四英寸快速退火炉

品牌：Ecopia Corp.型号：RTP-1300，RTP-1600；RTP-1300, RTP-1600为Ecopia进口真空快速退火炉，仪器带有控制软件，为台式设计。RT-1300可以退火100mmX100mm尺寸的样品，RTP-1600可以退火150mmX150mm尺寸的样品。技术规格：- 加热方式：红外卤素钨灯，1.2KW/支；- 卤素红外灯数量：12支，或18支；- 最快升温速率：100℃/秒；- 最快降温速率：60秒(1000℃ → 400℃)；- 最高温度：1200℃；- 温度精度：+/-1℃- 最大样品尺寸：100 X 100mm, 或150mm X 150mm；- 退火环境：真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢气等)；- 真空泵及极限压力：机械泵，10-3Torr水平(选配)；- 电压：220 V，单相或三相；- 仪器尺寸：500 X 400 X 500mm (W X D X H)；- 质量：净重60Kg；仪器特点：- 可在真空/不同气氛/空气不同环境下，对样品进行快速热处理；- 温控精度高；- 适合高校或研究所科研使用；- 带有RTP控制软件；- 紧凑的台式设计；- 仪器操作方便，样片装取容易；- 价格合理，高性价比；应用领域：- 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA) - 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO) - 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN) - 硅化 (Silicidation) - 扩散 (Diffusion) - 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing) - 离子注入后退火 (Implant Annealing) - 电极合金化 (Contact Alloying) - 晶化和致密化 (Crystallization and Densification) - 合金熔点分析；- 薄膜沉积；等等…RTP-1300快速退火炉参考用户：北京师范大学、北京理工大学、昆明理工大学、中国科大、东南大学、西安交通大学、陕西师大、渤海大学、中科院苏州纳米所、国电光伏、苏州新磊等...

1. 产品概述THEORIS A302L 12英寸立式低温退火炉，先进的压力控制系统。2. 设备用途/原理THEORIS A302L 12英寸立式低温退火炉，先进的压力控制系统，高精度温度场控制技术，先进的颗粒控制技术，可靠的氢气工艺能力技术，高产能。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料硅。适用工艺 低压合金、金属 / 非金属退火、薄片退火。适用域 新兴应用、集成电路、先进封装。退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。

详细介绍：设备规格:桌上型小型快速退火炉；适应于2英寸-4英寸晶圆或者最大支持100mmx100mm样品；退火温度范围300℃-1200℃；升温速率≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性≦±1%；常压腔体（可选配真空腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，1-4路制程气体。工艺应用:快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；离子注入/接触退火；高温退火；高温扩散。金属合金；热氧化处理；应用领域：化合物半导体（砷化镓、氮化物、碳化硅等）；多晶硅；太阳能电池片；MEMS；功率器件；IC晶圆；LED晶圆。

MILA-5050 2英寸桌面型快速退火炉Mila-5050适用于对直径50mm以内的样品进行热处理。之前推出的Mila-5000series，可处理的样品的尺寸直径为20mm，已不能满足部分用户的需求。新型号Mila-5050在继承了Mila-5000series的集成化桌面化的优点， 将可处理的样品尺寸提高到50mm，并可提供良好的热均匀性（1%或更低@1000℃） 。应用1.硅片和复合圆晶的快速退火2.电子材料的快速热退火，例如光学CVD的基板3.玻璃基板，陶瓷和复合材料等的热处理4.热循环测试5.金属材料的热退火6.涂膜的耐热性评估7.有机材料和树脂的加热和干燥特点：1.可对φ50mm以内的样品进行热处理2.热处理温度可达1200℃3.集成加热炉，加热腔及温控器与一体的桌面型设计4.搭配水冷循环腔体，可进行洁净的快速升降温。5.通过USB连接，可将温控程序输入到电脑 6.加热过程中可通过电脑监测温度数据；参数：

