高真空快速退火炉

高真空退火炉 产品介绍 目前高温退火炉加热大都为管式炉或马弗炉，原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温速度慢，效率低下，也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热高速冷却时，具有良好的温度分布。可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却，用石英管保护加热式样，无气氛污染。可在高真空，高出纯度气体中加热。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力.同电阻炉和其他炉相比，红外线反射退火炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现温度控制操作！ 设备优势 高速加热与冷却方式 高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 温度高精度控制 过红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以控制样品的温度。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。 不同环境下的加热与冷却 加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 反射炉温度控制装置 高速升温时，配套的快速反应的高真空退火炉控制装置，本控制装置采用可编程温度控制器。高性能设计，响应速度快。 可选配 进口干泵：抽速≥120L/min，极限真空度≤4pa，噪音小于52db； 进口全量程真空规：刀口法兰接口，真空测量范围5X10-7Pa到1atm 为了高速加热、设备采用PID温度控制，同时采用移相触发技术保证试验温度。 根据设备上的温度控制器输入参数，您也可以简单输入温度程序设定和外部信号。另外还可以在电脑上显示热中的温度数据。 自适应热电偶包括JIS、K、J、T、E、N、R、S、B、以及L、U、W型 可设定32个程序、256个步骤的程序。 30A、60A、120A内置了SCR电路，所以范围很广。 设备配置 序号 项目 数量 品牌 备注 1 炉体 1 华测 温度至1200℃ 2 加热源 1 GE 3 温度控制器 1 华测 4 电热偶 1 omega 5 温控表 1 欧姆龙 6 稳压电源 1 华测 可定制 7 制冷水机 1 同飞 制冷功率 8 分子泵 1 莱宝 CF法兰，抽速≥40L/s，极限真空度优于-0.8Mpa； 更多应用 1.电子材料 半导体用硅化合化的PRA（加热后急速冷却） 热源薄膜形成激活离子注入后硅化物的形成 2.陶瓷与无机材料 陶瓷基板退火炉 玻璃基板退火炉。 陶瓷张力、挠曲试验退火炉。 3.钢铁和金属材料 薄钢板加热过程的数值模拟。 炉焊接模拟 高真空热处理（1000℃以下） 大气气体熔化过程 压力下耐火钢和合金的热循环试验炉 4.复合材料 耐热性评价炉 无机复合材料热循环试验炉 5.其它 高温拉伸压缩试验炉。 分段分区控制炉 温度梯度炉 炉气分析 超导陶瓷退火炉

3英寸、4英寸、6英寸、8英寸真空快速退火炉系统。应用：RTA（快速热退火）； RTO（快速热氧化）；注入退火；扩散；化合物半导体退火；渗氮；渗硅； 结晶化与致密化； 特点：适用于2英寸~8英寸晶圆，高可靠性和低拥有成本。不锈钢冷壁腔体技术； 高工艺重复性，超清洁无污染环境、 高冷却速率低记忆效果。 可实现高达10-6 mbar的高真空环境。 高温计和热电偶控制，高速数字PID温度控制器，边缘高温计视点保障了化合物半导体和小样品的基座的加强温度控制。 使用特点：温度范围：RT to 1000°C；斜坡速率：最高200°C/s；气体混合功能：使用质量流量控制器控制；真空范围：大气压～10-6 Torr，可配置分子泵；本系统提供全电脑控制，应用控制软件兼容window系统。

RTP-100/150快速退火炉为德国优尼坦公司生产，分为RTP-100, RTP-150, RSO-200,VPO-300共四个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的真空快速退火炉产品。技术规格：- 最高温度：1200摄氏度；- 升温速率：150摄氏度/秒；- 降温速度：200摄氏度/分钟 (1000摄氏度--400摄氏度)；- 温控均匀性：≤ 1.5%设定温度；- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部加热；- 灯管数量及功率：18支/20千瓦(RTP-100)，24支/21千瓦(RTP-150)；- 腔体冷却：水冷方式；- 衬底冷却：氮气吹扫；- 工艺气路：MFC控制，最多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；- 主机尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，约55Kg； 仪器特点：- 真空快速退火炉，有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa)；- 可在不同气氛环境下使用，如惰性气体、氧气、氢氮混合气等；- 控制方式：SIMATIC, SPS人机界面控制，7英寸触摸屏；- 可存储50个程序，每个程序最多分为50段控制；- 全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置；- 优异的温控均匀性，极佳的工艺重现性；- 小尺寸台式设计； 应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；等等...参考客户：西安交通大学、西安电子科技大学、中国科技大学、江汉大学、中科院上海技术物理所、中科院苏州纳米所、北京航天仪器研究所、京东方、武汉光迅、能华微电子等。

