快速硅漂移探测器

仪器简介：硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm技术参数：型号列表及主要技术指标：技术指标＼型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10～+60 -------储存温度范围(℃) -20～+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃；-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同，其中：◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用 硅光电探测器使用建议：◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。

仪器简介：■ 硫化铅探测器（PbS）&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围：0.8-3.2&mu m技术参数： DPbs2900 DPbs3200光敏面尺寸 mm 1× 5 6× 6波长范围 &mu m 0.8～2.9 0.8～3.2峰值波长 &mu m &ge 2.2 &ge 2.1响应Su V/W &ge 3× 104 &ge 300电阻Rd M&Omega 0.2-2 0.1-0.3D* cm(Hz) 1/2/W &ge 5× 108 &ge 1× 108时间常数 &mu s &le 200 &le 400放大倍数 × 1，× 10，× 100输入端失调电压 µ V ＜± 1前放输入端的漂移 µ V ± 1频率响应范围 Hz 100&mdash 1000 （推荐400Hz）信号输出模式 电压 电压输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ 硫化铅探测器（PbS）&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围：0.8-3.2&mu mDPbS2900/3200两种型号，两种探测器室的外观相同（内带前置放大器），其中：◆ DPbS2900内装进口硫化铅探测器（光谱响应度曲线参考图1）◆ DPbS3200内装国产硫化铅探测器（光谱响应度曲线参考图2）硫化铅探测器使用建议：● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器为光导型红外探测器，使用时必须配合锁相放大器，推荐使用SR830型（Page98）或Model 420型（Page97）；● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器集成了前置放大器，输出信号模式为电压模式，在与DCS103或DCS300PA数据采集系统（Page95）配合使用时，需要选择电压信号采样模式。

下一代硅漂移探测器 (Next Generation SDD)超快型硅漂移探测器 (Super Fast SDD) 10倍通量 & 不损失任何分辨率 能量分辨率（FWHM,[eV]）峰化时间（微秒）125813511450.2图1. 能量分辨率和峰化时间曲线图2. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的输出计数率和输入计数率的关系 图3. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的能量分辨率和输入计数率的关系 图4. 一秒钟采集结果的定量分析1（样品为316型不锈钢-NIST 3155） 而以下表格则显示了图4中数据的定量分析结果。 元素合格浓度Super SDD仅需1秒V0.050.16±0.28Cr18.4518.32±0.80Mn1.630.0±0.55Fe64.5165.89±1.64Co0.10.00±0.40Ni12.1812.56±0.47Cu0.170.19±0.02Mo2.382.34±0.08 图5. 1.2Mcps输入计数率（ICR）情况下测量锰（Mn）样品 图6. 一秒钟采集结果的定量分析2（样品为焊锡）

下一代硅漂移探测器 (Next Generation SDD)超快型硅漂移探测器 (Super Fast SDD) 10倍通量 & 不损失任何分辨率 能量分辨率（FWHM,[eV]）峰化时间（微秒）125813511450.2图1. 能量分辨率和峰化时间曲线图2. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的输出计数率和输入计数率的关系 图3. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的能量分辨率和输入计数率的关系 图4. 一秒钟采集结果的定量分析1（样品为316型不锈钢-NIST 3155） 而以下表格则显示了图4中数据的定量分析结果。 元素合格浓度Super SDD仅需1秒V0.050.16± 0.28Cr18.4518.32± 0.80Mn1.630.0± 0.55Fe64.5165.89± 1.64Co0.10.00± 0.40Ni12.1812.56± 0.47Cu0.170.19± 0.02Mo2.382.34± 0.08 图5. 1.2Mcps输入计数率（ICR）情况下测量锰（Mn）样品 图6. 一秒钟采集结果的定量分析2（样品为焊锡）更多信息请关注AMPTEK英文官方网站：。

XR-100SDD型X射线硅漂移探测器125eV的能量分辨率！采用电冷技术 无需液氮！图1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5 图2. 硅漂移探头元件示意图 XR-100SDD系列产品由新型高性能X射线硅漂移探头，前置放大器（前放）和致冷系统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境，而在两级热电致冷器上亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路，这样探头组件的温度保持在约零下55摄氏度左右，并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8封装，并利用不透光和不透气（真空封装适用）的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X射线探测。 XR-100SDD系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能，它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破。产品特性：1. 高计数率：500,000 CPS(每秒计数, counts per second)；2. 能量分辨率：125eV（半高全宽，FWHM，对应峰值为5.9keV的情况）；3. 高峰本比：20，000:1“(ratio of counts from 5.9 keV to 1 keV) (typical)” ；4. 面积25mm2，厚度500µ m；5. 内置多层准直器；6. 不需要液氮制冷。应用范围：1. X射线荧光分析；2. 用于RoHS/WEEE标准检测的X射线荧光谱仪；3. OEM和其他专业应用；4. 生产工艺流程反馈控制；5. 高校和科研院所实验室研究；产品参数：本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求。I. 高能量分辨应用： 1. 超高能量分辨率：125eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：11.2µ s； 3. 计数率：100,000 CPS； 4. 峰本比：,20，000:1；II. 快速峰化应用： 1. 能量分辨率：155eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：0.8µ s； 3. 计数率：500,000 CPS；III. 手持设备应用： 1. 能量分辨率：150eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：3.2µ s； 3. 探测器探头温度保持在250K（-24oC） 4. 计数率：200,000 CPS；XRF设备由此开始 ... ...图3. Amptek硅漂移探测器(SDD)测得的55Fe能谱 产品说明 XR-100SDD型硅漂移探测器（SDD）是Amptek公司出品的一款新型X射线探测器，它标志着X射线探测器生产工艺的变革。XR-100SDD因其体积小，性能优越且价格便宜等特点，是OEM手持式和台式X射线荧光谱仪设备的理想选择；而且它在保证优异的能量分辨的同时还能达到相当高的计数率，可以满足各种参数需求；另外封装采用和Amptek出品的其他探测器一样的T0-8型外壳，方便用户升级现有系统以及和其他Amptek产品配套。 硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似，但它利用单电极结构大大提升了性能。Amptek公司专门为X射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品。 同样的探头面积下，硅漂移探测器电容比传统硅PIN探测器电容低很多，则所需成型时间变短，电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同（较高）的计数率下得到比传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上，探测器中的电极结构是特制的。 产品参数常规参数探头类型硅漂移探测器(SDD)探头尺寸25mm2硅晶体厚度500μm准直器内置多层准直器(ML)能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)125-140eV FWHM (11.2μs峰化时间)峰本比(Peak to Background)20，000:1 (5.9keV,1keV计数比)典型的铍(Be)窗厚度0.5mil (12.5μm)电荷敏感型前置放大器Amptek定制可复位放大器增益稳定性（温飘）20ppm/ oC (一般情况下)外壳尺寸3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm重量4.4 ounces (125g)总功率1W保修期一年产品寿命五到十年，因具体应用而异环境温度0~+50oC仓储和物流要求长时间仓储：干燥条件下存放十年以上仓储/物流需求：-20到+50 oC，10%到90%湿度（无冷凝器）TUV CertificationCertificate #: CU 72072412 02Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004输出参数前置放大器电源电压正负8到9V，电流15mA，噪声峰峰值小于50mV探头电源电压-90到-150V，电流25μA；输入需要非常稳定：0.1%的波动。制冷器电源最大电压3.5V，最大电流350mA，噪声峰峰值小于100mV；注意：XR-100SDD探测器自身包含温度控制器输出参数前置放大器灵敏度一般为1mV/keV（不同探测器可能略有不同）前置放大器极性正脉冲信号输出（最大负载为1k欧姆）前端放大器反馈复位温度显示灵敏度利用PX5/X-123等直接读取温度（单位：开尔文）可选配置或配件X-123SDD 硅漂移探测器（SDD）也有对应的X-123SDD谱仪配置。该集成化配置包含了X射线探头，前置放大器，DP5数字脉冲处理和多道分析模块，以及PC5电源模块。而用户仅需提供+5V的直流输入和到您的电脑的USB/RS232/以太网连接。包含硅漂移探测器的X-123SDD谱仪产品真空配件和所有Amptek真空配件兼容OEM和所有Amptek OEM配件兼容注意事项：1. 硅漂移探测器需要负高压，而前放输出为正脉冲。这和标准Si-PIN探测器所要求的正高压，而前方输出为负脉冲正好相反；2. PX5电源模块可以输出正或负的高压。若您为XR100SDD配套订购了PX5模块，则PX5必须设置为负高压输出。在使用XR-100CR探测器时，因错误设定PX5为负高压输出导致的探测器损坏不在保修范围之内。而使用XR-100SDD探测器时，因设定PX5为正高压输出导致的探测器损坏亦不在保修范围之内。准直器的使用 为提高能谱测量的质量，绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器。 探测器有效面元(active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号，进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围，降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内，这就避免了噪声信号的产生。 不同类型的探测器中准直器的应用各有优点：提高峰本比（P/B）；消除边界效应；消除假尖峰信号。真空环境中的应用 XR-100SDD型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作，而真空环境应用有如下两种方案： 1) XR-100SDD的探头和前放均置于真空室内部： a. 为保证XR-100SDD的正常工作，需避免器件过热，并做好输入的1W功率的良好导热；即利用XR-100SDD封装上的四个安装孔，根据具体真空室位形设计散热，将器件热量传导到真空室壁上； b. 在CF（Conflat Flange）刀口法兰上利用可选的真空馈通端子（如9DVF型，九接口）连接XR-100SDD和真空室外的PX5电源。 2) XR-100SDD全部置于真空室外：需利用可选的真空探测器延长组件（如EXV9型加长管，长9英寸）和标准CF刀口法兰窗口（通过O圈密封）配套。图4. 真空条件使用中可选的延长组件图5. 高采样率X射线束线系统中Amptek高性能SDD的应用（定制法兰，4个SDD探测器）其他系统说明及性能曲线图6. SDD的能量分辨率和峰化时间曲线图7. Si-PIN和SDD探测器的分辨率-峰化/成形时间曲线对比图8. 对应不同峰化时间的能量分辨率和输入计数率曲线（SDD配套DP5使用） 该图也表示了最大输出计数率曲线（黑色虚线）。而系统工作参数在该曲线右边区域时，尽管输入计数率很高，但输出计数率仍会小于最大值，具体情况见下图9。 图9. 不同峰化时间下SDD的输入计数率和输出计数率曲线（输出效率） 由于SDD探测器具有更小的电容，在成型放大器中较短的成形时间即可保证较好的能量分辨率。通常使用9.6μs或更小的成形时间，这极大提高了系统的输出效率。 图10. 使用SDD得到的55Fe能谱 图11. 不同峰化时间下SDD探测器的能量分辨率和对应能量峰值曲线 图12. 综合考虑铍窗（及保护膜）的传输效率及和Si晶体的相互作用效率后不同能量的传输率曲线。 曲线的低能量部分由铍窗厚度决定（0.3mil/8μm或0.5mil/12.5μm），而高能量部分则由Si晶体有效厚度决定：500μm。传输效率文件：包含传输效率方面系数和常见问题解答的.zip格式文件，仅提供基本信息，不能作为定量分析依据。SDD应用中的各种能谱图利用高性能硅漂移探测器（Super SDD）和Mini-X型X射线管测得的不同样品的荧光能谱:图13. SS316型不锈钢图14. PVC样品（RoHS/WEEE标准）图15. CaCl2溶液（800ppm Ca, 1200 ppm Cl）图16. 含有少量KCl的原油（1100ppm）中的S元素图17. 汽车催化剂图18. 铂金(Pt)戒指 完整的X射线荧光谱仪（XRF）系统图19. 安装于MP1型平板上的XR100SDD探测器和Mini-X发生器 完整的XRF系统包括：1. XR-100SDD型硅漂移探测器；2. PX5型数字脉冲处理器，多道分析器及电源；3. Mini-X型USB控制X射线管；4. XRF-FP定量分析软件；5. MP1型XRF系统安装平台。