我司具有软件、自动化和机械等整套研发人员，可依据客户需求，完成定制化设备的研发生产。客户在我司定制的第三代半导体材料氮化镓、碳化硅可用的新型快速退火炉，已在上海为客户装机调试完毕，如有需求，欢迎广大客户来电咨询定制氮化镓氮化硅快速退火炉的报价、型号、参数等。设备规格:6英寸快速退火炉；适应于2英寸-6英寸晶圆或者支持150mmx150mm样品；退火温度范围300℃-1400℃；升温速率≦150℃/sec(裸片)；温度均匀性≦±1%；常压腔体（可选配真空腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，1-4路制程气体。应用领域:快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；离子注入/接触退火；金属合金；热氧化处理；化合物合金（砷化镓、氮化物等）；多晶硅退火；太阳能电池片退火；高温退火；高温扩散。

快速退火炉(RTP/RTA)是半导体材料和器件常用的一款工艺设备。快速退火炉可以在真空、惰性气氛、不同的工艺气体环境下使用。VPO-300是一款很有特点的快速退火炉，有非常大的退火空间，适合大尺寸样品的热处理。 仪器特点： - 快速热处理、快速热退火 RTP / RTA； - 可在真空、甚至于高真空环境使用； - 加热区域尺寸：300毫米 X 300毫米； - 广泛用于太阳能电池片快速退火工艺，如156mm X 156mm电池片，300mm X 300mm电池片等； 参考用户：中科院上海技术物理所，中国电子科技集团41所；

全自动双腔快速退火炉RTP-DTS-8，晶圆快速退火炉产品特点：兼容6-8英寸WAFER；全自动双腔设计，产能提升； 最高温度可达1250℃；超高温场均匀性； 稳定的温度重现性；满足SIC量产化制程需求。行业应用：其他快速热处理工艺；砷化镓工艺；氧化物、氮化物生长；欧姆接触快速合金；硅化物合金退火；氧化回流技术参数最大产品尺寸6-8寸Cassette or smlf2个温度范围室温~1250℃最高升温速度≤30℃/s（载盘）温度均匀度±3℃≤600℃ ±0.5%＞600℃温度控制重复性±1℃腔体数量双腔

RTP-100/150快速退火炉为德国优尼坦公司生产，分为RTP-100, RTP-150, RSO-200,VPO-300共四个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的真空快速退火炉产品。技术规格：- 最高温度：1200摄氏度；- 升温速率：150摄氏度/秒；- 降温速度：200摄氏度/分钟 (1000摄氏度--400摄氏度)；- 温控均匀性：≤ 1.5%设定温度；- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部加热；- 灯管数量及功率：18支/20千瓦(RTP-100)，24支/21千瓦(RTP-150)；- 腔体冷却：水冷方式；- 衬底冷却：氮气吹扫；- 工艺气路：MFC控制，最多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；- 主机尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，约55Kg； 仪器特点：- 真空快速退火炉，有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa)；- 可在不同气氛环境下使用，如惰性气体、氧气、氢氮混合气等；- 控制方式：SIMATIC, SPS人机界面控制，7英寸触摸屏；- 可存储50个程序，每个程序最多分为50段控制；- 全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置；- 优异的温控均匀性，极佳的工艺重现性；- 小尺寸台式设计； 应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；等等...参考客户：西安交通大学、西安电子科技大学、中国科技大学、江汉大学、中科院上海技术物理所、中科院苏州纳米所、北京航天仪器研究所、京东方、武汉光迅、能华微电子等。