产地：法国AnnealSys；型号：AS-One100/AS-One150 AS-ONE立式快速退火炉为法国AS公司生产，分为AS-ONE 100, 150, 200三个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸的真空快速退火炉产品。 应用： - 快速热退火 RTA； - 快速热氧化 RTO； - 扩散，接触退火； - 化合物半导体退火； - 氮化，硅化； - 硒化，硫化； - 石墨烯沉积，碳纳米管生长； - 晶体化，致密化； 技术规格：规格AS-ONE 100AS-ONE 150最大样品基底直径100mm (4英寸)150mm (6英寸)腔体尺寸130mm直径 x 25mm200mm直径 x 25mm红外灯数量/最大功率12支 / 30KW18支 / 34KW红外灯冷却方式风扇风扇标准温度范围室温 ~ 1250°C室温 ~ 1200°C选配高温版本范围室温 ~ 1500°C室温 ~ 1300°C升温速度0.1°C ~ 200°C/s0.1°C ~ 150°C/s温度控制快速数字PID控制器快速数字PID控制器热电偶K型K型高温计150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C气体注入石英视窗以下石英视窗以下清洗气路标准配置标准配置工艺气路方式/数量MFC / 5路MFC / 5路真空获得系统干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)尺寸/重量510mm x 1425mm x 800mm / 194Kg510mm x 1425mm x 800mm / 240Kg参考客户：清华大学、北京大学、复旦大学、华南理工大学、天津中电十八所、南京中电五十五所、GE上海研发中心、南方科大、深圳大学等。大尺寸样品快速退火炉 快速退火炉(RTP/RTA)是半导体材料和器件常用的一款工艺设备。快速退火炉可以在真空、惰性气氛、不同的工艺气体环境下使用。 仪器特点： - 快速热处理、快速热退火 RTP / RTA； - 可在真空、甚至于高真空环境使用； - 广泛用于太阳能电池片快速退火工艺，如156mm X 156mm电池片，300mm X 300mm电池片等；

RTP-200快速退火炉为德国优尼坦公司生产，分为RTP-100, RTP-150, RSO-200,VPO-300共四个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的真空快速退火炉产品。点击查阅详细信息技术规格：- 最高温度：1200摄氏度；- 升温速率：150摄氏度/秒；- 降温速度：200摄氏度/分钟 (1000摄氏度--400摄氏度)；- 温控均匀性：≤ 1.5%设定温度；- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部加热；- 灯管数量及功率：18支/20千瓦(RTP-100)，24支/21千瓦(RTP-150)；- 腔体冷却：水冷方式；- 衬底冷却：氮气吹扫；- 工艺气路：MFC控制，最多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；- 主机尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，约55Kg； 仪器特点：- 真空快速退火炉，有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa)；- 可在不同气氛环境下使用，如惰性气体、氧气、氢氮混合气等；- 控制方式：SIMATIC, SPS人机界面控制，7英寸触摸屏；- 可存储50个程序，每个程序最多分为50段控制；- 全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置；- 优异的温控均匀性，极佳的工艺重现性；- 小尺寸台式设计； 应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；等等...参考客户：西安交通大学、西安电子科技大学、中国科技大学、江汉大学、中科院上海技术物理所、中科院苏州纳米所、北京航天仪器研究所、京东方、武汉光迅、能华微电子等。

