高压浮区法单晶炉

D8 VENTURE/QUEST—面向未来的单晶X射线衍射仪D8 VENTURE/QUEST是布鲁克公司推出的新款，功能强大的X射线单晶衍射仪。 一体化的设计， 配备目前世界上先进的光源以及PHOTON III MMPAD探测器，帮助您测试最富有挑战性的晶体，获得好的数据质量。 其主要特点为：● 同时适合小分子晶体学和蛋白质晶体学的研究需要，应用范围广。● 新一代的lus 3.0微焦斑光源，性能娘美微焦斑转靶，零维护，寿命超长。● 液态金属靶MetalJET，室内X射线光源， 强度远● 远高千微焦斑转靶，让您拥有个人的“同步辐射＂ ，解决最难的晶体学问 题， 比如GPCR膜蛋白的结构。● 采用四代光源XFEL探测器技术的PHOTON III MMPAD混合光子计数探测器，● 超大面积，超快速度， 零噪音， 单光子检测的灵敏度。● 双靶配置， 软件自动切换光源。 满足不同类型的研究需要。 元件自动识别， 智能化光路管理。● 新一代的APEX3/PROTEUM3软件， 功能强大， 智能化程度高， 轻松操控仪器， 获得好数据。● lus Diamond微焦斑光源， 零维护， 性能超越微焦斑转靶。

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ScIDre高温高压光学浮区法单晶炉-HKZ德国SciDre公司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300bar，甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。SciDre高温高压光学浮区法单晶炉特点● 采用垂直式光路设计● 采用高照度短弧氙灯，多种功率规格可选● 熔区温度：3000℃● 熔区压力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选● 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选● 采用光栅控制技术，加热功率从0-100% 连续可调● 样品腔可实现低至10-5mbar真空环境● 丰富的可升选件耐高温、耐高压、高真空、高透光率、拆装简便的样品腔由德国弗劳恩霍夫应用光和精密工程研究所优化设计的高反射率镜面，镜体位置可由高精度步进马达控制调节光阑式光强控制器更方便地调节熔区温度，延长灯泡寿命仿真化触屏控制软件界面友好，操作简单熔区测温选件测温技术可实时监测加热区温度多路立气路控制选件可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力， 并可对气体进行比例混合与熔区进行反应气体除杂选件可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm退火选件可对离开熔区的单晶棒提供高达1100℃退火温度和高压氧环境SciDre高温高压光学浮区法单晶炉技术参数熔区温度：高达2000 - 3000℃以上熔区压力：10、50、100、150、300 bar可选熔区真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选熔区气氛：Ar、O2、N2等可选气体流量：0.25 – 1 L/min流量可控氙灯功率：3kW至15kW可选料棒台尺寸：6.8mm或9.8mm可选拉伸速率：0.1-50mm/h调节速率：0.6 mm/s拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可选旋转速率：0-70rpm用电功率：400V三相 63A 50Hz 主机尺寸：330cm*163cm*92cm （不同规格略有差异）部分用户单位中国科学院物理研究所中国科学院固体物理研究所北京师范大学中山大学南昌大学上海大学北京大学北京航空航天大学......发表文章1. (2020)Single crystal growth and luminescent properties of YSH:Eu scintillator by optical floating zone method Chemical Physics Letters, Volume 738, 1369162. (2020)Anisotropic character of the metal-to-metal transition in Pr4Ni3O10 Phys. Rev. B 101, 1041043. (2020)Synthesis of a New Ruthenate Ba26Ru12O57 Crystals 2020, 10(5), 3554. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1- SrxNiO2 and Nd1- xSrxNiO3 Phys. Rev. Materials 4, 0844095. (2020)Magnetic phase diagram and magnetoelastic coupling of NiTiO3 Phys. Rev. B 101, 1951226. (2019)High pO2 Floating Zone Crystal Growth of the Perovskite Nickelate PrNiO3 Crystals 2019, 9(7), 3247. (2019)Magnetic properties of high-pressure optical floating-zone grown LaNiO3 single crystals Journal of Crystal Growth Volume 524, 15 October 2019, 1251578. (2019)Bulk single-crystal growth of the theoretically predicted magnetic Weyl semimetals RAlGe (R = Pr, Ce) Phys. Rev. Materials 3, 0242049. (2019)Pushing boundaries: High pressure, supercritical optical floating zone materials discovery Journal of Solid State Chemistry 270 (2019): 705-70910. (2018). Antiferromagnetic correlations in the metallic strongly correlated transition metal oxide LaNiO3. Nature Communications 9:4311. (2017). Single-crystal growth and physical properties of 50% electron-doped rhodate Sr 1.5 La 0.5 RhO 4 Physical Review Materials 1(4), 04400512. (2017). Single crystal growth and structural evolution across the 1st order valence transition in (Pr1-yYy) 1- xCaxCoO3-δJournal of Solid State Chemistry 254, 69-7413. (2017). Large orbital polarization in a metallic square-planar nickelate. Nature Physics 13, 864–86914. (2017). High-Pressure Floating-Zone Growth of Perovskite Nickelate LaNiO3 Single Crystals. Crystal Growth & Design 17(5), 2730-2735.15. (2017). High-pressure optical floating-zone growth of Li(Mn,Fe)PO4 single crystals. Journal of Crystal Growth, 462, 50-59.16. (2016). Evidence for a spinon Fermi surface in a triangular-lattice quantum-spin-liquid candidate. Nature 540, 559–562.17. (2016). Stacked charge stripes in quasi-2D trilayer nickelate La4Ni3O8. PNAS 2016 113 (32) 8945-8950.18. (2016). Single Crystal Growth of Pure Co3+ Oxidation State Material LaSrCoO4. Crystals, 6(8), 98.19. (2015). Floating zone growth of Ba-substituted ruthenate Sr2?xBaxRuO4. Journal of Crystal Growth, 427, 94-98.20. (2015). High pressure floating zone growth and structural properties of ferrimagnetic quantum paraelectric BaFe12O19. APL Materials 3, 062512.21. (2015). Impact of local order and stoichiometry on the ultrafast magnetization dynamics of Heusler compounds. Journal of Physics D: Applied Physics, 48(16), 164016.22. (2014). Brownmillerite Ca2Co2O5: Synthesis, Stability, and Re-entrant Single Crystal to Single Crystal Structural Transitions. Chemistry of Materials, 26(24), 7172-7182.23. (2014). Low-temperature properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 90(6), 064414. (Also on archiv.org.)24. (2014). Effect of annealing on spinodally decomposed Co2CrAl grown via floating zone technique. Journal of Crystal Growth, 401, 617-621. (Also on arxiv.org.)25. (2013). de Haas–van Alphen effect and Fermi surface properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 88(15), 155138. (Also on arxiv.org.)26. (2013). Phase Dynamics and Growth of Co2Cr1–xFexAl Heusler Compounds: A Key to Understand Their Anomalous Physical Properties. Crystal Growth & Design, 13(9), 3925-3934.27. (2011). Exploring the details of the martensite–austenite phase transition of the shape memory Heusler compound Mn2NiGa by hard x-ray photoelectron spectroscopy, magnetic and transport measurements. Applied Physics Letters, 98(25), 252501.28. (2011). Challenges in the crystal growth of Li2CuO2 and LiMnPO4. Journal of Crystal Growth, 318(1), 995-999.29. (2011). Self-flux growth of large EuCu 2 Si 2 single crystals. Journal of Crystal Growth, 318(1), 1043-1047.30. (2010). Influence of heat distribution and zone shape in the floating zone growth of selected oxide compounds. Journal of materials science, 45(8), 2223-2227.31. (2009). Highly ordered, half-metallic Co2FeSi single crystals. Applied Physics Letters, 95(16), 161903.32. (2009). Single-crystal growth of LiMnPO4 by the floating-zone method. Journal of Crystal Growth, 311(5), 1273-1277 (Also on uni-heidelberg.de.)33. (2008). Crystal growth of rare earth-transition metal borocarbides and silicides. Journal of Crystal Growth, 310(7), 2268-2276.

