镓等离子双束系统

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

TESCAN SOLARIS X 是一款氙（Xe）等离子超高分辨双束 FIB-SEM 系统，配置新颖的 TriglavTM 超高分辨率电子镜筒以及最新款的 iFIB+TM 离子镜筒，它的超高分辨表征能力和无与伦比的样品制备效率，非常适合于材料、生命及半导体领域分析表征中最具挑战性的大体积三维样品的分析工作。 TESCAN SOLARIS X 配置的 TriglavTM 超高分辨率电子镜筒，同时使用了全新的 TriLensTM 三透镜系统以及高效的 TriSETM 和 TriBETM 探测器系统，能够提供卓越的表面灵敏度和衬度图像，实现对电子束高敏材料或不导电材料纳米特征的观察。TESCAN SOLARIS X 是半导体和材料表征中最具挑战性的物理失效分析应用的平台，具有极高的精度和极高的效率。 它不但提供了纳米尺寸结构分析所必需的高分辨率和表面灵敏度，为大体积 3D 样品特性分析保证最佳条件。同时，它还提供非凡的 FIB 功能，可实现精确、无损的超大面积加工，包括封装技术和光电器件的横截面加工。 TESCAN SOLARIS X Xe Plasma FIB-SEM 主要优势：1. 新的 Essence 软件的用户界面可实现更轻松、更快速、更流畅的操作，包括碰撞模型和可定制的面向应用流程的布局；2. 新一代 Triglav™ UHR SEM 镜筒具有极佳的分辨率，优化的镜筒内探测器系统在低束流能量下具有卓越的性能；3. 轴向探测器通过能量过滤器，可以接收不同能量的电子信号，增强表面敏感性；4. 新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现极大面积的截面加工；5. 新一代 SEM 镜筒内探测器结合高溅射率 FIB，实现超快三维微分析；6. 专利的气体增强腐蚀和加工工艺，尤为适合封装和 IC 去层应用；7. 高精度压电驱动光阑，可实现 FIB 预设值之间的快速切换；8. 新一代 FIB 镜筒具有 30 个光阑，可延长使用寿命，并最大限度地减少维护成本；9. 半自动离子束斑优化向导，可轻松选择 FIB 铣削条件；10. 专用的面向工作流程的 SW 模块、向导和工艺，可实现最大的吞吐量和易用性。突出特点* 极高的吞吐量，适用于挑战性的大体积铣削任务新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒可提供高达 2 μA 的超高离子束束流，并保持束斑质量，从而缩短铣削任务的总时间。 图（左）：SiAlON - 石墨烯样品的三维重构图像，使用 In-Beam f-BSE 探测器逐层成像，该样品的 FIB-SEM 层析成像由 1339 层组成，重构的尺寸为 22×22.3×66.9 μm。 图（右）：使用 Xe 等离子体 FIB 从 DRAM 65 nm节点上制备出的 80 nm 厚度的 TEM 样品，STEM-BF 高倍图像。 * 新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现极大面积的截面加工新型 iFIB 镜筒具有等离子 FIB-SEM 市场中最大的视场（FoV）。在30 keV 下最大视场范围超过 1 mm，结合高离子束流带来的超高溅射速率，可在几个小时之内完成截面宽度达 1 mm 的电子封装技术和其他大体积（如 MEMS 和显示器）样品加工。这是简化复杂物理失效分析工作流程的最佳解决方案。图：OLED 显示屏，横截面长度为 1086 μm，视野范围 1.26 mm * 应用范围广阔，可扩展您在 FIB 分析和微加工应用范围新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 离子束流强度可调范围大，可在一台机器中实现广泛的应用：大电流可实现快速铣削速率，适用于大体积样品去层；中等电流适用于大体积 FIB 断层扫描；低束流用于 TEM 薄片抛光；超低束流用于无损抛光和纳米加工。* 充分利用电子和离子束功能，实现应用最大化快速、高效、高性能的气体注入系统（GIS）对于所有 FIB 应用都是必不可少的。新的 OptiGIS™ 具有所有这些品质，TESCAN SOLARIS X 可以配备多达 6 个 OptiGIS 单元，或者可选配一个在线多喷嘴 5-GIS 系统。此外，不同的专有气体化学品和经过验证的配方可用于封装技术的物理失效分析。* 轻松实现 FIB 精确调节，并保证 FIB 最佳性能新型 iFIB+ 镜筒配有超稳定的高压电源和精确的压电驱动光阑，可在 FIB 预设值之间快速切换。此外，半自动束斑优化向导允许用户轻松选择最佳束斑，以优化特定应用的 FIB 铣削条件。* 最小的表面损伤和无 Ga 离子注入样品制备，以保持样品的特性与 Ga 离子相比，Xe 离子的离子注入范围和相互作用体积明显更小，因此带来的非晶化损伤也更小，这在制备 TEM 样品薄片时尤其重要。此外，Xe 离子的惰性特性可防止研磨样品的原子形成金属化合物，这可能导致样品物理性质的变化，从而干扰电测量或其它分析。* 强大的检测系统由 TriSE™ 和 TriBE™ 组成的多探测器系统，可收集不同角度的 SE 和 BSE 信号，以获得样品的最大信息。 * 改进和扩展成像功能，获得有意义的衬度新一代 Triglav™ 镜筒内探测器系统经过优化，信号检测效率提高了三倍。此外，增加的能量过滤功能，可以对轴向 BSE 信号过滤采集。通过选择性地收集低能量轴向 BSE，实现用不同的衬度来增强表面灵敏度。* 超高速三维微分析镜筒内探测器系统可实现快速图像采集，结合 Xe 等离子体 FIB 的高溅射速率，可实现 3D 微量分析的超快速数据采集。EDS 和 EBSD 数据可以在 FIB-SEM 断层扫描期间同时获得。使用专用软件进行后处理，可以获得 3D 重建，实现整个焊球、TSV、金属合金等样品的独特微观结构，成分和晶体学信息。* 提供微分析的最佳工作条件新一代 Triglav™ 还具有自适应束斑优化功能，可提高大束流下的分辨率。这有利于快速实现 EDS，WDS 和 EBSD 等分析技术。* 更低的TOF-SIMS分析检测限，可获得不受干扰的元素质谱数据（与Ga+ FIB 相反，Ga+ 峰可能干扰其他元素如 Ce, Ge 和 Ga 本身的检测）。* 不牺牲空间分辨率，而实现快速微分析Triglav™ SEM 镜筒结合新型肖特基 FE 枪，可实现高达 400 nA 的电子束流，并实现束流快速调整。In-Flight Beam Tracing™ 功能可以实现束流和束斑优化，满足微区分析的最佳条件。* 大尺寸晶圆分析得益于最佳的 60° 物镜的几何设计和大样品腔室，可实现对 6“ 和 8”晶圆任意位置的 SEM 和 FIB 分析。* 轻松实现以往复杂操作新的 TESCAN Essence™ 软件平台是一个优秀的多用户界面软件，可以快速方便地访问主要功能。用户界面易于学习，并可实现用户定制，以最好地适应特定的应用程序和用户的技能水平以及使用习惯。各种软件模块，向导和流程使所有 FIB-SEM 应用程序都能为新手和专家用户提供轻松，流畅的体验，从而提高生产力并有助于提高实验室的效率。新的 TESCAN Essence™ 还提供先进的 DrawBeam™ 矢量扫描发生器，用于快速精确的 FIB 加工和电子束光刻。 * TESCAN SOLARIS X 是 S9000X 的升级机型。关于TESCANTESCAN 发源于全球最大的电镜制造基地-捷克 Brno，是电子显微镜及聚焦离子束系统领域全球知名的跨国公司，有超过 60 年的电子显微镜研发和制造历史，是扫描电子显微镜与拉曼光谱仪联用技术、聚焦离子束与飞行时间质谱仪联用技术以及氙等离子聚焦离子束技术的开拓者和技术领导者。

