塞曼效应实验装置

求教：关于塞曼效应扣背景听说有正常塞曼效应和反常塞曼效应两种方法，请问熟悉的专家高手这两种塞曼扣背景方式具体有什么区别？各有什么优缺点？另外目前市场上采用这两种扣背景方式的常见仪器又有哪些型号呢？

塞曼效应（Zeeman effect），在原子、分子物理学和化学中的光谱分析里是指原子的光谱线在外磁场中出现分裂的现象。在外磁场中，总自旋为零的原子表现出正常塞曼效应，总自旋不为零的原子表现出反常塞曼效应。例如钠原子的589.6nm和589.0nm的谱线，在外磁场中的分裂就是反常塞曼效应。镉的643.847nm（1D2态向1P1态的跃迁）谱线在磁场不太强时就是表现出正常塞曼效应。只有当外磁场的强度比较弱，不足以破坏自旋-轨道耦合时才会出现反常塞曼效应，这时自旋角动量和轨道角动量分别围绕总角动量作快速进动，总角动量绕外磁场作慢速进动。当磁场很强时，自旋角动量和轨道角动量不再合成总角动量，而是分别围绕外磁场进动。这时反常塞曼效应被帕邢-巴克效应所取代，其效果是恢复到正常塞曼效应，即谱线分裂成3条，相互之间间隔一个洛伦兹单位。这里磁场的“强”与“弱”是相对的，例如3T的磁场对于钠589.6nm和589.0nm的双线是弱磁场，不会引起帕邢-巴克效应，但对于锂的670.785nm和670.800nm的双线是强磁场，足够观察到帕邢-巴克效应以上内容均为摘录。我的问题在于我关注的Pb\Cr\本身属于正常塞曼分裂还是反常塞曼分裂？如果是反常塞曼分裂，需要施加多大的磁场？

大家好，最近再摸索塞曼扣背景的原理，有几个问题想请教一下大家问题一：因为我们的仪器是PE AA 800的，应该是横向加热，交变磁场塞曼扣背景的（据说磁场强度是1.9T），由于磁场下的正常塞曼效应是列分为π和O正负（那个叫“诗歌吗”的符号不会打），根据塞曼原理，应该是元素原子在磁场中高能级态的谱线分裂成三条？？还是空心阴极灯发出的光在磁场中发生分裂？？？

原子吸收里的塞曼效应看了书也不理解，好难啊

塞曼效应是指原子光谱在外加磁场下发生分裂。 电子的自旋运动会产生环电流，进而会产生磁场；在外磁场作用下，同一轨道中自旋不同的电子能量不同导致了原子光谱的分裂。我们可以通过考虑和不考虑外加磁场时的薛定谔方程表达式来解释塞曼效应： 不考虑外加磁场时薛定谔方程的表达式是：HΨ=EΨ， 在这个表达式中能量只与n、l和m有关，而与磁量子数无关，也就是说与电子的自旋无关，所以具有同样的n、l和m的电子[也就是同一轨道中自旋反平行的两个电子]具有相同的能量；测试原子光谱时只有一条谱线。 考虑外加磁场时薛定谔方程的表达式：(H+Hb)Ψ=(E+Eb)Ψ, 此时Hb表示的是外加磁场对体系哈密顿量的影响, (H+Hb)是有外加磁场时的哈密顿量；Eb则有外场时Hb所对应的能量值，(E+Eb)是有外磁场时体系的能量；由于在外加磁场下自旋不同的电子有不同的能量，Eb值不同,所以在外磁场存在时原子光谱发生了分裂。

一直以来认为国内并没有成功商品化交变磁场调制反塞曼效应背景校正（简称交流塞曼）技术，近日上网一搜，才发现自己严重Out了。早在2009年，上海光谱的SP-3880AA就已经把交流塞曼和直流塞曼（直流磁场激励反塞曼效应背景校正）共冶一炉，居然在一台机子上实现了！一个感觉——震撼。如果再看这型仪器的其他配置，更觉震撼：开关型直流化石墨炉电源、横向加热石墨炉、固体进样技术、etc。呵呵，我不相信横向加热石墨炉，因为这一项和仪器的其他部分不匹配。但其他几项，就算拿到国际上，也算先进了。不说其他，单论这交直流塞曼合体。我们知道，恒定磁场反塞曼效应背景校正（恒磁塞曼，以区别于直流塞曼）要使用塞曼分裂的p成分（即偏振方向平行于磁场的成分）作为总吸收信号的测量光束，而对于部分反常塞曼效应的原子吸收谱线，其p成分内部因为磁致分裂较大，导致分析谱线峰值下降，从而损失相对灵敏度。Cu、Au、Ag、Cr、As等元素的灵敏线不幸都落在这个部分中。因此，从相对灵敏度来说，恒磁塞曼不如交流塞曼，后者虽然也存在同样的问题，但一来相对灵敏度损失不太大（因为不使用p成分），二来还可以通过调节磁场强度来解决。恒磁塞曼使用永久磁铁，自然也就无法调节磁场。所以，用直流电磁铁来激励一个强度可调的直流磁场，就成为一种顺理成章的思路，这就是直流塞曼技术。直流塞曼的光路结构完全和恒磁塞曼相同，但磁场却与交流塞曼匹配。如果用交变信号激励磁场，在磁场最大时让s成分（偏振方向垂直于）输出，而在零磁场时让p成分输出，那么就实现另一种形式的交流塞曼，磁场调制和信号测量的同步方法实际上很简单，此处不叙。和经典的交流塞曼系统相比，只是在零磁场时用p成分代替s成分而已，而这二者是完全等价的。换句话说，交直流塞曼本来就可以合体的！为何过去没有人意识到这一点呢？我想应该是没有人认为有交流塞曼还需要直流塞曼吧。如果用两个光电检测器同时测定p成分和s成分，直流塞曼在处理高速背景方面无疑占有优势，这也就是二者合体的意义。不过，这需要有双检测器为前提。SP-3880AA并没有说明这一点，表明这型仪器没有使用双检测器，所以其交直流塞曼合体的意义并不太大。不过，这是一型真正的商品化交流塞曼原子吸收系统，仅就此而言，填补国内空白是可以自称的。顺便指出，双检测器并非增加一个PMT那么简单，要求两个PMT性能上严格匹配，并且对光路要求很严格，所以会增加成本。SP3880AA有如此的技术，但除了频频获奖外，并没有吸引多少眼球。我曾在本坛中从2008年搜到2011年，竟然没有一篇帖子谈论上海光谱的这型仪器。个中原因恐怕只有上海光谱自己知道了。其实据我所知，交流塞曼，甚至纵向交流塞曼在国内早有人研制出来了，但一到产品阶段就卡壳，无法进行下去。我国的仪器产业，固然在理论水平方面落后于国外，但更主要的原因是先进制造能力，当然还有市场能力的缺乏。但愿这种看法是错误的。