RTP快速退火炉是一种先进的半导体材料处理设备，其核心功能是通过快速加热和冷却的方式对材料进行高温处理。以下是关于RTP快速退火炉的详细产品介绍： 工作原理RTP快速退火炉的工作原理基于高温加热和快速冷却的过程。首先，将待处理的材料放置在炉腔中，并通过加热元件（如电阻丝、电热棒等）迅速将材料加热至设定的温度范围，通常为400~1300℃。在加热过程中，炉腔内的温度会被精确控制在恒定的数值范围内，以确保材料能够达到所需的退火温度。随后，通过冷却介质（如氮气、水等）将炉腔内的温度迅速降低至室温，从而避免材料再次发生晶粒长大和相变。 主要特点1. **快速加热和冷却**：RTP快速退火炉能够在极短的时间内完成加热和冷却过程，显著提高生产效率。2. **高温精度**：该设备具有高精度的温度控制系统，能够精确控制样品的温度，实现高质量的热处理。3. **均匀加热**：RTP快速退火炉采用先进的加热技术，确保样品在炉腔内均匀受热，避免温度不均匀导致的材料性能不一致。4. **多功能性**：该设备适用于各种材料的处理，包括硅、氮化物、氧化物等，满足不同工艺需求。5. **节能环保**：RTP快速退火炉通常采用节能设计，具有较低的能耗和环保性能。 应用领域RTP快速退火炉广泛应用于半导体制造、电子、光电、材料科学等领域。具体应用场景包括：* MOS器件的源、漏、栅接触改性* 电阻器、电容器的结构、电性能改良* 掺杂、扩散等工艺步骤的快速实现* 低介电常数介质材料的退火等 选择建议在选择RTP快速退火炉时，需要考虑以下因素：1. **温度范围和控制精度**：根据工艺需求确定所需的最高温度和温度控制精度。2. **加热速率和冷却速率**：考虑加热和冷却速率是否满足工艺要求，以确保快速热处理的实现。3. **样品尺寸和数量**：根据样品尺寸和数量选择适合的炉腔尺寸和容量。4. **控制系统和软件**：选择具有稳定可靠的温度控制系统和易于操作的软件界面的设备。5. **能源消耗和环保要求**：考虑设备的能耗情况和环保性能，选择节能环保的设备。6. **品牌和服务**：选择知名度高、信誉良好的厂家和品牌，确保产品质量和售后服务的可靠性。 结论RTP快速退火炉作为半导体制造过程中不可或缺的设备，其高效、节能和环保的特点使得它在现代半导体工业中得到了广泛应用。随着技术的不断发展，RTP快速退火炉的性能也将不断优化，为半导体产业的进步提供有力支持。

? 产品简介： REAL RTP200型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP200型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：8英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-150℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：1300mm*820mm*1300mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

3英寸、4英寸、6英寸、8英寸真空快速退火炉系统。应用：RTA（快速热退火）； RTO（快速热氧化）；注入退火；扩散；化合物半导体退火；渗氮；渗硅； 结晶化与致密化； 特点：适用于2英寸~8英寸晶圆，高可靠性和低拥有成本。不锈钢冷壁腔体技术； 高工艺重复性，超清洁无污染环境、 高冷却速率低记忆效果。 可实现高达10-6 mbar的高真空环境。 高温计和热电偶控制，高速数字PID温度控制器，边缘高温计视点保障了化合物半导体和小样品的基座的加强温度控制。 使用特点：温度范围：RT to 1000°C；斜坡速率：最高200°C/s；气体混合功能：使用质量流量控制器控制；真空范围：大气压～10-6 Torr，可配置分子泵；本系统提供全电脑控制，应用控制软件兼容window系统。

RTP-1250小型真空快速退火炉(RTP/RTA)为韩国进口的快速退火炉。该仪器：尺寸小巧，使用风冷、无须水冷，电流要求不高(3安培)，性价比高，使用方便，非常适合科研院所的科研使用。 技术规格： - 加热方式：红外卤素钨灯，600W； - 卤素红外灯数量：4支； - 最快升温速率：100℃/秒； - 最快降温速率：50秒(1000℃ → 400℃)； - 最高温度：1200℃； - 温度精度：+/-0.3℃ - 最大样品尺寸：50 x 50mm，3寸； - 退火环境：真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢气等)； - 真空泵及极限压力：机械泵，10-3Torr水平(选配)； - 电压：220 V，单相； - 仪器尺寸：400*300*450mm (W*D*H)； - 质量：净重30Kg；仪器特点： - 可在真空/不同气氛/空气不同环境下，对样品进行快速热处理； - 温控精度高； - 适合高校或研究所科研使用； - 无须额外的冷却系统； - 紧凑的台式设计； - 仪器操作方便，样片装取容易； - 价格合理，高性价比；应用领域： - 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA) - 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO) - 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN) - 硅化 (Silicidation) - 扩散 (Diffusion) - 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing) - 离子注入后退火 (Implant Annealing) - 电极合金化 (Contact Alloying) - 晶化和致密化 (Crystallization and Densification) - 合金熔点分析； - 薄膜沉积； 等等…