S9000X Xe Plasma FIB-SEM S9000X Xe Plasma FIB-SEM TESCAN S9000X是一款氙（Xe）等离子超高分辨双束FIB-SEM系统，配置新颖的TriglavTM 超高分辨率电子镜筒以及zui新款的iFIB+TM离子镜筒，它的超高分辨表征能力和无与伦比的样品制备效率，足以应对半导体和材料表征中zui具挑战性的物理失效分析工作，实现大体积三维样品特性分析。TESCAN S9000X 是半导体和材料表征中zui具挑战性的物理失效分析应用的平台，具有ji高的精度和ji高的效率。 它不但提供了纳米尺寸结构分析所必需的高分辨率和表面灵敏度，为大体积 3D 样品特性分析保证zui佳条件。同时，它还提供非凡的 FIB 功能，可实现精确、无损的超大面积加工，包括封装技术和光电器件的横截面加工。 S9000X Xe Plasma FIB-SEM主要优势：&bull 新的 Essence 软件的用户界面可实现更轻松、更快速、更流畅的操作，包括碰撞模型和可定制的面向应用流程的布局；&bull 新一代 Triglav&trade UHR SEM 镜筒具有ji佳的分辨率，优化的镜筒内探测器系统在低束流能量下具有卓越的性能；&bull 轴向探测器通过能量过滤器，可以接收不同能量的电子信号，增强表面敏感性；&bull 新型 iFIB+&trade Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现ji大面积的截面加工；&bull 新一代 SEM 镜筒内探测器结合高溅射率 FIB，实现超快三维微分析；&bull 专利的气体增强腐蚀和加工工艺，尤为适合封装和 IC 去层应用；&bull 高精度压电驱动光阑，可实现 FIB 预设值之间的快速切换；&bull 新一代 FIB 镜筒具有 30 个光阑，可延长使用寿命，并zui大限度地减少维护成本；&bull 半自动离子束斑优化向导，可轻松选择 FIB 铣削条件；&bull 专用的面向工作流程的 SW 模块、向导和工艺，可实现zui大的吞吐量和易用性。概述：突出特点 &bull ji高的吞吐量，适用于挑战性的大体积铣削任务新型 iFIB+&trade Xe 等离子 FIB 镜筒可提供高达 2 μA 的超高离子束束流，并保持束斑质量，从而缩短铣削任务的总时间。&bull 新型 iFIB+&trade Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现ji大面积的截面加工新型 iFIB 镜筒具有等离子 FIB-SEM 市场中zui大的视场（FoV）。 在30 keV 下zui大视场范围超过 1 mm，结合高离子束流带来的超高溅射速率，可在几个小时之内完成截面宽度达 1 mm 的电子封装技术和其他大体积（如 MEMS 和显示器）样品加工。这是简化复杂物理失效分析工作流程的zui佳解决方案。 &bull 应用范围广阔，可扩展您在 FIB 分析和微加工应用范围新型 iFIB+&trade Xe 等离子 FIB 离子束流强度可调范围大，可在一台机器中实现广泛的应用：大电流可实现快速铣削速率，适用于大体积样品去层；中等电流适用于大体积 FIB 断层扫描；低束流用于 TEM 薄片抛光；超低束流用于无损抛光和纳米加工。 &bull 充分利用电子和离子束功能，实现应用zui大化快速、高效、高性能的气体注入系统（GIS）对于所有 FIB 应用都是必不可少的。新的 OptiGIS&trade 具有所有这些品质，S9000X 可以配备多达 6 个 OptiGIS 单元，或者可选配一个在线多喷嘴 5-GIS 系统。此外，不同的专有气体化学品和经过验证的配方可用于封装技术的物理失效分析。 &bull 轻松实现 FIB 精确调节，并保证 FIB zui佳性能新型 iFIB+ 镜筒配有超稳定的高压电源和精确的压电驱动光阑，可在 FIB 预设值之间快速切换。此外，半自动束斑优化向导允许用户轻松选择zui佳束斑，以优化特定应用的 FIB 铣削条件。 &bull zui小的表面损伤和无Ga离子注入样品制备，以保持样品的特性与 Ga 离子相比，Xe 离子的离子注入范围和相互作用体积明显更小，因此带来的非晶化损伤也更小，这在制备 TEM 样品薄片时尤其重要。此外，Xe 离子的惰性特性可防止研磨样品的原子形成金属化合物，这可能导致样品物理性质的变化，从而干扰电测量或其它分析。 &bull 强大的检测系统由 TriSE&trade 和 TriBE&trade 组成的多探测器系统，可收集不同角度的 SE 和 BSE 信号，以获得样品的zui大信息。 &bull 改进和扩展成像功能，获得有意义的衬度新一代 Triglav&trade 镜筒内探测器系统经过优化，信号检测效率提高了三倍。此外，增加的能量过滤功能，可以对轴向 BSE 信号过滤采集。通过选择性地收集低能量轴向 BSE，实现用不同的衬度来增强表面灵敏度。 &bull 超高速三维微分析镜筒内探测器系统可实现快速图像采集，结合 Xe 等离子体 FIB 的高溅射速率，可实现 3D 微量分析的超快速数据采集。EDS 和 EBSD 数据可以在 FIB-SEM 断层扫描期间同时获得。使用专用软件进行后处理，可以获得 3D 重建，实现整个焊球、TSV、金属合金等样品的独特微观结构，成分和晶体学信息。 &bull 提供微分析的zui佳工作条件新一代 Triglav&trade 还具有自适应束斑优化功能，可提高大束流下的分辨率。这有利于快速实现 EDS，WDS 和 EBSD 等分析技术。 &bull 更低的TOF-SIMS分析检测限，可获得不受干扰的元素质谱数据（与Ga+ FIB 相反，Ga+ 峰可能干扰其他元素如 Ce, Ge 和 Ga 本身的检测）。 &bull 不牺牲空间分辨率，而实现快速微分析Triglav&trade SEM 镜筒结合新型肖特基 FE 枪，可实现高达 400 nA 的电子束流，并实现束流快速调整。In-Flight Beam Tracing&trade 功能可以实现束流和束斑优化，满足微区分析的zui佳条件。 &bull 大尺寸晶圆分析得益于zui佳的 60° 物镜的几何设计和大样品腔室，可实现对 6“ 和 8”晶圆任意位置的 SEM 和 FIB 分析。 &bull 轻松实现以往复杂操作新的 TESCAN Essence&trade 软件平台是一个优xiu的多用户界面软件，可以快速方便地访问主要功能。用户界面易于学习，并可实现用户定制，以zui好地适应特定的应用程序和用户的技能水平以及使用习惯。各种软件模块，向导和流程使所有 FIB-SEM 应用程序都能为新手和专家用户提供轻松，流畅的体验，从而提高生产力并有助于提高实验室的效率。新的 TESCAN Essence&trade 还提供先进的DrawBeam&trade 矢量扫描发生器，用于快速精确的FIB加工和电子束光刻。 亚科电子（山东）设备咨询电话：