SciDre高温高压光学浮区炉德国SciDre公司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300bar，甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。耐高温、耐高压、高真空、高透光率、拆装简便的样品腔由德国弗劳恩霍夫应用光和精密工程研究所优化设计的高反射率镜面，镜体位置可由高精度步进马达控制调节光阑式光强控制器更方便地调节熔区温度，延长灯泡寿命 仿真化触屏控制软件界面友好，操作简单熔区测温选件测温技术可实时监测加热区温度多路立气路控制选件可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力， 并可对气体进行比例混合与熔区进行反应气体除杂选件可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm退火选件可对离开熔区的单晶棒提供高达1100℃退火温度和高压氧环境SciDre高温高压光学浮区炉特点● 采用垂直式光路设计● 采用高照度短弧氙灯，多种功率规格可选● 熔区温度：3000℃● 熔区压力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选● 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选● 采用光栅控制技术，加热功率从0-100% 连续可调● 样品腔可实现低至10-5mbar真空环境● 丰富的可升选件SciDre高温高压光学浮区炉技术参数熔区温度：高达2000 - 3000℃以上熔区压力：高至10、50、100、150、300 bar可选熔区真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选熔区气氛：Ar、O2、N2等可选气体流量：0.25 – 1 L/min流量可控氙灯功率：3kW至15kW可选料棒台尺寸：6.8mm或9.8mm可选拉伸速率：0.1-50mm/h调节速率：0.6 mm/s拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可选旋转速率：0-70rpm用电功率：400V三相 63A 50Hz 主机尺寸：330cm*163cm*92cm （不同规格略有差异）发表文章1. (2020)Single crystal growth and luminescent properties of YSH:Eu scintillator by optical floating zone method Chemical Physics Letters, Volume 738, 1369162. (2020)Anisotropic character of the metal-to-metal transition in Pr4Ni3O10 Phys. Rev. B 101, 1041043. (2020)Synthesis of a New Ruthenate Ba26Ru12O57 Crystals 2020, 10(5), 3554. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1- SrxNiO2 and Nd1- xSrxNiO3 Phys. Rev. Materials 4, 0844095. (2020)Magnetic phase diagram and magnetoelastic coupling of NiTiO3 Phys. Rev. B 101, 1951226. (2019)High pO2 Floating Zone Crystal Growth of the Perovskite Nickelate PrNiO3 Crystals 2019, 9(7), 3247. (2019)Magnetic properties of high-pressure optical floating-zone grown LaNiO3 single crystals Journal of Crystal Growth Volume 524, 15 October 2019, 1251578. (2019)Bulk single-crystal growth of the theoretically predicted magnetic Weyl semimetals RAlGe (R = Pr, Ce) Phys. Rev. Materials 3, 0242049. (2019)Pushing boundaries: High pressure, supercritical optical floating zone materials discovery Journal of Solid State Chemistry 270 (2019): 705-70910. (2018). Antiferromagnetic correlations in the metallic strongly correlated transition metal oxide LaNiO3. Nature Communications 9:4311. (2017). Single-crystal growth and physical properties of 50% electron-doped rhodate Sr 1.5 La 0.5 RhO 4 Physical Review Materials 1(4), 04400512. (2017). Single crystal growth and structural evolution across the 1st order valence transition in (Pr1-yYy) 1- xCaxCoO3-δJournal of Solid State Chemistry 254, 69-7413. (2017). Large orbital polarization in a metallic square-planar nickelate. Nature Physics 13, 864–86914. (2017). High-Pressure Floating-Zone Growth of Perovskite Nickelate LaNiO3 Single Crystals. Crystal Growth & Design 17(5), 2730-2735.15. (2017). High-pressure optical floating-zone growth of Li(Mn,Fe)PO4 single crystals. Journal of Crystal Growth, 462, 50-59.16. (2016). Evidence for a spinon Fermi surface in a triangular-lattice quantum-spin-liquid candidate. Nature 540, 559–562.17. (2016). Stacked charge stripes in quasi-2D trilayer nickelate La4Ni3O8. PNAS 2016 113 (32) 8945-8950.18. (2016). Single Crystal Growth of Pure Co3+ Oxidation State Material LaSrCoO4. Crystals, 6(8), 98.19. (2015). Floating zone growth of Ba-substituted ruthenate Sr2?xBaxRuO4. Journal of Crystal Growth, 427, 94-98.20. (2015). High pressure floating zone growth and structural properties of ferrimagnetic quantum paraelectric BaFe12O19. APL Materials 3, 062512.21. (2015). Impact of local order and stoichiometry on the ultrafast magnetization dynamics of Heusler compounds. Journal of Physics D: Applied Physics, 48(16), 164016.22. (2014). Brownmillerite Ca2Co2O5: Synthesis, Stability, and Re-entrant Single Crystal to Single Crystal Structural Transitions. Chemistry of Materials, 26(24), 7172-7182.23. (2014). Low-temperature properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 90(6), 064414. (Also on archiv.org.)24. (2014). Effect of annealing on spinodally decomposed Co2CrAl grown via floating zone technique. Journal of Crystal Growth, 401, 617-621. (Also on arxiv.org.)25. (2013). de Haas–van Alphen effect and Fermi surface properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 88(15), 155138. (Also on arxiv.org.)26. (2013). Phase Dynamics and Growth of Co2Cr1–xFexAl Heusler Compounds: A Key to Understand Their Anomalous Physical Properties. Crystal Growth & Design, 13(9), 3925-3934.27. (2011). Exploring the details of the martensite–austenite phase transition of the shape memory Heusler compound Mn2NiGa by hard x-ray photoelectron spectroscopy, magnetic and transport measurements. Applied Physics Letters, 98(25), 252501.28. (2011). Challenges in the crystal growth of Li2CuO2 and LiMnPO4. Journal of Crystal Growth, 318(1), 995-999.29. (2011). Self-flux growth of large EuCu 2 Si 2 single crystals. Journal of Crystal Growth, 318(1), 1043-1047.30. (2010). Influence of heat distribution and zone shape in the floating zone growth of selected oxide compounds. Journal of materials science, 45(8), 2223-2227.31. (2009). Highly ordered, half-metallic Co2FeSi single crystals. Applied Physics Letters, 95(16), 161903.32. (2009). Single-crystal growth of LiMnPO4 by the floating-zone method. Journal of Crystal Growth, 311(5), 1273-1277 (Also on uni-heidelberg.de.)33. (2008). Crystal growth of rare earth-transition metal borocarbides and silicides. Journal of Crystal Growth, 310(7), 2268-2276.用户单位中国科学院物理研究所中国科学院固体物理研究所北京师范大学中山大学南昌大学上海大学北京大学北京航空航天大学......