vpo-300快速退火炉为德国优尼坦公司生产，分为RTP-100, RTP-150, RSO-200,VPO-300共四个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的真空快速退火炉产品。点击查阅详细信息技术规格：- 最高温度：1200摄氏度；- 升温速率：150摄氏度/秒；- 降温速度：200摄氏度/分钟 (1000摄氏度--400摄氏度)；- 温控均匀性：≤ 1.5%设定温度；- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部加热；- 灯管数量及功率：18支/20千瓦(RTP-100)，24支/21千瓦(RTP-150)；- 腔体冷却：水冷方式；- 衬底冷却：氮气吹扫；- 工艺气路：MFC控制，最多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；- 主机尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，约55Kg； 仪器特点：- 真空快速退火炉，有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa)；- 可在不同气氛环境下使用，如惰性气体、氧气、氢氮混合气等；- 控制方式：SIMATIC, SPS人机界面控制，7英寸触摸屏；- 可存储50个程序，每个程序最多分为50段控制；- 全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置；- 优异的温控均匀性，极佳的工艺重现性；- 小尺寸台式设计； 应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；等等...参考客户：西安交通大学、西安电子科技大学、中国科技大学、江汉大学、中科院上海技术物理所、中科院苏州纳米所、北京航天仪器研究所、京东方、武汉光迅、能华微电子等。

产地：法国AnnealSys；型号：AS-One100/AS-One150 AS-ONE立式快速退火炉为法国AS公司生产，分为AS-ONE 100, 150, 200三个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸的真空快速退火炉产品。 应用： - 快速热退火 RTA； - 快速热氧化 RTO； - 扩散，接触退火； - 化合物半导体退火； - 氮化，硅化； - 硒化，硫化； - 石墨烯沉积，碳纳米管生长； - 晶体化，致密化； 技术规格：规格AS-ONE 100AS-ONE 150最大样品基底直径100mm (4英寸)150mm (6英寸)腔体尺寸130mm直径 x 25mm200mm直径 x 25mm红外灯数量/最大功率12支 / 30KW18支 / 34KW红外灯冷却方式风扇风扇标准温度范围室温 ~ 1250°C室温 ~ 1200°C选配高温版本范围室温 ~ 1500°C室温 ~ 1300°C升温速度0.1°C ~ 200°C/s0.1°C ~ 150°C/s温度控制快速数字PID控制器 快速数字PID控制器热电偶K型K型高温计150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C气体注入石英视窗以下石英视窗以下清洗气路标准配置标准配置工艺气路方式/数量MFC / 5路MFC / 5路真空获得系统干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)尺寸/重量510mm x 1425mm x 800mm / 194Kg510mm x 1425mm x 800mm / 240Kg参考客户：清华大学、北京大学、复旦大学、华南理工大学、天津中电十八所、南京中电五十五所、GE上海研发中心、南方科大、深圳大学等。大尺寸样品快速退火炉 快速退火炉(RTP/RTA)是半导体材料和器件常用的一款工艺设备。快速退火炉可以在真空、惰性气氛、不同的工艺气体环境下使用。 仪器特点： - 快速热处理、快速热退火 RTP / RTA； - 可在真空、甚至于高真空环境使用； - 广泛用于太阳能电池片快速退火工艺，如156mm X 156mm电池片，300mm X 300mm电池片等；

RTP-100/150快速退火炉为德国优尼坦公司生产，分为RTP-100, RTP-150, RSO-200,VPO-300共四个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的真空快速退火炉产品。点击查阅详细信息技术规格：- 最高温度：1200摄氏度；- 升温速率：150摄氏度/秒；- 降温速度：200摄氏度/分钟 (1000摄氏度--400摄氏度)；- 温控均匀性：≤ 1.5%设定温度；- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部加热；- 灯管数量及功率：18支/20千瓦(RTP-100)，24支/21千瓦(RTP-150)；- 腔体冷却：水冷方式；- 衬底冷却：氮气吹扫；- 工艺气路：MFC控制，最多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；- 主机尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，约55Kg； 仪器特点：- 真空快速退火炉，有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa)；- 可在不同气氛环境下使用，如惰性气体、氧气、氢氮混合气等；- 控制方式：SIMATIC, SPS人机界面控制，7英寸触摸屏；- 可存储50个程序，每个程序最多分为50段控制；- 全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置；- 优异的温控均匀性，极佳的工艺重现性；- 小尺寸台式设计； 应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；等等...参考客户：西安交通大学、西安电子科技大学、中国科技大学、江汉大学、中科院上海技术物理所、中科院苏州纳米所、北京航天仪器研究所、京东方、武汉光迅、能华微电子等。

