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反应式离子蚀刻机
仪器信息网反应式离子蚀刻机专题为您提供2024年最新反应式离子蚀刻机价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括反应式离子蚀刻机参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的反应式离子蚀刻机您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合反应式离子蚀刻机相关的耗材配件、试剂标物,还有反应式离子蚀刻机相关的最新资讯、资料,以及反应式离子蚀刻机相关的解决方案。
反应式离子蚀刻机相关的方案
蚀刻剂中氯化亚铁含量的测定 应用资料
蚀刻剂中氯化亚铁含量的测定 应用资料(英文版)当蚀刻剂样品不含氯离子时,向样品中加入硫酸后,通过用0.01mol/L高锰酸钾溶液滴定来测量氯化亚铁浓度。在本应用中,由于样品含有氯离子,在滴定前加入硫酸锰以避免干扰反应。如果样品含有过多的氯离子,通过真空蒸发浓缩除去大部分氯化氢。
等离子技术在蚀刻领域的应用
等离子技术蚀刻的应用范围-任何需要进行精确且高效修改的材料表面。 -用于蚀刻塑料、 半导体、玻璃
可睦电子(KEM):全自动滴定仪测定蚀刻剂中的铜离子含量
全自动滴定仪测定蚀刻剂中的铜离子含量使用日本京都电子公司(KEM)-自动电位滴定仪(AT-510),测定蚀刻剂中铜离子含量的应用资料。
Hakuto 离子蚀刻机20IBE-J 用于陶瓷基片银薄膜减薄
某陶瓷基片制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄, 通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄, 并降低工差, 提高薄膜均匀性.
全自动滴定仪测定蚀刻剂中的铜离子含量
全自动滴定仪测定蚀刻剂中的铜离子含量使用日本京都电子公司(KEM)-自动电位滴定仪(AT-510),测定蚀刻剂中铜离子含量的应用资料。
上海伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷板 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀
深圳某电子公司采用Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 对陶瓷板的 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀, 高端印制电路板生产为主
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于制作闪耀罗兰光栅
长春某研究所在制作闪耀罗兰光栅的研究中采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE,制造出的闪耀罗兰光栅比其他工艺制造的光栅产品整体衍射效率高25%, 实现高衍射效率闪耀罗兰光栅制作, 且工艺可控、稳定, 所制作的闪耀罗兰光栅衍射效率高于市场同类产品.
铝蚀刻液成分分析—磷酸、硝酸、醋酸有多少?
蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版,也广泛地被使用于仪器镶板,铭牌等的加工;经过不断改良和工艺设备发展,亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工,特别在半导体制程上,蚀刻更是不可或缺的技术。
解决方案|离子色谱法测定蚀刻液中的氯离子、硝酸根离子和硫酸根离子
目前,测定溶液中的离子常用的方法为离子色谱法,本文作者根据以往经验通过对样品前处理及实验条件的摸索,建立了离子色谱法测定蚀刻液中氯离子、硝酸根离子和硫酸根离子方法,供相关人员参考。
蚀刻剂中三氯化铁含量的测定 应用资料
蚀刻剂中三氯化铁含量的测定 应用资料测量蚀刻剂中三氯化铁浓度的方法如下所示。作为预处理,在锥形烧瓶中向精确称重的样品中加入盐酸、纯水和碘化钾,并用塞子密封。将烧瓶置于冷暗室中5分钟以上后,用0.1mol/L硫代硫酸钠滴定游离碘(I2),以测定三氯化铁浓度。
蚀刻剂中盐酸含量的测定 应用资料
蚀刻剂中盐酸含量的测定 应用资料稀释后的样品用1mol/L氢氧化钠进行滴定。终点是滴定曲线上的最大拐点。盐酸浓度由氢氧化钠溶液的滴定体积计算得出。
铝蚀刻液混酸(硝酸、磷酸、醋酸)的测定 应用资料
铝蚀刻液混酸(硝酸、磷酸、醋酸)的测定 应用资料在半导体制程上,铝蚀刻液主要成分是硝酸、磷酸、醋酸和水,其中硝酸、磷酸、醋酸和水的组成比例会影响到蚀刻的速率,故需要对这种混酸溶液的成分进行分析。在本应用说明中,描述了通过中和滴定法测定非水溶剂中的硝酸、磷酸和醋酸的浓度。每种酸在水中的强度不能单独检测,但是在有机溶液中,它可以单独检测到。采用该滴定法,同时检测到三个终点。
利用扫描电镜观察氢氧化钾蚀刻制备的硅微观结构
氢氧化钾蚀刻 (KOH)是制造微型器件的一个重要工艺,用于从硅片上去除材料。选择性地蚀刻硅片的某些部分,用一层二氧化硅或掩膜来保护剩下的部分。然而,残留物的存在成为这种技术的一个缺点,因为它会对器件的制造过程产生负面影响。在这篇博客中,我们提出了一种利用蚀刻残留物的方法,将其作为后续蚀刻的掩膜,以制造两层微结构。我们还提供了如何有效地利用扫描电镜SEM对这些微结构进行成像的例子。
蚀刻液中乙酸(冰醋酸)含量的测定 应用资料
蚀刻液中乙酸(冰醋酸)含量的测定 应用资料样品加入纯水后,用0.5mol/L氢氧化钠滴定溶液测定蚀刻剂中的乙酸(冰醋酸)含量。滴定上升到终点,即滴定曲线上的最大拐点。乙酸(冰醋酸)浓度由氢氧化钠的滴定体积计算。
MT-V6电位滴定仪测定蚀刻液混酸(盐酸/硫酸/氢氟酸/氟硅酸)浓度
本方案主要适用于蚀刻液混酸中各组分的测试,特别是四种混酸(盐酸/硫酸/氢氟酸/氟硅酸)的蚀刻液体系。本次实验通过MT-V6自动电位滴定分析仪来测定蚀刻液混酸各组分浓度,如有工业在线分析以及智能化工厂需求则可以通过ALT工业在线分析设备来实现本方案需求。