XR-100SDD型X射线硅漂移探测器125eV的能量分辨率！采用电冷技术 无需液氮！图1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5 图2. 硅漂移探头元件示意图 XR-100SDD系列产品由新型高性能X射线硅漂移探头，前置放大器（前放）和致冷系统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境，而在两级热电致冷器上亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路，这样探头组件的温度保持在约零下55摄氏度左右，并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8封装，并利用不透光和不透气（真空封装适用）的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X射线探测。 XR-100SDD系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能，它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破。产品特性：1. 高计数率：500,000 CPS(每秒计数, counts per second)；2. 能量分辨率：125eV（半高全宽，FWHM，对应峰值为5.9keV的情况）；3. 高峰本比：20，000:1&ldquo (ratio of counts from 5.9 keV to 1 keV) (typical)&rdquo ；4. 面积25mm2，厚度500µ m；5. 内置多层准直器；6. 不需要液氮制冷。应用范围：1. X射线荧光分析；2. 用于RoHS/WEEE标准检测的X射线荧光谱仪；3. OEM和其他专业应用；4. 生产工艺流程反馈控制；5. 高校和科研院所实验室研究；产品参数：本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求。I. 高能量分辨应用： 1. 超高能量分辨率：125eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：11.2µ s； 3. 计数率：100,000 CPS； 4. 峰本比：,20，000:1；II. 快速峰化应用： 1. 能量分辨率：155eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：0.8µ s； 3. 计数率：500,000 CPS；III. 手持设备应用： 1. 能量分辨率：150eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：3.2µ s； 3. 探测器探头温度保持在250K（-24oC） 4. 计数率：200,000 CPS；XRF设备由此开始 ... ...图3. Amptek硅漂移探测器(SDD)测得的55Fe能谱 产品说明 XR-100SDD型硅漂移探测器（SDD）是Amptek公司出品的一款新型X射线探测器，它标志着X射线探测器生产工艺的变革。XR-100SDD因其体积小，性能优越且价格便宜等特点，是OEM手持式和台式X射线荧光谱仪设备的理想选择；而且它在保证优异的能量分辨的同时还能达到相当高的计数率，可以满足各种参数需求；另外封装采用和Amptek出品的其他探测器一样的T0-8型外壳，方便用户升级现有系统以及和其他Amptek产品配套。 硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似，但它利用单电极结构大大提升了性能。Amptek公司专门为X射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品。 同样的探头面积下，硅漂移探测器电容比传统硅PIN探测器电容低很多，则所需成型时间变短，电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同（较高）的计数率下得到比传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上，探测器中的电极结构是特制的。 产品参数常规参数探头类型硅漂移探测器(SDD)探头尺寸25mm2硅晶体厚度500&mu m准直器内置多层准直器(ML)能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)125-140eV FWHM (11.2&mu s峰化时间)峰本比(Peak to Background)20，000:1 (5.9keV,1keV计数比)典型的铍(Be)窗厚度0.5mil (12.5&mu m)电荷敏感型前置放大器Amptek定制可复位放大器增益稳定性（温飘）20ppm/ oC (一般情况下)外壳尺寸3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm重量4.4 ounces (125g)总功率1W保修期一年产品寿命五到十年，因具体应用而异环境温度0~+50oC仓储和物流要求长时间仓储：干燥条件下存放十年以上仓储/物流需求：-20到+50 oC，10%到90%湿度（无冷凝器）TUV CertificationCertificate #: CU 72072412 02Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004输出参数前置放大器电源电压正负8到9V，电流15mA，噪声峰峰值小于50mV探头电源电压-90到-150V，电流25&mu A；输入需要非常稳定：0.1%的波动。制冷器电源最大电压3.5V，最大电流350mA，噪声峰峰值小于100mV；注意：XR-100SDD探测器自身包含温度控制器输出参数前置放大器灵敏度一般为1mV/keV（不同探测器可能略有不同）前置放大器极性正脉冲信号输出（最大负载为1k欧姆）前端放大器反馈复位温度显示灵敏度利用PX5/X-123等直接读取温度（单位：开尔文）可选配置或配件X-123SDD 硅漂移探测器（SDD）也有对应的X-123SDD谱仪配置。该集成化配置包含了X射线探头，前置放大器，DP5数字脉冲处理和多道分析模块，以及PC5电源模块。而用户仅需提供+5V的直流输入和到您的电脑的USB/RS232/以太网连接。包含硅漂移探测器的X-123SDD谱仪产品真空配件和所有Amptek真空配件兼容OEM和所有Amptek OEM配件兼容注意事项：1. 硅漂移探测器需要负高压，而前放输出为正脉冲。这和标准Si-PIN探测器所要求的正高压，而前方输出为负脉冲正好相反；2. PX5电源模块可以输出正或负的高压。若您为XR100SDD配套订购了PX5模块，则PX5必须设置为负高压输出。在使用XR-100CR探测器时，因错误设定PX5为负高压输出导致的探测器损坏不在保修范围之内。而使用XR-100SDD探测器时，因设定PX5为正高压输出导致的探测器损坏亦不在保修范围之内。准直器的使用 为提高能谱测量的质量，绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器。 探测器有效面元(active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号，进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围，降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内，这就避免了噪声信号的产生。 不同类型的探测器中准直器的应用各有优点：提高峰本比（P/B）；消除边界效应；消除假尖峰信号。真空环境中的应用 XR-100SDD型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作，而真空环境应用有如下两种方案： 1) XR-100SDD的探头和前放均置于真空室内部： a. 为保证XR-100SDD的正常工作，需避免器件过热，并做好输入的1W功率的良好导热；即利用XR-100SDD封装上的四个安装孔，根据具体真空室位形设计散热，将器件热量传导到真空室壁上； b. 在CF（Conflat Flange）刀口法兰上利用可选的真空馈通端子（如9DVF型，九接口）连接XR-100SDD和真空室外的PX5电源。 2) XR-100SDD全部置于真空室外：需利用可选的真空探测器延长组件（如EXV9型加长管，长9英寸）和标准CF刀口法兰窗口（通过O圈密封）配套。图4. 真空条件使用中可选的延长组件图5. 高采样率X射线束线系统中Amptek高性能SDD的应用（定制法兰，4个SDD探测器）其他系统说明及性能曲线图6. SDD的能量分辨率和峰化时间曲线图7. Si-PIN和SDD探测器的分辨率-峰化/成形时间曲线对比图8. 对应不同峰化时间的能量分辨率和输入计数率曲线（SDD配套DP5使用） 该图也表示了最大输出计数率曲线（黑色虚线）。而系统工作参数在该曲线右边区域时，尽管输入计数率很高，但输出计数率仍会小于最大值，具体情况见下图9。 图9. 不同峰化时间下SDD的输入计数率和输出计数率曲线（输出效率） 由于SDD探测器具有更小的电容，在成型放大器中较短的成形时间即可保证较好的能量分辨率。通常使用9.6&mu s或更小的成形时间，这极大提高了系统的输出效率。 图10. 使用SDD得到的55Fe能谱 图11. 不同峰化时间下SDD探测器的能量分辨率和对应能量峰值曲线 图12. 综合考虑铍窗（及保护膜）的传输效率及和Si晶体的相互作用效率后不同能量的传输率曲线。 曲线的低能量部分由铍窗厚度决定（0.3mil/8&mu m或0.5mil/12.5&mu m），而高能量部分则由Si晶体有效厚度决定：500&mu m。传输效率文件：包含传输效率方面系数和常见问题解答的.zip格式文件，仅提供基本信息，不能作为定量分析依据。SDD应用中的各种能谱图利用高性能硅漂移探测器（Super SDD）和Mini-X型X射线管测得的不同样品的荧光能谱:图13. SS316型不锈钢图14. PVC样品（RoHS/WEEE标准）图15. CaCl2溶液（800ppm Ca, 1200 ppm Cl）图16. 含有少量KCl的原油（1100ppm）中的S元素图17. 汽车催化剂图18. 铂金(Pt)戒指 完整的X射线荧光谱仪（XRF）系统图19. 安装于MP1型平板上的XR100SDD探测器和Mini-X发生器 完整的XRF系统包括：1. XR-100SDD型硅漂移探测器；2. PX5型数字脉冲处理器，多道分析器及电源；3. Mini-X型USB控制X射线管；4. XRF-FP定量分析软件；5. MP1型XRF系统安装平台。 更多信息请关注AMPTEK英文官方网站：。