求个高频塞曼效应汞分子仪RA-915M使用说明书

应用塞曼效应进行背景校正时，仪器结构并不是固定或一致的，校正方式也可进一步细分为若干种，它们与磁场位置、磁场方向、以及磁场性质等方面的不同选择都是息息相关的：1.塞曼背景校正装置的安装位置不同分为光源调制与吸收线调制两种，前者是指光源在磁场中发射线的塞曼分裂，后者是指原子化器在磁场中吸收线的塞曼分裂。2.而由于磁场与光束间的方向不同又分为垂直（横向塞曼效应）与平行（纵向塞曼效应）两种。3.而根据磁场自身的工作方式又可分为两种：采用恒定磁场的偏振调制方式、采用交变磁场的磁场调制方式。上述这三条依次组合会有2*2*2＝8种形式的塞曼背景校正方式：光源调制横向恒磁场塞曼背景校正光源调制纵向恒磁场塞曼背景校正光源调制横向交变磁场塞曼背景校正光源调制纵向交变磁场塞曼背景校正吸收线调制横向恒磁场塞曼背景校正吸收线调制纵向恒磁场塞曼背景校正吸收线调制横向交变磁场塞曼背景校正吸收线调制纵向交变磁场塞曼背景校正但是：1.光源调制方式对于仪器光源结构有较大要求，使得元素灯不具有通用性，逐渐被市场所淘汰吧就算...因此，目前市场上的塞曼背景校正的仪器都是采用原子化器调制方式，没有使用光源调制的类型了。2.关于横向与纵向磁场的问题。横向磁场效应产生的是波长不变的π成分和波长变化的σ±成分，前者用于测量原子吸收信号，后者不产生原子吸收信号，是用于对背景校正。而纵向磁场仅能产生σ±成分，也就是说仅能产生背景信号。3.因此，横向磁场可以使用恒定磁场和交变磁场来实现原子吸收与背景吸收的测量。而纵向磁场只能采用交变磁场，通过磁场的有无来分别实现对原子吸收信号和背景信号的测量，纵向磁场若采用恒定磁场则只有背景信号，不能用于原子吸收仪器分析。纵上所述，所以目前市场上只有3种塞曼背景校正的仪器：吸收线调制恒定磁场横向塞曼型：WFX-810型（北京瑞利分析仪器公司）Z8000/Z5000/Z2000系列（日本Hitachi公司）吸收线调制交变磁场横向塞曼型：ZEEnit系列（德国analytik-jena公司）Z3030型（美国Perkin-Elmer公司）吸收线调制交变磁场纵向塞曼型：ZL4100/Z600/Z800 AnalytTM600/800型（美国Perkin-Elmer公司）继续，这就引起了一个问题，就是您所提到的问题了，采用交变磁场背景校正的，它必须要求有复杂、庞大的电路系统，而且磁间隙有限，现有的机械、电学、物理学等水平决定了它不能够生产出有火焰燃烧缝那么长（一般15cm左右）的磁场，仅仅应用于石墨炉分析的纵向交变磁场的正常消耗功率就已经达到了4kW！这已经对用于分析的实验室的电路造成了很大的负荷，而且还不包括石墨炉电源，仅仅是它的交变磁场就是4kW了。因此目前采用交变磁场背景校正的仪器，仅仅是石墨炉分析而已，仪器在火焰一侧的背景校正方式采用的必然是D2灯。而横向恒定磁场就没有这个问题了，可以实现火焰与石墨炉的塞曼背景校正，但是并不是说这就比交变磁场要好或是技术更先进，应该说是各有所长也各有所短，真正的评判依据在于用户，用户分析自己的样品适用的方式，就是对他来说好的方式。对本文中出现的错误或各位读者有什么意见建议，欢迎大家批评指正...加一句：原创帖是个人知识、智慧与汗水，应用或转载请注明出处...不关是我的帖子，所有原创帖大家都应支持与保护！谢谢！

¨正常塞曼效应或称之为简单塞曼效应发生时，谱线被分裂成两个σ分量和一个π分量， π分量留在原谱线位置，σ分量则对称地出现在原谱线两侧数皮克纳米处。该分量偏离 的程度取决于磁场强度的大小。 π分量与磁场方向平行， σ分量与磁场方向垂直。 有点不理解的是当采用交变纵向磁场的时候，，既然π的分量是与磁场是平行的为什么可以不用偏振镜滤除呢。当横向磁场的时候π分量不是刚好和磁场平行不是正好进不去光路 为什么还要偏振镜滤除呢。

PE900T塞曼扣背景还是氘灯扣背景是仪器自动选择的还是自己设置的，要是自己设置要在哪里设置呢？ 最近要新建石墨炉测钡的方法，500+的波长氘灯应该校正不到吧，但是要求有背景校正，查了下，钡的塞曼效应还是满大的。有没有大侠测过钡的呢？关于其升温程序和背景校正都是怎么处理的呢？

对于扣背景我了解的也不多，我们买了一台原吸，后来在一些讨论中看到，石墨炉的一般用塞曼扣背景，但我们的只有氘灯和自吸，所以上来问问咋回事？塞曼扣背景好像是塞曼效应，和氘灯扣背景有什么区别吗？

物理学家拉曼通过简单的实验设备观察到拉曼光谱，我按着他的方式试图观察到拉曼光谱，但是在分光镜上始终无法看到，请问哪位大神能用简单的的设备装置观察到拉曼效应，或者用什么设备比较合适？