RTP-100/150快速退火炉为德国优尼坦公司生产，分为RTP-100, RTP-150, RSO-200,VPO-300共四个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的真空快速退火炉产品。点击查阅详细信息技术规格：- 最高温度：1200摄氏度；- 升温速率：150摄氏度/秒；- 降温速度：200摄氏度/分钟 (1000摄氏度--400摄氏度)；- 温控均匀性：≤ 1.5%设定温度；- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部加热；- 灯管数量及功率：18支/20千瓦(RTP-100)，24支/21千瓦(RTP-150)；- 腔体冷却：水冷方式；- 衬底冷却：氮气吹扫；- 工艺气路：MFC控制，最多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；- 主机尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，约55Kg； 仪器特点：- 真空快速退火炉，有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa)；- 可在不同气氛环境下使用，如惰性气体、氧气、氢氮混合气等；- 控制方式：SIMATIC, SPS人机界面控制，7英寸触摸屏；- 可存储50个程序，每个程序最多分为50段控制；- 全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置；- 优异的温控均匀性，极佳的工艺重现性；- 小尺寸台式设计； 应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；等等...参考客户：西安交通大学、西安电子科技大学、中国科技大学、江汉大学、中科院上海技术物理所、中科院苏州纳米所、北京航天仪器研究所、京东方、武汉光迅、能华微电子等。

真空快速退火炉AS-OneAS-One是一种通用的RTP系统，可用于开发快速热退火和快速热CVD工艺。可以搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1500 ℃，最快升温速率200℃/Second。全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。 应用：• RTA（快速热退火）• RTO（快速热氧化）• 欧姆接触退火• 植入退火• 石墨烯和hBN的快速热化学气相沉积RTCVD• 硒化，硫化• 结晶和致密化 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶配合高温计控温，测试样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多5路工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试； 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；2、温度范围：AS-One100室温~1250 ℃；（室温~1500 ℃可选） AS-One150室温~1200 ℃；（室温~1300 ℃可选）3、升温速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ； AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制； 5、热电偶：2个K型热电偶；6、低温高温计温度范围：150℃~1100 ℃；7、高温高温计温度范围：400℃~1500 ℃；8、工艺气体气路配质量流量计；9、配置真空泵及真空规；

真空快速退火炉AS-MicroAS-Micro是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：• 快速热退火• 植入退火• 欧姆接触退火• 快速热氧化（RTO）• 快速热氮化（RTN）• 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点： 1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：3-inch；2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制； 5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

RTP快速退火炉是一种先进的半导体材料处理设备，其核心功能是通过快速加热和冷却的方式对材料进行高温处理。以下是关于RTP快速退火炉的详细产品介绍： 工作原理RTP快速退火炉的工作原理基于高温加热和快速冷却的过程。首先，将待处理的材料放置在炉腔中，并通过加热元件（如电阻丝、电热棒等）迅速将材料加热至设定的温度范围，通常为400~1300℃。在加热过程中，炉腔内的温度会被精确控制在恒定的数值范围内，以确保材料能够达到所需的退火温度。随后，通过冷却介质（如氮气、水等）将炉腔内的温度迅速降低至室温，从而避免材料再次发生晶粒长大和相变。 主要特点1. **快速加热和冷却**：RTP快速退火炉能够在极短的时间内完成加热和冷却过程，显著提高生产效率。2. **高温精度**：该设备具有高精度的温度控制系统，能够精确控制样品的温度，实现高质量的热处理。3. **均匀加热**：RTP快速退火炉采用先进的加热技术，确保样品在炉腔内均匀受热，避免温度不均匀导致的材料性能不一致。4. **多功能性**：该设备适用于各种材料的处理，包括硅、氮化物、氧化物等，满足不同工艺需求。5. **节能环保**：RTP快速退火炉通常采用节能设计，具有较低的能耗和环保性能。 应用领域RTP快速退火炉广泛应用于半导体制造、电子、光电、材料科学等领域。具体应用场景包括：* MOS器件的源、漏、栅接触改性* 电阻器、电容器的结构、电性能改良* 掺杂、扩散等工艺步骤的快速实现* 低介电常数介质材料的退火等 选择建议在选择RTP快速退火炉时，需要考虑以下因素：1. **温度范围和控制精度**：根据工艺需求确定所需的最高温度和温度控制精度。2. **加热速率和冷却速率**：考虑加热和冷却速率是否满足工艺要求，以确保快速热处理的实现。3. **样品尺寸和数量**：根据样品尺寸和数量选择适合的炉腔尺寸和容量。4. **控制系统和软件**：选择具有稳定可靠的温度控制系统和易于操作的软件界面的设备。5. **能源消耗和环保要求**：考虑设备的能耗情况和环保性能，选择节能环保的设备。6. **品牌和服务**：选择知名度高、信誉良好的厂家和品牌，确保产品质量和售后服务的可靠性。 结论RTP快速退火炉作为半导体制造过程中不可或缺的设备，其高效、节能和环保的特点使得它在现代半导体工业中得到了广泛应用。随着技术的不断发展，RTP快速退火炉的性能也将不断优化，为半导体产业的进步提供有力支持。