9000X Xe Plasma FIB-SEM TESCAN S9000X是一款氙（Xe）等离子超高分辨双束FIB-SEM系统，配置新颖的TriglavTM 超高分辨率电子镜筒以及zui新款的iFIB+TM离子镜筒，它的超高分辨表征能力和无与伦比的样品制备效率，足以应对半导体和材料表征中zui具挑战性的物理失效分析工作，实现大体积三维样品特性分析。TESCAN S9000X 是半导体和材料表征中zui具挑战性的物理失效分析应用的平台，具有ji高的精度和ji高的效率。 它不但提供了纳米尺寸结构分析所必需的高分辨率和表面灵敏度，为大体积 3D 样品特性分析保证zui佳条件。同时，它还提供非凡的 FIB 功能，可实现精确、无损的超大面积加工，包括封装技术和光电器件的横截面加工。 S9000X Xe Plasma FIB-SEM主要优势：• 新的 Essence 软件的用户界面可实现更轻松、更快速、更流畅的操作，包括碰撞模型和可定制的面向应用流程的布局；• 新一代 Triglav™ UHR SEM 镜筒具有ji佳的分辨率，优化的镜筒内探测器系统在低束流能量下具有卓越的性能；• 轴向探测器通过能量过滤器，可以接收不同能量的电子信号，增强表面敏感性；• 新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现ji大面积的截面加工；• 新一代 SEM 镜筒内探测器结合高溅射率 FIB，实现超快三维微分析；• 专利的气体增强腐蚀和加工工艺，尤为适合封装和 IC 去层应用；• 高精度压电驱动光阑，可实现 FIB 预设值之间的快速切换；• 新一代 FIB 镜筒具有 30 个光阑，可延长使用寿命，并zui大限度地减少维护成本；• 半自动离子束斑优化向导，可轻松选择 FIB 铣削条件；• 专用的面向工作流程的 SW 模块、向导和工艺，可实现zui大的吞吐量和易用性。概述：突出特点 • ji高的吞吐量，适用于挑战性的大体积铣削任务新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒可提供高达 2 μA 的超高离子束束流，并保持束斑质量，从而缩短铣削任务的总时间。• 新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现ji大面积的截面加工新型 iFIB 镜筒具有等离子 FIB-SEM 市场中zui大的视场（FoV）。 在30 keV 下zui大视场范围超过 1 mm，结合高离子束流带来的超高溅射速率，可在几个小时之内完成截面宽度达 1 mm 的电子封装技术和其他大体积（如 MEMS 和显示器）样品加工。这是简化复杂物理失效分析工作流程的zui佳解决方案。 • 应用范围广阔，可扩展您在 FIB 分析和微加工应用范围新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 离子束流强度可调范围大，可在一台机器中实现广泛的应用：大电流可实现快速铣削速率，适用于大体积样品去层；中等电流适用于大体积 FIB 断层扫描；低束流用于 TEM 薄片抛光；超低束流用于无损抛光和纳米加工。 • 充分利用电子和离子束功能，实现应用zui大化快速、高效、高性能的气体注入系统（GIS）对于所有 FIB 应用都是必不可少的。新的 OptiGIS™ 具有所有这些品质，S9000X 可以配备多达 6 个 OptiGIS 单元，或者可选配一个在线多喷嘴 5-GIS 系统。此外，不同的专有气体化学品和经过验证的配方可用于封装技术的物理失效分析。 • 轻松实现 FIB 精确调节，并保证 FIB zui佳性能新型 iFIB+ 镜筒配有超稳定的高压电源和精确的压电驱动光阑，可在 FIB 预设值之间快速切换。此外，半自动束斑优化向导允许用户轻松选择zui佳束斑，以优化特定应用的 FIB 铣削条件。 • zui小的表面损伤和无Ga离子注入样品制备，以保持样品的特性与 Ga 离子相比，Xe 离子的离子注入范围和相互作用体积明显更小，因此带来的非晶化损伤也更小，这在制备 TEM 样品薄片时尤其重要。此外，Xe 离子的惰性特性可防止研磨样品的原子形成金属化合物，这可能导致样品物理性质的变化，从而干扰电测量或其它分析。 • 强大的检测系统由 TriSE™ 和 TriBE™ 组成的多探测器系统，可收集不同角度的 SE 和 BSE 信号，以获得样品的zui大信息。 • 改进和扩展成像功能，获得有意义的衬度新一代 Triglav™ 镜筒内探测器系统经过优化，信号检测效率提高了三倍。此外，增加的能量过滤功能，可以对轴向 BSE 信号过滤采集。通过选择性地收集低能量轴向 BSE，实现用不同的衬度来增强表面灵敏度。 • 超高速三维微分析镜筒内探测器系统可实现快速图像采集，结合 Xe 等离子体 FIB 的高溅射速率，可实现 3D 微量分析的超快速数据采集。EDS 和 EBSD 数据可以在 FIB-SEM 断层扫描期间同时获得。使用专用软件进行后处理，可以获得 3D 重建，实现整个焊球、TSV、金属合金等样品的独特微观结构，成分和晶体学信息。 • 提供微分析的zui佳工作条件新一代 Triglav™ 还具有自适应束斑优化功能，可提高大束流下的分辨率。这有利于快速实现 EDS，WDS 和 EBSD 等分析技术。 • 更低的TOF-SIMS分析检测限，可获得不受干扰的元素质谱数据（与Ga+ FIB 相反，Ga+ 峰可能干扰其他元素如 Ce, Ge 和 Ga 本身的检测）。 • 不牺牲空间分辨率，而实现快速微分析Triglav™ SEM 镜筒结合新型肖特基 FE 枪，可实现高达 400 nA 的电子束流，并实现束流快速调整。In-Flight Beam Tracing™ 功能可以实现束流和束斑优化，满足微区分析的zui佳条件。 • 大尺寸晶圆分析得益于zui佳的 60° 物镜的几何设计和大样品腔室，可实现对 6“ 和 8”晶圆任意位置的 SEM 和 FIB 分析。 • 轻松实现以往复杂操作新的 TESCAN Essence™ 软件平台是一个优xiu的多用户界面软件，可以快速方便地访问主要功能。用户界面易于学习，并可实现用户定制，以zui好地适应特定的应用程序和用户的技能水平以及使用习惯。各种软件模块，向导和流程使所有 FIB-SEM 应用程序都能为新手和专家用户提供轻松，流畅的体验，从而提高生产力并有助于提高实验室的效率。新的 TESCAN Essence™ 还提供先进的DrawBeam™ 矢量扫描发生器，用于快速精确的FIB加工和电子束光刻。 设备咨询电话：（微信同号）；QQ：；邮箱：欢迎您的来电咨询！

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T 原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 等离子体增强原子层沉积 (PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是对ALD技术的扩展，通过等离子体的引入，产生大量活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间，同时也降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。主要技术参数QBT-A 技术参数 Technical Specifications （超导NbN, TiN以及 Al2O3, SiO2等制备)高真空HV腔体2个腔室，包括进样室和ALD，LoadLock极限真空 Ultimate Pressure9E-6Torr工艺腔极限真空 Ultimate Pressure5E-7Torr等离子体 Plasma最大600W RF自匹配电源最大基板尺寸Max Wafer SizeФ200mm，氧化铝均匀性1%高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-500±1oC前驱体 Max Precursor最大可包括3组等离子体反应气体 4组液态或固态反应前驱体臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h传输高真空自动化传输人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO测试结果展示

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 产品描述厦门韫茂科技公司的双腔体等离子体原子层沉积系统（QBT-T），设备采用双腔体设计，腔体之间可实现独立控制，双倍产出。腔体分别为PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于双腔体双功能的独特设计，使设备可以在平片上实现等离子体ALD的生长工艺以及粉末ALD包覆工艺，设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀。该系统具有专利粉末样品桶、晶圆载盘、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱、极片架等设计选项。是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料,半导体领域研究与应用的最佳研发工具之一。主要技术参数QBT-T 技术参数 Technical Specifications （TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制备）腔体双腔体设计（1个硅片PEALD腔室，1个粉末ALD腔室），每个腔体独立控制，双倍产出等离子体 Plasma最大3kW RF自匹配电源最大基板尺寸Max Wafer SizeФ150mm (可定制）高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-300±1℃前驱体 Max Precursor最大可包括3组等离子体反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

1、 设备组成：高压电源、气体控制系统、紫外诱变消毒系统、等离子体发生系统、交互式触摸LCD、自动控制系统、环境参数监控系统、照明系统。2、 设备使用器皿：专用的加样器、标准的90mm的玻璃培养皿3、 控制系统：工作温湿度监测显示、气体流量监测显示、参数设置、模式设置、启动/停止、软件版本升级、设备自检、环境消毒、照明控制。4、 等离子体观察窗尺寸：220mm x 150mm5、 安全防护等级：IP536、 诱变时间设定范围：0 – 3600s7、 报警：工作异常、设备部件异常会报警8、 提醒：正常启动、消毒结束、诱变结束会铃声提醒9、 自动控制诱变距离：0 – 25mm10、 气体流量自动控制范围：10 – 16 slpm11、 设备尺寸：465mm(H) x 420mm(W) x 465mm(D)12、 工作气体：99.999%高纯氮气13、 整机功率：300W（MAX）14、 电源：220VAC±10% 50Hz15、 等离子体最大功率：10W16、 氮气接口：6mm双卡套快速接口17、 工作温度：-10℃ - 40℃18、 工作湿度：≤ 70%

概述等离子清洗机是将气体激发到等离子状态，再使用等离子活性组分的性质来处理需要焊接的面（18650电芯两级以及镍片点焊面），去除表面的某一些有机污染物和氧化物，并且通过等离子对材料表面的冲击产生粗化效果（纳米级），提示焊接面的接触阻抗来达到提升焊接品质的目的。 系统特点1. 去除需点焊面的某一些有机污染物和氧化物2.增加电芯表面的接触阻抗R已达到提升焊接效果的作用（焦耳定律Q=I2RT）3.设设备效率（1个模块单面）：32s电阻焊在焊接过程中产生的热量，可用焦耳一愣次定律计算：Q=I2Rt式中：Q——电阻焊是产生的电阻热，J I——焊接电流，A R——工件的总电阻，包括工件本身的电阻和工件间的接触电阻，Ω t——通电时间，s