横向加热的石墨炉（带塞曼扣背景）绝对要比纵向加热的好吗？帮忙分析一下

[b][color=#000099]我正想向版主专家请教[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原吸[/color][/url]的背景校正，无意中在一论坛上看到如下的介绍，现转来至此，请这里的版主专家审一下，对吗？全吗？[/color][/b]背景的产生具有波长、时间和温度特性。背景校正装置有氘灯校正背景、塞曼效应校正背景、自吸收校正背景等3 种。[color=#ff0000]　[b]　一、氘灯背景校正装置[/b][/color]　　氘灯背景校正装置就是一只氘灯及其相应的电源。氘灯安装在侧光路上，需要背景校正时，将它移入测量光路，或者通过一块半透半反镜将氘灯的光引入测量光路。　　切光器或半透半反镜可使锐线光源与氘灯连续光源交替进入原子化器。锐线光源测定的吸光度值为[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]与背景吸收的总吸光度。连续光源所测吸光度为背景吸收，因为在使用连续光源时，被测元素的共振线吸收相对于总人射光强度是可以忽略不计的。因此连续光源的吸光度值即为背景吸收。将锐线光源吸光度值减去连续光源吸光度值，即为校正背景后的被测元素的吸光度值。　　氘灯校正法灵敏度高，应用广泛。非常适合火焰校正，在火焰和石墨炉共用的机型中，采用氘灯校正法是最折衷的方法，虽然在石墨炉中氘灯校正法不及塞曼效应背景校正理想，但在火焰分析中由于火焰产生的粒子造成光散塞曼效应射而使塞曼效应无法正常地进行磁场分裂，氘灯校正法在火焰分析中比塞曼效应校正法优越的多。　[color=#ff0000][b]　二、塞曼效应校正背景[/b][/color]　　塞曼效应校正背景是基于谱线在磁场中发生分裂和分裂组分偏振特性的一种校正背景的方法。塞曼效应背景校正器由固定或可变磁场和起偏器、检偏器组成。当仅使用石墨炉进行原子化时，最理想是利用塞曼效应进行背景校正。塞曼效应分为正常塞曼和反常塞曼效应：[b]　　a、正常塞曼效应背景校正[/b]　　光的方向与磁场方向垂直，在强磁场作用下，[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]线分裂为π和δ+组分：π平行于磁场方向，波长不变 δ+组分垂直于磁场方向，波长分别向长波与短波移动。这两个分量之间的主要差别是π分量只能吸收与磁场平行的偏振光，而δ+分量只能吸收与磁场垂直的偏振光，而且很弱。引起的分子完全等同地吸收平行与垂直的偏振光。即δ+组分为背景吸收，π组分为[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]。　　在原子化器上加一电磁铁，电磁铁仅原子化阶段被激磁，偏振器是固定不变的，它只让垂直于磁场方向的偏振光通过原子化器，去掉平行于磁场方向的偏振光。在零磁场时，吸收线不发生分裂，测得的是被测元素的[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]与背景吸收的总吸光度值。激磁时测得的仅为背景吸收的吸光度值，两次测定吸光度之差，就是校正了背景吸收后被测元素的净吸光度值。　　正常塞曼的缺点是在光路中加有偏振器，去掉平行于磁场方向的偏振光，使光的能量损失了一半，大大降低了检测的灵敏度。[b]　　b、反常塞曼效应背景校正[/b]　　光的方向与磁场方向水平，当光通过在原子化器上加一电磁铁，在强磁场作用下，抑制了π组分([url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url])的产生，只产生δ+组分(背景吸收)。在不通电无磁场存在下，空心阴极灯的共振线通过石墨炉，测得待测元素和背景吸收的总和。通电后在强磁场存在下，产生反常塞曼效应，此时只有共振线分裂后产生的δ+组分通过石墨炉，其不被基态[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]，仅测得背景吸收。通过两次吸光度之差，即可进行背景校正。反常塞曼由于光路中没有偏振器，光的能量较正常塞曼多50%，检测灵敏度较正常塞曼高。　　塞曼效应使用同一光源进行测量，是非常理想的校正方法，它要求光能集中同方向地通过电磁场中线进行分裂，但在火焰分析中，由于火焰中的固体颗粒对锐性光源产生多种散射、光偏离，燃烧时粒子互相碰撞等因素产生许多不可预见因素，造成光谱线分裂紊乱，在火焰中的应用极不理想。并且，塞曼效应的检测灵敏度低于氘灯校正法。[color=#ff0000][b]　　三、自吸收背景校正[/b][/color]　　当空心阴极灯在高电流工作时，其阴极发射的锐线光会被灯内产生的原子云基态[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]，是发射的锐线光谱变宽，吸收度下降，灵敏度液下降。这种自吸现象无法避免。因此，可首先在空心阴极灯低电流下工作，使锐线光通过原子化器，测得待测元素和背景吸收的总和。然后使它在高电流下工作，通过原子化器，测得相当于背景的吸收。将两次测的吸光度相减，就可扣除背景的影响。优点是使用同一光源，不足是加速空心阴极灯的老化，其寿命只有正常的1/3。