RTP-200快速退火炉为德国优尼坦公司生产，分为RTP-100, RTP-150, RSO-200,VPO-300共四个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的真空快速退火炉产品。点击查阅详细信息技术规格：- 最高温度：1200摄氏度；- 升温速率：150摄氏度/秒；- 降温速度：200摄氏度/分钟 (1000摄氏度--400摄氏度)；- 温控均匀性：≤ 1.5%设定温度；- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部加热；- 灯管数量及功率：18支/20千瓦(RTP-100)，24支/21千瓦(RTP-150)；- 腔体冷却：水冷方式；- 衬底冷却：氮气吹扫；- 工艺气路：MFC控制，最多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；- 主机尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，约55Kg； 仪器特点：- 真空快速退火炉，有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa)；- 可在不同气氛环境下使用，如惰性气体、氧气、氢氮混合气等；- 控制方式：SIMATIC, SPS人机界面控制，7英寸触摸屏；- 可存储50个程序，每个程序最多分为50段控制；- 全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置；- 优异的温控均匀性，极佳的工艺重现性；- 小尺寸台式设计； 应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；等等...参考客户：西安交通大学、西安电子科技大学、中国科技大学、江汉大学、中科院上海技术物理所、中科院苏州纳米所、北京航天仪器研究所、京东方、武汉光迅、能华微电子等。

? 产品简介： REAL RTP150型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款6寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP150型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：6英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-150℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：870mm*650mm*620mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

? 产品简介： REAL RTP100型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款4寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP100型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，热电偶测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：4英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-200℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：870mm*650mm*620mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：适用于大 100 毫米（4 英寸）的单晶圆由石英玻璃制成的工艺室带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）h由 18 个红外灯 （20 kW） 提供顶部和底部加热外部泵系统的真空度（高 10E-6 hPa，高 10E-3 hPa：参见 RTP-100）， 包括涡轮分子泵、真空测量、闸阀和压力表 不包括粗泵SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1200 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：32 A CEE 插头（3x 230 V，3 相，N，PE，18 kW）烤箱尺寸：504 x 521 x 576 毫米（宽 x 深 x 高）重量： 68 kg

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：适用于大 100 毫米（4 英寸）的单晶圆由石英玻璃制成的工艺室带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）h由顶部和底部红外加热，每个加热带 9 个灯和 14 kW顶部和底部加热外部泵系统的真空度高达 10E-3 hPaSPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1200 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：2 x 32 A CEE 插头（3x 230 V，3 相，N，PE，18 kW）烤箱尺寸：504 x 521 x 576 毫米（宽 x 深 x 高）重量： 60 kg

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域不可或缺的重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：4 技术规格&bull 适用于直径达 200 毫米（8 英寸）的单个晶圆 &bull 集成气体入口和出口 &bull 高温度：1000 °C &bull 升温速率：高达 50 K/（可选：100 K/） &bull 通过热电偶控制温度，无石英室、铝室（可选配石英室） &bull 尺寸：约 578 mm x 496 mm x 570 mm（宽 x 深 x 高） &bull 重量： 约 70 公斤 部件支架&bull 石英托盘，固定集成在门中 &bull 用于直径为 200 mm 的单晶圆和石墨基座的石英支架加热&bull 由 2 x 12 个红外灯加热（红外加热器的标称电压/功率：230 V/2 kW） &bull 顶部和底部加热（可选） 真空&bull 压力刻度 10exp-3 hPa 或 RTP-200-HV 10exp-6 hPa过程控制 &bull SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC &bull 触摸面板上可存储 50 个程序，每个程序多 50 个步骤 &bull USB 2.0 接口，用于存储过程数据（CSV 文件格式） &bull 包括 7 英寸触摸屏，操作直观舒适