Hakuto IBE离子刻蚀机运用于 PDMS 软刻蚀用母模板研究
随着微纳制造技术的发展,软刻蚀技术因其在微流体、组织工程和生物医学等领域的广泛应用而受到重视。PDMS(聚二甲基硅氧烷)作为一种常用的软刻蚀材料,其母模板的制备质量直接影响到最终产品的性能。Hakuto 7.5IBE 离子刻蚀机以其高效、简便的操作特点,为软刻蚀母模板的制备提供了新的选择。西南某高校在 PDMS 软刻蚀用母模板研究中有采用到伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE .
等离子体原子层刻蚀实现无损伤刻蚀
提供等离子体原子层刻蚀实现无损伤刻蚀。原子层蚀刻(ALE)是一种技术允许每次精确除去一个原子层,是使用常规刻蚀无法达到的控制水平。 牛津仪器的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性,可用于研究和开发,通过打造质量满足生产需求。
上海伯东 IBE离子束刻蚀(离子铣)基本原理与应用介绍
在半导体制程工艺中,刻蚀(Etch)是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分,以化学反应或物理作用的形式加以去除,完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀(Wet Etching)和干刻蚀(Dry Etching)。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺,即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后,将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种:PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。
使用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 在冷等离子体反应池模式下测量超纯水中的超痕量钾及其他元素
采用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 确认了水簇离子H3O(H2O)+ 的存在,其在冷等离子体条件下会在m/z 39 处产生 K 的背景信号。在 MS/MS 模式下,采用 NH3 作为反应池气体可成功除去该水簇离子。采用 8800 ICP-MS/MS 获得的 39K 的 BEC为使用常规四极杆 ICP-MS 获得值的 1/10。这一结果展示了 MS/MS 反应模式的优势,其能阻止所有非目标离子、等离子体衍生离子进入反应池,从而避免在反应池中产生可能造成干扰的产物离子。因此,Agilent 8800 ICP-MS/MS 能够使 UPW 中 K 的 BEC 低至 30 ppq,所有其他元素(包括Ca、Fe 和 Ni)的 BEC 150 ppq。
使用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 在冷等离子体反应池模式下测量超纯水中的超痕量钾及其他元素
采用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 确认了水簇离子H3O(H2O)+的存在,其在冷等离子体条件下会在m/z 39 处产生 K 的背景信号。在 MS/MS 模式下,采用 NH3作为反应池气体可成功除去该水簇离子。采用 8800 ICP-MS/MS 获得的39K 的 BEC 为使用常规四极杆 ICP-MS 获得值的 1/10。这一结果展示了 MS/MS 反应模式的优势,其能阻止所有非目标离子、等离子体衍生离子进入反应池,从而避免在反应池中产生可能造成干扰的产物离子。因此,Agilent 8800 ICP-MS/MS 能够使 UPW 中 K 的 BEC 低至 30 ppq,所有其他元素(包括Ca、Fe 和 Ni)的 BEC 150 ppq。
无反应条件下氧煤燃烧室中颗粒流动的实验研究
采用LaVision公司的粒子成像测速系统(PIV)和粒子跟踪测速系统(PTV)对无反应条件下氧煤燃烧室中颗粒流动的速度场进行了实验测量研究。
使用单颗粒ICP-MS在反应模式下分析SiO2纳米颗粒
使用ICP-MS测量硅(Si)富有挑战性。等离子体中形成的14N2+和12C16O+ 多原子离子,与丰度最高的Si同位素(28Si 92 %丰度)的m/z相同。因此,当多原子离子未被去除时(标准模式下),m/z 28处的背景等效浓度非常高。它抑制了低水平Si的测定,让SiO2纳米颗粒的检测变得更加困难。此外,Si的电离势相对较高,其电离也更具挑战性,导致其强度低于其它易电离的元素,如Na。然而,如果能提高信背比(S/B),就有可能检测到更小的SiO2纳米颗粒。在之前的应用报告中,2我们介绍过100 nm SiO2纳米颗粒标准品可以使用SP-ICP-MS进行分析,且无需去除干扰(标准模式下)。然而,如果能在反应模式下去除干扰,预期能精准测量更小的SiO2纳米颗粒。本工作将讨论在反应模式下,通过SP-ICP-MS检测、测量和表征SiO2纳米颗粒的能力。
Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于氮化硅刻蚀工艺研究
重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用 hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE.针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损失的问题, 为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比, 采用 CF4, CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅, 通过调整气体流量比, 腔内压强及功率, 研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响.