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2.0背景吸收信号扣除不完全. 2. BG=BG'的可能性极小。 3. 由于光源、分光元件在不同波长区域的能量差异，使两束光能量平衡 时的信噪比有很大的差别 4. 元素原子性质的差异性，样品共存物的多样性使得原子吸收信号和背 景吸收信号以及两种吸收信号之间的关系变得十分复杂，背景校正能 力不可能满足一切要求。几种背景校正的主要优缺点：1. 氘灯背景校正 目前商品仪器中唯一使用双光源的背景校正技术。 1.1 空心阴极灯与氘灯光源成像光斑大小不同，即使 光斑的同心度调整得好，两者通过样品的原子化区仍 有不同，会影响背景校正的效果。 1.2 氘灯辐射的连续光谱波长范围是200-400nm，对于 分析波长位于长波区的元素无法使用。（但常见的盐 类共存物的背景吸收多位于短波区） 1.3 辐射光能量的损失在几种常用的背景校正装置中是比 较小的 1.4 背景吸收的校正技术不依靠原子光谱线的变异，因而 原子吸收信号的损失是最小的。2. 自吸效应背景校正 2.1 较其他背景校正装置来说是最简单的。既不需要第二 光源，也不需要复杂的磁场系统与偏振装置，是利用 了空心阴极灯供电特性来形成原子光谱的自吸收效 应。 2.2 不用任何附加装置而实现全波段背景校正。双束光 中其一是对应待测元素原子的空心阴极灯用宽脉冲低 电流供电产生的正常原子光谱，另一束则是空心阴极 灯用窄脉冲高电流供电导致谱线展宽，并产生自吸收 效应的同一原子光谱线。例如瑞利公司的WFX-210 中灯电源供电方式，100Hz窄方波脉冲+400Hz宽方波脉 冲 2.3 不同元素原子特性不同，产生自吸收效应的差异很 大，对于自吸收效应小的元素，原子吸收信号损失较 大。 2.4 两束光的光斑大小相同而且光路完全一致，不需要调 整。 2.5 不因背景校正而增加新的光学元件，光能损失是最小 的。3. 塞曼效应背景校正： 3.1 由于需要很高的磁感应强度，装置体积很大也很复 杂，并且使置身其中的原子化器结构也相当复杂。 3.2 横向磁场塞曼效应背景校正技术需用偏振棱镜分离不 同偏振方向的光束，使光能损失较大，但纵向磁场并 不是说就一定比横向磁场好。 3.3 不同元素原子的塞曼分裂光谱结构差异很大，对于塞 曼分裂光谱结构复杂的原子，其原子吸收信号的损失 比较大，而且有时产生校正过度的情形。 3.4 只用待测元素空心阴极灯为光源，实现全波段背景校 正毫无问题，但能量损失大，对一些谱线发射强度弱 的元素的空心阴极灯提高辐射光强有特别的要求。 3.5 目前加在原子化器的磁场系统只有横向恒磁场可以在 火焰原子化器与石墨炉原子化器上同时使用，其他形 式的磁场系统只能用于石墨炉原子化器。例如，瑞利 公司的WFX-810，就是使用了横向恒磁场。 如有错误还请各位大虾回帖指正，不吝赐教。 如果觉得归纳得还行，还请各位大虾多多回帖，小弟谢了！

中国科技网讯 热电循环需通过“塞贝克效应”来产生热，据物理学家组织网7月11日报道，俄亥俄大学找到了一种新方法，能将“自旋塞贝克效应”放大1000倍，将其向实际应用推进了一大步。该研究有助于热电循环的实现，从而最终有望开发出新型热电发动机，还可用于计算机制冷。相关论文发表在本周出版的《自然》杂志上。 热电循环是电子设备循环利用自身产生的部分废热，将废热转化成电。根据“塞贝克效应”，当导体被放在一个温度梯度中时，会产生电压使热能转变为电能。而2008年日本发现了“自旋塞贝克效应”，即在磁性材料中，自旋电子会产生电流使材料接点产生电压。这以后，许多科学家都在试图利用自旋电子学来研发读写数据的新型电子设备，以便在更少空间、更低能耗的条件下更安全地存储更多数据。但这种“自旋塞贝克效应”产生的电压一般非常小。 目前新方法是将此效应放大为“巨自旋塞贝克效应”。研究人员利用锑化铟及其他元素掺杂制成所需材料，并将温度降低到零下253℃至零下271℃附近，外加3特斯拉磁场。当他们将材料一面加热使其升高1℃时，在另一面检测到电压为8毫伏，得到比以往的5微伏高三个数量级的电流，是迄今为止通过标准“自旋塞贝克效应”产生的最高电压，且功率提高了近百万倍。 俄亥俄大学物理学与机械工程教授约瑟夫·海尔曼斯说，科学家认为热是由振动量子所组成，他们能在半导体内部引发强大的振动量子流，在流过材料时撞击电子使电子向前运动。而由于材料中原子使电子自旋，电子最终就像枪管中的子弹那样旋转前进。 以往人们只在磁性半导体和金属中发现过“自旋塞贝克效应”，而此次“成功的关键是选择材料，”该校材料科学与工程夫教授罗伯托·梅尔斯说，但由于材料是非磁性的，还需要外加电场和低温环境，这是实验的不足之处，他们还在进一步研究其他材料。 海尔曼斯表示，其最终目标是开发出一种低成本高效率将热转化为电能的固态发动机。这些发动机没有运动部分，不会磨损，可靠性几乎是无限的。“这是真正的新一代热电发动机。17世纪我们有了蒸汽机，18世纪有了燃气机，19世纪有了第一个热电材料，而现在我们正要用磁来做同样的事。”（常丽君） 《科技日报》（2012-07-13 二版）

制冷循环装置在运行长时间之后，由于使用不干净的循环水以及长时间不维修保养的话，就是使得制冷循环装置产生堵塞，那么，引起制冷循环装置堵塞的原因有哪些呢？制冷循环装置堵塞情况比较多，当压缩机发生磨损，制冷系统内有污物时， 这些污物极易在毛细管或过滤器内发生堵塞，堵塞发生后，制冷剂无法流动，如果用加热融冰的办法处理无效，听不到液体流动声即说明是真的堵住了。制冷循环装置堵塞与制冷剂泄漏呈现的故障很类似(蒸发器化霜)，两者的区别方法是，将电源插头拔下，将制冷循环装置压缩机的灌气管用钳子剪断一点，仔细观察，若有制冷剂流出为堵塞，相反即为制冷剂发生泄漏。制冷循环装置堵塞排除方法：用气焊拆下毛细管、过滤器、冷凝器、蒸发器，更换毛细管和过滤器 中的分子筛，清洗冷凝器和蒸发器，进行干燥、抽真空，再焊好，充上制冷剂。制冷循环装置制冷系统泄漏及堵塞故障都是比较常见的，如果因制冷系统泄漏或制冷系统堵塞，而造成压缩机不停机、不制冷或制冷效果差的现象，是制冷循环装置多发性故障之一，且两种故障现象大致相同，容易混淆，在维修过程中，若不能准确判断，不仅耽误检修时间，还会给用户造成不必要的经济损失，所以，检修的时候要注意两者的区别为好。因此，面对制冷循环装置堵塞的故障的话，如果不及时解决的话就会影响制冷循环装置制冷效果的运行。

利用塞曼磁场对发射线的分裂π和σ±线作用而达到背景扣除的目的,但由于磁场会因温度的递增升高过程中而产生退磁效应,以致影响测试结果的准确性,大家谈谈这方面影响的因素?有关于这方面具体数据的论证结果吗?极靴因锈蚀造成边缘不齐的原因又会造成怎么的影响呢?