快速退火炉RTP-3-04系列采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸样品）快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到**的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。产品特点可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。可远程操作：提供远程监控模块。压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。快速控温与高真空：升温速率可达150℃/s，真空度可达到10-3Pa。程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的精确控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用MFC精确控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。独特的腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1.5%。全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障设备使用安全。产品应用金属电极合金化硬质合金薄膜去应力退火石墨烯生长器件退火材料再结晶、晶化热氧化、热氮化ITO膜致密化薄膜CVD生长搭载电学测试模块变温电阻测量等离子注入/接触退火太阳能电池片键合低介电材料热处理芯片晶圆热处理键合炉其他热工艺需求

红外退火炉采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，极大程度上改善了电阻式加热的弊病，同时可实现样品快速升温和退火。可广泛应用于强诱导体薄膜的结晶化退火、注入离子后的扩散退火、半导体材料的烧成与退火条件研究、快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)、电极合金化、碳纳米管等外延生长、单晶基板热处理等功能中，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。型号红外退火炉IRLA-1200快速退火炉LRTP-1200石墨烯退火炉GRTP-1200产品图片 温度范围RT-1150℃RT-1200℃控温精度±0.1℃≤0.1℃±0.1℃最大升温速率45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)100℃/s（真空，惰性气体）45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)最快降温速度200℃/min(1000℃--400℃)，降到室温20min左右腔体冷却水冷方式、独立冷却源寸底冷却自然冷却氮气吹扫自然冷却测试气氛真空及氩气、氮气等惰性气体样品大小20 x 20 x 2，单位mm（最大）4英寸30 x 30x 4,单位mm处理材料类型薄膜、粉体、块体、液体温度传感器石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶额定功率4x(1KW-110V/根）18x(1KW-110V/根）4x(1KW-110V/根）温度程序模式温度-时间设置，最高256步，32个程序，循环、保温等功能模糊PID逻辑控温，手动/自动开始，USB485连接工艺气路MFC控制，1路(惰性气体)MFC控制，最多4路(可选氮气、氩气、氧气、氢氮混合气)4路(可选氮气、氩气等)外观尺寸420X320X220，单位mm450×625×535，单位mm420X220X320,单位mm质量20.5kg--20.5kg 应用案例：●快速热处理，快速退火，快速热氧化，快速热氮化 ●强诱导体薄膜的结晶化退火 ●注入离子后的扩散退火 ● SiAu, SiAl, SiMo合金化 ●太阳能电池片键合 ●半导体材料的烧成与退火条件研究 ●低介电材料热处 ●晶体化，致密化 ●电极合金化 ●晶向化和坚化 ●石墨烯等气相沉积 ●碳纳米管等外延生长 ●单晶基板热处理 ●去除有机残留和光刻胶残留，降低残余应力 ●电阻烧结

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：适用于大 150 mm （6“） 或 156 mm x 156 mm 基板尺寸的单晶圆（可选：100 mm 适配器）由石英玻璃制成的工艺室（室高度：40 mm）带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）由 24 个红外灯 （21 kW） 加热 顶部和底部加热斜坡下降速率：T=1000 °C˃ 400 °C 200 K/min。 斜坡下降速率：T= 400 °C˃ 100 °C 30 K/min。外部泵系统具有真空功能（高 10E-3 hPa，高 10E-6 hPa：参见 RTP-150-HV）SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1000 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：32 A CEE 插头（3 x 230 V，3 相，N，PE，21 kW）烤箱尺寸：504 mm x 504 mm （700） x 570 mm（宽 x 深 x 高）重量： 55 kg

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域不可或缺的重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：适用于大 150 mm （6“） 或 156 mm x 156 mm 基板尺寸的单晶圆（可选：100 mm 适配器）由石英玻璃制成的工艺室（室高度：40 mm）带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）由 24 个红外灯 （21 kW） 加热顶部和底部加热斜坡下降速率：T=1000 °C˃ 400 °C 200 K/min。斜坡下降速率：T= 400 °C˃ 100 °C 30 K/min。真空度可用于外部泵系统（高 10E-6 hPa，高 10E-3 hPa：参见 RTP-150）， 包括涡轮分子泵、真空测量、闸阀和压力表 不包括粗泵SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1000 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：32 A CEE 插头（3 x 230 V，3 相，N，PE，21 kW）烤箱尺寸：504 mm x 504 mm （700） x 690 mm（宽 x 深 x 高）重量： 78 kg