高精度光学浮区法单晶炉Quantum Design Japan公司推出的高温光学浮区法单晶炉，采用镀金双面镜、高反射曲面设计，温度可达2100℃-2200℃，系统采用高效冷却节能设计（不需要额外冷却系统），稳定的电源输出保证了灯丝的恒定加热功率......应用领域：✔ 高温超导体✔ 介电和磁性材料✔ 金属间化合物✔ 半导体/光学晶体/宝石产品特点：✔ 占地空间小，操作简单，易于上手，立支撑设计✔ 镀金双面高效反射镜，加热效率更高✔ 可实现温度达2150°C✔ 稳定的电源✔ 内置闭循环冷却系统，无需外部水冷装置✔ 采用商业化标准卤素灯 光学浮区法（垂直区熔法）也可以说是一种垂直的区熔法。在生长装置中，在生长的晶体和多晶棒之间有一段靠光学聚焦加热的熔区，该熔区有表面张力所支持。熔区自上而下或自下而上移动，以完成结晶过程。 浮区法的主要优点是不需要坩埚，也由于加热不受坩埚熔点限制，可以生长熔点高材料。生长出的晶体沿轴向有较小的组分不均匀性在生长过程中容易观察等。浮区法晶体生长过程中，熔区的稳定是靠表面张力与重力的平衡来保持，因此，材料要有较大的表面张力和较小的熔态密度。浮区法对加热技术和机械传动装置的要求都比较严格。镜面系统 部分生长晶体Photographs of (a) a wafer with a growth rate of 5 mm/h in pure oxygen. (b) An as-grown (Nb + ln) co-doped TiO2 crystal with growth rate of 5 mm/h in air and the crystal wafer cut perpendicular to the growth direction.发表文章1. Evidence of linear magnetoelectric effect in Mn4Nb2O9 single crystal, Journal of Alloys and Compounds, Volume 886,2021,161272,ISSN 0925-8388.2. Enhanced stability of floating-zone by modifying its liquid wetting ability and fluidity for YBa2Cu3O7-δ crystal growth, Ceramics International，Volume 47, Issue 4, 15 February 2021, Pages 5495-5501.3. Ultralow-temperature heat transport in the quantum spin liquid candidate Ca10Cr7O28 with a bilayer kagome lattice, PHYSICAL REVIEW B 97, 104413 (2018).4. 光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能, 硅酸盐学报 Vol. 45，No. 4，April，2017，P548-P552.5. High quality(InNb)0.1Ti0.9O2 single crystal grown using optical floating zone method, Journal of Crystal Growth 446(2016)74–78.国内合作用户，排名不分先后北京大学武汉大学中科院物理所吉林大学中科院硅酸盐所哈尔滨工业大学上海大学浙江师范大学南京大学浙江大学东南大学南方科技大学中科院宁波材料所曲靖师范学院西北工业大学

新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ Quantum Design Japan公司推出的激光浮区法单晶生长系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念，新一代高性能激光浮区炉（型号：LFZ-2kW）具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能，将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度！应用领域可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作，跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势：● 采用全新五束激光设计，确保熔区能量分布更加均匀 ● 更加科学的激光光斑优化方案，有助于降低晶体生长过程中的热应力● 采用了特的实时温度集成控制系统RIKEN（CEMS）设计的五束激光发生器原型机实物新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数： 加热控制加热类型5束激光激光功率2KW熔区温度2600℃ ~ 3000℃*温度稳定性+/-1℃晶体生长控制 晶体生长设计长度可达150mm*晶体生长设计直径可达8mm*晶体生长速度/转速可达 300mm/hr 100rpm样品腔可施加压力可达10bar样品腔气氛多种气路（O2/Ar/混合气等）可供选配晶体生长监控高清摄像头晶体生长控制PC控制*具体取决于材料及实验条件应用案例采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例： RubyDy2Ti2O7BaTiO3 Sr2RuO4 SmB6 Ba2Co2Fe12O22Y3Fe5O12 * 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供用户单位东京大学日本国立材料研究所