Amptek FAST SDD&trade C2 窗口针对SEM应用开发图1，X -123快速SDD&trade C2窗口光谱仪结合真空装置 图3，在真空环境下使用快速SDD&trade 配C2窗口，碳(C)元素光谱图图4，使用快速SDD&trade 测试Fe55光谱图4，Amptek低能量C2系列窗口对比 聚合物窗口 效能图 Amptek FAST SDD&trade C2 窗口针对SEM应用开发图1，X -123快速SDD&trade C2窗口光谱仪结合真空装置Amptek推出全新SDD探测器，针对扫描电镜能谱仪客户应用（EDS SEM）利用全新技术&ldquo C&rdquo 系列X射线窗口(Si3N4)，能够对低能量区域元素快速响应，新Amptek SDD&trade 可以很好的测试元素碳(C)，高效率快速SDD&trade 是EDS光谱仪最理想的方案。 图2, C2窗口传输效能图元素C2窗口效能B19.7%C43.9%N59.2%O62%f69%Ne72.9%Na75.1%Mg77.3%Al80.3%Si81.8%图3，在真空环境下使用C2窗口快速SDD&trade ，碳(C)元素光谱图图4，使用快速SDD&trade 测试Fe55光谱图4，Amptek低能量C2系列窗口对比 聚合物窗口 效能对比图

硅/硅微条探测器常用于带电粒子测量，当探测器在加有一定反向偏压并正常工作时，如果具有一定能量的带电粒子注入硅探测器，由于粒子对半导体材料的电离作用，会产生大量的电子空穴对。由于每产生一对电子空穴对需要的电离能是一定的（约为3 eV），因此产生的总的电子空穴对数目与粒子在探测器中损失的能量成正比。硅探测器对电离产生的电子空穴对进行收集，得到的电信号幅度就正比于粒子在探测器中的能量损失，可以准确的测量带电粒子能谱。同时，由于硅探测器对信号的时间响应较快，还可用于带电粒子的定时测量。硅微条探测器是在硅片表面通过蚀刻工艺，将硅片分割成多个独立的有效探测区域，通过不同的信号来源判断粒子位置和方向。硅/硅微条探测器广泛接受用户定制，根据用户需要提供合适的探测器。

SOLARLIGHT硅探测器OL 731产品型号：OL 731产品介绍OL 731 USB智能探测器是一款低成本、灵活、可编程、紧凑的辐射计光度计，可轻松设置以满足专业需求。性能特点 一系列传感器和滤波器可用于根据特定应用的要求定制光谱响应。 提供了一个命令集，用于创建采集程序。 交付时，OL 731系列探测器可由任何具有USB连接的计算机进行操作。技术参数产地：美国输出光束尺寸：0.4英寸（1厘米）光束方向：垂直向下、垂直向上或水平（适用于所有型号-请按订单 ）灯具类型：氙短弧（适用于所有型号）灯功率（标称）：150W（适用于所有型号）光束均匀性：±5%（适用于所有型号）时间不稳定性分类：A（IEC 60904-9 2007）A（JIS C 8912）A（ASTM E927-05）灯光波纹：±2%rms均匀性分类：B（IEC 60904-9 2007）B（JIS C 8912）B（ASTM E927-05）水平梁工作距离：3英寸（7.6厘米）垂直梁工作距离：不适用长期漂移（＜4小时）：接近零功率限制：出厂设置限制max.150 W工作温度：40-100°F储存温度：-4°F至185°F/-20°C至+85°C湿度：0至95%非冷凝冷却：强制空气工作温度：40-100°F电源要求：5 VDC通过USB连接器重量：0.5磅

仪器简介：XR-100SDD 硅漂移探测器(SDD)是Amptek 公司X 光探测器系列的最新成员，是一代革命性的产品。它 性能高、尺寸小、低成本，使它成为OEM 制造商的理想选择，用于生产从手持式到台式分析仪器。硅漂 移探测器(SDD)实现了极高计数率下优异的能量分辨率。同其它Amptek 公司生产的探测器一样，它被封 装在TO-8 外壳内，所以它的波形因数可直接转换为现有系统所用，兼容Amptek 公司生产的所有配件。规格： Detector TypeSilicon Drift Detector (SDD)Detector Size25 mm2Silicon Thickness500 µ m, See efficiency curvesCollimatorMultilayer, click here for more informationEnergy Resolution @ 5.9 keV (55Fe)125 - 140 eV FWHM at 11.2 µ peaking timePeak to Background8200:1 (ratio of counts from 5.9 keV to 2 keV)Background Counts3 x 10-3/s, 2 keV to 150 keVDetector Be Window Thickness0.5 mil (12.5 µ m), See transmission curvesCollimatorInternal MultiLayer Collimator (ML). Click here for more information.Charge Sensitive PreamplifierAmptek custom reset preamplifier.Gain Stability20 ppm/° C (typical)XR100SDD Case Size3.00 x 1.75 x 1.13 in (7.6 x 4.4 x 2.9 cm) Click here for mechanical dimensionsXR100SDD Weight4.4 ounces (125 g)Total Power1 WattWarranty Period1 YearTypical Device Lifetime5 to 10 years, depending on useOperation conditions0° C to +50° CStorage and ShippingLong term storage: 10+ years in dry environmentTypical Storage and Shipping: -20° C to +50° C, 10 to 90% humidity non condensing主要特点：&bull 高计数率：500,000 CPS&bull 在 5.9 keV 峰处分辨率可达136 eV 半峰宽(FWHM)&bull 高峰强:背噪 (P/B) 比:7000:1&bull 7 mm2 × 450 &mu m&bull 无需液氮

