以反映出各高校的研究方向和研究水平，以中国知网的相关论文为参考，可以间接反映出国内碳化硅的研发情况。分别以主题为【碳化硅AND功率器件】、【碳化硅AND半导体】以及【碳化硅AND半导体】进行检索，结果如下，知网检索：主题=碳化硅AND主题=功率器件知网检索：主题=碳化硅AND主题=功率半导体知网检索主题=碳化硅AND主题=半导体从结果来看，西安电子科技大学、电子科技大学和浙江大学遥遥领先，在碳化硅研究领域，成果较多。SiC目前存在的问题尽管碳化硅功率器件应用前景广阔，但是目前受限于价格过高等因素，迄今为止，市场规模并不大，应用范围并不广，主要集中于光伏、电源等领域。在碳化硅单晶材料领域，存在大尺寸碳化硅单晶衬底制备技术仍不成熟；缺乏更高效的碳化硅单晶衬底加工技术；P型衬底技术的研发较为滞后等问题。在碳化硅外延材料领域，还有N型碳化硅外延生长技术有待进一步提高、P型碳化硅外延技术仍不成熟等问题亟待解决。在碳化硅器件应用领域，存在驱动技术尚不成熟；保护技术尚不完善；电路应用开关模型尚不能全面反映碳化硅功率器件的开关特性，尚不能对碳化硅器件的电路拓扑仿真设计提供准确的指导；电磁兼容问题尚未完全解决；电路拓扑尚不够优化等问题。在碳化硅功率模块领域，存在采用多芯片并联的碳化硅功率模块产生较严重的电磁干扰和额外损耗；在焊接、引线、基板、散热等方面的创新不足，功率模块杂散参数较大，可靠性不高；碳化硅功率高温封装技术发展滞后等问题。整体而言，碳化硅作为半导体材料的研发和应用尚处于发展状态，还有许多不足之处。SiC的可能替代材料虽然碳化硅受到的关注度越来越高，在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用，但却并不是终点。以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料（禁带宽度＞4.5 e V）的研究和应用，近年来不断获得技术的突破，未来有望打造具有更优异性能的功率器件，取代目前碳化硅的地位。氧化镓（Ga2O3）是一种新兴的功率半导体材料，其禁带宽度（4.9eV）大于碳化硅（约3.4eV），在高功率应用领域的应用优势愈加明显。尽管Ga2O3半导体材料具有良好的射频性能以及高功率等许多优势，但同时还具有很多需要克服的障碍。Ga2O3的导热率很低，这在高功率密度应用中尤为凸显。Ga2O3存在的另一个缺点就是缺乏p型掺杂机制，从理论上看，这可能会是一个影响其应用的根本问题。金刚石具有高硬度、超宽带隙、出色的载流子迁移率和优异的导热性能，是实现“后摩尔”时代电子、光电子和量子芯片的基础性材料之一，已是业界公认的“终极”半导体材料。具有如此多优良性能的半导体材料目前正成为国际竞争的新热点。近日，哈尔滨工业大学与香港城市大学、麻省理工学院等单位合作，在金刚石单晶领域取得重大科研突破，首次通过纳米力学新方法，通过超大均匀的弹性应变调控，从根本上改变金刚石的能带结构，为实现下一代金刚石基微电子芯片提供了一种全新的方法。

3月5日，北方华创在互动平台表示，公司半导体设备均为100%自主研发，零部件来自全球供应商。作为A股半导体设备龙头，北方华创的主要产品包括集成电路刻蚀机、PVD、CVD、ALD、清洗机、立式炉、外延炉等，上述设备在先进工艺验证方面取得阶段性成果，部分工艺完成验证；成熟工艺设备在新工艺拓展方面继续突破，新工艺应用产品相继进入客户产线验证或量产，不断收获重复采购订单；光伏单晶炉、负压扩散炉、PECVD大尺寸、大产能产品相继研发完成，推向市场，受下游客户需求拉动，光伏设备业务实现快速增长；碳化硅（SiC）长晶炉、刻蚀机、PVD、PECVD等第三代半导体设备均已开始批量供应市场。受益产品线多路并举，北方华创去年也取得了可观的业绩。根据北方华创发布的2020年业绩预告，归属上市公司股东的净利润为4.6亿元-5.8亿元，同比增长48.85%-87.68%。北方华创表示，2020 年度，公司主营业务下游客户需求旺盛，同时公司积极应对新冠肺炎疫情影响及时复工复产，使公司生产运营及订单交付得以正常进行。随着北方华创经营业绩持续向好，其也在不断地扩大竞争优势和产能。据了解，北方华创高端集成电路装备研发及产业化项目在春节期间不停工，该项目预计今年6月初全部竣工，建设完成后，将具备年产刻蚀机、PVD、退火炉、立式炉、清洗机等设备150台以上的能力。

日前，江苏省计量院三项计量标准装置获得国家质检总局2013年食品质量安全检(监)测能力提升专项批复，该院将以此为契机开展食品质量安全量值溯源研究，为食品安全把好仪器设备控制关。 　　据了解，列入国家质检总局2013年食品质量安全检(监)测能力提升专项的三项计量标准装置，主要包含7套仪器设备，分别是自动热释光读出仪、程序退火炉、全自动气体活塞式压力计((7~70)MPa，0.0035级、(0.1~2.5)MPa，0.005级)、汞三相点(含支架)、低温槽、氩三相点复现装置。其中，自动热释光读出仪和程序退火炉用于用于食品辐射加工的质量控制设备热释光剂量计的检定。全自动气体活塞式压力计用于食品安全领域中高压、高温灭菌检测设备的量值溯源，实现同步校准，确保量值准确。汞三相点(含支架)、低温槽、氩三相点复现装置用于低温段温度检测仪表的温度测量和量值溯源，为食品监控提供解决方案。

德国Thermconcept马弗炉携手德祥首次亮相BCEIA 由中国分析测试协会主办，中华人民共和国科学技术部批准的第十三届北京分析测试学术报告会暨展览会(BCEIA2009)于2009年11月25日至28日在北京展览馆隆重举行. 德祥科技代理的德国Thermconcept马弗炉产品在2009 BCEIA展会上首次精彩亮相。 图一: 德国Thermconcept KL05/11型马弗炉 德国Thermconcept公司总部设在德国不莱梅, 拥有丰富的研发、设计和生产的各种马弗炉和加热炉系统的经验，加热炉的温度范围从50℃到2000℃，体积从3L-130L, 尺寸多样, 产品种类丰富, 能够满足绝大多数用户的应用需求, 德国Thermconcept公司还能根据客户的特殊应用定制解决方案. 全线产品包括: 实验室通用型马弗炉, 管式炉, 高温箱式炉, 高温管式炉, 高温干燥箱, 退火炉, 升降炉, 干燥箱, 真空干燥箱等. 德祥科技作为国内科学仪器行业的领导供应商，专注服务于生命科学、工业、制药、政府、教育、石化、电子以及商业实验室等众多领域。作为德国Thermconcept中国区总代理，德祥科技将一如既往地为广大客户提供*产品和服务。 更多后续报道及产品信息，敬请关注www.tegent.com.cn 客服热线：4008 822 822