SciDre激光高压光学浮区炉激光加热高压浮区炉LKZ我们的激光加热浮区晶体生长炉LKZ的主要部分是5个波长为980 nm的300w二极管激光器。影响样品的激光束的矩形几何形状和尺寸可以在很大范围内改变，以适应不同的样品材料和杆径。除了可配置的激光加热系统，我们的LKZ炉最显著的特点之一是可以在高达300巴的高压下进行激光加热的FZ晶体生长。有LKZ版本的10巴，50巴，150巴和300巴最大。压力可用。过程气氛的组成和压力可以通过每个气体的独立质量流量控制器和易于自动化的压力调节器进行精确调节和控制。这种世界范围内独特的设置允许用户将熔体和大气之间的元素扩散控制到一定的等级，并管理材料的生长，由于其元素的高挥发性或所需相的亚稳定性质，在低气压下难以或不可能生产。我们专利的基于激光的后加热器系统为对样品进行额外的热处理提供了无与伦比的灵活性。真空涡轮泵直接连接到工艺室使用短和宽直径的管道。这确保了过程室内的良好真空，即使低于10-5毫巴也是可能的。为了进行超清洁生长，许多过程需要具有低氧分压的惰性气氛。我们可选的气体清洗系统可可靠地去除氩气中的氧气痕迹，残余O2浓度可降至10-12 ppm。此外，可以用高质量的双色高温计测量浮区以及进料和结晶棒的温度。所有熔炉都配备了精确的线性和旋转进料系统，用于同步或独立旋转，转速可达50转/分钟，线性拉出速率从0.1甚至0.01毫米/小时开始。一个快速齿轮是实现杆设置。高压驱动器是磁耦合的，完全封装，没有加压轴承。整套实验参数，如激光功率，拖动驱动器的直线和旋转运动，质量流量和气体压力由可编程逻辑控制器PLC控制。一个舒适的软件应用程序显示和直观地操作通过触摸屏结合所有相关的系统信息和过程调整在一个图形用户界面单元。LKZ系统的一个重要特点是易于扩展的模块化设计，它允许以一种简单且经济高效的方式进行附加和升级。耐高温、耐高压、高真空、高透光率、拆装简便的样品腔由德国弗劳恩霍夫应用光和精密工程研究所优化设计的高反射率镜面，镜体位置可由高精度步进马达控制调节光阑式光强控制器更方便地调节熔区温度，延长灯泡寿命 仿真化触屏控制软件界面友好，操作简单熔区测温选件测温技术可实时监测加热区温度多路立气路控制选件可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力， 并可对气体进行比例混合与熔区进行反应气体除杂选件可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm退火选件可对离开熔区的单晶棒提供高达1100℃退火温度和高压氧环境SciDre高温高压光学浮区炉特点● 采用垂直式光路设计● 采用高照度短弧氙灯，多种功率规格可选● 熔区温度：3000℃● 熔区压力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选● 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选● 采用光栅控制技术，加热功率从0-100% 连续可调● 样品腔可实现低至10-5mbar真空环境● 丰富的可升选件SciDre激光高压光学浮区炉技术参数熔区温度：高达2000 - 3000℃以上熔区压力：高至10、50、100、150、300 bar可选熔区真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选熔区气氛：Ar、O2、N2等可选气体流量：0.25 – 1 L/min流量可控氙灯功率：3kW至15kW可选料棒台尺寸：6.8mm或9.8mm可选拉伸速率：0.1-50mm/h调节速率：0.6 mm/s拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可选旋转速率：0-70rpm用电功率：400V三相 63A 50Hz 主机尺寸：330cm*163cm*92cm （不同规格略有差异）发表文章1. (2020)Single crystal growth and luminescent properties of YSH:Eu scintillator by optical floating zone method Chemical Physics Letters, Volume 738, 1369162. (2020)Anisotropic character of the metal-to-metal transition in Pr4Ni3O10 Phys. Rev. B 101, 1041043. (2020)Synthesis of a New Ruthenate Ba26Ru12O57 Crystals 2020, 10(5), 3554. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1- SrxNiO2 and Nd1- xSrxNiO3 Phys. Rev. Materials 4, 0844095. (2020)Magnetic phase diagram and magnetoelastic coupling of NiTiO3 Phys. Rev. B 101, 1951226. (2019)High pO2 Floating Zone Crystal Growth of the Perovskite Nickelate PrNiO3 Crystals 2019, 9(7), 3247. (2019)Magnetic properties of high-pressure optical floating-zone grown LaNiO3 single crystals Journal of Crystal Growth Volume 524, 15 October 2019, 1251578. (2019)Bulk single-crystal growth of the theoretically predicted magnetic Weyl semimetals RAlGe (R = Pr, Ce) Phys. Rev. Materials 3, 0242049. (2019)Pushing boundaries: High pressure, supercritical optical floating zone materials discovery Journal of Solid State Chemistry 270 (2019): 705-70910. (2018). Antiferromagnetic correlations in the metallic strongly correlated transition metal oxide LaNiO3. Nature Communications 9:4311. (2017). Single-crystal growth and physical properties of 50% electron-doped rhodate Sr 1.5 La 0.5 RhO 4 Physical Review Materials 1(4), 04400512. (2017). Single crystal growth and structural evolution across the 1st order valence transition in (Pr1-yYy) 1- xCaxCoO3-δJournal of Solid State Chemistry 254, 69-7413. (2017). Large orbital polarization in a metallic square-planar nickelate. Nature Physics 13, 864–86914. (2017). High-Pressure Floating-Zone Growth of Perovskite Nickelate LaNiO3 Single Crystals. Crystal Growth & Design 17(5), 2730-2735.15. (2017). High-pressure optical floating-zone growth of Li(Mn,Fe)PO4 single crystals. Journal of Crystal Growth, 462, 50-59.16. (2016). Evidence for a spinon Fermi surface in a triangular-lattice quantum-spin-liquid candidate. Nature 540, 559–562.17. (2016). Stacked charge stripes in quasi-2D trilayer nickelate La4Ni3O8. PNAS 2016 113 (32) 8945-8950.18. (2016). Single Crystal Growth of Pure Co3+ Oxidation State Material LaSrCoO4. Crystals, 6(8), 98.19. (2015). Floating zone growth of Ba-substituted ruthenate Sr2?xBaxRuO4. Journal of Crystal Growth, 427, 94-98.20. (2015). High pressure floating zone growth and structural properties of ferrimagnetic quantum paraelectric BaFe12O19. APL Materials 3, 062512.21. (2015). Impact of local order and stoichiometry on the ultrafast magnetization dynamics of Heusler compounds. Journal of Physics D: Applied Physics, 48(16), 164016.22. (2014). Brownmillerite Ca2Co2O5: Synthesis, Stability, and Re-entrant Single Crystal to Single Crystal Structural Transitions. Chemistry of Materials, 26(24), 7172-7182.23. (2014). Low-temperature properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 90(6), 064414. (Also on archiv.org.)24. (2014). Effect of annealing on spinodally decomposed Co2CrAl grown via floating zone technique. Journal of Crystal Growth, 401, 617-621. (Also on arxiv.org.)25. (2013). de Haas–van Alphen effect and Fermi surface properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 88(15), 155138. (Also on arxiv.org.)26. (2013). Phase Dynamics and Growth of Co2Cr1–xFexAl Heusler Compounds: A Key to Understand Their Anomalous Physical Properties. Crystal Growth & Design, 13(9), 3925-3934.27. (2011). Exploring the details of the martensite–austenite phase transition of the shape memory Heusler compound Mn2NiGa by hard x-ray photoelectron spectroscopy, magnetic and transport measurements. Applied Physics Letters, 98(25), 252501.28. (2011). Challenges in the crystal growth of Li2CuO2 and LiMnPO4. Journal of Crystal Growth, 318(1), 995-999.29. (2011). Self-flux growth of large EuCu 2 Si 2 single crystals. Journal of Crystal Growth, 318(1), 1043-1047.30. (2010). Influence of heat distribution and zone shape in the floating zone growth of selected oxide compounds. Journal of materials science, 45(8), 2223-2227.31. (2009). Highly ordered, half-metallic Co2FeSi single crystals. Applied Physics Letters, 95(16), 161903.32. (2009). Single-crystal growth of LiMnPO4 by the floating-zone method. Journal of Crystal Growth, 311(5), 1273-1277 (Also on uni-heidelberg.de.)33. (2008). Crystal growth of rare earth-transition metal borocarbides and silicides. Journal of Crystal Growth, 310(7), 2268-2276.用户单位中国科学院物理研究所中国科学院固体物理研究所北京师范大学中山大学南昌大学上海大学北京大学北京航空航天大学......

特征：日本CSC公司成功研制了一种四镜光学浮区炉.熔区水平的面的温度分布及其均匀,非常适合于用于生长高质量的单晶.FZ-T-10000-H-VII-VPO-PC(1) 通过使用四镜加热系统在熔区水平面获得了相当均匀的温度分布 (2) 提供多种类型的灯,以满足多种材料的应用 卤素灯: 根据客户制备的材料不同,有各种类型的灯供客户选择,其中包 括 (150W,300W,500W,1000W,1500W)。氙灯: 用于超高温浮区炉(3) 很宽泛的操作条件 通过使用一套独特的密封系统，很容易实现在高真空(5× 10-5　torr) 到高压力(10 bar) 下流量及压力的控制。(4) 计算机远程控制 规格参数：FZ-T-800-H Desktop TypeFZ-T-4000-HStandard TypeFZ-T-10000-H High Power TypeFZ-T-12000-X Super High Temp Type典型客户：中科院沈阳金属所山东大学中国科学技术大学

我公司研发生产的坩埚下降法生长的单晶炉设备，是一种常用的晶体生长方法又叫布里奇曼晶体生长法。把原料装在坩埚内，并通过控制加热炉体缓慢的上升，形成一个温度梯度，炉温控制在略高于材料的熔点，在通过加热区域时，坩埚中的材料被熔融，当炉体持续上升时，坩埚底部材料低于熔点以下，并开始结晶，晶体随炉体上升而持续长大。这种方法通常拥有金属单晶双晶的生长，用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶生长等。我公司在晶生长拥有丰富的经验，其中自主研发生长的单晶有三十多种，有6种单晶生长都是全世界唯一的。我公司可以免费培训单晶生长技术，欢迎你与我公司联系洽谈！具体信息请点击查看：

直拉法晶体生长系统CGS1218单晶炉，专为符合半导体行业的严格要求而设计。该系统采用模块化设计，且可以配置钢丝软轴或硬轴。配合特殊的晶体轴配置能够达到最高的精度，因此确保了提拉速度的线性可调和可重复性。CGS1218单晶炉的特点是其拥有一个组合式炉室，并允许在同样的热工条件下改变加料量。该系统可装载 32 – 36英寸热场，并配有交互式软件系统控制的单个或双摄像头。产品数据概览:最大晶棒直径： 12- 18英寸晶棒长度： 最大2,100 毫米装料容量 300公斤-450公斤热场 32 – 36英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