产品信息 PSD位置探测器所属类别： ? 探测器/光子计数器 ? PSD位置探测器 所属品牌：德国TEM Messtechnik GmbH公司 产品简介分辨率达到纳米级别的4D PSD可独立探测区分光束位置漂移和角度漂移。 德国TEM公司研发的4D PSD位敏探测器，采用两个2D PSD探测器与相关光学元件的有机组合，能够严格探测区分光束的位置漂移与角度漂移，分辨率达到nm级别。 关键词：PSD，位置探测器，激光位置探测器，位置灵敏探测器，光电位置探测器， 位置敏感探测器，四象限探测器，位置传感探测器，置灵敏探测器，2D PSD，Position Sensitive Detector，激光位置探测器 PSD位敏探测器 德国TEM公司研发的4D PSD位置敏感探测器，采用两个2D PSD探测器与相关光学元件的有机组合，能够严格探测区分光束的位置漂移与角度漂移，分辨率达到nm级别。 PSD 4D i: PSD位敏探测器（工业级）? 4维测量： 位置 X，Y 和角度 X，Y? 连续光和脉冲激光器(检验光束功率，连续光： 100 μW-10 mW，脉冲：10 nJ)? 高精确度： 1 μm， 1 μrad PSD 4D e: PSD位敏探测器（实验级）? 类似 "PSD 4D i"，但是离散元件PSD4D i? 易于适应实验装置和更高的精确度： 10 nm， 10 nrad PSD 2D: 2DPSD位敏探测器(连续光或脉冲)? 独立使用，或组合成4维PSD使用? 标准波长： 380nm-1100nm? 定制波长： 180 nm-2600 nm PSD紫外增强型晶片组? 升级 PSD 4D 到紫外/极紫外? PSD晶片组直径 4mm, 10mm 分享到 : 人人网 腾讯微博 新浪微博 搜狐微博 网易微博 相关产品 激光束指向稳定系统 惊爆价！1.5万元 激光光束分析仪 OEM型高速热电功率探头（未含热沉）

VIAMP系列产品特点VIAMP系列是KETEK推出的用软线连接硅漂移探测器探头与前置放大器的探测器模块，该探测器能够匹配VITUS系列的H7到H50型探头。客户可以根据自身的需要选择不同的封装方式。德国ketek是世界上最早生产硅漂移探测器的公司产品具备高能量分辨、高计数率、高稳定性、兼容性强、操作简便等优点，多次随美国火星探测器登陆火星，为人类获取了许多火星主要成分的第一手资料。目前仍有7年前发射到火星的ketek探测器可以正常工作。使用条件PARAMETERTYPICALMAXIMUM RATINGSPositive Supply+5V / 25mA DC+4.9V to +5.4V30mVpp RippleNegative Supply-5V / 15mA DC-4.9V to -5.4V30mVpp RippleHV Bias Supply -140V / 1mA DC0.1%30mVpp RippleSignal PolarizationpositiveRamp Threshold(positive) +1.8V+1.6V to +2.0VRamp Threshold(negative)-1.8V-1.0V to -2.5VPreamp Gain3mV/keV 10%others on request10%Tec Supply1.7V / 280mA@ -35° C3.6V / 700mA30mVpp RippleTEC ∆ T70k@ 20° CHeat Sink Temp.Temp. Diode Slope2.35mV/K@ 1µ A Current操作示意图 探测器引脚定义 Pin #DescriptionPin 1TEC Return (GND)Pin 2TEC SupplyPin 3+5V DCPin 4-5V DCPin 5Signal Return (GND)Pin 6Signal OutPin 7Temperature DiodePin 8GNDPin 9n.c.Pin 10Bias Voltage (HV)

仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器

AXAS-A系列产品特点集成了VITUS系列的SDD探测器的分析系统，使用了脉冲复位机制的前置放大器，从而保证了探测器能够在高计数率下工作集成供电高压电路，温控电路，用户只需使用± 12V电源即可，使用方便用户可以定制封装探测器的FINGER的长度，标准长度为100mm，另有多种长度可选高度集成化设计，外形紧凑，便于集成德国ketek是世界上最早生产硅漂移探测器的公司产品具备高能量分辨、高计数率、高稳定性、兼容性强、操作简便等优点，多次随美国火星探测器登陆火星，为人类获取了许多火星主要成分的第一手资料。目前仍有7年前发射到火星的ketek探测器可以正常工作。能谱图样 AXAS-A系列可选特性 VITUS SDDGuaranteed FWHM [Mn K&alpha ]Fingerlength [mm]Upperenergy limitsH7,H7LE*,H15LE*,H20,H30,H50* with low-energy windowPremium Class &le 133 eV*Standard Class &le 149 eV*&le 136 eV and &le 144 eV for H15LE50,100,160,200,30020 keV or 30 keV

Ultim Max TEM，搭载于透射电子显微镜(TEM)主要用于纳米尺度成分分析和元素面分布分析。全新设计80mm2的传感器，进一步接近样品并提供更多的x射线计数。UltimMax TEM结合了无窗设计和低噪音电子元器件 , 为 200kV下EDS分析提供高质量数据。 0.2 - 0.6 srad的立体角 对低能量x射线的灵敏度可提高8倍 可在400,000cps的计数率下进行定量分析在原位实验中，可在1000°C的温度下采集谱图旗舰款SDD传感器Ultim Max TLE，搭载于透射电子显微镜(TEM)，经过设计优化，提高了小束斑下的计数率，可表征原子尺度的元素信息。这一性能是通过优化的晶体形状，100mm2大面积晶体，无窗结构，优化的机械设计和Extreme级电子元器件来实现的。0.5 - 1.1srad的立体角对低能量x射线的灵敏度可提高8倍可在400,000cps的计数率下进行定量分析在原位实验中，在高至1000°C的温度下采集谱图Xplore TEM是专门为120kV和200kV 透射电镜（TEM）的常规应用而设计的元素分析系统。使用新的 80mm2 传感器和聚合物薄窗口及低噪音电子元器件 , 为用户提供快速和准确的元素表征。0.1 - 0.4 srad的立体角从Be到Cf的元素检测可在200,000cps的计数率下进行定量分析SATW窗口为广泛的应用提供了极大的便利性

AXAS-D系列产品特点能够提供与VITUS系列探测器探头匹配的一体化数字信号处理系统，集成有脉冲恢复型超低噪声、超高计数率、电荷灵敏前置放大器与数字脉冲处理器DPP。探测器的有效探测面积7mm2到50mm2可选高度集成化设计，紧凑型外形，便于集成集成了温控电路，供电电路，使用方便用户可以定制封装探测器的FINGER的长度，标准长度为100mm，另有多种长度可选德国ketek是世界上最早生产硅漂移探测器的公司产品具备高能量分辨、高计数率、高稳定性、兼容性强、操作简便等优点，多次随美国火星探测器登陆火星，为人类获取了许多火星主要成分的第一手资料。目前仍有7年前发射到火星的ketek探测器可以正常工作。能谱图样 Typical spectrum of a 30mm² KETEK VITUS SDD in AXAS-D, taken with KETEK DPP Software at 8µ s shaping time. AXAS-D系列可选特性 VITUS SDDGuaranteedFWHM [Mn K&alpha ]Fingerlength [mm]Upperenergy limitsH7,H7LE*,H15LE*,H20,H30,H50* with low-energy windowPremium Class &le 133 eV*Standard Class &le 139 eV*&le 136 eV and &le 144 eV for H15LE50,100,160,200,30020 keV or 30 keV