等离子体监控系统PlasCalc 等离子体监测控制仪，实现200nm-1100nm波段内的等离子体测量，通过高级过程控制系统及精密数据存取算法，只需3ms就可以获得测量结果。特点 1、光学分辨率1.0nm(FWHM)2、光谱范围 200-1100nm3、快速的建模及存储实验方法Recipe编辑器Recipe编辑器有助于简单快捷的配置、构建及存储实验方法。对一些困难的等离子体工序诸如膜沉积测量、等离子体蚀刻监测、表面洁度监测、等离子体室控制及异常污染、排放监测等，能够快速简单的构建模块过程控制。多种工具用于等离子体诊断随PlasCalc配置的操作软件，集成的程式编辑器能够容易实现多种数学算法功能。可选的波长发生器（可以单独购买）用于类型确认，而波长编辑器可以用于优化信噪比。双窗口界面用于显示实际光谱及所有过程控制信息。PlasCalc 配置说明光谱范围:200-1100 nm光学分辨率:1.0 nm (FWHM)D/A 转换:14 bit数字I/O:8 x TTL模拟输出:4 x [0-10V]接口:USB 1.1功耗:12 VDC @ 1.25 A

1.产品特点80 Plus 条形等离子清洁系统为半导体加工而开发，可支持手动及自动操作，两种操作方式均简单易用。该系统可以配备或不配备装卸站；此外，每个装卸站都可支持不同的配置。即便没有装卸站，也可将其集成到生产线中。2.产品配置该软件直观，满足当半导体行业的标准，其主要应用域是表面的活化和清洁。80 Plus系统操作十分高效，加上其等离子技术，使用它进行等离子处理只需几即可完成。通过使用该系统进行等离子处理，可以快速有效地清除晶圆表面的杂质和污染物。这有助于提高晶圆的质量和性能，并确保生产过程中的稳定性和一致性。另外，80 Plus系统还具有智能控制功能，可根据实际需要进行参数调整。这使得用户可以根据不同的加工要求来优化处理过程，并获得佳的加工效果。除了晶圆表面清洁功能外，80 Plus系统还可以用于其他应用域。例如，在光伏行业中，它可以用于太阳能电池片的制造过程中，提高电池片的效率和稳定性。PVA TePla 提供研发和合同代加工的广泛应用服务。 许多客户利用这些服务进行临床试验和中小型生产。 80 Plus 等离子系统提供两种电配置离子配置：射频为 13.56 MHz 的电磁辐射通过电被送入腔室，以便通过加速离子实现表面轰击。除了这种物理效应，还有一种化学效应，但它比使用微波频率时获得的效果要小。千兆配置：如果等离子设备配备微波发生器，则使用 2.45 GHz 的频率。腔室中没有电；微波在真空室外部产生，然后通过天线或波导输入。具有这种配置的等离子体以纯化学方式工作。

S8000G FIB-SEMS8000G是TESCAN最新S8000系列扫描电镜的第一个新成员，是一款超高分辨双束FIB-SEM系统，它可以提供无与伦比的图像质量，具有强大的扩展分析能力，并能以极佳的精度、效率完成复杂的纳米加工和操作，可满足现今工业研发和学术界研究的所有需求。 S8000G FIB-SEM的优点： 新一代镜筒内电子加速、减速技术，保证了复杂样品的低电压高分辨观测能力 首次配置的静电- S8000 系列（NEW ! ）S8000G FIB-SEM S8000G是TESCAN最新S8000系列扫描电镜的第一个新成员，是一款超高分辨双束FIB-SEM系统，它可以提供无与伦比的图像质量，具有强大的扩展分析能力，并能以极佳的精度、效率完成复杂的纳米加工和操作，可满足现今工业研发和学术界研究的所有需求。S8000G FIB-SEM的优点： 新一代镜筒内电子加速、减速技术，保证了复杂样品的低电压高分辨观测能力 首次配置的静电-电磁复合物镜，物镜无磁场外泄，实现磁性样品高分辨成像及分析 配置4个新一代探测器，可实现9种图像观测，对样品信息的采集更加全面 配置大型样品室，有超过20个扩展接口，为原位观测、分析创造了良好的工作环境 可以配置TESCAN自有或第三方的多种扩展分析附件，并独家实现与TOF-SIMS、Raman联用 新一代操作软件和自动功能，FIB镜筒具有全自动的离子镜筒对中，极大简化了操作 概述新一代 Orage™ Ga FIB镜筒，适用于各类具有挑战性的纳米加工任务TESCAN S8000配置了最新的BrightBeam™ 镜筒，实现了无磁场超高分辨成像，可以最大化的实现各种分析，包括磁性样品的分析。新型镜筒中的电子光路设计增强了低能量电子成像分辨率，特别适合对电子束敏感样品和不导电样品的分析。创新的Orage™ Ga FIB镜筒配有最先进的离子枪和离子光学镜筒，使得TESCAN S8000G成为了世界顶级的样品制备和纳米图形成型的仪器。S8000G束流可达100nA，具有超快速的加工能力，新颖的SmartMill高速切割功能，使得加工效率提升一倍。S8000G离子能量最低可达500eV，拥有更优秀的低压样品制备能力，可以快速制备无损超薄TEM样品。可以配置TESCAN自有或第三方的多种扩展分析附件，并独家实现与TOF-SIMS、Raman一体化。新一代OptiGIS™ 气体注入系统S8000可配置最新的多种探测器，包括透镜内Axial detector 以及 Multidetector，可选择不同角度和不同能量来收集信号，体现更多种类的信息，同时获得更好的表面灵敏度和对比度。S8000G有两种气体注入系统可供选择，标准的5针-GIS和新一代OptiGIS单针-GIS，单针的OptiGIS支持通过更换气罐来更换化学气体，避免了以往多针气体注入系统样品仓内占用空间大的问题。两种气体注入系统均可以选择多种沉积气体，其中W、Pt、C等用于导电材料沉积，SiOx用于绝缘材料沉积，XeF2、H2O等用于增强刻蚀，或其它定制气体。新一代Essence™ 操作软件，更简单、高效的操作平台S8000可配置最新的多种探测器新操作软件极大简化了用户界面，能快速访问各主要功能，减少了繁琐的下单菜单操作，并优化了操作流程向导，易于学习，兼容多用户需求，可根据工作需要定制操作界面。新颖的样品舱内3D空间位置和移动轨迹模拟功能，可避免误操作，造成碰撞。样品舱内的3D空间位置和移动轨迹模拟集成多项创新性设计，拓展新应用领域的利器S8000可配置最新的多种探测器S8000G是TESCAN新一代FIB-SEM的首个成员，集成了BrightBeam™ SEM镜筒、Orage™ GaFIB镜筒、OptiGIS气体注入系统等多项创新设计，在高分辨能力、原位应用扩展能力和分析扩展能力方面达到了业内顶级水平，此外新一代操作流程和软件也给使用者带来更舒适、高效的体验。

1. 产品概述：SENTECH Etchlab 200 RIE等离子蚀刻系统代表了一系列直接加载等离子体蚀刻系统，结合了RIE平行板电设计的优点和直接负载的成本效益设计。2. 主要功能与优势： 成本效益该系统将平行板等离子体源设计与直接负载相结合.3. 可升性根据其模块化设计，SENTECH Etchlab 200 RIE系统可升为终点检测、更大的泵送装置、真空负载锁和额外的气体管线。4. SENTECH控制软件该系统配备了用户友好的强大软件，具有图形用户界面、参数窗口、配方编辑器、数据记录、用户管理。5. 灵活性和模块化SENTECH Etchlab 200 RIE等离子蚀刻系统可以配置为处理与晶圆直接加载兼容的材料，包括但不限于硅和硅化合物、化合物半导体、电介质以及聚合物和金属。SENTECH Etchlab 200 RIE等离子蚀刻系统由先进的硬件和SIA操作软件控制，具有客户端-服务器架构。一个经过充分验证的可靠可编程逻辑控制器（PLC）用于所有组件的实时控制。 SENTECH Etchlab 200 RIE等离子蚀刻系统代表了一系列直接加载等离子体蚀刻系统，结合了RIE平行板电设计的优点和直接负载的成本效益设计。

1. 产品概述EPEE系列 等离子化学气相沉积系统，单片和多片式架构。2. 设备用途/原理EPEE系列 等离子化学气相沉积系统。先进的单片和多片式架构，满足量产和研发客户需求。高效传输系统，智能软件调度算法。高效远程等离子体清洗系统，优异的颗粒控制。支持气态硅烷、液态 TEOS 和碳膜等工艺。支持在线膜厚和清洗终点实时监测。3. 设备特点晶圆尺寸 4/6/8 英寸兼容，适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅、非晶碳。适用工艺 氧化硅图形化衬底层、钝化层、绝缘层、掩膜层。适用域 科研、化合物半导体、新兴应用、集成电路。

设备规格工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）等离子体系统：支持4路等离子体气体（可定制）射频功率：0~1000W压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃机架Cabinet&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统 &bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障