为贯彻落实《工业转型升级规划(2011-2015年)》和《信息产业“十二五”发展规划》，促进电子信息制造业增强核心竞争力，提升发展质量效益，工业和信息化部制定了《电子信息制造业“十二五”发展规划》。《规划》包含《电子基础材料和关键元器件“十二五”规划》、《电子专用设备仪器“十二五”规划》和《数字电视与数字家庭产业“十二五”规划》3个子规划。 　　附件： 　　1、电子信息制造业“十二五”发展规划 　　2、子规划1：电子基础材料和关键元器件“十二五”规划 　　3、子规划2：电子专用设备仪器“十二五”规划 　　4、子规划3：数字电视与数字家庭产业“十二五”规划 　　其中关于《电子专用设备仪器“十二五”规划》的详细内容如下： 　　目 录 　　前 言 1 　　一、“十一五”产业发展回顾 1 　　(一)产业规模持续稳定增长 1 　　(二)重点产业领域取得较大成绩 2 　　(三)电子仪器产业结构调整初见成效 3 　　(四)产业自主创新能力不断提升 3 　　(五)产业链整合进程日益加速 4 　　(六)产业扶持政策逐步完善 4 　　二、“十二五”面临的形势 5 　　(一)产业发展形势分析 5 　　(二)技术发展趋势分析 6 　　(三)面临的环境条件 7 　　三、发展思路和发展目标 7 　　(一)发展思路 7 　　(二)发展目标 8 　　1、经济指标 8 　　2、创新指标 8 　　四、主要任务和发展重点 9 　　(一)主要任务 9 　　1、围绕战略性新兴产业，提升配套能力 9 　　2、加强基础能力建设，提升产业整体水平 9 　　3、以重大专项实施为契机，加强产业互动 9 　　(二)发展重点 10 　　1、集成电路生产设备 10 　　2、太阳能电池生产设备 11 　　3、新型元器件生产设备 13 　　4、通信与网络测试仪器 14 　　5、半导体和集成电路测试仪器 15 　　6、数字电视测试仪器 15 　　五、政策措施 15 　　(一)加强战略引导，完善产业政策 15 　　(二)加大投入力度，支持自主创新 15 　　(三)提升产品可靠性，加强服务能力建设 16 　　(四)引导专项成果辐射，推动技术应用扩展 16 　　(五)重视人才战略，集聚高端人才 16 　　前 言 　　电子专用设备产业是重大装备制造业的重要分支，是知识、技术、资本高度密集型产业，处于电子信息产业链最高端，其基础性强、关联度高、技术难度大、进入门槛高，决定着一个国家或地区电子信息产品制造业的整体水平，也是电子信息产业综合实力的重要标志。 　　电子仪器产业是电子信息产业重要的基础性产业，具有高投入、多品种、小批量、更新换代快的特点，在国民经济总产值中的占比不高，但对经济发展的“杠杆”和“倍增”作用却十分巨大。 　　为推动电子专用设备仪器产业持续发展，缩小与国际同类产品的差距，根据《工业转型升级“十二五”规划》、《信息产业“十二五”发展规划》和《电子信息制造业“十二五”发展规划》，制定本规划。 　　本规划涉及电子专用设备和电子仪器两大行业，是“十二五”期间我国电子专用设备仪器产业发展的指导性文件和加强行业管理、组织实施重大工程的依据。 　　一、“十一五”产业发展回顾 　　(一)产业规模持续稳定增长 　　我国电子专用设备仪器产业在“十一五”期间保持了较高的增速，虽然期间受全球金融危机影响，2008年下半年至2009年上半年呈现出下滑态势，但在国内多项政策激励下，随着世界经济逐步回暖，电子专用设备仪器业企稳回升，实现了生产、销售和经济效益总体平稳增长的态势。 　　据统计，“十一五”期间我国电子专用设备销售收入年均增长率为20%，从2005年的783亿元增长到超过1987亿元，电子专用设备工业协会统计的行业骨干企业年均增长率为25%，从52.7亿元增长到160.6亿元。统计数据表明，“十一五”期间我国电子仪器规模以上企业年均增长19%，到“十一五”末实现销售收入940亿元。五年间，电子专用设备仪器产品中太阳能光伏设备以及元器件参数测量仪器、超低频测量仪器等保持了较大幅度的增长。 　　(二)重点产业领域取得较大成绩 　　“十一五”期间，国家科技重大专项围绕光刻机、刻蚀机、65纳米制造工艺、先进封装设备等重点任务，集中资源重点投入，取得很大进展。北方微电子及上海中微公司2种12英寸65纳米刻蚀机产品样机已进入大生产线进行考核验证 上海微电子公司封装光刻机已进入长电科技(600584)考核测试 七星华创12英寸氧化炉已进入大线测试 中科信12英寸离子注入机已完成3台样机组装，正在进行测试。多种12英寸关键设备陆续进入大生产线考核验证，标志着我国集成电路设备产业已初步形成产业化发展态势。 　　“十一五”期间新兴产业的发展，为电子专用设备产业带来了良好的发展契机。尤其是我国晶硅太阳能电池设备年均增长率达到58%，基本具备了从晶体硅到太阳能电池片的成套生产线设备供应能力，为我国光伏产业的发展提供了有力保障。晶硅太阳能设备爆发式增长，为电子专用设备产业实现“十一五”规划目标提供了有力支撑。 　　(三)电子仪器产业结构调整初见成效 　　电子仪器产业根据市场应用需求的变化，不断调整结构，产品种类日益丰富。针对多功能、多参数的复合测试需求，测试设备从单台仪器向大型测试系统形式迈进 电子测量仪器向模块化和合成仪器方向发展 野外工程应用需求不断促进测试仪器向便携式和手持式升级 新型的实时频谱分析仪开始推向市场 3G、数字电视等民用领域专业测试仪器新品不断涌现。 　　(四)产业自主创新能力不断提升 　　“十一五”以来，电子专用设备仪器行业内主要企业通过引进国内外的高科技人才，加强与高校、科研单位的合作，在关键设备和开发中规避已有的国外专利，开发出一批技术含量高、性能稳定、具有自主知识产权的产品，初步建立起了以企业为主体的技术创新体系。 　　在国家“863”计划、国家科技重大专项的支持下，一批具有自主知识产权的集成电路设备进入了大生产线。我国的无铅焊接设备达到了国际先进水平，成为我国表面贴装设备市场中最具竞争力的产品。电子仪器行业的本土企业逐步进入自主研发阶段，初步掌握核心和高端仪器技术，能够为国家重大工程提供大部分配套电子仪器。在部分特种电子仪器产品方面打破了国外禁运和技术封锁，为重点装备的技术保障和研制建设提供了有力支撑。 　　(五)产业链整合进程日益加速 　　在国家科技重大专项引导下，以龙头企业为核心的产业链整合进程持续加速。北方微电子、上海中微、七星华创等整机企业与北京科仪、沈阳科仪、沈阳新松等零部件企业围绕刻蚀机、注入机、氧化炉等高端芯片制造装备与关键部件进行联合攻关 江苏长电、南通富士通等国内封装龙头企业联合26家企业开展成套封装设备与配套材料的系统应用工程。按照上下游配套的“项目群”方式，系统部署实施重大专项，有力促进集成电路产业链的建立、产业规模的增长和综合配套能力的形成。 　　(六)产业扶持政策逐步完善 　　《国务院关于加快振兴装备制造业的若干意见》将集成电路关键设备、新型平板显示器件生产设备、电子元器件生产设备、无铅工艺的整机装联设备列入了国家重大技术装备中，加大政策支持和引导力度，鼓励本土重大技术装备订购和使用，为产业发展创造了有利的市场环境。“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项的实施，有力带动了我国电子专用设备仪器技术提升。 　　“十一五”期间我国电子专用设备仪器行业取得较大成绩，但仍存在突出问题：产业规模偏小，本土企业实力不强 自主创新能力有待提高，高端设备开发相对落后 部分产品性价比虽高，但可靠性较差，市场占有率低 设备开发与产品制造工艺脱离，影响了技术成果产业化的进程 高水平、复合型人才缺乏。 　　二、“十二五”面临的形势 　　“十二五”期间，随着政策环境的不断完善、战略性新兴产业的快速发展，国际国内市场迅速增长、新兴增长点不断涌现、应用领域进一步拓宽，为我国电子专用设备仪器产业发展提供了广阔的空间和坚实的政策支持。但全球经济形势存在不确定性、国产设备仪器的推广应用难度加大，也使产业发展面临较大挑战。 　　(一)产业发展形势分析 　　2010年全球半导体制造设备销售总额达到395.4亿美元，恢复到历史最高水平。各个地区的设备支出都呈现了两位数甚至三位数百分比的增长，增长最快的是中国大陆和韩国。2010年中国内地半导体设备市场为22.4亿美元，预计2011年为26.4亿美元。按此增长率推算，到2015年，我国半导体设备市场规模将达到300亿元人民币。 　　2010年，全球光伏生产设备销售额比上年增长40%，达到104亿美元，预计2011年将达到124亿美元，同比增长24%。从区域市场来看，2010年中国大陆地区占全球市场51%的份额，预计未来5年还将继续保持这一较高比例。据此，可以判断到2015年我国光伏设备将继续保有巨大市场空间。 　　新能源汽车用锂离子动力电池、高性能驱动永磁式同步电机、金属化超薄膜电力电容器等新型电子元器件生产设备将成为我国电子专用设备市场新的增长点。 　　多学科交汇为电子仪器开辟了新的发展空间，物联网技术发展和三网融合对电子仪器提出新的测试需求，预计上述领域的电子仪器以及环境保护测试仪器和医疗电子仪器会面临大发展。 　　(二)技术发展趋势分析 　　集成电路技术发展将继续遵循“摩尔定律”，制造工艺水平的提升对相应制造设备提出了新的挑战。不仅是特征尺寸的缩小和套刻精度的提高等技术指标的改进，而且需要更高的生产效率和更低的用户拥有成本等经济指标的提升。不仅仅局限于集成电路的制造设备，太阳能电池制造设备、平板显示设备、整机装联设备等设备功能和性能的提升也将符合这一发展趋势。 　　电子仪器向宽频带、大实时带宽、大功率、高精度、高密度、高速方向发展 将广泛采用新型元器件，与信息技术和计算机技术融为一体，向智能化、系统化、模块化、网络化、开放式、可重构、微型化、抗恶劣环境、测量功能集成集约化方向迈进。 　　(三)面临的环境条件 　　“十二五”期间，随着我国继续加快发展战略新兴产业，加大对“极大规模集成电路装备制造技术及成套工艺”、“新一代宽带无线移动通信网”等重大科技专项的支持，新能源、新材料等新兴产业的发展以及量大面广的电子元器件的需求，将为电子专用设备仪器企业的进一步发展创造良好的发展机遇。 　　同时，产业也面临着制造企业对于采购本地设备仪器的积极性不高，在采购本土设备时需要面对工艺与设备的融合，新工艺开发缺乏技术支持等一系列问题。 　　为本地开发的专用设备仪器提供良好的市场销售环境和政策支持，进一步降低国产设备仪器的使用成本，提升本土产品的配套率，提升本土产品的竞争优势，提振用户对国产设备仪器信心，是“十二五”期间需重点关注和解决的问题。 　　三、发展思路和发展目标 　　(一)发展思路 　　深入贯彻落实科学发展观，充分发挥重大科技专项、战略性新兴产业发展的引领作用，推动形成以企业为主体、产学研用结合的技术创新体系 以市场亟需的、带动性较显著的电子专用设备、电子测量仪器为重点，集中力量重点突破，开发满足国家重大战略需求、具有市场竞争力的关键产品，批量进入生产线，提升市场自给率 以承担重大专项为契机，形成一批自主知识产权核心技术，扶植起一批电子专用设备仪器重点企业。 　　(二)发展目标 　　1、经济指标 　　“十二五”时期，我国电子专用设备产业将实现17%的年均增长速度，其中骨干企业年均增长20%，到2015年实现销售收入400亿元 电子仪器产业年均增长速度达15%，到2015年实现销售收入达到1800亿元。 　　2、创新指标 　　12英寸65纳米集成电路制造装备实现产业化，研发成功45纳米-32纳米制造装备整机产品并进入生产线应用。在若干技术领域形成具有特色的创新技术和创新产品，大幅提升创新实力和差异化竞争能力。研发出8-10种前道核心装备、12-15种先进封装关键设备并形成批量生产能力。 　　缩小我国集成电路设备、工艺技术水平与当时国际先进水平的差距，除光刻机外基本缩小到1代甚至基本同步 晶硅太阳能电池设备达到国际先进水平 表面贴装设备除自动贴片机外达到国际先进水平 集成电路后封装设备、液晶显示器件后工序设备、发光二极管(LED)设备(除金属有机化学气相沉积设备外)、片式元件设备、净化设备、环境试验设备接近国际先进水平。 　　电子仪器总体技术水平达到2005年前后国际先进水平，在新一代移动通信、数字电视、绿色环保等应用领域的电子仪器基本达到与国际先进水平同步。 　　四、主要任务和发展重点 　　(一)主要任务 　　1、围绕战略性新兴产业，提升配套能力 　　加强为战略性新兴产业配套的电子专用设备仪器的研发和产业化，围绕集成电路、太阳能光伏、中小尺寸平板显示、下一代通信等重点领域所需电子专用设备仪器，大力推进关键技术研发和产业化，加快产品推广应用进程。 　　2、加强基础能力建设，提升产业整体水平 　　针对关键设备和仪器产业化水平低、可靠性差等问题，加强基础工艺研究，提升重点设备和仪器质量水平，积极发展电子专用设备制造的关联产业和配套产业，加大技术改造投入，提高基础零部件和配套产品的技术水平，不断满足电子信息制造业发展的需要。 　　3、以重大专项实施为契机，加强产业互动 　　引导承担重大专项的企业在攻克技术难关的同时延展技术应用，推动集成电路设备相关技术在半导体、显示、光伏、元器件等领域的应用，推动通信网络测试设备在通用测试仪器中的应用。针对新兴市场需求，加强产业链上下游联动，共同探索新工艺，联合研发新型设备仪器。 　　(二)发展重点 　　1、集成电路生产设备 　　(1)8英寸0.13微米集成电路成套生产线设备产业化 　　在“十一五”攻关的基础上，以设备生产能力的提升和产业化为重点。解决以光刻设备、刻蚀设备、离子注入设备、退火设备、单晶生长设备、薄膜生长设备、化学机械抛光设备和封装测试设备为代表的8英寸0.13微米工艺的集成电路成套设备的自主研发，突破核心关键技术，在国内建立成套生产线，提高半导体设备行业的配套性和整体水平。 　　(2)12英寸65纳米-45纳米集成电路关键设备产业化 　　光刻机：基于国产核心部件完成90纳米光刻机的产品定型，形成小批量生产能力，实现产品销售。 　　刻蚀机：使国产65纳米-45纳米刻蚀机进入主流生产线，实现刻蚀机的产业化 完成45纳米以下栅刻蚀和介质刻蚀产品研制，逐步完成关键技术攻关，实现设备生产线验证及商业设备定型设计。通过纳米刻蚀机研制和工艺开发掌握高密度等离子刻蚀机制造的核心技术。 　　封测设备：开展先进封装圆片减薄设备、三维系统封装通孔设备、高密度倒装键合设备、新型晶片级封装用设备等的研发。 　　其它设备：完成45纳米薄膜设备、掺杂设备、互联设备、平坦化设备、清洗设备、工艺检测设备等整机产品的研发，在工程样机设计及工艺开发的基础上，结合可靠性、稳定性等产业化指标要求，改进设计，制造中试样机，通过大量工艺验证与优化试验，确定商业机设计，实现产业化销售。 　　2、太阳能电池生产设备 　　(1)太阳能级多晶硅及单晶硅生长、切割、清洗设备产业化 　　多晶硅生长设备：突破热场分控技术、定向凝固技术，实现投料量吨级及以上产品硅铸锭炉的研发和产业化，并实现成品率达到75%以上。 　　单晶硅生长设备：突破单晶生长全自动控制技术，实现8英寸(156 毫米×156 毫米硅片)以上尺寸全自动单晶炉产业化。 　　切割设备：突破张力控制软件技术、水冷却气密封技术、砂浆温度闭环控制技术等关键技术，保证能满足太阳能硅片大生产切割需求，切割硅片尺寸8英寸，切割精度优于10微米、厚度在180微米以下的太阳能硅片多线切割机产业化。 　　清洗设备：突破槽体温度控制技术、溶液循环技术、大行程直线传输技术等关键技术，提升产品质量的一致性，实现碎片率小于0.3‰的太阳能晶硅清洗制绒设备产业化，促进晶硅太阳能电池片转化效率提升。 　　(2)全自动晶硅太阳能电池片生产线设备研发及产业化 　　重点发展扩散炉、等离子增强化学气相沉积设备(PECVD)等关键设备，突破单机自动化及生产线设备之间物流传输自动化技术，实现整线自动化集成。 　　重点突破自动图像对准技术、柔性传输技术、高精度印刷技术、高速高精度对准技术、测试分选技术、智能化控制及系统集成技术，进一步提高电池片电极印刷、烘干、测试分选速度，实现产能达到1440片/小时以上、碎片率低于0.5%的全自动太阳能印刷线设备产业化。 　　(3)薄膜太阳能生产设备 　　硅基类薄膜太阳能电池设备：重点提高大面积沉积的均匀性，进一步提升设备运行的稳定性，适度提升自动化程度，提高生产效率。 　　碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池设备：突破真空镀膜设备技术难点，研发新型升华源的结构，进一步提高温度均匀性，开发在高温、真空环境下的传动系统。 　　铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池设备：突破真空镀膜设备、材料溅射、硒化技术等技术难点，实现元素配比的精确控制，保证大面积沉积的均匀性，提高生产效率，降低制造成本。实现0.7平方米以上、电池转化效率达14%以上的CIGS整线设备集成。 　　3、新型元器件生产设备 　　(1)中小尺寸有机发光显示(OLED)生产设备研发及产业化 　　解决无源有机发光显示(PM-OLED)用有机蒸镀和封装等关键设备大面积化和低成本化等问题，重点发展蒸发源、掩模对位、玻璃和掩模板固定装置等设备，进一步提高生产效率。 　　开展中小尺寸有源有机发光显示(AM-OLED)产品生产工艺和制造设备研发，突破溅镀台、PECVD系统、热蒸发系统等AM-OLED用的薄膜晶体管(TFT)薄膜沉积装备 涂胶机、曝光机、干湿法刻蚀机等AM-OLED用的TFT图形制作装备 退火炉、退火气体管道、激光退火设备等AM-OLED用TFT退火装备 TFT电学测试设备、OLED光学测试设备等AM-OLED用检测装备 AM-OLED用缺陷检测修补装备，如激光修补机等。 　　(2)高储能锂离子电池生产设备研发及产业化 　　突破电池浆料精密搅拌技术、电极极片精密涂敷技术、极片精密轧膜技术及快速极片分切技术，实现400升(装量)浆料搅拌设备、650毫米(幅宽)挤出式涂布设备、Φ800(轧辊直径800毫米)强力轧膜设备、极片分切设备(分切速度30-35米/分钟)研发及产业化，实现整线设备集成。 　　(3)其他元器件生产设备研发及产业化 　　重点发展高性能永磁元件生产设备、高亮度LED生产设备、金属化超薄膜电力电容器生产设备、超小型片式元件生产设备、高密度印制电路板生产设备、高精密自动印刷机高速、多功能自动贴片机无铅再流焊机、高精度光学检测设备。 　　4、通信与网络测试仪器 　　满足时分双工长期演进技术(TD-LTE)网络测试的多模终端样机的研发，开发TD-LTE路测分析仪并达到商用化要求，配合TD-LTE技术网络试验和规模商用。 　　针对TD-LTE基站和终端特点及相关新技术和实际测试需求，开发模块化的TD-LTE基站和终端射频测试系统，推动基站和终端性能进一步提高。 　　针对长期演进技术(LTE)网络接口进行协议一致性测试的需求，研究更方便、更简洁的测试工具对LTE的核心网络设备和无线网络设备进行测试，推动设备接口实现一致性。 　　针对TD-LTE终端一致性测试开发扩展测试集仪器 针对TD-LTE-Advanced终端一致性测试开发终端协议仿真测试仪。 　　其他通信方式以及网络测试所需的新一代通信测试仪器、计算机网络测试仪器、射频识别综合测试仪器、各类读卡器、近距离无线通信综合测试仪器。 　　5、半导体和集成电路测试仪器 　　满足对多种功能半导体和集成电路进行测试需求的射频与高速数模混合信号集成电路测试系统 存储器等专项测试系统 半导体和集成电路在线测试系统、测试开发系统。 　　6、数字电视测试仪器 　　满足数字电视和数字音视频测试需求的数字电视信号源、数字音视频测试仪、码流监测分析仪、图像质量分析仪、数字电视上网融合分析仪、网络质量和安全监测仪、数字电视地面信号覆盖监测系统。 　　五、政策措施 　　(一)加强战略引导，完善产业政策 　　充分利用优惠政策，降低企业在技术进步中的风险，合理地运用优惠政策促进科研成果产业化。制定并完善《重大技术装备和产品进口关键零部件、原材料商品清单》，进一步加强对电子专用设备关键零部件税收优惠政策的支持力度。 　　加快出台《关于印发的通知》(国发[2011]4号)的实施细则，对符合条件的集成电路专用仪器以及集成电路专用设备相关企业给予企业所得税优惠，支持行业发展。 　　(二)加大投入力度，支持技术创新 　　充分发挥国家科技重大专项、电子信息产业发展基金等引导作用，以多种形式支持电子专用设备仪器行业技术创新，重点支持战略意义大、技术难度高、市场前景广、带动作用强、发展基础好的关键电子专用设备仪器发展。 　　推动落实《首台(套)重大技术装备试验示范项目管理办法》，鼓励支持集成电路关键设备、新型平板显示器生产设备、电子元器件生产设备、无铅工艺的整机装联设备自主创新，为首台(套)重大电子专用设备应用创造良好条件。 　　(三)提升产品可靠性，加强服务能力建设 　　抓好零部件配套和维修服务工作，推行平均失效间隔(MTBF)、平均恢复时间(MTTR)等可靠性指标，采用可靠性设计、元器件筛选等行之有效的办法，提高零部件产品可靠性，拓展维修、备件供应等服务范围，提高专用设备仪器的服务水平。 　　(四)引导专项成果辐射，推动技术应用扩展 　　在支持企业承担重大专项的企业攻克技术难关、强化核心竞争力的同时，积极引导将掌握的技术向相关领域进行应用扩展，重点推动半导体专用设备技术和产品在太阳能电池、LED、平板显示等领域的应用。 　　(五)重视人才战略，集聚高端人才 　　推动在高等院校和科研院所加强电子专用设备仪器相关学科建设与专业技术人才的培养，建设高校、企业联动的人才培养机制。以国家科技重大专项为平台，加快人才引进，进一步提升高端复合型人才的积累。