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：适用于大 100 mm （4“） 或 100 mm x 100 mm 基板尺寸的单晶圆由石英玻璃制成的工艺室带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）由 18 个红外灯 （20 kW） 加热顶部和底部加热（可选）外部泵系统具有真空功能（高 10E-3 hPa，高 10E-6 hPa：参见 RTP-100-HV）SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1200 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：32 A CEE 插头（3x 230 V，3 相，N，PE，20 kW）烤箱尺寸：504 x 504 （700） x 570 毫米（宽 x 深 x 高）重量： 55 kg

真空快速退火炉AS-MicroAS-Micro是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：• 快速热退火• 植入退火• 欧姆接触退火• 快速热氧化（RTO）• 快速热氮化（RTN）• 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点： 1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：3-inch；2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制； 5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

螣芯科技RTP快速退火炉RTP-150真空快速退火炉产品特点u 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷u 灯管功率PID控温，可准确控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性u 采用平行气路进气方式，气体的进入口设置在Wafer表面，避免退火过程中冷点产生，保证产品良好的温度均匀性u 大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理u 标配三组工艺气体u 可测单晶片样品的尺寸为6英寸（150mm）u 采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障仪器使用安全 RTP行业应用u 氧化物、氮化物生长u 硅化物合金退火u 砷化镓工艺u 欧姆接触快速合金u 氧化回流其他快速热处理工艺RTP-150RL产品尺寸6寸晶圆或者支持150×150mm产品腔体材质镀金铝制腔体腔体门锁方式自动门锁，保证制程安全温度范围室温~800℃ 升温速度150℃/s可编程（此温度为不含载盘的升温速度）20℃/s（SiC载盘）温度均匀度±5℃≤500℃±1%＞500℃ 温度控制重复性±1℃恒温持续时间可依据要求编程温控方式快速PID温控控温区域多组控温区域，保证恒温区温度稳定性降温速度约200℃/min（1000~400℃）不可编程腔体设计可配置大气常压腔体或者真空腔体真空泵风冷式干泵腔体冷却方式水冷腔体，独立水冷源控制冷却冷水机配置优先选螣芯科技配置的冷水机，或者使用厂务用水衬底冷却方式氮气吹扫工艺气体MFC控制，常规两路气体（N2 / GN2）一路工艺气体、一路氮气吹扫气体控制方式工业电脑+PC control温度校准TC Wafer及温度校准工具（选配）Wafer托盘SiC（选配）

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域不可或缺的重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：技术参数：适用于大 150 mm （6“） 或 156 mm x 156 mm 基板尺寸的单晶圆（可选：100 mm 适配器）由石英玻璃制成的工艺室（室高度：40 mm）带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）由 24 个红外灯 （42 kW） 加热顶部和底部加热斜坡下降速率：T=1000 °C˃ 400 °C 200 K/min。 斜坡下降速率：T= 400 °C˃ 100 °C 30 K/min。外部泵系统具有真空功能（高 10E-3 hPa，高 10E-6 hPa：参见 RTP-150-HV）SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1000 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：2x[32 A CEE 插头（3 x 230 V，3 相，N，PE烤箱尺寸：504 mm x 504 mm （700） x 570 mm（宽 x 深 x 高）重量： 58 kg

快速退火炉(RTP/RTA)是半导体材料和器件常用的一款工艺设备。快速退火炉可以在真空、惰性气氛、不同的工艺气体环境下使用。VPO-300是一款很有特点的快速退火炉，有非常大的退火空间，适合大尺寸样品的热处理。仪器特点：- 快速热处理、快速热退火 RTP / RTA；- 可在真空、甚至于高真空环境使用；- 加热区域尺寸：300毫米 X 300毫米；- 广泛用于太阳能电池片快速退火工艺，如156mm X 156mm电池片，300mm X 300mm电池片等；