废气恶臭治理低温等离子设备厂家直供，是采用双介质阻挡放电形式产生等离子体，利用所产生的高能电子、离子、自由基等活性粒子激活、电离、裂解工业废气中的废气成份，使之发生分解、氧化等一些列复杂的化学反应，再经过多级净化，从而消除各种污染源排放的异味、臭味污染物。 处理风量：3000-200000CMH适用成分：二噁英类、挥发性有机物（VOC）、硫化氢、氨氮类、硫醇类、硫醚类、苯类、硝基类、烃类、醛类等应用领域：印刷、喷漆、石油、化工、医药、造纸、橡胶、塑料、餐厨食品、污水处理、垃圾处理、饲料及饲养、烟草等多个领域的恶臭及异味处理 废气恶臭治理低温等离子设备厂家直供工作原理低温等离子体技术是采用脉冲高压高频等离子体电源和齿板放电装置，电子获得能量，通过激发或电离将能量转移到分子或原子中，获得能量的分子或原子被激发，同时部分分子被电离产生高强度、高浓度、高电能的离子、活性集团，之后这些活性基团与分子或原子、活性基团与活性基团之间相互碰撞后生成稳定产物和热能。另外，高能电子也能被卤素和氧气等电子亲和力较强的物质俘获成为负离子。这类负离子具有良好的化学活性，在化学反应中起着重要的作用。 废气中的污染物质可与这些具有较高能量的物质发生反应，使废气分子电离、解离和激发，然后引发一系列复杂的氧化还原反应，使复杂大分子污染物转变成为简单小分子无机物，或使有毒有害物质转变成无毒无害或低毒低害的物质，从而使污染物得以降解去除。

真空等离子清洗机厂家：诚峰智造真空式等离子处理系统CRF-VPO-MC-6L名称（Name）真空式等离子处理系统型号（Model）CRF-VPO-MC-6L控制系统（Control system）PLC+触摸屏电源（Power supply）380V/AC,50/60Hz,12.5kw中频电源功率（MF Power）2000W/40kHz容量（Volume）235L（Option）层数（Electrode of plies）6（Option）有效处理面积（Area）500（L）*500（W）（Option）气体通道（Gas）两路工作气体可选： Ar、N2、CF4、O2产品特点：处理空间大，提升处理产能，采用PLC+触摸屏控制系统，有效控制设备运行。可按照客户要求定制设备腔体容量和层数，满足客户的需求。保养维修成本低，便于客户成本控制。高精度，快响应，良好的操控性和兼容性，完善的功能和专业的技术支持。应用范围：主要适用于生物医疗行业，印制线路板行业，半导体IC领域，硅胶、塑胶、聚合体领域，汽车电子行业，航空工业等。

诚峰智造是一家专业致力于提供等离子设备及工艺流程解决方案的高新技术企业。源于美国&德国30年Plasma生产制造及研发技术，公司全资拥有CRF品牌下等离子设备研发，生产，制造技术，设备范围涵盖汽车制造业。手机制造业，医疗行业，织物印染行业，重工业，半导体封装行业，新能源行业，IC半导体领域，FPC/PCB领域，LED显示屏组装等行业。CRF诚峰智造，现已成为中国专业的等离子处理系统解决方案等离子设备供应商。在线式真空等离子清洗机厂家直销：在线式真空等离子处理系统CRF-VPO-8L-S名称（Name）真空式等离子处理系统型号（Model）CRF-VPO-8L-S控制系统（Control system）PLC+触摸屏电源（Power supply）380V/AC,50/60Hz,3kw中频电源功率（MF Power）600W/13.56MHz容量（Volume）80L（Option）层数（Electrode of plies）8（Option）有效处理面积（Area）400（L）*300（W）（Option）气体通道（Gas）两路工作气体可选： Ar、N2、CF4、O2产品特点：超大处理空间，提升处理产能，采用PLC+触摸屏控制系统，有效控制设备运行。可按照客户要求定制设备腔体容量和层数，满足客户的需求。保养维修成本低，便于客户成本控制。高精度，快响应，良好的操控性和兼容性，完善的功能和专业的技术支持。应用范围：主要适用于生物医疗行业，印制线路板行业，半导体IC领域，硅胶、塑胶、聚合体领域，汽车电子行业，航空工业等。等离子体清洗技术的特点是不分处理对象的基材类型，均可进行处理，对玻璃、金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料，如聚丙烯、聚脂、聚酰亚胺、聚氯乙烷、环氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地处理，并可实现整体和局部以及复杂结构的清洗。 等离子体的”活性”组分包括：离子、电子、活性基团、激发态的核素（亚稳态）、光子等。等离子体表面处理仪就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 等离子清洗设备的原理是在真空下,然后利用交流电场使工艺气体成为等离子体,并与有机污染物及微颗粒污染物反应或碰撞形成挥发性物质, 由工作气体流及真空泵将这些挥发性物质清除出去, 从而使工件达到表面清洁活化。等离子清洗是剥离式清洗, 等离子清洗的特点是清洗之后对环境无污染。在线式等离子清洗设备是在成熟的等离子体清洗工艺技术和设备制造基础上, 增加上下料、物料传输等自动化功能。针对IC封装中引线框架上点胶装片、芯片键合及塑封等工艺前清洗, 大大提高粘接及键合强度等性能的同时, 避免人为因素长时间接触引线框架而导致的二次污染以及腔体式批量清洗时间长有可能造成的芯片损伤。 在线式真空等离子清洗机的主要结构包括:上下料推料机构、上下料置取料平台、上下料提升系统、上下料传输系统、上下料拨料机构、反应仓、设备主体框架和电气控制系统等。 在线式真空等离子清洗机自动搬运物料的设计理念,与常规等离子清洗系统相比,降低了人工搬运过成,提高了设备自动化水平。 等离子清洗属于一种高精密的干式清洗方式,原理是在真空状态下利用射频源产生的高压交变电场将氧、氩、氢等工艺气体激发成具有高反应活性或高能量的离子,通过化学反应或物理作用对工件表面进行处理,实现分子水平的沾污去除,提高表面活性。对应不同的污染物,应采用不同的清洗工艺,达到很好清洗效果。 随着在线式真空等离子清洗机及工艺在IC封装领域内的应用越来越广泛,并以其优良的工艺性能促进了微电子行业技术的快速发展,成为21世纪IC封装领域内关键生产装置,成为提高产品可靠性和成品率的重要手段,是生产中不可缺少的步骤。 性能优势: 1、原装进口电源：采用原装进口高压激励电源电路技术，产生高密度等离子体，确保出众的清洗效果。 2、全面安全防护：温度安全防护功能，过载防护功能，短路断路报警防护功能，各种误操作保护功能。 3、独有放电技术：特殊处理及特殊结构的放电装置，确保形成稳定均匀的等离子体。 4、密封性卓越的真空腔体设计：军工级的高真空度真空腔体设计及制造工艺，配置进口真空泵。 5、优质产品部件：产品全部部件采用国内外优质部件，确保设备性能优越 6、超低清洗温度：满足不同场合温度要求，不对清洗产品造成温度影响。 7、精密数控加工：进口精密CNC数控机床加工工艺，并配备进口三坐标测量仪进行质量监控。 8、适用形状复杂样品：清洗各种复杂形状的产品，包括内孔内壁，均匀清洗。

PVA是历史悠久的德国高科技上市公司，在等离子体、真空系统、晶体生长等领域占据世界领先地位；PVA TePla是PVA的一个部门，专业制造等离子清洗机，广泛应用于电子，塑料，橡胶，玻璃等各种材料清洗及表面处理。作为生产等离子体处理设备的专家，PVA TePla可为半导体行来提供等离子体清洗设备和服务。 GIGA 80 Plus全自动微波等离子清洗机的个别基板。适用嵌入式解决方案或独立的工具产品信息: 80 Plus GIGA HS: PVA TePla在微晶片封装方面提供的半导体业改革产量方面的业界新标准:高收率支持 100x300mm 框架在SEMICON Taiwan 2012展出(基希海姆慕尼黑, 2012年10月19日)-PVA TePla位于基希海姆/慕尼黑的等离子系统事业部在2012年台湾SEMICON公布了下一代的片式处理等离子系统 (支持100x300mm的框架-高速等离子系统, 在产量方面树立了业界的新标准。80 Plus High Speed (HS)正在申请专利, 对比与其他框架和基板片式处理等离子系统, 该设备是世界上唯一一个单腔体支持片尺寸转换, 运输和处理并提升了3倍UPH的设备。该系统针对大批量的芯片制造商在引线键合前, 塑封前, 倒装片底部填充前等应用中提升收率和可靠性。80 Plus支持射频(RF)和微波(MW)技术, 各根据客户的需求提供最佳的工艺解决方案。在半导体微芯片封装中, 引线键合前通过等离子提高焊盘清洁度是必不可少的。通过等离子清洗, 球剪切力和线拉力的改善是非常显著的。等离子清洗和活化作用可应用于提高塑封料的粘合, 消除因为分层引起的收率损失。在倒装片工艺中, 底部填充前微波等离子清洗已经成为提高收率必不可少的工艺。先进的倒装片产品在市场中越来越重要, 微波等离子在处理芯片底部超小空隙上是无与伦比的。