热电材料能够实现热电转换，具有安全、节能、环保等优点，近年来备受关注，许多学者也围绕其开展了大量的研究工作。在本文，仪器信息网为大家盘点了热电材料研究实验室常用的制备与表征仪器清单。国内研究热电材料的课题组众多，在小编的雷达范围内，整理归纳了其中四个课题组的仪器展示表格：1.中国科学院上海硅酸盐研究所热电转换材料与器件研究课题组；2.中国科学院金属研究所热电材料与器件课题组；3.同济大学材料科学与工程学院热电课题组；4.哈尔滨工业大学（深圳）材料科学与工程学院热电材料课题组。一、中国科学院上海硅酸盐研究所热电转换材料与器件研究课题组（课题组长：史迅研究员；副组长：柏胜强高级工程师；科研队伍：陈立东研究员、姚琴副研究员、瞿三寅副研究员、仇鹏飞副研究员等）该课题组主要从事高性能热电材料的设计、制备与性能优化以及高性能热电器件的设计、制造与集成方面的研究，主要内容包括：1.声子液体电子晶体材料 (类液态材料)；2.类金刚石结构；3.笼状化合物；4.有机热电材料和有机/无机复合热电材料；5.热电薄膜与微型热电薄膜器件；6.高性能热电器件设计与制造技术；7.热电空调/发电系统设计与集成技术；8.热电材料与器件测量技术。课题组仪器设备展示Seebeck系数和电阻测试系统（ZEM-3）布劳恩手套箱RS50/500型管式炉纳博热（ Nabertherm）LH15/13型箱式炉 放电等离子体快速烧结设备激光导热仪 霍尔系数测试设备电导率及塞贝克系数测试设备 X射线广角/小角衍射设备MSP（Modified Small Punch）试验装置二、中国科学院金属研究所热电材料与器件课题组（课题组长：邰凯平研究员；小组成员：康斯清工程师）该课题组长期从事功能材料设计、制备和性能表征方面的研究工作，以界面性质对材料物理、化学性能调控作用的共性基础科学问题为研究主线，主要研究内容包括：低维热电材料；多物理外场耦合仿真环境原位透射电镜表征；纳米结构抗辐照损伤材料。在原位透射电镜技术领域的成果被Science（350，9886，2015）、Chem Rev（116，11061，2016）、Adv Mater（02519，2016）等期刊评述为近十年来纳米材料原位电镜表征技术领域的关键研究成果，并被编入电子显微学教科书“Transmission Electron Microscopy”（Page 48，Springer，Heidelberg，2016）。课题组仪器设备展示多靶磁控溅射沉积系统-1多靶磁控溅射沉积系统-2热电性能测试设备ALD原子层沉积系统等离子体处理/原位TEM样品杆预抽系统Hall测试系统AFM红外成像显微镜微束/飞秒激光微纳加工系统紫外光刻机电子束/热蒸发镀膜系统3Omega频域法热导率测试系统稳态法热导率测试系统球型焊线机高温管式炉红外快速退火炉自主研制的各种类型原位仿真环境（JEOL/FEI）TEM样品杆三、同济大学材料科学与工程学院热电课题组（课题组长：裴艳中教授；小组成员：李文副教授）该研究小组主要针对当前热电材料转换效率较低这一技术瓶颈，从热电材料所涉及的基本物理及化学问题出发，设计和开发出高转换效率热电材料和器件。立足于前期工作的基础之上，今后具体的研究对象主要集中在半导体材料，研究内容主要包括：1.先进的材料制备方法；2.电、热、光、磁及微观结构的表征方法；3.能源材料性能所隐含的基本物理及化学问题；4.理论指导下的新型能源材料设计和开发；5.其它应用背景的半导体新材料的研究与开发。课题组仪器设备展示自主研制设备霍尔系数/塞贝克系数/电阻率同步测试 2个样品同时测试，300~900K，磁场1.5T塞贝克系数/电阻率同步测试系统 2个样品同时测试，300~1100K室温塞贝克系数测试系统Oxford低温（1.5~400K）与强磁场（12T）综合物理性能（Nernst，Seebeck，Hall系数与电/热导率）测试系统电弧熔炼系统电弧熔炼系统高温热压系统（升温速率＞1000C/min）封装系统材料生长炉商业设备台式扫描电镜&能谱XRDFTIR红外光谱仪声速测定仪激光导热仪惰性气氛手套箱高温熔融炉四、哈尔滨工业大学（深圳）材料科学与工程学院热电材料课题组（课题组长张倩教授，学术顾问刘兴军教授）该课题组正式成立于2016年秋。主要研究方向为：热电半导体能源材料的电声输运调控、热电器件的设计与效率提升，柔性可穿戴发电与制冷器件。采用与相图工程和机器学习相结合的手段，优化传统热电材料，开发新型热电材料，促进热电发电与制冷的大规模商业应用进程。课题组仪器设备展示材料制备系统电弧熔炼炉高频悬浮熔炼炉立式真空管式炉微型金属熔炼炉双工位真空手套箱真空封管系统热压烧结系统放电等离子烧结SPS3D打印机多靶磁控溅射镀膜仪电子束蒸发镀膜仪高温箱式炉高能球磨机井式炉金相研磨抛光机金刚石线切割机性能测试系统激光导热仪-LFA 457差示扫描量热仪-DSC 404同步热分析仪-STA 2500热机械分析仪-TMA 457电阻率/温差电动势测试仪-CTAUV-vis-NIR变温霍尔测试系统变温红外光谱仪发电效率特性测定装置接触电阻测试平台焊接平台需要说明的是，以上仪器设备展示仅根据各课题组网站信息整理，并非各课题组实验室仪器的全部配置。因此，小编特整理了热电材料研究实验室常用的制备与表征仪器清单，供君参考。热电材料研究实验室仪器配置清单热电材料制备常用仪器电子天平马弗炉/电阻炉/管式炉/实验炉鼓风/真空干燥箱材料生长炉磁力搅拌器球磨机超声波清洗机放电等离子烧结SPS离心机悬浮熔炼炉/电弧熔炼炉石墨磨具原子层沉积系统真空/惰性气氛手套箱电子束/热蒸发镀膜设备恒温油浴/水浴锅退火炉游标卡尺3D打印机切割机研磨抛光机热电材料表征常用仪器X射线衍射仪赛贝克系数/电阻率测试系统X射线光电子能谱仪霍尔系数测试设备热重分析仪介电性能测试系统扫描电子显微镜热电转换效率测量系统透射电子显微镜电/热导率测试系统电子探针分析仪声速测定仪热膨胀仪红外光谱仪显微硬度仪热机械分析仪激光热导仪焊接平台差热扫描热量仪综合物理性能测试系统【近期网络会议推荐】3月23日“热电材料表征与检测技术”主题网络研讨会免费报名听会链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/2021RD/