米字科技生产的激光式气体探测器采用TDLAS激光吸收光谱技术，光学设计、气体分子“指纹”精准探测，不受雨水、烟雾、灰尘以及其他气体等环境因素干扰，无中毒：快速响应；免维护，长寿命。 产品防护等级满足各种苛刻的现场环境，激光探测器可监测甲烷、氨气、硫化氢、氧气（微氧）等多种气体。米字科技生产的激光探测报警器是通过光的吸收强度对比组分的吸收系数和吸收长度从而得到气体的浓度。传统电化学/电催化报警器激光式气体报警器接触式测量，传感器易中毒非接触式测量，探头无损耗无污染使用寿命有限，需定期更换探头使用寿命10年受周边环境温度、湿度影响大精确可靠，不受温度压力影响交叉干扰，误报率高分子指纹光谱测量，无误报 激光式气体探测器技术规格：描述规格检测原理激光TDLAS技术检测方式扩散式/采样可检测气体甲烷、硫化氢、氨气、氧气准确度±2％F.S(0到50PPM)；±5％F.S（50到100PPM)重复性±1％F.S响应时间T90≤5s输出信号标准4-20mA,最大阻抗500欧姆工作电压工作电压24VDC±5%最大功率30W工作温度 -10℃-50℃材质相对湿度0-95％，无冷凝尺寸约350*150*115mm重量4㎏接线要求三线制，28-12AWC，建议线径1.5平方毫米电气接口3*3/4"NPT内螺纹显示方式2位高亮LED显示LED状态指示灯4个LED功能指示灯：低报警（红色），故障报警（黄色），正常（绿色）继电器预报警，报警，故障继电器，继电器最大容量30VAC/0.5A,预报警可选24VDC有源输出防护等级IP67防爆类型隔爆型 Ex d IIB T4产品认证CPA/ExHART规格选配漂移零点漂移：1％/三个月：量程漂移：2％/三个月探头保护标配环境防护罩标定出厂前所有探头都已标定现场服务提供现场安装指导，以及调试培训服务探头寿命典型十年气体种类表：检测气体标准量程分辨率氨气0-100PPm0.2ppm硫化氢0-100PPm1ppm氧气0-25％0.1％vo1甲烷0-100％LEL1％LEL 订货信息：产品料号描述S10001001氨气， 3/4"NPT,铝合金S10002001硫化氢，3/4"NPT,铝合金S10003001氧气， 3/4"NPT,铝合金 特定波长的光会产生分子键的旋转或伸展“分子键振动“吸收能量、气体通过浓度特定能量光子的吸收精准测量分子水平测量，实现高精度（PPM/PPB级）；TDLAS核心技术是激光探测的优势：精、准、快、捷、 自主技术分析光谱“指纹”精准可靠，不受背景气体干扰； 激光测量，实时快速（1-3s)； 免维护，长寿命（5-10年）不需要更换探头，大大降低成本。

特点：探测器室设计标准安装尺寸，可与我公司的相关产品配套使用其中7ID219采用日本进口滨松器件，7ID230采用国产高性能器件技术参数：型号名称7ID219紫外增强型硅探测器7ID230普及型硅探测器感光面积100(10×10) mm2100(10×10) mm2波长使用范围190-1100 nm300-1100 nm峰值波长960 nm800±20 nm峰值波长响应度0.5 A/W0.4 A/W200nm的响应度0.1-0.12 A/W-------响应时间3μs-------工作温度范围-20～+60℃-------储存温度范围-20～+80℃-------分流电阻200(50) MΩ-------等效噪声功率1.8×10-14W/√Hz-------暗电流（25℃；-1V）2×10-10 A1×10-8-5×10-11 A结电容1100 pf（VR =0V,f=10KHz）3000 pf (-10V)重量0.18kg0.18kg 光谱响应参考图：

仪器简介：■ 硫化铅探测器（PbS）&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围：0.8-3.2&mu m技术参数： DPbs2900 DPbs3200光敏面尺寸 mm 1× 5 6× 6波长范围 &mu m 0.8～2.9 0.8～3.2峰值波长 &mu m &ge 2.2 &ge 2.1响应Su V/W &ge 3× 104 &ge 300电阻Rd M&Omega 0.2-2 0.1-0.3D* cm(Hz) 1/2/W &ge 5× 108 &ge 1× 108时间常数 &mu s &le 200 &le 400放大倍数 × 1，× 10，× 100输入端失调电压 µ V ＜± 1前放输入端的漂移 µ V ± 1频率响应范围 Hz 100&mdash 1000 （推荐400Hz）信号输出模式 电压 电压输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ 硫化铅探测器（PbS）&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围：0.8-3.2&mu mDPbS2900/3200两种型号，两种探测器室的外观相同（内带前置放大器），其中：◆ DPbS2900内装进口硫化铅探测器（光谱响应度曲线参考图1）◆ DPbS3200内装国产硫化铅探测器（光谱响应度曲线参考图2）硫化铅探测器使用建议：● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器为光导型红外探测器，使用时必须配合锁相放大器，推荐使用SR830型（Page98）或Model 420型（Page97）；● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器集成了前置放大器，输出信号模式为电压模式，在与DCS103或DCS300PA数据采集系统（Page95）配合使用时，需要选择电压信号采样模式。

该测试系统为自动测试系统，具有测试快速准确、操作简单、可靠性高度特点，能实现了200-250nm范围内绝对光谱响应度、量子效率、归一化探测率、信号电压、噪声电压、响应时间等参数随波长、频率、外加偏压的变化曲线的全自动测试。技术指标 光谱范围：200-2500nm（可根据实际需要选择）光电源电流漂移： 0.04%/h波长准确度：± 02nm光谱分辨率：± 0.1nm光谱带宽：0.2-10nm 可调光斑：15mm,各点不均匀性1%偏压源：电压：200uV-505V；电流：20fA-200mA系统噪声： 2mV系统重复性： 2%激光监视光路：CCD 图像监视，可对极小光电探测器进行精确定位。

一、产品概述YTRB-BS01点型气体探测器，采用催化燃烧式传感器。适用于燃气、石油、化工、消防、冶金、电力、矿井等存在易燃、易爆、毒性气体的危险场所。适用于检测现场甲烷气体，是一款高性价比的气体探测器。一体化设计及表面贴装工艺（SMT），提高了性价比和可靠性。二、产品特点1本产品执行GB15322.1-2003国家标准；2.响应速度准确，使用环境宽，使用寿命长；3.发送的信息遭到破坏后，可自动重发；4.软、硬件两方面增加抗干扰性能，充分保证报警准确准时；5.每一个探测器都可通过内部拨码开关设置不同的逻辑地址，增加了产品的通用性；6. 一体化设计及表面贴装工艺（SMT），提高了性价比和可靠性。三、 技术参数检测气体：甲烷；检测原理：催化燃烧式；检测方式：扩散式；测量误差：±5%LEL测量精度：±3%F.S；响应时间：≤30S 零点漂移：≤ 1%F.S 量程漂移：≤ 1%F.S 分辨率：0.1%LEL信号输出： 四总线制：信号总线（A、B） 电源总线（VCC、GND） 报警输出：1个继电器输出（额定输出为1A/30V）；防爆方式：隔爆型；防爆标志： ExdⅡCT6；IP 等 级：IP66；工作电压：DC24V±15%；功 耗：≤2W；安装方式：固定式安装；温度范围： -40℃～+70℃；湿度范围： 10～95%RH（无凝露）；存储温度： -25℃～+55℃；压力范围：86kPa ～ 106kPa。

一、产品概述YTRB-BS01点型气体探测器，采用催化燃烧式传感器，高精度采样电路，32位ARM处理器，适用于炼油厂、化工厂、液化气站、燃气锅炉房、加油加气站、喷漆房等工业现场进行气体安全检测报警。适用于检测现场甲烷气体，是一款高性价比的气体探测器。具有良好的重复性和抗湿温度干扰性、使用寿命长、操作方便等优点。二、产品特点1本产品执行GB15322.1-2003国家标准；2.适合工厂应用的LED现场显示（可选液晶显示）；3.传感器故障自动识别并现场显示；4.-40℃～+70℃温度数字自动跟踪补偿，保证测量准确性；5.现场两级光报警，继电器输出（外接声光报警器或驱动排风等外设设备）。6.响应速度准确，使用环境宽，使用寿命长；7.CAN总线通信,抗干扰能力强，性能稳定，灵敏可靠；8.节点错误自动退出，不影响总线通信；9.发送的信息遭到破坏后，可自动重发；10.不关闭总线即可任意连接或拆除节点，增强了系统的灵活性和可扩展性；11.软、硬件两方面增加抗干扰性能，充分保证报警准确准时；12.每一探测器都可通过内部拨码开关设置不同的逻辑地址，增加了产品的通用性；13.一体化设计及表面贴装工艺（SMT），提高了性价比和可靠性。三、 技术参数检测气体：甲烷；检测原理：催化燃烧式；检测方式：扩散式；编程方式：红外遥控器（±30度2米内）；报警设定：低限20%LEL，高限50%LEL； 显示方式：3位LED；测量精度：±3%F.S；响应时间：≤30S 零点漂移：≤ 1%F.S 量程漂移：≤ 1%F.S 分辨率：0.1%LEL信号输出： RS-485（支持MODBUS-RTU协议）； 报警输出：3个继电器输出（额定输出为1A/30V），如下：低限报警继电器；高限报警继电器；故障报警继电器；报警显示方式：探测器正常运行灯；探测器低限报警灯；探测器高限报警灯；探测器故障指示灯；防爆方式：隔爆型；防爆标志： ExdⅡCT6；工作电压： 18～36VDC；功 耗：≤2W；信号传输：≤10000mm安装方式：固定式安装；温度范围： -40℃～+70℃；湿度范围： 10～95%RH（无凝露）；IP 等 级：IP66；存储温度： -25℃～+55℃；压力范围：86kPa ～ 106kPa；传感器使用寿命：≥2年；