PVA是历史悠久的德国高科技上市公司，在等离子体、真空系统、晶体生长等领域占据世界领先地位；PVA TePla是PVA的一个部门，专业制造等离子清洗机，广泛应用于电子，塑料，橡胶，玻璃等各种材料清洗及表面处理。作为生产等离子体处理设备的专家，PVA TePla可为半导体行来提供等离子体清洗设备和服务。GIGA 690微波等离子系统芯片载体清洗

1. GIGAbatch 310M等离子系统：GIGAbatch 310M等离子系统 是 GIGAbatch 产品系列中的入门型号。作为小的系统，GIGAbatch 310M具有较高的性价比，凭借先进的等离子技术以及经济实惠等优点，它是实验室和大学的理想之选。然而，即使是基础版本，它也可用于使用 MFC 气体管道和 600 W 发生器，执行手动和自动等离子处理。基础版本的桌面型；为第二个气体管道提供空间。腔室多可容纳 25 片直径为 150 毫米的晶圆，可以使用石英舟批量处理，或使用带有特殊装载装置进行单片处理。各种个性化配置的配件：具有特殊密封材料的配置，带冷却板和循环冷却器的腔室可用于从晶圆上去除 SU-8。 2. GIGAbatch 360/380M等离子系统：GIGAbatch 360M 和 380M等离子系统，是为满足低要求的小批量生产而设计。 GIGAbatch 360M版本有一个直径为 245 mm的工艺室，多可容纳 50 片直径为 150 mm的晶圆。而GIGAbatch 380M版本的腔室内径为 300 mm，多可容纳 25 片直径为 200 mm 的晶圆。该系统的基础版本是一款落地式设备，带有喷涂面板、可调节支脚和脚轮。它配有一个输出功率为 1000 W 的发生器、两个 MFC 气体管道、晶圆温度监控和一个终点侦测系统。此外，它还包括一个固定晶圆和基板的装置，可安装在腔体室内门上，并可根据客户具体要求进行设计。也可按客户需求提供：过程压力 (DSC) 的主动控制装置、法拉第笼、额外的气体管道、不同尺寸基板或晶圆的装载装置、陶瓷工艺室、使用含氟工艺气体运行的特殊密封件。

等离子处理系统PlasmaSTAR 100/200PlasmaSTAR系列等离子处理系统适合处理所有的材料。 PlasmaSTAR系统拥有多种腔室和电极配置，可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。其中较典型的等离子处理工艺包括：? 等离子预处理? 光刻胶去胶? 表面处理? 各向异性和各向同性蚀刻? 故障分析应用? 材料改性? 封装清洗? 钝化层刻蚀? 聚酰胺刻蚀? 促进粘合? 生物医学应用? 聚合反应? 混合清洗? 预键合清洗 PlasmaSTAR系列等离子处理系统设计独特且多样化。其功能包括用于操作台面上，占地面积小，或层流安装，以及用于各种等离子工艺的模块化腔室和电极配置。此外，触摸屏计算机控制，多级程序控制和组件控制，操作简单。 PlasmaSTAR系列等离子处理系统用于研究、工艺开发和批量生产。 PlasmaSTAR系统可轻松集成到自动化生产线和系统中。 该系统基于模块化设计理念，可适应各种PCB的尺寸。此设计适用于任何尺寸的基片。 PlasmaSTAR系统提供多个电极模块，如LF（KHz）或13.56（MHz）的射频电源以及自动匹配网络。根据不同的等离子处理工艺选择不同的电极模块。 基本系统PlasmaSTAR通用基本系统包括必需的阀门、真空泵浦、射频电源、射频匹配器、工艺气体控制和系统控制。这些配置组合提供了一套全自动化等离子处理系统。通用基本系统可容纳不同的腔室和电极模块，这些模块可轻松放入其中。该系统可快速从一款普通的圆柱形等离子体处理系统转换为一款用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极系统或是带支架的混合等离子清洗系统。 腔室/电极PlasmaSTAR模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝。 有几种不同的电极设计，包括用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极，用于表面清洗或处理的交替托盘电极，用于最小化离子损伤的下游电极，和用于普通的圆柱形等离子体处理的笼式电极。 等离子体源该系统可选配LF（KHz）或13.56（MHz）射频电源以及自动匹配网络。 真空泵浦系统该系统配机械泵或带罗茨鼓风机的机械泵。根据所需的真空处理水平，可提供不同尺寸大小的真空泵。真空泵配有腐蚀性泵油（惰性泵油），适用于氧气或其他腐蚀性化学应用。流量控制器（MFC）的气体管路是标配。下游压力控制器是选配。 电脑控制触摸屏电脑控制，提供无线程序存储。多步骤工艺简单易存。 实时显示工艺条件。 该控制系统易于编程。 工艺处理可用条形码读取（选配）。 规格PlasmaSTAR 100的尺寸：800（宽）x 850（深）x 525（高）mm；重量：约150 Kg。PlasmaSTAR 200的尺寸：1,033（宽）x 850（深）x 635（高）mm；重量：约 220 Kg。

在精密工业的领域中，表面处理技术起着举足轻重的作用。PVA TePla公司深谙其理，因此推出了产品——PlasmaPen&trade大气式等离子清洁系统，一系统能满足市场上对于多种表面处理要求。作为一种创新性的表面处理解决方案，PlasmaPen&trade 利用大气压下的等离子体高效清洁与活化材料表面，特别适用于对精度要求高的加工场合。使用PlasmaPen&trade 进行表面处理可清除杂质，净化表面，并激活表面分子，以提供更好的附着性能。不仅如此，PlasmaPen&trade 的操作简便，无需使用化学物质，避免了环境污染和使用成本的增加。随着现代科技的不断进步，对于工业材料的表面清洁与活化提出了越来越高的要求。PlasmaPen&trade 凭借其高效、安全、精准的特点成为了市场上的工具。PVA TePla公司凭借其深厚的技术积累和不断创新的精神，为各个领域提供了这一杰出的清洁活化方案，进而推动整个行业的发展，确保了各种精密元件在生产过程中的品质与性能，赋予了产品更长远的生命力。PlasmaPen&trade 是PVA TePla的大气式等离子机，其设计将高电压和电流留置于喷腔内，远离喷口和要处理的材料表面。PlasmaPen可用于各种表面清洁和表面活化的应用，例如可以应用于强化半导体封装中的金属线和芯片焊接，也能促进平板显示器制造中使用的各向异性导电膜 (ACF) 的黏着力。

美国MARCH AP-1000等离子清洗系统 一、功能简介：在微电子加工过程中，特别是在芯片贴装和丝线键合的过程中，需要对表面轻微有机污染或氧化物进行清洗，在这种场合下，需要用等离子清洗的方法进行清洗。美国MARCH 公司的等离子清洗设备在以下器件的制造过程中能起到很好地清洗作用：光电器件、微波器件、混合电路、MEMS器件、RF模块、功率器件、传感器、半导体器件、LED、分立元器件、纳米器件、声表器件。 特征优势：触摸屏的PLC控制，提供了形象的图形界面和实时过程显示；灵活的支架结构允许处理多种部分，在水平或竖直模式下；13.56MHz的电源具有自动阻抗匹配功能，因此具有出色的过程重复性；专li的控制软件系统为统计过程控制产生过程和产品的数据； March AP-1000等离子清洗系统，是专门设计适应24小时生产的严格要求的情况。此系统提供统一的等离子体，具有优良的可靠性、安全性及操作简单等优点。AP-1000平台是完全独立的，因此要求最小的层空间。泵、处理腔体、电子控制和13.56MHz电源供应都被安装在一个单一的外壳内。前面开门使得存取组件都很便利。泵安装在便于拆卸的滚筒上。 带有HTP （高吞吐量）架选项的AP-1000等离子系统结合了可靠性和生产品质，证明March 专li的HTP架的优势。AP-1000 HTP优化在RF激励源产生的离子的应用，使在减少过程时间的时候，提高处理的一致性。AP-1000 HTP允许选择一系列工艺气体，例如氩气、氢气和氦气等。它装备4个质量流量控制器以达到最jia的工艺气体控制。带有槽的M/G制具垂直安装在处理腔体中。出色的是，每块M/G制具可最小支撑20个框架。处理腔体最多可装12个M/G制具，这有M/G制具的尺寸决定。外围尺寸宽×深×高680W x 1127D x （1536H mm-1890H mm）净重485kg