直拉法晶体生长系统SC28单晶炉专为200-300毫米（8-12英寸）单晶硅的工业生产而设计。该系统可灵活配置，满足客户对产品的特殊要求，例如客户要求的炉室部件的旋出方向，或将各种不同的泵组和除尘罐系统连接到真空系统等要求。该设备凭借其紧凑型设计、较小的占地面积，以及对提拉头的巧妙设计可实现超高精度的同时，满足工业大规模生产的特殊要求。可按照客户要求提供磁场的安装配套。产品数据概览：最大晶棒直径： 8- 12英寸晶棒长度： 长达3,600 毫米装料容量： 高达450公斤 热场： 28英寸 / 32英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

四电弧高温单晶生长炉 日本GES公司生产的四电弧高温单晶生长炉，采用电弧放电的高温材料合成方法，非常适合生长化学性质活跃但熔点高（一般在3000摄氏度左右）的金属间化合物，包括含有稀土元素（或者金属铀）的二元及四元金属间化合物，例如UGe2, UPt3, V3Si, URu2Si2, RE2Co17 , CePd2Al3, REFe10Ti2 合金单晶以及Nd2Fe14B, URhAl, UNiAl and RENi5等合金单晶。生长的过程中，原料放在旋转的铜坩埚中，四个电同时放电形成高温熔化原料，精密控制的拉晶棒使用Czochralski方法将熔化的原料拉成单晶。样品室的真空度可达10-6托，也可以充入保护性气体。产品特点* 采用四电弧法加热* 可实现3000°C高温* 适用于金属间化合物材料基本参数样品腔：高温度：3000℃气氛：Ar工作压强：5x10-6 Torr~1.1Atm真空度：10-6 Torr尺寸:直径208*300H材料:不锈钢冷却:水冷提拉棒：提拉生长速度：0.1-39mm/hr转动速度:0-10rpm行程：150mm坩埚：转动速度：0-10rpm行程：20mm电弧电流：样品：25/30A（可调） 真空吸气剂：25/30A（可调）炉体：重量：350Kg尺寸：600W*700D*2155H工作原理图发表文章1. Single-Crystal Growth of f-Electron Intermetallics in a Tetra-Arc Czochralski Furnace. ACTA PHYSICA POLONICA A (2013), 124 (2):336-339.2. Crystal structure and magnetic properties of the ferromagnet CoMnSb. Proc. J-Physics 2019: Int. Conf, Multipole Physics and Related Phenomena JPS Conf. Proc. , 013004 (2020).国内用户单位北京大学中科院物理所复旦大学国外用户单位Tokyo UniversityOkayama UniversityOsaka UniversityUniversity of California San DiegoUniversity of MarylandVienna University of Technology

直拉法晶体生长系统SC 24单晶炉专为单晶硅晶体（硅锭）的工业生产而研发。该系统的模块化设计理念可根据客户的需求而进行灵活的调整。低能耗优化设计的24英寸热系统（热场）可以实现160公斤填料（无需加料器），生产直径 230 毫米 (9英寸) 的晶体。根据直径和装载量的不同，该设备可拉制的晶体最大长度为 2.9 米。拉晶速度最大可达到10毫米/分钟，晶转和埚转的转速高达35转/分钟。借助用于直径测量的摄像系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。用于工艺控制和监控的图文控制界面操作简单友好，并针对大规模生产进行了优化。 产品数据概览 : 最大晶棒直径： 最长230 毫米晶棒长度： 最长2,900 毫米 装料容量： 160公斤-220公斤热场： 24英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

CGS-Lab单晶炉是PVA产品线中最小的直拉法晶体生长系统，专门为研究所和实验室设计。10 英寸热系统的设计用于最多 5 公斤的加料量和生长直径为 100 毫米、长度为 300 毫米的硅锭。设备开炉状态时高度为3.4米，对安装场地的高度要求相当低。晶体提升速度和旋转速度适用于生产特定尺寸的晶棒。借助用于直径测量的相机系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。提供适合工厂需求的真空泵和除尘器 (SiO) 系统。产品数据概览:最大晶棒直径： 4英寸晶棒长度： 最长300 毫米装料容量： 高达5公斤热场： 10英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

单晶炉自动化喷砂房的特点:炉体的仿型喷砂,环保除尘,不锈钢喷砂均匀无人工.单晶炉自动化喷砂房的功能:全自动化喷砂单晶炉自动化喷砂房用途:自动化全覆盖

一、设备概况1.1产品应用：主要用于2～6英寸锗单晶、砷化镓，碲锌镉等化合物晶体的生长。1.2产品型号：DJL210S1.3产品特点：1.3.1工业计算机控制系统（WINDOWS 系统界面，操作方便简洁）；1.3.2关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性；1.3.3控温精度高，温区控温稳定性好；1.3.4具有断电报警、超温/欠温报警、极限超温报警等多种安全保护功能；1.3.5晶体生长均匀性好、重复性高。二、主要技术参数工作温度600～1280℃适应晶体尺寸2～6英寸装料量15Kg/炉加热控制7段控制温区长度800mm±0.5℃（1000～1280℃） （可定制）升温速率15℃/min升降行程900mmzui小升降速率（VB）0.1mm/h配套设备合成炉、铸锭炉、脱氧封管炉等三、售后服务及培训3.1技术培训设备试生产运行前，卖方负责培训买方相关操作和维修人员，内容包括设备操作维护、故障的分析和处理。3.2售后服务质保期内设备如发生故障，在得到买方通知后 4 个小时给答复，24 小时内卖方派有经验的工程师到现场进行维修。卖方对设备提供终生的免费技术支持，随时处理、解答买方提出的技术问题。质保期内每年派出 1～2 名相关技术人员到厂作指导及进行相应维护。技术培训和售后服务期间卖方人员的费用由卖方承担。四、设备验收4.1设备交货期见商务合同4.2交货方式设备在买方的施工现场安装调试完毕、连续试生产正常运行 30 日后，验收合格整体交货。设备到货开箱前卖方应提前3天通知买方，由买方、卖方和监理共同进行设备的初验。卖方在设备包装发货前10天通知买方到卖方制造现场验收，经买方验收人员验收合格签字后确定发货时间 设备验收时须提供相关验收资料，但不作为设备的结束验收。