德国ketek是世界上最早生产硅漂移探测器的公司产品具备高能量分辨、高计数率、高稳定性、兼容性强、操作简便等优点，多次随美国火星探测器登陆火星，为人类获得了许多火星上物质主要成分的第一手资料。目前仍有7年前发射到火星的ketek探测器可以正常工作。VIRUS系列产品性能参数 VITUS Silicon Drift Detectors Premium ClassStandard ClassTypeActive Area(mm² )WindowCoolingPerformanceMax ∆ T @ 30° C heat sinkGuaranteedFWHM@ 8µ s PT [eV]GuaranteedP/BTyp. FWHM @ 100kcpsdead time 50% [eV]GuaranteedFWHM@ 8µ s PT [eV]Guaranteed P/BTyp. FWHM @ 100kcpsdead time 50% [eV]H778µ m Be75&le 133 15,000&le 139&le 149 6,000&le 149H20208µ m Be75&le 133 15,000&le 139&le 149 6,000&le 149H30308µ m Be75&le 133 15,000&le 139&le 149 6,000&le 149H505012.5µ m Be75&le 133 15,000&le 139&le 149 6,000&le 149H808025µ m Be75&le 136 10,000&le 144&le 160 5,000&le 180R1009225µ m Be75&le 136 400&le 144&le 160 400&le 180 VITUS Silicon Drift Detectors with low-energy window Premium ClassStandard ClassTypeActive Area(mm² )WindowCoolingPerformanceMax ∆ T @ 20° C heat sinkGuaranteedFWHM@ 8µ s PT [eV]GuaranteedP/BTyp. FWHM @ 100kcpsdead time 50% [eV]GuaranteedFWHM@ 8µ s PT [eV]Guaranteed P/BTyp. FWHM @ 100kcpsdead time 50% [eV]H7LE7AP3.3low-energywindow55&le 133 10,000&le 139&le 139 6,000&le 144H15LE15AP3.3low-energywindow55&le 136 10,000&le 139&le 144 6,000&le 144

PhaseTech 中红外探测器 2DMCTPhaseTech 中红外探测器 2DMCT是用于中红外的下一代碲化汞镉（MCT）探测器。具有128×128像素、高灵敏度和极低噪声的电子器件。PhaseTech 中红外探测器 2DMCT功能和特点：&bull 16384个高品质MCT像素&bull 非常低的暗噪声&bull 杜瓦温度读数&bull QuickShape快速扫描电子设备&bull 控制软件和LabVIEWTM驱动程序PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要应用：&bull 瞬态红外光谱&bull 二维红外光谱&bull 中红外成像&bull 二维红外成像PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要参数：像素128×128或64×64光谱范围2-12.3µ m像素尺寸40 x 40µ m最大全帧速率1.5 kHz最大窗口帧速率4 kHz（请联系PhaseTech了解更高的帧速率）比检测率（D*）4 x 1011 cm Hz1/2 W-1垂直分辨率14位动态范围~1300:1典型的暗噪声（1σ）*10次计数，超过1000次近似尺寸8.5 x 4 x 10.2英寸（21.6 x 10.2 x 25.9厘米） 低噪声中红外探测器 2DMCT是一种非常低噪声的探测器更好的激光器意味着探测器的噪声很重要典型的暗噪声小于10个计数（1000次拍摄时为1σ）垂直装仓进一步降低噪音 漂亮的测试数据高分辨率、高质量的光谱与传统探测器相比，信噪比相似或更好 覆盖面广2至12.3微米的良好灵敏度 尺寸小采集电子设备的尺寸只有几英寸，直接连接到探测器上直接连接意味着更少的电子噪音 特殊优势可编程偏移使其易于根据不同的信号强度进行调整内置杜瓦瓶温度读数消除了对液氮水平的担忧 软件友好用于设置、控制和采集的用户友好型软件包括偏移、设置感兴趣的区域、显示各种切片LabViewTM驱动程序，可轻松整合到现有代码中 PT_2DMCT_Datasheet.pdf

PDA100A2硅光电探测器，带放大，可调增益特性波长范围：200到1100 nm 固定或可调增益的低噪声放大器负载阻抗：50 Ω或以上(带宽≥3 kHz的版本)自由空间光学输入我们提供多种硅(Si)自由空间型带放大的光电探测器，光灵敏范围从紫外到近红外。Thorlabs带放大的光电探测器内置低噪声跨阻放大器(TIA)或低噪声TIA后接电压放大器。Menlo Systems的FPD系列带放大光电探测器内置射频(RF)放大器或跨阻放大器。我们提供固定增益和可调增益的版本，前者具有固定的最大带宽和总跨阻增益，后者提供两个或八个增益设置。Thorlabs光电探测器能够满足多种要求，380 MHz的PDA015A固定增益探测器具有1 ns脉冲响应，高灵敏PDF10A2具有最小3.0 fW/Hz1/2噪声等效功率(NEP)，可调增益的PDA100A2具有八种可调的最大增益(带宽)组合，范围从1.51 kV/A (11 MHz)到4.75 MV/A(3 kHz)。具有飞瓦灵敏度的PDF10A2为低频器件，只能端接高阻抗(Hi-Z)负载，而其它所有带放大的硅光电探测器都能够驱动从50 Ω到Hi-Z的负载。每个探测器都有SM05 (0.535"-40)内螺纹与SM1 (1.035"-40)外螺纹。除了有些特定的探测器，所有装置外壳上都有8-32螺孔 (-EC和/M型号为M4螺孔)。PDA10A2、PDA8A2、PDA36A2、PDA100A2和PDF10A2使用新外壳，具有兼容8-32和M4的通用螺孔。关于安装孔位置及如何安装的详细信息，请看外壳特性和安装选项标签。Menlo Systems的FPD系列探测器具有易用的光电二极管封装，集成高增益、低噪声RF放大器(FPD310-FS-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS) 。FPD310-FS-VIS非常适合需要高带宽和超短上升时间( 1 ns)的应用，它能以0和20 dB两种步长调节增益。FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS具有固定增益，能够在探测低水平光学拍频信号时提供最高信噪比，最高探测频率分别为250 MHz和600 MHz。FPD510-FS-VIS上升时间为2 ns，而FPD610-FS-VIS上升时间为1 ns。这些是直流耦合器件，FPD510-FS-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FS-VIS为500 MHz。FPD探测器设计紧凑，便于OEM集成。每个Menlo探测器外壳上有一个用于安装接杆的M4螺孔。更多有关外壳的信息，请看外壳特性标签。如需带FC/PC输入端的探测器，请看光纤耦合型带放大的硅探测器。电源每个带放大的光电探测器都附带一个±12 V的线性电源，支持100、120和230 VAC输入电压。更换用的电源在下方出售。将电源连接到线路之前，请确保电源模块上的线性电压开关已经设定在正确的电压范围。请始终使用电源上的电源开关来给电源通电。建议装置不要热插拔。

张经理六氟化硫报警器是我公司科研人员根据市场需求与多家科研机构联合研制成功的新一代高科技电子产品，报警探测器是按照GB15322-2003《气体探测器技术要求及试验方法》严格设计制造，探测器内的检测传感器采用进口传感器作为检测元件，灵敏度高，响应速度块，当报警器探测到环境中的六氟化硫气体浓度达到或超过预设置报警点时，控制主机立即发出声光报警，同时可启动排风装置，已达到安全之目的。特点:采用进口传感器，数字信号，性能稳定抗干扰，灵敏可靠使用环境范围宽，使用寿命长技术指标:工作电压:DC12V检测气体:六氟化硫检测原理:电化学式.半导体.红外线.超声波检测范围:0-100 PPm或0-30000 PPm以内响应时间:≤30s恢复时间:≤90s功耗:≤3.5W/路计量误差≤±5%LEL防爆等级:ExdⅡBT6使用温度:-40℃--70℃使用湿度:≤95%RH气体检测器特点：●防爆等级为ExdⅡCT6●高精度、长寿命的进口气体传感器●自动温度补偿、零点、满量程漂移补偿●防高浓度气体冲击的自动保护功能●全软件校准功能，用户也可自行校准，用3个按键实现，操作简单●二线制4～20mA输出●两个电缆进线口，方便现场安装●独立气室结构，传感器更换便捷