美国MARCH AP-1000等离子清洗系统 一、功能简介：在微电子加工过程中，特别是在芯片贴装和丝线键合的过程中，需要对表面轻微有机污染或氧化物进行清洗，在这种场合下，需要用等离子清洗的方法进行清洗。美国MARCH 公司的等离子清洗设备在以下器件的制造过程中能起到很好地清洗作用：光电器件、微波器件、混合电路、MEMS器件、RF模块、功率器件、传感器、半导体器件、LED、分立元器件、纳米器件、声表器件。 特征优势：触摸屏的PLC控制，提供了形象的图形界面和实时过程显示；灵活的支架结构允许处理多种部分，在水平或竖直模式下；13.56MHz的电源具有自动阻抗匹配功能，因此具有出色的过程重复性；专li的控制软件系统为统计过程控制产生过程和产品的数据； March AP-1000等离子清洗系统，是专门设计适应24小时生产的严格要求的情况。此系统提供统一的等离子体，具有优良的可靠性、安全性及操作简单等优点。AP-1000平台是完全独立的，因此要求最小的层空间。泵、处理腔体、电子控制和13.56MHz电源供应都被安装在一个单一的外壳内。前面开门使得存取组件都很便利。泵安装在便于拆卸的滚筒上。 带有HTP （高吞吐量）架选项的AP-1000等离子系统结合了可靠性和生产品质，证明March 专li的HTP架的优势。AP-1000 HTP优化在RF激励源产生的离子的应用，使在减少过程时间的时候，提高处理的一致性。AP-1000 HTP允许选择一系列工艺气体，例如氩气、氢气和氦气等。它装备4个质量流量控制器以达到最jia的工艺气体控制。带有槽的M/G制具垂直安装在处理腔体中。出色的是，每块M/G制具可最小支撑20个框架。处理腔体最多可装12个M/G制具，这有M/G制具的尺寸决定。外围尺寸宽×深×高680W x 1127D x （1536H mm-1890H mm）净重485kg

1. 产品概述SENTECH 集群系统包括等离子体蚀刻和/或沉积模块、一个转移室和一个真空负载锁或盒式站。包括搬运机器人在内的转移室有三到六个端口。多可以使用两个盒式磁带站来提高吞吐量。2. 主要功能与优势高产量和高通量等离子蚀刻和沉积模块可以与多达两个盒式工作站结合使用，以提高可重复性、高产量和高吞吐量处理高达 200 毫米的晶圆。灵活的流程配置三到六个端口转移室可用于聚集ICP等离子蚀刻系统、RIE蚀刻系统、原子层沉积系统和ICPECVD沉积工具，以满足研发和生产的要求。样品可以通过真空装载锁和/或真空盒站进行装载。灵活的承运商处理SENTECH集群配置适用于处理不同尺寸的晶圆，无需更改硬件，使用允许He-back-backing冷却的载体。不同间距的晶圆盒也是可以互换的3. 灵活性和模块化SENTECH 集群配置可用于处理直径从 100 毫米晶圆到直径达 200 毫米的各种基板。这些系统提供不同别的自动化，从真空盒装载到多六端口集群配置的单工艺腔室，不同的蚀刻和沉积模块提供高灵活性和高吞吐量。所有SENTECH集群系统均由先进的硬件和SIA操作软件控制，具有客户端-服务器架构。一个经过充分验证的可靠可编程逻辑控制器（PLC）用于所有组件的实时控制。

1. 产品概述：SENTECH SI 591 紧凑型 RIE 等离子蚀刻系统具有负载锁定功能，是氯基和氟基 RIE 的紧凑型解决方案。具有出色的工艺可重复性和等离子蚀刻工艺灵活性，这得益于真空负载锁定和由计算机控制的等离子体蚀刻工艺条件。灵活性、模块化和小尺寸是 SENTECH SI 591 compact 的设计特点。可以装载直径达 200 mm 的样品和载体。该系统可以配置为穿墙操作或具有多种选项的小占地面积。2. 主要功能与优势:流程灵活性SENTECH SI 591 紧凑型 RIE 等离子蚀刻系统有助于大量基于氯和氟的等离子体蚀刻工艺。占地面积小，模块化程度高该系统可以配置为单个反应器，也可以配置为具有盒到盒装载的集群工具。单反应器的配置是在系统上方有一个负载锁，以小化占地面积，或者有一个负载锁，用于穿墙安装。3. SENTECH控制软件SENTECH 等离子蚀刻工具包括用户友好的强大软件，带有 GUI、参数窗口、配方编辑器、数据记录和用户管理。等离子蚀刻系统具有负载锁定功能，是氯基和氟基 RIE 的紧凑型解决方案。具有出色的工艺可重复性和等离子蚀刻工艺灵活性，这得益于真空负载锁定和由计算机控制的等离子体蚀刻工艺条件。灵活性、模块化和小尺寸是 SENTECH SI 591 compact 的设计特点。可以装载直径达 200 mm 的样品和载体。该系统可以配置为穿墙操作或具有多种选项的小占地面积。

1. 产品概述SENTECH SI 500 CCP 系统使用动态温度控制和氦背冷却，代表了材料蚀刻灵活性的优势。等离子体蚀刻过程中的衬底温度设置和稳定性是高质量蚀刻的严格标准。具有动态温度控制功能的衬底电极与氦气背面冷却和晶圆背面温度传感相结合，可在很宽的温度范围内提供出色的工艺条件。2. 主要功能与优势材料蚀刻灵活性从结构电介质到GaAs和InP等III-V族化合物，SENTECH SI 500 CCP RIE 等离子体蚀刻系统具有氦气 （He） 背面冷却功能，可在很宽的温度范围内（RT 至 250°C）工作。金属的物理蚀刻和量子材料（如石墨烯和hBN）的慢速蚀刻是可能的。优异的工艺稳定性他的背面冷却和动态温度控制通过防止基板加热来实现稳定的蚀刻。使用SENTECH自适应衬底处理，可以在不打开反应器的情况下，通过氦气背面冷却轻松处理小晶圆。优异的均匀性SI 500 CCP 在 RIE 模式下运行，带有喷淋头，可实现均匀的气体分布，可在高达 200 mm 的基材上提供出色的均匀性和一致的结果。3. 灵活性和模块化SENTECH SI 500 CCP 是一种导电耦合等离子体 （CCP） 蚀刻系统，具有氦背面冷却功能，用于在 RIE 模式下处理衬底。它专为 III/V 和 Si 加工领域的模块化和工艺灵活性而设计。该系统在不同技术的所有重要蚀刻工艺中都得到了充分的验证，并且可以执行各种蚀刻工艺。SENTECH SI 500 CCP由先进的硬件和SIA操作软件控制，具有客户端-服务器架构。一个经过充分验证的可靠可编程逻辑控制器（PLC）用于所有组件的实时控制。