2019年5月25-29日，由中国硅酸盐学会发起的第十一届先进陶瓷国际研讨会（CICC-11）于云南省昆明市完美落幕。此次会议邀请到了来自33个国家和地区的1450名代表参会，CICC已然发展成为亚洲最大、国际知名的陶瓷领域学术盛会。本届CICC-11设置了24个专题研讨会，交流范围基本涵盖了整个特种陶瓷领域及相关学科，汇集业内知名专家学者与会做大会报告、主旨报告及邀请报告。 弗尔德仪器作为陶瓷产品的仪器应用翘楚，应邀赞助第十一届先进陶瓷国际研讨会，为CICC-11的成功举办增砖添瓦。陶瓷领域研究离不开样品前处理、热处理以及理化分析等实验操作，弗尔德仪器应陶瓷行业所需，能够为陶瓷样品的研磨粉碎、热处理、氧/氮/氢/碳/硫元素分析提供先进完善的仪器解决方案。弗尔德仪器旗下产品包括德国Retsch（莱驰）粉碎研磨筛分设备、德国Retsch Technology（莱驰科技）粒度粒形分析仪、德国Eltra（埃尔特）元素分析仪、CarboliteGero（卡博莱特盖罗）烘箱、马弗炉。n 陶瓷制品的研磨粉碎处理对烧结陶瓷的半成品进行检验，需要先对半成品进行研磨粉碎处理。针对不同陶瓷原料、陶瓷粉末以及成品，行星式球磨仪PM 400可以实现陶瓷样品的细粉碎。高能水冷球磨仪Emax优于常规球磨仪能够在更短时间内实现陶瓷样品的纳米研磨。n 陶瓷制品的元素分析、热重分析熔点高达2700℃的碳化硅是陶瓷制品的重要原材料。德国Eltra（埃尔特）元素分析仪特别适用于含碳化硅的陶瓷制品的质量控制。ELEMENTRAC CS-i采用高频感应燃烧法能够对陶瓷样品中的碳含量进行精准测量。ELEMENTRAC ONH-p采用惰性保护气氛熔融技术对陶瓷制品中的氧氮氢元素进行精准可靠的测量。热重分析仪TGA Thermostep由可编程炉连内置天平，加热称重在同一台仪器上完成，大大简化了人工操作，能够一次测量出陶瓷样品的水分、灰分、挥发分。n 陶瓷制品的热处理工艺陶瓷粉末注射成型（CIM）是一种新型陶瓷成型技术，在成型形状复杂的零件和精确控制零件尺寸上有着其他工艺无可比拟的优势。陶瓷注射成型的整个过程主要包括原材料的混合，喂料的注射成型，生胚的排胶和烧结。在CIM工艺过程中，排胶过程最重要的使温度缓慢上升，大量的粘结剂才会析出。CarboliteGero（卡博莱特盖罗）热壁炉——GLO系列，能满足此应用。其加热元件位于炉膛外侧，整个炉膛相当于一个容器。加热元件直接加热炉膛外侧，并向内传导热量，整个炉膛壁是热的，所以叫做热壁炉，也可选配带氢气供气系统的全自动控制系统。退火炉GLO 烧结是CIM工件成形前的最后一个工艺，是一个把粉状物料转变为致密体的传统工艺过程。还有一种工艺是排胶和烧结使用同一台炉子，这样的炉子我们称之为“排胶烧结一体炉”。HTK陶瓷纤维炉，是排胶烧结一体炉，能够在空气环境下排胶和烧结，最高温度2200°C。排胶烧结一体炉HTKn 陶瓷粉末的粒度粒形分析陶瓷粉末注射成型（CIM）对粉末特殊的要求，以使喂料在达到高装载量的同时满足一定的流动性。较理想的粉末一般要求散装密度高、无团聚、颗粒形状为球形、平均粒径小、颗粒内全致密无内孔等。Retsch Technology（莱驰科技）干湿两用多功能粒径及形态分析仪CAMSIZER X2能够满足CIM工艺对陶瓷粉末粒度粒形的检测需求。采用所见即所得的双镜头（CCD）专利技术，能够对陶瓷颗粒的粒径、球形度、纵横比、对称性等粒径粒形参数进行测量与分析。干湿两用多功能粒径及形态分析仪CAMSIZER X2

研究：暴露于中子和伽马辐射的熔融石英和蓝宝石的光学吸收以及同时热退火。图片来源：RHJPhtotos 通过同时和辐照后热退火研究了集成二氧化硅和蓝宝石的辐射诱导衰减 (RIA)。研究人员发现同时辐照热退火和辐照后热退火在二氧化硅和蓝宝石的光学行为方面存在重大差异。 该研究在选择和放置用于开发光学仪器应用(例如聚变或裂变反应堆)的光学材料方面具有广阔的潜力。它还帮助研究人员了解辐射对此类光学材料的影响。 熔融石英和蓝宝石等光学材料中的辐射引起的衰减通过减少核反应堆仪器检查停机的频率，可以显着提高核反应堆的辐射安全和经济性能，从而可以在线监测关键反应堆部件。 激光诱导击穿光谱 (LIBS) 可以通过在反应堆运行时对反应堆冷却剂的化学成分进行光谱研究来识别核反应堆部件的退化。 在适当的操作设置下了解光纤和透镜等光学材料的辐射效应至关重要，因为基于 LIBS 的仪器需要通过这些光学材料传输等离子体发射和高能激光脉冲。 二氧化硅和蓝宝石等普通光学材料具有光学特性，包括衰减和折射率，当暴露于核反应堆中的离子辐射效应时，这些特性会发生变化。 已经对集成二氧化硅和蓝宝石在受到中子和伽马射线照射然后进行热退火时的辐射诱导衰减 (RIA) 和辐射效应进行了多项研究。然而，由于辐照、检查和热退火之间的时间相当长，没有关于光学材料在同时高温和辐射效应下的原位行为的数据。 当前研究中的研究人员使用高羟基含量的 Heraeus Spectrosil 2000 集成二氧化硅 (S2000)、低羟基含量的 Heraeus Infrasil 302 集成二氧化硅 (I302) 和光学类蓝宝石进行了 220 nm 至 1100 nm 的 RIA 测量。这些光学材料在高达 800 C 的后辐照和同时辐照热退火下暴露于中子和伽马辐照下，以观察它们的辐射效应。 二氧化硅和蓝宝石光学吸收的实验装置第一个测量吸收的实验装置包括一个覆盖 220-1100 nm 光谱范围的 Ocean Insight HR4000 光谱仪和一个 Ocean Insight 卤素/氘光源。 第二个实验装置包括一个安装在60 Co 池干管上方的退火炉，用于光学材料的同步和后热退火。 目前的研究在俄亥俄州立大学核反应堆实验室的核反应堆和60 Co 辐照池中进行了辐照。在包含60 个Co 伽马源的圆柱形夹具的帮助下，一个 I302 样品在宾夕法尼亚州立大学辐射科学与工程中心暴露于 10Mrad 的辐照下。 使用具有二氧化硅-氧化铝绝缘的特制碳化硅线圈炉对样品进行干燥和空气中的退火。 这些熔炉被建造成适合60 Co 池和核反应堆干管内，以同时对样品进行热退火和辐照。 在辐照后退火实验中，在每次辐照剂量后将样品加热到指定的温度。 相反，在同时退火的情况下，样品在辐照过程中被连续加热到指定的温度，直到达到列出的剂量。 光学仪器在裂变和聚变应用中的发展潜力该研究展示了同时辐照和热退火的后果以及对光学渐变蓝宝石、I302 和 S2000 的辐射效应。 该团队观察到这些光学材料在同时和辐照后热退火条件下的行为的关键区别。 在 S2000 的情况下，对 n 剂量 1 和 2 进行辐照后 600 C 的热退火将材料恢复到未辐照的形式。在 800 C 时，具有相同剂量的同时辐照热退火样品保留了紫外线范围内的辐射诱导衰减。 在 n-Dose 1 和 n-Dose 2 的同时辐照热退火下，I302 还显示出 220 nm 至 900 nm 之间的平衡辐射诱导衰减光谱，这与 I302 主要恢复的辐照后热退火情况相反退火至 800 C 后变为未辐照状态。 与等效剂量辐照后热退火情况相比，在加热到 800 C 后样品几乎退火到其未辐照状态，蓝宝石在 n-Dose 1 和 2 的同时辐照热退火中显示出可能的平衡辐射诱导衰减范围退火条件。对于该光谱，在 260 nm 处获得了残余吸收峰，而在 300 nm 处获得了增加的吸收峰。 当前研究的最初目标是在高放射性和热环境中支持基于 LIBS 的仪器，以承受显着的辐射效应。 比较作为样品的光学材料的吸收光谱表明，S2000 是实现基于 LIBS 的仪器的最理想材料，最高退火温度为 800 C，中子注量为 1.7 x 10 17 n。厘米-2。 在 532 nm 和 1064 nm 的相关 LIBS 波长下，S2000 仅显示边缘辐射引起的衰减。在同时辐照热退火下，I3O2 产生了高达 900 nm 的相当大的辐射诱导衰减，这可能会限制 532 nm 的 LIBS 激光器。 与报道的 S2000 中没有明显的辐射诱导衰减相比，蓝宝石在 532 nm 或 1064 nm 处没有表现出同时辐照热退火的辐射诱导衰减。UV 范围内的残余辐射引起的衰减峰可能会干扰 LIBS 等离子体光谱。 参考BW Morgan、MP Van Zile、CM Petrie、P. Sabharwall、M. Burger、I. Jovanovic，暴露于中子和伽马辐射下的熔融石英和蓝宝石的光学吸收以及同时热退火。2022.核材料杂志。