? 产品简介： REAL RTP200型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP200型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：8英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-150℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：1300mm*820mm*1300mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

井式真空光亮退火炉主要用于各种机械零件的真空退火，应力消除被广泛应用于各种金属，合金，水晶材质，光亮退火，真空脱气等等。不同的配置，可通入保护气氛进行氮化，渗碳热处理。 　　城池井式真空退火炉使用预抽真空气氛保护工件产品，操作者首先炉抽空到一定程度的真空炉中充满高纯度的氮气或氨分解保护加热，气氛，从而达到少无氧化加热，亮脱碳的目的。由于使用的搅拌风扇，炉具有高的温度均匀性。长期使用的机械部件，硅，铜，铜线等材质均可达到非氧化光亮退火效果。　　井式真空退火炉外壳为井式炉体结构，真空罐体采用进口高品质不锈钢制造，X光探伤绝无漏气。井式真空退火全部自动控制均有安全保护设计，当炉盖开启时自动切断控制电源，炉盖紧闭时才能开始加热，确保操作人员安全。

真空快速退火炉AS-OneAS-One是一种通用的RTP系统，可用于开发快速热退火和快速热CVD工艺。可以搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1500 ℃，最快升温速率200℃/Second。全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。应用：• RTA（快速热退火）• RTO（快速热氧化）• 欧姆接触退火• 植入退火• 石墨烯和hBN的快速热化学气相沉积RTCVD• 硒化，硫化• 结晶和致密化产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶配合高温计控温，测试样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多5路工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；产品标准配置及规格参数：1、样品最大尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；2、温度范围：AS-One100室温~1250 ℃；（室温~1500 ℃可选） AS-One150室温~1200 ℃；（室温~1300 ℃可选）3、升温速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ； AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制；5、热电偶：2个K型热电偶；6、低温高温计温度范围：150℃~1100 ℃；7、高温高温计温度范围：400℃~1500 ℃；8、工艺气体气路配质量流量计；9、配置真空泵及真空规；

卧式6寸两管退火炉供大规模集成电路、MEMS 生产线用做6"硅片的合金、氧化、退火、烧结、扩散等工艺使用。同时也可下沉工艺，完成4寸wafer 的相应工艺。一、设备结构:1、操作方式:左(右)手操作方式2、硅片尺寸:圆形6寸片3、工艺布局:满足客户工艺要求4、自动化程度:工控机控制系统自动控制工艺流程5、送取片方式:手动进出舟。6、外形:主机1台，主机架为卧式两管。二、主要技术参数:1、加热炉管有效口径:满足6英寸硅片。可向下兼容5寸和4寸硅片。2、工作温度范围: 上管:600~1400℃ 下管:200~500℃3、恒温区长度及精度:600mm， 上管:800-1400℃.±0.2℃/24h 下管:200-500℃.±0.2℃/24h4、控制方式:由工控机统一管理工艺5、气路设置:每管两路气体:氮气100L/min.氩气100L/min。均采用MFC自动控制流量大小。

? 产品简介： REAL RTP150型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款6寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP150型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：6英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-150℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：870mm*650mm*620mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