电镜腔等离子清洁仪（远程等离子清洁仪）美国PIE出品的EM-KLEEN型远程等离子清洁仪，广泛用于SEM扫描电镜,FIB聚焦离子束双束电镜,TEM透射电镜,XPS_X射线光电子能谱分析仪,ALD原子层沉积系统,CD-SEM, EBR, EBI, EUVL和其它高真空系统，可同时清洁真空腔室和样品！污染物对电子显微镜SEM/TEM和其它高真空系统产生的影响润滑剂、真空脂、泵油样品中的高分子聚合物，或未经处理的空气都会把碳氢污染物引到真空系统中。低蒸汽压下高分子重污染物会凝聚在样品表面和腔室壁上，而使用普通气体吹扫方法很难把碳氢污染物清除。电子和高能光子(EUV, X-ray)能够分解存在于真空系统中或样品上的碳氢污染物。碳氢化合物的分解产物沉积在被观测的样品表面或电子光学部件上。这种碳氢污染沉积会降低EUV的镜面反射率，降低SEM图像对比度和分辨率，造成错误的表面分析结果，沉积在光阑或其它电子组件的不导电碳氢污染物甚至会造成电子束位置或聚焦缓慢漂移。在ALD系统中，样品表面的碳氢污染物还会降低薄膜的界面匹配质量。远程等离子清洁的原理远程等离子源需安装在要被清洁的真空腔室上，控制器向远程离子源提供射频能量。射频电磁场能激发等离子体，分解输入气体而产生氧或氢的活性基，活性基会扩散到下游的真空腔室，并与其中的污染物发生化学反应，反应产物能轻易地被抽走。远程等离子清洗机可同时清洁真空系统和样品。技术特点：快速清洁被污染的SEM样品。2-60秒氢等离子体清洁ALD样品。不需减速或关闭涡轮分子泵低等离子偏压设计减少离子溅射和颗粒生成。结合自有专利多级气体过滤技术，SEMI-KLEEN能够满足用户最苛刻的颗粒污染清除要求可选蓝宝石管腔体和耐腐蚀性气体的流量控制器，以便支持CF4, NF3, NH3, HF, H2S等应用特有的等离子强度传感器可实时监测等离子状态，用户对等离子状态一目了然基于压力传感回馈控制的自动电子流量控制器，无需手动调节针阀直观的触摸屏操作，可定义60条清洗程序方案拥有智能安全操作模式和专家控制模式；SmartScheduleTM定时装置，通过检测样品装载次数或时间间隔来定时清洁系统低电磁干扰设计，安静的待机模式一. 特有功能1. 优越的等离子技术，可以在小于0.1毫托的气压下点火并且保持稳定的等离子体。最低工作气压比其他同类产品低10到100倍。低气压清洗速度更快，更均匀，对电子枪和分子泵更安全；2. 即时等离子起辉技术。不用像在其他同类产品上那样担心等离子是不是成功起辉；3. 带气压计的自动气体流量控制；4. 实时测量等离子强度，用户可以根据这个实时反馈来优化清洗配方；5. 自动射频匹配实时保证最优化射频耦合，即使用户调节清洗配方；6. 专利保护的双层颗粒过滤器设计保证我们的产品满足Intel，台积电，三星等半导体用户的严格颗粒污染要求；7. 带LCD触摸屏的直观操作界面；8. 微电脑控制器带可修改的智能清洗计划，设好就自动清洗您的系统；9. 支持清洗配方，一键开始，自动射频匹配，自动控制气体流量；10. 微电脑控制器可记录所有信息状态，便于系统维护。二. 技术指标1. 等离子源真空接口：NW/KF40 法兰 提供转接法兰；2. 标配等离子强度传感器；3. 等离子源最低点火起辉气压：0.1毫托；4. 等离子源最高工作气压：1.0 托；5. 漏气率：0.005sccm；6. 射频输出：0~100瓦，连续可调节；7. 具有射频自动匹配功能8. 电源和功率：220V, 50Hz,

TESCAN AMBER 是TESCAN第四代 FIB-SEM 的新成员，是一款超高分辨双束 FIB-SEM 系统，它可以提供无与伦比的图像质量，具有强大的扩展分析能力，并能以极佳的精度、效率完成复杂的纳米加工和操作，可满足现今工业研发和学术界研究的所有需求。TESCAN AMBER FIB-SEM的优点：新一代镜筒内电子加速、减速技术，保证了复杂样品的低电压高分辨观测能力首次配置的静电-电磁复合物镜，物镜无磁场外泄，实现磁性样品高分辨成像及分析配置4个新一代探测器，可实现9种图像观测，对样品信息的采集更加全面配置大型样品室，有超过20个扩展接口，为原位观测、分析创造了良好的工作环境可以配置TESCAN自有或第三方的多种扩展分析附件，并独家实现与TOF-SIMS、Raman联用新一代操作软件和自动功能，FIB镜筒具有全自动的离子镜筒对中，极大简化了操作新一代 Orage™ Ga FIB镜筒，适用于各类具有挑战性的纳米加工任务 TESCAN AMBER 配置了最新的 BrightBeam™ 镜筒，实现了无磁场超高分辨成像，可以最大化的实现各种分析，包括磁性样品的分析。新型镜筒中的电子光路设计增强了低能量电子成像分辨率，特别适合对电子束敏感样品和不导电样品的分析。创新的 Orage™ Ga FIB 镜筒配有最先进的离子枪和离子光学镜筒，使得TESCAN AMBER成为了世界顶级的样品制备和纳米图形成型的仪器。 TESCAN AMBER 束流可达100nA，具有超快速的加工能力，新颖的 SmartMill 高速切割功能，使得加工效率提升一倍。 TESCAN AMBER 离子能量最低可达500eV，拥有更优秀的低压样品制备能力，可以快速制备无损超薄TEM样品。 可以配置TESCAN自有或第三方的多种扩展分析附件，并独家实现与TOF-SIMS、Raman一体化。新一代OptiGIS™ 气体注入系统 TESCAN AMBER 可配置最新的多种探测器，包括透镜内Axial detector 以及 Multidetector，可选择不同角度和不同能量来收集信号，体现更多种类的信息，同时获得更好的表面灵敏度和对比度。TESCAN AMBER 有两种气体注入系统可供选择，标准的5针-GIS和新一代OptiGIS单针-GIS，单针的OptiGIS支持通过更换气罐来更换化学气体，避免了以往多针气体注入系统样品仓内占用空间大的问题。 两种气体注入系统均可以选择多种沉积气体，其中W、Pt、C等用于导电材料沉积，SiOx用于绝缘材料沉积，XeF2、H2O等用于增强刻蚀，或其它定制气体。新一代Essence™ 操作软件，更简单、高效的操作平台 TESCAN AMBER 可配置最新的多种探测器新操作软件极大简化了用户界面，能快速访问各主要功能，减少了繁琐的下单菜单操作，并优化了操作流程向导，易于学习，兼容多用户需求，可根据工作需要定制操作界面。 新颖的样品室内3D空间位置和移动轨迹模拟功能，可避免误操作，造成碰撞。 样品室内的3D空间位置和移动轨迹模拟集成多项创新性设计，拓展新应用领域的利器 TESCAN AMBER 可配置最新的多种探测器，集成了BrightBeam™ SEM镜筒、Orage™ Ga-FIB镜筒、OptiGIS气体注入系统等多项创新设计，在高分辨能力、原位应用扩展能力和分析扩展能力方面达到了业内顶级水平，此外新一代操作流程和软件也给使用者带来更舒适、高效的体验。* TESCAN AMBER 是 S8000G 升级机型。

微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）, 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。 MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。应用领域● 大尺寸宝石单晶钻石● 高取向度金刚石晶体● 纳米结晶金刚石● 碳纳米管/类金刚石碳（DLC）● MPCVD同样适用于其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。MPCVD等离子化学气相沉积设备特点 1.CYRANNUS技术无需在样品腔内安装内部电，在沉积腔内，没有工作气体以外的任何物质，洁净，无污染源。等离子发生器可以保持长寿命，并可以确保腔内的等离子体的均匀分布，进一步生成晶体的纯净度和生长周期。2.CYRANNUS技术的腔外多电设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，对腔壁、窗口等无侵蚀作用，减少杂质来源，提高晶体纯度。由CYRANNUS系统合成的金刚石，纯度均在VVS别以上。3.电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高，运载气体保持合适的温度，因此可使基底的温度不会过高。4.微波发生器稳定易控，能在从10 mbar到室压的高压强环境下维持等离子体，在气流、气压、气体成分、电压出现波动时，确保等离子体状态的稳定，保证单晶生长的过程不被上述干扰而中断，有利于获得大尺寸单晶金刚石。5.可以采用磁约束的方法，约束在等离子团在约定的空间内，微波结和磁路可以兼容。6.安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离，微波泄漏小，容易达到辐射安全标准。7.可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体，满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。可以对直径达到300mm的衬底沉积金刚石薄膜。化学机理概要碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。适用合成材料：大尺寸宝石单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC）金刚石薄膜宝石钻石vvs1,~1 carrat, E grade设备选件多种等离子发生器选择： 频率：2.45 GHz, 915 MHz 功率：1-2 kW, 1-3 kW, 3-6 kW,1-6 kW，5-30 kW 等离子团直径：70 mm, 145 mm, 250 mm, 400 mm 工作其他范围：0-1000 mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。发表文章1. Use of optical spectroscopy methods to determine the solubility limit for nitrogen in diamond single crystals synthesized by chemical vapor deposition, Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 82, No. 2, May, 2015 (Russian Original Vol. 82, No. 2, March–April, 2015).2. Large Area Deposition of Polycrystalline Diamond Coatings by Microwave Plasma CVD. Trans. Ind. Ceram. Soc., vol. 72, no. 4, pp. 225-232 (2013).用户单位中科院沈阳金属所吉林大学