退火——在冶金学中很常见——将金属或合金加热到设定温度，保持该温度，然后将金属冷却到室温，以改善材料的物理性质，有时还改善材料的化学性质。退火材料倾向于采用同质状态并容易组装成三维 (3D) 或二维 (2D) 晶体。人们可以通过原子力显微镜 (AFM)、X 射线衍射 (XRD) 或电子显微镜 (EM) 轻松地观察到这种规则堆积。退火是否对生物大分子，尤其是蛋白质表现出类似的影响，是一个迷人的科学问题。2022年2月22日，上海科技大学沈庆涛研究员团队等在PNAS发表题为Annealing synchronizes the 70S ribosome into a minimum-energy conformation的研究论文，将退火技术引入冷冻电镜解析蛋白质结构，在模拟退火中引入了一个类似的概念，以预测生物大分子的最小能量构象。通过实验验证，在自由能分析中，以快速冷却速率退火可以将 70 S核糖体同步到具有最小能量的非旋转状态。此结果不仅提供了一种简单而可靠的方法来稳定蛋白质以进行高分辨率结构分析，而且有助于理解蛋白质折叠和温度适应。与金属和有机聚合物不同，蛋白质和蛋白质复合物通常是由化学上不同的亚基以不同的几何形状结合在一起的离散实体。这种显着的结构异质性阻碍了通过 AFM 或 XRD 直接确定结构。相比之下，cryo-EM 分辨率的最新进展为在单分子水平上获得高分辨率蛋白质结构提供了绝佳机会。通过使用冷冻电镜比较退火前后的详细结构，可以获得退火影响蛋白质构象的直接实验证据。退火提高了局部分辨率研究中，选择来自大肠杆菌的载脂蛋白状态 70 S核糖体作为模型，其中 30 S亚基经历热驱动的亚基间旋转并表现出显着的结构灵活性以及明显的自由能。在 0°C 下将纯化的脱基态 70 S核糖体培养 5 分钟，然后立即将核糖体快速冷冻以进行低温 EM 分析，这可能保留了与玻璃化之前相同的构象（描绘为未退火状态）。筛选了收集到的 70 S核糖体颗粒通过 2D 和 3D 分类丢弃明显的垃圾和拆卸的核糖体。根据金标准傅里叶壳相关性，从 200,000 个随机选择的粒子中重建得到最终分辨率为 2.6 Å 的结构。由于缺乏稳定因素，例如信使 (mRNA) 和转移 RNA (tRNA)，对未退火的 70 S核糖体的局部分辨率估计表明，在 2.6 至 7.2 埃范围内的整个密度图上存在可变分辨率（图 1A )。相对于 50 S亚基，30 S亚基——尤其是它的头部结构域——没有得到很好的解析，这在其他脱辅基态核糖体中很常见。图1 退火提高了 70 S核糖体的局部分辨率为了量化不同区域的分辨率变化，通过平均选定区域内的局部分辨率值来计算局部分辨率。分析表明，50 S亚基的平均局部分辨率为 3.1 Å，而 30 S亚基的分辨率要低得多——只有 5.2 Å。此外，30 S头域的分辨率更低——平均分辨率为 6.1 Å（图 1 B ）。50 S和 30 S亚基之间的亚基间棘轮是分辨率差的主要原因；30 S的亚基内漩涡亚基是次要的，这会降低头部域的分辨率。为简单起见，使用 30 S亚基的局部分辨率作为标记来监测退火对 70 S核糖体的影响。未退火的、加热的和退火的核糖体结构变化退火使柔性区域稳定退火诱导的分辨率改善在整个 70 S核糖体中并不均匀。相对于 30 S亚基的 1.5-Å 分辨率提高，良好分辨的 50 S亚基在退火后仅提高了 0.3 Å（即从 3.1 Å 值到 2.8 Å 值）（图 1 B ） . 因此，退火对具有更大结构灵活性的低分辨率区域特别有益。为了进一步验证这一推论，我们对未退火和退火 70 S之间相同子区域的平均局部分辨率进行了综合统计分析核糖体。例如，退火将不同区域的平均局部分辨率提高到 0.1、0.6、0.8、1.2 和 2.0 Å 的水平；未退火核糖体中相应区域的局部分辨率范围为 2.5 至 3.0、3.0 至 3.5、4.0 至 4.5、5.0 至 5.5 和 5.5 至 6.0 Å（图 2 A ） 。指数曲线与数据非常吻合，表明未退火的 70 S核糖体具有更大的灵活性，对应于退火后局部分辨率的更大提高。图 2 退火稳定了 70 S核糖体的柔性区域讨论不限于金属、合金或半导体，我们通过实验证明退火还可以使 70 S核糖体同步到具有窄构象分布的最小能量状态（图 3）。核糖体/核小体的结晶具有类似退火的处理，其中研究人员通常将核糖体/核小体加热到 37 °C 和 55 °C 之间，然后将它们降低到室温 (19 °C)。对 70 S核糖体进行严格退火以进行结晶将有助于探索退火对70 S核糖体的物理和化学影响，如在冶金学中。除了 70 S核糖体，在其他生物大分子上退火，特别是那些具有动态结构的大分子，将有助于验证该方法的普遍性。图3 模型说明退火可以使核糖体同步到最小能量状态并提高局部分辨率。显示了自由能曲线（实线）和粒子分布概率（浅绿色峰）。结构灵活性虽然对蛋白质功能至关重要，但阻碍了研究人员应用结构研究在分子水平上阐明功能的能力。持续的努力——例如关键残基的突变，引入额外的二硫键，添加抗体/结合蛋白 ，或在溶液中或甘油内交联/葡萄糖梯度——对于优化样品以提高结构稳定性很有用。然而，这样的努力耗时且缺乏明确的方向，最终的结构仅限于固定状态，有时甚至会在额外的操作后发生扭曲。退火——适当加热和冷却的组合——对蛋白质没有破坏性，是一种简便而可靠的高分辨率冷冻电镜方法。有趣的是，与通过戊二醛交联的 70 S核糖体相比，退火提高了 50 S和 30 S亚基的局部分辨率。研究人员还尝试通过在低温 EM 图像处理期间对柔性区域进行局部细化来提高局部分辨率。我们对未退火和退火核糖体的灵活 30 S亚基进行了局部改进。在局部细化后，未退火核糖体的 30 S亚基的平均局部分辨率提高了 ~1 Å，达到 4.2 Å。与通过退火提高分辨率不同，局部细化本身仍然导致 30 S亚基头部域的平均分辨率不足 5.5 Å 。显然，退火和局部细化通过不同的机制提高了局部分辨率。退火可以将生物大分子驱动到最小能量状态，并且无论区域大小如何，都可以全局提高整个地图的分辨率。作为对照，局部细化在算法级别上起作用，并且仅适用于大小合理的区域。当我们对退火核糖体应用局部细化时，30 S亚基的主体和头部结构域分别提高到 2.9 和 3.9 Å。这表明退火与柔性区域的局部细化兼容，并且可以进一步优化局部分辨率以进行详细的结构分析。可以使用退火将蛋白质同步到最低能量状态，这可能有利于许多单分子方法，例如光镊和单分子荧光共振能量转移 。人们还可以使用退火来研究温度适应和蛋白质折叠，并促进分子动力学模拟中的算法开发。因此，研究人员应彻底研究退火机制并进一步优化退火条件以提高分辨率。本研究由国家重点研发计划项目2017YFA0504800（Q.-TS）、2021YFF1200403（Q.-TS）和2018YFC1406700（Q.-TS）和国家自然科学基金项目31870743（Q. .-TS）等支持。论文链接：https://www.pnas.org/content/119/8/e2111231119#sec-6

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据合肥日报报道，国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪（以下简称“激光退火仪”）已研制成功，可解决量子芯片位数增加时的工艺不稳定因素，像“手术刀”一样精准剔除量子芯片中的“瑕疵”，增强量子芯片在向多比特扩展时的性能，从而进一步提升量子芯片的良品率。报道显示，该激光退火仪由合肥本源量子计算科技有限责任公司完全自主研发，可达到百纳米级超高定位精度，对量子芯片中单个量子比特进行局域激光退火，从而定向控制修饰量子比特的频率参数，解决多比特扩展中比特频率拥挤的问题，助力量子芯片向多位数扩展。安徽省量子计算工程研究中心副主任贾志龙表示，这台激光退火仪拥有正向和负向两种激光退火方式，可以在生产过程中灵活调节多比特超导量子芯片中量子比特的关键参数。同时，该设备还可用于半导体集成电路芯片、材料表面局域改性处理等领域，目前已在国内第一条量子芯片生产线上投入使用。

近日，科学仪器行业迎来了前所未有的利好消息。 2022年9月13日，国务院常务会议决定对部分领域设备更新改造贷款阶段性财政贴息和加大社会服务业信贷支持，政策面向高校、职业院校、医院、中小微企业等九大领域的设备购置和更新改造。贷款总体规模预估为1.7万亿元。 2022年9月28日，财政部、发改委、人民银行、审计署、银保监会五部门联合下发《关于加快部分领域设备更新改造贷款财政贴息工作的通知》（财金〔2022〕99号），对2022年12月31日前新增的10个领域设备更新改造贷款贴息2.5个百分点，期限2年，额度2000亿元以上。因此今年第四季度内更新改造设备的贷款主体实际贷款成本不高于0.7% （加上此前中央财政贴息2.5个百分点）。这两大重磅政策提供极低利息的贷款给消费端提前进行设备购置和更新改造，推动我国仪器市场迎来新一波仪器采购大潮。 仪器信息网注意到，近日，北京大学连续发布多则2022年10-12月政府采购意向，欲采购近3亿元仪器设备，涉及质谱仪、冷冻电镜、场发射电镜等。北京大学2022年10-12月仪器设备采购意向汇总表序号采购项目名称需求概况预算金额（万元）预计采购日期1北京大学医学部X射线单晶衍射仪采购项目项目详情72010月2北京大学医学部双能X射线小动物骨密度仪采购项目项目详情13811月3北京大学医学部流式细胞仪（分析型）采购项目项目详情14011月4邱德拔体育馆游泳馆救生安全管理服务项目项目详情17511月5植物活体影像系统项目详情18011月6北京大学医学部数字切片扫描仪采购项目项目详情19011月7北京大学医学部X射线粉末衍射仪项目项目详情21011月8北京大学医学部串联四极杆电感耦合等离子体质谱仪采购项目项目详情22011月9快速退火炉系统项目详情22011月10北京大学医学部蛋白质快速液相纯化仪采购项目项目详情23011月11北京大学医学部蛋白光度质量仪采购项目项目详情25011月12北京大学多模态智能型活细胞成像分析系统采购项目项目详情26011月13离子束刻蚀系统项目详情261.511月14北京大学医学部细胞能量代谢分析系统采购项目项目详情30011月15北京大学医学部激光扫描共聚焦显微成像系统采购项目项目详情32011月16分选型流式细胞仪项目详情32011月17北京大学医学部GPU集群采购项目项目详情35011月18北京大学医学部流式细胞仪（中高端分选型）采购项目项目详情37011月19北京大学医学部质谱流式细胞仪（分析型）采购项目项目详情40011月20北京大学医学部超高灵敏度生物标志物确证质谱仪采购项目项目详情42011月21北京大学医学部高分辨双转盘共聚焦成像系统采购项目项目详情45011月22北京大学医学部流式细胞仪（高端分选型）采购项目项目详情47011月23北京大学医学部多维光片扫描显微分析系统采购项目项目详情49011月24北京大学医学部表面等离子共振仪采购项目项目详情50011月25北京大学医学部光谱流式细胞仪（分析型）采购项目项目详情50011月26双光子扫描光遗传学显微镜项目详情50011月27北京大学医学部连续双光谱高分辨共聚焦显微镜采购项目项目详情52011月28北京大学医学部小动物超光声多模态成像系统采购项目项目详情65011月29北京大学医学部200KV多用途场发射透射电子显微镜采购项目项目详情73011月30北京大学医学部超高分辨超高灵敏度代谢组学质谱仪采购项目项目详情75011月31北京大学医学部光谱流式细胞分选系统采购项目项目详情80011月32北京大学医学部荧光寿命光谱型超高分辨显微成像系统采购项目项目详情85011月33北京大学医学部超高分辨液质联用仪采购项目项目详情120011月34北京大学医学部冷冻电镜系统（一批）采购项目项目详情850011月35彩色多普勒超声系统项目详情19012月36多功能共聚焦显微拉曼成像系统项目详情29812月37高亮度X射线衍射仪项目详情32012月38大载重六足式六维运动平台项目详情34012月39小动物四模态（PET/SPECT/CT/FMT）成像系统电子模块加工集成项目详情41512月40特气监控系统项目详情49512月41双球差矫正透射电子显微镜、场发射透射电镜项目详情290012月