1.背景校正技术　　AAS仪中已有氘灯和碘钨灯连续光源背景校正、塞曼效应背景校正和空心阴极灯强脉冲自吸背景校正等方法。其中塞曼效应校正背景还衍生出几种不同的磁场调制与排列方式。以下介绍各种背景方法要点。　　1.1 连续光源背景校正：这是现代AAS仪中应用最广泛的一种AAS仪器背景校正方法，尤其在FAAS中，它占有相当重要地位。其原理为：用待测元素HCL的辐射作样品光束，测量总的吸收信号，用连续光源(多用是氘灯)的辐射作参比光束，在同一波长下测量吸收值。对连续背景，它对HCL和连续光源辐射有相同的吸收，待测原子对连续光源也有吸收，但由于元素分析线很窄，不到通带宽度的1%，故可以忽略，连续光源所测值可视为纯背景吸收，光辐射交替通过原子化器，两次所测吸光值相减使背景得到校正。在实际使用时，要求精心调配使氘灯连续光源和HCL锐线光源强度匹配，并尽可能使光斑重合一致。近年，Jena公司通过设计氘空心阴极灯的几何形状和成象光学部件，使两种辐射光束穿过完全相同的吸收体积，有效地避免了因双灯源的采用，而带来的光学平衡问题。由于氘灯 在长波范围(大于350.0nm)内能量较低，要与碘钨灯配合适用。该法应用波段有限制，有时还产生背景校正过度或不足。如果共存物的原子对通过单色器的连续辐射产生吸收，会出现补偿过度现象。连续光源背景校对FAAS较好，对GFAAS效应不佳。　　1.2自吸效应背景校正：自吸效应背景校正法，又称S-H法，其原理：以低电流脉冲供电。空心阴极灯发射锐线光谱，测的原子吸收与背景吸收的总吸光度，以短时高电流脉冲供电发射线产生自吸效应，辐射能量由于自吸变宽而几种与原波长的两侧。不为原子蒸气所吸收，所测为背景吸收值。将两值相减得到校正后的原子吸收值。这种方法是简单和成本低，能校正某些结构背景与原子谱线重叠干扰，无光能损失，可以进行全波长校正但许多元素不能产生自吸，两种脉冲电流下HCL谱线宽度有差别，校正不够精确，有些元素如Al、 Ca、Sr、Ba、V 等其灵敏度降低，检出限变差，强脉冲电流影响HCL的寿命，该法仅适用于FAAS法。对GFAAS法效果不明显，基本上作为其他校正法的补充。　　1.3 塞曼效应背景校正：这种背景校正的基础是：吸收线在磁场作用下，产生分裂成平行磁场 π组分和垂直于磁场α+、α-组分。偏振组分α+、α-有中心波长位移，若频移足够大时，不为待测物所吸收，测量的只是背景吸收，若恒定磁场调制方式，π 组分和背景吸收所测吸光值为原子吸收于背景吸收的总吸收值。若是交变磁场调制方式，当磁场关闭时，吸收相不发生分裂。所测吸光值为原子吸收于背景吸收的总值。将两种测定值相减(即原子吸收与背景吸收总值减去背景吸收值)可以使背景得到校正。目前商品仪器有两大类：恒定磁场(固定磁场)和交变磁场，可配置于光源上或原子化器。近年来，以配置在GFAAS较多，火焰应用较少。恒定磁场往往塞曼效应谱线分裂不完整，而降低测量的准确性 。 同时仪器灵敏度往往低于正常AAS的一半。永久磁长期使用会退磁。若采 用旋转偏振器，会出现某种程度不平衡，使背景校正能力下降，由于上述缺陷，仪器公司采用横向交流交变磁场吸收线调制法。但如果交变磁场强度不够，工作曲线出现反转。最近有公司开发纵向交流交变磁场，省略可偏振元件，使分析动态范围大大拓宽。从仪器使用考虑，选择应用横向交流塞曼效应较好，这种系统具有最佳双光束性能，背景校正能力高而准确，线性和灵敏度于常规AAS相类似，检出限比连续光源背景校正器好。分析(工作)曲线反转问题较少。能全波段背景校正。近来有仪器公司推出了3-磁场塞曼效应背景校正技术，该模式除高磁和零磁场之外，还有第三个中间磁场强度，可根据被测浓度要求，通过软件选择最佳中间磁场强度可使动态范围扩展10倍。2 进样技术　　传统FAAS法，一般采用气动雾化进样，该法缺点是样液消耗量大。高盐量样品极易堵塞喷雾系统，采用简便的微量进样器，如双脉冲微量进样器或节流脉冲进样器，以间断的小体积喷雾取代传统连续喷雾。既做到样液用量小，又避免喷雾系统堵塞现象，近年来，随着流动折射技术发展，微量进样技术自动化程度提高，保证了信号稳定性、重复性，为在线分析测定提供良好基础。GFAAS法，基本上采用全自动微量进样技术。但值得关注的是J ena 公司采用直接固体进样GFAAS分析技术;它可以将样品粉末或猝片直接放如裂解石墨样品舟.称样后，用固体进样器放如石墨营进行正常程序分析样品，其特点：直接分析原始样品，无需将样品消解或溶解、稀释，降低污染可能性，较少的样品可以进行分析测试，灵敏度高，达fg级检出水平。但仪器配件成本较高，推广有一定难度。3.原子化技术　　GAASA原子化，常用空气——乙炔火焰。对于高温(原子化)元素如Al、Ba、V等采用氧化亚氮——乙炔火焰。国内有人提出用富氧——乙炔火焰它与氧化亚氮——乙炔相比较，具有操作简单、耗气小、火焰较稳定、不易回火，可测定部分高温元素。 GFAAS原子化近来不少厂商提出横向加热石墨炉技术，它明显优点是沿光束方向的石墨营温度均匀一致、没有温度梯度，可以降低基体效应和记忆效应。不引起灵敏度损失。原子化温度能降低(在正常情况下)几百度，对那些难熔元素V、M0原子化很有利。4.原子捕集技术　　原子捕集是通过在火焰中浓度被测原子和延长自由原子在石英营测量光路中停留时间，增大营内原子密度，从而提高FAAS分析灵敏度有效途径。国内已经成功采用石英缝管技术测定Cu、Pb、Zn、Cd、Au、Ag等被测元素。当其他富集技术与原子捕集技术相结合，可使测定灵敏进一步提高。如黄原酯棉与石英缝管结合应用，可使Pb灵敏度提高30倍以上，离子交换与石英缝管联合使用。Ni、Cd灵敏度提高近40倍。采用萃取富集与石英缝管结合可以在形态分析中被测定物 Sb(Ⅲ)、Sb(Ⅴ)、As(Ⅲ)、As(Ⅴ)、Te(Ⅳ)、Te(Ⅵ)等准确测量成为可能，但值得注意的是高效捕集和瞬时释放是缝管原子捕集获得提高灵敏度的关键。解离能大于4.2eV的氧化物。难以在捕集温度下解离。因此不适合用缝管原子捕集法测定。5.增感技术　　在 AAS分析中，应用表面活性剂的增感作用提高其灵敏度已被广泛应用。阴离子表面活性剂增感作用较好。氧离子和中性表面活性剂增感作用不明显。增感作用(效应)与表面活性剂电荷类型有关。表面活性剂的效应表现在三方面：再分配富集作用;提供强还原性气氛;改变试液的提升效率(降低液体表面张力)。有机试剂是另外一种增感作用较好试剂，尤其酚类和芳香羟基羧酸类化合物，其增感作用最明显，它易与某些元素形成络合物，有利于原子化。6.氢化物发生技术　　As、 Sb、Bi、Ge、Sn、Pb、Se、Te、In、Tl等元素，在FAAS分析测定中灵敏度不高，As、Sb、Bi、Se、Te、Pb等元素的最佳分析线都处于近紫外区(小于230nm)在常规火焰中产生严重背景干扰，使信噪比下降，目前较普遍采用一种有效方法：使用硼氢化钠(钾)——酸反应体系发生氢化物法。将As、Sb、Bi……等还原成具有挥发性、易解离、气态的共价氢化物。(反机机理见2.3)。所生成氢化物用惰性气体(Ar或N2气体)作载气导入原子化装置中或用冷阱捕集起来。用AAS法测定用于氢化物原子化装置有：火焰原子化器外焰加热石英管原子化器，管内火焰原子化器，电热石英管原子化器和石墨炉原子化器，其中后两种已有商品仪器，国内采用电热石英管原子器比较成功。氢化物发生装置国内已经批量生产。由于氢化物发生—原子吸收法具有灵敏度高，能分离基体富集所测定元素。其干扰较小，背景少、装置简单、易操作、价格低廉，分析快速，已推广应用于As、Sb、Bi、Se、Te、Ge、Sn、 Pb、In、Tl等元素微量测定。使用该法应注意有以下几点：①酸的种类及浓度的影响。②NaBH4(KBH4)溶液浓度的选择。③反应体积的影响。④载气及载气流量的选择。⑤干扰及干扰的消除。[