? 产品简介： REAL RTP100型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款4寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP100型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，热电偶测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：4英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-200℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：870mm*650mm*620mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

全自动双腔快速退火炉RTP-DTS-8，晶圆快速退火炉产品特点：兼容6-8英寸WAFER；全自动双腔设计，产能提升； 最高温度可达1250℃；超高温场均匀性； 稳定的温度重现性；满足SIC量产化制程需求。行业应用：其他快速热处理工艺；砷化镓工艺；氧化物、氮化物生长；欧姆接触快速合金；硅化物合金退火；氧化回流技术参数最大产品尺寸6-8寸Cassette or smlf2个温度范围室温~1250℃最高升温速度≤30℃/s（载盘）温度均匀度±3℃≤600℃ ±0.5%＞600℃温度控制重复性±1℃腔体数量双腔

快速退火炉RTP-3-04系列采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸样品）快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到**的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。产品特点可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。可远程操作：提供远程监控模块。压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。快速控温与高真空：升温速率可达150℃/s，真空度可达到10-3Pa。程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的精确控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用MFC精确控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。独特的腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1.5%。全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障设备使用安全。产品应用金属电极合金化硬质合金薄膜去应力退火石墨烯生长器件退火材料再结晶、晶化热氧化、热氮化ITO膜致密化薄膜CVD生长搭载电学测试模块变温电阻测量等离子注入/接触退火太阳能电池片键合低介电材料热处理芯片晶圆热处理键合炉其他热工艺需求

Ecopia快速退火炉（4~6英寸） 产地：韩国Ecopia；型号：RTP-1300/RTP-1600； RTP-1300, RTP-1600为Ecopia进口真空快速退火炉，仪器带有控制软件，为台式设计。RT-1300可以退火100mmX100mm尺寸的样品，RTP-1600可以退火150mmX150mm尺寸的样品。 技术规格：- 加热方式：红外卤素钨灯，1.2KW/支；- 卤素红外灯数量：12支，或18支；- 最快升温速率：100℃/秒；- 最快降温速率：60秒(1000℃ → 400℃)；- 最高温度：1200℃；- 温度精度：+/-1℃- 最大样品尺寸：100 X 100mm, 或150mm X 150mm；- 退火环境：真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢气等)；- 真空泵及极限压力：机械泵，10-3Torr水平(选配)；- 电压：220 V，单相或三相；- 仪器尺寸：500 X 400 X 500mm (W X D X H)；- 质量：净重60Kg；仪器特点：- 可在真空/不同气氛/空气不同环境下，对样品进行快速热处理；- 温控精度高；- 适合高校或研究所科研使用；- 带有RTP控制软件；- 紧凑的台式设计；- 仪器操作方便，样片装取容易；- 价格合理，高性价比；应用领域：- 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA) - 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO) - 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN) - 硅化 (Silicidation) - 扩散 (Diffusion) - 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing) - 离子注入后退火 (Implant Annealing) - 电极合金化 (Contact Alloying) - 晶化和致密化 (Crystallization and Densification) - 合金熔点分析；- 薄膜沉积；等等…RTP-1300快速退火炉参考用户：北京师范大学、北京理工大学、昆明理工大学、东南大学、西安交通大学、渤海大学、中科院苏州纳米所、国电光伏、苏州新磊等...

AS-One系统有两种型号： AS-One 100 系统或AS-One 150 系统该快速退火炉是专门为满足大学、研究实验室和小规模生产的需求而研制的，高可靠且性价比高。该工艺室采用贝壳式设计，可完全进入底板，方便装载和卸载基板，并允许实际清洁腔体快速数字PID温度控制器在整个温度范围内提供精确和可重复的热控制。特征：基本尺寸：Up to 直径100 mm (4-inch) for AS-One 100 Up to 直径150 mm (6-inch) for AS-One 150 Small substrates using susceptors工艺腔体运用不锈钢冷腔室壁技术温度范围标准配置：最高达到1250°C高温配置：最高达到1450°C温度控制标准配置：热电偶和高温计用来测量温度快速数字PID温度控制器在可获得精确的和可重复的热控制真空和气体最多可达5路带MFC的工艺气体，一路清洁气体电脑控制全PC电脑控制，每个配方最多100步骤全数据记录与处理历史的人机界面设计选项：石墨托盘/碳化硅涂层托盘/粗真空泵和涡轮泵/快速冷却系统/其他套件应用： ● 快速热退火 ● 快速热氧化 ● 扩散/接触时退火 ● 化合物退火 ● 结晶或致密化我公司专业销售Annealsys产品，并提供Annealsys产品的售前售后服务，如您对Annealsys产品感兴趣，欢迎前来咨询！