总览Photop&trade 系列，将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops&trade 通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装，确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。其中许多具体参数包括低噪声、低漂移和拥有由外部反馈元件决定的增益和带宽能力。从直流电平到几兆赫的操作是可能的，既可以在低速、低漂移的应用中采用无偏置配置，也可以在更快的响应时间中采用偏置配置。 上述设备的任何改装都是可能的。改装可以是简单地增加一个带通光学滤波器，在同一封装内集成额外的芯片(混合)元件，利用不同的运算放大器，替换光电探测器，修改封装设计和/或安装在PCB上。包含多型号UDT-020D UDT-555D UDT-455 UV OSI -020 UV UDT-055 UV UDT-455UV OSI-020UV OSI-515 UDT-555UV/LN光电二极管放大器混合器 200-1100nm,光电二极管放大器混合器 200-1100nm型号参数应用 通用光检测激光功率监控医学分析激光通信条形码读取器工业控制传感器污染监测制导系统色度计特征检测器/放大器组合可调增益/带宽低噪声宽带宽DIP封装有效面积大.光电二极管参数TA = 23°C时的典型电光参数型号有效面积响应度(A/W)电容(pF)暗电流(nA)分流电阻(MΩ )噪音等效功率(W/√Hz)反向电压温度范围(°C)封装形式面积(mm2) 尺寸(mm) 254nm 970nm 0V -10V -10V-10mV0V254nm-10V970nmV工作储存最小值典型值最小值典型值典型值典型值典型值 最大值典型值典型值典型值 最大值350-1100nm光谱范围UDT-455 5.1 2.54 f --- 0.60 0.65 85 15 0.25 3 --- 1.4 e -14 30**0 ~+ 70-30 ~+ 100 30 / TO-5OSI-515#UDT-020D164.57 f330600.5101.9 e -1431 / TO-8UDT-555D10011.3 f15003002253.9 e -1432/ Special200-1100nm光谱范围UDT-455 UV5.12.54 f 0.10 0.14 ---300 ---1009.2 e -14 --- 5**30 / TO-5OSI -020 UV164.57 f1000501.3 e -1331 / TO-8UDT-055 UV507.98 f2500202.1 e -1332/ SpecialUDT-555 UV 100 11.3 f 4500 10 2.9 e -13 32/ SpecialUDT-555UV /LN** TA = 23°C时，运算放大器的电光参数型号电源电压静态电源电流(mA)输入补偿电压 温度系数输入补偿电压输入偏置电流增益带宽乘积转换速度开环增益，DC输入噪声电压输入噪声电流 100 Hz 1k Hz 1 k Hz ± 15 VmVµ V / °CpAMHzV / µ sV /mVnV/ √HzfA/√Hz 最小值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 最小值 典型值 最小值 典型值 最小值 典型值 典型值 典型值 典型值UDT-455 --- ±15 ±18 2.8 5.0 0.5 3 4 30 ±80 ±400 3.0 5.4 5 9 50 200 20 15 10UDT-455UVUDT-020DOSI-020UV---±15±181.820.030.120.3510.520---5.1---20100020005.85.10.8OSI-515*---±15±186.57.21310---±15±40232612514036.3---1210UDT-555UV/LN---±15±182.53.50.10.5±2±5±0.8±2---21250117781580.5UDT-055UV --- ±15 ±22 2.7 4.0 0.4 1 3 10 ±40 ±200 3.5 5.7 7.5 11 75 220 20 15 10UDT-555DUDT-555UV 机械图纸请参考第61至73页。* * LN–系列设备应在0V偏压下使用。*非冷凝温度和储存范围，非冷凝环境。# OSI-515取代UDT-455HS UDT-455，UDT-555D, 555UV, 055UVOSI-515:引脚1和5不兼容(无需调偏)。UDT-020D，OSI-020UVUDT-555UV/LN输出电压与光强度成正比，由下列公式得出:频率响应(光电二极管/放大器组合)光电二极管/放大器组合的频率响应由光电探测器、前置放大器以及反馈电阻(RF)和反馈电容(CF)的特性决定。对于已知增益(RF)，检波器/前置放大器组合的3dB频率响应如下所示:然而，所需的频率响应受到运算放大器增益带宽乘积(GBP)的限制。为了获得稳定的输出，必须选择RF和CF值，使检波器/前置放大器组合的3dB频率响应小于运算放大器的最大频率，即f3dB≤fmax。最后，下面给出了一个计算频率响应的例子。对于增益为108，工作频率为100 Hz，增益带宽乘积(GBP)为5 MHz的运算放大器:对于CF = 15.9 pF，CJ = 15 pF和CA = 7 pF，fmax约为14.5 kHz。因此，由于f3dB≤fmax，电路稳定。 有关具体应用的进一步阅读，请参考目录中的APPLICATION NOTES INDEX。注:阴影框代表Photop&trade 组件及其连接件。 光电二极管维护和操作说明避免直射光线由于硅光电二极管的光谱响应包括可见光区域，因此必须避免光电二极管暴露于高环境光水平下，尤其是钨源或日光。在OSI光电公司的运输过程中，您的光电二极管包装在不透明的填充容器中，以避免环境光照射和因跌落或震动造成的损坏。 避免剧烈的物理冲击如果跌落或剧烈震动，光电二极管可能会损坏。焊线较为脆弱，当检测器掉落或受到剧烈的物理撞击时，可能会与光电二极管的焊盘分离。 用光学级布/纸巾清洁窗户OSI光电二极管上的大多数窗口材料是硅或石英。应使用异丙醇和软垫(光学级)清洁它们。 观察储存温度和湿度水平光电二极管暴露在高或极低的存储温度下会影响硅光电二极管的后续性能。存储温度指南在本目录的光电二极管性能规格中有相关介绍。请保持非冷凝环境，以保证光电二极管最佳性能和寿命。 遵守防静电措施光电二极管，尤其是集成电路器件(如Photops)被认为是静电敏感的。光电二极管采用防静电包装运输。在拆封和使用这些产品时，应遵守防静电注意事项。 不要将光电二极管暴露在刺激性的化学环境中如果暴露在氯乙烯、稀释剂、丙酮或三氯乙烯中，光电二极管封装和/或操作可能会受到影响。 小心安装本目录中的大多数光电二极管都配有电线或引脚，用于安装在电路板或插座上。遵守以下规定的焊接温度和条件:烙铁: 焊接30 W或更低 , 烙铁尖端的温度为300℃或更低。浸焊:镀浴温度:260±5℃ ,浸泡时间:5秒以内。 ,焊接时间:3秒以内。汽相焊接:请勿使用回流焊:请勿使用 请特别注意塑料包装中的光电二极管。透明塑料包装比黑色塑料包装对环境压力更敏感。在高湿度下存放器件可能会在焊接时出现问题。由于焊接过程中的快速加热会对焊线产生应力，并可能导致焊线与焊盘分离，因此建议将塑料封装中的器件在85℃下烘烤24小时。光电二极管上的引线不应形成。如果您的应用需要修改引线间距，请在形成产品引线之前联系OSI光电子应用程序部门。产品保修可能无效。1.参数定义:A =芯片顶部到玻璃顶部的距离。a =光电二极管正极。B =玻璃顶部到外壳底部的距离。c =光电二极管负极(注:负极通常用于金属包装产品，除非另有说明)。W =窗口直径。视场(见下文定义)。 2.尺寸单位为英寸(1英寸= 25.4mm)。3.除非另有规定，引脚直径为0.018±0.002"。4.公差(除非另有说明)常规: 0.XX ±0.01" 0.XXX ±0.005"芯片中心: ±0.010"尺寸“A”: ±0.015" 5.Windows操作系统所有“UV”增强产品都配有石英玻璃窗口，0.027±0.002"厚度。所有“XUV”产品都配有可移动窗户。所有“DLS”PSD产品都配有抗反射涂层玻璃窗。所有“FIL”光导和光伏产品都是环氧树脂填充的，而不是玻璃窗。 机械规格单位都是英寸。插脚引线是仰视图。