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“紫砂门”事件发生后，九阳股份有限公司在退货上表现很“低调”。 　　消费者主动上门才退货 　　2008年年底，市民方女士在郑州一卖场购买了一款九阳紫砂煲，因感觉煲汤效果不好，一年多使用不到三次。“紫砂门”事件发生后，方女士不知道家中的九阳紫砂煲应该如何处理了。 　　5月28日，抱着试一试的心理，方女士拨通了卖场的服务电话。卖场记录了方女士的联系方式、购买产品信息等情况之后，方女士被告知等待回复。 　　5月30日，方女士收到了一条短信，称可到北环路与索凌路向北300米的九阳售后服务点办理退货。方女士说，能够退货，主要是自己主动向商家提出了要求，但相信有不少市民不知道产品可退。她认为九阳股份有限公司在退货上表现得太“低调”，不是诚心为消费者服务，而是尽可能地减少公司的损失。 　　律师:商家不公开承诺的做法 对消费者不够公平 　　方女士提醒消费者，如果家中购买了九阳紫砂煲，并感觉在使用中效果不好，一定别忘了维护自己的权益，可向商家提出退货要求。 　　对未公开承诺退货，九阳股份有限公司400电话工作人员说，九阳紫砂煲虽然不是用百分之百的紫砂，但不含对人体有害的物质，因此只会根据客户的意愿退货。 　　河南国基律师事务所律师冯涛说，“紫砂门”事件发生后，九阳股份有限公司应该承担起一个厂家的责任，主动为消费者消除影响。其只对提出要求的消费者退货、未进行公开承诺退货的做法，对消费者有失公平，缺乏企业应有的社会责任感。