RTP-1250小型真空快速退火炉(RTP/RTA)为韩国进口的快速退火炉。该仪器：尺寸小巧，使用风冷、无须水冷，电流要求不高(3安培)，性价比高，使用方便，非常适合科研院所的科研使用。 技术规格： - 加热方式：红外卤素钨灯，600W； - 卤素红外灯数量：4支； - 最快升温速率：100℃/秒； - 最快降温速率：50秒(1000℃ → 400℃)； - 最高温度：1200℃； - 温度精度：+/-0.3℃ - 最大样品尺寸：50 x 50mm，3寸； - 退火环境：真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢气等)； - 真空泵及极限压力：机械泵，10-3Torr水平(选配)； - 电压：220 V，单相； - 仪器尺寸：400*300*450mm (W*D*H)； - 质量：净重30Kg；仪器特点： - 可在真空/不同气氛/空气不同环境下，对样品进行快速热处理； - 温控精度高； - 适合高校或研究所科研使用； - 无须额外的冷却系统； - 紧凑的台式设计； - 仪器操作方便，样片装取容易； - 价格合理，高性价比；应用领域： - 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA) - 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO) - 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN) - 硅化 (Silicidation) - 扩散 (Diffusion) - 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing) - 离子注入后退火 (Implant Annealing) - 电极合金化 (Contact Alloying) - 晶化和致密化 (Crystallization and Densification) - 合金熔点分析； - 薄膜沉积； 等等…

RTP-1200小型真空快速退火炉(RTP/RTA)为韩国进口的快速退火炉。该仪器：尺寸小巧，使用风冷、无须水冷，电流要求不高(3安培)，性价比高，使用方便，非常适合科研院所的科研使用。 技术规格： - 加热方式：红外卤素钨灯，600W； - 卤素红外灯数量：4支； - 最快升温速率：100℃/秒； - 最快降温速率：50秒(1000℃ → 400℃)； - 最高温度：1200℃； - 温度精度：+/-0.3℃ - 最大样品尺寸：20 x 20mm； - 退火环境：真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢气等)； - 真空泵及极限压力：机械泵，10-3Torr水平(选配)； - 电压：220 V，单相； - 仪器尺寸：400*300*450mm (W*D*H)； - 质量：净重30Kg；仪器特点： - 可在真空/不同气氛/空气不同环境下，对样品进行快速热处理； - 温控精度高； - 适合高校或研究所科研使用； - 无须额外的冷却系统； - 紧凑的台式设计； - 仪器操作方便，样片装取容易； - 价格合理，高性价比；应用领域： - 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA) - 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO) - 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN) - 硅化 (Silicidation) - 扩散 (Diffusion) - 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing) - 离子注入后退火 (Implant Annealing) - 电极合金化 (Contact Alloying) - 晶化和致密化 (Crystallization and Densification) - 合金熔点分析； - 薄膜沉积； 等等…