干扰及其抑制 一、概述：总的说干扰是较小的.这是由方法本身的特点所决定的.因为用的是锐线光源，应用的是共振吸收线，吸收线的数目比发射线数目少得多，谱线相互重叠的几率较小，这是光谱干扰小的重要原因.蒸汽中基态原子数近似地等于总原子数，这是干扰小的一个基本原因.实际工作中仍不可忽视干扰问题，甚至还很严重.二、光谱干扰：主要来自光源和原子化器. 1.与光源有关的光谱干扰①与分析线相邻的是待测元素谱线 —减小狭缝宽度； ②与分析线相邻的是非待测元素的谱线 —高纯元素灯；③空心阴极灯中有连续背景发射，若试样中共存元素吸收线处于该发射区，产生假吸收—纯化灯内气体或换灯.2.光谱线重叠干扰：分析线可能与干扰元素的某谱线重叠—另选分析线.3.与原子化器的干扰：待测元素在高温原子化过程中因电离作用而引起基态原子数减少的干扰（主要存在于火焰原子化器中）：①原子化器的发射：来自火焰本身或原子蒸汽中待测元素的发射—采用调制方式可避免；②背景吸收（分子吸收）：来自原子化器的一种光谱干扰.它是由气态分子对光的吸收以及高浓度盐的固体微粒对光的散射所引起的.是一种宽频带吸收.背景吸收主要由于在火焰中形成了分子或较大的质点，因此除了待测元素吸收共振线外，火焰中的这些物质—分子和盐类，也吸收或散射光线，引起了部分共振发射线的损失而产生误差.这种影响一般是随波长的减短而增大，同时随基体元素浓度的增加而增大，并与火焰条件有关.无火焰原子化器具有严重得多的分子吸收，测量时必须予以校正.校正：①邻近线校正法；②用与试样溶液有相似组成的标准溶液来校正；③用分离基体的办法来消除影响；④采用氘灯背景校正器，可不必考虑共振线吸收的影响.⑤ 塞曼效应背景校正法是另一种有效背景校正. ①氘灯扣背景（190-350 nm） 氘灯自动背景校正原理： 氘灯发射的连续光谱经过单色器的出光狭缝后，出射带宽约为 0.2nm 的光谱通带（带宽取决于狭缝宽度和色散率）；空心阴极灯发射线的宽度一般约为0.002nm；测量前调制：在测定时，如果待测元素原子产生一正常吸收，则从连续光源氘灯发出的辐射在共振线波长处也被吸收，但由于所观察的谱带宽度至少有0.2nm ，因此，在相应吸收线处宽度约为 0.002nm 的辐射即使被 100% 吸收最多也只占辐射强度的 1% 左右，故可忽略不计；因此：②塞曼效应校正法253/3 塞曼效应—将光源置于强大的磁场中时，光源发射的谱线在强磁场作用下，因原子中能级发生分裂而引起光谱线分裂的磁光效应（塞曼效应），背景校正比氘灯连续光源背景校正优越，可在各波长范围内进行，背景校正的准确度高三、物理干扰（基体效应）1.产生：是指试样在转移、蒸发过程中任何物理因素变化而引起的干扰效应.这类干扰是非选择性的，亦即对试样中各元素的影响基本上是相似的.2.干扰因素256/2：3.消除：配制与待测试样具有相似组成的标准溶液，是消除基体干扰的常用而有效的方法.四、化学干扰；1.产生：是指待测元素与其他组分之间的化学作用所引起的干扰效应，它主要影响待测元素的原子化效率.这类干扰具有选择性. 2.干扰因素： ①待测元素与共存组分生成难挥发的化合物，致使参与吸收的基态原子数减少；② 电离是化学干扰的又一重要形式抑制方法：抑制干扰是消除干扰的理想方法.在标准溶液和试样溶液中均加入某些试剂，常可控制化学干扰. ①消电离剂：加入较大量的易电离元素，使在火焰中强烈电离而消耗了能量，减少待测元素基态原子的电离.②释放剂：与干扰组分形成更稳定的或更难挥发的化合物，使待测元素释放出来。 ③保护剂：这些试剂的加入，能使待测元素不与干扰元素生成难挥发化合物.④缓冲剂：于试样与标准溶液中均加入超过缓冲量（即干扰不再变化的最低限量）的干扰元素.⑤ 还可用标准加入法来控制化学干扰. 五、有机溶剂的影响 　有机溶剂会改变火焰温度和组成，因而影响原子化效率；溶剂的产物会引起发射及吸收，有机溶剂燃烧不完全将产生微粒碳而引致散射，因而影响背景等.有机溶剂既是干扰因素之一，但也可用来有效地提高测定灵敏度.