产品名称SKJ-BG1650-1650℃布里奇曼单晶生长炉主要特点1、Φ42的氧化铝样品台，一热电偶探在样品台底部，测其坩埚底部温度。一根热偶从上方插入到坩埚内部，实时监测其样品温度，也可测出整个炉体内的温度分布2、电动升降样品台，便于客户放样/取样3、当客户需要大的温度梯度时，可选用三温区炉体，采用莫来石炉管，具有较好抗热震性技术参数1、电源AC220V 50/60Hz,单相最大功率：9.5KW 2、工作温度最高工作温度：1650℃（1小时）连续工作温度：1600℃3、加热元件：硅钼棒4、炉管&法兰 高纯氧化铝炉管，其尺寸问Φ80×1000mm 配有一套不锈钢密封法兰，允许在真空或气氛保护环境下进行晶体生长 5、样品台Φ42×40mm氧化铝样品台B型热偶插入到样品台底部，可实时测量坩埚温度6、坩埚装载自动样品台升降，便于坩埚放置/取样最大行程700mm7、加热区单温区，温区长度200mm可选购三温区炉体，形成较大的温度梯度（每个温区长度100mm,总温区300mm）8、控温系统采用PID方式控温，可设置24段升降温程序带有超温和断偶保护采用欧陆仪表（Eurotherm），控温精度可达：±0.1℃热电偶：B型热偶（一热电偶探在样品台底部，测其坩埚底部温度。一根热偶从上方插入到坩埚内部，实时监测其样品温度，也可测出整个炉体内的温度分布）控制界面：在一触摸屏上设置和检测各参数，如加热温度，加热速率，移动速度和移动位移等9、炉体移动行程&速度炉体最大移动行程为200mm移动速度：0.03~3mm/小时10、真空泵（可选）真空度：10E-3Torr(采用机械泵） 10-5Torr(采用分子泵)可在本公司选购各种真空泵产品规格设备尺寸：1155（L）×930（W）×2300mm（H）

FKS3351ND进口单晶硅压力变送器描述 美国FAWKES（福克斯）FKS3351ND单晶硅压力/差压变送器用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度、压力，然后将其转变成4-20mA HART电流信号输出，也可与BST9900、HART375或BST Modem相互通信，通过他们进行参数设定、过程控制FKS3351ND进口单晶硅压力变送器特点： 工业级精度 稳定准确，精度可达0.075级 量程覆盖 双保护膜片 稳定性能优越 阻尼可调，耐过压性强 使用寿命长，是普通扩散硅压力的2倍以上，稳定性强FKS3351ND进口单晶硅压力变送器： 产 品 名 称：FKS3351ND单晶硅压力变送器 测 量 类 型：压力/差压/绝压 测 量 范 围：0~160pa-40MPa准 确 度 等 级：0.1级、0.2级、0.5级 膜 片 材 质：316L/钽膜片/ 蒙乃尔膜片 /哈氏合金膜片 显 示 类 型：LCD显示 输 出 类 型：4-20MA /4-20MA+HART/1-5V/ RS485防 爆 类 型：普通型/隔爆型ExdIⅡICT6 Gb/本安型ExialICT6 Ga接 线 方 式：M20X1.5 1/2NPT G1/2内螺纹 安 装 支 架：管装弯支架/板装弯支架/板装平支架FKS3351ND进口单晶硅压力变送器电路接线

SciDre激光高压光学浮区炉激光加热高压浮区炉LFZ我们的激光加热浮区晶体生长炉LFZ的主要部分是5个波长为980 nm的300w二极管激光器。影响样品的激光束的矩形几何形状和尺寸可以在很大范围内改变，以适应不同的样品材料和杆径。除了可配置的激光加热系统，我们的LKZ炉最显著的特点之一是可以在高达300巴的高压下进行激光加热的FZ晶体生长。有LFZ版本的10巴，50巴，150巴和300巴最大。压力可用。过程气氛的组成和压力可以通过每个气体的独立质量流量控制器和易于自动化的压力调节器进行精确调节和控制。这种世界范围内独特的设置允许用户将熔体和大气之间的元素扩散控制到一定的等级，并管理材料的生长，由于其元素的高挥发性或所需相的亚稳定性质，在低气压下难以或不可能生产。我们专利的基于激光的后加热器系统为对样品进行额外的热处理提供了无与伦比的灵活性。真空涡轮泵直接连接到工艺室使用短和宽直径的管道。这确保了过程室内的良好真空，即使低于10-5毫巴也是可能的。为了进行超清洁生长，许多过程需要具有低氧分压的惰性气氛。我们可选的气体清洗系统可可靠地去除氩气中的氧气痕迹，残余O2浓度可降至10-12 ppm。此外，可以用高质量的双色高温计测量浮区以及进料和结晶棒的温度。所有熔炉都配备了精确的线性和旋转进料系统，用于同步或独立旋转，转速可达50转/分钟，线性拉出速率从0.1甚至0.01毫米/小时开始。一个快速齿轮是实现杆设置。高压驱动器是磁耦合的，完全封装，没有加压轴承。整套实验参数，如激光功率，拖动驱动器的直线和旋转运动，质量流量和气体压力由可编程逻辑控制器PLC控制。一个舒适的软件应用程序显示和直观地操作通过触摸屏结合所有相关的系统信息和过程调整在一个图形用户界面单元。LKZ系统的一个重要特点是易于扩展的模块化设计，它允许以一种简单且经济高效的方式进行附加和升级。耐高温、耐高压、高真空、高透光率、拆装简便的样品腔由德国弗劳恩霍夫应用光和精密工程研究所优化设计的高反射率镜面，镜体位置可由高精度步进马达控制调节光阑式光强控制器更方便地调节熔区温度，延长灯泡寿命 仿真化触屏控制软件界面友好，操作简单熔区测温选件测温技术可实时监测加热区温度多路立气路控制选件可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力， 并可对气体进行比例混合与熔区进行反应气体除杂选件可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm退火选件可对离开熔区的单晶棒提供高达1100℃退火温度和高压氧环境SciDre高温高压光学浮区炉特点● 采用垂直式光路设计● 采用高照度短弧氙灯，多种功率规格可选● 熔区温度：3000℃● 熔区压力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选● 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选● 采用光栅控制技术，加热功率从0-100% 连续可调● 样品腔可实现低至10-5mbar真空环境● 丰富的可升选件SciDre激光高压光学浮区炉技术参数熔区温度：高达2000 - 3000℃以上熔区压力：高至10、50、100、150、300 bar可选熔区真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选熔区气氛：Ar、O2、N2等可选气体流量：0.25 – 1 L/min流量可控氙灯功率：3kW至15kW可选料棒台尺寸：6.8mm或9.8mm可选拉伸速率：0.1-50mm/h调节速率：0.6 mm/s拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可选旋转速率：0-70rpm用电功率：400V三相 63A 50Hz 主机尺寸：330cm*163cm*92cm （不同规格略有差异）发表文章1. (2020)Single crystal growth and luminescent properties of YSH:Eu scintillator by optical floating zone method Chemical Physics Letters, Volume 738, 1369162. (2020)Anisotropic character of the metal-to-metal transition in Pr4Ni3O10 Phys. Rev. B 101, 1041043. (2020)Synthesis of a New Ruthenate Ba26Ru12O57 Crystals 2020, 10(5), 3554. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1- SrxNiO2 and Nd1- xSrxNiO3 Phys. Rev. Materials 4, 0844095. (2020)Magnetic phase diagram and magnetoelastic coupling of NiTiO3 Phys. Rev. B 101, 1951226. (2019)High pO2 Floating Zone Crystal Growth of the Perovskite Nickelate PrNiO3 Crystals 2019, 9(7), 3247. (2019)Magnetic properties of high-pressure optical floating-zone grown LaNiO3 single crystals Journal of Crystal Growth Volume 524, 15 October 2019, 1251578. (2019)Bulk single-crystal growth of the theoretically predicted magnetic Weyl semimetals RAlGe (R = Pr, Ce) Phys. Rev. Materials 3, 0242049. (2019)Pushing boundaries: High pressure, supercritical optical floating zone materials discovery Journal of Solid State Chemistry 270 (2019): 705-70910. (2018). Antiferromagnetic correlations in the metallic strongly correlated transition metal oxide LaNiO3. Nature Communications 9:4311. (2017). Single-crystal growth and physical properties of 50% electron-doped rhodate Sr 1.5 La 0.5 RhO 4 Physical Review Materials 1(4), 04400512. (2017). Single crystal growth and structural evolution across the 1st order valence transition in (Pr1-yYy) 1- xCaxCoO3-δJournal of Solid State Chemistry 254, 69-7413. (2017). Large orbital polarization in a metallic square-planar nickelate. Nature Physics 13, 864–86914. (2017). High-Pressure Floating-Zone Growth of Perovskite Nickelate LaNiO3 Single Crystals. Crystal Growth & Design 17(5), 2730-2735.15. (2017). High-pressure optical floating-zone growth of Li(Mn,Fe)PO4 single crystals. Journal of Crystal Growth, 462, 50-59.16. (2016). Evidence for a spinon Fermi surface in a triangular-lattice quantum-spin-liquid candidate. Nature 540, 559–562.17. (2016). Stacked charge stripes in quasi-2D trilayer nickelate La4Ni3O8. PNAS 2016 113 (32) 8945-8950.18. (2016). Single Crystal Growth of Pure Co3+ Oxidation State Material LaSrCoO4. Crystals, 6(8), 98.19. (2015). Floating zone growth of Ba-substituted ruthenate Sr2?xBaxRuO4. Journal of Crystal Growth, 427, 94-98.20. (2015). High pressure floating zone growth and structural properties of ferrimagnetic quantum paraelectric BaFe12O19. APL Materials 3, 062512.21. (2015). Impact of local order and stoichiometry on the ultrafast magnetization dynamics of Heusler compounds. Journal of Physics D: Applied Physics, 48(16), 164016.22. (2014). Brownmillerite Ca2Co2O5: Synthesis, Stability, and Re-entrant Single Crystal to Single Crystal Structural Transitions. Chemistry of Materials, 26(24), 7172-7182.23. (2014). Low-temperature properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 90(6), 064414. (Also on archiv.org.)24. (2014). Effect of annealing on spinodally decomposed Co2CrAl grown via floating zone technique. Journal of Crystal Growth, 401, 617-621. (Also on arxiv.org.)25. (2013). de Haas–van Alphen effect and Fermi surface properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 88(15), 155138. (Also on arxiv.org.)26. (2013). Phase Dynamics and Growth of Co2Cr1–xFexAl Heusler Compounds: A Key to Understand Their Anomalous Physical Properties. Crystal Growth & Design, 13(9), 3925-3934.27. (2011). Exploring the details of the martensite–austenite phase transition of the shape memory Heusler compound Mn2NiGa by hard x-ray photoelectron spectroscopy, magnetic and transport measurements. Applied Physics Letters, 98(25), 252501.28. (2011). Challenges in the crystal growth of Li2CuO2 and LiMnPO4. Journal of Crystal Growth, 318(1), 995-999.29. (2011). Self-flux growth of large EuCu 2 Si 2 single crystals. Journal of Crystal Growth, 318(1), 1043-1047.30. (2010). Influence of heat distribution and zone shape in the floating zone growth of selected oxide compounds. Journal of materials science, 45(8), 2223-2227.31. (2009). Highly ordered, half-metallic Co2FeSi single crystals. Applied Physics Letters, 95(16), 161903.32. (2009). Single-crystal growth of LiMnPO4 by the floating-zone method. Journal of Crystal Growth, 311(5), 1273-1277 (Also on uni-heidelberg.de.)33. (2008). Crystal growth of rare earth-transition metal borocarbides and silicides. Journal of Crystal Growth, 310(7), 2268-2276.用户单位中国科学院物理研究所中国科学院固体物理研究所北京师范大学中山大学南昌大学上海大学北京大学北京航空航天大学......