产品应用：该电炉采用红外灯管加热，通过滑动炉体实现快速降温。应用于半导体或太阳能电池基片退火。也可用于快速热退火、快速热氧化、快速热氮化、硅化物合金退火、电极合金化、氧化物生长、离子注入后退火、薄膜沉积等工艺试验 产品特点：可在真空/气氛/空气等不同环境下通过快速移动炉体，加之强风冷设计，可对样品进行快速升降温处理；管内测温设计，温控精度高,*大升温速率50℃/s 紧凑的台式设计，快速连接法兰，减少了炉管因安装造成损坏的可能，方便操作。产品名称RTP-小型快速退火炉产品型号RTP-G11103-K额定功率9KW额定电压220AC 50/60Hz*高温度1000°C 连续工作950°C(1 小时)加热区长度300mm恒温区长度100mm加热元件红外灯管温度控制国产程序控温系统可编程50段程序控温；控制精度±1℃石英管尺寸Φ110*380MM炉管材质石英管滑动距离355mm滑动方式手动滑动建议升温速度室温900℃：30℃/sec900℃~1000℃： 10℃/sec外形尺寸950 X 350 X 530 mm 重量45Kg标准配置气路总成一套（含真空压力表）石英管一支、高温手套一副。76MM的样品石英架一个。

RTP-100/150快速退火炉为德国优尼坦公司生产，分为RTP-100, RTP-150, RSO-200,VPO-300共四个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的真空快速退火炉产品。点击查阅详细信息技术规格：- 最高温度：1200摄氏度；- 升温速率：150摄氏度/秒；- 降温速度：200摄氏度/分钟 (1000摄氏度--400摄氏度)；- 温控均匀性：≤ 1.5%设定温度；- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部加热；- 灯管数量及功率：18支/20千瓦(RTP-100)，24支/21千瓦(RTP-150)；- 腔体冷却：水冷方式；- 衬底冷却：氮气吹扫；- 工艺气路：MFC控制，最多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；- 主机尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，约55Kg； 仪器特点：- 真空快速退火炉，有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa)；- 可在不同气氛环境下使用，如惰性气体、氧气、氢氮混合气等；- 控制方式：SIMATIC, SPS人机界面控制，7英寸触摸屏；- 可存储50个程序，每个程序最多分为50段控制；- 全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置；- 优异的温控均匀性，极佳的工艺重现性；- 小尺寸台式设计； 应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；等等...参考客户：西安交通大学、西安电子科技大学、中国科技大学、江汉大学、中科院上海技术物理所、中科院苏州纳米所、北京航天仪器研究所、京东方、武汉光迅、能华微电子等。

快速退火炉(RTP/RTA)是半导体材料和器件常用的一款工艺设备。快速退火炉可以在真空、惰性气氛、不同的工艺气体环境下使用。VPO-300是一款很有特点的快速退火炉，有非常大的退火空间，适合大尺寸样品的热处理。 仪器特点： - 快速热处理、快速热退火 RTP / RTA； - 可在真空、甚至于高真空环境使用； - 加热区域尺寸：300毫米 X 300毫米； - 广泛用于太阳能电池片快速退火工艺，如156mm X 156mm电池片，300mm X 300mm电池片等； 参考用户：中科院上海技术物理所，中国电子科技集团41所；

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：适用于大 100 毫米（4 英寸）的单晶圆由石英玻璃制成的工艺室带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）h由 18 个红外灯 （20 kW） 提供顶部和底部加热外部泵系统的真空度（高 10E-6 hPa，高 10E-3 hPa：参见 RTP-100）， 包括涡轮分子泵、真空测量、闸阀和压力表 不包括粗泵SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1200 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：32 A CEE 插头（3x 230 V，3 相，N，PE，18 kW）烤箱尺寸：504 x 521 x 576 毫米（宽 x 深 x 高）重量： 68 kg

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域不可或缺的重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：适用于大 150 mm （6“） 或 156 mm x 156 mm 基板尺寸的单晶圆（可选：100 mm 适配器）由石英玻璃制成的工艺室（室高度：40 mm）带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）由 24 个红外灯 （21 kW） 加热顶部和底部加热斜坡下降速率：T=1000 °C˃ 400 °C 200 K/min。斜坡下降速率：T= 400 °C˃ 100 °C 30 K/min。真空度可用于外部泵系统（高 10E-6 hPa，高 10E-3 hPa：参见 RTP-150）， 包括涡轮分子泵、真空测量、闸阀和压力表 不包括粗泵SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1000 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：32 A CEE 插头（3 x 230 V，3 相，N，PE，21 kW）烤箱尺寸：504 mm x 504 mm （700） x 690 mm（宽 x 深 x 高）重量： 78 kg