盐效应是由溶液的黏度等物理特性变化引起的,与进样装置有关.不同的进样系统盐效应不同,也与分析条件有关，你觉得对吗？

中国科技网讯 近日，德国马克斯—玻恩非线性光学与短脉冲光谱学研究所（MBI）的研究人员与国际伙伴一起研发了一个试验装置，首次可以准确确定电子从隧道效应障碍物中出来的时间点。该研究为原子和分子中的“多电子重排”在空间和时间上的直接分辨提供了一个普遍方法。相关研究发表在《自然》杂志上。 在神奇的量子世界里原子和分子不再适用经典的物理规律。在这里，电子可以克服能垒，尽管他们没有必要的能量，这就是所谓的“隧穿效应”。直接测量量子世界里的进程是非常困难的，尤其当他们时间尺度特别短的时候。因此，MBI的研究人员与来自以色列、加拿大和英国的同事一起研发了一个试验装置，让各种物理量的大小可以在比飞秒还短的时间尺度内变化。通过测量和计算的比较，科学家获得了一个量子时钟，从而能够以阿秒的精度确定发生电子隧穿的时刻。 研究人员先用一个强激光场诱导来自氦原子的电子隧道效应，再用一个较弱的探测激光场将发生隧道效应的电子引到侧向进行研究。这其中带正电的原子核的吸引力就表现为需要克服的能垒，而缓慢振荡并垂直照射隧穿电子的弱激光场则可以让电子像被橡皮筋牵引一样向原子核运动。当电子与原子核接近时会出现光闪烁的特性，这就是所谓的高次谐波。通过测量这些高次谐波的频率、偏转电子飞行路径的长度和偏转激光场的属性，研究人员就可以最终计算出电子跨越能垒的准确时间点。 MBI的奥尔加·斯米尔诺娃博士用一个简单的比喻来解释她们是如何得到电子隧穿时间点的。她说：“当你从一家咖啡店出来走向对面的公共汽车站，弱激光场就像左右交替吹的风，把你往路旁推。当我们知道了风的特点，即有多大、如何改变方向，我们就能说出你走出门口的时间。” 现在，研究人员继续用二氧化碳分子来进行类似的实验。相对于只有两个电子的氦，二氧化碳分子有20个电子。它们可能会停在不同的轨道，隧穿的电子根据所处轨道的不同会有一个很小的时间延迟。这个实验首次给了物理学家确认隧穿电子源头的机会。（驻德国记者 李山） 《科技日报》（2012-08-13 二版）

我做黄酒中的铅，回收率总是很低，处理方法按照国标食品中铅的测定，用的是石墨炉法，加标回收率在30%左右，试验了消解步骤地损失，有10%左右，另外发现前处理后加标的回收率也是一样，我认为可能是在仪器检测的过程中出了问题，难道是酒中盐分高的缘故么？因为标样和实验样品危机的不同就是集体不同，但是我们用的是Z-8200塞曼效应扣除背景，这样说背景影响应该不是主要源因，有哪位仁兄帮忙解释一下，我是刚接触，很多不懂！谢谢！

定义：光谱干扰主要分为谱线干扰和背景干扰两种。主要来源于光源和原子化器。一、谱线干扰和抑制定义：发射线的邻近线的干扰：指空心阴极灯的元素、杂质或载气元素的发射线与待测元素共振线的重叠干扰。吸收线重叠的干扰：指试样中共存元素吸收线与待测元素共振线的重叠干扰。抑制：减小单色器的光谱通带宽度，提高仪器的分辨率，使元素的共振线与干扰谱线完全分开。或选择其它吸收线等方法抑制谱线干扰。 二、背景干扰和抑制：定义：背景干扰主要是指原子化过程中产生的分子吸收和固体微粒产生的光散射干扰效应。背景干扰抑制和消除：(1)火焰：改变火焰类型、燃助比、调节火焰观测区高度。石墨炉：选用适当的基体改进剂。(2)光谱背景的校正A、用邻近非共振线校正背景用分析线测量原子吸收与背景吸收的总吸光度，在分析线邻近选一条非共振线，此时测出的是背景吸收，两次测量值之差即为校正背景后的吸光度。这种校正方法准确度较差，只适用于分析线附近背景分布比较均匀的情况。B、用连续光源校正背景用锐线光源测定分析线的原子吸收和背景吸收的总吸光度再用氘灯(紫外区)或碘钨灯(可见区)在同一波长测定背景吸收，计算两次测定吸光度之差，即为校正背景后的吸光度。由于空心阴极灯与氘灯两种连续光源放电性质不同，能量分布不同，会导致背景校正不足或过度。C、用塞曼效应校正背景塞曼效应校正背景基于磁场将吸收线分裂为具有不同偏振方向的组分，利用这些分裂的偏振成分来区别被测元素和背景吸收。塞曼效应校正背景的准确度高，但仪器价格较贵。