据中国政府采购网信息，近日，zycgr24041501公示了系列2024年8月、9月的仪器采购意向，总预算金额3.35亿元，包括激光共聚焦显微镜、场发射扫描电子显微镜、傅里叶转换红外光谱仪、微区近红外光谱测量系统、超构透镜光学检测系统、半导体综合电学测试仪、球差校正扫描透射电镜、透射电镜等多种仪器设备。序号采购项目采购品目预算金额预计采购需求概况名称(万元)采购日期1激光切片机/裂片机A02180600非金属矿物切削加工设备1502024年9月1.加工幅面300×300 mm 2.机床X/Y轴定位精度±0.005 mm，重复定位精度±0.002 mm 3.机床Z轴定位精度±0.02 mm，重复定位精度±0.01 mm 4. 激光器类型可配置CO2激光器或光纤激光器等2高压电子束曝光A02062002电气物理设备30002024年9月1、加速电压大于等于100KV； 2、最小线宽小于等于8nm； 3、配备激光干涉台行程不小于200*200mm； 4、图形发生器频率不小于125MHZ。3低压电子束曝光A02062002电气物理设备8502024年9月1、加速电压不低于30KV； 2、写场大于500 μm； 3、最大加工晶圆尺寸不低于4英寸； 4、图形发生器频率不低于20MHZ。4聚焦离子束直写加工A02062002电气物理设备11602024年9月1、具有较高的离子束分辨率：优于20.0nm； 2、高精度XYZR四轴微探针微采样系统； 3、压电陶瓷堆样品台，样品台定位分辨率优于1μm，样品台行程20mm。5紫外光刻系统A02100303物理光学仪器4262024年9月1、 最大衬底尺寸：8英寸圆形，并且在配合对应的夹具时，可以向下兼容各类不同尺寸的衬底及不规则小片； 2、分辨率：优于1.0μm； 3、正面对准精度±0.5μm，背面对准精度±2.0μm； 4、曝光光源：UV LED曝光光源支持 365nm(i线)或 405nm(h线)或375nm激光光源。6纳米压印系统A02100303-物理光学仪器A02100303物理光学仪器4502024年9月1、适用四英寸及以下基片的压印；能够使用厚度2mm的曲面（包含凹面和凸面）衬底进图案转移和压印；压印结构精度优于50nm； 2、压印温度：室温至200 °C； 3、支持LED紫外压印，波长365±10 nm，功率≥35mW/cm2； 4、压印平整度±10 nm。7激光直写A02100309激光仪器6402024年9月1、半导体激光器, 激光器波段为405nm, 激光能量不低于300mW； 2、工作台平台采用单片固定装置, 最大基板尺寸不小于9”× 9”, 有效光刻面积不小于200 x 200mm2；基材厚度0~12毫米； 3、平台的移动精度采用激光干涉仪来控制, 干涉仪分辨率不低于10nm； 4、激光读写头具备自动聚焦功能； 5、255阶灰度曝光功能；可实现最小线宽300nm。8全自动涂胶显影系统A02100699其他试验仪器及装置1802024年9月1、可应用于硅基和玻璃基衬底； 2、适用于大于等于90nm线宽工艺； 3、适用于5mm以下翘曲晶圆的传送加工工艺； 4、具有高精度温控功能；9全自动有机清洗系统A02100700其他试验仪器及装置1502024年9月1、至少配置3套清洗单元； 2、清洗方式包含常压、高压水、兆声、毛刷、二流体等； 3、清洗效果：0.1μm粒子少于80个；0.2μm粒子小于40个； 4、适用于8寸以下样片；10电感耦合等离子体刻蚀系统*2A02062002电气物理设备8802024年9月1、反应腔室：本底真空至少达到1E-6mbar,真空漏率室温达到 2E-3mbarl/s； 2、下电极：可容纳最大8寸，兼容4寸、6寸晶圆。电极温度可动态调制，温度范围为+20℃/到+200℃； 3、ICP源：工作压力范围0.001~0.2 mbar，等离子体密度≥5E+11cm-3； 4、射频功率源：频率13.56 MHz，最大功率600 W； 5、控制系统：提供等离子设备和工艺可视化状态显示、工艺控制、以及大量其他的安全保护功能。11深反应离子和电容式等离子体复合刻蚀系统A02062002电气物理设备8302024年9月1、真空反应室：提供工艺过程中的真空环境，包括内衬、静电卡盘、真空计、真空开关等；腔室本底真空＜0.5 mTorr；腔室漏气率＜1.0 mTorr/min；控压范围：2~250 mTorr；控压精度0.1 mTorr； 2、等离子体系统：提供等离子体源和偏压控制，包括射频电源、全自动匹配器等；立体源SRF1可用功率范围：13.56MHz：500~3200W(量程5500W)；立体源SRF2可用功率范围：13.56MHz：500~2800W(量程3000W)；下电极LF可用功率范围：400KHz: 40~400W(量程1500W)；匹配稳定时间： 3 s；匹配精确度：上电极：±1%设定值或±5W，下电极：±10%设定值； 3、气路输送系统：提供工艺气体，包括MFC、气动阀门等； 4、终点检测系统：NMC508SVM配置EPD用于工艺终点的判断。 5、软件控制模块。12临时键合/解键合机A02100699其他试验仪器及装置1502024年9月1、适用于12英寸以下的晶圆键合/解键合功能； 2、适用于硅、玻璃，蓝宝石等材料； 3、具有加热压板以减少热缺陷，最大温度应大于200℃；13反应离子刻蚀A02062002电气物理设备1102024年9月RIE-10NR性能指标： 1、反应室容量：样品最大8寸,电极间距55mm； 2、射频功率 ：30-300W，自动匹配，反射功率小于5W； 3、RF放电压力范围：4－50Pa； 4、工艺气体（Process Gas）：MFC：CF4, O2, CHF3,SF6,Ar(工艺气体不包括PN2，CDA)； 5、反应室漏率：1×10-8Pa？m３/sec(出厂时He检漏仪检测)； 6、管道漏率：1×10-8Pa？m３/sec(出厂时He检漏仪检测)； 7、极限真空：Level of 10-4 Pa（ 3×10-4Pa）； 8、抽速：Atm～10-2 Pa/5 min； 9、保压： 50nm/min@ 8” SiO2 on Si wafer； 11、均匀性： ±5%，Uniformity = +/-（Max-Min）/ (2*Avg) *100%；14反应离子束刻蚀机A02062002电气物理设备7502024年9月包括：主机系统、离子源系统、气路系统、真空系统、控制模块。 1、主机系统：腔室极限真空： 600m3/h 5、软件操作模块。 6、安全性能。15高精度冷冻离子加工系统A02062002电气物理设备1452024年9月1、气体源为氩气，控制方式质量流量控制。 2、加速电压：0.0-6.0kV。 3、真空系统：涡轮分子泵（67 L/S）+机械泵（135 L/min(50 Hz)、162 L/min(60 Hz)。 4、截面研磨 最大研磨速率（Si片）500 um/h^1以上。 可装载最大20(W)*12 mm(D)*7 mm（H）样品。样品移动范围为 X：±7 mm、Y：0～+3 mm。离子束间歇加工ON/OFF 时间设定范围1秒～59分59秒。摆动角度±15°、±30°、±40°。 5、平面研磨 加工范围Φ32 mm。最大样品尺寸Φ50×25(H) mm 。 样品移动范围为 X：0～+5 mm。离子束间歇加工ON/OFF 时间设定范围1秒～59分59秒。旋转速度：1rpm\25rpm。摆动角度±60°、±90°。倾斜角度：0～90°16原子层沉积系统A02052402真空应用设备1502024年9月1.反应腔采用单腔设计，具有后期升级原位椭偏仪和QCM的能力；基片加热温度最高350℃，控温精度±1℃；反应腔可容纳样品尺寸至少8” (200 mm) x 0.25” (6.4 mm)； 2.真空泵抽速不低于14.6 CFM，单片反应腔抽取真空速度在1分钟内达到5x10-2 Torr，充腔时间在1分钟内完成； 3.单源脉冲时间可精确控制到0.01s；工艺载气使用量单脉冲不大于50sccm； 4.普通反应前驱源(每路分别包含ALD阀门、带加热的前驱源钢瓶和不锈钢管路)共6路，每个前驱源钢瓶可以加热到200℃。17原子层沉积系统（双腔）A02052402真空应用设备1002024年9月1、双腔结构； 2、反应温度可调节，最高温度大于等于450℃； 3、兼容8英寸以下晶圆； 4、至少四路前驱体源系统；18等离子体增强化学气相沉积A02052402真空应用设备2102024年9月1.最大8”样品，兼容小尺寸样品； 2.至少6路工艺气体：SiH4, NH3, N2O, N2, CF4, O2 3.反应室极限真空3E-4Pa 4.沉积SiO2： 沉积速率≥40nm/min, 均匀性≤±5%， 应力范围-200~0MPa； 5.沉积SiN： 沉积速率≥30nm/min, 均匀性≤±5%， 应力范围-200~200MPa。19电感耦合等离子体辅助化学气相沉积A02052402真空应用设备4002024年9月1. 适用于8寸的晶圆沉积，兼容小尺寸样品； 2. 本底真空小于2x10-6 mbar (1.5x10-3 mTorr)，漏率不大于5x10-4 mbar l/s，腔壁可加热； 3. 下电极：控温范围不小于室温~+300℃，控温精度不低于±1℃。上电极：平板三螺旋天线方式的高效ICP等离子源，等离子体密度可不小于1E+12 cm-3； 4. 射频源：上电极驱动ICP源，频率13.56 MHz，功率不低于1000 W；下电极射频偏压源，频率13.56 MHz，功率不小于300 W； 5. 至少6路工艺气体 6.可低温沉积介质薄膜，可沉积30um以上的二氧化硅薄膜 20电子束蒸发沉积系统A02052402真空应用设备1802024年9月1、适用于8英寸晶圆； 2、不锈钢材料，本底真空小于5E-9Torr 3、电子枪功率应大于5KW； 4、应具有膜厚仪监测实时膜厚；21电感耦合增强原子层沉积系统A02052402真空应用设备4002024年9月1. 系统功能：样品台可盛放8英寸样品，样品加热温度最高可达400°C；能够生长纯金属、金属氧化物或金属氮化物； 2. 操作模式：系统须是等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）系统，当不使用等离子体增强功能时，该系统还需允许热原子层沉积； 3. 前驱体源系统：须配备至少4路前驱源管路。其中，至少5条管路每路都能够适应气体、液体或固体前体； 4.等离子系统：采用远程电感耦合等离子体（ICP）。射频电源功率不小于300W，频率为13.56MHz。须提供1个氩（Ar）前体载气，最少4条氩（Ar）、氮（N2）、氧（O2）等离子气体管路。22激光共聚焦显微镜A02100301显微镜2002024年9月1、配有 405 nm 半导体激光器，光纤端输出功率不低于 5mw； 2、激光器强度完全由软件调节和控制，可根据实际测试需求在 4%到 100%之间连续调节； 2、3、最大扫描像素不低于6144x6144，可连续调节； 4、最大扫描分辨率不小于 3700万像素。 5、具有扫描变倍功能，范围 0.5x-40x，调节步进精度至少为 0.1x； 6、具有智能共聚焦针孔，针孔调节可完全通过计算机控制，调节范围 1μm-460μm 连续可调； 图像处理：可进行多种运算，加减乘除，比率，转换，滤波（低通，平均，高通，也可以用户自定义）23场发射扫描电子显微镜A02100301显微镜4902024年9月1.二次电子分辨率： 1.0nm （加速电压15kV），1.3nm （加速电压1kV）； 2.加速电压范围： 0.5～30kV ； 3. 5轴全自动样品台 X：0-110mm，Y：0-110mm，Z：1.5-40mm，T：-4°～70°，R：360°连续可调； 4. 电子枪：肖特基场发射电子枪或冷场发射电子枪。24傅里叶转换红外光谱仪A02100303物理光学仪器4002024年9月1. 可消除二氧化碳和水蒸气的干扰； 2. 主机光谱范围：8000--400cm-1； 3. 干涉仪：步进扫描功能超高精度迈克尔逊干涉仪，气悬浮轴承驱动，无磨损； 4. 红外显微镜：具有红外镜头，采用MCT或InGaAs检测器；25微区近红外光谱测量系统A02100303物理光学仪器3002024年9月1、系统激光光源至少包含405nm、532nm和785nm激光； 2、光谱仪参数：光谱仪焦长不低于500mm，光栅面积不低于 68mm x 68mm；杂散光抑制比达到1x10-4；最大光谱分辨率至少达到0.6nm、多个探测器系统组合后可测量光谱范围应包含400-1700nm,； 3、显微镜系统：应配置三维移动台，至少配置5x,10x,50x或者5x,20x,50x物镜组。26超构透镜光学检测系统A02100304光学测试仪器1802024年9月1、工作波段：400-950nm 2、光源：内置3个空间光激光器457nm,532nm,660nm,FWHM＜1MHz 3、入射平行光发散角＜0.5°（半角）； 4、焦距测量范围0-22mm 5、设备数值孔径≥0.75； 6、空间分辨率：1μm@532nm.27半导体综合电学测试仪A02110204半导体器件参数测量仪1402024年9月1、电流：30fA 精度，0.1fA 灵敏度；2、噪声测试带宽：高精度最高 100kHz，超低频最高 40Hz；3、噪声测试速度：10s/bias（大于 0.5Hz 频率分辨率）；4、内置脉冲测试：200V 电压，3A 脉冲电流，最小 50us 脉宽；5、高速时域信号采集：最小采样时间 1us，10 万点数据；6、噪声测试频率分辨率：高精度 0.1Hz，超低频 0.001Hz。28快速退火炉A02062001工业电热设备（电炉）1002024年9月1.支持最大200mm（8英寸）晶圆。 2.最快升温速率100度/秒。 3.双红外灯管加热（2*21kW）,顶部和底部双层加热设计。 4.最快降温速率T=1000 °C400 °C 200 K/min，T= 400 °C150 °C 30 K/min。 5.最高真空度 10-3 hPa29原子力显微镜A02100301显微镜3202024年9月1.扫描范围≥90μm x 90μm x 8μm； 2. 应配备光学辅助观察系统； 3. 应配置防震台 4. 具有优异的噪声控制水平； 5. 具有接触、非接触、力、电场等多种测量模式；30椭偏仪A02100304光学测试仪器1982024年9月1. 光谱范围深紫外、可见光到近红外，190 – 1700 nm。 2. 用于紫外/可见光段的高灵敏度硅 CCD 阵列探测器，2048像素，光谱分辨率 5 nm（FWHM），像素分辨率 0.45 nm。 3. 用于近红外段的线性铟镓砷阵列探测器，256 像素，光谱分辨率 12 nm（FWHM），像素分辨率 4 nm。 4. 测量时间：典型值 17 秒，整个ψ, Δ谱。 5. 高度、倾斜度可调节的样品载物台，直径 200 mm（可选150 mm 或者 300 mm）。31富氧电子束沉积系统A02052402真空应用设备3052024年9月1. 蒸发腔本底真空达到5E-7torr； 2. 样品尺寸：8 inch；具有便捷的样品传输功能； 3. 电子枪：功率≥5kW； 4. 膜厚仪：可自动控制电子枪工作的膜厚控制仪，控制精度＜0.05 &angst /s； 5. 含有离子源。32超高真空多腔室磁控溅射沉积系统A02052402真空应用设备8102024年9月1. 极限真空达到5E-9torr； 2. 样品台：八寸样品架，360度旋转，XYZ三轴移动, Z轴自动升降； 3. 靶基距可调； 5. 薄膜均匀性：±5%； 6. 含三个沉积腔室。33冷等静压机A02062099其他电气机械设备1402024年9月设计压力：66000 psi(4550 bar)@200℉(93℃)；工作压力：60000psi（4137bar）@40°F-200°F（4°-93℃）；内部工作腔尺寸：内径：4英寸（101.6mm）；内部长度：22英寸（558.8mm）34选择性激光诱导凝胶成型陶瓷3D打印机A02062099其他电气机械设备1602024年9月成型尺寸(mm)：φ260*120mm；成型机理：紫外激光诱导凝胶成型；激光器冷却方式：水冷；紫外光波长：355nm；实测光斑尺寸：≤50μm；激光功率：3000mW；光功率调节：1-100%可调；层厚分辨率：1μm-200μm；浆料-固含量：（氧化锆为参考）不低于50 vol.%35贴片机A02059900其他机械设备1832024年9月贴装速度 85500cph；元件贴装范围 0.12mm*0.12mm min 200mm*125mm max；PCB尺寸 50mm*45mm min 550mm*260mm（双轨模式）550mm*460mm（单轨模式）；贴装精度 0.03mmm36五轴陶瓷精雕机A02059900其他机械设备7902024年9月主机 DMU最大运动行程(X / Y / Z) 500 / 450 / 400 mm；最高主轴转速，铣削 18000 rpm； 最高主轴转速，超声 18000 rpm ；超声发射系统 HSK-A63；最大工件尺寸/装夹面ø 630 × 500 mm；最大工作台承重(5轴) 200 kg37超分辨近场纳米光谱与成像系统A02100399其他光学仪器10002024年9月散射式近场光学显微镜主机；集成的光学聚焦和信号收集模块；集成的红外波段近场照明模块；近场光学成像与光谱探测模块。38KHz 飞秒激光系统A02100309激光仪器3002024年9月重频1KHz；能量：7mJ；中心波长：800nm；可调范围：260nm-15000nm39角分辨显微镜A02100301显微镜4002024年9月动量空间成像范围：-12 rad/μm ~ 12 rad/μm（可见）；-5 rad/μm ~ 5 rad/μm（近红外）动量空间分辨率：0.2 rad/μm（可见），0.1 rad/μm（近红外）近红外探测器：制冷型探测器40三维光学轮廓仪A02100304光学测试仪器2502024年9月Z方向扫描范围0.1nm -10mm；最大扫描速度114μm/sec；CCD成像单元1392x104441微区时间分辨光谱A02100404光学式分析仪器6002024年9月部件一、飞秒激光器 中心波长： 1030+/-10nm；最大功率：20 W；脉宽： 0.4 mJ @ 1 - 50 kHz；脉冲稳定性 0.5 % rms over 24 h；重复频率：1Hz-200kHz 可调部件二、光参量放大器 =总输出波长：315-2600nm_x000b_；长时间功率稳定性（8h）：2 %@800nm 部件三、飞秒瞬态吸收光谱仪 白光范围Probe：350-1600nm；时间窗口：8ns（8.3fs延迟线分辨率）；偏振、样品架、中性密度调节调节方式：电动；测量方式：透射、反射；时间分辨率：1.4xPump或Probe脉宽（以较长者为准）；最大数据采集速度：4000 spectra/s 纳秒TA测量模块 测量范围350–2200 nm，时间窗口：8ns – 8 ms；显微测试模块42超高分辨荧光显微镜A02100301显微镜8002024年9月STED 超高系统的分辨率：xy分辨率≤50nm，或z轴分辨率≤130nm，结合荧光寿命技术，实现xy分辨率≤30nm，z轴分辨率≤130nm,系统同时也具有LIGHTNING高分辨技术，成像分辨率XY方向120nm，Z方向200nm。 激光器覆盖可见光及紫外光，各激光器单独分立；独立AOTF。激光器按如下谱线配置： 405nm，485nm-685nm连续波长脉冲激光器，总计201根激发谱线。 四个均可以进行光谱扫描的内置荧光通道，一个明场、暗场、DIC、相差效果良好的透射光通道，可同时多色定位及分析。光谱扫描和荧光光谱分离功能，可通过单次扫描采集荧光光谱分布曲线，并对荧光光谱进行分析和分离不同标记的信号，可以解决同时使用多种荧光标记时激发光或发射光波长重叠造成的串色问题； 研究型全自动倒置显微镜，调焦，物镜转换，载物台，荧光滤色镜转换，荧光挡板等全部电动，状态自动跟踪； 具有任意形状、视野图像拼接功能，具有螺旋扫描等多种扫描方式，扫描拼图速度叫常规系统快5-6X； 真正搭载在激光扫描共焦显微镜上的STED超高分辨率系统，可做光学切片成像。43二维电子光谱A02100304光学测试仪器6502024年9月部件一、飞秒激光器 中心波长： 1030+/-10nm,；最大功率：20 W；脉宽： 0.4 mJ @ 1 - 50 kHz；脉冲稳定性 0.5 % rms over 24 h；重复频率：1Hz-200kHz 可调 部件二、光参量放大器 总输出波长：315-2600nm_x000b_；长时间功率稳定性（8h）：2 %@800nm 部件三、可见二维电子光谱仪 重复率≤100 kHz_x005f ；输入极化线性，水平；输入光束尺寸（1/e^2）4.5 mm，准直；带单色仪和检测器；整形器44高速多光阱纳米光镊与力学测量系统A02100303物理光学仪器3752024年9月平场荧光相差长工作距离物镜 4x，10x，60X，100X各1支，DAPI、FITC、TRITC窄带荧光滤块各1支，高速扫描电动载物台1套，高级数码显微成像系统 2套，红外激光器、电源、控制器及其光路1套，光镊测力系统 1套，高精度压电陶瓷载物台 1套，图像工作站 1套，光镊配套控制软件1套45