真空快速退火炉AS-MicroAS-Micro是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：&bull 快速热退火&bull 植入退火&bull 欧姆接触退火&bull 快速热氧化（RTO）&bull 快速热氮化（RTN）&bull 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数：1、样品最大尺寸：3-inch；2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制；5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

MILA-5000系列桌面型快速退火炉MILA-5000系列加热炉体使用红外金面退火炉，可以进行快速升降温，洁净加热。MILA-5000系列将温控器与石英加热腔集成于一体的经济型退火炉，可以在不同的气氛下进行加热。可通过USB连接电脑并进行监测与加热程序设置。MILA-5000UHV是一款在MILA-5000-P-N（高温型）基础上升级的一款高真空型退火炉，真空度可达10-5Pa。应用：特征：1. 快速加热及冷却能力： 加热速率可达 50℃/s；该设备采用水冷降温，可实现快速的降温；2. 可在任意气氛中使用： 可以在真空、惰性气氛、流动气流及大气的氛围下进行加热和降温；试样被放置在O型环密封的石英管内，这样可以保持试样的洁净；3. 实时观测试样： 加热过程中可以通过顶部的观测窗观测试样；试样在加热过程中的变化可以通过摄像头进行录制；4. 精确的温度控制： 程序执行过程中，内置可编程温度控制器同时显示实际温度和设定的温度；程序编辑可以通过设备的前面板或者通过电脑上的软件完成设置； 四电阻测试系统 实时观测系统型号参数：性能测试：

品牌：Ecopia Corp.型号：RTP-1300，RTP-1600；RTP-1300, RTP-1600为Ecopia进口真空快速退火炉，仪器带有控制软件，为台式设计。RT-1300可以退火100mmX100mm尺寸的样品，RTP-1600可以退火150mmX150mm尺寸的样品。技术规格：- 加热方式：红外卤素钨灯，1.2KW/支；- 卤素红外灯数量：12支，或18支；- 最快升温速率：100℃/秒；- 最快降温速率：60秒(1000℃ → 400℃)；- 最高温度：1200℃；- 温度精度：+/-1℃- 最大样品尺寸：100 X 100mm, 或150mm X 150mm；- 退火环境：真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢气等)；- 真空泵及极限压力：机械泵，10-3Torr水平(选配)；- 电压：220 V，单相或三相；- 仪器尺寸：500 X 400 X 500mm (W X D X H)；- 质量：净重60Kg；仪器特点：- 可在真空/不同气氛/空气不同环境下，对样品进行快速热处理；- 温控精度高；- 适合高校或研究所科研使用；- 带有RTP控制软件；- 紧凑的台式设计；- 仪器操作方便，样片装取容易；- 价格合理，高性价比；应用领域：- 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA) - 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO) - 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN) - 硅化 (Silicidation) - 扩散 (Diffusion) - 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing) - 离子注入后退火 (Implant Annealing) - 电极合金化 (Contact Alloying) - 晶化和致密化 (Crystallization and Densification) - 合金熔点分析；- 薄膜沉积；等等…RTP-1300快速退火炉参考用户：北京师范大学、北京理工大学、昆明理工大学、中国科大、东南大学、西安交通大学、陕西师大、渤海大学、中科院苏州纳米所、国电光伏、苏州新磊等...

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：适用于大 150 mm （6“） 或 156 mm x 156 mm 基板尺寸的单晶圆（可选：100 mm 适配器）由石英玻璃制成的工艺室（室高度：40 mm）带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）由 24 个红外灯 （21 kW） 加热 顶部和底部加热斜坡下降速率：T=1000 °C˃ 400 °C 200 K/min。 斜坡下降速率：T= 400 °C˃ 100 °C 30 K/min。外部泵系统具有真空功能（高 10E-3 hPa，高 10E-6 hPa：参见 RTP-150-HV）SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1000 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：32 A CEE 插头（3 x 230 V，3 相，N，PE，21 kW）烤箱尺寸：504 mm x 504 mm （700） x 570 mm（宽 x 深 x 高）重量： 55 kg