为回答[b]l_a_lakers[/b]版友上次提的问题（我想请问还有关于塞曼校正及氘灯扣背景的操作及原理扫盲帖），这期的扫肓贴推出背景校正技术，此贴为总结和拼凑所得，仅对于原理方面的阐述，水平有限，请版友们指正，也欢迎各版友提问题，征集扫盲贴主题，PE[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原吸[/color][/url]的版主和专家歇诚为你们解答，当然水平有限，希望能对你们有所帮忙，大家互相学习交流，壮大PE[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原吸[/color][/url]版面。背景校正技术 AAS仪中已有氘灯和碘钨灯连续光源背景校正、塞曼效应背景校正和空心阴极灯强脉冲自吸背景校正等方法。其中塞曼效应校正背景还衍生出几种不同的磁场调制与排列方式。以下介绍各种背景方法要点。 连续光源背景校正：这是现代AAS仪中应用最广泛的一种AAS仪器背景校正方法，尤其在FAAS中，它占有相当重要地位。其原理为：用待测元素HCL的辐射作样品光束，测量总的吸收信号，用连续光源（多用是氘灯）的辐射作参比光束，在同一波长下测量吸收值。对连续背景，它对HCL和连续光源辐射有相同的吸收，待测原子对连续光源也有吸收，但由于元素分析线很窄，不到通带宽度的1%，故可以忽略，连续光源所测值可视为纯背景吸收，光辐射交替通过原子化器，两次所测吸光值相减使背景得到校正。在实际使用时，要求精心调配使氘灯连续光源和HCL锐线光源强度匹配，并尽可能使光斑重合一致。近年，Jena公司通过设计氘空心阴极灯的几何形状和成象光学部件，使两种辐射光束穿过完全相同的吸收体积，有效地避免了因双灯源的采用，而带来的光学平衡问题。由于氘灯 在长波范围（大于350.0nm）内能量较低，要与碘钨灯配合适用。该法应用波段有限制，有时还产生背景校正过度或不足。如果共存物的原子对通过单色器的连续辐射产生吸收，会出现补偿过度现象。连续光源背景校对FAAS较好，对GFAAS效应不佳。 自吸效应背景校正：自吸效应背景校正法，又称S-H法，其原理：以低电流脉冲供电。空心阴极灯发射锐线光谱，测的[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]与背景吸收的总吸光度，以短时高电流脉冲供电发射线产生自吸效应，辐射能量由于自吸变宽而几种与原波长的两侧。不为原子蒸气所吸收，所测为背景吸收值。将两值相减得到校正后的[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]值。这种方法是简单和成本低，能校正某些结构背景与原子谱线重叠干扰，无光能损失，可以进行全波长校正但许多元素不能产生自吸，两种脉冲电流下HCL谱线宽度有差别，校正不够精确，有些元素如Al、Ca、Sr、Ba、V 等其灵敏度降低，检出限变差，强脉冲电流影响HCL的寿命，该法仅适用于FAAS法。对GFAAS法效果不明显，基本上作为其他校正法的补充。 塞曼效应背景校正：这种背景校正的基础是：吸收线在磁场作用下，产生分裂成平行磁场 π组分和垂直于磁场α+、α-组分。偏振组分α+、α-有中心波长位移，若频移足够大时，不为待测物所吸收，测量的只是背景吸收，若恒定磁场调制方式，π组分和背景吸收所测吸光值为[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]于背景吸收的总吸收值。若是交变磁场调制方式，当磁场关闭时，吸收相不发生分裂。所测吸光值为[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]于背景吸收的总值。将两种测定值相减（即[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]与背景吸收总值减去背景吸收值）可以使背景得到校正。目前商品仪器有两大类：恒定磁场（固定磁场）和交变磁场，可配置于光源上或原子化器。近年来，以配置在GFAAS较多，火焰应用较少。恒定磁场往往塞曼效应谱线分裂不完整，而降低测量的准确性 。 同时仪器灵敏度往往低于正常AAS的一半。永久磁长期使用会退磁。若采用旋转偏振器，会出现某种程度不平衡，使背景校正能力下降，由于上述缺陷，仪器公司采用横向交流交变磁场吸收线调制法。但如果交变磁场强度不够，工作曲线出现反转。最近有公司开发纵向交流交变磁场，省略可偏振元件，使分析动态范围大大拓宽。从仪器使用考虑，选择应用横向交流塞曼效应较好，这种系统具有最佳双光束性能，背景校正能力高而准确，线性和灵敏度于常规AAS相类似，检出限比连续光源背景校正器好。分析（工作）曲线反转问题较少。能全波段背景校正。近来有仪器公司推出了3-磁场塞曼效应背景校正技术，该模式除高磁和零磁场之外，还有第三个中间磁场强度，可根据被测浓度要求，通过软件选择最佳中间磁场强度可使动态范围扩展10倍。 此外，还有组合式扣背景，指的是采用以上两种以上的扣背景技术。如PE[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原吸[/color][/url]仪器，其火焰法用的是氘灯扣背景，石墨炉用的是塞曼扣背景。自吸效应扣背景比较少见。 欢迎版友们补充、指正。你们的支持，是我们努力的动力，谢谢！

在原子化过程中，由于样品的基体产生分子吸收和光散射，对原子化过程造成干扰。一般采用背景扣除的方式消除干扰。 目前原子吸收光谱仪采用最多的是塞曼效应、氘灯校正和自吸校正三种。不同扣背景方式的工作原理和适用范围差别较大。讨论：1、除过这三种扣背景方式，还有其他的扣背景方式吗？2、这三种扣背景方式的工作原理和适用范围分别是啥？3、大家在实验中扣背景时，最常见的问题有哪些？欢迎大家讨论！

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