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀衍射光学元件提高均匀度
衍射光学元件因其独特的光学性能在多个高技术领域中得到广泛应用。随着技术的发展,对衍射光学元件的制造工艺提出了更高的要求。Hakuto 10IBE 离子刻蚀机的应用,为实现高精度和高均匀性的光学元件制造提供了新的解决方案。
普析990对赤泥中含镉废水的实验室研究
采用静态吸附方法研究了赤泥用盎 、pH、反应时间和温度对去除废水中镐效果的影响。 结果表明,赤泥对镐离子有较好的吸附性能,吸附率达到95.32%。当镐离子初始质量浓度为10 mg/L时,赤泥合适的投加最为lg几, 反应时间为1 h, 温度越高吸附率越高; 溶液pH越高吸附率越高,在碱性环境中会发生沉淀作用。
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 制作DNA芯片模板
本报告详细介绍了 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机在制作面阵石英 DNA 芯片模板中的应用。该设备配备 KRI 考夫曼公司的 KDC 160 离子源和 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700,确保了高真空度和刻蚀过程的高均匀性。Hakuto 10IBE 离子刻蚀机制作的芯片模板表面微结构形貌有利于 DNA 序列样本与芯片模板的吸附耦合,提高了实验效率和准确性。
SiliaCat DPP-Pd异质催化剂的铃木偶联反应
铃木-米亚乌拉钯偶联法被广泛用于制药和精细化工行业的生物芳烃和杂生物芳烃产品的合成中。通常,在批处理中,铃木偶联不能在反应溶剂的沸点以上进行,这可能导致反应时间过长,然而流动化学允许更高的操作压力,大大提高了安全性,允许更高的反应温度,以及更快的反应时间。
离子色谱法测定食物添加剂磷酸二氢钙中的阴离子
目的建立一种同时测定磷酸二氢钙中的F- 、Cl- 、SO42- 、NO3- 四种阴离子的分析方法。方法以碳酸钠和氢氧化钠溶液为淋洗液,通过对淋洗液等色谱说明前提的优化,选择离子色谱法测定食物添加剂CaH2 PO4中的阴离子,以尺度物质保存时刻定性,以外标法定量。功效在优化的色谱前提下,4 种离子的疏散度好,检测迅速度高 被测离子的浓度在必然范畴内与色谱峰面积呈精采的线性相关,相相关数r > 0. 999。4 种离子测定功效相对尺度毛病均< 3% ( n = 9) ,均匀加标接纳率为80% ~ 105% 。结论离子色谱法轻盈、迅速、快速,可以或许满意同时测定CaH2 PO4中4 种阴离子含量的要求。
应用MALDI-8030负离子模式对mRNA酶法加帽反应产物进行定性分析
本文使用岛津双极性台式基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱MALDI-8030对酶法加帽反应后mRNA加帽产物进行质谱分析,4个mRNA样品均成功检出目标离子峰,并根据分子量推断出mRNA的加帽类型,与理论相符。分析过程具有前处理流程简单、分析成本低、结果准确可靠的特点。
伯东NS 10 IBE离子束刻蚀机用于物理量传感器(MEMS)加工
上海伯东某科研客户的研究方向是物理量传感器,用于监测土壤的力学结构变化,一般用于山体、岩石和冻土等环境研究。这种传感器通过镀膜、沉积、刻蚀等工艺多次循环来加工,Au 和 Pt 是传感器加工中常用的涂层,在完成镀膜(溅镀 Sputter 或者电子束蒸镀 E-beam)用传统的湿法刻蚀、ICP 刻蚀和 RIE 刻蚀等工艺无法有效的刻蚀出所需的图形。离子束刻蚀 IBE 作为最有效的刻蚀方案可以解决这个问题,刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料。
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