硅雪崩光电探测器，可变增益，温度补偿连续可变增益温度补偿，在18 - 28 °C的温度范围上M因子的稳定性≤±3%SM05内螺纹和SM1外螺纹，可安装光纤转接件、透镜套管和其它组件包含电源这些雪崩光电探测器具有可变增益，通过外壳右侧的旋钮进行控制。与上方的APD130A探测器一样，这些探测器具有集成热敏电阻，它通过调节雪崩光电探测器两端的偏置电压，在23 ± 5 °C的温度范围内可将M因子的稳定性维持在±3%或更好。相比于上面的标准APD和温度可控的APD，APD430A2和APD430A还提供从DC至400 MHz的更大可用带宽。APD410A2和APD410A的可用带宽略小(DC至10 MHz)，但是灵敏度更高。APD440A2和APD440A探测器提供高跨阻抗增益，最大带宽为100 kHz。机械连接和电连接的方向，以及薄型外壳设计，确保了这些探测器可装在狭小空间中。外壳上有三个8-32(M4)安装孔，每侧面上一个，进一步确保它可以轻松集成到复杂的机械装置中。外壳还兼容SM05和SM1透镜套管。包含一个SM1内螺纹的盖子。光纤耦合注意事项：对于光纤耦合应用，我们不推荐使用Thorlabs带APD410A2(/M)、APD430A2(/M)和APD430A的S120-FC等光纤接头转接件，因为探测器的尺寸较小。可能会出现较高的耦合损耗以及频率响应降低。为了实现高耦合效率，可使用光纤准直器、聚焦透镜和X-Y平移调整架。Thorlabs硅雪崩光电探测器，APD410A2 光学类仪表

NLIR（非线性红外传感器）公司是由丹麦技术大学(DTU Fotonik)光子学工程系的3名研究人员和NLIR的首席执行官创立的一家初创公司，隶属于Nynomic集团。该公司基于新颖的上转换专利技术，开发了中红外光谱仪、单波长探测器和光源等一系列产品。相较于传统的红外光谱仪，NLIR公司的同类产品具有快几个数量级的光谱扫描速度和更高的灵敏度。上转换技术的核心是可将中红外光转换为近可见光的非线性晶体。这使得可以使用快速高效的硅基传感器来检测中红外（MIR）光。非线性中红外光谱仪的实现代表了一种新测量范式。该公司被命名为非线性红外传感器(NLIR)，以突出与当今领先的傅里叶变换红外光谱(FTIR)的MIR光谱方法的技术差异。NLIR公司开发的产品可广泛应用于中红外光谱领域，如光谱测量、光学镀膜、激光系统诊断、光纤光谱探针（样品检测）、实时工业过程监控、颜色识别、快速事件光谱分析、弱光光谱测试、自由空间光通信等。 中红外探测器面临的最大挑战通常是大量的固有噪声，并且它们从周围环境中收集大量噪声。NLIR单波长探测器通过使用窄带和高效的上转换技术以及低噪声硅基探测器来突破这两个限制。处理细节在即插即用探测器模块中完成，其中红外信号与NLIR的高功率泵浦激光器混合，以产生可被各种高响应硅基探测器检测到的近可见信号。如果客户不需要超弱光信号检测，NLIR还提供宽带解决方案搭配中红外探测器使用，这些解决方案会降低效率，但适配客户的宽带光源，并可产生高速和低噪声的中红外信号。 NLIR先进的中红外探测器产品可以满足客户对小信号和快速信号的探测需求。 产品特点-高达10 GHz的电气带宽-2.2–5.0 μm中心波长-高达GV/W响应-自由空间或光纤耦合输入-即插即用，内置前置放大 应用领域-脉冲表征-快速事件分析-超低电平信号提取-自由空间光通信-遥感-QCL和OPO光束分析 测量中红外纳秒脉冲来自NKT Photonics MIR紧凑型超连续谱源的光，以40 kHz发射5 ns脉冲，覆盖2 μm至4.2 μm的光谱，使用两个不同的点探测器进行测量。MIR 单色器选择波长为 2.4 μm 的 20 nm 带宽，输出耦合到 200 μm 的 MIR 光纤。光纤的输出依次发送到两个探测器中的每一个：NLIR 240 MHz 2.4 μm 单波长探测器（衰减为 50 dB）和市售的 9 MHz InAsSb 探测器，可直接曝光。图显示了两个探测器的响应。产品参数 型号D2250-DCD2250-2MD2250-100MD2250-240MD2250-1GD2250-10G中心波长（μm）2.2-5.0 (调谐可选2.7-4.3 μm)光学带宽（1），（2）（nm）15-200电气带宽，3dB（Hz）DC-20DC-2×106103-1006103-240×106103-1×10920×103-109噪声等效功率(W/√Hz)10×10-153×10-130.5×10-120.5×10-122×10-121×10-9最小探测功率（3）（W）45×10-154×10-105×10-98×10-96×10-8100×10-6交流电响应（4）(V/W)NA20×106600×103300×1033×103120直流电响应（4）(V/W)200×10920×106NANANA50暗噪声标准差(mV)93.56446输出电压，限阻50Ω（V）104.71.51.510.45抬升时间（10%-90%）（ns）NA1703.41.410.340.034输入接口类型（5）SMA光纤接头（可拆卸用于自由空间光输入）偏振方向垂直最佳输入光斑尺寸（mm）0.5（可定制）最大操作温度（℃）30尺寸（高×长×宽）（mm3）100×306×200重量（kg）5封装4×1英寸支柱（1）最小带宽取决于中心波长，中心波长越长，最小带宽越大；（2）带宽可根据要求选择：更宽的带宽会降低响应值；（3）最小功率是在全电气带宽情况下测得；（4）该参数是在中心波长为3.5 μm的最小光谱范围条件下获得；（5）使用数值孔径（NA）为0.26的200 μm光纤可获得较好测量结果。

氢气检测仪|氢气报警器|氢气探测器|氢气泄漏报警器|氢气探头|H2检测仪|H2探测器|H2泄漏报警器|H2探头|氢气分析仪 固定式氢气检测仪 型号：XS-1000-H2 一、固定式氢气检测仪简介固定式氢气检测仪适用于各种工业环境及特殊环境中的氢气浓度连续在线检测，本仪器采用原装进口电化学传感器和微控制器技术，信号稳定，精度高、重复性好，防爆接线方式适用于各种危险场所。仪器兼容各种报警控制器、PLC、DCS 等控制系统，可以实现远程监控，远程报警，电脑数据存储等功能。 二、固定式氢气检测仪产品特点l 结构模块化、维护方便，接线安装简单 l 智能传感器平台，可即插即用，无需现场标定 l 快速响应、测量精度高，运行稳定的检测仪器 l 丰富的传感器量程选择，可以满足客户的要求 l 仪表具用4-20MA输出或RS-485输出 l 可以与XS系列报警主机组网使用；每点匹配，点点组合l 产品选择材质优秀，具有良好的密封性，防腐性，防爆和抗磁干扰强l 采用隔爆兼本安型设计 三、固定式氢气检测仪主要应用领域石油、石化、冶金、化工、消防、燃气、环保、电力、通讯、造纸，印染、污水处理、食品酿造、科研、教育、国防 四、固定式氢气检测仪性能指标被测气体 氢气H2检测原理 电化学采样方式扩散式或管道式量 程 0-50ppm、0-200ppm、0-500ppm、0-1000ppm、0-10000ppm、0-40000ppm（量程可选、可订制）分辨率 0.001ppm、0.01、0.1ppm、1ppm （分辨率可选）电气接口螺纹M20*1.5内螺纹，可选 G3/4、G1/2、1/2NPT、3/4NPT响应时间 T9030s显示有供电电源24-30VDC智能平台可选重复性 ≤±2%线性误差 ≤±1%零点漂移 ≤±1%（F.S/年）精度 ≤± 3 % F.S.输出信号RS485 或4~20mA （两线制或三线制）可选气压范围860-1060hpa工作温度 -40℃～70℃功耗＜2.0W防爆等级 ExdⅡCT6 Gb 工作湿度 0-95%RH（无凝结）声光报警器可选配防护IP65尺 寸195mm*178mm*90mm（MAX）继电器两组开关量输出（可选配）主体材料ADC12铝合金/316不锈钢重 量 1.0kg（铝合金壳体）消防认证CCCF计量认证CMC执行标准GB15322.1-2003,GB3836.1-2010GB3836.2-2010,GB3836.4-2010五、订购指南[标准配置]变动器主机、操作说明书、标定卡[可选配件]声光报警器、标气罩、标准气、安装附件等 ★ 若需要其它气体选型，请咨询销售工程师