产品名称：A-Z单晶蒸发料产品简介：产品规格：1-6mm，不规则形状；规格形状，3x3x3mm，5x5x5mm；可按照客户要求加工尺寸产品种类：Al2O3YSZCdWO4NdCaAlO4GGGLSATLaAlO3LaSrAlO4SrTiO3MgAl2O4TiO2MgO 标准包装：1000级超净室100级超净袋包装 规则形状 不规则形状 相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

产品介绍： 1.产品概述： STADIVARI是STOE公司推出的一款具有划时代意义的新型单晶衍射仪，配备微聚焦点光源（可选双靶或液态金属靶）、三维聚焦镜、Pilatus探测器、OPEN Eulerian Cradles四圆测角仪，完美兼容高压DACs、高低温附件等，是目前市面上配置高、性能先进的单晶衍射仪；广泛应用于化学晶体学、分子生物学、药物学、矿物学和材料科学等方面的分析研究。 仪器主要用于测定新化合物（晶态）分子的准确三维空间（包括键长、键角、构型、构象乃至成键电子密度）及分子在晶格中的实际排列状况，可以提供晶体的晶胞参数、所属空间群、晶体分子结构、分子间氢键和弱作用的信息以及分子的构型及构象等结构信息。2.产品特点： 新一代Genix 3D微聚焦点光源； 三维全反射多层膜聚焦镜； OPEN Eulerian Cradles 四圆测角仪； 大样品空间，支持原位实验； 高性能 Pilatus 混合像素探测器，零噪音，单光子计数能力； 完美支持高压DACs、高低温样品台等附件。

紧凑型台式克佐拉尔斯基工艺炉HCO能够在高达150巴的环境气体压力下从充满熔体的坩埚中取出单晶。气体管理系统可调节压力、流量和工艺气氛，以及工艺室的疏散。通常使用的气体是纯氧，氩气或两者的可变混合物，但几乎任何其他气体，也包括在生长过程中干扰熔体的活性气体，都可以引入。高压气氛对熔体中晶体生长有两种影响。一方面，高压禁止挥发性成分从熔体中分离，防止化学计量变化。另一方面，规定的纯气体和混合气体的高压气氛可以支持形成或阻止某些所需相的分解，并抑制杂质相的形成。由于HCO系统对每种气体都有独立的质量流量控制，因此可以自由调节各个分压和流量。这种世界范围内独特的设置允许用户控制材料的生长，由于其元素的高挥发性或某些相的亚稳态性质，在低压下很难或不可能产生这些材料。坩埚的内径可达70毫米，可生长直径达2.5英寸的晶体。在坩埚-熔体相互依赖方面，可以从广泛的可能物质中选择最适合的坩埚材料，以尽量减少坩埚对熔体成分的影响。根据预期的工艺和坩埚材料，电阻加热装置可以达到1700°C的温度。为了拉动晶棒，我们采用了磁耦合进给系统。这允许高度精确，均匀的拉速和旋转。快速齿轮实现舒适的设置过程。整个运动系统完全封装，没有加压轴承，可在所有可能的压力制度下使用。许多过程需要惰性气氛，其中氧气的分压尽可能低。可选的活性氩气净化系统GRS从流动的氩气中可靠地去除氧颗粒，并在高压条件下将O2浓度降至10-12 ppm。整套实验参数，如拖动驱动器的直线和旋转运动，气体混合物，气体流量，气体压力和加热功率由内置计算机控制。一个舒适的软件应用程序在一个用户界面单元中结合了所有相关的系统信息和过程调整。HCO系统的一个非常重要的特点是高度可开发和易于扩展的设计，它允许根据个人需求定制结构和规格，以及以简单和经济高效的方式安装附加组件。技术细节:气体压力:在工艺室中可达150bar可自由独立调节不同气体的分压和流量(典型气体:氩气和氧气)真空:低至10-5毫巴，宽直径涡轮泵连接坩埚内径:可达70毫米坩埚体积:300ml(标准配置)温度:高达1700°C牵引系统:精确的磁力耦合牵引和旋转馈入系统，没有加压轴承所有系统参数都可以通过内置计算机和软件应用程序轻松控制和调节功率坡道和旅行坡道功能所需实验室连接:按规定压力供气排风系统电源:三相交流，50hz, 400v冷却水