央视每周质量报告继续曝光“紫砂真相”，重金属溶出量异常，而深陷“紫砂门”事件的美的却设定种种障碍拒绝给消费者退货，引起消费者不满。 　　近日，央视曝光美的紫砂煲黑幕，立即在消费者群中引起了极大反响，许多有健康意识的消费者本以为可以利用此煲养生降脂、获得更多矿物质，但现在却换来“铁红粉”、“二氧化锰”等对身体有致癌作用的化学物质。 　　当天下午，事件主角美的对外表示，已将该公司相关负责人停职，并接受消费者退货。同时，美的公司还出示了一份《国家陶瓷及水暖卫浴产品质量检验中心》检测报告的证据。宣称该中心检测报告显示，美的紫砂煲内胆、紫砂盖，无毒无害，请消费者不要恐慌。 　　但仔细对照央视等权威媒体曝光的“美的紫砂煲黑幕”细节和美的公司事后发表的公开申明，不难发现：美的被迫道歉是真，道歉内容是假 知错不改是真，改错方法是假。 　　马桶生产标准=紫砂煲生产标准? 　　在常识里，马桶和紫砂煲内胆是两个毫不相干的东西，但据媒体调查发现，为美的生产紫砂煲内胆的厂家，同时也是一家生产马桶的作坊工厂。试问，用来生产“方便”马桶的质量技术安全标准怎么可用来生产解决“一日三餐”的紫砂煲内胆? 　　卫浴产品质检标准=厨房电器质量安检标准? 　　假紫砂煲骗局刚被曝光，美的公司就忙不迭地亮出“国家陶瓷及水暖卫浴产品质量检验中心”的牌，声称称该中心检测报告显示，美的紫砂煲内胆、紫砂盖，无毒无害，请消费者不要恐慌。 　　但据记者调查了解，“国家陶瓷及水暖卫浴产品质量检验中心”就位于美的总部所在的佛山，该检验中心的检验范围主要覆盖建筑陶瓷、卫生陶瓷、日用陶瓷、水龙头、阀门、卫浴电器等产品及原材料等领域。作为一个主要负责陶瓷产品物理性能检验的机构，是否有资格出具厨房电器食品安全方面的检测报告? 　　为此，记者致电国家陶瓷及水暖卫浴产品质量检验中心进行求证。问及是否该中心给美的公司出具过紫砂煲无毒无害证明时，该中心人士表示不清楚，没有查到过这份报告。随后记者拨通美的生活电器制造有限公司新闻发言人的电话，该发言人拒绝回答。 　　关于假紫砂煲是否有毒，岂能企业自己说了算? 　　美的紫砂锅黑幕曝光后，至今没有看到权威监管部门的有关产品查封声明。而按照正常程序，问题产品应该第一时间被撤出市场，库存产品也要在第一时间被查封。关于问题产品有毒与否，也应该是由国家权威技监部门从封存产品中抽样检测，而不能由肇事者自己说了算。 　　作为“造假”事件的主角，美的绕开国家质量监督检验等权威部门，绕开广大消费者的知情渠道，单方面沟通送检机构，无论结果如何，显然不具备公信力。而且面对美的以往一连串的造假行为，消费者完全有理由质疑其悔改的真实性。 　　央视曝光：紫砂壶有毒，紫砂煲无毒? 　　央视每周质量报告继续曝光“紫砂真相”:13个紫砂壶样品重金属溶出量异常 　　第二期的质量报告中中央视记者随机购买了15件紫砂壶和紫砂杯送到上海材料研究所检测中心进行检测。检测项目主要针对记者调查时发现人为添加的钡、锰、钴、铬等几种重金属元素。经过检测，15件紫砂茶具，除了两件原矿紫砂茶具之外，其余13件样品重金属溶出量都出现了异常。这些重金属熔点较高，在紫砂陶器的煅烧过程中很难挥发，最终还是会残留在烧制好的茶具里面，在使用时可能会产生不同程度的溶出量。保健专家指出，长期摄入钡、锰、钴、铬等金属离子，就会危及人体健康。 　　随着事件的深入，美的仍不承认造假事实，也没给受害者相应赔偿，而且又拉上了九阳、伊立等同行垫背，甚至在媒体上为自己道歉、退货的举动进行自我歌颂。试问，如果央视没有曝光其造假行为，美的会主动承认造假事实吗?如果央视没有曝光其造假行为，美的还要欺骗中国消费者多久?

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　　本次160亿排除清单：除外责任将于2018年8月23日160亿美元诉讼生效之日起适用，并在本通知发布后延长一年。美国海关和边境保护局将发布有关货物进境指导和实施排除加征的指示。 /p p 　　本次2000亿排除清单：除外责任将于2018年9月24日(2000亿美元诉讼的生效日期)至2020年8月7日生效。美国海关和边境保护局将发布有关货物进境指导和实施排除加征的指示。 /p p 　　值得注意的是，本次3批排税清单中涵盖了35类科学仪器及其关键零部件，主要集中在340亿排除清单中，包括研磨机、退火炉、复合光学显微镜及附件、便携式超声波扫描仪、磁共振成像、电磁流量计、一氧化碳传感器等。清单如下： /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 美排除对华加征关税清单中的35类科学仪器及部件 /strong /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(17)泵，未安装或设计为配有测量装置，前述额定功率为37 W或更多但不超过80 W，流速为17升或更高分钟 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(68)部分涡旋气体分离器 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(131)破碎/研磨药丸的机器，每个价值超过20美元但不超过35美元 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(143)用于油压或液压阀的阀体以外的液压阀部件气动传动装置，每个价值不超过5美元 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(144)阀门泄压部件，包括阀体盖和隔膜 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(205)电阻加热退火炉 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(206)电阻加热的玻璃熔炉，每个熔炉都连续输送铰接辊和正压机 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(207)电阻加热带钢铸造炉 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(267)为复合光学显微镜载物台设计的附件 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(268)专为复合光学显微镜设计的相机适配器安装座 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(269)为化合物设计的Episcopic荧光显微镜配件光学显微镜 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(270)激光二极管以外的激光器价值超过200美元但不超过300美元 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(272)深度探测装置，每个价值不超过50美元 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(275)便携式超声波扫描仪控制台，每个重量不到4公斤有或没有换能器 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(278)具有固定尺寸和表面光洁度的锗酸锗晶体要求并用作正电子发射中的检测元素层析成像(PET)检测器 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(279)磁共振成像(“MRI”)患者外壳装置，每个结合射频和梯度线圈 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(280)二氧化碳监测仪的零件和附件 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(286)X射线管壳体及其部件 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(287)用于移动式X射线设备的金属零件和附件 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(288)印刷电路板组件，设计用于X射线设备 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(289)含有90%或更多钨的钨屏蔽，设计用于附着在特定放射治疗的多叶准直器的壁上基于使用X射线的装置 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(290)垂直支架专门设计用于支撑，容纳或调整机芯X射线数字探测器，或完整X射线中的X射线管和准直器诊断系统 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(292)外径较大的管道用电磁流量计系统超过183厘米 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(293)数字轮胎压力表，每个价值不超过2美元 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(294)一氧化碳传感器，每个传感器的价值超过14美元但不是超过19美元 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(295)硫化氢传感器，每个传感器的价值超过9美元但不超过13美元 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(296)二氧化氮传感器，每个传感器的价值超过12美元但不是超过17美元 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(297)二氧化硫传感器，每个传感器的价值超过24美元但不超过29美元 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(298)切片机通用盒式夹具 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(300)波形监视器，每个价值超过4,000美元，但不超过5,000美元 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(301)设计用于X射线探测器的印刷电路板组件 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(302)示波器探头 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(303)用于加热，通风和空调系统的自动恒温器，包含温度和湿度传感器，专为墙壁安装 /span /p p span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　(310)恒温器盖 /span /p p style=" text-align: right " span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 　　注：以上清单由仪器信息网整理，转载需注明来源。 /span /p p style=" text-align: left " span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " /span /p p style=" line-height: 16px " 　 span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 　 /span a style=" font-size: 12px color: rgb(0, 176, 240) text-decoration: underline " href=" https://img1.17img.cn/17img/files/201909/attachment/8d00be01-60d9-461c-b74d-b64cd8c53eb3.pdf" title=" 160亿美元加征关税排除清单.pdf" span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 160亿美元加征关税排除清单.pdf /span /a /p p style=" line-height: 16px " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 　　 /span a style=" font-size: 12px color: rgb(0, 176, 240) text-decoration: underline " href=" https://img1.17img.cn/17img/files/201909/attachment/5f0119ae-1807-4da5-83df-5f15b89c30f9.pdf" title=" 340亿美元加征关税排除清单.pdf" span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 340亿美元加征关税排除清单.pdf /span /a /p p style=" line-height: 16px " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 　　 /span a style=" font-size: 12px color: rgb(0, 176, 240) text-decoration: underline " href=" https://img1.17img.cn/17img/files/201909/attachment/e60fbbf9-72a4-4a21-b8f4-731fe97e7240.pdf" title=" 2000亿美元加征关税排除清单.pdf" span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 2000亿美元加征关税排除清单.pdf /span /a /p

国家质检总局拟于今年10月下旬举行《家用汽车产品修理、更换、退货责任规定》立法听证会。根据国家质检总局21日公布的《家用汽车产品修理、更换、退货责任规定(征求意见稿)》，家用汽车产品在出现因产品质量问题而产生的严重安全性能故障时，消费者可以要求免费退货。 　　规定几种退货情形 　　根据征求意见稿，家用汽车产品售出后30日内，出现因产品质量问题而产生的车身开裂、制动系统失效、转向系统失效、燃油泄漏等严重安全性能故障，消费者可以选择退货、更换、修理。消费者要求退货的，销售商应负责免费退货。 　　此外，在整车三包有效期内，因严重安全性能故障累计进行了2次修理，严重安全性能故障仍未排除或者又出现新的严重安全性能故障 或发动机、变速器、车身因产品质量问题，累计更换总成2次后，仍不能正常使用的 或制造商在三包凭证中明示的其他总成或系统，因同一主要零部件产品质量问题更换2次后，仍不能正常使用的，消费者可以选择退货、更换、修理。如果消费者选择退货的，销售商应当负责退货。 　　根据规定，符合退货条件的，销售商应当为消费者按发票价格一次退清货款。贷款购车的，销售商应当按合同约定一次退清货款。 　　三包有效期不低于2年或4万公里 　　根据征求意见稿，家用汽车产品的三包有效期自销售商开具购车发票之日起计算，三包有效期包括整车三包有效期，主要总成和系统质量担保期，损耗件和其他零部件的质量担保期。 　　整车三包有效期应不低于2年或者40000公里，以先达到者为准。主要总成和系统的质量担保期应不低于3年或者60000公里，以先达到者为准。 　　征求意见稿规定，修理商用于家用汽车产品三包修理的零部件应当是制造商提供或者认可，并检验合格的原装零部件。 　　相关新闻：关于召开《家用汽车产品修理、更换、退货责任规定 》立法听证会的通知 　　为了保护家用汽车产品消费者的合法权益，明确家用汽车产品销售商、制造商、修理商的修理、更换、退货责任, 根据《中华人民共和国产品质量法》、《中华人民共和国消费者权益保护法》等有关法律法规，质检总局起草了《家用汽车产品修理、更换、退货责任规定(征求意见稿)》。为提高立法质量，实现科学立法、民主立法，根据《中华人民共和国立法法》的规定，质检总局法规司将会同质量司，拟于10月下旬在总局举行《家用汽车产品修理、更换、退货责任规定》立法听证会。现面向社会征集听证陈述人参加会议，欢迎广大公民和有关单位踊跃报名参加，提出意见。 　　有意参加立法听证会的公民和单位，请于10月15日前将您的单位名称或者姓名、职业、职务、身份证号、联系方式等通过传真或者电子邮件的方式告知我们。届时，我们将从报名名单中确定参会人员，并及时通知。谢谢合作! 　　传 真： 010-82260107 　　电子邮件：zhuangl@aqsiq.gov.cn 　　附件：《家用汽车产品修理、更换、退货责任规定》(征求意见稿) 　　二○一一年九月二十日 　　家用汽车产品修理、更换、退货责任规定.doc