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

锗片、锗衬底 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径锗片、锗衬底 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 电阻率 0.02-0.04 ohm.cm 4、高纯度高纯锗HPGe晶体 说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.999 999 99%-99.999 999 999 99%（10 N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。提供各种规格锗单晶、锗片（锗衬底），包含8英寸及以上的规格锗片

D8 VENTURE/QUEST—面向未来的单晶X射线衍射仪D8 VENTURE/QUEST是布鲁克公司推出的新款，功能强大的X射线单晶衍射仪。 一体化的设计， 配备目前世界上先进的光源以及PHOTON III MMPAD探测器，帮助您测试最富有挑战性的晶体，获得好的数据质量。 其主要特点为：● 同时适合小分子晶体学和蛋白质晶体学的研究需要，应用范围广。● 新一代的lus 3.0微焦斑光源，性能娘美微焦斑转靶，零维护，寿命超长。● 液态金属靶MetalJET，室内X射线光源， 强度远● 远高千微焦斑转靶，让您拥有个人的“同步辐射＂ ，解决最难的晶体学问 题， 比如GPCR膜蛋白的结构。● 采用四代光源XFEL探测器技术的PHOTON III MMPAD混合光子计数探测器，● 超大面积，超快速度， 零噪音， 单光子检测的灵敏度。● 双靶配置， 软件自动切换光源。 满足不同类型的研究需要。 元件自动识别， 智能化光路管理。● 新一代的APEX3/PROTEUM3软件， 功能强大， 智能化程度高， 轻松操控仪器， 获得好数据。● lus Diamond微焦斑光源， 零维护， 性能超越微焦斑转靶。

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。 规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

产品名称：ALN单晶（进口） 技术参数：晶向：0001±1°尺寸：9.9x9.9x0.5±0.05mm吸收系数：Absorption coefficient 80 cm-1Etch pit density(EPD)： 1E5 cm-2可用面积Usable area： 80 %边缘排除edge exclusion：1.0 mm表面粗糙度：Al 面: CMP polish (RMS 0.8 nm), N 面: optical polish (RMS 3 nm)位错密度dislocation density： 1E5 cm-2XRD摇摆曲线图(spot size 10 x 1 mm2)：FWHM (002): 0.3°，FWHM (102) 0.5° 产品规格：9.9x9.9x0.5±0.05mm 标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装盒

劳厄单晶取向测试系统：背散射劳厄测试系统，实时确定晶体方向，精度高达0.1度；PSEL 软件定向误差低至 0.05度；多晶硅片二维定向mapping；大批量样品筛选；超20kg重负荷样品定位 水平放置系统 特征优点200um 光束尺寸可测量小 晶体电动位移台可沿生长轴轴向扫描电动角位移与同步加速器/中子设备直接兼容手动角位移与切割刀具直接兼容 垂直放置系统 特征优点200um 光斑适用于小晶粒的多晶结构大范围电动线性扫描位移台允许自动晶圆mapping或多个样品电动Z 轴驱动适用大尺寸晶棒或样品手动角位移允许定位到+/- 0.02度精度 配备PSEL CCD 背反射劳厄X-RAY 探测器：有效输入探测面约： 155*105 mm最小输入有效像素尺寸83um，1867*1265 像素阵列可选曝光时间从1ms 到35分钟芯片上像素叠加允许以牺牲分辨率为代价增强灵敏度自动背景扣除模式16位高精度采集模式12位快速预览模式PSEL 劳厄影像采集处理专业软件 劳厄影像校准软件：自动检测衍射斑点，并根据参考晶体计算斑点位置；根据测角仪和晶体轴自动计算定向误差(不需要手动拟合扭曲的图形)以CSV格式保存角度测量值，以进一步保证质量的可追溯性；顶部到底部的终端用户菜单，允许资深结晶学用户自行逐步确认定位程序；基于Python的软件，允许使用套接字命令对现有软件/系统进行远程访问控制； 系统附件包括：劳厄X-RAY 探测器劳厄校准软件高亮度X-RAY 发生器电动/手动 角位移台& 高精度位移台；样本定位/视频监控 摄像头；激光距离传感器/操纵杆典型劳厄衍射应用图样： 劳厄单晶取向测试系统应用方向：探测器材料： HgCdTe/CdTe, InGaAs, InSb 窗口玻璃材料&压电/铁电陶瓷： Al2O3, Quantz，LiNbO3金属合金： 钨，钼，镍基合金；激光晶体材料： YAG, KTP, GaAs薄膜/半导体基地材料： AIN, InP SiC 磁性&超导材料: BCO/BSCCO/HBCCO, FeSe， NbSn/NbTi闪烁体材料： BGO/LYSO, CdWO4, BaF2/CaF2

产品名称：单晶靶材 产品简介：我公司是各种靶材的专业生产商。可为光学镀膜、半导体、磁数据存储，玻璃，机械加工等镀膜企业和科研院所提供高品质（高纯度、高致密度、单相性好）的靶材。不仅满足了国内科研院所及相关企业的需求，而且远销至美国、德国、日本、韩国、新加坡等国家和地区，并得到客户的称赞和信赖。欢迎来函来电定购。本公司生产的单晶靶材由单晶棒制作，质量可靠，为广大用户理想选择。 具体信息：材料纯度相对密度最大直径Al2O34N100%4"CaF24N100%2"GaAs5N100%2"GaP5N100%2"LaAlO34N100%3"LiNbO34N100%3"LiTaO34N100%3"MgO4N100%2"SrTiO34N100%1"SiO24N100%4"Si5N100%6"Ge5N100%4"YSZ4N100%2"

X-3/4/4A型高精度X射线单晶定向仪 此3种型号为双晶衍射型高精度定向仪，强度较低。主要用于测定高精度水晶晶片以及其他单晶材料。 型号 角度显示方式 测角精度 角度显示精度 X-3型 刻度显示 ± 15&Prime 最小读数15&Prime X-4型 数字显示 ± 15&Prime 最小读数10&Prime X-4A型 数字显示 ± 15&Prime 最小读数1&Prime 技术指标: 完全符合国家最新标准（JB/T5482-2004），并达到国外相似型号仪器水平。 输入电源：单相交流220V，50Hz,0.5kW X射线管：铜靶，风扇冷却 最大管电压电流：30Kv，mA 时间常数：0.4，0.8秒 测角范围：2&theta ＝10～120° ，&theta =-10～60° 角度读数：刻度环上标出最小读数为：2&theta ：1° ，&theta ：1° 数字显示以度、分、秒表示 角度调整：数字显示可予置在作任何角度上 主 光 匣：手动 显示板：角度显示，射线强度表。 附件：陶瓷真空样品架，长条样品架。弹簧样品架、大块样品架为任选件 单 色 器：内置 综合精度：± 15&Prime 外型尺寸：1140（长）× 650（宽）1100× （高）mm 重量：300kg具体信息请点击查看：